KR102160103B1 - Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 장치의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus.
반도체 제조공정의 공정 파라메터(parameter)로서 온도는 식각공정과 확산공정 등에 있어서 식각정도의 균일도와 양질의 막질을 얻기 위하여 매우 중요하다. 따라서 반도체 제조장치에는 장치 내부를 냉각하기 위해 다양한 형태의 냉각기가 사용되고 있고 여러가지의 유체를 냉각매체로 사용한다.As a process parameter of a semiconductor manufacturing process, temperature is very important to obtain uniformity of etching degree and high quality film quality in etching and diffusion processes. Therefore, in semiconductor manufacturing apparatuses, various types of coolers are used to cool the interior of the apparatus, and various fluids are used as cooling media.
반도체 제조장치에서 온도 조절을 위하여 사용하는 유체(이하 냉각수라 한다)는 반도체 제조장치 내에 위치한 배관 라인을 통과하여 원하는 부위로 흐른다. 이때 냉각수가 흐르는 배관 내부는 배관 가공시 발생한 잔류물과 냉각수의 유통 과정에서 발생하는 스케일로 인하여 부식되거나 막히게 되는데, 냉각수가 흐르는 배관은 인접 부품과 복잡하게 구성되어 있어서 배관을 분리, 세척작업을 하는데 어려운 점이 많다. 특히 반도체 제조장치의 구성이 점차 축소화되고 첨단화됨에 따라 구성되는 냉각 배관이 종래의 직선형태에서 굴곡을 많이 갖는 다양한 형태로 점차 설계되고 있다. 이러한 상태에서 배관 라인 내에 생성되는 스케일 또는 부식으로 인해 냉각수가 원활히 흐르지 못할 경우 국부적으로 냉각 배관을 교체, 조치하는 것만으로는 해결이 안되며 반도체 제조장치를 구성하는 냉각 배관 전체를 교체해야 하므로 많은 비용과 시간을 필요로 하게 된다. 결국 설비 유지 비용 증가와 교체공사를 실시함에 따른 제품 생산 가동중지로 그 피해는 막대 하게 된다.A fluid used for temperature control in a semiconductor manufacturing apparatus (hereinafter referred to as cooling water) flows to a desired portion through a piping line located in the semiconductor manufacturing apparatus. At this time, the inside of the pipe through which the cooling water flows is corroded or blocked due to the residue generated during the pipe processing and the scale generated during the circulation of the cooling water. There are many difficulties. In particular, as the configuration of semiconductor manufacturing apparatuses is gradually reduced and advanced, cooling pipes are gradually being designed in various shapes having a lot of curves in a conventional straight line. In such a state, if the cooling water cannot flow smoothly due to scale or corrosion generated in the piping line, it is not possible to solve it only by replacing the cooling piping locally, and because the entire cooling piping constituting the semiconductor manufacturing equipment needs to be replaced, it is costly and expensive. It takes time. Eventually, the damage is enormous due to the increase in facility maintenance costs and the suspension of product production operations due to replacement work.
따라서 기존에 깔려있는 냉각 배관을 분리하지 않고 배관내부에 생성되어 있는 스케일을 완전히 제거할 필요가 있으며, 배관을 구성하는 재질에도 손상을 주지 않는 세척이 필요하다.Therefore, it is necessary to completely remove the scale generated inside the pipe without separating the existing cooling pipe, and cleaning that does not damage the material constituting the pipe is required.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 제조 장치의 냉각 배관을 분리하지 않고 배관 내부를 세정하는 방법을 제공하는 데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a method of cleaning the inside of a pipe without separating the cooling pipe of a semiconductor manufacturing apparatus.
또한, 세정용 조성물의 사용을 최소화하면서도 완벽히 세정하는 방법을 제공하는데 목적이 있다.In addition, it is an object to provide a method of completely cleaning while minimizing the use of the cleaning composition.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법은, 인산을 포함하는 세정용 조성물을 이용하는 것으로, 다수 개의 통공이 형성된 마개를 냉각 배관 일측에 장착하는 단계, 상기 냉각 배관의 타측으로 오토 클리어를 연결하는 단계, 그리고 상기 오토 클리어에 상기 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계를 포함한다.The cleaning method of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention is to use a cleaning composition containing phosphoric acid, the step of mounting a stopper having a plurality of through holes on one side of the cooling pipe, auto clearing to the other side of the cooling pipe And connecting the cleaning composition to the auto clear and washing.
상기 마개는, 다수 개의 통공이 형성되어 상기 냉각 배관의 일측을 덮는 덮개부, 상기 덮개부의 가장자리로부터 연장되고 상기 냉각 배관의 측면을 둘러싸도록 결합되는 러버부를 포함한다.The stopper includes a cover portion formed with a plurality of through holes to cover one side of the cooling pipe, and a rubber portion extending from an edge of the cover portion and coupled to surround a side surface of the cooling pipe.
상기 냉각 배관의 타측으로 공급되는 세정용 조성물의 중량에 의해 상기 마개가 상기 냉각 배관으로부터 탈거되지 않도록, 상기 러버부를 상기 냉각 배관의 측면에 압착시키는 고정부재를 더 포함할 수 있다.It may further include a fixing member for compressing the rubber part to the side of the cooling pipe so that the stopper is not removed from the cooling pipe by the weight of the cleaning composition supplied to the other side of the cooling pipe.
상기 세정용 조성물은, 인산, 계면활성제, 소포제, 그리고 탈이온수를 포함하고, 상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖이고, 상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖이고, 상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖일 수 있다.The cleaning composition includes phosphoric acid, a surfactant, an antifoaming agent, and deionized water, and the phosphoric acid has a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml with respect to the deionized water, and the surfactant has a concentration of 0.03 with respect to the deionized water. ~0.06 cc/ml, and the antifoaming agent may have a concentration of 0.01 ~ 0.03 cc/ml in the deionized water.
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계는 50~80 분 동안 수행되며, 상기 세정용 조성물은 분당 2~3 회 공급되고, 1 회 공급량은 1~1.5 ℓ일 수 있다.The step of injecting and washing the cleaning composition into the auto clear is performed for 50 to 80 minutes, and the cleaning composition is supplied 2 to 3 times per minute, and the amount of one supplied may be 1 to 1.5 ℓ.
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계 후, 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of adding and washing the cleaning composition to the auto clear, it may further include a step of recovering the cleaning composition.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법은, 인산을 포함하는 세정용 조성물을 이용하는 것으로, (a) 반도체 제조용 장치에 포함된 밸브를 분해하는 단계, (b) 상기 세정용 조성물과 상기 (a) 단계의 분해된 밸브를 초음파 세정기에 투입하여 세정하는 단계, (c) 상기 (b) 단계의 세정된 밸브를 플러싱(Flushing)하는 단계, 그리고 (d) 상기 (c) 단계의 플러싱된 밸브를 조립하는 단계를 포함한다.A cleaning method for a semiconductor manufacturing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention uses a cleaning composition containing phosphoric acid, comprising the steps of: (a) disassembling a valve included in the semiconductor manufacturing apparatus, (b) the cleaning composition and Injecting the disassembled valve in step (a) into an ultrasonic cleaner for cleaning, (c) flushing the cleaned valve in step (b), and (d) flushing in step (c) Assembling the valve.
상기 (b) 단계의 상기 세정용 조성물은, 인산, 계면활성제, 소포제, 그리고 탈이온수를 포함하고, 상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖이고, 상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖이고, 상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖일 수 있다.The cleaning composition of step (b) includes phosphoric acid, a surfactant, an antifoaming agent, and deionized water, and the phosphoric acid has a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml in the deionized water, and the surfactant is deionized. The concentration of the deionized water may be from 0.03 to 0.06 cc/ml, and the deionized water may have a concentration of from 0.01 to 0.03 cc/ml.
상기 (b) 단계는, 180~200 W 출력에서 27.0~28.0 KHz 진동주파수로 1~2 시간 동안 수행될 수 있다.The step (b) may be performed for 1 to 2 hours at a vibration frequency of 27.0 to 28.0 KHz at 180 to 200 W output.
상기 (b) 단계는 15~20 ℃의 온도에서 수행되며, 상기 (b) 단계 후 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (b) is performed at a temperature of 15 to 20 °C, and may further include recovering the cleaning composition after step (b).
상기 (c) 단계 후 80~100 ℃의 오븐에서 8~12 시간 동안 플러싱된 밸브를 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.It may further include drying the flushed valve for 8 to 12 hours in an oven at 80 to 100 °C after step (c).
본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정방법을 이용하면 보다 냉각 배관의 교체없이 냉각 배관을 세정할 수 있을 뿐만 아니라, 적은 양의 세정용 조성물로도 우수한 세정효과를 제공할 수 있는 장점이 있다.If the cleaning method of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is used, it is possible to clean the cooling pipe without replacing the cooling pipe, and there is an advantage that an excellent cleaning effect can be provided even with a small amount of the cleaning composition.
또한, 세정 후 버려지는 폐수를 회수하여 재사용할 수 있어 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 친환경적인 장점이 있다.In addition, since wastewater that is discarded after washing can be recovered and reused, not only cost can be reduced, but also environmentally friendly advantages.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법을 순서도로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마개를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정부재를 나타낸 것이다.
도 4는 냉각 배관에 마개가 장착된 모습을 나타낸 것이다.
도 5는 냉각 배관에 마개와 고정부재가 장착된 모습을 나타낸 것이다.
도 6은 수격파 세정기의 조작부 표시도를 나타낸 것이다.
도 7은 수격파 세적기의 조직부 키별 기능표를 나타낸 것이다.
도 8은 종래의 수격파 세정기를 나타낸 것이다.
도 9는 냉각 배관의 세정한 전후 이미지를 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 밸브 세정방법을 순서도로 나타낸 것이다.
도 11은 냉각 배관의 세정과정을 나타낸 것이다.
도 12는 실시예 1의 세정용 조성물로 쿨링라인 세정한 후 폐수를 분석한 것이다.
도 13은 냉각 배관 내부의 Scale을 전자현미경으로 촬영하고 가스 크로마토 그래피로 구성요소를 분석한 것이다.
도 14는 오염된 밸브를 실시예 1의 세정용 조성물로 세정한 전후의 이미지를 나타낸 것이다.
도 15는 오염된 밸브를 비교예 2-2의 세정용 조성물로 세척한 후의 이미지를 나타낸 것이다.1 is a flowchart illustrating a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 shows a stopper according to an embodiment of the present invention.
3 shows a fixing member according to an embodiment of the present invention.
4 shows a state in which a stopper is attached to the cooling pipe.
5 shows a state in which a stopper and a fixing member are mounted on the cooling pipe.
6 is a view showing the operation part of the water breaking wave scrubber.
7 shows a function table for each organizational key of the water breaking wave washing machine.
8 shows a conventional water breaking wave scrubber.
9 shows an image before and after washing the cooling pipe.
10 is a flowchart illustrating a valve cleaning method according to another embodiment of the present invention.
11 shows the cleaning process of the cooling pipe.
12 is an analysis of wastewater after washing the cooling line with the cleaning composition of Example 1.
13 is a photograph of the scale inside the cooling pipe with an electron microscope and analysis of the components by gas chromatography.
14 shows images before and after cleaning the contaminated valve with the cleaning composition of Example 1.
15 shows an image after washing the contaminated valve with the cleaning composition of Comparative Example 2-2.
이하 본 발명에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 우선, 도면들 중, 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의하여야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, it should be noted that in the drawings, the same components or parts represent the same reference numerals as possible. In describing the present invention, detailed descriptions of related known functions or configurations are omitted so as not to obscure the subject matter of the present invention.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 약, 실질적으로 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.The terms about, substantially, etc. of the degree used in the present specification are used at or close to the numerical value when manufacturing and material tolerances specific to the stated meaning are presented, and are accurate to aid understanding of the present invention. Absolute numbers are used to prevent unfair use of the stated disclosure by unscrupulous infringers.
이하, 도 1을 참조하며 반도체 제조 장치의 냉각 배관의 세정방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of cleaning a cooling pipe of a semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법을 순서도로 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마개를 나타낸 것이다.1 is a flow chart showing a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a stopper according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법은, 다수 개의 통공이 형성된 마개(100)를 냉각 배관(1) 일측에 장착하는 단계(S10), 상기 냉각 배관(1)의 타측에 오토 클리어(미도시)를 연결하는 단계(S20), 그리고 상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30)를 포함한다.In the cleaning method of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, the step of mounting a
상기 다수 개의 통공이 형성된 마개(100)를 냉각 배관(1) 일측에 장착하는 단계(S10)는 냉각 배관을 세척하기 위한 준비단계이다.The step (S10) of mounting the
상기 마개(100)는 다수 개의 통공이 형성되어 상기 냉각 배관(1)의 일측을 덮는 덮개부(110), 상기 덮개부(110)의 가장자리로부터 연장되고 상기 냉각 배관(1)의 측면을 둘러싸도록 결합되는 러버부(120)를 포함한다.The
상기 덮개부(110)와 러버부(120)의 결합은 그 방법을 제한하지 않으나, 접착제 또는 열 접착방법으로 결합될 수 있다.The coupling of the
상기 덮개부(110)는 Mesh 망으로 형성될 수 있으며, Mesh의 입도는 제한하지 않으며, 세정시 세정용 조성물의 흐름을 늦출 수 있는 입도가 바람직하다.The
상기 Mesh의 입도가 작을수록 세정용 조성물의 흐름을 늦추어 세정 효과를 극대화시킬 수 있으며, 세정용 조성물의 투입량이 절약되어 경제적인 효과가 있다.The smaller the particle size of the mesh, the slower the flow of the cleaning composition can maximize the cleaning effect, and the input amount of the cleaning composition is saved, resulting in an economical effect.
다만, Mesh의 입도가 너무 작을 경우 세정용 조성물이 외부로 배출되지 않으므로, 적절하게 조절하는 것이 바람직하다.However, if the mesh particle size is too small, since the cleaning composition is not discharged to the outside, it is desirable to appropriately control it.
또한, Mesh의 입도가 너무 크면 냉각 배관(1)이 세척되지 않고 배출되는 세정용 조성물의 양이 증가하여 경제적으로 바람직하지 못할 뿐만아니라 세정효과도 저하될 수 있다.In addition, if the mesh particle size is too large, the
또한, 상기 러버부(120)의 러버 재질은 마찰력이 큰 것이라면 제한하지 않는다.In addition, the rubber material of the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정부재를 나타낸 것이다.3 shows a fixing member according to an embodiment of the present invention.
상기 냉각 배관(1)의 타측으로 공급되는 세정 조성물에 의해 상기 마개(100)가 상기 냉각 배관(1)으로부터 탈거되지 않도록, 상기 러버부(120)를 상기 냉각 배관(1)의 측면에 압착시키는 고정부재(200)를 더 포함할 수 있다.The
도 3 그리고 도 5를 참조하면 상기 고정부재(200)는 냉각 배관(1)을 덮는 러버부(120) 위치에 장착될 수 있다.3 and 5, the
상기 고정부재는 고정링(210), 볼트(220), 그리고 너트(230)로 구성되며, 상기 고정링(210)은 일측과 타단 하나 이상의 통공이 형성되어 볼트(220)와 너트(230)로 결합될 수 있으며, 상기 고정링(210)의 재질은 철, 알루미늄 및 고분자 수지 등 그 종류를 제한하지 않는다.The fixing member is composed of a
상기 고정부재(200)를 구성하는 고정링(210), 볼트(220), 및 너트(230)의 형태는 본 발명의 일 실시예이며 그 형태와 크기는 냉각 배관(1)에 따라 변형될 수 있다. The shape of the fixing
다음으로, 상기 냉각 배관(1)의 타측에 오토 클리어를 연결하는 단계(S20)이다.Next, it is a step (S20) of connecting the auto clear to the other side of the cooling pipe (1).
상기 오토 클리어는 종래의 공지된 기술임으로 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.Since the auto clear is a conventionally known technique, a description thereof will be omitted.
마지막으로, 상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30)이다.Finally, it is a step (S30) of injecting and washing the cleaning composition into the auto clear.
상기 세정용 조성물의 투입량은 냉각 배관(1)의 크기, 길이, 그리고 냉각 배관(1)의 오염도에 따라 조절될 수 있다.The input amount of the cleaning composition may be adjusted according to the size and length of the
상기 세정용 조성물은, 인산, 계면활성제, 소포제, 그리고 탈이온수를 포함하고, 상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖이고, 상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖이고, 상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖일 수 있다.The cleaning composition includes phosphoric acid, a surfactant, an antifoaming agent, and deionized water, and the phosphoric acid has a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml with respect to the deionized water, and the surfactant has a concentration of 0.03 with respect to the deionized water. ~0.06 cc/ml, and the antifoaming agent may have a concentration of 0.01 ~ 0.03 cc/ml in the deionized water.
상기 탈이온수는 이온 교환 수지를 통해 용해되어 있는 이온을 모두 제거한 물을 의미한다.The deionized water refers to water from which all dissolved ions have been removed through an ion exchange resin.
상기 탈이온수 대신 물, 증류수 등을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 탈이온수를 사용할 수 있다.Water, distilled water, etc. may be used instead of the deionized water, but deionized water may be preferably used.
또한, 지하수 등과 같은 불순물이 포함된 것은 세정 조성물의 세정력을 저하시킬 수 있어 사용하지 않는 것이 바람직하다.In addition, those containing impurities such as groundwater may lower the cleaning power of the cleaning composition, so it is preferable not to use them.
상기 세정용 조성물은 냉각 배관(1)에 고착화된 스케일, 슬러지, 슬라임을 제거할 수 있다.The cleaning composition may remove scale, sludge, and slime adhered to the
상기 세정용 조성물의 상기 인산은 오염물질을 제거하는 주원료이다. 또한, 상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖일 수 있다.The phosphoric acid of the cleaning composition is a main raw material for removing contaminants. In addition, the phosphoric acid may have a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml in the deionized water.
상기 인산의 함량이 0.5 g/㎖ 미만이면, 세정능력이 현저히 저하되고, 세정시간이 지연되어 생산성이 저하되는 문제점이 있고, 0.6 g/㎖를 초과하면 세정 능력은 향상되는 장점이 있으나, 세정 시 냉각 배관에 손상을 야기할 수 있는 문제점이 있어, 상기한 범위가 바람직하다.If the phosphoric acid content is less than 0.5 g/ml, there is a problem in that the cleaning ability is significantly lowered and the cleaning time is delayed, resulting in a decrease in productivity, and when it exceeds 0.6 g/ml, the cleaning ability is improved. There is a problem that may cause damage to the cooling pipe, and the above range is preferable.
또한, 상기 인산은 30~45 %의 인산 수용액을 사용할 수 있으며, 이러한 농도의 인산 수용액은 당해 기술분야에서 통상의 기술을 갖는 자에게는 상업적으로 공급되는 것을 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것일 수 있다.In addition, the phosphoric acid may be a 30 to 45% phosphoric acid aqueous solution, and the phosphoric acid aqueous solution of this concentration may be known enough to be able to purchase and use commercially supplied ones to those having ordinary skill in the art. .
상기 인산은 금속 표면의 불순물 입자의 흡착 또는 부가를 감소시키는 기능을 한다.The phosphoric acid functions to reduce adsorption or addition of impurity particles on the metal surface.
상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖일 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.03~0.06 cc/㎖일 수 있다.The surfactant may have a concentration of 0.03 to 0.06 cc/ml in the deionized water, more preferably 0.03 to 0.06 cc/ml.
상기 계면활성제의 함량이 0.03 cc/㎖ 미만이면 세정력이 저하되는 문제점이 있고, 0.06 cc/㎖를 초과하면 기포가 다량 발생하여 미관이 떨어지고 세정용 조성물을 회수하는 작업에 문제점이 있어 상기한 범위가 바람직하다.If the content of the surfactant is less than 0.03 cc/ml, there is a problem that the cleaning power is lowered, and if it exceeds 0.06 cc/ml, a large amount of bubbles is generated and the appearance is deteriorated, and there is a problem in the operation of recovering the cleaning composition. desirable.
상기 세정용 조성물의 계면활성제는 오염물질의 재접착을 방지하며, 오염물질의 표면장력을 저하시켜 세정용 조성물의 세정력을 향상시키는 기능을 한다.The surfactant of the cleaning composition functions to prevent re-adhesion of contaminants and to improve the cleaning power of the cleaning composition by lowering the surface tension of the contaminant.
이러한 계면활성제는 인산에 견딜 수 있고 상용성이 있는 것을 사용하는 것이 좋으며, 일예로 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성, 또는 비이온성 계면활성제일 수 있으며, 보다 바람직하게는 비이온성 계면활성제일 수 있다.It is recommended to use such a surfactant that can withstand phosphoric acid and is compatible. For example, it may be anionic, cationic, amphoteric, or nonionic surfactant, and more preferably, a nonionic surfactant. have.
상기 계면활성제 역시 상업적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도임은 자명한 것이다. It is obvious that the surfactant can also be purchased and used commercially.
상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖일 수 있다.The antifoaming agent may have a concentration of 0.01 to 0.03 cc/ml for the deionized water.
상기 소포제의 함량이 0.01 cc/㎖ 미만이면 기포 발생 억제능이 저하되고, 분산효과가 저하될 수 있으며, 0.03 cc/㎖를 초과하면 사용량에 따른 효과가 미미하여 비경제적이다.If the content of the antifoaming agent is less than 0.01 cc/ml, the ability to suppress bubble generation is lowered and the dispersion effect may be lowered. If it exceeds 0.03 cc/ml, the effect according to the amount of use is insignificant, which is uneconomical.
상기 소포제는 실리콘 오일 또는 실리콘 중합체일 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 오일일 수 있다.The antifoaming agent may be a silicone oil or a silicone polymer, and preferably a silicone oil.
상기 세정용 조성물은 색감을 부여하기 위하여 수성잉크를 더 포함할 수 있으며, 그 종류는 제한하지 않는다.The cleaning composition may further include an aqueous ink to impart color, and the type is not limited.
상기 세정용 조성물은 부식방지제를 더 포함할 수 있으며, 상기 부식방지제는 탈이온수 100 중량부 기준으로 0.1~3 중량부를 포함할 수 있다.The cleaning composition may further include a corrosion inhibitor, and the corrosion inhibitor may include 0.1 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of deionized water.
상기 부식방지제의 함량이 0.1 중량부 미만이면 부식방지 효과가 미미하고, 3 중량부를 초과하면 세정력을 저하시켜 제품의 충분한 세정이 이루어지지 않는 문제점이 있어 상기한 범위가 바람직하다.If the content of the corrosion inhibitor is less than 0.1 part by weight, the anti-corrosion effect is insignificant, and if it exceeds 3 parts by weight, there is a problem in that sufficient cleaning of the product is not achieved by lowering the cleaning power, so the above range is preferable.
상기 부식방지제는 냉각 배관의 표면이 상기 세정용 조성물에 의해서 부식 또는 과반응으로 손상되는 것을 방지하는 기능을 한다.The corrosion inhibitor functions to prevent the surface of the cooling pipe from being damaged by corrosion or overreaction by the cleaning composition.
상기 부식방지제는 트리아졸계 화합물, 피리딘계 화합물 또는 유기고리형 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 트리아졸계 화합물일 수 있다.The corrosion inhibitor may be a triazole-based compound, a pyridine-based compound, or an organic cyclic compound, preferably a triazole-based compound.
상기 냉각 배관(1) 내에 세정용 조성물의 투입은 오토 클리어에 의해 수행되며, 상기 오토 클리어 외에 수격파 세정기를 이용하여 수행될 수도 있다.The injection of the cleaning composition into the
도 6은 수격파 세정기의 조작부 표시도를 나타낸 것이다. 도 7은 수격파 세적기의 조직부 키별 기능표를 나타낸 것이다. 도 8은 종래의 수격파 세정기를 나타낸 것이다.6 is a view showing the operation part of the water breaking wave scrubber. 7 shows a function table for each organizational key of the water breaking wave washing machine. 8 shows a conventional water breaking wave scrubber.
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30)는 50~80 분 동안 수행되며, 상기 세정용 조성물은 분당 2~3 회 공급되고, 1 회 공급량은 1~1.5 ℓ일 수 있으며, 1 ~ 3 회 반복하여 수행될 수 있다.Injecting the cleaning composition into the auto clear and washing (S30) is performed for 50 to 80 minutes, the cleaning composition is supplied 2 to 3 times per minute, and the amount of one supply may be 1 to 1.5 ℓ, It can be performed by repeating 1 to 3 times.
도 9는 냉각 배관의 세정한 전후 이미지를 나타낸 것이다.9 shows an image before and after washing the cooling pipe.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법을 이용함으로써, 배관 내의 오염물질을 완전히 제거할 수 있는 것을 확인할 수 있었으며, 특히 냉각 배관(1) 내에 고착화된 Cu, C, Fe, Ni, O 등을 완전히 제거할 수 있는 효과가 있다.By using the cleaning method of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, it was confirmed that contaminants in the pipe can be completely removed. In particular, Cu, C, Fe, Ni, which are fixed in the
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30) 후 탈이온수를 투입하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of adding the cleaning composition to the auto clear and washing (S30), the step of adding deionized water may be further included.
상기 탈이온수를 더 투입하는 단계는 냉각 배관(1) 내에 세정용 조성물 및 이물질 등을 완전히 제거하기 위함이다.The step of further adding the deionized water is to completely remove the cleaning composition and foreign matters in the
또한, 상기 탈이온수를 투입하여 세정용 조성물 및 이물질을 완전히 제거한 후 pH를 측정하고 중성이 되었을 때 세정을 완료할 수 있다.In addition, after the deionized water is added to completely remove the cleaning composition and foreign matter, the pH is measured, and when it becomes neutral, cleaning can be completed.
상기 오토 클리어에 상기 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30) 후, 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of adding the cleaning composition to the auto clear and washing (S30), the step of recovering the cleaning composition may be further included.
상기 세정용 조성물을 회수하는 단계는 냉각 배관(1) 타단으로 배출된 세정용 조성물을 회수하는 단계이다.The step of recovering the cleaning composition is a step of recovering the cleaning composition discharged to the other end of the cooling pipe (1).
여기서, 상기 냉각 배관(1)을 세정한 세정용 조성물은 폐수라 칭한다.Here, the cleaning composition for washing the
상기 오토 클리어에 상기 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계(S30) 후 폐수를 회수하고 후처리 공정을 통해 폐수를 재사용할 수 있어, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.After the step of injecting and washing the cleaning composition into the auto clear (S30), wastewater can be recovered and the wastewater can be reused through a post-treatment process, thereby reducing cost.
또한, 사용된 폐수를 외부로 배출시키지 않아 환경친화적인 장점이 있다.In addition, there is an environmentally friendly advantage as it does not discharge used wastewater to the outside.
여기서, 상기 후처리 공정이란 폐수를 필터링하여 오염물질을 제거하는 공정을 의미한다.Here, the post-treatment process refers to a process of removing pollutants by filtering wastewater.
상기 폐수를 필터링하는 방법은 오염물질(스케일)을 침전시키고 필터(메쉬망)를 이용하여 오염물질(스케일)을 제거하는 것이다.The method of filtering the wastewater is to precipitate pollutants (scale) and remove pollutants (scale) using a filter (mesh net).
상기 필터는 오염물질의 입자의 크기에 따라 필터의 종류를 달리하여 선택할 수 있으며, 그 종류를 제한하지 않는다.The filter may be selected by varying the type of filter according to the size of the pollutant particles, and the type is not limited.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정방법을 순서도로 나타낸 것이다.10 is a flowchart illustrating a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조용 장치에 포함된 밸브 세정방법은, (a) 반도체 제조용 장치에 포함된 밸브를 분해하는 단계(S100), (b) 세정용 조성물과 상기 (a) 단계(S100)의 분해된 밸브를 초음파 세정기에 투입하여 세정하는 단계(S200), (c) 상기 (b) 단계(S200)의 세정된 밸브를 플러싱(Flushing)하는 단계(S300), 그리고 (d) 상기 (c) 단계(S300)의 플러싱된 밸브를 조립하는 단계(S400)를 포함한다.A valve cleaning method included in an apparatus for manufacturing a semiconductor according to another embodiment of the present invention includes the steps of (a) disassembling a valve included in the apparatus for manufacturing a semiconductor (S100), (b) a cleaning composition and the (a) step ( Injecting the disassembled valve of S100) into an ultrasonic cleaner and cleaning (S200), (c) flushing the cleaned valve of the (b) step (S200) (S300), and (d) the (c) assembling the flushed valve of step S300 (S400).
상기 (a) 단계(S100)는 반도체 제조용 장치에 포함된 밸브를 분해하는 단계이며, 오염된 밸브의 세정을 위해 준비하는 단계이다.Step (a) (S100) is a step of disassembling the valve included in the semiconductor manufacturing apparatus, and is a step of preparing for cleaning the contaminated valve.
상기 (a) 단계(S100)는 오염된 밸브의 완벽한 세정을 위한 것이며, 수작업으로 진행될 수 있다.The step (a) (S100) is for complete cleaning of the contaminated valve, and may be performed manually.
상기 (b) 단계(S200)는 오염된 밸브를 세정하는 단계이며, 구체적으로 상기 세정용 조성물과 상기 (a) 단계(S100)의 분해된 밸브를 초음파 세정기에 투입하여 세정하는 단계이다.The step (b) (S200) is a step of cleaning the contaminated valve, and specifically, the cleaning composition and the disassembled valve of the step (a) (S100) are added to an ultrasonic cleaner to clean it.
상기 (b) 단계(S200)의 상기 세정용 조성물은 앞서 설명하였기에 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.Since the cleaning composition in step (b) (S200) has been described above, a description thereof will be omitted.
상기 (b) 단계(S200)는 180~200 W 출력에서 27.0~28.0 KHz 진동주파수로 1~2 시간 동안 수행될 수 있다.The (b) step (S200) may be performed for 1 to 2 hours at a vibration frequency of 27.0 to 28.0 KHz at 180 to 200 W output.
여기서, 상기 초음파 세정기는 통상의 기술자가 상업적으로 공급되는 것을 구입하여 사용할 수 있는 것으로 이에 대한 설명은 생략한다.Here, the ultrasonic cleaner can be purchased and used commercially by a person skilled in the art, and a description thereof will be omitted.
상기 (b) 단계(S200) 후 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계는 밸브의 세정이 완료된 폐수를 회수하는 단계이다.It may further include the step of recovering the cleaning composition after the (b) step (S200). That is, the step of recovering the cleaning composition is a step of recovering the wastewater from which the valve has been cleaned.
상기 (b) 단계(S200) 후 폐수를 회수하고 후처리 공정을 통해 폐수를 재사용할 수 있어, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.After the (b) step (S200), the wastewater can be recovered and the wastewater can be reused through a post-treatment process, thereby reducing cost.
또한, 사용된 폐수를 외부로 배출시키지 않아 환경친화적인 장점이 있다.In addition, there is an environmentally friendly advantage as it does not discharge used wastewater to the outside.
여기서, 상기 후처리 공정은 밸브의 세정이 완료된 폐수를 필터링하여 오염물질을 제거하는 공정을 의미한다.Here, the post-treatment process refers to a process of removing contaminants by filtering wastewater from which the valve has been cleaned.
상기 폐수를 필터링하는 방법은 화학적 물질을 첨가하여 오염물질을 침전시키고 필터를 이용하여 오염물질을 제거하는 것이다.The method of filtering the wastewater is to precipitate pollutants by adding chemical substances and remove pollutants using a filter.
상기 필터는 오염물질의 입자의 크기에 따라 필터의 종류를 달리하여 선택할 수 있으며, 그 종류를 제한하지 않는다.The filter may be selected by varying the type of filter according to the size of the pollutant particles, and the type is not limited.
상기 폐수를 회수한 후 상기 밸브를 증류수에 2~3 시간 동안 침지하는 단계를 더 포함할 수 있다.After recovering the wastewater, it may further include immersing the valve in distilled water for 2 to 3 hours.
상기 밸브를 증류수에 침지하는 이유는 상기 세정용 조성물을 완전히 제거하기 위함이며, 상기 세정용 조성물이 밸브에 잔류하는 경우 밸브 표면의 손상을 초래할 수 있기 때문이다.The reason for immersing the valve in distilled water is to completely remove the cleaning composition, and if the cleaning composition remains on the valve, it may cause damage to the valve surface.
여기서, 상기 증류수는 밸브가 모두 침지될 정도의 양을 사용할 수 있으며, 이를 제한하지 않는다.Here, the distilled water may be used in an amount such that all valves are immersed, and this is not limited.
상기 (c) 단계(S300)는 상기 (b) 단계(S200)의 세정된 밸브를 플러싱(Flushing)하는 단계이다.The step (c) (S300) is a step of flushing the cleaned valve of the step (b) (S200).
상기 (c) 단계(S300)는 세정된 밸브에 남아있는 불순물과 수분을 제거하기 위해 수행된다.The step (c) (S300) is performed to remove impurities and moisture remaining in the cleaned valve.
또한, 상기 (c) 단계(S300)는 상기 (b) 단계(S200)의 세정된 밸브를 제1 차 플러싱하는 과정과, 에탄올 세정하는 과정과, 제2 차 플러싱하는 과정을 포함할 수 있다.In addition, the (c) step (S300) may include a first flushing of the cleaned valve of the (b) step (S200), an ethanol washing, and a second flushing.
상기 제1 차 플러싱 하는 과정은 10~20 분 동안 수행되며, 수분을 완전히 제거하기 위해 수행된다.The first flushing process is performed for 10 to 20 minutes, and is performed to completely remove moisture.
상기 에탄올 세정하는 과정은 5~10 분 동안 수행되며, 상기 밸브를 에탄올에 침지하여 오염물질을 완전히 제거하기 위해 수행된다.The ethanol washing process is performed for 5 to 10 minutes, and the valve is immersed in ethanol to completely remove contaminants.
상기 제2차 플러싱 하는 과정은 10~20 분 동안 수행되며, 에탄올을 완전히 제거하기 위하여 수행된다.The second flushing process is performed for 10 to 20 minutes, and is performed to completely remove ethanol.
상기 (c) 단계(S300) 후 80~100 ℃의 오븐에서 8~12 시간 동안 플러싱된 밸브를 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.It may further include drying the flushed valve for 8 to 12 hours in an oven at 80 to 100° C. after step (c) (S300).
상기 건조온도가 80 ℃ 미만이면 건조가 완벽히 이루어지지 않아 오랜 시간 건조해야 하는 문제점이 있고, 상기 건조온도가 100 ℃를 초과하면 건조되는 반도체 제조용 장치에 물리적 손상을 입힐 수 있어 상기한 범위가 바람직하다.If the drying temperature is less than 80° C., drying is not performed completely and there is a problem that it must be dried for a long time. If the drying temperature exceeds 100° C., physical damage to the device for manufacturing a semiconductor to be dried may be caused, so the above range is preferable. .
상기 건조온도가 8 시간 미만일 경우에도 건조가 완벽히 이루어지지 않는 문제점이 있으며, 12 시간을 초과하면 경제적으로 바람직하지 못하다.Even if the drying temperature is less than 8 hours, there is a problem in that drying is not performed completely, and if it exceeds 12 hours, it is not economically desirable.
상기 (d) 단계(S400)는 상기 (c) 단계(S300)의 플러싱된 밸브를 조립하는 단계이다. 상기 (d) 단계(S400)는 세정이 완료된 밸브를 재조립하는 단계로서 이에 대한 설명은 생략한다.The step (d) (S400) is a step of assembling the flushed valve of the step (c) (S300). The step (d) (S400) is a step of re-assembling the valve that has been cleaned, and a description thereof will be omitted.
또한, 상기 세정이 완료된 밸브를 테스트하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이는 통상의 기술자가 행할 수 있는 것으로 이에 대한 설명은 생략한다.In addition, the step of testing the valve on which the cleaning has been completed may be further included, which may be performed by a person skilled in the art, and a description thereof will be omitted.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 보다 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples. However, the following examples are merely illustrative of the present invention, and the contents of the present invention are not limited to the following examples.
실시예 1Example 1
먼저, 탈이온수를 30 ℃의 미온수로 만든 후 계면활성제를 투입하여 계면활성제 수용액을 제조하였다.First, deionized water was made into lukewarm water at 30° C. and then a surfactant was added to prepare an aqueous surfactant solution.
다음으로, 탈이온수 1 ℓ에 인산(H2PO4) 500 g, 계면활성제 수용액 50 cc, 소포제 20 cc, 그리고 수성잉크 10 cc를 투입하여 4 시간 동안 혼합하여 세정용 조성물을 제조하였다.Next, 500 g of phosphoric acid (H 2 PO 4 ), 50 cc of an aqueous surfactant solution, 20 cc of an antifoaming agent, and 10 cc of an aqueous ink were added to 1 L of deionized water, and mixed for 4 hours to prepare a cleaning composition.
실시예 2 및 3Examples 2 and 3
실시예 1과 동일하게 실시하되, 하기의 표 1에 표시된 함량으로 세정용 조성물을 제조하였다.It was carried out in the same manner as in Example 1, to prepare a cleaning composition in the amount indicated in Table 1 below.
비교예 1Comparative Example 1
실시예 1과 동일하게 실시하되 계면활성제의 함량을 하기의 표 2에 표시된 함량으로 세정용 조성물을 제조하였다.A cleaning composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of the surfactant was shown in Table 2 below.
비교예 2Comparative Example 2
실시예 1과 동일하게 실시하되 소포제의 함량을 하기의 표 3에 표시된 함량으로 세정용 조성물을 제조하였다.In the same manner as in Example 1, a cleaning composition was prepared with the content of the antifoaming agent in the amount indicated in Table 3 below.
비교예 3Comparative Example 3
실시예 1과 동일하게 실시하되 소포제의 함량을 하기의 표 4에 표시된 함량으로 세정용 조성물을 제조하였다.In the same manner as in Example 1, a cleaning composition was prepared with the amount of the antifoaming agent shown in Table 4 below.
비교예 4Comparative Example 4
시중에 판매되는 금속 세정용 조성물을 구입하여 사용하였다.A commercially available metal cleaning composition was purchased and used.
실험예 1Experimental Example 1
실시예 1 내지 3 및 비교예 1-1 내지 비교예 4에 따라 제조된 세정용 조성물을 이용하여 냉각 배관을 세정한 후 오염물질 제거 성능을 평가하여 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.After washing the cooling pipe using the cleaning composition prepared according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1-1 to 4, the pollutant removal performance was evaluated, and the results are shown in Table 5 below.
△: 표면에 오염물질이 대부분 제거된 경우
×: 표면에 오염물질이 제거되지 않은 경우○: When contaminants have been completely removed from the surface
△: When most of the contaminants have been removed from the surface
×: When contaminants are not removed from the surface
도 11은 냉각 배관의 세정과정을 나타낸 것이고, 도 12는 실시예 1의 세정용 조성물로 쿨링라인 세정한 후 폐수를 분석한 것이며, 도 13은 냉각 배관 내부의 Scale을 전자현미경으로 촬영하고 가스 크로마토 그래피로 구성요소를 분석한 것이다.FIG. 11 shows the cleaning process of the cooling pipe, FIG. 12 is an analysis of wastewater after washing the cooling line with the cleaning composition of Example 1, and FIG. 13 is a photograph of the scale inside the cooling pipe with an electron microscope It is an analysis of the components by graphics.
상기 표 5, 도 11 내지 도 13에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1 내지 3에 따라 제조된 세정용 조성물과 마개를 이용하여 냉각 배관을 80 분 동안 세척하였을 경우 냉각 배관 내의 오염물질이 완벽히 세정되는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 비교예 1-1 내지 3-3의 세정용 조성물을 이용하여 세정하였을 경우 오염물질들이 일부 제거되는 것을 확인할 수 있었으나, 비교예 4의 경우 오염물질이 제거되지 않는 것을 확인할 수 있다.As can be seen in Table 5 and FIGS. 11 to 13, when the cooling pipe is washed for 80 minutes using the cleaning composition and the stopper prepared according to Examples 1 to 3, contaminants in the cooling pipe are completely cleaned. I can confirm. However, when cleaning using the cleaning composition of Comparative Examples 1-1 to 3-3, it was confirmed that some contaminants were removed, but in the case of Comparative Example 4, it could be confirmed that the contaminants were not removed.
실험예 2Experimental Example 2
실시예 1 및 비교예 1-1, 비교예 4의 세정용 조성물을 이용하여 마개의 유무에 따른 냉각 배관의 세정력을 분석하였다.The cleaning power of the cooling pipe according to the presence or absence of a stopper was analyzed using the cleaning compositions of Example 1 and Comparative Example 1-1 and Comparative Example 4.
30 minutes
△: 표면에 오염물질이 대부분 제거된 경우
×: 표면에 오염물질이 제거되지 않은 경우○: When contaminants have been completely removed from the surface
△: When most of the contaminants have been removed from the surface
×: When contaminants are not removed from the surface
상기 표 6에서 확인할 수 있듯이, 마개를 사용할 경우 비교예 1-1 및 비교예 4 도 대부분 오염물질을 세정하였으며, 실시예 1의 경우 완전히 세정되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 마개를 사용하지 않을 경우 같은 시간에 더 많은 세정용 조성물이 투입되었으며, 모두 완벽한 세정 역시 이루어지지 않는 것을 확인할 수 있었다.As can be seen in Table 6, when the stopper was used, most of the contaminants were washed in Comparative Examples 1-1 and 4, and in the case of Example 1, it was confirmed that they were completely cleaned. In addition, when the stopper was not used, more cleaning composition was added at the same time, and it was confirmed that not all of the cleaning composition was performed completely.
실험예 3Experimental Example 3
실시예 1 내지 3 및 비교예 1-1 내지 비교예 3-2에 따라 제조된 세정용 조성물을 이용하여 오염된 밸브를 초음파 세정기로 세정한 후 오염물질 제거 성능을 평가하여 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.After cleaning the contaminated valve with an ultrasonic cleaner using the cleaning composition prepared according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1-1 to 3-2, the pollutant removal performance was evaluated, and the results are shown in the following table. It is shown in 5.
여기서, 초음파 세정은 180 W 출력, 27.0 KHz 진동주파수로 30 ~ 120 분 동안 진행하였다.Here, the ultrasonic cleaning was performed for 30 to 120 minutes at 180 W output and 27.0 KHz vibration frequency.
적정도Bubbles
Adequacy
△: 표면에 오염물질이 대부분 제거된 경우
×: 표면에 오염물질이 제거되지 않은 경우○: When contaminants have been completely removed from the surface
△: When most of the contaminants have been removed from the surface
×: When contaminants are not removed from the surface
분산도: 상, 중, 하로 구분하였다.Foaming appropriateness: high, medium, low
Dispersion degree: divided into upper, middle, and lower.
도 14는 오염된 밸브를 실시예 1의 세정용 조성물로 세정한 전후의 이미지를 나타낸 것이고, 도 15는 오염된 밸브를 비교예 2-2의 세정용 조성물로 세척한 후의 이미지를 나타낸 것이다.FIG. 14 shows images before and after cleaning the contaminated valve with the cleaning composition of Example 1, and FIG. 15 shows the image after cleaning the contaminated valve with the cleaning composition of Comparative Example 2-2.
상기의 표 7 및 도 14, 15에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1 내지 3의 세정용 조성물은 거품발생 적정도와 분산도가 우수하며, 60 분 이상 세척한 밸브는 오염물질이 완벽히 세정되는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 비교예 1-1은 계면활성제의 양이 적어 거품 발생 적정도가 낮고, 세정력이 떨어지는 것을 확인할 수 있으며, 비교예 1-2는 계면활성제의 양이 충분하여 세정력에는 영향을 미치지 않으나, 거품이 많이 발생하여 문제점이 있었다. 비교예 2-1 내지 3-2는 세정력이 저하되어 장시간 세정해야하는 문제점이 있는 것을 확인할 수 있다.As can be seen in Table 7 and FIGS. 14 and 15 above, the cleaning compositions of Examples 1 to 3 have excellent foaming suitability and dispersion, and it can be confirmed that the valves washed for more than 60 minutes completely clean the contaminants. have. However, in Comparative Example 1-1, due to the small amount of surfactant, it can be confirmed that the foam generation suitability is low, and the cleaning power is poor, and in Comparative Example 1-2, the amount of surfactant is sufficient, so that the cleaning power is not affected. There was a problem because of this a lot. In Comparative Examples 2-1 to 3-2, it can be confirmed that there is a problem in that the cleaning power is lowered and the cleaning is required for a long time.
또한, 비교예 1-1 및 3-3의 경우 계면활성제 및 소포제의 함량에 따라 거품발생과 분산력의 차이가 있는 것을 확인할 수 있다.In addition, in the case of Comparative Examples 1-1 and 3-3, it can be seen that there is a difference in foaming and dispersing power according to the contents of the surfactant and the antifoaming agent.
본 발명에 따른 세정용 조성물을 이용하면 보다 우수한 세정효과를 제공할 수 있으며, 보다 빠른 시간에 밸브를 세정할 수 있어 경제적인 효과가 있다.If the cleaning composition according to the present invention is used, it is possible to provide a better cleaning effect, and to clean the valve in a faster time, thereby having an economical effect.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted by the appended claims. In addition, those who have acquired ordinary knowledge in this technical field should understand that many modifications and variations can be made without departing from the scope of the present invention.
S10: 마개를 장착 단계 S20: 오토 클리어 연결 단계
S30: 세척 단계
1: 냉각 배관 100: 마개
110: 덮개부 120: 러버부
200: 고정부재 210: 고정링
220: 볼트 230: 너트S10: Plugging step S20: Auto clear connection step
S30: washing step
1: cooling piping 100: plug
110: cover portion 120: rubber portion
200: fixing member 210: fixing ring
220: bolt 230: nut
Claims (11)
다수 개의 통공이 형성된 마개를 냉각 배관 일측에 장착하는 단계,
상기 냉각 배관의 타측으로 오토 클리어를 연결하는 단계, 그리고
상기 오토 클리어에 상기 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계를 포함하며,
상기 세정용 조성물은,
인산, 계면활성제, 소포제, 그리고 탈이온수를 포함하고,
상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖이고, 상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖이고, 상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖인,
반도체 제조 장치의 세정방법.By using a cleaning composition containing phosphoric acid,
Mounting a stopper having a plurality of through holes on one side of the cooling pipe,
Connecting auto clear to the other side of the cooling pipe, and
Including the step of injecting and washing the cleaning composition in the auto clear,
The cleaning composition,
Including phosphoric acid, surfactant, antifoam, and deionized water,
The phosphoric acid has a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml in the deionized water, the surfactant has a concentration of 0.03 to 0.06 cc/ml in the deionized water, and the antifoaming agent has a concentration of 0.01 to 0.03 in the deionized water. cc/ml,
A method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus.
상기 마개는,
다수 개의 통공이 형성되어 상기 냉각 배관의 일측을 덮는 덮개부,
상기 덮개부의 가장자리로부터 연장되고 상기 냉각 배관의 측면을 둘러싸도록 결합되는 러버부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In claim 1,
The stopper,
A cover portion formed with a plurality of through holes to cover one side of the cooling pipe,
And a rubber portion extending from an edge of the cover portion and coupled to surround a side surface of the cooling pipe.
상기 냉각 배관의 타측으로 공급되는 세정용 조성물의 중량에 의해 상기 마개가 상기 냉각 배관으로부터 탈거되지 않도록, 상기 러버부를 상기 냉각 배관의 측면에 압착시키는 고정부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In paragraph 2,
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a fixing member for compressing the rubber part to a side surface of the cooling pipe so that the stopper is not removed from the cooling pipe by the weight of the cleaning composition supplied to the other side of the cooling pipe. Cleaning method.
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계는 50~80 분 동안 수행되며, 상기 세정용 조성물은 분당 2~3 회 공급되고, 1 회 공급량은 1~1.5 ℓ인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In claim 1,
The step of injecting and washing the cleaning composition into the auto clear is carried out for 50 to 80 minutes, and the cleaning composition is supplied 2-3 times per minute, and the amount of one supply is 1 to 1.5 ℓ. How to clean the device.
상기 오토 클리어에 세정용 조성물을 투입하고 세척하는 단계 후, 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In claim 1,
After the step of injecting and washing the cleaning composition into the auto clear, the cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus, comprising the step of recovering the cleaning composition.
(a) 반도체 제조용 장치에 포함된 밸브를 분해하는 단계,
(b) 상기 세정용 조성물과 상기 (a) 단계의 분해된 밸브를 초음파 세정기에 투입하여 세정하는 단계,
(c) 상기 (b) 단계의 세정된 밸브를 플러싱(Flushing)하는 단계, 그리고
(d) 상기 (c) 단계의 플러싱된 밸브를 조립하는 단계를 포함하며,
상기 (b) 단계의 세정용 조성물은,
인산, 계면활성제, 소포제, 그리고 탈이온수를 포함하고,
상기 인산은 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.5~0.6 g/㎖이고, 상기 계면활성제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.03~0.06 cc/㎖이고, 상기 소포제는 상기 탈이온수에 대한 농도가 0.01~0.03 cc/㎖인,
반도체 제조 장치의 세정방법.By using a cleaning composition containing phosphoric acid,
(a) disassembling the valve included in the semiconductor manufacturing apparatus,
(b) introducing the cleaning composition and the disassembled valve of step (a) into an ultrasonic cleaner for cleaning,
(c) flushing the cleaned valve of step (b), and
(d) assembling the flushed valve of step (c),
The cleaning composition of step (b),
Including phosphoric acid, surfactant, antifoam, and deionized water,
The phosphoric acid has a concentration of 0.5 to 0.6 g/ml in the deionized water, the surfactant has a concentration of 0.03 to 0.06 cc/ml in the deionized water, and the antifoaming agent has a concentration of 0.01 to 0.03 in the deionized water. cc/ml,
A method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus.
상기 (b) 단계는,
180~200 W 출력에서 27.0~28.0 KHz 진동주파수로 1~2 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In clause 7,
The step (b),
Cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that performed for 1 to 2 hours at a vibration frequency of 27.0 to 28.0 KHz at 180 to 200 W output.
상기 (b) 단계는 15~20 ℃의 온도에서 수행되며,
상기 (b) 단계 후 상기 세정용 조성물을 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In clause 7,
Step (b) is carried out at a temperature of 15 ~ 20 ℃,
The cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus, further comprising the step of recovering the cleaning composition after step (b).
상기 (c) 단계 후 80~100 ℃의 오븐에서 8~12 시간 동안 플러싱된 밸브를 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 세정방법.In clause 7,
The cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus, further comprising drying the flushed valve for 8 to 12 hours in an oven at 80 to 100° C. after step (c).
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|---|---|---|---|
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10299998A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Murata Trading:Kk | Cleaning method of machine having communication pipeline |
| KR20100011739A (en) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 진아다크로 주식회사 | Apparatus for eliminating rust in passage of cooling structure body in the metal mold and method for eliminating rust |
| KR20160126624A (en) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | 한국생산기술연구원 | Apparatus and Method for anticorrosing of Mold Cooling Channel |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10299998A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Murata Trading:Kk | Cleaning method of machine having communication pipeline |
| KR20100011739A (en) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 진아다크로 주식회사 | Apparatus for eliminating rust in passage of cooling structure body in the metal mold and method for eliminating rust |
| KR20160126624A (en) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | 한국생산기술연구원 | Apparatus and Method for anticorrosing of Mold Cooling Channel |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |