KR102235565B1 - 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 및 이를 포함하는 이차전지 또는 슈퍼 커패시터용 전극 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체; 및 환원된 그래핀옥사이드(rGO);를 포함하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체에 관한 것이다. 이에 의하여, 본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 환원된 그래핀옥사이드(rGO)와 2차원 Ni-MOF를 복합화하여 에너지 저장 전극재료로 활용하는 경우 rGO와 Ni-MOF의 시너지 효과로 인해 Ni-MOF가 단독으로 사용하는 경우 보다 더 높은 무게당 방전용량을 나타낼 수 있고, 박막 형태의 전극으로 제조함으로써 기계적 휨 강도 및 부피당 높은 에너지 밀도를 가지는 차세대 에너지 저장 전극으로 활용될 수 있다.

Description

2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 및 이를 포함하는 이차전지 또는 슈퍼 커패시터용 전극{2 dimension nickel-metal-organic frameworks/rGO and electrode for secondary battery or super capacitor comprising the same}
본 발명은 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 및 이를 포함하는 이차전지 또는 슈퍼 커패시터용 전극에 관한 것이다.
전기 이중층 커패시터(EDLC)는 전도성 전극 표면에 이온을 물리적으로 부착시키는 전하 저장 장치이다. 높은 정전용량을 갖는 슈퍼 커패시터는 높은 전력 밀도, 빠른 충전 시간, 낮은 유지 비용 및 긴 사이클 수명으로 인해 많은 주목을 받고 있다. 일반적으로 커패시턴스는 전도성 전극의 표면적에 비례한다. 따라서, 통상적으로 표면적이 큰 활성탄이 전극 재료로 사용되어 왔으나, 전지와 비교하여 낮은 에너지 밀도는 개선되어야 한다. 이에 따라, 표면 산화 환원 반응을 통해 전기 화학적으로 에너지를 저장하는 새로운 의사 용량성(pseudo-capacitive) 나노 물질은 전력과 에너지 밀도 모두를 증가시키는 전극으로서 광범위하게 연구되어 왔다. 결과적으로, 현재까지 전이금속 산화물, 전도성 고분자 및 헤테로 원자 도핑 탄소질 물질은 의사 용량성 전극 재료로 제안되어 왔다. 다양한 의사 용량성 나노 물질 중 전이금속 산화물은 높은 이론 용량, 저비용 및 가역성으로 인해 전극 물질로서의 잠재력을 보여 주었다. 특히, MnO2/탄소 및 CoO/탄소와 같은 값싼 하이브리드 전극은 빠르고 안정한 산화 환원 반응을 나타내었다.
한편, 금속 이온과 유기 리간드로 조립된 금속-유기 구조체(Metal-organic frameworks, MOF)는 높은 표면적과 기능성을 가진 잘 배열된 나노 구조를 가지고 있다. MOF의 확장 지점을 나타내는 2 차 건축 단위(secondary building units)는 대부분 금속 산화물 클러스터로 구성되어 있다. 그러므로 불활성 대기 하에서 MOF의 탄화는 탄소질 물질에서 금속 산화물을 생성한다. 이 물질은 탄소에 금속 산화물이 잘 분산된 큰 표면적을 갖는다. MOF 유래의 금속 산화물/탄소는 청정 에너지 분야에서 유망한 플랫폼 응용을 보여주고 있다. 예를 들어, Mn-MOFs 유래된 Mn2O3/그래핀은 0.5 M Na2SO4에서 471 Fg-1의 높은 비정전용량 및 긴 사이클 용량을 나타내었고, 흥미롭게도, 공기 또는 산소 분위기 하에서 MOFs의 열분해는 개선된 의사 정전용량 특성을 갖는 잘 정의된 금속 산화물을 생성시켰다. 예를 들어, 공기 중 ZIF-67/Ni-Co LDH(layered double hydroxide)의 열분해에 의해 제조된 혼합 금속 Co3O4/NiCo2O4는 5Ag-1의 전류 밀도에서 972 Fg-1의 높은 비정전용량을 나타내었다.
Ni 기반의 2차원 금속-유기 구조체(2D Ni-MOF)는 열처리 및 탄화 같은 추가 환원 공정 없이, 합성된 소재 자체적으로 높은 전기전도성 및 기공률, 전해질 이온과 Ni과의 산화, 환원이 가능하여 차세대 이차전지, 슈퍼커패시터의 전극 소재로 각광받고 있다. 하지만, 2D Ni-MOF는 분말 형태로 존재하기 때문에, 기계적 휨을 견딜 수 있는 배터리 전극소재로 활용하기에는 한계가 있으며, 부피당 에너지 밀도가 높은 전극 소재 제작에 한계가 있었다.
Journal of Materials Chemistry A Issue 26, 2015, 3, 13874-13883
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 환원된 그래핀옥사이드(rGO)와 2차원 Ni-MOF를 복합화하여 에너지 저장 전극재료로 활용하는 경우 rGO와 Ni-MOF의 시너지 효과로 인해 Ni-MOF가 단독으로 사용하는 경우보다 더 높은 무게당 방전용량을 나타낼 수 있고, 박막 형태의 전극으로 제조함으로써 기계적 휨 강도 및 부피당 높은 에너지 밀도를 가지는 차세대 에너지 저장 전극으로 활용될 수 있는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면,
치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체; 및 환원된 그래핀옥사이드(rGO);를 포함하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체가 제공된다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 이차전지 전극재료, 슈퍼 커패시터 전극재료, 및 전기화학적 센서재료 중에서 선택된 어느 하나의 용도로 사용될 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112019114161952-pat00001
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 상온에서 전기전도도가 1 내지 10,000 S/m 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 BET 표면적은 10 내지 3000 m2/g 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 총 공극 부피는 0.1 내지 5.0 m3/g 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 2차원 Ni-유기구조체와 rGO가 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 하나의 측면에 따르면,
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극이 제공된다.
본 발명의 다른 또 하나의 측면에 따르면,
(a) 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 Ni-유기구조체를 용매에 분산시킨 2차원 Ni-유기구조체 분산액, 및 그래핀옥사이드를 용매에 분산시킨 그래핀옥사이드 분산액을 제조하는 단계;
(b) 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 혼합하여 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액을 제조하는 단계;
(c) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액에서 용매를 분리하고 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 제조하는 단계; 및
(d) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 열처리로 환원시켜 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법이 제공된다.
상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, IPA(isopropyl alcohol), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), n-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 및 트리에틸포스페이트(TEP) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112019114161952-pat00002
단계 (b)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액은 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 혼합하여 제조될 수 있다.
단계 (b)에서 상기 혼합은 기계적 혼합 또는 초음파 혼합에 의해 수행될 수 있다.
단계 (c)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체는 멤브레인 필터 페이퍼를 이용하여 박막으로 제조될 수 있다.
상기 멤브레인 필러 페이퍼는 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 니트로셀룰로오스(Nitrocellulose), 셀룰로스 에스터(cellulose esters), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리설폰(polysulfone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrilonitrile), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리비닐리덴 플루라이드(polyvinylidene fluoride (PVDF), 및 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride) 중에서 선택된 어느 하나의 소재일 수 있다.
단계 (d)의 상기 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행될 수 있다.
단계 (d)의 상기 열처리는 0.5 내지 2시간 동안 수행될 수 있다.
단계 (d)의 상기 열처리는 질소 기체, 아르곤 기체, 질소/수소 혼합 기체, 및 아르곤/수소 혼합 기체 중에서 선택된 어느 하나의 분위기에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 또 하나의 측면에 따르면,
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법을 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 환원된 그래핀옥사이드(rGO)와 2차원 Ni-MOF를 복합화하여 에너지 저장 전극재료로 활용하는 경우 rGO와 Ni-MOF의 시너지 효과로 인해 Ni-MOF가 단독으로 사용하는 경우 보다 더 높은 무게당 방전용량을 나타낼 수 있고, 박막 형태의 전극으로 제조함으로써 기계적 휨 강도 및 부피당 높은 에너지 밀도를 가지는 차세대 에너지 저장 전극으로 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 2는 실시예 1의 Ni-MOF/rGO 박막 제조 공정을 나타낸 공정도이다.
도 3은 (좌) 2D Ni-MOF 및 (우) rGO 표면 SEM 이미지이다.
도 4는 (좌) 2D Ni-MOF/rGO 복합체 표면 및 (우) 확대 SEM 이미지이다.
도 5는 (좌) 2D Ni-MOF/rGO 복합체의 단면 및 (우) rGO 단면 SEM 이미지이다.
도 6은 실험예 3의 X-선 회절(XRD) 분석 결과이다.
도 7은 실험예 4의 N2 흡착 등온선 측정 결과이다.
도 8 및 도 9는 실험예 4에 따른 충방전 평가 결과이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
상기 "치환된"이란 적어도 하나의 수소원자가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C1 내지 C30 할로겐화알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C30 알콕시기, C3 내지 C30 시클로알콕시기, C1 내지 C30 헤테로시클로알콕시기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴옥시기, C1 내지 C30 헤테로아릴옥시기, 실릴옥시기(-OSiH3), -OSiR1H2(R1은 C1 내지 C30 알킬기 또는 C6 내지 C30 아릴기), -OSiR1R2H(R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C30 알킬기 또는 C6 내지 C30 아릴기), -OSiR1R2R3, (R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 C1 내지 C30 알킬기 또는 C6 내지 C30 아릴기), C1 내지 C30 아실기, C2 내지 C30 아실옥시기, C2 내지 C30 헤테로아릴옥시기, C1 내지 C30 술포닐기, C1 내지 C30 알킬티올기, C3 내지 C30 시클로알킬티올기, C1 내지 C30 헤테로시클로알킬티올기, C6 내지 C30 아릴티올기, C1 내지 C30 헤테로아릴티올기, C1 내지 C30 인산아마이드기, 실릴기(SiR1R2R3 )(R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, C1 내지 C30 알킬기 또는 C6 내지 C30 아릴기), 아민기(-NRR')(여기에서, R 및 R'은 각각 독립적으로, 수소 원자, C1 내지 C30 알킬기, 및 C6 내지 C30 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기임), 카르복실기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아조기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수도 있다.
“아민기”는 아미노기, 아릴아민기, 알킬아민기, 아릴알킬아민기, 또는 알킬아릴아민기를 포함하고, -NRR'로 표현될 수 있고, 여기에서 R 및 R'은 각각 독립적으로, 수소 원자, C1 내지 C30 알킬기, 및 C6 내지 C30 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이다.
"아릴(aryl)기"는 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
아릴기에서 고리의 원자수는 탄소수 및 비탄소원자수의 합이다.
이하, 본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체에 대해 설명하도록 한다.
본 발명의 12차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체; 및 환원된 그래핀옥사이드(rGO);를 포함한다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 이차전지 전극재료, 슈퍼 커패시터 전극재료, 및 전기화학적 센서재료 중에서 선택된 어느 하나의 용도로 사용될 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 등일 수 있다.
바람직하게는, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112019114161952-pat00003
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 상온에서 전기전도도가 1 내지 10,000 S/m 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 BET 표면적은 10 내지 3,000 m2/g 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 총 공극 부피는 0.1 내지 5.0 cm3/g 일 수 있다.
상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 2차원 Ni-유기구조체와 rGO가 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 포함되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1:0.5 내지 1:1의 중량비로 포함될 수 있다.
본 발명은 상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극을 제공한다.
도 1은 본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 박막의 제조방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 박막의 제조방법을 설명하도록 한다.
먼저, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni 이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni -유기구조체를 용매에 분산시킨 분산액, 및 그래핀옥사이드를 용매에 분산시킨 분산액을 제조한다(단계 a).
상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, IPA(isopropyl alcohol), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), n-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 트리에틸포스페이트(TEP) 등일 수 있다.
바람직하게는, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 등일 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112019114161952-pat00004
다음으로, 상기 2차원 Ni -유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 혼합하여 2차원 Ni -유기구조체/ GO 혼합 분산액을 제조한다(단계 b).
상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액은 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 1:0.3 내지 1:1의 중량비로 혼합하여 제조하는 것이 바람직하다.
상기 혼합은 기계적 혼합 또는 초음파 혼합에 의해 수행될 수 있다.
이후, 상기 2차원 Ni -유기구조체/ GO 혼합 분산액에서 용매를 분리하고 2차원 Ni-유기구조체/ GO 복합체를 제조한다(단계 c).
상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체는 멤브레인 필터 페이퍼를 이용하여 박막으로 제조할 수 있다.
상기 멤브레인 필러 페이퍼는 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 니트로셀룰로오스(Nitrocellulose), 셀룰로스 에스터(cellulose esters), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리설폰(polysulfone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrilonitrile), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리비닐리덴 플루라이드(polyvinylidene fluoride (PVDF), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride) 등이 소재로 이루어진 것일 수 있다.
마지막으로, 상기 2차원 Ni -유기구조체/ GO 복합체를 열처리로 환원시켜 2차원 Ni -유기구조체/ rGO 복합체를 제조한다(단계 d).
상기 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행될 수 있고, 더욱 바람직하게는 170 내지 230℃, 더욱 더 바람직하게는 180 내지 220℃의 온도에서 수행될 수 있다.
상기 열처리는 0.5 내지 2시간 동안 수행될 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.7 내지 1.5시간, 더욱 더 바람직하게는 0.8 내지 1.2시간 동안 수행될 수 있다.
상기 열처리는 질소 기체, 아르곤 기체, 질소/수소 혼합 기체, 및 아르곤/수소 혼합 기체 중에서 선택된 어느 하나의 분위기에서 수행될 수 있다.
본 발명은 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법을 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법을 제공한다.
특히, 하기 실시예에는 명시적으로 기재하지는 않았지만, 본 발명에 따른 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체 박막의 제조방법에 있어서, 단계 (a)에서, 아릴헥사아민의 종류, 용매의 종류, 단계 (b)에서, 아릴테트라아민이 종류, 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액의 혼합 중량비, 단계 (d)에서 열처리 온도, 시간, 기체 조건을 변화시키면서 1차원 전기전도성 Ni-유기구조체를 제조하였다.
이와 같이 제조된 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 포함하는 전극에 대하여 전기화학적 특성 시험을 수행하여 성능을 확인하였다. 그 결과, 다른 조건 및 다른 수치 범위에서와는 달리, 아래의 조건을 모두 만족하는 경우에만, 높은 에너지 밀도를 나타내었다. 이와 같은 제조조건은 아래와 같다.
단계 (a)에서, 용매는 에탄올을 사용하고, 니켈 전구체는 니켈 나이트레이트를 사용하며, 단계 (b)에서, 유기용매는 디메틸설폭사이드(DMSO)를 사용하고, 아릴헥사아민은 상기 화합물 1 내지 7 중 어느 하나를 사용하고, 차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 혼합하고, 단계 (d)에서, 가열 처리는 150 내지 250℃에서 0.5 내지 2시간 동안 수행하고, 질소 기체 분위기에서 수행하는 것이다.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 들어 구체적으로 설명하도록 한다.
[ 실시예 ]
실시예 1: Ni - MOF / rGO 박막 제조
도 2는 실시예 1의 Ni-MOF/rGO 박막 제조 공정을 나타낸 공정도이다. 도 2를 참조하여 실시예 1의 Ni-MOF/rGO 박막 제조방법을 설명하도록 한다.
(1) 2D Ni - MOF 제조
2D Ni-MOF인 2D Ni-HITP 분말은 공지된 방법으로 제조하였다. 20㎖ scintillation vial에서 탈기된 3 ㎖의 DMSO에 Ni(NO3)2.6H2O (32mg, 0.11mmol)와 14M NH4OH (0.7㎖)가 용해된 용액을 탈기된 3 ㎖의 DMSO에 HITP·6HCl(39mg, 0.07mmol)를 녹인 용액에 첨가하였다. Vial은 느슨하게 캡핑한 후 60℃에서 2시간 동안 교반없이 가열하였다. 혼합물은 원심분리하고, 용기를 옮긴 후 탈이온수로 2회 세척하고, 아세톤으로 1회 세척하였다. 고체 생성물은 진공에서 건조시켜 Ni3(HITP)2(HITP= hexaaminotriphenylene)을 수득하였다.
제조예 1의 반응을 반응식 1에 나타내었다.
[반응식 1]
Figure 112019114161952-pat00005
(2) Ni - MOF / rGO 복합체 박막 전극 제조
Ni-MOF 분말이 용해되지 않는 용매인 에탄올에 Ni-MOF를 1mg/㎖ 농도로 분산시켜 Ni-MOF 분산액을 제조하였다. 한편, Hummer 방법으로 그래핀옥사이드(graphene oxide, GO)를 제조한 후, 일정양의 GO를 20% 농도의 에탄올수용액에 넣어 초음파를 이용해 GO 분산액을 준비하였다. Ni-MOF 분산액 GO 분산액을 1:1의 중량비로 천천히 주입하고, 초음파를 이용하여 두 용액을 혼합하였다. PTFE 필터 페이퍼 및 진공필터건조기를 이용하여, 준비한 혼합용액에서 완전히 용매를 분리한 후, PTFE 필터를 제거하고 2D Ni-MOF/GO 박막을 제조하였다. Ni-MOF/GO 박막을 퍼니스를 이용하여 N2 기체 분위기에서 200℃로 1시간 동안 열처리하여 환원 공정을 진행하여, 전기전도성이 없는 GO를 환원된 형태인 rGO로 변환시켜 최종적으로 전기전도도가 우수한 2D Ni-MOF/rGO 복합체 박막 전극을 제조하였다.
비교예 1: 2D Ni - MOF 박막
실시예 1에서 (2)의 rGO과의 복합 처리를 하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 박막 전극을 제조하였다.
비교예 2: 2D Ni - MOF + Super P + PTFE 전극
비교예 1에 따라 제조된 2D Ni-MOF를 분쇄하여 2D Ni-MOF 분말을 준비하였다. 다음으로, 위 분말에 전도성 카본인 Super P를 막자 사발에 1:1로 넣고 막자를 이용하여 섞었다. 잘 섞인 Ni-MOF와 Super P 혼합물에 PTFE 바인더를 8:2의 중량비로 혼합한 후 막자와 막자사발을 이용하여 압착하여 전극을 제조하였다. 제조된 전극은 롤러를 이용하여 약 150㎛의 두께로 형성하였다.
비교예 3: rGO 박막 전극
실시예 1의 Ni-MOF/rGO 복합체 대신 Ni-MOF를 제외한 rGO만 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 전극을 제조하였다
[ 실험예 ]
실험예 1: SEM 이미지 및 전기전도성 측정
도 3은 (좌) 비교예 1의 2D Ni-MOF 및 (우) 비교예 3의 rGO 표면 SEM 이미지이다.
이에 따르면, 2D Ni-MOF의 경우 성게모양의 2차원 구조체가 뭉쳐져 수 마이크로미터 크기의 구형 입자로 구성되어 있다. 이에 반해, rGO 박막의 경우, 수 내지 수십 마이크로미터 너비의 rGO 나노시트들이 중첩되어, 종이와 같은 박막으로 구성되어 있으며, 표면에 어떤 입자의 형성 없이 매끈한 표면 상태를 보여준다.
한편, 도 4는 (좌) 실시예 1의 2D Ni-MOF/rGO 복합체 표면 및 (우) 확대 SEM 이미지이다.
이에 따르면, 2D Ni-MOF/rGO 복합체는 2D Ni-MOF 입자들이 rGO 나노시트들에 쌓여져 표면 전체에 균일하게 분포되어 형성되어 있는 것을 알 수 있음을 알 수 있다.
또한, 도 5는 (좌) 2D Ni-MOF/rGO 복합체의 단면 및 (우) rGO 단면 SEM 이미지이다.
이에 따르면, 2D Ni-MOF/rGO 복합체의 경우, 2D Ni-MOF 나노입자가 rGO 나노시트들 사이에 들어가 있음을 알 수 있음을 확인할 수 있다.
실험예 2: 전기전도도 측정
실시예 1, 비교예 1 및 3에 따라 제조된 박막 전극에 대한 전기전도도 측정 결과를 아래의 표 1에 정리하였다.
샘플 벌크저항(Bulk resistance) (mΩ·cm2) /
시트저항(Sheet resistance) (Ω/square)		 두께
(㎛)		 저항율
(Ω·m)		 전기전도도 (S/m)
비교예 1
(2D Ni-MOF)		 13756.271 mΩ·cm2 795 1.73 0.578
비교예 3
(rGO)		 11100 Ω/square 5 555 180.18
실시예 1(2D Ni-MOF /rGO) 17400 Ω/square 6 1044 95.8
2D Ni-MOF의 경우 파우더 형태로 존재하기 때문에, 압착하여 파우더 펠릿(powder pallet)으로 제작한 후 2 Point-probe를 이용해 벌크저항(Bulk resistance)을 측정하였다. 시편 dimension을 이용하여 저항율(resistivity) 및 전기전도도(conductivity) 측정을 수행하였다. rGO 및 2D Ni-MOF/rGO의 경우, 마이크로미터 크기의 박막으로 제조 가능하며 일반적인 4 point probe method를 이용하여 저항율 및 전기전도도 측정을 수행하였다.
실험예 3: X-선 회절 ( XRD ) 분석
도 6은 비교예 1의 2D Ni-MOF, 비교예 3의 rGO, 실시예 1의 2D Ni-MOF/rGO 복합체에 대한 XRD 측정 결과를 나타낸 것이다.
이에 따르면, Ni-MOF/rGO 복합체의 경우, 23° 부근의 rGO 피크가 24~25° 부근으로 시프트가 일어난 것으로 보아 Ni-MOF가 rGO 나노시트 사이로 들어감으로써, rGO 나노시트의 간격을 증가시키는 스페이서(spacer)로 작용한 것을 알 수 있다. 뿐만 아니라, Ni-MOF의 다양한 피크들이 나타나지 않은 점으로 보아 2D Ni-MOF의 박리화 또는 나노입자화가 진행되었음을 유추할 수 있다.
실험예 4: N 2 흡착 등온선 측정
도 7은 실험예 4에 따른 N2 흡착 등온선 측정 결과이다. (a)는 비교예 1의 2D Ni-MOF에 대한 측정결과이고, (b)는 비교예 3의 rGO 형상에 따른 측정결과이다.
이에 따르면, 2D Ni-MOF의 경우, N2 가스를 이용한 BET 측정 실험이 가능하며, 401 m2/g의 수치를 얻을 수 있었으나, 2D Ni-MOF/rGO 복합체 박막의 경우 rGO와 마찬가지로 박막구조를 가지기 때문에 기체가 충분히 흡착되기 어려워 BET를 이용한 표면적 측정은 어려움에 있다. rGO 분말의 경우 459 m2/g, rGO 박막의 경우 10 m2/g의 값을 가진다. 그러나 실시예 1의 2D Ni-MOF/rGO 복합체 박막의 경우, 2D Ni-MOF 및 rGO를 동시에 함유하고 있기 때문에 유사한 수준의 400~450 정도의 BET 표면적을 가질 것이라 유추할 수 있다.
실험예 5: 충방전 평가
실시예 1, 비교예 2, 및 비교예 3에 따라 각각 제조된 전극을 약 1~5 mg에 해당하는 크기로 재단하고, 재단된 전극을 리튬 foil, Glass fiber 분리막, 1M LiPF6 EC/DMC 전해질과 상용 2032 코인셀(Coincell) 부품을 이용하여 이차전지 코인셀을 제작하고 전기화학측정 평가장비를 이용하여 이차전지 특성평가를 진행하였다.
실시예 1에 따라 제조된 2D Ni-MOF/rGO 전극의 전기화학적 평가를 위해 리튬 반쪽 전지 (half-cell)를 조립하였고, 50 mA/g의 C-rate로 0.0~3.0 V (vs. Li+/Li)의 전압 범위에서 초기 사이클의 충/방전 곡선을 얻었고 이를 도 8에 나타내었다. 이때, 충/방전 용량은 전체 전극무게로 나누어 용량을 환산하였다.
이에 따르면, 1회 충/방전 용량은 각각 899.6 (충전) 881.2 mAh g-1이고, 97.9%의 쿨롱 효율(Coulombic efficiency, CE)를 나타내었다. 또한, 2회 충/방전 용량은 각각 810/807.0 mAh g-1이고 99.6%의 쿨롱 효율을 나타내었다.
한편, 실시예 1, 비교예 2 및 비교예 3에 따라 각각 제조된 전극의 전기화학적 평가를 상술한 바와 동일한 방법으로 수행하여 얻은 충/방전 곡선을 얻어 그 결과를 도 9에 나타내었다. 이에 따르면, 실시예 1의 전극에서 1회 충/방전 용량은 각각 504.1/518.4 mAh g-1이고, 102.7%의 쿨롱 효율(Coulombic efficiency, CE)를 나타내었다. 또한, 2회 충/방전 용량은 각각 481.2/500.0 mAh g-1이고 103%의 쿨롱 효율을 나타내었다. 그러나, 비교예 2의 경우, 실시예 1 보다 낮은 충방전 용량을 보인다.
이에 반해, 비교예 3의 rGO 박막 전극에서는 1회 충/방전 용량은 각각 273.0/260.9 mAh g-1이고, 95.6%의 쿨롱 효율(Coulombic efficiency, CE)를 나타내었다. 또한, 2회 충/방전 용량은 각각 214.2/208.6 mAh g-1이고 97.4%의 쿨롱 효율을 나타내었다. 즉, 비교예 2 및 3의 전극보다 실시예 1의 전극이 충방전 용량이 현저히 높고 쿨롱 효율도 더 높음을 확인할 수 있었다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

Claims (21)

  1. 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체; 및 환원된 그래핀옥사이드(rGO);를 포함하고,
    상기 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체는 2차원 구조체가 뭉쳐져 구형입자를 이루고,
    상기 환원된 그래핀옥사이드(rGO)는 나노시트들이 중첩되어 있는 형태이며,
    상기 구형입자들이 상기 나노시트들에 쌓여져 표면 전체에 균일하게 분포되고, 상기 나노시트들 사이에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 이차전지 전극재료, 슈퍼 커패시터 전극재료, 및 전기화학적 센서재료 중에서 선택된 어느 하나의 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
    Figure 112019114161952-pat00006
  5. 제3항에 있어서,
    상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 상온에서 전기전도도가 1 내지 10,000 S/m 인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 BET 표면적은 10 내지 3,000 m2/g 인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 총 공극 부피는 0.1 내지 5.0 m3/g 인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 2차원 Ni-유기구조체와 rGO가 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체.
  9. 제1항 내지 제8항 중에서 선택된 어느 한 항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극.
  10. (a) 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 Ni-유기구조체를 용매에 분산시킨 2차원 Ni-유기구조체 분산액, 및 그래핀옥사이드를 용매에 분산시킨 그래핀옥사이드 분산액을 제조하는 단계;
    (b) 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 혼합하여 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액을 제조하는 단계;
    (c) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액에서 용매를 분리하고 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 제조하는 단계; 및
    (d) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 열처리로 환원시켜 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 제1항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, IPA(isopropyl alcohol), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), n-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 및 트리에틸포스페이트(TEP) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
    Figure 112019114161952-pat00007
  14. 제10항에 있어서,
    단계 (b)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액은 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 1:0.3 내지 1:1.5의 중량비로 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    단계 (b)에서 상기 혼합은 기계적 혼합 또는 초음파 혼합에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    단계 (c)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체는 멤브레인 필터 페이퍼를 이용하여 박막으로 제조되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 멤브레인 필러 페이퍼는 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 니트로셀룰로오스(Nitrocellulose), 셀룰로스 에스터(cellulose esters), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리설폰(polysulfone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrilonitrile), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리비닐리덴 플루라이드(polyvinylidene fluoride (PVDF), 및 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride) 중에서 선택된 어느 하나의 소재인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서,
    단계 (d)의 상기 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    단계 (d)의 상기 열처리는 0.5 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  20. 제10항에 있어서,
    단계 (d)의 상기 열처리는 질소 기체, 아르곤 기체, 질소/수소 혼합 기체, 및 아르곤/수소 혼합 기체 중에서 선택된 어느 하나의 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법.
  21. 제10항 내지 제20항 중에서 선택된 어느 한 항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법을 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법.

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