KR102190862B1 - Manufacturing method of micro heater and Micro sensor and Manufacturing method of micro sensor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법에 관한 것으로써, 특히, 다공층 기판에는 히터배선을 둘러싸는 에어갭이 형성되며, 상기 다공층 기판 하부에는 상기 히터배선 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되어, 작은 열용량을 가질 수 있고, 열적으로 수직방향으로 단열되고, 발열부위 두께가 얇아져서 측방향으로 단열효과를 가지는 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a micro heater and a micro heater, and a method of manufacturing a micro sensor and a micro sensor. In particular, an air gap surrounding a heater wiring is formed on a porous layer substrate, and a lower portion of the heater wiring is formed under the porous layer substrate. A method for manufacturing a micro heater and a micro heater having an opening disposed in and communicating with the air gap so as to have a small heat capacity, thermally insulated in a vertical direction, and having a heat insulation effect in a lateral direction because the thickness of the heating portion is reduced, and It relates to a micro sensor and a method of manufacturing a micro sensor.

Description

마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법{Manufacturing method of micro heater and Micro sensor and Manufacturing method of micro sensor}Manufacturing method of micro heater and Micro sensor and Manufacturing method of micro sensor}

본 발명은 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법에 관한 것으로써, 특히, 다공층 기판에는 히터배선을 둘러싸는 에어갭이 형성되며, 상기 다공층 기판 하부에는 상기 히터배선 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되는 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a micro heater and a micro heater, and a method of manufacturing a micro sensor and a micro sensor. In particular, an air gap surrounding a heater wiring is formed on a porous layer substrate, and a lower portion of the heater wiring is formed under the porous layer substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a micro heater and a micro heater, and a method for manufacturing a micro sensor and a micro sensor in which an opening disposed in the air gap is formed.

최근 환경에 대한 관심이 점증되면서 짧은 시간에 정밀하고 다양한 정보를 얻을 수 있는 소형 센서의 개발이 요구되고 있다. 특히 주거 공간의 쾌적화와 유해 산업 환경에의 대처, 음식료, 식품의 생산공정 관리 등을 위해 관련 가스의 농도를 용이하게 측정하기 위한 가스 센서의 소형화, 고정밀화, 저가격화를 위한 노력이 진행되어 왔다.Recently, as interest in the environment has increased, development of a small sensor capable of obtaining precise and various information in a short time is required. In particular, efforts for miniaturization, high-precision, and low-cost gas sensors to easily measure the concentration of related gases for the comfort of living spaces, coping with hazardous industrial environments, food and beverage production process management, etc. come.

현재 가스 센서는 종래의 세라믹 소결이나 후막 형태의 구조에서 점차적으로 반도체 공정 기술의 적용에 의한 미소기전 집적 시스템(Micro Electro Mechanical System; MEMS) 형태의 마이크로 가스 센서로 진화하고 있다.Currently, gas sensors are gradually evolving from conventional ceramic sintering or thick film-type structures to micro-gas sensors in the form of a Micro Electro Mechanical System (MEMS) by applying semiconductor process technology.

측정 방법 측면에서 보면, 현재 가스 센서에서 가장 널리 사용되고 있는 방법은 센서의 감지물질에 가스가 흡착되었을 때 그 전기적 특성이 변화하는 것을 측정하는 것이다. 통상 SnO2와 같은 금속 산화물을 감지물질으로 사용하며 측정 대상 가스의 농도에 따른 전기전도도 변화를 측정하는 것으로 측정법이 비교적 간단한 이점이 있다. 이때 금속 산화물 감지물질은 고온으로 가열되어 동작될 때 그 측정값의 변화가 더욱 현저하다. 따라서 빠르고 정확한 가스 농도의 측정을 위해서는 정확한 온도 조절이 필수적이다. 또한, 측정시에는 감지물질에 기존 흡착되어 있는 가스종이나 수분들을 고온 가열에 의해 강제적으로 제거하여 감지물질을 초기 상태로 복구(reset, recovery)시킨 후 가스농도를 측정한다. 그러므로 가스 센서에서 온도 특성은 센서의 측정감도, 복구 시간, 반응 시간 등의 주요 측정인자에 직접적으로 영향을 미친다.In terms of measuring methods, the most widely used method in gas sensors at present is to measure changes in electrical properties when gas is adsorbed to the sensing material of the sensor. In general, a metal oxide such as SnO2 is used as a sensing material and the electrical conductivity change according to the concentration of the gas to be measured is measured, and the measurement method is relatively simple. At this time, when the metal oxide sensing material is heated to a high temperature and operated, the change in the measured value is more remarkable. Therefore, accurate temperature control is essential for fast and accurate measurement of gas concentration. In addition, during the measurement, gas species or moisture previously adsorbed on the sensing material are forcibly removed by high-temperature heating to restore the sensing material to its initial state (reset, recovery) and then measure the gas concentration. Therefore, in a gas sensor, the temperature characteristic directly affects the sensor's measurement sensitivity, recovery time, and reaction time.

따라서 효율적인 가열을 위해서는 감지물질 부분만을 국부적으로 균일하게 가열하는 마이크로 히터의 형태가 효과적이다. 그런데 마이크로 가스 센서에 의한 측정시 온도를 조절하는 데 소모 전력이 크다면 센서 및 측정회로의 부피는 작을지라도 큰 배터리나 전력 공급원을 필요로 하게 되어 이것이 결국, 전체 측정 시스템의 크기를 좌우하게 된다. 따라서, 마이크로 가스 센서를 구현하기 위해서는 전력 소모가 적은 구조를 우선적으로 고려하여야 한다.Therefore, for efficient heating, a micro heater that locally and uniformly heats only the sensing material portion is effective. However, if the power consumption is large to control the temperature during the measurement by the micro gas sensor, a large battery or power supply is required even though the volume of the sensor and the measurement circuit is small, and this ultimately determines the size of the entire measurement system. Therefore, in order to implement the micro gas sensor, a structure with low power consumption should be considered first.

지금까지 대부분의 마이크로 가스 센서를 제작할 때 열전도가 매우 큰 실리콘 기판을 주로 이용하기 때문에 열손실을 줄이기 위해 몸체 미세가공(bulk micromachining) 공정으로 센서 구조 내에 식각 피트(etched pit)나 홈(groove)을 형성하여 기판으로부터 분리된 부양된(suspended) 구조를 만든 후 이 구조 위에 마이크로 히터, 절연막, 감지물질 등을 순차적으로 형성함으로써 전열 손실을 일부 줄일 수 있다. 그러나 이 경우 기판 자체의 결정 방향성을 이용한 습식 식각을 위주로 하는 제작 방법이므로 센서 소자의 소형화에 제약이 있으며 사용되는 KOH(potassium hydroxide) 등 식각제의 물성이 표준적인 CMOS 반도체 공정과의 호환성이 곤란한 어려움이 있었다. Until now, silicon substrates with very high heat conduction are mainly used when manufacturing most micro gas sensors, so to reduce heat loss, an etched pit or groove is formed in the sensor structure through a bulk micromachining process. After forming a suspended structure separated from the substrate, a micro heater, an insulating film, and a sensing material are sequentially formed on the structure, thereby reducing some of the heat transfer loss. However, in this case, since it is a manufacturing method mainly using wet etching using the crystal orientation of the substrate itself, there is a limitation in miniaturization of the sensor element, and the physical properties of the etchant such as KOH (potassium hydroxide) used are difficult to be compatible with standard CMOS semiconductor processes. There was this.

한국공개특허공보 제2009-0064693호Korean Patent Publication No. 2009-0064693

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 작은 열용량을 가질 수 있고, 열적으로 수직방향으로 단열되고, 발열부위 두께가 얇아져서 측방향으로 단열효과를 가지는 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is conceived to solve the above-described problem, has a small heat capacity, is thermally insulated in a vertical direction, and the thickness of the heating portion is reduced to have a heat insulation effect in the lateral direction, and An object thereof is to provide a micro sensor and a method of manufacturing a micro sensor.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 히터는, 다공층 기판과, 상기 다공층 기판 상에 형성되며, 히터배선과 상기 히터배선에 연결되는 히터전극패드를 포함하는 히터전극을 포함하며, 상기 다공층 기판에는 상기 히터배선을 둘러싸는 에어갭이 형성되며, 상기 다공층 기판 하부에는 상기 히터배선 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되는 것을 특징으로 한다.The micro-heater of the present invention for achieving the above object includes a porous layer substrate, a heater electrode formed on the porous layer substrate, and comprising a heater wiring and a heater electrode pad connected to the heater wiring, An air gap surrounding the heater wiring is formed in the porous layer substrate, and an opening disposed under the heater wiring and communicating with the air gap is formed under the porous layer substrate.

상기 다공층 기판은 산화알루미늄 다공층으로 형성될 수 있고, 상기 다공층 기판에는 포어가 상하방향으로 관통되어 형성되고, 상기 포어는 상기 개구부에 연통될 수 있다.The porous layer substrate may be formed of an aluminum oxide porous layer, and the porous layer substrate may have pores penetrated vertically, and the pores may communicate with the openings.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서는, 다공층 기판과, 상기 다공층 기판 상에 형성되며, 센서배선과 상기 센서배선에 연결되는 센서전극패드를 포함하는 센서전극과, 상기 다공층 기판 상에 형성되며, 히터배선과 상기 히터배선에 연결되며 상기 센서전극패드보다 상기 센서배선에 근접하게 배치되는 히터전극패드를 포함하는 히터전극을 포함하며, 상기 다공층 기판에는 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 둘러싸는 에어갭이 형성되며, 상기 다공층 기판 하부에는 상기 히터배선 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되는 것을 특징으로 한다.The microsensor of the present invention for achieving the above object includes a porous layer substrate, a sensor electrode formed on the porous layer substrate, and comprising a sensor wiring and a sensor electrode pad connected to the sensor wiring, and the porous layer A heater electrode formed on the substrate, connected to the heater wiring and the heater wiring, and comprising a heater electrode pad disposed closer to the sensor wiring than the sensor electrode pad, and the heater wiring and the An air gap surrounding the sensor wiring is formed, and an opening disposed under the heater wiring and communicating with the air gap is formed under the porous layer substrate.

상기 다공층 기판에는 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 덮도록 감지물질이 형성될 수 있다.A sensing material may be formed on the porous layer substrate to cover the heater wiring and the sensor wiring.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 히터 제조방법은, 하부에 개구부가 형성된 다공층 기판에 히터전극을 형성하는 단계와, 상기 다공층 기판에 에어갭을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 에어갭은 상기 개구부에 연통되며, 상기 히터전극의 히터배선을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a micro-heater of the present invention for achieving the above object includes forming a heater electrode on a porous layer substrate having an opening formed at a lower portion, and forming an air gap in the porous layer substrate, wherein the air The gap is communicated to the opening and is formed to surround the heater wiring of the heater electrode.

상기 에어갭을 형성하는 단계는, 상기 다공층 기판 및 상기 히터전극에 상기 에어갭이 형성되는 부위에 대응되게 음각 에어갭 패턴이 형성된 커버층을 형성하는 단계와, 상기 다공층 기판에서 상기 음각 에어갭 패턴으로 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 다공층 기판을 형성하는 단계는, 알루미늄 기판을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층을 만드는 단계와, 상기 다공층 상에 마스크를 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 기판에서 상기 마스크 이외 부분을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층을 두껍게 만드는 단계와, 상기 마스크를 제거하고, 상기 알루미늄 기판에서 산화알루미늄 다공층 이외 부분을 에칭하여 상기 개구부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the air gap may include forming a cover layer on the porous layer substrate and the heater electrode in which an intaglio air gap pattern is formed to correspond to a portion where the air gap is formed, and the intaglio air on the porous layer substrate. Including the step of etching the exposed portion of the gap pattern, the step of forming the porous layer substrate includes the steps of oxidizing the aluminum substrate to form an aluminum oxide porous layer, forming a mask on the porous layer, Oxidizing a portion of the aluminum substrate other than the mask to thicken the aluminum oxide porous layer, removing the mask, and etching portions of the aluminum substrate other than the aluminum oxide porous layer to form the opening. have.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 제조방법은, 하부에 개구부가 형성된 다공층 기판에 히터전극 및 센서전극을 형성하는 단계와, 상기 다공층 기판에 에어갭을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 에어갭은 상기 개구부에 연통되고, 상기 히터전극의 히터배선 및 상기 센서전극의 센서배선을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a microsensor of the present invention for achieving the above object includes forming a heater electrode and a sensor electrode on a porous layer substrate having an opening formed therein, and forming an air gap in the porous layer substrate, The air gap is communicated with the opening and is formed to surround the heater wiring of the heater electrode and the sensor wiring of the sensor electrode.

상기 에어갭을 형성하는 단계 이후에, 상기 다공층 기판에 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 덮도록 감지물질을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the forming of the air gap, the step of forming a sensing material to cover the heater wiring and the sensor wiring on the porous layer substrate may be further included.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서는, 단부에 복수개의 제1돌기가 형성된 히터배선과 상기 히터배선에 연결되는 히터전극패드를 포함하는 히터전극과, 상기 제1돌기 사이에 배치되는 제2돌기가 형성된 센서배선과 상기 센서배선에 연결되는 센서전극패드를 포함하는 센서전극과, 상기 히터전극과 상기 센서전극을 지지하는 산화알루미늄 다공층을 포함하되, 상기 산화알루미늄 다공층의 일부가 제거되어 에어갭을 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 둘러싸도록 형성하고, 상기 산화알루미늄 다공층 하부에는 상기 히터배선 및 상기 센서배선의 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되는 것을 것을 특징으로 한다.The microsensor of the present invention for achieving the above object includes a heater electrode including a heater wire having a plurality of first protrusions formed at an end thereof and a heater electrode pad connected to the heater wire, and disposed between the first protrusions. A sensor electrode including a sensor wire having a second protrusion and a sensor electrode pad connected to the sensor wire, and an aluminum oxide porous layer supporting the heater electrode and the sensor electrode, wherein a part of the aluminum oxide porous layer It is characterized in that the air gap is formed to surround the heater wiring and the sensor wiring, and an opening is formed under the aluminum oxide porous layer, which is disposed under the heater wiring and the sensor wiring and communicates with the air gap. To do.

상기 산화알루미늄 다공층은 상기 히터배선과 상기 센서배선을 공통으로 지지하는 제1지지부를 포함하되, 상기 에어갭은 상기 제1지지부의 외측에 형성되고, 상기 제1지지부에 대응되는 위치에 감지물질이 추가로 형성되고, 상기 히터전극패드는 적어도 2개 이상으로 형성되고, 상기 산화알루미늄 다공층에는 포어가 상하방향으로 관통되어 형성되고, 상기 포어는 상기 개구부에 연통될 수 있다.The aluminum oxide porous layer includes a first support portion that supports the heater wiring and the sensor wiring in common, and the air gap is formed outside the first support portion, and a sensing material at a position corresponding to the first support portion This is additionally formed, the heater electrode pad is formed in at least two or more, the aluminum oxide porous layer is formed by passing through the pore in the vertical direction, and the pore may communicate with the opening.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 마이크로 히터 및 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.According to the micro-heater and the micro-heater manufacturing method and the micro-sensor and micro-sensor manufacturing method of the present invention as described above, there are the following effects.

다공층 기판에는 히터배선을 둘러싸는 에어갭이 형성되며, 상기 다공층 기판 하부에는 상기 히터배선 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되어, 작은 열용량을 가져서 저전력을 이용하여 고온으로 온도를 높일 수 있다. 또한, 열적으로 수직방향으로 단열되고, 발열부위 두께가 얇아져서 측방향으로 단열효과를 가질 수 있다. 또한, 히터배선 부분이 다공층에 의해 안정적으로 지지되어 기계적으로 내구성을 유지할 수 있다.An air gap surrounding the heater wiring is formed on the porous layer substrate, and an opening disposed under the heater wiring and communicating with the air gap is formed under the porous layer substrate, so that it has a small heat capacity and is heated to a high temperature using low power. Can increase. In addition, it is thermally insulated in the vertical direction, and the thickness of the heating portion is reduced, so that it can have an insulating effect in the lateral direction. In addition, since the heater wiring portion is stably supported by the porous layer, durability can be maintained mechanically.

상기 다공층 기판은 산화알루미늄 다공층으로 형성되어, 다공층을 용이하게 형성할 수 있다.The porous layer substrate is formed of an aluminum oxide porous layer, so that the porous layer can be easily formed.

상기 다공층 기판에는 포어가 상하방향으로 관통되어 형성되고, 상기 포어는 상기 개구부에 연통되어, 더욱 큰 단열효과를 가질 수 있다.The porous layer substrate is formed by penetrating pores in the vertical direction, and the pores communicate with the opening to have a greater heat insulation effect.

도 1 및 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 히터가 구비된 마이크로 센서 제조방법을 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 히터가 구비된 마이크로 센서 사시도.1 and 2 are views showing a method of manufacturing a micro sensor equipped with a micro heater according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a micro sensor provided with a micro heater according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

참고적으로, 이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.For reference, among the configurations of the present invention to be described below, the above-described conventional technology will be referred to for the same configuration as the prior art, and a separate detailed description will be omitted.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 마이크로 히터가 구비된 마이크로 센서 제조방법은, 하부에 개구부(102)가 형성된 다공층 기판(100)에 히터전극(200) 및 센서전극(300)을 형성하는 단계와, 상기 다공층 기판(100)에 에어갭(101)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 에어갭(101)은 상기 개구부(102)에 연통되고, 상기 히터전극(200)의 히터배선(210) 및 상기 센서전극(300)의 센서배선(310)을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 한다.As shown in FIGS. 1 and 2, in the method of manufacturing a micro sensor equipped with a micro heater according to the present embodiment, a heater electrode 200 and a sensor electrode 300 are formed on a porous layer substrate 100 having an opening 102 formed at a lower portion thereof. ) And forming an air gap 101 in the porous layer substrate 100, wherein the air gap 101 communicates with the opening 102, and the heater electrode 200 It is characterized in that it is formed to surround the heater wiring 210 and the sensor wiring 310 of the sensor electrode 300.

본 실시예의 마이크로 센서 제조방법은 히터전극(200) 및 센서전극(300)을 형성하는 단계(S8, S9) 이전에 다공층 기판(100)을 형성하는 단계(S1~S7)를 포함한다.The microsensor manufacturing method of the present embodiment includes the steps of forming the porous layer substrate 100 (S1 to S7) before the steps of forming the heater electrode 200 and the sensor electrode 300 (S8, S9).

상기 다공층 기판(100)을 형성하는 단계는, 알루미늄 기판(1)을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층(2)을 만드는 단계(S4)와, 상기 다공층(2) 상에 마스크(3)를 형성하는 단계(S5)와, 상기 알루미늄 기판(1)에서 상기 마스크(3) 이외 부분을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층(2)을 두껍게 만드는 단계(S6)와, 상기 마스크(3)를 제거하고, 상기 알루미늄 기판(1)에서 산화알루미늄 다공층(2) 이외 부분을 에칭하여 상기 개구부(102)를 형성하는 단계(S7)를 포함할 수 있다.The forming of the porous layer substrate 100 includes the step of oxidizing the aluminum substrate 1 to form an aluminum oxide porous layer 2 (S4), and forming a mask 3 on the porous layer 2 Step (S5) and the step (S6) of thickening the aluminum oxide porous layer (2) by oxidizing a portion of the aluminum substrate (1) other than the mask (3) (S6), and removing the mask (3), It may include a step (S7) of forming the opening 102 by etching portions other than the aluminum oxide porous layer 2 in the aluminum substrate 1.

산화알루미늄 다공층(2)을 만드는 단계(S4) 이전에 Bare상태의 알루미늄 기판(1)을 준비하는 과정(S1)과, 알루미늄 기판(1) 상면을 산화시켜서 알루미늄 기판(1) 상면에 1차로 산화알루미늄 다공층(2)을 형성하는 과정(S2)과, 이전 과정에서 생성된 산화알루미늄 다공층(2)을 에칭하는 과정(S3)을 더 포함한다.Before the step (S4) of making the aluminum oxide porous layer 2 (S4), the process of preparing the aluminum substrate 1 in the bare state (S1), and the upper surface of the aluminum substrate 1 by oxidizing the upper surface of the aluminum substrate 1 A process of forming the porous aluminum oxide layer 2 (S2) and a process of etching the porous aluminum oxide layer 2 generated in the previous process (S3) are further included.

이어서 2차로 알루미늄 기판(1)을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층(2)을 만든다.(S4)Subsequently, the aluminum substrate 1 is secondarily oxidized to form the aluminum oxide porous layer 2 (S4).

이어서, 산화알루미늄 다공층(2)의 상부 중간 부분에 마스크(3)를 형성한다.(S5)Subsequently, a mask 3 is formed in the upper middle portion of the aluminum oxide porous layer 2 (S5).

마스크(3)를 형성한 상태에서 산화시키면 마스킹되지 않은 부분만 3차로 산화되고 마스킹된 부분은 산화되지 않게 된다.(S6)When the mask 3 is formed and oxidized, only the unmasked portion is thirdly oxidized, and the masked portion is not oxidized (S6).

따라서, 마스킹된 부분의 산화알루미늄 다공층(2)의 두께는 얇고, 마스킹되지 않은 부분은 산화알루미늄 다공층(2)의 두께는 두껍게 된다.Accordingly, the thickness of the aluminum oxide porous layer 2 in the masked portion is thin, and the thickness of the aluminum oxide porous layer 2 in the unmasked portion is thick.

이어서, 마스크(3)를 제거하고, 알루미늄 기판(1)에서 하부에 있는 알루미늄 부분만 에칭하여, 개구부(102)가 형성된 다공층 기판(100)을 형성한다.Subsequently, the mask 3 is removed, and only the aluminum portion underneath the aluminum substrate 1 is etched to form the porous layer substrate 100 with the opening 102 formed thereon.

이와 같은 방법으로 제조된 다공층 기판(100) 상면에 히터전극(200) 및 센서전극(300)을 형성한다.(S8, S9)The heater electrode 200 and the sensor electrode 300 are formed on the upper surface of the porous layer substrate 100 manufactured in this manner. (S8, S9)

히터전극(200) 및 센서전극(300)을 형성하는 단계(S8, S9)는 히터전극(200) 및 센서전극(300)을 1차로 형성하는 과정(S8)과, 1차로 형성된 히터전극(200) 및 센서전극(300)의 두께를 얇게 하는 2차로 형성하는 과정(S9)을 포함한다.The steps of forming the heater electrode 200 and the sensor electrode 300 (S8, S9) include the process of forming the heater electrode 200 and the sensor electrode 300 first (S8), and the heater electrode 200 formed as a primary. ) And a process (S9) of forming the second electrode to thin the thickness of the sensor electrode 300.

히터전극(200)은 히터배선(210)과 히터전극패드(220)를 포함하고, 센서전극(300)은 센서배선(310)과 센서전극패드(320)를 포함한다.The heater electrode 200 includes a heater wiring 210 and a heater electrode pad 220, and the sensor electrode 300 includes a sensor wiring 310 and a sensor electrode pad 320.

히터배선(210)과 센서배선(310)은 다공층 기판(100) 중간에 배치되고, 히터전극패드(220)와 센서전극패드(320)는 히터배선(210)과 센서배선(310)보다 외측에 배치된다.The heater wiring 210 and the sensor wiring 310 are disposed in the middle of the porous layer substrate 100, and the heater electrode pad 220 and the sensor electrode pad 320 are outside the heater wiring 210 and the sensor wiring 310. Is placed in

이어서, 다공층 기판(100)에 에어갭(101)을 형성한다. Subsequently, an air gap 101 is formed in the porous layer substrate 100.

에어갭(101)을 형성하는 단계는, 다공층 기판(100) 상면 및 히터전극(200) 및 센서전극(300)에 에어갭(101)이 형성되는 부위에 대응되게 음각 에어갭 패턴(4a)이 형성된 커버층(4)을 형성하는 단계(S10)와, 다공층 기판(100)에서 상기 음각 에어갭 패턴(4a)으로 인해 노출된 부분을 에칭하는 단계(S11)를 포함한다.The forming of the air gap 101 includes an intaglio air gap pattern 4a corresponding to a portion where the air gap 101 is formed on the upper surface of the porous layer substrate 100 and the heater electrode 200 and the sensor electrode 300. And forming the formed cover layer 4 (S10), and etching a portion of the porous layer substrate 100 exposed by the concave air gap pattern 4a (S11).

커버층(4)을 형성하는 단계(S10)는 포토 레지스트 포밍으로 형성될 수 있다.The step S10 of forming the cover layer 4 may be formed by photoresist forming.

에칭하는 단계(S11)를 거치면, 상하방향으로 관통되는 에어갭(101)이 다공층 기판(100)에 형성된다.After the etching step (S11), an air gap 101 penetrating in the vertical direction is formed in the porous layer substrate 100.

이와 같이 형성된 에어갭(102)은 개구부(102)에 연통되고, 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 둘러싸도록 형성된다. 이로 인해, 본 실시예의 마이크로 센서는 작은 열용량을 가져서 저전력을 이용하여 고온으로 온도를 높일 수 있다. 또한, 열적으로 수직방향으로 단열되고, 발열부위 두께가 얇아져서 측방향으로 단열효과를 가질 수 있다. The air gap 102 formed in this way communicates with the opening 102 and is formed to surround the heater wiring 210 and the sensor wiring 310. For this reason, the microsensor of this embodiment has a small heat capacity and can increase the temperature to a high temperature using low power. In addition, it is thermally insulated in the vertical direction, and the thickness of the heating portion is reduced, so that it can have an insulating effect in the lateral direction.

또한, 에어갭(101)의 최외측보다 개구부(102)의 최외측이 더 외측에 배치되도록 형성된다.In addition, the outermost side of the opening 102 is formed to be disposed more outside than the outermost side of the air gap 101.

에어갭(101)을 형성하는 단계 이후에, 다공층 기판(100) 상면에 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 덮도록 감지물질(400)을 형성하는 단계(S12)를 더 포함할 수 있다. After the step of forming the air gap 101, the step (S12) of forming the sensing material 400 to cover the heater wiring 210 and the sensor wiring 310 on the upper surface of the porous layer substrate 100 may be further included. I can.

다공층 기판(100)은 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 지지하는 제1지지부(110)와, 히터전극패드(220) 및 센서전극패드(320)를 지지하는 제2지지부(120)를 포함하는데, 감지물질(400)은 제1지지부(110)에 대응되는 위치에 형성된다.The porous layer substrate 100 includes a first support portion 110 supporting the heater wiring 210 and the sensor wiring 310, and a second supporting portion 120 supporting the heater electrode pad 220 and the sensor electrode pad 320. ), and the sensing material 400 is formed at a position corresponding to the first support part 110.

에어갭(101)은 제1지지부(110)의 외측에 형성된다.
The air gap 101 is formed outside the first support part 110.

전술한 마이크로 센서 제조방법에 따라 제조된 마이크로 센서는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 다공층 기판(100)과, 상기 다공층 기판(100) 상에 형성되며, 센서배선(310)과 상기 센서배선(310)에 연결되는 센서전극패드(320)를 포함하는 센서전극(300)과, 상기 다공층 기판(100) 상에 형성되며, 히터배선(210)과 상기 히터배선(210)에 연결되며 상기 센서전극패드(320)보다 상기 센서배선(310)에 근접하게 배치되는 히터전극패드(220)를 포함하는 히터전극(200)을 포함하며, 상기 다공층 기판(100)에는 상기 히터배선(210) 및 상기 센서배선(310)을 둘러싸는 에어갭(101)이 형성되며, 상기 다공층 기판(100) 하부에는 상기 히터배선(210) 하부에 배치되고 상기 에어갭(101)에 연통되는 개구부(102)가 형성되는 것을 특징으로 한다.The microsensor manufactured according to the above-described microsensor manufacturing method, as shown in FIGS. 2 and 3, is formed on the porous layer substrate 100 and the porous layer substrate 100, and the sensor wiring 310 And a sensor electrode 300 including a sensor electrode pad 320 connected to the sensor wiring 310, and formed on the porous layer substrate 100, and the heater wiring 210 and the heater wiring 210 And a heater electrode 200 including a heater electrode pad 220 that is connected to the sensor electrode pad 320 and disposed closer to the sensor wiring 310 than the sensor electrode pad 320, and the heater electrode 200 includes the heater An air gap 101 surrounding the wiring 210 and the sensor wiring 310 is formed, and is disposed under the heater wiring 210 under the porous layer substrate 100 and communicates with the air gap 101 It characterized in that the opening 102 is formed.

다공층 기판(100)은 알루미늄재로 형성되며, 사각형의 판형상으로 형성된다.The porous layer substrate 100 is formed of an aluminum material and has a rectangular plate shape.

다공층 기판(100)은 다공층으로 형성된다. 즉, 다공층 기판(100)은 다공재로 형성된다. 따라서, 다공층 기판(100)에는 상부 및 하부가 개방된 복수개의 포어(미도시)가 상하방향으로 관통되어 형성된다. The porous layer substrate 100 is formed of a porous layer. That is, the porous layer substrate 100 is formed of a porous material. Accordingly, a plurality of pores (not shown) with open upper and lower portions are formed through the porous layer substrate 100 in the vertical direction.

다공층 기판(100)은 알루미늄판을 산화시켜서 형성할 수 있다. 따라서, 상기 다공층 기판은 산화 알루미늄 다공층(Anodic Aluminum Oxide; AAO)이다.The porous layer substrate 100 may be formed by oxidizing an aluminum plate. Therefore, the porous layer substrate is an aluminum oxide porous layer (Anodic Aluminum Oxide; AAO).

다공층 기판(100) 하부에는 개구부(102)가 전후방향으로 형성된다. 상기 포어의 하부는 개구부(102)에 연통된다.Openings 102 are formed in the front and rear directions under the porous layer substrate 100. The lower part of the pore communicates with the opening 102.

센서전극(300)은 다공층 기판(100)의 상면에 형성된다.The sensor electrode 300 is formed on the upper surface of the porous layer substrate 100.

이러한 센서전극(300)은 가스 또는 습도 등을 감지한다.The sensor electrode 300 detects gas or humidity.

센서전극(300)은 센서배선(310)과 센서배선(310)에 연결되는 센서전극패드(320)를 포함한다.The sensor electrode 300 includes a sensor wiring 310 and a sensor electrode pad 320 connected to the sensor wiring 310.

센서배선(310)은 다공층 기판(100)의 중심부에 배치된다.The sensor wiring 310 is disposed in the center of the porous layer substrate 100.

센서배선(310)은 일측 끝단에 여러개의 제2돌기(311)가 형성된다. 제2돌기(311)와 제2돌기(311) 사이에는 제2홈이 형성된다. The sensor wiring 310 has several second protrusions 311 formed at one end thereof. A second groove is formed between the second protrusion 311 and the second protrusion 311.

센서전극패드(320)는 센서배선(310)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. 또한, 센서전극패드(320)는 센서배선(310)보다 평면에서 보았을 때 넓은 면적을 갖는다.The sensor electrode pad 320 is formed to have a larger width than the sensor wiring 310. In addition, the sensor electrode pad 320 has a larger area when viewed from a plane than the sensor wiring 310.

히터전극(200)은 다공층 기판(100)의 상면에 형성된다. 이와 같이 히터전극(200)이 상기 다공층 상에 형성되어, 포어(기공)으로 인해 단열효과가 상승하게 된다.The heater electrode 200 is formed on the upper surface of the porous layer substrate 100. In this way, the heater electrode 200 is formed on the porous layer, so that the heat insulation effect is increased due to the pores (pores).

히터전극(200)은 히터배선(210)과, 히터배선(210)에 연결되며 센서전극패드(320)보다 센서배선(310)에 근접하게 배치되는 히터전극패드(220)를 포함한다.The heater electrode 200 includes a heater wire 210 and a heater electrode pad 220 connected to the heater wire 210 and disposed closer to the sensor wire 310 than the sensor electrode pad 320.

히터배선(210)은 다공층 기판(100)의 중심부에 배치된다.The heater wiring 210 is disposed in the center of the porous layer substrate 100.

센서배선(310) 및 히터배선(210)은 개구부(102) 상부에 배치된다.The sensor wiring 310 and the heater wiring 210 are disposed above the opening 102.

히터배선(210)은 단부에 상기 제2홈 내부에 배치되는 제1돌기(211)와, 제2돌기(311)가 내부에 배치되는 제1홈이 형성된다. 즉, 제1돌기(211) 사이에 제2돌기(311)가 사이에 배치된다. 제1돌기(211)와 상기 제1홈은 여러개 형성되며, 번갈아 배치된다. 제1돌기(211)와 상기 제1홈은 히터배선(210)이 굴곡지게 형성되어 구비된다. The heater wiring 210 has a first protrusion 211 disposed inside the second groove at an end portion and a first groove disposed inside the second protrusion 311. That is, the second protrusions 311 are disposed between the first protrusions 211. The first protrusion 211 and the plurality of first grooves are formed and are alternately arranged. The first protrusion 211 and the first groove are provided such that the heater wiring 210 is curved.

전체적으로 보았을 때 히터배선(210)과 센서배선(310)은 사각형상으로 형성된다.When viewed as a whole, the heater wiring 210 and the sensor wiring 310 are formed in a square shape.

히터전극패드(220)는 히터배선(210)의 양단에 각각 연결된다. 이와 같이, 히터전극패드(220)는 적어도 2개 이상으로 형성된다.The heater electrode pad 220 is connected to both ends of the heater wiring 210, respectively. In this way, at least two heater electrode pads 220 are formed.

히터전극패드(220)는 히터배선(210)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. The heater electrode pad 220 is formed to have a larger width than the heater wiring 210.

에어갭(101)은 다공층 기판(100)의 다공층 기판(100)에 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 둘러싸도록 둘레에 형성된다.The air gap 101 is formed around the heater wiring 210 and the sensor wiring 310 in the porous layer substrate 100 of the porous layer substrate 100.

에어갭(101)은 '∩'형상으로 형성된다.The air gap 101 is formed in a'∩' shape.

에어갭(101)은 상하방향으로 관통되어 형성된다. 전술한 바와 다르게, 에어갭은 홈형상으로 형성될 수도 있다. 에어갭(101)의 폭은 상기 제1돌기(211) 또는 상기 제2돌기(311)보다 넓게 형성된다. 에어갭(101)의 폭을 넓게 할 수록 발열 피크 온도가 더욱 높아지게 된다.The air gap 101 is formed to penetrate in the vertical direction. Unlike the above, the air gap may be formed in a groove shape. The width of the air gap 101 is formed wider than the first protrusion 211 or the second protrusion 311. The wider the width of the air gap 101 is, the higher the heating peak temperature becomes.

에어갭(101)으로 인해, 다공층 기판(100)에는 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 공통으로 지지하는 제1지지부(110)와 히터전극패드(220) 및 센서전극패드(320)를 지지하는 제2지지부(120)가 형성된다. 즉, 제1지지부(110)와 제2지지부(120) 사이에는 에어갭(101)이 형성된다. Due to the air gap 101, the porous layer substrate 100 includes a first support 110, a heater electrode pad 220, and a sensor electrode pad 320 that support the heater wiring 210 and the sensor wiring 310 in common. ) To support the second support portion 120 is formed. That is, the air gap 101 is formed between the first support portion 110 and the second support portion 120.

제1지지부(110)는 히터배선(210) 및 센서배선(310)와 유사한 사각형상으로 형성되어, 제1지지부(110)와 제2지지부(120)는 배선과 패드가 연결되는 부분에서 서로 연결되고, 이외의 부분은 에어갭(101)으로 인해 서로 이격된다. 따라서, 제1지지부(110)와 제2지지부(120)는 한 지점에서 연결된다.The first support part 110 is formed in a square shape similar to the heater wire 210 and the sensor wire 310, and the first support part 110 and the second support part 120 are connected to each other at a portion where the wire and the pad are connected. And the other parts are spaced apart from each other due to the air gap 101. Accordingly, the first support 110 and the second support 120 are connected at one point.

제1지지부(110)는 일측을 제외한 나머지 부분이 에어갭(101)에 의해 둘러싸인다.The remaining portions of the first support 110 except for one side are surrounded by the air gap 101.

제1지지부(110)는 히터배선(210) 및 센서배선(310)의 면적보다 넓게 형성된다.The first support part 110 is formed to be wider than the area of the heater wiring 210 and the sensor wiring 310.

제1지지부(110)의 폭은 개구부(102)의 폭보다 좁게 형성된다. 또한, 개구부(102)는 제1지지부(110)의 하부 및 제2지지부(120)의 하부에서 제1지지부(110)에 근접한 끝단에 형성된다.The width of the first support portion 110 is formed to be narrower than the width of the opening 102. In addition, the opening 102 is formed at an end close to the first support 110 at the lower portion of the first support portion 110 and the lower portion of the second support portion 120.

제1지지부(110)의 두께는 제2지지부(120)의 평균 두께보다 얇게 형성된다.The thickness of the first support portion 110 is formed to be thinner than the average thickness of the second support portion 120.

개구부(102)는 에어갭(101)에 연통된다.The opening 102 communicates with the air gap 101.

에어갭(101) 및 개구부(102)에 공기가 배치되어, 단열효과가 향상되고, 열전도율이 감소하며, 열용량이 작아질 수 있다.Air is disposed in the air gap 101 and the opening 102, so that the heat insulation effect is improved, the thermal conductivity decreases, and the heat capacity may be reduced.

나아가, 다공층 기판(100)의 제1지지부(110)의 상면에는 히터배선(210) 및 센서배선(310)을 덮도록 감지물질(400)이 형성된다.Further, a sensing material 400 is formed on the upper surface of the first support part 110 of the porous layer substrate 100 to cover the heater wiring 210 and the sensor wiring 310.

감지물질(400)은 제1지지부(110)에 대응되는 위치에 형성된다.The sensing material 400 is formed at a position corresponding to the first support part 110.

이하, 전술한 구성을 갖는 본 실시예의 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation of this embodiment having the above-described configuration will be described.

가스 농도를 측정하기 위해서 먼저 히터전극(200)의 2 개의 히터전극패드(220)에 일정한 전력을 인가하여 이에 접촉된 센서 중앙부의 감지물질(400) 부분을 일정한 온도로 가열한다.In order to measure the gas concentration, a constant electric power is first applied to the two heater electrode pads 220 of the heater electrode 200 to heat the sensing material 400 at the center of the sensor in contact therewith to a constant temperature.

이 상태에서 그 주위에 존재하는 가스가 그 농도에 대응하여 감지물질(400)에 흡착 또는 탈착되었을 때 발생하는 감지물질(400)의 특성 변화는 외부에서 회로를 개재시켜 감지물질(400)과 전기적으로 연결된 센서전극패드(320)간의 전위 차이를 측정하여 감지물질(400)의 전기전도도를 정량화함으로써 측정한다.In this state, the change in the characteristics of the sensing material 400, which occurs when the gas existing around it is adsorbed or desorbed on the sensing material 400 in response to the concentration thereof, is The electric conductivity of the sensing material 400 is quantified by measuring a potential difference between the sensor electrode pads 320 connected to each other.

또한, 더욱 정밀한 측정을 위해서는 감지물질(400)에 기존 흡착되어 있는 여타 가스종이나 수분들을 히터전극(200)으로 고온 가열하여 강제적으로 제거하여 감지물질(400)을 초기 상태로 복구시킨 후 관심 가스의 농도를 측정한다.In addition, for more precise measurement, other gas species or moisture previously adsorbed on the sensing material 400 are forcibly removed by heating at high temperature with the heater electrode 200 to restore the sensing material 400 to the initial state, and then the gas of interest. Measure the concentration of.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify or modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. It can be done.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100 : 기판 101 : 에어갭
110 : 제1지지부 120 : 제2지지부
200 : 히터전극 210 : 히터배선
220 : 히터전극패드
300 : 센서전극 310 : 센서배선
320 : 센서전극패드
400 : 감지물질** Description of symbols for major parts of the drawing **
100: substrate 101: air gap
110: first support 120: second support
200: heater electrode 210: heater wiring
220: heater electrode pad
300: sensor electrode 310: sensor wiring
320: sensor electrode pad
400: sensing material

Claims (15)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하부에 개구부가 형성된 다공층 기판에 히터전극을 형성하는 단계;
상기 다공층 기판에 에어갭을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 에어갭은 상기 개구부에 연통되며, 상기 히터전극의 히터배선을 둘러싸도록 형성되되,
상기 에어갭을 형성하는 단계는,
상기 다공층 기판 및 상기 히터전극에 상기 에어갭이 형성되는 부위에 대응되게 음각 에어갭 패턴이 형성된 커버층을 형성하는 단계와,
상기 다공층 기판에서 상기 음각 에어갭 패턴으로 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법.Forming a heater electrode on a porous layer substrate having an opening formed therein;
And forming an air gap in the porous layer substrate,
The air gap communicates with the opening and is formed to surround the heater wiring of the heater electrode,
The step of forming the air gap,
Forming a cover layer having an intaglio air gap pattern formed on the porous layer substrate and the heater electrode to correspond to a portion where the air gap is formed;
And etching a portion of the porous layer substrate exposed by the concave air gap pattern. 제 7항에 있어서,
상기 다공층 기판을 형성하는 단계는,
알루미늄 기판을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층을 만드는 단계와,
상기 다공층 상에 마스크를 형성하는 단계와,
상기 알루미늄 기판에서 상기 마스크 이외 부분을 산화시켜서 산화알루미늄 다공층을 두껍게 만드는 단계와,
상기 마스크를 제거하고, 상기 알루미늄 기판에서 산화알루미늄 다공층 이외 부분을 에칭하여 상기 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법.The method of claim 7,
The step of forming the porous layer substrate,
Oxidizing the aluminum substrate to form an aluminum oxide porous layer,
Forming a mask on the porous layer,
Oxidizing a portion of the aluminum substrate other than the mask to thicken the aluminum oxide porous layer,
And forming the opening by removing the mask and etching a portion of the aluminum substrate other than the porous aluminum oxide layer. 하부에 개구부가 형성된 다공층 기판에 히터전극 및 센서전극을 형성하는 단계;
상기 다공층 기판에 에어갭을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 에어갭은 상기 개구부에 연통되고, 상기 히터전극의 히터배선 및 상기 센서전극의 센서배선을 둘러싸도록 형성되되,
상기 에어갭을 형성하는 단계는,
상기 다공층 기판 및 상기 히터전극 및 상기 센서전극에 상기 에어갭이 형성되는 부위에 대응되게 음각 에어갭 패턴이 형성된 커버층을 형성하는 단계와,
상기 다공층 기판에서 상기 음각 에어갭 패턴으로 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 제조방법.Forming a heater electrode and a sensor electrode on a porous layer substrate having an opening formed therein;
And forming an air gap in the porous layer substrate,
The air gap communicates with the opening and is formed to surround the heater wiring of the heater electrode and the sensor wiring of the sensor electrode,
The step of forming the air gap,
Forming a cover layer in which an intaglio air gap pattern is formed on the porous layer substrate, the heater electrode, and the sensor electrode to correspond to portions where the air gap is formed;
And etching a portion of the porous layer substrate exposed by the concave air gap pattern. 제 9항에 있어서,
상기 에어갭을 형성하는 단계 이후에,
상기 다공층 기판에 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 덮도록 감지물질을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 제조방법.The method of claim 9,
After the step of forming the air gap,
And forming a sensing material on the porous layer substrate to cover the heater wiring and the sensor wiring. 단부에 복수개의 제1돌기가 형성된 히터배선과 상기 히터배선에 연결되는 히터전극패드를 포함하는 히터전극;
상기 제1돌기 사이에 배치되는 제2돌기가 형성된 센서배선과 상기 센서배선에 연결되는 센서전극패드를 포함하는 센서전극;
상기 히터전극과 상기 센서전극을 지지하는 산화알루미늄 다공층;을 포함하되,
상기 산화알루미늄 다공층의 일부가 제거되어 에어갭을 상기 히터배선 및 상기 센서배선을 둘러싸도록 형성하고,
상기 산화알루미늄 다공층 하부에는 상기 히터배선 및 상기 센서배선의 하부에 배치되고 상기 에어갭에 연통되는 개구부가 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 마이크로 센서.A heater electrode including a heater wire having a plurality of first protrusions formed at an end thereof and a heater electrode pad connected to the heater wire;
A sensor electrode including a sensor wire having a second protrusion disposed between the first protrusions and a sensor electrode pad connected to the sensor wire;
Including; aluminum oxide porous layer supporting the heater electrode and the sensor electrode,
A portion of the aluminum oxide porous layer is removed to form an air gap to surround the heater wiring and the sensor wiring,
And an opening disposed below the heater wiring and the sensor wiring and communicating with the air gap is formed under the aluminum oxide porous layer. 제 11항에 있어서,
상기 산화알루미늄 다공층은
상기 히터배선과 상기 센서배선을 공통으로 지지하는 제1지지부를 포함하되,
상기 에어갭은 상기 제1지지부의 외측에 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 센서.The method of claim 11,
The aluminum oxide porous layer
Including a first support portion for commonly supporting the heater wiring and the sensor wiring,
The air gap is a micro sensor, characterized in that formed outside the first support. 제 12항에 있어서,
상기 제1지지부에 대응되는 위치에 감지물질이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 센서. The method of claim 12,
Microsensor, characterized in that the sensing material is additionally formed at a position corresponding to the first support. 제11항에 있어서,
상기 히터전극패드는 적어도 2개 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서. The method of claim 11,
The heater electrode pad is a micro-sensor, characterized in that formed in at least two. 제 11항에 있어서,
상기 산화알루미늄 다공층에는 포어가 상하방향으로 관통되어 형성되고,
상기 포어는 상기 개구부에 연통되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서.The method of claim 11,
The aluminum oxide porous layer is formed by penetrating pores in the vertical direction,
The pore is microsensor, characterized in that in communication with the opening.
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