KR102218692B1 - Bonding method of fluorinated sputtering target - Google Patents

Bonding method of fluorinated sputtering target Download PDF

Info

Publication number
KR102218692B1
KR102218692B1 KR1020190075623A KR20190075623A KR102218692B1 KR 102218692 B1 KR102218692 B1 KR 102218692B1 KR 1020190075623 A KR1020190075623 A KR 1020190075623A KR 20190075623 A KR20190075623 A KR 20190075623A KR 102218692 B1 KR102218692 B1 KR 102218692B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluorine
sputtering target
based sputtering
backing plate
metal
Prior art date
Application number
KR1020190075623A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210000473A (en
Inventor
한선영
박재균
Original Assignee
바짐테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 바짐테크놀로지 주식회사 filed Critical 바짐테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020190075623A priority Critical patent/KR102218692B1/en
Publication of KR20210000473A publication Critical patent/KR20210000473A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102218692B1 publication Critical patent/KR102218692B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491—Manufacturing of targets

Abstract

본 발명은 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법은, 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면에 접합재를 도포한 후, 상기 도포된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면을 서로 가접합하는 단계, 상기 백킹 플레이트의 타면이 단열재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟을 상기 단열재 상에 위치시키는 단계, 상기 불소계 스퍼터링 타겟의 타면이 중량재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 상에 상기 중량재를 위치시키는 단계, 상기 단열재, 상기 백킹 플레이트, 상기 불소계 스퍼터링 타겟 및 상기 중량재를 폐공간 내부에 위치시키는 단계 및 상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of bonding a fluorine-based sputtering target and a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same. The bonding method of a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention includes applying a bonding material to each side of a backing plate and a fluorine-based sputtering target, and then temporarily bonding one side of each of the applied backing plate and the fluorine-based sputtering target to each other. , Positioning the temporary-bonded backing plate and the fluorine-based sputtering target on the heat insulator so that the other surface of the backing plate is in contact with one surface of the heat insulating material, the temporary-bonded backing so that the other surface of the fluorine-based sputtering target is in contact with one surface of the weight material Positioning the heavy material on a plate and a fluorine-based sputtering target, positioning the heat insulating material, the backing plate, the fluorine-based sputtering target and the heavy material inside the closed space, and heating, maintaining and cooling the inside of the closed space It characterized in that it comprises a step.

Description

불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리{BONDING METHOD OF FLUORINATED SPUTTERING TARGET}Bonding method of fluorine-based sputtering target and fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same {BONDING METHOD OF FLUORINATED SPUTTERING TARGET}

본 발명은 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 금속 페이스트를 접합재로 사용하고 밀폐 공간에서 접합을 수행하여, 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a method of bonding a fluorine-based sputtering target and a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same, and more particularly, a metal paste is used as a bonding material to enable stable sputtering during the fluorine-based polymer deposition process, and bonded in a closed space. A method of bonding a fluorine-based sputtering target that can effectively suppress damage and separation of the sputtering target by improving the adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate by performing a process, and a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same It is about.

최근, 디스플레이 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이 장치가 상용화되고 있으며, 스마트폰, 디지털 TV, 테블릿 PC, 노트북, PMP, 네비게이션 등 다양한 디지털 기기가 출시되면서 평판 디스플레이 패널이나 터치 스크린의 수요가 증가하고 있다.Recently, the importance of display devices is increasing with the development of multimedia. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices are being commercialized, and various digital devices such as smartphones, digital TVs, tablet PCs, notebook computers, PMPs, and navigation devices have been released. Or the demand for touch screens is increasing.

이러한 평판 디스플레이 패널로는 LCD, PDP, OLED 등을 들 수 있다. 이들은 경량, 박형, 저전력구동, 풀-컬러 및 고해상도 구현 등의 특징으로 인해 각종 디지털 기기의 디스플레이 장치로 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 각종 평판 표시 장치의 표시 면에 설치되어 사용자가 표시 장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 입력장치로 그 수요가 증가하고 있다.Such flat panel display panels include LCD, PDP, and OLED. These are widely used as display devices of various digital devices due to features such as light weight, thinness, low power driving, full-color and high resolution realization. A touch screen is an input device installed on a display surface of various flat panel displays and used to allow a user to select desired information while viewing the display device, and its demand is increasing.

이러한 평판 디스플레이 패널이나 터치 스크린은 전면이 외부로 노출되어 있어서 수분이나 수분을 함유한 오염물에 의해 오염되기 쉬우며, 오염물이 묻은 상태로 장시간 방치되어 고착되면 오염물을 닦아내기가 쉽지 않다는 문제점을 가진다. 더욱이, 디스플레이 패널이나 터치 스크린은 수분이 묻으면 제품의 기능에 악영향을 줄 수 있으므로 수분으로부터 보호될 필요가 있다.Such a flat panel display panel or touch screen has a problem that it is easy to be contaminated by moisture or contaminants containing moisture because its front surface is exposed to the outside, and it is not easy to wipe off contaminants if it is left in a state with contaminants and fixed for a long time. Moreover, the display panel or touch screen needs to be protected from moisture because moisture may adversely affect the function of the product.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 이들 디스플레이 장치 표면에 불소를 함유하는 박막을 형성하여 소수성화 시키는 방법을 도입하였다. 특히, 최근에는 탄소와 불소로 구성되어 기계적 강도와 열적/화학적 안정성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 절연성을 가지는 탄화불소 박막이 방오 및 발수 코팅 재질로 각광을 받고 있다. 이와 같은 탄화불소 박막은 증착방법, 증착조건 및 기판의 표면 상태에 따라 그 특성이 크게 달라지는 것으로 알려져 있다.In order to solve this problem, a method of hydrophobicizing by forming a thin film containing fluorine on the surface of these display devices was introduced. In particular, recently, a fluorocarbon thin film composed of carbon and fluorine, which not only has excellent mechanical strength and thermal/chemical stability, but also has excellent insulating properties, is in the spotlight as an antifouling and water-repellent coating material. It is known that the characteristics of such a fluorocarbon thin film vary greatly depending on the deposition method, deposition conditions, and surface condition of the substrate.

특히, 탄화불소계 고분자는 낮은 표면에너지로 인하여 기재와의 접합 특성이 좋지 못하기 때문에 부착되는 기재에 대한 다양한 표면처리, 예를 들면, 표면의 산화 또는 에칭이 필요하다는 단점을 가진다. In particular, since the fluorocarbon-based polymer has poor bonding properties with the substrate due to low surface energy, various surface treatments for the attached substrate, for example, oxidation or etching of the surface are required.

또한, 이러한 표면처리를 하여 젖음성을 확보한 후 기재와 접착시킴에도 불구하고, 접착성 및/또는 밀착성이 충분하지 않아 스퍼터링시 타겟 재료의 변형에 의한 타겟 재료의 분리가 발생하여 장시간 안정적으로 스퍼터링할 수 없다. In addition, despite these surface treatments to secure wettability and adhere to the substrate, the adhesion and/or adhesion is insufficient, so that the target material is separated due to the deformation of the target material during sputtering. Can't.

따라서, 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리가 요구된다.Therefore, the bonding method of a fluorine-based sputtering target that can effectively suppress damage and separation of the sputtering target by improving the adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate so that sputtering can be stably performed during the fluorine-based polymer deposition process. And there is a need for a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same.

대한민국공개특허 제10-2000-0050930호(스퍼터링 타겟의 접합제조방법) (2000.08.05. 공고)Korean Patent Laid-Open Patent No. 10-2000-0050930 (Method of manufacturing sputtering target) (Announcement on Aug. 5, 2000)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 금속 페이스트를 접합재로 사용하고 밀폐 공간에서 접합을 수행하여, 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is that during the fluorine-based polymer deposition process, a metal paste is used as a bonding material to enable stable sputtering, and bonding is performed in an enclosed space, so that adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate is By improving, a method for bonding a fluorine-based sputtering target capable of effectively suppressing damage and separation of a sputtering target, and a fluorine-based sputtering target assembly bonded by using the same.

본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem of the present invention is not limited to those mentioned above, and another technical problem that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법은, 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면에 접합재를 도포한 후, 상기 도포된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면을 서로 가접합하는 단계, 상기 백킹 플레이트의 타면이 단열재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟을 상기 단열재 상에 위치시키는 단계, 상기 불소계 스퍼터링 타겟의 타면이 중량재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 상에 상기 중량재를 위치시키는 단계, 상기 단열재, 상기 백킹 플레이트, 상기 불소계 스퍼터링 타겟 및 상기 중량재를 폐공간 내부에 위치시키는 단계 및 상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the bonding method of the fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention is, after applying a bonding material to each of the backing plate and the fluorine-based sputtering target, the applied backing plate and the fluorine-based sputtering target Temporarily bonding one side to each other, positioning the temporarily bonded backing plate and the fluorine-based sputtering target on the heat insulator so that the other side of the backing plate contacts one side of the heat insulator, and the other side of the fluorine-based sputtering target with one side of the heavy material Positioning the heavy material on the temporary bonded backing plate and the fluorine-based sputtering target so as to be in contact, positioning the heat insulating material, the backing plate, the fluorine-based sputtering target and the heavy material inside the closed space, and inside the closed space It characterized in that it comprises the steps of heating, maintaining and cooling.

이 때, 상기 불소계 스퍼터링 타겟은 불소계고분자와 도전성 기능화제 입자를 포함하는 불소계고분자 복합 타겟으로서, 상기 불소계고분자와 도전성 기능화제 입자를 포함하는 혼합물을 열성형하여 제조되어 내부에 도전성 기능화제가 분산되어 있는 것이고, 상기 도전성 기능화제는 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분에서 선택된 1종 이상이며, 상기 불소계고분자는 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴디플루오라이드, 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 에틸렌-클로로트리플루오로 에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시 공중합체, 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무에서 선택된 1종 이상일 수 있다.In this case, the fluorine-based sputtering target is a fluorine-based polymer composite target including a fluorine-based polymer and conductive functional agent particles, and is manufactured by thermoforming a mixture containing the fluorine-based polymer and conductive functional agent particles, and the conductive functional agent is dispersed therein. The conductive functional agent is at least one selected from conductive particles, conductive polymers, and metal components, and the fluorine-based polymer is polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidenedifluoride, and fluorinated ethylene. Propylene copolymer, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer, perfluoroalkoxy copolymer, vinylfluoride homopolymer rubber, vinylfluoride copolymer rubber, vinylidene fluoride homopolymer It may be one or more selected from rubber and vinylidene fluoride copolymer rubber.

또한, 상기 접합재는, 전기 전도성 페이스트를 포함할 수 있다.In addition, the bonding material may include an electrically conductive paste.

또한, 상기 전기 전도성 페이스트는, 은(Ag), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 최소한 하나 이상을 포함할 수 있다.Further, the electrically conductive paste may contain at least one or more from the group consisting of silver (Ag), tin (Sn), copper (Cu), and nickel (Ni).

또한, 상기 전기 전도성 페이스트를 120 내지 200 ℃의 온도로 가열할 수 있다.In addition, the electrically conductive paste may be heated to a temperature of 120 to 200 °C.

또한, 상기 접합재는, 열경화성 수지를 포함할 수 있다.In addition, the bonding material may contain a thermosetting resin.

또한, 상기 열경화성 수지는, 에폭시, 아크릴, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 비닐 수지, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 알키드 수지, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 비닐 에테르, 폴리우레탄, 멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 실리콘 및 멜라민으로 이루어진 군에서 최소한 하나 이상을 포함할 수 있다.In addition, the thermosetting resin is epoxy, acrylic, acrylate, acrylate ester, vinyl resin, maleimide, nadimide, itaconimide, cyanate ester, alkyd resin, cyanate ester, phenolic, benzoxazine, polyyi Mid, functionalized polyimide, oxetane, vinyl ether, polyurethane, melamine, urea-formaldehyde resin, phenol-formaldehyde resin, may include at least one or more from the group consisting of silicone and melamine.

또한, 상기 열경화성 수지를 60 내지 150 ℃의 온도로 가열할 수 있다.In addition, the thermosetting resin may be heated to a temperature of 60 to 150 °C.

또한, 상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계에서, 상기 가열은 승온 속도가 1 내지 1.2 ℃/분이 되도록 가열하고, 1시간 동안 유지한 후, 상온에서 서냉(徐冷)할 수 있다.In addition, in the step of heating, maintaining, and cooling the inside of the closed space, the heating may be performed so that the heating rate is 1 to 1.2°C/min, maintained for 1 hour, and then slowly cooled at room temperature.

또한, 상기 단열재는 나무(Wood), 글래스 파이버(Glass Fiber), 글래스 울(Glass Wool) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.In addition, the insulating material may include wood, glass fiber, glass wool, or a combination thereof.

또한, 상기 중량재는 구리(Cu), 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.In addition, the weight material is copper (Cu), stainless steel, aluminum (Al), molybdenum (Mo), iron (Fe), titanium (Ti), tungsten (W), nickel (Ni), or a combination thereof It may include.

한편, 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리는, 전술한 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리로서, 백킹 플레이트 및 상기 백킹 플레이트의 일면에 접합되는 타겟을 포함하는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, a fluorine-based sputtering target assembly according to another embodiment of the present invention is a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the bonding method of the above-described fluorine-based sputtering target, comprising a backing plate and a target bonded to one surface of the backing plate. It features.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리에 의하면, 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 금속 페이스트를 접합재로 사용하고 밀폐 공간에서 접합을 수행하여, 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.According to the bonding method of a fluorine-based sputtering target according to the present invention and a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same, a metal paste is used as a bonding material to enable stable sputtering during the fluorine-based polymer deposition process, and bonding is performed in a closed space, By improving the adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate, damage and separation of the sputtering target can be effectively suppressed.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 이용하여 불소계 스퍼터링 타겟을 접합하는 모습을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법에서 가열, 유지 및 냉각 공정의 세부 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리를 나타낸 구성도이다.1 is a flow chart showing a method of bonding a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram showing a state of bonding a fluorine-based sputtering target using a bonding method of a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention.
3 is a detailed flowchart of heating, holding, and cooling processes in a method of bonding a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention.
4 is a block diagram showing a fluorine-based sputtering target assembly according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to the extent that those of ordinary skill in the art can easily implement the present invention.

실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.In describing the embodiments, descriptions of technical contents that are well known in the technical field to which the present invention pertains and are not directly related to the present invention will be omitted. This is to more clearly convey the gist of the present invention by omitting unnecessary description.

마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.For the same reason, some components in the accompanying drawings are exaggerated, omitted, or schematically illustrated. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size. The same reference numerals are assigned to the same or corresponding components in each drawing.

또한, 장치 또는 요소 방향(예를 들어, “전(front)”, “후(back)”, “위(up)”, “아래(down)”, “상(top)”, “하(bottom)”, “좌(left)”, “우(right)”, “횡(lateral)”)등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다.Also, the device or element orientation (eg, “front”, “back”, “up”, “down”, “top”, “bottom )”, “left”, “right”, “lateral”), etc. The expressions and predicates used herein are used only to simplify the description of the present invention, It will be appreciated that the device or element simply does not indicate or imply that it should have a particular orientation.

일반적으로 박막 증착용 타겟은 전압을 인가하는 금속 전극에 고정하여 사용하게 된다. 상기 고정의 방법으로 종래에는 납땜, 브레이징, 확산 접착, 기계적인 체결, 에폭시 접착 등의 방법을 사용하였으나, 타겟과 금속 전극 사이의 열팽창율의 차이로 인해 접착 계면의 가장자리 엣지에서 전단 결함을 보이거나 접착부가 분리되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점은 금속 전극과 타겟 사이에서 아크 등을 발생시킬 수 있으며, 이로 인해 인가되는 전압에 비해 낮은 효율의 플라즈마를 발생시킴으로써, 낮은 증착 효율을 나타낸다.In general, a target for thin film deposition is fixed to a metal electrode to which a voltage is applied. As the fixing method, methods such as soldering, brazing, diffusion bonding, mechanical fastening, and epoxy bonding have been used in the past, but due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the target and the metal electrode, shear defects are shown at the edge of the bonding interface. There was a problem that the adhesive part was separated. Such a problem may generate an arc or the like between the metal electrode and the target, thereby generating a plasma having a lower efficiency than the applied voltage, thereby exhibiting low deposition efficiency.

게다가, 종래의 불소계 스퍼터링타겟의 경우, 소수성의 특성 및 절연 특성을 가짐에 따라 금속 전극과 타겟의 표면 접촉각이 높아 이들을 고정화하기 위해서는 다양한 화학적 처리가 수반되어야 한다. In addition, in the case of a conventional fluorine-based sputtering target, as it has hydrophobic properties and insulating properties, the surface contact angle between the metal electrode and the target is high, and various chemical treatments must be involved in order to immobilize them.

또한, 상기 불소계 스퍼터링타겟은 매우 큰 절연성을 나타내므로, 스퍼터링하기 위해서는, RF(radio-frequency)의 고주파 에너지가 인가되어야 하며, 이에 따라 불소계 스퍼터링타겟은 그자체로서 변형될 뿐만 아니라 전극면과의 접합부위에 필연적으로 변형이 발생하거나 접합부위의 결함이 발생될 수밖에 없으며, 피착체의 표면에 균일하게 증착되지 않기도 하거니와 증착효율이 매우 열악할 수밖에 없었다.In addition, since the fluorine-based sputtering target exhibits very high insulation, in order to sputter, radio-frequency (RF) energy must be applied. Accordingly, the fluorine-based sputtering target is not only deformed by itself, but also the junction with the electrode surface. Deformation inevitably occurs on the top or defects in the bonding area are inevitable, and the deposition efficiency is inevitably poor, even though it is not uniformly deposited on the surface of the adherend.

이에, 본 발명은 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 금속 페이스트를 접합재로 사용하고 밀폐 공간에서 접합을 수행하여, 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 제공하기 위하여 안출되었다.Accordingly, the present invention uses a metal paste as a bonding material to enable stable sputtering during the fluorine-based polymer deposition process, and performs bonding in an enclosed space, thereby improving adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate, thereby sputtering. It was devised to provide a bonding method of a fluorine-based sputtering target that can effectively suppress damage and separation of the target.

이를 위해, 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법은 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면에 접합재를 도포한 후, 상기 도포된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면을 서로 가접합하는 단계, 상기 백킹 플레이트의 타면이 단열재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟을 상기 단열재 상에 위치시키는 단계, 상기 불소계 스퍼터링 타겟의 타면이 중량재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 상에 상기 중량재를 위치시키는 단계, 상기 단열재, 상기 백킹 플레이트, 상기 불소계 스퍼터링 타겟 및 상기 중량재를 폐공간 내부에 위치시키는 단계 및 상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.To this end, the bonding method of the fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention is to apply a bonding material to each side of the backing plate and the fluorine-based sputtering target, and then temporarily bond the applied backing plate and the fluorine-based sputtering target to each other. The step of, positioning the temporarily bonded backing plate and the fluorine-based sputtering target on the heat insulating material so that the other side of the backing plate is in contact with one side of the heat insulator, the temporary bonding so that the other side of the fluorine-based sputtering target is in contact with one side of the heavy material Positioning the heavy material on the backing plate and the fluorine-based sputtering target, positioning the heat insulating material, the backing plate, the fluorine-based sputtering target and the heavy material inside the closed space, and heating and maintaining the inside of the closed space, and It characterized in that it comprises the step of cooling.

또한, 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리는 전술한 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리로서, 백킹 플레이트 및 상기 백킹 플레이트의 일면에 접합되는 타겟을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the fluorine-based sputtering target assembly according to another embodiment of the present invention is a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the bonding method of the above-described fluorine-based sputtering target, comprising a backing plate and a target bonded to one surface of the backing plate. It is characterized.

이하에서는 본 발명의 실시예들에 의하여 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for explaining a method of bonding a fluorine-based sputtering target and a fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same according to embodiments of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of bonding a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 이용하여 불소계 스퍼터링 타겟을 접합하는 모습을 나타낸 개략도이다.1 is a flow chart showing a bonding method of a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a state of bonding a fluorine-based sputtering target using a bonding method of a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention It is a schematic diagram shown.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법은 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 각각의 일면에 접합재(300)를 도포한 후, 도포된 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 각각의 일면을 서로 가접합(S110)하는 과정에 의해 개시된다.1 and 2, the bonding method of the fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention is after applying the bonding material 300 on one surface of each of the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 The backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 are initiated by a process of temporarily bonding one surface to each other (S110).

이 때, 본 발명의 일 구현예에서 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 불소계고분자와 도전성을 부여하는 기능화제을 함유한 불소계고분자 복합 타겟으로서, 불소계고분자 복합 타겟은 타겟 전체에 고르게 도전성을 부여하는 기능화제가 균일하게 분포할 수도 있고, 일측 표면으로부터 타측 표면으로 상기 기능화제의 함량을 증가 또는 감소시켜 연속적으로 목적과 기능에 따른 기능화제의 함량 변화를 줄 수도 있으며, 두께방향으로 일정 구간 기능화제의 함량을 단계적으로 감소 또는 증가하도록 구배를 줄 수도 있다. 즉, 상기 구배는 면과 면사이의 두께 방향으로 상기 기능화제의 함량을 연속적으로 달리하여 구배를 줄 수도 있고, 2 이상의 단계로 함량을 변화시켜 구배를 주는 형태로 제조할 수도 있는데 이는 다양한 목적이나 기능에 따라 다양한 형태로 조절하여 제조될 수 있음을 의미한다. In this case, in one embodiment of the present invention, the fluorine-based sputtering target 400 is a fluorine-based polymer composite target containing a fluorine-based polymer and a functionalizing agent that imparts conductivity, and the fluorine-based polymer composite target is a functionalizing agent that evenly imparts conductivity to the entire target. It may be uniformly distributed, or by increasing or decreasing the content of the functionalizing agent from one surface to the other surface, the content of the functionalizing agent may be continuously changed according to the purpose and function, and the content of the functionalizing agent may be changed in a certain section in the thickness direction. It can also be graded to decrease or increase in steps. That is, the gradient may be produced in a form in which the content of the functional agent is continuously varied in the thickness direction between the surface and the surface to give a gradient, or by changing the content in two or more steps to give a gradient. It means that it can be manufactured by controlling it in various forms according to its function.

본 발명에서 일 구현예에서 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 불균일하게 기능화제를 분포시키는 불소계고분자 복합 타겟이나 혹은 불소계고분자 복합 타겟이 고정되는 전극면 측과 반대측의 면의 일정 깊이로 도전성 기능화제만이 함유되는 형태로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다. In one embodiment of the present invention, the fluorine-based sputtering target 400 is a fluorine-based polymer composite target that unevenly distributes the functionalizing agent, or only a conductive functional agent at a predetermined depth of the side opposite to the electrode surface on which the fluorine-based polymer composite target is fixed. It can be made in the form contained. However, it is not limited thereto.

이와 같이, 본 발명의 일 구현예에서 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 불소계고분자에 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분 등의 도전성 기능화제를 포함함으로써, 전압을 인가하는 전극과의 표면 접촉각을 낮추어 높은 표면 에너지를 가질 수 있어서 고에너지를 인가하는 경우에라도 불소계고분자 복합 타겟이 변형이 일어나지 않게 된다. As described above, in one embodiment of the present invention, the fluorine-based sputtering target 400 includes a conductive functional agent such as conductive particles, a conductive polymer, and a metal component in the fluorine-based polymer, thereby lowering the surface contact angle with the electrode to which the voltage is applied, thereby increasing the surface. Since it can have energy, the fluorine-based polymer composite target does not deform even when high energy is applied.

또한, 본 발명의 일 구현예에서 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 절연 특성을 가지는 불소계고분자에 기능화제를 함유함으로써 불소계고분자 복합 타겟에 전도성을 부여함으로써 플라즈마 형성 효율을 증가시켜 높은 증착율을 구현할 수 있다.In addition, in an exemplary embodiment of the present invention, the fluorine-based sputtering target 400 contains a functional agent in the fluorine-based polymer having insulating properties, thereby imparting conductivity to the fluorine-based polymer composite target, thereby increasing plasma formation efficiency, thereby implementing a high deposition rate.

구체적으로, 불소계고분자는 불소를 함유한 수지류 라면 한정되는 것은 아니나 바람직하게는 불소를 함유하는 올레핀을 중합시킨 합성수지인 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE, polychlorotrifluoroethylene), 폴리비닐리덴디플루오라이드(PVDF, polyvinylidenedifluoride), 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체 (FEP, fluorinated ethylene propylene copolymer), 폴리 에틸렌-테트라플루오로 에틸렌 (ETFE, poly ethylene-co-tetra fluoro ethylene), 폴리 에틸렌-클로로 트리플루오로 에틸렌 (ECTFE, poly ethylene-co-chloro trifluoro ethylene), 폴리 테트라 플루오로에틸렌-플로오로 알킬 비닐 에테르 (PFA, poly tetra fluoro ethylene-co-fluoro alkyl vinyl ether) 등에서 선택되는 하나 이상의 불소계고분자; 및 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무 등에서 선택되는 하나 이상의 불소고무; 로부터 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene) 일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.Specifically, the fluorine-based polymer is not limited as long as it is a fluorine-containing resin, but preferably polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene), polytetrafluoroethylene (PCTFE, or PCTFE), which are synthetic resins obtained by polymerizing fluorine-containing olefins. polychlorotrifluoroethylene), polyvinylidenedifluoride (PVDF), fluorinated ethylene propylene copolymer (FEP), polyethylene-tetrafluoroethylene (ETFE, polyethylene-co-tetra fluoro ethylene), Polyethylene-chlorotrifluoroethylene (ECTFE, polyethylene-co-chloro trifluoro ethylene), polytetrafluoroethylene-fluoroalkyl vinyl ether (PFA, poly tetra fluoro ethylene-co-fluoro alkyl vinyl ether) One or more fluorine-based polymers; And at least one fluororubber selected from vinyl fluoride homopolymer rubber, vinyl fluoride copolymer rubber, vinylidene fluoride homopolymer rubber, and vinylidene fluoride copolymer rubber; It may be one or more selected from, more preferably, polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene), but is not limited thereto.

또한, 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 전극 방향으로 고함량의 전도성입자, 전도성 고분자 및/또는 금속성분 등에서 선택되는 하나 이상의 도전성 기능화제를 순차적으로 또는 단계적으로 적층되는 형태로 구배를 가질 수 있고, 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 전술한 도전성 기능화제를 포함할 수 있으며, 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물 등에서 선택되는 하나 이상의 금속화합물 등을 더 포함하여, 이를 이용하여 형성된 성형체에 다양한 기능성을 부여할 수도 있다.In addition, the fluorine-based sputtering target 400 may have a gradient in a form in which one or more conductive functional agents selected from a high content of conductive particles, a conductive polymer, and/or a metal component are sequentially or stepwise stacked in the electrode direction. The sputtering target 400 may include the above-described conductive functionalizing agent, and at least one metal compound selected from metal organic substances, metal oxides, metal carbon bodies, metal hydroxides, metal carbonates, metal bicarbonates, metal nitrides and metal fluorides, etc. Including further, it is also possible to impart various functions to the formed body formed by using this.

이 때, 전도성입자는 예컨대 카본나노튜브(Carbon nano tube), 카본나노섬유 (carbon nano fiber), 카본블랙(Carbon black), 그래핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소섬유(Carbon fiber) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 기타 유기 전도성입자도 포함할 수 있다. 이와 같이, 전도성입자로 탄소계 전도성입자를 사용할 경우 탄화 불소 성분을 유지하면서 전도성을 부여할 수 있어 바람직하다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the conductive particles are, for example, carbon nanotubes, carbon nanofibers, carbon black, graphene, graphite, carbon fiber, etc. It may be one or more selected, and may also include other organic conductive particles. As described above, when carbon-based conductive particles are used as the conductive particles, it is preferable to impart conductivity while maintaining the fluorine carbide component. However, it is not limited thereto.

또한, 전도성 고분자는 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리플루렌(polyfluorene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리카르바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazephine), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌비닐렌(polyethylene vinylene), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리셀레노펜(polyselenophene), 폴리텔루로펜(polytellurophene) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, conductive polymers include polyaniline, polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, polyfluorene, polypyrene, polyazulene, polynaphthalene ( polynaphthalene), polyphenylene, polyphenylene vinylene, polycarbazole, polyindole, polyazephine, polyethylene, polyethylene vinylene vinylene), polyphenylene sulfide (polyphenylene sulfide), polyfuran (polyfuran), polyselenophene (polyselenophene), polytellurophene (polytellurophene), and the like. However, it is not limited thereto.

아울러, 금속성분은 제한하지 않지만 예컨대 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 크롬(Cr), 탄탈(Ta) 등 일 수 있고, 이들 중 둘 이상의 혼합 금속일 수 있으며, 금속 전극과의 우수한 결착력을 가지는 측면에서 바람직하게는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni) 또는 이들의 혼합물, 보다 바람직하게는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the metal component is not limited, but, for example, copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), tungsten (W), magnesium (Mg), nickel (Ni), molybdenum (Mo), vanadium (V), niobium (Nb), titanium (Ti), platinum (Pt), chromium (Cr), tantalum (Ta), etc., and may be a mixed metal of two or more of them, and excellent bonding strength with metal electrodes In terms of having a copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), tungsten (W), magnesium (Mg), nickel (Ni) or a mixture thereof, more preferably Copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) or mixtures thereof may be used. However, it is not limited thereto.

한편, 본 발명의 일 구현예에서 금속화합물은 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물 등에서 선택되는 하나 이상 일 수 있으며, 구체적으로 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 인듐-주석산화물(ITO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 아연산화물(ZnO), 산화인듐(In2O3), 주석산화물(SnO2), 산화티타늄(TiO2), 안티몬-주석산화물(Antimony Tin Oxide, ATO), 안티몬-아연산화물(Antimony Zinc Oxide, AZO), 스트론튬-티타늄산화물(SrTiO3), 세륨산화물(CeO2), 마그네슘산화물(MgO), 니켈산화물(NiO), 산화칼슘(CaO), 지르코늄산화물(ZrO2), 이트륨산화물(Y2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 규소질화물(Si3N4), 불화마그네슘(MgF2), 불화구리(CuF2) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, in one embodiment of the present invention, the metal compound may be at least one selected from metal organic substances, metal oxides, metal carbon bodies, metal hydroxides, metal carbonates, metal bicarbonates, metal nitrides and metal fluorides, and specifically silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), indium-tin oxide (ITO), indium-gallium-zinc oxide (IGZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide ( SnO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), antimony-tin oxide (Antimony Tin Oxide, ATO), antimony-zinc oxide (AZO), strontium-titanium oxide (SrTiO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ) , Magnesium oxide (MgO), nickel oxide (NiO), calcium oxide (CaO), zirconium oxide (ZrO 2 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), copper fluoride (CuF 2 ) may be one or more selected from. However, it is not limited thereto.

이 때, 전극에 대한 보다 우수한 접착력을 가지기 위한 측면에서 상기 금속화합물은 규소질화물(Si3N4), 불화마그네슘(MgF2) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 이를 이용하여 제조되는 박막의 경도를 높이기 위한 측면에서 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 규소질화물(Si3N4) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수도 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. At this time, in terms of having better adhesion to the electrode, the metal compound may be silicon nitride (Si 3 N 4 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), or a mixture thereof, and the hardness of a thin film manufactured using this Silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or a mixture thereof may be used in terms of increasing the value. However, it is not limited thereto.

이와 같이, 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 불소계고분자와 혼합하는 기능화제나 금속화합물의 종류 및 함량을 조절함에 따라, 이를 이용하여 형성된 박막에 다양한 기능성을 부여할 수 있다. In this way, the fluorine-based sputtering target 400 may impart various functions to a thin film formed using the fluorine-based sputtering target 400 by adjusting the type and content of the functional agent or metal compound mixed with the fluorine-based polymer.

보다 상세하게, 전술한 전도성입자, 전도성 고분자, 금속성분 및 금속화합물이 불소계 스퍼터링 타겟(400)에 포함됨으로써, 타겟에 전도성을 부여하여 RF 뿐만 아니라 MF 및 DC전원에서도 스퍼터링이 가능하며, 이를 이용하여 제조된 박막의 전도성 및 강도를 현저히 증진시킬 수 있다.In more detail, the above-described conductive particles, conductive polymers, metal components and metal compounds are included in the fluorine-based sputtering target 400, thereby imparting conductivity to the target to allow sputtering not only in RF but also in MF and DC power sources. The conductivity and strength of the prepared thin film can be remarkably improved.

이에 따라, 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 이용하여 형성된 박막은 기본적으로 초소수성, 고투명성을 유지하면서 광학적 특성이 우수하며, 오염 방지, 반사방지, 내화학성 및 윤활성 등이 우수하다.Accordingly, the thin film formed using the fluorine-based sputtering target 400 according to an embodiment of the present invention basically has excellent optical properties while maintaining superhydrophobicity and high transparency, preventing contamination, antireflection, chemical resistance, and lubricity, etc. This is excellent.

그리고, 불소계 스퍼터링 타겟(400)은 기능화제와 금속화합물의 종류 및 함량을 조절함으로써, 제조된 박막의 전도성 및 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 기능화제를 반드시 함유하는 불소계 스퍼터링 타겟(400) 내 향상된 전도성으로 인해 보다 낮은 전압에서도 스퍼터링이 가능하여 낮은 비용으로 불소함유 박막을 제조할 수 있다는 장점을 가진다.In addition, the fluorine-based sputtering target 400 may improve the conductivity and strength of the manufactured thin film by controlling the type and content of the functional agent and the metal compound. In addition, due to the improved conductivity in the fluorine-based sputtering target 400 that necessarily contains a functionalizing agent, sputtering is possible at a lower voltage, and thus, a fluorine-containing thin film can be manufactured at low cost.

이는, 종래 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 스퍼터링하기 위해 고주파의 전원을 인가해야만 하는 공정과는 달리, 전도성을 부여함에 따라 RF뿐만 아니라 MF 또는 DC에서도 원활히 스퍼터링이 가능하고 또한 그 효율에 있어서도 매우 높은 놀라운 효과를 가지게 되는 이점이 있다.This is, unlike the process in which high-frequency power must be applied to sputter the fluorine-based sputtering target 400 in the related art, by providing conductivity, sputtering is possible not only in RF, but also in MF or DC. There is an advantage of having an effect.

한편, 본 발명의 일 구현예에서 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 각각의 일면에 도포되는 접합재(300)는 금속 입자, 금속 도금된 입자, 금속 합금 입자 또는 이들의 조합을 포함하는 전기 전도성 페이스트 또는 열경화성 수지를 포함할 수 있다.On the other hand, in one embodiment of the present invention, the bonding material 300 applied to one side of each of the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 includes metal particles, metal plated particles, metal alloy particles, or a combination thereof. It may contain an electrically conductive paste or a thermosetting resin.

구체적으로, 전기 전도성 페이스트는 구리 페이스트(Cu paste), 은 페이스트(Ag paste), 주석 페이스트(Sn paste), 니켈 페이스트(Ni paste) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 열경화성 수지는 에폭시, 아크릴, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 비닐 수지, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 알키드 수지, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 비닐 에테르, 폴리우레탄, 멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 실리콘, 멜라민 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the electrically conductive paste may be one or more selected from copper paste, silver paste, tin paste, nickel paste, etc., and the thermosetting resin is epoxy, acrylic, acrylic Rate, acrylate ester, vinyl resin, maleimide, nadimide, itaconimide, cyanate ester, alkyd resin, cyanate ester, phenolic, benzoxazine, polyimide, functionalized polyimide, oxetane, vinyl ether , Polyurethane, melamine, urea-formaldehyde resin, phenol-formaldehyde resin, silicone, may be one or more selected from melamine. However, it is not limited thereto.

백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 각각의 일면이 접합재(300)에 의해 서로 가접합되면, 이후 백킹 플레이트(200)의 타면이 단열재(100)의 일면과 접하도록 가접합된 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 단열재(100) 상에 위치시킨다(S120).When one side of each of the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 is temporarily bonded to each other by the bonding material 300, a backing plate temporarily bonded so that the other side of the backing plate 200 is in contact with the one side of the insulation material 100 Position 200 and the fluorine-based sputtering target 400 on the heat insulating material 100 (S120).

이 때, 단열재(100)는 나무(Wood), 글래스 파이버(Glass Fiber), 글래스 울(Glass Wool) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the insulation material 100 may be one or more selected from wood, glass fiber, glass wool, and the like. However, it is not limited thereto.

특히, 단열재(100)는 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 단열재(100) 상에 올리기 위하여 충분한 크기, 즉, 백킹 플레이트(200)의 면적 이상으로 형성되는 것이 바람직하며, 후술되는 가열 과정(S150)에서 가해지는 열이 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400)에 직접적으로 전달되는 것을 방지할 수 있도록 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다.In particular, the heat insulating material 100 is preferably formed of a sufficient size to raise the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 on the heat insulating material 100, that is, more than the area of the backing plate 200, which will be described later. It is preferable that the heat applied in the heating process (S150) is formed to have a sufficient thickness so as to prevent direct transfer of the heat applied to the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400.

백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400)이 단열재(100) 상에 위치되면, 이후 불소계 스퍼터링 타겟(400)의 타면이 중량재(500)의 일면과 접하도록 가접합된 백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 상에 중량재(500)를 위치시킨다(S140).When the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 are positioned on the insulating material 100, the backing plate 200 is temporarily bonded so that the other surface of the fluorine-based sputtering target 400 is in contact with one surface of the heavy material 500 The weight material 500 is positioned on the fluorine-based sputtering target 400 (S140).

이 때, 중량재(500)는 백킹 플레이트(200)와 동일하거나 혹은 열 전달이 용이한 다른 소재로 형성될 수 있으며, 예컨대, 구리(Cu), 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the weight material 500 may be the same as the backing plate 200 or may be formed of another material that facilitates heat transfer, for example, copper (Cu), stainless steel (Stainless Steel), aluminum (Al), It may be at least one selected from molybdenum (Mo), iron (Fe), titanium (Ti), tungsten (W), nickel (Ni), and the like. However, it is not limited thereto.

또한, 중량재(500)는 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 덮을 수 있는 충분한 크기로 형성되는 것이 바람직하며, 백킹 플레이트(200)와 가접합된 불소계 스퍼터링 타겟(400)의 위치가 이동하지 않도록 하중을 가할 수 있는 충분한 무게로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the weight member 500 is preferably formed in a size sufficient to cover the fluorine-based sputtering target 400, and loads so that the position of the fluorine-based sputtering target 400 temporarily bonded with the backing plate 200 does not move. It is desirable to be formed with sufficient weight to be applied.

백킹 플레이트(200)와 불소계 스퍼터링 타겟(400) 상에 중량재(500)가 위치되면, 하측부터 단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400), 중량재(500) 순으로 적층된 단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500)를 폐공간(600) 내부에 위치시킨다(S140).When the heavy material 500 is positioned on the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400, the heat insulating material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400, and the heavy material 500 are in order from the bottom. The stacked insulating material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400, and the weight material 500 are placed inside the closed space 600 (S140).

이 때, 폐공간(600)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 격벽으로 이루어진 중공형의 구조물일 수 있으며, 내부에 단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500)가 내장되고도 남을만큼의 여유있는 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 폐공간(600) 내부의 온도를 비교적 일정하게 유지할 수 있도록 격벽은 스테인리스 스틸(Stainless Steel) 등으로 형성되는 것이 바람직하다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the closed space 600 may be a hollow structure made of a partition wall, as shown in FIG. 2, and the heat insulating material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400 and the weight therein It is preferable that the material 500 is formed to have a sufficient size to remain even if it is embedded. In addition, the partition wall is preferably formed of stainless steel or the like so that the temperature inside the closed space 600 can be maintained relatively constant. However, it is not limited thereto.

단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500)가 폐공간(600) 내부에 위치되면, 이후 폐공간(600) 내부를 가열, 유지 및 냉각한다(S150).When the heat insulating material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400 and the weight material 500 are located inside the closed space 600, the inside of the closed space 600 is then heated, maintained, and cooled (S150). ).

도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법에서 가열, 유지 및 냉각 공정의 세부 순서도이다.3 is a detailed flowchart of heating, holding, and cooling processes in a method of bonding a fluorine-based sputtering target according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500)가 내부에 위치된 폐공간(600)을 서서히 가열한다. (S151).Referring to Figure 3, the heat insulating material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400 and the weight material 500 is gradually heated the closed space 600 located therein. (S151).

여기에서, 가열은 승온 속도가 1 내지 1.2 ℃/분이 되도록 가열하는 것이 바람직하다. 이 때, 승온은 폐공간(600)의 하부에 핫플레이트(hot plate)를 두어 가열하거나 혹은 폐공간(600)을 밀폐 분위기로 형성하여 진공 오븐의 형태로 가열하는 방법으로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, it is preferable to heat so that the heating rate becomes 1 to 1.2 degreeC/min. In this case, the heating may be performed by placing a hot plate under the closed space 600 to heat or forming the closed space 600 in a sealed atmosphere and heating it in the form of a vacuum oven. However, it is not limited thereto.

이후, 승온된 상태에서 약 1시간 동안 유지한 후(S152), 상온에서 충분한 시간을 두고 서냉(徐冷)하게 된다(S153).Thereafter, the temperature is maintained for about 1 hour in the elevated state (S152), and then slow cooling is performed for a sufficient time at room temperature (S153).

냉각이 완료되면, 폐공간(600)에서 단열재(100), 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500) 혹은 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400) 및 중량재(500)를 꺼낸 후, 단열재(100)와 중량재(500) 혹은 중량재(500) 만을 제거하여 접합이 완료된 백킹 플레이트(200), 불소계 스퍼터링 타겟(400)을 검사할 수 있다.When cooling is complete, the heat insulation material 100, the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400 and the heavy material 500 or the backing plate 200, the fluorine-based sputtering target 400 and the heavy material in the closed space 600 After taking out 500, it is possible to inspect the backing plate 200 and the fluorine-based sputtering target 400 that have been bonded by removing only the heat insulating material 100 and the heavy material 500 or the heavy material 500.

이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a fluorine-based sputtering target assembly according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리를 나타낸 구성도이다.4 is a block diagram showing a fluorine-based sputtering target assembly according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 구현예에 따른 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리(10)는 전술한 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법을 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리(10)로서, 백킹 플레이트(200) 및 상기 백킹 플레이트(200)의 일면에 접합되는 타겟을 포함한다.Referring to FIG. 4, a fluorine-based sputtering target assembly 10 according to another embodiment of the present invention is a fluorine-based sputtering target assembly 10 bonded using the above-described bonding method of a fluorine-based sputtering target, and includes a backing plate 200 and It includes a target bonded to one surface of the backing plate 200.

이와 같이, 본 발명에 따른 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법 및 이를 이용하여 접합된 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리에 의하면, 불소계고분자 증착 공정시, 안정적으로 스퍼터링이 가능하도록 금속 페이스트를 접합재(300)로 사용하고 밀폐 공간에서 접합을 수행하여, 스퍼터링 타겟 재료와 기재 사이의 접착성 및/또는 밀착성을 향상시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 손상 및 분리 현상을 효과적으로 억제할 수 있게 된다.As described above, according to the bonding method of the fluorine-based sputtering target according to the present invention and the fluorine-based sputtering target assembly bonded using the same, a metal paste is used as the bonding material 300 to enable stable sputtering during the fluorine-based polymer deposition process, and a closed space By performing bonding at the sputtering target material and improving adhesion and/or adhesion between the sputtering target material and the substrate, it is possible to effectively suppress the damage and separation of the sputtering target.

한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.Meanwhile, the present specification and drawings disclose preferred embodiments of the present invention, and although specific terms are used, these are merely used in a general meaning to easily explain the technical content of the present invention and to aid understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope of the invention. It is obvious to those of ordinary skill in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

10: 불소계 스퍼터링 타겟 어셈블리
100: 단열재
200: 백킹 플레이트
300: 접합재
400: 불소계 스퍼터링 타겟
500: 중량재
600: 폐공간10: Fluorine-based sputtering target assembly
100: insulation
200: backing plate
300: bonding material
400: fluorine-based sputtering target
500: heavy material
600: closed space

Claims (12)

백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면에 접합재를 도포한 후, 상기 도포된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 각각의 일면을 서로 가접합하는 단계;
상기 백킹 플레이트의 타면이 단열재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟을 상기 단열재 상에 위치시키는 단계;
상기 불소계 스퍼터링 타겟의 타면이 중량재의 일면과 접하도록 상기 가접합된 백킹 플레이트와 불소계 스퍼터링 타겟 상에 상기 중량재를 위치시키는 단계;
상기 단열재, 상기 백킹 플레이트, 상기 불소계 스퍼터링 타겟 및 상기 중량재를 폐공간 내부에 위치시키는 단계; 및
상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계를 포함하고,
상기 불소계 스퍼터링 타겟은 불소계고분자와 도전성 기능화제 입자를 포함하는 불소계고분자 복합 타겟으로서, 상기 불소계고분자와 도전성 기능화제 입자를 포함하는 혼합물을 열성형하여 제조되어 내부에 도전성 기능화제가 분산되어 있는 것이고,
상기 도전성 기능화제는 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분에서 선택된 1종 이상이며,
상기 불소계고분자는 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴디플루오라이드, 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 에틸렌-클로로트리플루오로 에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시 공중합체, 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무에서 선택된 1종 이상이고,
상기 전도성 입자는 카본나노튜브(Carbon nano tube), 카본나노섬유 (carbon nano fiber), 카본블랙(Carbon black), 그래핀(Graphene), 그라파이트(Graphite) 및 탄소섬유(Carbon fiber)에서 선택된 1종 이상이고,
상기 전도성 고분자는 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리플루렌(polyfluorene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리카르바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazephine), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌비닐렌(polyethylene vinylene), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리셀레노펜(polyselenophene), 폴리텔루로펜(polytellurophene)에서 선택된 1종 이상이고,
상기 불소계 스퍼터링 타겟은 상기 도전성 기능화제와는 별도로 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물에서 선택되는 하나 이상의 금속화합물을 더 포함하고,
상기 금속화합물은 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 규소질화물(Si3N4), 불화마그네슘(MgF2), 불화구리(CuF2)에서 선택된 1종 이상이고,
상기 접합재는 전기 전도성 페이스트 또는 열경화성 수지를 포함하고,
상기 전기 전도성 페이스트는,
알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 최소한 하나 이상을 포함하고,
상기 전기 전도성 페이스트를
120 내지 200 ℃의 온도로 가열하고,
상기 열경화성 수지는,
에폭시, 아크릴, 아크릴레이트, 아크릴레이트 에스테르, 비닐 수지, 말레이미드, 나드이미드, 이타콘이미드, 시아네이트 에스테르, 알키드 수지, 시아네이트 에스테르, 페놀계, 벤족사진, 폴리이미드, 관능화 폴리이미드, 옥세탄, 비닐 에테르, 폴리우레탄, 멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 실리콘 및 멜라민으로 이루어진 군에서 최소한 하나 이상을 포함하고,
상기 열경화성 수지를
60 내지 150 ℃의 온도로 가열하고,
상기 폐공간 내부를 가열, 유지 및 냉각하는 단계에서,
상기 가열은 승온 속도가 1 내지 1.2 ℃/분이 되도록 가열하고,
1시간 동안 유지한 후, 상온에서 서냉(徐冷)하고,
상기 폐공간은 격벽으로 이루어진 중공형의 구조물이고,
내부에 상기 단열재, 백킹 플레이트, 불소계 스퍼터링 타겟 및 중량재를 포함하고도 여유 공간이 있도록 형성되고,
상기 폐공간 내부의 온도를 일정하게 유지할 수 있도록 상기 격벽은 스테인리스 스틸로 형성하고,
상기 단열재는 나무(Wood), 글래스 파이버(Glass Fiber), 글래스 울(Glass Wool) 또는 이들의 조합을 포함하고,
상기 중량재는 구리(Cu), 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 스퍼터링 타겟의 접합 방법.Applying a bonding material to one side of each of the backing plate and the fluorine-based sputtering target, and then temporarily bonding the applied backing plate and the one side of each of the fluorine-based sputtering target to each other;
Positioning the temporarily bonded backing plate and a fluorine-based sputtering target on the heat insulating material so that the other side of the backing plate contacts one side of the heat insulating material;
Positioning the heavy material on the temporarily bonded backing plate and the fluorine-based sputtering target so that the other surface of the fluorine-based sputtering target is in contact with one side of the heavy material;
Positioning the heat insulating material, the backing plate, the fluorine-based sputtering target, and the heavy material inside a closed space; And
Heating, maintaining and cooling the inside of the closed space,
The fluorine-based sputtering target is a fluorine-based polymer composite target comprising a fluorine-based polymer and conductive functional agent particles, and is manufactured by thermoforming a mixture containing the fluorine-based polymer and conductive functional agent particles, and a conductive functional agent is dispersed therein,
The conductive functional agent is at least one selected from conductive particles, conductive polymers and metal components,
The fluorine-based polymer is polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidene difluoride, fluorinated ethylene propylene copolymer, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer, At least one selected from perfluoroalkoxy copolymer, vinyl fluoride homopolymer rubber, vinyl fluoride copolymer rubber, vinylidene fluoride homopolymer rubber, and vinylidene fluoride copolymer rubber,
The conductive particles are one selected from carbon nano tube, carbon nano fiber, carbon black, graphene, graphite, and carbon fiber Ideal,
The conductive polymer is polyaniline, polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, polyfluorene, polypyrene, polyazulene, polynaphthalene. ), polyphenylene, polyphenylene vinylene, polycarbazole, polyindole, polyazephine, polyethylene, polyethylene vinylene ), polyphenylene sulfide, polyfuran (polyfuran), polyselenophene (polyselenophene), polytellurophene (polytellurophene) is at least one selected from,
The fluorine-based sputtering target further comprises at least one metal compound selected from metal organic substances, metal oxides, metal carbon bodies, metal hydroxides, metal carbonates, metal bicarbonates, metal nitrides and metal fluorides, apart from the conductive functionalizing agent,
The metal compound is at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), and copper fluoride (CuF 2 ),
The bonding material includes an electrically conductive paste or a thermosetting resin,
The electrically conductive paste,
Contains at least one or more from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), tin (Sn), copper (Cu) and nickel (Ni),
The electrically conductive paste
Heating to a temperature of 120 to 200 °C,
The thermosetting resin,
Epoxy, acrylic, acrylate, acrylate ester, vinyl resin, maleimide, nadimide, itaconimide, cyanate ester, alkyd resin, cyanate ester, phenolic, benzoxazine, polyimide, functionalized polyimide, Including at least one or more from the group consisting of oxetane, vinyl ether, polyurethane, melamine, urea-formaldehyde resin, phenol-formaldehyde resin, silicone and melamine,
The thermosetting resin
Heating to a temperature of 60 to 150 °C,
In the step of heating, maintaining and cooling the inside of the closed space,
The heating is heated so that the heating rate is 1 to 1.2 °C/min,
After holding for 1 hour, slow cooling at room temperature,
The closed space is a hollow structure made of a partition wall,
It is formed to have a free space even with the insulation material, the backing plate, the fluorine-based sputtering target and the weight material therein,
The partition wall is formed of stainless steel to maintain a constant temperature inside the closed space,
The insulating material includes wood, glass fiber, glass wool, or a combination thereof,
The weight material includes copper (Cu), stainless steel, aluminum (Al), molybdenum (Mo), iron (Fe), titanium (Ti), tungsten (W), nickel (Ni), or a combination thereof A method for bonding a fluorine-based sputtering target, characterized in that. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020190075623A 2019-06-25 2019-06-25 Bonding method of fluorinated sputtering target KR102218692B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190075623A KR102218692B1 (en) 2019-06-25 2019-06-25 Bonding method of fluorinated sputtering target

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190075623A KR102218692B1 (en) 2019-06-25 2019-06-25 Bonding method of fluorinated sputtering target

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210000473A KR20210000473A (en) 2021-01-05
KR102218692B1 true KR102218692B1 (en) 2021-02-22

Family

ID=74140714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190075623A KR102218692B1 (en) 2019-06-25 2019-06-25 Bonding method of fluorinated sputtering target

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102218692B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230123036A (en) 2022-02-14 2023-08-23 한국화학연구원 Sputtering target having fixing device for physical bonding of fluorine polymer target and backing plate, and method for bonding fluorine polymer target and backing plate of sputtering target

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102587026B1 (en) 2021-01-04 2023-10-06 엘지전자 주식회사 Constant temperature and humidity air conditioner using heat pump and the control method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006336103A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Applied Materials Inc Elastomer bonding of large area sputtering target
JP2015168832A (en) * 2014-03-05 2015-09-28 東ソー株式会社 Cylindrical sputtering target and method for manufacturing the same
JP2017141509A (en) 2016-02-05 2017-08-17 株式会社アルバック Target assembly, method for manufacturing the same and method for separating target from backing plate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000050930A (en) 1999-01-13 2000-08-05 윤주식 Bonding Method of Sputtering Target
KR20160092897A (en) * 2015-01-28 2016-08-05 한국화학연구원 Fluoropolymer composite target for deposition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006336103A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Applied Materials Inc Elastomer bonding of large area sputtering target
JP2015168832A (en) * 2014-03-05 2015-09-28 東ソー株式会社 Cylindrical sputtering target and method for manufacturing the same
JP2017141509A (en) 2016-02-05 2017-08-17 株式会社アルバック Target assembly, method for manufacturing the same and method for separating target from backing plate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230123036A (en) 2022-02-14 2023-08-23 한국화학연구원 Sputtering target having fixing device for physical bonding of fluorine polymer target and backing plate, and method for bonding fluorine polymer target and backing plate of sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210000473A (en) 2021-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102020319B1 (en) Fluoropolymer composite target for deposition
KR102218692B1 (en) Bonding method of fluorinated sputtering target
JP6456477B2 (en) Organic light-emitting diode with surface deformation layer
US20060003188A1 (en) ITO thin film, method of producing the same, transparent conductive film, and touch panel
KR100788775B1 (en) Transparent electroconductive film and touch panel
KR101843364B1 (en) Transparent conductive film of water-repellency and plate heater comprising the same
KR102361083B1 (en) Method for manufacturing fluorocarbon thin film and fabrication equipment therof
US8411344B2 (en) Electrical control light valve apparatus having liquid metal
KR20180036950A (en) Adhesion method of fluoropolymer composite target for deposition and devices formed therefrom
KR20170138722A (en) Adhesion method of fluoropolymer composite target for deposition and devices formed therefrom
KR20170026985A (en) Method for manufacturing fluorocarbon thin film and fabrication equipment therof
KR102043305B1 (en) Water repellent and oil repellent coating film and method of manufacturing the same
KR102010240B1 (en) Anti-reflection film with water repelling properties and Method of Manufacturing The Same
KR101383488B1 (en) High Quality Flexible Transparent Electrodes and Fabricating Method Thereof
KR101646717B1 (en) Touch screen substrate and manufacturing method of the same
KR20170135781A (en) Anti-reflection film with water repelling properties and Method of Manufacturing The Same
KR101719520B1 (en) Multilayer barrier film including fluorocarbon thin film and Method of Manufacturing The Same
KR20180105624A (en) Water repellent and oil repellent coating film and method of manufacturing the same
KR20170099053A (en) Water repellent and oil repellent coating film and method of manufacturing the same
KR101336027B1 (en) Uneven sintering jig for the production of target and manufacturing method thereof
KR20170009553A (en) Transparent electrode and method for manufacturing the same
JP2024012384A (en) Light transmissive conductive film and light control film
KR101747374B1 (en) Touch screen substrate and manufacturing method of the same
JP2010205721A (en) Substrate with transparent electrode and method of manufacturing the same
KR20180045499A (en) The fabricating method of NiTe-based thin film and the conductive substrate fabricated therefor

Legal Events

Date Code Title Description
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant