KR102202198B1 - Apparatus and Method for Testing Oxide Semiconductor Thin Film - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산화물 반도체 박막에 접속되기 위한 접속부; 상기 산화물 반도체 박막과 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판 중에서 적어도 하나에 연결되는 저감부; 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 발생시키는 전압발생부; 상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압을 가변시키기 위한 전압가변부; 상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압이 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되도록 상기 접속부와 상기 전압발생부 각각에 연결되어서 상기 측정저항을 설정하는 저항부; 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압이 측정되는지에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압을 획득하는 획득부; 및 상기 획득부가 상기 박막전압을 획득한 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출한 후에 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 제어부를 포함하는 산화물 반도체 박막 검사장치 및 산화물 반도체 박막 검사방법에 관한 것이다.The present invention provides a connection part for connecting to an oxide semiconductor thin film; A reduction unit connected to at least one of the oxide semiconductor thin film and the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed; A voltage generator for generating an applied voltage for inspecting the oxide semiconductor thin film; A voltage variable unit for varying the applied voltage generated by the voltage generator; A resistance unit connected to each of the connection unit and the voltage generation unit so that the applied voltage generated by the voltage generation unit is applied to the oxide semiconductor thin film through a measurement resistance to set the measurement resistance; An acquisition unit obtaining a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film according to whether a voltage is measured for the oxide semiconductor thin film; And when the acquisition unit acquires the thin film voltage, the thin film calculated after calculating the thin film current using the resistance voltage applied to the measurement resistance at the time when the thin film voltage was obtained and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained. The present invention relates to an oxide semiconductor thin film inspection apparatus and an oxide semiconductor thin film inspection method including a control unit that calculates a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using current and the thin film voltage.

Description

산화물 반도체 박막 검사장치 및 산화물 반도체 박막 검사방법{Apparatus and Method for Testing Oxide Semiconductor Thin Film}Oxide semiconductor thin film inspection device and oxide semiconductor thin film inspection method {Apparatus and Method for Testing Oxide Semiconductor Thin Film}

본 발명은 산화물 반도체 박막의 전기적 특성 등을 검사하기 위한 산화물 반도체 박막 검사장치 및 산화물 반도체 박막 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to an oxide semiconductor thin film inspection apparatus and an oxide semiconductor thin film inspection method for inspecting electrical properties of an oxide semiconductor thin film.

산화물 반도체(Oxide Semiconductor)는 반도체 중에서 금속 산화물로 만들어진 것으로, 디스플레이장치, 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하는 과정에서 기판 상에 증착되어 산화물 반도체 박막으로 구현될 수 있다. Oxide semiconductors are made of metal oxides among semiconductors, and may be deposited on a substrate in a process of manufacturing a display device, a solar cell, and the like to be implemented as an oxide semiconductor thin film.

예컨대, 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)로 구성된 이그조(IGZO)는 디스플레이장치의 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 과정에서 기판 상에 증착되어 산화물 반도체 박막으로 구현될 수 있다.For example, IGZO composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O) is deposited on a substrate during the manufacturing of a thin film transistor (TFT) of a display device to form an oxide semiconductor thin film. It can be implemented as

종래에는 산화물 반도체 박막 외에 다른 물질로 이루어진 박막들을 증착한 상태에서 산화물 반도체 박막에 대한 전기적 특성을 검사하였다. 이에 따라, 종래에는 산화물 반도체 박막과 다른 박막들 간의 상호 교호작용으로 인해 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하기 어렵고 검사결과의 정확성이 낮은 문제가 있었다.Conventionally, the electrical properties of the oxide semiconductor thin film were examined in a state in which thin films made of a material other than the oxide semiconductor thin film were deposited. Accordingly, conventionally, due to the interaction between the oxide semiconductor thin film and other thin films, it is difficult to test the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself, and the accuracy of the test result is low.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 어려움을 해소할 수 있고, 검사결과의 정확성을 높일 수 있는 산화물 반도체 박막 검사장치 및 산화물 반도체 박막 검사방법에 관한 것이다.The present invention was conceived to solve the above-described problems, and an oxide semiconductor thin film inspection apparatus and oxide semiconductor capable of solving the difficulty of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and increasing the accuracy of the inspection result. It relates to a thin film inspection method.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 다음과 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the above problems, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치는 산화물 반도체 박막에 접속되기 위한 접속부; 상기 산화물 반도체 박막과 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판 중에서 적어도 하나에 연결되는 저감부; 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 발생시키는 전압발생부; 상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압을 가변시키기 위한 전압가변부; 상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압이 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되도록 상기 접속부와 상기 전압발생부 각각에 연결되어서 상기 측정저항을 설정하는 저항부; 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압이 측정되는지에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압을 획득하는 획득부; 및 상기 획득부가 상기 박막전압을 획득한 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출한 후에 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 제어부를 포함할 수 있다.An oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to the present invention comprises: a connection portion for connecting to the oxide semiconductor thin film; A reduction unit connected to at least one of the oxide semiconductor thin film and the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed; A voltage generator for generating an applied voltage for inspecting the oxide semiconductor thin film; A voltage variable unit for varying the applied voltage generated by the voltage generator; A resistance unit connected to each of the connection unit and the voltage generation unit so that the applied voltage generated by the voltage generation unit is applied to the oxide semiconductor thin film through a measurement resistance to set the measurement resistance; An acquisition unit obtaining a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film according to whether a voltage is measured for the oxide semiconductor thin film; And when the acquisition unit acquires the thin film voltage, the thin film calculated after calculating the thin film current using the resistance voltage applied to the measurement resistance at the time when the thin film voltage was obtained and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained. It may include a control unit that calculates a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using current and the thin film voltage.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)을 저감시키기 위한 저감값을 설정하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 인가전압을 인가하는 단계; 상기 인가전압을 기설정된 초기인가값에서 기설정된 최대인가값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계; 상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및 추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.An oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention includes the steps of setting a reduction value for reducing an energy band gap of the oxide semiconductor thin film; Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film; Applying an applied voltage to the oxide semiconductor thin film so that a voltage passing through the measurement resistance is applied; Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the applied voltage from a preset initial applied value to a preset maximum applied value; Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage. can do.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 인가하기 위한 저감전압을 설정하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계; 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 인가전압을 인가하는 단계; 상기 인가전압을 기설정된 초기인가값에서 기설정된 최대인가값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계; 상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및 추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.An oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention includes the steps of setting a reduction voltage for applying to a substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed; Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film; Applying the reduced voltage to the substrate and applying an applied voltage to the oxide semiconductor thin film so that the voltage passing through the measurement resistance is applied; Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the applied voltage from a preset initial applied value to a preset maximum applied value; Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage. can do.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 설정하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 상기 인가전압을 인가하는 단계; 상기 저감전압을 기설정된 초기전압값에서 기설정된 최대전압값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계; 상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및 추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.An oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention includes the steps of setting an applied voltage for inspecting an oxide semiconductor thin film; Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film; Applying a reduced voltage to a substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed, and applying the applied voltage so that a voltage passing through the measurement resistance is applied to the oxide semiconductor thin film; Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the reduced voltage from a preset initial voltage value to a preset maximum voltage value; Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage. can do.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 낮게 조정할 수 있으므로, 상대적으로 낮은 전압을 인가하여 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성을 향상시킬 수 있고, 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사한 검사결과의 정확성을 향상시킬 수 있다.In the present invention, since the energy band gap of the oxide semiconductor thin film can be adjusted to be low, a relatively low voltage is applied to test the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself. Accordingly, according to the present invention, it is possible to improve the easiness of the operation of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself, and improve the accuracy of the test result of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself.

본 발명은 O2 분압율 등과 같은 공정조건, 두께 등과 같은 박막상태 등에 따라 상이한 에너지 밴드갭에 대응되도록 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압을 상이하게 가변시킬 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다.The present invention is implemented so that the voltage applied to the oxide semiconductor thin film can be changed differently to correspond to different energy band gaps depending on the process conditions such as O 2 partial pressure and the state of the thin film such as thickness. Accordingly, the present invention can improve the versatility of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself having various process conditions, thin film states, and the like.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 개략적인 구성도
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치 및 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법을 통해 획득된 파형의 박막전압에 대한 일례를 나타낸 도면
도 6 내지 도 8은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 개략적인 구성도
도 9는 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 개략적인 구성도
도 10은 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치의 비교예에 대한 전압 가변 방식을 설명하기 위한 그래프
도 11은 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 전압 가변 방식을 설명하기 위한 그래프
도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 변형된 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 개략적인 구성도
도 14 내지 도 19는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법에 대한 개략적인 순서도1 and 2 are schematic configuration diagrams of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to the present invention
3 to 5 are views showing an example of a thin film voltage of waveforms obtained through the oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to the present invention and the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention
6 to 8 are schematic configuration diagrams of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to a modified embodiment of the present invention
9 is a schematic configuration diagram of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention
10 is a graph for explaining a voltage varying method for a comparative example of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention
11 is a graph for explaining a voltage variable method for an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention
12 and 13 are schematic configuration diagrams of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention
14 to 19 are schematic flowcharts of an oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention

이하에서는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치에 대한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of an oxide semiconductor thin film inspection apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 디스플레이장치, 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하는 과정에서 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막(미도시)의 전기적 특성을 검사하는 것이다. 예컨대, 상기 산화물 반도체 박막은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)로 구성된 이그조(IGZO)일 수 있다.1 and 2, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention includes an oxide semiconductor thin film (not shown) formed on a substrate in a process of manufacturing a display device, a solar cell, etc. It is to check the electrical characteristics. For example, the oxide semiconductor thin film may be an IGZO composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O).

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 발생시키는 전압발생부(2), 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 가변시키기 위한 전압가변부(3), 측정저항을 설정하는 저항부(4), 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압이 측정되는지에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압을 획득하는 획득부(5), 및 상기 획득부(5)가 상기 박막전압을 획득한 경우 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막검사값을 획득하는 제어부(6)를 포함한다. The oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention comprises a voltage generator 2 for generating an applied voltage for inspecting the oxide semiconductor thin film, and a voltage for varying the applied voltage generated by the voltage generator 2 A variable part 3, a resistance part 4 for setting a measurement resistance, an acquisition part 5 for obtaining a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film according to whether a voltage is measured for the oxide semiconductor thin film, and the acquisition part When (5) obtains the thin film voltage, the control unit 6 obtains a thin film inspection value for the oxide semiconductor thin film using the thin film voltage.

상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)와 상기 산화물 반도체 박막의 사이에 배치되도록 상기 전압발생부(2)에 연결된다. 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압은 상기 저항부(4)에 의해 설정된 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가된다. 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압이 측정되는지에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압을 획득한다. 이 경우, 상기 산화물 반도체 박막의 반도체 특성으로 인해, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압이 에너지 준위의 차이인 밴드 갭(Band Gap)(이하, '에너지 밴드갭'이라 함)에 비해 더 높아야만 전자가 이동하여 전류가 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압이 에너지 밴드갭에 비해 더 낮으면 전류가 흐르지 않으므로, 상기 획득부(5)는 전압을 측정하지 못함에 따라 상기 박막전압을 획득할 수 없게 된다.The resistance part 4 is connected to the voltage generator 2 so as to be disposed between the voltage generator 2 and the oxide semiconductor thin film. The applied voltage generated by the voltage generating unit 2 is applied to the oxide semiconductor thin film through a measurement resistance set by the resistance unit 4. The acquisition unit 5 acquires a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film according to whether a voltage is measured for the oxide semiconductor thin film. In this case, due to the semiconductor characteristics of the oxide semiconductor thin film, electrons only when the voltage applied to the oxide semiconductor thin film is higher than the band gap (hereinafter referred to as'energy band gap'), which is the difference in energy level. Moves and current flows. Accordingly, when the voltage applied to the oxide semiconductor thin film is lower than the energy band gap, current does not flow, and thus the acquisition unit 5 cannot obtain the thin film voltage as the voltage cannot be measured.

이를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)에 있어서, 상기 전압가변부(3)는 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 기설정된 초기인가값과 기설정된 최대인가값 사이에서 가변시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압은 상기 전압가변부(3)에 의해 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변되면서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가된다. 이 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압이 에너지 밴드갭에 비해 더 높아지면 전류가 흐르므로, 상기 획득부(5)는 전압을 측정함에 따라 상기 박막전압을 획득할 수 있게 된다. 상기 획득부(5)가 상기 박막전압을 획득하면, 상기 제어부(6)는 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출한 후에 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출할 수 있다. 이에 따라, 상기 제어부(6)는 상기 박막전류, 상기 박막저항 등이 포함된 박막검사값을 획득할 수 있다.In order to solve this problem, in the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention, the voltage variable part 3 applies the applied voltage generated by the voltage generator 2 to a preset initial applied value and a preset maximum. It can be varied between applied values. Accordingly, the applied voltage generated by the voltage generator 2 is varied between the initial applied value and the maximum applied value by the voltage variable part 3 and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. . In this process, when the voltage applied to the oxide semiconductor thin film is higher than the energy band gap, current flows, so that the acquisition unit 5 can obtain the thin film voltage by measuring the voltage. When the acquisition unit 5 acquires the thin film voltage, the control unit 6 uses the resistance voltage applied to the measurement resistance at the time when the thin film voltage is obtained and the measurement resistance at the time when the thin film voltage is obtained. After the current is calculated, the thin film resistance for the oxide semiconductor thin film may be calculated using the calculated thin film current and the thin film voltage. Accordingly, the control unit 6 may obtain a thin film inspection value including the thin film current and the thin film resistance.

따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can achieve the following effects.

첫째, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압이 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭에 비해 더 높아지도록 조절함으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐르도록 하여 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성을 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사한 검사결과의 정확성을 향상시킬 수 있다.First, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention controls the voltage applied to the oxide semiconductor thin film to be higher than the energy band gap of the oxide semiconductor thin film, so that a current flows through the oxide semiconductor thin film. Thus, it is implemented to inspect the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can improve the ease of work of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself, and the accuracy of the inspection result by examining the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself. Can improve.

둘째, 상기 산화물 반도체 박막은 제조 과정에서의 O2 분압율 등과 같은 공정조건, 두께 등과 같은 박막상태 등에 따라 에너지 밴드갭이 상이하게 구현된다. 상기 산화물 반도체 박막은 부분별로 에너지 밴드갭이 상이하게 구현될 수도 있다. 이와 같은 경우에도, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막의 공정조건, 박막상태 등에 따라 상이한 에너지 밴드갭에 대응되도록 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압을 상이하게 가변시킬 수 있도록 구현된다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막의 부분별로 상이한 에너지 밴드갭에 대응되도록 상기 산화물 반도체 박막의 부분별로 인가되는 전압을 상이하게 가변시킬 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다.Second, the oxide semiconductor thin film may have different energy band gaps depending on process conditions such as O 2 partial pressure during manufacturing, and thin film state such as thickness. The oxide semiconductor thin film may have different energy band gaps for each part. Even in such a case, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can vary the voltage applied to the oxide semiconductor thin film so as to correspond to different energy band gaps according to the process conditions and thin film state of the oxide semiconductor thin film. To be implemented. The oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is implemented to vary the voltage applied to each portion of the oxide semiconductor thin film so as to correspond to different energy band gaps for each portion of the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can improve the versatility of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself having various process conditions, thin film states, and the like.

이하에서는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)가 갖는 상기 전압발생부(2), 상기 전압가변부(3), 상기 저항부(4), 상기 획득부(5), 및 상기 제어부(6)에 관해 첨부된 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the voltage generator 2, the voltage variable part 3, the resistance part 4, the acquisition part 5, and the control part of the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention ( 6) will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 전압발생부(2)는 전압을 발생시키는 것이다. 상기 전압발생부(2)는 상기 인가전압을 발생시킬 수 있다. 상기 인가전압은 상기 전압발생부(2)가 발생시키는 전압 중에서 상기 산화물 반도체 박막을 검사하는데 이용되는 전압을 의미하는 것이다. 상기 전압발생부(2)는 상기 저항부(4)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압은 상기 저항부(4)로 인가될 수 있다. 상기 전압발생부(2)는 배선 등을 통해 상기 저항부(4)에 전기적으로 연결될 수 있다.1 and 2, the voltage generator 2 generates a voltage. The voltage generator 2 may generate the applied voltage. The applied voltage refers to a voltage used to inspect the oxide semiconductor thin film among voltages generated by the voltage generator 2. The voltage generator 2 may be connected to the resistor 4. Accordingly, the applied voltage generated by the voltage generating unit 2 can be applied to the resistance unit 4. The voltage generating unit 2 may be electrically connected to the resistance unit 4 through a wire or the like.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 전압가변부(3)는 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 전압을 가변시키는 것이다. 상기 전압발생부(2)가 상기 인가전압을 발생시킨 경우, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시킬 수 있다. 상기 초기인가값과 상기 최대인가값은 각각 사용자에 의해 미리 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 초기인가값은 0V로 설정되고, 상기 최대인가값은 1200V로 설정될 수 있다. 이 경우, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압이 0V에서부터 1200V까지 증가하도록 상기 인가전압을 가변시킬 수 있다. 상기 인가전압은 상기 전압발생부(2)에 의해 발생된 후에 상기 전압가변부(3)에 의해 가변되면서 상기 저항부(4)로 인가될 수 있다. 상기 전압가변부(3)는 상기 전압발생부(2)에 연결될 수 있다. 상기 전압가변부(3)는 배선 등을 통해 상기 전압발생부(2)에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the voltage variable part 3 varies a voltage generated by the voltage generator 2. When the voltage generator 2 generates the applied voltage, the voltage variable part 3 may vary the applied voltage between the initial applied value and the maximum applied value. The initial applied value and the maximum applied value may be set in advance by the user, respectively. For example, the initial applied value may be set to 0V, and the maximum applied value may be set to 1200V. In this case, the voltage variable part 3 may vary the applied voltage so that the applied voltage increases from 0V to 1200V. The applied voltage may be applied to the resistance unit 4 while being varied by the voltage variable unit 3 after being generated by the voltage generating unit 2. The voltage variable part 3 may be connected to the voltage generator 2. The voltage variable part 3 may be electrically connected to the voltage generator 2 through a wire or the like.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 저항부(4)는 저항을 설정하는 것이다. 상기 저항부(4)는 측정저항을 설정할 수 있다. 상기 측정저항은 상기 저항부(4)가 설정하는 저항 중에서 상기 산화물 반도체 박막을 검사하는데 이용되는 저항을 의미하는 것이다. 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)와 상기 산화물 반도체 박막의 사이에 배치되도록 상기 전압발생부(2)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압은 상기 전압가변부(3)에 의해 가변되면서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가될 수 있다.1 and 2, the resistor unit 4 sets a resistance. The resistance unit 4 may set a measurement resistance. The measurement resistance refers to a resistance used to inspect the oxide semiconductor thin film among the resistances set by the resistance unit 4. The resistance part 4 may be connected to the voltage generator 2 to be disposed between the voltage generator 2 and the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the applied voltage generated by the voltage generator 2 may be varied by the voltage variable part 3 and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance.

상기 저항부(4)는 접속부(10)에 연결될 수도 있다. 상기 접속부(10)는 상기 산화물 반도체 박막에 접속되기 위한 것이다. 상기 접속부(10)가 상기 산화물 반도체 박막에 접속되면, 상기 저항부(4) 및 상기 산화물 반도체 박막은 상기 접속부(10)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 접속부(10)는 복수개의 접속부재들(11, 12)을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수 있다. 상기 접속부재들(11, 12)은 상기 산화물 반도체 박막의 서로 다른 부분에 접속될 수 있다. 상기 접속부(10)는 프로브카드(Probe Card)일 수 있다. 이 경우, 상기 프로브카드가 갖는 복수개의 프로브핀(Probe Pin)이 상기 접속부재들(11, 12)에 해당할 수 있다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 접속부(10)를 포함하여 구현될 수도 있다.The resistance part 4 may be connected to the connection part 10. The connection part 10 is for connecting to the oxide semiconductor thin film. When the connection part 10 is connected to the oxide semiconductor thin film, the resistance part 4 and the oxide semiconductor thin film may be electrically connected to each other through the connection part 10. The connection part 10 may be connected to the oxide semiconductor thin film using a plurality of connection members 11 and 12. The connection members 11 and 12 may be connected to different portions of the oxide semiconductor thin film. The connection part 10 may be a probe card. In this case, a plurality of probe pins of the probe card may correspond to the connection members 11 and 12. The oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented including the connection part 10.

상기 저항부(4)는 저항을 가변시킬 수 있다. 이 경우, 상기 저항부(4)는 복수개의 션트저항을 포함할 수 있다. 상기 션트저항들은 서로 다른 크기의 저항으로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압이 상기 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 저항을 가변시킬 수 있다. 상기 저항부(4)는 션트저항들 중에서 어느 하나가 기본저항으로 설정되도록 상기 전압발생부에 직렬로 연결되고, 나머지 션트저항들이 가변저항으로 설정되도록 상기 기본저항에 직렬로 연결될 수 있다. 상기 가변저항으로 설정된 션트저항들은 서로 간에 병렬로 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압이 상기 기본저항으로 설정된 션트저항만을 거치도록 조절함으로써, 저항을 가변시킬 수 있다. 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압이 상기 기본저항으로 설정된 션트저항 및 상기 가변저항으로 설정된 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 저항을 가변시킬 수 있다.The resistance part 4 may change resistance. In this case, the resistance part 4 may include a plurality of shunt resistors. The shunt resistors may be implemented with resistors of different sizes. Accordingly, the resistance unit 4 can change the resistance by adjusting the voltage applied from the voltage generating unit 2 to selectively pass through any one of the shunt resistors. The resistance unit 4 may be connected in series to the voltage generator so that any one of the shunt resistors is set as a basic resistance, and connected in series to the basic resistance so that the remaining shunt resistors are set as a variable resistance. The shunt resistors set as the variable resistors may be connected to each other in parallel. In this case, the resistance unit 4 may change the resistance by adjusting the voltage applied from the voltage generating unit 2 to pass through only the shunt resistance set as the basic resistance. The resistance unit 4 adjusts the voltage applied from the voltage generating unit 2 to selectively pass through any one of the shunt resistance set as the basic resistance and the shunt resistance set as the variable resistance, thereby changing the resistance. I can.

예컨대, 상기 전압발생부(2)가 상기 인가전압을 발생시킨 경우, 상기 저항부(4)는 상기 인가전압이 상기 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 상기 측정저항을 가변시킬 수 있다. 이 경우, 상기 저항부(4)는 상기 인가전압이 상기 기본저항으로 설정된 션트저항만을 거치도록 조절하거나, 상기 인가전압이 상기 기본저항으로 설정된 션트저항 및 상기 가변저항으로 설정된 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 상기 측정저항을 가변시킬 수도 있다. 상기 최대인가값으로 가변된 인가전압에 의해서도 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 저항부(4)는 상기 측정저항을 가변시킬 수 있다. 상기 측정저항이 가변되면, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압을 다시 상기 초기인가값에서부터 증가시킬 수 있다. 이 경우, 상기 전압가변부(3)가 인가전압을 상기 초기인가값에서 상기 최대인가값 사이에서 가변시키면, 상기 측정저항의 가변으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에는 상이한 전압이 인가될 수 있다. 상기 전압가변부(3)는 상기 측정저항에 따라 상기 초기인가값과 상기 최대인가값을 각각 다르게 설정하여 인가할 수도 있다. 이 경우, 상기 측정저항이 가변되면, 상기 전압가변부(3)는 가변된 측정저항에 대응되는 상기 초기인가값과 상기 최대인가값을 추출하고, 추출된 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 인가전압을 가변시킬 수 있다.For example, when the voltage generator 2 generates the applied voltage, the resistor unit 4 adjusts the applied voltage to selectively pass through any one of the shunt resistors, thereby changing the measurement resistance. I can. In this case, the resistance unit 4 adjusts the applied voltage to pass through only the shunt resistance set as the basic resistance, or any one of the shunt resistance set as the basic resistance and the shunt resistance set as the variable resistance. By adjusting to selectively pass through, the measurement resistance may be varied. When the thin film voltage is not obtained even by the applied voltage changed to the maximum applied value, the resistance unit 4 may change the measurement resistance. When the measurement resistance is varied, the voltage variable part 3 may increase the applied voltage again from the initial applied value. In this case, when the voltage variable part 3 varies the applied voltage between the initial applied value and the maximum applied value, a different voltage may be applied to the oxide semiconductor thin film due to the variation of the measurement resistance. The voltage variable part 3 may set and apply the initial applied value and the maximum applied value differently according to the measured resistance. In this case, when the measurement resistance is varied, the voltage variable unit 3 extracts the initial applied value and the maximum applied value corresponding to the changed measurement resistance, and between the extracted initial applied value and the maximum applied value The applied voltage can be varied at.

이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저항부(4)를 통해 상기 측정저항을 가변시킴으로써, 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 더 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 전압발생부(2)와 상기 전압가변부(3)를 그대로 이용하면서 상기 측정저항의 가변을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압을 변화시킬 수 있으므로, 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성을 더 향상시킬 수 있다.Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can check the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself having various process conditions, thin film states, etc. by varying the measurement resistance through the resistance unit 4. The versatility can be further improved. In addition, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention uses the voltage generator 2 and the voltage variable part 3 as it is, and adjusts the voltage applied to the oxide semiconductor thin film by varying the measurement resistance. Since it can be changed, it is possible to further improve the ease of the operation of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 획득부(5)는 전압을 획득하는 것이다. 상기 획득부(5)는 상기 박막전압을 획득할 수 있다. 상기 박막전압은 상기 획득부(5)가 획득하는 전압 중에서 상기 산화물 반도체 박막에 대해 획득한 전압을 의미하는 것이다. 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정함으로써, 상기 박막전압을 획득할 수 있다. 이 경우, 에너지 밴드갭에 비해 더 낮은 전압이 상기 산화물 반도체 박막에 인가되면, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정하지 못함에 따라 상기 박막전압을 획득할 수 없다. 에너지 밴드갭에 비해 더 높은 전압이 상기 산화물 반도체 박막에 인가되면, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정함에 따라 상기 박막전압을 획득할 수 있다.1 and 2, the acquisition unit 5 acquires a voltage. The acquisition unit 5 may acquire the thin film voltage. The thin film voltage refers to a voltage obtained for the oxide semiconductor thin film among voltages obtained by the acquisition unit 5. The acquisition unit 5 may be electrically connected to the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the acquisition unit 5 may obtain the thin film voltage by measuring the voltage on the oxide semiconductor thin film. In this case, when a voltage lower than that of the energy band gap is applied to the oxide semiconductor thin film, the acquisition unit 5 cannot obtain the thin film voltage because it cannot measure the voltage with respect to the oxide semiconductor thin film. When a voltage higher than the energy band gap is applied to the oxide semiconductor thin film, the acquisition unit 5 may obtain the thin film voltage by measuring a voltage on the oxide semiconductor thin film.

상기 획득부(5)는 상기 접속부(10)에 연결될 수도 있다. 상기 획득부(5)는 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정할 수 있다. 상기 접속부(10)를 통해 전압이 측정되면, 상기 획득부(5)는 측정된 전압을 이용하여 상기 박막전압을 획득할 수 있다. 상기 획득부(5) 및 상기 저항부(4)는 상기 접속부(10)가 갖는 복수개의 접속부재들(11, 12) 중에서 서로 다른 접속부재들(11, 12)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 접속부(10)는 상기 획득부(5)에 연결되는 복수개의 제1접속부재들(11, 11'), 및 상기 제1접속부재들(11, 11')로부터 이격되어 배치된 제2접속부재들(12, 12')을 포함할 수 있다. 상기 제1접속부재들(11, 11')은 일측이 상기 획득부(5)에 연결되고, 타측이 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수 있다. 상기 제2접속부재들(12, 12')은 상기 제1접속부재들(11, 11')이 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수 있다. 상기 제2접속부재들(12, 12') 중에서 어느 하나의 제2접속부재(12)는 상기 저항부(4)에 연결되고, 나머지 하나의 제2접속부재(12')는 상기 전압발생부(2)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 접속부(10)는 4탐침법을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 검사가 이루어지도록 구현될 수 있다.The acquisition unit 5 may be connected to the connection unit 10. The acquisition unit 5 may measure a voltage on the oxide semiconductor thin film through the connection unit 10. When the voltage is measured through the connection part 10, the acquisition part 5 may obtain the thin film voltage by using the measured voltage. The acquisition unit 5 and the resistance unit 4 may be connected to different connecting members 11 and 12 among the plurality of connecting members 11 and 12 of the connecting unit 10. In this case, the connection part 10 is arranged to be spaced apart from the plurality of first connection members 11 and 11 ′ connected to the acquisition part 5 and the first connection members 11 and 11 ′. It may include second connection members 12 and 12'. One side of the first connection members 11 and 11 ′ may be connected to the acquisition unit 5 and the other side may be connected to the oxide semiconductor thin film. The second connection members 12 and 12 ′ may be connected to the oxide semiconductor thin film at a position spaced apart from the position at which the first connection members 11 and 11 ′ are connected to the oxide semiconductor thin film. Among the second connecting members 12 and 12', one second connecting member 12 is connected to the resistance unit 4, and the other second connecting member 12' is the voltage generating unit (2) can be connected. Accordingly, the connection part 10 may be implemented such that the oxide semiconductor thin film is inspected using a four-probe method.

상기 획득부(5)는 상기 제어부(6)에 연결될 수 있다. 상기 획득부(5)는 획득한 박막전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다. 상기 획득부(5)는 무선통신, 유선통신 등을 이용하여 획득한 박막전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다.The acquisition unit 5 may be connected to the control unit 6. The acquisition unit 5 may provide the acquired thin film voltage to the control unit 6. The acquisition unit 5 may provide the thin film voltage acquired through wireless communication, wired communication, or the like to the control unit 6.

도 2를 참고하면, 상기 획득부(5)는 제1계측기구(51)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the acquisition unit 5 may include a first measuring device 51.

상기 제1계측기구(51)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정하는 것이다. 상기 제1계측기구(51)는 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 전기적으로 연결됨으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정할 수 있다. 상기 제1계측기구(51)는 상기 제1접속부재들(11, 11')에 연결될 수 있다. 상기 제1계측기구(51)는 측정한 전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막이 상기 산화물 반도체 박막인 경우, 상기 제1계측기구(51)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압을 측정하여 상기 박막전압을 획득할 수 있다.The first measuring device 51 measures a voltage on the oxide semiconductor thin film. The first measuring device 51 is electrically connected to the oxide semiconductor thin film through the connection part 10, so that a voltage can be measured with respect to the oxide semiconductor thin film. The first measuring device 51 may be connected to the first connecting members 11 and 11 ′. The first measuring device 51 may provide the measured voltage to the controller 6. When the oxide semiconductor thin film is the oxide semiconductor thin film, the first measuring device 51 may obtain the thin film voltage by measuring a voltage on the oxide semiconductor thin film.

도 2를 참고하면, 상기 획득부(5)는 제2계측기구(52)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the acquisition unit 5 may include a second measuring device 52.

상기 제2계측기구(52)는 상기 저항부(4)에 걸린 전압을 측정하는 것이다. 상기 제2계측기구(52)는 상기 저항부(4)의 입구측 및 상기 저항부(4)의 출구측 각각에 연결될 수 있다. 상기 저항부(4)의 입구측은 상기 전압발생부(2)와 상기 저항부(4)의 사이를 의미한다. 상기 저항부(4)의 출구측은 상기 저항부(4)와 상기 산화물 반도체 박막의 사이를 의미한다. 상기 접속부(10)가 구비된 경우, 상기 저항부(4)의 출구측은 상기 저항부(4)와 상기 접속부(10)의 사이를 의미한다. 상기 제2계측기구(52)는 측정한 전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막이 상기 산화물 반도체 박막인 경우, 상기 제2계측기구(52)는 저항전압을 측정할 수 있다. 상기 저항전압은 상기 제2계측기구(52)가 측정하는 전압 중에서 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위해 상기 측정저항에 걸린 전압을 의미하는 것이다. 상기 제2계측기구(52)는 측정한 저항전압 중에서 상기 제1계측기구(51)가 상기 박막전압이 획득된 시점의 저항전압을 추출하고, 추출한 저항전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다.The second measuring device 52 measures a voltage applied to the resistor unit 4. The second measuring device 52 may be connected to an inlet side of the resistance part 4 and an outlet side of the resistance part 4, respectively. The inlet side of the resistance part 4 means between the voltage generating part 2 and the resistance part 4. The outlet side of the resistance part 4 means between the resistance part 4 and the oxide semiconductor thin film. When the connection part 10 is provided, the outlet side of the resistance part 4 means between the resistance part 4 and the connection part 10. The second measuring device 52 may provide the measured voltage to the controller 6. When the oxide semiconductor thin film is the oxide semiconductor thin film, the second measuring device 52 may measure a resistance voltage. The resistance voltage refers to a voltage applied to the measurement resistance to inspect the oxide semiconductor thin film among voltages measured by the second measurement device 52. The second measuring device 52 may extract a resistance voltage at a time when the first measuring device 51 obtains the thin film voltage from among the measured resistance voltages, and provide the extracted resistance voltage to the control unit 6. have.

도 2를 참고하면, 상기 획득부(5)는 제3계측기구(53)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the acquisition unit 5 may include a third measuring device 53.

상기 제3계측기구(52)는 상기 전압발생부(2)에 의해 발생된 후에 상기 전압가변부(3)에 의해 가변된 전압을 측정하는 것이다. 상기 제3계측기구(53)는 상기 전압발생부(2)의 출구측에 연결될 수 있다. 상기 전압발생부(2)의 출구측은 상기 전압발생부(2)와 상기 저항부(4)의 사이를 의미한다. 상기 제3계측기구(53)는 측정한 전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다. 상기 제3계측기구(53)는 상기 저항부(4)에 인가되는 인가전압을 측정할 수 있다. 상기 제3계측기구(53)는 측정한 인가전압 중에서 상기 제1계측기구(51)가 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출하고, 추출한 인가전압을 상기 제어부(6)에 제공할 수 있다.The third measuring device 52 measures a voltage varied by the voltage variable part 3 after being generated by the voltage generator 2. The third measuring device 53 may be connected to an outlet side of the voltage generator 2. The outlet side of the voltage generating unit 2 means between the voltage generating unit 2 and the resistance unit 4. The third measuring device 53 may provide the measured voltage to the controller 6. The third measuring device 53 may measure an applied voltage applied to the resistance unit 4. The third measuring device 53 may extract the applied voltage at the time when the first measuring device 51 obtains the thin film voltage from among the measured applied voltages, and provide the extracted applied voltage to the control unit 6. have.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제어부(6)는 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막검사값을 획득하는 것이다. 상기 제어부(6)는 상기 획득부(5) 및 상기 저항부(4)로부터 제공된 값들을 이용하여 상기 박막검사값을 획득할 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.1 and 2, the control unit 6 obtains a thin film inspection value for the oxide semiconductor thin film. The control unit 6 may obtain the thin film inspection value using values provided from the acquisition unit 5 and the resistance unit 4. Looking at this in detail, it is as follows.

우선, 상기 제어부(6)는 상기 박막전압이 획득된 시점의 저항전압 및 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 상기 박막전류를 산출할 수 있다. 상기 박막전압이 획득된 시점의 저항전압은 상기 제2계측기구(52)로부터 제공될 수 있다. 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항은 상기 저항부(4)로부터 제공될 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막시점이 획득된 시점의 저항전압을 상기 박막시점이 획득된 시점의 측정저항으로 나누는 연산을 통해 상기 박막전류를 산출할 수 있다. 상기 박막전류는 상기 박막검사값에 속할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막전압이 획득된 시점의 저항전압, 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항, 및 산출한 박막전류를 저장할 수 있다.First, the control unit 6 may calculate the thin film current using a resistance voltage at a time when the thin film voltage is acquired and a measured resistance at a time when the thin film voltage is obtained. The resistance voltage at the time when the thin film voltage is acquired may be provided from the second measuring device 52. The measurement resistance at the time when the thin film voltage is obtained may be provided from the resistance unit 4. The control unit 6 may calculate the thin film current by dividing the resistance voltage at the time point at which the thin film time point is acquired by the measured resistance at the time point at which the thin film time point is acquired. The thin film current may belong to the thin film test value. The control unit 6 may store a resistance voltage at a time when the thin film voltage is acquired, a measured resistance at a time when the thin film voltage is obtained, and a calculated thin film current.

다음, 상기 제어부(6)는 산출된 박막전류 및 상기 획득부(5)가 획득한 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출할 수 있다. 상기 획득부(5)가 획득한 박막전압은 상기 제1계측기구(51)로부터 제공될 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막전압을 산출된 박막전류로 나누는 연산을 통해 상기 박막저항을 산출할 수 있다. 상기 박막저항 및 상기 박막전압은 상기 박막검사값에 속할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막저항 및 상기 박막전압을 저장할 수 있다. 상기 제어부(6)는 디스플레이장치(미도시)를 통해 상기 박막검사값이 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수도 있다.Next, the control unit 6 may calculate the thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage obtained by the acquisition unit 5. The thin film voltage obtained by the acquisition unit 5 may be provided from the first measuring device 51. The control unit 6 may calculate the thin film resistance by dividing the thin film voltage by the calculated thin film current. The thin film resistance and the thin film voltage may belong to the thin film test value. The control unit 6 may store the thin film resistance and the thin film voltage. The control unit 6 may control the display device to display the thin film inspection value through a display device (not shown).

상기 제어부(6)는 상기 전압발생부(2), 상기 전압가변부(3), 상기 저항부(4), 및 상기 획득부(5) 각각을 제어할 수도 있다. 상기 전압발생부(2)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 전압을 발생시킬 수 있다. 상기 전압가변부(3)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 전압을 가변시킬 수 있다. 상기 저항부(4)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 저항을 설정할 수 있다. 상기 저항부(4)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 저항을 가변시킬 수도 있다. 상기 획득부(5)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 측정을 수행하고, 측정값 중에서 검사값을 산출하는데 필요한 측정값을 추출할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막검사값을 이용하여 캐리어 이동도(Carrier Mobility)를 산출할 수도 있다.The control unit 6 may control each of the voltage generator 2, the voltage variable part 3, the resistance part 4, and the acquisition part 5. The voltage generator 2 may generate a voltage under the control of the controller 6. The voltage variable part 3 may change a voltage according to the control of the controller 6. The resistance unit 4 may set a resistance under the control of the control unit 6. The resistance unit 4 may change resistance according to the control of the control unit 6. The acquisition unit 5 may perform measurement under the control of the controller 6 and extract a measurement value necessary for calculating a test value from among the measurement values. The controller 6 may calculate a carrier mobility by using the thin film inspection value.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 이동부(20)를 포함할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 접속부(10)를 포함하여 구현될 수 있다.1 and 2, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may include a moving part 20. In this case, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented including the connection part 10.

상기 이동부(20)는 상기 접속부(10)를 이동시키는 것이다. 상기 이동부(20)는 상기 접속부(10)를 이동시킴으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 검사위치를 변경할 수 있다. 상기 접속부(10)가 변경된 검사위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속되면, 변경된 검사위치에 대한 검사가 수행될 수 있다. 상기 이동부(20)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개(N은 1보다 큰 정수)의 검사위치들 모두에 대해 상기 박막검사값이 획득될 때까지 상기 검사위치가 변경되도록 상기 접속부(10)를 이동시킬 수 있다. 예컨대, 상기 이동부(20)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 박막저항이 산출될 때까지 상기 검사위치가 변경되도록 상기 접속부(10)를 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 검사위치별로 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막검사값을 획득할 수 있도록 구현될 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막에 대해 검사위치별로 획득된 박막검사값들은, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 균일도 등을 검증하는데 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막에 대한 정확한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.The moving part 20 moves the connection part 10. The moving part 20 may change the inspection position of the oxide semiconductor thin film by moving the connection part 10. When the connection part 10 is connected to the oxide semiconductor thin film at a changed inspection position, an inspection for the changed inspection position may be performed. The moving part 20 is the connection part to change the test position until the thin film test value is obtained for all of N (N is an integer greater than 1) preset test positions for the oxide semiconductor thin film. 10) can be moved. For example, the moving part 20 may move the connection part 10 so that the test position is changed until the thin film resistance is calculated for all N test positions preset for the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented to obtain a thin film inspection value for the oxide semiconductor thin film for each inspection position. Thin film inspection values obtained for each inspection position of the oxide semiconductor thin film may be used to verify uniformity of the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can contribute to preparing an accurate evaluation standard for the oxide semiconductor thin film.

상기 이동부(20)는 유압실린더 또는 공압실린더를 이용한 실린더방식, 랙기어(Rack Gear)와 피니언기어(Pinion Gear)를 이용한 기어방식, 볼스크류(Ball Screw)와 볼너트(Ball Nut)를 이용한 볼스크류방식, 코일(Coil)과 영구자석을 이용한 리니어모터방식 등을 통해 상기 접속부(10)를 이동시킬 수 있다. 상기 이동부(20)는 상기 접속부(10)가 이동 가능하게 결합되는 갠트리(Gantry)를 포함할 수도 있다.The moving part 20 is a cylinder method using a hydraulic cylinder or a pneumatic cylinder, a gear method using a rack gear and a pinion gear, and a ball screw and a ball nut. The connection part 10 can be moved through a ball screw method, a linear motor method using a coil and a permanent magnet, or the like. The moving part 20 may include a gantry to which the connection part 10 is movably coupled.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)가 상기 이동부(20)를 이용하여 상기 검사위치들 모두에 대해 상기 박막검사값을 획득하도록 구현된 경우, 상기 제어부(6)는 상기 디스플레이장치를 통해 상기 검사위치별로 상기 박막검사값이 구분되어 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 제어부(6)는 상기 검사위치별로 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압, 상기 박막전압이 획득된 시점의 저항전압, 상기 박막전압, 상기 박막전류, 및 상기 박막저항이 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 디스플레이장치를 통해 상기 산화물 반도체 박막 전체에 대한 검사결과를 파악할 수 있는 수치가 별도로 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수도 있다. 예컨대, 상기 제어부(6)는 상기 검사위치들에 대해 획득된 박막전압들, 박막전류들, 및 박막저항들에 대해 최대수치, 최소수치, 평균수치, 및 균일도수치가 별도로 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수 있다.When the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is implemented to obtain the thin film inspection values for all of the inspection positions using the moving unit 20, the control unit 6 controls the display apparatus. Through this, the display device can be controlled so that the thin film inspection values are divided and displayed for each inspection position. For example, the control unit 6 is configured to display the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired, the resistance voltage at the time when the thin film voltage is acquired, the thin film voltage, the thin film current, and the thin film resistance for each of the inspection positions You can control the display device. The control unit 6 may control the display device so that a numerical value capable of grasping the inspection result of the entire oxide semiconductor thin film is separately displayed through the display device. For example, the control unit 6 controls the display device to separately display the maximum, minimum, average, and uniformity values for the thin film voltages, thin film currents, and thin film resistances obtained for the inspection positions. Can be controlled.

도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 스위칭부(7)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may include a switching unit 7.

상기 스위칭부(7)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압을 양(Positive)의 전압 및 음(Negative)의 전압 중에서 어느 하나로 변환하는 것이다. 상기 스위칭부(7)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 인가전압을 양의 전압으로 이루어진 인가전압 또는 음의 전압을 이루어진 인가전압으로 변환할 수 있다. 상기 스위칭부(7)가 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 인가전압을 양의 전압으로 이루어진 인가전압으로 변환한 경우, 상기 산화물 반도체 박막에는 양의 전압으로 이루어진 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 상기 제어부(6)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 획득할 수 있다. 상기 스위칭부(7)가 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 인가전압을 음의 전압으로 이루어진 인가전압으로 변환한 경우, 상기 산화물 반도체 박막에는 음의 전압으로 이루어진 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 상기 제어부(6)는 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 획득할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값 및 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값을 모두 획득할 수 있도록 구현됨으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.The switching unit 7 converts the voltage applied from the voltage generator 2 to one of a positive voltage and a negative voltage. The switching unit 7 may convert an applied voltage applied from the voltage generating unit 2 into an applied voltage made of a positive voltage or an applied voltage made of a negative voltage. When the switching unit 7 converts the applied voltage applied from the voltage generator 2 into an applied voltage made of a positive voltage, a voltage made of a positive voltage may be applied to the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the control unit 6 may obtain the thin film inspection value based on an applied voltage consisting of a positive voltage. When the switching unit 7 converts the applied voltage applied from the voltage generator 2 into an applied voltage made of a negative voltage, a voltage made of a negative voltage may be applied to the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the control unit 6 may obtain the thin film inspection value based on an applied voltage made of a negative voltage. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is implemented to obtain both a thin film inspection value based on an applied voltage made of a positive voltage and a thin film inspection value based on an applied voltage made of a negative voltage. It can contribute to preparing various evaluation criteria for oxide semiconductor thin films.

상기 스위칭부(7)는 상기 전압발생부(2)와 상기 저항부(4)의 사이에서 상기 전압발생부(2)와 상기 저항부(4) 각각에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 전압은 상기 전압가변부(3)에 의해 가변된 후에 상기 스위칭부(7)에 인가되고, 상기 스위칭부(7)에 의해 음의 전압 또는 양의 전압으로 변환된 후에 상기 저항부(4)에 인가될 수 있다. 상기 스위칭부(7)가 구비된 경우, 상기 제2계측기구(52)가 연결된 상기 저항부(4)의 입구측은 상기 스위칭부(7)와 상기 저항부(4)의 사이를 의미한다. 상기 스위칭부(7)가 구비된 경우, 상기 제3계측기구(53)가 연결된 상기 전압발생부(2)의 출구측은 상기 전압발생부(2)와 상기 스위칭부(7)의 사이를 의미한다. 상기 스위칭부(7)는 MOSFET H-Bridge로 구현될 수 있다.The switching unit 7 may be connected to each of the voltage generating unit 2 and the resistance unit 4 between the voltage generating unit 2 and the resistance unit 4. Accordingly, the voltage generated by the voltage generating unit 2 is applied to the switching unit 7 after being varied by the voltage variable unit 3, and a negative voltage or positive voltage is applied by the switching unit 7 It can be applied to the resistor unit 4 after being converted to a voltage of. When the switching unit 7 is provided, the inlet side of the resistance unit 4 to which the second measuring device 52 is connected means between the switching unit 7 and the resistance unit 4. When the switching unit 7 is provided, the outlet side of the voltage generating unit 2 to which the third measuring device 53 is connected means between the voltage generating unit 2 and the switching unit 7 . The switching unit 7 may be implemented as a MOSFET H-Bridge.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 파형발생부(8)를 포함할 수 있다.2 and 3, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may include a waveform generator 8.

상기 파형발생부(8)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압을 이용하여 양의 전압과 음의 전압이 교대로 반복하는 파형의 전압을 생성하는 것이다. 상기 파형발생부(8)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압을 이용하여 구형파의 전압을 생성할 수도 있다. 상기 파형발생부(8)는 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 이용하여 파형의 기준전압을 생성할 수 있다. 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압은 상기 제1계측기구(51)에 의해 추출된 것으로, 상기 제어부(6)에 의해 기준전압으로 설정될 수 있다. 상기 스위칭부(7)에 의해 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막전압 및 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막전압이 모두 획득된 경우, 상기 제어부(6)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 상기 기준전압으로 설정할 수 있다. 상기 전압발생부(2)가 상기 제어부(6)의 제어에 따라 상기 기준전압을 발생시키면, 상기 파형발생부(8)는 상기 기준전압을 이용하여 상기 파형의 기준전압을 생성할 수 있다. 이에 따라, 상기 산화물 반도체 박막에는 상기 파형의 기준전압이 인가될 수 있다. The waveform generator 8 generates a waveform voltage in which a positive voltage and a negative voltage are alternately repeated by using the voltage applied from the voltage generator 2. The waveform generator 8 may generate a voltage of a square wave using the voltage applied from the voltage generator 2. The waveform generator 8 may generate a reference voltage of a waveform by using the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired. The applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired is extracted by the first measuring device 51 and may be set as a reference voltage by the control unit 6. When both the thin film voltage based on the applied voltage made of a positive voltage and the thin film voltage based on the applied voltage made of a negative voltage are obtained by the switching unit 7, the controller 6 is The applied voltage at the time when the thin film voltage based on is obtained may be set as the reference voltage. When the voltage generator 2 generates the reference voltage under the control of the controller 6, the waveform generator 8 may generate the reference voltage of the waveform by using the reference voltage. Accordingly, the reference voltage of the waveform may be applied to the oxide semiconductor thin film.

상기 파형발생부(8)에 의해 생성된 파형의 기준전압이 상기 산화물 반도체 박막에 인가됨에 따라, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대한 파형의 박막전압을 획득할 수 있다. 상기 파형의 기준전압이 구형파 형태로 이루어져서 상기 산화물 반도체 박막에 인가되더라도, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 파형의 박막전압은 구형파 형태(점선으로 도시됨)에서 히스테리시스곡선 형태(실선으로 도시됨)를 이루도록 변화할 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막을 검사하는 동안 상기 산화물 반도체 박막에 축적된 전하로 인해 양의 전압과 음의 전압 간에 전환되는 과정에서 왜곡이 발생하기 때문이다. As the reference voltage of the waveform generated by the waveform generator 8 is applied to the oxide semiconductor thin film, the acquisition unit 5 may acquire the waveform thin film voltage for the oxide semiconductor thin film. Even if the reference voltage of the waveform is made in the form of a square wave and applied to the oxide semiconductor thin film, the thin film voltage of the waveform is in the form of a hysteresis curve (shown as a solid line) in the form of a square wave (shown as a dotted line) It can be changed to achieve. This is because distortion occurs in the process of switching between a positive voltage and a negative voltage due to charges accumulated in the oxide semiconductor thin film while inspecting the oxide semiconductor thin film.

상기 파형발생부(8)에 의해 생성된 파형의 기준전압을 이용하여 상기 파형의 박막전압이 획득된 경우, 상기 제어부(6)는 상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 수준값을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 대해 더 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.When the thin film voltage of the waveform is obtained by using the reference voltage of the waveform generated by the waveform generator 8, the control unit 6 includes a first area value for a positive voltage in the thin film voltage of the waveform and A level value for the oxide semiconductor thin film may be calculated using a second area value for a negative voltage in the waveform thin film voltage. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may contribute to preparing more various evaluation criteria for the oxide semiconductor thin film through the level value. Looking at this in detail, it is as follows.

우선, 상기 제어부(6)는 상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 해당하는 부분(PA, PA')을 적분하는 연산을 통해 상기 제1면적값을 획득할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 기설정된 단위시간(UT, 도 3에 도시됨) 내에서 양의 전압에 해당하는 부분들(PA, PA')의 면적값을 합산함으로써 상기 제1면적값을 획득할 수 있다. 상기 단위시간(UT)은 사용자에 의해 미리 설정될 수 있다.First, the control unit 6 may obtain the first area value through an operation of integrating portions PA and PA' corresponding to a positive voltage from the thin film voltage of the waveform. In this case, the control unit 6 adds the first area value by summing the area values of the portions PA and PA' corresponding to the positive voltage within a preset unit time (UT, shown in FIG. 3). Can be obtained. The unit time UT may be preset by a user.

다음, 상기 제어부(6)는 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 해당하는 부분(NA, NA')을 적분하는 연산을 통해 상기 제2면적값을 획득할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 상기 단위시간(UT) 내에서 음의 전압에 해당하는 부분들(NA, NA')의 면적값을 합산함으로써 상기 제2면적값을 획득할 수 있다.Next, the control unit 6 may obtain the second area value through an operation of integrating portions NA and NA' corresponding to negative voltages from the thin film voltage of the waveform. In this case, the controller 6 may obtain the second area value by summing the area values of the portions NA and NA' corresponding to the negative voltage within the unit time UT.

다음, 상기 제어부(6)는 상기 제1면적값에서 상기 제2면적값을 감산하는 연산을 통해 상기 수준값을 획득할 수 있다. 상기 제1면적값은 P형 반도체에 관련된 성분값이고, 상기 제2면적값은 N형 반도체에 관련된 성분값이다. 따라서, 상기 수준값이 양의 값이면, 상기 산화물 반도체 박막은 P형 반도체에 관련된 성분값이 많다는 것을 의미한다. 상기 수준값이 음의 값이면, 상기 산화물 반도체 박막은 N형 반도체에 관련된 성분값이 많다는 것을 의미하다.Next, the control unit 6 may obtain the level value through an operation of subtracting the second area value from the first area value. The first area value is a component value related to the P-type semiconductor, and the second area value is a component value related to the N-type semiconductor. Therefore, if the level value is a positive value, it means that the oxide semiconductor thin film has many component values related to the P-type semiconductor. If the level value is negative, it means that the oxide semiconductor thin film has many component values related to the N-type semiconductor.

이와 같이, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 상기 수준값을 획득함으로써, 상기 산화물 반도체 박막의 성질에 대한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다. As described above, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may contribute to preparing an evaluation criterion for the properties of the oxide semiconductor thin film by obtaining the level value for the oxide semiconductor thin film.

도 2, 도 4, 및 도 5를 참고하면, 상기 파형발생부(8)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압을 이용하여 양의 전압에 대한 파형의 기준전압과 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성할 수도 있다. 즉, 상기 파형발생부(8)는 양의 전압에 대한 파형의 기준전압 및 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 개별적으로 생성할 수 있다. 상기 파형발생부(8)는 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 이용하여 양의 전압에 대한 파형의 기준전압과 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성할 수 있다. 이에 따라, 상기 산화물 반도체 박막에는 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가된 후에, 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가될 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막에는 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가된 후에, 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가될 수도 있다.2, 4, and 5, the waveform generator 8 uses the voltage applied from the voltage generator 2 to determine the reference voltage of the waveform for the positive voltage and the negative voltage. It is also possible to generate a waveform reference voltage. That is, the waveform generator 8 may individually generate a waveform reference voltage for a positive voltage and a waveform reference voltage for the negative voltage. The waveform generator 8 may generate a waveform reference voltage for a positive voltage and a waveform reference voltage for a negative voltage by using the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired. Accordingly, after the reference voltage of the waveform corresponding to the positive voltage is applied to the oxide semiconductor thin film, the reference voltage of the waveform corresponding to the negative voltage may be applied. After the reference voltage of the waveform with respect to the negative voltage is applied to the oxide semiconductor thin film, the reference voltage of the waveform with respect to the positive voltage may be applied.

상기 파형발생부(8)에 의해 생성된 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 상기 산화물 반도체 박막에 인가됨에 따라, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 양의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득할 수 있다. 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 구형파 형태로 이루어져서 상기 산화물 반도체 박막에 인가되더라도, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압은 구형파 형태(점선으로 도시됨)에서 히스테리시스곡선 형태(실선으로 도시됨)를 이루도록 변화할 수 있다.As the reference voltage of the waveform with respect to the positive voltage generated by the waveform generator 8 is applied to the oxide semiconductor thin film, the acquisition unit 5 generates a waveform with respect to the positive voltage with respect to the oxide semiconductor thin film. The thin film voltage of can be obtained. Even if the reference voltage of the waveform for the positive voltage is formed in the form of a square wave and applied to the oxide semiconductor thin film, as shown in FIG. 4, the thin film voltage of the waveform corresponding to the positive voltage is in the form of a square wave (shown as a dotted line). It can be changed to form a hysteresis curve (shown as a solid line).

상기 파형발생부(8)에 의해 생성된 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 상기 산화물 반도체 박막에 인가됨에 따라, 상기 획득부(5)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 음의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득할 수 있다. 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 구형파 형태로 이루어져서 상기 산화물 반도체 박막에 인가되더라도, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압은 구형파 형태(점선으로 도시됨)에서 히스테리시스곡선 형태(실선으로 도시됨)를 이루도록 변화할 수 있다.As the reference voltage of the waveform with respect to the negative voltage generated by the waveform generator 8 is applied to the oxide semiconductor thin film, the acquisition unit 5 generates a waveform with respect to the negative voltage with respect to the oxide semiconductor thin film. The thin film voltage of can be obtained. Even if the reference voltage of the waveform for the negative voltage is made in the form of a square wave and is applied to the oxide semiconductor thin film, as shown in FIG. 5, the thin film voltage of the waveform for the negative voltage is in the form of a square wave (shown by dotted lines). It can be changed to form a hysteresis curve (shown as a solid line).

상기 파형발생부(8)에 의해 생성된 양의 전압에 대한 파형의 기준전압과 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 이용하여 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압과 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압이 획득된 경우, 상기 제어부(6)는 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 수준값을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 대해 더 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.Using the waveform reference voltage for the positive voltage and the waveform reference voltage for the negative voltage generated by the waveform generator 8, the thin film voltage of the waveform for the positive voltage and the negative voltage are When the waveform thin film voltage is obtained, the control unit 6 is obtained from the first area value for the positive voltage obtained from the waveform thin film voltage for the positive voltage and the thin film voltage of the waveform for the negative voltage. The level value for the oxide semiconductor thin film may be calculated using the second area value for the negative voltage. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may contribute to preparing more various evaluation criteria for the oxide semiconductor thin film through the level value.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 이동부(20)를 이용하여 상기 검사위치들 모두에 대해 상기 수준값을 획득하도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 상기 검사위치별로 상기 제1면적값, 제2면적값, 및 상기 수준값이 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 검사위치들에 대해 획득된 수준값들에 대해 최대수치, 최소수치, 평균수치, 및 균일도수치가 별도로 표시되도록 상기 디스플레이장치를 제어할 수도 있다.The oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented to obtain the level value for all of the inspection positions by using the moving part 20. In this case, the controller 6 may control the display device to display the first area value, the second area value, and the level value for each of the inspection positions. The controller 6 may control the display device to separately display a maximum value, a minimum value, an average value, and a uniformity value with respect to the level values obtained for the inspection positions.

상기 파형발생부(8)는 상기 전압발생부(2)와 상기 저항부(4)의 사이에 연결될 수 있다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)가 상기 스위칭부(7)를 포함하는 경우, 상기 파형발생부(8)는 상기 스위칭부(7)에 연결될 수 있다.The waveform generator 8 may be connected between the voltage generator 2 and the resistor 4. When the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention includes the switching unit 7, the waveform generating unit 8 may be connected to the switching unit 7.

도 1 내지 도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 저감부(9)를 포함할 수 있다.1 to 6, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may include a reduction unit 9.

상기 저감부(9)는 상기 산화물 반도체 박막과 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판 중에서 적어도 하나에 접속되는 것이다. 상기 저감부(9)는 상기 산화물 반도체 박막에 접속되어서 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킴으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있다. 상기 저감부(9)는 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 접속되어서 상기 기판에 저감전압을 인가함으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐를 가능성을 높일 수도 있다. The reduction unit 9 is connected to at least one of the oxide semiconductor thin film and the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed. The reduction unit 9 is connected to the oxide semiconductor thin film to reduce the energy band gap of the oxide semiconductor thin film, thereby increasing the possibility of current flowing through the oxide semiconductor thin film. The reduction unit 9 may be connected to the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed and apply a reduction voltage to the substrate, thereby increasing the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film.

이와 같이 상기 저감부(9)가 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐를 가능성을 높임에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부(9)가 없는 실시예와 대비할 때 상기 산화물 반도체 박막에 더 낮은 전압을 인가하여 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐르도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사한 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 저감부(9)가 없는 실시예는, 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 상당한 크기의 고전압을 인가하여야만 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 저감부(9)가 없는 실시예는 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험이 있다. 이와 달리, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부(9)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킬 수 있으므로, 상기 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사하기 위해 상기 산화물 반도체 박막에 인가하여야 하는 전압을 낮출 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부(9)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있으므로, 유리 기판(Glass Substrate)에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다.In this way, as the reduction unit 9 increases the likelihood that current flows through the oxide semiconductor thin film, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is A lower voltage may be applied to the oxide semiconductor thin film to allow current to flow through the oxide semiconductor thin film. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can further improve the ease of the operation of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself, and the test result of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself The accuracy can be further improved. In addition, in the embodiment without the reduction unit 9, due to the energy band gap of the oxide semiconductor thin film, it is necessary to apply a high voltage of a considerable size to the oxide semiconductor thin film to inspect the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself. Cases can arise. In this case, in the embodiment without the reduction unit 9, there is a risk of damage to the oxide semiconductor thin film due to the voltage applied to the oxide semiconductor thin film. In contrast, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can reduce the energy band gap of the oxide semiconductor thin film by using the reduction unit 9, so that the electrical properties of the oxide semiconductor thin film can be inspected. For this, a voltage to be applied to the oxide semiconductor thin film may be lowered. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can reduce the risk of damage to the oxide semiconductor thin film due to the voltage applied to the oxide semiconductor thin film. On the other hand, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film using the reduction unit 9, so that the oxide semiconductor thin film formed on a glass substrate It is also possible to check the electrical properties.

도 1 내지 도 8을 참고하면, 상기 저감부(9)는 저감부재(91), 및 연결부재(92)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 8, the reduction unit 9 may include a reduction member 91 and a connection member 92.

상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭과 상이한 에너지 밴드갭을 갖는 것이다. 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합될 수 있다. 이에 따라, 상기 저감부(9)는 상기 저감부재(91)와 상기 산화물 반도체 박막 간의 PN 접합을 통해 공핍층(Depletion Layer)이 생성되도록 함으로써, 공핍층에서 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 감소시킬 수 있다. 이 경우, 상기 저감부재(91)는 버퍼 레이어(Buffer Layer) 역할을 하게 된다. 이에 따라, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압은 상기 저감부재(91)에 충전된 후 에너지 밴드갭이 감소된 공핍층을 이용하여 방전되며, 상기 산화물 반도체 박막에 충전될 수 있다. 이러한 충전과 방전이 연속적으로 일어남으로써, 상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킬 수 있다. The reduction member 91 has an energy band gap different from that of the oxide semiconductor thin film. The reduction member 91 may be PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92. Accordingly, the reduction unit 9 creates a depletion layer through the PN junction between the reduction member 91 and the oxide semiconductor thin film, thereby reducing the energy band gap of the oxide semiconductor thin film in the depletion layer. Can be reduced. In this case, the reduction member 91 serves as a buffer layer. Accordingly, the voltage applied to the oxide semiconductor thin film is charged in the reducing member 91 and then discharged using the depletion layer having a reduced energy band gap, and may be charged in the oxide semiconductor thin film. As such charging and discharging occur continuously, the reduction member 91 may reduce the energy band gap of the oxide semiconductor thin film.

이와 같이 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부재(91)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킴으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 더 낮은 전압을 인가하여 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐르도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성 및 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부재(91)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 낮출 수 있으므로, 유리 기판에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다.As described above, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention reduces the energy band gap of the oxide semiconductor thin film using the reduction member 91, thereby applying a lower voltage to the oxide semiconductor thin film. Current can flow through the semiconductor thin film. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can further improve the ease of the operation of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and the accuracy of the inspection result, and the voltage applied to the oxide semiconductor thin film Therefore, it is possible to reduce the risk of damage to the oxide semiconductor thin film. On the other hand, since the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can lower the energy band gap of the oxide semiconductor thin film by using the reduction member 91, electrical properties of the oxide semiconductor thin film formed on the glass substrate It is possible to check.

상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭에 비해 더 작은 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭에 비해 더 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 구현될 수도 있다. 상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭과 상이한 에너지 밴드갭을 갖는 반도체성 물질이면, 상기 산화물 반도체 박막으로 구현될 수도 있다.The reduction member 91 may be formed of a material having a smaller energy band gap than that of the oxide semiconductor thin film. The reduction member 91 may be formed of a material having a larger energy band gap than that of the oxide semiconductor thin film. The reduction member 91 may be implemented as the oxide semiconductor thin film if it is a semiconductor material having an energy band gap different from the energy band gap of the oxide semiconductor thin film.

상기 연결부재(92)는 상기 저감부재(91)와 상기 산화물 반도체 박막을 연결하는 것이다. 상기 연결부재(92)는 상기 저감부재(91)와 상기 산화물 반도체 박막을 전기적으로 연결함으로써, 상기 저감부재(91)를 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합시킬 수 있다.The connection member 92 connects the reduction member 91 and the oxide semiconductor thin film. The connection member 92 may electrically connect the reduction member 91 to the oxide semiconductor thin film, thereby PN bonding the reduction member 91 to the oxide semiconductor thin film.

상기 연결부재(92)는 일측이 상기 저감부재(91)에 연결될 수 있다. 상기 연결부재(92)의 일측은 상기 저감부재(91)의 서로 다른 부분에 접속됨으로써, 상기 저감부재(91)에 연결될 수 있다. 상기 연결부재(92)는 타측이 상기 산화물 반도체 박막에 연결될 수 있다. 상기 연결부재(92)는 타측이 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 연결될 수 있다.One side of the connection member 92 may be connected to the reduction member 91. One side of the connection member 92 may be connected to the reduction member 91 by being connected to different portions of the reduction member 91. The other side of the connecting member 92 may be connected to the oxide semiconductor thin film. The connecting member 92 may have the other side connected to the oxide semiconductor thin film through the connecting portion 10.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 연결부재(92)의 타측은 상기 제2접속부재들(12, 12')에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결부재(92)는 상기 제2접속부재들(12, 12')을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 연결될 수 있다. 이 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2접속부재들(12, 12')은 상기 제1접속부재들(11, 11')의 외측에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2접속부들(12, 12')과 상기 제1접속부재들(11, 11')은 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치에 일렬로 배치되도록 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제2접속부재들(12, 12')과 상기 제1접속부재들(11, 11')은 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치가 직사각형의 꼭짓점 상에 배치되도록 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수도 있다.6 and 7, the other side of the connection member 92 may be connected to the second connection members 12 and 12 ′. Accordingly, the connection member 92 may be connected to the oxide semiconductor thin film through the second connection members 12 and 12 ′. In this case, as shown in FIG. 6, the second connection members 12 and 12 ′ may be disposed outside the first connection members 11 and 11 ′. In this case, the second connection parts 12 and 12 ′ and the first connection members 11 and 11 ′ may be connected to the oxide semiconductor thin film so that they are arranged in a line at a position connected to the oxide semiconductor thin film. . As shown in FIG. 7, the second connection members 12 and 12 ′ and the first connection members 11 and 11 ′ are arranged so that a position connected to the oxide semiconductor thin film is disposed on a vertex of a rectangle. It may be connected to an oxide semiconductor thin film.

도 8에 도시된 바와 같이, 상기 연결부재(92)의 타측은 상기 접속부(10)가 갖는 제3접속부재들(13, 13')에 연결될 수도 있다. 상기 제3접속부재들(13, 13')은 상기 제1접속부재들(11, 11')과 상기 제2접속부재들(12, 12')로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결부재(92)는 상기 제3접속부재들(13, 13')을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 연결될 수 있다. 상기 제3접속부재들(13, 13') 각각은 상기 제2접속부재들(12, 12') 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 연결부재(92)는 상기 제3접속부재들(13, 13')과 상기 제2접속부재들(12, 12')을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 연결될 수 있다. 상기 접속부(10)가 상기 제3접속부재들(13, 13')을 포함하는 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 6탐침법을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 검사가 이루어지도록 구현될 수 있다. As shown in FIG. 8, the other side of the connection member 92 may be connected to the third connection members 13 and 13 ′ of the connection part 10. The third connection members (13, 13') are to be connected to the oxide semiconductor thin film at a position spaced apart from the first connection members (11, 11') and the second connection members (12, 12'). I can. Accordingly, the connection member 92 may be connected to the oxide semiconductor thin film through the third connection members 13 and 13 ′. Each of the third connection members 13 and 13 ′ may be connected to each of the second connection members 12 and 12 ′. In this case, the connection member 92 may be connected to the oxide semiconductor thin film through the third connection members 13 and 13 ′ and the second connection members 12 and 12 ′. When the connection part 10 includes the third connection members 13 and 13 ′, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can inspect the oxide semiconductor thin film using a six probe method. It can be implemented to be done.

도 1 내지 도 8을 참고하면, 상기 저감부(9)는 지지부재(93)를 포함할 수 있다. 1 to 8, the reduction part 9 may include a support member 93.

상기 지지부재(93)는 상기 저감부재(91)를 지지하는 것이다. 상기 저감부재(91)가 상기 지지부재(93)에 지지된 상태에서, 상기 연결부재(92)는 상기 저감부재(91)가 상기 지지부재(93)에 지지된 상태로 유지되도록 상기 저감부재(91)를 가압할 수도 있다. 이 경우, 상기 연결부재(92)는 상기 저감부재(91)에 연결됨과 아울러 상기 저감부재(91)를 가압하는 프로브핀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결부재(92)는 상기 저감부재(91)에 연결된 프로브핀을 상기 접속부(10)에 연결하는 배선을 포함할 수 있다.The support member 93 supports the reduction member 91. In a state in which the reduction member 91 is supported by the support member 93, the connection member 92 maintains the reduction member 91 in a state supported by the support member 93. 91) can also be pressurized. In this case, the connection member 92 may include a probe pin that is connected to the reduction member 91 and presses the reduction member 91. In addition, the connection member 92 may include a wire connecting the probe pin connected to the reduction member 91 to the connection part 10.

상기 지지부재(93)에는 상기 저감부재(91)가 탈부착 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부재(91)를 다른 에너지 밴드갭을 갖는 것으로 교체할 수 있도록 구현된다. 따라서, 상기 지지부재(93)에 결합된 저감부재(91)을 이용하여 상기 박막전압이 미획득된 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감부재(91)에 대한 교체를 통해 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드값을 저감시키는 저감값을 가변시킬 수 있다. 상기 저감값은 상기 저감부재(91)가 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 감소시킬 수 있는 값이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감값에 대한 가변을 통해 더 다양한 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현될 수 있다.The reduction member 91 may be detachably coupled to the support member 93. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is implemented so that the reduction member 91 can be replaced with a one having a different energy band gap. Therefore, when the thin film voltage is not obtained by using the reduction member 91 coupled to the support member 93, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention replaces the reduction member 91 Through this, the reduction value for reducing the energy band value of the oxide semiconductor thin film may be varied. The reduction value is a value capable of reducing the energy band gap of the oxide semiconductor thin film by the reduction member 91. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented to inspect electrical characteristics of more various oxide semiconductor thin films by varying the reduction value.

도 9를 참고하면, 상기 저감부(9)는 저감전압부(94)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the reduction unit 9 may include a reduction voltage unit 94.

상기 저감전압부(94)는 상기 산화물 반도체 박막(100)이 형성된 기판(200)에 상기 저감전압을 인가하는 것이다. 상기 저감전압부(94)는 상기 저감전압을 발생시킨 후에 상기 기판(200)에 인가할 수 있다. 상기 저감전압은 직류 바이어스(DC Bias)일 수 있다. 상기 저감전압부(94)가 상기 기판(200)에 상기 저감전압을 인가함에 따라 전자가 이동할 수 있는 전기장(Electrical Field)가 생성되고, 생성된 전기장을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)의 자유전자(Free Electron)가 가전자대(Valence Band)에서 전도대(Conduction Band)로 이동할 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 저감전압부(94)는 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감전압부(94)가 인가한 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성 및 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감전압부(94)가 인가한 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있으므로, 유리 기판에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다.The reduction voltage unit 94 applies the reduction voltage to the substrate 200 on which the oxide semiconductor thin film 100 is formed. The reduced voltage unit 94 may apply the reduced voltage to the substrate 200 after generating the reduced voltage. The reduced voltage may be a DC bias. As the reduction voltage unit 94 applies the reduction voltage to the substrate 200, an electric field through which electrons can move is generated, and freedom of the oxide semiconductor thin film 100 using the generated electric field Free electrons can move from the valence band to the conduction band. Accordingly, the reduced voltage unit 94 may increase the possibility that current flows through the oxide semiconductor thin film 100. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention improves the ease of inspection of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and the accuracy of the inspection result using the reduced voltage applied by the reduction voltage unit 94. This may be further improved, and the risk of damage to the oxide semiconductor thin film due to the voltage applied to the oxide semiconductor thin film may be reduced. On the other hand, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100 by using the reduced voltage applied by the reduction voltage unit 94, It is also possible to inspect the electrical properties of the formed oxide semiconductor thin film.

상기 저감전압부(94)는 상기 기판(200)의 일면에 접속됨으로써, 상기 기판(200)에 상기 저감전압을 인가할 수 있다. 상기 기판(200)의 타면에는 상기 산화물 반도체 박막(100)이 형성될 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막(100)에는 상기 접속부(10)가 접속될 수 있다.The reduced voltage unit 94 may be connected to one surface of the substrate 200 to apply the reduced voltage to the substrate 200. The oxide semiconductor thin film 100 may be formed on the other surface of the substrate 200. The connection part 10 may be connected to the oxide semiconductor thin film 100.

도 9 내지 도 11을 참고하면, 상기 저감부(9)는 저감가변부(95)를 포함할 수 있다.9 to 11, the reduction unit 9 may include a reduction variable unit 95.

상기 저감가변부(95)는 상기 저감전압부(94)가 인가하는 저감전압을 가변시키는 것이다. 상기 저감가변부(95)는 상기 저감전압부(94)가 발생시킨 저감전압을 가변시킴으로써, 상기 저감전압부(94)가 상기 기판(200)에 인가하는 저감전압을 가변시킬 수 있다. 상기 저감가변부(95)는 상기 저감전압부(94)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 저감가변부(95)와 상기 저감전압부(94)는 모듈화되어 일체로 구현될 수도 있다.The reduction variable unit 95 is for varying the reduction voltage applied by the reduction voltage unit 94. The reduction variable unit 95 may vary a reduction voltage applied by the reduction voltage unit 94 to the substrate 200 by varying the reduction voltage generated by the reduction voltage unit 94. The reduction variable part 95 may be electrically connected to the reduction voltage part 94. The reduction variable unit 95 and the reduction voltage unit 94 may be modularized and implemented integrally.

상기 저감가변부(95)는 저감전압을 초기전압값과 최대전압값 사이에서 가변시킬 수 있다. 상기 초기전압값과 상기 최대전압값은 각각 사용자에 의해 미리 설정될 수 있다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 전압가변부(3)를 이용하여 상기 인가전압을 소정의 크기로 유지시키는 상태에서 상기 저감가변부(95)를 이용하여 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 상기 측정저항을 상기 최대저항값으로 가변시킨 후에도 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압을 가변시킬 수 있다. 이 경우, 상기 전압가변부(3)는 상기 산화물 반도체 박막(100)에 더 큰 인가전압이 인가되도록 가변시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 전압가변부(3)는 가변된 인가전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 더 높일 수 있으므로, 상기 박막전압이 획득될 가능성을 더 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압에 대한 가변을 통해 더 다양한 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현될 수 있다. 상기 최대저항값 및 상기 인가전압을 가변시키는 단위가변값은 각각 사용자에 의해 미리 설정될 수 있다. 상기 전압가변부(3)는 상기 제어부(6, 도 8에 도시됨)의 제어에 따라 상기 인가전압을 가변시킬 수 있다. The reduction variable unit 95 may vary the reduction voltage between an initial voltage value and a maximum voltage value. Each of the initial voltage value and the maximum voltage value may be set in advance by a user. In the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention, the reduced voltage is measured using the reduction variable 95 while maintaining the applied voltage at a predetermined level by using the voltage variable portion 3. Electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected while varying between the initial voltage value and the maximum voltage value. When the thin film voltage is not obtained even after varying the measured resistance to the maximum resistance value, the voltage variable part 3 may change the applied voltage. In this case, the voltage variable part 3 may be varied so that a larger applied voltage is applied to the oxide semiconductor thin film 100. Accordingly, since the voltage variable part 3 can further increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100 using the varied applied voltage, the likelihood of obtaining the thin film voltage can be further increased. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented to inspect electrical properties of more various oxide semiconductor thin films by varying the applied voltage. Each of the maximum resistance value and the unit variable value for varying the applied voltage may be preset by a user. The voltage variable part 3 may vary the applied voltage under the control of the controller 6 (shown in FIG. 8).

상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 전압가변부(3)는 상기 인가전압을 가변시킬 때 연속적이고 누적적으로 전압을 인가하는 연속가변방식으로 상기 인가전압을 가변시키도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 산화물 반도체 박막(100)에 고전압의 인가전압을 인가하는 경우에도, 상기 산화물 반도체 박막(100)의 표면이 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.When the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value, the voltage variable part 3 may gradually increase the applied voltage to change it. Accordingly, the voltage variable part 3 may be implemented to vary the applied voltage in a continuous variable method in which a voltage is continuously and cumulatively applied when the applied voltage is varied. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can prevent damage or damage to the surface of the oxide semiconductor thin film 100 even when a high voltage applied voltage is applied to the oxide semiconductor thin film 100. I can. Looking at this in detail, it is as follows.

우선, 비교예는 상기 전압가변부(3)가 상기 인가전압을 순간적으로 가변시키는 단계가변방식으로 상기 인가전압을 가변시키는 것이다. 도 10에 도시된 바와 같이 상기 산화물 반도체 박막(100, 도 9에 도시됨)에 제1인가전압(FV)이 인가된 상태에서 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 경우, 상기 인가전압은 상기 제1인가전압(FV)에 비해 더 큰 제2인가전압(SV)으로 가변될 수 있다. 이 경우, 비교예는 상기 제1인가전압(FV)이 인가된 상태와 상기 제2인가전압(SV)이 인가된 상태 사이에 상기 인가전압이 미인가된 상태가 존재하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 비교예는 상기 인가전압이 미인가된 상태에서 상기 산화물 반도체 박막(100)에 순간적으로 상기 제2인가전압(SV)을 인가하게 되므로, 상기 산화물 반도체 박막(100)의 표면에 손상이 발생할 위험이 있다. First, in a comparative example, the voltage variable part 3 changes the applied voltage in a step-variable manner in which the applied voltage is instantaneously varied. As shown in FIG. 10, when a first applied voltage (FV) is applied to the oxide semiconductor thin film 100 (shown in FIG. 9), the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value. In one case, the applied voltage may be changed to a second applied voltage SV that is larger than the first applied voltage FV. In this case, the comparative example may be implemented such that a state in which the applied voltage is not applied exists between a state in which the first applied voltage FV is applied and a state in which the second applied voltage SV is applied. Accordingly, in the comparative example, since the second applied voltage (SV) is momentarily applied to the oxide semiconductor thin film 100 while the applied voltage is not applied, damage to the surface of the oxide semiconductor thin film 100 may occur. There is a risk.

다음, 실시예는 상기 전압가변부(3)가 상기 인가전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시키는 연속가변방식으로 상기 인가전압을 가변시킬 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이 상기 산화물 반도체 박막(100, 도 9에 도시됨)에 상기 제1인가전압(FV)이 인가된 상태에서 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 경우, 실시예는 상기 제1인가전압(FV)에 인가된 상태에서 상기 인가전압을 점차적으로 상승시키는 구간(RV)을 거쳐 상기 제2인가전압(SV)으로 가변시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예는 상기 산화물 반도체 박막(100)에 연속적이고 누적적으로 상기 인가전압을 인가함으로써, 상기 산화물 반도체 박막(100)에 충전을 할 수 있는 충분한 확산(Diffusion) 시간이 확보되도록 구현될 수 있다. 따라서, 실시예는 상기 산화물 반도체 박막(100)에 가변된 인가전압을 인가할 때와 상기 산화물 반도체 박막(100)에 고전압의 인가전압을 인가할 때 상기 산화물 반도체 박막(100)의 표면이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실시예는 상기 산화물 반도체 박막(100)의 내부까지 깊고 넓게 인가된 전자가 확산되도록 함으로써, 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있다.Next, in an embodiment, the applied voltage may be varied in a continuous variable method in which the voltage variable part 3 gradually increases and varies the applied voltage. As shown in Fig. 11, when the first applied voltage (FV) is applied to the oxide semiconductor thin film 100 (shown in Fig. 9), the thin film voltage is not obtained and the measured resistance is equal to the maximum resistance value. When reached, the embodiment may change the applied voltage to the second applied voltage SV through a section RV in which the applied voltage is gradually increased while being applied to the first applied voltage FV. Accordingly, the embodiment is implemented to secure a sufficient diffusion time to charge the oxide semiconductor thin film 100 by continuously and cumulatively applying the applied voltage to the oxide semiconductor thin film 100. I can. Accordingly, in the embodiment, when a variable applied voltage is applied to the oxide semiconductor thin film 100 and a high voltage applied to the oxide semiconductor thin film 100 is applied, the surface of the oxide semiconductor thin film 100 is damaged. Can be prevented. In addition, according to the exemplary embodiment, deeply and widely applied electrons are diffused to the inside of the oxide semiconductor thin film 100, thereby increasing the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100.

이와 같이, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 전압가변부(3)가 상기 연속가변방식으로 상기 인가전압을 가변시키도록 구현됨으로써, 상기 산화물 반도체 박막(100)의 표면이 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막(100) 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 더 향상시킬 수 있다.As described above, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention is implemented so that the voltage variable part 3 changes the applied voltage in the continuously variable manner, so that the surface of the oxide semiconductor thin film 100 is damaged. Can be prevented from being damaged. In addition, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can further improve the versatility of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film 100 itself having various process conditions, thin film states, and the like.

여기서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압을 소정의 크기로 유지하는 상태에서 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. Here, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention varies the reduced voltage between the initial voltage value and the maximum voltage value while maintaining the applied voltage at a predetermined level. ) Electrical characteristics can be checked.

검사 결과 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압을 소정의 크기로 유지하는 상태에서 상기 측정저항을 가변시킨 후에 다시 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. As a result of the inspection, when the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention varies the measurement resistance while maintaining the applied voltage at a predetermined level. After that, the reduced voltage may be again varied between the initial voltage value and the maximum voltage value to examine the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100.

검사 결과 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압을 가변시킨 후에 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 이 경우, 상기 인가전압이 가변되면, 상기 측정저항이 초기저항값으로 설정되고 상기 인가전압이 가변된 크기로 유지되는 상태에서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성이 검사될 수 있다. 상기 초기저항값은 사용자에 의해 미리 설정될 수 있다. 상기 측정저항이 상기 초기저항값인 상태에서 상기 박막전압이 획득되지 않으면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압이 가변된 크기로 유지되는 상태에서 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다.As a result of the inspection, when the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention changes the applied voltage and adjusts the reduced voltage to the initial voltage value. The electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected while varying between and the maximum voltage value. In this case, when the applied voltage is varied, the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected while the measured resistance is set to an initial resistance value and the applied voltage is maintained at a variable size. The initial resistance value may be set in advance by a user. If the thin film voltage is not obtained while the measured resistance is the initial resistance value, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention changes the measured resistance while the applied voltage is maintained at a variable size. Later, while varying the reduced voltage between the initial voltage value and the maximum voltage value, the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected.

이에 대해 변형된 실시예로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감전압을 소정의 크기로 유지하는 상태에서 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수도 있다. 이 경우, 상기 전압가변부(3)가 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시킬 수 있다. 상기 저감가변부(95)는 상기 저감전압을 소정의 크기로 유지시킬 수 있다.In a modified embodiment, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention varies the applied voltage between the initial applied value and the maximum applied value while maintaining the reduced voltage at a predetermined level. Electrical properties of the oxide semiconductor thin film 100 may be tested. In this case, the voltage variable part 3 may vary the applied voltage between the initial applied value and the maximum applied value. The reduction variable part 95 may maintain the reduced voltage at a predetermined level.

검사 결과 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감전압을 소정의 크기로 유지하는 상태에서 상기 측정저항을 가변시킨 후에 다시 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. As a result of the inspection, when the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention varies the measurement resistance while maintaining the reduced voltage at a predetermined size. After that, the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected while the applied voltage is again varied between the initial applied value and the maximum applied value.

검사 결과 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 경우, 상기 저감가변부(95)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 저감전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시키는 연속가변방식으로 상기 저감전압을 가변시킬 수 있다. 상기 저감전압이 가변되면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 이 경우, 상기 저감전압이 가변되면, 상기 측정저항이 상기 초기저항값으로 설정되고 상기 저감전압이 가변된 크기로 유지되는 상태에서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성이 검사될 수 있다. 상기 측정저항이 상기 초기저항값인 상태에서 상기 박막전압이 획득되지 않으면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감전압이 가변된 크기로 유지되는 상태에서 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사할 수 있다.As a result of the inspection, when the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value, the reduction variable unit 95 gradually increases the reduced voltage to vary it as shown in FIG. As a result, the reduced voltage can be varied. When the reduced voltage is varied, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention can check the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 while varying the applied voltage between the initial applied value and the maximum applied value. I can. In this case, when the reduced voltage is varied, electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected while the measured resistance is set to the initial resistance value and the reduced voltage is maintained at a variable size. If the thin film voltage is not obtained while the measured resistance is the initial resistance value, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention changes the measured resistance while the reduced voltage is maintained at a variable size. Later, while the applied voltage is varied between the initial applied value and the maximum applied value, the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 may be inspected.

도 12 및 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)는 상기 저감값과 상기 저감전압 모두를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특징을 검사하도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 저감부(9)는 상기 저감부재(91)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)의 에너지 밴드갭을 저감시킴과 아울러 상기 저감전압부(94)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)의 기판(200)에 상기 저감전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 도 12에 도시된 바와 같이 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)를 통해 상기 제2접속부재들(12, 12')에 연결되고, 상기 제2접속부재들(12, 12')을 통해 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)를 통해 상기 제3접속부재들(13, 13')에 연결되고, 상기 제3접속부재들(13, 13')과 상기 제2접속부재들(12, 12')을 통해 상기 산화물 반도체 박막(100)에 연결될 수 있다. 상기 저감전압부(94)는 상기 기판(200)에 접속될 수 있다. 이 경우, 상기 저감전압부(94)가 상기 기판(200)에 인가하는 저감전압은, 상기 저감가변부(95)에 의해 가변될 수 있다.12 and 13, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention may be implemented to inspect the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 using both the reduced value and the reduced voltage. . In this case, the reduction unit 9 uses the reduction member 91 to reduce the energy band gap of the oxide semiconductor thin film 100 and uses the reduction voltage unit 94 to reduce the oxide semiconductor thin film ( The reduced voltage may be applied to the substrate 200 of 100). In this case, as shown in FIG. 12, the reduction member 91 is connected to the second connection members 12 and 12 ′ through the connection member 92, and the second connection members 12, 12') may be electrically connected to the oxide semiconductor thin film 100. As shown in FIG. 13, the reduction member 91 is connected to the third connection members 13 and 13' through the connection member 92, and the third connection members 13 and 13' And the second connection members 12 and 12 ′ may be connected to the oxide semiconductor thin film 100. The reduced voltage unit 94 may be connected to the substrate 200. In this case, the reduction voltage applied by the reduction voltage unit 94 to the substrate 200 may be varied by the reduction variable unit 95.

이하에서는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of an oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 14를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 디스플레이장치, 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하는 과정에서 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사하는 것이다. 예컨대, 상기 산화물 반도체 박막은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)로 구성된 이그조(IGZO)일 수 있다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상술한 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)를 통해 수행될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 14, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention is to inspect electrical properties of an oxide semiconductor thin film formed on a substrate in a process of manufacturing a display device, a solar cell, or the like. For example, the oxide semiconductor thin film may be an IGZO composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O). The method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention can be performed through the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention described above.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막에 대한 1차 검사단계(S100)를 포함할 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)는 상기 기판 상에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해 수행될 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.An oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention may include a first inspection step (S100) for an oxide semiconductor thin film. The first inspection step S100 may be performed on the oxide semiconductor thin film formed on the substrate. The first inspection step (S100) may include the following steps.

이하에서는 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of an oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 14를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 디스플레이장치, 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하는 과정에서 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사하는 것이다. 예컨대, 상기 산화물 반도체 박막은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)로 구성된 이그조(IGZO)일 수 있다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상술한 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사장치(1)를 통해 수행될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 14, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention is to inspect electrical properties of an oxide semiconductor thin film formed on a substrate in a process of manufacturing a display device, a solar cell, or the like. For example, the oxide semiconductor thin film may be an IGZO composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O). The method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention can be performed through the oxide semiconductor thin film inspection apparatus 1 according to the present invention described above.

본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막에 대한 1차 검사단계(S100)를 포함할 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)는 상기 기판 상에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해 수행될 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)는 여러 가지 실시예로 구현될 수 있다. 이러한 실시예들에 대해 순차적으로 살펴보면, 다음과 같다.An oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention may include a first inspection step (S100) for an oxide semiconductor thin film. The first inspection step S100 may be performed on the oxide semiconductor thin film formed on the substrate. The first inspection step S100 may be implemented in various embodiments. Looking at these embodiments sequentially, they are as follows.

도 1 내지 도 14를 참고하면, 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.1 to 14, the first inspection step S100 according to the first embodiment may include the following steps.

우선, 측정저항을 설정한다(S110). 이러한 단계(S110)는 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상기 저항부(4)에 의해 수행될 수 있다.First, the measurement resistance is set (S110). This step (S110) may be performed by setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film. The step of setting the measurement resistance (S110) may be performed by the resistance unit 4.

다음, 인가전압을 인가한다(S120). 이러한 단계(S120)는 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 인가함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 전압발생부(2)가 상기 인가전압을 발생시키고, 상기 전압가변부(3)가 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이와 같이 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변되는 인가전압은 상기 저항부(4)로 인가되어서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막으로 인가될 수 있다.Next, the applied voltage is applied (S120). This step S120 may be performed by applying an applied voltage to inspect the oxide semiconductor thin film. In the step of applying the applied voltage (S120), the voltage generator 2 generates the applied voltage, and the voltage variable part 3 applies the applied voltage generated by the voltage generator 2 initially. This can be accomplished by varying between the value and the maximum applied value. In this way, an applied voltage that varies between the initial applied value and the maximum applied value may be applied to the resistance unit 4 and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance.

다음, 박막전압이 획득되는지를 판단한다(S130). 이러한 단계(S130)는 상기 인가전압이 상기 초기인가값에서 상기 최대인가값으로 가변되면서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 과정에서, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)는 상기 획득부(5)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수도 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 상기 획득부(5)로부터 상기 박막전압이 수신되면, 상기 박막전압이 획득된 것으로 판단할 수 있다.Next, it is determined whether the thin film voltage is obtained (S130). In this step (S130), while the applied voltage is varied from the initial applied value to the maximum applied value and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance, it is determined whether a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film is obtained. It can be done by doing. Determining whether the thin film voltage is acquired (S130) may be performed by the acquisition unit 5. The step of determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed by the control unit 6. In this case, when the thin film voltage is received from the acquisition unit 5, the control unit 6 may determine that the thin film voltage has been acquired.

다음, 상기 박막전압이 획득된 경우, 박막추출값을 획득한다(S140). 이러한 단계(S140)는 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 산화물 반도체 박막에 대한 전기적 특성을 검사하기 위한 값을 추출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140)는 상기 획득부(5)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140)는 저항전압을 추출하는 단계(S141)를 포함할 수 있다. 상기 저항전압을 추출하는 단계(S141)는 상기 획득부(5)가 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 저항전압을 추출하는 단계(S141)는 상기 제2계측기구(52)에 의해 수행될 수도 있다.Next, when the thin film voltage is obtained, a thin film extraction value is obtained (S140). This step (S140) may be performed by extracting a value for checking the electrical properties of the oxide semiconductor thin film at the time when the thin film voltage is obtained. The step of obtaining the thin film extraction value (S140) may be performed by the acquisition unit 5. The step of obtaining the thin film extraction value (S140) may include extracting a resistance voltage (S141). The step of extracting the resistance voltage (S141) may be performed by the acquisition unit 5 extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance at a time when the thin film voltage is obtained. The step of extracting the resistance voltage (S141) may be performed by the second measuring device 52.

다음, 박막검사값을 획득한다(S150). 이러한 단계(S150)는 상기 박막전류와 상기 박막저항이 포함된 박막검사값을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 박막전류를 산출하는 단계(S151), 및 박막저항을 산출하는 단계(S152)를 포함할 수 있다.Next, a thin film inspection value is obtained (S150). This step (S150) may be accomplished by obtaining a thin film inspection value including the thin film current and the thin film resistance. The step of obtaining the thin film inspection value (S150) may be performed by the controller 6. The step of obtaining the thin film inspection value (S150) may include calculating a thin film current (S151), and calculating a thin film resistance (S152).

상기 박막전류를 산출하는 단계(S151)는 상기 저항전압을 추출하는 단계(S141)를 통해 추출된 저항전압 및 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 상기 박막전류를 산출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막전류를 산출하는 단계(S151)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 저항전압을 상기 측정저항으로 나누는 연산을 통해 상기 박막전류를 산출할 수 있다.The step of calculating the thin-film current (S151) may be performed by calculating the thin-film current using the resistive voltage extracted through the step of extracting the resistive voltage (S141) and the measured resistance at the time when the thin-film voltage is obtained. . The step of calculating the thin film current (S151) may be performed by the control unit 6. The control unit 6 may calculate the thin film current by dividing the resistance voltage by the measured resistance.

상기 박막저항을 산출하는 단계(S152)는 상기 박막전류를 산출하는 단계(S151)를 통해 산출된 박막전류 및 상기 박막전압을 이용하여 상기 박막저항을 산출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막저항을 산출하는 단계(S152)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 박막전압을 상기 박막전류로 나누는 연산을 통해 상기 박막저항을 산출할 수 있다.The step of calculating the thin-film resistance (S152) may be performed by calculating the thin-film resistance using the thin-film current and the thin-film voltage calculated through the step of calculating the thin-film current (S151). The step of calculating the thin film resistance (S152) may be performed by the control unit 6. The control unit 6 may calculate the thin film resistance by dividing the thin film voltage by the thin film current.

이와 같이, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 인가전압을 상기 초기인가값에서 상기 최대인가값으로 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압이 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭에 비해 더 높아지도록 조절함으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐르도록 하여 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성을 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사한 검사결과의 정확성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 산화물 반도체 박막의 공정조건, 박막상태 등에 따라 상이한 에너지 밴드갭에 대응되도록 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 전압을 상이하게 가변시킬 수 있으므로, 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다.As described above, in the method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention, the voltage applied to the oxide semiconductor thin film is greater than the energy band gap of the oxide semiconductor thin film while varying the applied voltage from the initial applied value to the maximum applied value. By adjusting so as to be high, electric characteristics of the oxide semiconductor thin film itself can be inspected by allowing current to flow through the oxide semiconductor thin film. Accordingly, the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can improve the ease of inspection of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself, and improve the accuracy of the test result of examining the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself. I can. In addition, the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can vary the voltage applied to the oxide semiconductor thin film differently so as to correspond to different energy band gaps according to the process conditions and thin film state of the oxide semiconductor thin film. , It is possible to improve the versatility to inspect the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself having a thin film state.

도 1 내지 도 14를 참고하면, 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 재수행하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 14, the first inspection step S100 according to the first embodiment may include a re-performing step S160.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)를 재수행함으로써 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 재수행하는 단계(S160)를 통해 상기 측정저항을 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 전기적 특성을 검사할 수 있으므로, 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 더 향상시킬 수 있다. 상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 획득될 때까지 상기 측정저항을 가변시키면서 반복 수행될 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 재수행하는 단계(S160)를 통해 재수행되는 경우, 가변된 측정저항에 대응되는 상기 초기인가값과 상기 최대인가값을 추출하고, 추출된 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 상기 인가전압을 가변시킬 수도 있다. 이 경우, 상기 측정저항에 따라 상기 초기인가값과 상기 최대인가값이 다르게 설정될 수도 있다.The re-performing step (S160) is a step of setting the measurement resistance after varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained (S110), applying the applied voltage (S120), and the thin film voltage It may be accomplished by performing the step (S130) of determining whether or not is obtained. Therefore, in the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention, the electrical properties of the oxide semiconductor thin film can be inspected while varying the measurement resistance through the re-performing step (S160). The versatility of inspecting the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself can be further improved. The re-performing step (S160) may be repeatedly performed while varying the measurement resistance until the thin film voltage is obtained. If the step of applying the applied voltage (S120) is performed again through the step of re-performing (S160), the initial applied value and the maximum applied value corresponding to the changed measurement resistance are extracted, and the extracted initial applied value The applied voltage may be varied between the value and the maximum applied value. In this case, the initial applied value and the maximum applied value may be set differently according to the measurement resistance.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 측정저항을 가변시키는 단계(S161)를 포함할 수 있다. 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)는 상기 저항부(4)에 의해 이루어질 수 있다. 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압이 상기 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 상기 측정저항을 가변시킬 수 있다. 상기 저항부(4)는 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 전압이 상기 기본저항으로 설정된 션트저항 및 상기 가변저항으로 설정된 션트저항들 중에서 어느 하나를 선택적으로 거치도록 조절함으로써, 상기 측정저항을 가변시킬 수도 있다.The re-performing step (S160) may include a step (S161) of varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. The step of varying the measured resistance (S161) may be performed by the resistance unit 4. The resistance unit 4 may change the measurement resistance by adjusting the voltage applied from the voltage generator 2 to selectively pass through any one of the shunt resistors. The resistance unit 4 adjusts the voltage applied from the voltage generator 2 to selectively pass through any one of the shunt resistance set as the basic resistance and the shunt resistance set as the variable resistance, thereby adjusting the measurement resistance. You can also change it.

도 1 내지 도 14를 참고하면, 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 저감값을 설정하는 단계(S170)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 14, the first inspection step S100 according to the first embodiment may include a step S170 of setting a reduction value.

상기 저감값을 설정하는 단계(S170)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감사키기 위한 저감값을 설정하는 것이다. 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)는 상기 저감부재(91)를 상기 연결부재(92)를 통해 상기 접속부(10)에 연결함으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감부재(91)는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭과 대비하여 상이한 에너지 밴드갭을 갖는 것이다. 상기 저감부재(91)는 상기 지지부재(93)에 지지되도록 상기 지지부재(93)에 결합되어서 상기 연결부재(92)를 통해 상기 접속부(10)에 연결될 수 있다. 상기 접속부(10)가 상기 산화물 반도체 박막에 접속되면, 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합됨으로써 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킬 수 있다. The step of setting the reduction value (S170) is to set a reduction value for reducing the energy band gap of the oxide semiconductor thin film. The step of setting the reduction value (S170) may be performed by connecting the reduction member 91 to the connection part 10 through the connection member 92. The reducing member 91 has an energy band gap different from that of the oxide semiconductor thin film. The reduction member 91 may be coupled to the support member 93 so as to be supported by the support member 93 and may be connected to the connection part 10 through the connection member 92. When the connection part 10 is connected to the oxide semiconductor thin film, the reduction member 91 is PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10, thereby reducing the energy of the oxide semiconductor thin film. The band gap can be reduced.

이에 따라, 본 발명에 따른 상기 산화물 반도체 박막에 더 낮은 전압을 인가하여 상기 산화물 반도체 박막에 전류가 흐르도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성 및 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감부재(91)를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 낮출 수 있으므로, 유리 기판에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다. 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)는 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)가 수행되기 이전에 수행될 수 있다.Accordingly, by applying a lower voltage to the oxide semiconductor thin film according to the present invention, it is possible to allow current to flow through the oxide semiconductor thin film. Therefore, the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can further improve the ease of inspection of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and the accuracy of the inspection result, and the oxide semiconductor thin film It is possible to reduce the risk of damage to the semiconductor thin film. On the other hand, since the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can lower the energy band gap of the oxide semiconductor thin film by using the reduction member 91, it is necessary to test the electrical properties of the oxide semiconductor thin film formed on the glass substrate. It is possible. The step of setting the reduction value (S170) may be performed before the step of setting the measurement resistance (S110) is performed.

제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)가 저감값을 설정하는 단계(S170)를 포함하는 경우, 상기 재수행하는 단계(S160)는 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162), 및 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 포함할 수 있다.When the first inspection step (S100) according to the first embodiment includes the step of setting a reduction value (S170), the re-performing step (S160) is a step of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. (S162), and a step of varying the reduction value (S163).

상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)가 수행될 수 있다.The determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162) may be performed when it is determined that the thin film voltage has not been obtained in the determining whether the thin film voltage is obtained (S130). The step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the step of varying the measurement resistance (S161) may be performed.

상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단되고, 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 저감부재(91)가 다른 에너지 밴드갭을 갖는 것으로 교체됨으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감부재(91)에 대한 교체를 통해 상기 저감값을 가변시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감값에 대한 가변을 통해 더 다양한 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 통해 저감값을 가변시킨 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)가 재수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)가 수행된 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)가 수행될 수 있다. 이에 따라, 교체된 저감부재(91)가 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163) 및 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)가 수행된 후에, 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상기 측정저항을 상기 초기저항값으로 설정함으로써 이루어질 수 있다.In the step of varying the reduction value (S163), in the step of determining whether the thin film voltage is obtained (S130), it is determined that the thin film voltage has not been obtained, and it is determined whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. It may be performed when it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in step S162. The step of varying the reduction value (S163) may be performed by replacing the reduction member 91 with one having a different energy band gap. Accordingly, in the method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention, the reduction value may be varied through replacement of the reduction member 91. Accordingly, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention may be implemented to inspect electrical properties of a wider variety of oxide semiconductor thin films by varying the reduction value. After varying the reduction value through the step of varying the reduction value (S163), setting the reduction value (S170), setting the measurement resistance (S110), and applying the applied voltage (S120) ), and determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed again. After the step of varying the reduction value (S163) is performed, the step of setting the reduction value (S170) may be performed. Accordingly, the replaced reduction member 91 may be PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10. After the step of varying the reduction value (S163) and the step of setting the reduction value (S170) are performed, the step of setting the measurement resistance (S110) may be performed by setting the measurement resistance as the initial resistance value. have.

도 1 내지 도 15를 참고하면, 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)와 대비할 때 상기 저감값을 대신하여 상기 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사하는 점에서 차이가 있다. 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.1 to 15, the first inspection step (S100) according to the second embodiment uses the reduced voltage instead of the reduction value when compared to the first inspection step (S100) according to the first embodiment. Therefore, there is a difference in that the electrical properties of the oxide semiconductor thin film are examined. The first inspection step S100 according to the second embodiment may include the following steps.

우선, 저감전압을 설정한다(S180). 이러한 단계(S180)는 상기 산화물 반도체 박막의 기판에 인가하기 위한 저감전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감전압을 설정하는 단계(S180)는 상기 저감전압부(94)가 상기 기판에 인가할 저감전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 저감전압부(94)가 상기 저감전압을 발생시키면, 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압부(94)가 발생시킨 저감전압을 가변시킴으로써 상기 저감전압을 설정할 수 있다.First, the reduced voltage is set (S180). This step (S180) may be performed by setting a reduced voltage to be applied to the substrate of the oxide semiconductor thin film. The step of setting the reduced voltage (S180) may be performed by setting a reduced voltage to be applied by the reduction voltage unit 94 to the substrate. In this case, when the reduction voltage unit 94 generates the reduction voltage, the reduction variable unit 95 may set the reduction voltage by varying the reduction voltage generated by the reduction voltage unit 94.

다음, 측정저항을 설정한다(S110). 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상술한 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, the measurement resistance is set (S110). The step of setting the measurement resistance (S110) is the same as described in the first inspection step (S100) according to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

다음, 인가전압을 인가한다(S120). 이러한 단계(S120)는 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 저감전압부(94)가 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 전압가변부(3)가 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변되는 인가전압은 상기 저항부(4)로 인가되어서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막으로 인가될 수 있다. 이 경우, 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 기판에 상기 저감전압을 인가함에 따라 전기장을 발생시킴 상태에서 이루어지므로, 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성 및 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있으므로, 유리 기판에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다.Next, the applied voltage is applied (S120). This step (S120) may be performed by applying the reduced voltage to the substrate and applying the applied voltage to the oxide semiconductor thin film. In the step of applying the applied voltage (S120), the reduced voltage unit 94 applies the reduced voltage to the substrate, and the voltage variable unit 3 applies the applied voltage generated by the voltage generator 2 It can be achieved by varying between the initial applied value and the maximum applied value. An applied voltage that varies between the initial applied value and the maximum applied value may be applied to the resistance unit 4 and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. In this case, since the step of applying the applied voltage (S120) is performed in a state in which an electric field is generated by applying the reduced voltage to the substrate, it is possible to increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100. Accordingly, the method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention can further improve the ease of inspection of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and the accuracy of the inspection result by using the reduced voltage, and is applied to the oxide semiconductor thin film. It is possible to reduce the risk of damage to the oxide semiconductor thin film due to the reduced voltage. On the other hand, since the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100 by using the reduced voltage, it is necessary to test the electrical properties of the oxide semiconductor thin film formed on the glass substrate. It is possible.

다음, 박막전압이 획득되는지를 판단한다(S130). 이러한 단계(S130)는 상기 기판에 상기 저감전압이 인가된 상태에서 상기 인가전압이 상기 초기인가값에서 상기 최대인가값으로 가변되면서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 과정에서, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)는 상기 획득부(5)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수도 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 상기 획득부(5)로부터 상기 박막전압이 수신되면, 상기 박막전압이 획득된 것으로 판단할 수 있다.Next, it is determined whether the thin film voltage is obtained (S130). This step (S130) is a process in which the applied voltage is varied from the initial applied value to the maximum applied value while the reduced voltage is applied to the substrate and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. This can be accomplished by determining whether a thin film voltage is obtained for the semiconductor thin film. Determining whether the thin film voltage is acquired (S130) may be performed by the acquisition unit 5. The step of determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed by the control unit 6. In this case, when the thin film voltage is received from the acquisition unit 5, the control unit 6 may determine that the thin film voltage has been acquired.

다음, 상기 박막전압이 획득된 경우, 박막추출값을 획득하고(S140), 박막검사값을 획득한다(S150). 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140) 및 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 상술한 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, when the thin film voltage is obtained, a thin film extraction value is obtained (S140), and a thin film inspection value is obtained (S150). The step of acquiring the thin film extraction value (S140) and the step of acquiring the thin film test value (S150) are the same as described in the first inspection step (S100) according to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted. .

다음, 상기 박막전압이 미획득된 경우, 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 재수행하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.Next, when the thin film voltage is not obtained, the first inspection step S100 according to the second embodiment may include a step S160 of performing again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)를 재수행함으로써 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) is a step of setting the measurement resistance after varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained (S110), applying the applied voltage (S120), and the thin film voltage It may be accomplished by performing the step (S130) of determining whether or not is obtained.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 측정저항을 가변시키는 단계(S161)를 포함할 수 있다. 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)는 상기 저항부(4)에 의해 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) may include a step (S161) of varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. The step of varying the measured resistance (S161) may be performed by the resistance unit 4.

상기 재수행하는 단계(S160)는 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162), 및 저감전압을 가변시키는 단계(S164)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162), and varying the reduced voltage (S164).

상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)가 수행될 수 있다.The determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162) may be performed when it is determined that the thin film voltage has not been obtained in the determining whether the thin film voltage is obtained (S130). The step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the step of varying the measurement resistance (S161) may be performed.

상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단되고, 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압을 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감전압에 대한 가변을 통해 더 다양한 산화물 반도체 박막의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 구현될 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 저감가변부(95)가 상기 기판에 더 큰 저감전압이 인가되도록 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)를 통해 저감전압을 가변시킨 후에, 상기 저감전압을 설정하는 단계(S180), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)가 재수행될 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)가 수행된 후에, 상기 저감전압을 설정하는 단계(S180)가 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 저감전압부(94)는 상기 저감가변부(95)에 의해 가변된 저감전압을 상기 기판에 인가할 수 있는 상태로 될 수 있다.In the step of varying the reduced voltage (S164), in the step of determining whether the thin film voltage is obtained (S130), it is determined that the thin film voltage has not been obtained, and it is determined whether the measured resistance has reached a maximum resistance value. It may be performed when it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in step S162. The step of varying the reduction voltage (S164) may be performed by the reduction variable unit 95 varying the reduction voltage. Accordingly, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention may be implemented to inspect electrical characteristics of more various oxide semiconductor thin films by varying the reduced voltage. The step of varying the reduction voltage (S164) may be performed by varying the reduction variable unit 95 so that a larger reduction voltage is applied to the substrate. After varying the reduced voltage through the step of varying the reduced voltage (S164), the step of setting the reduced voltage (S180), the step of setting the measurement resistance (S110), and the step of applying the applied voltage (S120) ), and determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed again. After the step of varying the reduced voltage (S164) is performed, the step of setting the reduced voltage (S180) may be performed. Accordingly, the reduction voltage unit 94 may be in a state capable of applying the reduced voltage varied by the reduction variable unit 95 to the substrate.

상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 저감전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 저감전압을 가변시킬 때 연속적이고 누적적으로 전압을 인가하는 연속가변방식으로 저감전압을 가변시키도록 구현될 수 있다. The step of varying the reduced voltage (S164) may be performed by gradually increasing and varying the reduced voltage. Accordingly, the step of varying the reduced voltage (S164) may be implemented to change the reduced voltage in a continuous variable method in which voltage is continuously and cumulatively applied when the reduced voltage is varied as shown in FIG. 11. have.

도 1 내지 도 16을 참고하면, 제3실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)와 대비할 때 상기 인가전압을 소정의 크기로 유지하는 상태에서 상기 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시키면서 상기 산화물 반도체 박막(100)의 전기적 특성을 검사하는 점에서 차이가 있다. 제3실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.1 to 16, the first inspection step (S100) according to the third embodiment is a state in which the applied voltage is maintained at a predetermined level when compared to the first inspection step (S100) according to the second embodiment. There is a difference in that the electrical characteristics of the oxide semiconductor thin film 100 are inspected while varying the reduced voltage between the initial voltage value and the maximum voltage value. The first inspection step S100 according to the third embodiment may include the following steps.

우선, 인가전압을 설정한다(S190). 이러한 단계(S190)는 상기 산화물 반도체 박막에 인가하기 위한 인가전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 설정하는 단계(S190)는 상기 전압발생부(2)가 상기 기판에 인가할 인가전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 전압발생부(2)가 상기 인가전압을 발생시키면, 상기 전압가변부(3)가 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 가변시킴으로써 상기 인가전압을 설정할 수 있다.First, the applied voltage is set (S190). This step (S190) may be accomplished by setting an applied voltage to be applied to the oxide semiconductor thin film. The step of setting the applied voltage (S190) may be performed by setting an applied voltage to be applied by the voltage generator 2 to the substrate. In this case, when the voltage generator 2 generates the applied voltage, the voltage variable part 3 can set the applied voltage by varying the applied voltage generated by the voltage generator 2.

다음, 측정저항을 설정한다(S110). 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상술한 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, the measurement resistance is set (S110). The step of setting the measurement resistance (S110) is the same as described in the first inspection step (S100) according to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

다음, 인가전압을 인가한다(S120). 이러한 단계(S120)는 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가하고, 상기 기판에 상기 저감전압을 인가함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 전압발생부(2)가 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가하고, 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압부(94)가 발생시킨 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압은 상기 저항부(4)로 인가되어서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막으로 인가될 수 있다. 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변되는 저감전압은 상기 기판에 인가될 수 있다. 이 경우, 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하므로, 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사하는 작업의 용이성 및 검사결과의 정확성을 더 향상시킬 수 있고, 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 전압으로 인해 상기 산화물 반도체 박막에 손상이 발생할 위험을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 저감전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막(100)에 전류가 흐를 가능성을 높일 수 있으므로, 유리 기판에 형성된 산화물 반도체 박막에 대해서도 전기적 특성을 검사하는 것이 가능하다.Next, the applied voltage is applied (S120). This step (S120) may be performed by applying the applied voltage to the oxide semiconductor thin film and applying the reduced voltage to the substrate. In the step of applying the applied voltage (S120), the voltage generation unit 2 applies the applied voltage to the oxide semiconductor thin film, and the reduction variable unit 95 reduces the reduction generated by the reduction voltage unit 94 It can be achieved by varying a voltage between the initial voltage value and the maximum voltage value. The applied voltage may be applied to the resistance part 4 and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. A reduced voltage that varies between the initial voltage value and the maximum voltage value may be applied to the substrate. In this case, in the step of applying the applied voltage (S120), since the reduced voltage is applied to the substrate, it is possible to increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100. Accordingly, the method for inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention can further improve the ease of inspection of the electrical properties of the oxide semiconductor thin film itself and the accuracy of the inspection result by using the reduced voltage, and is applied to the oxide semiconductor thin film. It is possible to reduce the risk of damage to the oxide semiconductor thin film due to the reduced voltage. On the other hand, since the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can increase the likelihood that a current flows through the oxide semiconductor thin film 100 by using the reduced voltage, it is necessary to test the electrical properties of the oxide semiconductor thin film formed on the glass substrate. It is possible.

다음, 박막전압이 획득되는지를 판단한다(S131). 이러한 단계(S131)는 상기 인가전압이 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 상태에서 상기 저감전압이 상기 초기전압값에서 상기 최대전압값으로 가변되면서 상기 기판에 인가되는 과정에서, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)는 상기 획득부(5)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수도 있다. 이 경우, 상기 제어부(6)는 상기 획득부(5)로부터 상기 박막전압이 수신되면, 상기 박막전압이 획득된 것으로 판단할 수 있다.Next, it is determined whether the thin film voltage is obtained (S131). This step (S131) is a process in which the reduced voltage is varied from the initial voltage value to the maximum voltage value while being applied to the substrate while the applied voltage is applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. This can be accomplished by determining whether a thin film voltage is obtained for the semiconductor thin film. Determining whether the thin film voltage is acquired (S131) may be performed by the acquisition unit 5. Determining whether the thin film voltage is obtained (S131) may be performed by the control unit 6. In this case, when the thin film voltage is received from the acquisition unit 5, the control unit 6 may determine that the thin film voltage has been acquired.

다음, 상기 박막전압이 획득된 경우, 박막추출값을 획득하고(S140), 박막검사값을 획득한다(S150). 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140) 및 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 상술한 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, when the thin film voltage is obtained, a thin film extraction value is obtained (S140), and a thin film inspection value is obtained (S150). Since the step of acquiring the thin film extraction value (S140) and the step of acquiring the thin film test value (S150) are the same as described in the first inspection step (S100) according to the second embodiment, a detailed description will be omitted. .

다음, 상기 박막전압이 미획득된 경우, 제3실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 재수행하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.Next, when the thin film voltage is not obtained, the first inspection step S100 according to the third embodiment may include a step S160 of performing again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)를 재수행함으로써 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) is a step of setting the measurement resistance after varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained (S110), applying the applied voltage (S120), and the thin film voltage It may be accomplished by performing the step (S131) of determining whether or not is obtained again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 측정저항을 가변시키는 단계(S161)를 포함할 수 있다. 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)는 상기 저항부(4)에 의해 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) may include a step (S161) of varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. The step of varying the measured resistance (S161) may be performed by the resistance unit 4.

상기 재수행하는 단계(S160)는 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162), 및 인가전압을 가변시키는 단계(S165)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162), and varying the applied voltage (S165).

상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)가 수행될 수 있다. The determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162) may be performed when it is determined that the thin film voltage has not been obtained in the determining whether the thin film voltage is obtained (S131). The step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the step of varying the measurement resistance (S161) may be performed.

상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단되고, 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 전압가변부(3)가 상기 인가전압을 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 전압가변부(3)가 상기 기판에 더 큰 인가전압이 인가되도록 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)를 통해 상기 인가전압을 가변시킨 후에, 상기 인가전압을 설정하는 단계(S190), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)가 재수행될 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)가 수행된 후에, 상기 인가전압을 설정하는 단계(S190)가 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 인가전압부(94)는 상기 전압가변부(3)에 의해 가변된 인가전압을 상기 산화물 반도체 박막에 인가할 수 있는 상태로 될 수 있다.In the step of varying the applied voltage (S165), in the step of determining whether the thin film voltage is obtained (S131), it is determined that the thin film voltage has not been obtained, and it is determined whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. It may be performed when it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in step S162. The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by the voltage variable part 3 varying the applied voltage. The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by varying the voltage variable part 3 so that a larger applied voltage is applied to the substrate. After varying the applied voltage through the step of varying the applied voltage (S165), setting the applied voltage (S190), setting the measurement resistance (S110), and applying the applied voltage ( S120) and determining whether the thin film voltage is obtained (S131) may be performed again. After the step of varying the applied voltage (S165) is performed, the step of setting the applied voltage (S190) may be performed. Accordingly, the applied voltage unit 94 may be in a state in which the applied voltage varied by the voltage variable unit 3 can be applied to the oxide semiconductor thin film.

상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 인가전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 인가전압을 가변시킬 때 연속적이고 누적적으로 전압을 인가하는 연속가변방식으로 인가전압을 가변시키도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 연속가변방식으로 상기 인가전압을 가변시키도록 구현됨으로써, 상기 산화물 반도체 박막의 표면이 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 다양한 공정조건, 박막상태 등을 갖는 산화물 반도체 박막 자체의 전기적 특성을 검사할 수 있는 범용성을 더 향상시킬 수 있다.The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by gradually increasing and varying the applied voltage. Accordingly, the step of varying the applied voltage (S165) may be implemented to change the applied voltage in a continuous variable method in which the voltage is continuously and cumulatively applied when the applied voltage is varied as shown in FIG. 11. have. Accordingly, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention is implemented to vary the applied voltage in the continuous variable manner, thereby preventing damage or damage to the surface of the oxide semiconductor thin film. In addition, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention can further improve versatility for inspecting electrical properties of an oxide semiconductor thin film itself having various process conditions, thin film states, and the like.

도 1 내지 도 17을 참고하면, 제4실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S1000와 제2실시예에 따른 1차 검사단계(S100)를 병합한 것이다. 제4실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.1 to 17, the first inspection step (S100) according to the fourth embodiment includes the first inspection step (S1000) according to the first embodiment and the first inspection step (S100) according to the second embodiment. The first inspection step S100 according to the fourth embodiment may include the following steps.

우선, 저감값을 설정한다(S170). 이러한 단계(S170)는 상기 저감부재(91)를 상기 연결부재(92)를 통해 상기 접속부(10)에 연결함으로써 이루어질 수 있다. 상기 접속부(10)가 상기 산화물 반도체 박막에 접속되면, 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합됨으로써 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킬 수 있다. First, a reduction value is set (S170). This step (S170) may be performed by connecting the reducing member 91 to the connecting portion 10 through the connecting member 92. When the connection part 10 is connected to the oxide semiconductor thin film, the reduction member 91 is PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10, thereby reducing the energy of the oxide semiconductor thin film. The band gap can be reduced.

다음, 저감전압을 설정한다(S180). 이러한 단계(S180)는 상기 저감전압부(94)가 상기 기판에 인가할 저감전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 저감전압부(94)가 상기 저감전압을 발생시키면, 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압부(94)가 발생시킨 저감전압을 가변시킴으로써 상기 저감전압을 설정할 수 있다.Next, the reduced voltage is set (S180). This step (S180) may be performed by setting a reduction voltage to be applied by the reduction voltage unit 94 to the substrate. In this case, when the reduction voltage unit 94 generates the reduction voltage, the reduction variable unit 95 may set the reduction voltage by varying the reduction voltage generated by the reduction voltage unit 94.

다음, 측정저항을 설정한다(S110). 이러한 단계(S110)는 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상기 저항부(4)에 의해 수행될 수 있다.Next, the measurement resistance is set (S110). This step (S110) may be performed by setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film. The step of setting the measurement resistance (S110) may be performed by the resistance unit 4.

다음, 인가전압을 인가한다(S120). 이러한 단계(S120)는 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 저감전압부(94)가 상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 전압가변부(3)가 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 상기 초기인가값과 상기 최대인가값 사이에서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다.Next, the applied voltage is applied (S120). This step (S120) may be performed by applying the reduced voltage to the substrate and applying the applied voltage to the oxide semiconductor thin film. In the step of applying the applied voltage (S120), the reduced voltage unit 94 applies the reduced voltage to the substrate, and the voltage variable unit 3 applies the applied voltage generated by the voltage generator 2 It can be achieved by varying between the initial applied value and the maximum applied value.

다음, 박막전압이 획득되는지를 판단한다(S130). 이러한 단계(S130)는 상기 기판에 상기 저감전압이 인가된 상태에서 상기 인가전압이 상기 초기인가값에서 상기 최대인가값으로 가변되면서 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되는 과정에서, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단함으로써 이루어질 수 있다.Next, it is determined whether the thin film voltage is obtained (S130). This step (S130) is a process in which the applied voltage is varied from the initial applied value to the maximum applied value while the reduced voltage is applied to the substrate and applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. This can be accomplished by determining whether a thin film voltage is obtained for the semiconductor thin film.

다음, 상기 박막전압이 획득된 경우, 박막추출값을 획득하고(S140), 박막검사값을 획득한다(S150). 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140) 및 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 상술한 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, when the thin film voltage is obtained, a thin film extraction value is obtained (S140), and a thin film inspection value is obtained (S150). The step of acquiring the thin film extraction value (S140) and the step of acquiring the thin film test value (S150) are the same as described in the first inspection step (S100) according to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted. .

다음, 상기 박막전압이 미획득된 경우, 제4실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 재수행하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.Next, when the thin film voltage is not obtained, the first inspection step S100 according to the fourth embodiment may include a step S160 of performing again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)를 재수행함으로써 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) is a step of setting the measurement resistance after varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained (S110), applying the applied voltage (S120), and the thin film voltage It may be accomplished by performing the step (S130) of determining whether or not is obtained.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 측정저항을 가변시키는 단계(S161)를 포함할 수 있다. 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)는 상기 저항부(4)에 의해 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) may include a step (S161) of varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. The step of varying the measured resistance (S161) may be performed by the resistance unit 4.

상기 재수행하는 단계(S160)는 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162), 및 저감전압을 가변시키는 단계(S164)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162), and varying the reduced voltage (S164).

상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)가 수행될 수 있다.The determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162) may be performed when it is determined that the thin film voltage has not been obtained in the determining whether the thin film voltage is obtained (S130). The step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the step of varying the measurement resistance (S161) may be performed.

상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단되고, 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압을 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)를 통해 저감전압을 가변시킨 후에, 상기 저감전압을 설정하는 단계(S180), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)가 재수행될 수 있다. In the step of varying the reduced voltage (S164), in the step of determining whether the thin film voltage is obtained (S130), it is determined that the thin film voltage has not been obtained, and it is determined whether the measured resistance has reached a maximum resistance value. It may be performed when it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in step S162. The step of varying the reduction voltage (S164) may be performed by the reduction variable unit 95 varying the reduction voltage. After varying the reduced voltage through the step of varying the reduced voltage (S164), the step of setting the reduced voltage (S180), the step of setting the measurement resistance (S110), and the step of applying the applied voltage (S120) ), and determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed again.

상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 상기 저감전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 저감전압을 가변시킬 때 연속적이고 누적적으로 전압을 인가하는 연속가변방식으로 저감전압을 가변시키도록 구현될 수 있다.The step of varying the reduced voltage (S164) may be performed by gradually increasing and varying the reduced voltage. Accordingly, the step of varying the reduced voltage (S164) may be implemented to change the reduced voltage in a continuous variable method in which voltage is continuously and cumulatively applied when the reduced voltage is varied as shown in FIG. 11. have.

상기 재수행하는 단계(S160)는 저감전압이 최대전압값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S166), 및 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the reduced voltage reaches the maximum voltage value (S166), and varying the reduced value (S163).

상기 저감전압이 최대전압값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S166)는 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감전압이 최대전압값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S166)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달하였으며 상기 저감전압이 상기 최대전압값 미만인 경우, 상기 저감전압을 가변시키는 단계(S164)가 수행될 수 있다.In the step of determining whether the reduced voltage has reached the maximum voltage value (S166), it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in the step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. It can be performed when determined. Determining whether the reduced voltage has reached the maximum voltage value (S166) may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained, the measured resistance reaches the maximum resistance value, and the reduction voltage is less than the maximum voltage value, the step of varying the reduction voltage (S164) may be performed.

상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 저감전압이 최대전압값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S166)에서 상기 저감전압이 상기 최대전압값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 저감부재(91)가 다른 에너지 밴드갭을 갖는 것으로 교체됨으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 통해 저감값을 가변시킨 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170), 상기 저감전압을 설정하는 단계(S180), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S130)가 재수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)가 수행된 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)가 수행될 수 있다. 이에 따라, 교체된 저감부재(91)가 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합될 수 있다.The step of varying the reduced value (S163) may be performed when it is determined that the reduced voltage has reached the maximum voltage value in the step (S166) of determining whether the reduced voltage has reached the maximum voltage value. . The step of varying the reduction value (S163) may be performed by replacing the reduction member 91 with one having a different energy band gap. After varying the reduction value through the step of varying the reduction value (S163), setting the reduction value (S170), setting the reduction voltage (S180), and setting the measurement resistance (S110) ), applying the applied voltage (S120), and determining whether the thin film voltage is obtained (S130) may be performed again. After the step of varying the reduction value (S163) is performed, the step of setting the reduction value (S170) may be performed. Accordingly, the replaced reduction member 91 may be PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10.

도 1 내지 도 18을 참고하면, 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S1000와 제3실시예에 따른 1차 검사단계(S100)를 병합한 것이다. 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.1 to 18, the first inspection step (S100) according to the fifth embodiment includes the first inspection step (S1000) according to the first embodiment and the first inspection step (S100) according to the third embodiment. The first inspection step S100 according to the fifth embodiment may include the following steps.

우선, 저감값을 설정한다(S170). 이러한 단계(S170)는 상기 저감부재(91)를 상기 연결부재(92)를 통해 상기 접속부(10)에 연결함으로써 이루어질 수 있다. 상기 접속부(10)가 상기 산화물 반도체 박막에 접속되면, 상기 저감부재(91)는 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합됨으로써 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시킬 수 있다. First, a reduction value is set (S170). This step (S170) may be performed by connecting the reducing member 91 to the connecting portion 10 through the connecting member 92. When the connection part 10 is connected to the oxide semiconductor thin film, the reduction member 91 is PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10, thereby reducing the energy of the oxide semiconductor thin film. The band gap can be reduced.

다음, 인가전압을 설정한다(S190). 이러한 단계(S190)는 상기 전압발생부(2)가 상기 기판에 인가할 인가전압을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 전압발생부(2)가 상기 인가전압을 발생시키면, 상기 전압가변부(3)가 상기 전압발생부(2)가 발생시킨 인가전압을 가변시킴으로써 상기 인가전압을 설정할 수 있다.Next, the applied voltage is set (S190). This step (S190) may be performed by setting an applied voltage to be applied by the voltage generator 2 to the substrate. In this case, when the voltage generator 2 generates the applied voltage, the voltage variable part 3 can set the applied voltage by varying the applied voltage generated by the voltage generator 2.

다음, 측정저항을 설정한다(S110). 이러한 단계(S110)는 상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110)는 상기 저항부(4)에 의해 수행될 수 있다.Next, the measurement resistance is set (S110). This step (S110) may be performed by setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film. The step of setting the measurement resistance (S110) may be performed by the resistance unit 4.

다음, 인가전압을 인가한다(S120). 이러한 단계(S120)는 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가하고, 상기 기판에 상기 저감전압을 인가함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 상기 전압발생부(2)가 상기 산화물 반도체 박막에 상기 인가전압을 인가하고, 상기 저감가변부(95)가 상기 저감전압부(94)가 발생시킨 저감전압을 상기 초기전압값과 상기 최대전압값 사이에서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다.Next, the applied voltage is applied (S120). This step (S120) may be performed by applying the applied voltage to the oxide semiconductor thin film and applying the reduced voltage to the substrate. In the step of applying the applied voltage (S120), the voltage generation unit 2 applies the applied voltage to the oxide semiconductor thin film, and the reduction variable unit 95 reduces the reduction generated by the reduction voltage unit 94 It can be achieved by varying a voltage between the initial voltage value and the maximum voltage value.

다음, 박막전압이 획득되는지를 판단한다(S131). 이러한 단계(S131)는 상기 인가전압이 상기 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가된 상태에서 상기 저감전압이 상기 초기전압값에서 상기 최대전압값으로 가변되면서 상기 기판에 인가되는 과정에서, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단함으로써 이루어질 수 있다. Next, it is determined whether the thin film voltage is obtained (S131). This step (S131) is a process in which the reduced voltage is varied from the initial voltage value to the maximum voltage value while being applied to the substrate while the applied voltage is applied to the oxide semiconductor thin film through the measurement resistance. This can be accomplished by determining whether a thin film voltage is obtained for the semiconductor thin film.

다음, 상기 박막전압이 획득된 경우, 박막추출값을 획득하고(S140), 박막검사값을 획득한다(S150). 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140) 및 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 상술한 제1실시예에 따른 1차 검사단계(S100)에서 설명한 바와 같으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Next, when the thin film voltage is obtained, a thin film extraction value is obtained (S140), and a thin film inspection value is obtained (S150). The step of acquiring the thin film extraction value (S140) and the step of acquiring the thin film test value (S150) are the same as described in the first inspection step (S100) according to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted. .

다음, 상기 박막전압이 미획득된 경우, 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 재수행하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.Next, when the thin film voltage is not obtained, the first inspection step S100 according to the fifth embodiment may include a step S160 of performing again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)를 재수행함으로써 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) is a step of setting the measurement resistance after varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained (S110), applying the applied voltage (S120), and the thin film voltage It may be accomplished by performing the step (S131) of determining whether or not is obtained again.

상기 재수행하는 단계(S160)는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 측정저항을 가변시키는 단계(S161)를 포함할 수 있다. 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)는 상기 저항부(4)에 의해 이루어질 수 있다.The re-performing step (S160) may include a step (S161) of varying the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. The step of varying the measured resistance (S161) may be performed by the resistance unit 4.

상기 재수행하는 단계(S160)는 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162), 및 인가전압을 가변시키는 단계(S165)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162), and varying the applied voltage (S165).

상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 단계(S161)가 수행될 수 있다. The determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value (S162) may be performed when it is determined that the thin film voltage has not been obtained in the determining whether the thin film voltage is obtained (S131). The step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, the step of varying the measurement resistance (S161) may be performed.

상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)에서 상기 박막전압이 미획득된 것으로 판단되고, 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 전압가변부(3)가 상기 인가전압을 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 전압가변부(3)가 상기 기판에 더 큰 인가전압이 인가되도록 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)를 통해 상기 인가전압을 가변시킨 후에, 상기 인가전압을 설정하는 단계(S190), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)가 재수행될 수 있다.In the step of varying the applied voltage (S165), in the step of determining whether the thin film voltage is obtained (S131), it is determined that the thin film voltage has not been obtained, and it is determined whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. It may be performed when it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in step S162. The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by the voltage variable part 3 varying the applied voltage. The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by varying the voltage variable part 3 so that a larger applied voltage is applied to the substrate. After varying the applied voltage through the step of varying the applied voltage (S165), setting the applied voltage (S190), setting the measurement resistance (S110), and applying the applied voltage ( S120) and determining whether the thin film voltage is obtained (S131) may be performed again.

상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 상기 인가전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 인가전압을 가변시킬 때 연속적이고 누적적으로 전압을 인가하는 연속가변방식으로 인가전압을 가변시키도록 구현될 수 있다.The step of varying the applied voltage (S165) may be performed by gradually increasing and varying the applied voltage. Accordingly, the step of varying the applied voltage (S165) may be implemented to change the applied voltage in a continuous variable method in which the voltage is continuously and cumulatively applied when the applied voltage is varied as shown in FIG. 11. have.

상기 재수행하는 단계(S160)는 인가전압이 최대인가값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S167), 및 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 포함할 수 있다.The re-performing step (S160) may include determining whether the applied voltage has reached the maximum applied value (S167), and varying the reduction value (S163).

상기 인가전압이 최대인가값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S167)는 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S162)에서 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달한 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 인가전압이 최대인가값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S167)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다. 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 상기 최대저항값에 도달하였으며 상기 인가전압이 상기 최대인가값 미만인 경우, 상기 인가전압을 가변시키는 단계(S165)가 수행될 수 있다.In the step of determining whether the applied voltage has reached the maximum applied value (S167), it is determined that the measured resistance has reached the maximum resistance value in the step (S162) of determining whether the measured resistance has reached the maximum resistance value. It can be performed when determined. The step (S167) of determining whether the applied voltage has reached the maximum applied value may be performed by the controller 6. When the thin film voltage is not obtained, the measured resistance reaches the maximum resistance value, and the applied voltage is less than the maximum applied value, the step of varying the applied voltage (S165) may be performed.

상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 인가전압이 최대인가값에 도달한 것인지를 판단하는 단계(S167)에서 상기 인가전압이 상기 최대인가값에 도달한 것을 판단된 경우에 수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)는 상기 저감부재(91)가 다른 에너지 밴드갭을 갖는 것으로 교체됨으로써 이루어질 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)를 통해 저감값을 가변시킨 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170), 상기 인가전압을 설정하는 단계(S180), 상기 측정저항을 설정하는 단계(S110), 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120), 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계(S131)가 재수행될 수 있다. 상기 저감값을 가변시키는 단계(S163)가 수행된 후에, 상기 저감값을 설정하는 단계(S170)가 수행될 수 있다. 이에 따라, 교체된 저감부재(91)가 상기 연결부재(92)와 상기 접속부(10)를 통해 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합될 수 있다.The step of varying the reduction value (S163) may be performed when it is determined that the applied voltage has reached the maximum applied value in the step (S167) of determining whether the applied voltage has reached the maximum applied value. . The step of varying the reduction value (S163) may be performed by replacing the reduction member 91 with one having a different energy band gap. After varying the reduction value through the step of varying the reduction value (S163), setting the reduction value (S170), setting the applied voltage (S180), and setting the measurement resistance (S110) ), applying the applied voltage (S120), and determining whether the thin film voltage is obtained (S131) may be performed again. After the step of varying the reduction value (S163) is performed, the step of setting the reduction value (S170) may be performed. Accordingly, the replaced reduction member 91 may be PN-bonded to the oxide semiconductor thin film through the connection member 92 and the connection part 10.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 제1실시예 내지 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 획득할 수 있다. 이 경우, 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압을 인가할 수 있다. 이러한 단계(S120)는 상기 스위칭부(7)가 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 인가전압을 양의 전압으로 이루어진 인가전압으로 변환함에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 양의 전압으로 이루어진 전압이 인가됨으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 박막전류를 산출하는 단계(S151)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막전류를 산출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막저항을 산출하는 단계(S152)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막저항을 산출함으로써 이루어질 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 19, in the first inspection step S100 according to the first to fifth embodiments, the thin film inspection value may be obtained based on an applied voltage consisting of a positive voltage. In this case, in the step of applying the applied voltage (S120), an applied voltage consisting of a positive voltage may be applied. In this step (S120), a voltage consisting of a positive voltage is applied to the oxide semiconductor thin film as the switching unit 7 converts the applied voltage applied from the voltage generator 2 to an applied voltage consisting of a positive voltage. It can be achieved by being. The step of obtaining the thin film test value (S150) may be performed by obtaining the thin film test value based on an applied voltage made of a positive voltage. In this case, the step of calculating the thin film current (S151) may be performed by calculating the thin film current based on an applied voltage made of a positive voltage. The step of calculating the thin film resistance (S152) may be performed by calculating the thin film resistance based on an applied voltage consisting of a positive voltage.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 제1실시예 내지 제5실시예에 1차 검사단계(S100)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값이 획득된 이후에, 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 추가로 획득할 수도 있다. 이 경우, 상기 인가전압을 인가하는 단계(S120)는 음의 전압으로 이루어진 인가전압을 인가할 수 있다. 이러한 단계(S120)는 상기 스위칭부(7)가 상기 전압발생부(2)로부터 인가된 인가전압을 음의 전압으로 이루어진 인가전압으로 변환함에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 음의 전압으로 이루어진 전압이 인가됨으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막검사값을 획득하는 단계(S150)는 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막검사값을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 박막전류를 산출하는 단계(S151)는 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막전류를 산출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막저항을 산출하는 단계(S152)는 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막저항을 산출함으로써 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 검사방법은 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값 및 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값을 모두 획득할 수 있도록 구현됨으로써, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.1 to 19, in the first to fifth embodiments, the first inspection step (S100) is, after the thin film inspection value is obtained based on the applied voltage consisting of a positive voltage, a negative voltage The thin film inspection value may be additionally obtained based on the applied voltage consisting of. In this case, the step of applying the applied voltage (S120) may apply an applied voltage consisting of a negative voltage. In this step (S120), a voltage consisting of a negative voltage is applied to the oxide semiconductor thin film as the switching unit 7 converts the applied voltage applied from the voltage generator 2 to an applied voltage consisting of a negative voltage. It can be achieved by being. The step of acquiring the thin film test value (S150) may be performed by obtaining the thin film test value based on an applied voltage consisting of a negative voltage. In this case, the step of calculating the thin film current (S151) may be performed by calculating the thin film current based on an applied voltage made of a negative voltage. The step of calculating the thin film resistance (S152) may be performed by calculating the thin film resistance based on an applied voltage made of a negative voltage. Accordingly, the oxide semiconductor inspection method according to the present invention is implemented to obtain both a thin film inspection value based on an applied voltage made of a positive voltage and a thin film inspection value based on an applied voltage made of a negative voltage. It can contribute to preparing various evaluation criteria.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 제1실시예 내지 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 박막검사값이 산출될 때까지 반복하여 수행될 수 있다. 예컨대, 제1실시예 내지 제5실시예에 따른 1차 검사단계(S100)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 박막저항이 산출될 때까지 반복하여 수행될 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)가 상기 검사위치들 모두에 대해 상기 박막검사값이 산출될 때까지 반복하여 수행되는 경우, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 박막검사값이 산출될 때까지 상기 검사위치가 변경되도록 상기 이동부(20)가 상기 접속부(10)를 이동시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 검사위치별로 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막검사값을 획득할 수 있으므로, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 균일도 등과 같이 상기 산화물 반도체 박막에 대한 정확한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.1 to 19, in the first inspection step (S100) according to the first to fifth embodiments, the thin film inspection value is calculated for all of the N predetermined inspection positions for the oxide semiconductor thin film. It can be performed repeatedly until For example, the first inspection step (S100) according to the first to fifth embodiments may be repeatedly performed until the thin film resistance is calculated for all of the N predetermined inspection positions for the oxide semiconductor thin film. have. When the first inspection step (S100) is repeatedly performed until the thin film inspection values are calculated for all of the inspection positions, the thin film inspection is performed on all of the N predetermined inspection positions for the oxide semiconductor thin film. The moving part 20 may move the connection part 10 so that the inspection position is changed until a value is calculated. Therefore, since the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can obtain a thin film inspection value for the oxide semiconductor thin film for each inspection position, an accurate evaluation criterion for the oxide semiconductor thin film such as uniformity for the oxide semiconductor thin film is determined. Can contribute to the arrangement.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 산화물 반도체 박막에 대한 2차 검사단계(S200)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 19, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention may include a second inspection step (S200) for the oxide semiconductor thin film.

상기 2차 검사단계(S200)는 상기 1차 검사단계(S100)가 수행된 이후에 수행될 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)는 상술한 제1실시예 내지 제5실시예 중에서 어느 하나로 수행될 수 있다. 상기 2차 검사단계(S200)는 상기 1차 검사단계(S100)에서 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 이용하여 수행될 수 있다. 이를 위해 상기 1차 검사단계(S100)에 있어서, 상기 박막추출값을 획득하는 단계(S140)는 인가전압을 추출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 인가전압을 추출하는 단계는 상기 획득부(5)가 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인가전압을 추출하는 단계는 상기 제3계측기구(53)에 의해 수행될 수도 있다.The second inspection step S200 may be performed after the first inspection step S100 is performed. The first inspection step (S100) may be performed in any one of the first to fifth embodiments described above. The second inspection step S200 may be performed using an applied voltage at a point in time when the thin film voltage is acquired in the first inspection step S100. To this end, in the first inspection step (S100), obtaining the thin film extraction value (S140) may include extracting an applied voltage. The step of extracting the applied voltage may be performed by the acquisition unit 5 extracting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired. The step of extracting the applied voltage may be performed by the third measuring device 53.

상기 2차 검사단계(S200)는 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.The second inspection step (S200) may include the following steps.

우선, 기준전압을 설정한다(S210). 이러한 단계(S210)는 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 상기 기준전압으로 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압은 상기 인가전압을 추출하는 단계를 통해 추출된 것일 수 있다. 상기 기준전압을 설정하는 단계(S210)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다.First, a reference voltage is set (S210). This step (S210) may be performed by setting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired as the reference voltage. The applied voltage at the time when the thin film voltage is obtained may be extracted through the step of extracting the applied voltage. The step of setting the reference voltage (S210) may be performed by the controller 6.

다음, 파형의 기준전압을 생성한다(S220). 이러한 단계(S210)는 상기 기준전압을 이용하여 양의 전압과 음의 전압이 교대로 반복되는 파형의 기준전압을 생성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 파형의 기준전압을 생성하는 단계(S220)는 상기 전압발생부(2)가 상기 기준전압을 발생시키면, 상기 파형발생부(8)가 상기 기준전압을 이용하여 상기 파형의 기준전압을 생성함으로써 이루어질 수 있다.Next, a reference voltage of a waveform is generated (S220). This step (S210) may be accomplished by generating a reference voltage of a waveform in which a positive voltage and a negative voltage are alternately repeated using the reference voltage. In the step of generating the reference voltage of the waveform (S220), when the voltage generator 2 generates the reference voltage, the waveform generator 8 generates a reference voltage of the waveform using the reference voltage. Can be done.

다음, 파형의 박막전압을 획득한다(S230). 이러한 단계(S230)는 상기 파형의 기준전압이 상기 저항부(4)를 거쳐 상기 산화물 반도체 인가되면, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 파형의 박막전압을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 상기 파형의 박막전압을 획득하는 단계(S230)는 상기 획득부(5)에 의해 수행될 수 있다. 상기 파형의 박막전압을 획득하는 단계(S230)는 상기 제1계측기구(51)에 의해 수행될 수도 있다.Next, the waveform of the thin film voltage is obtained (S230). This step (S230) may be performed by obtaining a waveform of a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film when the reference voltage of the waveform is applied to the oxide semiconductor through the resistance unit 4. The step of obtaining the waveform of the thin film voltage (S230) may be performed by the obtaining unit 5. The step of obtaining the waveform of the thin film voltage (S230) may be performed by the first measuring device 51.

다음, 수준값을 획득한다(S240). 이러한 단계(S240)는 상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 수준값을 산출함으로써 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 수준값을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 대해 더 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다. 상기 수준값을 획득하는 단계(S240)는 상기 제1면적값에서 상기 제2면적값을 감산하는 연산을 통해 상기 수준값을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 상기 수준값을 획득하는 단계(S240)는 상기 제어부(6)에 의해 수행될 수 있다.Next, a level value is obtained (S240). This step (S240) may be performed by calculating the level value using a first area value for a positive voltage in the thin film voltage of the waveform and a second area value for a negative voltage in the thin film voltage of the waveform. Accordingly, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention may contribute to preparing more various evaluation criteria for the oxide semiconductor thin film through the level value. The step of obtaining the level value (S240) may be performed by obtaining the level value through an operation of subtracting the second area value from the first area value. The step of obtaining the level value (S240) may be performed by the control unit 6.

여기서,상기 2차 검사단계(S200)는 양의 전압에 대한 파형의 기준전압과 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 개별적으로 생성하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 2차 검사를 수행하도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 파형의 기준전압을 생성하는 단계(S220), 상기 파형의 박막전압을 획득하는 단계(S230), 및 상기 수준값을 획득하는 단계(S240)는 다음과 같이 이루어질 수 있다.Here, the second inspection step (S200) may be implemented to perform a secondary inspection on the oxide semiconductor thin film by separately generating a reference voltage of a waveform for a positive voltage and a reference voltage of a waveform for a negative voltage. have. In this case, the step of generating the reference voltage of the waveform (S220), the step of obtaining the thin film voltage of the waveform (S230), and the step of obtaining the level value (S240) may be performed as follows.

우선, 상기 파형의 기준전압을 생성하는 단계(S220)는 상기 기준전압을 이용하여 양의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성하고, 상기 기준전압을 이용하여 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성함으로써 이루어질 수 있다.First, in the step of generating the reference voltage of the waveform (S220), the reference voltage of the waveform for the positive voltage is generated using the reference voltage, and the reference voltage of the waveform for the negative voltage is calculated using the reference voltage. It can be done by creating.

다음, 상기 파형의 박막전압을 획득하는 단계(S230)는 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 상기 저항부(4)를 거쳐 상기 산화물 반도체 인가되면, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 양의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득함으로써 이루어질 수 있다. 상기 파형의 박막전압을 획득하는 단계(S230)는 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 상기 저항부(4)를 거쳐 상기 산화물 반도체 인가되면, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 음의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득함으로써 이루어질 수 있다.Next, in the step of acquiring the waveform of the thin film voltage (S230), when the reference voltage of the waveform for the positive voltage is applied to the oxide semiconductor through the resistance unit 4, a positive voltage is applied to the oxide semiconductor thin film. This can be achieved by acquiring the thin film voltage of the corresponding waveform. In the step of obtaining the waveform of the thin film voltage (S230), when the reference voltage of the waveform for the negative voltage is applied to the oxide semiconductor through the resistance unit 4, the waveform for the negative voltage for the oxide semiconductor thin film This can be achieved by obtaining a thin film voltage of.

다음, 상기 수준값을 획득하는 단계(S240)는 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 수준값을 산출함으로써 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 수준값을 통해 상기 산화물 반도체 박막에 대해 더 다양한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.Next, the step of obtaining the level value (S240) includes a first area value for the positive voltage obtained from the thin film voltage of the waveform for the positive voltage and the negative obtained from the thin film voltage of the waveform for the negative voltage. It can be achieved by calculating the level value using the second area value for the voltage of. Accordingly, the method of inspecting an oxide semiconductor thin film according to the present invention may contribute to preparing more various evaluation criteria for the oxide semiconductor thin film through the level value.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 상기 1차 검사단계(S100)를 통해 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값 및 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반한 박막검사값이 모두 획득된 경우, 상기 2차 검사단계(S200)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 상기 기준전압으로 이용하여 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 기준전압을 설정하는 단계(S210)는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 상기 기준전압으로 설정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 1차 검사단계(S100)에 있어서, 상기 인가전압을 추출하는 단계는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출함으로써 이루어질 수 있다.1 to 19, when both the thin film test value based on the applied voltage made of a positive voltage and the thin film test value based on the applied voltage made of a negative voltage are obtained through the first test step (S100), The second inspection step S200 may be performed using an applied voltage at a point in time when a thin film voltage is acquired based on an applied voltage made of a positive voltage as the reference voltage. In this case, the step of setting the reference voltage (S210) may be performed by setting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired as the reference voltage based on the applied voltage made of a positive voltage. In the first inspection step (S100), the step of extracting the applied voltage may be performed by extracting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired based on the applied voltage consisting of a positive voltage.

도 1 내지 도 19를 참고하면, 상기 2차 검사단계(S200)는 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 수준값이 획득될 때까지 반복하여 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 산화물 반도체 박막에 대해 기설정된 N개의 검사위치들 모두에 대해 상기 수준값이 산출될 때까지 상기 검사위치가 변경되도록 상기 이동부(20)가 상기 접속부(10)를 이동시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 검사방법은 상기 검사위치별로 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 획득할 수 있으므로, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 균일도 등과 같이 상기 산화물 반도체 박막에 대한 정확한 평가기준을 마련하는데 기여할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 19, the second inspection step S200 may be repeatedly performed until the level value is obtained for all of the N predetermined inspection positions for the oxide semiconductor thin film. In this case, the moving part 20 may move the connection part 10 so that the test position is changed until the level value is calculated for all of the N test positions preset for the oxide semiconductor thin film. . Therefore, since the oxide semiconductor thin film inspection method according to the present invention can obtain a level value for the oxide semiconductor thin film for each inspection location, an accurate evaluation criterion for the oxide semiconductor thin film such as uniformity for the oxide semiconductor thin film is prepared. Can contribute to

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. It will be obvious to those who have the knowledge of.

1 : 산화물 반도체 박막 검사장치 2 : 전압발생부
3 : 전압가변부 4 : 저항부
5 : 획득부 6 : 제어부
7 : 스위칭부 8 : 파형발생부
9 : 저감부1: oxide semiconductor thin film inspection device 2: voltage generator
3: voltage variable part 4: resistance part
5: acquisition unit 6: control unit
7: switching unit 8: waveform generator
9: Reduction unit

Claims (30)

산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)을 저감시키기 위한 저감값을 설정하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 인가전압을 인가하는 단계;
상기 인가전압을 기설정된 초기인가값에서 기설정된 최대인가값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계;
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및
추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 박막 검사방법.Setting a reduction value for reducing an energy band gap of the oxide semiconductor thin film;
Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film;
Applying an applied voltage to the oxide semiconductor thin film so that a voltage passing through the measurement resistance is applied;
Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the applied voltage from a preset initial applied value to a preset maximum applied value;
Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And
Comprising the step of calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage Oxide semiconductor thin film inspection method. 제1항에 있어서,
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 단계를 포함하고,
상기 재수행하는 단계는 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 저감값을 가변시킨 후에 상기 저감값을 설정하는 단계, 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 1,
When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, setting the measurement resistance after varying the measurement resistance, applying the applied voltage, and determining whether the thin film voltage is obtained Including the step of performing the step again,
The re-performing step includes setting the reduction value after varying the reduction value when the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance reaches a maximum resistance value, setting the measurement resistance, and the applied voltage And re-performing the step of applying and determining whether the thin film voltage is obtained. 제1항에 있어서,
상기 저감값을 설정하는 단계는 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭과 상이한 에너지 밴드갭을 갖는 저감부재를 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합시켜서 상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 1,
The setting of the reduction value is characterized in that the energy band gap of the oxide semiconductor thin film is reduced by PN-bonding a reduction member having an energy band gap different from the energy band gap of the oxide semiconductor thin film to the oxide semiconductor thin film. Oxide semiconductor thin film inspection method. 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 인가하기 위한 저감전압을 설정하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계;
상기 기판에 상기 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 인가전압을 인가하는 단계;
상기 인가전압을 기설정된 초기인가값에서 기설정된 최대인가값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계;
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및
추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 박막 검사방법.Setting a reduction voltage for application to the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed;
Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film;
Applying the reduced voltage to the substrate and applying an applied voltage to the oxide semiconductor thin film so that the voltage passing through the measurement resistance is applied;
Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the applied voltage from a preset initial applied value to a preset maximum applied value;
Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And
Comprising the step of calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage Oxide semiconductor thin film inspection method. 제4항에 있어서,
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 단계를 포함하고,
상기 재수행하는 단계는 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 저감전압을 가변시킨 후에 상기 저감전압을 설정하는 단계, 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 4,
When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, setting the measurement resistance after varying the measurement resistance, applying the applied voltage, and determining whether the thin film voltage is obtained Including the step of performing the step again,
The re-performing step includes: when the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance reaches a maximum resistance value, setting the reduction voltage after varying the reduction voltage, setting the measurement resistance, and the applied voltage And re-performing the step of applying and determining whether the thin film voltage is obtained. 제5항에 있어서, 상기 재수행하는 단계는
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 저감전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 5, wherein the re-performing step
When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance reaches a maximum resistance value, the reduced voltage is gradually increased to vary. 제4항에 있어서,
산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시키기 위한 저감값을 설정하는 단계; 및
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 저감전압이 최대전압값에 도달하였으면 상기 저감값을 가변시킨 후에 상기 저감값을 설정하는 단계, 상기 저감전압을 설정하는 단계, 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 4,
Setting a reduction value for reducing the energy band gap of the oxide semiconductor thin film; And
When the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value, if the reduction voltage reaches the maximum voltage value, varying the reduction value and then setting the reduction value, setting the reduction voltage And re-performing the step of setting the measurement resistance, applying the applied voltage, and determining whether the thin film voltage is obtained. 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 설정하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 측정저항을 설정하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 저감전압을 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 측정저항을 거친 전압이 인가되도록 상기 인가전압을 인가하는 단계;
상기 저감전압을 기설정된 초기전압값에서 기설정된 최대전압값으로 가변시키는 과정에서 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계;
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압을 추출하는 단계; 및
추출된 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출하고, 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 박막 검사방법.Setting an applied voltage for inspecting the oxide semiconductor thin film;
Setting a measurement resistance for inspecting the oxide semiconductor thin film;
Applying a reduced voltage to a substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed, and applying the applied voltage so that a voltage passing through the measurement resistance is applied to the oxide semiconductor thin film;
Determining whether a thin film voltage is obtained for the oxide semiconductor thin film in the process of varying the reduced voltage from a preset initial voltage value to a preset maximum voltage value;
Extracting a resistance voltage applied to the measurement resistance when the thin film voltage is obtained, when the thin film voltage is obtained; And
Comprising the step of calculating a thin film current using the extracted resistance voltage and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained, and calculating a thin film resistance for the oxide semiconductor thin film using the calculated thin film current and the thin film voltage Oxide semiconductor thin film inspection method. 제8항에 있어서,
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값 미만인 경우, 상기 측정저항을 가변시킨 후에 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 단계를 포함하고,
상기 재수행하는 단계는 상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 인가전압을 가변시킨 후에 상기 인가전압을 설정하는 단계, 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 8,
When the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance is less than the maximum resistance value, setting the measurement resistance after varying the measurement resistance, applying the applied voltage, and determining whether the thin film voltage is obtained Including the step of performing the step again,
The re-performing step includes: when the thin film voltage is not obtained and the measurement resistance reaches a maximum resistance value, setting the applied voltage after varying the applied voltage, setting the measurement resistance, the applied voltage And re-performing the step of applying and determining whether the thin film voltage is obtained. 제9항에 있어서, 상기 재수행하는 단계는
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 인가전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 9, wherein the re-performing step
When the thin film voltage is not acquired and the measurement resistance reaches a maximum resistance value, the applied voltage is gradually increased to vary. 제8항에 있어서,
산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭을 저감시키기 위한 저감값을 설정하는 단계; 및
상기 박막전압이 미획득되고 상기 측정저항이 최대저항값에 도달한 경우, 상기 인가전압이 최대인가값에 도달하였으면 상기 저감값을 가변시킨 후에 상기 저감값을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 설정하는 단계, 상기 측정저항을 설정하는 단계, 상기 인가전압을 인가하는 단계, 및 상기 박막전압이 획득되는지를 판단하는 단계를 재수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 8,
Setting a reduction value for reducing the energy band gap of the oxide semiconductor thin film; And
When the thin film voltage is not obtained and the measured resistance reaches the maximum resistance value, if the applied voltage reaches the maximum applied value, varying the reduction value and then setting the reduction value, setting the applied voltage And re-performing the step of setting the measurement resistance, applying the applied voltage, and determining whether the thin film voltage is obtained. 제1항, 제4항, 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출하여 기준전압으로 설정하는 단계;
상기 기준전압을 이용하여 양(Positive)의 전압과 음(Negative)의 전압이 교대로 반복되는 파형의 기준전압을 생성하는 단계;
상기 파형의 기준전압을 상기 산화물 반도체 박막에 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 파형의 박막전압을 획득하는 단계; 및
상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method according to any one of claims 1, 4, and 8,
When the thin film voltage is obtained, extracting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired and setting it as a reference voltage;
Generating a reference voltage of a waveform in which a positive voltage and a negative voltage are alternately repeated using the reference voltage;
Applying the waveform reference voltage to the oxide semiconductor thin film and obtaining a waveform thin film voltage for the oxide semiconductor thin film; And
Comprising the step of calculating a level value for the oxide semiconductor thin film using a first area value for a positive voltage in the waveform thin film voltage and a second area value for a negative voltage in the waveform thin film voltage. Oxide semiconductor thin film inspection method, characterized in that. 제1항, 제4항, 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출하여 기준전압으로 설정하는 단계;
상기 기준전압을 이용하여 양(Positive)의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성하고, 음(Negative)의 전압에 대한 파형의 기준전압을 생성하는 단계;
상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압을 상기 산화물 반도체 박막에 인가하여 상기 산화물 반도체 박막에 대해 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득하고, 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압을 상기 산화물 반도체 박막에 인가하여 상기 산화물 반도체 박막에 대해 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득하는 단계; 및
상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method according to any one of claims 1, 4, and 8,
When the thin film voltage is obtained, extracting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired and setting it as a reference voltage;
Generating a reference voltage of a waveform for a positive voltage using the reference voltage, and generating a reference voltage of a waveform for a negative voltage;
The reference voltage of the waveform for the positive voltage is applied to the oxide semiconductor thin film to obtain a thin film voltage of the waveform for the positive voltage for the oxide semiconductor thin film, and the reference voltage of the waveform for the negative voltage is obtained from the Applying to the oxide semiconductor thin film to obtain a thin film voltage of the waveform for the negative voltage with respect to the oxide semiconductor thin film; And
The oxide using a first area value for a positive voltage obtained from the waveform of the thin film voltage for the positive voltage and a second area value for the negative voltage obtained from the waveform of the thin film voltage for the negative voltage. An oxide semiconductor thin film inspection method comprising the step of calculating a level value for the semiconductor thin film. 제1항, 제4항, 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인가전압을 인가하는 단계는 양(Positive)의 전압으로 이루어진 인가전압을 인가하고,
상기 박막저항을 산출하는 단계는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막저항을 산출하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method according to any one of claims 1, 4, and 8,
In the step of applying the applied voltage, the applied voltage consisting of a positive voltage is applied,
The step of calculating the thin film resistance comprises calculating the thin film resistance based on an applied voltage consisting of a positive voltage. 제14항에 있어서,
상기 인가전압을 인가하는 단계는 양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막저항이 산출된 이후에, 음(Negative)의 전압으로 이루어진 인가전압을 인가하고,
상기 박막저항을 산출하는 단계는 음의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 상기 박막저항을 산출하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 14,
In the step of applying the applied voltage, after the thin film resistance is calculated based on the applied voltage made of a positive voltage, the applied voltage made of a negative voltage is applied,
The step of calculating the thin film resistance comprises calculating the thin film resistance based on an applied voltage consisting of a negative voltage. 제15항에 있어서,
양의 전압으로 이루어진 인가전압에 기반하여 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 추출하여 기준전압으로 설정하는 단계;
상기 기준전압을 이용하여 양의 전압과 음의 전압이 교대로 반복되는 파형의 기준전압을 생성하는 단계;
상기 파형의 기준전압을 상기 산화물 반도체 박막에 인가하고, 상기 산화물 반도체 박막에 대한 파형의 박막전압을 획득하는 단계; 및
상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사방법.The method of claim 15,
Extracting the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired based on the applied voltage consisting of a positive voltage and setting it as a reference voltage;
Generating a reference voltage of a waveform in which a positive voltage and a negative voltage are alternately repeated using the reference voltage;
Applying the waveform reference voltage to the oxide semiconductor thin film and obtaining a waveform thin film voltage for the oxide semiconductor thin film; And
Comprising the step of calculating a level value for the oxide semiconductor thin film using a first area value for a positive voltage in the waveform thin film voltage and a second area value for a negative voltage in the waveform thin film voltage. Oxide semiconductor thin film inspection method, characterized in that. 산화물 반도체 박막에 접속되기 위한 접속부;
상기 산화물 반도체 박막과 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판 중에서 적어도 하나에 연결되는 저감부;
상기 산화물 반도체 박막을 검사하기 위한 인가전압을 발생시키는 전압발생부;
상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압을 가변시키기 위한 전압가변부;
상기 전압발생부가 발생시킨 인가전압이 측정저항을 거쳐 상기 산화물 반도체 박막에 인가되도록 상기 접속부와 상기 전압발생부 각각에 연결되어서 상기 측정저항을 설정하는 저항부;
상기 산화물 반도체 박막에 대해 전압이 측정되는지에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막전압을 획득하는 획득부; 및
상기 획득부가 상기 박막전압을 획득한 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점에 상기 측정저항에 걸린 저항전압과 상기 박막전압이 획득된 시점의 측정저항을 이용하여 박막전류를 산출한 후에 산출된 박막전류와 상기 박막전압을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 박막저항을 산출하는 제어부를 포함하는 산화물 반도체 박막 검사장치.A connecting portion to be connected to the oxide semiconductor thin film;
A reduction unit connected to at least one of the oxide semiconductor thin film and the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed;
A voltage generator for generating an applied voltage for inspecting the oxide semiconductor thin film;
A voltage variable unit for varying the applied voltage generated by the voltage generator;
A resistance unit connected to each of the connection unit and the voltage generation unit so that the applied voltage generated by the voltage generation unit is applied to the oxide semiconductor thin film through a measurement resistance to set the measurement resistance;
An acquisition unit obtaining a thin film voltage for the oxide semiconductor thin film according to whether a voltage is measured for the oxide semiconductor thin film; And
When the acquisition unit acquires the thin film voltage, the thin film current calculated after calculating the thin film current using the resistance voltage applied to the measurement resistance at the time when the thin film voltage was obtained and the measured resistance at the time when the thin film voltage was obtained And a control unit for calculating a thin film resistance with respect to the oxide semiconductor thin film using the thin film voltage. 제17항에 있어서, 상기 저감부는
상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)과 상이한 에너지 밴드갭을 갖는 저감부재; 및
상기 산화물 반도체 박막이 갖는 에너지 밴드갭이 저감되도록 상기 저감부재를 상기 산화물 반도체 박막에 PN 접합시키는 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17, wherein the reduction unit
A reduction member having an energy band gap different from an energy band gap of the oxide semiconductor thin film; And
And a connecting member for PN bonding the reduction member to the oxide semiconductor thin film so that the energy band gap of the oxide semiconductor thin film is reduced. 제18항에 있어서, 상기 접속부는
일측이 상기 획득부에 연결되고 타측이 상기 산화물 반도체 박막에 접속되는 복수개의 제1접속부재; 및
상기 제1접속부재들이 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 복수개의 제2접속부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 18, wherein the connection part
A plurality of first connecting members having one side connected to the acquisition unit and the other side connected to the oxide semiconductor thin film; And
And a plurality of second connecting members connected to the oxide semiconductor thin film at positions spaced apart from the positions in which the first connecting members are connected to the oxide semiconductor thin film. 제19항에 있어서,
상기 연결부재는 일측이 상기 저감부재에 연결됨과 아울러 타측이 상기 제2접속부재들에 연결된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 19,
The connecting member is an oxide semiconductor thin film inspection apparatus, characterized in that one side is connected to the reduction member and the other side is connected to the second connection members. 제19항에 있어서,
상기 접속부는 상기 제1접속부재들과 상기 제2접속부재들이 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 복수개의 제3접속부재를 포함하고,
상기 연결부재는 일측이 상기 저감부재에 연결됨과 아울러 타측이 상기 제3접속부재들에 연결되며,
상기 제3접속부재들 각각은 상기 제2접속부재들 각각에 연결된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 19,
The connecting portion includes a plurality of third connecting members connected to the oxide semiconductor thin film at a position spaced apart from the position where the first connecting members and the second connecting members are connected to the oxide semiconductor thin film,
One side of the connection member is connected to the reduction member and the other side is connected to the third connection members,
Each of the third connecting members is connected to each of the second connecting members. 제18항에 있어서,
상기 저감부는 상기 저감부재를 지지하기 위한 지지부재를 포함하고,
상기 저감부재는 상기 지지부재에 탈부착 가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 18,
The reduction unit includes a support member for supporting the reduction member,
The reduction member is an oxide semiconductor thin film inspection apparatus, characterized in that the detachably coupled to the support member. 제17항에 있어서,
상기 접속부는 일측이 상기 획득부에 연결되고 타측이 상기 산화물 반도체 박막에 접속되는 복수개의 제1접속부재, 및 상기 제1접속부재들이 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 복수개의 제2접속부재를 포함하고,
상기 제1접속부재들과 상기 제2접속부재들은 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치가 일렬로 배치되도록 상기 산화물 반도체 박막에 접속되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
A plurality of first connecting members connected to the oxide semiconductor thin film on one side of the connection part and connected to the oxide semiconductor thin film on the other side, and the oxide semiconductor at a position spaced apart from a position in which the first connection members are connected to the oxide semiconductor thin film. Including a plurality of second connecting members connected to the thin film,
The first connection members and the second connection members are connected to the oxide semiconductor thin film so that positions connected to the oxide semiconductor thin film are arranged in a line. 제17항에 있어서,
상기 접속부는 일측이 상기 획득부에 연결되고 타측이 상기 산화물 반도체 박막에 접속되는 복수개의 제1접속부재, 및 상기 제1접속부재들이 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치로부터 이격된 위치에서 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 복수개의 제2접속부재를 포함하고,
상기 제1접속부재들과 상기 제2접속부재들은 상기 산화물 반도체 박막에 접속된 위치가 직사각형의 꼭짓점 상에 배치되도록 상기 산화물 반도체 박막에 접속되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
A plurality of first connecting members connected to the oxide semiconductor thin film on one side of the connection part and connected to the oxide semiconductor thin film on the other side, and the oxide semiconductor at a position spaced apart from a position in which the first connection members are connected to the oxide semiconductor thin film. Including a plurality of second connecting members connected to the thin film,
The first connecting members and the second connecting members are connected to the oxide semiconductor thin film so that a position connected to the oxide semiconductor thin film is disposed on a vertex of a rectangle. 제17항에 있어서,
상기 저감부는 상기 산화물 반도체 박막이 형성된 기판에 저감전압을 인가하는 저감전압부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
The reduction unit comprises a reduction voltage unit for applying a reduction voltage to the substrate on which the oxide semiconductor thin film is formed. 제25항에 있어서,
상기 저감부는 상기 저감전압부가 인가하는 저감전압을 가변시키기 위한 저감가변부를 포함하고,
상기 저감가변부는 상기 저감전압을 점차적으로 상승시켜서 가변시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 25,
The reduction unit includes a reduction variable unit for varying the reduction voltage applied by the reduction voltage unit,
An oxide semiconductor thin film inspection apparatus, characterized in that the reduction variable part gradually increases and varies the reduction voltage. 제17항에 있어서,
상기 저항부는 상기 박막전압이 미획득된 경우, 상기 측정저항을 가변시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치The method of claim 17,
The oxide semiconductor thin film inspection apparatus, characterized in that the resistance unit changes the measurement resistance when the thin film voltage is not obtained. 제17항에 있어서,
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 이용하여 양(Positive)의 전압과 음(Negative)의 전압이 교대로 반복되는 파형의 기준전압이 생성되도록 상기 전압발생부와 상기 저항부의 사이에 연결된 파형발생부를 포함하고,
상기 획득부는 상기 산화물 반도체 박막에 상기 파형의 기준전압이 인가됨에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대한 파형의 박막전압을 획득하며,
상기 제어부는 상기 파형의 박막전압에서 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 파형의 박막전압에서 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
When the thin film voltage is obtained, the voltage generator to generate a reference voltage of a waveform in which a positive voltage and a negative voltage are alternately repeated using the applied voltage at the time the thin film voltage is acquired And a waveform generating unit connected between the resistance unit and,
The acquisition unit acquires a waveform thin film voltage for the oxide semiconductor thin film as the waveform reference voltage is applied to the oxide semiconductor thin film,
The control unit calculates a level value for the oxide semiconductor thin film using a first area value for a positive voltage in the waveform thin film voltage and a second area value for a negative voltage in the waveform thin film voltage. Oxide semiconductor thin film inspection device. 제17항에 있어서,
상기 박막전압이 획득된 경우, 상기 박막전압이 획득된 시점의 인가전압을 이용하여 양(Positive)의 전압에 대한 파형의 기준전압과 음(Negative)의 전압에 대한 파형의 기준전압이 생성되도록 상기 전압발생부와 상기 저항부의 사이에 연결된 파형발생부를 포함하고,
상기 획득부는 상기 산화물 반도체 박막에 상기 양의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가됨에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대해 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득하고, 상기 산화물 반도체 박막에 상기 음의 전압에 대한 파형의 기준전압이 인가됨에 따라 상기 산화물 반도체 박막에 대해 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압을 획득하며,
상기 제어부는 상기 양의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 양의 전압에 대한 제1면적값 및 상기 음의 전압에 대한 파형의 박막전압에서 획득된 음의 전압에 대한 제2면적값을 이용하여 상기 산화물 반도체 박막에 대한 수준값을 산출하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
When the thin film voltage is obtained, the reference voltage of the waveform for the positive voltage and the reference voltage of the waveform for the negative voltage are generated using the applied voltage at the time when the thin film voltage is acquired. A waveform generator connected between the voltage generator and the resistor,
The acquisition unit acquires a thin film voltage of a waveform corresponding to the positive voltage to the oxide semiconductor thin film as a reference voltage of a waveform corresponding to the positive voltage is applied to the oxide semiconductor thin film, and the negative voltage is applied to the oxide semiconductor thin film. As the reference voltage of the waveform with respect to the voltage is applied, the thin film voltage of the waveform with respect to the negative voltage is obtained with respect to the oxide semiconductor thin film,
The control unit uses a first area value for a positive voltage obtained from the thin film voltage of the waveform for the positive voltage and a second area value for the negative voltage obtained from the thin film voltage of the waveform for the negative voltage. Thus, the oxide semiconductor thin film inspection apparatus, characterized in that calculating the level value for the oxide semiconductor thin film. 제17항에 있어서,
상기 전압발생부와 상기 저항부의 사이에서 상기 전압발생부와 상기 저항부 각각에 연결된 스위칭부를 포함하고,
상기 스위칭부는 상기 전압발생부로부터 인가된 인가전압을 양(Positive)의 전압으로 이루어진 인가전압 또는 음(Negative)의 전압으로 이루어진 인가전압으로 변환하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 검사장치.The method of claim 17,
A switching unit connected to each of the voltage generation unit and the resistance unit between the voltage generation unit and the resistance unit,
And the switching unit converts the applied voltage applied from the voltage generator into an applied voltage made of a positive voltage or an applied voltage made of a negative voltage.
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