KR102136220B1 - Organic light emitting display device with insulating layer formed as multilayered structure - Google Patents

Organic light emitting display device with insulating layer formed as multilayered structure Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 배치되는 절연층 및 상기 절연층 상에 배치되는 표시 소자층을 포함하며, 상기 절연층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.The present invention includes a substrate, an insulating layer disposed on the substrate, and a display element layer disposed on the insulating layer, wherein the insulating layer includes at least one low refractive layer and at least one high refractive layer. Provide a device.

Description

다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH INSULATING LAYER FORMED AS MULTILAYERED STRUCTURE}Organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multi-layer structure {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH INSULATING LAYER FORMED AS MULTILAYERED STRUCTURE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multi-layer structure.

유기 발광 표시 장치(Organic light emitting display device)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. An organic light emitting display device is a self-luminous display device that displays an image with an organic light emitting diode that emits light.

유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.Unlike a liquid crystal display, an organic light emitting display device does not require a separate light source, and thus can relatively reduce thickness and weight. In addition, the organic light emitting display device has attracted attention as a next-generation display device for portable electronic devices because it exhibits high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

일반적으로 유기 발광 소자는 정공 주입 전극, 유기 발광층 및 전자 주입 전극을 갖는다. 유기 발광 소자는 정공 주입 전극으로부터 공급받은 정공과 전자 주입 전극으로부터 공급받은 전자가 유기 발광층 내에서 결합하여 형성된 여기자(exciton)가 기저 상태로 떨어질 때 발생되는 에너지에 의해 빛을 발생한다.In general, the organic light emitting device has a hole injection electrode, an organic emission layer and an electron injection electrode. The organic light emitting device generates light by energy generated when excitons formed by combining holes supplied from a hole injection electrode and electrons supplied from an electron injection electrode in an organic emission layer fall to a ground state.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광층에서 생성된 광이 출광하는 방향에 따라 전면 발광형 유기 발광 표시 장치와 배면 발광형 유기 발광 표시 장치로 나누어진다.The organic light emitting display device is divided into a front emission type organic emission display device and a rear emission type organic emission display device according to a direction in which light generated from the organic emission layer is emitted.

배면 발광형 유기 발광 표시 장치의 경우 자체 발광 효율이 높지 않기 때문에 발광 효율을 향상시키기 위해서 광학적 공진(optical resonance)을 일으키는 광 공동(optical cavity)층을 구비할 수 있다.In the case of the rear emission type organic light emitting diode display, since the self-emission efficiency is not high, an optical cavity layer that causes optical resonance may be provided to improve the emission efficiency.

발광층에서 생성된 광은 광 공동층 내에서 반복적으로 반사되면서 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 일으키게 된다. 즉, 특정 파장의 광은 증폭되고 이외의 파장의 광은 상쇄되어 특정 파장의 광만 선별적으로 광 공동층을 통과하게 된다. 따라서 광 공동층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 발광 효율, 휘도 및 색순도가 향상될 수 있다.The light generated in the light emitting layer is repeatedly reflected within the optical cavity layer, thereby causing constructive interference or canceling interference. That is, light of a specific wavelength is amplified and light of a different wavelength is canceled so that only light of a specific wavelength selectively passes through the optical cavity layer. Accordingly, light emission efficiency, luminance, and color purity of the organic light emitting diode display including the optical cavity layer may be improved.

그러나 광 공동층 사이의 광학적 거리는 광 공동층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 정면에서 볼 때 최적화된 거리로 설정되기 때문에 측면에서 볼 때에는 광의 간섭길이에 변화가 발생한다. 이로 인해 시야각이 변화함에 따라 정면 대비 휘도 감소 및 색변화(color shift)를 유발하게 되어 전반적인 디스플레이 특성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.However, since the optical distance between the optical cavity layers is set to an optimal distance when viewed from the front of the organic light emitting diode display including the optical cavity layer, there is a change in the interference length of light when viewed from the side. As a result, as the viewing angle is changed, luminance and color shift are reduced compared to the front, thereby causing a problem that the overall display characteristics are deteriorated.

전술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 시야각이 변화하더라도 정면 대비 휘도 감소 및 색변화(color shift)가 적은 유기 발광 표시 장치를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having less luminance and color shift compared to the front even when the viewing angle is changed.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되는 표시 소자층을 포함하고, 상기 절연층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함하며, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만이고, 상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.4 이하이며, 상기 저굴절층의 두께는 1750Å 이상 내지 6000Å 이하이며, 상기 고굴절층의 두께는 3000Å 이상 내지 8000Å 이하일 수 있다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, a substrate; An insulating layer disposed on the substrate; And a display element layer disposed on the insulating layer, wherein the insulating layer includes at least one low refractive layer and at least one high refractive layer, wherein the refractive index of the low refractive layer is 1.3 or more and less than 1.6, and The refractive index of the high refractive layer is 1.6 or more and 2.4 or less, the thickness of the low refractive layer is 1750 mm or more and 6000 mm or less, and the thickness of the high refractive layer may be 3000 mm or more and 8000 mm or less.

상기 기판과 절연층 사이에는 컬러필터층이 배치될 수 있다.A color filter layer may be disposed between the substrate and the insulating layer.

상기 표시 소자층은 상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극을 포함할 수 있다.The display element layer may include a first electrode disposed on the insulating layer, a light emitting layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the light emitting layer.

상기 저굴절층 및 고굴절층은 서로 교대로 형성될 수 있다.The low refractive layer and the high refractive layer may be alternately formed.

상기 저굴절층은 SiO2 및 MgF3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The low refractive layer is SiO 2 And MgF 3 It may include at least one of.

상기 고굴절층은 Si3N4, TiO2, MgO, Al2O3, SiO 및 ZnS 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The high refractive layer may include at least one of Si 3 N 4 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , SiO and ZnS.

상기 기판과 절연층 사이에는 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)층이 구비될 수 있다.A thin film transistor (TFT) layer electrically connected to the first electrode may be provided between the substrate and the insulating layer.

상기 박막 트랜지스터(TFT)층과 절연층 사이에는 컬러 필터층이 구비될 수 있다.A color filter layer may be provided between the thin film transistor (TFT) layer and the insulating layer.

한편, 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 장치는, 기판;상기 기판 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극을 포함하고, 상기 절연층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함하며, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만이고, 상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.4 이하이며, 상기 저굴절층의 두께는 1750Å 이상 내지 6000Å 이하이고, 상기 고굴절층의 두께는 3000Å 이상 내지 8000Å 이하일 수 있다.On the other hand, an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention for achieving the above object, a substrate; an insulating layer disposed on the substrate; A first electrode disposed on the insulating layer; A light emitting layer disposed on the first electrode; And a second electrode disposed on the light emitting layer, wherein the insulating layer includes at least one low refractive layer and at least one high refractive layer, wherein the refractive index of the low refractive layer is 1.3 or more and less than 1.6, and the high refractive index The refractive index of the layer is 1.6 or more and 2.4 or less, the thickness of the low refractive layer is 1750 mm or more and 6000 mm or less, and the thickness of the high refractive layer may be 3000 mm or more to 8000 mm or less.

상기 절연층 및 상기 제 1 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극을 발광 영역과 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막을 포함할 수 있다.A pixel defining layer disposed on the insulating layer and the first electrode and dividing the first electrode into a light emitting region and a non-light emitting region may be included.

상기 기판과 절연층 사이에는 컬러필터층이 배치될 수 있다.A color filter layer may be disposed between the substrate and the insulating layer.

본 발명의 일례에 따른 유기 발광 표시 장치는 광 공동층 기능을 하는 절연층을 다층 구조로 형성하여 시야각의 변화에 따른 정면 대비 휘도 변화 및 색변화를 감소시킬 수 있다. In the organic light emitting diode display according to an example of the present invention, an insulating layer serving as an optical cavity layer may be formed in a multi-layer structure to reduce luminance change and color change compared to the front side according to a change in viewing angle.

도 1은 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다.
도 2는 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색변화를 나타낸 도이다.
1 is a view showing an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a conventional single-layer structure.
2 is a view showing a resonance spectrum of an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a conventional single layer structure.
3 is a view showing an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to another embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a resonance spectrum of an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing color change according to a viewing angle of an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.The present invention can be modified in various ways, and can be implemented in various forms, and only specific embodiments are illustrated in the drawings, and the main body will be described. However, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the above specific embodiments, and all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. In the present specification, specific structural or functional descriptions are merely exemplified for the purpose of describing the embodiments of the present invention, and the embodiments of the present invention can be implemented in various forms and are limited to the embodiments described herein. It should not be interpreted as being, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. It should be understood that when a component is described as being “connected” or “contacted” to another component, it may be directly connected to or in contact with another component, but another component may be present in the middle. something to do.

또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "집적 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.Also, when it is described that one component is "directly connected" or "collectively contact" to another component, it can be understood that another component is not present in the middle. Other expressions describing the relationship between the components, for example, "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" may be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms used in this specification are only used to describe exemplary embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.In this specification, the terms "include", "have" or "have" are intended to designate the presence of implemented features, numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof, one or more thereof. It should be understood that the above other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof are not excluded in advance. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, and third may be used to describe various components, but these components are not limited by the terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second or third component, etc., and similarly, the second or third component may also be alternately named.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다. 또한, 도면에 있어서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도면에 개시된 바에 의하여 한정되지 않는다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification. In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited by what is disclosed in the drawings.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In the drawings, thicknesses are enlarged to clearly represent various layers and regions. In addition, in the drawings, thicknesses of some layers and regions are exaggerated for convenience of description.

도 1은 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다. 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층(120), 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되며, 광 공동층 기능을 하는 절연층(130), 상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극(140), 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막(150), 상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 배치되는 발광층(160) 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극(170)을 포함할 수 있다.1 is a view showing an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a conventional single-layer structure. The organic light emitting diode display 100 including an insulating layer formed of a conventional single layer structure includes a substrate 110, a thin film transistor layer 120 disposed on the substrate, and a thin film transistor layer, and functions as an optical cavity layer. Insulating layer 130, a first electrode 140 disposed on the insulating layer, a pixel defining layer 150 separating the first electrode into a light emitting region and a non-emission region, and divided by the pixel defining layer A light emitting layer 160 disposed on the light emitting region of the first electrode and a second electrode 170 disposed on the light emitting layer may be included.

상기 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치이다.The organic light emitting diode display 100 including the insulating layer formed of the single-layer structure is a rear emission type organic light emitting diode display.

도 1에는 도시되지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터층(120)과 상기 절연층(130) 사이에는 상기 발광층(160)에 대응하는 컬러필터층이 배치될 수 있다.Although not illustrated in FIG. 1, a color filter layer corresponding to the light emitting layer 160 may be disposed between the thin film transistor layer 120 and the insulating layer 130.

도 2는 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 공진 스펙트럼(resonance spectrum)을 나타낸 도이다.2 is a view illustrating a resonance spectrum according to a viewing angle of an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a conventional single layer structure.

이하에서, 상기 시야각(viewing angle)은 사용자가 상기 유기 발광 표시 장치를 바라보는 각도를 의미한다. 즉, 사용자가 상기 유기 발광 표시 장치를 정면에서 바라볼 때의 시야각을 0도라 하면, 사용자가 상기 유기 발광 표시 장치를 측면에서 바라볼 때 상기 유기 발광 표시 장치에 수직한 선과 사용자의 시선이 이루는 각도를 시야각이라 한다. 따라서 상기 정면을 기준으로 각각 좌우 0도 내지 90도의 시야각이 존재할 수 있다.Hereinafter, the viewing angle refers to an angle at which a user views the organic light emitting display device. That is, if a viewing angle when a user views the organic light emitting display device from the front is 0 degrees, an angle formed by a line perpendicular to the organic light emitting display device and the user's gaze when the user views the organic light emitting display device from the side Is called the viewing angle. Therefore, a viewing angle of 0 to 90 degrees to the left and right may be present based on the front.

도 2의 (a)는 시야각이 0도일 때 종래 광 공동층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이며, 도 2의 (b)는 시야각이 50도일 때 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이다.FIG. 2(a) is a view showing a resonance spectrum of the organic light emitting diode display 100 including a conventional optical cavity layer when the viewing angle is 0 degrees, and FIG. 2(b) is a conventional single layer structure when the viewing angle is 50 degrees It is a diagram showing the resonance spectrum of the organic light emitting diode display 100 including the insulating layer formed of.

상기 도 2의 (a) 및 (b)를 청색 파장(420~470nm) 기준으로 비교해보면, 상기 도 2의 (a)는 상기 청색 파장이 450nm일 때 피크 값을 가지며, 상기 도 2의 (b)는 상기 청색 파장이 425nm일 때 피크 값을 갖는 것을 알 수 있다. 이와 같이 시야각이 변화함에 따라 공진 스펙트럼의 피크 값이 변화하기 때문에 시야각이 변화함에 따라 색변화량이 증가하게 된다. 즉, 시야각이 변화함에 따라 정면 대비 휘도 감소 및 색변화(color shift)가 발생하여 전반적인 디스플레이 특성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.When comparing (a) and (b) of FIG. 2 based on the blue wavelength (420 to 470 nm), FIG. 2 (a) has a peak value when the blue wavelength is 450 nm, and (b) of FIG. ) Can be seen to have a peak value when the blue wavelength is 425 nm. Since the peak value of the resonance spectrum changes as the viewing angle changes, the amount of color change increases as the viewing angle changes. That is, as the viewing angle is changed, luminance and color shift are generated compared to the front, resulting in a problem that the overall display characteristics are deteriorated.

이러한 시야각에 따른 휘도 감소 및 색변화를 방지하기 위해서 본 발명에서는 상기 광 공동층 기능을 하는 절연층을 다층 구조로 형성한 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.In order to prevent luminance reduction and color change according to the viewing angle, an exemplary embodiment of the present invention is to provide an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multilayer structure in which an insulating layer serving as the optical cavity layer is formed in a multilayer structure.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다.3 is a diagram illustrating an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(210), 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층(220), 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되며, 광 공동층 기능을 하는 절연층(230), 상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극(240), 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막(250), 상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 배치되는 발광층(260) 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극(270)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display 200 including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention includes a substrate 210, a thin film transistor layer 220 disposed on the substrate, and a thin film transistor layer An insulating layer 230 serving as an optical cavity layer, a first electrode 240 disposed on the insulating layer, and a pixel defining layer 250 separating the first electrode into a light emitting region and a non-light emitting region, the It may include a light emitting layer 260 disposed on the light emitting region of the first electrode separated by a pixel defining layer and a second electrode 270 disposed on the light emitting layer.

상기 절연층(230)은 제 1 고굴절층(231), 제 1 저굴절층(232) 및 제 2 고굴절층(233)을 포함할 수 있다.The insulating layer 230 may include a first high refractive layer 231, a first low refractive layer 232, and a second high refractive layer 233.

도 3에 도시되지는 않았지만 상기 박막 트랜지스터층(220)과 절연층(230) 사이에는 컬러필터층이 배치될 수 있다.Although not illustrated in FIG. 3, a color filter layer may be disposed between the thin film transistor layer 220 and the insulating layer 230.

본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(200)는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치이다.The organic light emitting diode display 200 including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention is a back light emitting organic light emitting diode display.

먼저 상기 기판(210)으로서 투명 절연 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(210)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 상기 기판(210)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 기판(210)은 당업자의 필요에 따라 적절한 것을 선택하여 사용할 수 있다.First, a transparent insulating substrate may be used as the substrate 210. For example, the substrate 210 may be formed of a glass substrate, a quartz substrate, a transparent resin substrate, and the like. The transparent resin substrate that can be used as the substrate 210 may include polyimide resin, acrylic resin, polyacrylate resin, polycarbonate resin, polyether resin, polyethylene terephthalate resin, sulfonic acid resin, and the like. These may be used alone or in combination with each other. The substrate 210 may be selected and used according to the needs of those skilled in the art.

상기 기판(210) 상에는 상기 제 1 전극(240)과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터층(220)이 배치될 수 있다. 도 3에는 도시되지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터층(220)에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 반도체 소자가 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극은 상기 제 1 전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반도체 소자는 박막 트랜지스터를 형성하는 통상적인 방법에 의하여 형성될 수 있다. 따라서 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터를 형성하는 구체적인 방법에 대한 설명은 생략한다.A thin film transistor layer 220 electrically connected to the first electrode 240 may be disposed on the substrate 210. Although not illustrated in FIG. 3, a semiconductor device including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode may be formed on the thin film transistor layer 220. The drain electrode may be electrically connected to the first electrode 240. The semiconductor device can be formed by a conventional method of forming a thin film transistor. Therefore, a description of a specific method of forming a semiconductor device or thin film transistor is omitted.

도 3에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(210)과 상기 박막 트랜지스터층(220) 사이에는 필요에 따라 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층이 더 구비될 수도 있다.Although not illustrated in FIG. 3, a buffer layer formed of silicon oxide or silicon nitride may be further provided between the substrate 210 and the thin film transistor layer 220 as necessary.

상기 박막 트랜지스터층(220) 상에는 절연층(230)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(230)은 상기 기판(210)상에 형성된 박막 트랜지스터층(220)을 구성하는 반도체 소자들을 충분히 덮을 수 있는 두께를 가진다.An insulating layer 230 may be disposed on the thin film transistor layer 220. The insulating layer 230 has a thickness capable of sufficiently covering the semiconductor elements constituting the thin film transistor layer 220 formed on the substrate 210.

상기 유기 발광 표시 장치(200)가 배면 발광형 유기 발광 표시 장치인 경우 상기 절연층(230)은 상기 발광층(260)에서 생성된 빛이 출광되는 광경로 상에 있기 때문에 광 공동(optical cavity)층으로서의 기능을 할 수 있다.When the organic light emitting diode display 200 is a rear emission type organic light emitting diode display, the insulating layer 230 is an optical cavity layer because the light generated by the light emitting layer 260 is on an optical path from which light is emitted. It can function as.

상기 절연층(230)은 단일층 구조로 형성될 수도 있지만, 적어도 2층 이상의 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 절연층(230)이 다층 구조로 형성되는 경우 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함할 수 있다.The insulating layer 230 may be formed in a single layer structure, but may be formed in a multi-layer structure of at least two or more layers. When the insulating layer 230 is formed in a multi-layer structure, it may include at least one low refractive layer and at least one high refractive layer.

상기 저굴절층은 1.3 이상 내지 1.6 미만의 굴절률을 가진 재료로 형성될 수 있으며, 상기 고굴절층은 1.6 이상 내지 2.4 이하의 굴절률을 가진 재료로 형성될 수 있다. 상기 저굴절층은 SiO2(n=1.4~1.5) 및 MgF3(n=1.3~1.4) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 고굴절층은 Si3N4(n=1.8~1.9), TiO2(n=2.0~2.3), MgO(n=1.74), Al2O3(n=1.8~1.9), SiO(n=1.8~1.9) 및 ZnS(n=2.3~2.4) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. The low refractive layer may be formed of a material having a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the high refractive layer may be formed of a material having a refractive index of 1.6 or more and 2.4 or less. The low refractive layer is SiO 2 (n=1.4~1.5) And MgF 3 (n=1.3-1.4) It may be formed of at least one of the, the high refractive layer is Si 3 N 4 (n = 1.8 ~ 1.9), TiO 2 (n = 2.0 ~ 2.3), MgO (n = 1.74), Al 2 O 3 (n =1.8 to 1.9), SiO (n = 1.8 to 1.9) and ZnS (n = 2.3 to 2.4).

상기 저굴절층 및 고굴절층은 서로 교대로 형성될 수 있다. 도 3에서는 제 1 고굴절층(231), 제 1 저굴절층(232) 및 제 2 고굴절층(233)이 순차적으로 적층된 구조로 도시되었으나, 필요에 따라서 상기 저굴절층 및 고굴절층이 추가로 적층될 수 있다.The low refractive layer and the high refractive layer may be alternately formed. In FIG. 3, the first high refractive layer 231, the first low refractive layer 232, and the second high refractive layer 233 are shown in a stacked structure, however, if necessary, the low refractive layer and the high refractive layer are additionally Can be stacked.

상기 제 1 고굴절층(231)은 1000Å 이상 내지 6000Å 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제 1 저굴절층(232)은 1000Å 이상 내지 5000Å 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 고굴절층(233)은 1000Å 이상 내지 6000Å 이하의 두께로 형성될 수 있다.The first high refractive layer 231 may be formed to a thickness of 1000Å or more to 6000Å or less, and the first low refractive layer 232 may be formed to a thickness of 1000Å or more to 5000Å or less, and the second high refractive layer 233 may be formed to a thickness of 1000Å or more to 6000Å or less.

상기 절연층(230)을 구성하는 각각의 저굴절층 및 고굴절층은 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.Each of the low and high refractive layers constituting the insulating layer 230 is a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, and plasma augmentation It may be formed using a chemical vapor deposition (PECVD) process, a high density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, a vacuum deposition process, or the like.

도 3에는 도시되지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터층(220)과 상기 절연층(230) 사이에는 컬러필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러필터는 적색 영역의 파장을 통과시키는 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 컬러필터 등이 될 수 있다. 상기 컬러필터의 종류는 상기 발광층(260)을 구성하는 발광 물질의 발광색에 대응하여 형성될 수 있다.Although not illustrated in FIG. 3, a color filter may be disposed between the thin film transistor layer 220 and the insulating layer 230. The color filter may be a color filter that passes wavelengths in the red region, a color filter that passes wavelengths in the green region, and a color filter that passes wavelengths in the blue region. The type of the color filter may be formed corresponding to the emission color of the light emitting material constituting the light emitting layer 260.

상기 절연층(230) 상에는 제 1 전극(240)이 형성될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(200)는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치이기 때문에 상기 제 1 전극(240)은 투명전극으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(240)을 구성하는 투명 전도성 산화물(TCO)은 인듐 주석 화합물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.A first electrode 240 may be formed on the insulating layer 230. Since the organic light emitting diode display 200 is a back light emitting organic light emitting diode display, the first electrode 240 may be formed as a transparent electrode. The transparent conductive oxide (TCO) constituting the first electrode 240 may include at least one of indium tin compound, indium zinc oxide, zinc tin oxide, zinc oxide, tin oxide, and gallium oxide. These may be used alone or in combination with each other.

상기 제 1 전극(240) 사이에는 화소정의막(250)이 구비된다. 상기 화소정의막(250)은 절연성을 갖는 재료로 형성되는데, 상기 제 1 전극(240)의 말단과 오버랩(overlap)되어 상기 제 1 전극(240)을 화소(pixel) 단위로 구분하여 화소영역을 정의한다. 상기 화소 정의막(250)은 상기 제 1 전극(240) 상에 배치되어 상기 유기 발광 표시 장치(200)의 발광 영역과 비발광 영역을 구분할 수 있다.A pixel defining layer 250 is provided between the first electrodes 240. The pixel defining layer 250 is formed of an insulating material, and overlaps an end of the first electrode 240 to divide the first electrode 240 into pixels, thereby dividing the pixel region. define. The pixel defining layer 250 is disposed on the first electrode 240 to distinguish a light emitting region and a non-light emitting region of the organic light emitting diode display 200.

상기 화소 정의막(250)에 의해 구분된 상기 제 1 전극(240)의 발광 영역 상부에는 발광층(260)이 형성될 수 있다.An emission layer 260 may be formed on the emission region of the first electrode 240 divided by the pixel defining layer 250.

기 발광층(260)은 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 일례에 따르면, 상기 발광층(260)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 다른 일례에 따르면, 상기 발광층(260)은 상기 제 1 전극(240)의 발광 영역 상부 및 화소 정의막(250) 영역의 상부에까지 연장되어 형성될 수 있다.The light emitting layer 260 may be formed using light emitting materials capable of generating different color lights, such as red light, green light, and blue light. According to another example, the light emitting layer 260 may have a multi-layer structure in which a plurality of light emitting materials capable of implementing different color lights such as red light, green light, and blue light are stacked to emit white light. According to another example, the emission layer 260 may be formed to extend above the emission region of the first electrode 240 and above the pixel defining layer 250 region.

상기 발광층(260) 상에는 제 2 전극(270)이 형성될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(200)는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치이기 때문에 상기 제 2 전극(260)은 반사전극으로 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(260)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(T), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이리듐(Ir) 등과 같은 금속 및 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.A second electrode 270 may be formed on the emission layer 260. Since the organic light emitting diode display 200 is a back-emitting organic light emitting diode display, the second electrode 260 may be formed as a reflective electrode. The second electrode 260 is aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), chromium (Cr), tungsten (T), molybdenum (Mo), titanium (Ti), palladium (Pd) and It may include a material selected from metals and alloys thereof, such as iridium (Ir). These may be used alone or in combination with each other.

상기 제 2 전극(270)은 상기 발광층(260)의 상부에만 형성될 수 있으며, 상기 화소 정의막(250) 및 상기 발광층(260) 상부에 연장되어 형성될 수 있다.The second electrode 270 may be formed only on the emission layer 260, and may be formed to extend above the pixel defining layer 250 and the emission layer 260.

도 3에는 도시되지 않았지만, 상기 제 1 전극(240)과 발광층(260) 사이에는 정공주입층(HIL) 및 정공수송층(HTL)이 배치될 수 있으며, 상기 발광층(260) 및 제 2 전극(270) 사이에는 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)이 배치될 수 있다.Although not illustrated in FIG. 3, a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL) may be disposed between the first electrode 240 and the light emitting layer 260, and the light emitting layer 260 and the second electrode 270 may be disposed. ), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) may be disposed.

도 4는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도이다.4 is a view showing an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)의 경우 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(200)와 중복되는 부분에 관해서는 설명을 생략하기로 한다.In the case of the organic light emitting display device 300 illustrated in FIG. 4, descriptions of parts overlapping with the organic light emitting display device 200 illustrated in FIG. 3 will be omitted.

본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(310), 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층(320), 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되며, 광 공동층 기능을 하는 절연층(330), 상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극(340), 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막(350), 상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 배치되는 발광층(360) 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극(370)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display 300 including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention includes a substrate 310, a thin film transistor layer 320 disposed on the substrate, and a thin film transistor layer An insulating layer 330 serving as an optical cavity layer, a first electrode 340 disposed on the insulating layer, and a pixel defining layer 350 separating the first electrode into a light emitting region and a non-light emitting region, the A light emitting layer 360 disposed on the light emitting region of the first electrode separated by the pixel defining layer and a second electrode 370 disposed on the light emitting layer may be included.

상기 절연층(330)은 고굴절층(331) 및 저굴절층(332)을 포함할 수 있다.The insulating layer 330 may include a high refractive layer 331 and a low refractive layer 332.

도 4에 도시되지는 않았지만 상기 박막 트랜지스터층(320)과 절연층(330) 사이에는 컬러필터층이 배치될 수 있다. Although not illustrated in FIG. 4, a color filter layer may be disposed between the thin film transistor layer 320 and the insulating layer 330.

상기 저굴절층(332)은 1.3 이상 내지 1.6 미만의 굴절률을 가진 재료로 형성될 수 있으며, 상기 고굴절층(331)은 1.6 이상 내지 2.4 이하의 굴절률을 가진 재료로 형성될 수 있다. 상기 저굴절층(332)은 SiO2(n=1.4~1.5) 및 MgF3(n=1.3~1.4) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 고굴절층(331)은 Si3N4(n=1.8~1.9), TiO2(n=2.0~2.3), MgO(n=1.74), Al2O3(n=1.8~1.9), SiO(n=1.8~1.9) 및 ZnS(n=2.3~2.4) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. The low refractive layer 332 may be formed of a material having a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the high refractive layer 331 may be formed of a material having a refractive index of 1.6 or more and 2.4 or less. The low refractive index layer 332 is SiO 2 (n=1.4 to 1.5) And MgF 3 (n=1.3-1.4) It may be formed of at least one of the, the high refractive index layer 331 is Si 3 N 4 (n = 1.8 ~ 1.9), TiO 2 (n = 2.0 ~ 2.3), MgO (n = 1.74), Al 2 O 3 (n=1.8 to 1.9), SiO (n=1.8 to 1.9), and ZnS (n=2.3 to 2.4).

상기 고굴절층(331)은 3000Å 이상 내지 8000Å 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 저굴절층(332)은 1000Å 이상 내지 6000Å 이하의 두께로 형성될 수 있다.The high refractive layer 331 may be formed to a thickness of 3000Å or more to 8000Å or less, and the low refractive layer 332 may be formed to a thickness of 1000Å or more to 6000Å or less.

이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 제시한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명을 더욱 잘 이해하기 위하여 제시되는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention is presented. However, the following examples are only presented to better understand the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example

투명 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하고, 상기 평탄화 절연층 상에 유기 발광 소자를 형성한다. 상기 절연층은 제 1 고굴절층, 제 1 저굴절층 및 제 2 고굴절층으로 구성될 수 있다. 상기 제 1 고굴절층은 SiNX를 이용하여 3400Å 두께로 형성하고, 상기 제 1 저굴절층은 SiO2를 이용하여 1750Å 두께로 형성하고, 상기 제 2 고굴절층은 SiNX를 이용하여 1250Å 두께로 형성한다.After forming a thin film transistor layer on a transparent substrate, an insulating layer is formed on the thin film transistor layer, and an organic light emitting device is formed on the planarization insulating layer. The insulating layer may include a first high refractive layer, a first low refractive layer, and a second high refractive layer. The first high refractive layer is formed to a thickness of 3400Å using SiN X , the first low refractive layer is formed to a thickness of 1750Å using SiO 2 , and the second high refractive layer is formed to a thickness of 1250Å using SiN X. do.

비교예Comparative example

투명 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하고, 상기 평탄화 절연층 상에 유기 발광 소자를 형성한다. 상기 절연층은 SiO2를 이용하여 1400Å 두께로 형성한다.After forming a thin film transistor layer on a transparent substrate, an insulating layer is formed on the thin film transistor layer, and an organic light emitting device is formed on the planarization insulating layer. The insulating layer is formed to a thickness of 1400Å by using SiO 2.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(실시예)의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이다.5 is a view showing a resonance spectrum of an organic light emitting display device (example) including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention.

도 5의 (a)는 시야각이 0도일 때 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이며, 도 5의 (b)는 시야각이 50도일 때 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 공진 스펙트럼을 나타낸 도이다.5(a) is a view showing a resonance spectrum of an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention when the viewing angle is 0 degrees, and FIG. 5(b) shows a viewing angle 50 is a diagram showing a resonance spectrum of an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치는 광 공동층 기능을 하는 절연층이 다층 구조로 형성되기 때문에 상기 공진 스펙트럼이 다수의 피크 값을 갖는 멀티 피크 공진 스펙트럼으로 나타나게 된다.In an organic light emitting diode display including an insulating layer formed of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention, since the insulating layer serving as an optical cavity layer is formed in a multi-layer structure, the resonance spectrum has a multi-peak resonance having multiple peak values. It appears as a spectrum.

본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 공진 스펙트럼은 다수의 피크 값을 갖기 때문에 상기 절연층을 구성하는 층들의 두께를 조절하여 시야각이 변하더라도 원하는 파장 범위내에 공진 스펙트럼의 피크 값이 위치하도록 조절할 수 있다.Since the resonance spectrum of the organic light emitting diode display including the insulating layer formed of the multilayer structure according to the exemplary embodiment of the present invention has a plurality of peak values, the desired wavelength even if the viewing angle is changed by adjusting the thickness of the layers constituting the insulating layer. The peak value of the resonance spectrum can be adjusted within the range.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 출광 경로 상에 발광층에 대응하는 컬러필터층을 구비하기 때문에 특정 파장 범위 밖에 발생하는 공진 스펙트럼으로 인한 영향을 배제시킬 수 있다.In addition, since the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a color filter layer corresponding to the light emitting layer on the light exit path, an effect due to the resonance spectrum occurring outside a specific wavelength range can be excluded.

상기 도 5의 (a) 및 (b)를 청색 파장(420~470nm) 기준으로 비교해보면, 상기 도 5의 (a)는 상기 청색 파장이 450nm일 때 피크 값을 가지며, 상기 도 5의 (b)는 상기 청색 파장이 450nm일 때 피크 값을 갖는 것을 알 수 있다. 이와 같이 시야각이 변화하더라도 동일한 파장에서 피크 값이 발생하기 때문에 시야각이 변하더라도 색변화량이 적다. 즉, 시야각이 변하더라도 정면 대비 휘도 감소 및 색변화(color shift)가 적기 때문에 전반적으로 우수한 디스플레이 특성을 나타낼 수 있게 된다.When comparing (a) and (b) of FIG. 5 based on the blue wavelength (420 to 470 nm), FIG. 5 (a) has a peak value when the blue wavelength is 450 nm, and (b) of FIG. ) Can be seen to have a peak value when the blue wavelength is 450 nm. Even if the viewing angle changes, the peak value occurs at the same wavelength, so even if the viewing angle changes, the amount of color change is small. That is, even when the viewing angle is changed, since the luminance is reduced and the color shift is small compared to the front, overall excellent display characteristics can be exhibited.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(실시예)와 종래 단일층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치(비교예)와의 시야각에 따른 색변화량를 비교한 도이다.6 is a viewing angle between an organic light emitting display device (example) including an insulating layer formed of a multi-layer structure and an organic light emitting display device (comparative example) including an insulating layer formed of a conventional single-layer structure according to an embodiment of the present invention. It is a diagram comparing the amount of color change according to.

보다 구체적으로, 도 6a는 시야각(viewing angle)이 변화함에 따른 정면 대비 측면의 청색 색변화량(du'v')을 나타낸 도이며, 도 6b는 시야각이 변화함에 따른 정면 대비 측면의 녹색 색변화량(du'v')을 나타낸 도이며, 도 6c는 시야각이 변화함에 따른 정면 대비 측면의 적색 색변화량(du'v')을 각각 나타낸 도이다.More specifically, FIG. 6A is a diagram showing the amount of blue color change (du'v') on the side of the front contrast as the viewing angle changes, and FIG. 6B is the amount of green color change on the side of the front contrast as the viewing angle changes ( du'v'), and FIG. 6C is a diagram showing the amount of red color change (du'v') on the side of the front side contrast as the viewing angle changes.

상기 각각의 색변화량(du'v')은 상기 유기 발광 표시 장치를 정면에서 바라볼 때 색좌표(u'v')값과 시야각을 0도에서 90도로 변화시키면서 바라볼 때의 색좌표(u'v')값과의 차이를 말한다.The amount of each color change (du'v') is a color coordinate (u'v) when viewed while changing the value of the color coordinate (u'v') and the viewing angle from 0 to 90 degrees when the organic light emitting display is viewed from the front. ') The difference from the value.

상기 색좌표(u'v')는 국제조명위원회 CIE 15.2에 정의된 1976 UCS 도표 좌표를 말한다.The color coordinate (u'v') refers to the coordinates of the 1976 UCS diagram defined in International Lighting Commission CIE 15.2.

상기 각각의 색변화량(du'v')은 상기 실시예 및 비교예의 유기 발광 표시 장치에서 출광되는 청색, 녹색 및 적색 각각의 색좌표 값을 직접 측정하여 구할 수 있다. 또한, 상기 실시예 및 비교예에서 상기 발광층을 각각 청색, 녹색 및 적색으로만 형성한 유기 발광 표시 장치를 이용하여 측정할 수도 있다.The amount of each color change (du'v') can be obtained by directly measuring the color coordinate values of blue, green, and red, respectively, emitted from the organic light emitting display devices of the Examples and Comparative Examples. In addition, in the above Examples and Comparative Examples, it may be measured using an organic light emitting display device in which the light emitting layers are formed only in blue, green, and red, respectively.

도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 시야각이 변함에 따른 본 발명의 일실시예의 색변화량(du'v')이 시야각이 변함에 따른 비교예(reference)의 색변화량(du'v')에 비해 현저하게 감소하는 것을 알 수 있다.6A to 6C, the color change amount (du'v') of one embodiment of the present invention as the viewing angle changes is compared to the color change amount (du'v') of the reference example as the viewing angle changes. It can be seen that it decreases significantly.

즉, 본 발명의 일실시예와 같이 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치는 시야각에 따른 색변화를 감소시키고 전반적인 디스플레이 특성을 향상시키는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that an organic light emitting display device including an insulating layer formed of a multi-layer structure as in one embodiment of the present invention reduces color change according to a viewing angle and improves overall display characteristics.

이상에서 설명된 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.The organic light emitting display device including the insulating layer formed of the multi-layered structure described above is merely exemplary, and the protection scope of the present invention can be variously modified and equalized by those skilled in the art. It can contain.

100, 200, 300 : 유기 발광 표시 장치 110, 210, 310 : 기판
120, 220, 320 : 박막 트랜지스터층 130, 230, 330 : 절연층
231, 331 : 제 1 고굴절층 232, 332 : 제 1 저굴절층
233 : 제 2 고굴절층 140, 240, 340 : 제 1 전극
150, 250, 350 : 화소 정의막 160, 260, 360 : 발광층
170, 270, 370 : 제 2 전극
100, 200, 300: organic light emitting diode display 110, 210, 310: substrate
120, 220, 320: thin film transistor layer 130, 230, 330: insulating layer
231, 331: first high refractive layer 232, 332: first low refractive layer
233: second high refractive layer 140, 240, 340: first electrode
150, 250, 350: pixel definition layer 160, 260, 360: light emitting layer
170, 270, 370: second electrode

Claims (11)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되는 표시 소자층;
을 포함하고,
상기 절연층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함하며,
상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만이고, 상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.4 이하이며,
상기 저굴절층의 두께는 1750Å 이상 내지 6000Å 이하이며, 상기 고굴절층의 두께는 3000Å 이상 내지 8000Å 이하이고,
상기 절연층은 다수의 피크 값을 갖는 멀티 피크 공진 스팩트럼을 나타내고, 상기 다수의 피크 값 중 적어도 하나는 서로 다른 시야각에서 볼 때 동일한 파장에서 피크 값을 갖는 유기 발광 표시 장치.
Board;
An insulating layer disposed on the substrate; And
A display element layer disposed on the insulating layer;
Including,
The insulating layer includes at least one low refractive layer and at least one high refractive layer,
The low refractive layer has a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the high refractive layer has a refractive index of 1.6 or more and 2.4 or less,
The thickness of the low refractive layer is 1750 Å or more and 6000 Å or less, and the thickness of the high refractive layer is 3,000 층 or more to 8000 Å or less,
The insulating layer represents a multi-peak resonance spectrum having a plurality of peak values, and at least one of the plurality of peak values has an organic light emitting display device having a peak value at the same wavelength when viewed from different viewing angles.
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 절연층 사이에는 컬러필터층이 배치되는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein a color filter layer is disposed between the substrate and the insulating layer. 제 1 항에 있어서, 상기 표시 소자층은,
상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치되는 발광층;
상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극;
을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1, wherein the display element layer,
A first electrode disposed on the insulating layer;
A light emitting layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the light emitting layer;
An organic light emitting display device comprising a.
제 1 항에 있어서, 상기 저굴절층 및 고굴절층은 서로 교대로 형성되는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the low refractive layer and the high refractive layer are alternately formed. 제 1 항에 있어서, 상기 저굴절층은 SiO2 및 MgF3 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1, wherein the low refractive index is SiO 2 And MgF 3 An organic light emitting display device comprising at least one of. 제 1 항에 있어서, 상기 고굴절층은 Si3N4, TiO2, MgO, Al2O3, SiO 및 ZnS 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the high refractive layer comprises at least one of Si 3 N 4 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , SiO, and ZnS. 제 1 항에 있어서, 상기 기판과 절연층 사이에는 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)층이 구비되는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein a thin film transistor (TFT) layer electrically connected to the first electrode is provided between the substrate and the insulating layer. 제 7 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터(TFT)층과 절연층 사이에는 컬러 필터층이 구비되는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 7, wherein a color filter layer is provided between the thin film transistor (TFT) layer and the insulating layer. 기판;
상기 기판 상에 배치되는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극;
을 포함하고,
상기 절연층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 적어도 하나 이상의 고굴절층을 포함하며,
상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만이고, 상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.4 이하이며,
상기 저굴절층의 두께는 1750Å 이상 내지 6000Å 이하이고, 상기 고굴절층의 두께는 3000Å 이상 내지 8000Å 이하이고,
상기 절연층은 다수의 피크 값을 갖는 멀티 피크 공진 스팩트럼을 나타내고, 상기 다수의 피크 값 중 적어도 하나는 서로 다른 시야각에서 볼 때 동일한 파장에서 피크 값을 갖는 유기 발광 표시 장치.
Board;
An insulating layer disposed on the substrate;
A first electrode disposed on the insulating layer;
A light emitting layer disposed on the first electrode; And
A second electrode disposed on the light emitting layer;
Including,
The insulating layer includes at least one low refractive layer and at least one high refractive layer,
The low refractive layer has a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the high refractive layer has a refractive index of 1.6 or more and 2.4 or less,
The thickness of the low refractive layer is 1750 1 or more and 6000Å or less, and the thickness of the high refractive layer is 3000Å or more to 8000Å or less,
The insulating layer represents a multi-peak resonant spectrum having a plurality of peak values, and at least one of the plurality of peak values has an organic light emitting display device having a peak value at the same wavelength when viewed from different viewing angles.
제 9 항에 있어서, 상기 절연층 및 상기 제 1 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극을 발광 영역과 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 9, further comprising a pixel defining layer disposed on the insulating layer and the first electrode and dividing the first electrode into a light emitting region and a non-light emitting region. 제 9 항에 있어서, 상기 기판과 절연층 사이에는 컬러필터층이 배치되는 유기 발광 표시 장치.
The organic light emitting display device of claim 9, wherein a color filter layer is disposed between the substrate and the insulating layer.
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