KR102232139B1 - Protection element for high current - Google Patents

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KR102232139B1
KR102232139B1 KR1020210006121A KR20210006121A KR102232139B1 KR 102232139 B1 KR102232139 B1 KR 102232139B1 KR 1020210006121 A KR1020210006121 A KR 1020210006121A KR 20210006121 A KR20210006121 A KR 20210006121A KR 102232139 B1 KR102232139 B1 KR 102232139B1
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주식회사 인세코
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Abstract

The present invention relates to a small high current protection device of a surface mount device (SMD) type having a structure capable of improving rated current characteristics without increasing the size of the protection device, which includes: an insulated substrate; a first fuse-connecting electrode and a second fuse-connecting electrode; a fusible body; a first lower connecting electrode and a second lower connecting electrode; and a protective cap. According to the present invention, it is possible to increase the cross-sectional area through which the current flows, and there is an effect that the rated current can be greatly improved without increasing the size of the small SMD type protective device.

Description

고전류 보호소자{PROTECTION ELEMENT FOR HIGH CURRENT}High current protection device {PROTECTION ELEMENT FOR HIGH CURRENT}

본 발명은 고전류 보호소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 SMD(Surface Mount Device) 타입의 소형 보호소자에 있어서 보호소자의 크기를 증가시키지 않고 정격전류 특성을 향상시킬 수 있는 구조를 갖는 새로운 고전류 보호소자에 관한 것이다.The present invention relates to a high current protection device, and more particularly, a new high current protection device having a structure capable of improving the rated current characteristics without increasing the size of the protection device in a small protection device of the SMD (Surface Mount Device) type. It is about.

일반적으로 퓨즈(fuse)란 전기적인 회로에서 과전류를 차단하고, 과전류에서 용단되는 특성을 가진 보호소자이다. 다양한 전기 회로에서, 특히 이차 전지(secondary battery) 보호회로 등에서 보호소자가 사용되고 있다.In general, a fuse is a protection device having a characteristic of blocking overcurrent in an electrical circuit and being blown by overcurrent. In various electric circuits, in particular, protection devices are used in secondary battery protection circuits.

종래 DIP 타입으로 제작되었던 보호소자는 최근 들어 SMD(Surface Mount Device) 타입으로 대체되고 있다. SMD 타입의 보호소자는 DIP 타입에 비해 집적도가 높아 부품 크기를 작게 만드는데 유리하다. 또한, SMD 타입의 보호소자는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용하는 다양한 산업군에서 높은 호환성으로 적용 가능하다는 이점이 있다. 예를 들어, 스마트폰, 태블릿, 노트북, 데스크탑 PC 등 최근 시장이 급성장한 제품들은 물론 TV 등의 가전제품 상당수에 SMD 타입의 보호소자가 적용되고 있다.The protection device that was conventionally manufactured in the DIP type has recently been replaced by the SMD (Surface Mount Device) type. The SMD type protection device is advantageous in making the component size smaller because of its higher degree of integration compared to the DIP type. In addition, the SMD type protection device has the advantage that it can be applied with high compatibility in various industries using a printed circuit board (PCB). For example, SMD-type protection devices are applied to many home appliances such as TVs as well as products that have recently grown rapidly in the market such as smartphones, tablets, notebooks, and desktop PCs.

도 1은 종래 SMD 타입의 소형 보호소자를 예시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 각 구성품들이 조립된 상태를 예시한 사시도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a conventional SMD-type small protection device, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a state in which the components of FIG. 1 are assembled.

도 1을 참조하면, 종래 SMD 타입의 소형 보호소자는 절연 기판(10)의 상부에 제1 가용체 연결 전극(22)과 제2 가용체 연결 전극(24)이 이격되어 배치되며, 그 상부에는 두 전극을 연결하는 도체로서 가용체(30)가 적층된다. 절연 기판(10)의 하부에는 인쇄회로기판(PCB)에 실장되기 위한 제1 하부 연결 전극(42)과 제2 하부 연결 전극(44)이 배치되며, 제1 하부 연결 전극(42)이 절연 기판(10)의 일측벽을 따라 상부로 절곡되어 제1 가용체 연결 전극(22)과 연결되고, 제2 하부 연결 전극(44)이 절연 기판(10)의 타측벽을 따라 상부로 절곡되어 제2 가용체 연결 전극(24)과 연결된다. 그리고 최상부에는 구성품들을 보호하기 위한 보호캡(50)이 결합된다.Referring to FIG. 1, in a conventional SMD type small protection device, a first fusible element connection electrode 22 and a second fusible element connection electrode 24 are spaced apart from each other on an insulating substrate 10, and two A soluble body 30 is stacked as a conductor connecting the electrodes. A first lower connection electrode 42 and a second lower connection electrode 44 for mounting on a printed circuit board (PCB) are disposed under the insulating substrate 10, and the first lower connection electrode 42 is an insulating substrate. The second lower connection electrode 44 is bent upward along one side wall of (10) and connected to the first fusible body connection electrode 22, and the second lower connection electrode 44 is bent upward along the other side wall of the insulating substrate 10 It is connected to the soluble body connection electrode 24. And a protective cap 50 for protecting the components is combined at the top.

도 1의 보호소자는 인쇄회로기판의 전류 경로 상에 설치되며, 제1 하부 연결 전극(42), 제1 가용체 연결 전극(22), 가용체(30), 제2 가용체 연결 전극(24), 제2 하부 연결 전극(44) 순서로(또는, 반대의 순서로) 형성되는 도전 라인을 따라 과전류가 인가될 때 가용체(30)가 용융되어 인쇄회로기판의 전류 경로를 차단하는 방식으로 보호동작을 수행한다.The protection device of FIG. 1 is installed on the current path of the printed circuit board, and the first lower connection electrode 42, the first soluble body connection electrode 22, the soluble body 30, and the second soluble body connection electrode 24 , When an overcurrent is applied along a conductive line formed in the order of the second lower connection electrode 44 (or in the opposite order), the fusible material 30 is melted to block the current path of the printed circuit board. Perform the action.

하지만, 과전류가 아닌 정격전류 안에서는 전류의 흐름이 원활하게 유지되어야 하는데, 소형 보호소자의 규격이 정해진 경우 허용 전류를 높이는데에는 한계가 있다. 예를 들어, 보호소자의 규격이 길이 9.5mm, 폭 5mm, 높이 2mm인 소형 보호소자의 경우 정격전류는 10A 정도에 그치고 있다.However, the flow of current must be maintained smoothly within the rated current, not the overcurrent, but there is a limit to increasing the allowable current when the standard of a small protection device is determined. For example, in the case of a small protection device with a length of 9.5mm, a width of 5mm, and a height of 2mm, the rated current is only about 10A.

보호소자의 정격전류를 향상시키는 가장 쉬운 방법은 가용체의 크기를 증가시키는 것이다. 그러나 휴대형 전기 제품은 점차 컴팩트하게 설계되고 있으며, 시장은 작은 사이즈에서도 높은 정격전류를 갖는 보호소자를 원하고 있다. 예를 들어, 예시된 보호소자의 규격에서 30A 이상의 정격전류 특성이 발휘된다면, 매우 큰 시장경쟁력을 가질 수 있을 것이다.The easiest way to improve the rated current of the protection element is to increase the size of the fusible element. However, portable electric products are gradually being designed to be compact, and the market wants a protection device having a high rated current even in a small size. For example, if the rated current characteristic of 30A or more is exhibited in the standard of the exemplified protection device, it will have a very large market competitiveness.

대한민국 특허등록 제10-1342501호(표면실장형 초소형-퓨즈용 도체 패턴구조)Korean Patent Registration No. 10-1342501 (Surface mount type micro-conductor pattern structure for fuse) 대한민국 특허등록 제10-1409909호(저온·건조형 전도성 페이스트 및 이를 이용한 에스엠디 초소형-퓨즈의 제조방법)Korean Patent Registration No. 10-1409909 (Low temperature/dry conductive paste and SMD micro-fuse manufacturing method using it)

본 발명은 SMD 타입의 소형 보호소자의 컴팩트한 사이즈를 지향하기 위한 것으로서, 보호소자의 사이즈를 키우지 않고 정격전류를 향상시킬 수 있는 새로운 구조의 고전류 보호소자를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention aims at a compact size of a small SMD type protection device, and an object thereof is to provide a high current protection device of a new structure capable of improving the rated current without increasing the size of the protection device.

본 발명의 일실시예에 따른 고전류 보호소자는, SMD(Surface Mount Device) 타입의 보호소자에 있어서, 장변부의 양측 길이 방향을 따라 상하로 관통되는 복수의 기판 비아홀이 형성되며, 양 측벽에는 상기 비아홀 각각의 사이에 내측으로 오목한 복수의 기판 캐스털레이션부가 형성되는 절연 기판; 상기 절연 기판의 상면에 서로 이격하여 배치되며, 각각, 길이 방향을 따라 상기 기판 비아홀과 연통되는 전극 비아홀이 형성되고, 상기 기판 캐스털레이션부에 대응하는 위치에 내측으로 오목한 복수의 전극 캐스털레이션부가 형성되는 제1 가용체 연결 전극 및 제2 가용체 연결 전극; 상기 재1 가용체 연결 전극과 상기 제2 가용체 연결 전극을 연결하며, 용단 전류 이상에서 용융되는 가용체; 상기 절연 기판의 하면에 서로 이격하여 배치되며, 각각, 길이 방향을 따라 상기 기판 비아홀을 관통하여 상기 전극 비아홀과 연결되고 내부에는 도전체가 충전되는 비아가 수직으로 입설되고, 단부에는 상기 기판 캐스털레이션부에 대응하도록 상방으로 절곡되며 상기 전극 캐스털레이션부와 연결되는 수직 곡률 단자벽이 입설되는 제1 하부 연결 전극 및 제2 하부 연결 전극; 및 상기 절연 기판의 상부에 결합되어 상기 가용체를 보호하는 보호캡을 포함한다.In the high current protection device according to an embodiment of the present invention, in a surface mount device (SMD) type protection device, a plurality of substrate via holes penetrating up and down along the longitudinal directions of both sides of a long side portion are formed, and the via holes are respectively formed on both side walls. An insulating substrate having a plurality of substrate cascades concave inwardly formed therebetween; A plurality of electrode cascades disposed to be spaced apart from each other on the upper surface of the insulating substrate, each electrode via hole formed in communication with the substrate via hole along a length direction, and concave inward at a position corresponding to the substrate cascade A first fusible element connecting electrode and a second fusible element connecting electrode which are additionally formed; A fusible element that connects the first fusible element connection electrode and the second fusible element connection electrode and melts at a melting current or higher; They are disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the insulating substrate, respectively, through the substrate via hole along the length direction, and connected to the electrode via hole, and a via in which a conductor is charged is vertically installed, and the substrate cascade at the end thereof. A first lower connection electrode and a second lower connection electrode bent upward to correspond to a portion and on which a vertically curved terminal wall connected to the electrode cascade is installed; And a protective cap coupled to an upper portion of the insulating substrate to protect the fusible material.

본 발명의 다른 실시예에 따른 고전류 보호소자는, 상기 기판 비아홀은 상기 절연 기판의 양측 길이 방향을 따라 각각 3개 내지 5개 형성되며, 상기 기판 캐스털레이션부는 상기 절연 기판의 양 측벽에 각각 2개 내지 4개 형성된다.In the high-current protection device according to another embodiment of the present invention, three to five via holes are formed in each of the substrate via holes along the length directions of both sides of the insulating substrate, and the substrate castration portion is formed on both side walls of the insulating substrate. To four are formed.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고전류 보호소자는, 상기 보호캡은 상면이 밀폐되며 하면은 상측을 향해 함몰되어 상기 가용체를 수용하는 공간을 형성하도록 구성되며, 장변부의 측벽 각각에는 상측을 향해 절개된 통기 장홈부를 구비한다.In the high current protection device according to another embodiment of the present invention, the protective cap is configured to form a space in which the upper surface is sealed and the lower surface is recessed toward the upper side to form a space for accommodating the fusible body, and each sidewall of the long side is cut toward the upper side. It has a ventilated long groove.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고전류 보호소자는, 상기 보호캡은 단변부의 전면벽과 후면벽 각각에 상측을 향해 절개된 통기 단홈부를 더 구비한다.In the high current protection device according to another embodiment of the present invention, the protection cap further includes a ventilating short groove cut upwardly in each of the front wall and the rear wall of the short side portion.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고전류 보호소자는, 상기 보호캡은 상기 전면벽과 상기 후면벽 각각에 길이 방향 내측으로 오목한 열 유도면부를 더 구비한다.In the high current protection device according to another embodiment of the present invention, the protection cap further includes a heat induction surface portion concave in the longitudinal direction on each of the front wall and the rear wall.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고전류 보호소자는, 상기 열 유도면부는 상기 통기 단홈부에서 연장되는 제1 열 유도면부와, 상기 전면벽과 상기 후면벽 각각에서 서로를 향해 돌출되는 단턱부에 의해 상기 제1 열 유도면부에 비해 좁은 폭을 갖는 제2 열 유도면부가 상협하광의 형태로 구획되도록 형성된다.In the high current protection device according to another embodiment of the present invention, the heat induction surface portion is formed by a first heat induction surface portion extending from the ventilation end groove portion, and a stepped portion protruding toward each other from the front wall and the rear wall. The second heat guide surface portion having a narrower width than the first heat guide surface portion is formed to be divided in the form of an upper narrow light.

본 발명의 고전류 보호소자에 따르면, 인쇄회로기판에 실장되는 하부 연결 전극에서 절연 기판을 관통하여 가용체 연결 전극에 연결되는 복수의 비아(예를 들어, 3개 내지 5개의)를 형성함으로써 세라믹으로 구성되는 절연 기판을 통과하는 추가의 전류 경로를 확보하며, 하부 연결 전극에서 절연 기판에 형성되는 복수의 캐스털레이션부(예를 들어, 2개 내지 4개의)를 따라 수직으로 입설되는 곡률 단자벽을 형성함으로써 전류가 흐르는 단면적을 증가할 수 있어, SMD 타입의 소형 보호소자의 사이즈를 증가시키지 않으면서 정격전류를 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the high current protection device of the present invention, by forming a plurality of vias (for example, 3 to 5) connected to the fusible element connection electrode through the insulating substrate in the lower connection electrode mounted on the printed circuit board, A curvature terminal wall that secures an additional current path passing through the configured insulating substrate, and is vertically installed along a plurality of cation parts (for example, two to four) formed on the insulating substrate at the lower connection electrode By forming the sectional area through which the current flows can be increased, there is an effect that the rated current can be greatly improved without increasing the size of the SMD type small protection device.

또한, 본 발명의 고전류 보호소자에 따르면, 보호캡의 장변부에 통기 장홈부를 형성하여 보호소자의 폭 방향으로 외부 공기를 통과시키고, 보호캡의 단변부에는 통기 단홈부를 형성하여 길이 방향으로 외부 공기를 통과시키되 상대적으로 좁은 통기 단홈부에서의 열 방출 효과를 높이기 위해 상협하광(上狹下廣) 형태의 열 유도면부를 형성하여 보호캡 내부의 열이 외부로 확산되는 효과를 촉진할 수 있도록 함으로써, 고전류에 의한 발열에 보호캡의 하면이 녹는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the high current protection device of the present invention, a ventilation long groove is formed in the long side of the protective cap to allow external air to pass in the width direction of the protection element, and a ventilation short groove is formed on the short side of the protective cap to allow external air in the length direction. In order to increase the heat dissipation effect in the relatively narrow ventilated end groove, the heat induction surface in the form of upper and lower light is formed to promote the effect of spreading heat inside the protective cap to the outside. , There is an effect of preventing the melting of the lower surface of the protective cap due to heat generated by high current.

도 1은 종래 SMD 타입의 소형 보호소자를 예시한 분해 사시도,
도 2는 도 1의 각 구성품들이 조립된 상태를 예시한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 고전류 보호소자를 예시한 분해 사시도,
도 4는 본 발명의 고전류 보호소자가 부분적으로 결합된 상태를 예시한 분해 사시도, 및
도 5는 본 발명에서 보호캡의 내부 구조를 예시한 배면 사시도이다.
1 is an exploded perspective view illustrating a conventional SMD type small protection device,
2 is a perspective view illustrating a state in which the components of FIG. 1 are assembled;
3 is an exploded perspective view illustrating a high current protection device according to the present invention,
4 is an exploded perspective view illustrating a state in which the high current protection device of the present invention is partially coupled, and
Figure 5 is a rear perspective view illustrating the internal structure of the protective cap in the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구체적인 실시예가 설명된다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대하여 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, specific embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 그리고 본 발명에 첨부된 도면은 설명의 편의를 위한 것으로서, 그 형상과 상대적인 척도는 과장되거나 생략될 수 있다.Throughout the specification, parts having similar configurations and operations are denoted by the same reference numerals. In addition, the drawings attached to the present invention are for convenience of description, and the shape and relative scale may be exaggerated or omitted.

실시예를 구체적으로 설명함에 있어서, 중복되는 설명이나 당해 분야에서 자명한 기술에 대한 설명은 생략되었다. 또한, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 기재된 구성요소 외에 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In describing the embodiments in detail, overlapping descriptions or descriptions of technologies that are obvious in the art have been omitted. In addition, in the following description, when a certain part "includes" other components, it means that components may be further included in addition to the described components unless otherwise stated.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, the second element may be referred to as the first element, and similarly, the first element may be referred to as the second element.

본 발명의 고전류 보호소자는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용하는 다양한 전기 제품(예컨대, 스마트폰, 태블릿, 노트북, 데스크탑 PC, TV 등과 같은)에 높은 호환성으로 적용 가능한 SMD(Surface Mount Device) 타입의 소형 보호소자에서, 사이즈를 증가시키지 않으면서 정격전류를 향상시키는 고전류 보호소자에 관한 것이다. 이하의 설명에서 도면을 참조하여 설명되는 보호소자는 예컨대 길이 9.5mm, 폭 5mm, 높이 2mm로 제공된다. 이와 같은 규격의 소형 보호소자는 종래 10A의 정격전류를 가지는데 반해, 본 발명은 동일한 규격에서 30A 내지 60A까지 정격전류를 향상시킬 수 있는 구조를 제안한다. 물론, 예시된 규격이 증감함에 따라 정격전류 역시 증감할 수 있다. 또한, 본 발명의 고전류 보호소자는 사이즈를 소형으로 유지하면서 정격전류를 증가시킴에 따라 보호캡이 녹는 현상이 발생할 수 있음을 우려하여, 이를 방지하기 위한 보호캡의 구조를 더 제안하고 있다. 도 3 내지 5를 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 설명한다.The high current protection device of the present invention is a compact SMD (Surface Mount Device) type that can be applied with high compatibility to various electrical products (e.g., smartphones, tablets, notebooks, desktop PCs, TVs, etc.) using a printed circuit board (PCB). In the protection device, it relates to a high current protection device that improves the rated current without increasing the size. In the following description, the protection element described with reference to the drawings is provided in, for example, a length of 9.5 mm, a width of 5 mm, and a height of 2 mm. While the small protection device of such a standard has a conventional rated current of 10A, the present invention proposes a structure capable of improving the rated current from 30A to 60A in the same standard. Of course, as the illustrated standard increases or decreases, the rated current may also increase or decrease. In addition, the high current protection device of the present invention is concerned that the melting of the protection cap may occur as the rated current is increased while maintaining a small size, and thus a structure of a protection cap to prevent this is further proposed. A specific embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3은 본 발명에 따른 고전류 보호소자를 예시한 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 고전류 보호소자가 부분적으로 결합된 상태를 예시한 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view illustrating a high current protection device according to the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view illustrating a state in which the high current protection device of the present invention is partially coupled.

도 3을 참조하면, 본 발명의 고전류 보호소자는 절연 기판(100)과, 제1 가용체 연결 전극(110)과, 제2 가용체 연결 전극(120)과, 가용체(130)와, 제1 하부 연결 전극(140)과, 제2 하부 연결 전극(150)과, 보호캡(160)으로 구성된다.3, the high current protection device of the present invention includes an insulating substrate 100, a first fusible element connection electrode 110, a second fusible element connection electrode 120, a fusible element 130, and a first It includes a lower connection electrode 140, a second lower connection electrode 150, and a protective cap 160.

절연 기판(100)은 세라믹 등과 같은 재질로 형성되는 절연성 부재이다. 절연 기판(100)은 길이 9.5mm, 폭 5mm로 제공될 수 있다. 이하의 설명에서 '장변부'라 함은 절연 기판(100)에서 더 긴 쪽의 변, 즉, 규격의 길이에 해당하는 변을 의미한다. 그리고 '단변부'라 함은 절연 기판(100)에서 더 짧은 쪽의 변, 즉, 규격의 폭에 해당하는 변을 의미한다.The insulating substrate 100 is an insulating member formed of a material such as ceramic. The insulating substrate 100 may be provided with a length of 9.5 mm and a width of 5 mm. In the following description, the term'long side portion' means a longer side of the insulating substrate 100, that is, a side corresponding to the length of the standard. In addition, the term'short side portion' means a shorter side of the insulating substrate 100, that is, a side corresponding to the width of the standard.

도 3을 참조하면, 절연 기판(100)의 장변부 길이 방향을 따라 양측에 상하로 관통되는 복수의(예를 들어, 3개 내지 5개의) 기판 비아홀(102, 106)이 형성된다. 도시된 실시예에서 절연 기판(100)의 일측 장변부를 따라 형성되는 제1 기판 비아홀(102)은 모두 5개이며, 각각의 제1 기판 비아홀(102)은 1mm 내외의 직경을 가질 수 있다. 절연 기판(100)의 타측 장변부를 따라 제1 기판 비아홀(102)과 대칭되도록 제2 기판 비아홀(106)이 형성된다.Referring to FIG. 3, a plurality of (eg, 3 to 5) substrate via holes 102 and 106 are formed on both sides along the length direction of the long side of the insulating substrate 100. In the illustrated embodiment, the first substrate via holes 102 formed along the long side of the insulating substrate 100 are all five, and each of the first substrate via holes 102 may have a diameter of about 1 mm. A second substrate via hole 106 is formed along the other long side of the insulating substrate 100 so as to be symmetrical with the first substrate via hole 102.

그리고 절연 기판(100)의 일측벽에는 제1 기판 비아홀(102)의 사이에 내측으로 소정 곡률을 갖도록 오목한 복수의(예를 들어, 2개 내지 4개의) 제1 기판 캐스털레이션부(104)가 형성된다. 도시된 실시예에서 제1 기판 캐스털레이션부(104)는 4개이다. 절연 기판(100)의 타측벽에는 제1 기판 캐스털레이션부(104)와 대칭되도록 4개의 제2 기판 캐스털레이션부(108)가 형성된다.In addition, a plurality of (for example, two to four) first substrate casting units 104 concave to have a predetermined curvature inward between the via holes 102 of the first substrate on one side wall of the insulating substrate 100 Is formed. In the illustrated embodiment, there are four first substrate casters 104. Four second substrate casting units 108 are formed on the other side wall of the insulating substrate 100 so as to be symmetrical with the first substrate casting unit 104.

도 3을 참조하면, 절연 기판(100)의 상면에 제1 가용체 연결 전극(110)과 제2 가용체 연결 전극(120)이 이격 배치되며, 두 전극을 연결하도록 가용체(130)가 적층된다. 가용체(130)는 용단 전류 이상에서 용융되는 물질로 구성된다.3, the first fusible element connection electrode 110 and the second fusible element connection electrode 120 are spaced apart from each other on the upper surface of the insulating substrate 100, and the fusible element 130 is stacked to connect the two electrodes. do. The fusible body 130 is composed of a material that melts above the melting current.

제1 가용체 연결 전극(110)은 도시한 바와 같이 제1 기판 비아홀(102)과 연통되도록 길이 방향을 따라 5개의 제1 전극 비아홀(112)을 구비한다. 또한, 제1 가용체 연결 전극(110)의 외측 단부에는 절연 기판(100)의 제1 기판 캐스털레이션부(104)에 대응하는 위치 및 형상을 갖도록 내측으로 오목한 4개의 제1 전극 캐스털레이션부(114)가 형성된다. 제1 가용체 연결 전극(110)과 대칭되도록 제2 가용체 연결 전극(120) 역시 5개의 제2 전극 비아홀(122)와 4개의 제2 전극 캐스털레이션부(124)를 구비한다.As illustrated, the first fusible element connection electrode 110 includes five first electrode via holes 112 along the length direction so as to communicate with the first substrate via hole 102. In addition, at the outer end of the first fusible element connection electrode 110, four first electrode cascades concave inward to have a position and shape corresponding to the first substrate cascade 104 of the insulating substrate 100. A portion 114 is formed. The second fusible element connection electrode 120 also includes five second electrode via holes 122 and four second electrode cascades 124 so as to be symmetric with the first fusible element connection electrode 110.

도 3을 참조하면, 절연 기판(100)의 하면에는 제1 하부 연결 전극(140)과 제2 하부 연결 전극(150)이 이격 배치된다. 이 두 전극은 보호소자를 인쇄회로기판(PCB)에 실장하기 위한 전극으로서, 보호소자 내에서 제1 하부 연결 전극(140)은 제1 가용체 연결 전극(110)과 연결되며, 제2 하부 연결 전극(150)은 제2 가용체 연결 전극(120)과 연결된다.Referring to FIG. 3, a first lower connection electrode 140 and a second lower connection electrode 150 are spaced apart from the lower surface of the insulating substrate 100. These two electrodes are electrodes for mounting the protection device on a printed circuit board (PCB), and in the protection device, the first lower connection electrode 140 is connected to the first fusible body connection electrode 110, and the second lower connection The electrode 150 is connected to the second fusible element connection electrode 120.

제1 하부 연결 전극(140)은 제1 기판 비아홀(102)을 관통하도록 수직으로 입설되는 5개의 제1 비아(142)와, 제1 기판 캐스털레이션부(108)에 대응하도록 외측 단부에서 상방으로 절곡되는 4개의 제1 수직 곡률 단자벽(144)를 구비한다. 제1 비아(142)는 원통형 형상을 가지며, 제1 비아(142) 내부에는 은(Ag) 페이스트가 충전되어 제1 하부 연결 전극(140)과 제1 가용체 연결 전극(110)을 전기적으로 연결시킨다. 도시된 예에서 총 5개의 제1 비아(142)가 형성되어 있으므로, 절연 기판(100)에 대해 5개의 새로운 전류 경로가 생성될 수 있다.The first lower connection electrode 140 includes five first vias 142 vertically installed to pass through the first substrate via hole 102 and upward from the outer end to correspond to the first substrate casting unit 108. It includes four first vertically curved terminal walls 144 that are bent in a direction. The first via 142 has a cylindrical shape, and a silver (Ag) paste is filled inside the first via 142 to electrically connect the first lower connection electrode 140 and the first fusible body connection electrode 110 Let it. In the illustrated example, since a total of five first vias 142 are formed, five new current paths may be generated for the insulating substrate 100.

제1 수직 곡률 단자벽(144)은 상단부에서 제1 가용체 연결 전극(110)의 제1 전극 캐스털레이션부(124)와 연결된다. 예를 들어, 솔더링 등에 의해 제1 수직 곡률 단자벽(144)과 제1 전극 캐스털레이션부(124)가 접속될 수 있다. 도시된 예에서 총 4개의 제1 수직 곡률 단자벽(144)이 내측으로 오목하게 형성됨으로써, 전류가 흐르는 단면적을 증가시킬 수 있다.The first vertical curvature terminal wall 144 is connected to the first electrode casting unit 124 of the first fusible element connection electrode 110 at the upper end. For example, the first vertical curvature terminal wall 144 and the first electrode casting unit 124 may be connected by soldering or the like. In the illustrated example, since a total of four first vertically curved terminal walls 144 are formed to be concave inward, a cross-sectional area through which current flows can be increased.

도 3을 참조하면, 제2 하부 연결 전극(150)은 제1 하부 연결 전극(140)과 대칭되는 형상을 가지며, 제2 비아(152)는 제1 비아(142)와 대칭되고 제2 수직 곡률 단자벽(154)은 제1 수직 곡률 단자벽(144)과 대칭된다. 따라서 제2 비아(152)에 의해 절연 기판(100)에 대해 5개의 새로운 전류 경로가 추가되며, 제2 수직 곡률 단자벽(154)에 의해 전류가 흐르는 단면적이 추가되는 것 역시 동일하다.Referring to FIG. 3, the second lower connection electrode 150 has a shape symmetrical to the first lower connection electrode 140, and the second via 152 is symmetrical to the first via 142 and has a second vertical curvature. The terminal wall 154 is symmetrical with the first vertically curved terminal wall 144. Accordingly, five new current paths are added to the insulating substrate 100 by the second via 152 and the cross-sectional area through which current flows is added by the second vertically curved terminal wall 154 is also the same.

보호캡(160)은 상면이 밀폐되며 하면은 상측을 향해 함몰되어 가용체(130)를 수용하는 공간을 형성하도록 구성된다. 도 3에서와 같이, 보호캡(160)의 장변부 측벽 각각에는 상측을 향해 절개된 통기 장홈부(162, 164)가 형성되며, 단변부 전면벽과 후면벽 각각에는 상측을 향해 절개된 통기 단홈부(166, 168)가 형성된다. 이들 구성에 대한 설명은 도 5를 참조하여 구체적으로 후술한다.The protective cap 160 is configured such that the upper surface is sealed and the lower surface is recessed toward the upper side to form a space for accommodating the fusible body 130. As shown in FIG. 3, a ventilation long groove 162 and 164 cut upward is formed in each of the sidewalls of the long side of the protective cap 160, and a ventilation end cut toward the upper side of the front wall and the rear wall of the short side, respectively. Grooves 166 and 168 are formed. Description of these configurations will be described later in detail with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명에서 보호캡의 내부 구조를 예시한 배면 사시도로서, 도 3에 예시된 보호캡(160)을 180도 회전시켜 도시한 것이다.Figure 5 is a rear perspective view illustrating the internal structure of the protective cap in the present invention, showing the protective cap 160 illustrated in Figure 3 rotated 180 degrees.

본 발명의 고전류 보호소자는 작은 사이즈로 높은 정격전류를 견디도록 설계되어 있다. 예를 들어, 종래의 소형 SMD 타입 보호소자가 길이 9.5mm, 폭 5mm, 높이 2mm의 규격을 가질 때, 10A의 정격전류가 한계라면, 본 발명의 고전류 보호소자는 동일한 규격에서 30A 내지 60A의 정격전류 특성을 가진다. 각각의 하부 연결 전극에 비아를 3개 형성하고 수직 곡률 단자벽을 2개 형성하는 것으로서 대략 30A의 정격전류 특성을 가질 수 있을 것이다. 비아와 수직 곡률 단자벽의 수를 증가시킬수록 전류 경로가 형성되는 단면적이 증가하여 정격전류는 더 높아진다. 예컨대, 도 3에 예시된 바와 같이 각각의 하부 연결 전극에 5개의 비아와 4개의 수직 곡률 단자벽을 형성하는 것으로서, 60A를 인가할 수 있는 동선의 단면적인 5.5㎟ 이상의 전류 경로 단면적을 구성할 수 있어 60A까지 정격전류를 향상시킬 수 있다.The high current protection device of the present invention is designed to withstand a high rated current with a small size. For example, when a conventional small SMD type protection device has a standard of 9.5mm in length, 5mm in width, and 2mm in height, if the rated current of 10A is the limit, the high current protection device of the present invention has a rated current characteristic of 30A to 60A in the same standard. Have. By forming three vias in each lower connection electrode and two vertically curved terminal walls, it may have a rated current characteristic of approximately 30A. As the number of vias and vertically curved terminal walls increases, the cross-sectional area in which the current path is formed increases, and the rated current becomes higher. For example, as illustrated in FIG. 3, as five vias and four vertically curved terminal walls are formed on each lower connection electrode, a cross-sectional area of a copper wire capable of applying 60A can be configured to have a current path cross-sectional area of 5.5 mm2 or more. So, the rated current can be improved up to 60A.

문제는 본 발명의 고전류 보호소자가 작은 사이즈에서 높은 정격전류를 허용하면서 트레이드 오프(Trade Off) 현상으로 고전류에 의한 발열이 발생되고, 열에 가장 취약한 보호캡(160)이 정격전류 안에서 녹는 현상이 발생할 수 있다는 점이다.The problem is that the high current protection device of the present invention allows a high rated current in a small size, and heat generation occurs due to a high current due to a trade off phenomenon, and a phenomenon that the protective cap 160, which is most vulnerable to heat, melts within the rated current may occur. Is that there is.

본 발명에서는 보호캡(160)의 4개 변에 각각 통기 홈부를 형성함으로써, 이를 해결하는 방안을 제공한다. 도 5에서 굵은 화살표로 도시한 바와 같이, 통기 장홈부(162, 164)는 폭 방향으로 외기를 통과시킨다. 그리고 도 5에서 가는 화살표로 도시한 바와 같이, 통기 단홈부(166, 168)는 길이 방향으로 외기를 통과시킨다. 이러한 통기 구조를 통해 보호소자 내부의 열을 빠르게 외부로 방출시킬 수 있다.In the present invention, by forming ventilation grooves on each of the four sides of the protective cap 160, it provides a solution to this. As shown by the thick arrow in FIG. 5, the ventilation long grooves 162 and 164 pass outside air in the width direction. And, as shown by a thin arrow in Fig. 5, the ventilation end grooves 166 and 168 pass outside air in the longitudinal direction. Through this ventilation structure, heat inside the protection device can be quickly released to the outside.

여기서, 보호소자의 단변부가 장변부에 비해 작기 때문에, 길이 방향으로의 방열이 신속하게 이루어지지 않을 수 있으므로, 본 발명에서는 이를 해결하기 위한 구조를 제공한다. 도 5를 참조하면, 보호캡(160)의 단변부 전면벽과 후면벽 각각에는 길이 방향 내측으로 오목한 열 유도면부(174, 176, 184, 186)가 형성된다.Here, since the short side portion of the protection element is smaller than the long side portion, heat dissipation in the longitudinal direction may not be made quickly, and the present invention provides a structure for solving this. Referring to FIG. 5, heat induction surface portions 174, 176, 184, and 186 that are concave inward in the longitudinal direction are formed on the front wall and the rear wall of the short side portion of the protective cap 160, respectively.

보호캡(160)의 단변부 전면벽과 후면벽의 구조는 대칭형이므로, 도 5에 예시된 전면벽의 열 유도면부(184, 186)을 기준으로 설명한다. 열 유도면부(184, 186)는 제1 열 유도면부(184)와 제2 열 유도면부(186)가 단턱부(182)에 의해 공간적으로 구획되는 구조를 가질 수 있다. 제1 열 유도면부(184)는 전면벽의 통기 단홈부(168)에서 연장되는 오목한 면으로 형성된다. 그리고 전면벽의 중간 높이에 서로를 향해 돌출되는 단턱부(182)가 형성되고, 이 단턱부(182)에 의해 제2 열 유도면부(186)는 제1 열 유도면부(184)에 비해 좁은 폭을 갖는 오목한 면으로 형성된다. 이와 같이 상협하광(上狹下廣) 형태의 열 유도면부가 형성됨으로써, 보호캡(160) 내부의 열이 외부로 빠르게 확산되도록 할 수 있다.Since the structure of the front wall and the rear wall of the short side portion of the protective cap 160 is symmetric, it will be described with reference to the heat induction surface portions 184 and 186 of the front wall illustrated in FIG. 5. The heat induction surface portions 184 and 186 may have a structure in which the first heat induction surface portion 184 and the second heat induction surface portion 186 are spatially partitioned by the stepped portion 182. The first heat guide surface portion 184 is formed as a concave surface extending from the ventilating end groove portion 168 of the front wall. In addition, stepped portions 182 protruding toward each other are formed at an intermediate height of the front wall, and the second heat guide surface portion 186 is formed with a narrower width than the first heat guide surface portion 184 by the stepped portions 182. It is formed as a concave surface with In this way, by forming the heat induction surface portion in the form of upper and lower light (上狹下廣), it is possible to rapidly diffuse the heat inside the protective cap 160 to the outside.

위에서 개시된 발명은 기본적인 사상을 훼손하지 않는 범위 내에서 다양한 변형예가 가능하다. 즉, 위의 실시예들은 모두 예시적으로 해석되어야 하며, 한정적으로 해석되지 않는다. 따라서 본 발명의 보호범위는 상술한 실시예가 아니라 첨부된 청구항에 따라 정해져야 하며, 첨부된 청구항에 한정된 구성요소를 균등물로 치환한 경우 이는 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 보아야 한다.The invention disclosed above can be variously modified within a range that does not damage the basic idea. That is, all of the above embodiments should be interpreted as illustratively, and not limitedly interpreted. Therefore, the scope of protection of the present invention should be determined according to the appended claims, not the above-described embodiments, and if the components defined in the appended claims are substituted with equivalents, it should be considered as belonging to the protection scope of the present invention.

100 : 절연 기판 102 : 제1 기판 비아홀
104 : 제1 기판 캐스털레이션부 106 : 제2 기판 비아홀
108 : 제2 기판 캐스털레이션부 110 : 제1 가용체 연결 전극
112 : 제1 전극 비아홀 114 : 제1 전극 캐스털레이션부
120 : 제2 가용체 연결 전극 122 : 제2 전극 비아홀
124 : 제2 전극 캐스털레이션부 130 : 가용체
140 : 제1 하부 연결 전극 142 : 제1 비아
144 : 제1 수직 곡률 단자벽 150 : 제2 하부 연결 전극
152 : 제2 비아 154 : 제2 수직 곡률 단자벽
160 : 보호캡 162, 164 : 통기 장홈부
166, 168 : 통기 단홈부 174, 184 : 제1 열 유도면부
176, 186 : 제2 열 유도면부 182 : 단턱부
100: insulating substrate 102: first substrate via hole
104: first substrate casting unit 106: second substrate via hole
108: second substrate casting unit 110: first fusible body connection electrode
112: first electrode via hole 114: first electrode casting unit
120: second fusible body connection electrode 122: second electrode via hole
124: second electrode casting unit 130: soluble body
140: first lower connection electrode 142: first via
144: first vertical curvature terminal wall 150: second lower connection electrode
152: second via 154: second vertically curved terminal wall
160: protective cap 162, 164: ventilation long groove
166, 168: ventilation end groove 174, 184: first heat induction surface
176, 186: second heat induction surface portion 182: stepped portion

Claims (6)

SMD(Surface Mount Device) 타입의 보호소자에 있어서,
장변부의 양측 길이 방향을 따라 상하로 관통되는 복수의 기판 비아홀이 형성되며, 양 측벽에는 상기 비아홀 각각의 사이에 내측으로 오목한 복수의 기판 캐스털레이션부가 형성되는 절연 기판;
상기 절연 기판의 상면에 서로 이격하여 배치되며, 각각, 길이 방향을 따라 상기 기판 비아홀과 연통되는 전극 비아홀이 형성되고, 상기 기판 캐스털레이션부에 대응하는 위치에 내측으로 오목한 복수의 전극 캐스털레이션부가 형성되는 제1 가용체 연결 전극 및 제2 가용체 연결 전극;
상기 제1 가용체 연결 전극과 상기 제2 가용체 연결 전극을 연결하며, 용단 전류 이상에서 용융되는 가용체;
상기 절연 기판의 하면에 서로 이격하여 배치되며, 각각, 길이 방향을 따라 상기 기판 비아홀을 관통하여 상기 전극 비아홀과 연결되고 내부에는 도전체가 충전되는 비아가 수직으로 입설되고, 단부에는 상기 기판 캐스털레이션부에 대응하도록 상방으로 절곡되며 상기 전극 캐스털레이션부와 연결되는 수직 곡률 단자벽이 입설되는 제1 하부 연결 전극 및 제2 하부 연결 전극; 및
상기 절연 기판의 상부에 결합되어 상기 가용체를 보호하는 보호캡
을 포함하는 고전류 보호소자.
In the SMD (Surface Mount Device) type protection device,
An insulating substrate having a plurality of substrate via holes penetrating vertically along the longitudinal directions of both sides of the long side portion, and having a plurality of substrate cascading portions concave inwardly formed between each of the via holes on both sidewalls;
A plurality of electrode cascades disposed to be spaced apart from each other on the upper surface of the insulating substrate, each electrode via hole formed in communication with the substrate via hole along a length direction, and concave inward at a position corresponding to the substrate cascade A first fusible element connecting electrode and a second fusible element connecting electrode which are additionally formed;
A soluble body that connects the first soluble body connection electrode and the second soluble body connection electrode and melts at a melting current or more;
They are disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the insulating substrate, respectively, through the substrate via hole along the length direction, and connected to the electrode via hole, and a via in which a conductor is charged is vertically installed, and the substrate cascade at the end thereof. A first lower connection electrode and a second lower connection electrode bent upward to correspond to a portion and on which a vertically curved terminal wall connected to the electrode cascade is installed; And
A protective cap coupled to the upper portion of the insulating substrate to protect the fusible material
High current protection device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 기판 비아홀은 상기 절연 기판의 양측 길이 방향을 따라 각각 3개 내지 5개 형성되며, 상기 기판 캐스털레이션부는 상기 절연 기판의 양 측벽에 각각 2개 내지 4개 형성되는 고전류 보호소자.
The method of claim 1,
The substrate via-hole is formed in 3 to 5 respectively along the length direction of both sides of the insulating substrate, the substrate casting part is a high current protection device that is formed in two to four, respectively, on both sidewalls of the insulating substrate.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 보호캡은 상면이 밀폐되며 하면은 상측을 향해 함몰되어 상기 가용체를 수용하는 공간을 형성하도록 구성되며, 장변부의 측벽 각각에는 상측을 향해 절개된 통기 장홈부를 구비하는 고전류 보호소자.
The method according to claim 1 or 2,
The protective cap is configured to form a space in which the upper surface is sealed and the lower surface is recessed toward the upper side to accommodate the fusible material, and a high current protection device having a vented long groove cut toward the upper side of each of the sidewalls of the long side.
제3항에 있어서,
상기 보호캡은 단변부의 전면벽과 후면벽 각각에 상측을 향해 절개된 통기 단홈부를 더 구비하는 고전류 보호소자.
The method of claim 3,
The protection cap is a high current protection device further comprising a ventilating short groove cut toward the upper side in each of the front wall and the rear wall of the short side portion.
제4항에 있어서,
상기 보호캡은 상기 전면벽과 상기 후면벽 각각에 길이 방향 내측으로 오목한 열 유도면부를 더 구비하는 고전류 보호소자.
The method of claim 4,
The protection cap is a high current protection device further comprising a heat induction surface concave inwardly in the longitudinal direction on each of the front wall and the rear wall.
제5항에 있어서,
상기 열 유도면부는 상기 통기 단홈부에서 연장되는 제1 열 유도면부와, 상기 전면벽과 상기 후면벽 각각에서 서로를 향해 돌출되는 단턱부에 의해 상기 제1 열 유도면부에 비해 좁은 폭을 갖는 제2 열 유도면부가 상협하광의 형태로 구획되도록 형성되는 고전류 보호소자.
The method of claim 5,
The heat guide surface portion has a first heat guide surface portion extending from the ventilating end groove portion, and a stepped portion protruding toward each other from the front wall and the rear wall, thereby having a narrower width than the first heat guide surface portion. 2 A high-current protection device that is formed so that the heat induction surface is divided in the form of upper and lower light.
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