KR102224576B1 - Inorganic thin film solar cells - Google Patents
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Abstract
본 발명은 무기 박막 태양전지에 관한 것으로 본 발명의 실시 예를 따르는 무기 박막 태양전지는, 기판; 상기 기판상에 배치된 후면전극; 상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 배치된 그래핀 산화물층; 상기 그래핀 산화물 층상에 배치된 광활성층; 및 상기 광활성 상에 배치된 상부전극;을 포함한다.The present invention relates to an inorganic thin film solar cell, and the inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; A rear electrode disposed on the substrate; A graphene oxide layer disposed to have a pattern contacting at least a portion of the rear electrode; A photoactive layer disposed on the graphene oxide layer; And an upper electrode disposed on the photoactive layer.
Description
본 발명은 무기 박막 태양전지에 관한 것이다. The present invention relates to an inorganic thin film solar cell.
최근 환경 보호에 대한 관심이 증가하면서, 환경에 무해한 대체에너지 개발에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다. 수력 발전, 풍력 발전에 대한 연구와 함께 태양으로부터 제공되는 빛을 이용한 태양에너지의 연구개발이 이루어지고 있다. Recently, as interest in environmental protection has increased, many studies on the development of alternative energy harmless to the environment have been conducted. In addition to research on hydropower and wind power generation, research and development of solar energy using light provided by the sun is being conducted.
최근, 화석연료의 고갈과 지구 온난화, 원자력 에너지의 안전 우려 등으로 인해 대체 에너지의 개발이 시급해짐에 따라 지속 가능한 대체 에너지의 개발이 시급하다. 그 중 무한한 태양광으로부터 에너지를 얻을 수 있는 태양전지는 상대적으로 지역편중이 덜하고, 친환경적이기 때문에 연구가 활발히 진행 중이다.Recently, as the development of alternative energy becomes urgent due to the depletion of fossil fuels, global warming, and safety concerns of nuclear energy, the development of sustainable alternative energy is urgent. Among them, solar cells, which can obtain energy from infinite sunlight, are relatively less localized and eco-friendly, so research is actively underway.
일반적으로 태양전지란 태양빛으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생하는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다. 태양전지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 반도체 소자로서, 빛을 흡수하는 두 개 이상의 반도체물질 층으로 구성된다. 태양전지는 빛을 조사하면 광자가 흡수되어 전자와 정공이 생성되고 두 개의 다른 물질의 접합부에서 전위차가 발생함으로써 전류가 흐르게 된다.In general, a solar cell refers to a cell that generates a current-voltage by using the photovoltaic effect of generating electrons and holes by absorbing light energy from sunlight. A solar cell is a semiconductor device that converts light energy into electrical energy, and is composed of two or more layers of semiconductor materials that absorb light. In solar cells, when light is irradiated, photons are absorbed to generate electrons and holes, and a potential difference occurs at the junction of two different materials, so that current flows.
무기 반도체 태양 전지에 대한 최대 효율의 Shockley 및 Quiesser 열역학 한계는 31%이다. 태양 전지는 상용화를 위해 효율을 더욱 높일 필요가 있다. 태양전지에 빛이 입사된 후 후면전극에서 상당한 양이 반사하게 되고, 이 반사되는 빛은 입사하는 빛과 만나 간섭을 일으키게 된다.The Shockley and Quiesser thermodynamic limit of maximum efficiency for inorganic semiconductor solar cells is 31%. Solar cells need to further increase their efficiency for commercialization. After light is incident on the solar cell, a considerable amount is reflected from the rear electrode, and the reflected light meets the incident light and causes interference.
도 1은 종래 태양전지에서 광활성층과 후면전극 사이에서 발생하는 간섭 현상을 보여주는 모식도이다. 도 1을 참조하면, 빛은 태양전지로 입사된 후 후면전극에서 상당한 양이 반사하게 되고, 이 반사되는 빛은 입사하는 빛과 만나 간섭을 일으키게 된다. 따라서, 입사된 빛은 모두 광활성층에 흡수되는 것이 아니라 간섭이 발생하는 만큼 광활성층에 흡수되지 못하고, 이러한 빛의 손실은 태양전지의 변환효율을 저하시키는 원인이 될 수 있다.1 is a schematic diagram showing an interference phenomenon occurring between a photoactive layer and a rear electrode in a conventional solar cell. Referring to FIG. 1, after light is incident on a solar cell, a significant amount is reflected from the rear electrode, and the reflected light encounters incident light and causes interference. Accordingly, all incident light is not absorbed by the photoactive layer, but cannot be absorbed by the photoactive layer as much as interference occurs, and this loss of light may cause a decrease in the conversion efficiency of the solar cell.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 빛의 간섭에 의한 광전하 생성의 손실을 방지할 수 있는 새로운 구조의 무기 박막 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an inorganic thin film solar cell having a new structure capable of preventing loss of generation of photocharges due to interference of light in order to solve the problems of the prior art as described above.
본 발명은 또한, 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention also provides a method for manufacturing an inorganic thin film solar cell according to the present invention.
본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 후면전극; 상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하고, 패턴을 형성하는 그래핀 산화물층; 상기 그래핀 산화물층에 배치된 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 배치된 상부전극;을 포함한다.An inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A rear electrode disposed on the substrate; A graphene oxide layer in contact with at least a portion of the rear electrode and forming a pattern; A photoactive layer disposed on the graphene oxide layer; And an upper electrode disposed on the photoactive layer.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층의 두께는, 50nm 내지 80nm 일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the thickness of the graphene oxide layer may be 50nm to 80nm.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 필름 형상으로 형성되고, 필름 내부에 후면 전극에서 상부 전극 방향으로 인입되는 관통부, 또는 상부 전극에서 후면 전극 방향으로 인입되는 복수개의 관통부를 포함하는 것이 가능하다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 광활성층은 상기 관통부를 통하여 상기 후면전극과 접촉할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer is formed in a film shape, and a plurality of through portions drawn in from the rear electrode toward the upper electrode in the film, or a plurality of through portions drawn in from the upper electrode toward the rear electrode. It is possible to include a through part. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the photoactive layer may contact the rear electrode through the through portion.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 관통부의 단면의 직선 길이는 0.7μm 내지 3μm 일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the straight line length of the cross section of the through portion may be 0.7 μm to 3 μm.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 복수개의 관통부 사이의 이격 거리는 4μm 이상일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, a separation distance between the plurality of through portions may be 4 μm or more.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 상기 후면 전극상에 일정 간격으로 이격된 아일랜드 형상의 이격된 복수의 그래핀 산화물을 포함하여 형성되는 것이 가능하다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층에 포함되는 아일랜드 형상으로 이격된 그래핀 산화물 사이의 그래핀 산화물이 형성되지 않은 영역을 통하여 상기 후면전극과 접촉할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer may be formed including a plurality of spaced graphene oxides in an island shape spaced apart at a predetermined interval on the rear electrode. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, it is possible to contact the rear electrode through a region in which graphene oxide is not formed between graphene oxides separated in an island shape included in the graphene oxide layer.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 아일랜드 형상의 그래핀 산화물 사이의 이격 거리는 0.7μm 내지 3μm 일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the separation distance between the island-shaped graphene oxide may be 0.7 μm to 3 μm.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 아일랜드 형상의 그래핀 산화물은 단면의 길이가 4μm 이상일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the island-shaped graphene oxide may have a cross-section of 4 μm or more.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물 상에 배치된 광활성층은, P형 반도체층(Positive-type semiconductor) 및 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the photoactive layer disposed on the graphene oxide includes a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer disposed on the P-type semiconductor layer. semiconductor).
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지는, 상기 광활성층과 상기 상부전극의 사이에 투명전극을 더 포함할 수 있다.The inorganic thin film solar cell according to the present invention may further include a transparent electrode between the photoactive layer and the upper electrode.
본 발명은 또한,The present invention also,
기판 상에 후면전극을 배치하는 단계;Arranging a rear electrode on a substrate;
상기 후면전극의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 그래핀 산화물층을 배치하는 단계;Disposing a graphene oxide layer to have a pattern in contact with at least a portion of the rear electrode;
상기 그래핀 산화물층 상에 광활성층을 배치하는 단계; 및 Disposing a photoactive layer on the graphene oxide layer; And
상기 광활성층 상에 상부전극을 배치하는 단계;를 포함하는 무기 박막 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing an inorganic thin film solar cell comprising; disposing an upper electrode on the photoactive layer.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views of an inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 후면전극; 상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 형성되는 그래핀 산화물층; 상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 배치된 상부전극;을 포함한다.2 and 3, an inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A rear electrode disposed on the substrate; A graphene oxide layer formed to have a pattern contacting at least a portion of the rear electrode; A photoactive layer disposed on the graphene oxide layer; And an upper electrode disposed on the photoactive layer.
본 발명에 의한 무기 박막 태양전지에 있어서 상기 기판은 태양빛이 입사되는 부분으로 태양전지를 지지하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양전지에 있어서 상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱 등의 재료로 제조되는 것이 가능하다. 상기 기판은 산화물 단결정, 세라믹, 또는 유리 등 광 투과성이 우수한 투명한 재질의 기판일 수 있다. 상기 기판은 Al2O3, MgO, SiO2, 또는 석영(Quartz)을 포함할 수 있다. 상기 기판은 태양전지의 내부 단락을 방지할 수 있는 절연성 재질을 사용할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the substrate may be used to support the solar cell as a portion to which sunlight is incident. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the substrate may be made of a material such as glass, metal, or plastic. The substrate may be a substrate made of a transparent material having excellent light transmittance, such as oxide single crystal, ceramic, or glass. The substrate may include Al 2 O 3 , MgO, SiO 2 , or quartz. The substrate may be made of an insulating material capable of preventing an internal short circuit of the solar cell.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에서는 상기 기판상에 배치된 후면전극은 입사된 빛을 반사시킴으로써, 상기 반사된 빛을 광활성층으로 재입사시키는 역할을 할 수 있다. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the rear electrode disposed on the substrate reflects incident light, thereby re-inciding the reflected light to the photoactive layer.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 후면전극은 전도성을 가지는 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. 상기 후면전극은 금속전극일 수 있고, Mo, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al 및 Cu 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 후면전극을 상기 기판에 적층하는 방법은 열증착법, 진공증착법일 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the rear electrode is not particularly limited as long as it is a material having conductivity. The rear electrode may be a metal electrode, and may include any one of Mo, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al, and Cu. A method of laminating the rear electrode on the substrate may be a thermal evaporation method or a vacuum evaporation method.
상기 열 증발 증착법은 진공상태에서 높은 열을 금속원에 가해 기화한 다음 상대적으로 낮은 온도의 기판에 박막을 형성하는 것으로 고체가 승화된 다음 기판에서 고화되는 것일 수 있다. 상기 스퍼터링 증착법은 스퍼터링 원리를 이용하여 진공상태에서 이온화된 입자를 금속원에 충돌시켜 튀어나온 원자를 기판에 증착하는 방법이다. 상기 스퍼터링은 이온화된 원자가 가속화되어 물질에 충돌할 때 물질 표면의 결합에너지보다 충돌에너지가 더 클 경우 표면으로부터 원자가 튀어나오는 현상일 수 있다.In the thermal evaporation method, a high heat is applied to a metal source in a vacuum to evaporate, and then a thin film is formed on a substrate having a relatively low temperature. The solid is sublimated and then solidified on the substrate. The sputtering deposition method is a method in which ionized particles collide with a metal source in a vacuum state using a sputtering principle to deposit protruding atoms on a substrate. The sputtering may be a phenomenon in which an atom protrudes from the surface when the ionized atoms are accelerated and collide with the material when the collision energy is greater than the binding energy of the material surface.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 상기 후면전극과 광활성층 사이에 배치될 수 있다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 광활성층에서 입사되는 빛과 후면전극으로부터 반사되는 빛 사이의 간섭으로 인한 광자의 손실을 막을 수 있다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 광활성층에 생성될 수 있는 이차층(secondary phases)의 형성을 억제함으로써, 무기 박막 태양전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer may be disposed between the rear electrode and the photoactive layer. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer can prevent loss of photons due to interference between light incident from the photoactive layer and light reflected from the rear electrode. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer suppresses the formation of secondary phases that may be generated in the photoactive layer, thereby improving conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell.
그래핀은 매우 얇고 매우 투명하며, 전도성은 구리보다 매우 높고, 인장 강도가 강철보다 훨씬 더 강하며, 공기에 의해 부식되지 않고 화학적으로 안정한 물질이다. 그래핀은 좋은 전도체임에도, 태양 전지 내부에서 발생된 전하를 수집하는 능력은 떨어진다. 반면에, 그래핀 산화물은 탄소 격자 내로 산소가 들어가 있는 형태의 물질이다. 이는 전도성을 저하 시키지만, 그래핀 보다 투명도가 높고, 그래핀 보다 전하를 수집하는 능력이 우수하다. 본 발명에 의한 무기 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 입사된 빛의 90% 이상을 투과시키는 투과도를 가질 수 있다.Graphene is very thin and very transparent, its conductivity is much higher than that of copper, its tensile strength is much stronger than that of steel, it is not corroded by air and is a chemically stable material. Although graphene is a good conductor, it has a poor ability to collect charges generated inside solar cells. On the other hand, graphene oxide is a material in the form of oxygen entering the carbon lattice. This lowers the conductivity, but has higher transparency than graphene, and has better ability to collect charge than graphene. In the inorganic solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer may have a transmittance of transmitting at least 90% of incident light.
본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 상기 그래핀 산화물층은 상기 그래핀 산화물층의 상부에 위치하는 상기 광활성층이, 상기 그래핀 산화물층의 하부에 위치하는 상기 후면전극과 접촉될 수 있도록 형성됨으로써 하여, 전하의 유동을 원활하게 할 수 있고, 결과적으로 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있다.In the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the embodiment of the present invention, the photoactive layer located above the graphene oxide layer may be in contact with the rear electrode located below the graphene oxide layer. By being formed so that it is possible to facilitate the flow of electric charges, and as a result, it is possible to improve the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell.
본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 상기 그래핀 산화물층의 두께는, 50nm 내지 80nm 일 수 있다. 상기 그래핀 산화물층은 절연체이기 때문에, 두께가 80nm를 초과하는 경우에는, 전하의 이동을 방해하여 전기적 특성이 저하될 수 있다. 상기 그래핀 산화물층의 두께가 50nm 미만인 경우에는, 상기 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다.The thickness of the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the embodiment of the present invention may be 50 nm to 80 nm. Since the graphene oxide layer is an insulator, when the thickness exceeds 80 nm, electrical properties may be deteriorated by interfering with the movement of charges. When the thickness of the graphene oxide layer is less than 50 nm, the effect of preventing the interference effect of light decreases, and the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be lowered.
도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지의 상기 그래핀 산화물층은 상기 후면 전극상에 일정 간격으로 일정 패턴으로 이격된 아일랜드 형상의 그래핀 산화물층을 포함하여 형성되는 것이 가능하다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층에 포함되는 아일랜드 형상으로 이격된 그래핀 산화물 사이의 그래핀 산화물이 형성되는 않는 영역을 통하여 상기 후면전극과 접촉할 수 있다. 상기 그래핀 산화물이 이격된 영역을 통하여, 상기 광활성층과 후면 전극 간의 국부적인 접촉이 될 수 있도록 하여, 전하의 유동을 원활하게 할 수 있고, 무기 박막 태양전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 2, the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the present invention may be formed including an island-shaped graphene oxide layer spaced apart in a predetermined pattern at regular intervals on the rear electrode. . In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, it is possible to contact the rear electrode through a region in which graphene oxide is not formed between graphene oxides separated in an island shape included in the graphene oxide layer. By allowing local contact between the photoactive layer and the rear electrode through the region where the graphene oxide is spaced apart, it is possible to facilitate the flow of electric charges and improve the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층에 전체적으로 패턴을 형성하면서 아일랜드 형상으로 포함되는 그래핀 산화물 자체의 형상은 원형, 삼각형, 사각형 등 일 수 있다. 상기 아일랜드 그래핀 산화물의 모양은, 상기 광활성층과 상기 후면전극이 상호간에 접촉할 수 있는 부분을 제공할 수 있는 것이라면, 특별히 제한되지 않는다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the shape of the graphene oxide itself included in an island shape while forming a pattern on the graphene oxide layer as a whole may be a circle, a triangle, a square, or the like. The shape of the island graphene oxide is not particularly limited as long as it can provide a portion in which the photoactive layer and the rear electrode can contact each other.
본 발명에 의한 무기 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층에 전체적으로 패턴을 형성하면서 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물은 직선 길이가 4μm 이상일 수 있고, 바람직하게는 5μm 이상 일 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물의 직선 길이는, 상기 그래핀 산화물 내부에서 가장 긴 길이를 의미할 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물의 직선길이가 4μm 미만인 경우에는, 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물의 직선길이가 5μm 이상인 경우에는, 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 우수하고, 상기 무기박막 태양전지의 변환 효율이 높아질 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 0.7μm 내지 3μm 일 수 있고, 바람직하게는 1μm 내지 1.5μm 일 수 있다. In the inorganic solar cell according to the present invention, the graphene oxide arranged in an island type while forming a pattern on the graphene oxide layer as a whole may have a straight line length of 4 μm or more, and preferably 5 μm or more. The linear length of the graphene oxide arranged in the island type may mean the longest length inside the graphene oxide. When the linear length of the graphene oxide arranged in the island type is less than 4 μm, the effect of preventing the interference effect between the light incident on the photoactive layer and the light reflected from the rear electrode decreases, and the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell Can be lowered. When the linear length of the graphene oxide arranged in the island type is 5 μm or more, the effect of preventing the interference effect between the light incident on the photoactive layer and the light reflected from the rear electrode is excellent, and the inorganic thin film solar cell Conversion efficiency can be increased. The separation distance between the graphene oxides arranged in the island type may be 0.7 μm to 3 μm, preferably 1 μm to 1.5 μm.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물 사이의 이격거리는 아일랜드 타입으로 배열된 하나의 그래핀 산화물에서, 인접한 그래핀 산화물까지의 거리일 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열되는 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 0.7μm 미만인 경우에는 상기 후면전극과 상기 광활성층간의 전하의 이동이 비 용이하여 상기 무기박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 상기 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 3μm 초과인 경우에는 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 상기 아일랜드 타입으로 배열된 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 1μm 내지 1.5μm 인 경우, 상기 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 우수하고, 동시에 상기 후면전극과 상기 광활성층간의 전하의 이동이 용이하여 무기박막 태양전지의 변환 효율이 우수할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the separation distance between graphene oxides arranged in the island type may be a distance from one graphene oxide arranged in the island type to adjacent graphene oxide. When the separation distance between the graphene oxides arranged in the island type is less than 0.7 μm, it is difficult to transfer electric charges between the rear electrode and the photoactive layer, so that the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be lowered. When the separation distance between the graphene oxides is more than 3 μm, the effect of preventing the interference effect between the light incident on the photoactive layer and the light reflected from the rear electrode decreases, so that the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be lowered. . When the separation distance between the graphene oxides arranged in the island type is 1 μm to 1.5 μm, the effect of preventing the interference effect of light is excellent, and at the same time, the transfer of charge between the rear electrode and the photoactive layer is easy. The conversion efficiency of the thin film solar cell may be excellent.
도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지의 상기 그래핀 산화물층은 필름 타입으로 형성되고, 필름 내부에 후면 전극에서 상부 전극 방향으로 인입되는 관통부, 또는 상부 전극에서 후면 전극 방향으로 인입되는 복수개의 관통부를 포함하는 것이 가능하다. 본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 상기 광활성층은 상기 그래핀 산화물층에 포함되는 관통부을 통하여 상기 후면전극과 접촉할 수 있다. 본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 광활성층은 상기 복수개 관통부의 배열 형상, 관통부의 내부 형상 등을 변화시키면서 패턴을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the present invention is formed in a film type, and the through portion is introduced from the rear electrode to the upper electrode inside the film, or the upper electrode to the rear electrode direction. It is possible to include a plurality of through portions that are introduced into. The photoactive layer of the inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention may contact the rear electrode through a through portion included in the graphene oxide layer. The photoactive layer of the inorganic thin film solar cell according to the embodiment of the present invention may include a pattern while changing the arrangement shape of the plurality of through portions, the inner shape of the through portions, and the like.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지의 상기 그래핀 산화물층으로 인입되어 형성되는 관통부의 모양은 원형, 삼각형, 사각형 등 일 수 있으며, 상기 그래핀 산화물층에 형성되고 상기 광활성층과 상기 후면전극이 상호 접촉할 수 있는 부분을 제공할 수 있는 것이라면, 특별히 제한되지 않는다.The shape of the penetrating portion formed by being introduced into the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the present invention may be circular, triangular, square, etc., formed on the graphene oxide layer, and the photoactive layer and the rear electrode are mutually It is not particularly limited as long as it can provide a contactable part.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층에 포함되는 복수의 관통부 사이의 거리는 4μm 이상일 수 있고, 바람직하게는 5μm 이상일 수 있다. 본 발명에 의한 무기 태양 전지에 있어서, 상기 복수의 관통부 사이의 이격거리는 하나의 관통부에서, 인접한 다른 관통부까지의 거리일 수 있다. 본 발명에 의한 무기 태양 전지에 있어서, 상기 관통부 사이의 이격거리가 4μm 미만인 경우에는 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭을 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 복수의 관통부의 이격거리가 5μm 이상인 경우에는 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭을 방지하는 효과가 우수하고, 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 높아질 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the distance between the plurality of through portions included in the graphene oxide layer may be 4 μm or more, and preferably 5 μm or more. In the inorganic solar cell according to the present invention, the separation distance between the plurality of through parts may be a distance from one through part to another adjacent through part. In the inorganic solar cell according to the present invention, when the separation distance between the through portions is less than 4 μm, the effect of preventing interference between light incident on the photoactive layer and light reflected from the rear electrode decreases, and the inorganic thin film solar cell The conversion efficiency of can be lowered. In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, when the separation distance of the plurality of penetrating portions is 5 μm or more, the effect of preventing interference between light incident to the photoactive layer and light reflected from the rear electrode is excellent, and the inorganic The conversion efficiency of the thin film solar cell can be increased.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층을 관통하는 관통부의 길이는 0.7μm 내지 3μm 일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 2μm 일 수 있다. 상기 그래핀 산화물층을 관통하는 관통부의 길이는, 상기 관통부 내부에서 가장 긴 길이를 의미할 수 있다. 상기 관통부의 길이가 0.7μm 미만인 경우에는, 상기 후면전극과 상기 광활성층간의 전하의 이동이 비용이하여 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 상기 관통부의 길이가 3μm 를 초과하는 경우에는, 상기 광활성층으로 입사되는 빛과 상기 후면전극에서 반사되는 빛의 간섭을 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다. 상기 관통부의 길이가 1 내지 2μm 인 경우 빛의 간섭 효과를 방지하는 효과가 우수하고, 동시에 상기 후면전극과 상기 광활성층간의 전하의 이동이 용이하여 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 우수할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the length of the penetrating portion penetrating the graphene oxide layer may be 0.7 μm to 3 μm, and preferably 1 to 2 μm. The length of the penetrating portion penetrating the graphene oxide layer may mean the longest length inside the penetrating portion. When the length of the through part is less than 0.7 μm, the transfer of charges between the rear electrode and the photoactive layer may be inexpensive, and thus the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be lowered. When the length of the penetrating portion exceeds 3 μm, the effect of preventing interference between light incident on the photoactive layer and light reflected from the rear electrode may be reduced, thereby reducing conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell. When the length of the penetrating part is 1 to 2 μm, the effect of preventing the interference effect of light is excellent, and at the same time, the transfer of electric charges between the rear electrode and the photoactive layer is easy, so that the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be excellent.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물은 산화 흑연 분산액을 제조한 후, 상기 산화 흑연 분산액에 와류를 발생시켜 상기 산화 흑연을 박리함으로써 제조될 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide may be prepared by preparing a graphite oxide dispersion, and then exfoliating the graphite oxide by generating a vortex in the graphite oxide dispersion.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 포토리소그래피(Photolithography) 공정 또는 스핀 코팅법을 이용하여 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴으로 형성될 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the graphene oxide layer may be formed in a pattern in contact with at least a portion of the rear electrode using a photolithography process or a spin coating method.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 상기 기판상에 배치된 상기 후면전극을 회전시키면서 포토레지스트(Positive resist) 액체를 떨어뜨려 포토레지스트(Positive resist)를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트(Positive resist)에 남아 있는 용매 성분을 오븐을 이용하여 제거하는 Soft bake 단계; 목적하는 패턴을 가진 마스크를 상기 포토레지스트(Positive resist) 상에 배치하는 단계; 상기 마스크상의 패턴을 상기 포토레지스트(Positive resist) 상에 현상되도록 상기 마스크상에 빛을 조사하는 노광 단계; 상기 포토레지스트(Positive resist)의 광활성 화합물이 균일하게 확산되도록 포토레지스트(Positive resist)를 가열 및 건조하는 POST-Exposure-Bake 단계; 상기 노광 단계에서 빛을 받은 부분인 포토레지스트(Positive resist)를 제거하기 위해서 세척용액으로 세척하는 세척 단계; 를 포함할 수 있다. 상기 세척하는 단계 이후, 스핀 코팅법을 이용하여 그래핀 산화물 박막을 증착할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, in the photolithography process, a photoresist is applied by dropping a photoresist liquid while rotating the rear electrode disposed on the substrate. step; Soft bake step of removing the solvent component remaining in the photoresist using an oven; Disposing a mask having a desired pattern on the photoresist; An exposure step of irradiating light onto the mask so that the pattern on the mask is developed on the photoresist; A POST-Exposure-Bake step of heating and drying a photoresist so that the photoactive compound of the photoresist is uniformly diffused; A washing step of washing with a washing solution in order to remove a photoresist (positive resist), which is a part that received light in the exposure step; It may include. After the washing step, a graphene oxide thin film may be deposited using a spin coating method.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물을 증착한 후, 포토레지스트(Positive resist) Remover를 이용하여 남아있는 포토레지스트(Positive resist)를 제거할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, after depositing the graphene oxide, the remaining photoresist may be removed using a photoresist remover.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층은 빛을 흡수하여 전기로 변환시키는 역할을 할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the photoactive layer disposed on the graphene oxide layer may serve to absorb light and convert it into electricity.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지에 있어서, 상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층은, P형 반도체층(Positive-type semiconductor) 및 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함할 수 있다. 상기 무기 박막 태양전지에 빛을 비추면, 상기 태양전지 내부로 빛이 흡수되는 광흡수가 일어나고, 상기 태양전지 내부에서 전자와 양공이 발생할 수 있다. 상기 발생된 전자는 N형 반도체로, 상기 양공은 P형 반도체로 이동할 수 있고, 이 작용에 의해서 P극과 N극에는 전위차가 발생하고 이때 태양전지에 부하를 연결하면 전류가 흐를 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the photoactive layer disposed on the graphene oxide layer includes a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer disposed on the P-type semiconductor layer. type semiconductor). When light is shining on the inorganic thin-film solar cell, light absorption by which light is absorbed into the solar cell occurs, and electrons and holes may be generated inside the solar cell. The generated electrons can move to the N-type semiconductor, and the positive holes can move to the P-type semiconductor, and a potential difference occurs between the P and N poles by this action, and when a load is connected to the solar cell, current can flow.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지는, 상기 P형 반도체층(Positive-type semiconductor)은 Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSn(S,Se)4, Cu2SnS3, Cu2SnSe3, Cu2Sn(S, Se)3, CuInS2, CuGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu(In, Ga)S2, Cu(In, Ga)Se2, Si, GaAs, InP, CdTe 및 PbSe 중 어느 하나를 포함할 수 있다.In the inorganic thin film solar cell according to the present invention, the P-type semiconductor layer is Cu 2 ZnSnS 4 , Cu 2 ZnSnSe 4 , Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 , Cu 2 SnS 3 , Cu 2 SnSe 3 , Cu 2 Sn(S, Se) 3 , CuInS 2 , CuGaS 2 , CuInSe 2 , CuGaSe 2 , Cu(In, Ga)S 2 , Cu(In, Ga)Se 2 , Si, GaAs, InP, CdTe and It may contain any one of PbSe.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지는, 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함할 수 있다.The inorganic thin film solar cell according to the present invention may include an N-type semiconductor layer disposed on the P-type semiconductor layer.
상기 N형 반도체 층은 CdS, ZnS, Zn(O, S), SnO2, In2S3 및 In2O3 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The N-type semiconductor layer is CdS, ZnS, Zn(O, S), SnO 2 , It may include any one of In 2 S 3 and In 2 O 3.
상기 무기 박막 태양전지는 광활성층 상에 배치된 상부전극을 포함할 수 있다. 상기 상부전극은 Mo, Pt, Ni, Au, Ag 및 Al 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 상부전극은 상기 무기 박막 태양전지 내부에서 형성된 전기를 외부로 끌어내기 위한 것일 수 있다. 상기 상부전극은 열 증발 증착법, 스퍼터링 증착법 등을 통해 상기 광활성층 상에 배치될 수 있다.The inorganic thin film solar cell may include an upper electrode disposed on a photoactive layer. The upper electrode may include any one of Mo, Pt, Ni, Au, Ag, and Al. The upper electrode may be for drawing electricity formed inside the inorganic thin film solar cell to the outside. The upper electrode may be disposed on the photoactive layer through a thermal evaporation method, a sputtering method, or the like.
상기 열 증발 증착법은 진공상태에서 높은 열을 금속원에 가해 기화한 다음 상대적으로 낮은 온도의 광활성층에 박막을 형성하는 것으로 고체가 승화된 다음 광활성층에서 고화되는 것일 수 있다.In the thermal evaporation deposition method, a high heat is applied to a metal source in a vacuum to evaporate, and then a thin film is formed on a photoactive layer having a relatively low temperature, and the solid is sublimated and then solidified in the photoactive layer.
상기 스퍼터링 증착법은 스퍼터링 원리를 이용하여 진공상태에서 이온화 된 입자를 금속원에 충돌시켜 튀어나온 원자를 광활성층에 증착하는 방법이다.The sputtering deposition method is a method of depositing a protruding atom on a photoactive layer by colliding ionized particles with a metal source in a vacuum using a sputtering principle.
상기 스퍼터링 원리란, 이온화된 원자가 가속화되어 물질에 충돌할 때 물질 표면의 결합에너지보다 충돌에너지가 더 클 경우 표면으로부터 원자가 튀어나오는 현상일 수 있다.The sputtering principle may be a phenomenon in which an atom protrudes from the surface when the collision energy is greater than the binding energy of the material surface when ionized atoms are accelerated and collide with the material.
본 발명에 의한 무기 박막 태양 전지는, 상기 광활성층 및 상기 상부전극의 사이에 배치된 투명전극을 더 포함할 수 있다. 상기 투명전극은 스퍼터링 증착법을 이용하여, 상기 N형 화합물 박막 반도체 층상에 배치될 수 있다.The inorganic thin film solar cell according to the present invention may further include a transparent electrode disposed between the photoactive layer and the upper electrode. The transparent electrode may be disposed on the N-type compound thin film semiconductor layer by using a sputtering deposition method.
상기 투명전극은 전도성과 광투과도가 높고, 낮은 비저항을 가질 수 있다.The transparent electrode may have high conductivity and light transmittance, and may have a low specific resistance.
상기 투명전극은 ZnO, Al-ZnO, GaZnO, MgZnO, InSnO 중 어느 하나를 포함하는 박막일 수 있다. 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 플루오린 틴옥사이드(fluorine tin oxide: FTO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide, ATO), 산화아연(zinc oxide), 산화주석, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전도성 금속 산화물을 포함할 수 있다.The transparent electrode may be a thin film including any one of ZnO, Al-ZnO, GaZnO, MgZnO, and InSnO. Transparent electrodes include indium tin oxide (ITO), fluorine tin oxide (FTO), antimony tin oxide (ATO), zinc oxide, tin oxide, and ZnO-Ga2O3. , ZnO-Al2O3, or a mixture thereof may include a conductive metal oxide selected from the group consisting of.
본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 제조방법은, 기판상에 후면전극을 배치하는 단계; 상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 배치된 그래핀 산화물층을 배치하는 단계; 상기 그래핀 산화물층 상에 광활성층을 배치하는 단계; 및 상기 광활성층 상에 상부전극을 배치하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing an inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention includes: arranging a rear electrode on a substrate; Disposing a graphene oxide layer disposed to have a pattern contacting at least a portion of the rear electrode; Disposing a photoactive layer on the graphene oxide layer; And disposing an upper electrode on the photoactive layer.
상기 기판상에 후면전극을 배치하는 단계는 열 증착법, 진공증착법을 사용할 수 있다. 상기 후면전극은 태양전지 표면의 전극을 후면에 위치시킨 구조이기 때문에 기본적으로 광흡수가 증가해 전류밀도가 일반 태양전지에 비해 매우 크다. 상기 기판상에 배치된 후면전극은 입사된 빛을 반사시킴으로써, 상기 반사된 빛을 광활성층으로 재입사시키는 역할을 할 수 있다.Arranging the rear electrode on the substrate may use a thermal evaporation method or a vacuum evaporation method. Since the rear electrode has a structure in which the electrode on the surface of the solar cell is positioned on the rear surface, light absorption is basically increased, and the current density is very high compared to that of a general solar cell. The rear electrode disposed on the substrate may serve to reflect incident light, thereby re-inciding the reflected light to the photoactive layer.
상기 후면 전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 배치된 그래핀 산화물층을 배치하는 단계는, 그래핀 산화물 용액으로 포토리소그래피(Photolithography)공정을 이용할 수 있다.In the step of disposing the graphene oxide layer disposed to have a pattern in contact with at least a portion of the rear electrode, a photolithography process may be used with a graphene oxide solution.
상기 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 상기 기판상에 배치된 상기 후면전극을 회전시키면서 포토레지스트(Positive resist) 액체를 떨어뜨려 포토레지스트(Positive resist)를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트(Positive resist)에 남아 있는 용매 성분을 오븐을 이용하여 제거하는 Soft bake 단계; 목적하는 패턴을 가진 마스크를 상기 포토레지스트(Positive resist) 상에 배치하는 단계; 상기 마스크상의 패턴을 상기 포토레지스트(Positive resist) 상에 현상 되도록 상기 마스크상에 빛을 조사하는 노광 단계; 상기 포토레지스트(Positive resist)의 광활성 화합물이 균일하게 확산되도록 포토레지스트(Positive resist)를 가열 및 건조하는 단계; 상기 노광 단계에서 빛을 받은 부분인 포토레지스트(Positive resist)를 제거하기 위해서 세척용액으로 세척하는 세척 단계; 를 포함할 수 있다. The photolithography process includes the steps of applying a photoresist by dropping a photoresist liquid while rotating the rear electrode disposed on the substrate; Soft bake step of removing the solvent component remaining in the photoresist using an oven; Disposing a mask having a desired pattern on the photoresist; An exposure step of irradiating light onto the mask so that the pattern on the mask is developed on the photoresist; Heating and drying a photoresist so that the photoactive compound of the photoresist is uniformly diffused; A washing step of washing with a washing solution in order to remove a photoresist (positive resist), which is a part that received light in the exposure step; It may include.
상기 세척하는 단계 이후, 스핀 코팅법을 이용하여 그래핀 산화물 박막을 증착 할 수 있다. 상기 그래핀 산화물 증착한 후, 포토레지스트(Positive resist) Remover를 이용하여 남아있는 포토레지스트(Positive resist)를 제거할 수 있다. After the washing step, a graphene oxide thin film may be deposited using a spin coating method. After depositing the graphene oxide, the remaining photoresist may be removed using a photoresist remover.
상기 그래핀 산화물층 상에 광활성층을 배치하는 단계에서 상기 광활성층은 P형 반도체층(Positive-type semiconductor) 및 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함할 수 있다.In the step of disposing a photoactive layer on the graphene oxide layer, the photoactive layer may include a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer disposed on the P-type semiconductor layer. I can.
상기 광활성층 상에 상부전극을 배치하는 단계는 열 증발 증착법 또는 스퍼터링 증착법이 사용될 수 있다.Arranging the upper electrode on the photoactive layer may be performed using a thermal evaporation method or a sputtering method.
본 발명의 무기 박막 태양 전지는, 일정한 패턴으로 형성되는 그래핀 산화물층을 포함하여 입사되는 빛과 반사되는 빛의 간섭으로 인한 광자의 손실을 막을 수 있고, 이에 따라 입사되는 빛에 의해 생성되는 전하의 양을 증가시킬 수 있다.The inorganic thin film solar cell of the present invention includes a graphene oxide layer formed in a certain pattern to prevent loss of photons due to interference between incident light and reflected light, and accordingly, charges generated by incident light The amount of can be increased.
또한, 본 발명의 무기 박막 태양 전지는, 태양전지 내에서 전하의 유동을 원활하게 할 수 있다.In addition, the inorganic thin film solar cell of the present invention can facilitate the flow of electric charges in the solar cell.
또한, 본 발명의 무기 박막 태양 전지는, 무기 박막 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the inorganic thin film solar cell of the present invention can improve the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell.
도 1은 종래 무기 박막 태양전지에서 광활성층과 후면전극 사이에서 발생하는 간섭 현상을 보여주는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 무기 박막 태양전지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 무기 박막 태양전지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의하여 그래핀 산화물층 두께에 따라, P형 반도체층이 전기장을 흡수하는 영역을 산출한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의하여 그래핀 산화물층의 두께가 각각 40nm, 50nm, 60nm, 70nm, 80nm, 90nm, 100nm, 110nm 일 때, P형 반도체층이 전기장을 흡수하는 영역을 산출한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의하여 그래핀 산화물층의 적용 여부에 따른 CZTSSe 박막 태양전지 소자 내부에서 발생하는 전기장의 세기 분포를 산출한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 의하여 그래핀 산화물층의 적용 여부에 따른 무기 박막 태양전지의 전기적 특성을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 의하여 유리 기판 위에 배치된 그래핀 산화물층의 라만(Raman)분석법의 결과를 보여주는 그래프이다.1 is a schematic diagram showing an interference phenomenon occurring between a photoactive layer and a rear electrode in a conventional inorganic thin film solar cell.
2 is a cross-sectional view of an inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an inorganic thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph in which a region in which a P-type semiconductor layer absorbs an electric field is calculated according to the thickness of the graphene oxide layer according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a graph in which the P-type semiconductor layer absorbs an electric field when the thickness of the graphene oxide layer is 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 90 nm, 100 nm, and 110 nm, respectively, according to an embodiment of the present invention. to be.
6 is a graph illustrating an electric field intensity distribution generated inside a CZTSSe thin film solar cell device according to whether or not a graphene oxide layer is applied according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a graph showing electrical characteristics of an inorganic thin film solar cell according to whether or not a graphene oxide layer is applied according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing a result of a Raman analysis method of a graphene oxide layer disposed on a glass substrate according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명이 이하의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples. However, the present invention is not limited by the following examples.
실시예Example 1 One
1 단계Stage 1 : 패턴을 갖는 : Having a pattern 그래핀Graphene 산화물( oxide( GrapheneGraphene oxide) 박막 제조 oxide) thin film manufacturing
그래핀 산화물 용액을 Hummer’s method 방법을 이용하여 합성하였다. 상온에서 그래핀 산화물 용액을 이용하여 포토리소그래피(Photolithography) 및 스핀 코팅법을 통해 그래핀 산화물층을 형성하였다.The graphene oxide solution was synthesized using the Hummer's method. A graphene oxide layer was formed through photolithography and spin coating using a graphene oxide solution at room temperature.
PR 도포, Soft Bake, 노광(Exposure), Post Exposure Bake 및 현상(Development) 순서로 진행하여 패턴을 형성하였으며 이후 그래핀 산화물 박막을 스핀 코팅법을 이용하여 증착하였다.PR coating, Soft Bake, Exposure, Post Exposure Bake, and Development were followed in order to form a pattern, and then a graphene oxide thin film was deposited using a spin coating method.
상기 그래핀 산화물 박막은 1μm의 Mo가 증착된 소다라임 유리 기판에 형성하였고, 스핀 코팅 시 RPM은 2000, 증착 시간은 20초, 증착 횟수는 3번이었다. 매 증착 시 전열기를 이용하여 150℃의 온도에서 건조하였다. 이후 PR Remover를 이용하여 남아있는 PR 층을 제거하였다.The graphene oxide thin film was formed on a soda-lime glass substrate on which 1 μm of Mo was deposited, and during spin coating, the RPM was 2000, the deposition time was 20 seconds, and the number of depositions was 3 times. Each deposition was dried at a temperature of 150°C using an electric heater. Afterwards, the remaining PR layer was removed using a PR Remover.
2 단계Step 2 : P형 : P type CZTSSeCZTSSe 박막 제조 Thin film manufacturing
상기 1 단계의 과정을 통해 제조한 그래핀 산화물 박막 상에 상온에서 스퍼터링법을 이용하여 전구체 박막을 증착하고, 상기 전구체 박막을 황화 및 셀렌화 열처리하였다.A precursor thin film was deposited on the graphene oxide thin film prepared through the process of step 1 using a sputtering method at room temperature, and the precursor thin film was subjected to sulfurization and selenization heat treatment.
상기 전구체 박막은 Zn, Sn, Cu 타겟을 이용하여 유리/Mo/Zn/Sn/Cu의 적층형 구조를 형성하였다. 이때, Zn, Sn 및 Cu 타겟의 RF 파워는 30W로 고정하였으며, 작동 압력은 5m Torr였다. 이후, 580℃에서 2시간 동안 그라파이트 박스에 0.1g의 황 분말과 1.9g의 셀레늄 분말을 전구체 박막과 같이 넣어 열처리하였다.The precursor thin film formed a laminated structure of glass/Mo/Zn/Sn/Cu using Zn, Sn, and Cu targets. At this time, Zn, Sn and Cu The RF power of the target was fixed at 30W, and the operating pressure was 5m Torr. Thereafter, 0.1 g of sulfur powder and 1.9 g of selenium powder were put in a graphite box at 580° C. for 2 hours together with a precursor thin film to be heat treated.
3 단계Step 3 : N형 : N type CdSCdS 버퍼층Buffer layer , i-, i- ZnOZnO // AZOAZO 투명전극 및 Al 상부전극 제조 Manufacture of transparent electrode and Al upper electrode
상기 2의 과정을 통해 제조한 CZTSSe 박막 상에 CBD(Chemical Bath Deposition)법을 이용하여 CdS(Cadmium Sulfide) 박막을 합성하였다. 이후 RF 스퍼터를 이용하여 i-ZnO 와 Al이 도핑된 ZnO 박막을 차례로 증착하였고, DC 스퍼터와 패턴이 형성된 mask를 이용하여 Al 상부전극 패턴을 투명전극 박막 위에 형성하였다.A CdS (Cadmium Sulfide) thin film was synthesized on the CZTSSe thin film prepared through the above step 2 by using a CBD (Chemical Bath Deposition) method. Thereafter, i-ZnO and Al-doped ZnO thin films were sequentially deposited using RF sputtering, and an Al upper electrode pattern was formed on the transparent electrode thin film using DC sputtering and a patterned mask.
도 4는 CZTSSe 박막 태양전지 내부의 그래핀 산화물층 두께에 따라, P형 반도체층에서 나타나는 광학적 전기장의 세기 분포를 산출한 그래프이다.FIG. 4 is a graph calculating the intensity distribution of the optical electric field appearing in the P-type semiconductor layer according to the thickness of the graphene oxide layer inside the CZTSSe thin film solar cell.
도 5는 그래핀 산화물층의 두께가 각각 40nm, 50nm, 60nm, 70nm, 80nm, 90nm, 100nm, 110nm 일때, P형 반도체층이 전기장을 흡수하는 영역을 산출한 그래프이다.5 is a graph illustrating a region in which a P-type semiconductor layer absorbs an electric field when the thickness of the graphene oxide layer is 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 90 nm, 100 nm, and 110 nm, respectively.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예를 따르는 무기 박막 태양전지의 상기 그래핀 산화물층의 두께는, 50nm 내지 80nm 일 수 있다.4 and 5, the thickness of the graphene oxide layer of the inorganic thin film solar cell according to the embodiment of the present invention may be 50 nm to 80 nm.
도 5를 참조하면, P형 반도체층에서 나타나는 광학적 전기장의 총량은 그래핀 산화물층의 두께가 80nm 일 때, 가장 우수함을 알 수 있다. P형 반도체층에서 형성되는 전기장은 광생성으로 인한 캐리어의 생성에 기여하기 때문에 강한 전기장을 형성할수록 태양전지의 효율 향상에 기여하게 된다.Referring to FIG. 5, it can be seen that the total amount of the optical electric field that appears in the P-type semiconductor layer is best when the thickness of the graphene oxide layer is 80 nm. Since the electric field formed in the P-type semiconductor layer contributes to the generation of carriers due to photogeneration, the stronger the electric field is, the more it contributes to the improvement of the efficiency of the solar cell.
상기 그래핀 산화물층은 절연체이기 때문에, 그래핀 산화물층의 두께가 80nm를 초과하는 경우에는, 전하의 이동을 방해하여 전기적 특성이 저하될 수 있다. 상기 그래핀 산화물층의 두께가 50nm 미만인 경우에는, 상기 빛의 간섭효과를 방지하는 효과가 떨어져 상기 무기 박막 태양전지의 변환 효율이 낮아질 수 있다.Since the graphene oxide layer is an insulator, when the thickness of the graphene oxide layer exceeds 80 nm, electrical properties may be degraded by preventing the movement of charges. When the thickness of the graphene oxide layer is less than 50 nm, the effect of preventing the interference effect of light decreases, and the conversion efficiency of the inorganic thin film solar cell may be lowered.
도 6은 그래핀 산화물층의 적용 여부에 따른 CZTSSe 박막 태양전지 소자내부에서 발생하는 전기장의 세기 분포를 산출한 그래프이다.6 is a graph illustrating the distribution of the intensity of an electric field generated inside a CZTSSe thin film solar cell device according to whether or not a graphene oxide layer is applied.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예를 따르는 그래핀 산화물층이 적용된 CZTSSe 박막 태양전지는, 파장의 크기 관계없이 그래핀 산화물층이 적용되지 않은 비교예의 CZTSSe 박막 태양전지보다 더 높은 세기의 전기장이 형성된 것을 확인할 수 있다.6, the CZTSSe thin film solar cell to which the graphene oxide layer is applied according to the embodiment of the present invention has a higher electric field than the CZTSSe thin film solar cell of the comparative example to which the graphene oxide layer is not applied regardless of the size of the wavelength. It can be confirmed that this was formed.
전기장의 세기는 빛에 의해서 생성된 전하의 양에 따라 증가하는 것이므로, 본 발명의 실시예를 따르는 그래핀 산화물층이 적용된 CZTSSe 박막 태양전지에서, 그래핀 산화물층이 적용되지 않은 CZTSSe 박막 태양전지보다, 더 많은 전하가 빛에 의하여 생성되는 것을 알 수 있다. Since the strength of the electric field increases according to the amount of charge generated by light, in the CZTSSe thin film solar cell to which the graphene oxide layer is applied according to the embodiment of the present invention, the CZTSSe thin film solar cell to which the graphene oxide layer is not applied , It can be seen that more electric charge is generated by the light.
도 7은 그래핀 산화물층의 적용 여부에 따른 무기 박막 태양전지의 전기적 특성을 보여주는 그래프이다.7 is a graph showing electrical characteristics of an inorganic thin film solar cell according to whether or not a graphene oxide layer is applied.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예를 따르는 그래핀 산화물층이 적용된 CZTSSe 박막 태양전지는 그래핀 산화물층이 적용되지 않은 CZTSSe 박막 태양전지보다, 더 높은 전류밀도(Current density)를 가질 수 있다. Referring to FIG. 7, a CZTSSe thin film solar cell to which a graphene oxide layer is applied according to an embodiment of the present invention may have a higher current density than a CZTSSe thin film solar cell to which a graphene oxide layer is not applied. .
도 8은 유리 기판 위에 배치된 그래핀 산화물층의 라만(Raman)분석법의 결과를 보여주는 그래프이다.8 is a graph showing the result of Raman analysis of a graphene oxide layer disposed on a glass substrate.
도 8을 참조하면 라만(Raman) 분석 결과 나타난 피크들을 통해 그래핀 산화물층이 후면전극 상에 배치 되었음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the graphene oxide layer is disposed on the rear electrode through peaks shown as a result of Raman analysis.
10 : 기판
20 : 하부전극
30 : 그래핀 산화물층을 관통하는 복수의 관통부
40 : 그래핀 산화물층
50 : 광활성층
60 : 투명전극층
70 : 상부전극10: substrate
20: lower electrode
30: a plurality of penetrating portions penetrating the graphene oxide layer
40: graphene oxide layer
50: photoactive layer
60: transparent electrode layer
70: upper electrode
Claims (11)
상기 기판 상에 배치된 후면전극;
상기 후면전극의 적어도 일부에 접하는 50 ㎚ 내지 80 ㎚ 두께의 그래핀 산화물층;
상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층; 및
상기 광활성층 상에 배치된 상부전극;을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
Board;
A rear electrode disposed on the substrate;
A graphene oxide layer having a thickness of 50 nm to 80 nm in contact with at least a portion of the rear electrode;
A photoactive layer disposed on the graphene oxide layer; And
Containing; an upper electrode disposed on the photoactive layer
Inorganic thin film solar cell.
상기 그래핀 산화물층은, 필름 형상으로 형성되고, 내부를 관통하는 복수의 관통부을 포함하고,
상기 광활성층은 상기 그래핀 산화물층을 관통하는 관통부을 통하여 상기 후면전극과 접촉하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 1,
The graphene oxide layer is formed in a film shape and includes a plurality of through portions penetrating the inside,
The photoactive layer is in contact with the rear electrode through a through portion penetrating the graphene oxide layer,
Inorganic thin film solar cell.
상기 그래핀 산화물층은, 아일랜드 형상으로 배치되는 복수의 그래핀 산화물을 포함하고,
상기 광활성층은 상기 아일랜드 형상의 그래핀 산화물이 이격된 영역을 통하여 상기 후면전극과 접촉하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 1,
The graphene oxide layer includes a plurality of graphene oxides arranged in an island shape,
The photoactive layer is in contact with the rear electrode through a region where the island-shaped graphene oxide is spaced apart,
Inorganic thin film solar cell.
상기 관통부의 단면의 길이가 0.7μm 내지 3μm 인 것을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 3,
Including that the length of the cross-section of the through portion is 0.7 μm to 3 μm,
Inorganic thin film solar cell.
상기 관통부간 이격거리가 4μm 이상인 것을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 3,
Including that the separation distance between the through portions is 4 μm or more,
Inorganic thin film solar cell.
상기 아일랜드 형상으로 배치되는 개별 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 0.7μm 내지 3μm 인 것을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 4,
Including that the separation distance between the individual graphene oxide disposed in the island shape is 0.7 μm to 3 μm,
Inorganic thin film solar cell.
상기 아일랜드 형상으로 배치되는 개별 그래핀 산화물의 길이가 4μm 이상인 것을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 4,
Including that the length of the individual graphene oxide disposed in the island shape is 4 μm or more,
Inorganic thin film solar cell.
상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층은,
P형 반도체층(Positive-type semiconductor) 및 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함하는,
무기 박막 태양전지.
The method of claim 1,
The photoactive layer disposed on the graphene oxide layer,
Including a P-type semiconductor layer (Positive-type semiconductor) and an N-type semiconductor layer (Negative-type semiconductor) disposed on the P-type semiconductor layer,
Inorganic thin film solar cell.
투명 전극층을 더 포함하고,
상기 투명 전극층은 상기 광활성층 및 상기 상부전극의 사이에 배치된
무기 박막 태양전지.
The method of claim 1,
Further comprising a transparent electrode layer,
The transparent electrode layer is disposed between the photoactive layer and the upper electrode
Inorganic thin film solar cell.
상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 배치된 50 ㎚ 내지 80 ㎚ 두께의 그래핀 산화물층을 배치하는 단계;
상기 그래핀 산화물층 상에 광활성층을 배치하는 단계; 및
상기 광활성층 상에 상부전극을 배치하는 단계;를 포함하는
무기 박막 태양전지의 제조방법.
Arranging the rear electrode on the substrate;
Disposing a graphene oxide layer having a thickness of 50 nm to 80 nm disposed to have a pattern contacting at least a portion of the rear electrode;
Disposing a photoactive layer on the graphene oxide layer; And
Including; disposing an upper electrode on the photoactive layer
Method of manufacturing an inorganic thin film solar cell.
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| KR20120095553A (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-29 | 성균관대학교산학협력단 | Electric device of using graphene, photovoltaic device of using the same and method of manufacturing the photovoltaic device using the same |
| KR20130023608A (en) | 2011-08-29 | 2013-03-08 | 한국과학기술연구원 | Solar cell comprising bulk heterojunction inorganic thin film and fabrication of the solar cell |
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2011121828A (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Emprie Technology Development LLC | Graphene structure, method for producing the same, and electronic device |
| KR101891850B1 (en) * | 2011-03-28 | 2018-08-24 | 소니 주식회사 | Transparent electroconductive film, heater, touch panel, solar cell, organic el device, liquid crystal device, and electrical paper |
| KR101256473B1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-19 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | Electrode plate and dye-sensitized solar cell having the same, and method for manufacturing the same |
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