KR102168162B1 - A hard layer for cutting tools and manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절삭공구에 사용되는 초경합금이나 서멧(cermet)과 같은 경질모재상에 형성되는 경질피막에 관한 것이다.
본 발명에 따른 경질피막은, 경질 기체의 표면에 PVD법으로 형성되는 경질피막으로, 상기 경질피막은 A층과 B층이 1 이상 교대하여 반복적으로 적층되는 교대반복층을 포함하고, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층의 내부에는 하부의 A층의 물질로 이루어지는 다수의 입자가 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.
The present invention relates to a hard film formed on a hard base material such as a cemented carbide or cermet used in a cutting tool.
The hard film according to the present invention is a hard film formed by the PVD method on the surface of a hard substrate, and the hard film includes an alternating and repeating layer in which one or more layers A and B are alternately stacked, and the A layer Silver Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 is V, Zr, Nb, Mo, Hf, Consists of at least one element selected from Ta, W, Y, Si), and the B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is Cr, V, Zr, Nb, Mo , Hf, Ta, W, Y, Si), and is characterized in that a plurality of particles made of a material of the lower layer A are dispersed inside the layer B.

Description

절삭공구용 경질피막 및 이의 제조방법 {A HARD LAYER FOR CUTTING TOOLS AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}Hard film for cutting tools and its manufacturing method {A HARD LAYER FOR CUTTING TOOLS AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}

본 발명은 절삭공구에 사용되는 초경합금, 서멧(cermet), 세라믹, 입방정 질화붕소와 같은 경질기체 상에 PVD법에 의해 형성되는 절삭공구용 경질피막과 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a hard coating for a cutting tool formed by the PVD method on a hard gas such as a cemented carbide, cermet, ceramic, and cubic boron nitride used in a cutting tool, and a manufacturing method thereof.

절삭성능 향상 및 수명개선을 위해 초경합금, 서멧, 엔드밀, 드릴류 등의 경질기체 위에 TiN, TiAlN, AlTiN, Al2O3와 같은 경질피막을 증착하는 방식이 사용되고 있다.In order to improve cutting performance and improve life, a method of depositing a hard film such as TiN, TiAlN, AlTiN, and Al 2 O 3 on hard gases such as cemented carbide, cermet, end mill, and drill is used.

구체적으로, 1980년대까지는 절삭공구에 단일 TiN을 코팅하여 절삭성능 및 수명을 향상시키고자 하였으나, 일반적인 절삭가공시 약 600 ~ 700℃ 정도 열이 발생하게 되므로, 1980년대 후반에는 기존의 TiN 보다 경도와 내산화성이 높은 TiAlN으로 코팅기술이 변천되었고, 내마모성 및 내산화성을 더욱 향상시키기 위해 Al을 더 첨가시킨 AlTiN 박막이 개발되었다. AlTiN 박막은 Al2O3 산화층을 형성함으로써, 고온 내산화성을 향상시키는 효과를 얻었으나, AlTiN 박막의 경우에도 Al 함량을 70%이상 첨가하게 되면 h-AlN 상이 형성되어 경도가 감소하는 한계가 있었다.Specifically, until the 1980s, the cutting tool was coated with a single TiN to improve cutting performance and life, but heat is generated at about 600 ~ 700℃ during general cutting. The coating technology was changed to TiAlN, which has high oxidation resistance, and an AlTiN thin film was developed to further improve abrasion resistance and oxidation resistance. The AlTiN thin film obtained the effect of improving the high temperature oxidation resistance by forming an Al 2 O 3 oxide layer, but even in the case of the AlTiN thin film, when an Al content of 70% or more was added, an h-AlN phase was formed and the hardness was reduced. .

최근 들어, 피삭재는 점차 고경도화되고 있으며, 열전도도가 낮고 공구와 용착이 심한 난삭재에 대한 절삭가공이 많아지고 있다. 이러한 고경도 피삭재에 대한 고속 절삭가공 및 난삭재에 대한 고속 절삭 가공 시 우수한 절삭성능 및 수명을 얻기 위해서는 기존 단일 박막구조로 대응하기 어려워, 다양한 성질을 갖는 박막을 복합적으로 증착하여 다층 구조를 형성함으로써, 요구되는 물성을 구현하고 있다.In recent years, the work piece has become increasingly harder, and the cutting process for difficult-to-cut materials having low thermal conductivity and severe welding with tools is increasing. It is difficult to cope with the existing single thin film structure in order to obtain excellent cutting performance and longevity in high-speed cutting processing for such high-hardness workpieces and high-speed cutting processing for difficult-to-cut materials, and by forming a multilayer structure by depositing thin films having various properties in a complex manner. , It implements the required physical properties.

일례로, 하기 특허문헌에는, PVD법으로 증착된 AlCrBN 멀티 코팅층을 형성함에 있어서, 멀티 코팅층의 전체 두께의 적어도 일 부분에서 2개 이상의 AlCrBN 개별층이 2개 이상의 TiAlN 개별층과 조합되고, 상기 AlCrBN과 TiAlN의 개별층은 교대로 상하로 증착되고, 상기 AlCrBN 개별층의 두께는 상기 TiAlN 개별층의 두께보다 두껍게 하고, 상기 멀티 코팅층의 잔류 응력은 AlCrBN 단일층의 잔류 응력보다 낮게 하고, 상기 멀티 코팅층의 경도는 대응하는 유사한 AlCrBN 단일층의 경도보다 크거나 동일하게 함으로써, 층간 박리를 막고 내마모성이 우수한 물성을 구현하고자 하는 방법이 개시되어 있다.As an example, in the following patent document, in forming an AlCrBN multi-coating layer deposited by the PVD method, two or more AlCrBN individual layers are combined with two or more TiAlN individual layers in at least a portion of the total thickness of the multi-coating layer, and the AlCrBN The individual layers of and TiAlN are alternately deposited up and down, the thickness of the AlCrBN individual layer is thicker than the thickness of the TiAlN individual layer, the residual stress of the multi-coating layer is lower than that of the AlCrBN single layer, and the multi-coating layer The hardness of the corresponding AlCrBN single layer is greater than or equal to the hardness, thereby preventing interlayer delamination and a method of realizing excellent wear resistance properties.

그런데, 다층 구조의 경우, 화학적 성질이 상이한 물질을 복합화하기 때문에 박막 간의 양호한 결합력을 확보하는 것이 문제가 되며, 이를 해결하기 위해 경사조성이나 잔류응력 제어 등의 다양한 방법이 사용되고 있으나, 여전히 결합력을 향상시키는데는 한계가 있다.However, in the case of a multilayer structure, it is a problem to secure good bonding between thin films because materials with different chemical properties are compounded, and various methods such as gradient composition or residual stress control are used to solve this problem, but still improve bonding strength. There is a limit to ordering.

대한민국공개특허공보 제2012-0113790호Korean Patent Publication No. 2012-0113790

본 발명의 과제는, 고경도 피삭재 및 난삭재 가공시 피삭재와의 높은 마찰력으로 인해 절삭공구에 형성된 경질피막이 쉽게 마모되거나 떨어져나가 인선을 보호하지 못하는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 경질피막의 적층 형상을 제어하여, 박막 간의 밀착력 향상과 함께, 공구의 내마모성, 내치핑성, 내열성 등이 전반적으로 향상될 수 있는 경질피막과 이의 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to solve the problem that the hard film formed on the cutting tool is easily worn or peeled off due to high friction with the work material when processing high hardness and difficult to cut materials, and the laminated shape of the hard film is It is intended to provide a hard film and a method for manufacturing the same, which can improve the adhesion between thin films and improve overall wear resistance, chipping resistance, and heat resistance of the tool.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면은, 경질 기체의 표면에 PVD법으로 형성되는 경질피막으로, 상기 경질피막은 A층과 B층이 1 이상 교대하여 반복적으로 적층되는 교대반복층을 포함하고, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층의 내부에는 하부의 A층의 물질로 이루어지는 다수의 입자가 분산되어 있는 절삭공구용 경질피막을 제공하는 것이다.One aspect of the present invention for solving the above problem is a hard film formed by a PVD method on the surface of a hard substrate, wherein the hard film includes an alternating and repeating layer in which one or more layers A and B are alternately stacked. And, the A layer is Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 is V, Zr, Nb , Mo, Hf, Ta, W, Y, made of one or more elements selected from Si), the B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is Cr, V, For cutting tools consisting of at least one element selected from Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, and Si), and a plurality of particles composed of the material of the lower layer A are dispersed inside the layer B It is to provide a hard coating.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 측면은, 경질 기체의 표면 또는 인접한 부분에 PVD법으로, A층과 B층이 1회 이상 교대하여 반복적으로 적층하여 경질피막을 형성하는 방법으로, (a) 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계; (b) 상기 A층 상에 B층을 성막하는 단계; (c) 상기 B층을 식각하여, 상기 다수의 드랍렛 중의 적어도 일부가 노출되도록 하는 단계; (d) 상기 식각된 B층 상에 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계; 및 상기 (a) ~ (d) 단계를 1회 이상 교대 반복하는 단계;를 포함하고, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지는 절삭공구용 경질피막의 제조방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention for solving the above problem is a method of forming a hard film by repeatedly stacking the A layer and the B layer alternately one or more times by the PVD method on the surface or adjacent portions of the hard substrate, (a ) Forming a layer A such that a plurality of droplets are formed on the surface; (b) forming a B layer on the A layer; (c) etching the layer B to expose at least a portion of the plurality of droplets; (d) forming a layer A such that a plurality of droplets are formed on the etched layer B; And alternately repeating the steps (a) to (d) one or more times; wherein the layer A includes Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0 ≤ a ≤ 1, 0.01 ≤ b ≤ 1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 consists of at least one element selected from V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, and Si), and the B layer is Me2C w Hard coating for cutting tools made of N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is at least one element selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si) It is to provide a method of manufacturing.

본 발명에 따른 절삭공구용 경질피막은, A-B 형태로 교대 반복하여 적층되는 다층 구조를 가지며, B층의 내부에 A층과 연결된 다수의 입자가 분산되도록 함으로써(특히 B층의 내부에 상부 및 하부의 A층과 연결된 브릿지 구조를 형성함으로써), 박막 간의 밀착력이 향상되고, 압축응력을 억제하면서 분산강화를 통해 박막의 물성이 향상되도록 하는 효과를 얻을 수 있다.The hard coating for a cutting tool according to the present invention has a multilayer structure that is alternately stacked in the form of AB, and by dispersing a plurality of particles connected to the A layer inside the B layer (especially inside the B layer) By forming a bridge structure connected to the layer A), adhesion between the thin films is improved, and the properties of the thin film are improved through dispersion strengthening while suppressing the compressive stress.

또한, 본 발명에 따른 절삭공구용 경질피막의 제조방법에 의하면, A-B 교대 반복 적층 구조에 있어서, B층의 내부에 A층의 물질로 이루어지며 A층과 일체화되고 분산된 다수의 브릿지 구조를 형성할 수 있다.In addition, according to the manufacturing method of the hard film for cutting tools according to the present invention, in the AB alternately stacked structure, a plurality of bridge structures formed of a material of layer A inside the layer B and integrated with the layer A and dispersed is formed. can do.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 경질피막의 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 경질피막의 제조공정을 나타낸 것이다.
1 shows the structure of a hard film according to an embodiment of the present invention.
2 shows a manufacturing process of a hard film according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함'한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings with respect to an embodiment of the present invention will be described the configuration and operation. In the following description of the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In addition, when a part'includes' a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.

본 발명에 따른 절삭공구용 경질피막은, 도 1에 도시된 바와 같이, 경질 기체의 표면 또는 인접한 부분(하지층을 개재한 경우)에 PVD법으로 형성되고, 상기 경질피막은 A층과 B층이 1 이상 교대하여 반복적으로 적층되는 교대반복층을 포함하고, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층의 내부에는 하부의 A층의 물질로 이루어지는 다수의 입자가 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.The hard coating for a cutting tool according to the present invention is formed by the PVD method on the surface or adjacent portions of the hard substrate (when the underlying layer is interposed), as shown in FIG. 1, and the hard coating is an A layer and a B layer. It includes an alternating and repeating layer that is repeatedly stacked alternately with one or more, and the A layer is Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1 , 0≤y≤1, Me1 is made of at least one element selected from V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si), and the B layer is Me2C w N z (w+z= 1, 0≤z≤1, Me2 is composed of one or more elements selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si), and the A layer below the inside of the B layer It is characterized in that a number of particles made of a substance of are dispersed.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 다수의 입자 중에서 적어도 일부는 상기 B층의 하부에 형성된 A층과 일체로 형성되어 있을 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, at least some of the plurality of particles may be integrally formed with the layer A formed under the layer B.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 다수의 입자 중에서 적어도 일부는 상기 B층의 하부에 형성된 A층과 일체로 형성됨과 동시에, 상기 B층의 상부에 A층이 형성된 경우 상부에 A층과도 일체로 연결된 브릿지(bridge) 구조를 형성할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, at least some of the particles are formed integrally with the layer A formed under the layer B, and at the same time, when the layer A is formed on the layer B, the layer A It is possible to form a bridge (bridge) structure that is connected integrally.

또한, 상기 다수의 입자는 상부로 향할수록 크기가 줄어드는 쐐기 형상일 수 있다.In addition, the plurality of particles may have a wedge shape whose size decreases toward the top.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 경질 기체는, 탄화텅스텐을 포함하는 초경합금, 탄질화티타늄을 포함하는 서멧, 세라믹 또는 입방정 질화붕소일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the hard substrate may be a cemented carbide containing tungsten carbide, a cermet containing titanium carbonitride, ceramic, or cubic boron nitride.

또한, 상기 교대반복층의 전체 두께는 0.2㎛ 미만일 경우, 박막 본연의 특성을 발휘하기 어렵고, 10㎛ 초과일 경우, PVD공법에 의한 박막의 제조특성상 박막에 축적되는 압축응력이 박막의 두께 및 시간에 비례하는 것을 감안했을 때 박리의 위험성이 커지므로 두께는 0.2 ~ 10㎛ 범위가 바람직하고, 보다 바람직한 두께는 2 ~ 8㎛이다.In addition, when the total thickness of the alternating and repeating layer is less than 0.2 µm, it is difficult to exhibit the original characteristics of the thin film, and if it exceeds 10 µm, the compressive stress accumulated in the thin film due to the manufacturing characteristics of the thin film by the PVD method is reduced to the thickness and time of the thin film. Considering that it is proportional to, since the risk of peeling increases, the thickness is preferably in the range of 0.2 to 10 μm, and the more preferable thickness is 2 to 8 μm.

또한, 상기 교대반복층을 구성하는 A층의 단위 두께는 5nm 미만일 경우 증착주기가 짧아 드랍렛이 생성되기 어렵고, 4㎛ 초과일 경우 단일층 박리의 발생가능성이 증가하므로 5nm ~ 4㎛ 범위가 바람직하다.In addition, if the unit thickness of the layer A constituting the alternating and repeating layer is less than 5 nm, the deposition period is short, making it difficult to generate droplets, and if it exceeds 4 μm, the possibility of single layer peeling increases, so a range of 5 nm to 4 μm is preferable. Do.

또한, 상기 교대반복층을 구성하는 B층의 단위 두께는 2nm 미만일 경우 증착주기가 짧아 드랍렛 형성 및 두께 제어가 어렵고 1.3㎛ 초과일 경우 A층의 드랍렛 높이를 초과하여 브릿지 구조를 형성하기 어렵기 때문에 5nm ~ 1.5㎛ 범위가 바람직하다.In addition, when the unit thickness of the layer B constituting the alternate repeating layer is less than 2 nm, the deposition period is short, making it difficult to form droplets and control the thickness, and when it exceeds 1.3 μm, it is difficult to form a bridge structure beyond the droplet height of layer A. Therefore, a range of 5 nm to 1.5 μm is preferable.

또한, 상기 교대반복층은, A-B로 이루어진 2층, A-B-A로 이루어진 3층, A-B-A-B로 4층 및 그 이상의 마이크로 다층(단위층의 두께가 1㎛ 이상인 경우) 또는 나노다층(단위층의 두께가 1㎛ 미만인 경우) 구조로 이루어질 수 있다.In addition, the alternating and repetitive layers may include 2 layers of AB, 3 layers of ABA, 4 layers of ABAB and more micro-multilayers (when the thickness of the unit layer is 1 μm or more) or nano-multilayers (unit layer thickness is 1). If it is less than ㎛) can be made of a structure.

또한, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지는 것이 드랍렛을 형성하는 측면에서 바람직하다.In addition, the A layer is Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 is V, Zr, Nb , Mo, Hf, Ta, W, Y, Si is preferably made of at least one element selected from the aspect of forming a droplet.

또한, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지는 것이 박막의 물성을 증가시키는 측면에서 바람직하다.In addition, the B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is at least one element selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si ) Is preferable in terms of increasing the physical properties of the thin film.

또한, 본 발명에 따른 경질피막의 제조방법은, 경질 기체의 표면 또는 인접한 부분에 PVD법으로, A층과 B층이 1회 이상 교대하여 반복적으로 적층하여 경질피막을 형성하는 방법으로, (a) 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계; (b) 상기 A층 상에 B층을 성막하는 단계; (c) 상기 B층을 식각하여, 상기 다수의 드랍렛 중의 적어도 일부가 노출되도록 하는 단계; (d) 상기 식각된 B층 상에 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계; 및 상기 (a) ~ (d) 단계를 1회 이상 교대 반복하는 단계;를 포함하고, 상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고, 상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a hard film according to the present invention is a method of forming a hard film by repeatedly stacking the A layer and the B layer alternately one or more times by the PVD method on the surface or adjacent portions of the hard substrate, (a ) Forming a layer A such that a plurality of droplets are formed on the surface; (b) forming a B layer on the A layer; (c) etching the layer B to expose at least a portion of the plurality of droplets; (d) forming a layer A such that a plurality of droplets are formed on the etched layer B; And alternately repeating the steps (a) to (d) one or more times; wherein the layer A includes Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0 ≤ a ≤ 1, 0.01 ≤ b ≤ 1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 consists of at least one element selected from V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, and Si), and the B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is characterized by consisting of at least one element selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, and Si).

또한, 상기 A층의 성막 과정에 형성되는 드랍렛의 최대 높이(H)는 0.02㎛ 미만일 경우 B층의 제어가 어렵고, 1.5㎛ 초과일 경우 전체 박막 두께에 형향을 주므로, 0.02 ~ 1.5㎛ 인 것이 바람직하다.In addition, when the maximum height (H) of the droplets formed during the deposition process of the layer A is less than 0.02 μm, it is difficult to control the layer B, and when it exceeds 1.5 μm, it gives shape to the thickness of the entire thin film. desirable.

또한, 상기 드랍렛의 밀도는 단위 면적당 1.0×104 ea/㎟ 미만일 경우 가장 이상적이고, 5×107 ea/㎟ 초과일 경우 표면조도에 영향을 끼치므로, 1.0×104 ea/㎟ ~ 5×107 ea/㎟ 인 것이 바람직하다.In addition, the density of the droplet is most ideal when it is less than 1.0×10 4 ea/mm2 per unit area, and if it exceeds 5×10 7 ea/mm2, it affects the surface roughness, so 1.0×10 4 ea/mm2 ~ 5 It is preferably x10 7 ea/mm2.

또한, 박막의 표면에 형성된 드랍렛의 높이(T)에 대한 B층의 두께(T)의 비(T/H)는 0.1 ~ 0.9 인 것이 바람직하다.In addition, the ratio (T/H) of the thickness (T) of the B layer to the height (T) of the droplets formed on the surface of the thin film is preferably 0.1 to 0.9.

또한, 상기 드랍렛의 형성 및 높이는 상기 A층 박막의 증착시 질소 함량 및 캐소드 전류 제어를 통해 제어될 수 있다.In addition, the formation and height of the droplets may be controlled by controlling the nitrogen content and cathode current during the deposition of the layer A thin film.

또한, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 B층의 성막은 하층에 형성된 A층의 드랍렛의 최고 높이보다 얇은 두께로 수행하는 것이, B층의 내부에 A층의 물질로 이루어진 브릿지(bridge) 구조를 형성하기 용이하므로 바람직하다.In addition, in the step (b), the layer B is formed in a thickness thinner than the maximum height of the droplets of the layer A formed in the lower layer, a bridge made of the material of the layer A inside the layer B. It is preferable because it is easy to form a structure.

[실시예][Example]

경질피막의 제조Preparation of hard film

먼저, WC-Co를 기반으로 하는 경질 기체로 이루어진 인써트(한국야금 형번: CNMA120408)를 준비하였다.First, an insert made of a hard gas based on WC-Co (Hankook Metallurgy Model No.: CNMA120408) was prepared.

상기 인써트 상에는 아래 표 1과 같은 구조의 경질 피막을 형성하였다.On the insert, a hard film having the structure shown in Table 1 was formed.

번호number 구조rescue 박막 조성Thin film composition 박막 두께
(㎛)
Thin film thickness
(㎛)
박막 경도
(GPa)
Thin film hardness
(GPa)
비고Remark
1-11-1 단일층Single layer TiNTiN 2.5㎛2.5㎛ 25.2 Gpa25.2 Gpa 비교예Comparative example 1-21-2 AlTiNAlTiN 3.1㎛3.1㎛ 31.3 Gpa31.3 Gpa 비교예Comparative example 1-31-3 AlCrNAlCrN 2.8㎛2.8㎛ 29.8 Gpa29.8 Gpa 비교예Comparative example 2-12-1 마이크로
다층
Micro
Multilayer
AlCrN+CrSiN
6회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 6 times
2.5㎛2.5㎛ 32.5Gpa32.5Gpa 비교예Comparative example
2-22-2 AlCrN+CrSiN
10회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 10 times
4.1㎛4.1㎛ 33.8Gpa33.8Gpa 비교예Comparative example
2-32-3 AlCrN+AlCrVN
6회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 6 times
2.6㎛2.6㎛ 31.9Gpa31.9Gpa 비교예Comparative example
2-42-4 AlCrN+AlCrVN
10회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 10 times
3.95㎛3.95㎛ 31.1Gpa31.1Gpa 비교예Comparative example
2-52-5 AlCrN+CrMoN
6회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 6 times
2.2㎛2.2㎛ 30.5Gpa30.5Gpa 비교예Comparative example
2-62-6 AlCrN+CrMoN
10회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 10 times
3.85㎛3.85㎛ 32.1Gpa32.1Gpa 비교예Comparative example
2-72-7 AlCrN+AlTaN
6회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 6 times
3.0㎛3.0㎛ 28.5Gpa28.5Gpa 비교예Comparative example
2-82-8 AlCrN+AlTaN
10회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 10 times
4.2㎛4.2㎛ 30.2Gpa30.2Gpa 비교예Comparative example
3-13-1 브릿지
구조
bridge
rescue
AlCrN+CrSiN
6회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 6 times
2.28㎛2.28㎛ 32.0Gpa32.0Gpa 실시예Example
3-23-2 AlCrN+CrSiN
10회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 10 times
4.5㎛4.5㎛ 34.6Gpa34.6Gpa 실시예Example
3-33-3 AlCrN+AlCrVN
6회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 6 times
2.48㎛2.48㎛ 32.0Gpa32.0Gpa 실시예Example
3-43-4 AlCrN+AlCrVN
10회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 10 times
3.8㎛3.8㎛ 31.6Gpa31.6Gpa 실시예Example
3-53-5 AlCrN+CrMoN
6회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 6 times
2.05㎛2.05㎛ 30.4Gpa30.4Gpa 실시예Example
3-63-6 AlCrN+CrMoN
10회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 10 times
3.6㎛3.6㎛ 31.5Gpa31.5Gpa 실시예Example
3-73-7 AlCrN+AlTaN
6회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 6 times
2.9㎛2.9㎛ 29.2Gpa29.2Gpa 실시예Example
3-83-8 AlCrN+AlTaN
10회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 10 times
4.15㎛4.15㎛ 29.8Gpa29.8Gpa 실시예Example

비교예로 사용한 단일층 TiN, AlTiN, AlCrN 박막은 통상적인 PVD 방법을 통해 형성하였다.Single-layer TiN, AlTiN, and AlCrN thin films used as comparative examples were formed through a conventional PVD method.

또한, 비교예로 사용한 ①AlCrN/CrSiN 마이크로 다층 박막과 ②AlCrN/AlCrVN 마이크로 다층박막, ③AlCrN/CrMoN 마이크로 박막, ④AlCrN/AlTaN 마이크로 다층 박막은 식각 공정 없이, 교대반복 적층을 수행한 것이다.In addition, the ①AlCrN/CrSiN micro multilayer thin film and ②AlCrN/AlCrVN micro multilayer thin film, ③AlCrN/CrMoN micro thin film, and ④AlCrN/AlTaN micro multilayer thin film used as comparative examples were alternately and repeatedly stacked without an etching process.

본 발명의 실시예에 따른 AlCrN 피막은, 아크 타입의 PVD 증착설비를 사용하여 증착한 것으로, 챔버에 질소(N2) 가스를 주입하고 AlCr 타겟을 사용하여 아크를 통한 플라즈마를 생성시키고 생성된 플라즈마가 질소(N)와 반응하여 표면에 AlCrN 박막을 형성하도록 하는 방법을 사용하여 형성하였다. 이때 AlCrN 피막의 표면에 다량의 드랍넷이 형성되도록 하였다.The AlCrN film according to an embodiment of the present invention is deposited using an arc-type PVD deposition facility, and a nitrogen (N 2 ) gas is injected into the chamber and a plasma is generated through an arc using an AlCr target. Was formed using a method of reacting with nitrogen (N) to form an AlCrN thin film on the surface. At this time, a large amount of drop nets were formed on the surface of the AlCrN film.

또한, AlCrN 피막의 표면에 형성되는 ①CrSiN 피막과 ②AlCrVN 피막, ③CrMoN 피막, ④AlTaN은 아크 타입의 PVD 증착설비를 사용하여 증착한 것으로, 챔버에 질소(N2) 가스를 주입하고 각각 ①Si를 포함하는 Cr 타겟과 ②V이 포함된 AlCr타겟, ③CrMo타겟, 그리고 ④AlTa 타겟을 사용하여 아크를 통한 플라즈마를 생성시켜 생성된 플라즈마가 질소(N)와 반응하여 표면에 각각의 박막을 형성하도록 하는 방법을 사용하여 형성하였다.Also, ①CrSiN film and ②AlCrVN film, ③CrMoN film, ④AlTaN formed on a surface of a AlCrN coating Cr to be deposited using a PVD deposition equipment of the arc type, with nitrogen (N 2) gas into the chamber and comprises a respective ①Si It is formed by using a method of generating plasma through an arc using a target and an AlCr target containing ②V, a ③CrMo target, and a ④AlTa target so that the generated plasma reacts with nitrogen (N) to form each thin film on the surface. I did.

또한, 상기 ①CrSiN 피막과 ②AlCrVN 피막, ③CrMoN 피막, ④AlTaN 피막을 에칭하여 ①CrSiN 피막과 ②AlCrVN 피막, ③CrMoN 피막, ④AlTaN 피막의 표면에 AlCrN 피막의 형성 과정에 생성된 드랍넷이 노출되도록 하는 과정은 2가지 방법 중 하나를 사용할 수 있다.In addition, by etching the ①CrSiN film, ②AlCrVN film, ③CrMoN film, and ④AlTaN film, there are two methods of exposing the dropnet generated in the process of forming the AlCrN film on the surface of the ①CrSiN film, ②AlCrVN film, ③CrMoN film, and ④AlTaN film. You can use either.

첫째는, 아르곤 플라즈마 에칭 방법으로, 이 방법은 챔버 내 아르곤을 플라즈마화시킨 후, 아르곤 플라즈마를 가속시켜 ①CrSiN 피막과 ②AlCrVN 피막, ③CrMoN 피막, ④AlTaN 피막에 충돌하게 하는 방법이다.The first is the argon plasma etching method, which is a method of making argon in the chamber plasma, and then accelerating the argon plasma to collide with the ①CrSiN film, ②AlCrVN film, ③CrMoN film, and ④AlTaN film.

둘째는, 금속 플라즈마 에칭 방법으로, 이 방법은 챔버 내 금속 이온들을 플라즈마화시킨 후, 금속 플라즈마를 가속시켜 ①CrSiN 피막과 ②AlCrVN 피막, ③CrMoN 피막, ④AlTaN 피막에 충돌하게 하는 방법이다.The second is the metal plasma etching method. This method is to make the metal ions in the chamber into plasma, and then accelerate the metal plasma to collide with the ①CrSiN film, ②AlCrVN film, ③CrMoN film, and ④AlTaN film.

경질피막 물성 평가Evaluation of hard film properties

상기 표 1의 구조로 구성한 복합 다층 피막의 내박리성 및 내마모성을 다음과 같은 평가조건으로 평가하였다.The peeling resistance and abrasion resistance of the composite multilayer film composed of the structure of Table 1 were evaluated under the following evaluation conditions.

(1) 내박리성 평가 : 박막 뜯김에 의한 비정상 마모 유무(1) Peel resistance evaluation: Abnormal wear due to tearing of thin film

피삭재: STS304Work material: STS304

샘플형번: CNMG120408-MMSample model number: CNMG120408-MM

절삭 속도: 120m/minCutting speed: 120m/min

절삭 이송: 0.2mm/ revCutting feed: 0.2mm/ rev

절삭 깊이: 1.5mmCutting depth: 1.5mm

(2) 내마모성 평가 : 인써트 여유면 및 경사면 마모 (2) Wear resistance evaluation: Insert clearance and slope wear

피삭재: SCM440Workpiece: SCM440

샘플형번: CNMG120408-HSSample model number: CNMG120408-HS

절삭 속도: 200m/minCutting speed: 200m/min

절삭 이송: 0.2mm/revCutting feed: 0.2mm/rev

절삭 깊이: 2mmCutting depth: 2mm

이상과 같은 조건으로 평가한 결과를 아래 표 2에 나타내었다.The results evaluated under the above conditions are shown in Table 2 below.

번호number 구조rescue 조성Furtherance 내박리성Peeling resistance 내마모성Wear resistance 비고Remark 가공길이
(m)
Processing length
(m)
마모유형Wear type 가공길이
(Km)
Processing length
(Km)
마모유형Wear type 비고Remark
1-11-1 단일층Single layer TiN 단일층TiN single layer 47.547.5 치핑 및 파손Chipping and breaking 0.950.95 과대 마모, 파손Excessive wear and tear 비교예Comparative example 1-21-2 AlTiN 단일층AlTiN single layer 190190 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 파손Breakage after wear 1-31-3 AlCrN 단일층AlCrN single layer 220220 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 파손Breakage after wear 2-12-1 마이크로
다층
Micro
Multilayer
AlCrN+CrSiN
6회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 6 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 3.83.8 마모 후 치핑Chipping after wear 비교예Comparative example
2-22-2 AlCrN+CrSiN
10회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 10 times
332332 용착/치핑Welding/Chipping 4.754.75 마모 후 치핑Chipping after wear
2-32-3 AlCrN+AlCrVN
6회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 6 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
2-42-4 AlCrN+AlCrVN
10회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 10 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear
2-52-5 AlCrN+CrMoN
6회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 6 times
380380 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
2-62-6 AlCrN+CrMoN
10회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 10 times
332332 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear
2-72-7 AlCrN+AlTaN
6회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 6 times
190190 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
2-82-8 AlCrN+AlTaN
10회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 10 times
220220 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear
3-13-1 브릿지
구조
bridge
rescue
AlCrN+CrSiN
6회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 6 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 3.83.8 마모 후 치핑Chipping after wear 실시예Example
3-23-2 AlCrN+CrSiN
10회 적층
AlCrN+CrSiN
Stacked 10 times
380380 용착/치핑Welding/Chipping 4.754.75 마모 후 치핑Chipping after wear
3-33-3 AlCrN+AlCrVN
6회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 6 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
3-43-4 AlCrN+AlCrVN
10회 적층
AlCrN+AlCrVN
Stacked 10 times
238238 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear
3-53-5 AlCrN+CrMoN
6회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 6 times
410410 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
3-63-6 AlCrN+CrMoN
10회 적층
AlCrN+CrMoN
Stacked 10 times
332332 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear
3-73-7 AlCrN+AlTaN
6회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 6 times
220220 용착/치핑Welding/Chipping 2.852.85 마모 후 치핑Chipping after wear
3-83-8 AlCrN+AlTaN
10회 적층
AlCrN+AlTaN
Stacked 10 times
220220 용착/치핑Welding/Chipping 3.353.35 마모 후 치핑Chipping after wear

상기 표 2에서 확인되는 바와 같이, 본 발명에 따른 적층 구조를 갖는 실시예는 단일층이나 단순 교대하여 반복적층하는 마이크로 다층구조의 비교예에 비하여 내박리성 및/또는 내마모성이 향상될 수 있음을 알 수 있다.As can be seen in Table 2, the embodiment having the laminated structure according to the present invention can improve peeling resistance and/or abrasion resistance compared to the comparative example of a single layer or a micro-multilayer structure in which simple alternating and repeatedly stacking. Able to know.

특히, 비교예 샘플 2-1 ~ 2-8과 실시예 샘플 3-1 ~ 3-8과 동일한 조성을 갖는 피막임에도 불구하고, 구조적인 차이(단순 적층과 브릿지 구조)로 인해 내박리성, 내마모성, 내치핑성에 현저한 차이를 보이고 있어, 본 발명에 따른 브릿지 구조가 박막 다층간의 결합력 향상, 경도 및 인성의 향상 효과를 가지게 함을 알 수 있다. 한편, 동일한 박막 구조에서 Me 원소의 종류 및 반복적층 횟수에 따라 내마모성, 내치핑성의 차이가 존재함을 알 수 있다.In particular, despite the film having the same composition as Comparative Example Samples 2-1 to 2-8 and Example Samples 3-1 to 3-8, due to the structural difference (simple lamination and bridge structure), peeling resistance, abrasion resistance, and There is a remarkable difference in chipping resistance, and it can be seen that the bridge structure according to the present invention has the effect of improving the bonding strength between the multilayers of the thin film and improving the hardness and toughness. On the other hand, it can be seen that in the same thin film structure, differences in wear resistance and chipping resistance exist according to the type of Me element and the number of repeated laminations.

즉, 본 발명에 따른 조성, 경도 및 적층 구조를 갖는 경질피막이, 기존의 단순 반복 교대 적층 구조를 갖는 경질피막에 비해 향상된 내박리성, 내마모성 및 내치핑성을 구현할 수 있다.That is, the hard film having the composition, hardness, and laminated structure according to the present invention can implement improved peeling resistance, abrasion resistance, and chipping resistance as compared to the hard film having a conventional simple repeating alternating laminated structure.

Claims (6)

경질 기체의 표면에 PVD법으로 형성되는 경질피막으로,
상기 경질피막은 A층과 B층이 1 이상 교대하여 반복적으로 적층되는 교대반복층을 포함하고,
상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고,
상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고,
상기 B층의 내부에는 하부의 A층의 물질로 이루어지는 다수의 입자가 분산되어 있으며,
상기 다수의 입자는 상기 A층을 형성하는 과정에 생성된 드랍렛으로 상기 A층의 상면으로부터 B층의 내부로 돌출된 구조를 이루고,
상기 다수의 입자 중에서 적어도 일부는 상기 B층의 하부에 형성된 A층과 일체로 연결되어 있으며,
상기 다수의 입자의 상기 A층의 상면으로부터 B층의 내부로 돌출되는 높이는 0.02 ~ 1.5㎛ 인, 절삭공구용 경질피막.
It is a hard film formed by PVD on the surface of a hard gas.
The hard coating includes an alternating and repeating layer in which one or more layers A and B are alternately stacked and repeatedly stacked,
The layer A is Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 is V, Zr, Nb, Mo , Hf, Ta, W, Y, and at least one element selected from Si),
The B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is at least one element selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si) Done,
A plurality of particles made of the material of the lower layer A are dispersed inside the layer B,
The plurality of particles are droplets generated in the process of forming the layer A and form a structure protruding from the upper surface of the layer A into the interior of the layer B,
At least some of the plurality of particles are integrally connected with the layer A formed under the layer B,
The height of the plurality of particles protruding from the upper surface of the layer A to the inside of the layer B is 0.02 ~ 1.5㎛, a hard coating for cutting tools.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 다수의 입자 중에서 적어도 일부는 상기 B층의 하부에 형성된 A층과 일체로 연결됨과 동시에, 상기 B층의 상부에 A층이 형성된 경우 상부의 A층과도 일체로 연결된 브릿지 구조를 형성한, 절삭공구용 경질피막.
The method of claim 1,
At least a portion of the plurality of particles is integrally connected with the layer A formed under the layer B, and at the same time, when the layer A is formed on the layer B, a bridge structure is formed integrally with the layer A above, Hard coating for cutting tools.
제1항에 있어서,
상기 경질 기체는, 탄화텅스텐을 포함하는 초경합금, 탄질화티타늄을 포함하는 서멧, 세라믹 또는 입방정 질화붕소인, 절삭공구용 경질피막.
The method of claim 1,
The hard substrate is a cemented carbide containing tungsten carbide, a cermet containing titanium carbonitride, a ceramic or cubic boron nitride, a hard coating for cutting tools.
경질 기체의 표면 또는 인접한 부분에 PVD법으로, A층과 B층이 1회 이상 교대하여 반복적으로 적층하여 경질피막을 형성하는 방법으로,
(a) 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계;
(b) 상기 A층 상에 B층을 성막하는 단계;
(c) 상기 B층을 식각하여, 상기 다수의 드랍렛 중의 적어도 일부가 노출되도록 하는 단계;
(d) 상기 식각된 B층 상에 표면에 다수의 드랍렛이 형성되도록 A층을 성막하는 단계; 및
상기 (a) ~ (d) 단계를 1회 이상 교대 반복하는 단계;를 포함하고,
상기 A층은 Al1-a-bCrbMe1aCxNy (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1은 V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지고,
상기 B층은 Me2CwNz (w+z=1, 0≤z≤1, Me2는 Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si 중에서 선택된 1종 이상의 원소)으로 이루어지는, 절삭공구용 경질피막의 제조방법.
It is a method of forming a hard film by repeatedly stacking the A layer and the B layer alternately one or more times by the PVD method on the surface or adjacent portions of the hard gas,
(a) forming a layer A to form a plurality of droplets on the surface;
(b) forming a B layer on the A layer;
(c) etching the layer B to expose at least a portion of the plurality of droplets;
(d) forming a layer A such that a plurality of droplets are formed on the etched layer B; And
Including; alternately repeating the steps (a) to (d) one or more times,
The layer A is Al 1-ab Cr b Me1 a C x N y (0≤a≤1, 0.01≤b≤1, x+y=1, 0≤y≤1, Me1 is V, Zr, Nb, Mo , Hf, Ta, W, Y, and at least one element selected from Si),
The B layer is Me2C w N z (w+z=1, 0≤z≤1, Me2 is at least one element selected from Cr, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Y, Si) Consisting of, a method for producing a hard film for cutting tools.
제5항에 있어서,
상기 (b) 단계에 있어서, 상기 B층의 성막은 하층에 형성된 A층의 드랍렛의 최고 높이보다 얇은 두께로 수행하는, 절삭공구용 경질피막의 제조방법.
The method of claim 5,
In the step (b), the film formation of the layer B is performed to a thickness thinner than the maximum height of the droplets of the layer A formed in the lower layer, the method of manufacturing a hard film for a cutting tool.
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