KR102203338B1 - Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof - Google Patents

Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102203338B1
KR102203338B1 KR1020190016132A KR20190016132A KR102203338B1 KR 102203338 B1 KR102203338 B1 KR 102203338B1 KR 1020190016132 A KR1020190016132 A KR 1020190016132A KR 20190016132 A KR20190016132 A KR 20190016132A KR 102203338 B1 KR102203338 B1 KR 102203338B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene
substrate
photodetector
multilayer
layers
Prior art date
Application number
KR1020190016132A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200098243A (en
Inventor
장민석
메나브데세르게이
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020190016132A priority Critical patent/KR102203338B1/en
Publication of KR20200098243A publication Critical patent/KR20200098243A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102203338B1 publication Critical patent/KR102203338B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

기판과, 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀 및 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극을 포함하고, 기판의 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는 광 검출기가 제공된다. 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 금속 전극과 벌크 접촉됨으로써 응답성이 높은 광 검출기가 제공될 수 있다. The side of the substrate on which the multilayer graphene is formed, including a substrate, a multilayer graphene including a plurality of graphene layers, and a metal electrode formed on the multilayer graphene to contact each of the plurality of graphene layers A photo detector is provided that generates a current for light irradiated from the opposite side. A photodetector having high responsiveness may be provided by bulk contacting multilayer graphene including a plurality of graphene layers with a metal electrode.

Description

그래파이트 기반의 광 검출기 및 그 제조 방법{GRAPHITE-BASED PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Graphite-based photodetector and its manufacturing method {GRAPHITE-BASED PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

실시예들은 광 검출기에 관한 것으로, 특히, 흑연(graphite)의 다층 구조 특성을 이용하여 조사된 광에 대한 응답성을 향상시키는 광 검출기에 관한 것이다. The embodiments relate to a photodetector, and more particularly, to a photodetector that improves responsiveness to irradiated light by using the multilayer structure property of graphite.

광 검출기는 입사되는 광을 검출하는 장치로서, 입사된 광의 세기를 검출하여 전기 신호를 발생하는 장치이다. 이러한 광 검출기는 광 흡수도가 높은 그래핀(graphene)을 이용하여 구현될 수 있다. The photodetector is a device that detects incident light and generates an electric signal by detecting the intensity of incident light. Such a photo detector may be implemented using graphene having high light absorption.

그러나 2차원의 물질인 그래핀을 사용하는 경우 그래핀의 제한적인 흡수율에 따라, 응답성이 높은 광 검출기를 구현해 내기가 어렵다. 또한, 응답성을 높이기 위해 추가적인 구조를 광 검출기에 대해 도입할 경우 대역폭 특성이 열화되는 문제점이 존재한다.However, when graphene, which is a two-dimensional material, is used, it is difficult to implement a highly responsive photodetector due to the limited absorption rate of graphene. In addition, when an additional structure is introduced for the photodetector to increase responsiveness, there is a problem in that the bandwidth characteristics are deteriorated.

따라서, 광대역의 성능을 가지면서 응답성을 높일 수 있는 그래핀 기반의 광 검출기의 개발이 요구된다.Therefore, there is a need to develop a graphene-based photodetector capable of enhancing responsiveness while having a broadband performance.

한국공개특허 제10-2015-0082728호(공개일 2015년 07월 16일)은 광 검출기에 관한 것으로서, 그래핀 광 전송선로를 기반으로 구현되는 광 검출기에 대해 설명하고 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2015-0082728 (published on July 16, 2015) relates to a photo detector, and describes a photo detector implemented based on a graphene optical transmission line.

상기에서 설명된 정보는 단지 이해를 돕기 위한 것이며, 종래 기술의 일부를 형성하지 않는 내용을 포함할 수 있으며, 종래 기술이 통상의 기술자에게 제시할 수 있는 것을 포함하지 않을 수 있다.The information described above is for illustrative purposes only, may include content that does not form part of the prior art, and may not include what the prior art may present to a person skilled in the art.

일 실시예는 기판과, 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀 및 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극을 포함하고, 기판의 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는 광 검출기를 제공할 수 있다. An embodiment includes a substrate, a multilayer graphene including a plurality of graphene layers formed on the substrate, and a metal electrode formed on the multilayer graphene to contact each of the plurality of graphene layers, and the multilayer graphene of the substrate It is possible to provide a photo detector that generates a current for light irradiated from the side opposite to the side where the pin is formed.

일 측면에 있어서, 기판, 상기 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀 및 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극을 포함하고, 상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는, 광 검출기가 제공된다. In one aspect, comprising a substrate, a multilayer graphene including a plurality of graphene layers formed on the substrate, and a metal electrode formed on the multilayer graphene so as to contact each of the plurality of graphene layers, the A photo detector is provided that generates a current for light irradiated from the side opposite to the side on which the multilayer graphene is formed of the substrate.

상기 다층 그래핀은 흑연(graphite)일 수 있다. The multilayer graphene may be graphite.

상기 복수의 그래핀 레이어들은 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성되고, 상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉할 수 있다. The plurality of graphene layers are formed on the substrate to have a step structure, and a step surface formed by each of the plurality of graphene layers of the stepped structure is the metal electrode and I can contact you.

상기 복수의 그래핀 레이어들은, 상기 복수의 그래핀 레이어들 중 제1 그래핀 레이어가 상기 제1 그래핀 레이어의 위에 형성된 제2 그래핀 레이어보다 더 넓은 표면적을 가짐으로써, 상기 계단형 구조를 갖도록 상기 기판 상에 형성될 수 있다. The plurality of graphene layers have a stepped structure by having a first graphene layer of the plurality of graphene layers having a larger surface area than a second graphene layer formed on the first graphene layer. It may be formed on the substrate.

상기 복수의 그래핀 레이어들의 개수는 200 이상일 수 있다. The number of the plurality of graphene layers may be 200 or more.

상기 기판은 투명 기판일 수 있다. The substrate may be a transparent substrate.

상기 기판은 Al2O3 또는 SiO2를 포함할 수 있다. The substrate may include Al 2 O 3 or SiO 2 .

상기 금속 전극은 Pd 또는 Au를 포함할 수 있다. The metal electrode may include Pd or Au.

상기 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀은 상기 금속 전극과 벌크 접촉(bulk contact)할 수 있다. The multilayered graphene including the plurality of graphene layers may make bulk contact with the metal electrode.

상기 다층 그래핀은 상기 기판에 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각이 하나씩 적층됨으로써 형성될 수 있다. The multilayer graphene may be formed by laminating each of the plurality of graphene layers one by one on the substrate.

상기 금속 전극의 적어도 일부는 상기 기판과 접촉할 수 있다. At least a portion of the metal electrode may contact the substrate.

다른 일 측면에 있어서, 광 검출기의 제조 방법에 있어서, 기판을 제조하는 단계, 상기 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀을 형성하는 단계 및 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 검출기는 상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는, 광 검출기의 제조 방법이 제공된다. In another aspect, in a method of manufacturing a photodetector, manufacturing a substrate, forming a multilayer graphene including a plurality of graphene layers on the substrate, and contacting each of the plurality of graphene layers Forming a metal electrode on the multilayered graphene so that the photodetector generates a current for light irradiated from the side opposite to the side on which the multilayered graphene is formed of the substrate. Is provided.

상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 흑연을 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성할 수 있다. In the forming of the multilayer graphene, the multilayer graphene may be formed by depositing graphite on the substrate.

상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 복수의 그래핀 레이어들을 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성할 수 있다. In the forming of the multilayer graphene, the plurality of graphene layers may be formed on the substrate to have a step structure.

상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉할 수 있다. A step surface formed by each of the plurality of graphene layers having the stepped structure may contact the metal electrode.

상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각을 상기 기판에 하나씩 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성할 수 있다. In the forming of the multilayered graphene, the multilayered graphene may be formed by laminating each of the plurality of graphene layers one by one on the substrate.

복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀을 포함하는 광 검출기가 제공되고, 복수의 그래핀 레이어들이 금속 전극과 벌크 접촉(bulk contact)됨으로써, 조사되는 광에 대해 발생되는 전류의 크기가 증가하게 되는 바 응답성이 향상된 광 검출기가 제공될 수 있다.A photodetector including multilayer graphene including a plurality of graphene layers is provided, and a plurality of graphene layers are in bulk contact with a metal electrode, thereby increasing the amount of current generated for irradiated light. As a result, a photo detector with improved responsiveness can be provided.

우수한 광대역 성능(>50 GHz)을 나타내고, 가시광선 영역부터 근적외선 영역에 이르는 광에 대한 검출 성능이 보장되며, THz 영역에 이르기까지 민감도를 높일 수 있는 광 검출기가 제공될 수 있다. A photodetector that exhibits excellent broadband performance (>50 GHz), guarantees detection performance for light ranging from a visible region to a near infrared region, and increases sensitivity to a THz region may be provided.

다층 그래핀 레이어들을 흑연을 사용하여 구현함으로써, 광 전류를 발생시키는 흑연-금속 전극 접점(접촉면)의 크기를 작게 구현할 수 있고, 따라서, 높은 분해능을 요구하는 센서들에 대해 적용 가능한 광 검출기가 제공될 수 있다. 예컨대, 기존의 CCD와 CMOS 이미지 센서들을 대체하기 위해 사용될 수 있다. By implementing the multi-layered graphene layers using graphite, the size of the graphite-metal electrode contact (contact surface) that generates photocurrent can be reduced, and thus, a photo detector applicable to sensors requiring high resolution is provided. Can be. For example, it can be used to replace conventional CCD and CMOS image sensors.

도 1은 조사된 광에 대해 광 전류를 발생시킴으로써 광을 검출하는 광 검출기를 나타낸다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 형성된 광 검출기를 나타낸다.
도 3은 일 실시예에 따른 광 검출기의 다층 그래핀의 그래핀 레이어들의 층 수에 대한 광 전류의 크기의 변화를 나타낸다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 형성된 광 검출기의 제조 방법을 나타낸다. 1 shows a photo detector that detects light by generating a photo current for irradiated light.
2 shows a photodetector in which multilayer graphene including a plurality of graphene layers is formed on a substrate according to an exemplary embodiment.
3 shows a change in the magnitude of the photocurrent with respect to the number of layers of graphene layers of multilayer graphene of the photodetector according to an exemplary embodiment.
4 illustrates a method of manufacturing a photodetector in which a multilayer graphene including a plurality of graphene layers is formed on a substrate according to an exemplary embodiment.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals in each drawing indicate the same members.

도 1은 조사된 광에 대해 광 전류를 발생시킴으로써 광을 검출하는 광 검출기를 나타낸다. 1 shows a photo detector that detects light by generating a photo current for irradiated light.

도 1을 참조하여 설명되는 광 검출기(100)와 도 2를 참조하여 후술될 실시예의 광 검출기(200)는 그래핀과 금속 전극 간의 접점에서 발생하는 전류(즉, 광열 전류)를 이용하여 광 검출기에 대해 입사되는 광을 검출하는 장치일 수 있다. The photodetector 100 described with reference to FIG. 1 and the photodetector 200 of the embodiment to be described later with reference to FIG. 2 use a current (ie, photothermal current) generated at a contact point between graphene and a metal electrode. It may be a device that detects light incident on the.

이러한 전류는, 제벡(Seebeck) 효과에 따라, 서로 다른 전자 온도를 갖고 있는 부분 사이에서 뜨거운 곳에서 차가운 곳으로 흐르는 전류를 나타낼 수 있다. This current may represent a current flowing from a hot place to a cold place between portions having different electron temperatures according to the Seebeck effect.

도 1에서는 이러한 제벡 효과에 따라 발생되는 광열 전류를 통해 입사된 광을 검출해 내는 광 검출기(100)가 도시되었다. 도시된 S1 및 S2는 제벡 계수(Seebeck coefficient)를 나타낼 수 있다.In FIG. 1, a photo detector 100 that detects incident light through photothermal current generated according to the Seebeck effect is illustrated. S 1 and S 2 shown may represent Seebeck coefficients.

광 검출기(100)는 기판(110)과 기판(110) 상에 형성된 그래핀 레이어(130)와 그래핀 레이어(130)와 접촉하는 전극(120-1, 120-2)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판(110)은 Si와 SiO2가 순차적으로 적층됨으로써 형성될 수 있다. 전극(120-1)은 소스(source) 전극에 대응하고, 전극(120-2)은 드레인(drain) 전극에 대응할 수 있다. 그래핀 레이어(130)는 단일 층 그래핀(Single Layer Graphine; SLG)일 수 있다.The photodetector 100 may include a substrate 110, a graphene layer 130 formed on the substrate 110, and electrodes 120-1 and 120-2 in contact with the graphene layer 130. As shown, the substrate 110 may be formed by sequentially stacking Si and SiO 2 . The electrode 120-1 may correspond to a source electrode, and the electrode 120-2 may correspond to a drain electrode. The graphene layer 130 may be a single layer graphine (SLG).

광 검출기(100)에 대해, 그래핀 레이어(130)가 형성된 방향으로 광이 조사되면, 도시된 것처럼, 그래핀 레이어(130)와 전극(120-1, 120-2) 간의 접점에서 전류가 발생될 수 있다. 즉, 제벡 효과에 의해, 전극(120-1, 120-2)에 대해 광이 조사될 때 전극(120-1, 120-2) 아래의 그래핀과 광이 조사된 그래핀 간의 전자 온도 차이로 인해 광 전류가 흐를 수 있게 된다. When light is irradiated with respect to the photodetector 100 in the direction in which the graphene layer 130 is formed, as shown, a current is generated at the contact point between the graphene layer 130 and the electrodes 120-1 and 120-2. Can be. That is, due to the Seebeck effect, when light is irradiated to the electrodes 120-1 and 120-2, the electron temperature difference between the graphene under the electrodes 120-1 and 120-2 and the graphene irradiated with light As a result, photocurrent can flow.

그래핀은 갭이 없는 전자 에너지 밴드의 특성을 가지므로, 매우 빠르고 대역폭은 ~500GHz인 광대역의 특성을 가질 수 있다. 그러나, 그래핀 레이어(130)를 구성하는 그래핀은 2차원 물질이므로 흡수율이 약 2.3%로 제한되고, 따라서, 결과적인 광 검출기(100)의 입사광에 대한 응답성(responsivity) 또한 매우 떨어지게 될 수 있다. 한편, 광 검출기(100)의 응답성을 높이기 위한 방안으로서 광 검출기(100)에 대해 추가적인 구조를 도입할 경우에는 광 검출기(100)의 대역폭이 열화될 수 있다. Since graphene has a characteristic of an electronic energy band without a gap, it is very fast and has a broadband characteristic of ~500GHz. However, since graphene constituting the graphene layer 130 is a two-dimensional material, the absorption rate is limited to about 2.3%, and thus, the response of the resulting photodetector 100 to incident light may also be very poor. have. On the other hand, when an additional structure is introduced for the photo detector 100 as a way to increase the responsiveness of the photo detector 100, the bandwidth of the photo detector 100 may be deteriorated.

따라서, 후술될 도 2 내지 도 4에서는 이러한 광 검출기(100)의 문제점을 해소할 수 있는 구조의 광 검출기에 대해 설명한다.Accordingly, in FIGS. 2 to 4 to be described later, a photo detector having a structure capable of solving the problems of the photo detector 100 will be described.

도 2는 일 실시예에 따른 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 형성된 광 검출기를 나타낸다. 2 shows a photodetector in which multilayer graphene including a plurality of graphene layers is formed on a substrate according to an exemplary embodiment.

도시된 광 검출기(200)는 기판(210), 기판(210) 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀(230) 및 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 다층 그래핀(230) 상에 형성된 금속 전극(220)을 포함할 수 있다. 광은 기판(210)의 아래쪽에서 조사될 수 있다. 말하자면, 광 검출기(200)는 기판(210)의 다층 그래핀(230)이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시킬 수 있다. The illustrated photodetector 200 includes a substrate 210, a multilayer graphene 230 including a plurality of graphene layers, formed on the substrate 210, and a multilayer graphene to contact each of the plurality of graphene layers. It may include a metal electrode 220 formed on the 230). Light may be irradiated under the substrate 210. In other words, the photodetector 200 may generate a current for light irradiated from the side opposite to the side on which the multilayer graphene 230 of the substrate 210 is formed.

기판(210)은 아래쪽(다층 그래핀(230)이 형성된 측과 반대측)으로부터 조사되는 광을 투과할 수 있도록 투명의 재료로 구성될 수 있다. 예컨대, 기판(210)은 Al2O3 또는 SiO2를 포함할 수 있으나, 투명의 여하한 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 또한, 도시된 기판(210)은 하나의 층으로 도시되었으나 복수의 층이 순차적으로 적층됨에 따라 제조될 수도 있다. The substrate 210 may be made of a transparent material so as to transmit light irradiated from the lower side (the side opposite to the side on which the multilayer graphene 230 is formed). For example, the substrate 210 may include Al 2 O 3 or SiO 2 , but may be manufactured using any transparent material. In addition, although the illustrated substrate 210 is illustrated as a single layer, it may be manufactured as a plurality of layers are sequentially stacked.

금속 전극(220)은 다층 그래핀(230)과 접촉할 수 있고, 조사된 광에 대해 전류를 발생시키기 위한 전극일 수 있다. 금속 전극(220)은 예컨대, Pd 또는 Au를 포함할 수 있다. 금속 전극(220)은 귀금속(또는 그 합금)으로 제조되거나, 또는 여하한 종류의 금속을 사용하여 제조될 수 있다. 또한, 도시된 것처럼 금속 전극(220)의 적어도 일부는 기판(210)과 접촉할 수 있다. The metal electrode 220 may contact the multilayered graphene 230 and may be an electrode for generating a current with respect to the irradiated light. The metal electrode 220 may include, for example, Pd or Au. The metal electrode 220 may be made of a noble metal (or an alloy thereof), or may be made of any kind of metal. Also, as shown, at least a portion of the metal electrode 220 may contact the substrate 210.

금속 전극(220)은 다층 그래핀(230)이 포함하는 그래핀 레이어들의 각각의 층들과 접촉할 수 있다. 예컨대, 다층 그래핀(230)이 포함하는 그래핀 레이어들은 도시된 것처럼 계단형 구조(step structure)를 갖도록 기판(210) 상에 형성될 수 있고, 계단형 구조를 구성하는 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 금속 전극과 접촉할 수 있다. The metal electrode 220 may contact each of the layers of graphene layers included in the multilayer graphene 230. For example, the graphene layers included in the multilayer graphene 230 may be formed on the substrate 210 to have a step structure as shown, and a plurality of graphene layers constituting a stepped structure Each step surface (step surface) may be in contact with the metal electrode.

계단 표면(step surface)은 도시된 금속 전극(220)과 다층 그래핀(230) 간의 접촉면(240)으로서, 각 그래핀 레이어의 금속 전극(220)에 대한 접촉면을 나타낼 수 있다. The step surface is a contact surface 240 between the illustrated metal electrode 220 and the multilayer graphene 230 and may represent a contact surface of each graphene layer with respect to the metal electrode 220.

이와 같이, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들이 금속 전극(220)과 접촉하게 될 수 있다. 금속 전극(220)과 복수의 그래핀 레이어들 간의 접촉은 벌크 접촉(bulk contact)일 수 있다.In this way, a plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 may come into contact with the metal electrode 220. The contact between the metal electrode 220 and the plurality of graphene layers may be a bulk contact.

광 검출기(200)는 금속 전극(220)과 복수의 그래핀 레이어들 간에 벌크 접촉을 형성함으로써, 전극(120-1, 120-2)과 단일한 그래핀 레이어(130)가 단일한 인터페이스에서만 접촉하는 광 검출기(100)에 비해, 조사된 광에 대해 더 큰 광 전류를 발생시킬 수 있다. 다시 말해, 광 검출기(200)는, 전술된 광 검출기(100)에 비해, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀(230)을 금속 전극(220)과 벌크 접촉시킴으로써 광 검출기(200)의 조사된 광에 대한 응답성을 높일 수 있다. The photodetector 200 forms a bulk contact between the metal electrode 220 and a plurality of graphene layers, so that the electrodes 120-1 and 120-2 and a single graphene layer 130 contact only a single interface. Compared to the photo detector 100, a larger photo current may be generated for the irradiated light. In other words, compared to the above-described photodetector 100, the photodetector 200 makes the multilayer graphene 230 including a plurality of graphene layers in bulk contact with the metal electrode 220, Response to irradiated light can be improved.

다층 그래핀(230)의 복수의 그래핀 레이어들은, (그래핀 레이어 각각을 비교할 때) 복수의 그래핀 레이어들 중 제1 그래핀 레이어(230-1)가 제1 그래핀 레이어(230-2)의 위에 형성된 제2 그래핀 레이어(230-2)보다 더 넓은 표면적을 가지도록 형성됨으로써 계단형 구조를 갖도록 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 말하자면, 도시된 것처럼 기판(210)에 가까운 그래핀 레이어 일수록 더 넓은 표면적을 가질 수 있다.In the plurality of graphene layers of the multilayer graphene 230, the first graphene layer 230-1 among the plurality of graphene layers (when comparing each graphene layer) is the first graphene layer 230-2. ) May be formed on the substrate 210 so as to have a stepped structure by being formed to have a larger surface area than the second graphene layer 230-2 formed on top of ). In other words, as shown, the graphene layer closer to the substrate 210 may have a larger surface area.

다층 그래핀(230)은 흑연(graphite)일 수 있다. 흑연은 도시된 바와 같은 복수의 그래핀 레이어들을 포함하고 있을 수 있다. 즉, 기판(210) 상에 흑연을 적층하는 것만으로 도시된 것과 같은 다층 그래핀(230)이 기판(210) 상에 형성될 수 있다.The multilayer graphene 230 may be graphite. Graphite may include a plurality of graphene layers as shown. That is, by simply laminating graphite on the substrate 210, the multilayered graphene 230 as illustrated may be formed on the substrate 210.

또는, 다층 그래핀(230)은 기판(210)에 복수의 그래핀 레이어들의 각각이 하나씩 적층됨으로써 형성된 것일 수 있다. 예컨대, 기판(210) 상에 단일한 그래핀 레이어에 해당하는 그래핀 패턴을 순차적으로 적층하는 것을 통해 다층 그래핀(230)이 기판(210) 상에 형성될 수 있다.Alternatively, the multilayer graphene 230 may be formed by laminating each of a plurality of graphene layers on the substrate 210 one by one. For example, the multilayer graphene 230 may be formed on the substrate 210 by sequentially stacking graphene patterns corresponding to a single graphene layer on the substrate 210.

다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수를 조절하는 것을 통해, 광 검출기(200)의 조사된 광에 대한 응답성을 조절할 수 있다. 예컨대, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수가 많을수록 광 검출기(200)의 조사된 광에 대해 더 큰 광 전류가 발생(즉, 응답성이 증대)될 수 있다.By controlling the number of the plurality of graphene layers included in the multi-layered graphene 230, the responsiveness of the photodetector 200 to the irradiated light may be adjusted. For example, as the number of a plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 increases, a larger photocurrent may be generated (ie, responsiveness) with respect to the irradiated light of the photodetector 200.

다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 수와 조사된 광에 대해 발생하는 광 전류의 크기의 관계에 대해서는 후술될 도 3을 참조하여 더 자세하게 설명한다. The relationship between the number of the plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 and the magnitude of the photocurrent generated with respect to the irradiated light will be described in more detail with reference to FIG. 3 to be described later.

한편, 광 검출기(200)에 광이 조사됨에 따라 발생되는 광 전류는 광 검출기(200)에 인가되는 바이어스 전압에 따라 그 방향이 결정될 수 있다.Meanwhile, the direction of the photocurrent generated as light is irradiated to the photodetector 200 may be determined according to a bias voltage applied to the photodetector 200.

도 1을 참조하여 전술된 기술적 특징에 대한 설명은, 도 2에 대해서도 그대로 적용될 수 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the description of the technical features described above with reference to FIG. 1 may be applied to FIG. 2 as it is, a duplicate description will be omitted.

도 3은 일 실시예에 따른 광 검출기의 다층 그래핀의 그래핀 레이어들의 층 수에 대한 광 전류의 크기의 변화를 나타낸다. 3 shows a change in the magnitude of the photocurrent with respect to the number of layers of graphene layers of multilayer graphene of the photodetector according to an exemplary embodiment.

도 3을 참조하여, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수와 조사된 광에 대해 발생하는 광 전류의 크기의 관계에 대해 더 자세하게 설명한다. Referring to FIG. 3, the relationship between the number of graphene layers included in the multilayer graphene 230 and the magnitude of the photocurrent generated with respect to the irradiated light will be described in more detail.

도시된 그래프의 x축은 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 수를 나타낼 수 있다. y축은 단일 인터페이스에서 그래핀-전극 간의 접촉이 존재하는 경우에 대한 복수의 그래핀 레이어들에서 그래핀-전극 간의 접촉(벌크 접촉)이 이루어지는 경우의 발생되는 광 전류 크기의 비를 나타낼 수 있다.The x-axis of the illustrated graph may represent the number of a plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230. The y-axis may represent a ratio of the magnitude of the photocurrent generated when a graphene-electrode contact (bulk contact) is made in a plurality of graphene layers to a case where a graphene-electrode contact exists in a single interface.

다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수가 200개인 경우에 있어서, 벌크 접촉이 이루어지는 경우 발생되는 광 전류의 크기가 단일 인터페이스에서 그래핀-전극 간의 접촉이 존재하는 경우 발생되는 광 전류의 크기의 약 70배에 해당한다는 것을 확인할 수 있다. In the case where the number of the plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 is 200, the magnitude of the photocurrent generated when the bulk contact is made is generated when there is a contact between the graphene-electrode in a single interface. It can be seen that it is about 70 times the magnitude of the photocurrent.

이러한 결과는, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들(예컨대, 흑연 내에 존재하는 복수의 그래핀 레이어들)과 전극(220)과의 접점(즉, 접촉면)들에서 광의 흡수가 이루어짐에 따라, 각각의 접촉면에서 발생하는 광 전류가 합해져 전체 광 전류의 크기를 구성하기 때문인 것으로 볼 수 있다. This result is that light is absorbed at the contact points (ie, contact surfaces) between the plurality of graphene layers (eg, a plurality of graphene layers present in graphite) included in the multilayer graphene 230 and the electrode 220 It can be seen that this is because the photocurrents generated at each contact surface are added together to constitute the magnitude of the total photocurrent.

말하자면, 실시예의 광 검출기(200)는 흑연으로 구성된 다층 그래핀(230)과 금속 전극(220) 간에 벌크 접촉이 존재함에 따라, 투명한 기판(210)을 통해 조사된 광이 다층 그래핀(230)의 계단형 구조의 접촉면(240)을 비추게 되고, 광 전류는 전극(220)과 접촉하는 각각의 그래핀 레이어들에서 발생하게 되는 바 보다 더 강한 광 반응성이 나타날 수 있게 될 수 있다.That is to say, in the photodetector 200 of the embodiment, as a bulk contact exists between the multilayer graphene 230 made of graphite and the metal electrode 220, the light irradiated through the transparent substrate 210 is multilayered graphene 230 The contact surface 240 of the stepped structure is illuminated, and the photocurrent may exhibit stronger photoreactivity than that generated in each of the graphene layers in contact with the electrode 220.

다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수는 200개 이상일 수 있다. 또는, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수는 100~200개일 수도 있으며, 다층 그래핀(230)이 포함하는 복수의 그래핀 레이어들의 개수에 있어서 특별히 제한은 없다.The number of the plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 may be 200 or more. Alternatively, the number of the plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230 may be 100 to 200, and there is no particular limitation on the number of the plurality of graphene layers included in the multilayer graphene 230.

도 1 및 도 2를 참조하여 전술된 기술적 특징에 대한 설명은, 도 3에 대해서도 그대로 적용될 수 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the description of the technical features described above with reference to FIGS. 1 and 2 may be applied to FIG. 3 as it is, a duplicate description will be omitted.

도 4는 일 실시예에 따른 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 형성된 광 검출기의 제조 방법을 나타낸다. 4 illustrates a method of manufacturing a photodetector in which a multilayer graphene including a plurality of graphene layers is formed on a substrate according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하여서는, 전술된 광 검출기(200)를 제조하는 방법에 대해 더 자세하게 설명한다. With reference to FIG. 4, a method of manufacturing the above-described photo detector 200 will be described in more detail.

단계(410)에서, 기판(210)이 제조될 수 있다. 기판은 박막 형상으로 제조될 수도 있다. 기판(210)은 다층 그래핀(220) 및 금속 전극(210)이 형성되는 기저일 수 있다. 기판(210)은 투명한 물질을 사용하여 제조될 수 있다. In step 410, the substrate 210 may be manufactured. The substrate may be manufactured in a thin film shape. The substrate 210 may be a base on which the multilayer graphene 220 and the metal electrode 210 are formed. The substrate 210 may be manufactured using a transparent material.

단계(420)에서, 기판(210) 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀(230)이 형성될 수 있다. 다층 그래핀(230)은 기판(210) 상에 흑연을 적층함으로써 형성될 수 있다. 또는, 다층 그래핀(230)은 복수의 그래핀 레이어들의 각각을 기판(210)에 하나씩 적층하는 것을 통해 형성될 수도 있다. 그래핀 레이어를 기판(210)에 적층하기 위해서는 기판(210)에 대해 적용되는 여하한 그래핀 패턴 형성 방법이 사용될 수 있다. In step 420, a multilayer graphene 230 including a plurality of graphene layers may be formed on the substrate 210. The multilayer graphene 230 may be formed by laminating graphite on the substrate 210. Alternatively, the multilayer graphene 230 may be formed by laminating each of the plurality of graphene layers one by one on the substrate 210. In order to stack the graphene layer on the substrate 210, any method of forming a graphene pattern applied to the substrate 210 may be used.

다층 그래핀(230)은 복수의 그래핀 레이어들이 계단형 구조(step structure)를 갖도록 기판(210) 상에서 형성될 수 있다.The multilayer graphene 230 may be formed on the substrate 210 so that a plurality of graphene layers have a step structure.

단계(430)에서, 다층 그래핀(230)의 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하는 금속 전극(220)이 다층 그래핀(230) 상에 형성될 수 있다. 금속 전극(220)의 적어도 일부는 기판(210)과 접촉할 수 있다.In step 430, a metal electrode 220 in contact with each of the plurality of graphene layers of the multilayer graphene 230 may be formed on the multilayer graphene 230. At least a portion of the metal electrode 220 may contact the substrate 210.

금속 전극(220)은 계단형 구조를 갖는 다층 그래핀(230)의 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 금속 전극(220)과 접촉하도록 다층 그래핀(230) 상에 형성될 수 있다. 말하자면, 광 검출기(200)에 있어서 금속 전극(220)과 다층 그래핀(230) 간의 인터페이스는 계단 형상이 될 수 있다. The metal electrode 220 is formed on the multi-layered graphene 230 so that a step surface formed by each of the plurality of graphene layers of the multilayered graphene 230 having a stepped structure contacts the metal electrode 220. Can be formed in That is, in the photodetector 200, the interface between the metal electrode 220 and the multilayer graphene 230 may have a step shape.

제조된 광 검출기(200)는 기판(210)의 다층 그래핀(230)이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 광 전류를 발생시킴으로써 광을 검출해 낼 수 있다. The manufactured photodetector 200 may detect light by generating a photocurrent for the light irradiated from the side opposite to the side on which the multilayered graphene 230 is formed of the substrate 210.

도 1 내지 도 3을 참조하여 전술된 기술적 특징에 대한 설명은, 도 4에 대해서도 그대로 적용될 수 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the description of the technical features described above with reference to FIGS. 1 to 3 may be applied to FIG. 4 as it is, a duplicate description will be omitted.

실시예에서 설명된 광 검출기(200)는 우수한 광대역 성능(>50 GHz)을 나타낼 수 있고, 가시광선 영역부터 근적외선 영역에 이르는 광에 대한 검출 성능을 보장할 수 있다. 또한, THz 영역에 이르기까지 민감도가 높게 되도록 구현될 수 있다.The photodetector 200 described in the embodiment may exhibit excellent broadband performance (>50 GHz), and may ensure detection performance for light ranging from a visible region to a near infrared region. In addition, it can be implemented so that the sensitivity is high up to the THz region.

실시예의 광 검출기(200)는 이미지 센서를 구현하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 광 검출기(200)는 i) 최소 300 ~ 2500 nm의 매우 넓은 대역폭 성능(즉, 기존의 300 ~ 1000nm의 대역폭을 갖는 Si 베이스 CMOS 센서들에 비해 우수한 대역폭 성능)을 가지며, ii) 0.1 μm 보다 작은 광 전류 생성을 위한 접촉면 영역이 구현됨에 따라 (1 μm 이상의 픽셀 사이즈를 갖고 있는 현재의 CMOS 센서들에 비해) 매우 높은 분해능을 가지며, iii) 광 검출 요소들이 아닌, 전기회로의 요소들에 의해서만 제한되는 매우 넓은 대역폭 ~10 GHz(즉, 대역폭이 ~2GHz에 불과한 기존의 CMOS에 비해 매우 넓은 대역폭)을 가질 수 있는 이미지 센서를 구현하기 위해 사용될 수 있다.The photo detector 200 of the embodiment may be used to implement an image sensor. For example, the photodetector 200 has i) a very wide bandwidth performance of at least 300 ~ 2500 nm (that is, superior bandwidth performance compared to conventional Si-based CMOS sensors having a bandwidth of 300 ~ 1000 nm), ii) 0.1 μm As the contact surface area for generating a smaller photocurrent is implemented (compared to current CMOS sensors with a pixel size of 1 μm or more), it has a very high resolution, and iii) the elements of the electrical circuit, not the photodetection elements. It can be used to implement an image sensor that can have a very wide bandwidth limited only by ~10 GHz (that is, a very wide bandwidth compared to conventional CMOS whose bandwidth is only ~2 GHz).

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to the embodiment may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like alone or in combination. The program instructions recorded on the medium may be specially designed and configured for the embodiment, or may be known and usable to those skilled in computer software. Examples of computer-readable recording media include magnetic media such as hard disks, floppy disks, and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DVDs, and magnetic media such as floptical disks. -A hardware device specially configured to store and execute program instructions such as magneto-optical media, and ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include not only machine language codes such as those produced by a compiler but also high-level language codes that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware device described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operation of the embodiment, and vice versa.

　이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described by the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible from the above description by those of ordinary skill in the art. For example, the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or components such as a system, structure, device, circuit, etc. described are combined or combined in a form different from the described method, or other components Alternatively, even if substituted or substituted by an equivalent, an appropriate result can be achieved.

Claims (15)

기판;
상기 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀; 및
상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극
을 포함하고,
상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키고,
상기 복수의 그래핀 레이어들은 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성되고,
상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉하는, 광 검출기.Board;
Multilayer graphene including a plurality of graphene layers formed on the substrate; And
Metal electrode formed on the multi-layered graphene so as to contact each of the plurality of graphene layers
Including,
To generate a current for light irradiated from the side opposite to the side where the multilayer graphene is formed of the substrate,
The plurality of graphene layers are formed on the substrate to have a step structure,
The photo detector, wherein a step surface formed by each of the plurality of graphene layers of the stepped structure contacts the metal electrode. 제1항에 있어서,
상기 다층 그래핀은 흑연(graphite)인, 광 검출기.The method of claim 1,
The multilayer graphene is graphite, a photodetector. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 그래핀 레이어들은, 상기 복수의 그래핀 레이어들 중 제1 그래핀 레이어가 상기 제1 그래핀 레이어의 위에 형성된 제2 그래핀 레이어보다 더 넓은 표면적을 가짐으로써, 상기 계단형 구조를 갖도록 상기 기판 상에 형성되는, 광 검출기.The method of claim 1,
The plurality of graphene layers may have the stepped structure by having a first graphene layer of the plurality of graphene layers having a larger surface area than a second graphene layer formed on the first graphene layer. A photo detector formed on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 복수의 그래핀 레이어들의 개수는 200 이상인, 광 검출기.The method of claim 1,
The number of the plurality of graphene layers is 200 or more, the photodetector. 제1항에 있어서,
상기 기판은 투명 기판인, 광 검출기.The method of claim 1,
The substrate is a transparent substrate, photodetector. 제1항에 있어서,
상기 기판은 Al2O3 또는 SiO2를 포함하는, 광 검출기. The method of claim 1,
The substrate comprises Al 2 O 3 or SiO 2 , photodetector. 제1항에 있어서,
상기 금속 전극은 Pd 또는 Au를 포함하는, 광 검출기.The method of claim 1,
The metal electrode comprises Pd or Au, photodetector. 제1항에 있어서,
상기 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀은 상기 금속 전극과 벌크 접촉(bulk contact)하는, 광 검출기.The method of claim 1,
The multilayered graphene including the plurality of graphene layers is in bulk contact with the metal electrode. 제1항에 있어서,
상기 다층 그래핀은 상기 기판에 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각이 하나씩 적층됨으로써 형성되는, 광 검출기. The method of claim 1,
The multilayer graphene is formed by laminating each of the plurality of graphene layers one by one on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 금속 전극의 적어도 일부는 상기 기판과 접촉하는, 광 검출기.The method of claim 1,
At least a portion of the metal electrode is in contact with the substrate. 광 검출기의 제조 방법에 있어서,
기판을 제조하는 단계;
상기 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀을 형성하는 단계; 및
상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 금속 전극을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 광 검출기는 상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키고,
상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는,
상기 복수의 그래핀 레이어들을 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성하고,
상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉하는, 광 검출기의 제조 방법.In the manufacturing method of the photo detector,
Manufacturing a substrate;
Forming a multi-layered graphene including a plurality of graphene layers on the substrate; And
Forming a metal electrode on the multi-layered graphene so as to contact each of the plurality of graphene layers
Including,
The photo detector generates a current for light irradiated from the side opposite to the side on which the multilayer graphene is formed of the substrate,
The step of forming the multilayer graphene,
Forming the plurality of graphene layers on the substrate to have a step structure,
A method of manufacturing a photodetector, wherein a step surface formed by each of the plurality of graphene layers of the stepped structure contacts the metal electrode. 제12항에 있어서,
상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 흑연을 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성하는, 광 검출기의 제조 방법.The method of claim 12,
The step of forming the multilayer graphene,
Forming the multilayer graphene by laminating graphite on the substrate, a method of manufacturing a photodetector. 삭제delete 제12항에 있어서,
상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는,
상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각을 상기 기판에 하나씩 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성하는, 광 검출기의 제조 방법.The method of claim 12,
The step of forming the multilayer graphene,
A method of manufacturing a photodetector, in which the multilayer graphene is formed by laminating each of the plurality of graphene layers one by one on the substrate.
KR1020190016132A 2019-02-12 2019-02-12 Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof KR102203338B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190016132A KR102203338B1 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190016132A KR102203338B1 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200098243A KR20200098243A (en) 2020-08-20
KR102203338B1 true KR102203338B1 (en) 2021-01-15

Family

ID=72293152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190016132A KR102203338B1 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102203338B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085955A (en) * 2003-09-08 2005-03-31 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Photoelectric converter

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101532311B1 (en) * 2012-04-27 2015-06-29 삼성전자주식회사 Photo-detector using graphene and method of manufacturing the same
KR101430650B1 (en) * 2013-01-11 2014-08-19 경희대학교 산학협력단 Photodetector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085955A (en) * 2003-09-08 2005-03-31 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Photoelectric converter

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200098243A (en) 2020-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5801151B2 (en) Infrared detector based on suspended bolometer microplate
CN110392933B (en) Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and electromagnetic wave detection method
US20140319357A1 (en) Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array
JP5964543B2 (en) Bolometer type terahertz wave detector
Buffaz et al. Quantum cascade detectors for very long wave infrared detection
JP2007303927A (en) Photodetector
JP6001063B2 (en) Optical element and photodetector
US10128386B2 (en) Semiconductor structure comprising an absorbing area placed in a focusing cavity
KR101683257B1 (en) Photodetector
KR20110101128A (en) Optical sensor
JP2008071908A (en) Superconductive photodetector
KR102189605B1 (en) Optical detector
WO2014174866A1 (en) Light detector
KR102203338B1 (en) Graphite-based photodetector and manufacturing method thereof
JP2003329515A (en) Bolometric infrared solid-state image sensor
WO2013172273A1 (en) Photodetector
JP5442648B2 (en) Infrared sensor
WO2015159540A1 (en) Terahertz-wave detector
WO2018110309A1 (en) Light detector
JP2010101675A (en) Infrared imaging element and method of manufacturing the same
Abdulwahid et al. Physical modelling of InGaAs–InAlAs APD and PIN photodetectors for> 25 Gb/s data rate applications
JP2018129359A5 (en)
JPH10223880A (en) Quantum well type optical detector
JP2006310427A (en) Optical detector
Esinenco et al. Integrated optical proximity microsensor

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant