KR102239084B1 - Analog-digital interface sram based on optoelectronic devices - Google Patents
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Abstract
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램 및 그 동작 방법이 제시된다. 본 발명에서 제안하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하고, 상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각은, 입력된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기, 변환된 디지털 신호를 디지털 신호 처리를 통해 증폭된 전류의 출력 신호를 생성하는 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET) 및 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 신호를 출력하는 디지털 아날로그 변환기를 포함한다.An analog-digital interface static RAM and its operation method are presented. The analog-digital interface static RAM proposed in the present invention includes a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter, and each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter is an analog digital converter that converts an input analog signal into a digital signal. Converter, a field effect transistor (HEXFET or MOSFET) that generates an output signal of amplified current through digital signal processing and a digital to analog converter that receives the output signal from the field effect transistor and outputs an analog signal. Includes.
Description
본 발명은 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램 및 그 동작 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an optoelectronic device-based analog-digital interface static RAM and a method of operating the same.
기존의 디지털 정적 램(Static Random Access Memory; SRAM)은 플립플롭 방식의 메모리 기술로써 램(Random Access Memory; RAM)의 핵심 요소로 자리 잡고 있다. 이는 매우 빠르고 쉽게 만들 수 있으며, 외부 신호에 따라 내부의 값을 유지한다는 점에서 CPU의 캐시메모리에 자주 이용되고 있다. 하지만 디지털 정적 램은 제한적인 메모리 사용량을 가진다는 단점이 존재한다. 이를 해결하기 위한 수단으로써 아날로그 정적 램을 구성하기 위해 아날로그-디지털 신호 인터페이스의 혼성 신호 처리 과정 또는 기술 개발이 필요하게 된다. 이는 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog Converter; DAC), 아날로그-디지털 변환기(Analog to Digital Converter; ADC)가 필요하다는 것을 의미한다.Existing digital static random access memory (SRAM) is a flip-flop memory technology and is positioned as a core element of random access memory (RAM). This can be made very quickly and easily, and is frequently used in the CPU's cache memory in that it maintains the internal value according to an external signal. However, digital static RAM has a disadvantage in that it has limited memory usage. As a means to solve this problem, in order to construct an analog static RAM, a mixed signal processing process or technology development of an analog-digital signal interface is required. This means that a digital to analog converter (DAC) and an analog to digital converter (ADC) are required.
광전 소자는 가시적으로 확인이 가능한 빛 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 혼성 신호 처리 과정을 직접 눈으로 확인할 수 있다. 기존의 디지털 정적 램과는 달리 기계적 또는, 광학적 정보 입력 방식을 통하여 메모리 접근이 가능한 시스템 메모리 회로를 필요로 한다. 따라서, 본 발명의 구동에 있어 디지털-아날로그 변환기, 아날로그-디지털 변환기의 역할을 수행하는 시스템을 구성하는데 광전 소자를 사용한다.Photoelectric devices use visually identifiable light signals as analog driving signals and information, so that the hybrid signal processing process can be directly checked at the system level. Unlike the existing digital static RAM, a system memory circuit that can access memory through a mechanical or optical information input method is required. Accordingly, photoelectric elements are used to construct a system that serves as a digital-to-analog converter and an analog-to-digital converter in driving the present invention.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 간단한 회로 구성을 통해 아날로그로 구동되는 정적 램을 구성하여 다양한 메모리 접근법을 제공하는데 있다. 광학 및 이미지 센서 기술을 도입하여 스마트 펙토리, 스마트 오피스 등 자동화 설비 제어에 적용하고자 한다. 또한, 가시적으로 확인할 수 있는 정적 램 메모리 기록 여부 확인을 통해 메모리 교육 자료로써 활용하고자 한다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide various memory approaches by configuring a static RAM driven by analog through a simple circuit configuration. By introducing optical and image sensor technology, it is intended to be applied to automatic facility control such as smart factory and smart office. In addition, it is intended to be used as a memory education material by checking whether a static RAM memory is recorded that can be checked visually.
일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하고, 상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각은, 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기, 변환된 디지털 신호를 전류에 대한 증폭을 통해 출력 신호를 생성하는 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET), 처리된 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 디지털 아날로그 변환기를 포함한다. In one aspect, the analog-digital interface static RAM proposed in the present invention includes a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter, and each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter converts an analog signal into a digital signal. And an analog-to-digital converter, a field effect transistor (HEXFET or MOSFET) that generates an output signal through amplification of the converted digital signal for current, and a digital-to-analog converter that converts the processed digital signal into an analog signal.
제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용하고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용함으로써 플립플롭 형식의 정적 램으로 동작한다. The analog signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is used as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter, and the analog signal output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter is used as the analog-to-digital converter of the first optoelectronic inverter. It operates as a flip-flop type of static RAM by using it as an input of.
제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기는 아날로그 신호의 입력 여부에 따라 디지털화시킨 출력 전압을 결정하고, 인버팅된 디지털 신호를 전계효과 트랜지스터로 입력시켜, 전계효과 트랜지스터는 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 이용하여 전류 신호를 증폭하는 디지털 신호 처리를 수행한다. The analog-to-digital converter of the first optoelectronic inverter determines the digitized output voltage according to whether an analog signal is input, and inputs the inverted digital signal to the field effect transistor, and the field effect transistor uses the inverted digital signal as an input. Thus, digital signal processing to amplify the current signal is performed.
아날로그 디지털 변환기 및 디지털 아날로그 변환기는 빛, 소리, 온도를 포함하는 복수의 아날로그 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기 및 아날로그 디지털 변환기로서 구성 가능하다.The analog-to-digital converter and the digital-to-analog converter can be configured as a corresponding digital-to-analog converter and an analog-to-digital converter for a plurality of analog signals including light, sound, and temperature.
또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법에 있어서, 상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각의 동작 방법은 입력된 아날로그 신호를 아날로그 디지털 변환기를 통해 디지털 신호로 변환하는 단계, 변환된 디지털 신호를 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET)를 통해 디지털 신호 처리하여 증폭된 전류의 출력 신호를 생성하는 단계 및 디지털 아날로그 변환기를 통해 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 신호를 출력하는 단계를 포함한다. In yet another aspect, in a method of operating an analog-digital interface static RAM including a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter proposed in the present invention, the operation method of each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter Is a step of converting an input analog signal into a digital signal through an analog-to-digital converter, digital signal processing of the converted digital signal through a field effect transistor (HEXFET or MOSFET) to generate an output signal of amplified current, and digital And receiving an output signal of the field effect transistor as an input through an analog converter and outputting an analog signal.
제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용하고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용함으로써 정적 램으로 동작한다. The analog signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is used as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter, and the analog signal output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter is used as the analog-to-digital converter of the first optoelectronic inverter. By using it as an input of, it operates as a static RAM.
본 발명의 실시예들에 따르면 아날로그 신호로 메모리 접근을 실행하여 메모리 기록에 대한 다양한 접근 방법을 가능하게 한다. 이 때 빛 신호로 메모리 저장 여부를 확인할 수 있어 직관적인 구동 여부 확인을 가능하게 한다. 이는 메모리 교육의 기초적인 자료로 제공될 수 있으며, 메모리 접근 및 기록에 대한 구동 여부 확인을 가시적으로 확인하게 할 수 있다. 기존 디지털 방식의 정적 램의 아날로그 방식으로 구동을 위해서는 혼성 신호 처리 과정이 필요하며, 이는 디지털 아날로그 변환기, 아날로그 디지털 변환기를 추가하여 집적도 및 복잡성 측면에서 문제가 발생할 수 있다. 하지만 본 발명은 광전자 구동에 있어서 상기 두 가지 구성 시스템을 단일 시스템으로 구성할 수 있다. 또는 간단한 회로 구성만으로도 메모리를 확인할 수 있어 다양한 메모리 접근 방법 확인 및 분석을 가능하게 한다.According to embodiments of the present invention, memory access is performed with an analog signal to enable various access methods for memory write. At this time, it is possible to check whether or not the memory is stored with a light signal, so that it is possible to intuitively check whether the operation is performed. This can be provided as basic data for memory education, and it is possible to visually confirm whether memory access and recording are driven. In order to drive the existing digital static RAM in the analog method, a mixed signal processing process is required, which may cause problems in terms of integration and complexity by adding a digital-to-analog converter and an analog-to-digital converter. However, in the present invention, in optoelectronic driving, the two configuration systems can be configured as a single system. Alternatively, the memory can be checked with only a simple circuit configuration, enabling verification and analysis of various memory access methods.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 빛 발생 여부에 따른 포토레지스터의 저항 변화를 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터 중 포토 인버터의 구성을 설명하기 위한 회로도와 포토 인버터의 아날로그 디지털 변환기로써의 역할을 보여주는 도면이다..
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터의 회로도 및 전기적 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 내부 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작을 설명하기 위한 논리도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 메모리 접근 방법에 따른 기록 여부를 나타내는 도면이다. 1 is a graph showing a change in resistance of a photoresistor according to whether or not light is generated by a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration of a photo inverter among photoelectric inverters according to an embodiment of the present invention, and a view showing the role of the photo inverter as an analog-to-digital converter.
3 is a flowchart illustrating an operation of an optoelectronic inverter according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a circuit diagram and electrical characteristics of an optoelectronic inverter according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating an internal configuration of an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
6 is a logic diagram illustrating an operation of an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating whether or not to write an optoelectronic device-based analog-digital interface static RAM according to a memory access method according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 구동에 있어 아날로그-디지털 변환기, 디지털-아날로그 변환기의 역할을 수행하는 시스템을 구성하는데 광전소자를 사용했다. 광전소자는 가시적으로 확인이 가능한 빛 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 혼성 신호 처리 과정을 직접 눈으로 확인할 수 있다. 본 발명의 시스템 회로 구성을 위해 발광 다이오드(LED) 및 포토레지스터(Photoresistor), 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET) 등이 사용되었다. 본 발명의 시스템 메모리 회로는 기존의 디지털 정적 램과는 달리 기계적 또는, 광학적 정보 입력 방식을 통하여 메모리 접근이 가능하며, 이는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램이 가지는 특수성으로 확인할 수 있다. 이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. In the driving of the present invention, photoelectric devices were used to construct a system that functions as an analog-to-digital converter and a digital-to-analog converter. The photoelectric device can directly check the hybrid signal processing process at the system level by using a visible light signal as an analog drive signal and information. For the construction of the system circuit of the present invention, a light emitting diode (LED), a photoresistor, a field effect transistor (HEXFET or MOSFET), and the like were used. Unlike the conventional digital static RAM, the system memory circuit of the present invention can access the memory through a mechanical or optical information input method, which can be confirmed by the specificity of the analog-digital interface static RAM. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 빛 발생 여부에 따른 포토레지스터의 저항 변화를 나타내는 그래프이다. 1 is a graph showing a change in resistance of a photoresistor according to whether or not light is generated by a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 포토레지스터가 빛에 따라 전기적인 특성이 변하는 모습을 볼 수 있다. 포토레지스터가 빛에 노출이 되면 저항값이 작아져 높은 전류가 발생하는 모습을 확인할 수 있다. 이 특성을 이용하여 본 발명의 실시예에 따른 포토 인버터 회로를 구성할 수 있다. Referring to FIG. 1, it can be seen that electrical characteristics of the photoresistor change according to light. When the photoresistor is exposed to light, the resistance value decreases, and it can be seen that a high current is generated. Using this characteristic, a photo inverter circuit according to an embodiment of the present invention can be constructed.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터 중 포토 인버터의 구성을 설명하기 위한 회로도와 포토 인버터의 아날로그 디지털 변환기로써의 역할을 보여주는 도면이다. FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration of a photo inverter among photoelectric inverters according to an embodiment of the present invention, and a view showing the role of the photo inverter as an analog-to-digital converter.
본 발명의 실시예에 따른 포토 인버터 회로는 포토레지스터가 빛에 노출이 되면 저항값이 작아져 높은 전류가 발생하는 특성을 이용한다. The photo-inverter circuit according to an embodiment of the present invention uses a characteristic in which a high current is generated due to a decrease in resistance when the photoresistor is exposed to light.
도 2(a)의 광 정보 입력을 시키는 발광 다이오드(LED)의 전력에 대해 포토 인버터의 출력(Vout)이 인버터의 역할을 수행해냄을 도 2(b)의 그래프를 통해 확인할 수 있다. 도 2(a)에서 사용한 인버터 저항값은 포토레지스터 반응에 대해 설정한 값이고, 적용되는 전자 소자의 성능에 따라 저항값이 달라질 수 있다는 것을 포함할 수 있다. 도 2(b)를 참조하면, 포토 인버터는 빛이라는 아날로그 신호가 포토레지스터에 의해 디지털 신호로 변환되는 모습임을 확인할 수 있다. 이는 구동되는 발광 다이오드의 성능에 따라 결정되는 결과값이며, 아날로그 입력에 따라 결과값이 달라질 수 있다.It can be seen through the graph of FIG. 2(b) that the output (V out ) of the photo inverter plays the role of the inverter with respect to the power of the light emitting diode (LED) for inputting optical information of FIG. 2(a). The inverter resistance value used in FIG. 2A is a value set for the photoresist reaction, and may include that the resistance value may vary according to the performance of the applied electronic device. Referring to FIG. 2B, it can be seen that the photo inverter converts an analog signal of light into a digital signal by a photo register. This is a result value determined according to the performance of the driven light emitting diode, and the result value may vary depending on the analog input.
본 발명에서는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에 있어서, 광전소자 기반의 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에 관하여 설명한다. 이는 빛이라는 아날로그 신호를 바탕으로 구성한 시스템이며, 빛 이외에도 소리, 온도 등 다양한 아날로그 신호를 이용하여 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램을 구성할 수 있다. 이때, 각각에 대한 아날로그 디지털 변환기는 음향 센서, 온도 센서 등으로 구성할 수 있다. 또한, 빛, 소리, 온도 등의 다양한 아날로그 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기로 구성 가능하다. 이하, 편의를 위해 광전소자 기반의 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램을 실시예로서 설명한다. In the present invention, in the analog-digital interface static RAM, an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device will be described. This is a system configured based on an analog signal called light, and it is possible to configure a static RAM with an analog-digital interface using various analog signals such as sound and temperature in addition to light. In this case, the analog-to-digital converter for each may be composed of an acoustic sensor, a temperature sensor, or the like. In addition, it can be configured as a digital-to-analog converter corresponding to various analog signals such as light, sound, and temperature. Hereinafter, for convenience, an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device will be described as an embodiment.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating an operation of an optoelectronic inverter according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 입력 빛 신호(아날로그 신호)의 입력 여부(310)에 따라 출력 빛 신호(아날로그 신호)가 결정되는 동작 방법에 대한 흐름도를 확인할 수 있다. 입력 빛 신호를 아날로그 신호로서 입력 받은 경우(321), 입력 빛 신호에 노출된 포토레지스터는 빛의 노출 여부에 따라 출력 전압을 결정한다(322). 이와 같이 포토레지스터를 통해 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 하여 전계효과 트랜지스터를 구동함으로써 디지털 신호 처리를 수행한다(323). 발광 다이오드에 의해 디지털 신호를 다시 아날로그 신호로 변환한다(324). 변환된 아날로그 신호는 발광 다이오드를 통해 결정될 수 있고, 출력 빛 신호의 아날로그 신호로서 출력되지 않는다(325).Referring to FIG. 3, a flowchart of an operation method in which an output light signal (analog signal) is determined according to whether an input light signal (analog signal) is
반면에, 입력 빛 신호를 아날로그 신호로서 입력 받지 않은 경우(331), 아날로그 신호를 포토레지스터를 통해 디지털 신호로 변환한다(332). 포토레지스터를 통해 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 하여 전계효과 트랜지스터를 구동함으로써 디지털 신호 처리를 수행한다(333). 발광 다이오드에 의해 디지털 신호를 다시 아날로그 신호로 변환한다(334). 변환된 아날로그 신호는 발광 다이오드를 통해 결정될 수 있고, 출력 빛 신호의 아날로그 신호로서 출력된다(335).On the other hand, when the input light signal is not input as an analog signal (331), the analog signal is converted into a digital signal through a photo register (332). Digital signal processing is performed by driving the field effect transistor by receiving the digital signal inverted through the photoresistor as an input (333). The digital signal is converted back to an analog signal by the light emitting diode (334). The converted analog signal may be determined through a light emitting diode, and is output as an analog signal of an output light signal (335).
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전자 인버터의 회로도 및 전기적 특성을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a diagram illustrating a circuit diagram and electrical characteristics of an optoelectronic inverter according to an embodiment of the present invention.
제안하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램을 구성하기 위한 광전자 인버터는 외부 환경에서 입력되는 광 정보, 아날로그 디지털 변환기(412)를 포함하는 포토 인버터(410), 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET)(420) 및 디지털 아날로그 변환기(430)를 포함한다. The optoelectronic inverter for constructing the proposed analog-digital interface static RAM includes optical information input from an external environment, a photo inverter 410 including an analog-to-digital converter 412, and a field effect transistor (HEXFET or MOSFET) 420 And a digital to analog converter 430.
도 2(a)의 제1 발광 다이오드(LED1)는 외부의 광 정보 환경을 재연하기 위한 장치로써 이용된다.The first light emitting diode LED1 of FIG. 2A is used as a device for reproducing an external optical information environment.
아날로그 디지털 변환기(412)는 변환된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환한다. The analog-to-digital converter 412 converts the converted analog signal into a digital signal.
전계효과 트렌지스터(MOSFET)(420)는 변환된 디지털 신호를 디지털 신호 처리를 통해 증폭된 디지털 출력 신호를 생성한다. The field effect transistor (MOSFET) 420 generates a digital output signal amplified through digital signal processing of the converted digital signal.
디지털 아날로그 변환기(430)는 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 신호를 출력한다. The digital-to-analog converter 430 receives the output signal of the field effect transistor as an input and outputs an analog signal.
본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에서 외부의 광 정보 환경은 제1 발광 다이오드(LED1), 아날로그 디지털 변환기(412)는 포토레지스터, 디지털 아날로그 변환기(430)는 제2 발광 다이오드(LED2)일 수 있다. 이하, 편의를 위해 광전소자 기반의 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램을 실시예로서 설명한다. In the photoelectric device-based analog-digital interface static RAM according to an embodiment of the present invention, the external optical information environment is the first light-emitting diode (LED1), the analog-to-digital converter 412 is a photoresistor, and the digital-to-analog converter 430 is the first. 2 It may be a light emitting diode (LED2). Hereinafter, for convenience, an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device will be described as an embodiment.
입력 빛 신호(LED1)에 노출된 포토레지스터는 빛의 노출 여부에 따라 출력 전압(VPS)가 결정된다. 도 2(b)의 포토 인버터(410)의 전기적 결과값을 참조하면 인버터의 구동 결과를 확인할 수 있다. 이와 같이 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 하여 전계효과 트랜지스터를 구동함으로써 디지털 신호 처리를 수행해 제2 발광 다이오드에 증폭된 전류를 만들어 내고, 출력 빛 신호(LED2)가 결정된다. 결정된 출력 빛 신호에 대한 전기적 특성은 도 4(c)를 통해 확인할 수 있다. 출력 빛 신호는 발광 다이오드를 통해 디지털 아날로그 변환하여 나타낼 수 있으며, 도 4(b)를 참조하면 입력 빛 신호와 반대로 동작되는 모습을 볼 수 있다. 광전자 인버터를 통해 빛 신호를 이용하여 아날로그 입력 신호에 대한 아날로그 출력 신호의 구동 여부를 확인할 수 있고, 이는 아날로그 정적 램의 기초 구성 시스템이 될 수 있음을 확인할 수 있다. For the photoresistor exposed to the input light signal LED1, the output voltage V PS is determined according to whether or not the light is exposed. Referring to the electrical result value of the photo inverter 410 of FIG. 2(b), the driving result of the inverter can be checked. By driving the field effect transistor using the inverted digital signal as an input, digital signal processing is performed to generate an amplified current in the second light emitting diode, and the output light signal LED2 is determined. The electrical characteristics of the determined output light signal can be confirmed through FIG. 4(c). The output light signal can be represented by digital-to-analog conversion through a light emitting diode, and referring to FIG. 4(b), it can be seen that the output light signal operates in the opposite direction to the input light signal. Through the photoelectric inverter, it is possible to check whether an analog output signal is driven for an analog input signal using a light signal, and it can be confirmed that this can be a basic configuration system for an analog static RAM.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 내부 구성을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 5 is a diagram illustrating an internal configuration of an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
제안하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하고, 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각은 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기, 변환된 디지털 신호를 디지털 신호 처리를 통해 출력 신호를 생성하는 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET) 및 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 신호를 출력하는 디지털 아날로그 변환기를 포함할 수 있다. The proposed analog-to-digital interface static RAM includes a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter, and each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter converts an analog signal into a digital signal, a converted digital signal. A field effect transistor (HEXFET or MOSFET) that generates an output signal through digital signal processing and a digital-to-analog converter that receives an output signal of the field effect transistor as an input and outputs an analog signal.
제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용하고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용함으로써 플립플롭 형식의 정적 램으로 동작한다. The analog signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is used as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter, and the analog signal output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter is used as the analog-to-digital converter of the first optoelectronic inverter. It operates as a flip-flop type of static RAM by using it as an input of.
아날로그 디지털 변환기 및 디지털 아날로그 변환기는 빛, 소리, 온도를 포함하는 복수의 아날로그 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기 및 아날로그 디지털 변환기로서 구성 가능하다.The analog-to-digital converter and the digital-to-analog converter can be configured as a corresponding digital-to-analog converter and an analog-to-digital converter for a plurality of analog signals including light, sound, and temperature.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 도 4의 광전자 인버터를 바탕으로 구성된 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 구성도를 나타내었다. Referring to FIG. 5, a configuration diagram of an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device constructed based on the optoelectronic inverter of FIG. 4 according to an embodiment of the present invention is shown.
본 발명의 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 서로 같은 구동 방식을 가지는 제1 광전자 인버터(510) 및 제2 광전자 인버터(520)를 포함한다. 제1 광전자 인버터(510)는 포토레지스트(512), 전계효과 트랜지스터(513) 및 발광 다이오드(514)를 포함한다. 제2 광전자 인버터(520)는 포토레지스트(522), 전계효과 트랜지스터(523) 및 발광 다이오드(524)를 포함한다. The optoelectronic device-based analog-digital interface static RAM according to an embodiment of the present invention includes a first optoelectronic inverter 510 and a second optoelectronic inverter 520 having the same driving method. The first optoelectronic inverter 510 includes a photoresist 512, a field effect transistor 513, and a light emitting diode 514. The second optoelectronic inverter 520 includes a photoresist 522, a field effect transistor 523 and a light emitting diode 524.
제1 광전자 인버터(510) 및 제2 광전자 인버터(520)는 각각의 출력 빛 신호를 각각의 아날로그 디지털 변환기(다시 말해, 포토레지스트)(511 및 521)에 입력 신호로 이용함으로써 정적 램을 구현해낼 수 있다. 이는 빛이라는 아날로그 신호를 바탕으로 구성한 시스템이며, 소리, 온도 등 다양한 아날로그 신호로 구성할 수 있다. 각각에 대한 아날로그 디지털 변환기는 음향 센서, 온도 센서 등으로 구성할 수 있다.The first optoelectronic inverter 510 and the second optoelectronic inverter 520 use each output light signal as an input signal to each analog-to-digital converter (that is, photoresist) 511 and 521 to implement a static RAM. I can. This is a system constructed based on an analog signal called light, and can be composed of various analog signals such as sound and temperature. Each analog to digital converter can be configured with an acoustic sensor, a temperature sensor, and the like.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작을 설명하기 위한 논리도이다. 6 is a logic diagram illustrating an operation of an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법에 있어서 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각의 동작 방법은, 외부 환경에서의 광 정보가 입력되는 단계(611, 621), 입력된 아날로그 신호를 아날로그 디지털 변환기를 통해 디지털 신호로 변환하는 단계(612, 622), 변환된 디지털 신호를 전계효과 트렌지스터(MOSFET)를 통해 디지털 신호 처리하여 증폭된 출력 신호를 생성하는 단계(613, 623) 및 디지털 아날로그 변환기를 통해 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하고(614, 624), 아날로그 신호를 출력하는 단계(615, 625)를 포함한다. In a method of operating an analog-digital interface static RAM including a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter according to an embodiment of the present invention, the operating method of each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter is provided in an external environment. Steps for inputting optical information (611, 621), converting the input analog signal to a digital signal through an analog-to-digital converter (612, 622), digital signal processing through a field effect transistor (MOSFET) And generating an amplified output signal (613, 623) and converting a digital signal into an analog signal by receiving the output signal of the field effect transistor through a digital-to-analog converter (614, 624), and outputting an analog signal. (615, 625).
이후 플립플롭 연결을 통하여, 제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용하고(616), 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기에서 출력되는 아날로그 신호를 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로 이용(626)함으로써 정적 램으로 동작할 수 있다. Thereafter, through flip-flop connection, the analog signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is used as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter (616), and the analog output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter The signal can be operated as a static RAM by using 626 as an input to an analog-to-digital converter of the first optoelectronic inverter.
본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에서 아날로그 디지털 변환기는 포토레지스트, 디지털 아날로그 변환기는 제2 발광 다이오드일 수 있다. In the photoelectric device-based analog-to-digital interface static RAM according to an embodiment of the present invention, the analog-to-digital converter may be a photoresist, and the digital-to-analog converter may be a second light emitting diode.
본 발명에서는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에 있어서, 광전소자 기반의 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법에 관하여 설명한다. 이는 빛이라는 아날로그 신호를 바탕으로 구성한 시스템이며, 빛 이외에도 소리, 온도 등 다양한 아날로그 신호를 이용하여 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램을 구성할 수 있다. 이때, 각각에 대한 아날로그 디지털 변환기는 음향 센서, 온도 센서 등으로 구성할 수 있다. 또한, 빛, 소리, 온도 등의 다양한 아날로그 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기로 구성 가능하다. In the present invention, in the analog-digital interface static RAM, a method of operating an analog-digital interface static RAM based on an optoelectronic device will be described. This is a system configured based on an analog signal called light, and it is possible to configure a static RAM with an analog-digital interface using various analog signals such as sound and temperature in addition to light. In this case, the analog-to-digital converter for each may be composed of an acoustic sensor, a temperature sensor, or the like. In addition, it can be configured as a digital-to-analog converter corresponding to various analog signals such as light, sound, and temperature.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 메모리 접근 방법에 따른 기록 여부를 나타내는 도면이다. 7 is a diagram illustrating whether or not to write an optoelectronic device-based analog-digital interface static RAM according to a memory access method according to an embodiment of the present invention.
도 7(a)를 참조하면 도 6의 논리도를 바탕으로 하는 회로도를 볼 수 있다. 광전자 인버터 각각의 출력 역할을 수행하는 발광 다이오드가 서로 다른 시스템의 포토레지스터에 입력됨(플립플롭 구조)으로써 정적 램을 수행할 수 있다. 도 7(b) 및 도 7(c)는 아날로그 정적 램에서 저장된 메모리를 변경시키는 두 가지 접근 방법(각각 기계적 및 광학적 정보 입력 방식)으로 정상적인 메모리 입력이 수행되는 모습을 확인할 수 있다. 또한, 제시된 두 가지 방법 외의 다른 아날로그적 메모리 접근 방법을 통해 이를 수행할 수 있다. 구현된 아날로그 정적 램은 메모리 기록 여부에 대한 가시적인 확인이 가능하며, 이를 직관적인 메모리 교육 자료로 활용될 수 있다.Referring to FIG. 7(a), a circuit diagram based on the logic diagram of FIG. 6 can be seen. Light-emitting diodes serving as outputs of each of the optoelectronic inverters are input to photoresistors of different systems (flip-flop structure), thereby performing static RAM. 7(b) and 7(c) show that normal memory input is performed with two approaches (mechanical and optical information input methods, respectively) of changing the memory stored in the analog static RAM. In addition, this can be accomplished through an analog memory access method other than the two suggested methods. The implemented analog static RAM can visually check whether or not the memory is recorded, and this can be used as an intuitive memory training material.
이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The apparatus described above may be implemented as a hardware component, a software component, and/or a combination of a hardware component and a software component. For example, the devices and components described in the embodiments include, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, a microcomputer, a field programmable array (FPA), It may be implemented using one or more general purpose or special purpose computers, such as a programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. The processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications executed on the operating system. Further, the processing device may access, store, manipulate, process, and generate data in response to the execution of software. For the convenience of understanding, although it is sometimes described that one processing device is used, one of ordinary skill in the art, the processing device is a plurality of processing elements and/or a plurality of types of processing elements. It can be seen that it may include. For example, the processing device may include a plurality of processors or one processor and one controller. In addition, other processing configurations are possible, such as a parallel processor.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.The software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of these, configuring the processing unit to behave as desired or processed independently or collectively. You can command the device. Software and/or data may be interpreted by a processing device or, to provide instructions or data to a processing device, of any type of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage medium or device. Can be embodyed. The software may be distributed over networked computer systems and stored or executed in a distributed manner. Software and data may be stored on one or more computer-readable recording media.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. The method according to the embodiment may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, etc. alone or in combination. The program instructions recorded on the medium may be specially designed and configured for the embodiment, or may be known and usable to those skilled in computer software. Examples of computer-readable recording media include magnetic media such as hard disks, floppy disks, and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DVDs, and magnetic media such as floptical disks. -A hardware device specially configured to store and execute program instructions such as magneto-optical media, and ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include not only machine language codes such as those produced by a compiler, but also high-level language codes that can be executed by a computer using an interpreter or the like.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although the embodiments have been described by the limited embodiments and drawings as described above, various modifications and variations can be made from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or components such as systems, structures, devices, circuits, etc. described are combined or combined in a form different from the described method, or other components Alternatively, even if substituted or substituted by an equivalent, an appropriate result can be achieved.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and those equivalent to the claims also fall within the scope of the claims to be described later.
Claims (7)
상기 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하고,
상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각은,
입력된 아날로그 광전자 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기;
변환된 디지털 신호를 디지털 신호 처리를 통해 증폭된 전류 출력 신호를 생성하는 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET); 및
전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 광전자 신호를 출력하는 디지털 아날로그 변환기
를 포함하고,
제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되어 정적 램으로 동작하고,
아날로그 광전자 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 신호 처리 과정을 가시적으로 확인하는
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램. In the analog-digital interface static RAM,
The analog-digital interface static RAM includes a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter,
Each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter,
An analog-to-digital converter for converting an input analog optoelectronic signal into a digital signal;
A field effect transistor (HEXFET or MOSFET) for generating a current output signal amplified through digital signal processing of the converted digital signal; And
Digital-to-analog converter that receives the output signal of the field effect transistor as an input and outputs an analog optoelectronic signal
Including,
The analog optoelectronic signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is input as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter, and the analog optoelectronic signal output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter is analog of the first optoelectronic inverter. It is input as an input of a digital converter and operates as a static RAM,
By using analog optoelectronic signals as signals and information for analog drive,
Analog-to-digital interface static RAM.
아날로그 디지털 변환기는 아날로그 광전자 신호의 입력 여부에 따라 출력 전압을 결정하고, 인버팅된 디지털 신호를 전계효과 트랜지스터로 증폭된 전류로 출력하고,
전계효과 트랜지스터는 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 이용하여 디지털 신호 처리를 수행하는
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램. The method of claim 1,
The analog-to-digital converter determines the output voltage according to whether an analog optoelectronic signal is input, and outputs the inverted digital signal as a current amplified by a field effect transistor,
The field effect transistor uses the inverted digital signal as an input to perform digital signal processing.
Analog-to-digital interface static RAM.
아날로그 디지털 변환기 및 디지털 아날로그 변환기는 빛, 소리, 온도를 포함하는 복수의 아날로그 광전자 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기 및 아날로그 디지털 변환기로서 구성 가능한
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램. The method of claim 1,
Analog-to-digital converters and digital-to-analog converters are configurable as corresponding digital-to-analog converters and analog-to-digital converters for a plurality of analog optoelectronic signals including light, sound, and temperature.
Analog-to-digital interface static RAM.
상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각의 동작 방법은,
입력된 아날로그 광전자 신호를 아날로그 디지털 변환기를 통해 디지털 신호로 변환하는 단계;
변환된 디지털 신호를 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET)를 통해 디지털 신호 처리하여 증폭된 전류 출력 신호를 생성하는 단계; 및
디지털 아날로그 변환기를 통해 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 광전자 신호를 출력하는 단계
를 포함하고,
제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되어 정적 램으로 동작하고, 아날로그 광전자 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 신호 처리 과정을 가시적으로 확인하는
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법. In the method of operating an analog-digital interface static RAM comprising a first optoelectronic inverter and a second optoelectronic inverter,
The operating method of each of the first optoelectronic inverter and the second optoelectronic inverter,
Converting the input analog optoelectronic signal into a digital signal through an analog-to-digital converter;
Digitally processing the converted digital signal through a field effect transistor (HEXFET or MOSFET) to generate an amplified current output signal; And
Step of receiving an output signal of a field effect transistor as an input through a digital to analog converter and outputting an analog optoelectronic signal.
Including,
The analog optoelectronic signal output from the digital-to-analog converter of the first optoelectronic inverter is input as an input of the analog-to-digital converter of the second optoelectronic inverter, and the analog optoelectronic signal output from the digital-to-analog converter of the second optoelectronic inverter is analog of the first optoelectronic inverter. It is input as an input of a digital converter, operates as a static RAM, and uses an analog optoelectronic signal as an analog drive signal and information to visually check the signal processing process at the system level.
How the analog-digital interface static RAM works.
아날로그 디지털 변환기를 통해 외부 환경의 광 정보를 디지털 신호로 변환하는 단계는,
아날로그 광전자 신호의 입력 여부에 따라 출력 전압을 결정하고, 인버팅된 디지털 신호를 전계효과 트랜지스터로 출력하는
아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법. The method of claim 5,
Converting optical information of an external environment into a digital signal through an analog-to-digital converter,
Determines the output voltage according to whether an analog optoelectronic signal is input, and outputs the inverted digital signal to the field effect transistor.
How the analog-digital interface static RAM works.
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| Title |
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| M.R.Rajesh Kumar et al.,‘A simple VCSEL based opto electronic module for optical logic and interface applications’, ICCCNT 2012, 26~28 July 2012. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210036541A (en) | 2021-04-05 |
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