KR102225301B1 - Touch screen panel - Google Patents

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KR102225301B1
KR102225301B1 KR1020140055352A KR20140055352A KR102225301B1 KR 102225301 B1 KR102225301 B1 KR 102225301B1 KR 1020140055352 A KR1020140055352 A KR 1020140055352A KR 20140055352 A KR20140055352 A KR 20140055352A KR 102225301 B1 KR102225301 B1 KR 102225301B1
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정우석
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한국전자통신연구원
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    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Abstract

터치 스크린 패널이 제공된다. 터치 스크린 패널은 기판, 상기 기판 상에 배치된 굴절률이 1.8 내지 2.9인 3원계 이상의 산화물로 이루어진 제 1 버퍼층, 상기 제 1 버퍼층 상에 배치된 굴절률이 1.3 내지 1.8인 절연체로 이루어진 제 2 버퍼층, 및 상기 제 2 버퍼층 상에 배치된 투명 전극층을 포함한다.A touch screen panel is provided. The touch screen panel includes a substrate, a first buffer layer made of a ternary oxide having a refractive index of 1.8 to 2.9 disposed on the substrate, a second buffer layer made of an insulator having a refractive index of 1.3 to 1.8 disposed on the first buffer layer, and And a transparent electrode layer disposed on the second buffer layer.

Description

터치 스크린 패널{Touch screen panel}Touch screen panel}

본 발명은 터치 스크린 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정전용량 방식 터치 스크린 패널의 버퍼층에 관한 것이다.The present invention relates to a touch screen panel, and more particularly, to a buffer layer of a capacitive touch screen panel.

최근, 컴퓨터, 휴대용 이동통신 단말기 등의 전자 장치들이 보편화 되면서, 터치 스크린은 데이터를 입력하기 위한 수단으로써 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 및 적외선 방식으로 분류된다. 이 중에서 감성터치의 기본인 멀티터치가 가능하면서 고투과 센서를 제작하기 위한 것으로는 정전용량 방식이 유력하다.Recently, as electronic devices such as computers and portable mobile communication terminals become common, a touch screen is widely used as a means for inputting data. Touch screens are classified into a resistive type, a capacitive type, an ultrasonic type, and an infrared type. Among them, the capacitive method is the most effective for manufacturing a high-transmission sensor while enabling multi-touch, which is the basis of emotional touch.

정전용량 방식 터치 스크린은 기판 위의 투명 전극 상에 손가락 등의 도전체가 닿을 경우 손가락에서 발생하는 정전기에 의해서 절연층에 일정한 정전용량이 형성되고, 이 부분을 통해 신호가 전달되어 그 신호의 크기를 계산하고 위치를 파악한다.In the capacitive touch screen, when a conductor such as a finger touches the transparent electrode on the substrate, a certain capacitance is formed in the insulating layer by static electricity generated from the finger, and a signal is transmitted through this part to determine the size of the signal. Calculate and locate.

정전용량 방식 터치 스크린에서 투명 전극이 형성된 부분과 투명 전극이 형성되지 않은 부분의 반사율 차이가 크게 되면 투명 전극 패턴이 사람의 눈에 띄게 된다. 이를 방지 하기 위해서 인덱스 매칭(Index-Matching)을 통한 시인성 확보가 이루어져야 한다.In the capacitive touch screen, when the difference in reflectance between the portion where the transparent electrode is formed and the portion where the transparent electrode is not formed is large, the transparent electrode pattern becomes conspicuous to a person. To prevent this, visibility must be secured through index-matching.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 가격이 저렴하고, 공정속도가 빠르며, 광학적 특성이 우수한 터치 스크린 패널을 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a touch screen panel that is inexpensive, has a fast process, and has excellent optical properties.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판; 상기 기판 상에 배치된 굴절률이 1.8 내지 2.9인 3원계 이상의 산화물로 이루어진 제 1 버퍼층; 상기 제 1 버퍼층 상에 배치된 굴절률이 1.3 내지 1.8인 절연체로 이루어진 제 2 버퍼층; 및 상기 제 2 버퍼층 상에 배치된 투명 전극층을 포함한다.In order to achieve the problem to be solved, a touch screen panel according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A first buffer layer made of a ternary or higher oxide having a refractive index of 1.8 to 2.9 disposed on the substrate; A second buffer layer made of an insulator having a refractive index of 1.3 to 1.8 disposed on the first buffer layer; And a transparent electrode layer disposed on the second buffer layer.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 생산 비용을 낮출 수 있다.According to the touch screen panel of the present invention, it is possible to lower the production cost.

본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 3원계 이상의 산화물의 증착 속도가 빨라 공정 시간을 단축시킬 수 있다.According to the touch screen panel of the present invention, the process time can be shortened because the deposition rate of the ternary oxide or more is fast.

본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 투과도 및 인덱스 매칭이 향상될 수 있다.According to the touch screen panel of the present invention, transmittance and index matching may be improved.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 3는 SiO2/Nb2O5 버퍼층을 갖는 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 단면도이다.
도 5은 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.
1 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to embodiments of the present invention.
2 is a graph showing transmittance and reflectance of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is SiO 2 /Nb 2 O 5 It is a graph showing the transmittance and reflectance of a touch screen panel having a buffer layer.
4 is a cross-sectional view of a touch screen panel made of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer.
5 is a graph showing transmittance and reflectance of a touch screen panel composed of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described later in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same constituent elements throughout the entire specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification,'comprises' and/or'comprising' refers to the presence of one or more other elements, steps, actions and/or elements, and/or elements, steps, actions and/or elements mentioned. Or does not preclude additions.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.Further, the embodiments described in the present specification will be described with reference to sectional views and/or plan views, which are ideal exemplary diagrams of the present invention. In the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content. Accordingly, the shape of the exemplary diagram may be modified due to manufacturing techniques and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to the manufacturing process. For example, the etched area shown at a right angle may be rounded or may have a shape having a predetermined curvature. Accordingly, regions illustrated in the drawings have schematic properties, and the shapes of regions illustrated in the drawings are intended to illustrate a specific shape of a device region and are not intended to limit the scope of the invention.

이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널에 대해 설명한다.Hereinafter, a touch screen panel according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 스크린 패널은 기판(100), 버퍼층(200) 및 투명 전극층(300)을 포함할 수 있다.1 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to embodiments of the present invention. Referring to FIG. 1, a touch screen panel according to embodiments of the present invention may include a substrate 100, a buffer layer 200, and a transparent electrode layer 300.

기판(100)은 강화 유리 기판, 소다라임(soda-lime) 유리 기판, 강화 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 기판 또는 강화 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 기판일 수 있다.The substrate 100 is a tempered glass substrate, a soda-lime glass substrate, a reinforced plastic substrate, a polycarbonate (PC) substrate coated with a reinforced film, or a reinforced polyethylene terephthalate (PET) substrate. Can be

버퍼층(200)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(200)은 제 1 버퍼층(210)과 제 2 버퍼층(220)을 포함할 수 있다. 제 1 버퍼층(210) 및 제 2 버퍼층(220)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 차례로 형성될 수 있다.The buffer layer 200 may be disposed on the substrate 100. The buffer layer 200 may include a first buffer layer 210 and a second buffer layer 220. The first buffer layer 210 and the second buffer layer 220 are selected from among a screen printing method, a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, or an atomic layer deposition method. It can be formed sequentially by any one method.

제 1 버퍼층(210)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 제 1 버퍼층(210)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 1 버퍼층(210)은 제 2 버퍼층(220)보다 높은 굴절률(index of refraction)을 갖는 물질로, 약 1.8 내지 약 2.9 사이의 굴절률을 갖는 3원계 이상의 산화물일 수 있다. 일 예로, 제 1 버퍼층(210)은 아연-주석 산화물(Zn-Sn-Oxide), 아연-주석-인듐 산화물(Zn-Sn-In-Oxide), 아연-황-산화물(Zn-S-Oxide), 아연-타이타늄-산화물(Zn-Ti-Oxide), 아연-타이타늄-인듐 산화물(Zn-Ti-In-Oxide), 인듐-갈륨-아연-산화물(In-Ga-Zn-Oxide), 아연-인듐-산화물(Zn-In-Oxide), 또는 아연-주석-타이타늄 산화물(Zn-Sn-Ti-Oxide) 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.The first buffer layer 210 may be disposed on the substrate 100. The first buffer layer 210 may have a thickness of about 2 nm to about 20 nm. The first buffer layer 210 is a material having a higher index of refraction than the second buffer layer 220 and may be a ternary or higher oxide having a refractive index between about 1.8 to about 2.9. For example, the first buffer layer 210 is zinc-tin oxide (Zn-Sn-Oxide), zinc-tin-indium oxide (Zn-Sn-In-Oxide), zinc-sulfur-oxide (Zn-S-Oxide) , Zinc-titanium-oxide (Zn-Ti-Oxide), zinc-titanium-indium oxide (Zn-Ti-In-Oxide), indium-gallium-zinc-oxide (In-Ga-Zn-Oxide), zinc-indium -It may be made of any one selected from oxide (Zn-In-Oxide) or zinc-tin-titanium oxide (Zn-Sn-Ti-Oxide).

제 2 버퍼층(220)은 제 1 버퍼층(210) 상에 배치될 수 있다. 제 2 버퍼층은 약 20nm 내지 약 100nm의 두께를 가질 수 있다. 제 2 버퍼층(220)은 제 1 버퍼층(210)보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 물질로, 약 1.3 내지 약 1.8 사이의 굴절률을 갖는 절연체일 수 있다. 일 예로, 제 2 버퍼층(220)은 SiO2, SiNx, MgF2, 또는 SiOxNy 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second buffer layer 220 may be disposed on the first buffer layer 210. The second buffer layer may have a thickness of about 20 nm to about 100 nm. The second buffer layer 220 is a material having a lower index of refraction than the first buffer layer 210 and may be an insulator having a refractive index between about 1.3 and about 1.8. For example, the second buffer layer 220 may be formed of any one selected from SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or SiO x N y.

투명 전극층(300)은 버퍼층(200) 상에 배치될 수 있다. 일 예로, 투명 전극층(300)은 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들, 제 1 전극 셀들 사이에 고립되어 형성되며, 제 2 방향으로 배열되는 복수의 제 2 전극 셀들, 제 1 전극 셀들을 제 1 방향으로 연결하며 배치되는 복수의 제 1 연결 전극들, 각각의 제 1 연결 전극들 상에 배치되는 복수의 절연패턴들, 및 각각의 절연패턴들 상에 배치되며 이웃하는 제 2 전극 셀들을 제 2 방향으로 연결하는 복수의 제 2 연결 전극들을 포함할 수 있다.The transparent electrode layer 300 may be disposed on the buffer layer 200. For example, the transparent electrode layer 300 is a plurality of first electrode cells arranged in a first direction, a plurality of second electrode cells arranged in a second direction, and a first electrode cell formed in isolation between the first electrode cells A plurality of first connection electrodes disposed while connecting the cells in a first direction, a plurality of insulation patterns disposed on each of the first connection electrodes, and a second electrode cell adjacent to and disposed on each of the insulation patterns A plurality of second connection electrodes connecting them in a second direction may be included.

도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing transmittance and reflectance of a touch screen panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율 및 반사율을 확인할 수 있다. 이 실시예에서 제 1 버퍼층(210)은 아연-주석 산화물(Zn-Sn-Oxide)로 이루어졌고, 제 2 버퍼층(220)은 SiO2로 이루어졌다. 이 실시예에 따르면, 투명 전극층이 형성된 영역을 통과한 빛(T0) 및 투명 전극층이 형성되지 않은 영역을 통과한 빛(T1)의 투과율이 550nm의 파장(wave length)에서 89.0% 이상이고, 투명 전극층이 형성된 영역에서 반사된 빛(R0)과 투명 전극층이 형성되지 않은 영역에서 반사된 빛(R1)의 반사율 차이(ΔR)가 412nm 내지 700nm에서 1% 미만이다.Referring to FIG. 2, transmittance and reflectance of the touch screen panel according to an embodiment of the present invention can be checked. In this embodiment, the first buffer layer 210 is made of zinc-tin oxide (Zn-Sn-Oxide), and the second buffer layer 220 is made of SiO 2. According to this embodiment, the transmittance of the light (T 0 ) passing through the region where the transparent electrode layer is formed and the light (T 1 ) passing through the region where the transparent electrode layer is not formed is 89.0% or more at a wavelength of 550 nm. , The difference in reflectance (ΔR) between the light (R 0 ) reflected from the region where the transparent electrode layer is formed and the light (R 1 ) reflected from the region where the transparent electrode layer is not formed is less than 1% at 412 nm to 700 nm.

도 3은 SiO2/Nb2O5 버퍼층을 갖는 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.Figure 3 is SiO 2 /Nb 2 O 5 It is a graph showing the transmittance and reflectance of a touch screen panel having a buffer layer.

도 3를 참조하면, SiO2/Nb2O5 버퍼층을 갖는 터치 스크린 패널의 투과율 및 반사율을 확인할 수 있다. 이 경우, 투명 전극층이 형성된 영역을 통과한 빛(T0) 및 투명 전극층이 형성되지 않은 영역을 통과한 빛(T1)의 투과율이 550nm의 파장(wave length)에서 88.8% 이상이고, 투명 전극층이 형성된 영역에서 반사된 빛(R0)과 투명 전극층이 형성되지 않은 영역에서 반사된 빛(R1)의 반사율 차이(ΔR)가 413nm 내지 700nm의 파장에서 1% 미만이다.3, SiO 2 /Nb 2 O 5 The transmittance and reflectance of the touch screen panel having the buffer layer can be checked. In this case, the transmittance of the light (T 0 ) passing through the area where the transparent electrode layer is formed and the light (T 1 ) passing through the area where the transparent electrode layer is not formed is 88.8% or more at a wavelength of 550 nm, and the transparent electrode layer The difference in reflectance (ΔR) between the light R 0 reflected in the formed region and the light R 1 reflected in the region where the transparent electrode layer is not formed is less than 1% at a wavelength of 413 nm to 700 nm.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율 및 반사율(도 2)과 SiO2/Nb2O5 버퍼층을 갖는 터치 스크린 패널의 투과율 및 반사율(도 3)을 비교하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율이 550nm의 파장에서 더 높으며, 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 인덱스 매칭이 더 잘 이루어졌음을 확인할 수 있다.Comparing the transmittance and reflectance of the touch screen panel according to an embodiment of the present invention (Fig. 2) and the transmittance and reflectance of the touch screen panel having a SiO 2 /Nb 2 O 5 buffer layer (Fig. 3), one embodiment of the present invention It can be seen that the transmittance of the touch screen panel according to the example is higher at a wavelength of 550 nm, and that index matching of the touch screen panel according to an embodiment of the present invention is performed better.

도 4는 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 단면도이다. 도 5는 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 나타낸 그래프이다.4 is a cross-sectional view of a touch screen panel made of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer. 5 is a graph showing transmittance and reflectance of a touch screen panel composed of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer.

도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율을 확인할 수 있다. 이 경우, 투명 전극층이 형성된 영역에서 반사된 빛(R0)과 투명 전극층이 형성되지 않은 영역에서 반사된 빛(R1)의 반사율 차이(ΔR)가 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 1% 이상이다.Referring to FIGS. 4 and 5, transmittance and reflectance of a touch screen panel made of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer can be checked. In this case, the difference in reflectance (ΔR) between the light (R 0 ) reflected from the region where the transparent electrode layer is formed and the light (R 1 ) reflected from the region where the transparent electrode layer is not formed is 1% in the visible region (400 nm to 700 nm) That's it.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 투과율 및 반사율(도 2)과 버퍼층 없이 투명 전극층과 기판으로만 이루어진 터치 스크린 패널의 투과율과 반사율(도 5)을 비교하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 인덱스 매칭이 잘 이루어졌음을 확인할 수 있다.When comparing the transmittance and reflectance of the touch screen panel according to an embodiment of the present invention (FIG. 2) and the transmittance and reflectance of the touch screen panel consisting of only a transparent electrode layer and a substrate without a buffer layer (FIG. 5), an embodiment of the present invention It can be seen that the index matching of the touch screen panel according to is performed well.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting.

100 : 기판
200 : 버퍼층
210 : 제 1 버퍼층
220 : 제 2 버퍼층
300 : 투명 전극층
R0 : 투명 전극층이 형성된 영역에서 반사된 빛
R1 : 투명 전극층이 형성되지 않은 영역에서 반사된 빛
T0 : 투명 전극층이 형성된 영역을 통과한 빛
T1 : 투명 전극층이 형성되지 않은 영역을 통과한 빛
100: substrate
200: buffer layer
210: first buffer layer
220: second buffer layer
300: transparent electrode layer
R 0 : Light reflected from the area where the transparent electrode layer is formed
R 1 : Light reflected from the area where the transparent electrode layer is not formed
T 0 : Light passing through the area where the transparent electrode layer is formed
T 1 : Light passing through the area where the transparent electrode layer is not formed

Claims (6)

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 굴절률이 1.8 내지 2.9인 제1 버퍼층;
상기 제1 버퍼층 상에 배치되고, 굴절률이 1.3 내지 1.8인 제2 버퍼층; 및 상기 제2 버퍼층 상에 배치된 투명 전극층을 포함하고,
상기 제1 버퍼층은 3원계 이상의 산화물을 포함하고,
상기 3원계 이상의 산화물은 아연-주석 산화물(Zn-Sn-Oxide), 아연-주석-인듐 산화물(Zn-Sn-In-Oxide), 아연-황-산화물(Zn-S-Oxide), 아연-타이타늄-산화물(Zn-Ti-Oxide), 아연-타이타늄-인듐 산화물(Zn-Ti-In-Oxide), 인듐-갈륨-아연-산화물(In-Ga-Zn-Oxide), 아연-인듐-산화물(Zn-In-Oxide), 또는 아연-주석-타이타늄 산화물(Zn-Sn-Ti-Oxide) 중 어느 하나를 포함하고,
상기 제2 버퍼층은 SiO2, SiNx, MgF2, 또는 SiOxNy 중 어느 하나를 포함하고,
상기 제1 버퍼층 및 상기 제2 버퍼층은 서로 접촉하고, 상기 제2 버퍼층 및 상기 투명 전극층은 서로 접촉하는 터치 스크린 패널.

Board;
A first buffer layer disposed on the substrate and having a refractive index of 1.8 to 2.9;
A second buffer layer disposed on the first buffer layer and having a refractive index of 1.3 to 1.8; And a transparent electrode layer disposed on the second buffer layer,
The first buffer layer includes a ternary oxide or more,
The ternary oxides are zinc-tin oxide (Zn-Sn-Oxide), zinc-tin-indium oxide (Zn-Sn-In-Oxide), zinc-sulfur-oxide (Zn-S-Oxide), and zinc-titanium. -Oxide (Zn-Ti-Oxide), zinc-titanium-indium oxide (Zn-Ti-In-Oxide), indium-gallium-zinc-oxide (In-Ga-Zn-Oxide), zinc-indium-oxide (Zn -In-Oxide), or zinc-tin-titanium oxide (Zn-Sn-Ti-Oxide),
The second buffer layer includes any one of SiO 2 , SiN x , MgF 2 , or SiO x N y,
The first buffer layer and the second buffer layer are in contact with each other, and the second buffer layer and the transparent electrode layer are in contact with each other.

삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1 버퍼층의 두께는 2nm 내지 20nm이고,
상기 제2 버퍼층의 두께는 20nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
The thickness of the first buffer layer is 2nm to 20nm,
The thickness of the second buffer layer is 20nm to 100nm touch screen panel.
삭제delete 삭제delete
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