KR102117474B1 - Radio frequency receiving apparatus circuit - Google Patents

Radio frequency receiving apparatus circuit Download PDF

Info

Publication number
KR102117474B1
KR102117474B1 KR1020150057185A KR20150057185A KR102117474B1 KR 102117474 B1 KR102117474 B1 KR 102117474B1 KR 1020150057185 A KR1020150057185 A KR 1020150057185A KR 20150057185 A KR20150057185 A KR 20150057185A KR 102117474 B1 KR102117474 B1 KR 102117474B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
switch unit
signal
control
unit
Prior art date
Application number
KR1020150057185A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160126288A (en
Inventor
김정훈
하종옥
최규진
강석찬
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020150057185A priority Critical patent/KR102117474B1/en
Publication of KR20160126288A publication Critical patent/KR20160126288A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102117474B1 publication Critical patent/KR102117474B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/1607—Supply circuits
    • H04B1/1615—Switching on; Switching off, e.g. remotely
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/1638—Special circuits to enhance selectivity of receivers not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기 방전 보호회로에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로는 안테나단에서 입력 받은 RF신호를 스위칭 신호에 따라 증폭부로 출력하는 제1 RF 스위치부; 상기 RF신호를 증폭하는 증폭부; 상기 증폭부로부터 입력된 신호를 신호 처리부로 전달하는 제2 RF 스위치부; 및 상기 스위칭 신호로서 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압을 상기 제1 RF 스위치부의 게이트단에 인가하는 제어 전압 생성부를 포함할 수 있다.The present invention relates to an electrostatic discharge protection circuit, the RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention is a first RF switch unit for outputting an RF signal input from the antenna terminal to the amplification unit according to the switching signal; An amplifying unit for amplifying the RF signal; A second RF switch unit transmitting a signal input from the amplification unit to a signal processing unit; And a control voltage generator that applies an ON / OFF voltage or an attenuation operation voltage to the gate terminal of the first RF switch unit as the switching signal.

Figure R1020150057185
Figure R1020150057185

Description

RF 수신 회로{RADIO FREQUENCY RECEIVING APPARATUS CIRCUIT}RF receiving circuit {RADIO FREQUENCY RECEIVING APPARATUS CIRCUIT}

본 발명은 RF 수신 회로에 관한 것이다.
The present invention relates to an RF receiving circuit.

RF(Radio Frequency) 수신 회로는 RF 신호를 선택적으로 통과시키기 위하여 무선 통신 시스템과 같은 다수의 어플리케이션에서 사용된다.Radio frequency (RF) receiving circuits are used in many applications, such as wireless communication systems, to selectively pass RF signals.

근래의 무선통신 시스템은 하나의 IC(integrated circuit)에서 여러 통신 표준에 적용 가능하도록 설계되고 있어 통신 표준에 적합하도록 RF 신호를 선택적으로 통과시킬 수 있어야 하고, 통신 환경에 따라 수신된 RF 신호를 왜곡 없이 처리할 수 있어야 한다.Modern wireless communication systems are designed to be applicable to multiple communication standards in one integrated circuit (IC), and must be able to selectively pass RF signals to conform to the communication standards and distort the received RF signals according to the communication environment. It should be able to handle without.

이처럼 넓은 신호 레벨의 범위를 요구하는 무선통신 시스템을 위한 RF 수신 회로는 표준에 의해 요구되는 레벨보다 큰 레벨의 RF 신호가 수신되었을 때, 수신된 RF신호를 설정된 레벨로 감쇄하여 출력하여야 하며, 작은 레벨의 RF 신호가 수신되었을 때, 수신된 RF신호를 설정된 레벨로 증폭하여 출력하여야 한다.
The RF receiving circuit for a wireless communication system requiring a wide range of signal levels, when an RF signal having a level greater than the level required by the standard is received, attenuates the received RF signal to a set level and outputs it. When a level RF signal is received, the received RF signal must be amplified to a set level and output.

한국 공개특허공보 KR 10-2013-0126389호Korean Patent Publication No. KR 10-2013-0126389

본 발명의 일 실시예에 따르면, 신호 레벨의 감쇄를 수행하는 스위치를 채용하여 회로의 크기를 줄일 수 있는 RF 수신 회로가 제공된다.
According to an embodiment of the present invention, there is provided an RF receiving circuit capable of reducing the size of a circuit by employing a switch that performs signal level attenuation.

상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 안테나단에서 입력 받은 RF신호를 스위칭 신호에 따라 증폭부로 출력하는 제1 RF 스위치부; 상기 RF신호를 증폭하는 증폭부; 상기 증폭부로부터 입력된 신호를 신호 처리부로 전송하는 제2 RF 스위치부 및 상기 스위칭 신호로서 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압을 상기 제1 RF 스위치부의 게이트단에 인가하는 제어 전압 생성부를 포함하는 RF 수신 회로가 제공된다.In order to solve the above-described problems of the present invention, according to an embodiment of the present invention, a first RF switch unit for outputting the RF signal input from the antenna terminal to the amplifying unit according to the switching signal; An amplifying unit for amplifying the RF signal; A second RF switch unit for transmitting a signal input from the amplification unit to a signal processing unit and a control for applying an ON / OFF voltage or an attenuation operation voltage to the gate terminal of the first RF switch unit as the switching signal An RF receiving circuit including a voltage generator is provided.

또한, 안테나단에서 입력 받은 RF신호를 스위칭 신호들에 따라 증폭부로 출력하고, 복수의 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)을 포함하는 제1 RF 스위치부; 상기 RF신호를 증폭하는 증폭부; 상기 증폭부로부터 입력된 신호를 신호 처리부로 전송하는 제2 RF 스위치부; 및 상기 스위칭 신호들로서 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압들을 상기 복수의 MOS-FET의 게이트단들에 인가하는 제어 전압 생성부를 포함하는 RF 수신 회로가 제공된다.
In addition, the RF signal input from the antenna terminal outputs to the amplification unit according to the switching signals, a first RF switch unit including a plurality of metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOS-FET); An amplifying unit for amplifying the RF signal; A second RF switch unit that transmits a signal input from the amplification unit to a signal processing unit; And a control voltage generator that applies ON / OFF voltages or attenuation operating voltages to the gate terminals of the plurality of MOS-FETs as the switching signals.

본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로는 신호의 온(ON)/오프(OFF) 및 감쇄 동작이 가능한 스위치를 채용하여 회로의 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.
The RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention has an effect of reducing the size of the circuit by employing a switch capable of on / off and attenuation of the signal.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로를 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로 중 제어 전압 생성부를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로를 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로 중 제어 전압 생성부를 나타낸 회로도이다.
도 5는 제1 RF 스위치부에 포함된 MOS-FET의 sub-threshold특성을 설명하기 위한 그래프이다.1 is a circuit diagram showing an RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating a control voltage generator among RF reception circuits according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing an RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram illustrating a control voltage generator among RF reception circuits according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph for explaining the sub-threshold characteristics of the MOS-FET included in the first RF switch unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다.However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. It should be understood that the various embodiments of the invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, the specific shapes, structures, and properties described herein can be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in relation to one embodiment.

또한, 어떤 구성 요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
Also, 'including' a component means that other components may be further included, not excluded, unless otherwise stated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing an RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 RF 수신 회로는 제1 RF 스위치부(10), RF신호를 증폭하는 증폭부(20), 제2 RF 스위치부(30) 및 신호 처리부(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the RF receiving circuit of the present invention includes a first RF switch unit 10, an amplifying unit 20 for amplifying an RF signal, a second RF switch unit 30, and a signal processing unit 40 You can.

또한, 스위칭 신호로서 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압을 상기 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가하는 제어 전압 생성부(50)를 포함할 수 있다.In addition, a control voltage generator 50 that applies an ON / OFF voltage or an attenuation operation voltage to the gate terminal SA of the first RF switch unit 10 as a switching signal may be included. .

상기 제 1 RF 스위치부(10)는 MOS-FET을 포함할 수 있고, 안테나단(ANT)에서 입력 받은 RF신호를 스위칭 신호에 따라 증폭부(20)로 출력할 수 있다.The first RF switch unit 10 may include a MOS-FET, and output the RF signal input from the antenna terminal ANT to the amplifying unit 20 according to the switching signal.

또한, 상기 증폭부(20)는 저전압 증폭기(LNA)를 포함할 수 있고, 제1 RF 스위치부(10)로부터 입력받은 RF 신호를 증폭할 수 있다.In addition, the amplification unit 20 may include a low voltage amplifier (LNA), and amplify the RF signal input from the first RF switch unit 10.

상기 제2 RF 스위치부(30)는 제2 RF 스위치부(30)의 게이트단(SB)에 인가되는 스위칭 신호에 따라 상기 증폭된 RF 신호를 송수신 신호 처리부(40)로 전달 수 있다.The second RF switch unit 30 may transmit the amplified RF signal to the transmission / reception signal processing unit 40 according to the switching signal applied to the gate terminal SB of the second RF switch unit 30.

여기서, 제1 RF 스위치부를 스위칭하는 스위칭 신호는 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압의 레벨을 가진 신호가 될 수 있으며, 상기 스위칭 신호는 제어 전압 생성부(50)에 의해 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가될 수 있다.Here, the switching signal for switching the first RF switch unit may be a signal having a level of an on / off voltage or an attenuation operating voltage, and the switching signal is controlled by the control voltage generator 50. 1 may be applied to the gate end SA of the RF switch unit 10.

제1 RF 스위치부(10)의 게이트 단(SA)에 온(ON) 전압이 인가되는 경우 제1 RF 스위치부(10)는 수신된 RF 신호를 그대로 증폭부(20)로 전달할 수 있고, 제1 RF 스위치부(10)에 감쇄 동작 전압이 인가되는 경우 제1 RF 스위치부(10)는 저항의 특성을 가지는 소자로 동작하여 제1 RF 스위치부(10)로 입력되는 RF 신호를 감쇄할 수 있다.When an ON voltage is applied to the gate end SA of the first RF switch unit 10, the first RF switch unit 10 may transmit the received RF signal to the amplifying unit 20 as it is. 1 When the attenuation operating voltage is applied to the RF switch unit 10, the first RF switch unit 10 may operate as a device having a characteristic of resistance to attenuate the RF signal input to the first RF switch unit 10. have.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로는 별도의 RF 신호의 감쇄를 위한 감쇄 회로가 불필요하여 RF 수신 회로의 크기를 줄일 수 있는 효과를 가질 수 있다.
Accordingly, the RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention may have an effect of reducing the size of the RF receiving circuit because an attenuation circuit for attenuating a separate RF signal is unnecessary.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로 중 제어 전압 생성부를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a control voltage generator among RF reception circuits according to an embodiment of the present invention.

제어 전압 생성부(50)는 복수의 다이오드들(51)에 의해 분배된 감쇄 전압을 제1 제어입력(cont1) 및 제2 제어입력(cont2)에 따라 제1 RF스위치부의 게이트단(SA)에 스위칭 신호로서 인가할 수 있다.The control voltage generator 50 applies the attenuation voltage distributed by the plurality of diodes 51 to the gate terminal SA of the first RF switch unit according to the first control input cont1 and the second control input cont2. It can be applied as a switching signal.

한편, 상기 복수의 다이오드들(51)은 게이트와 드레인이 연결된 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)일 수 있다.
Meanwhile, the plurality of diodes 51 may be a metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOS-FET) connected to a gate and a drain.

일 실시예로서, 제어 전압 생성부(50)는 2 to 4 decoder에 의해 제1 제어입력(cont1)와 제2 제어입력(cont2)를 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)로 디코딩할 수 있다.As an embodiment, the control voltage generator 50 decodes the first control input cont1 and the second control input cont2 into first to fourth control signals CS1 to CS4 by a 2 to 4 decoder. You can.

다음의 설명에서 제어입력(cont1), 제2 제어입력(cont2) 및 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)가 1 또는 0인 경우는 제어입력(cont1)과 제2 제어입력(cont2) 및 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)가 제1 RF 스위치부에 포함된 MOSFET(MA) 및 제어 전압 생성부(50)에 포함된 스위치들(M1, M2, M3)을 스위칭 온(ON) 또는 오프(OFF)시키는 전압을 가지는 경우로 가정한다.In the following description, when the control input (cont1), the second control input (cont2) and the first to fourth control signals (CS1 to CS4) are 1 or 0, the control input (cont1) and the second control input (cont2) And the first to fourth control signals CS1 to CS4 switching on the MOSFETs MA included in the first RF switch unit and the switches M1, M2, and M3 included in the control voltage generator 50 ( It is assumed that the voltage has ON) or OFF.

구체적으로, 제1 제어입력(cont1)이 0이고 제2 제어입력(cont2)이 0인 경우, 제1 제어신호(CS1)는 1로 출력되어 M1을 스위칭 온(ON)시킬 수 있다.Specifically, when the first control input cont1 is 0 and the second control input cont2 is 0, the first control signal CS1 is output as 1 to turn M1 on.

상기 M1이 스위칭 온(ON) 되면, 복수의 다이오들(51)에 의해 분배된 전압은 스위칭 신호로서 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가될 수 있다.When the M1 is switched on, the voltage distributed by the plurality of diodes 51 may be applied to the gate terminal SA of the first RF switch unit 10 as a switching signal.

또한, 제1 제어입력(cont1)이 1이고 제2 제어입력(cont2)이 0인 경우, 제2 제어신호(CS1)는 1로 출력되어 M2를 스위칭 온(ON)시킬 수 있다.In addition, when the first control input cont1 is 1 and the second control input cont2 is 0, the second control signal CS1 is output as 1 to turn M2 on.

상기 M2가 스위칭 온(ON) 되면, 제1 제어입력(cont1)이 M2를 통하여 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가되어 제1 RF 스위치부(10)가 온(ON)되어 안테나단(ANT)로부터 수신된 RF 신호가 증폭기의 입력단(LNAin)으로 전달될 수 있다.When the M2 is switched on, the first control input (cont1) is applied to the gate end SA of the first RF switch unit 10 through M2 to turn on the first RF switch unit 10 (ON). ), The RF signal received from the antenna terminal ANT may be transmitted to the input terminal LNAin of the amplifier.

다음으로, 제1 제어입력(cont1)이 0이고 제2 제어입력(cont2)이 1인 경우, 제3 제어신호(CS1)은 1로 출력되어 M3를 스위칭 온(ON)시키고, 제1 제어입력(cont1)이 M3를 통하여 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가되어 제1 RF 스위치부(10)는 오프(OFF) 동작할 수 있다.Next, when the first control input (cont1) is 0 and the second control input (cont2) is 1, the third control signal (CS1) is output to 1 to turn on the M3 (ON), the first control input (cont1) is applied to the gate end SA of the first RF switch unit 10 through M3, so that the first RF switch unit 10 may operate in an OFF state.

즉, 상기 제어 전압 생성부(50)는 복수의 다이오드들(51)에 의해 분배된 감쇄 동작 전압을 제1 제어입력 및 제2 제어입력에 따라 상기 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가하거나, 제1 제어입력(cont1)을 제1 RF 스위치부의 게이트단(SA)에 인가할 수 있다.That is, the control voltage generation unit 50 determines the attenuation operating voltage distributed by the plurality of diodes 51 according to the first control input and the second control input, the gate terminal of the first RF switch unit 10 ( SA) or a first control input (cont1) to the gate terminal SA of the first RF switch unit.

이에 따라, 제1 RF 스위치부(10)는 온(ON), 오프(OFF) 및 저항의 특성으로 동작하는 감쇄 동작을 포함한 3가지 모드로 동작 가능하므로 별도의 감쇄 회로가 불필요하여 RF 수신 회로의 크기를 줄일 수 있는 효과를 가질 수 있다.
Accordingly, the first RF switch unit 10 can be operated in three modes including attenuation operation that operates on (ON), off (OFF) and resistance characteristics, so a separate attenuation circuit is unnecessary, so that the RF reception circuit It can have the effect of reducing the size.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing an RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 RF 수신 회로는 복수의 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)을 포함하는 제1 RF 스위치부(10), RF신호를 증폭하는 증폭부(20), 제2 RF 스위치부(30) 및 신호 처리부(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the RF receiving circuit of the present invention includes a first RF switch unit 10 including a plurality of metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOS-FETs), an amplifying unit 20 for amplifying RF signals, A second RF switch unit 30 and a signal processing unit 40 may be included.

또한, 스위칭 신호로서 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압을 상기 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가하는 제어 전압 생성부(50)를 포함할 수 있다.In addition, a control voltage generator 50 that applies an ON / OFF voltage or an attenuation operation voltage to the gate terminal SA of the first RF switch unit 10 as a switching signal may be included. .

한편, 도 3의 제1 RF 스위치부(10)는 2개의 MOS-FET(MA1, MA2)을 포함한 경우를 도시하였으나, 제1 RF 스위치부(10)의 감쇄 동작을 조절하기 위해 3개 이상의 MOS-FET을 포함할 수 있다.Meanwhile, although the first RF switch unit 10 of FIG. 3 includes two MOS-FETs MA1 and MA2, three or more MOSs to control the attenuation operation of the first RF switch unit 10 -FET may be included.

상기 제1 RF 스위치부(10)는 안테나단(ANT)에서 입력 받은 RF신호를 스위칭 신호들에 따라 증폭부(20)로 출력할 수 있다.The first RF switch unit 10 may output the RF signal received from the antenna terminal (ANT) to the amplifying unit 20 according to the switching signals.

또한, 상기 증폭부(20)는 저잡음 증폭기(LNA)를 포함할 수 있고, 제1 RF 스위치부(10)로부터 입력받은 RF 신호를 증폭할 수 있다.In addition, the amplification unit 20 may include a low-noise amplifier (LNA), and amplify the RF signal input from the first RF switch unit 10.

상기 제2 RF 스위치부(30)는 제2 RF 스위치부(30)의 게이트단(SB)에 인가되는 스위칭 신호에 따라 상기 증폭된 RF 신호를 송수신 신호 처리부(40)로 전달 수 있다.The second RF switch unit 30 may transmit the amplified RF signal to the transmission / reception signal processing unit 40 according to the switching signal applied to the gate terminal SB of the second RF switch unit 30.

여기서, 제1 RF 스위치부(10)를 스위칭하는 스위칭 신호들은 온(ON)/오프(OFF) 전압 또는 감쇄 동작 전압 의 레벨을 가진 신호가 될 수 있으며, 상기 스위칭 신호들는 제어 전압 생성부(50)에 의해 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 게이트단들(SA1, SA2)에 인가될 수 있다.Here, the switching signals for switching the first RF switch unit 10 may be a signal having a level of an ON / OFF voltage or an attenuation operating voltage, and the switching signals are a control voltage generator 50 ) Can be applied to the gate terminals SA1 and SA2 included in the first RF switch unit 10.

또한, 상기 감쇄 동작 전압을 가지는 스위칭 신호들은 동일한 전압 레벨을 가질 수 있으나, 감쇄 동작을 조절하기 위해 상이한 전압 레벨을 가질 수도 있다.Further, the switching signals having the attenuation operation voltage may have the same voltage level, but may have different voltage levels to control the attenuation operation.

제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOS-FET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 온(ON) 전압이 인가되는 경우 제1 RF 스위치부(10)는 수신된 RF 신호를 그대로 증폭부(20)로 전달할 수 있고, 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOS-FET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 감쇄 동작 전압이 인가되는 경우 제1 RF 스위치부(10)는 저항의 특성을 가지는 소자로 동작하여 제1 RF 스위치부(10)로 입력되는 RF 신호를 감쇄할 수 있다.When an ON voltage is applied to the gate terminals SA1 and SA2 of the plurality of MOS-FETs MA1 and MA2 included in the first RF switch unit 10, the first RF switch unit 10 is received The RF signal can be transferred to the amplifying unit 20 as it is, and the attenuation operation voltage is applied to the gate terminals SA1 and SA2 of the plurality of MOS-FETs MA1 and MA2 included in the first RF switch unit 10. When applied, the first RF switch unit 10 may operate as a device having a characteristic of resistance to attenuate the RF signal input to the first RF switch unit 10.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로는 별도의 RF 신호의 감쇄를 위한 감쇄 회로가 불필요하여 RF 수신 회로의 크기를 줄일 수 있는 효과를 가질 수 있다.
Accordingly, the RF receiving circuit according to an embodiment of the present invention may have an effect of reducing the size of the RF receiving circuit because an attenuation circuit for attenuating a separate RF signal is unnecessary.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 수신 회로 중 제어 전압 생성부를 나타낸 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a control voltage generator among RF reception circuits according to an embodiment of the present invention.

제어 전압 생성부(50)는 복수의 다이오드들(51)에 의해 분배된 감쇄 전압들을 제1 제어입력(cont1) 및 제2 제어입력(cont2)에 따라 제1 RF스위치부(10)의 게이트단들(SA1, SA2)에 스위칭 신호들로서 인가할 수 있다.The control voltage generator 50 gates the attenuation voltages distributed by the plurality of diodes 51 according to the first control input (cont1) and the second control input (cont2) of the first RF switch unit (10) Fields SA1 and SA2 can be applied as switching signals.

한편, 상기 복수의 다이오드들(51)은 게이트와 드레인이 연결된 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)일 수 있다.
Meanwhile, the plurality of diodes 51 may be a metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOS-FET) connected to a gate and a drain.

일 실시예로서, 제어 전압 생성부(50)는 2 to 4 decoder에 의해 제1 제어입력(cont1)와 제2 제어입력(cont2)를 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)로 디코딩할 수 있다.As an embodiment, the control voltage generator 50 decodes the first control input cont1 and the second control input cont2 into first to fourth control signals CS1 to CS4 by a 2 to 4 decoder. You can.

다음의 설명에서 제어입력(cont1), 제2 제어입력(cont2) 및 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)가 1 또는 0인 경우는 제어입력(cont1)와 제2 제어입력(cont2) 및 제1 내지 제4 제어신호(CS1~CS4)가 제1 RF 스위치부에 포함된 복수의 MOSFET(MA1, MA2) 및 제어 전압 생성부(50)에 포함된 스위치들(M1, M2, M3, M4, M5)을 스위칭 온(ON) 또는 오프(OFF)시키는 전압을 가지는 경우로 가정한다.In the following description, when the control input (cont1), the second control input (cont2) and the first to fourth control signals (CS1 to CS4) are 1 or 0, the control input (cont1) and the second control input (cont2) And a plurality of MOSFETs MA1 and MA2 in which the first to fourth control signals CS1 to CS4 are included in the first RF switch unit and switches M1, M2, and M3 included in the control voltage generator 50. It is assumed that M4 and M5) have a voltage for switching on (ON) or off (OFF).

구체적으로, 제1 제어입력(cont1)이 0이고 제2 제어입력(cont2)이 0인 경우, 제1 제어신호(CS1)는 1로 출력되어 M1을 스위칭 온(ON)시킬 수 있다.Specifically, when the first control input cont1 is 0 and the second control input cont2 is 0, the first control signal CS1 is output as 1 to turn M1 on.

상기 M1이 스위칭 온(ON) 되면, 복수의 다이오들(51)에 의해 분배된 전압은 스위칭 신호들로서 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOSFET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 인가될 수 있다.When the M1 is switched on, the voltage distributed by the plurality of diodes 51 is the switching signals and the gate terminals of the plurality of MOSFETs MA1 and MA2 included in the first RF switch unit 10 ( SA1, SA2).

또한, 제1 제어입력(cont1)이 1이고 제2 제어입력(cont2)이 0인 경우, 제2 제어신호(CS1)는 1로 출력되어 M2 및 M4를 스위칭 온(ON)시킬 수 있다.In addition, when the first control input cont1 is 1 and the second control input cont2 is 0, the second control signal CS1 is output as 1 to switch M2 and M4 on.

M2 및 M4가 스위칭 온(ON) 되면, 제1 제어입력(cont1)이 M2를 통하여 제1 RF 스위치부(10)의 게이트단(SA)에 인가되어 제1 RF 스위치부(10)가 온(ON)되어 안테나단(ANT)로부터 수신된 RF 신호가 증폭기의 입력단(LNAin)으로 전달될 수 있다.When M2 and M4 are switched on, the first control input (cont1) is applied to the gate end SA of the first RF switch unit 10 through M2 to turn on the first RF switch unit 10 ( ON) and the RF signal received from the antenna terminal ANT may be transmitted to the input terminal LNAin of the amplifier.

다음으로, 제1 제어입력(cont1)이 0이고 제2 제어입력(cont2)이 1인 경우, 제3 제어신호(CS1)은 1로 출력되어 M3 및 M5를 스위칭 온(ON)시키고, 제1 제어입력(cont1)이 M3 및 M5를 통하여 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOSFET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 인가되어 제1 RF 스위치부(10)는 오프(OFF) 동작할 수 있다.Next, when the first control input (cont1) is 0 and the second control input (cont2) is 1, the third control signal (CS1) is output to 1 to switch on (ON) M3 and M5, the first The control input (cont1) is applied to the gate terminals (SA1, SA2) of the plurality of MOSFETs (MA1, MA2) included in the first RF switch unit 10 through M3 and M5, the first RF switch unit 10 Can operate OFF.

즉, 상기 제어 전압 생성부(50)는 복수의 다이오드들(51)에 의해 분배된 감쇄 동작 전압들을 제1 제어입력(cont1) 및 제2 제어입력(cont2)에 따라 상기 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOSFET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 인가하거나, 제1 제어입력(cont1)을 제1 RF 스위치부(10)에 포함된 복수의 MOSFET(MA1, MA2)의 게이트단들(SA1, SA2)에 인가할 수 있다.That is, the control voltage generation unit 50 is configured to control the attenuation operation voltages distributed by the plurality of diodes 51 according to the first control input cont1 and the second control input cont2. 10) a plurality of MOSFETs (MA1, MA2) included in the gate terminals (SA1, SA2) of the applied, or the first control input (cont1) of the plurality of MOSFET (MA1) included in the first RF switch unit 10 , MA2) may be applied to the gate terminals SA1 and SA2.

또한, 상기 감쇄 동작 전압을 가지는 스위칭 신호들은 동일한 전압 레벨을 가질 수 있으나, 감쇄 동작을 조절하기 위해 상이한 전압 레벨을 가질 수도 있다. Further, the switching signals having the attenuation operation voltage may have the same voltage level, but may have different voltage levels to control the attenuation operation.

이에 따라, 제1 RF 스위치부(10)는 온(ON), 오프(OFF) 및 저항의 특성으로 동작하는 감쇄 동작을 포함한 3가지 모드로 동작 가능하므로 별도의 감쇄 회로가 불필요하여 RF 수신 회로의 크기를 줄일 수 있는 효과를 가질 수 있다.
Accordingly, the first RF switch unit 10 can be operated in three modes including attenuation operation that operates on (ON), off (OFF) and resistance characteristics, so a separate attenuation circuit is unnecessary, so that the RF reception circuit It can have the effect of reducing the size.

도 5는 제1 RF 스위치부에 포함된 MOS-FET의 sub-threshold특성을 설명하기 위한 그래프이다.5 is a graph for explaining the sub-threshold characteristics of the MOS-FET included in the first RF switch unit.

도 5를 참조하면, MOS-FET에 인가되는 Vgs가 0.5V 이하인 구간이 sub-threshold특성을 가지는 구간으로 판단될 수 있다.Referring to FIG. 5, a section in which V gs applied to the MOS-FET is 0.5 V or less may be determined as a section having sub-threshold characteristics.

상기 sub-threshold특성을 가지는 구간에서 Vgs와 Ids가 형성하는 기울기의 역수가 MOS-FET의 드레인과 소스단 간 저항값으로 판단될 수 있고, 이러한 sub-threshold특성을 가지는 MOS-FET을 포함하는 제1 RF 스위치부의 sub-threshold특성에 따라 감쇄 동작 전압이 결정될 수 있다.
The inverse of the slope formed by V gs and I ds in the section having the sub-threshold characteristic can be determined as the resistance value between the drain and the source terminal of the MOS-FET, and includes the MOS-FET having the sub-threshold characteristic. The attenuation operating voltage may be determined according to the sub-threshold characteristic of the first RF switch unit.

이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.In the above, the present invention has been described by specific matters such as specific components and limited examples and drawings, but it is provided to help a more comprehensive understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments , Those skilled in the art to which the present invention pertains can make various modifications and variations from these descriptions.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
Therefore, the spirit of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and should not be determined, and all claims that are equally or equivalently modified with the claims as described below belong to the scope of the spirit of the present invention. Would say

10: 제1 RF 스위칭부
20: 증폭부
30: 제2 RF 스위칭부
40: 신호 처리부
50: 제어 전압 생성부10: first RF switching unit
20: amplification section
30: second RF switching unit
40: signal processing unit
50: control voltage generator

Claims (10)

안테나단에서 입력 받은 RF 신호를 제어 전압에 따라 증폭부로 출력하는 제1 RF 스위치부;
상기 RF 신호를 증폭하는 증폭부;
상기 증폭부로부터 입력된 신호를 송수신 신호처리부로 전달하는 제2 RF 스위치부; 및
상기 제어 전압을 생성하여, 상기 제1 RF 스위치부의 동작을 제어하는 제어 전압 생성부; 를 포함하고, 상기 제어 전압은 온 전압, 오프 전압, 및 감쇄 동작 전압을 포함하고,
상기 제어 전압 생성부는 상기 온 전압, 상기 오프 전압, 및 상기 감쇄 동작 전압을 선택적으로 생성하고,
상기 제1 RF 스위치부는 상기 온 전압에 의해 온 동작하고, 상기 오프 전압에 의해 오프 동작하고, 상기 감쇄 동작 전압에 의해 상기 RF 신호를 감쇄하는 RF 수신 회로.

A first RF switch unit outputting the RF signal input from the antenna terminal to the amplifying unit according to a control voltage;
An amplifying unit for amplifying the RF signal;
A second RF switch unit transmitting a signal input from the amplification unit to a transmission / reception signal processing unit; And
A control voltage generator configured to control the operation of the first RF switch unit by generating the control voltage; The control voltage includes an on voltage, an off voltage, and an attenuation operating voltage.
The control voltage generator selectively generates the on voltage, the off voltage, and the attenuation operating voltage,
The first RF switch unit operates on by the on-voltage, off-operates by the off-voltage, and the RF receiving circuit attenuates the RF signal by the attenuation operating voltage.

제1항에 있어서,
상기 제어 전압 생성부는 구동 전압을 복수의 다이오드들에 의해 분배하여, 상기 감쇄 동작 전압을 생성하는RF 수신 회로.
According to claim 1,
The control voltage generator divides the driving voltage by a plurality of diodes to generate the attenuation operating voltage RF receiving circuit.
삭제delete 제2항에 있어서,
상기 복수의 다이오드들은 게이트와 드레인이 연결된 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)인 RF 수신 회로.
According to claim 2,
The plurality of diodes are RF receiving circuits that are metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOS-FETs) to which gate and drain are connected.
제1항에 있어서,
상기 감쇄 동작 전압은 제1 RF 스위치부의 sub-threshold 특성에 따라 결정되는 RF 수신 회로.
According to claim 1,
The attenuation operating voltage is determined according to the sub-threshold characteristic of the first RF switch unit.
안테나단에서 입력 받은 RF 신호를 제어 전압에 따라 증폭부로 출력하고, 복수의 MOS-FET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)을 포함하는 제1 RF 스위치부;
상기 RF 신호를 증폭하는 증폭부;
상기 증폭부로부터 입력된 신호를 송수신 신호처리부로 전달하는 제2 RF 스위치부; 및
상기 제어 전압을 생성하여, 상기 제1 RF 스위치부의 동작을 제어하는 제어 전압 생성부; 를 포함하고,
상기 제어 전압은 온 전압, 오프 전압, 및 감쇄 동작 전압을 포함하고,
상기 제어 전압 생성부는 상기 온 전압, 상기 오프 전압, 및 상기 감쇄 동작 전압을 선택적으로 생성하고,
상기 제1 RF 스위치부는 상기 온 전압에 의해 온 동작하고, 상기 오프 전압에 의해 오프 동작하고, 상기 감쇄 동작 전압에 의해 상기 RF 신호를 감쇄하는 RF 수신 회로.
A first RF switch unit that outputs an RF signal input from the antenna terminal to an amplifying unit according to a control voltage, and includes a plurality of metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOS-FETs);
An amplifying unit for amplifying the RF signal;
A second RF switch unit transmitting a signal input from the amplification unit to a transmission / reception signal processing unit; And
A control voltage generator configured to control the operation of the first RF switch unit by generating the control voltage; Including,
The control voltage includes an on voltage, an off voltage, and an attenuation operating voltage,
The control voltage generator selectively generates the on voltage, the off voltage, and the attenuation operating voltage,
The first RF switch unit operates on by the on-voltage, off-operates by the off-voltage, and the RF receiving circuit attenuates the RF signal by the attenuation operating voltage.
제6항에 있어서,
상기 제어 전압 생성부는 구동 전압을 복수의 다이오드들에 의해 분배하여, 상기 감쇄 동작 전압을 생성하는RF 수신 회로.
The method of claim 6,
The control voltage generator divides the driving voltage by a plurality of diodes to generate the attenuation operating voltage RF receiving circuit.
삭제delete 제7항에 있어서,
상기 복수의 다이오드들은 게이트와 드레인이 연결된 MOS-FET인 RF 수신 회로.
The method of claim 7,
The plurality of diodes is a RF receiving circuit is a MOS-FET gate and drain connected.
제6항에 있어서,
상기 감쇄 동작 전압들은 제1 RF 스위치부에 포함된 MOS-FET의 sub-threshold 특성에 따라 결정되는 RF 수신 회로.

The method of claim 6,
The attenuation operating voltage is determined according to the sub-threshold characteristic of the MOS-FET included in the first RF switch unit.

KR1020150057185A 2015-04-23 2015-04-23 Radio frequency receiving apparatus circuit KR102117474B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150057185A KR102117474B1 (en) 2015-04-23 2015-04-23 Radio frequency receiving apparatus circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150057185A KR102117474B1 (en) 2015-04-23 2015-04-23 Radio frequency receiving apparatus circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160126288A KR20160126288A (en) 2016-11-02
KR102117474B1 true KR102117474B1 (en) 2020-06-01

Family

ID=57518366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150057185A KR102117474B1 (en) 2015-04-23 2015-04-23 Radio frequency receiving apparatus circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102117474B1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030016449A (en) * 2001-08-16 2003-03-03 삼성전자주식회사 Transmission power control device in radio transmitter
KR20120087009A (en) * 2011-01-27 2012-08-06 한국전자통신연구원 Digital circuits for microwave switch, attenuator and phase shifter
KR20130126389A (en) 2012-05-11 2013-11-20 한국전자통신연구원 Method and apparatus for transmitting and receiving radio frequency

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160126288A (en) 2016-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8547157B1 (en) Radio frequency switching device with fast transient response time
US8179205B2 (en) Linearization systems and methods for variable attenuators
US20070044024A1 (en) Derivative superposition circuit for linearization
KR101901693B1 (en) Switching circuit and high frequency switch including the same
JPWO2012164794A1 (en) Low noise amplifier with through mode
US20080311867A1 (en) Mos resistance controlling device, mos attenuator and radio transmitter
US9628070B2 (en) Radio frequency switch circuit and control method thereof
US9531438B2 (en) Power line carrier communication apparatus
KR20160109931A (en) Low noise amplifier circuit
US8729966B2 (en) Variable gain amplifier circuit
KR101335085B1 (en) Method and system for high power switching
JP2021013071A (en) Line switching type phase shifter
US8575991B2 (en) Switching circuit sharing a resistor for switching devices
KR102117474B1 (en) Radio frequency receiving apparatus circuit
KR101503974B1 (en) Amplifying circuit and wireless communication apparatus
CN111211742A (en) Fast power supply modulation circuit of amplifier
KR20140067381A (en) High frequency switch
US6507245B2 (en) Amplifier that is driven in a complementary manner
US20180159581A1 (en) Signal processing apparatus
JP2012074890A (en) Switch and control method therefor
JP2008182388A (en) Signal switching apparatus
KR20140086487A (en) Radio frequency switch circuit
WO2012117390A1 (en) A transmit/receive switch
KR101963268B1 (en) Frequency switch
US8838050B2 (en) Power amplifier for time division multiple access

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant