KR102161130B1 - Substrate treating method and substrate treating apparatus - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에서의 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하는 히터 유닛; 그리고 상기 히터 유닛을 제어하는 히터 제어 유닛을 포함할 수 있다. 상기 히터 제어 유닛은, 교류를 발생시키는 전원; 인가되는 제1 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원을 조절하는 제1 구동부; 인가되는 제2 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원의 진폭을 추가적으로 조절하는 하나 이상의 제2 구동부;를 포함하고, 상기 제1 구동신호 및 상기 제2 구동신호의 인가를 조절하여 상기 히터 유닛에 상기 조절된 전원들을 혼합한 출력을 인가하는 제어 모듈;을 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus is disclosed. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a chamber having a processing space therein; A support unit for supporting a substrate in the processing space; A heater unit for heating a substrate placed on the support unit; And it may include a heater control unit for controlling the heater unit. The heater control unit may include a power supply generating AC; A first driving unit that adjusts the power to be applied to the heater unit in response to the applied first driving signal; And one or more second driving units for additionally adjusting the amplitude of the power to be applied to the heater unit in response to the applied second driving signal, and controlling the application of the first driving signal and the second driving signal to It may include a; control module for applying the mixed output of the adjusted power to the heater unit.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각, 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에서는 노즐을 통해 처리액을 기판에 공급하게 된다. 상기 공정들을 수행하기 위한 장치에는 기판 처리를 위한 약액, 공정 공간의 온도, 기판 등을 가열하기 위한 히터 시스템이 구비될 수 있다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as deposition, photography, etching, and cleaning are performed. In each process, the processing liquid is supplied to the substrate through a nozzle. An apparatus for performing the above processes may include a chemical solution for processing a substrate, a temperature of a process space, and a heater system for heating a substrate.
도 1은 종래 기술에서 히터를 제어하는 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 1에 따르면, 종래 기술에서는 히터를 제어할 때 입력되는 전원(1)이 사이리스터와 같은 반도체 전력 소자(2)의 트리거 신호에 의하여 반파(半波) 단위로 출력 제어가 가능하였다. 이 때, 제어 가능한 최소 단위는 입력되는 전원(1)의 정현파의 반파(半波)이므로, 전원의 주파수에 의해서 제어의 분해능이 결정되는 경향이 있었다. 예를 들면, 도 1의 전원 1이 AC220V, 60Hz일 경우, 최대 반파의 개수는 1초당 120개에 해당하므로, 도 1의 히터 제어의 분해능은 1초당 120개의 반파 개수에 의해서만 결정될 수 있었다. 그러나 이러한 히터 제어 방식에 따를 경우, 보다 정밀한 히터의 출력 제어가 필요한 경우에도, 한정된 범위에서만(도 1의 경우 1초당 120개) 제어가 가능하여 정밀한 제어가 불가능한 문제점이 있었다.1 is a circuit diagram for explaining a method of controlling a heater in the prior art. Referring to FIG. 1, in the prior art, the
본 발명에서는, 히터 제어 방식에 있어서 보다 정밀하게 히터의 출력을 제어하고자 함이다.In the present invention, it is intended to control the output of the heater more precisely in the heater control method.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above. Other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description.
본 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하는 히터 유닛; 그리고 상기 히터 유닛을 제어하는 히터 제어 유닛을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus of the present invention includes: a chamber having a processing space therein; A support unit for supporting a substrate in the processing space; A heater unit for heating a substrate placed on the support unit; And it may include a heater control unit for controlling the heater unit.
상기 히터 제어 유닛은, 교류를 발생시키는 전원; 인가되는 제1 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원을 조절하는 제1 구동부; 인가되는 제2 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원의 진폭을 추가적으로 조절하는 하나 이상의 제2 구동부;를 포함하고, 상기 제1 구동신호 및 상기 제2 구동신호의 인가를 조절하여 상기 히터 유닛에 상기 조절된 전원들을 혼합한 출력을 인가하는 제어 모듈;을 포함할 수 있다.The heater control unit may include a power supply generating AC; A first driving unit that adjusts the power to be applied to the heater unit in response to the applied first driving signal; And one or more second driving units for additionally adjusting the amplitude of the power to be applied to the heater unit in response to the applied second driving signal, and controlling the application of the first driving signal and the second driving signal to It may include a; control module for applying the mixed output of the adjusted power to the heater unit.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 구동부 및 상기 하나 이상의 제2 구동부는 반도체 전력 소자일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first driving unit and the at least one second driving unit may be semiconductor power devices.
상기 반도체 전력 소자는, 트라이액 또는 사이리스터를 포함할 수 있다. The semiconductor power device may include a triac or a thyristor.
본 발명의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 상기 교류를 발생시키는 전원의 진폭을 조절하는 변압기;를 더 포함할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may further include a transformer that adjusts the amplitude of the power generating the AC.
상기 변압기는 상기 교류를 발생시키는 전원과 병렬로 연결될 수 있다. The transformer may be connected in parallel with a power source generating the AC.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 하나 이상의 제2 구동부는, 상기 변압기의 하나 이상의 탭과 전기적으로 연결될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the at least one second driving unit may be electrically connected to at least one tap of the transformer.
본 발명의 다른 실시예에서, 상기 하나 이상의 제2 구동부는, 상기 교류전원과 병렬로 연결되는 하나 이상의 변압기와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. In another embodiment of the present invention, the at least one second driving unit may be electrically connected to at least one transformer connected in parallel with the AC power source, respectively.
본 발명의 기판 처리 장치가 포함하는 제어 모듈은, 상기 히터 유닛의 제어하고자 하는 목표출력값을 설정 받은 후, 상기 목표출력값과 오차가 가장 적도록 상기 히터 유닛의 출력값을 제어할 수 있다. The control module included in the substrate processing apparatus of the present invention may control the output value of the heater unit so as to have the least error with the target output value after receiving the target output value to be controlled by the heater unit.
상기 제어 모듈은, 제로 전압 크로싱(zero voltage crossing) 제어 방식을 이용하여, 상기 히터 유닛의 분해능을 향상시키도록 상기 히터 유닛의 출력값을 제어할 수 있다. The control module may control an output value of the heater unit to improve the resolution of the heater unit using a zero voltage crossing control method.
또한 상기 제어 모듈은, 상기 제1 구동부에 의해 출력 가능한 값을 상기 목표출력값과 비교하였을 때 발생하는 최소 오차의 절대값이 상기 하나 이상의 제2 구동부에 의해 조절 가능한 값보다 높은 경우에는, 상기 하나 이상의 제2 구동부에 의한 출력을 부가적으로 출력하여 상기 히터 유닛의 출력값을 제어할 수 있다. In addition, the control module, when the absolute value of the minimum error generated when comparing the value output by the first driving unit with the target output value is higher than the value adjustable by the at least one second driving unit, the one or more An output value of the heater unit may be controlled by additionally outputting an output from the second driving unit.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 구동부가 가지는 출력은 상기 제2 구동부와 연결되는 변압기의 권선비에 의해 조절되고, 상기 제2 구동부가 다수일 경우, 상기 다수의 제2 구동부가 가지는 출력은 상기 다수의 제2 구동부 각각과 연결되는 변압기의 권선비에 의해 조절될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the output of the second driving unit is adjusted by the turn ratio of the transformer connected to the second driving unit, and when there are a plurality of second driving units, the plurality of second driving units have The output may be adjusted by a turn ratio of a transformer connected to each of the plurality of second driving units.
상기 히터 제어 유닛의 히터 제어 방식은 제로 전압 크로싱(zero voltage crossing) 제어 방식을 이용할 수 있다. The heater control method of the heater control unit may use a zero voltage crossing control method.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 기판 처리 방법이 개시된다.In another embodiment of the present invention, a substrate processing method is disclosed.
상기 기판 처리 방법은, 제어하고자 하는 히터의 목표출력값을 입력하는 단계; 교류전원에 의한 출력이 제1 구동신호에 의해 트리거 되어 제1 구동부를 통해 제1 출력을 도출하는 단계; 상기 교류전원의 진폭을 변환한 출력이 제2 구동신호에 의해 트리거 되어 제2 구동부를 통해 제2 출력을 도출하는 단계; 상기 제1 출력을 이용하여 상기 목표출력값에 가장 가까운 값을 출력하고 발생한 제1 오차의 절대값을 도출하는 단계; 상기 제1 오차의 절대값이 상기 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 작은 경우, 상기 제1 출력을 통해 히터를 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.The substrate processing method may include inputting a target output value of a heater to be controlled; Deriving a first output through a first driving unit by triggering an output from the AC power source by a first driving signal; Deriving a second output through a second driving unit by triggering an output obtained by converting the amplitude of the AC power source by a second driving signal; Outputting a value closest to the target output value using the first output and deriving an absolute value of the generated first error; If the absolute value of the first error is smaller than the value adjustable by the second output, controlling a heater through the first output; may include.
상기 기판 처리 방법은, 상기 제1 오차의 절대값이 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 클 경우, 상기 제2 출력을 이용하여 상기 제1 오차의 절대값에 가장 가까운 값을 출력하고, 발생한 제2 오차의 절대값을 도출하는 단계; 를 포함할 수 있다. In the substrate processing method, when the absolute value of the first error is greater than a value adjustable by the second output, the second output is used to output a value closest to the absolute value of the first error, 2 deriving an absolute value of the error; It may include.
상기 기판 처리 방법은, 상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1구동부 및 하나 이상의 제2구동부를 이용하여 조절할 수 있는 최소 오차값일 경우, 상기 제1 출력과 상기 제2 출력을 혼합하여 히터를 제어하며, 상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1구동부 및 하나 이상의 제2구동부를 이용하여 조절할 수 있는 최소 오차값 이상일 경우, 상기 제2 출력보다 작은 출력값을 가지는 제2 구동부의 추가 출력을 상기 제1 출력 및 상기 제2출력과 혼합하여 히터를 제어하는 단계;를 포함할 수 있다. In the substrate processing method, when the absolute value of the second error is a minimum error value that can be adjusted using a first driving unit and at least one second driving unit included in a circuit, the first output and the second output are mixed. A second driver that controls a heater and has an output value smaller than the second output when the absolute value of the second error is greater than or equal to a minimum error value that can be adjusted using the first driving unit and at least one second driving unit included in the circuit. And controlling the heater by mixing the additional output of the first output and the second output.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 히터 제어 방식에 있어서 보다 정밀하게 히터의 출력을 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to control the output of the heater more precisely in the heater control method.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effect of the present invention is not limited to the above-described effects. Effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.
도 1은 종래 기술에서 히터를 제어하는 방법을 나타내기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 8은 도 4의 액처리 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 히터 제어 유닛을 간단히 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 히터 제어 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 11 내지 도 12는 도 9에 따른 히터 제어 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명에 따른 히터 제어 유닛을 사용한 경우의 출력을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 1 is a diagram illustrating a method of controlling a heater in the prior art.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 2.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4.
6 is a cross-sectional plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4.
7 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a plan view showing the liquid treatment unit of FIG. 4.
9 is a view showing a simple heater control unit according to the present invention.
10 is a view showing an embodiment of a heater control unit according to the present invention.
11 to 12 are views showing an embodiment of the heater control unit according to FIG. 9.
13 is a view for explaining the output when the heater control unit according to the present invention is used.
14 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.
본 명세서 전체에서 사용되는 '~부' 및 '~모듈'은 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부' 및 '~모듈'이 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부' 및 '~모듈'은 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. The'~ unit' and'~ module' used throughout this specification are units that process at least one function or operation, and may mean hardware components such as software, FPGA, or ASIC. However,'~ unit' and'~ module' are not meant to be limited to software or hardware. The'~ unit' and the'~ module' may be configured to be in an addressable storage medium, or may be configured to reproduce one or more processors.
일 예로서 '~부' 및 '~모듈'은 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부' 및 '~모듈'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부' 및 '~모듈'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.As an example,'~ unit' and'~ module' are components such as software components, object-oriented software components, class components and task components, processes, functions, properties, Procedures, subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuits, data, databases, data structures, tables, arrays, and variables. Components and functions provided by'~ unit' and'~ module' may be performed separately by a plurality of elements and'~ unit' and'~ module', or may be integrated with other additional components. .
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 2, and FIG. 4 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 2 to 4, the
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The
도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4. 5, the hand (A) has a base (3428) and a support protrusion (3429). The
다시 도 3과 도 4를 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a cross-sectional plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 7 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 6. The
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.The
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 히터(3233) 그리고 히터 제어 유닛(300)을 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. The
가열판(3232)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.The
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The
기판(W)의 가열은 기판(W)이 히터 유닛(1200) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the heater unit 1200, and the substrate W is cooled by a
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The
히터 제어 유닛(300)은 히터(3233)와 연결되어, 히터의 출력을 제어할 수 있다. 히터 제어 유닛(300)의 상세 구조는 이하에서 설명한다.The
도 9는 본 발명에 따른 히터 제어 유닛(300)을 나타내는 예시적인 회로도이다.9 is an exemplary circuit diagram showing the
상기 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 히터 제어 유닛(300)은 교류전원(310), 변압기(320), 제1 구동부(330), 제2 구동부(340) 및 제어 모듈(350)을 포함할 수 있다.9, the
교류전원(310)은, 교류 신호를 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 교류전원(310)은 히터 유닛(3233)을 발열시키기 위해 50 내지 60 Hz의 교류 신호를 제공할 수 있으며, 일 예로 60 Hz의 교류 신호를 제공할 수 있다. 물론 필요에 따라 50 내지 60 Hz의 교류 신호보다 더 낮거나, 혹은 더 높은 주파수의 교류 신호를 제공할 수도 있다.The
변압기(320)는, 상기 교류전원(310)과 병렬로 연결되어 제공될 수 있다. 변압기(320)는 상기 교류전원(310)과 병렬로 연결되어, 교류 전원의 진폭을 변환시킬 수 있다. 변압기(320)의 권선비는 원하고자 하는 출력에 맞추어 자유롭게 설정할 수 있다. 교류전원(310)과 병렬로 연결되는 변압기(320)의 권선비에 따라 출력되는 전압이 강하될 수 있다. 변압기(320)는 교류전원(310)을 통하여 진폭 조절이 된 별도의 전원을 생성할 수 있다. 그러나, 상기 변압기(320)는 기판 처리 장치에서 상기 교류 전원(310)의 진폭을 변환하기 위한 일 수단으로 사용된 것에 불과하고, 변압기(320)를 이용하여 별도의 전원을 생성하지 아니하고 진폭이 다른 교류 전원을 이용하여 진폭이 다른 전원을 생성할 수도 있음에 유의하여야 한다. The
제1 구동부(330)는, 반도체 전력 소자 중 하나일 수 있다. 상기 반도체 전력 소자는 트라이액 또는 사이리스터를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 제1 구동부(330)는, 제1 구동신호에 응답하여 히터 유닛(3233)에 인가될 교류 전원(310)의 진폭을 조절할 수 있다. 상기 제1 구동신호는, 트리거 신호일 수 있다. 상기 제1 구동신호는, 상기 제1 구동부(330)가 포함하는 반도체 전력 소자를 트리거 할 수 있는 신호 종류일 수 있다. 상기 제1 구동신호는, 제로 크로싱(Zero crossing voltage) 제어의 경우, 전압이 0v를 지나갈 때에 맞춰서 자극되는 신호일 수 있다. 제1 구동부(330)는, 변압기(320)의 영향을 받지 아니하고 교류전원(310)의 진폭의 출력을 그대로 도출할 수 있다. 즉, 제1 구동부(330)에서 도출되는 진폭은 교류 전원(310)의 주파수에 의존할 수 있다.The
제2 구동부(340)는, 반도체 전력 소자 중 하나일 수 있다. 상기 반도체 전력 소자는 트라이액 또는 사이리스터를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 제2 구동부(340)는, 제2 구동신호에 응답하여 히터 유닛(3233)에 인가될 교류 전원(310)의 진폭을 조절할 수 있다. 상기 제2 구동신호는, 트리거 신호일 수 있다. 상기 제2 구동신호는, 상기 제2 구동부(340)가 포함하는 반도체 전력 소자를 트리거 할 수 있는 신호 종류일 수 있다. 상기 제2 구동신호는, 제로 크로싱(Zero crossing voltage) 제어의 경우, 전압이 0v를 지나갈 때에 맞춰서 자극되는 신호일 수 있다. 제2 구동부(340)는, 후술할 바와 같이 변압기(320)에 연결되어, 변압기의 권선비에 따라 강하된 출력으로 도출될 수 있다.The
다수의 제2 구동부(340)에 대한 연결 구조는 도 11 내지 도 12의 설명에서 후술한다.The connection structure for the plurality of
제어 모듈(350)은, 상기 제1 구동부(330)와 상기 하나 이상의 제2 구동부(340)의 출력을 이용하여 상기 히터 유닛(3233)의 출력을 제어할 수 있다. 제어 모듈(350)은, 상기 제1 구동부(330)와 상기 하나 이상의 제2 구동부(340)의 출력을 혼합하여 상기 히터 유닛(3233)의 출력의 진폭을 조절할 수 있다.The
도 10은 본 발명에 따른 히터 제어 유닛(300)의 일 실시예를 나타내는 도면이다. 도 10에 도시된 바에 의하면, 설명의 용이성을 위해 히터 제어 유닛(300)이 히터(3233)를 포함하도록 도시되었으나, 이는 통상의 기술자의 지식 수준에 따라 히터 제어 유닛(300) 내부에 포함하지 아니하도록 구성될 수도 있다. 10 is a view showing an embodiment of the
도 10에 따르면, 히터 제어 유닛(300)은 히터(3233)와 연결되는 온도 센서(380) 및 영상 검출부(370), 인터락 회로(360)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 온도 센서(380)는 히터(3233)의 현재 온도를 센싱하여 제어 모듈(350)에 제공할 수 있다. 제어 모듈(350)은 온도 센서(380)로부터 수신된 센싱값들에 근거하여 출력을 조정할 수 있다. Referring to FIG. 10, the
영상 검출부(370)는 교류 전원(310)의 제로 전압 크로싱을 측정하여 검출할 수 있다. 영상 검출부(370)는 교류 전원(310)의 제로 전압 크로싱을 측정함으로써, 교류 전원(310)의 진폭의 영상을 검출할 수 있다.The
인터락 회로(360)는, 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)와 연결될 수 있다. 인터락 회로(360)는 상기 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340) 중 하나의 구동부가 트리거 되었을 때 다른 구동부의 트리거를 방지한다. 즉, 인터락 회로(360)는 제1 구동신호와 제2 구동신호의 동시 트리거를 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)는 동시에 병렬로 연결된 경우, 동시에 트리거 되면 전원 단락이 발생하므로, 순차적으로 트리거가 진행되어야 한다.The
또한, 도면에 도시되지는 아니하였으나, 히터 제어 유닛(300)은 상기 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)를 절연하는 포토 커플러 및 상기 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)를 트리거 해주는 게이트 드라이버 등을 더 포함할 수 있다.Further, although not shown in the drawings, the
도시된 바에 의하면, 제어 모듈(350)은 영상 검출부(370) 및 온도 센서(380)로부터 정보를 수신하여 히터의 출력을 제어할 수 있다. 제어 모듈(350)은 교류 전원의 제로 전압 크로싱을 검출한 값과, 온도 센서를 이용하여 센싱된 현재 히터의 온도를 비교하여, 히터(3233)의 목표 출력값에 도달하기 위해 현재 히터의 온도로부터 얼마만큼의 출력을 더해야 하는지를 계산하여, 제1 구동부와 제2 구동부에 인가될 제1 구동신호 및 제2 구동신호를 제어할 수 있다. 제어 모듈(350)은 상기 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)를 제어하는 마이크로프로세서를 더 포함할 수 있다. 또한 제어 모듈(350)은 게이트 드라이버의 턴-온(Turn-on) 시점의 오류를 방지하기 위한 Dead-time 제어를 더 포함할 수 있다.As illustrated, the
본 발명에 따른 다른 일 실시예에 의하면, 제어 모듈(350)은 상기 도 9와 같이 제1 구동부(330)와 제2 구동부(340)의 출력단에 연결되어, 특정한 값을 가지는 히터의 출력 값을 얻고자 할 때 제1 구동부의 출력과 제2 구동부의 출력을 혼합하여 히터(3233)에 인가하는 것도 가능할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the
. 상기 제어 모듈(350)에 대한 자세한 제어 방식은 이하에서 후술한다.. A detailed control method for the
도 11 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 변압기(320) 및 제2 구동부(340)와의 연결 구조를 나타낸 도면이다. 상기 하나 이상의 제2 구동부(340)는, 기호 340 내지 343으로 표시한다. 도 11에 따르면, 상기 하나 이상의 제2 구동부(340)는, 히터 제어 유닛(300)에서 제공되는 변압기(320)의 일부 탭과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나 이상의 제2 구동부(340)가 제공될 경우, 하나의 변압기(320)가 제공된다면, 상기 변압기(320)의 탭은 제2 구동부(340)의 개수만큼 제공될 수 있다. 도 11의 실시예에 따르면, 제2 구동부(340, 341, 342)가 3개로 제공되어, 변압기(320)의 탭이 3개로 제공된 것을 확인할 수 있다.11 to 12 are diagrams illustrating a connection structure between a
도 12의 실시예에 따르면, 변압기(320)는 다수개가 제공될 수 있다. 다수개의 변압기는 기호 320 내지 321로 표시한다. 상기 변압기(320)는 제2 구동부(340)의 개수와 대응되도록 제공될 수 있다. 다수개의 변압기(320)는 각각의 제2 구동부(340)와 연결되어, 각각의 제2 구동부(340)의 전력을 변환할 수 있다. 도 12에 따르면, 제2 구동부(340)는 변압기(320)과 연결되고, 또 다른 제2 구동부(341)는 다른 변압기(321)와 연결될 수 있다.According to the embodiment of FIG. 12, a plurality of
상기 개시한 실시예들 외에도, 제2 구동부(340)는, 전력을 변환할 수 있는 소자에 연결되어 교류 전원(310)보다 전압의 강하가 이루어 질 수 있는 연결구조로써 회로를 구성할 수 있다.In addition to the above-described embodiments, the
제어 모듈(350)은, 히터 유닛(3233)의 제어하고자 하는 목표 출력값을 설정 받은 후, 목표출력값과 오차가 가장 적도록 히터 유닛(3233)의 출력값을 제어할 수 있다. 제어 모듈(350)은, 상기 히터 유닛(3233)의 분해능을 향상시키도록 상기 히터 유닛(3233)의 출력값을 제어할 수 있다. 제어 모듈(350)은, 제1 구동부(330)를 메인으로 하여, 하나 이상의 제2 구동부(340)를 부가적으로 조절하여 히터 유닛(3233)의 출력을 제어할 수 있다. 이를 구체적인 일 실시예를 들어 설명한다.The
만일 교류 전원(310)이 AC220V인 경우를 가정하고, 상기 220V와 연결된 제1 구동부(330)에 의한 1개의 반파 출력이 100으로 나타날 수 있다고 가정한다. 이 때, 변압기의 권선비가 2:1이라고 가정하면, 제2 구동부에 의한 전압은 1/2이 되므로 110V가 된다. 즉 이러한 경우 단위 반파의 에너지는 (전원 2 / 전원 1)의 제곱에 비례하므로, 전원 2가 가지는 반파 에너지는 전원 1이 가지는 반파 에너지의 1/4로 된다. 즉 이에 의하면 제2 구동부(340)에 의한 1개의 반파 출력은 100*1/4=25가 될 것이다. 이러한 점이 의미하는 바는, 에너지가 감소한 만큼 제어의 분해능이 향상됨을 의미한다.Assuming that the
만일 제어하고자 하는 히터의 출력값이 1056인 경우를 가정한다.Assume that the output value of the heater to be controlled is 1056.
이 때, 종래 기술의 경우 제1 구동부(330)에 의한 1개의 반파 출력을 통해서만 출력을 조절할 수 있었기 때문에, 상기 예시에 따르면 제1 구동부(330)에 의한 출력 100*10=1000까지 조절 가능하여, 56의 오차가 발생하거나, 100*11=1100으로 조절하여 44의 오차가 발생하는 것이 가장 적은 오차값을 나타낼 수 있는 값에 해당하였다. 그러나 본 발명에 따른 히터 제어 유닛(300)을 사용할 경우, 제1 구동부(330)에 의한 조절만이 아닌 제2 구동부(340)를 이용하여 상기 오차를 더 줄일 수 있기 때문에, 보다 더 정밀한 제어가 가능하도록 하는 것이 특징이다.In this case, in the case of the prior art, since the output can be adjusted only through one half-wave output by the
본 발명에 따른 히터 제어 유닛(300)에 따르면, 제1 구동부(330)가 10번 출력되고, 제2 구동부(340)가 2번 출력될 경우 100*10+25*2=1050의 에너지를 출력할 수 있으므로, 오차가 6으로 나타날 수 있어, 제1 구동부(330)만을 사용했을 때보다 오차값을 크게 줄일 수 있다.According to the
또한, 상기 변압기(320)와 병렬로 더 연결된 추가적인 제2 구동부(341)의 경우 상기 변압기(320)와 동일한 권선비를 가질 경우, 상기와 같이 에너지는 1/4값으로 정해질 것이므로, 추가적인 제2 구동부(341)의 경우 출력 가능한 값은 25*1/4=6.25로 정해질 수 있다.In addition, in the case of the additional
그러나 이 경우, 현재 목표 출력값과의 오차값이 6이며, 추가적인 제2 구동부(341)를 사용하여 출력 가능한 값은 6.25이므로, 추가적인 제2 구동부(341)를 사용하더라도 현재 목표 출력값과의 오차값을 더 줄일 수 없으므로, 이때는 제1 구동부(330) 및 제2 구동부(340)만을 이용하여 히터의 출력을 제어할 수 있다.However, in this case, the error value from the current target output value is 6, and the value that can be output by using the additional
즉, 히터 제어 유닛(300)의 제어 모듈(350)은, 상기 히터 제어 유닛(300)이 포함하는 하나 이상의 제2 구동부(340)가 있을 경우, 무조건 상기 다수의 제2 구동부(340)를 모두 사용하여 히터 출력을 제어해야 하는 것은 아니고, 히터 제어 유닛(300)의 회로 내에 포함된 제1 구동부(330) 및 하나 이상의 제2 구동부(340)를 혼합하여 출력 가능한 전압과 비교하여 최소한의 오차값을 발생할 수 있도록 적절히 조절하여 히터 유닛의 출력을 제어할 수 있다.That is, when there is one or more
상기 설명한 히터 제어 유닛(300)의 설명은 일 실시예에 불과하고, 제어속도나 목표 정밀도에 따라 변압기의 개수 및 변압기의 권선비를 유동적으로 조절하여 히터 제어 유닛(300)을 설계할 수 있다. The description of the
상기에서 설명한 히터 제어 유닛(300)의 제어 방식은, 제로 전압 크로싱(Zero Voltage Crossing) 방식을 이용할 수 있다.The control method of the
본 발명에 따른 제어 모듈(350)에 따른 제어 방식의 특징은, 고조파의 영향성을 최소화 하면서 히터의 분해능을 향상시키는 것이 목적이다. 본 명세서에서 히터의 분해능이란 정밀도와 같은 의미로 사용되는 것으로써, 얼마나 정밀하게 히터의 출력을 조절할 수 있는지에 대한 척도를 의미하는 단어이다. 본 발명에서는, 정밀도만을 향상시키는 것에 초점을 둔 것이 아닌 고조파의 영향성을 최대한 받지 않으면서 정밀도를 향상시키는 것을 특징으로 한다.A characteristic of the control method according to the
기존의 히터 제어 방법에 있어서 분해능이 높은 제어 방법은 고조파 특성이 나쁘게 되어, 고조파가 증가할 경우 피로도가 증가하여 히터에 영향을 미칠 수 있는 단점이 있었으나, 본 명세서에서 제안하는 히터 제어 유닛(300)에 따르면, 제로 크로싱 방식을 이용함으로써 고조파에 의한 영향을 받지 않도록 함과 동시에, 히터의 정밀성을 높일 수 있어 기존의 히터 제어 방식보다 효과적인 특징이 있다. 또한, 본 발명에서는 변압기를 이용하여 제어 가능한 최소 단위 반파 에너지를 줄임으로써, 제어의 분해능을 수 배 이상 향상시킬 수 있는 특징 역시 존재한다.In the conventional heater control method, the control method with high resolution has a disadvantage in that the harmonic characteristics are bad, and when the harmonic is increased, the fatigue level increases and may affect the heater, but the
도 13은 본 발명에 따른 히터 제어 유닛을 사용한 경우의 출력을 설명하기 위한 도면이다. 도 13(a)는 제1 출력에 따른 진폭을 나타내는 도면이며, 도 13(b)는 제2 출력에 따른 진폭을 나타내는 도면이다. 도 13(c)는 제1 출력과 제2 출력을 혼합한 진폭을 나타내는 도면이다. 즉, 전술한 바와 같이 종래 기술인 도 1의 경우에는 정현파의 개수만을 조절할 수 있었기 때문에 제어의 정밀도에 있어서 정확하지 않은 면이 있었으나, 본 발명에 따른 히터 제어 유닛을 사용할 경우, 정현파의 개수뿐 만 아니라, 변압기를 이용하여 진폭을 조절할 수 있으므로, 보다 정밀한 출력으로 히터의 출력을 조절할 수 있는 효과가 발생한다.13 is a view for explaining the output when the heater control unit according to the present invention is used. Fig. 13(a) is a diagram showing the amplitude according to the first output, and Fig. 13(b) is a diagram showing the amplitude according to the second output. 13(c) is a diagram showing an amplitude obtained by mixing a first output and a second output. That is, as described above, in the case of FIG. 1, which is the prior art, since only the number of sine waves could be adjusted, there was an inaccurate aspect in the control precision. , Since the amplitude can be adjusted using a transformer, the effect of controlling the output of the heater with more precise output occurs.
도 14는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 14 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 제어하고자 하는 히터의 목표 출력값을 입력하는 단계에서 시작될 수 있다.The substrate processing method according to the present invention may be started at the step of inputting a target output value of a heater to be controlled.
다음 단계는, 교류전원에 의한 출력이 제1 구동신호에 의해 트리거 되어 제1 구동부를 통해 제1 출력을 도출하는 단계;일 수 있다. 상기 제1 구동신호는 트리거 신호일 수 있다. 제1 구동신호는 제1 구동부를 구동시킬 수 있는 신호의 어느 한 종류일 수 있다. 상기 제1 출력은 교류전원에 의해 생성된 전력의 출력값과 동일할 수 있다. 다음 단계는, 교류 전원의 진폭을 변환한 출력이 제2 구동신호에 의해 트리거 되어 제2 구동부를 통해 제2 출력을 도출하는 단계;일 수 있다. 상기 교류 전원의 진폭을 변환하는 방법은, 상기 교류 전원과 병렬로 연결된 변압기에서 변환되는 출력을 이용할 수 있다. 혹은, 진폭이 다른 추가적인 교류 전원을 이용할 수도 있다. 상기 제2 구동신호는 트리거 신호일 수 있다. 제2 구동신호는 제2 구동부를 구동시킬 수 있는 신호의 어느 한 종류일 수 있다. 상기 제2 출력은 상기 변압기의 변압비에 의해 변환된 출력을 통해 나타나는 출력값일 수 있다. 이때 제1 출력과 제2 출력의 값을 비교했을 때, 제1 출력은 제2 출력보다 크거나 같은 값일 수 있다. 상기 제1 출력과 상기 제2 출력값이 도출되면, 상기 제1 출력을 이용하여 상기 설정한 히터의 목표제어값과 가장 가까운 값을 출력한다.The next step may be a step of deriving a first output through the first driving unit by triggering an output from the AC power source by a first driving signal. The first driving signal may be a trigger signal. The first driving signal may be any one type of signal capable of driving the first driving unit. The first output may be the same as an output value of power generated by AC power. The next step may be a step of deriving a second output through a second driving unit by triggering an output obtained by converting the amplitude of the AC power source by a second driving signal. The method of converting the amplitude of the AC power source may use an output converted from a transformer connected in parallel with the AC power source. Alternatively, additional AC power sources with different amplitudes may be used. The second driving signal may be a trigger signal. The second driving signal may be any one type of signal capable of driving the second driving unit. The second output may be an output value displayed through an output converted by a transformation ratio of the transformer. In this case, when the values of the first output and the second output are compared, the first output may have a value greater than or equal to the second output. When the first output and the second output value are derived, a value closest to the set target control value of the heater is output using the first output.
예를 들면, 목표제어값이 229이고, 제1 출력값이 100이라고 가정한다. 제1 출력을 이용하여 상기 설정한 히터의 목표제어값과 가장 가까운 출력값은 100*2=200이기 때문에, 200의 값을 출력한다. 상기 제1 출력을 이용하여 상기 설정한 히터의 목표제어값과 가장 가까운 값을 출력한 후에는, 목표제어값과 제1출력값과의 오차값인 제1 오차의 절대값을 도출한다. 상기 예시에 의하면, 제1 오차는 229-200=29로 도출될 수 있다. 제1 오차값이 도출되면, 제1 오차의 절대값과 제2 출력에 의해 조절 가능한 값을 비교한다. 제1 오차의 절대값이 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 작은 경우, 제1 출력만을 이용하여 히터를 제어한다. 구체적으로, 제1 오차의 절대값이 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 작다는 것의 의미는, 제1 출력만으로 형성한 출력으로 나타난 목표제어값과의 오차값인 제1 오차값이 제2 출력에 의해서도 조절할 수 없는 값이므로, 제1 오차값이 목표 출력값과 오차가 가장 적도록 하는 히터 유닛의 출력값을 제어하는 방법인 것이다. 만일 제1 오차의 절대값이 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 클 경우에는, 제2 출력을 통해서 제1 오차의 절대값을 더 줄일 수 있다는 의미와 같은 뜻이므로, 목표 출력값과 오차가 가장 적도록 제어하는 제어 모듈(350)의 특성상, 제2 출력을 통해 제1 오차를 줄이도록 제2 출력을 이용하여 오차를 줄일 수 있다. 이때, 제2 출력을 이용하여, 제1 오차의 절대값에 가장 가까운 값을 출력한다. 만일 제2출력에 의해 도출 가능한 값이 25라고 가정한다. 그 경우 상기 도출된 제1 오차의 절대값인 29은, 제2 출력에 의해 도출 가능한 값인 25보다 크므로 제2 출력을 이용하여 제1 오차의 절대값에 가장 가까운 값인 25를 출력하고, 그로 인해 발생한 제2 출력값과 제1 오차값과의 차이인 제2 오차의 절대값을 도출한다. 이 때 제2 오차값은 29-25=4 가 된다. For example, it is assumed that the target control value is 229 and the first output value is 100. Since the output value closest to the target control value of the set heater using the first output is 100*2=200, a value of 200 is output. After outputting the value closest to the set target control value of the heater using the first output, an absolute value of a first error, which is an error value between the target control value and the first output value, is derived. According to the above example, the first error may be derived as 229-200=29. When the first error value is derived, the absolute value of the first error and the value adjustable by the second output are compared. When the absolute value of the first error is smaller than the value adjustable by the second output, the heater is controlled using only the first output. Specifically, the meaning that the absolute value of the first error is less than the value adjustable by the second output means that the first error value, which is an error value from the target control value indicated by the output formed only from the first output, is the second output. This is a method of controlling the output value of the heater unit so that the first error value has the smallest error from the target output value since it is a value that cannot be adjusted by. If the absolute value of the first error is greater than the value adjustable by the second output, this means that the absolute value of the first error can be further reduced through the second output, so the target output value and the error are the least. Due to the characteristics of the
만약 상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1 구동부 및 하나 이상의 제2 구동부를 이용하여 조절 가능한 최소 오차값일 경우에는 제1 출력과 제2 출력을 혼합하여 히터의 목표제어값에 가까운 출력값을 내도록 제어한다.If the absolute value of the second error is the minimum error value that can be adjusted using the first driving unit and one or more second driving units included in the circuit, the output value close to the target control value of the heater by mixing the first output and the second output Control to give out.
만약 상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1구동부 및 하나 이상의 제2구동부를 이용하여 조절할 수 있는 최소 오차값 이상일 경우, 상기 제2 출력보다 작은 출력값을 가지는 제2 구동부의 추가 출력을 상기 제1 출력 및 상기 제2 출력과 혼합하여 히터를 제어할 수 있다. If the absolute value of the second error is greater than or equal to the minimum error value that can be adjusted using the first driving unit and one or more second driving units included in the circuit, an additional output of the second driving unit having an output value smaller than the second output is The heater may be controlled by mixing with the first output and the second output.
즉, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 히터 제어 유닛(300)은 하나의 제1 구동부(330)와, 하나 이상의 제2 구동부(340)를 포함할 수 있도록 구성된다. 즉, 전술한 바와 같이 제1 구동부(330)를 이용해서 목표하고자 하는 제어값에 가장 빠르게 도달한 이후에, 하나 이상의 제2 구동부(340)를 이용하여 제어하고자 하는 값을 정밀하게 조정하는 역할을 수행한다. 따라서 하나 이상의 제2 구동부(340)의 경우, 제2 구동부의 개수에 따라 어느 정도로 정밀하게 히터의 출력을 제어할 수 있는 지 여부가 정해진다. That is, in an embodiment of the present invention, the
즉 상기 기판 처리 방법에서의 마지막 단계가 의미하는 바는, 제2 출력에 의해서만 의존하는 것이 아니라, 회로 내에 포함된 하나 이상의 제2 구동부의 출력을 통해 오차를 최소화 하도록 진행할 수 있다.That is, the meaning of the last step in the substrate processing method is not dependent only on the second output, but may proceed to minimize an error through the output of one or more second drivers included in the circuit.
따라서 이에 따르면 기존의 제1 출력만 이용했을 때와 비교하여, 오차를 29에서 4로 확실히 줄일 수 있다. 상기 설명한 바와 같이, 제1 출력, 제2 출력 등에 의해 조절 가능한 값의 의미는, 각 출력의 정수배의 출력일 수 있다. 따라서 제1 출력, 제2 출력 진폭값의 일정 배수만큼 조절하여 목표 제어값에 가장 가깝도록 출력을 제어할 수 있다.Therefore, according to this, the error can be reliably reduced from 29 to 4 compared to when using only the existing first output. As described above, the meaning of the value adjustable by the first output, the second output, etc. may be an output of an integer multiple of each output. Therefore, it is possible to control the output to be closest to the target control value by adjusting the first output and the second output amplitude value by a predetermined multiple.
다시 도 3과 도 4를 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front-end
상기 도 2 내지 도 8은 기판 처리 장치(1)의 일 실시예에 해당하는 것이고, 상기 대응되는 구성요소들을 포함하는 범위에서 기판 처리 장치(1)의 상세 구조는 통상의 기술자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 변경될 수 있다. 또한 상기 히터(3233)의 구조 역시 일 실시예에 해당하는 것이며 기판(W)을 가열 및 열처리 할 수 있는 범위에서 다양한 구조로 제공될 수 있다.2 to 8 correspond to an embodiment of the
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments have been presented to aid understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and various deformable embodiments are also within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention are merely showing an optimal embodiment of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but a scope that has substantially equal technical value. It should be understood that it extends to the invention of.
300 : 히터 제어 유닛
310 : 교류 전원
320 : 변압기
330 : 제1 구동부
340 : 제2 구동부
350 : 제어 모듈300: heater control unit
310: AC power
320: transformer
330: first driving unit
340: second driving unit
350: control module
Claims (15)
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하는 히터 유닛; 그리고
상기 히터 유닛을 제어하는 히터 제어 유닛을 포함하되,
상기 히터 제어 유닛은,
교류를 발생시키는 전원;
인가되는 제1 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원을 1차적으로 조절하는 제1 구동부;
인가되는 제2 구동신호에 응답하여 상기 히터 유닛에 인가될 상기 전원의 진폭을 추가적으로 조절하는 하나 이상의 제2 구동부;를 포함하고,
상기 제1 구동신호 및 상기 제2 구동신호의 인가를 조절하여 상기 히터 유닛에 상기 조절된 전원들을 혼합한 출력을 인가하는 제어 모듈;을 포함하며,
상기 교류를 발생시키는 전원의 진폭을 조절하는 변압기;를 더 포함하고,
상기 변압기는, 상기 교류를 발생시키는 전원과 병렬로 연결되며,
상기 제1 구동부는 상기 변압기의 1차 측에 연결되고,
상기 하나 이상의 제2 구동부는 상기 변압기의 2차 측 중 하나 이상의 탭과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A chamber having a processing space therein;
A support unit for supporting a substrate in the processing space;
A heater unit for heating a substrate placed on the support unit; And
Including a heater control unit for controlling the heater unit,
The heater control unit,
A power source generating alternating current;
A first driving unit that primarily adjusts the power to be applied to the heater unit in response to the applied first driving signal;
Including; at least one second driving unit for additionally adjusting the amplitude of the power to be applied to the heater unit in response to the applied second driving signal,
And a control module for controlling the application of the first driving signal and the second driving signal to apply an output obtained by mixing the adjusted powers to the heater unit, and
A transformer that adjusts the amplitude of the power generating the alternating current; further includes,
The transformer is connected in parallel with a power source generating the alternating current,
The first driving part is connected to the primary side of the transformer,
The at least one second driving unit is electrically connected to at least one tap of the secondary side of the transformer.
상기 제1 구동부 및 상기 하나 이상의 제2 구동부는 반도체 전력 소자인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the first driving unit and the at least one second driving unit are semiconductor power devices.
상기 반도체 전력 소자는 트라이액 또는 사이리스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The semiconductor power device comprising a triac or a thyristor.
상기 하나 이상의 제2 구동부는,
상기 교류전원과 병렬로 연결되는 하나 이상의 변압기와 각각 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The one or more second driving units,
A substrate processing apparatus, characterized in that electrically connected to at least one transformer connected in parallel with the AC power source, respectively.
상기 제2 구동부가 가지는 출력은 상기 제2 구동부와 연결되는 변압기의 권선비에 의해 조절되고,
상기 제2 구동부가 다수일 경우, 상기 다수의 제2 구동부가 가지는 출력은 상기 다수의 제2 구동부 각각과 연결되는 변압기의 권선비에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The output of the second driving unit is adjusted by the turns ratio of the transformer connected to the second driving unit,
When there are a plurality of second driving units, an output of the plurality of second driving units is adjusted by a turn ratio of a transformer connected to each of the plurality of second driving units.
상기 제어 모듈은,
제로 전압 크로싱(zero voltage crossing) 제어 방식을 이용하여,
상기 히터 유닛의 분해능을 향상시키도록 상기 히터 유닛의 출력값을 제어하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The control module,
Using a zero voltage crossing control method,
A substrate processing apparatus for controlling an output value of the heater unit to improve the resolution of the heater unit.
상기 제어 모듈은,
상기 히터 유닛의 제어하고자 하는 목표출력값을 설정 받은 후,
상기 목표출력값과 오차가 가장 적도록 상기 히터 유닛의 출력값을 제어하도록 상기 제1 구동신호 및 상기 제2 구동신호를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The control module,
After receiving the target output value to be controlled of the heater unit,
And controlling the first driving signal and the second driving signal to control the output value of the heater unit so that the error from the target output value is the least.
상기 제어 모듈은,
상기 제1 구동부에 의해 출력 가능한 값을 상기 목표출력값과 비교하였을 때 발생하는 최소 오차의 절대값이 상기 하나 이상의 제2 구동부에 의해 조절 가능한 값보다 높은 경우에는, 상기 하나 이상의 제2 구동부에 의한 출력을 부가적으로 출력하여 상기 히터 유닛의 출력값을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The control module,
When the absolute value of the minimum error generated when comparing the value output by the first driving unit with the target output value is higher than the value adjustable by the at least one second driving unit, the output by the at least one second driving unit And additionally outputting to control an output value of the heater unit.
교류전원에 의한 출력이 제1 구동신호에 의해 트리거 되어 제1 구동부를 통해 제1 출력을 도출하는 단계;
상기 교류전원의 진폭을 변환한 출력이 제2 구동신호에 의해 트리거 되어 제2 구동부를 통해 제2 출력을 도출하는 단계;
상기 제1 출력을 이용하여 상기 목표출력값에 가장 가까운 값을 출력하고 발생한 제1 오차의 절대값을 도출하는 단계;
상기 제1 오차의 절대값이 상기 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 작은 경우, 상기 제1 출력을 통해 히터를 제어하는 단계; 를 포함하고,
상기 제1 구동부는 상기 교류전원의 진폭을 조절하는 변압기의 1차 측에 연결되고,
상기 제2 구동부는 상기 변압기의 2차 측 중 하나 이상의 탭과 전기적으로 연결되는 기판 처리 방법.Inputting a target output value of the heater to be controlled;
Deriving a first output through a first driving unit by triggering an output from the AC power source by a first driving signal;
Deriving a second output through a second driver by triggering an output obtained by converting the amplitude of the AC power source by a second driving signal;
Outputting a value closest to the target output value using the first output and deriving an absolute value of the generated first error;
When the absolute value of the first error is smaller than the value adjustable by the second output, controlling a heater through the first output; Including,
The first driving part is connected to the primary side of the transformer for adjusting the amplitude of the AC power,
The second driving unit is electrically connected to at least one tap of the secondary side of the transformer.
상기 기판 처리 방법은,
상기 제1 오차의 절대값이 제2 출력에 의해 조절 가능한 값보다 클 경우, 상기 제2 출력을 이용하여 상기 제1 오차의 절대값에 가장 가까운 값을 출력하고, 발생한 제2 오차의 절대값을 도출하는 단계; 를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
The substrate processing method,
When the absolute value of the first error is greater than the value adjustable by the second output, a value closest to the absolute value of the first error is output using the second output, and the absolute value of the generated second error is calculated. Deriving; Substrate processing method comprising a.
상기 기판 처리 방법은,
상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1구동부 및 하나 이상의 제2구동부를 이용하여 조절할 수 있는 최소 오차값일 경우,
상기 제1 출력과 상기 제2 출력을 혼합하여 히터를 제어하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The substrate processing method,
When the absolute value of the second error is the minimum error value that can be adjusted using the first driving unit and one or more second driving units included in the circuit,
And controlling a heater by mixing the first output and the second output.
상기 기판 처리 방법은,
상기 제2 오차의 절대값이 회로 내에 포함된 제1구동부 및 하나 이상의
제2구동부를 이용하여 조절할 수 있는 최소 오차값 이상일 경우,
상기 제2 출력보다 작은 출력값을 가지는 제2 구동부의 추가 출력을 상기 제1 출력 및 상기 제2출력과 혼합하여 히터를 제어하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
The method of claim 13,
The substrate processing method,
The absolute value of the second error is included in the first driving unit and at least one
If it is more than the minimum error value that can be adjusted using the second driving unit,
And controlling a heater by mixing an additional output of a second driver having an output value smaller than the second output with the first output and the second output.
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US8064233B2 (en) * | 2004-08-19 | 2011-11-22 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc. | Power supply regulating apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, method for controlling power to heater, and method for manufacturing semiconductor device |
JP6100672B2 (en) * | 2013-10-25 | 2017-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Temperature control mechanism, temperature control method, and substrate processing apparatus |
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KR20200036117A (en) | 2020-04-07 |
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