KR102144873B1

KR102144873B1 - method for transferring a graphene layer, manufacturing method of the organic light emitting device using the same and display manufacturing method

Info

Publication number: KR102144873B1
Application number: KR1020140168475A
Authority: KR
Inventors: 임종태; 이현구; 이정익; 추혜용; 권병화; 문제현; 김주연; 유병곤; 한준한
Original assignee: 한국전자통신연구원
Priority date: 2014-11-28
Filing date: 2014-11-28
Publication date: 2020-08-18
Also published as: KR20160065294A

Abstract

본 발명은 그래핀 층의 전사방법, 그를 이용한 유기발광소자의 제조방법 및 표시장치의 제조방법을 개시한다. 그의 전사방법은, 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계와, 상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계와, 상기 점착 층 상에 복수개의 그래핀 층들을 전사하는 단계를 포함한다.The present invention discloses a method for transferring a graphene layer, a method for manufacturing an organic light emitting device using the same, and a method for manufacturing a display device. The transfer method includes the steps of forming a self-assembled single molecule layer on a first substrate, forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled single molecule layer, and the first substrate and the self-assembled end molecule And exposing the adhesive layer by removing the layer, and transferring a plurality of graphene layers onto the adhesive layer.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Method for transferring a graphene layer, manufacturing method of the organic light emitting device using the same and display manufacturing method.

본 발명은 기판제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 그래핀의 전사방법, 그를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법 및 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a substrate, and more particularly, to a method for transferring graphene, a method for manufacturing an organic light emitting device using the same, and a method for manufacturing a display device.

최근 늘어난 평탄 디스플레이에 대한 소비자의 수요 및 시장확대에 기반해서 투명전극 시장이 급격히 성장할 것으로 예상된다. 투명전극은 디스플레이, 터치스크린, 태양전지 등을 포함하는 광소자, 전자소자 등에 가장 필수적인 부품이다.The transparent electrode market is expected to grow rapidly based on consumer demand and market expansion for flat displays. Transparent electrodes are the most essential components for optical devices and electronic devices including displays, touch screens, and solar cells.

이러한 광 소자 중에서 투명 유기 발광 소자를 구성하는 상부 투명 전극을 구성하는 층으로 반투명 금속전극(semi-transparent metal electrodes: STMEs), 투명 전도성 산화물(transparent conducting electrodes: TCOs), 그래핀(graphene), 금속 나노와이어(metal nanowires, MNWs), 카본나노튜브(carbon nanotubes: CNTs), 피닷:피에스에스(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystylene sulfonate: PEDOT:PSS) 등이 활발히 연구되어 왔다.Among these optical devices, semi-transparent metal electrodes (STMEs), transparent conducting electrodes (TCOs), graphene, and metals are layers constituting the upper transparent electrode constituting the transparent organic light emitting device. Nanowires (MNWs), carbon nanotubes (CNTs), poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystylene sulfonate: PEDOT:PSS, etc. have been actively studied.

기존에 투명 OLED 구조에서 흔하게 사용되는 알루미늄, 은, 마그네슘 같은 금속으로 구성되는 STMEs는 높은 반사도와 낮은 투과도의 문제점을 가질 수 있다. 광소자의 전극들 사이에 높은 반사도가 높으면, 다중빔 간섭효과(multi-beam interference effect)에 의해 스펙트럼의 기본라인을 상승시키고, 잡음피크가 발생할 수 있다. 또한, 발광스펙트럼에서 중심파장이 이동될 수 있다. 또한, 소자 내부에서 발생된 빛은 금속 전극 표면의 높은 플라즈몬 폴라리톤 모드에 의해서 금속 표면을 따라 진행하면서 손실될 수 있다.STMEs composed of metals such as aluminum, silver, and magnesium, which are commonly used in transparent OLED structures, may have problems of high reflectivity and low transmittance. If high reflectivity between the electrodes of the optical device is high, the basic line of the spectrum may be raised due to a multi-beam interference effect, and a noise peak may occur. In addition, the central wavelength may be shifted in the emission spectrum. In addition, light generated inside the device may be lost while traveling along the metal surface due to the high plasmon polariton mode on the surface of the metal electrode.

TCOs, 그래핀, AgMWs, CNTs, PEDOT:PSS 등은 저반사도/고투과도를 가지기 때문에 STMEs의 단점을 해결할 대체 전극이 될 수 있다. 최근에 OLED를 구성하는 상부 전극 층으로 ITO(tin-doped indium oxide)와 IZO (zinc-doped indium oxide)와 같은 TCOs 형성 기술이 제안되고 있다. 그러나 플라즈마 공정 동안에 발생된 높은 에너지를 가진 중성종, 이온 종, 전자 등에 의해, 소자의 하부 층에 형성된 유기물 층들을 심각하게 손상을 받는다. 또한 TCO는 장시간의 증착 공정시간을 소요한다. 무엇보다도 인듐을 가진 TCOs는 고가이고 잘 깨지기 때문에 유연 투명 OLED에 응용하는데 큰 제약이 있다. AgNWs, CNTs, PSS의 상부 전극은 제한된 용액공정, 복잡한 전사과정 등으로 다양한 공정문제를 일으킨다. 이처럼 STMEs, TCOs, AgNWs, CNTs, PEDOT:PSS는 OLED의 상부 전극에 부적합할 수 있다.TCOs, graphene, AgMWs, CNTs, PEDOT:PSS, etc. have low reflectivity/high transmittance, so they can be alternative electrodes to solve the disadvantages of STMEs. Recently, technologies for forming TCOs such as tin-doped indium oxide (ITO) and zinc-doped indium oxide (IZO) have been proposed as upper electrode layers constituting OLEDs. However, organic material layers formed on the lower layer of the device are severely damaged by neutral species, ionic species, electrons, etc. having high energy generated during the plasma process. In addition, TCO takes a long deposition process time. First of all, TCOs with indium are expensive and fragile, so there is a big limitation in application to flexible transparent OLEDs. The upper electrode of AgNWs, CNTs and PSS causes various process problems due to limited solution process and complicated transfer process. As such, STMEs, TCOs, AgNWs, CNTs, and PEDOT:PSS may be unsuitable for the upper electrode of OLED.

한편, 그래핀은 탄소 원자들이 2차원 상에서 벌집 모양의 배열을 이루면서 원자 한 층의 두께를 가지는 전도성 물질이다. 그래핀은 구조적 및 화학적으로도 매우 안정할 뿐 아니라, 매우 뛰어난 전도체로서 실리콘보다 100배 빠르게 전자를 이동시키고 구리보다도 약 100배 가량 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있는 2차원 나노 소재이다. 또한 그래핀은 그래핀을 구성하는 층수에 따라서 (100-2.3n)% (n=그래핀의 층수)의 투과도 특성을 보인다. 단층과 10층의 그래핀인 경우에 각각 97.7%와 77.0%의 고투과도 특성을 보인다. 또한 그래핀은 투과도 균일성에 있어서도 기존의 TCOs에 비해서 균일한 특성을 보인다. ITO와 같은 TCO 전극과 그래핀의 광투과도를 비교할 때, 그래핀은 청색 영역에서도 투과도 손실이 발생하지 않는 특성을 지니고 있다. 무엇보다도, 그래핀의 특성은 10층 이내에서 8% 이내의 저반사도를 나타낸다. STMEs는 두께가 증가함에 따라 반사도가 증가하는 특성과는 다른 현상을 가질 수 있다. 저반사의 그래핀으로 STMECs을 대체하면, OLED의 발광층에서 발생된 빛이 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드를 통해 사라지는 현상을 상당히 줄어들 수 있다. 그래핀은 약 30%의 광추출을 향상시킬 수 있다.On the other hand, graphene is a conductive material having a thickness of one atom while forming a honeycomb-like arrangement of carbon atoms in two dimensions. Graphene is a two-dimensional nanomaterial that is not only structurally and chemically very stable, but also a very excellent conductor, capable of moving electrons 100 times faster than silicon and flowing about 100 times more current than copper. In addition, graphene exhibits a transmittance characteristic of (100-2.3n)% (n=the number of graphene layers) depending on the number of layers constituting graphene. In the case of single-layer and 10-layer graphene, high transmittance characteristics of 97.7% and 77.0% are shown, respectively. In addition, graphene exhibits uniform properties in terms of transmittance uniformity compared to existing TCOs. When comparing the light transmittance of graphene with a TCO electrode such as ITO, graphene has a characteristic that no transmittance loss occurs even in the blue region. Above all, graphene has a low reflectivity of less than 8% within 10 layers. STMEs may have a phenomenon different from the characteristic of increasing reflectivity as the thickness increases. When STMECs are replaced with low-reflective graphene, the phenomenon that the light generated from the emission layer of OLED disappears through the surface plasmon polaritone mode can be significantly reduced. Graphene can improve light extraction by about 30%.

그래핀의 우수한 전기적, 광학적, 기계적, 화학적 성질에도 불구하고, 지금까지 연구 결과는 OLED의 하부 전극용 그래핀을 형성하기 위하여 습식전사법에 한정되어있고 상부 전극용 그래핀의 전사기술은 개발되지 않았다. OLED를 구성하는 상부 그래핀 전극의 건식 전사기술은 수많은 요소기술들의 개발이 필요하다. 낮은 표면 거칠기, 일정한 두께 균일도, 높은 투과도, 낮은 반사도의 그래핀 층의 형성 방법이 필요하다. 또한, 80도 이하에서 그래핀의 전사공정, 굴곡 패턴 위에 그래핀의 형성기술, 유기부의 상부 층과 그래핀 전극 사이의 등각접촉 및 접착력 향상기술, 그래핀의 정제기술, 그래핀 전극과 유기 부를 구성하는 상부 층과의 일함수 조절기술, 그래핀 전극과 보조 전극간의 높은 접촉저항 등이 극복되어야만 그래핀 상부 전극과 유기 부를 구성하는 상부 층 사이에 전하 주입이 잘 되는 등각 접촉된 치밀한 계면을 얻을 수 있다. 보이드(void)와 같은 비접촉 영역이 생기면 그래핀 전극으로부터 유기 층으로의 전하 주입의 특성 떨어진다. OLED에 상부 그래핀 전극을 응용하기 위해서 습식전사 기술보다는 건식전사기술의 개발은 유기 층의 손상을 막기 위해서 필수적이다. Despite the excellent electrical, optical, mechanical, and chemical properties of graphene, research results so far have been limited to the wet transfer method to form graphene for the lower electrode of OLED, and the transfer technology of graphene for the upper electrode has not been developed. Did. The dry transfer technology of the upper graphene electrode constituting the OLED requires the development of numerous element technologies. There is a need for a method of forming a graphene layer having low surface roughness, constant thickness uniformity, high transmittance, and low reflectivity. In addition, the transfer process of graphene below 80 degrees, the formation technology of graphene on the curved pattern, the conformal contact and adhesion improvement technology between the upper layer of the organic part and the graphene electrode, the purification technology of graphene, the graphene electrode and the organic part Only when the technology to control the work function with the upper layer and the high contact resistance between the graphene electrode and the auxiliary electrode are overcome, a dense interface with conformal contact between the graphene upper electrode and the upper layer constituting the organic part can be obtained. I can. When a non-contact region such as a void is formed, the characteristics of charge injection from the graphene electrode to the organic layer are deteriorated. In order to apply the upper graphene electrode to OLED, the development of dry transfer technology rather than wet transfer technology is essential to prevent damage to the organic layer.

본 발명이 이루고자 하는 과제는 표면 거칠기를 최소화할 수 있는 그래핀 층의 전사방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method for transferring a graphene layer that can minimize surface roughness.

또한, 본 발명의 다른 과제는 투과도와 면저항을 감소시킬 수 있는 유기 발광 소자의 제조방법 및 표시장치의 제조방법을 제공하는 데 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light-emitting device and a method of manufacturing a display device capable of reducing transmittance and sheet resistance.

본 발명의 실시 예에 따른 그래핀 층의 전사방법은, 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계; 및 상기 점착 층 상에 예비 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 점착 층과 상기 지지 층의 형성 단계는: 상기 지지 층 상에 더미 점착 층을 제공하는 단계; 및 상기 더미 점착 층과 상기 자기조립 단 분자 층 사이에 점착 제를 제공하여 상기 점착 층을 형성하는 단계를 포함할 수 잇다. 상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함할 수 있다. A method of transferring a graphene layer according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a self-assembled single molecule layer on a first substrate; Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer; Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer; And forming a preliminary electrode layer on the adhesive layer. Here, the forming of the adhesive layer and the support layer may include: providing a dummy adhesive layer on the support layer; And providing an adhesive between the dummy adhesive layer and the self-assembled short molecular layer to form the adhesive layer. The preliminary electrode layer may include a graphene layer formed by a transfer method.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 자기조립 단 분자 층의 형성 단계는: 상기 제 1 기판 상에 하이드록시기를 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 물질을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 기판은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. According to an example of the present invention, the step of forming the self-assembled short molecular layer includes: forming a hydroxyl group on the first substrate; And providing a self-assembled short molecular material on the first substrate. The first substrate may have a surface roughness of 1 nm or less.

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 하이드록시기의 형성 단계는: 상기 제 1 기판을 세정액 내에 초음파 처리하는 단계; 및 상기 제 1 기판을 자외선 오존 처리하는 단계를 포함할 수 있다.According to another example of the present invention, the forming of the hydroxyl group may include: ultrasonically treating the first substrate in a cleaning solution; And treating the first substrate with ultraviolet ozone.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 자기조립 단 분자 물질은, 트리크로로(1H, 2H, 2H-헵타데카플루오르데실)실란을 포함할 수 있다.According to an example of the present invention, the self-assembled monomolecular material may include trichloro(1H, 2H, 2H-heptadecafluordecyl)silane.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 지지 층은 아크릴레이트 또는 우레탄 처리된 폴리에스테르를 포함하고, 상기 더미 점착 층은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. According to an example of the present invention, the support layer may include acrylate or urethane-treated polyester, and the dummy adhesive layer may include acrylate.

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본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 점착 제는 아크릴레이트 말단 작용기 또는 에폭시 말단 작용기 갖는 폴리디메틸실록산를 포함할 수 있다. 상기 점착 제는 상기 아크릴레이트 말단 작용기의 메타크릴록시프로필 또는 카비놀 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함하고, 상기 점착 제는 상기 에폭시 말단 작용기의 (에폭시프로폭시)프로필, (에폭시프로폭시프로필)디메톡시실릴, 또는 모노(2,3-에폭시)프로필에테르 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함 포함할 수 있다.According to another example of the present invention, the pressure-sensitive adhesive may include polydimethylsiloxane having an acrylate terminal functional group or an epoxy terminal functional group. The pressure-sensitive adhesive includes methacryloxypropyl of the acrylate terminal functional group or polydimethylsiloxane having a carbinol terminal group, and the pressure-sensitive adhesive is (epoxypropoxy)propyl, (epoxypropoxypropyl) of the epoxy terminal functional group Dimethoxysilyl, or a polydimethylsiloxane having a mono (2,3-epoxy) propyl ether end group may be included.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 점착 제는 다로큐어 1173의 라디컬 반응 개시제를 더 포함할 수 있다.According to an example of the present invention, the pressure-sensitive adhesive may further include a radical reaction initiator of Darocure 1173.

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 점착 층은 상기 점착제와 상기 더미 점착 층 사이의 아크릴레이트 반응에 의해 경화될 수 있다.According to another example of the present invention, the adhesive layer may be cured by an acrylate reaction between the adhesive and the dummy adhesive layer.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 아크릴레이트 반응은 상기 점착제와 상기 더미 점착 층에 제공되는 자외선과 상기 라디컬 반응 개시제의 반응에 의해 유도될 수 있다. According to an example of the present invention, the acrylate reaction may be induced by a reaction between the pressure-sensitive adhesive and ultraviolet rays provided to the dummy adhesive layer and the radical reaction initiator.

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 예비 전극 층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판과 상기 제 2 기판 상의 촉매 층 상에 화학 기상 증착방법으로 형성된 상기 그래핀 층을 상기 점착 층에 전사하는 단계를 포함할 수 있다.According to another example of the present invention, the forming of the preliminary electrode layer includes attaching the graphene layer formed by a chemical vapor deposition method on a second substrate different from the first substrate and a catalyst layer on the second substrate. It may include transferring to the layer.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 촉매 층 및 상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 촉매 층은 염화제이철 수용액에 의해 제거될 수 있다.According to an example of the present invention, it may further include removing the catalyst layer and the second substrate. The catalyst layer may be removed by an aqueous ferric chloride solution.

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 점착 층과 상기 예비 전극 층 사이의 계면은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수 있다.According to another example of the present invention, the interface between the adhesive layer and the preliminary electrode layer may be formed to have a surface roughness of 1 nm or less.

본 발명의 다른 예에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 층 상에 제 1 전하 주입 층 및 제 1 전하 수송 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전하 수송 층 상에 발광 층을 형성하는 단계; 상기 발광 층 상에 제 2 전하 수송 층 및 제 2 전하 주입 층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전하 주입 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계는: 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계; 상기 점착 층 상에 예비 전극 층을 형성하는 단계; 및 상기 예비 전극 층을 상기 제 2 전하 주입 층 상에 전사하여 상기 제 2 전극 층을 형성 단계를 포함할 수 있다. 상기 점착 층과 상기 지지 층의 형성 단계는: 상기 지지 층 상에 더미 점착 층을 제공하는 단계; 및 상기 더미 점착 층과 상기 자기조립 단 분자 층 사이에 점착 제를 제공하여 상기 점착 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함할 수 있다.A method of manufacturing an organic light-emitting device according to another example of the present invention includes forming a first electrode layer on a substrate; Forming a first charge injection layer and a first charge transport layer on the first electrode layer; Forming a light emitting layer on the first charge transport layer; Forming a second charge transport layer and a second charge injection layer on the light-emitting layer; And forming a second electrode layer on the second charge injection layer. Here, the forming of the second electrode layer may include: forming a self-assembled single molecule layer on the first substrate; Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer; Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer; Forming a preliminary electrode layer on the adhesive layer; And transferring the preliminary electrode layer onto the second charge injection layer to form the second electrode layer. The forming of the adhesive layer and the support layer may include: providing a dummy adhesive layer on the support layer; And providing an adhesive between the dummy adhesive layer and the self-assembled short molecular layer to form the adhesive layer. The preliminary electrode layer may include a graphene layer formed by a transfer method.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 제 2 전극 층은 상기 지지 층 및 상기 점착 층의 양측 방향으로의 신축에 의해 1나노미터 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the second electrode layer may be formed to have a surface roughness of 1 nanometer or less by stretching and contracting in both directions of the support layer and the adhesive layer.

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 제 2 전극 층은 상기 제 2 전하 주입 층에 등각 접촉방법으로 형성될 수 있다.According to another example of the present invention, the second electrode layer may be formed on the second charge injection layer by a conformal contact method.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법은, 기판 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 층을 노출하는 트렌치들을 갖는 제 1 층간 유전 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 층간 유전 층과 상기 제 1 전극 층 상에 상기 트렌치를 따라 제 1 전하 주입 층, 제 1 전하 수송 층, 발광 층, 제 2 전하 수송 층, 및 제 2 전하 주입 층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전하 주입 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계는: 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계; 상기 점착 층 상에 상기 예비 전극 층을 형성하는 단계; 및 상기 예비 전극 층을 상기 제 2 전하 주입 층 상에 전사하여 상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a display device includes forming a first electrode layer on a substrate; Forming a first interlayer dielectric layer having trenches exposing the first electrode layer; Forming a first charge injection layer, a first charge transport layer, a light emitting layer, a second charge transport layer, and a second charge injection layer along the trench on the first interlayer dielectric layer and the first electrode layer; And forming a second electrode layer on the second charge injection layer. Here, the forming of the second electrode layer may include: forming a self-assembled single molecule layer on the first substrate; Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer; Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer; Forming the preliminary electrode layer on the adhesive layer; And transferring the preliminary electrode layer onto the second charge injection layer to form the second electrode layer. The preliminary electrode layer may include a graphene layer formed by a transfer method.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 트렌치는 상기 제 1 전극 층의 상부면에 대해 7도 내지 22.5도의 경사각을 갖고, 상기 제 2 전극 층은 상기 트렌치들 내에 25퍼센트 이하의 면적으로 신축할 수 있다.According to an example of the present invention, the trench has an inclination angle of 7 degrees to 22.5 degrees with respect to the top surface of the first electrode layer, and the second electrode layer may expand and contract in an area of 25% or less within the trenches. .

본 발명의 다른 예에 따르면, 상기 제 2 전극 층은 상기 트렌치 내에서의 상기 지지 층 및 상기 점착 층의 신축에 의해 1나노미터 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수 있다. According to another example of the present invention, the second electrode layer may be formed to have a surface roughness of 1 nanometer or less by stretching and contracting the support layer and the adhesive layer in the trench.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 제 2 전극 층은 상기 제 2 전하 주입 층에 등각 접촉방법으로 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the second electrode layer may be formed on the second charge injection layer by a conformal contact method.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 그래핀 층의 전사방법은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖는 그래핀 층을 획득할 수 있다. 유기 발광 소자의 제조방법 및 표시장치의 제조방법은 뱅크 패턴을 지닌 제 1 층간 유전 층의 트렌치 내에 그래핀 층을 전사하여 유기 발광 소자의 반사도과 면저항을 감소시키고, 투과도를 증가시킬 수 있다.As described above, the method of transferring a graphene layer according to embodiments of the present invention can obtain a graphene layer having a surface roughness of 1 nm or less. In the manufacturing method of the organic light emitting device and the manufacturing method of the display device, a graphene layer may be transferred into a trench of a first interlayer dielectric layer having a bank pattern, thereby reducing reflectivity and sheet resistance of the organic light emitting device, and increasing transmittance.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 표시장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 유기 발광 소자들의 전류밀도-전압-휘도 그래프와 전류 효율-전류밀도 그래프이다.
도 5 내지 도 7은 도 1의 표시장치의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 8 내지 도 15는 도 1의 제 2 전극 층, 점착 층, 및 지지 층의 전사 방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 16 내지 도 20은 도 4의 표시장치의 제조방법을 보여준다.1 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 and 3 are current density-voltage-luminance graphs and current efficiency-current density graphs of the organic light-emitting devices of FIG. 1.
5 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device of FIG. 1.
8 to 15 are cross-sectional views illustrating a method of transferring a second electrode layer, an adhesive layer, and a support layer of FIG. 1.
16 to 20 show a method of manufacturing the display device of FIG. 4.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments described later in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in different forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the entire specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 사용된 층 또는 막은 적어도 하나의 패턴들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terms used in this specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. Comprises and/or comprising as used in the specification excludes the presence or addition of one or more other components, steps, operations and/or elements to the mentioned elements, steps, operations and/or elements. I never do that. Further, the layer or film used in the specification may be understood as at least one pattern. Since it is according to a preferred embodiment, reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 표시장치를 보여준다. 1 shows a display device according to an example of the present invention.

본 발명의 일 예에 따른 표시장치는 수동형 표시장치(100a)이다. 수동형 표시장치(100a)는 크게 기판(10), 제 1 층간 유전 층(20), 및 유기 발광 소자들(70)을 포함할 수 있다. The display device according to an example of the present invention is a passive display device 100a. The passive display device 100a may largely include a substrate 10, a first interlayer dielectric layer 20, and organic light emitting devices 70.

기판(10)은 글래스와 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. The substrate 10 may include a transparent substrate such as glass.

제 1 층간 유전 층(20)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 트렌치들(21)을 가질 수 있다. 트렌치들(21)은 기판(10)에 대하여 7° 내지 약 22.5° 경사각의 양 측벽들을 가질 수 있다. The first interlayer dielectric layer 20 may be disposed on the substrate 10. The first interlayer dielectric layer 20 may have trenches 21. The trenches 21 may have sidewalls having an inclination angle of 7° to about 22.5° with respect to the substrate 10.

유기 발광 소자들(70)은 트렌치들(21) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 소자(70)는 제 1 전극 층(22), 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44), 제 2 전극 층(42), 점착 층(50), 및 지지 층(60)을 포함할 수 있다.The organic light emitting devices 70 may be formed in the trenches 21. For example, the organic light emitting device 70 includes a first electrode layer 22, a first charge injection layer 24, a first charge transport layer 26, an organic light emitting layer 30, and a second charge transport layer ( 46), a second charge injection layer 44, a second electrode layer 42, an adhesive layer 50, and a support layer 60.

제 1 전극 층(22)은 음의 전극일 수 있다. 제 1 전극 층(22)은 ITO, 알루미늄, 및/또는 그래핀을 포함할 수 있다. 이와 달리, 제 1 전극 층(22)은 양의 전극일 수도 있다. The first electrode layer 22 may be a negative electrode. The first electrode layer 22 may include ITO, aluminum, and/or graphene. Alternatively, the first electrode layer 22 may be a positive electrode.

제 1 전하 주입 층(24)은 제 1 전극 층(22) 상에 배치될 수 있다. 제 1 전하 주입 층(24)은 전자 주입 층일 수 있다. 제 1 전하 주입 층(24)은 리튬, 아연, 칼슘, 칼륨, 및/또는 세슘의 금속을 포함하는 금속 산화막 또는 금속 탄화막을 포함할 수 있다이와 달리, 제 1 전하 주입 층(24)은 정공 주입 층일 수 있다. 제 1 전하 주입 층(24)은 CuPc 또는 m-MTDATA를 포함할 수 있다.The first charge injection layer 24 may be disposed on the first electrode layer 22. The first charge injection layer 24 may be an electron injection layer. The first charge injection layer 24 may include a metal oxide film or a metal carbide film including a metal of lithium, zinc, calcium, potassium, and/or cesium. Unlike this, the first charge injection layer 24 is hole injection. It can be a layer. The first charge injection layer 24 may include CuPc or m-MTDATA.

제 1 전하 수송 층(26)은 제 1 전하 주입 층(24) 상에 배치될 수 있다. 제 1 전하 수송 층(26)은 전자 수송 층일 수 있다. 제 1 전하 수송 층(26)은 Alq3, TAZ, 또는 LiF를 포함할 수 있다. 이와 달리, 제 1 전하 수송 층(26)은 정공 수송 층일 수도 있다. 제 1 전하 수송 층(26)은 αNPD, TPD, 또는 Teflon-AF를 포함할 수 있다.The first charge transport layer 26 may be disposed on the first charge injection layer 24. The first charge transport layer 26 may be an electron transport layer. The first charge transport layer 26 may include Alq3, TAZ, or LiF. Alternatively, the first charge transport layer 26 may be a hole transport layer. The first charge transport layer 26 may include αNPD, TPD, or Teflon-AF.

유기 발광 층(30)은 제 1 전하 수송 층(26) 및 제 1 층간 유전 층(20) 상에 배치될 수 있다. 유기 발광 층(30)은 단분자 및 폴리머를 포함할 수 있다. 유기 발광 층(30)은 제 1 및 제 2 전극 층들(22, 42)에 제공되는 전자와 정공의 재결합에 의해 발광할 수 있다. 빛은 유기 발광 층(30)의 유기물질 중 호스트(host)와 도펀트(dopant)의 조성비에 따라 변화될 수 있다. The organic light emitting layer 30 may be disposed on the first charge transport layer 26 and the first interlayer dielectric layer 20. The organic light-emitting layer 30 may include a single molecule and a polymer. The organic emission layer 30 may emit light by recombination of electrons and holes provided to the first and second electrode layers 22 and 42. Light may be changed according to the composition ratio of a host and a dopant among organic materials of the organic light emitting layer 30.

제 2 전하 수송 층(46)은 유기 발광 층(30) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전하 수송 층(46)은 정공 수송 층일 수 있다. 제 2 전하 수송 층(46)은 αNPD, TPD, 또는 Teflon-AF를 포함할 수 있다. The second charge transport layer 46 may be disposed on the organic emission layer 30. The second charge transport layer 46 may be a hole transport layer. The second charge transport layer 46 may include αNPD, TPD, or Teflon-AF.

제 2 전하 주입 층(44)은 제 2 전하 수송 층(46) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전하 주입 층(44)은 정공 주입 층일 수 있다. 제 2 전하 주입 층(44)은 CuPc 또는 m-MTDATA를 포함할 수 있다.The second charge injection layer 44 may be disposed on the second charge transport layer 46. The second charge injection layer 44 may be a hole injection layer. The second charge injection layer 44 may include CuPc or m-MTDATA.

제 2 전극 층(42)은 제 2 전하 주입 층(44) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 양의 전극일 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 단층 내지 복수개의 그래핀 층들을 포함할 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. 그래핀 층들의 제 2 전극 층(42)은 수동형 표시장치(100a)의 반사도를 줄이고, 투과도를 높일 수 있다. 또한, 제 2 전극 층(42)은 수동형 표시장치(100a)의 면저항 특성을 감소시킬 수 있다. The second electrode layer 42 may be disposed on the second charge injection layer 44. The second electrode layer 42 may be a positive electrode. The second electrode layer 42 may include a single layer or a plurality of graphene layers. The second electrode layer 42 may have a surface roughness of 1 nm or less. The second electrode layer 42 of the graphene layers may reduce reflectivity of the passive display device 100a and increase transmittance. In addition, the second electrode layer 42 may reduce sheet resistance characteristics of the passive display device 100a.

점착 층(50)은 제 2 전극 층(42) 상에 배치될 수 있다. 점착 층(50)은 점탄성을 지닌 반고체로서, 외력에 의해 변형될 수 있다. 일 예에 따르면, 점착 층(50)은 다른 종류의 복수의 말단 작용기들을 갖는 폴리디메틸실록산들을 포함할 수 있다. 먼저, 점착 층(50)은 화학식 1의 메타크릴록시프로필 말단 작용기를 가진 폴리디메틸실록산(Methacryloxypropyl terminated polydimethylsiloxanes)을 포함할 수 있다.The adhesive layer 50 may be disposed on the second electrode layer 42. The adhesive layer 50 is a semi-solid having viscoelasticity and may be deformed by an external force. According to an example, the adhesive layer 50 may include polydimethylsiloxanes having a plurality of terminal functional groups of different types. First, the adhesive layer 50 may include polydimethylsiloxanes having a methacryloxypropyl terminated functional group represented by Chemical Formula 1 (Methacryloxypropyl terminated polydimethylsiloxanes).

여기서, n은 자연수를 포함하고, 중량평균 분자량은 500~100,000 이다.Here, n includes a natural number, and the weight average molecular weight is 500 to 100,000.

다음, 점착 층(50)은 화학식 2의 모노메타크릴록시프로필 말단기를 가진 폴리디메틸실록산(Monomethacryloxypropyl terminated polydimethylsiloxanes)을 포함할 수 있다. Next, the adhesive layer 50 may include monomethacryloxypropyl terminated polydimethylsiloxanes having a monomethacryloxypropyl end group represented by Chemical Formula 2.

점착 층(50)은 화학식 3의 모노카비놀 말단기를 가진 폴리디메틸실록산(Monocarbinol terminated polydimethylsiloxane)을 포함할 수 있다. The adhesive layer 50 may include monocarbinol terminated polydimethylsiloxane having a monocarbinol end group represented by Chemical Formula 3.

여기서, n은 자연수를 포함하고, 중량평균 분자량은 1,000~100,000 이다.Here, n includes a natural number, and the weight average molecular weight is 1,000 to 100,000.

점착 층(50)은 화학식 4의 에폭시프로폭시프로필 말단기를 가진 폴리디메틸실록산(Epoxypropoxypropyl terminated polydimethylsiloxane)을 포함할 수 있다.The adhesive layer 50 may include polydimethylsiloxane having an epoxypropoxypropyl end group represented by Chemical Formula 4 (Epoxypropoxypropyl terminated polydimethylsiloxane).

여기서, n은 자연수를 포함하고, 중량평균 분자량은 1,000~500,000 이다.Here, n includes a natural number, and the weight average molecular weight is 1,000 to 500,000.

점착 층(50)은 화학식 5의 (에폭시프로폭시프로필)디메톡시실릴 말단기를 가진 폴리디메틸실록산((Epoxypropoxypropyl)dimethoxysilyl terminated polydimethylsiloxane)을 포함할 수 있다.The adhesive layer 50 may include (Epoxypropoxypropyl) dimethoxysilyl terminated polydimethylsiloxane having a terminal group of (epoxypropoxypropyl) dimethoxysilyl of Formula 5.

점착 층(50)은 화학식 6의 모노2,3-에폭시프로필에테르 말단기를 가진 폴리디메틸실록산(Mono-(2,3-epoxy)propylether terminated polydimethylsiloxane)을 포함할 수 있다.The adhesive layer 50 may include mono-(2,3-epoxy)propylether terminated polydimethylsiloxane having a mono2,3-epoxypropylether terminal group of Chemical Formula 6.

지지 층(60)은 점착 층(50) 상에 배치될 수 있다. 지지 층(60)은 폴리에스테르 필름을 포함할 수 있다. 지지 층(60)은 트렌치들(21)의 측벽과 바닥을 따라 연장할 수 있다. 지지 층(60)은 제 2 전극 층(42) 및 점착 층(50)을 고정할 수 있다. 지지 층(60)은 트렌치들(21) 내의 제 2 전극 층(42) 및 점착 층(50)에 인장력을 제공할 수 있다. The support layer 60 may be disposed on the adhesive layer 50. The support layer 60 may include a polyester film. The support layer 60 may extend along sidewalls and bottoms of the trenches 21. The support layer 60 may fix the second electrode layer 42 and the adhesive layer 50. The support layer 60 may provide a tensile force to the second electrode layer 42 and the adhesive layer 50 in the trenches 21.

도 2 및 도 3은 도 1의 유기발광소자들의 전류밀도-전압-휘도 곡선과 전류 효율-전류밀도 곡선을 보여준다.2 and 3 show current density-voltage-luminance curves and current efficiency-current density curves of the organic light-emitting devices of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 표시장치는 6 V가 제공되면 1000 cd/m²의 배면 발광 휘도(201)를 가질 수 있다. 배면 발광은 유기 발광 소자(70) 아래에서 계측될 수 있다. 표시장치는 6.5 V가 제공되면 1000 cd/m²의 전면 발광 휘도(202)를 가질 수 있다. 전면 발광은 기판(10) 상의 유기발광소자(70)의 위에서 계측될 수 있다.Referring to FIG. 2, when 6 V is provided, the display device may have a rear emission luminance 201 of 1000 cd/m ² . The back emission can be measured under the organic light-emitting device 70. The display device may have a top emission luminance 202 of 1000 cd/m ² when 6.5 V is provided. The top emission may be measured on the organic light emitting device 70 on the substrate 10.

도 3을 참조하면, 표시장치는 약 1000 cd/m²의 배면 발광에서 5.26 cd/A의 전류 효율(203)을 갖고, 약 1000 cd/m²의 전면 발광의 3.71 cd/A의 전류 효율(204)을 가질 수 있다. 3, the display device has a current efficiency of 203 of 5.26 cd / A at the rear emission of about 1000 cd / m ^2, a current efficiency of about 1000 cd / m 3.71 cd / A of the ^second top emission of ( 204).

도 4는 본 발명의 다른 예에 따른 표시장치를 보여준다. 표시장치는 능동형 표시장치(100b)일 수 있다. 능동형 표시장치(100b)는 기판(10), 패시베이션 층(11), 박막트랜지스터(12), 제 1 층간 유전 층(20), 유기 발광 소자(70), 및 봉지 층(80)을 포함할 수 있다. 4 shows a display device according to another example of the present invention. The display device may be an active display device 100b. The active display device 100b may include a substrate 10, a passivation layer 11, a thin film transistor 12, a first interlayer dielectric layer 20, an organic light emitting device 70, and an encapsulation layer 80. have.

패시베이션 층(11)은 기판(10)의 전면에 배치될 수 있다. 패시베이션 층(11)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 또는 알루미늄 실화막을 포함할 수 있다.The passivation layer 11 may be disposed on the entire surface of the substrate 10. The passivation layer 11 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film, or an aluminum silencing film.

박막트랜지스터(12)는 유기 발광 소자(70)에 인접하여 패시베이션 막(11) 상에 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(12)는 유기발광소자(70)에 연결될 수 있다. 박막트랜지스터(12)는 유기발광소자(70)의 턴온 신호를 제어할 수 있다. 박막트랜지스터(12)는 바텀 게이트 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 박막트랜지스터(12)는 게이트 전극(13), 반도체 층(14), 소스 전극(15), 및 드레인 전극(16)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(13)은 패시베이션 층(11) 상에 배치될 수 있다. 반도체 층(14)은 게이트 전극 (13) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)은 반도체 층(14)의 양측 가장자리들 상에 배치될 수 있다. 제 2 층간 유전 층(18)은 패시베이션 층(11)과 소스 전극(15) 사이 및 패시베이션 층(11)과 드레인 전극(16) 사이에 배치될 수 있다. 드레인 전극(16)은 제 1 전극 층(22)에 연결될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 소스 전극(15)은 상기 게이트 전극(13)과 교차하는 방향의 데이트 라인(미도시)에 연결될 수 있다.The thin film transistor 12 may be disposed on the passivation layer 11 adjacent to the organic light emitting element 70. The thin film transistor 12 may be connected to the organic light emitting device 70. The thin film transistor 12 may control a turn-on signal of the organic light emitting device 70. The thin film transistor 12 may have a bottom gate structure. For example, the thin film transistor 12 may include a gate electrode 13, a semiconductor layer 14, a source electrode 15, and a drain electrode 16. The gate electrode 13 may be disposed on the passivation layer 11. The semiconductor layer 14 may be disposed on the gate electrode 13. The source electrode 15 and the drain electrode 16 may be disposed on both side edges of the semiconductor layer 14. The second interlayer dielectric layer 18 may be disposed between the passivation layer 11 and the source electrode 15 and between the passivation layer 11 and the drain electrode 16. The drain electrode 16 may be connected to the first electrode layer 22. Although not shown, the source electrode 15 may be connected to a data line (not shown) in a direction crossing the gate electrode 13.

제 1 층간 유전 층(20)은 박막트랜지스터(12)를 덮을 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 패시베이션 층일 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 제 1 전극 층(22)을 노출하는 트렌치(21)를 가질 수 있다. 트렌치(21)의 측벽들은 제 1 전극 층(22)에 대해 약 7° 내지 약 22.5°의 경사각을 가질 수 있다.The first interlayer dielectric layer 20 may cover the thin film transistor 12. The first interlayer dielectric layer 20 may be a passivation layer. The first interlayer dielectric layer 20 may have a trench 21 exposing the first electrode layer 22. The sidewalls of the trench 21 may have an inclination angle of about 7° to about 22.5° with respect to the first electrode layer 22.

유기 발광 소자(70)는 트렌치(21) 내에 메사 구조로 배치될 수 있다. 유기 발광소자(70)의 제 1 전하 주입 층(24)은 트렌치(21)를 따라 제 1 층간 유전 층(20) 및 제 1 전극 층(22) 상에 배치될 수 있다. 제 1 전하 수송 층(26)은 제 1 전하 주입 층(24) 상에 배치될 수 있다. 유기 발광 층(30)은 제 1 전하 수송 층(26) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전하 수송 층(46)은 유기 발광 층(30) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전하 주입 층(44)은 제 2 전하 주입 층(44) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 제 2 전하 주입 층(44) 상에 배치될 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖는 그래핀 층들을 포함할 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 능동형 표시장치(100b)의 반사도를 줄이고, 투과도를 높일 수 있다. 또한, 제 2 전극 층(42)은 능동형 표시장치(100b)의 면저항 특성을 감소시킬 수 있다. 점착 층(50)은 제 2 전극 층(42) 상에 배치될 수 있다. 지지 층(60)은 점착 층(50) 상에 배치될 수 있다. 봉지 층(80)은 지지 층(60) 상에 배치될 수 있다.The organic light emitting device 70 may be disposed in the trench 21 in a mesa structure. The first charge injection layer 24 of the organic light emitting device 70 may be disposed on the first interlayer dielectric layer 20 and the first electrode layer 22 along the trench 21. The first charge transport layer 26 may be disposed on the first charge injection layer 24. The organic emission layer 30 may be disposed on the first charge transport layer 26. The second charge transport layer 46 may be disposed on the organic emission layer 30. The second charge injection layer 44 may be disposed on the second charge injection layer 44. The second electrode layer 42 may be disposed on the second charge injection layer 44. The second electrode layer 42 may include graphene layers having a surface roughness of 1 nm or less. The second electrode layer 42 may reduce reflectivity and increase transmittance of the active display device 100b. In addition, the second electrode layer 42 may reduce sheet resistance characteristics of the active display device 100b. The adhesive layer 50 may be disposed on the second electrode layer 42. The support layer 60 may be disposed on the adhesive layer 50. The encapsulation layer 80 may be disposed on the support layer 60.

이와 같이 구성된 본 발명의 실시 예들에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a display device according to embodiments of the present invention configured as described above will be described as follows.

도 5 내지 도 7은 도 1의 표시장치의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.5 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device of FIG. 1.

도 5를 참조하면, 기판(10) 상에 제 1 전극 층(22)을 형성한다. 제 1 전극 층(22)은 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 형성될 수 있다. 박막 증착 공정은 ITO와 같은 투명 금속 층을 기판(10) 상에 형성하는 공정일 수 있다. 포토리소그래피 공정은 포토레지스트 패턴을 투명 금속 층 상에 형성하는 공정일 수 있다. 식각 공정은 포토레지스트 패턴으로부터 노출된 투명 금속 층을 제거하는 공정일 수 있다. 식각 공정은 습식 식각 공정 및/또는 건식 식각 공정을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, a first electrode layer 22 is formed on a substrate 10. The first electrode layer 22 may be formed by a thin film deposition process, a photolithography process, and an etching process. The thin film deposition process may be a process of forming a transparent metal layer such as ITO on the substrate 10. The photolithography process may be a process of forming a photoresist pattern on a transparent metal layer. The etching process may be a process of removing the exposed transparent metal layer from the photoresist pattern. The etching process may include a wet etching process and/or a dry etching process.

도 6을 참조하면, 제 1 전극 층(22)으로부터 노출된 기판(10) 상에 제 1 층간 유전 층(20)을 형성한다. 뱅크 패턴인 제 1 층간 유전 층(20)에 의해서 유기 발광 소자(70) 상에 형성되는 픽셀들(미도시)은 서로 단락될 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이와 달리, 제 1 층간 유전 층(20)는 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 제 1 전극 층(22)을 노출할 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 제 1 전극 층(22)보다 높을 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 트렌치들(21)에 의해 정의되는 메사 구조(25)로 형성될 수 있다. 트렌치들(21)의 양 측벽들(23)은 제 1 전극 층(22)의 상부면에 대해 약 7° 내지 약 22.5°의 기울기를 가질 수 있다. 다시 말해, 제 1 층간 유전 층(20)은 대해 약 7° 내지 약 22.5°의 경사각을 갖는 트렌치들(21)을 가질 수 있다. Referring to FIG. 6, a first interlayer dielectric layer 20 is formed on the substrate 10 exposed from the first electrode layer 22. Pixels (not shown) formed on the organic light-emitting device 70 by the first interlayer dielectric layer 20 as a bank pattern may be short-circuited to each other. The first interlayer dielectric layer 20 may be formed by a photolithography process. The first interlayer dielectric layer 20 may include a photoresist. Alternatively, the first interlayer dielectric layer 20 may be formed by a thin film deposition process, a photolithography process, and an etching process. The first interlayer dielectric layer 20 may expose the first electrode layer 22. The first interlayer dielectric layer 20 may be higher than the first electrode layer 22. The first interlayer dielectric layer 20 may be formed as a mesa structure 25 defined by trenches 21. Both sidewalls 23 of the trenches 21 may have an inclination of about 7° to about 22.5° with respect to the top surface of the first electrode layer 22. In other words, the first interlayer dielectric layer 20 may have trenches 21 having an inclination angle of about 7° to about 22.5°.

도 7을 참조하면, 제 1 전극 층(22) 및 제 1 층간 유전 층(20) 상에 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 및 제 2 전하 주입 층(44)을 순차적으로 형성한다. 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 및 제 2 전하 주입 층(44)은 유기 박막 증착 공정으로 형성될 수 있다. 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44)은 트렌치들(21) 및 메사 구조(25)를 따라 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44)은 메탈 마스크에 의해 제 1 전극 층(22) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, on the first electrode layer 22 and the first interlayer dielectric layer 20, a first charge injection layer 24, a first charge transport layer 26, an organic light emitting layer 30, Two charge transport layers 46 and a second charge injection layer 44 are sequentially formed. The first charge injection layer 24, the first charge transport layer 26, the organic light emitting layer 30, the second charge transport layer 46, and the second charge injection layer 44 are formed by an organic thin film deposition process. Can be. The first charge injection layer 24, the first charge transport layer 26, the organic light emitting layer 30, the second charge transport layer 46, and the second charge injection layer 44 are trenches 21 and mesas. It can be formed along the structure 25. In contrast, the first charge injection layer 24, the first charge transport layer 26, the organic light emitting layer 30, the second charge transport layer 46, and the second charge injection layer 44 are formed by a metal mask. It may be formed on the first electrode layer 22.

다시 도 1을 참조하면, 제 2 전극 층(42), 점착 층(50), 및 지지 층(60)을 형성한다. 제 2 전극 층(42), 점착 층(50) 및 지지 층(60)은 제 2 전하 주입 층(44) 상에 건식으로 전사(transfer)될 수 있다.Referring back to FIG. 1, a second electrode layer 42, an adhesive layer 50, and a support layer 60 are formed. The second electrode layer 42, the adhesive layer 50, and the support layer 60 may be transferred onto the second charge injection layer 44 in a dry manner.

이하, 제 2 전극 층(42), 점착 층(50) 및 지지 층(60)의 전사 방법은 도 7 내지 도 14를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of transferring the second electrode layer 42, the adhesive layer 50, and the support layer 60 will be described with reference to FIGS. 7 to 14.

도 8 내지 도 15는 도 1의 제 2 전극 층(42), 점착 층(50), 및 지지 층(60)의 전사 방법을 나타내는 공정 단면도들이다. 8 to 15 are cross-sectional views illustrating a transfer method of the second electrode layer 42, the adhesive layer 50, and the support layer 60 of FIG. 1.

도 8을 참조하면, 제 1 기판(102) 상에 하이드록시기(OH^-)를 형성한다. 제 1 기판(102)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖는 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 제 1 기판(102)은 화학적물리적연마(CMP)방법에 의해 1nm 이하의 표면 거칠기로 형성될 수 있다. 제 1 기판(102)은 아세톤, 메탄올, 및/또는 탈이온 수 내에서 초음파 세정될 수 있다. 하이드록시기(OH^-)는 자외선 오존 처리 및 산소 플라즈마 처리에 의해 제 1 기판(102) 상에 형성될 수 있다.8, the first substrate 102, a hydroxyl group (OH ^-) in the form a. The first substrate 102 may include a silicon substrate having a surface roughness of 1 nm or less. The first substrate 102 may be formed with a surface roughness of 1 nm or less by a chemical physical polishing (CMP) method. The first substrate 102 may be ultrasonically cleaned in acetone, methanol, and/or deionized water. Hydroxyl group (OH ^-) may be formed on the first substrate 102 by the UV ozone treatment and oxygen plasma treatment.

도 9를 참조하면, 제 1 기판(102) 상에 자기조립 단 분자 층(104)을 형성한다. 자기조립 단 분자 층(104)은 하이드록시기(OH^-)와 자기조립 단 분자 물질의 반응으로부터 형성될 수 있다. 자기조립 단 분자 물질은 트리크로로(1H, 2H, 2H-헵타데카플루오로데실)실란(trichloro(1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl)silane)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 자기조립 단 분자 물질은 제 1 기판(102) 상에 도포될 수 있다. 하이드록시기(OH^-)와 자기조립 단 분자 물질은 축합 반응될 수 있다. 이후, 제 1 기판(102)은 세정 및 건조될 수 있다. 제 1 기판(102)의 세정 공정은 아세톤, 톨루엔, 메틴올, 및/또는 탈 이온 수에 의해 수행될 수 있다. 제 1 기판(102)은 약 100도 내지 약 130도의 고온과 약 10^-2torr의 저진공에서 건조될 수 있다. 이 과정에서 자기조립 단 분자 층(104)은 정제(refine)될 수 있다. 자기조립 단 분자 층(104)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다.Referring to FIG. 9, a self-assembled short molecular layer 104 is formed on the first substrate 102. The self-assembled monomolecular layer 104 may be formed from a reaction of a hydroxy group (OH ⁻ ) and a self-assembled monomolecular material. The self-assembled monomolecular material may include trichloro (1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl) silane. For example, the self-assembled monomolecular material may be applied on the first substrate 102. Hydroxyl group (OH ^-) molecules and the self-assembly stage can be a condensation reaction. Thereafter, the first substrate 102 may be cleaned and dried. The cleaning process of the first substrate 102 may be performed with acetone, toluene, methanol, and/or deionized water. The first substrate 102 may be dried at a high temperature of about 100 degrees to about 130 degrees and a low vacuum of about 10 ^-2 torr. In this process, the self-assembled monomolecular layer 104 may be refined. The self-assembled single molecule layer 104 may have a surface roughness of 1 nm or less.

도 10 참조하면, 자기조립 단 분자 층(104) 상에 점착 제(103), 더미 점착 층(52), 및 지지 층(60)을 제공한다. 더미 점착 층(52)은 지지 층(60)에 형성될 수 있다. 지지 층(60)은 아크릴레이트(acrylate)가 처리된 폴리에스테르(이하 PET)를 포함할 수 있다. 더미 점착 층(52)은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 점착 제(103)는 액상을 가질 수 있다. 예를 들어, 점착 제(103)는 라디컬 반응 개시제를 구비한 아크릴레이트 내지 에폭시 말단 작용기를 갖는 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 점착제(103)는 아크릴레이트 말단 작용기의 메타크릴록시프로필 또는 카비놀 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 이와 달리, 점착제(103)는 에폭시 말단 작용기의 에폭시프로폭시프로필, (에폭시프로폭시프로필)디메톡시실릴, 또는 모노(2,3-에폭시)프로필에테르 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 라디컬 반응 개시제는 다로큐어 1173(Darocure 1173)를 포함할 수 있다. 점착 제(103)는 약 0.5wt%의 라디컬 반응 개시제를 포함할 수 있다. 점착 제(103)는 자기조립 단 분자 층(104) 상에 도포될 수 있다. 점착 제(103)는 자기조립 단 분자 층(104)과 더미 점착 층(52) 사이에 액체 다리를 형성할 수 있다. 이후, 점착 제(103)는 더미 점착 층(52) 내에 침투할 수 있다. 점착 제(103)는 자기조립 단 분자 층(104)과 지지 층(60)을 접합할 수 있다. 지지 층(60)은 아크릴레이트 처리되지 않았을 경우 점착 제(103)와 지지 층(60)은 접합되지 않을 수 있다. 이와 달리, 아크릴레이트는 지지 층(60)과 더미 점착 층(52) 사이에 개재될 수도 있다. 지지 층(60)은 우레탄 처리된 PET를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, an adhesive 103, a dummy adhesive layer 52, and a support layer 60 are provided on the self-assembled short molecular layer 104. The dummy adhesive layer 52 may be formed on the support layer 60. The support layer 60 may include acrylate-treated polyester (hereinafter, PET). The dummy adhesive layer 52 may include acrylate. The adhesive 103 may have a liquid phase. For example, the pressure-sensitive adhesive 103 may include acrylate with a radical reaction initiator or polydimethylsiloxane having an epoxy terminal functional group. The pressure-sensitive adhesive 103 may include methacryloxypropyl of acrylate terminal functional group or polydimethylsiloxane having carbinol terminal group. Alternatively, the pressure-sensitive adhesive 103 may include a polydimethylsiloxane having an epoxy-terminated functional group of epoxypropoxypropyl, (epoxypropoxypropyl)dimethoxysilyl, or mono(2,3-epoxy)propylether terminal group. . The radical reaction initiator may include Darocure 1173. The pressure-sensitive adhesive 103 may include about 0.5 wt% of a radical reaction initiator. The adhesive 103 may be applied on the self-assembled short molecule layer 104. The adhesive 103 may form a liquid bridge between the self-assembled short molecular layer 104 and the dummy adhesive layer 52. Then, the adhesive 103 may penetrate into the dummy adhesive layer 52. The adhesive 103 may bond the self-assembled single molecule layer 104 and the support layer 60. When the support layer 60 is not treated with an acrylate, the pressure-sensitive adhesive 103 and the support layer 60 may not be bonded. Alternatively, the acrylate may be interposed between the support layer 60 and the dummy adhesive layer 52. The support layer 60 may include urethane-treated PET.

도 11을 참조하면, 자기조립 단 분자 층(104)과 지지 층(60) 사이에 점착 층(50)을 형성한다. 점착 층(50)은 점착 제(103) 및 더미 점착 층(52)의 아크릴레이트 반응에 의해 형성될 수 있다. 아크릴레이트 반응은 자외선에 의해 유도될 수 있다. 점착 제(103)는 복수개의 아크릴레이트 말단 작용기를 가질 수 있다. 추가적으로, 점착 층(50)은 아크릴레이트 반응에 의해 지지 층(60)에 견고하게 접합될 수 있다. 이때, 점착 층(50)은 자기조립 단 분자 층(104)과의 접촉면에 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. Referring to FIG. 11, an adhesive layer 50 is formed between the self-assembled short molecule layer 104 and the support layer 60. The adhesive layer 50 may be formed by an acrylate reaction between the adhesive 103 and the dummy adhesive layer 52. The acrylate reaction can be induced by ultraviolet light. The pressure-sensitive adhesive 103 may have a plurality of acrylate terminal functional groups. Additionally, the adhesive layer 50 may be firmly bonded to the support layer 60 by an acrylate reaction. In this case, the adhesive layer 50 may have a surface roughness of 1 nm or less on a contact surface with the self-assembled short molecule layer 104.

도 12를 참조하면, 자기조립 단 분자 층(104) 및 제 1 기판(102)을 제거하여 점착 층(50)을 노출한다. 자기조립 단 분자 층(104) 및 제 1 기판(102)는 물리적 힘에 의해 점착 층(50) 및 지지 층(60)으로부터 분리될 수 있다. 점착 층(50)의 노출 면은 제 1 기판(102)과 동일한 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 노출된 점착 층(50)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. Referring to FIG. 12, the self-assembled short molecule layer 104 and the first substrate 102 are removed to expose the adhesive layer 50. The self-assembled short molecular layer 104 and the first substrate 102 may be separated from the adhesive layer 50 and the support layer 60 by a physical force. The exposed surface of the adhesive layer 50 may have the same surface roughness as the first substrate 102. For example, the exposed adhesive layer 50 may have a surface roughness of 1 nm or less.

도 13을 참조하면, 점착 층(50)에 제 2 예비 전극 층(41)을 형성한다. 제 2 예비 전극 층(41)은 단층 내지 복수개의 그래핀 층들일 수 있다. 그래핀 층들은 화학 기상 증착방법으로 형성될 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)의 소스일 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)은 전사방법(transferring method)에 의해 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 2 예비 전극 층(41)은 제 2 기판(110) 및 촉매 층(112) 상에 제공될 수 있다. 제 2 기판(110)은 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 촉매 층(112)은 니켈 촉매를 포함할 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)은 점착 층(50)에 등각 접촉 방법으로 접합될 수 있다. 등각 접촉 방법은 점착 층(50)과 제 2 예비 전극 층(41) 사이에 공기를 제거하여 점착 층(50)과 제 2 예비 전극 층(41)을 접합하는 방법이다. 제 2 예비 전극 층(41)의 그래핀의 색상은 은색에서 금색으로 변화할 수 있다. 점착 층(50)과 제 2 예비 전극 층(41) 사이의 계면들(surfaces)은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. Referring to FIG. 13, a second preliminary electrode layer 41 is formed on the adhesive layer 50. The second preliminary electrode layer 41 may be a single layer or a plurality of graphene layers. Graphene layers may be formed by chemical vapor deposition. It may be a source of the second preliminary electrode layer 41. The second preliminary electrode layer 41 may be formed by a transfer method. According to an example, the second preliminary electrode layer 41 may be provided on the second substrate 110 and the catalyst layer 112. The second substrate 110 may include a silicon substrate. The catalyst layer 112 may include a nickel catalyst. The second preliminary electrode layer 41 may be bonded to the adhesive layer 50 by a conformal contact method. The conformal contact method is a method of bonding the adhesive layer 50 and the second preliminary electrode layer 41 by removing air between the adhesive layer 50 and the second preliminary electrode layer 41. The color of graphene in the second preliminary electrode layer 41 may change from silver to gold. The interfaces between the adhesive layer 50 and the second preliminary electrode layer 41 may have a surface roughness of 1 nm or less.

도 14를 참조하면, 촉매 층(112) 및 제 2 기판(110)을 제거하여 제 2 예비 전극 층(41)을 노출한다. 촉매 층(112)은 식각액에 의해 제거될 수 있다. 식각액은 염화제이철 수용액을 포함할 수 있다. 제 2 기판(110)은 제 2 예비 전극 층(41)으로부터 분리될 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)은 세정될 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)의 세정 용액은 염산 및/또는 탈 이온수를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the catalyst layer 112 and the second substrate 110 are removed to expose the second preliminary electrode layer 41. The catalyst layer 112 may be removed by an etchant. The etching solution may include an aqueous ferric chloride solution. The second substrate 110 may be separated from the second preliminary electrode layer 41. The second preliminary electrode layer 41 may be cleaned. The cleaning solution of the second preliminary electrode layer 41 may include hydrochloric acid and/or deionized water.

도 15 및 도 1을 참조하면, 제 2 예비 전극 층(41), 점착 층(50), 및 지지 층(60)을 제 2 전하 주입 층(44) 상에 전사한다. 여기서, 제 2 예비 전극 층(41) 및 제 2 전극 층(42)은 실질적으로 동일한 단층 내지 복수개의 그래핀 층들을 포함할 수 있다. 다만, 제 2 전극 층(42)은 제 2 예비 전극 층(41)보다 넓은 표면적을 갖는 그래핀 층들을 포함할 수 있다. 제 2 예비 전극 층(41)은 트렌치(21)의 바닥 및 양측 측벽들(23)에서 신축(stretch)될 수 있다. 제 2 전극 층(42)과 점착 층(50) 사이의 계면들은 1nm 이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 제 2 전하 주입 층(44)에 등각 접촉방법으로 접합될 수 있다. 도시되지 않았지만, 지지 층(60)은 탄성 층(미도시)에 의해 기판(10)에 압착될 수 있다. 이후, 탄성 층은 제거될 수 있다. 15 and 1, the second preliminary electrode layer 41, the adhesive layer 50, and the support layer 60 are transferred onto the second charge injection layer 44. Here, the second preliminary electrode layer 41 and the second electrode layer 42 may include substantially the same single layer or a plurality of graphene layers. However, the second electrode layer 42 may include graphene layers having a larger surface area than the second preliminary electrode layer 41. The second preliminary electrode layer 41 may be stretched at the bottom and both sidewalls 23 of the trench 21. Interfaces between the second electrode layer 42 and the adhesive layer 50 may have a surface roughness of 1 nm or less. The second electrode layer 42 may be bonded to the second charge injection layer 44 by a conformal contact method. Although not shown, the support layer 60 may be pressed onto the substrate 10 by an elastic layer (not shown). Thereafter, the elastic layer can be removed.

한편, 그래핀 층들의 제 2 전극 층(42)은 굴곡 패턴 위에 전사는 연신성(stretching)의 특성을 가질 수 있다. 일반적으로 그래핀 층들은 112% 이하로 신축되면 전기적 특성이 변화되지 않지만, 112% 초과하여 신축되면 전기적 특성이 변화될 수 있다. 예를 들어, 완전한 평면에 전사된 제 2 전극 층(42)의 평탄한 면적은 수학식 1로 나타날 수 있다. On the other hand, the second electrode layer 42 of the graphene layers may have a property of stretching when transferred onto the curved pattern. In general, when the graphene layers are stretched to less than 112%, electrical properties do not change, but when stretched and contracted by exceeding 112%, electrical properties may change. For example, the flat area of the second electrode layer 42 transferred to a complete plane may be expressed by Equation 1.

여기서, A_PLANE는 제 2 전극 층(42)의 평탄 면적일 수 있다. x는 가로축의 길이이고, y는 세로축의 길이일 수 있다. 이론적으로 스트레칭이 가능한 제 2 전극 층(42)의 굽은(bending) 면적은 수학식 2로 나타날 수 있다.Here, A _PLANE may be a flat area of the second electrode layer 42. x may be the length of the horizontal axis, and y may be the length of the vertical axis. In theory, the bending area of the second electrode layer 42 that can be stretched may be expressed by Equation 2.

여기서, A_CURVE은 제 2 전극 층(42)의 굽은 면적이다. 제 2 전극 층(42)의 굽은 면적은 평탄한 면적의 1.25배 이하로 증가할 수 있다. 즉, 그래핀 층들의 제 2 전극 층(42)은 트렌치들(21) 내에 평탄한 면적의 25%이하로 신축되도록 전사될 수 있다. 신축된 제 2 전극 층(42)은 1nm이하의 표면 거칠기를 가질 수 있다. 나아가, 신축된 제 2 전극 층(42)과 점착 층(50) 사이의 계면들은 1nm 이하의 낮은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 낮은 표면 거칠기는 제 2 전극 층(42)의 반사도와 면저항을 감소시키고, 투과도를 증가시킬 수 있다. Here, A _CURVE is the curved area of the second electrode layer 42. The curved area of the second electrode layer 42 may increase to 1.25 times or less of the flat area. That is, the second electrode layer 42 of the graphene layers may be transferred to expand and contract to less than 25% of the flat area in the trenches 21. The stretched second electrode layer 42 may have a surface roughness of 1 nm or less. Furthermore, interfaces between the stretched second electrode layer 42 and the adhesive layer 50 may have a low surface roughness of 1 nm or less. The low surface roughness may reduce the reflectivity and sheet resistance of the second electrode layer 42 and increase transmittance.

도시되지는 않았지만, 지지 층(60) 상에 봉지 층이 형성될 수 있다. 점착 층(50)은 봉지 층 또는 그 상의 스텍들에 의해 보호되어야 하기 때문에 높은 접착력을 가질 수 있다. Although not shown, an encapsulation layer may be formed on the support layer 60. The adhesive layer 50 may have a high adhesive force because it must be protected by an encapsulation layer or stacks thereon.

도 16 내지 도 20은 도 4의 표시장치의 제조방법을 보여준다.16 to 20 show a method of manufacturing the display device of FIG. 4.

도 16을 참조하면, 기판(10) 상에 패시베이션 층(11), 게이트 전극(13), 및 반도체 층(14)을 형성한다. 패시베이션 층(11)은 화학 기상 증착방법으로 기판(10)의 전면에 형성될 수 있다. 게이트 전극(13) 및 반도체 층(14)은 단위 공정들을 통해 패시베이션 층(11) 상에 형성될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 게이트 전극(13)은 금속 증착공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 제 2 층간 유전 층(18)은 유전체를 포함할 수 있다. 제 2 층간 유전 층(18)은 유전체의 화학 기상 증착 공정, 포토 리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 반도체 층(14)은 실리콘 화학 기상 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 16, a passivation layer 11, a gate electrode 13, and a semiconductor layer 14 are formed on a substrate 10. The passivation layer 11 may be formed on the entire surface of the substrate 10 by a chemical vapor deposition method. The gate electrode 13 and the semiconductor layer 14 may be formed on the passivation layer 11 through unit processes. The unit processes may include a thin film deposition process, a photolithography process, and an etching process. The gate electrode 13 may be formed by a metal deposition process, a photolithography process, and an etching process. The second interlayer dielectric layer 18 may comprise a dielectric. The second interlayer dielectric layer 18 may be formed by a dielectric chemical vapor deposition process, a photolithography process, and an etching process. The semiconductor layer 14 may be formed by a silicon chemical vapor deposition process, a photolithography process, and an etching process.

도 17을 참조하면, 제 1 전극 층(22)을 형성한다. 제 1 전극 층(22)은 박막트랜지스터(12)에 인접하는 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 제 1 전극 층(22)은 ITO의 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 17, a first electrode layer 22 is formed. The first electrode layer 22 may be formed on the substrate 10 adjacent to the thin film transistor 12. The first electrode layer 22 may be formed by an ITO deposition process, a photolithography process, and an etching process.

도 18을 참조하면, 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 형성한다. 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)은 금속 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 반도체 층(14)의 양측들 및 제 1 전극 층(22) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 18, a source electrode 15 and a drain electrode 16 are formed. The source electrode 15 and the drain electrode 16 may be formed on both sides of the semiconductor layer 14 and on the first electrode layer 22 by a metal deposition process, a photolithography process, and an etching process.

도 19를 참조하면, 제 1 층간 유전 층(20)을 형성한다. 제 1 층간 유전 층(20)은 유전 층의 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 제 1 층간 유전 층(20)은 박막트랜지스터(12)를 덮고 제 1 전극 층(22)을 노출하는 트렌치(21)를 가질 수 있다. 트렌치(21)의 양 측벽들(23)은 약 7° 내지 약 22.5°의 경사각을 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 19, a first interlayer dielectric layer 20 is formed. The first interlayer dielectric layer 20 may be formed by a dielectric layer deposition process, a photolithography process, and an etching process. The first interlayer dielectric layer 20 may have a trench 21 covering the thin film transistor 12 and exposing the first electrode layer 22. Both sidewalls 23 of the trench 21 may be formed to have an inclination angle of about 7° to about 22.5°.

도 20을 참조하면, 제 1 층간 유전 층(20) 및 제 1 전극 층(22) 상에 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44)을 순차적으로 형성한다. 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44)은 트렌치(21)를 따라 순차적으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 1 전하 주입 층(24), 제 1 전하 수송 층(26), 유기 발광 층(30), 제 2 전하 수송 층(46), 제 2 전하 주입 층(44)은 메탈 마스크에 의해 제 1 전극 층(22) 상에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 20, on the first interlayer dielectric layer 20 and the first electrode layer 22, a first charge injection layer 24, a first charge transport layer 26, an organic light emitting layer 30, and The second charge transport layer 46 and the second charge injection layer 44 are sequentially formed. The first charge injection layer 24, the first charge transport layer 26, the organic light-emitting layer 30, the second charge transport layer 46, and the second charge injection layer 44 are sequentially formed along the trench 21. It can be formed as In contrast, the first charge injection layer 24, the first charge transport layer 26, the organic light emitting layer 30, the second charge transport layer 46, and the second charge injection layer 44 are formed by a metal mask. It may be formed on the first electrode layer 22.

도 21을 참조하면, 제 2 전하 주입 층(44) 상에 제 2 전극 층(42), 점착 층(50), 및 지지 층(60)을 전사한다. 제 2 전극 층(42), 점착 층(50), 및 지지 층(60)은 도 8 내지 도 14에 근거하여 제조될 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 등각접촉방법으로 제 2 전하 주입 층(44) 상에 접합될 수 있다. 제 2 전극 층(42)은 트렌치(21) 내에 25% 이하로 신장되도록 전사될 수 있다. 제 2 전극 층(42)는 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수 있다. 제 2 전극 층(42)의 반사도 및 면저항을 감소할 수 있다. 제 2 전극 층(42)의 투과도는 증가할 수 있다.Referring to FIG. 21, the second electrode layer 42, the adhesive layer 50, and the support layer 60 are transferred onto the second charge injection layer 44. The second electrode layer 42, the adhesive layer 50, and the support layer 60 may be manufactured based on FIGS. 8 to 14. The second electrode layer 42 may be bonded on the second charge injection layer 44 by a conformal contact method. The second electrode layer 42 may be transferred to be elongated by 25% or less in the trench 21. The second electrode layer 42 may be formed to have a surface roughness of 1 nm or less. Reflectivity and sheet resistance of the second electrode layer 42 may be reduced. The transmittance of the second electrode layer 42 may be increased.

도 4를 참조하면, 지지 층(60) 상에 봉지 층(80)을 형성한다. 봉지 층(80)은 유기발광소자(70)를 보호할 수 있다. Referring to FIG. 4, an encapsulation layer 80 is formed on the support layer 60. The encapsulation layer 80 may protect the organic light emitting device 70.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains to implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that it can be. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments and application examples are illustrative in all respects and are not limiting.

Claims

Forming a self-assembled short molecular layer on the first substrate;
Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer;
Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer; And
Including the step of forming a preliminary electrode layer on the adhesive layer,
The step of forming the adhesive layer and the support layer comprises:
Providing a dummy adhesive layer on the support layer; And
Including the step of forming the adhesive layer by providing an adhesive between the dummy adhesive layer and the self-assembled short molecular layer,
The preliminary electrode layer is a method of transferring a graphene layer including a graphene layer formed by a transfer method.

The method of claim 1,
The step of forming the self-assembled monomolecular layer is:
Forming a hydroxyl group on the first substrate; And
Including the step of providing a self-assembled short molecular material on the first substrate,
The first substrate is a method of transferring a graphene layer formed to have a surface roughness of 1 nm or less.

The method of claim 2,
The step of forming the hydroxy group is:
Ultrasonicating the first substrate in a cleaning solution; And
A method of transferring a graphene layer comprising the step of treating the first substrate with ultraviolet ozone treatment and oxygen plasma.

The method of claim 2,
The self-assembled monomolecular material is a method of transferring a graphene layer comprising trichloro(1H, 2H, 2H-heptadecafluordecyl) silane.

delete

The method of claim 1,
The supporting layer includes acrylate-treated or urethane-treated polyester, and the dummy adhesive layer includes acrylate or urethane.

The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive includes polydimethylsiloxane having an acrylate terminal functional group or an epoxy terminal functional group,
The pressure-sensitive adhesive includes a polydimethylsiloxane having a methacryloxypropyl or carbinol terminal group of the acrylate terminal functional group,
The pressure-sensitive adhesive is a graphene layer comprising a polydimethylsiloxane having (epoxypropoxy)propyl, (epoxypropoxypropyl)dimethoxysilyl, or mono (2,3-epoxy)propyl ether terminal group of the epoxy terminal functional group Transfer method.

The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive is a transfer method of the graphene layer further comprising a radical reaction initiator of Darocure 1173.

The method of claim 8,
The method of transferring a graphene layer wherein the adhesive layer is cured by an acrylate reaction between the adhesive and the dummy adhesive layer.

The method of claim 9,
The acrylate reaction is induced by a reaction between the pressure-sensitive adhesive and ultraviolet rays provided to the dummy adhesive layer and the radical reaction initiator.

The method of claim 1,
The forming of the preliminary electrode layer includes transferring the graphene layer formed by a chemical vapor deposition method on a second substrate different from the first substrate and a catalyst layer on the second substrate to the adhesive layer. Graphene layer transfer method.

The method of claim 11,
Further comprising removing the catalyst layer and the second substrate,
The catalyst layer is a method of transferring a graphene layer that is removed by an aqueous ferric chloride solution.

The method of claim 1,
The transfer method of the graphene layer, wherein the interface between the adhesive layer and the preliminary electrode layer is formed to have a surface roughness of 1 nanometer or less.

Forming a first electrode layer on the substrate;
Forming a first charge injection layer and a first charge transport layer on the first electrode layer;
Forming a light emitting layer on the first charge transport layer;
Forming a second charge transport layer and a second charge injection layer on the light-emitting layer; And
Forming a second electrode layer on the second charge injection layer,
The step of forming the second electrode layer includes:
Forming a self-assembled short molecular layer on the first substrate;
Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer;
Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer;
Forming a preliminary electrode layer on the adhesive layer; And
Transferring the preliminary electrode layer onto the second charge injection layer to form the second electrode layer,
The step of forming the adhesive layer and the support layer comprises:
Providing a dummy adhesive layer on the support layer; And
Including the step of forming the adhesive layer by providing an adhesive between the dummy adhesive layer and the self-assembled short molecular layer,
The preliminary electrode layer is a method of manufacturing an organic light emitting device comprising a graphene layer formed by a transfer method.

The method of claim 14,
The second electrode layer is formed to have a surface roughness of 1 nanometer or less by stretching and contracting in both directions of the support layer and the adhesive layer.

The method of claim 14,
The second electrode layer is a method of manufacturing an organic light emitting device formed by a conformal contact method on the second charge injection layer.

Forming a first electrode layer on the substrate;
Forming a first interlayer dielectric layer having trenches exposing the first electrode layer;
Forming a first charge injection layer, a first charge transport layer, a light emitting layer, a second charge transport layer, and a second charge injection layer along the trench on the first interlayer dielectric layer and the first electrode layer; And
Forming a second electrode layer on the second charge injection layer,
The step of forming the second electrode layer includes:
Forming a self-assembled short molecular layer on the first substrate;
Forming an adhesive layer and a support layer on the self-assembled monolayer;
Exposing the adhesive layer by removing the first substrate and the self-assembled short molecule layer;
Forming a preliminary electrode layer on the adhesive layer; And
Transferring the preliminary electrode layer onto the second charge injection layer to form the second electrode layer,
The preliminary electrode layer is a method of manufacturing a display device including a graphene layer formed by a transfer method.

The method of claim 17,
The trench has an inclination angle of 7 degrees to 22.5 degrees with respect to the upper surface of the first electrode layer,
The method of manufacturing a display device in which the second electrode layer expands and contracts in an area of 25% or less in the trenches.

The method of claim 17,
The second electrode layer is formed to have a surface roughness of 1 nanometer or less by stretching and contracting the support layer and the adhesive layer in the trench.

The method of claim 17,
The second electrode layer is formed on the second charge injection layer by a conformal contact method.