KR102169276B1 - Circuit for preventing arm short - Google Patents

Circuit for preventing arm short Download PDF

Info

Publication number
KR102169276B1
KR102169276B1 KR1020180162190A KR20180162190A KR102169276B1 KR 102169276 B1 KR102169276 B1 KR 102169276B1 KR 1020180162190 A KR1020180162190 A KR 1020180162190A KR 20180162190 A KR20180162190 A KR 20180162190A KR 102169276 B1 KR102169276 B1 KR 102169276B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
switching element
signal
gate drivers
input
Prior art date
Application number
KR1020180162190A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200073712A (en
Inventor
김성우
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020180162190A priority Critical patent/KR102169276B1/en
Publication of KR20200073712A publication Critical patent/KR20200073712A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102169276B1 publication Critical patent/KR102169276B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/38Means for preventing simultaneous conduction of switches
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 다양한 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로는, 소정 신호가 입출력되는 제1 단자 및 제2 단자가 구비된 복수의 게이트 드라이버를 포함하는 게이트 구동 신호 생성부, 복수의 게이트 드라이버 중 제1 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 기준 전압이 입력되는 제1 스위칭 소자, 복수의 게이트 드라이버 중 제2 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 스위칭 소자의 타단과 연결되는 제2 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 타단과 연결되는 저항 소자를 포함하고, 제2 스위칭 소자와 저항 소자가 연결된 노드에 복수의 게이트 드라이버의 제2 단자가 연결될 수 있다. 이에 따라, 암-쇼트가 실제 발생하는지 여부를 고려하지 않고, 게이트 드라이버의 신호 출력을 제어하여 암-쇼트의 발생을 보다 빠르게 방지할 수 있다. 그 외에 다양한 실시예들이 가능하다.An arm-short prevention circuit according to various embodiments of the present invention includes a gate driving signal generator including a plurality of gate drivers having a first terminal and a second terminal through which a predetermined signal is input/output, and a first among a plurality of gate drivers. Switching according to the output signal of the gate driver, one end switching according to the output signal of the first switching element to which the first reference voltage is input, the second gate driver among the plurality of gate drivers, and one end and the other end of the first switching element Second terminals of the plurality of gate drivers may be connected to a node connected to a second switching element and a resistance element connected to the other end of the second switching element, and to a node to which the second switching element and the resistance element are connected. Accordingly, it is possible to prevent the occurrence of the arm-short more quickly by controlling the signal output of the gate driver without considering whether the arm-short actually occurs. In addition, various embodiments are possible.

Figure R1020180162190
Figure R1020180162190

Description

암-쇼트 방지 회로{CIRCUIT FOR PREVENTING ARM SHORT}Arm-short prevention circuit {CIRCUIT FOR PREVENTING ARM SHORT}

본 발명은 암-쇼트 방지 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스위칭 소자를 제어하는 게이트 드라이버의 신호 출력을 제어함으로써 암-쇼트의 발생을 방지할 수 있는 회로에 관한 것이다.The present invention relates to an arm-short prevention circuit, and more particularly, to a circuit capable of preventing the occurrence of an arm-short by controlling the signal output of a gate driver that controls a switching element.

마이컴(Micom)은, 홈 어플라이언스(Home Appliance) 등 다양한 전자기기에서 사용되고 있다. 마이컴(Micom)은 노이즈(Noise), 정전기, 이상전압 인가와 같은 비정상적인(Abnormal) 조건에서 폭주할 수 있고, 이 경우 마이컴은 비정상적으로 신호를 출력할 수 있다. 예를 들면, 마이컴은 내부 클럭(clock)이 이상 상태에 빠져서 연산이 불가능한 폭주 상태에 빠질 수 있다. 마이컴이 폭주하는 등의 경우, 회로의 같은 레그(leg)에 구비된 복수의 스위칭 소자가 동시에 턴-온되는 암-쇼트(Arm Short)가 발생할 수 있고, 암-쇼트의 발생에 의해 회로 소자가 손상될 수 있다.Micom is used in various electronic devices such as home appliances. Micom may runaway under abnormal conditions such as noise, static electricity, and application of an abnormal voltage, and in this case, the micom may output a signal abnormally. For example, the microcomputer may fall into a runaway state in which calculation is impossible due to an abnormal state of the internal clock. In the case of a runaway microcomputer, an arm-short may occur in which a plurality of switching elements provided in the same leg of the circuit are turned on at the same time, and the circuit element may be damaged by the occurrence of an arm-short. It can be damaged.

종래기술 1(한국 공개특허공보 특2001-0084792호)는, 인버터와 연결된 션트 저항(Shunt Resistor)에 흐르는 전류를 확인하고, 과전류가 검출되는지 여부에 기초하여 인버터를 제어하여 회로 소자의 손상을 방지할 수 있는 회로를 개시하고 있다. 그러나 종래기술 1은, 션트 저항에 과전류가 흐르는 경우를 감지하여 인버터를 제어하기 때문에, 이미 암-쇼트가 발생하게 되어 회로 소자의 손상을 방지하기 어려운 문제점이 있다. Prior Art 1 (Korean Patent Application Publication No. 2001-0084792) checks the current flowing through the shunt resistor connected to the inverter and controls the inverter based on whether an overcurrent is detected to prevent damage to circuit elements. A circuit that can be done is disclosed. However, in the prior art 1, since the inverter is controlled by detecting a case where an overcurrent flows through the shunt resistor, an arm-short has already occurred, and it is difficult to prevent damage to the circuit element.

KRKR 10200100847921020010084792 A1A1

본 발명의 목적은, 같은 레그에 구비된 복수의 스위칭 소자를 동시에 턴-온하는 신호가 게이트 드라이버에서 출력되는 경우, 게이트 드라이버의 신호 출력을 빠르게 제어함으로써 암-쇼트의 발생을 방지할 수 있는 회로를 제공함에 있다.An object of the present invention is a circuit capable of preventing the occurrence of an arm-short by rapidly controlling the signal output of the gate driver when a signal for simultaneously turning-on a plurality of switching elements provided in the same leg is output from a gate driver In providing.

본 발명의 다른 목적은, 암-쇼트의 발생 원인이 될 수 있는, 마이컴으로부터 신호가 비정상적으로 출력되는 문제를 해결하기 위해, 게이트 드라이버의 출력 신호를 이용하여 마이컴을 리셋할 수 있는 회로를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a circuit capable of resetting the micom using an output signal of a gate driver in order to solve the problem of abnormally outputting a signal from the micom, which may cause the occurrence of an arm-short. have.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 암-쇼트 방지 회로는, 같은 레그에 구비된 복수의 스위칭 소자의 스위칭을 제어하는 복수의 게이트 드라이버와, 복수의 게이트 드라이버에서 출력되는, 같은 레그에 구비된 복수의 스위칭 소자를 동시에 턴-온하는 신호를 검출하여 복수의 게이트 드라이버에 제어 신호를 입력할 수 있는 회로 구성을 포함할 수 있다.The arm-short prevention circuit according to an aspect of the present invention for achieving the above or other objects includes a plurality of gate drivers for controlling switching of a plurality of switching elements provided in the same leg, and output from a plurality of gate drivers, A circuit configuration capable of inputting a control signal to a plurality of gate drivers by detecting a signal for simultaneously turning on a plurality of switching elements provided in the same leg may be included.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따른 암-쇼트 방지 회로는, 소정 신호가 입출력되는 제1 단자 및 제2 단자가 구비된 복수의 게이트 드라이버를 포함하는 게이트 구동 신호 생성부, 복수의 게이트 드라이버 중 제1 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 기준 전압이 입력되는 제1 스위칭 소자, 복수의 게이트 드라이버 중 제2 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 스위칭 소자의 타단과 연결되는 제2 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 타단과 연결되는 저항 소자를 포함하고, 제2 스위칭 소자와 저항 소자가 연결된 노드에 복수의 게이트 드라이버의 제2 단자가 연결될 수 있다.In order to achieve the above or other objects, an arm-short prevention circuit according to an aspect of the present invention includes a gate driving signal generating unit including a plurality of gate drivers having a first terminal and a second terminal through which a predetermined signal is input/output, Switching according to the output signal of the first gate driver among the plurality of gate drivers, one end of which is switched according to the output signal of the first switching element to which the first reference voltage is input, the second gate driver of the plurality of gate drivers, and one end Including a second switching element connected to the other end of the first switching element and a resistance element connected to the other end of the second switching element, wherein the second terminals of the plurality of gate drivers are connected to a node connected to the second switching element and the resistance element. I can.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따른 암-쇼트 방지 회로는, 소정 신호가 입출력되는 제1 단자 및 제2 단자가 구비된 복수의 게이트 드라이버를 포함하는 게이트 구동 신호 생성부, 복수의 게이트 드라이버 중 제1 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 기준 전압이 입력되는 제1 스위칭 소자, 복수의 게이트 드라이버 중 제2 게이트 드라이버의 출력 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 스위칭 소자의 타단과 연결되는 제2 스위칭 소자, 제2 스위칭 소자의 타단과 연결되는 저항 소자 및 마이컴의 동작 전압이 마이컴으로 입력되는 것을 차단하는 리셋 회로를 포함하고, 제2 스위칭 소자와 저항 소자가 연결된 노드에 복수의 게이트 드라이버의 제2 단자 및 리셋 회로가 연결됨으로써, 마이컴을 리셋할 수 있다.In order to achieve the above or other objects, an arm-short prevention circuit according to an aspect of the present invention includes a gate driving signal generating unit including a plurality of gate drivers having a first terminal and a second terminal through which a predetermined signal is input/output, Switching according to the output signal of the first gate driver among the plurality of gate drivers, one end of which is switched according to the output signal of the first switching element to which the first reference voltage is input, the second gate driver of the plurality of gate drivers, and one end A second switching element connected to the other end of the first switching element, a resistance element connected to the other end of the second switching element, and a reset circuit blocking input of an operating voltage of the micom to the micom, and a second switching element and a resistor The micom may be reset by connecting the second terminals of the plurality of gate drivers and the reset circuit to the node to which the device is connected.

본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 회로 내에서 암-쇼트가 실제 발생하는지 여부를 고려하지 않고, 게이트 드라이버의 신호 출력을 제어함으로써, 암-쇼트의 발생을 보다 빠르게 방지할 수 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, the occurrence of the arm-short can be prevented more quickly by controlling the signal output of the gate driver without considering whether or not the arm-short actually occurs in the circuit.

또한, 본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 게이트 드라이버에서 출력되는 신호에 기초하여 마이컴을 리셋함으로써, 암-쇼트 발생의 원인이 될 수 있는, 마이컴으로부터 신호가 비정상적으로 출력되는 문제를 확실하게 해결할 수 있다. In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by resetting the micom based on the signal output from the gate driver, the problem of abnormally outputting the signal from the micom, which may cause an arm-short, is reliably prevented. Can be solved.

또한, 본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 복잡하고 고비용의 회로 소자가 아닌, 저항, 트랜지스터 등 비교적 간단한 회로 소자를 사용하므로, 그 구현이 용이하고 비용이 저렴하다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since relatively simple circuit elements such as resistors and transistors are used instead of complex and expensive circuit elements, the implementation is easy and cost is low.

또한, 본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 컨버터, 인버터 등 암-쇼트가 발생할 수 있는 다양한 회로 구성에 용이하게 적용될 수 있다.Further, according to at least one of the embodiments of the present invention, it can be easily applied to various circuit configurations in which arm-shorts may occur, such as a converter and an inverter.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 도시한 회로도이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 도시한 회로도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로의 동작에 관한 예시도이다.
도 4는 모터 구동 장치의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 적용할 수 있는 컨버터 및 인버터를 도시한 회로도이다.
1 is a circuit diagram showing an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are circuit diagrams showing an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are diagrams illustrating an operation of an arm-short prevention circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a block diagram of a motor driving device.
5 is a circuit diagram showing a converter and an inverter to which an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention can be applied.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, in order to clearly and briefly describe the present invention, the illustration of parts not related to the description is omitted, and the same reference numerals are used for identical or extremely similar parts throughout the specification.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.The suffixes "module" and "unit" for the constituent elements used in the following description are given in consideration of only the ease of writing in the present specification, and do not impart a particularly important meaning or role by themselves. Therefore, the "module" and "unit" may be used interchangeably with each other.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or additional possibility of additions or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, is not preliminarily excluded.

또한, 본 명세서에서, 다양한 요소들을 설명하기 위해 제1, 제2 등의 용어가 이용될 수 있으나, 이러한 요소들은 이러한 용어들에 의해 제한되지 아니한다. 이러한 용어들은 한 요소를 다른 요소로부터 구별하기 위해서만 이용된다. In addition, in this specification, terms such as first and second may be used to describe various elements, but these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element from another.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram showing an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention.

도 1를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로(100)는, 게이트 구동 신호 생성부(120), 제1 스위칭 소자(Q1), 제2 스위칭 소자(Q2) 및 저항 소자(R1)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an arm-short prevention circuit 100 according to an embodiment of the present invention includes a gate driving signal generator 120, a first switching element Q1, a second switching element Q2, and a resistor. It may include an element R1.

게이트 구동 신호 생성부(120)는, 예를 들면, 소정 신호가 입출력되는 제1 단자(Vg)와 제2 단자(SD)를 포함하는 복수의 게이트 드라이버를 포함할 수 있다. 도 1에서는 게이트 구동 신호 생성부(120)가 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)를 포함하는 것으로 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트 구동 신호 생성부(120)는 두 개 이상의 게이트 드라이버를 포함할 수 있다.The gate driving signal generator 120 may include a plurality of gate drivers including, for example, a first terminal Vg and a second terminal SD through which a predetermined signal is input/output. In FIG. 1, the gate driving signal generation unit 120 is described as including first and second gate drivers 121 and 123, but the present invention is not limited thereto, and the gate driving signal generation unit 120 It may contain more than one gate driver.

제1 스위칭 소자(Q1)는, 예를 들면, 제1 게이트 드라이버(121)의 제1 단자(Vg)로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭할 수 있다. 제1 기준 전압(V1)은, 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)의 일단을 통해 입력될 수 있다. 이때, 제1 기준 전압(V1)은 5V 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 스위칭 소자(Q1)의 타단은, 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)의 일단과 연결될 수 있다. The first switching element Q1 may switch according to, for example, a signal output from the first terminal Vg of the first gate driver 121. The first reference voltage V1 may be input through, for example, one end of the first switching element Q1. In this case, the first reference voltage V1 may be 5V, but is not limited thereto. The other end of the first switching element Q1 may be connected to one end of the second switching element Q2, for example.

제2 스위칭 소자(Q2)는, 예를 들면, 제2 게이트 드라이버(123)의 제1 단자(Vg)로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭할 수 있다. 제2 스위칭 소자(Q2)의 일단은, 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)의 타단과 연결될 수 있다. 제2 스위칭 소자(Q2)의 타단은, 예를 들면, 저항 소자(R1)와 연결될 수 있다. The second switching element Q2 may switch according to, for example, a signal output from the first terminal Vg of the second gate driver 123. One end of the second switching element Q2 may be connected to the other end of the first switching element Q1, for example. The other end of the second switching element Q2 may be connected to, for example, the resistance element R1.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 제1 스위칭 소자(Q1) 및/또는 제2 스위칭 소자(Q2)는, 양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)일 수 있다. 이 경우, 제1 스위칭 소자(Q1) 및/또는 제2 스위칭 소자(Q2)는 NPN형 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다. 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)는, 제1 기준 전압(V1)이 입력되는 컬렉터 단, 제2 스위칭 소자(Q2)와 연결되는 이미터 단 및 제1 게이트 드라이버(121)의 제1 단자(Vg)와 연결되는 베이스 단을 포함하는 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다. 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)는, 제1 스위칭 소자(Q1)와 연결되는 컬렉터 단, 저항 소자(R1)와 연결되는 이미터 단 및 제2 게이트 드라이버(123)의 제1 단자(Vg)와 연결되는 베이스 단을 포함하는 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, the first switching element Q1 and/or the second switching element Q2 may be a bipolar junction transistor (BJT). In this case, the first switching element Q1 and/or the second switching element Q2 may be an NPN type bipolar junction transistor. For example, the first switching element Q1 may include a collector terminal to which the first reference voltage V1 is input, an emitter terminal connected to the second switching element Q2, and a first gate driver 121. It may be a bipolar junction transistor including a base terminal connected to the terminal Vg. For example, the second switching element Q2 may include a collector end connected to the first switching device Q1, an emitter end connected to the resistance device R1, and a first terminal of the second gate driver 123 ( It may be a bipolar junction transistor including a base terminal connected to Vg).

제1 게이트 드라이버(121) 및 제2 게이트 드라이버(123)의 제2 단자(SD)는, 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)와 저항 소자(R1)가 전기적으로 연결된 노드에 연결될 수 있다.The second terminal SD of the first gate driver 121 and the second gate driver 123 may be connected to, for example, a node electrically connected to the second switching element Q2 and the resistance element R1. .

제1 게이트 드라이버(121) 및 제2 게이트 드라이버(123)는, 예를 들면, 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력되는 경우, 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다.The first gate driver 121 and the second gate driver 123 may stop outputting the signal through the first terminal Vg, for example, when a signal is input through the second terminal SD. have.

본 발명의 일 실시 예에 따른 암-쇼트 방지 회로(100)는, 마이컴(110)을 더 포함할 수 있다.The arm-short prevention circuit 100 according to an embodiment of the present invention may further include a microcomputer 110.

마이컴(110)은, 예를 들면, 게이트 구동 신호 생성부(120)로 신호를 출력하는 출력 단자(Signal)를 포함할 수 있다. 이 경우, 마이컴(110)은, 예를 들면, 복수의 출력 단자(Signal)를 통해 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)로 신호를 각각 출력할 수 있다. 마이컴(110)은, 예를 들면, 출력 단자(Signal)를 통하여 소정 듀티(duty)와 주파수를 가지는 펄스폭 변조 방식(Pulse Width Modulation; PWM) 신호를 출력할 수 있다.The micom 110 may include, for example, an output terminal (Signal) for outputting a signal to the gate driving signal generator 120. In this case, the micom 110 may output signals to the first and second gate drivers 121 and 123, respectively, through, for example, a plurality of output terminals (Signal). The micom 110 may output, for example, a Pulse Width Modulation (PWM) signal having a predetermined duty and frequency through an output terminal (Signal).

제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)는, 예를 들면, 마이컴(110)으로부터 입력된 신호에 기초하여, 제1 단자(Vg)를 통해 신호를 출력할 수 있다. The first and second gate drivers 121 and 123 may output signals through the first terminal Vg based on, for example, a signal input from the microcomputer 110.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 마이컴(110)으로부터 출력되는 신호에 의해 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)가 동일한 시점에 신호를 출력하는 경우, 제1 및 제2 스위칭 소자(Q1, Q2)가 스위칭될 수 있고, 저항 소자(R1)의 양 단에 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가될 수 있다. 예를 들면, 마이컴(110)이 PWM 신호를 출력하는 경우, 폭주 상태에서 PWM 신호의 변화가 없어지고, 신호 레벨의 변화 없이 마지막 상태가 유지될 수 있다. 이 때, 마이컴(110)으로부터 출력되는 신호에 의해 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)가 동일한 시점에 신호를 출력할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the first and second gate drivers 121 and 123 output a signal at the same time by a signal output from the microcomputer 110, the first and second switching elements Q1 , Q2) may be switched, and a voltage may be applied to both ends of the resistance element R1. For example, the first reference voltage V1 may be applied to both ends of the resistance element R1. For example, when the microcomputer 110 outputs a PWM signal, a change in the PWM signal disappears in a congestion state, and the last state may be maintained without a change in a signal level. In this case, the first and second gate drivers 121 and 123 may output signals at the same time by the signal output from the microcomputer 110.

이 경우, 저항 소자(R1)의 양 단에 인가된 전압에 기초하여, 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)의 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)의 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력되는 경우, 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)는 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다.In this case, a signal may be input through the second terminal SD of the first and second gate drivers 121 and 123 based on the voltage applied to both ends of the resistance element R1. When a signal is input through the second terminal SD of the first and second gate drivers 121 and 123, the first and second gate drivers 121 and 123 Output can be stopped.

이때, 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)는, 예를 들면, 기 설정된 일정 시간 동안 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수도 있다. 한편, 제1 및 제2 게이트 드라이버(121, 123)는, 예를 들면, 마이컴(110)으로부터 출력된 신호가 입력되는 경우에도 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다. In this case, the first and second gate drivers 121 and 123 may stop outputting a signal through the first terminal Vg for a predetermined time, for example. Meanwhile, the first and second gate drivers 121 and 123 may stop outputting a signal through the first terminal Vg even when, for example, a signal output from the microcomputer 110 is input.

도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 도시한 회로도이다.2A and 2B are circuit diagrams showing an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로(200)는, 게이트 구동 신호 생성부(220), 제1 스위칭 소자(Q1), 제2 스위칭 소자(Q2), 저항 소자(R1) 및 리셋 회로(240)를 포함할 수 있다.2A, the arm-short prevention circuit 200 according to an embodiment of the present invention includes a gate driving signal generator 220, a first switching element Q1, a second switching element Q2, and a resistor. A device R1 and a reset circuit 240 may be included.

게이트 구동 신호 생성부(220)는, 예를 들면, 소정 신호가 입출력되는 제1 단자(Vg)와 제2 단자(SD)를 포함하는 복수의 게이트 드라이버를 포함할 수 있다. 도 2a에서는 게이트 구동 신호 생성부(220)가 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)를 포함하는 것으로 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트 구동 신호 생성부(220)는 두 개 이상의 게이트 드라이버를 포함할 수 있다. 한편, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 인버터 및/또는 컨버터에 구비된, 같은 레그에 구비된 복수의 스위칭 소자에 각각 연결될 수 있고, 스위칭을 제어할 수 있다. The gate driving signal generator 220 may include, for example, a plurality of gate drivers including a first terminal Vg and a second terminal SD through which a predetermined signal is input/output. In FIG. 2A, the gate driving signal generation unit 220 is described as including first and second gate drivers 221 and 223, but the present invention is not limited thereto, and the gate driving signal generation unit 220 includes two It may contain more than one gate driver. Meanwhile, the first and second gate drivers 221 and 223 may be respectively connected to a plurality of switching elements provided in the same leg and provided in the inverter and/or the converter, and may control switching. .

제1 스위칭 소자(Q1)는, 예를 들면, 제1 게이트 드라이버(221)의 제1 단자(Vg)로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭할 수 있다. 제1 기준 전압(V1)은, 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)의 일단을 통해 입력될 수 있다. 이때, 제1 기준 전압(V1)은 5V 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 스위칭 소자(Q1)의 타단은, 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)의 일단과 연결될 수 있다. The first switching element Q1 may switch according to, for example, a signal output from the first terminal Vg of the first gate driver 221. The first reference voltage V1 may be input through, for example, one end of the first switching element Q1. In this case, the first reference voltage V1 may be 5V, but is not limited thereto. The other end of the first switching element Q1 may be connected to one end of the second switching element Q2, for example.

제2 스위칭 소자(Q2)는, 예를 들면, 제2 게이트 드라이버(223)의 제1 단자(Vg)로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭할 수 있다. 제2 스위칭 소자(Q2)의 일단은, 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)의 타단과 연결될 수 있다. 제2 스위칭 소자(Q2)의 타단은, 예를 들면, 저항 소자(R1)와 연결될 수 있다. The second switching element Q2 may switch according to, for example, a signal output from the first terminal Vg of the second gate driver 223. One end of the second switching element Q2 may be connected to the other end of the first switching element Q1, for example. The other end of the second switching element Q2 may be connected to, for example, the resistance element R1.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 제1 스위칭 소자(Q1) 및/또는 제2 스위칭 소자(Q2)는, 양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)일 수 있다. 이 경우, 제1 스위칭 소자(Q1) 및/또는 제2 스위칭 소자(Q2)는 NPN형 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다. 예를 들면, 제1 스위칭 소자(Q1)는, 제1 기준 전압(V1)이 입력되는 컬렉터 단, 제2 스위칭 소자(Q2)와 연결되는 이미터 단 및 제1 게이트 드라이버(221)의 제1 단자(Vg)와 연결되는 베이스 단을 포함하는 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다. 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)는, 제1 스위칭 소자(Q1)와 연결되는 컬렉터 단, 저항 소자(R1)와 연결되는 이미터 단 및 제2 게이트 드라이버(223)의 제1 단자(Vg)와 연결되는 베이스 단을 포함하는 양극성 접합 트랜지스터일 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, the first switching element Q1 and/or the second switching element Q2 may be a bipolar junction transistor (BJT). In this case, the first switching element Q1 and/or the second switching element Q2 may be an NPN type bipolar junction transistor. For example, the first switching element Q1 may include a collector terminal to which the first reference voltage V1 is input, an emitter terminal connected to the second switching element Q2, and a first gate driver 221. It may be a bipolar junction transistor including a base terminal connected to the terminal Vg. For example, the second switching element Q2 may include a collector terminal connected to the first switching element Q1, an emitter terminal connected to the resistance element R1, and a first terminal of the second gate driver 223 ( It may be a bipolar junction transistor including a base terminal connected to Vg).

제1 게이트 드라이버(221) 및 제2 게이트 드라이버(223)의 제2 단자(SD)는, 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)와 저항 소자(R1)가 전기적으로 연결된 노드에 연결될 수 있다.The second terminal SD of the first gate driver 221 and the second gate driver 223 may be connected to, for example, a node electrically connected to the second switching element Q2 and the resistance element R1. .

제1 게이트 드라이버(221) 및 제2 게이트 드라이버(223)는, 예를 들면, 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력되는 경우, 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다.The first gate driver 221 and the second gate driver 223 may stop outputting a signal through the first terminal Vg, for example, when a signal is input through the second terminal SD. have.

본 발명의 일 실시 예에 따른 암-쇼트 방지 회로(200)는, 마이컴(210)을 더 포함할 수 있다.The arm-short prevention circuit 200 according to an embodiment of the present invention may further include a microcomputer 210.

마이컴(210)은, 예를 들면, 게이트 구동 신호 생성부(220)로 신호를 출력하는 출력 단자(Signal)를 포함할 수 있다. 이 경우, 마이컴(210)은, 예를 들면, 복수의 출력 단자(Signal)를 통해 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)로 신호를 각각 출력할 수 있다. 마이컴(210)은, 예를 들면, 출력 단자(Signal)를 통하여 소정 듀티와 주파수를 가지는 PWM 신호를 출력할 수 있다.The micom 210 may include, for example, an output terminal (Signal) for outputting a signal to the gate driving signal generator 220. In this case, the micom 210 may output signals to the first and second gate drivers 221 and 223, respectively, through, for example, a plurality of output terminals Signals. The micom 210 may output a PWM signal having a predetermined duty and frequency through an output terminal (Signal), for example.

제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 마이컴(210)으로부터 입력된 신호에 기초하여, 제1 단자(Vg)를 통해 신호를 출력할 수 있다. The first and second gate drivers 221 and 223 may output signals through the first terminal Vg based on, for example, a signal input from the microcomputer 210.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 컨버터(230)에 포함된 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 컨버터(230)에 포함된 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)는, 예를 들면, 같은 레그에 구비된 스위칭 소자들일 수 있다. 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)는, 예를 들면, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)에서 출력되는 신호에 기초하여 스위칭 될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)가 동일한 시점에 신호를 출력하는 경우, 컨버터(230)에 포함된 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)가 동시에 스위칭될 수 있다. 이때, 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)가 동시에 턴-온되는 경우 암-쇼트가 발생할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first and second gate drivers 221 and 223 included in the gate driving signal generator 220 are, for example, a third switching element included in the converter 230 ( It may be electrically connected to Q3) and the fourth switching element Q4, respectively. In this case, the third switching element Q3 and the fourth switching element Q4 included in the converter 230 may be, for example, switching elements provided in the same leg. The third and fourth switching elements Q3 and Q4 may be switched based on signals output from, for example, the first and second gate drivers 221 and 223. For example, when the first and second gate drivers 221 and 223 output signals at the same time, the third switching element Q3 and the fourth switching element Q4 included in the converter 230 are simultaneously Can be switched. In this case, when the third switching element Q3 and the fourth switching element Q4 are turned on at the same time, an arm-short may occur.

한편, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)가 동일한 시점에 신호를 출력하는 경우, 저항 소자(R1)의 양 단에 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가될 수 있다. 이 경우, 저항 소자(R1)의 양 단에 인가된 전압에 기초하여, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)의 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)의 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력되는 경우, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에서는 컨버터(230)에 기초하여 발명의 내용을 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 풀 브릿지 컨버터(full bridge converter), 멀티 레벨 컨버터(multilevel converter), 인버터(Inverter) 등에 기초하여 설명할 수도 있다. 한편, 리액터(L)는, 예를 들면, 상용 교류 전원(Vs)과 컨버터(230) 사이에 위치할 수 있고, 역률 보정 또는 승압 동작을 수행할 수 있다. 리액터(L)는, 예를 들면, 컨버터(230)의 고속 스위칭에 의한 고조파 전류를 제한하는 기능을 수행할 수도 있다. 도면에서는 상용 교류 전원(405)을 단상 교류 전원으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 삼상 교류 전원일 수도 있다.Meanwhile, when the first and second gate drivers 221 and 223 output signals at the same time point, voltages may be applied to both ends of the resistance element R1. For example, the first reference voltage V1 may be applied to both ends of the resistance element R1. In this case, a signal may be input through the second terminals SD of the first and second gate drivers 221 and 223 based on the voltage applied to both ends of the resistance element R1. When a signal is input through the second terminal SD of the first and second gate drivers 221 and 223, the first and second gate drivers 221 and 223 Output can be stopped. For example, in the present invention, the contents of the invention are described based on the converter 230, but the present invention is not limited thereto, and a full bridge converter, a multilevel converter, an inverter ) Or the like. Meanwhile, the reactor L may be positioned between, for example, the commercial AC power Vs and the converter 230, and may perform a power factor correction or a boost operation. The reactor L may, for example, perform a function of limiting harmonic current due to high-speed switching of the converter 230. In the drawings, the commercial AC power source 405 is shown as a single-phase AC power source, but the present invention is not limited thereto, and may be a three-phase AC power source.

리셋 회로(240)는, 예를 들면, 제2 스위칭 소자(Q2)와 저항 소자(R1)가 전기적으로 연결된 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 리셋 회로(240)는, 예를 들면, 제2 기준 전압(V2)이 마이컴(210)으로 입력되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들면, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가되는 경우, 리셋 회로(240)는 제2 기준 전압(V2)이 마이컴(210)으로 입력되는 것을 차단할 수 있다. 이때, 제2 기준 전압(V2)은, 예를 들면, 마이컴(210)의 동작을 위한 정격 전압일 수 있다. 마이컴(210)은, 예를 들면, 제2 기준 전압(V2)의 입력이 차단되는 경우 리셋될 수 있다.The reset circuit 240 may be electrically connected to a node to which the second switching element Q2 and the resistance element R1 are electrically connected, for example. The reset circuit 240 may block input of the second reference voltage V2 to the microcomputer 210, for example. For example, when the first reference voltage V1 is applied to both ends of the resistance element R1, the reset circuit 240 may block input of the second reference voltage V2 to the microcomputer 210. . In this case, the second reference voltage V2 may be, for example, a rated voltage for the operation of the microcomputer 210. The micom 210 may be reset, for example, when the input of the second reference voltage V2 is cut off.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리셋 회로(240)는, 릴레이 코일(RY) 및 릴레이 코일(RY)에 흐르는 전류에 기초하여 턴-온 또는 턴-오프 되는 릴레이 소자(RYS)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2B, the reset circuit 240 according to an embodiment of the present invention includes a relay element RYS that is turned on or off based on a current flowing through the relay coil RY and the relay coil RY. ) Can be included.

릴레이 소자(RYS)는, 예를 들면, 릴레이 코일(RY)에 전류가 흐르지 않는 경우, 턴-오프 되어 제2 기준 전압(V2)이 입력되는 노드(a)에 연결될 수 있고, 제2 기준 전압(V2)이 마이컴(210)으로 입력되도록 할 수 있다. 한편, 릴레이 소자(RYS)는, 예를 들면, 릴레이 코일(RY)에 일정 크기 이상의 전류가 흐르지 않는 경우, 턴-오프 될 수도 있다.The relay element RYS may be turned off and connected to the node a to which the second reference voltage V2 is input when no current flows through the relay coil RY, for example, and the second reference voltage (V2) can be input to the microcomputer 210. Meanwhile, the relay element RYS may be turned off, for example, when a current of a predetermined size or more does not flow through the relay coil RY.

릴레이 소자(RYS)는, 예를 들면, 릴레이 코일(RY)에 전류가 흐르는 경우, 턴-온 되어 접지 노드(b)에 연결될 수 있고, 제2 기준 전압(V2)이 마이컴(210)으로 입력되는 것을 차단할 수 있다. 이때, 제2 기준 전압(V2)은, 예를 들면, 마이컴(210)의 동작을 위한 정격 전압일 수 있다. 한편, 릴레이 소자(RYS)는, 예를 들면, 릴레이 코일(RY)에 일정 크기 이상의 전류가 흐르는 경우, 턴-온 될 수도 있다.Relay element (RYS), for example, when a current flows through the relay coil (RY), can be turned on and connected to the ground node (b), the second reference voltage (V2) is input to the microcomputer 210 It can be blocked from becoming. In this case, the second reference voltage V2 may be, for example, a rated voltage for the operation of the microcomputer 210. Meanwhile, the relay element RYS may be turned on when, for example, a current of a predetermined size or more flows through the relay coil RY.

마이컴(210)은, 예를 들면, 동작 전압의 입력이 차단되는 경우 리셋될 수 있다.The micom 210 may be reset, for example, when the input of the operating voltage is cut off.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 복수의 게이트 드라이버에서 출력되는 신호를 빠르게 제어함으로써, 암-쇼트의 발생을 빠르게 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 사용자 조작 없이, 폭주 등의 이상 상태인 마이컴을 리셋할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, by rapidly controlling signals output from a plurality of gate drivers, it is possible to quickly prevent occurrence of an arm-short. Further, according to various embodiments of the present invention, it is possible to reset a microcomputer in an abnormal state such as runaway without user manipulation.

도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로의 동작에 관한 예시도이다. 도 2a 및 2b에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.3A to 3C are diagrams illustrating an operation of an arm-short prevention circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. Detailed descriptions of contents overlapping with those described in FIGS. 2A and 2B will be omitted.

도 3a를 참조하면, 마이컴(210)은 복수의 출력 단자(Signal)를 통해 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)로 동일한 시점에 신호를 각각 출력할 수 있다. Referring to FIG. 3A, the microcomputer 210 may output signals at the same time to the first and second gate drivers 221 and 223 through a plurality of output terminals Signals, respectively.

제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 마이컴(210)으로부터 출력되는 신호에 기초하여, 각각의 제1 단자(Vg)를 통해 동일한 시점에 신호를 출력할 수 있다. 이 때, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)가 동일한 시점에 신호를 출력하는 경우, 컨버터(230)에 포함된 제3 스위칭 소자(Q3) 및 제4 스위칭 소자(Q4)가 턴-온 되어 암-쇼트가 발생할 수 있다. The first and second gate drivers 221 and 223 may output a signal at the same time through each of the first terminals Vg based on, for example, a signal output from the microcomputer 210. At this time, when the first and second gate drivers 221 and 223 output signals at the same time, the third switching element Q3 and the fourth switching element Q4 included in the converter 230 are turned- It may be turned on and a cancer-short may occur.

한편, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)가 동일한 시점에 신호를 출력하는 경우, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가될 수 있다.Meanwhile, when the first and second gate drivers 221 and 223 output signals at the same time, the first reference voltage V1 may be applied to both ends of the resistance element R1.

한편, 제2 기준 전압(V2)은 리셋 회로(240)를 통해 마이컴(210)으로 입력될 수 있다.Meanwhile, the second reference voltage V2 may be input to the microcomputer 210 through the reset circuit 240.

도 3b를 참조하면, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가되는 경우, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)의 제2 단자(SD)를 통해 신호가 입력될 수 있고, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 기 설정된 일정 시간 동안 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수도 있다. 한편, 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)는, 예를 들면, 마이컴(210)으로부터 출력된 신호가 입력되는 경우에도 제1 단자(Vg)를 통한 신호의 출력을 중단할 수 있다.Referring to FIG. 3B, when a first reference voltage V1 is applied to both ends of the resistance element R1, a signal is transmitted through the second terminals SD of the first and second gate drivers 221 and 223. May be input, and the first and second gate drivers 221 and 223 may stop outputting a signal through the first terminal Vg. In this case, the first and second gate drivers 221 and 223 may stop outputting a signal through the first terminal Vg for, for example, a predetermined time. Meanwhile, even when a signal output from the microcomputer 210 is input, the first and second gate drivers 221 and 223 may stop outputting a signal through the first terminal Vg.

한편, 제2 기준 전압(V2)이 리셋 회로(240)를 통해 마이컴(210)으로 입력되는 동안 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가될 수 있다.Meanwhile, while the second reference voltage V2 is input to the microcomputer 210 through the reset circuit 240, the first reference voltage V1 may be applied to both ends of the resistance element R1.

도 3c를 참조하면, 저항 소자(R1)의 양 단에 제1 기준 전압(V1)이 인가되는 경우, 리셋 회로(240)는 제2 기준 전압(V2)이 마이컴(210)으로 입력되는 것을 차단할 수 있다. 이때, 제2 기준 전압(V2)은, 예를 들면, 마이컴(210)의 동작을 위한 정격 전압일 수 있다. 마이컴(210)은, 예를 들면, 제2 기준 전압(V2)의 입력이 차단되는 경우 리셋될 수 있다. 이 경우, 마이컴(210)의 복수의 출력 단자(Signal)를 통해 제1 및 제2 게이트 드라이버(221, 223)로 출력되는 신호의 출력이 중단될 수 있다.Referring to FIG. 3C, when the first reference voltage V1 is applied to both ends of the resistance element R1, the reset circuit 240 prevents the second reference voltage V2 from being input to the microcomputer 210. I can. In this case, the second reference voltage V2 may be, for example, a rated voltage for the operation of the microcomputer 210. The micom 210 may be reset, for example, when the input of the second reference voltage V2 is cut off. In this case, the output of signals output to the first and second gate drivers 221 and 223 through the plurality of output terminals (Signal) of the microcomputer 210 may be stopped.

도 4는 모터 구동 장치의 블록도이다. 4 is a block diagram of a motor driving device.

도 4를 참조하면, 모터 구동장치(400)는, 모터(440)에 삼상 교류 전류를 출력하는 인버터(430), 인버터(430)에 직류 전원을 공급하는 컨버터(420) 및 컨버터(420)와 인버터(430) 사이의 dc단 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 모터 구동장치(400)는, 예를 들면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 포함할 수 있다. 이때, 모터 구동장치(400)는, 예를 들면, 컨버터(420) 및 인버터(430) 중 적어도 어느 하나에 각각 연결되는 적어도 하나의 암-쇼트 방지 회로를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the motor driving device 400 includes an inverter 430 that outputs a three-phase AC current to the motor 440, a converter 420 that supplies DC power to the inverter 430, and a converter 420. It may include a dc terminal capacitor (C) between the inverter 430. The motor driving device 400 may include, for example, an arm-short prevention circuit according to various embodiments of the present disclosure. In this case, the motor driving apparatus 400 may include at least one arm-short prevention circuit each connected to at least one of, for example, the converter 420 and the inverter 430.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로를 이용할 수 있는 컨버터 및 인버터를 도시한 회로도이다. 5 is a circuit diagram showing a converter and an inverter capable of using an arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 암-쇼트 방지 회로(200)는, 풀 브릿지 컨버터(도면부호 a)에 연결될 수 있다. 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버는, 예를 들면, 풀 브릿지 컨버터(도면부호 a)에 포함된 복수의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)는, 예를 들면, 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버에서 출력되는 신호에 기초하여 스위칭 될 수 있다. The arm-short prevention circuit 200 according to various embodiments of the present disclosure may be connected to a full bridge converter (reference numeral a). The plurality of gate drivers included in the gate driving signal generation unit 220 may be electrically connected to a plurality of switching elements S1, S2, S3, S4, respectively, included in, for example, a full bridge converter (reference numeral a). I can. The plurality of switching elements S1, S2, S3, and S4 may be switched based on signals output from a plurality of gate drivers included in the gate driving signal generator 220, for example.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 암-쇼트 방지 회로(200)는, 멀티 레벨 컨버터(도면부호 b)에 연결될 수 있다. 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버는, 예를 들면, 멀티 레벨 컨버터(도면부호 b)에 포함된 복수의 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc, Sd)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc, Sd)는, 예를 들면, 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버에서 출력되는 신호에 기초하여 스위칭 될 수 있다.The arm-short prevention circuit 200 according to various embodiments of the present disclosure may be connected to a multi-level converter (reference numeral b). A plurality of gate drivers included in the gate driving signal generation unit 220 may be electrically connected to a plurality of switching elements (Sa, Sb, Sc, Sd) included in, for example, a multi-level converter (reference numeral b). I can. The plurality of switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd may be switched based on signals output from a plurality of gate drivers included in the gate driving signal generator 220, for example.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 암-쇼트 방지 회로(200)는, 인버터(도면부호 c)에 연결될 수 있다. 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버는, 예를 들면, 인버터(도면부호 c)에 포함된 복수의 스위칭 소자(S11, S12, S21, S22, S31, S32)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(S11, S12, S21, S22, S31, S32)는, 예를 들면, 게이트 구동 신호 생성부(220)에 포함된 복수의 게이트 드라이버에서 출력되는 신호에 기초하여 스위칭 될 수 있다.The arm-short prevention circuit 200 according to various embodiments of the present disclosure may be connected to an inverter (reference numeral c). The plurality of gate drivers included in the gate driving signal generator 220 are electrically connected to a plurality of switching elements S11, S12, S21, S22, S31, S32 included in the inverter (reference numeral c), respectively. Can be connected to. The plurality of switching elements S11, S12, S21, S22, S31, and S32 may be switched based on signals output from a plurality of gate drivers included in the gate driving signal generator 220, for example.

본 발명에 따른 암-쇼트 방지 회로는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The arm-short prevention circuit according to the present invention is not limitedly applicable to the configuration and method of the embodiments described as described above, but the embodiments are all or part of each of the embodiments so that various modifications can be made. It may be configured in combination.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 암-쇼트 방지 회로의 제어 방법은, 프로세서가 읽을 수 있는 기록매체에 프로세서가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 프로세서가 읽을 수 있는 기록매체는 프로세서에 의해 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 프로세서가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있으며, 또한, 인터넷을 통한 전송 등과 같은 캐리어 웨이브의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한, 프로세서가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 프로세서가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Meanwhile, the control method of the arm-short prevention circuit according to an embodiment of the present invention can be implemented as a code that can be read by a processor on a recording medium that can be read by a processor. The processor-readable recording medium includes all types of recording devices that store data that can be read by the processor. Examples of recording media that can be read by the processor include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disk, optical data storage, etc., and also include those implemented in the form of carrier waves such as transmission through the Internet. . Further, the processor-readable recording medium is distributed over a computer system connected through a network, so that the processor-readable code can be stored and executed in a distributed manner.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.In addition, although preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and the technical field to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. In addition, various modifications are possible by those of ordinary skill in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.

110: 마이컴
120: 게이트 구동 신호 생성부
Q1: 제1 스위칭 소자
Q2: 제2 스위칭 소자
R1: 저항 소자
110: micom
120: gate driving signal generator
Q1: First switching element
Q2: 2nd switching element
R1: resistance element

Claims (10)

소정 신호가 입출력되는 제1 단자 및 제2 단자가 구비된 복수의 게이트 드라이버를 포함하는 게이트 구동 신호 생성부;
상기 복수의 게이트 드라이버와 전기적으로 연결된 마이컴;
상기 복수의 게이트 드라이버 중 제1 게이트 드라이버의 제1 단자로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 제1 기준 전압이 입력되는 제1 스위칭 소자;
상기 복수의 게이트 드라이버 중 제2 게이트 드라이버의 제1 단자로부터 출력되는 신호에 따라 스위칭하고, 일단은 상기 제1 스위칭 소자의 타단과 연결되는 제2 스위칭 소자;
상기 제2 스위칭 소자의 타단과 연결되는 저항 소자; 및
상기 제2 스위칭 소자의 타단과 상기 저항 소자가 연결된 노드와 연결된 릴레이 코일 및 상기 릴레이 코일에 흐르는 전류에 기초하여 턴-온 또는 턴-오프 되는 릴레이 소자를 포함하는 리셋 회로를 포함하고,
상기 복수의 게이트 드라이버의 상기 제2 단자는, 상기 제2 스위칭 소자의 타단 및 상기 저항 소자가 연결된 노드와 전기적으로 연결되고,
상기 복수의 게이트 드라이버는, 상기 마이컴으로부터 입력되는 신호에 기초하여, 상기 제1 단자를 통해 신호를 출력하고,
상기 릴레이 소자는, 상기 릴레이 코일에 전류가 흐르는 경우, 상기 마이컴의 동작을 위한 정격 전압인 제2 기준 전압이 상기 마이컴으로 입력되는 것이 차단되도록 턴-온되고, 상기 릴레이 코일에 전류가 흐르지 않는 경우, 상기 제2 기준 전압이 상기 마이컴으로 입력되도록 턴-오프되고,
상기 마이컴은, 상기 제2 기준 전압의 입력이 차단되는 경우, 리셋(reset)되는 것을 특징으로 하는 암-쇼트 방지 회로.
A gate driving signal generator including a plurality of gate drivers having first and second terminals through which a predetermined signal is input/output;
A microcomputer electrically connected to the plurality of gate drivers;
A first switching element for switching according to a signal output from a first terminal of a first gate driver among the plurality of gate drivers, and receiving a first reference voltage at one end;
A second switching element that switches according to a signal output from a first terminal of a second gate driver among the plurality of gate drivers, and has one end connected to the other end of the first switching element;
A resistance element connected to the other end of the second switching element; And
And a reset circuit including a relay coil connected to the other end of the second switching element and a node to which the resistance element is connected, and a relay element turned on or off based on a current flowing through the relay coil,
The second terminals of the plurality of gate drivers are electrically connected to the other end of the second switching element and a node to which the resistance element is connected,
The plurality of gate drivers output signals through the first terminal based on signals input from the microcomputer,
When a current flows through the relay coil, the relay element is turned on so that a second reference voltage, which is a rated voltage for the operation of the micom, is blocked from being input to the micom, and the current does not flow through the relay coil. , Is turned off so that the second reference voltage is input to the microcomputer,
The micom, the arm-short prevention circuit, characterized in that reset (reset) when the input of the second reference voltage is cut off.
제1항에 있어서,
상기 복수의 게이트 드라이버는, 상기 제2 단자를 통해 신호가 입력되는 경우, 상기 제1 단자를 통한 신호의 출력을 중단하는 것을 특징으로 하는 암-쇼트 방지 회로.
The method of claim 1,
The plurality of gate drivers, when a signal is input through the second terminal, stop outputting the signal through the first terminal.
제1항에 있어서,
상기 제1 스위칭 소자는,
컬렉터 단인 상기 일단, 이미터 단인 상기 타단 및 상기 제1 게이트 드라이버의 제1 단자와 연결되는 베이스 단을 포함하는, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 암-쇼트 방지 회로.
The method of claim 1,
The first switching element,
And a bipolar junction transistor (BJT) comprising a base terminal connected to the first terminal of the first gate driver and the other end of the collector terminal, the other terminal of the emitter terminal.
제1항에 있어서,
상기 제2 스위칭 소자는,
컬렉터 단인 상기 일단, 이미터 단인 상기 타단 및 상기 제2 게이트 드라이버의 제1 단자와 연결되는 베이스 단을 포함하는, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 암-쇼트 방지 회로.
The method of claim 1,
The second switching element,
And a bipolar junction transistor (BJT) comprising a base terminal connected to the first terminal of the second gate driver and the other end of the collector terminal, the other terminal of the emitter terminal.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 게이트 드라이버는, 상기 제1 단자를 통해 신호를 출력하도록 제어하는 신호가 상기 마이컴으로부터 입력되는 동안, 상기 제2 단자를 통해 신호가 입력되는 경우, 상기 제1 단자를 통한 신호의 출력을 중단하는 것을 특징으로 하는 암-쇼트 방지 회로.
The method of claim 1,
The plurality of gate drivers, when a signal is input through the second terminal, while a signal controlling to output a signal through the first terminal is input from the microcomputer, the output of the signal through the first terminal An arm-short prevention circuit, characterized in that to stop.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020180162190A 2018-12-14 2018-12-14 Circuit for preventing arm short KR102169276B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180162190A KR102169276B1 (en) 2018-12-14 2018-12-14 Circuit for preventing arm short

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180162190A KR102169276B1 (en) 2018-12-14 2018-12-14 Circuit for preventing arm short

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200073712A KR20200073712A (en) 2020-06-24
KR102169276B1 true KR102169276B1 (en) 2020-10-23

Family

ID=71408101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180162190A KR102169276B1 (en) 2018-12-14 2018-12-14 Circuit for preventing arm short

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102169276B1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100360247B1 (en) 2000-02-29 2002-11-08 엘지전자 주식회사 Protection circuit for intelligent power module
KR101596223B1 (en) * 2009-09-07 2016-02-22 삼성전자주식회사 1 2 Protecting apparatus and method for half/full bridge circuit which have the first switching unit and the second switching unit connected to the first switching unit in series in image forming apparatus
KR101733778B1 (en) * 2014-08-22 2017-05-11 한국전기연구원 Apparatus and method for controlling switching signal

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
네이버블로그(트랜지스터를 사용하는 로직회로, 2018.12.12.)(https://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=ann_arbor&logNo=221417370691&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F)*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200073712A (en) 2020-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10199916B2 (en) Resistor emulation and gate boost
JP2008061496A (en) Pwm method for cycloconverter
JP6694264B2 (en) Inverter protection circuit and inverter system
CN106160624B (en) System and method for multi-phase buffer circuit
JP2017163392A (en) Inverter driving device and semiconductor module
US8502123B2 (en) Apparatus and method to protect half or full bridge circuit including first switching unit and second switching unit in image forming apparatus performing induction heating
CN108336942B (en) Three-phase motor drive circuit
JP6194047B2 (en) Gate driver
JP4947897B2 (en) Power supply configuration of protected dual voltage microelectronic circuit
KR102169276B1 (en) Circuit for preventing arm short
JP2019176696A (en) Drive circuit for power transistor, power module
EP3364534A1 (en) Improvements in or relating to gate drivers
CN101504537A (en) Control and protection system for a low-side switch of an automation equipment
EP0572755B1 (en) Turn-on control circuit for electric devices
US10141834B2 (en) Multi-phase power conversion device control circuit
JP2005304176A (en) Motor driver
JP2006129643A (en) Switching control unit and semiconductor integrated circuit device
US9130452B2 (en) Gate driving device including plurality of gate drivers supplied with equally divided voltage and inverter having the same
KR102208629B1 (en) Micom reset circuit
JP2000354383A (en) Three level inverter
CN214479579U (en) Self-locking switch control magnetic latching relay circuit and magnetic latching relay system
US12034295B2 (en) Inrush current protection circuit with noise immune latching circuit
JP3267108B2 (en) Motor control device
US12021441B2 (en) Switching control circuit, drive control device, and switching control method
US20220416535A1 (en) Inrush current protection circuit with noise immune latching circuit

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant