KR102231162B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판에 형성된 박막으로 상기 박막의 두께를 측정하기 위한 제1 레이저 및 상기 박막을 제거하기 위한 제2 레이저를 조사하는 레이저 처리부, 및 상기 제1 레이저가 조사됨에 의해 측정된 상기 박막의 두께를 참조하여 상기 제2 레이저의 조사 성능을 조절하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a substrate support unit supporting a substrate, a first laser for measuring the thickness of the thin film with a thin film formed on the substrate, and a laser processing unit for irradiating a second laser for removing the thin film, and the first laser It includes a control unit for adjusting the irradiation performance of the second laser by referring to the thickness of the thin film measured by the irradiation.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus {Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 감광액을 도포하고(즉, 도포 공정), 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며(즉, 노광 공정), 기판의 노광처리된 영역을 선택적으로 현상한다(즉, 현상 공정).When manufacturing a semiconductor device or a display device, various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed. Here, the photographic process includes coating, exposure, and development processes. A photoresist is applied on a substrate (ie, a coating process), a circuit pattern is exposed on a substrate on which a photosensitive film is formed (ie, an exposure process), and an exposed area of the substrate is selectively developed (ie, a developing process).

일반적으로 반도체 제조공정에서 웨이퍼 또는 기판에 박막을 증착하기 위한 기상화학증착(CVD) 장치에서는 고품질의 박막을 낮은 온도에서 증착하기 위하여 플라즈마를 이용하여 반응가스를 활성화시켜 웨이퍼나 기판에 박막을 증착하도록 하고 있다.In general, in a vapor phase chemical vapor deposition (CVD) apparatus for depositing a thin film on a wafer or substrate in a semiconductor manufacturing process, a reaction gas is activated using plasma to deposit a thin film on a wafer or substrate in order to deposit a high quality thin film at a low temperature I'm doing it.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판에 형성된 박막으로 상기 박막의 두께를 측정하기 위한 제1 레이저 및 상기 박막을 제거하기 위한 제2 레이저를 조사하는 레이저 처리부, 및 상기 제1 레이저가 조사됨에 의해 측정된 상기 박막의 두께를 참조하여 상기 제2 레이저의 조사 성능을 조절하는 제어부를 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is a substrate support for supporting a substrate, a first laser for measuring the thickness of the thin film with a thin film formed on the substrate, and the thin film is removed. And a laser processing unit for irradiating a second laser to be used, and a control unit for adjusting the irradiation performance of the second laser by referring to the thickness of the thin film measured by the irradiation of the first laser.

상기 기판은 원판의 형상으로 제공되고, 상기 박막은 상기 기판의 가장자리에 형성된 것을 포함한다.The substrate is provided in the shape of a disk, and the thin film is formed on the edge of the substrate.

상기 레이저 처리부는, 기본 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 상기 기본 레이저를 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저로 분리하는 레이저 분리부와, 상기 제1 레이저를 반사시켜 상기 제2 레이저의 조사 지점과는 상이한 지점으로 조사되도록 하는 반사부, 및 상기 제1 레이저가 상기 기판의 박막에 조사됨에 따라 발생된 음파를 수신하는 음파 수신부를 포함한다.The laser processing unit includes a laser irradiation unit for irradiating a basic laser, a laser separation unit for separating the basic laser into the first laser and the second laser, and an irradiation point of the second laser by reflecting the first laser Includes a reflective unit configured to be irradiated to different points, and a sound wave receiving unit configured to receive sound waves generated when the first laser is irradiated onto the thin film of the substrate.

상기 제어부는, 상기 음파를 참조하여 상기 제1 레이저가 조사된 박리 대상 지점에서의 박막의 두께를 측정하고, 상기 제2 레이저가 상기 박리 대상 지점을 조사할 때 상기 측정된 두께에 대응하여 상기 제2 레이저의 조사 성능을 조절한다.The control unit measures the thickness of the thin film at the peeling target point where the first laser is irradiated with reference to the sound wave, and when the second laser irradiates the peeling target point, the control unit measures the thickness in response to the measured thickness. 2 Adjust the laser irradiation performance.

상기 레이저 분리부는 상기 기본 레이저 중 일부는 투과시키고, 나머지 일부는 반사시켜 상기 기본 레이저를 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저로 분리한다.The laser separation unit transmits some of the basic lasers and reflects some of the basic lasers to separate the basic lasers into the first and second lasers.

상기 레이저 분리부는 상기 제1 레이저에 비하여 상기 제2 레이저의 강도가 크게 형성되도록 상기 기본 레이저를 분리한다.The laser separation unit separates the basic laser so that the intensity of the second laser is greater than that of the first laser.

상기 기판 처리 장치는 상기 제1 레이저가 상기 기판에 매핑되는 제1 매핑점 및 상기 제2 레이저가 상기 기판에 매핑되는 제2 매핑점의 위치가 상기 기판상에서 변경되도록 상기 기판 지지부 및 상기 레이저 처리부 중 적어도 하나를 구동하는 구동부를 더 포함한다.The substrate processing apparatus includes the substrate support and the laser processing unit so that positions of a first mapping point to which the first laser is mapped to the substrate and a second mapping point to which the second laser is mapped to the substrate are changed on the substrate. It further includes a driving unit for driving at least one.

상기 구동부는, 상기 기판 지지부를 회전시키는 기판 구동부, 및 상기 기판 지지부에 대한 상기 레이저 처리부의 위치를 조절하는 레이저 구동부 중 적어도 하나를 포함한다.The driving unit includes at least one of a substrate driving unit that rotates the substrate support unit and a laser driving unit that adjusts a position of the laser processing unit with respect to the substrate support unit.

상기 제어부는 상기 기판 지지부가 회전하는 도중에 상기 제1 매핑점 및 상기 제2 매핑점이 상기 기판의 중심에서 외곽 방향으로 이동하도록 상기 기판 구동부 및 상기 레이저 구동부를 제어한다.The control unit controls the substrate driving unit and the laser driving unit to move the first mapping point and the second mapping point in an outer direction from the center of the substrate while the substrate support unit is rotating.

상기 제1 매핑점과 상기 제2 매핑점은 상기 기판 구동부의 회전축을 기준으로 상기 기판상에 형성되는 원의 동일 원주상에 포함된다.The first mapping point and the second mapping point are included on the same circumference of a circle formed on the substrate with respect to a rotation axis of the substrate driver.

상기 제2 레이저의 조사 성능은 상기 제2 레이저가 조사되는 지점에서의 상기 제2 레이저의 강도 및 조사 유지 시간 중 적어도 하나를 포함한다.The irradiation performance of the second laser includes at least one of an intensity of the second laser and an irradiation holding time at a point where the second laser is irradiated.

상기 제어부는 상기 기판 구동부에 의한 상기 기판 지지부의 회전 속도를 제어함으로써 상기 조사 유지 시간을 조절한다.The control unit controls the irradiation holding time by controlling the rotational speed of the substrate support unit by the substrate driving unit.

상기 레이저 처리부는, 상기 제1 레이저를 조사하는 제1 레이저 조사부와, 상기 제2 레이저를 조사하는 제2 레이저 조사부, 및 상기 제1 레이저가 상기 기판의 박막에 조사됨에 따라 발생된 음파를 수신하는 음파 수신부를 포함한다.The laser processing unit is configured to receive a first laser irradiation unit to irradiate the first laser, a second laser irradiation unit to irradiate the second laser, and a sound wave generated when the first laser is irradiated to the thin film of the substrate. It includes a sound wave receiver.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 레이저 처리부의 세부 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 레이저 조사부의 세부 구성을 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 레이저 처리부에 의해 레이저가 조사되는 것을 나타낸 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 구동부에 의해 기판 및 레이저 처리부가 구동하는 것을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1에 도시된 기판에 레이저 처리부의 레이저가 매핑된 것을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 레이저 처리부를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 레이저 처리부에 의해 레이저가 조사되는 것을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the laser processing unit shown in FIG. 1.
3 is a diagram showing a detailed configuration of the laser irradiation unit shown in FIG. 2.
4 and 5 are views showing that a laser is irradiated by the laser processing unit shown in FIG. 2.
6 is a diagram illustrating that the substrate and the laser processing unit are driven by the driving unit shown in FIG. 1.
7 is a diagram illustrating that a laser of a laser processing unit is mapped to the substrate shown in FIG. 1.
8 is a view showing a laser processing unit of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating that a laser is irradiated by the laser processing unit shown in FIG. 8.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments to be posted below, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments make the posting of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” of another element or layer, it is possible to interpose another layer or other element in the middle as well as directly above the other element or layer. All inclusive. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on", it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It may be used to easily describe the correlation between the device or components and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if an element shown in the figure is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” another element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may be oriented in other directions, and thus spatially relative terms may be interpreted according to the orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, of course, these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be a second element, a second element, or a second section within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, actions and/or elements in which the recited component, step, operation and/or element is Or does not preclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used with meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless explicitly defined specifically.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components are assigned the same reference numerals and overlapped Description will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판 지지부(100), 레이저 처리부(200), 구동부(310, 320) 및 제어부(400)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a substrate support 100, a laser processing unit 200, driving units 310 and 320, and a control unit 400.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼와 같은 기판(W)에 대한 특정 작업을 수행하는 공정 유닛(미도시)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 공정 유닛은 기판(W)에 대한 증착 처리를 수행할 수 있다. 공정 유닛은 공정 챔버(미도시)를 포함할 수 있고, 기판 처리 장치(10) 중 적어도 일부는 공정 챔버에 포함될 수 있다.The substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may be included in a processing unit (not shown) that performs a specific operation on a substrate W such as a wafer. For example, the processing unit may perform a deposition treatment on the substrate W. The process unit may include a process chamber (not shown), and at least some of the substrate processing apparatus 10 may be included in the process chamber.

기판 지지부(100)는 기판(W)을 지지하는 역할을 수행한다. 기판 지지부(100)는 공정 챔버의 하부 공간에 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(100)는 공정 챔버의 바닥면에 안착될 수 있다.The substrate support 100 serves to support the substrate W. The substrate support 100 may be disposed in the lower space of the process chamber. For example, the substrate support 100 may be mounted on the bottom surface of the process chamber.

레이저 처리부(200)는 기판(W)에 형성된 박막으로 제1 레이저 및 제2 레이저를 조사하는 역할을 수행한다. 제1 레이저는 박막의 두께를 측정하기 위하여 조사된 것이고, 제2 레이저는 박막을 제거하기 위하여 조사된 것일 수 있다.The laser processing unit 200 serves to irradiate a first laser and a second laser with a thin film formed on the substrate W. The first laser may be irradiated to measure the thickness of the thin film, and the second laser may be irradiated to remove the thin film.

전술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(10)를 포함하고 있는 공정 유닛은 기판(W)에 대한 증착 처리를 수행할 수 있다. 증착 처리를 수행함에 따라 기판(W)에 박막이 형성될 수 있는데, 불필요한 박막이 기판(W)에 남아있을 수 있다. 본 발명에서 기판(W)은 원판의 형상으로 제공된 것으로서, 박막은 기판(W)의 가장자리에 형성된 것일 수 있다. 레이저 처리부(200)는 기판(W)의 가장자리에 남아있는 불필요한 박막을 제거하기 위하여 레이저를 조사할 수 있다.As described above, the processing unit including the substrate processing apparatus 10 of the present invention may perform deposition treatment on the substrate W. As the deposition treatment is performed, a thin film may be formed on the substrate W, but an unnecessary thin film may remain on the substrate W. In the present invention, the substrate W is provided in the shape of a disk, and the thin film may be formed on the edge of the substrate W. The laser processing unit 200 may irradiate a laser to remove an unnecessary thin film remaining on the edge of the substrate W.

구동부(310, 320)는 레이저 처리부(200)에 의해 조사되는 레이저가 기판(W)에 매핑되는 매핑점의 위치가 변경되도록 기판 지지부(100) 및 레이저 처리부(200) 중 적어도 하나를 구동하는 역할을 수행한다. 제1 레이저 및 제2 레이저가 기판(W)에 조사됨에 따라 기판(W)에는 각 레이저에 의한 매핑점이 형성될 수 있다. 이하, 제1 레이저가 기판(W)에 매핑되는 매핑점을 제1 매핑점이라 하고, 제2 레이저가 기판(W)에 매핑되는 매핑점을 제2 매핑점이라 한다. 구동부(310, 320)는 제1 매핑점 및 제2 매핑점의 위치가 기판(W)상에서 변경되도록 기판 지지부(100) 및 레이저 처리부(200) 중 적어도 하나를 구동할 수 있다.The driving units 310 and 320 serve to drive at least one of the substrate support unit 100 and the laser processing unit 200 so that the position of the mapping point at which the laser irradiated by the laser processing unit 200 is mapped to the substrate W is changed. Perform. As the first laser and the second laser are irradiated onto the substrate W, mapping points by each laser may be formed on the substrate W. Hereinafter, a mapping point at which the first laser is mapped to the substrate W is referred to as a first mapping point, and a mapping point at which the second laser is mapped to the substrate W is referred to as a second mapping point. The driving units 310 and 320 may drive at least one of the substrate support unit 100 and the laser processing unit 200 so that positions of the first and second mapping points are changed on the substrate W.

구동부(310, 320)는 기판 구동부(310) 및 레이저 구동부(320)를 포함할 수 있다. 기판 구동부(310)는 기판 지지부(100)를 구동시키는 역할을 수행한다. 구체적으로, 기판 구동부(310)는 기판 지지부(100)를 회전시킬 수 있다. 기판 구동부(310)가 회전축(Ax)을 기준으로 기판 지지부(100)를 회전시킴에 따라 기판 지지부(100)에 안착된 기판(W)도 회전축(Ax)을 기준으로 회전하게 된다.The driving units 310 and 320 may include a substrate driving unit 310 and a laser driving unit 320. The substrate driver 310 serves to drive the substrate support 100. Specifically, the substrate driving unit 310 may rotate the substrate support unit 100. As the substrate driver 310 rotates the substrate support 100 based on the rotation axis Ax, the substrate W mounted on the substrate support 100 also rotates based on the rotation axis Ax.

레이저 구동부(320)는 레이저 처리부(200)를 구동시키는 역할을 수행한다. 구체적으로, 레이저 구동부(320)는 기판 지지부(100)에 대한 레이저 처리부(200)의 위치를 조절할 수 있다. 예를 들어, 레이저 구동부(320)는 기판(W)의 넓은 면에 평행하게 레이저 처리부(200)를 이동시킬 수 있다. 레이저 처리부(200)는 기판(W)을 향하여 제1 레이저 및 제2 레이저를 조사하는데, 레이저 구동부(320)가 레이저 처리부(200)의 위치를 조절함에 따라 기판(W)상에서 제1 매핑점 및 제2 매핑점의 위치가 변경될 수 있다.The laser driving unit 320 serves to drive the laser processing unit 200. Specifically, the laser driving unit 320 may adjust the position of the laser processing unit 200 with respect to the substrate support unit 100. For example, the laser driving unit 320 may move the laser processing unit 200 in parallel to the wide surface of the substrate W. The laser processing unit 200 irradiates a first laser and a second laser toward the substrate W. As the laser driving unit 320 adjusts the position of the laser processing unit 200, the first mapping point and the The location of the second mapping point may be changed.

제어부(400)는 제1 레이저가 조사됨에 의해 측정된 박막의 두께를 참조하여 제2 레이저의 조사 성능을 조절하는 역할을 수행한다. 박막 처리가 수행됨에 따라 기판(W)의 가장자리에는 박막이 존재할 수 있다. 제어부(400)는 박막으로 제1 레이저가 조사되도록 하여 박막의 두께를 측정하고, 측정된 두께에 따라 제2 레이저의 조사 성능을 조절할 수 있다. 박막의 두께에 비하여 지나치게 낮은 조사 성능으로 제2 레이저가 조사되는 경우 기판(W)에 박막이 남아있을 수 있다. 이와 반대로, 박막의 두께에 비하여 지나치게 높은 조사 성능으로 제2 레이저가 조사되는 경우 기판(W)이 손상될 수 있다. 박막의 두께에 따른 적절한 조사 성능으로 제2 레이저가 조사됨에 따라 기판(W)의 손상을 방지하면서 박막의 충분한 제거를 수행할 수 있게 된다.The control unit 400 serves to adjust the irradiation performance of the second laser by referring to the thickness of the thin film measured by the irradiation of the first laser. As the thin film treatment is performed, a thin film may exist at the edge of the substrate W. The control unit 400 may measure the thickness of the thin film by irradiating the first laser with the thin film, and adjust the irradiation performance of the second laser according to the measured thickness. When the second laser is irradiated with an irradiation performance that is too low compared to the thickness of the thin film, the thin film may remain on the substrate W. Conversely, when the second laser is irradiated with an irradiation performance that is too high compared to the thickness of the thin film, the substrate W may be damaged. As the second laser is irradiated with an appropriate irradiation performance according to the thickness of the thin film, it is possible to sufficiently remove the thin film while preventing damage to the substrate W.

제2 레이저의 조사 성능은 제2 레이저가 조사되는 지점에서의 제2 레이저의 강도 및 조사 유지 시간 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 박막의 두께가 상대적으로 얇은 경우 제어부(400)는 제2 레이저의 강도 및 조사 유지 시간 중 적어도 하나를 감소시키고, 박막의 두께가 상대적으로 두꺼운 경우 제어부(400)는 제2 레이저의 강도 및 조사 유지 시간 중 적어도 하나를 증가시킬 수 있다.The irradiation performance of the second laser may include at least one of an intensity of the second laser and an irradiation holding time at a point where the second laser is irradiated. For example, when the thickness of the thin film is relatively thin, the control unit 400 reduces at least one of the intensity of the second laser and the duration of irradiation, and when the thickness of the thin film is relatively thick, the control unit 400 is At least one of intensity and irradiation holding time can be increased.

구동부(310, 320)에 의하여 기판(W)상에서 제1 매핑점 및 제2 매핑점이 지속적으로 변경될 수 있다. 제어부(400)는 변경되는 각 제1 매핑점에서 박막의 두께를 측정하고, 각 제2 매핑점에 대응하는 조사 성능으로 제2 레이저가 조사되도록 할 수 있다. 즉, 제1 매핑점에서 박막의 두께 측정이 완료된 이후에 두께 측정이 완료된 지점의 위치가 변경되면서 제2 매핑점의 위치에 도달할 수 있다. 이 때, 제어부(400)는 측정된 두께에 따라 제2 레이저의 조사 성능을 제어할 수 있는 것이다.The first mapping point and the second mapping point on the substrate W may be continuously changed by the driving units 310 and 320. The control unit 400 may measure the thickness of the thin film at each of the changed first mapping points, and allow the second laser to be irradiated with an irradiation performance corresponding to each second mapping point. That is, after the thickness measurement of the thin film is completed at the first mapping point, the location of the point where the thickness measurement is completed may be changed to reach the location of the second mapping point. In this case, the control unit 400 may control the irradiation performance of the second laser according to the measured thickness.

도 2는 도 1에 도시된 레이저 처리부의 세부 구성을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 레이저 조사부의 세부 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the laser processing unit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing a detailed configuration of the laser irradiation unit shown in FIG.

도 2를 참조하면, 레이저 처리부(200)는 레이저 조사부(210), 레이저 분리부(220), 반사부(230) 및 음파 수신부(240)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, the laser processing unit 200 includes a laser irradiation unit 210, a laser separation unit 220, a reflection unit 230, and a sound wave receiving unit 240.

레이저 조사부(210)는 기본 레이저(L)(도 4 참조)를 조사할 수 있다. 기본 레이저(L)의 조사 방향은 기판(W)의 표면에 수직할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.The laser irradiation unit 210 may irradiate the basic laser L (see FIG. 4 ). The irradiation direction of the basic laser L may be perpendicular to the surface of the substrate W, but is not limited thereto.

도 3을 참조하면, 레이저 조사부(210)는 레이저 발생부(211) 및 집광 렌즈(212)를 포함할 수 있다. 레이저 발생부(211)는 레이저를 발생시킬 수 있다. 집광 렌즈(212)는 레이저 발생부(211)에 의해 발생된 레이저를 집중시킬 수 있다. 집광 렌즈(212)를 투과한 레이저는 진행하면서 점차 집중될 수 있다. 도 3은 하나의 집광 렌즈(212)를 도시하고 있으나 복수의 집광 렌즈(212)가 조합되어 레이저를 집중시킬 수 있다.Referring to FIG. 3, the laser irradiation unit 210 may include a laser generator 211 and a condensing lens 212. The laser generator 211 may generate a laser. The condensing lens 212 may concentrate a laser generated by the laser generator 211. The laser that has passed through the condensing lens 212 may be gradually concentrated as it progresses. 3 illustrates one condensing lens 212, a plurality of condensing lenses 212 may be combined to focus a laser.

다시 도 2를 설명하면, 레이저 분리부(220)는 기본 레이저(L)를 제1 레이저(L1)(도 4 참조) 및 제2 레이저(L2)(도 4 참조)로 분리하는 역할을 수행한다. 레이저 분리부(220)는 기본 레이저(L) 중 일부는 투과시키고, 나머지 일부는 반사시켜 기본 레이저(L)를 제1 레이저(L1) 및 제2 레이저(L2)로 분리할 수 있다. 이하, 레이저 분리부(220)에 반사된 레이저를 제1 레이저(L1)라 하고, 레이저 분리부(220)를 투과한 레이저를 제2 레이저(L2)라 한다.Referring to FIG. 2 again, the laser separation unit 220 serves to separate the basic laser L into a first laser L1 (see FIG. 4) and a second laser L2 (see FIG. 4). . The laser separation unit 220 may transmit a part of the basic laser L and reflect the other part of the basic laser L to separate the basic laser L into a first laser L1 and a second laser L2. Hereinafter, the laser reflected by the laser separation unit 220 is referred to as a first laser (L1), and the laser transmitted through the laser separation unit 220 is referred to as a second laser (L2).

레이저 분리부(220)는 제1 레이저(L1) 및 제2 레이저(L2) 중 하나가 다른 하나에 비하여 강도가 크게 형성되도록 기본 레이저(L)를 분리할 수 있다. 예를 들어, 레이저 분리부(220)는 제1 레이저(L1)에 비하여 제2 레이저(L2)의 강도가 크게 형성되도록 기본 레이저(L)를 분리할 수 있다. 제1 레이저(L1)는 박막을 제거하지 않을 정도의 강도를 갖고, 제2 레이저(L2)는 박막을 제거할 정도의 강도를 가질 수 있다.The laser separation unit 220 may separate the basic laser L such that one of the first laser L1 and the second laser L2 has an intensity greater than that of the other. For example, the laser separation unit 220 may separate the basic laser L so that the intensity of the second laser L2 is greater than that of the first laser L1. The first laser L1 may have an intensity sufficient not to remove the thin film, and the second laser L2 may have an intensity sufficient to remove the thin film.

반사부(230)는 제1 레이저(L1)를 반사시켜 제2 레이저(L2)의 조사 지점과는 상이한 지점으로 조사되도록 할 수 있다. 기본 레이저(L) 중 레이저 분리부(220)를 투과한 제2 레이저(L2)가 기판(W)의 특정 지점에 매핑될 수 있다. 기본 레이저(L) 중 레이저 분리부(220)에 반사된 제1 레이저(L1)는 반사부(230)에 다시 반사되어 기판(W)의 특정 지점에 매핑될 수 있다. 여기서, 제1 레이저(L1)가 매핑된 지점(제1 매핑점)과 제2 레이저(L2)가 매핑된 지점(제2 매핑점)이 상이할 수 있는 것이다.The reflector 230 may reflect the first laser L1 to be irradiated to a point different from the irradiation point of the second laser L2. Among the basic lasers L, the second laser L2 that has passed through the laser separation unit 220 may be mapped to a specific point on the substrate W. Among the basic lasers L, the first laser L1 reflected by the laser separating unit 220 may be reflected back to the reflecting unit 230 and mapped to a specific point on the substrate W. Here, a point to which the first laser L1 is mapped (a first mapping point) and a point to which the second laser L2 is mapped (a second mapping point) may be different.

음파 수신부(240)는 제1 레이저(L1)가 기판(W)의 박막에 조사됨에 따라 발생된 음파(AW)(도 4 참조)를 수신하는 역할을 수행한다. 제어부(400)는 음파 수신부(240)에 의해 수신된 음파(AW)를 참조하여 제1 레이저(L1)가 조사된 박리 대상 지점에서의 박막의 두께를 측정하고, 제2 레이저(L2)가 박리 대상 지점을 조사할 때 이전에 측정된 두께에 대응하여 제2 레이저(L2)의 조사 성능을 조절할 수 있다. 이하, 도 4 및 도 5를 통하여 레이저에 의한 박막의 박리 과정을 설명하기로 한다.The sound wave receiving unit 240 serves to receive the sound wave AW (refer to FIG. 4) generated as the first laser L1 is irradiated onto the thin film of the substrate W. The control unit 400 measures the thickness of the thin film at the peeling target point where the first laser L1 is irradiated with reference to the acoustic wave AW received by the sound wave receiving unit 240, and the second laser L2 is peeled off. When irradiating the target point, it is possible to adjust the irradiation performance of the second laser L2 in response to the previously measured thickness. Hereinafter, a process of peeling a thin film by a laser will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 레이저 처리부에 의해 레이저가 조사되는 것을 나타낸 도면이다.4 and 5 are views showing that a laser is irradiated by the laser processing unit shown in FIG. 2.

도 4를 참조하면, 레이저 처리부(200)는 제1 레이저(L1) 및 제2 레이저(L2)를 조사하고, 음파(AW)를 수신할 수 있다.Referring to FIG. 4, the laser processing unit 200 may irradiate a first laser L1 and a second laser L2 and receive a sound wave AW.

제2 레이저(L2)는 기판(W)의 표면에 수직 방향으로 입사되고, 제1 레이저(L1)는 기판(W)의 표면에 경사지어 입사될 수 있다. 제1 레이저(L1)는 기판(W)의 제1 매핑점(M1)에 매핑되고, 제2 레이저(L2)는 기판(W)의 제2 매핑점(M2)에 매핑될 수 있다.The second laser L2 may be incident on the surface of the substrate W in a vertical direction, and the first laser L1 may be incident on the surface of the substrate W in an inclined manner. The first laser L1 may be mapped to the first mapping point M1 of the substrate W, and the second laser L2 may be mapped to the second mapping point M2 of the substrate W.

제2 레이저(L2)가 제2 매핑점(M2)에 매핑되면서 해당 지점에 존재하는 박막(TF)이 제거될 수 있다. 제1 레이저(L1)가 제1 매핑점(M1)에 매핑되면서 제1 레이저(L1)가 박막(TF)의 표면에 도달할 수 있다. 제1 레이저(L1)가 기판(W)의 박막(TF)에 도달함에 따라 충격파가 발생될 수 있다. 충격파는 박막(TF)을 따라 이동하다가 기판(W)에 반사될 수 있다. 기판(W)에 반사된 충격파는 음파(AW)의 형태로 박막(TF)에서 방출될 수 있다. 음파 수신부(240)는 박막(TF)에서 방출된 음파(AW)를 수신할 수 있다. 전술한 제1 매핑점(M1)은 충격파가 도달한 기판(W)의 지점으로서 박리 대상 지점(EX1)인 것으로 이해될 수 있다.As the second laser L2 is mapped to the second mapping point M2, the thin film TF existing at the corresponding point may be removed. As the first laser L1 is mapped to the first mapping point M1, the first laser L1 may reach the surface of the thin film TF. As the first laser L1 reaches the thin film TF of the substrate W, a shock wave may be generated. The shock wave may be reflected on the substrate W while moving along the thin film TF. The shock wave reflected on the substrate W may be emitted from the thin film TF in the form of a sound wave AW. The sound wave receiving unit 240 may receive the sound wave AW emitted from the thin film TF. The above-described first mapping point M1 is a point of the substrate W to which the shock wave has reached, and may be understood as being the peeling target point EX1.

구동부(310, 320)에 의하여 기판(W)상에서 제1 매핑점(M1) 및 제2 매핑점(M2)이 이동할 수 있다. 구체적으로, 제1 매핑점(M1)에 해당하는 지점 즉, 박리 대상 지점(EX1)이 제2 매핑점(M2)에 해당하는 지점으로 이동할 수 있다. 도 4는 기판(W)의 회전에 의해 박리 대상 지점(EX1)이 좌측으로 이동하는 것을 도시하고 있다. 좌측으로 이동한 박리 대상 지점(EX1)은 제2 매핑점(M2)의 위치에 도달할 수 있다. 도 5는 박리 대상 지점(EX1)이 제2 매핑점(M2)의 위치에 도달한 것을 도시하고 있다.The first mapping point M1 and the second mapping point M2 may be moved on the substrate W by the driving units 310 and 320. Specifically, a point corresponding to the first mapping point M1, that is, a point to be peeled off EX1 may move to a point corresponding to the second mapping point M2. 4 shows that the peeling target point EX1 moves to the left by the rotation of the substrate W. The peeling target point EX1 moved to the left may reach the position of the second mapping point M2. 5 illustrates that the peeling target point EX1 reaches the position of the second mapping point M2.

박리 대상 지점(EX1)은 이전 단계에서 제1 레이저(L1)가 조사됨에 따라 그 두께가 측정된 지점이다. 제어부(400)는 측정된 두께를 기초로 제2 레이저(L2)의 조사 성능을 제어하여 조사하도록 할 수 있다. 이에, 박리 대상 지점(EX1)에서의 박막(TF)은 적절한 조사 성능을 가진 제2 레이저(L2)에 의하여 제거될 수 있다. 이 때, 제1 레이저(L1)는 제1 매핑점(M1)으로 조사되어 또 다른 박리 대상 지점(EX2)에 대한 두께 측정에 이용될 수 있다.The peeling target point EX1 is a point whose thickness is measured as the first laser L1 is irradiated in the previous step. The controller 400 may control and irradiate the irradiation performance of the second laser L2 based on the measured thickness. Accordingly, the thin film TF at the peeling target point EX1 may be removed by the second laser L2 having an appropriate irradiation performance. In this case, the first laser L1 is irradiated to the first mapping point M1 and may be used to measure the thickness of another peeling target point EX2.

이전 단계에서 측정된 박막(TF)의 두께를 기초로 제2 레이저(L2)의 조사 성능이 조절되는 과정은 연속적으로 수행될 수 있으며, 레이저 처리부(200)의 레이저 조사 경로는 기판(W)에 형성된 박막(TF)의 형태에 의해 결정될 수 있다.The process of controlling the irradiation performance of the second laser L2 based on the thickness of the thin film TF measured in the previous step may be continuously performed, and the laser irradiation path of the laser processing unit 200 is applied to the substrate W. It may be determined by the shape of the formed thin film TF.

도 6은 도 1에 도시된 구동부에 의해 기판 및 레이저 처리부가 구동하는 것을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 1에 도시된 기판에 레이저 처리부의 레이저가 매핑된 것을 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating that the substrate and the laser processing unit are driven by the driving unit illustrated in FIG. 1, and FIG. 7 is a diagram illustrating that a laser of the laser processing unit is mapped to the substrate illustrated in FIG. 1.

도 6을 참조하면, 구동부(310, 320)에 의해 기판 지지부(100) 및 레이저 처리부(200)가 구동될 수 있다.Referring to FIG. 6, the substrate support 100 and the laser processing unit 200 may be driven by the driving units 310 and 320.

기판 구동부(310)가 기판 지지부(100)를 회전시킴에 따라 기판이 회전축(Ax)을 기준으로 회전할 수 있다. 제어부(400)는 기판 지지부(100)가 회전하는 도중에 제1 매핑점(M1) 및 제2 매핑점(M2)이 기판의 중심에서 외곽 방향으로 이동하도록 기판 구동부(310) 및 레이저 구동부(320)를 제어할 수 있다. 제어부(400)의 제어에 의하여 기판 구동부(310)는 기판 지지부(100)를 회전시키고, 레이저 구동부(320)는 레이저 처리부(200)를 이동시킬 수 있다.As the substrate driver 310 rotates the substrate support 100, the substrate may rotate based on the rotation axis Ax. The control unit 400 includes the substrate driving unit 310 and the laser driving unit 320 so that the first mapping point M1 and the second mapping point M2 move in an outer direction from the center of the substrate while the substrate support unit 100 is rotating. Can be controlled. Under the control of the controller 400, the substrate driving unit 310 may rotate the substrate support 100, and the laser driving unit 320 may move the laser processing unit 200.

제1 매핑점(M1)과 제2 매핑점(M2)은 기판 구동부(310)의 회전축(Ax)을 기준으로 기판상에 형성되는 원의 동일 원주상에 포함될 수 있다. 이에, 이전 단계에서의 제1 매핑점(M1)은 이후 단계에서의 제2 매핑점(M2)에 대응하게 된다.The first mapping point M1 and the second mapping point M2 may be included on the same circumference of a circle formed on the substrate based on the rotation axis Ax of the substrate driver 310. Accordingly, the first mapping point M1 in the previous step corresponds to the second mapping point M2 in the subsequent step.

도 7에 도시된 바와 같이, 제1 매핑점(M1)에서 박막(TF)의 두께가 측정되고 제2 매핑점(M2)에서 박막(TF)이 제거되면서 기판에 형성된 박막(TF)의 제거 작업이 수행될 수 있다. 기판이 회전하는 도중에 레이저 처리부(200)는 기판(W)의 외측 방향으로 이동할 수 있다. 제1 매핑점(M1) 및 제2 매핑점(M2)은 기판(W)상에서 나선형으로 이동하게 된다. 원형 기판(W)의 가장자리에 원형으로 형성된 박막(TF)은 기판(W)상에서 나선형으로 제거될 수 있다.As shown in FIG. 7, the thickness of the thin film TF is measured at the first mapping point M1 and the thin film TF is removed at the second mapping point M2, thereby removing the thin film TF formed on the substrate. This can be done. While the substrate is rotating, the laser processing unit 200 may move to the outside of the substrate W. The first mapping point M1 and the second mapping point M2 move in a spiral manner on the substrate W. The thin film TF formed in a circular shape on the edge of the circular substrate W may be spirally removed from the substrate W.

제어부(400)는 기판 구동부(310)에 의한 기판 지지부(100)의 회전 속도를 제어함으로써 제2 레이저(L2)의 조사 유지 시간을 조절할 수 있다. 기판 지지부(100)의 회전 속도가 낮은 경우 조사 유지 시간이 증가하고, 기판 지지부(100)의 회전 속도가 높은 경우 조사 유지 시간이 감소될 수 있다. 제어부(400)는 각 박리 대상 지점에서의 두께를 참조하여 해당 박리 대상 지점에 제2 레이저(L2)가 조사될 때 제2 레이저(L2)의 강도를 조절하거나 이와 함께 기판 지지부(100)의 회전 속도를 제어하여 제2 레이저(L2)의 조사 유지 시간을 조절할 수 있다.The control unit 400 may adjust the irradiation duration of the second laser L2 by controlling the rotation speed of the substrate support unit 100 by the substrate driving unit 310. When the rotation speed of the substrate support 100 is low, the irradiation holding time increases, and when the rotation speed of the substrate support 100 is high, the irradiation holding time may decrease. The control unit 400 adjusts the intensity of the second laser L2 when the second laser L2 is irradiated to the peeling target point by referring to the thickness at each peeling target point, or rotates the substrate support 100 together with it. By controlling the speed, the duration of irradiation of the second laser L2 can be adjusted.

이상은 기판 구동부(310) 및 레이저 구동부(320)의 구동에 의하여 제1 매핑점(M1) 및 제2 매핑점(M2)이 기판(W)상에서 나선형으로 이동하는 것을 설명하였으나, 레이저 구동부(320)만의 구동에 의하여 제1 매핑점(M1) 및 제2 매핑점(M2)이 기판(W)상에서 나선형으로 이동할 수 있다. 기판(W)이 정지된 상태에서 레이저 구동부(320)가 레이저 처리부(200)를 나선형으로 이동시키는 것이다. 이 때, 레이저 구동부(320)는 제1 매핑점(M1)과 제2 매핑점(M2)이 기판의 회전축(Ax)을 기준으로 기판(W)상에 형성되는 원의 동일 원주상에 포함되도록 하면서 레이저 처리부(200)를 이동시킬 수 있다.In the above, it has been described that the first mapping point M1 and the second mapping point M2 are helically moved on the substrate W by the driving of the substrate driving unit 310 and the laser driving unit 320, but the laser driving unit 320 The first mapping point M1 and the second mapping point M2 may be helically moved on the substrate W by driving only ). In a state in which the substrate W is stopped, the laser driving unit 320 moves the laser processing unit 200 in a spiral manner. In this case, the laser driving unit 320 includes the first mapping point M1 and the second mapping point M2 on the same circumference of a circle formed on the substrate W based on the rotation axis Ax of the substrate. While the laser processing unit 200 can be moved.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 레이저 처리부를 나타낸 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 레이저 처리부에 의해 레이저가 조사되는 것을 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a laser processing unit of a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a diagram illustrating that a laser is irradiated by the laser processing unit illustrated in FIG. 8.

도 8 및 도 9를 참조하면, 레이저 처리부(500)는 제1 레이저 조사부(510), 제2 레이저 조사부(520) 및 음파 수신부(530)를 포함할 수 있다.8 and 9, the laser processing unit 500 may include a first laser irradiation unit 510, a second laser irradiation unit 520, and a sound wave receiving unit 530.

제1 레이저 조사부(510)는 제1 레이저(L1)를 조사하고, 제2 레이저 조사부(520)는 제2 레이저(L2)를 조사할 수 있다. 도시되어 있지는 않으나, 제1 레이저 조사부(510) 및 제2 레이저 조사부(520) 각각은 레이저 발생부(미도시) 및 집광 렌즈(미도시)를 포함할 수 있다. 레이저 발생부 및 집광 렌즈에 대해서는 전술하였으므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.The first laser irradiation unit 510 may irradiate the first laser L1, and the second laser irradiation unit 520 may irradiate the second laser L2. Although not shown, each of the first laser irradiation unit 510 and the second laser irradiation unit 520 may include a laser generator (not shown) and a condensing lens (not shown). Since the laser generator and the condensing lens have been described above, detailed descriptions will be omitted.

제2 레이저 조사부(520)는 기판(W)의 표면에 수직 방향으로 제2 레이저(L2)를 조사하고, 제1 레이저 조사부(510)는 기판(W)의 표면에 경사지어 제1 레이저(L1)를 조사할 수 있다.The second laser irradiation unit 520 irradiates the second laser L2 in a direction perpendicular to the surface of the substrate W, and the first laser irradiation unit 510 is inclined to the surface of the substrate W, so that the first laser L1 ) Can be investigated.

음파 수신부(530)는 제1 레이저(L1)가 기판(W)의 박막(TF)에 조사됨에 따라 발생된 음파(AW)를 수신하는 역할을 수행한다. 음파 수신부(530)의 형태 및 기능은 전술한 음파 수신부(240)의 형태 및 기능과 동일하거나 유사하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.The sound wave receiving unit 530 serves to receive the sound wave AW generated as the first laser L1 is irradiated onto the thin film TF of the substrate W. Since the shape and function of the sound wave receiving unit 530 is the same as or similar to the shape and function of the sound wave receiving unit 240 described above, a detailed description will be omitted.

제1 레이저(L1)는 기판(W)의 제1 매핑점(M1)에 매핑되고, 제2 레이저(L2)는 기판(W)의 제2 매핑점(M2)에 매핑될 수 있다. 제1 레이저(L1)에 비하여 제2 레이저(L2)의 강도가 크게 형성될 수 있다. 제1 레이저(L1)는 박막(TF)을 제거하지 않을 정도의 강도를 갖고, 제2 레이저(L2)는 박막(TF)을 제거할 정도의 강도를 가질 수 있다.The first laser L1 may be mapped to the first mapping point M1 of the substrate W, and the second laser L2 may be mapped to the second mapping point M2 of the substrate W. The intensity of the second laser L2 may be greater than that of the first laser L1. The first laser L1 may have an intensity sufficient not to remove the thin film TF, and the second laser L2 may have an intensity sufficient to remove the thin film TF.

제2 레이저(L2)가 제2 매핑점(M2)에 매핑되면서 해당 지점에 존재하는 박막(TF)이 제거될 수 있다. 제1 레이저(L1)가 제1 매핑점(M1)에 매핑되면서 제1 레이저(L1)가 박막(TF)의 표면에 도달할 수 있다. 제1 레이저(L1)가 기판(W)의 박막(TF)에 도달함에 따라 충격파가 발생될 수 있다. 충격파는 박막(TF)을 따라 이동하다가 기판(W)에 반사될 수 있다. 기판(W)에 반사된 충격파는 음파(AW)의 형태로 박막(TF)에서 방출될 수 있다. 음파 수신부(530)는 박막(TF)에서 방출된 음파(AW)를 수신할 수 있다.As the second laser L2 is mapped to the second mapping point M2, the thin film TF existing at the corresponding point may be removed. As the first laser L1 is mapped to the first mapping point M1, the first laser L1 may reach the surface of the thin film TF. As the first laser L1 reaches the thin film TF of the substrate W, a shock wave may be generated. The shock wave may be reflected on the substrate W while moving along the thin film TF. The shock wave reflected on the substrate W may be emitted from the thin film TF in the form of a sound wave AW. The sound wave receiver 530 may receive the sound wave AW emitted from the thin film TF.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects.

10: 기판 처리 장치 100: 기판 지지부
200: 레이저 처리부 210: 레이저 조사부
211: 레이저 발생부 212: 집광 렌즈
220: 레이저 분리부 230: 반사부
240: 음파 수신부 310: 기판 구동부
320: 레이저 구동부 400: 제어부
500: 레이저 처리부 510: 제1 레이저 조사부
520: 제2 레이저 조사부 530: 음파 수신부
AW: 음파 EX1, EX2: 박리 대상 지점
L: 기본 레이저 L1: 제1 레이저
L2: 제2 레이저 M1: 제1 매핑점
M2: 제2 매핑점 TF: 박막
W: 기판10: substrate processing apparatus 100: substrate support
200: laser processing unit 210: laser irradiation unit
211: laser generator 212: condensing lens
220: laser separation unit 230: reflection unit
240: sound wave receiving unit 310: substrate driving unit
320: laser driving unit 400: control unit
500: laser processing unit 510: first laser irradiation unit
520: second laser irradiation unit 530: sound wave receiving unit
AW: sound wave EX1, EX2: peeling target point
L: primary laser L1: first laser
L2: second laser M1: first mapping point
M2: second mapping point TF: thin film
W: substrate

Claims (13)

기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 기판에 형성된 박막으로 상기 박막의 두께를 측정하기 위한 제1 레이저 및 상기 박막을 제거하기 위한 제2 레이저를 조사하는 레이저 처리부; 및
상기 제1 레이저가 조사됨에 의해 측정된 상기 박막의 두께를 참조하여 상기 제2 레이저의 조사 성능을 조절하는 제어부를 포함하며,
상기 레이저 처리부는,
기본 레이저를 조사하는 레이저 조사부;
상기 기본 레이저를 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저로 분리하는 레이저 분리부;
상기 제1 레이저를 반사시켜 상기 제2 레이저의 조사 지점과는 상이한 지점으로 조사되도록 하는 반사부; 및
상기 제1 레이저가 상기 기판의 박막에 조사됨에 따라 발생된 음파를 수신하는 음파 수신부를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate support portion supporting a substrate;
A laser processing unit for irradiating a first laser for measuring the thickness of the thin film and a second laser for removing the thin film with the thin film formed on the substrate; And
It includes a control unit for adjusting the irradiation performance of the second laser by referring to the thickness of the thin film measured by the irradiation of the first laser,
The laser processing unit,
A laser irradiation unit for irradiating a basic laser;
A laser separation unit for separating the basic laser into the first laser and the second laser;
A reflector configured to reflect the first laser so that it is irradiated to a point different from that of the second laser; And
A substrate processing apparatus comprising a sound wave receiver configured to receive sound waves generated when the first laser is irradiated onto the thin film of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 기판은 원판의 형상으로 제공되고,
상기 박막은 상기 기판의 가장자리에 형성된 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate is provided in the shape of a disk,
The substrate processing apparatus comprising the thin film formed on the edge of the substrate. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 음파를 참조하여 상기 제1 레이저가 조사된 박리 대상 지점에서의 박막의 두께를 측정하고,
상기 제2 레이저가 상기 박리 대상 지점을 조사할 때 상기 측정된 두께에 대응하여 상기 제2 레이저의 조사 성능을 조절하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The control unit,
Measuring the thickness of the thin film at the peeling target point irradiated with the first laser with reference to the sound wave,
A substrate processing apparatus configured to adjust the irradiation performance of the second laser in response to the measured thickness when the second laser irradiates the peeling target point. 제1 항에 있어서,
상기 레이저 분리부는 상기 기본 레이저 중 일부는 투과시키고, 나머지 일부는 반사시켜 상기 기본 레이저를 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저로 분리하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The laser separation unit transmits a part of the basic laser and reflects the other part of the basic laser to separate the basic laser into the first laser and the second laser. 제1 항에 있어서,
상기 레이저 분리부는 상기 제1 레이저에 비하여 상기 제2 레이저의 강도가 크게 형성되도록 상기 기본 레이저를 분리하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The laser separation unit separates the basic laser so that the intensity of the second laser is greater than that of the first laser. 제1 항에 있어서,
상기 제1 레이저가 상기 기판에 매핑되는 제1 매핑점 및 상기 제2 레이저가 상기 기판에 매핑되는 제2 매핑점의 위치가 상기 기판상에서 변경되도록 상기 기판 지지부 및 상기 레이저 처리부 중 적어도 하나를 구동하는 구동부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
Driving at least one of the substrate support and the laser processing unit so that the positions of the first mapping point to which the first laser is mapped to the substrate and the second mapping point to which the second laser is mapped to the substrate are changed on the substrate. A substrate processing apparatus further comprising a driving unit. 제7 항에 있어서,
상기 구동부는,
상기 기판 지지부를 회전시키는 기판 구동부; 및
상기 기판 지지부에 대한 상기 레이저 처리부의 위치를 조절하는 레이저 구동부 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The driving unit,
A substrate driver for rotating the substrate support; And
A substrate processing apparatus comprising at least one of a laser driving unit for adjusting a position of the laser processing unit with respect to the substrate support. 제8 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판 지지부가 회전하는 도중에 상기 제1 매핑점 및 상기 제2 매핑점이 상기 기판의 중심에서 외곽 방향으로 이동하도록 상기 기판 구동부 및 상기 레이저 구동부를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The control unit controls the substrate driving unit and the laser driving unit to move the first mapping point and the second mapping point in an outer direction from the center of the substrate while the substrate support unit is rotating. 제8 항에 있어서,
상기 제1 매핑점과 상기 제2 매핑점은 상기 기판 구동부의 회전축을 기준으로 상기 기판상에 형성되는 원의 동일 원주상에 포함되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The first mapping point and the second mapping point are included on the same circumference of a circle formed on the substrate with respect to a rotation axis of the substrate driver. 제1 항에 있어서,
상기 제2 레이저의 조사 성능은 상기 제2 레이저가 조사되는 지점에서의 상기 제2 레이저의 강도 및 조사 유지 시간 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The irradiation performance of the second laser includes at least one of an intensity of the second laser and an irradiation holding time at a point where the second laser is irradiated. 제11 항에 있어서,
상기 제어부는 기판 구동부에 의한 상기 기판 지지부의 회전 속도를 제어함으로써 상기 조사 유지 시간을 조절하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The control unit controls the irradiation holding time by controlling the rotation speed of the substrate support unit by the substrate driving unit. 삭제delete
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