KR102192187B1 - Ion source - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일실시예는 일단(一端)에서 타단(他端)으로 이어지는 중공부를 형성하는 아노드(anode); 상기 아노드의 일단에 위치하며 상기 아노드를 마주하는 제1 캐소드(cathode); 그리고 상기 아노드의 타단에 위치하며 상기 아노드를 마주하고, 상기 아노드를 기준으로 상기 제1 캐소드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드를 포함하고, 상기 제2 캐소드는, 상기 아노드의 타단에 위치하며, 상기 아노드를 향하여 개방된 중공부를 형성하는 제2 캐소드 바디; 상기 제2 캐소드 바디에 연결되고, 상기 제2 캐소드 바디를 기준으로 상기 아노드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드 패널; 그리고 상기 제2 캐소드 패널에 형성된 캐소드 홀(cathode hole)을 포함하는, 이온 소스(ion source)를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention is an anode (anode) forming a hollow portion leading from one end (一端) to the other end (他端); A first cathode positioned at one end of the anode and facing the anode; And a second cathode positioned at the other end of the anode, facing the anode, and positioned opposite the first cathode with respect to the anode, and the second cathode, the other end of the anode A second cathode body positioned at and forming a hollow portion opened toward the anode; A second cathode panel connected to the second cathode body and positioned opposite the anode with respect to the second cathode body; In addition, an ion source including a cathode hole formed in the second cathode panel may be provided.
Description
본 발명은 이온 소스에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상대적으로 높은 단원자 분율을 가지는 이온을 생성하는 이온 소스에 관한 것이다.The present invention relates to an ion source, and more particularly, to an ion source that generates ions having a relatively high monoatomic fraction.
종래의 이온소스는 플랫(flat) 타입의 음극(cathode)을 이용하였으나, 단원자 분율이 충분하지 못한 경우가 발생될 수 있다. 단원자 분율이 충분하지 않으면, 상대적으로 무거운 이온의 비율이 높아지므로, 가속되는 입자의 속도가 충분하지 않을 수 있다.The conventional ion source uses a flat type cathode, but a case in which the fraction of a single atom is insufficient may occur. If the monoatomic fraction is not sufficient, the proportion of relatively heavy ions increases, and thus the speed of the accelerated particles may not be sufficient.
특히 중성자 발생 장치에 사용되는 이온소스의 경우, 상대적으로 높은 속도의 이온이 요구되므로, 상대적으로 높은 단원자 분율을 가지는 이온소스가 요구될 수 있다.In particular, in the case of an ion source used in a neutron generator, since ions at a relatively high rate are required, an ion source having a relatively high monoatomic fraction may be required.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상대적으로 높은 단원자 분율을 가지는 이온을 생성하는 이온 소스를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an ion source that generates ions having a relatively high monoatomic fraction.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs from the following description. There will be.
본 발명의 일 측면(an aspect)에 따르면, 본 발명은, 일단(一端)에서 타단(他端)으로 이어지는 중공부를 형성하는 아노드(anode); 상기 아노드의 일단에 위치하며 상기 아노드를 마주하는 제1 캐소드(cathode); 그리고 상기 아노드의 타단에 위치하며 상기 아노드를 마주하고, 상기 아노드를 기준으로 상기 제1 캐소드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드를 포함하고, 상기 제2 캐소드는, 상기 아노드의 타단에 위치하며, 상기 아노드를 향하여 개방된 중공부를 형성하는 제2 캐소드 바디; 상기 제2 캐소드 바디에 연결되고, 상기 제2 캐소드 바디를 기준으로 상기 아노드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드 패널; 그리고 상기 제2 캐소드 패널에 형성된 캐소드 홀(cathode hole)을 포함하는, 이온 소스(ion source)를 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the present invention, an anode (anode) forming a hollow portion leading from one end to the other end (他端); A first cathode positioned at one end of the anode and facing the anode; And a second cathode positioned at the other end of the anode, facing the anode, and positioned opposite the first cathode with respect to the anode, and the second cathode, the other end of the anode A second cathode body positioned at and forming a hollow portion opened toward the anode; A second cathode panel connected to the second cathode body and positioned opposite the anode with respect to the second cathode body; In addition, an ion source including a cathode hole formed in the second cathode panel may be provided.
본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소스는, 상대적으로 높은 단원자 분율을 가지는 이온을 생성할 수 있다.The ion source according to an embodiment of the present invention may generate ions having a relatively high monoatomic fraction.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above effects, and should be understood to include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소스를 나타낸 도면이다.
도 2는, 도 1에 도시된 이온 소스를 A1-A2 라인으로 자른 단면을 나타낸 도면이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리를 나타낸 도면이다.
도 4는, 도 3에 도시된 전극 어셈블리를 길이 방향으로 잘라서 바라본 도면이다.
도 5는, 도 1에 도시된 이온 소스를 B1-B2를 따라 자른 단면사시도이다.
도 6 내지 도 8은, 여러 실시예에 따른 캐소드를 구비한 전극 어셈블리를 나타낸 도면이다.
도 9는, 다양한 형상에 따른 캐소드를 나타낸 도면이다.
도 10은, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리에 연결된 전력 회로를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing an ion source according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a cross-section of the ion source shown in FIG. 1 taken along lines A1-A2.
3 is a view showing an electrode assembly according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view of the electrode assembly shown in FIG. 3 cut in the longitudinal direction.
5 is a cross-sectional perspective view of the ion source shown in FIG. 1 taken along line B1-B2.
6 to 8 are diagrams illustrating an electrode assembly having a cathode according to various embodiments.
9 is a view showing a cathode according to various shapes.
10 is a view showing a power circuit connected to the electrode assembly according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be implemented in various different forms, and therefore is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (connected, contacted, bonded)" with another part, it is not only "directly connected", but also "indirectly connected" with another member in the middle. "Including the case. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further provided, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or a combination thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소스(10)를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing an
도 1을 참조하면, 이온 소스(10)는, 전극 어셈블리(100)를 포함할 수 있다. 전극 어셈블리(100)는, 아노드(anode)와 캐소드(cathode)를 포함할 수 있다. 전극 어셈블리(100)에 가스(gas)가 주입될 수 있다. 전극 어셈블리(100)의 내부에 전위차(electric potential difference)가 형성될 수 있다. 전극 어셈블리(100)는, 내부에 주입된 가스를 방전시킬 수 있다. 전극 어셈블리(100)에 의해, 내부에 주입된 가스는, 플라즈마(plasma)로 변환될 수 있다.Referring to FIG. 1, the
이온 소스(10)는, 마그넷 유닛(600, magnet unit)을 포함할 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)에 인접할 수 있다. 예를 들어 마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)를 감쌀 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)에 자기장(magnetic field)을 제공할 수 있다.The
마그넷 유닛(600)은, 예를 들어, 영구 자석을 포함할 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 다른 예를 들어, 전자석을 포함할 수 있다. 마그넷 유닛(600)에서 제공되는 자기장은, 전극 어셈블리(100)의 내부에 형성될 수 있다.The
이온 소스(10)는, 하우징(500)을 포함할 수 있다. 하우징(500)의 적어도 일부는, 전극 어셈블리(100)의 단부(端部)에 결합될 수 있다. 전극 어셈블리(100)는, 하우징(500)에 고정될 수 있다.The
도 2는, 도 1에 도시된 이온 소스(10)를 A1-A2 라인으로 자른 단면을 나타낸 도면이다. A1-A2라인은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다.FIG. 2 is a diagram illustrating a cross section of the
도 2를 참조하면, 전극 어셈블리(100)는, 아노드(200, anode)를 포함할 수 있다. 아노드(200)는, 내부에 중공부(hollow portion)를 구비할 수 있다. 아노드(200)에 형성된 중공부는, 양측에서 개방될 수 있다. 예를 들어 아노드(200)에 형성된 중공부는, 아노드(200)의 일단(一端)과 타단(他端)에서 개방될 수 있다. 아노드(200)의 타단(他端)은, 아노드(200)의 일단(一端)의 맞은편에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 2, the
아노드(200)는, 전체적으로, 실린더(cylinder)의 형상을 형성할 수 있다. 예를 들어, 아노드(200)의 중공부는, 실린더(cylinder)에 형성된 중공부의 형상을 형성할 수 있다.The
아노드(200)는, 금속 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 아노드(200)는, 구리(copper)를 포함할 수 있다.The
전극 어셈블리(100)는, 캐소드(300, cathode)를 포함할 수 있다. 캐소드(300)는, 아노드(200)에 인접할 수 있다. 캐소드(300)는, 복수 개로 제공될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)는, 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b)를 포함할 수 있다. 캐소드(300)는, 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 캐소드(300)는, 금속 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)는, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 그리고 탄탈럼(Ta) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 캐소드(300)와 아노드(200) 사이에, 전위차가 형성될 수 있다.The
제1 캐소드(300a)의 형상은, 제2 캐소드(300b)의 형상과 유사할 수 있다. 캐소드(300)의 형상은, 아노드(200)의 형상에 대응될 수 있다. 캐소드(300)는, 중공부를 형성하는 실린더(cylinder)의 형상을 형성할 수 있다. 캐소드(300)의 중공부의 형상은, 아노드(200)의 중공부의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)의 중공부의 형상은, 실린더 보어(cylinder bore)의 내부에 형성된 중공부의 형상을 형성할 수 있다.The shape of the
제1 캐소드(300a)는, 아노드(200)의 일단(一端)에 인접할 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 아노드(200)의 타단(他端)에 인접할 수 있다. 예를 들어 아노드(200)는, 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b)의 사이에 위치할 수 있다.The
제1 캐소드(300a), 아노드(200), 그리고 제2 캐소드(300b)가 순차적으로 배치된 방향은, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 전극 어셈블리(100)의 길이 방향은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다.A direction in which the
인슐레이터(360, insulator)는, 캐소드(300)와 아노드(200) 사이에 위치할 수 있다. 인슐레이터(360)는, 캐소드(300)와 아노드(200) 사이의 간격을 형성시킬 수 있다. 인슐레이터(360)는, 복수개로 제공될 수 있다. 예를 들어 인슐레이터(360)는, 제1 인슐레이터(360a)와 제2 인슐레이터(360b)를 포함할 수 있다. 인슐레이터(360)는, 제1 인슐레이터(360a)와 제2 인슐레이터(360b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.The
제1 캐소드(300a)와 아노드(200)의 사이에, 제1 인슐레이터(360a)가 위치할 수 있다. 제2 캐소드(300b)와 아노드(200)의 사이에, 제2 인슐레이터(360b)가 위치할 수 있다. 인슐레이터(360)는, 전기적으로 부도체일 수 있다. 예를 들어 인슐레이터(360)는, 합성 수지를 포함할 수 있다.A
인슐레이터(360)는, 캐소드(300)와 아노드(200)를 연결할 수 있다. 예를 들어 제1 인슐레이터(360a)는, 제1 캐소드(300a)와 아노드(200)를 결합시킬 수 있다. 예를 들어 제2 인슐레이터(360b)는, 제2 캐소드(300b)와 아노드(200)를 결합시킬 수 있다.The
캐소드(300)는, 중공부(hollow portion)을 구비할 수 있다. 캐소드(300)에 형성된 중공부는, 일측을 향하여 개방될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)에 형성된 중공부는, 아노드(200)를 향하여 개방될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)에 형성된 중공부는, 아노드(200)에 형성된 중공부와 연통될 수 있다. 캐소드(300)의 일측은, 아노드(200)에 인접한 부분을 의미할 수 있다.The
캐소드(300)에 형성된 중공부는, 타측을 향하여 닫혀질 수 있다. 캐소드(300)의 타측은, 캐소드(300)의 일측의 맞은편을 의미할 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)에 형성된 중공부는, 아노드(200)의 맞은편에서 닫혀질 수 있다.The hollow portion formed in the
인슐레이터(360)의 형상은, 캐소드(300)의 형상 또는/및 아노드(200)의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들어 인슐레이터(360)는, 링(ring)의 형상을 형성할 수 있다. 인슐레이터(360)는, 캐소드(300)와 아노드(200)를 전기적으로 절연할 수 있다.The shape of the
아노드(200), 인슐레이터(360), 그리고 캐소드(300)는, 내부에 공간을 형성할 수 있다. 아노드(200), 인슐레이터(360), 그리고 캐소드(300)에 의해 형성된 공간은, 전체적으로 밀폐될 수 있다. 아노드(200), 인슐레이터(360), 그리고 캐소드(300)에 의해 형성된 공간에, 가스(gas)가 주입될 수 있다. 전극 어셈블리(100)에 주입되는 가스는, 예를 들어 수소 가스(hydrogen gas)를 포함할 수 있다.The
전극 어셈블리(100)에 주입된 가스는, 캐소드(300)와 아노드(200) 사이에 형성된 전위차에 의하여 방전될 수 있다. 예를 들어, 수소 분자(hydrogen molecule)를 포함하는 수소 가스의 적어도 일부는, 이온화되어 수소 이온으로 변환될 수 있다. 다른 예를 들어 전극 어셈블리(100)에 주입되는 가스는, 중수소(重水素, deuterium) 또는/및 삼중수소(三重水素)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리(100)에 주입되는 가스는, 수소 또는 중수소 등에 한정되는 것은 아니다.The gas injected into the
수소 이온은, 질량에 따라 구분될 수 있다. 예를 들어 수소 이온은, 단원자 수소 이온(monatomic hydrogen ion, H+)을 포함할 수 있다. 단원자 수소 이온은, 제1 수소 이온이라 칭할 수 있다. 단원자 수소 이온은, 전자가 제거된 상태의 수소 원자를 의미할 수 있다. 수소 이온은, 이원자 수소 이온(diatomic hydrogen ion, H2 +)을 포함할 수 있다. 이원자 수소 이온은, 제2 수소 이온이라 칭할 수 있다. 이원자 수소 이온은, 적어도 하나의 전자가 제거된 상태의 이원자수소 분자를 의미할 수 있다. 수소 이온은, 삼원자 수소 이온(triatomic hydrogen ion, H3 +)을 포함할 수 있다. 삼원자 수소 이온은, 제3 수소 이온이라 칭할 수 있다. 삼원자 수소 이온은, 적어도 하나의 전자가 제거된 상태의 삼원자수소(hyzone) 분자를 의미할 수 있다. 수소 이온은, 제1 내지 제3 수소 이온 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.Hydrogen ions can be classified according to their mass. For example, the hydrogen ion may include a monoatomic hydrogen ion (H + ). The monoatomic hydrogen ion can be referred to as a first hydrogen ion. The monoatomic hydrogen ion may mean a hydrogen atom in a state in which electrons have been removed. Hydrogen ions may include diatomic hydrogen ions (H 2 + ). The diatomic hydrogen ion can be referred to as a second hydrogen ion. The diatomic hydrogen ion may mean a diatomic hydrogen molecule in a state in which at least one electron has been removed. Hydrogen ions may include triatomic hydrogen ions (H 3 + ). The triatomic hydrogen ion can be referred to as a third hydrogen ion. The triatomic hydrogen ion may mean a triatomic hydrogen (hyzone) molecule in a state in which at least one electron has been removed. Hydrogen ions may mean at least one of first to third hydrogen ions.
“단원자 분율”은, 제1 내지 제3 수소 이온 대비 제1 수소 이온의 비율을 의미할 수 있다. 제1 수소 이온은, 제2 수소 이온과 제3 수소 이온에 비하여, 낮은 질량을 가질 수 있다. 제1 수소 이온은, 제2 수소 이온과 제3 수소 이온에 비하여, 동일한 전기장에 의하여, 높은 가속도 또는 높은 속도를 가질 수 있다. 따라서 제1 수소 이온은, 제2 및 제3 수소 이온에 비하여, 상대적으로 높은 속도로 가속될 수 있다. 즉 단원자 분율이 높을수록, 상대적으로 높은 속도를 가지는 이온의 비율이 높을 수 있다.The "monoatomic fraction" may mean a ratio of the first hydrogen ions to the first to third hydrogen ions. The first hydrogen ions may have a lower mass than the second hydrogen ions and the third hydrogen ions. The first hydrogen ions may have high acceleration or high velocity due to the same electric field compared to the second hydrogen ions and the third hydrogen ions. Accordingly, the first hydrogen ions may be accelerated at a relatively high rate compared to the second and third hydrogen ions. That is, the higher the monoatomic fraction, the higher the proportion of ions having a relatively high rate.
단원자 분율은, 이온 소스(10)에 결합된 외부 장치의 성능에 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 이온 소스(10)에 결합된 외부 장치가 핵융합로 장치인 경우, 이온 소스(10)에서 제공되는 이온은, 핵융합로 장치에서 형성되는 플라즈마 전류를 증가시킬 수 있다. 이 경우, 이온 소스(10)에서 생성된 이온의 단원자 분율이 높을수록, 핵융합로 장치에서 형성되는 플라즈마 전류의 증가 폭이 상대적으로 높을 수 있다. 다른 예를 들어 이온 소스(10)에 결합된 외부 장치가 양성자 가속기인 경우, 이온 소스(10)에서 제공되는 이온의 단원자 분율이 클수록, 양성자 가속기에 제공되는 양성자의 비율이 높아질 수 있다. 즉 이온 소스(10)에서 제공되는 이온의 단원자 분율이 클수록, 양성자 가속기의 성능이 높아질 수 있다. 캐소드(300)의 형상 및 배치는, 단원자 분율에 영향을 줄 수 있다. 이에 대한 논의는 후술된다. 또 다른 예를 들어 이온 소스(10)에 결합된 외부 장치가 중성자 발생 장치인 경우, 이온 소스(10)에서 제공되는 이온의 단원자 분율이 클수록, 적어도 일정 범위에서 중성자 생성 반응 단면적(neutron production cross-section)이 커질 수 있다. 즉 이온 소스(10)에서 제공되는 이온의 단원자 분율이 클수록, 중성자 발생 장치의 효율이 증대될 수 있다.The monoatomic fraction may affect the performance of an external device coupled to the
전극 어셈블리(100)에서 생성된 이온은, 캐소드(300)의 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어, 전극 어셈블리(100)에서 생성된 이온은, 제2 캐소드(300b)에서 배출될 수 있다. 캐소드(300)는, 홀(hole)을 형성할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드(300b)는, 홀(hole)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 전극 어셈블리(100)에서 생성된 이온은, 제2 캐소드(300b)에 구비된 홀(hole)을 통해 배출될 수 있다.Ions generated by the
전극 어셈블리(100)는, 인출부(400)를 포함할 수 있다. 인출부(400)는, 캐소드(300)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 인출부(400)는, 제2 캐소드(300b)에 인접할 수 있다. 인출부(400)는, 제2 캐소드(300b)로부터 이온을 제공 받아 외부로 배출시킬 수 있다.The
인출부(400)와 제2 캐소드(300b) 사이에 전위차가 형성될 수 있다. 인출부(400)와 캐소드(300) 사이에 전기장(electric field)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 인출부(400)와 제2 캐소드(300b) 사이에 전기장이 형성될 수 있다. 제2 캐소드(300b)에서 배출된 이온은, 전기장에 의하여, 인출부(400)를 향하여 가속될 수 있다. 인출부(400)에 인입된 이온은, 외부로 배출될 수 있다.A potential difference may be formed between the
본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소스(10)는, 하우징(500)을 포함할 수 있다. 하우징(500)은, 하우징 바디(510)를 포함할 수 있다. 하우징 바디(510)는, 전극 어셈블리(100)에 결합될 수 있다. 예를 들어 하우징 바디(510)는, 제2 캐소드(300b)에 결합될 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드(300b)는, 하우징 바디(510)에 고정될 수 있다. 하우징 바디(510)는, 인출부(400)를 수용할 수 있다. 인출부(400)는, 하우징 바디(510)에 결합될 수 있다.The
하우징(500)은, 캐소드 서포트(520, cathode support)를 포함할 수 있다. 캐소드 서포트(520)는, 제1 캐소드(300a)에 결합될 수 있다. 캐소드(300)와 아노드(200)는, 캐소드 서포트(520)와 하우징 바디(510)의 사이에 위치할 수 있다. 캐소드 서포트(520)는, 링크(530)에 의해 하우징 바디(510)에 결합될 수 있다. 링크(530)는, 하우징 바디(510)와 캐소드 서포트(520)를 결합시킬 수 있다. 링크(530)는, 복수 개로 제공될 수 있다. 캐소드(300)와 아노드(200)는, 하우징 바디(510), 캐소드 서포트(520), 그리고 링크(530)에 의해 지지될 수 있다.The
하우징(500)은, 커플러(540)를 포함할 수 있다. 커플러(540)는, 하우징 바디(510)에 결합될 수 있다. 하우징 바디(510)는, 커플러(540)에 고정될 수 있다. 커플러(540)는, 외부 고정물(fixture)에 고정되거나 결합될 수 있다. 예를 들어 커플러(540)는, 이온이 조사되는 장치에 결합될 수 있다. 예를 들어 커플러(540)는, 반도체 도핑 장치, 핵융합로 챔버, 중성자 발생 장치, 그리고 이온 가속기 등에 결합될 수 있다.The
마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향으로 형성되는 자기장을 전극 어셈블리(100)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 마그넷 유닛(600)에 의하여 형성되는 자기장은, 아노드(200)와 캐소드(300)에 의해 형성되는 공간을 통과할 수 있다. 아노드(200)와 캐소드(300)에 의해 형성된 공간에 위치하는 가스 또는 플라즈마는, 자기장의 영향을 받을 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)에서 형성되는 가스의 이온화를 촉진시킬 수 있다. 예를 들어 마그넷 유닛(600)에 의해 형성되는 자기장은, 전극 어셈블리(100)에서 형성된 이온의 가둠(confinement) 또는/및 플라즈마 드리프트(plasma drift)를 촉진시킬 수 있다. 즉 마그넷 유닛(600)은, 전극 어셈블리(100)의 성능을 향상시킬 수 있다.The
마그넷 유닛(600)은, 영구 자석을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어 마그넷 유닛(600)은, 전자석을 포함할 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 코일(coil)을 포함할 수 있다. 예를 들어 마그넷 유닛(600)에 구비된 코일은, 아노드(200)와 캐소드(300)를 감쌀 수 있다. 예를 들어 마그넷 유닛(600)에 구비된 코일은, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향을 기준으로 방위각 방향(azimuthal direction)으로, 아노드(200)와 캐소드(300)의 주위를 감싸는 형상을 형성할 수 있다.The
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리(100)를 나타낸 도면이다. 도 4는, 도 3에 도시된 전극 어셈블리(100)를 전극 어셈블리(100)의 길이 방향으로 잘라서 바라본 도면이다. 도 3 및 도 4에서, 설명의 편의를 위하여 일부 구성이 생략될 수 있다. 예를 들어 인슐레이터(360, 도 2 참조)는, 도 3 및 4에서 생략될 수 있다.3 is a view showing an
도 3 및 도 4를 참조하면, 전극 어셈블리(100)는, 아노드(200)를 포함할 수 있다. 아노드(200)는, 아노드 바디(210)를 포함할 수 있다. 아노드 바디(210)는, 길이 방향을 가질 수 있다. 아노드 바디(210)의 길이 방향은, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 아노드 바디(210)의 길이 방향은, 아노드 바디(210)의 제1단(200a)에서 제2단(200b)을 향하는 방향과 나란할 수 있다.3 and 4, the
아노드 바디(210)는, 중공부를 형성할 수 있다. 예를 들어 아노드 바디(210)는, 아노드 공간(240)을 구비할 수 있다. 아노드 공간(240)은, 아노드 바디(210)에 형성된 중공부를 의미할 수 있다. 아노드 공간(240)은, 아노드 바디(210)의 양단(兩端)에서 개방될 수 있다. 예를 들어 아노드 공간(240)은, 제1단(200a)과 제2단(200b)에서 개방될 수 있다. 아노드 공간(240)은, 실린더 보어(cylinder bore)에 형성된 공간의 형상에 대응될 수 있다. 아노드 공간(240)은, 전극 어셈블리(100)에 주입된 가스를 수용할 수 있다.The
아노드(200)는, 아노드 홀(230)을 구비할 수 있다. 아노드 홀(230)은, 아노드 바디(210)에 형성될 수 있다. 아노드 홀(230)을 통해, 가스가 아노드 공간(240)에 주입될 수 있다. 아노드 홀(230)은, 아노드 공간(240)에 연통될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리(100)에서 가스가 아노드 홀(230)을 통해 주입되는 것으로 설명되나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 가스는 제1 캐소드(300a)에 형성되는 홀(hole)을 통해 전극 어셈블리(100)에 주입될 수 있다.The
전극 어셈블리(100)는, 캐소드(300)를 포함할 수 있다. 캐소드(300)는, 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b)를 포함할 수 있다. 캐소드(300)는, 아노드(200)에 인접할 수 있다. 예를 들어 제1 캐소드(300a)는, 아노드(200)의 제1단(200a)에 인접할 수 있다. 예를 들어 제1 캐소드(300a)는, 아노드(200)의 제1단(200a)을 마주할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드(300b)는, 아노드(200)의 제2단(200b)에 인접할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드(300b)는, 아노드(200)의 제2단(200b)을 마주할 수 있다.The
캐소드(300)는, 캐소드 바디(310)를 포함할 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 바디(310a)를 포함할 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 제2 캐소드 바디(310b)를 포함할 수 있다. 캐소드 바디(310)는, 제1 캐소드 바디(310a)와 제2 캐소드 바디(310b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.The
캐소드 바디(310)는, 캐소드(300)의 전체적인 형상을 형성할 수 있다. 캐소드 바디(310)의 형상은, 아노드 바디(210)의 형상과 유사할 수 있다. 예를 들어 캐소드 바디(310)는, 중공부를 형성하는 실린더(cylinder)의 형상을 가질 수 있다.The
캐소드 바디(310)는, 길이 방향을 형성할 수 있다. 캐소드 바디(310)의 길이 방향은, 캐소드(300)에서 아노드(200)를 향하는 방향과 나란할 수 있다. 예를 들어 제1 캐소드 바디(310a)의 길이 방향은, 제1 캐소드(300a)에서 아노드(200)를 향하는 방향과 나란할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드 바디(310b)의 길이 방향은, 제2 캐소드(300b)에서 아노드(200)를 향하는 방향과 나란할 수 있다.The
캐소드 바디(310)는, 캐소드(300)의 길이 방향으로 연장된(elongated) 형상을 형성할 수 있다. 예를 들어 제1 캐소드 바디(310a)는, 제1 캐소드(300a)의 길이 방향으로 연장된 형상을 형성할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드 바디(310b)는, 제2 캐소드(300b)의 길이 방향으로 연장된 형상을 형성할 수 있다.The
캐소드(300)는, 캐소드 패널(320)을 포함할 수 있다. 캐소드 패널(320)은, 캐소드 바디(310)의 일단(一端)에 결합될 수 있다. 캐소드 바디(310)의 타단(他端)은, 캐소드 바디(310)의 일단의 맞은편에 위치할 수 있다. 캐소드 바디(310)는, 캐소드 바디(310)의 일단에서 타단으로 연장된 형상을 형성할 수 있다.The
캐소드 패널(320)은, 제1 캐소드 패널(320a)과 제2 캐소드 패널(320b)을 포함할 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 패널(320a)을 포함할 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 제2 캐소드 패널(320b)을 포함할 수 있다. 캐소드 패널(320)은, 제1 캐소드 패널(320a)과 제2 캐소드 패널(320b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 제1 캐소드 패널(320a)은, 제1 캐소드 바디(310a)의 일단(一端)에 위치할 수 있다. 제1 캐소드 패널(320a)은, 제1 캐소드 바디(310a)를 기준으로 아노드(200)의 맞은편에 위치할 수 있다. 제2 캐소드 패널(320b)은, 제2 캐소드 바디(310b)를 기준으로 아노드(200)의 맞은편에 위치할 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 아노드(200)를 기준으로 제2 캐소드(300b)의 맞은편에 위치할 수 있다. 캐소드 패널(320)은, 캐소드 바디(310)와 일체로 형성될 수 있다.The
캐소드(300)는, 캐소드 공간(340)을 포함할 수 있다. 캐소드 공간(340)은, 캐소드 바디(310)와 캐소드 패널(320)에 의해 형성된 공간을 의미할 수 있다. 캐소드 공간(340)은, 아노드(200)를 향하여 개방될 수 있다. 캐소드 공간(340)은, 캐소드 패널(320)에 의해 닫혀질 수 있다.The
제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 공간(340a)을 구비할 수 있다. 제1 캐소드 공간(340a)은, 제1 캐소드 바디(310a)와 제1 캐소드 패널(320a)에 의해 형성될 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 제2 캐소드 공간(340b)을 구비할 수 있다. 제2 캐소드 공간(340b)은, 제2 캐소드 바디(310b)와 제2 캐소드 패널(320b)에 의해 형성될 수 있다. 캐소드 공간(340)은, 제1 캐소드 공간(340a)과 제2 캐소드 공간(340b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 제1 캐소드 공간(340a)은, 아노드(200)를 향하여 개방되고, 제1 캐소드 패널(320a)에 의해 닫혀질 수 있다. 제2 캐소드 공간(340b)은, 아노드(200)를 향하여 개방되고, 제2 캐소드 패널(320b)에 의해 닫혀질 수 있다.The
캐소드(300)는, 캐소드 홀(330)을 포함할 수 있다. 캐소드 홀(330)은, 캐소드 패널(320)에 형성될 수 있다. 예를 들어 캐소드 홀(330)은, 제2 캐소드 홀(330b)을 포함할 수 있다. 제2 캐소드 홀(330b)은, 제2 캐소드 패널(320)에 형성될 수 있다.The
캐소드 홀(330)은, 아노드(200)에서 캐소드(300)를 향하는 방향으로 갈수록, 넓은 단면을 가지는 형상을 형성할 수 있다. 예를 들어 제2 캐소드 홀(330b)은, 아노드(200)에서 제2 캐소드(300b)를 향하는 방향으로 갈수록, 넓은 단면을 가질 수 있다.The
캐소드 홀(330)을 통해, 캐소드(300)와 아노드(200)에서 형성된 이온이 배출될 수 있다. 예를 들어 캐소드(300)와 아노드(200)에서 형성된 이온은, 캐소드 홀(330)을 통과하여, 인출부(400)에 도달할 수 있다.Ions formed in the
전극 어셈블리(100)는, 인출부(400)를 포함할 수 있다. 인출부(400)는, 깔때기(funnel)의 형상을 형성할 수 있다. 인출부(400)는, 인출부 바디(410)를 포함할 수 있다. 인출부 바디(410)는, 인출부(400)의 전체적인 형상을 형성할 수 있다. 인출부 바디(410)는, 금속 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어 인출부 바디(410)는, 전기적으로 도체를 포함할 수 있다. 인출부 바디(410)와 캐소드(300) 사이에 전위차(electric potential difference)가 형성될 수 있다. 예를 들어 캐소드 홀(330)과 인출부 바디(410) 사이에 전위차가 형성될 수 있다.The
인출부(400)는, 인출부 제1홀(420)과 인출부 제2홀(430)을 포함할 수 있다. 인출부 제1홀(420)은, 인출부 바디(410)의 일단(一端)에 형성될 수 있다. 인출부 제1홀(420)은, 캐소드 홀(330)에 인접할 수 있다. 예를 들어 캐소드 홀(330)에서 배출된 이온은, 인출부 제1홀(420)을 향해 이동할 수 있다. 인출부 제2홀(430)은, 인출부 바디(410)의 타단(他端)에 형성될 수 있다. 인출부 제2홀(430)은, 인출부 제1홀(420)의 맞은편에 위치할 수 있다. 인출부 제1홀(420)을 통해 인출부 바디(410)의 내부에 진입한 이온은, 인출부 제2홀(430)을 통해 외부로 배출될 수 있다.The
인출부 제2홀(430)의 넓이는, 인출부 제1홀(420)의 넓이 보다 클 수 있다. 인출부 제1홀(420)에서 인출부 제2홀(430)을 향하는 방향은, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 인출부 바디(410)는, 인출부 제1홀(420)에서 연장되어 인출부 제2홀(430)에 이어진 형상을 형성할 수 있다. 인출부 바디(410)의 단면은, 인출부 제1홀(420)에서 인출부 제2홀(430)로 갈수록 커질 수 있다. 예를 들어 인출부 바디(410)의 내측면이 형성하는 단면은, 인출부 제1홀(420)에서 인출부 제2홀(430)로 갈수록 커질 수 있다.The width of the second
인출부(400)는, 인출부 공간(440)을 포함할 수 있다. 인출부 공간(440)은, 인출부 바디(410)에 형성된 공간을 의미할 수 있다. 인출부 공간(440)은, 인출부 제1홀(420) 및 인출부 제2홀(430)에 연통될 수 있다. 인출부 공간(440)의 형상은, 인출부 바디(410)의 내측면의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들어 인출부 공간(440)의 형상은, 인출부 제1홀(420)에서 인출부 제2홀(430)을 향할수록 커지는 단면을 형성할 수 있다. 인출부 공간(440)의 단면의 기준은, 인출부(400)의 길이 방향일 수 있다.The
캐소드 바디(310)의 내면(interior surface)은, 길이 방향을 따라 일정한 단면을 유지할 수 있다. 또는 캐소드 바디(310)의 내면은, 길이 방향을 따라 일정한 폭을 유지할 수 있다.The interior surface of the
도 5는, 도 1에 도시된 이온 소스(10)를 B1-B2를 따라 자른 단면사시도이다. B1-B2는, 이온 소스(10)의 길이 방향 또는 전극 어셈블리(100)의 길이 방향에 나란할 수 있다. 도 5는, 도 4와 함께 설명될 수 있다.5 is a cross-sectional perspective view of the
도 4 및 도 5를 참조하면, 캐소드(300)는 캐소드 케이싱(cathode casing, 350)을 포함할 수 있다. 캐소드 케이싱(350)은, 캐소드 바디(310)를 감싸는 형상을 형성할 수 있다. 캐소드 케이싱(350)은, 캐소드 바디(310)를 보호할 수 있다. 캐소드 케이싱(350)은, 캐소드(300)의 외면(exterior surface)을 형성할 수 있다. 캐소드 바디(310)는, 캐소드(300)의 내면(interior surface)을 형성할 수 있다.4 and 5, the
제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 케이싱(350a)을 포함할 수 있다. 제1 캐소드 케이싱(350a)은, 제1 캐소드 바디(310a)에 결합될 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 제2 캐소드 케이싱(350b)을 포함할 수 있다. 제2 캐소드 케이싱(350b)은, 제2 캐소드 바디(310b)에 결합될 수 있다. 캐소드 케이싱(350)은, 제1 캐소드 케이싱(350a)과 제2 캐소드 케이싱(350b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 캐소드 케이싱(350)을 구성하는 재질은, 캐소드 바디(310)를 구성하는 재질과 다를 수 있다. 예를 들어 캐소드 케이싱(350)은, 하우징(500)을 구성하는 재질과 동일하거나 유사할 수 있다. 예를 들어 캐소드 케이싱(350)은, 스테인리스강을 포함할 수 있다.The
아노드(200)는, 양단에 개방된 개구부를 형성하되 내부에 중공부를 형성할 수 있다. 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b)는, 아노드(200)의 양단에 위치할 수 있다. 이와 같은 전극 구조를 구비하는 플라즈마 장치는, “피그 이온 소스(pig ion source)”라 알려져 있다. 기존의 피그 이온 소스는, 평판형(flat plate type)의 캐소드(cathode)를 구비할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 소스(10)는, 내부에 중공부를 형성하는 캐소드(300)를 구비할 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드(300)는, 내부에 중공부를 형성할 수 있다. 캐소드(300)에 형성된 캐소드 공간(340)은, 가스 또는 이온을 수용할 수 있다. 캐소드(300)와 아노드(200) 사이에 형성된 전위차(electric potential difference)에 의하여, 캐소드 공간(340)에 전기장이 형성될 수 있다. 캐소드(300)와 아노드(200)의 형상 및 배치에 의하여, 캐소드 공간(340)에 형성된 전기장에 구배(curvature)가 형성될 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 캐소드 공간(340)에 자기장(magnetic field)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 마그넷 유닛(600)에 의해 형성되는 자기장의 적어도 일부는, 캐소드 공간(340)에서 전극 어셈블리(100)의 길이 방향과 나란하게 형성될 수 있다.The
캐소드 공간(340)에 형성된 자기장과 전기장은, 캐소드 공간(340)에 위치하는 가스 또는 이온에 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 캐소드 공간(340)에 위치하는 가스의 이온화는, 전기장 또는/및 자기장에 의하여, 촉진될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 공간(340)에 위치하는 이온 또는 전자는, 전기장 또는/및 자기장에 의하여, 캐소드 공간(340)에 상대적으로 오랫동안 가두어 질 수 있다. 이온 또는 전자가 캐소드 공간(340)에 상대적으로 오랫동안 머물게 되면, 이온 또는 전자는 가스 입자와 충돌함으로써 가스의 이온화를 촉진시킬 수 있다.The magnetic field and the electric field formed in the
캐소드(300)에 인접한 영역에서의 전기장 구배(curvature of electric field)는, 캐소드(300)의 형상에 의존할 수 있다. 즉 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드(300)에 인접한 영역에서의 전기장 구배는, 기존의 평판형 캐소드에 인접한 영역에서의 전기장 구배와 다를 수 있다. 전기장 구배는, 가스의 이온화에 영향을 미칠 수 있다. 또한 전기장 구배는, 전기장과 자기장의 커플링(coupling)에 따른 플라즈마 드리프트(plasma drift)에 영향을 미칠 수 있다. 즉 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드(300)에 형상에 의하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드(300)에서의 플라즈마 가둠 효과는, 기존의 평판형 캐소드에서의 플라즈마 가둠 효과에 비하여 클 수 있다. 이로써, 아노드(200)와 캐소드(300)에서의 플라즈마 생성이 상대적으로 활성화될 수 있다. 캐소드(300)의 형상은, 캐소드 공간(340)의 형상을 의미할 수 있다.The curve of electric field in a region adjacent to the
캐소드(300)의 형상은, 단원자 분율과 관련될 수 있다. 단원자 이온은, 복수원자 이온에 비하여 높은 에너지 또는/및 높은 플라즈마 밀도를 요구할 수 있다. 즉 단원자 분율은, 플라즈마 가둠 효과 또는/및 플라즈마 생성 활성화 정도에 양의 상관관계(positive correlation)을 가질 수 있다. 예를 들어 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드(300)의 형상에 따른 이온 소스(10)에서 생성되는 이온의 단원자 분율은, 기존의 피그 이온 소스에서 생성되는 이온의 단원자 분율 보다 클 수 있다.The shape of the
도 6 내지 도 8은, 여러 실시예에 따른 캐소드(300)를 구비한 전극 어셈블리(100)를 나타낸 도면이다. 설명의 편의를 위하여, 도 6 내지 도 8에서, 전극 어셈블리(100)는, 단면으로 표시될 수 있다.6 to 8 are views illustrating an
도 6을 참조하면, 제1 캐소드(300a)의 형상은 평판(flat plate)의 형상에 대응될 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 패널(320a)을 포함할 수 있다. 즉 제1 캐소드(300a)는, 내부에 중공부를 형성하지 않을 수 있다. 제1 캐소드(300a)의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드(300b)는, 중공부를 형성할 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 캐소드 홀(330, 도 4 참조)을 포함할 수 있다. 제2 캐소드(300b)에 위치하는 이온은, 캐소드 홀(330, 도 4 참조)을 통해 인출부(400)로 이동할 수 있다. 이 경우, 제2 캐소드(300b)는, “인출 캐소드(extraction cathode)”라 칭할 수 있다.Referring to FIG. 6, the shape of the
제2 캐소드(300b)는, 인출 캐소드로서, 가스의 이온화가 활성화되는 공간을 제공할 수 있다. 즉 도 6에 도시된 캐소드(300)는, 인출 캐소드에 집중적으로 이온화를 활성화시킬 수 있다.The
도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 캐소드(300b)는 인출 캐소드일 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 인출 캐소드인 제2 캐소드(300b)의 맞은편에 위치할 수 있다. 아노드(200)와 캐소드(300)의 길이는, 전극 어셈블리(100)의 길이 방향을 기준으로 측정될 수 있다. 예를 들어 제1 길이(L1)는, 제1 캐소드(300a)의 내부에 형성된 중공부의 길이를 의미할 수 있다. 예를 들어 제2 길이(L2)는, 제2 캐소드(300b)의 내부에 형성된 중공부의 길이를 의미할 수 있다. 예를 들어 제3 길이(L3)는, 아노드(200)의 내부에 형성된 중공부의 길이를 의미할 수 있다.7 and 8, the
도 7에서 제1 길이(L1)는, 도 4에 도시된 제1 캐소드 공간(340a)의 길이 보다 작을 수 있다. 도 7에서 제2 길이(L2)는, 도 4에 도시된 제2 캐소드 공간(310b)의 길이와 동일할 수 있다. 도 7에서 제3 길이(L3)는, 도 4에 도시된 아노드 공간(240)의 길이와 동일할 수 있다. 도 7에서 제1 길이(L1)는 제2 길이(L2) 보다 작을 수 있다. 도 7에 도시된 캐소드(300)와 아노드(200)의 형상에 기인하여, 인출 캐소드인 제2 캐소드(300b)에서 집중적으로 이온화가 발생될 수 있다.In FIG. 7, the first length L1 may be smaller than the length of the
도 8에서 제1 길이(L1)는, 도 4에 도시된 제1 캐소드 공간(340a)의 길이와 동일할 수 있다. 도 8에서 제2 길이(L2)는, 도 4에 도시된 제2 캐소드 공간(340b)의 길이 보다 클 수 있다. 도 8에서 제3 길이(L3)는, 제4에 도시된 아노드 공간(240)의 길이 보다 클 수 있다. 제2 길이(L2)는, 제1 길이(L1) 보다 클 수 있다. 도 8에 도시된 캐소드(300)와 아노드(200)의 형상에 기인하여, 인출 캐소드인 제2 캐소드(300b)에서 소비되는 전력이 상대적으로 높을 수 있다. 즉 제2 캐소드(300b)에서 생성되거나 수용된 이온의 수 또는 밀도가 상대적으로 높게 유지될 수 있다.In FIG. 8, the first length L1 may be the same as the length of the
도 9는, 다양한 형상에 따른 캐소드(300)를 나타낸 도면이다. 도 9에서, 아노드(200)와 캐소드(300)는, 설명의 편의를 위하여, 길이 방향을 기준으로 단면으로 표시될 수 있다.9 is a diagram illustrating a
도 9의 (a) 및 (b)를 참조하면, 캐소드 바디(310)의 내면(interior surface)은, 아노드(200)에서 캐소드 패널(320)로 갈수록, 작아지는 단면을 가질 수 있다. 캐소드 홀(330, 도 4 참조)은, 캐소드 패널(320)에 형성될 수 있다. 따라서 캐소드 홀(330, 도 4 참조)에 인접한 영역에서 이온의 밀도가 상대적으로 높을 수 있다. 캐소드 바디(310)의 내면은, 캐소드 공간(340)을 형성할 수 있다. 또는 캐소드 바디(310)의 내면은, 캐소드 공간(340)을 마주할 수 있다. 달리 말하면, 캐소드 바디(310)의 내면은, 아노드(200)에서 캐소드(300)를 향하는 방향으로 볼록할 수 있다. 따라서 캐소드 공간(340)은, 아노드(200)에서 캐소드(300)를 향하는 방향으로 볼록할 수 있다.Referring to FIGS. 9A and 9B, the interior surface of the
도 9의 (a)를 참조하면, 캐소드 바디(310)의 내면의 단면은 선분을 포함할 수 있다. 캐소드 바디(310)의 내면은, 길이 방향을 기준으로 경사를 형성할 수 있다. 도 9의 (b)를 참조하면, 캐소드 바디(310)의 내면의 단면은 곡선을 포함할 수 있다. 캐소드 바디(310)에 곡선이 형성됨으로써, 캐소드 바디(310)에 수용된 이온이 캐소드 홀(330, 도 4 참조)에 용이하게 도달할 수 있다. 도 9의 (b)에서 캐소드 홀(330, 도 4 참조)은, 캐소드 바디(310)의 단부(end portion)에 형성될 수 있다. 도 9의 (b)에서 캐소드 바디(310)는, 캐소드 바디(310, 도 4 참조)와 캐소드 패널(320, 도 4 참조)이 일체로 형성되되 곡선 형상을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.Referring to FIG. 9A, a cross section of an inner surface of the
도 9의 (c)를 참조하면, 캐소드(300)는, 캐소드 가드(315)를 포함할 수 있다. 캐소드 가드(315)는, 캐소드 바디(310)의 일단(一端)에 위치할 수 있다. 예를 들어 캐소드 가드(315)는, 캐소드 바디(310)의 일단에서 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들어 캐소드 가드(315)는, 캐소드 바디(310)에 연결된 형상을 형성할 수 있다. 캐소드 가드(315)의 형상은, 개구부(opening)를 구비한 플레이트(plate)에 대응될 수 있다. 캐소드 가드(315)는, 캐소드 바디(310)와 일체로 형성될 수 있다. 캐소드 가드(315)는, 캐소드 바디(310)를 기준으로 캐소드 패널(320)의 맞은편에 위치할 수 있다. 캐소드 가드(315)는, 아노드(200)를 마주할 수 있다. 제1 캐소드(300a)는, 제1 캐소드 가드(315a)를 포함할 수 있다. 제2 캐소드(300b)는, 제2 캐소드 가드(315b)를 포함할 수 있다. 캐소드 가드(315)는, 제1 캐소드 가드(315a)와 제2 캐소드 가드(315b) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.9C, the
캐소드 바디(310)의 폭(width) 또는 단면은, 아노드(200)의 폭 또는 단면 보다 클 수 있다. 즉 캐소드 공간(240)의 폭 또는 단면은, 아노드 공간(240)의 폭 또는 단면 보다 클 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여, 캐소드 바디(310)에 수용되는 가스 또는 이온이 상대적으로 많아질 수 있다.The width or cross-section of the
도 9에서, 제1 캐소드(300a)는 제2 캐소드(300b)와 대칭일 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 제1 캐소드(300a)는 평판(flat plate)의 형상을 가지고, 제2 캐소드(300b)는, 도 9에 도시된 형상을 가질 수 있다. 또는, 제1 캐소드(300a)는 도 9의 (a), (b), 및 (c) 중 하나에 도시된 캐소드(300)의 형상을 가지고, 제2 캐소드(300b)는, 도 9의 (a), (b), 및 (c) 중 다른 하나에 도시된 캐소드(300)의 형상을 가질 수 있다.In FIG. 9, the
도 10은, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 어셈블리(200, 300, 400)에 연결된 전력 회로를 나타낸 도면이다.10 is a diagram showing a power circuit connected to the
도 10을 참조하면, 이온 소스(10)는, 제1 전원(610), 제2 전원(620), 스위치(640), 그리고 접지(650)를 포함할 수 있다. 접지(650)에서의 전위는, 기준 전위일 수 있다. 기준 전위(reference potential)는 영(zero)일 수 있다. 제1 전원(610), 아노드(200), 그리고 캐소드(300)는, 제1 회로를 형성할 수 있다. 제2 전원(620), 캐소드(300), 그리고 인출부(400)는, 제2 회로를 형성할 수 있다. 이온 소스(10)는, 저항(electric resistor)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the
도 10의 (a)를 참조하면, 제1 전원(610), 저항(630), 아노드(200), 캐소드(300), 그리고 스위치(640)는, 제1 회로를 형성할 수 있다. 스위치(640)가 닫히면, 아노드(200)와 캐소드(300) 사이에 전위차(electric potential difference)가 형성될 수 있다. 아노드(200)와 캐소드(300) 사이에 형성되는 전위차는, 제1 전원(610)의 전압에 대응될 수 있다.Referring to FIG. 10A, a
스위치(640)의 작동에 따라, 이온 소스(10)의 작동은, 연속 출력 방식 또는 펄스 출력 방식으로 구분될 수 있다. 스위치(640)는, 온-오프(on-off)를 주기적으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 스위치(640)가 작동하는 주기(period)는, 100μs일 수 있다. 예를 들어, 스위치(640)가 온(on) 상태를 유지하는 시간(time)은, 10μs 일 수 있다. 이와 같은 경우, 이온 소스(10)는 펄스(pulse) 방식으로 작동될 수 있다.Depending on the operation of the
캐소드(300), 인출부(400), 그리고 제2 전원(620)은, 제2 회로를 형성할 수 있다. 제2 전원(620)은, 접지(650)에 연결될 수 있다. 인출부(400)와 캐소드(300) 사이에 전위차가 형성될 수 있다. 인출부(400)와 캐소드(300) 사이에 형성되는 전위차는, 제2 전원(620)의 전압에 대응될 수 있다.The
도 10의 (b)에 도시된 회로의 구성은, 도 10의 (a)에 도시된 회로의 구성과 유사할 수 있다. 도 10의 (a)에서 저항(630)은 아노드(200)에 연결될 수 있다. 도 10의 (b)에서 저항(630)은 캐소드(300)에 연결될 수 있다.The configuration of the circuit shown in FIG. 10B may be similar to the configuration of the circuit shown in FIG. 10A. In FIG. 10A, the
도 10의 (c)를 참조하면, 제1 회로는 접지(650)에 연결될 수 있다. 예를 들어 제1 전원(610)은 접지(650)에 연결될 수 있다. 도 10의 (c)에 도시된 구성은, 예를 들어 중성자 발생 장치에 적합할 수 있다.Referring to FIG. 10C, the first circuit may be connected to the
도 10을 참조하면, 아노드(200)와 캐소드(300) 사이에 형성되는 전위차는, 제1 전원(610)의 전압에 대응될 수 있다. 아노드(200)와 캐소드(300) 사이에 형성된 전위차에 의하여, 아노드(200)와 캐소드(300)에서 이온이 형성될 수 있다. 특히 도 1 내지 도 9에서 도시된 캐소드(300)의 형상에 기인하여, 상대적으로 높은 단원자 분율을 가지는 이온이 형성될 수 있다. 제1 캐소드(300a)와 제2 캐소드(300b)는, 동일한 전위를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 10, a potential difference formed between the
도 1 내지 도 10을 참조하면, 아노드(200)와 캐소드(300)에서 형성된 이온은, 캐소드(300)와 인출부(400) 사이에 형성된 전위차에 의하여, 인출부(400)로 가속되어 진입할 수 있다. 아노드(200)와 캐소드(300)에 제공되는 전위차는, 스위치(640)의 스위칭(switching)에 의하여 펄스 방식으로 제공될 수 있다. 도면에 표시되지 않았으나, 이온 소스(10)는 커패시터(capacitor)를 포함할 수 있다. 스위치(640)가 오프(off) 상태인 경우, 커패시터에 전력이 제공되어 커패시터의 전압이 상승할 수 있다. 스위치(640)가 온(on) 상태로 변환되면, 커패시터에 저장된 전력이 아노드(200)와 캐소드(300)에 제공될 수 있다. 이와 같은 방식으로, 아노드(200)와 캐소드(300)에 고전압 전력이 제공될 수 있다.1 to 10, the ions formed in the
도 1 내지 도 10을 참조하면, 가스는 외부에서 이온 소스(10)에 제공될 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 하우징 바디(510)와 캐소드 서포트(520)가 아노드(200) 및 캐소드(300)를 밀폐하는 구조를 가지며, 가스 저장 부재(gas reservoir)가 하우징(500)의 내부에 위치하여 가스를 제공하는 구조가 고려될 수 있다. 이 경우, 이온 소스(10)의 휴대성이 향상될 수 있다. 즉 이온 소스(10)가 현장에서(in-situ) 사용되기 용이한 구조를 가질 수 있다. 또는 이온 소스(10)의 공간 활용성이 향상될 수 있다.1 to 10, gas may be provided to the
가스 저장 부재는, 예를 들어 금속과 가스 원소가 결합된 상태의 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어 가스 저장 부재는, 티타늄(Ti)과 수소(hydrogen)가 결합된 티타늄 수소화물(titanium hydride, TiH2) 또는 티타늄 중수소화물(TiD2)을 포함할 수 있다. 이온 소스(10)는, 가열기(heater)를 포함할 수 있다. 가열기는, 가스 저장 부재에 열을 가할 수 있다. 가스 저장 부재가 열을 제공받으면, 가스를 배출할 수 있다. 가스 저장 부재에서 배출되는 가스는, 아노드(200)와 캐소드(300)에 주입되어 이온화될 수 있다.The gas storage member may include, for example, a material in which a metal and a gas element are combined. For example, the gas storage member may include titanium hydride (TiH 2 ) or titanium deuterium (TiD 2 ) in which titanium (Ti) and hydrogen are combined. The
본 명세서에서 “길이 방향”은, 아노드(200)에서 캐소드(300)를 향하는 방향과 나란할 수 있다. 예를 들어 이온 소스(10)의 길이 방향은, 아노드(200)에서 제1 캐소드(300a)를 향하는 방향과 나란하거나, 아노드(200)에서 제2 캐소드(300b)를 향하는 방향과 나란할 수 있다. 아노드(200)의 길이 방향은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 캐소드(300)의 길이 방향은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 인출부(400)의 길이 방향은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다. 전극 어셈블리(100)의 길이 방향은, 이온 소스(10)의 길이 방향과 나란할 수 있다.In the present specification, the “length direction” may be parallel to the direction from the
마그넷 유닛(600)은, 길이 방향으로 연장된 형상을 형성할 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 중공부를 형성할 수 있다. 마그넷 유닛(600)은, 아노드(200)와 캐소드(300)를 수용할 수 있다.The
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustrative purposes only, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that other specific forms can be easily modified without changing the technical spirit or essential features of the present invention will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
10: 이온 소스 100: 전극 어셈블리
200: 아노드 300: 캐소드
400: 인출부 500: 하우징10: ion source 100: electrode assembly
200: anode 300: cathode
400: lead part 500: housing
Claims (15)
상기 아노드의 일단에 위치하며 상기 아노드를 마주하는 제1 캐소드(cathode); 그리고
상기 아노드의 타단에 위치하며 상기 아노드를 마주하고, 상기 아노드를 기준으로 상기 제1 캐소드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드를 포함하고,
상기 제1 캐소드는,
상기 아노드의 일단에 위치하며, 상기 아노드를 향하여 개방된 중공부로서 제1 캐소드 공간을 형성하는 제1 캐소드 바디; 그리고
상기 제1 캐소드 바디에 연결되고, 상기 제1 캐소드 바디를 기준으로 상기 아노드의 맞은편에 위치하는 제1 캐소드 패널을 포함하며,
상기 제2 캐소드는,
상기 아노드의 타단에 위치하며, 상기 아노드를 향하여 개방된 중공부로서 제2 캐소드 공간을 형성하는 제2 캐소드 바디;
상기 제2 캐소드 바디에 연결되고, 상기 제2 캐소드 바디를 기준으로 상기 아노드의 맞은편에 위치하는 제2 캐소드 패널; 그리고
상기 제2 캐소드 패널에 형성된 캐소드 홀(cathode hole)을 포함하는,
이온 소스(ion source).An anode that forms an anode space as a hollow part from one end to the other end;
A first cathode positioned at one end of the anode and facing the anode; And
And a second cathode positioned at the other end of the anode, facing the anode, and positioned opposite the first cathode with respect to the anode,
The first cathode,
A first cathode body positioned at one end of the anode and forming a first cathode space as a hollow portion opened toward the anode; And
A first cathode panel connected to the first cathode body and positioned opposite the anode with respect to the first cathode body,
The second cathode,
A second cathode body positioned at the other end of the anode and forming a second cathode space as a hollow portion opened toward the anode;
A second cathode panel connected to the second cathode body and positioned opposite the anode with respect to the second cathode body; And
Including a cathode hole (cathode hole) formed in the second cathode panel,
Ion source.
상기 제1 캐소드는,
상기 아노드를 기준으로 상기 제2 캐소드와 대칭인,
이온 소스.The method of claim 1,
The first cathode,
Symmetrical with the second cathode with respect to the anode,
Ion source.
상기 아노드의 길이 방향을 기준으로, 상기 제2 캐소드 공간의 길이는,
상기 아노드의 길이 방향을 기준으로, 상기 제1 캐소드 공간의 길이와 다른,
이온 소스.The method of claim 1,
Based on the length direction of the anode, the length of the second cathode space is,
Different from the length of the first cathode space based on the length direction of the anode,
Ion source.
상기 제2 캐소드 공간의 길이는,
상기 제1 캐소드 공간의 길이 보다 큰,
이온 소스.The method of claim 4,
The length of the second cathode space is,
Greater than the length of the first cathode space,
Ion source.
상기 제2 캐소드 바디는,
상기 제2 캐소드 바디의 길이 방향을 따라 일정한 단면을 가지는 내면(interior surface)을 구비하고,
상기 제2 캐소드 바디의 내면은,
상기 제2 캐소드 공간을 마주하는,
이온 소스.The method of claim 1,
The second cathode body,
It has an inner surface (interior surface) having a constant cross section along the length direction of the second cathode body,
The inner surface of the second cathode body,
Facing the second cathode space,
Ion source.
상기 제2 캐소드 바디는,
상기 아노드에서 상기 제2 캐소드 패널로 갈수록 작은 단면을 가지는 내면(interior surface)을 구비하고,
상기 제2 캐소드 바디의 내면은,
상기 제2 캐소드 공간을 마주하는,
이온 소스.The method of claim 1,
The second cathode body,
It has an interior surface having a smaller cross section from the anode to the second cathode panel,
The inner surface of the second cathode body,
Facing the second cathode space,
Ion source.
상기 제2 캐소드 바디는,
상기 아노드의 내면이 가지는 단면 보다 큰 단면을 형성하는 내면(interior surface)을 구비하고,
상기 제2 캐소드 바디의 내면은,
상기 제2 캐소드 공간을 마주하는,
이온 소스.The method of claim 1,
The second cathode body,
It has an inner surface (interior surface) forming a cross-section larger than that of the inner surface of the anode,
The inner surface of the second cathode body,
Facing the second cathode space,
Ion source.
상기 제2 캐소드는,
상기 제2 캐소드 바디의 일단에서 연장되어 형성되고, 상기 아노드를 마주하며, 개구부(opening)를 구비한 플레이트(plate)의 형상을 형성하는, 제2 캐소드 가드(cathode guard)를 포함하는,
이온 소스.The method of claim 8,
The second cathode,
Including a second cathode guard extending from one end of the second cathode body, facing the anode, and forming a shape of a plate having an opening,
Ion source.
상기 제2 캐소드에 결합되는 하우징 바디, 상기 제1 캐소드에 결합되는 캐소드 서포트, 그리고 상기 캐소드 서포트와 상기 하우징 바디를 연결하는 링크를 구비하는 하우징을 더 포함하고,
상기 아노드, 상기 제1 캐소드, 그리고 상기 제2 캐소드는,
상기 하우징 바디와 상기 캐소드 서포트의 사이에 위치하는,
이온 소스.The method of claim 1,
Further comprising a housing having a housing body coupled to the second cathode, a cathode support coupled to the first cathode, and a link connecting the cathode support and the housing body,
The anode, the first cathode, and the second cathode,
Located between the housing body and the cathode support,
Ion source.
상기 아노드와 상기 캐소드에 자기장(magnetic field)을 제공하는 마그넷 유닛(magnet unit)을 더 포함하는,
이온 소스.The method of claim 1,
Further comprising a magnet unit (magnet unit) for providing a magnetic field (magnetic field) to the anode and the cathode,
Ion source.
상기 마그넷 유닛은,
상기 아노드와 상기 캐소드를 감싸는 형상을 형성하는 코일(coil)을 포함하는,
이온 소스.The method of claim 11,
The magnet unit,
Including a coil (coil) forming a shape surrounding the anode and the cathode,
Ion source.
상기 캐소드 홀에 인접하되, 상기 제2 캐소드를 기준으로 상기 아노드의 맞은편에 위치하는, 인출부를 더 포함하고,
상기 제1 캐소드의 전위(electric potential)는,
상기 제2 캐소드의 전위와 동일하게 유지되고,
상기 제1 캐소드와 상기 아노드 사이에 전기적으로 연결되는 제1 전원; 그리고
상기 제1 캐소드와 상기 인출부 사이에 전기적으로 연결되는 제2 전원을 더 포함하는,
이온 소스.The method of claim 1,
Adjacent to the cathode hole, further comprising a lead-out portion positioned opposite the anode with respect to the second cathode,
The electric potential of the first cathode is,
Maintained equal to the potential of the second cathode,
A first power source electrically connected between the first cathode and the anode; And
Further comprising a second power source electrically connected between the first cathode and the lead portion,
Ion source.
상기 제1 전원에 전기적으로 연결되는 저항(electric resistor)을 더 포함하고,
상기 저항은,
상기 아노드와 상기 제1 캐소드 중 하나에 전기적으로 연결되는,
이온 소스.The method of claim 13,
Further comprising a resistor (electric resistor) electrically connected to the first power source,
The resistance is,
Electrically connected to one of the anode and the first cathode,
Ion source.
상기 제1 전원, 상기 저항, 상기 아노드, 그리고 상기 제1 캐소드가 형성하는 제1 회로는,
온-오프 스위칭(on-off switching) 작동을 하는 스위치를 포함하고,
상기 아노드와 상기 제1 캐소드 사이의 전위차는,
시간에 따른 상기 스위치의 스위칭에 따라 펄스(pulse)로 제공되는,
이온 소스.The method of claim 14,
A first circuit formed by the first power source, the resistor, the anode, and the first cathode,
Including a switch for on-off switching (on-off switching) operation,
The potential difference between the anode and the first cathode,
Provided as a pulse according to the switching of the switch over time,
Ion source.
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