KR102213528B1 - Seismic acceleration sensor with leaf spring modulus control depending on temperature/humidity effect - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 지진 가속도 센서에 관한 것으로서, 구체적으로는 지진 가속도 센서의 판 스프링 탄성 계수 제어에 관한 것이며, 좀 더 구체적으로는 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서에 관한 것이다. The present invention relates to an earthquake acceleration sensor, specifically, relates to a leaf spring elastic modulus control of the earthquake acceleration sensor, and more specifically, to an earthquake acceleration sensor capable of controlling the leaf spring elastic modulus according to temperature/humidity influences. .
판 스프링(leaf spring)은 길이가 각각 다른 몇 개의 철판을 겹쳐서 만든 스프링으로서, 차량의 서스펜션(suspension)은 물론 지진 가속도 센서에도 이용되고 있다. Leaf springs are springs made by overlapping several steel plates of different lengths, and are used not only for vehicle suspension, but also for earthquake acceleration sensors.
지진 가속도 센서의 경우 미묘한 진동까지도 잘 감지하고 계측의 작은 오차도 줄일 필요가 있다. 이러한 관점에서 판 스프링의 탄성 계수도 늘 일정하게 유지되어야 한다. In the case of an earthquake acceleration sensor, it is necessary to detect even subtle vibrations well and to reduce small errors in measurement. From this point of view, the modulus of elasticity of the leaf spring must always be kept constant.
그러나, 판 스프링의 탄성 계수는 온도나 습도의 변화에 따라 변하는 특성이 있다. 탄성 계수의 변화는 판 스프링에 부착된 질량 M의 위치 이동의 원인이 되고, 이는 지진 가속도 센서의 출력 전압 Vo를 변화시키는 근본적인 요인이 된다. However, the modulus of elasticity of the leaf spring has a characteristic that changes according to changes in temperature or humidity. The change of the elastic modulus causes the positional movement of the mass M attached to the leaf spring, and this is a fundamental factor that changes the output voltage Vo of the earthquake acceleration sensor.
지진 가속도 센서의 출력 전압 Vo는 Vac와 Vdc의 합으로 구성되는데, 판 스프링의 탄성 계수 변화는 Vdc의 변화에 대응된다고 할 수 있다. The output voltage Vo of the seismic acceleration sensor is composed of the sum of Vac and Vdc, and it can be said that the change in the elastic modulus of the leaf spring corresponds to the change in Vdc.
Vdc는 Vo의 최대값인 지진의 풀 스케일(full scale)을 직접적으로 변화시키는 요인이며, Vdc가 줄어들면 그만큼 풀 스케일이 줄어들게 된다. Vdc is a factor that directly changes the full scale of an earthquake, which is the maximum value of Vo, and as Vdc decreases, the full scale decreases accordingly.
이에, 온도나 습도의 변화가 있더라도 판 스프링의 탄성 계수를 일정하게 유지시켜줄 필요가 있다. Accordingly, it is necessary to keep the elastic modulus of the leaf spring constant even if there is a change in temperature or humidity.
본 발명의 목적은 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an earthquake acceleration sensor capable of controlling a leaf spring elastic modulus according to temperature/humidity influences.
상술한 본 발명의 목적에 따른 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서는, 정현파인 캐리어 주파수(carrier frequency)를 공급하는 발진 회로부; 상기 발진 회로부로부터 공급받은 정현파와 지진동에 상응하는 주파수가 합성된 AM 전압 신호 Vin을 출력하는 변위 센서; 상기 변위 센서로부터 출력되는 Vin을 신호 처리하여 신호 Vo를 출력하고, 상기 Vin을 신호 처리한 후 전류 증폭한 궤환 입력 신호를 상기 변위 센서로 인가하는 신호 처리부; 상기 신호 처리부에서 출력되는 신호 Vo를 증폭하여 지진 기록계로 전달하는 신호 증폭기; 상기 신호 처리부에서 출력된 신호 Vo에 대해 DC 성분의 반전값 - Vdc를 출력하는 DC 반전부; 상기 DC 반전부에서 출력된 - Vdc를 인식하여 인식된 - Vdc에 해당하는 펄스 신호를 발생하도록 제어하고 상기 펄스 신호의 인가를 위한 스위칭을 제어하는 CPU(central processing unit); 상기 CPU의 제어에 의해 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생기; 상기 펄스 발생기에서 펄스 신호가 발생되면, 상기 CPU의 제어에 따른 스위칭 동작에 의해 상기 펄스 신호를 상기 변위 센서로 인가하는 상기 스위치를 포함하도록 구성될 수 있다. An earthquake acceleration sensor capable of controlling a leaf spring elastic modulus according to an effect of temperature/humidity according to the object of the present invention described above includes: an oscillation circuit unit for supplying a carrier frequency, which is a sine wave; A displacement sensor for outputting an AM voltage signal Vin obtained by combining a sine wave supplied from the oscillation circuit and a frequency corresponding to the earthquake motion; A signal processing unit that processes Vin output from the displacement sensor to output a signal Vo, and applies a current-amplified feedback input signal to the displacement sensor after processing the Vin signal; A signal amplifier amplifying the signal Vo output from the signal processing unit and transmitting it to an earthquake recorder; A DC inverting unit for outputting an inverted value of a DC component-Vdc with respect to the signal Vo output from the signal processing unit; A CPU (central processing unit) for controlling to generate a pulse signal corresponding to -Vdc recognized by recognizing -Vdc output from the DC inverting unit and controlling switching for applying the pulse signal; A pulse generator for generating a pulse signal under the control of the CPU; When a pulse signal is generated by the pulse generator, it may be configured to include the switch for applying the pulse signal to the displacement sensor by a switching operation under control of the CPU.
여기서, 상기 DC 반전부는, 상기 신호 Vo의 DC 성분인 Vdc에 대한 반전값 - Vdc를 출력하는 반전 증폭기; 상기 반전 증폭기에서 출력된 반전값 - Vdc에 대하여 지진동 주파수 외에 0. 01 Hz 이하의 DC 성분만 통과시키는 저역 필터를 포함하도록 구성될 수 있다. Here, the DC inverting unit includes an inverting amplifier for outputting an inverted value -Vdc for Vdc, which is a DC component of the signal Vo; The inverted value output from the inverting amplifier-Vdc may be configured to include a low-pass filter that passes only a DC component of 0. 01 Hz or less in addition to the seismic motion frequency.
그리고 상기 변위 센서는, 외부 케이스의 상부 측면(B)에 배치되는 판 스프링; 얇은 판 형태의 도체로서 반대 측면보다 높이가 높은 외부 케이스의 상부 측면(A)에 한쪽 끝이 고정된 제1 도체판; 얇은 판 형태의 도체로서 상기 제1 도체판의 상부에 제1 도체판과 소정 간격을 사이에 두고 배치된 제2 도체판; 얇은 판 형태의 도체로서 상기 제1 도체판의 하부에 제1 도체판과 소정 간격을 사이에 두고 배치되며 한쪽 끝이 반대 측면보다 높이가 낮은 외부 케이스의 상부 측면(B)에 을 통해 결합된 제3 도체판; 상기 변위 센서의 하단에 고정 배치되는 영구 자석; 상기 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 상기 영구 자석에 대한 전자기력에 의해 상기 변위 센서를 밀어 올리거나 끌어내리는 1차 코일; 상기 영구 자석의 상단 및 상기 1차 코일의 하단에 배치되며, 상기 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 상기 영구 자석에 대한 전자기력에 의해 상기 변위 센서를 밀어 올리거나 끌어내리는 1차 코일을 이용하여 상기 변위 센서와 힘과 크기는 같고 방향이 반대인 전자기력을 발생시켜 힘의 균형을 이루도록 하는 2차 코일을 포함하도록 구성될 수 있다. And the displacement sensor, the leaf spring disposed on the upper side (B) of the outer case; A first conductor plate having one end fixed to the upper side A of the outer case, which is a thin plate-shaped conductor having a height higher than that of the opposite side; A second conductor plate in the form of a thin plate and disposed on the first conductor plate with a predetermined distance therebetween; As a thin plate-shaped conductor, it is disposed under the first conductor plate with a predetermined distance between the first conductor plate and one end is coupled to the upper side (B) of the outer case, which is lower in height than the opposite side. 3 conductor plate; A permanent magnet fixedly disposed at the lower end of the displacement sensor; A primary coil that pushes up or down the displacement sensor by an electromagnetic force applied to the permanent magnet by varying the intensity and direction of the magnetic field according to the intensity and direction of the feedback input signal; It is disposed at the upper end of the permanent magnet and at the lower end of the primary coil, and the strength and direction of the magnetic field are changed according to the strength and direction of the feedback input signal, so that the displacement sensor is pushed up or pulled down by the electromagnetic force of the permanent magnet. It may be configured to include a secondary coil to balance the force by generating an electromagnetic force having the same force and magnitude as the displacement sensor and having the opposite direction as the displacement sensor using the primary coil.
그리고 상기 2차 코일은 상기 스위치를 통해 인가되는 펄스 신호에 의해 상기 신호 Vo의 Vdc가 상쇄되어 상기 판 스프링의 탄성 계수를 일정하게 유지하도록 구성될 수 있다. In addition, the secondary coil may be configured to maintain a constant elastic modulus of the leaf spring by canceling Vdc of the signal Vo by a pulse signal applied through the switch.
상술한 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서에 의하면, 지진 가속도 센서의 출력 전압 Vo의 반전 DC 전압을 변위 센서로 피드백 입력하도록 구성됨으로써, 지진 가속도 센서의 DC 오프셋(offset) 전압을 거의 0로 유지시키는 효과가 있다. According to the seismic acceleration sensor capable of controlling the leaf spring elastic modulus according to the above-described temperature/humidity influence, the inverted DC voltage of the output voltage Vo of the earthquake acceleration sensor is fed back to the displacement sensor, so that the DC offset of the earthquake acceleration sensor is ) It has the effect of keeping the voltage at almost zero.
다시 말하면, Vdc를 일정하게 유지하여 온도/습도 변화에 기인하는 판 스프링의 탄성 계수를 일정하게 유지시키는 효과가 있다. In other words, there is an effect of maintaining a constant modulus of elasticity of the leaf spring caused by temperature/humidity changes by maintaining Vdc constant.
즉, 온도/습도의 변화에 무관하게 지진 감지의 정확도를 유지할 수 있는 효과가 있다. That is, there is an effect of maintaining the accuracy of earthquake detection irrespective of changes in temperature/humidity.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서의 블록 구성도이다. 1 is a block diagram of an earthquake acceleration sensor capable of controlling a leaf spring elastic modulus according to an influence of temperature/humidity according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. In the present invention, various modifications may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and will be described in detail in specific details for carrying out the invention. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it is to be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. Should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서의 블록 구성도이다. 1 is a block diagram of an earthquake acceleration sensor capable of controlling a leaf spring elastic modulus according to an influence of temperature/humidity according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서(100)는 발진 회로부(110), 변위 센서(120), 신호 처리부(130), 증폭기(140), DC 반전부(150), CPU(central processing unit)(160), 펄스 발생기(170), 스위치(180)를 포함하도록 구성될 수 있다. Referring to FIG. 1, an
이하, 세부적인 구성에 대하여 설명한다. Hereinafter, a detailed configuration will be described.
발진 회로부(110)는 정현파인 캐리어 주파수(carrier frequency)를 변위 센서(120)로 인가하도록 구성될 수 있다. The
변위 센서(120)는 발진 회로부(110)로부터 공급받은 정현파와 지진동에 상응하는 주파수를 합성하여 AM 전압 신호 Vin을 출력하도록 구성될 수 있다. The
신호 처리부(130)는 변위 센서(120)로부터 출력되는 Vin을 신호 처리하여 신호 Vo를 출력하도록 구성될 수 있다. 한편, 신호 처리부(130)는 Vin을 신호 처리한 후 전류 증폭한 궤환 입력 신호를 변위 센서(120)로 인가하도록 구성될 수 있다. The
신호 처리부(130)는 증폭기 A(미도시), 복조기(미도시), 증폭기 B(미도시), 전류 증폭기(미도시)를 포함하도록 구성될 수 있다. 이하, 세부적인 구성에 대하여 설명한다. The
여기서, 증폭기 A(미도시)는 변위 센서(120)의 제1 도체판(122)으로부터 출력되는 변조파를 1차 증폭하도록 구성될 수 있다. Here, the amplifier A (not shown) may be configured to first amplify the modulated wave output from the
복조기(미도시)는 증폭기 A(미도시)에 의해 증폭된 변조파를 복조하여 외부 케이스의 진동 패턴에 해당하는 전압 신호를 추출하도록 구성될 수 있다. The demodulator (not shown) may be configured to demodulate the modulated wave amplified by the amplifier A (not shown) to extract a voltage signal corresponding to the vibration pattern of the outer case.
증폭기 B(미도시)는 복조기(미도시)에 의해 추출된 전압 신호 Vo를 증폭하도록 구성될 수 있다. 증폭된 전압 신호 Vo는 저항 R1을 거쳐 증포기(140)와 DC 반전부(150)로 입력될 수 있다. Amplifier B (not shown) may be configured to amplify the voltage signal Vo extracted by a demodulator (not shown). The amplified voltage signal Vo may be input to the
전류 증폭기(미도시)는 증폭기 B(미도시)에서 증폭된 전압 신호 Vo를 그 전압 신호의 크기에 비례하는 전류 신호로 변환하여 증폭하도록 구성될 수 있다. 전류 증폭기(미도시)는 이러한 전류 신호를 궤환 입력 신호로서 변위 센서(120)의 1차 코일(126)로 인가하도록 구성될 수 있다. The current amplifier (not shown) may be configured to convert and amplify the voltage signal Vo amplified by the amplifier B (not shown) into a current signal proportional to the magnitude of the voltage signal. A current amplifier (not shown) may be configured to apply such a current signal as a feedback input signal to the
증폭기(140)는 신호 처리부(130)에서 출력되는 신호 Vo를 증폭하여 지진 기록계(200)로 전달하도록 구성될 수 있다. 지진 기록계(200)에서는 지진동을 기록하여 저장하도록 구성될 수 있다. The
DC 반전부(150)는 신호 처리부(130)에서 출력된 신호 Vo에 대해 DC 성분의 반전값 - Vdc를 출력하도록 구성될 수 있다. The
여기서, Vo는 Vac와 Vdc의 합으로 구성될 수 있는데, DC 성분인 Vdc는 판 스프링(121)의 탄성 계수에 대응된다고 볼 수 있다. Vdc는 지진 신호의 성분 분석에 영향을 미치기도 하지만, 지진 가속도 센서(100)의 풀 스케일(full scale)을 직접적으로 변화시키는 근본적 요인이 된다. Vo의 최대값은 지진 가속도 센서(100)의 풀 스케일에 대응되므로 Vdc가 줄어들면 그 만큼 지진 가속도 센서(100)의 풀 스케일이 줄어들게 된다. 즉, Vdc의 DC 오프셋(offset) 전압을 0에 가깝게 유지하면 온도/습도의 변화에 따라 변화하는 판 스프링(121)의 탄성 계수가 일정하게 유지될 수 있다. Here, Vo may be composed of the sum of Vac and Vdc, and it can be seen that the DC component Vdc corresponds to the elastic modulus of the
DC 반전부(150)는 반전 증폭기(151), 저역 필터(152)를 포함하도록 구성될 수 있다. The
여기서, 반전 증폭기(151)는 신호 Vo의 DC 성분인 Vdc에 대한 반전값 - Vdc를 출력하도록 구성될 수 있다. Here, the inverting
저역 필터(152)는 반전 증폭기(151)에서 출력된 반전값 - Vdc에 대하여 지진동 주파수 외에 0. 01 Hz 이하의 DC 성분만 통과시키도록 구성될 수 있다. 저역 필터(152)의 출력 Vr은 3dB 차단주파수가 0. 01 이하이므로 지진동에 의한 주파수 성분은 걸러지고 판 스프링(121)의 탄성 계수 변화치에 해당하는 - Vdc 성분만 남게 된다. The low-
CPU(160)는 DC 반전부(150)에서 출력된 - Vdc를 인식하여 인식된 - Vdc에 해당하는 펄스 신호를 발생하도록 제어할 수 있다. 아울러 CPU(160)는 펄스 신호의 인가를 위해 스위치(180)의 스위칭을 제어할 수 있다. The
펄스 발생기(170)는 CPU(160)의 제어에 의해 펄스 신호를 발생하도록 구성될 수 있다. The
펄스 발생기(170)에서 펄스 신호가 발생되면, CPU(160)의 제어에 따라 스위치(180)는 스위칭 동작을 하여 펄스 신호를 변위 센서(120)의 2차 코일(127)로 인가하도록 구성될 수 있다. When a pulse signal is generated by the
CPU(160)는 평상 시에는 DC 반전부(150)에 연결되어 있지만, - Vdc가 발생하면 펄스 신호 생성을 제어하고 스위치(180)를 펄스 발생기(170)와 2차 코일(127)이 서로 연결되도록 스위칭 제어를 할 수 있다. The
이하에서는 변위 센서(120)에 대해 좀 더 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the
변위 센서(120)는 판 스프링(121), 제1 도체판(122), 제2 도체판(123), 제3 도체판(124), 영구 자석(125), 1차 코일(126), 2차 코일(127)을 포함하도록 구성될 수 있다. 이하, 세부적인 구성에 대하여 설명한다. The
판 스프링(121)은 외부 케이스의 상부 측면(B)에 배치될 수 있다. The
제1 도체판(122)은 얇은 판 형태의 도체로서 반대 측면보다 높이가 높은 외부 케이스의 상부 측면(A)에 한쪽 끝이 고정될 수 있다. The
제2 도체판(123)은 얇은 판 형태의 도체로서 제1 도체판(122)의 상부에 제1 도체판(122)과 소정 간격을 사이에 두고 배치될 수 있다. The
제3 도체판(124)은 얇은 판 형태의 도체로서 제1 도체판(122)의 하부에 제1 도체판(122)과 소정 간격을 사이에 두고 배치되며 한쪽 끝이 반대 측면보다 높이가 낮은 외부 케이스의 상부 측면(B)에 을 통해 결합될 수 있다. The
변위 센서(120)의 구조로 인해 외부 케이스가 상하 진동되었을 때 제1 도체판(122)과 제2 도체판(123)의 간격이 넓어지면 제1 도체판(121)과 제3 도체판(124)의 간격은 좁아지고, 제1 도체판(122)과 제2 도체판(123)의 간격이 좁아지면 제1 도체판(122)과 제3 도체판(124)의 간격은 넓어진다. When the outer case vibrates vertically due to the structure of the
따라서 외부 케이스(35)가 상하 진동되면 제1 도체판(122)과 제2 도체판(123)으로 구성된 커패시터의 용량은 제2 도체판(122)과 제3 도체판(124)으로 구성된 커패시터의 용량에 반비례하게 된다. Therefore, when the outer case 35 vibrates up and down, the capacity of the capacitor composed of the
이에, 제1 도체판(122)은 지진동의 패턴에 비례하는 AM 파 형태의 변조파를 출력할 수 있다. Accordingly, the
영구 자석(125)은 변위 센서(120)의 하단에 고정 배치될 수 있다. The
1차 코일(126)은 2차 코일(127)의 상단에 배치될 수 있다. The
1차 코일(126)은 신호 처리부(130)의 증폭기 B(미도시)로부터 입력되는 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 영구 자석(125)에 대한 전자기력에 의해 변위 센서(120)를 밀어 올리거나 끌어내리도록 구성될 수 있다. The
2차 코일(127)은 영구 자석(124)의 상단 및 1차 코일(126)의 하단에 배치되며, 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 영구 자석(125)에 대한 전자기력에 의해 변위 센서(120)를 밀어 올리거나 끌어내리는 1차 코일(126)을 이용하여 변위 센서(120)와 힘과 크기는 같고 방향이 반대인 전자기력을 발생시켜 힘의 균형을 이루도록 구성될 수 있다. The
2차 코일(127)은 스위치(180)를 통해 인가되는 펄스 신호에 의해 신호 Vo의 Vdc가 상쇄되어 판 스프링(121)의 탄성 계수를 일정하게 유지하도록 구성될 수 있다. The
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described with reference to the above embodiments, those skilled in the art can understand that various modifications and changes can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. There will be.
110: 발진 회로부 120: 변위 센서
121: 판 스프링 122: 제1 도체판
123: 제2 도체판 124: 제3 도체판
125: 영구 자석 126: 1차 코일
127: 2차 코일 130: 신호 처리부
140: 증폭기 150: DC 반전부
151: 반전 증폭기 152: 저역 필터
160: CPU 170: 펄스 발생기
180: 스위치110: oscillation circuit part 120: displacement sensor
121: leaf spring 122: first conductor plate
123: second conductor plate 124: third conductor plate
125: permanent magnet 126: primary coil
127: secondary coil 130: signal processing unit
140: amplifier 150: DC inverting unit
151: inverting amplifier 152: low pass filter
160: CPU 170: pulse generator
180: switch
Claims (4)
상기 발진 회로부(110)로부터 공급받은 정현파와 지진동에 상응하는 주파수가 합성된 AM 전압 신호 Vin을 출력하는 변위 센서(120);
상기 변위 센서(120)로부터 출력되는 Vin을 신호 처리하여 신호 Vo를 출력하고, 상기 Vin을 신호 처리한 후 전류 증폭한 궤환 입력 신호를 상기 변위 센서(120)로 인가하는 신호 처리부(130);
상기 신호 처리부(130)에서 출력되는 신호 Vo를 증폭하여 지진 기록계(200)로 전달하는 신호 증폭기(140);
상기 신호 처리부(130)에서 출력된 신호 Vo에 대해 DC 성분의 반전값 - Vdc를 출력하는 DC 반전부(150);
상기 DC 반전부(150)에서 출력된 - Vdc를 인식하여 인식된 - Vdc에 해당하는 펄스 신호를 발생하도록 제어하고, 상기 펄스 신호의 인가를 위한 스위칭을 제어하는 CPU(central processing unit)(160);
상기 CPU(160)의 제어에 의해 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생기(170);
상기 펄스 발생기(170)에서 펄스 신호가 발생되면, 상기 CPU(160)의 제어에 따른 스위칭 동작에 의해 상기 펄스 신호를 상기 변위 센서(120)로 인가하는 스위치(180)를 포함하고,
상기 DC 반전부(150)는,
상기 신호 Vo의 DC 성분인 Vdc에 대한 반전값 - Vdc를 출력하는 반전 증폭기(151);
상기 반전 증폭기(151)에서 출력된 반전값 - Vdc에 대하여 지진동 주파수 외에 0. 01 Hz 이하의 DC 성분만 통과시키는 저역 필터(152)를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서.
An oscillation circuit unit 110 for supplying a sine wave carrier frequency;
A displacement sensor 120 outputting an AM voltage signal Vin obtained by combining a sine wave supplied from the oscillation circuit unit 110 and a frequency corresponding to the earthquake motion;
A signal processing unit 130 that processes Vin output from the displacement sensor 120 to output a signal Vo, and applies a feedback input signal obtained by signal processing the Vin and amplified current to the displacement sensor 120;
A signal amplifier 140 amplifying the signal Vo output from the signal processing unit 130 and transmitting it to the seismic recorder 200;
A DC inversion unit 150 for outputting an inversion value of a DC component -Vdc with respect to the signal Vo output from the signal processing unit 130;
A central processing unit (CPU) 160 that controls to generate a pulse signal corresponding to -Vdc recognized by recognizing -Vdc output from the DC inverting unit 150, and controls switching for application of the pulse signal ;
A pulse generator 170 for generating a pulse signal under the control of the CPU 160;
When a pulse signal is generated from the pulse generator 170, a switch 180 for applying the pulse signal to the displacement sensor 120 by a switching operation under the control of the CPU 160, and
The DC inverting unit 150,
An inverting amplifier 151 for outputting an inverted value -Vdc for Vdc, which is a DC component of the signal Vo;
Inverted value output from the inverting amplifier 151-A plate according to temperature/humidity influence, characterized in that it comprises a low-pass filter 152 that passes only DC components of 0. 01 Hz or less in addition to the seismic motion frequency for Vdc Seismic acceleration sensor with spring elastic modulus control.
상기 변위 센서(120)는,
외부 케이스의 상부 측면(B)에 배치되는 판 스프링(121);
얇은 판 형태의 도체로서 반대 측면보다 높이가 높은 외부 케이스의 상부 측면(A)에 한쪽 끝이 고정된 제1 도체판(122);
얇은 판 형태의 도체로서 상기 제1 도체판(122)의 상부에 제1 도체판(122)과 소정 간격을 사이에 두고 배치된 제2 도체판(123);
얇은 판 형태의 도체로서 상기 제1 도체판(122)의 하부에 제1 도체판(122)과 소정 간격을 사이에 두고 배치되며 한쪽 끝이 반대 측면보다 높이가 낮은 외부 케이스의 상부 측면(B)을 통해 결합된 제3 도체판(124);
상기 변위 센서(120)의 하단에 고정 배치되는 영구 자석(125);
상기 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 상기 영구 자석(125)에 대한 전자기력에 의해 상기 변위 센서(120)를 밀어 올리거나 끌어내리는 1차 코일(126);
상기 영구 자석(125)의 상단 및 상기 1차 코일(126)의 하단에 배치되며, 상기 궤환 입력 신호의 세기 및 방향에 따라 자계의 세기 및 방향이 달라져 상기 영구 자석(125)에 대한 전자기력에 의해 상기 변위 센서(120)를 밀어 올리거나 끌어내리는 1차 코일(126)을 이용하여 상기 변위 센서(120)와 힘과 크기는 같고 방향이 반대인 전자기력을 발생시켜 힘의 균형을 이루도록 하는 2차 코일(127)을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서.
The method of claim 1,
The displacement sensor 120,
A leaf spring 121 disposed on the upper side (B) of the outer case;
A first conductor plate 122 having one end fixed to an upper side A of the outer case having a height higher than that of the opposite side as a thin plate-shaped conductor;
A second conductor plate 123 disposed on the first conductor plate 122 with a predetermined distance between the first conductor plate 122 as a thin plate-shaped conductor;
As a thin plate-shaped conductor, the upper side (B) of the outer case is disposed under the first conductor plate 122 with a predetermined distance between the first conductor plate 122 and one end is lower than the opposite side A third conductor plate 124 coupled through;
A permanent magnet 125 fixedly disposed at the lower end of the displacement sensor 120;
A primary coil 126 that pushes up or down the displacement sensor 120 by an electromagnetic force applied to the permanent magnet 125 by varying the strength and direction of the magnetic field according to the strength and direction of the feedback input signal;
It is disposed at the upper end of the permanent magnet 125 and at the lower end of the primary coil 126, and the strength and direction of the magnetic field are changed according to the strength and direction of the feedback input signal, so that the electromagnetic force on the permanent magnet 125 A secondary coil that generates an electromagnetic force that has the same force and magnitude as the displacement sensor 120 and the direction is opposite to that of the displacement sensor 120 using a primary coil 126 that pushes up or down the displacement sensor 120 to balance the force An earthquake acceleration sensor capable of controlling a leaf spring elastic modulus according to a temperature/humidity influence, characterized in that it is configured to include (127).
상기 2차 코일(127)은
상기 스위치(180)를 통해 인가되는 펄스 신호에 의해 상기 신호 Vo의 Vdc가 상쇄되어 상기 판 스프링(121)의 탄성 계수를 일정하게 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 온도/습도 영향에 따른 판 스프링 탄성 계수 제어가 가능한 지진 가속도 센서. The method of claim 3,
The secondary coil 127 is
Leaf spring elasticity according to temperature/humidity, characterized in that the Vdc of the signal Vo is canceled by a pulse signal applied through the switch 180 to maintain a constant elastic modulus of the leaf spring 121 Seismic acceleration sensor with coefficient control.
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