KR102160738B1 - Distance detecting sensor apparatus and Display apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 거리 감지용 조사광을 발산할 수 있는 발광부; 상기 조사광에 의해 대상물로부터 반사된 반사광을 수광할 수 있는 수광부; 및 상기 발광부의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광 또는 상기 대상물로부터 산사된 간섭광이 디스플레이어의 트랜지스터 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터;를 포함하는, 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.The present invention is a light emitting unit capable of emitting irradiation light for distance sensing; A light receiving unit capable of receiving reflected light reflected from the object by the irradiation light; And a first band pass filter installed in the light emitting path of the light emitting unit and passing only a non-interfering band wavelength so that the irradiated light or the interfering light scattered from the object does not interfere with the transistor portion of the displayer. A sensor device and a display device for detection can be provided.

Description

거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치{Distance detecting sensor apparatus and Display apparatus}Distance detecting sensor apparatus and display apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 디스플레이어와의 간섭을 줄일 수 있는 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a distance sensing sensor device and a display device, and more particularly, to a distance sensing sensor device and a display device capable of reducing interference with a display device.

스마트폰이나 스마트패드와 같은 스마트 장치에서 얼굴이나 손이나 머리카락 등 이격된 대상물의 거리를 측정하기 위해 디스플레이어 하방에 다양한 거리 감지용 센서 장치들이 설치될 수 있다.In a smart device such as a smartphone or a smart pad, various distance sensing sensor devices may be installed under the display in order to measure the distance of a separated object such as a face, a hand, or a hair.

도 1은 이러한 디스플레이어(3)의 하방에 설치된 기존의 거리 감지용 센서 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional sensor device for distance sensing installed below the display 3.

도 1에 도시된 바와 같이, 기존의 거리 감지용 센서 장치는, LCD나 OLED와 같은 디스플레이어(3)의 하방에 설치되는 것으로서, 거리 감지용 조사광(L1)을 발산할 수 있는 발광부(1)와, 상기 조사광(L1)에 의해 대상물(M)로부터 반사된 반사광(L2)을 수광할 수 있는 수광부(2) 및 상기 조사광(L1)과 상기 반사광(L2)의 세기 차이나 시간 차이나, TOF(time of flight) 등을 이용하여 상기 대상물(M)과의 거리를 측정하는 거리 측정부(4)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a conventional distance sensing sensor device is installed under a display 3 such as an LCD or OLED, and a light emitting unit capable of emitting irradiation light L1 for distance sensing ( 1), the light receiving unit 2 capable of receiving the reflected light L2 reflected from the object M by the irradiation light L1, and the intensity difference or time difference between the irradiated light L1 and the reflected light L2 , A distance measuring unit 4 for measuring a distance to the object M using a time of flight (TOF), or the like.

예컨대, 상기 대상물(M)이 평면, 얼굴 등과 같이 단순한 형태를 갖는 경우의 대상물(M)의 거리 측정은 상기 조사광(L1)이 일정한 세기의 빛을 방사할 때, 상기 반사광(L2)량은 상기 대상물(M)과 발광부(1)와의 거리의 함수이며, 일반적으로 대상물(M)과 발광부(1)과의 거리가 짧을수록 반사광(L2)는 강한 특성을 보이며, 이로부터 대상물(M)의 거리를 추정할 수 있다. 이보다 복잡한 형태를 갖는 대상물(M)의 거리 측정은 발광부(1)을 특정 시간에 조사하고 대상물에서 반사되는 반사광(L1)의 시간에 따른 변화를 측정하여 발광부(1)과 대상물(M), 수광부(3)사이의 거리를 측정하는 ToF(Time of flight) 방법 등이 있다.For example, when the object M has a simple shape such as a plane or a face, the distance measurement of the object M is when the irradiation light L1 emits light of a certain intensity, the amount of reflected light L2 is It is a function of the distance between the object M and the light emitting unit 1, and in general, the shorter the distance between the object M and the light emitting unit 1, the stronger the reflected light L2 is. From this, the object M ) Can be estimated. To measure the distance of the object M having a more complex shape, the light emitting unit 1 and the object M are measured by irradiating the light emitting unit 1 at a specific time and measuring the change over time of the reflected light L1 reflected from the object. , ToF (Time of flight) method of measuring the distance between the light-receiving units 3, etc.

여기서 상기 발광부(1)는 예컨대, 850 나노미터 또는 940 나노미터의 상기 조사광(L1)을 발생시키는 LED 등이 적용될 수 있고, 상기 수광부(2)는 상기 대상물(M)로부터 반사된 반사광(L2)를 수광할 수 있는 포토다이오드 등이 적용될 수 있다.Here, the light-emitting unit 1 may include, for example, an LED that generates the irradiation light L1 of 850 nanometers or 940 nanometers, and the light-receiving part 2 is the reflected light reflected from the object M. A photodiode or the like capable of receiving L2) may be applied.

여기서, 일반적으로 TFT thin silicon film 등이 적용된 상기 디스플레이어(3)는, 활성층(A)을 구동시키는 적어도 하나의 소스(S)(source), 드레인(D)(drain) 및 게이트(G)(gate)를 포함하는 트랜지스터(T) 부분을 포함할 수 있다.Here, in general, the displayer 3 to which a TFT thin silicon film is applied is at least one source (S) (source), a drain (D) (drain) and a gate (G) ( A portion of the transistor T including a gate) may be included.

그러나, 이러한 상기 LED로부터 발생된 상기 조사광(L1) 또는 상기 대상물(M)로부터 반사된 간섭광(L3)은 상기 활성층(A)을 활성화시키는 상기 게이트(G) 및 활성층(A)에 흡수되어 광전효과, 즉 포토 컨덕티브 이펙트(photo conductive effect) 현상에 의해 상기 활성층(A)을 간헐적으로 여기시키고 상기 디스플레이어(3)의 온(On) 또는 오프(Off) 상태에서 상기 조사광(L1)의 온(On) 또는 오프(off)에 따라 화면이 깜박거리는 플릭커(flicker) 현상이 발생되는 문제점이 있었다.However, the irradiation light (L1) generated from the LED or the interference light (L3) reflected from the object (M) is absorbed by the gate (G) and the active layer (A) activating the active layer (A). The active layer (A) is intermittently excited by a photoelectric effect, that is, a photo conductive effect, and the irradiation light (L1) in the on or off state of the display (3) There is a problem in that a flicker phenomenon in which the screen flickers according to on or off of is generated.

따라서 기존의 거리 감지용 센서는 LCD나 OLED가 완전히 꺼진 상태에서 동작하거나, 거리 감지용 센서가 부착된 부분에 LCD나 OLED와 겹치지 않는 테두리 부분(베젤, bezel)에 설치되었다. 그러므로, 이러한 불필요한 베젤 영역으로 인하여 공간 활용도가 떨어지는 등의 문제점이 있었다. Therefore, the existing sensor for distance detection operates with the LCD or OLED completely turned off, or is installed on the edge (bezel) that does not overlap with the LCD or OLED in the area where the sensor for distance detection is attached. Therefore, there is a problem that space utilization is deteriorated due to such unnecessary bezel area.

또한, 기존 거리 감지용 센서의 다른 하나인 거리 이미지 센서는 하나의 상기 발광부(1)와 다수의 픽셀을 갖는 상기 수광부(2), 거리측정부(4)로 구성되며, LCD나 OLED의 하부에 설치될 경우에도 플리커(flicker)를 발생시키므로 이러한 문제점들을 여전히 해소할 수 없었다.In addition, the distance image sensor, which is another of the conventional distance sensing sensors, is composed of one light emitting unit 1, the light receiving unit 2 having a plurality of pixels, and a distance measuring unit 4, and the lower part of the LCD or OLED. Even if it is installed in the device, it causes flicker, so these problems could not be solved.

본 발명은 베젤 영역이 불필요하여 공간활용도가 높고, 화면의 하부에 설치되더라도 화면의 플랙커 현상을 방지할 수 있는 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치를 제공하고자 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to provide a sensor device and a display device for sensing a distance capable of preventing a flicker phenomenon of a screen even when a bezel area is unnecessary and thus space utilization is high, and even when installed under a screen. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 거리 감지용 센서 장치는, 거리 감지용 조사광을 발산할 수 있는 발광부; 상기 조사광에 의해 대상물로부터 반사된 반사광을 수광할 수 있는 수광부; 및 상기 발광부의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광 또는 상기 대상물로부터 반사된 간섭광이 디스플레이어의 트랜지스터 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터;를 포함할 수 있다.The sensor device for distance sensing according to the idea of the present invention for solving the above problem includes: a light emitting unit capable of emitting irradiation light for distance sensing; A light receiving unit capable of receiving reflected light reflected from an object by the irradiation light; And a first band pass filter installed in the light emitting path of the light emitting unit and passing only a non-interfering band wavelength so that the irradiation light or interference light reflected from the object does not interfere with the transistor portion of the displayer. .

또한, 본 발명에 따르면, 상기 비간섭 대역대 파장은, 1.2 마이크로미터 내지 1.55 마이크로미터일 수 있다.Further, according to the present invention, the wavelength of the non-interference band may be 1.2 micrometers to 1.55 micrometers.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 밴드 패스 필터는, 적어도 실리콘(silicon) 필터, 밴드 패스 필터 온 글라스(Band pass filter On Glass), 실리콘 온 글라스(Silicon On Glass) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, according to the present invention, the first band pass filter includes at least one of a silicon filter, a band pass filter on glass, a silicon on glass, and combinations thereof. It can be done by selecting more than one.

또한, 본 발명에 따른 거리 감지용 센서 장치는, 상기 수광부의 수광 경로에 설치되고, 상기 비간섭 대역대 파장만 수광할 수 있도록 상기 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 2 밴드 패스 필터;를 더 포함할 수 있다.In addition, the sensor device for distance sensing according to the present invention includes a second band pass filter installed in the light receiving path of the light receiving unit and passing only the non-interference band wavelength so as to receive only the non-interference band wavelength. Can include.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 트랜지스터 부분이 형성된 디스플레이어; 및 상기 디스플레이어의 하방에 설치되는 거리 감지용 센서 장치;를 포함하고, 상기 거리 감지용 센서는, 거리 감지용 조사광을 발산할 수 있는 발광부; 상기 조사광에 의해 대상물로부터 반사된 반사광을 수광할 수 있는 수광부; 상기 조사광과 상기 반사광의 세기 비 또는 상기 조사광과 상기 반사광의 TOF(time of flight)를 이용하여 상기 대상물과의 거리를 측정하는 거리 측정부; 및 상기 발광부의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광 또는 상기 대상물로부터 반사된 간섭광이 상기 디스플레이어의 상기 트랜지스터 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터;를 포함할 수 있다.On the other hand, the display device according to the spirit of the present invention for solving the above problems, at least one transistor portion is formed display; And a distance-sensing sensor device installed below the displayer, wherein the distance-sensing sensor includes: a light-emitting unit capable of emitting irradiation light for distance-sensing; A light receiving unit capable of receiving reflected light reflected from an object by the irradiation light; A distance measuring unit for measuring a distance to the object by using an intensity ratio of the irradiated light and the reflected light or a time of flight (TOF) between the irradiated light and the reflected light; And a first band pass filter installed in the light emitting path of the light emitting unit and passing only a non-interfering band wavelength so that the irradiated light or the interference light reflected from the object does not interfere with the transistor portion of the displayer. I can.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 디스플레이어는, LCD 디스플레이어 또는 OLED 디스플레이어이고, 상기 트랜지스터는, 상기 디스플레이어의 활성층(Active)을 구동시키는 적어도 하나의 소스(source), 드레인(drain) 및 게이트(gate)를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the display is an LCD display or an OLED display, and the transistor is at least one source, a drain, and a gate for driving an active layer of the display. ) Can be included.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 밴드 패스 필터 또는 제 2 밴드 패스 필터를 이용하여 플릭커 현상 등 간섭광에 의한 디스플레이어의 오동작을 방지할 수 있는 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, by using a first band pass filter or a second band pass filter, a sensor device for distance detection capable of preventing malfunction of a display due to interference light such as a flicker phenomenon, and A display device can be implemented. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 기존의 거리 감지용 센서 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 거리 감지용 센서 장치 및 디스플레이 장치를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a conventional sensor device for distance sensing.
2 is a cross-sectional view illustrating a sensor device and a display device for sensing a distance according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and the following embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art. It is provided to fully inform you. In addition, in the drawings for convenience of description, the size of the components may be exaggerated or reduced.

도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 거리 감지용 센서 장치(100) 및 디스플레이 장치(1000)를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating the sensor device 100 and the display device 1000 for sensing a distance according to some embodiments of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 거리 감지용 센서 장치(100)는, 크게 발광부(10)와, 수광부(20)와, 제 1 밴드 패스 필터(F1) 및 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the sensor device 100 for sensing a distance according to some embodiments of the present invention includes a light emitting unit 10, a light receiving unit 20, a first band pass filter F1, and It may include a second band pass filter (F2).

예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광부(10)는, 거리 감지용 조사광(L1)을 발산할 수 있는 장치로서, 일반적인 광을 발생시킬 수 있는 LED가 적용될 수 있다. 그러나, 상기 발광부(10)는 이에 반드시 국한되지 않고, 다양한 파장 대역의 광을 발생시키는 다양한 형태의 발광 소자들이 모두 적용될 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, the light emitting unit 10 is a device capable of emitting irradiation light L1 for distance sensing, and an LED capable of generating general light may be applied. However, the light-emitting unit 10 is not necessarily limited thereto, and various types of light-emitting devices that generate light of various wavelength bands may be applied.

또한, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 수광부(20)는, 상기 조사광(L1)에 의해 대상물(M)로부터 반사된 반사광(L2)을 수광할 수 있는 장치로서, 다양한 형태의 포토 다이오드, 써모파일, Pyroelectric 소자, photoductor 등이 적용될 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 2, the light receiving unit 20 is a device capable of receiving the reflected light L2 reflected from the object M by the irradiation light L1, and has various types of photos. Diode, thermopile, pyroelectric element, photoductor, etc. can be applied.

또한, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 밴드 패스 필터는, 상기 발광부(10)의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광(L1) 또는 상기 대상물(M)로부터 반사된 간섭광(L3)이 디스플레이어(30)의 트랜지스터(T) 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 필터일 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 2, the first band pass filter is installed in the light emitting path of the light emitting unit 10, and the interference light reflected from the irradiation light L1 or the object M It may be a filter that passes only wavelengths in the non-interference band so that L3 does not interfere with the transistor T portion of the display 30.

예를 들면, 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)의 비간섭 대역대 파장은, 근적외선 대역 파장으로서, 후술될 디스플레이어(30)의 활성층(A)을 활성화시키는 게이트(G) 및 활성층(A)와 간섭될 수 있는 단파장 대역대의 파장을 배제한 비간섭 대역대의 파장일 수 있다.For example, the non-interference band wavelength of the first band pass filter F1 is a near-infrared band wavelength, and a gate G and an active layer A for activating the active layer A of the display 30 to be described later It may be a wavelength of a non-interference band excluding a wavelength of a short wavelength band that may interfere with

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 비간섭 대역대 파장은, 1.1 마이크로미터 내지 1.55 마이크로미터일 수 있다. LCD나 OLED에서 화소의 발광을 조절하기 위하여 사용되는 TFT는 Poly-silicon을 사용하여 Active area(A)가 형성된다. 또한 poly-silicon은 1.1 마이크로 미터 이하의 파장을 갖는 빛에 반응하며, 1.1 마이크로 미터 이상의 빛에서는 반응하지 않는다.More specifically, for example, the wavelength of the non-interference band may be 1.1 micrometers to 1.55 micrometers. In the TFT used to control the light emission of pixels in LCD or OLED, an active area (A) is formed using a poly-silicon. In addition, poly-silicon reacts to light with a wavelength of less than 1.1 micrometers and does not react to light of 1.1 micrometers or more.

따라서, 이러한 근적외선에서 비간섭 대역(1.2um ~ 1.55um)대 파장은, 상기 디스플레이어(30)의 상기 트랜지터(T) 부분의 상기 게이트(G) 및 활성층(A)에 흡수되지 않고 그대로 통과하기 때문에 상기 게이트(G)에 의해 활성화되는 상기 활성층(Active area, A)에 영향을 주지 않아서 화면 온/오프 등 모든 경우에도 센서의 동작 중 화면이 깜박거리는 플랙커 현상 등의 오동작을 사전에 방지할 수 있다. Therefore, the wavelength of the non-interference band (1.2um to 1.55um) in the near infrared rays passes through without being absorbed by the gate (G) and the active layer (A) of the transistor (T) portion of the display 30 Therefore, it does not affect the active layer (Active area, A) activated by the gate (G), and prevents malfunctions such as flickering of the screen during operation of the sensor even in all cases such as screen on/off. can do.

이러한, 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)는, 실리콘(silicon) 필터 또는 밴드 패스 필터 온 글라스(Band pass filter On Glass), 실리콘 온 글라스(silicon on glass) 필터일 수 있다.The first band pass filter F1 may be a silicon filter, a band pass filter on glass, or a silicon on glass filter.

이러한 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)는 재질의 특성이나 적층 특성이나 제조 방법 등에 따라서 통과시킬 수 있는 파장의 대역대를 조정할 수 있는 것으로서, 이러한 필터 제조 방법은 이미 공지되어 널리 사용되고 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first band pass filter F1 is capable of adjusting a band of wavelengths that can be passed according to a material property, a lamination property, a manufacturing method, etc., and such a filter manufacturing method is already known and widely used. Therefore, a detailed description will be omitted.

또한, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)는, 상기 수광부(20)의 수광 경로에 설치되고, 상기 비간섭 대역대 파장만 수광할 수 있도록 상기 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 필터일 수 있다.In addition, for example, as shown in Figure 2, the second band pass filter (F2) is installed in the light receiving path of the light receiving unit 20, the non-interference band to receive only the wavelength of the non-interference band It may be a filter that passes only the reverse wavelength.

여기서, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)는, 상기 대상물(M)로부터 반사된 반사광(L2) 중에서 상기 비간섭 대역대 파장만 수광할 수 있도록 상기 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 필터일 수 있다.Here, the second band pass filter F2 may be a filter that passes only the wavelength of the non-interference band so that only the wavelength of the non-interference band is received among the reflected light L2 reflected from the object M. .

예를 들면, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)의 비간섭 대역대 파장은, 비간섭 대역대 파장으로서, 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)를 통과한 상기 조사광(L1) 또는 상기 대상물(M)로부터 반사된 상기 반사광(L2)들 중 후술될 디스플레이어(30)의 활성층(A)을 활성화시키는 단파장 대역대의 파장을 배제한 비간섭 대역대의 파장일 수 있다.For example, the non-interfering band-band wavelength of the second band-pass filter F2 is a non-interfering band-band wavelength, and the irradiation light L1 or the object that has passed through the first band pass filter F1 ( Among the reflected light L2 reflected from M), it may be a wavelength in a non-interference band excluding a wavelength in a short wavelength band for activating the active layer A of the display 30 to be described later.

또한, 센서의 피사체가 피부나 머리카락등 과 같은 물체일 경우 표면 반사율이 높을 것을 요구되어 지는데, 피부 반사율은 1.5 마이크로미터 이상에서는 급격히 감소하므로 이 이하의 파장대의 빛이 근접센서의 용도로 선택하는 것이 바람직하다.In addition, when the subject of the sensor is an object such as skin or hair, it is required to have a high surface reflectance. Since the skin reflectance decreases rapidly above 1.5 micrometers, it is recommended to select light in the wavelength band below this for the purpose of the proximity sensor. desirable.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 비간섭 대역대 파장은, 1.2 마이크로미터 내지 1.55 마이크로미터일 수 있다.More specifically, for example, the wavelength of the non-interference band may be in the range of 1.2 micrometers to 1.55 micrometers.

따라서, 상기 수광부(20)는 이러한 특정 대역대 파장만 수광할 수 있기 때문에 다른 파장 대역의 광들을 제외하여 보다 정확한 거리 측정이 가능하다. Therefore, since the light-receiving unit 20 can receive only such a specific wavelength band, it is possible to measure the distance more accurately by excluding the light of the other wavelength band.

이러한, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)는, 실리콘(silicon) 필터 또는 밴드 패스 필터 온 글라스(Band pass filter On Glass), 실리콘 온 글라스(silicon on glass) 필터일 수 있다.The second band pass filter F2 may be a silicon filter, a band pass filter on glass, or a silicon on glass filter.

이러한 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)는 재질의 특성이나 적층 특성이나 제조 방법 등에 따라서 통과시킬 수 있는 파장의 대역대를 조정할 수 있는 것으로서, 이러한 필터 제조 방법은 이미 공지되어 널리 사용되고 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second band pass filter F2 is capable of adjusting a band of wavelengths that can be passed according to a material characteristic, a lamination characteristic, a manufacturing method, etc., and such a filter manufacturing method is already known and widely used. Therefore, a detailed description will be omitted.

또한, 이러한 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)는 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 예컨대, 플릭커 현상을 줄일 수 있도록 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1)의 파장 대역은 상대적으로 좁게 형성하고, 대신 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)의 파장 대역은 상대적으로 넓게 형성하여 센싱 영역을 넓히거나, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 생략하는 것도 가능하다. In addition, the second band pass filter F2 may be substantially the same as the first band pass filter F1. However, the present invention is not limited thereto, and for example, the wavelength band of the first band pass filter F1 is formed relatively narrow so as to reduce the flicker phenomenon, and instead, the wavelength band of the second band pass filter F2 is relatively narrow. It is also possible to widen the sensing area by forming a wide area, or to omit the second band pass filter (F2).

그러므로, 이러한 상기 제 1 밴드 패스 필터(F1) 또는 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 이용하여 플릭커 현상 등 간섭광에 의한 상기 디스플레이어(30)의 오동작을 방지할 수 있고, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 이용하여 간섭광이 배제된 반사광을 이용하여 보다 정밀한 거리 측정이 가능하다.Therefore, by using the first band pass filter (F1) or the second band pass filter (F2), it is possible to prevent malfunction of the display 30 due to interference light such as a flicker phenomenon, and the second band A more precise distance measurement is possible by using the reflected light from which interference light is excluded by using the pass filter F2.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 디스플레이 장치(1000)는, 적어도 하나의 트랜지스터(T) 부분이 형성된 디스플레이어(30) 및 상기 디스플레이어(30)의 하방에 설치되는 거리 감지용 센서 장치(100)를 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, in the display device 1000 according to some embodiments of the present invention, a display 30 having at least one transistor T portion formed thereon and a lower portion of the display 30 It may include a sensor device 100 for distance detection installed in.

여기서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 디스플레이어(30)는, 상기 디스플레이어(30)는, LCD 디스플레이어 또는 OLED 디스플레이어이고, 상기 트랜지스터(T)는, 상기 디스플레이어(30)의 활성층(A)을 구동시키는 적어도 하나의 소스(S)(source), 드레인(D)(drain) 및 게이트(G)(gate)를 포함할 수 있다.Here, as shown in FIG. 2, the displayer 30 is, the displayer 30 is an LCD display or an OLED display, and the transistor T is an active layer of the displayer 30 ( It may include at least one source (S) (source), a drain (D) (drain) and a gate (G) (gate) for driving A).

또한, 상기 거리 감지용 센서(100)는, 거리 감지용 조사광(L1)을 발산할 수 있는 발광부(10)와, 상기 조사광(L1)에 의해 대상물(M)로부터 반사된 반사광(L2)을 수광할 수 있는 수광부(20)와, 상기 조사광(L1)과 상기 반사광(L2)의 세기 비(세기 변화) 또는 상기 조사광(L1)과 상기 반사광(L2)의 TOF(time of flight)를 이용하여 상기 대상물(M)과의 거리를 측정하는 거리 측정부(40)와, 상기 발광부(10)의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광(L1) 또는 상기 대상물(M)로부터 반사된 간섭광(L3)이 상기 디스플레이어(30)의 상기 트랜지스터(T) 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터(F1) 및 상기 수광부(20)의 수광 경로에 설치되고, 상기 비간섭 대역대 파장만 수광할 수 있도록 상기 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 포함할 수 있다.In addition, the distance sensing sensor 100 includes a light emitting unit 10 capable of emitting a distance sensing irradiation light L1, and a reflected light L2 reflected from the object M by the irradiation light L1. ), and an intensity ratio (intensity change) of the irradiated light L1 and the reflected light L2, or a TOF (time of flight) between the irradiated light L1 and the reflected light L2. ) To measure the distance to the object (M), and installed in the light emitting path of the light emitting portion 10, and reflected from the irradiation light (L1) or the object (M) The first band pass filter (F1) passing only the non-interference band wavelength so that the interfering light L3 does not interfere with the transistor (T) portion of the display 30 and the light receiving path of the light receiving unit 20 It is installed and may include a second band pass filter (F2) passing only the non-interference band wavelength so as to receive only the wavelength of the non-interference band.

여기서, 상기 거리 감지용 센서 장치(100)는, 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 거리 감지용 센서 장치와 그 구성과 역할을 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Here, the distance sensing sensor device 100 may have the same configuration and role as the distance sensing sensor device according to some embodiments of the present invention described above. Therefore, detailed description is omitted.

또한, 상기 거리 측정부(40)는, 조사광(L1)과 반사광(L2)의 세기 비율이 대상물(M)과의 거리의 함수로 나타나는 특성을 이용하여 거리를 측정하는 방식이거나, 빛의 속도를 고려하여 상기 조사광(L1)의 출광 시점과 상기 반사광(L2)의 수광 시점 간의 시간 차이를 측정하여 TOF를 산출하고, 상기 TOF를 거리로 환산하여 상기 대상물(M)과의 거리를 산출할 수 있다. 이러한 거리 측정 방식은 이미 공지되어 널리 사용되고 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.In addition, the distance measuring unit 40 is a method of measuring the distance using a characteristic in which the intensity ratio of the irradiated light L1 and the reflected light L2 is a function of the distance to the object M, or the speed of light To calculate the TOF by measuring the time difference between the outgoing point of the irradiation light L1 and the receiving point of the reflected light L2 in consideration of, and converting the TOF into a distance, the distance to the object M is calculated. I can. This distance measurement method is already known and widely used. Therefore, detailed description is omitted.

따라서, 이러한 근적외선 장파장 비간섭 대역대 파장을 이용하여, 상기 간섭광(L3)이 상기 디스플레이어(30)의 상기 트랜지터(T) 부분의 상기 활성층(A)에 흡수되지 않고 그대로 통과하기 때문에 상기 게이트(G)에 의해 활성화되는 상기 활성층(A)에 영향을 주지 않아서 화면 온오프시 센서 동작에 의하여 화면이 깜박거리는 플랙커 현상 등의 오동작을 사전에 방지할 수 있다.Therefore, by using the near-infrared long-wavelength non-interference band wavelength, the interfering light L3 passes through the active layer A of the transistor T of the display 30 without being absorbed. Since it does not affect the active layer A activated by the gate G, malfunctions such as a flicker phenomenon in which the screen flickers due to a sensor operation when the screen is turned on and off can be prevented in advance.

아울러, 상기 제 2 밴드 패스 필터(F2)를 이용하여 간섭광이 배제된 반사광을 이용하여 보다 정밀한 거리 측정이 가능하다.In addition, more precise distance measurement is possible by using reflected light from which interference light is excluded by using the second band pass filter F2.

한편, 본 발명의 거리 측정용 센서(100)는 도면에 반드시 국한되지 않고, 거리 이미지 센서 등 다양한 센서가 모두 적용될 수 있다.Meanwhile, the sensor 100 for measuring distance of the present invention is not necessarily limited to the drawings, and various sensors such as a distance image sensor may be applied.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, this is only exemplary, and those of ordinary skill in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

M: 대상물
1, 10: 발광부
2, 20: 수광부
3, 30: 디스플레이어
4, 40: 거리 측정부
L1: 조사광
L2: 반사광
L3: 간섭광
T: 트랜지스터
S: 소스
D: 드레인
G: 게이트
A: 활성층
F1: 제 1 밴드 패스 필터
F2: 제 2 밴드 패스 필터
100: 거리 감지용 센서 장치
1000: 디스플레이 장치
M: object
1, 10: light emitting unit
2, 20: light receiving unit
3, 30: displayer
4, 40: distance measuring unit
L1: irradiation light
L2: reflected light
L3: interference light
T: transistor
S: source
D: drain
G: gate
A: active layer
F1: first band pass filter
F2: second band pass filter
100: sensor device for distance detection
1000: display device

Claims (6)

거리 감지용 조사광을 발산할 수 있는 발광부;
상기 조사광에 의해 대상물로부터 반사된 반사광을 수광할 수 있는 수광부;
상기 조사광과 상기 반사광의 세기 비 또는 상기 조사광과 상기 반사광의 TOF(time of flight)를 이용하여 상기 대상물과의 거리를 측정하는 거리 측정부; 및
상기 발광부의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광 또는 상기 대상물로부터 반사된 간섭광이 디스플레이어의 트랜지스터 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터;
를 포함하는, 거리 감지용 센서 장치.
A light emitting unit capable of emitting irradiation light for distance sensing;
A light receiving unit capable of receiving reflected light reflected from an object by the irradiation light;
A distance measuring unit for measuring a distance to the object by using an intensity ratio of the irradiated light and the reflected light or a time of flight (TOF) between the irradiated light and the reflected light; And
A first band pass filter installed in the light emitting path of the light emitting unit and passing only a wavelength in a non-interference band so that the irradiated light or the interference light reflected from the object does not interfere with the transistor portion of the display;
Containing, a sensor device for distance detection.
제 1 항에 있어서,
상기 비간섭 대역대 파장은, 1.2 마이크로미터 내지 1.55 마이크로미터인, 거리 감지용 센서 장치.
The method of claim 1,
The non-interference band wavelength is 1.2 micrometers to 1.55 micrometers, the sensor device for distance detection.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 밴드 패스 필터는, 적어도 실리콘(silicon) 필터, 밴드 패스 필터 온 글라스(Band pass filter On Glass), 실리콘 온 글라스(Silicon On Glass) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는, 거리 감지용 센서 장치.
The method of claim 1,
The first band pass filter is formed by selecting at least one of a silicon filter, a band pass filter on glass, a silicon on glass, and combinations thereof, Sensor device for distance detection.
제 1 항에 있어서,
상기 수광부의 수광 경로에 설치되고, 상기 비간섭 대역대 파장만 수광할 수 있도록 상기 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 2 밴드 패스 필터;
를 더 포함하는, 거리 감지용 센서 장치.
The method of claim 1,
A second band pass filter installed in the light-receiving path of the light receiving unit and passing only the non-interference band wavelength so that only the non-interference band wavelength can be received;
Further comprising, a sensor device for distance detection.
적어도 하나의 트랜지스터 부분이 형성된 디스플레이어; 및
상기 디스플레이어의 하방에 설치되는 거리 감지용 센서 장치;를 포함하고,
상기 거리 감지용 센서는,
거리 감지용 조사광을 발산할 수 있는 발광부;
상기 조사광에 의해 대상물로부터 반사된 반사광을 수광할 수 있는 수광부;
상기 조사광과 상기 반사광의 세기 비 또는 상기 조사광과 상기 반사광의 TOF(time of flight)를 이용하여 상기 대상물과의 거리를 측정하는 거리 측정부; 및
상기 발광부의 발광 경로에 설치되고, 상기 조사광 또는 상기 대상물로부터 반사된 간섭광이 상기 디스플레이어의 상기 트랜지스터 부분과 간섭되지 않도록 비간섭 대역대 파장만 통과시키는 제 1 밴드 패스 필터;
를 포함하는, 디스플레이 장치.
A display on which at least one transistor portion is formed; And
Including; a distance sensing sensor device installed below the display,
The distance sensing sensor,
A light emitting unit capable of emitting irradiation light for distance sensing;
A light receiving unit capable of receiving reflected light reflected from an object by the irradiation light;
A distance measuring unit for measuring a distance to the object by using an intensity ratio of the irradiated light and the reflected light or a time of flight (TOF) between the irradiated light and the reflected light; And
A first band pass filter installed in the light emitting path of the light emitting unit and passing only a non-interference band wavelength so that the irradiation light or the interference light reflected from the object does not interfere with the transistor portion of the display;
Containing, a display device.
제 5 항에 있어서,
상기 디스플레이어는, LCD 디스플레이어 또는 OLED 디스플레이어이고,
상기 트랜지스터는, 상기 디스플레이어의 활성층(Active)을 구동시키는 적어도 하나의 소스(source), 드레인(drain) 및 게이트(gate)를 포함하는, 디스플레이 장치.
The method of claim 5,
The displayer is an LCD display or an OLED display,
The transistor includes at least one source, a drain, and a gate for driving an active layer Active of the display device.
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