KR102115265B1 - Flexible pressure measuring system and large-sized textile having the same - Google Patents

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Abstract

미복원 상태의 보정이 가능한 섬유형 센싱 시스템 및 이의 구동방법에서, 상기 섬유형 센싱 시스템은 섬유형 센서, 주파수 인가부, 임피던스 비교부, 및 출력부를 포함한다. 상기 섬유형 센서는 섬유에 직조되어 외력의 인가에 따라 저항값이 변화한다. 상기 주파수 인가부는 상기 섬유형 센서에 제1 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 고주파 인가부, 및 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 저주파 인가부를 포함한다. 상기 임피던스 비교부는 상기 고주파 인가부에서 측정되는 임피던스를 비교한다. 상기 출력부는 상기 임피던스 비교부에서 비교되는 임피던스 값이 서로 다른 경우, 상기 저주파 인가부에서 측정되는 임피던스의 차이를 바탕으로 외력의 크기를 연산하여 출력한다. In a fibrous sensing system capable of correcting an unrestored state and a driving method thereof, the fibrous sensing system includes a fibrous sensor, a frequency applying unit, an impedance comparison unit, and an output unit. The fiber-type sensor is woven into the fiber and the resistance value changes according to the application of an external force. The frequency applying unit is a high frequency applying unit for measuring impedance by repeatedly applying a first frequency to the fiber type sensor, and a low frequency for measuring impedance by repeatedly applying a second frequency lower than the first frequency to the fiber type sensor. Includes an authorization unit. The impedance comparison unit compares the impedance measured by the high frequency application unit. When the impedance values compared by the impedance comparison unit are different, the output unit calculates and outputs the magnitude of the external force based on the difference in impedance measured by the low-frequency application unit.

Description

미복원 상태의 보정이 가능한 섬유형 센싱 시스템 및 이의 구동방법{FLEXIBLE PRESSURE MEASURING SYSTEM AND LARGE-SIZED TEXTILE HAVING THE SAME}Fiber-type sensing system capable of correcting unrestored condition and its driving method {FLEXIBLE PRESSURE MEASURING SYSTEM AND LARGE-SIZED TEXTILE HAVING THE SAME}

본 발명은 섬유형 센싱 시스템 및 이의 구동방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 물리적 변형에 의해 저항이 변화하여 이를 센싱하는 섬유형 센싱 시스템에서 섬유의 특성상 미복원 상태가 발생하는 경우 이를 보정하여 보다 정확한 신호를 검출할 수 있는 미복원 상태의 보정이 가능한 섬유형 센싱 시스템 및 이의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fiber-type sensing system and a method for driving the same, and more specifically, when a resistance is changed due to a physical deformation, the fiber-type sensing system that senses it is corrected by correcting it when an unrestored state occurs due to the characteristics of the fiber. The present invention relates to a fiber-type sensing system capable of correcting an unrestored state capable of detecting a signal and a driving method thereof.

도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 종래의 섬유형 저항센서의 경우, 섬유의 연장방향을 따라 외력이 인가되거나, 섬유에 수직인 방향으로 외력이 인가되는 경우 내부의 센서의 길이 또는 센서의 두께가 변화함에 따라 저항의 변화가 발생되어 외력의 크기를 계측할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이러한 섬유형 저항센서의 경우 대한민국 공개특허 제10-2017-0060527호 등을 포함하여 다양한 기술이 개발되고 있다. As shown in Figures 1a and 1b, in the case of a conventional fiber-type resistance sensor, when an external force is applied along the extending direction of the fiber, or when an external force is applied in a direction perpendicular to the fiber, the length of the sensor or the sensor of the internal sensor It is characterized in that a change in resistance occurs as the thickness changes, and the magnitude of the external force can be measured. In the case of such a fiber-type resistance sensor, various technologies have been developed, including Korean Patent Publication No. 10-2017-0060527.

그러나, 실제 섬유형 저항센서의 경우, 섬유의 특성상 반복적인 인장력 또는 압축력이 인가되는 경우, 형태가 변형되어 최초의 형태대로 복원되지 않거나 복원 속도가 느려지는 등의 현상이 발생한다. However, in the case of an actual fiber-type resistance sensor, when a repetitive tensile force or compressive force is applied due to the characteristics of the fiber, a phenomenon such as the shape being deformed and not being restored to the original shape or the restoration speed is slowed down occurs.

그런데, 섬유형 저항센서의 경우 초기 상태와 변형 상태 사이에서의 저항값을 바탕으로 외력의 크기를 계측하는 것으로, 실제 섬유가 최초의 형태대로 복원되지 않거나 복원 속도가 느려지는 경우, 정확한 신호의 검출이 어렵거나, 측정 가능한 센서의 동적 범위가 감소하는 문제가 야기되어, 전체적인 저항센서의 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다. However, in the case of the fiber-type resistance sensor, the magnitude of the external force is measured based on the resistance value between the initial state and the deformed state. When the actual fiber is not restored in its original form or the restoration speed is slow, the correct signal is detected. This is difficult, or a problem in which the dynamic range of the measurable sensor decreases is caused, resulting in a decrease in the reliability of the overall resistance sensor.

즉, 도 2a에 도시된 바와 같이, 이상적으로는 섬유형 저항센서의 경우 대기상태와 외력이 인가되는 정상상태 사이에서는 저항의 변화가 일정하게 유지되어야 하지만, 도 2b에 도시된 바와 같이, 실제로는 반복적인 압축과 인장 등으로 인한 섬유의 변형으로 대기상태에서의 오프셋(offset)이 발생하게 되며, 이에 따라 대기상태와 정상상태에서의 저항값은 물론 저항값의 차이도 변화하게 된다. That is, as shown in FIG. 2A, ideally, in the case of a fiber-type resistance sensor, a change in resistance should be kept constant between a standby state and a normal state to which an external force is applied, but as shown in FIG. 2B, in practice, Due to repeated compression and deformation of the fiber due to tension, an offset in the atmospheric state occurs, and accordingly, a difference between the resistance value in the atmospheric state and the steady state state as well as the resistance value changes.

그러나, 현재까지는 이러한 섬유형 저항센서의 특성을 고려하여 측정값을 보정하거나 측정값의 정확성을 향상시키기 위한 기술을 제안되고 있지 못한 상황이다. However, until now, a technique for correcting a measurement value or improving the accuracy of the measurement value has not been proposed in consideration of the characteristics of the fiber-type resistance sensor.

대한민국 공개특허 제10-2017-0060527호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2017-0060527

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 물리적 변형에 의해 저항이 변화하여 이를 센싱하는 섬유형 센싱 시스템에서 섬유의 특성상 미복원 상태가 발생하는 경우 이를 보정하여 보다 정확한 신호를 검출할 수 있는 미복원 상태의 보정이 가능한 섬유형 센싱 시스템에 관한 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention was conceived in this regard, and the object of the present invention is to correct the uncorrected state due to the characteristics of the fiber in the fiber-type sensing system that senses it by changing the resistance due to physical deformation. It relates to a fiber-type sensing system capable of correcting an unrestored state capable of detecting a signal.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 섬유형 센싱 시스템의 구동방법에 관한 것이다.In addition, another object of the present invention relates to a method of driving the fiber-type sensing system.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템은 섬유형 센서, 주파수 인가부, 임피던스 비교부, 및 출력부를 포함한다. 상기 섬유형 센서는 섬유에 직조되어 외력의 인가에 따라 저항값이 변화한다. 상기 주파수 인가부는 상기 섬유형 센서에 제1 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 고주파 인가부, 및 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 저주파 인가부를 포함한다. 상기 임피던스 비교부는 상기 고주파 인가부에서 측정되는 임피던스를 비교한다. 상기 출력부는 상기 임피던스 비교부에서 비교되는 임피던스 값이 서로 다른 경우, 상기 저주파 인가부에서 측정되는 임피던스의 차이를 출력한다. The fiber-type sensing system according to an embodiment for realizing the object of the present invention includes a fiber-type sensor, a frequency applying unit, an impedance comparison unit, and an output unit. The fiber-type sensor is woven into the fiber and the resistance value changes according to the application of an external force. The frequency applying unit is a high frequency applying unit for measuring impedance by repeatedly applying a first frequency to the fiber type sensor, and a low frequency for measuring impedance by repeatedly applying a second frequency lower than the first frequency to the fiber type sensor. Includes an authorization unit. The impedance comparison unit compares the impedance measured by the high frequency application unit. When the impedance values compared in the impedance comparison unit are different, the output unit outputs a difference in impedance measured by the low frequency application unit.

일 실시예에서, 상기 고주파 인가부에서 측정되는 임피던스와 상기 저주파 인가부에서 측정되는 임피던스를 저장하고, 각각 상기 임피던스 비교부 및 상기 출력부로 제공하는 임피던스 저장부를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the impedance measured by the high frequency applying unit and the impedance measured by the low frequency applying unit may be stored, and may further include an impedance storage unit provided to the impedance comparison unit and the output unit, respectively.

일 실시예에서, 상기 제1 주파수는 수MHz 범위의 주파수이고, 상기 제2 주파수는 수kHz 내지 수백kHz 범위의 주파수일 수 있다. In one embodiment, the first frequency is a frequency in the range of several MHz, and the second frequency can be a frequency in the range of several kHz to hundreds of kHz.

일 실시예에서, 상기 저주파 인가부는, 상기 고주파 인가부에서 측정된 임피던스가, 상기 고주파 인가부에서 기 측정된 임피던스와 서로 다른 경우, 상기 섬유형 센서에 제2 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정할 수 있다. In one embodiment, when the impedance measured by the low frequency applying unit is different from the impedance previously measured by the high frequency applying unit, the impedance is measured by reapplying a second frequency to the fiber type sensor. Can be.

일 실시예에서, 상기 출력부는, 상기 저주파 인가부에서 상기 제2 주파수를 재차 인가하여 측정한 임피던스와, 상기 저주파 인가부에서 기 측정된 임피던스의 차이를 출력할 수 있다. In one embodiment, the output unit may output a difference between the impedance measured by applying the second frequency again from the low-frequency applying unit and the impedance previously measured by the low-frequency applying unit.

일 실시예에서, 외력이 인가되는 인가부와 상기 섬유형 센서의 사이에는 외력에 따라 변화하는 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 형성되고, 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 변화함에 따라 상기 섬유형 센서의 저항값(Rsensor)이 변화할 수 있다. In one embodiment, an application part capacitance Cbody that changes according to an external force is formed between the application part to which an external force is applied and the fiber-type sensor, and the application part capacitance Cbody changes as the external force is changed. The resistance value (Rsensor) of the fiber type sensor may be changed.

일 실시예에서, 상기 외력이 인가됨에 따라, 상기 제1 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 감소하고, 상기 제2 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 증가할 수 있다. In one embodiment, as the external force is applied, the impedance output according to the application of the first frequency decreases, and the impedance output according to the application of the second frequency can increase.

일 실시예에서, 상기 인가부는, 신체의 일부일 수 있다. In one embodiment, the applying unit may be a part of the body.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템의 구동방법에서, 섬유에 직조되어 외력의 인가에 따라 저항값이 변화하는 섬유형 센서에 제1 주파수를 인가하여 임피던스를 측정한다. 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수를 인가하여 임피던스를 측정한다. 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정한다. 상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스를 서로 비교한다. 상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스가 서로 다른 경우, 상기 섬유형 센서에 상기 제2 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정한다. 상기 제2 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스의 차이를 출력한다. In the driving method of the fibrous sensing system according to an embodiment for realizing another object of the present invention, the impedance is applied by applying a first frequency to a fibrous sensor that is woven into a fiber and whose resistance value changes according to the application of an external force. Measure. Impedance is measured by applying a second frequency lower than the first frequency to the fiber type sensor. The impedance is measured by applying the first frequency to the fiber type sensor again. The impedance measured according to the application of the first frequency is compared with each other. When the impedance measured according to the application of the first frequency is different, the impedance is measured by applying the second frequency to the fiber-type sensor again. The difference in impedance measured according to the application of the second frequency is output.

일 실시예에서, 상기 제1 주파수는 수MHz 범위의 주파수이고, 상기 제2 주파수는 수kHz 내지 수백kHz 범위의 주파수일 수 있다. In one embodiment, the first frequency is a frequency in the range of several MHz, and the second frequency can be a frequency in the range of several kHz to hundreds of kHz.

일 실시예에서, 상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스가 서로 같은 경우, 상기 측정되는 임피던스가 서로 다를 때까지 주기적으로 상기 제1 주파수를 인가하여 상기 임피던스를 측정할 수 있다. In one embodiment, when the impedances measured according to the application of the first frequency are the same, the impedance may be measured by periodically applying the first frequency until the measured impedances are different.

본 발명의 실시예들에 의하면, 섬유형 센싱 시스템에서, 섬유의 특성상 미복원 상태가 발생하거나 복원이 느리게 진행되는 경우, 이를 구별하여 보정함으로써 보다 정확한 신호를 검출할 수 있고 이를 통해 보다 정확한 외력 정보를 획득할 수 있다. According to embodiments of the present invention, in a fiber-type sensing system, when an unrestored state occurs or a restoration proceeds slowly due to characteristics of a fiber, a more accurate signal can be detected by discriminating and correcting it, thereby enabling more accurate external force information. Can be obtained.

즉, 외력이 인가되지 않는 대기상태와 대비하여 외력이 인가되는 정상상태에서는 고주파의 인가에 따른 임피던스가 감소하는 현상을 이용하여, 고주파의 인가에 따른 임피던스가 감소하는 경우의 저주파의 인가에 따른 임피던스의 변화량을 계측하여, 이를 바탕으로 변형량, 즉 외력의 인가량 정보를 획득할 수 있다. 그리하여, 미복원 등의 경우 대기상태에서의 저항값의 증가 현상, 즉 오프셋 현상에 따라 정확한 외력의 인가 시점을 인지하지 못하는 문제를 해결할 수 있다. That is, in the normal state in which the external force is applied in contrast to the standby state in which the external force is not applied, the impedance according to the application of the high frequency is reduced by using the phenomenon in which the impedance according to the application of the high frequency decreases. By measuring the amount of change, it is possible to obtain the amount of deformation, that is, the applied amount of external force. Thus, in the case of unrestored, it is possible to solve a problem of not recognizing an accurate external force application point according to an increase in resistance value in the standby state, that is, an offset phenomenon.

특히, 신체의 일부가 인가부로서 섬유형 센서에 외력을 인가하는 경우, 여타의 캐퍼시턴스들에 비하여 상대적으로 큰 값인 인가부와 섬유형 센서 사이의 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 변화하고 이에 따라 섬유형 센서의 저항값(Rsensor)이 변화하며, 이는 곧 고주파 인가에 따른 임피던스 변화로 측정되므로, 외력이 인가되는 순간을 판단할 수 있고, 이를 바탕으로 오프셋 현상이 발생하더라도 임피던스 변화를 바탕으로 외력의 인가량 정보를 획득할 수 있다. In particular, when a part of the body applies an external force to the fiber-type sensor as an application portion, the applied portion capacitance (Cbody) between the application portion and the fiber-type sensor, which is a relatively large value compared to other capacitances, changes and As a result, the resistance value (Rsensor) of the fiber-type sensor changes, which is measured by the impedance change according to the application of high frequency, so it is possible to determine the moment when an external force is applied. As a result, information on the amount of external force applied can be obtained.

이를 위해, 고주파 인가에 따른 임피던스 변화의 여부를 지속적으로 감지하며, 상기 임피던스의 변화가 계측되면 저주파 인가를 통해 임피던스를 측정함으로써, 대기상태와 정상상태에서의 저주파 인가에 따른 임피던스 변화를 측정할 수 있고, 이를 통해 즉각적으로 섬유형 센서의 저항값 변화를 측정할 수 있게 된다. To this end, whether the impedance change due to the application of the high frequency is continuously detected, and when the change in the impedance is measured, the impedance change through the application of the low frequency in the standby state and the normal state can be measured by measuring the impedance through the application of the low frequency. Thereby, it is possible to measure the resistance value change of the fiber type sensor immediately.

그리하여, 섬유의 미복원 등의 상태에서도 외력의 인가 시점을 즉각 파악하고, 이에 따른 저항값 변화를 측정할 수 있어, 외력의 인가량 정보를 용이하고 정확하게 획득하게 된다. Thus, it is possible to immediately grasp the point of application of the external force even in the state of not restoring the fiber, etc., and to measure the change in the resistance value accordingly, thereby easily and accurately obtaining the applied amount information of the external force.

도 1a는 종래기술에 의한 섬유형 저항센서에 수평방향 인장력이 인가되는 경우를 도시한 예이고, 도 1b는 종래기술에 의한 섬유형 저항센서에 수직방향 압축력이 인가되는 경우를 도시한 예이다.
도 2a는 반복적인 외력 인가시, 이상적인 섬유형 저항센서로부터 측정되는 저항의 변화를 도시한 그래프이고, 도 2b는 반복적인 외력 인가시, 실제 섬유형 저항센서로부터 측정되는 저항의 변화를 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템을 도시한 모식도이고, 도 4는 도 3의 섬유형 센싱 시스템을 모사한 회로도이다.
도 5는 도 3의 섬유형 센싱 시스템을 도시한 블록도이다.
도 6은 도 3의 섬유형 센싱 시스템에, 고주파 및 저주파 범위의 주파수를 인가함에 따라 출력되는 임피던스의 변화를 모식화한 그래프이다.
도 7은 도 3의 섬유형 센싱 시스템에 실제 주파수를 인가함에 따라 출력되는 임피던스의 변화를 도시한 그래프이며, 도 8a는 도 7의 'A' 영역을 확대하여 도시한 그래프이고, 도 8b는 도 7의 'B' 영역을 확대하여 도시한 그래프이다.
도 9는 도 3의 섬유형 센싱 시스템의 구동 방법을 도시한 흐름도이다.
Figure 1a is an example showing a case in which the horizontal tension force is applied to the fiber-type resistance sensor according to the prior art, Figure 1b is an example showing a case in which the vertical compression force is applied to the fiber-type resistance sensor according to the prior art.
2A is a graph showing a change in resistance measured from an ideal fiber-type resistance sensor when a repetitive external force is applied, and FIG. 2B is a graph showing a change in resistance measured from a real fiber-type resistance sensor when a repetitive external force is applied. to be.
3 is a schematic diagram showing a fibrous sensing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram simulating the fibrous sensing system of FIG. 3.
FIG. 5 is a block diagram showing the fiber-type sensing system of FIG. 3.
6 is a graph schematically illustrating a change in output impedance as a frequency of a high frequency and a low frequency range is applied to the fiber-type sensing system of FIG. 3.
7 is a graph showing a change in the output impedance as the actual frequency is applied to the fiber-type sensing system of FIG. 3, FIG. 8A is a graph showing an enlarged area 'A' of FIG. 7, and FIG. 8B is a view of FIG. This is an enlarged graph of the 'B' area of 7.
9 is a flowchart illustrating a method of driving the fiber-type sensing system of FIG. 3.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. The present invention can be applied to various changes and can have various forms, and the embodiments are described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosure form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms.

상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, terms such as “comprise” or “consist of” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, and that one or more other features are present. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 반복적인 외력 인가시, 이상적인 섬유형 저항센서로부터 측정되는 저항의 변화를 도시한 그래프이고, 도 2b는 반복적인 외력 인가시, 실제 섬유형 저항센서로부터 측정되는 저항의 변화를 도시한 그래프이다. 2A is a graph showing a change in resistance measured from an ideal fiber-type resistance sensor when a repetitive external force is applied, and FIG. 2B is a graph showing a change in resistance measured from a real fiber-type resistance sensor when a repetitive external force is applied. to be.

도 2a를 참조하면, 외력이 인가되지 않은 대기상태에서는 섬유형 저항센서로부터 계측되는 저항은 상대적으로 낮게 유지되지만, 외력이 인가되는 상태인 정상상태에서는 외력의 인가에 따라 섬유조직이 변형되게 되며 이에 따라 섬유형 저항센서로부터 계측되는 저항은 증가하게 된다. 따라서, 이러한 섬유형 저항센서에서는 대기상태와 정상상태에서의 계측되는 저항의 변화량을 바탕으로 외력의 크기를 도출할 수 있게 된다. Referring to Figure 2a, the resistance measured from the fiber-type resistance sensor is maintained relatively low in the standby state where no external force is applied, but in the normal state in which the external force is applied, the fiber tissue is deformed according to the application of the external force. Accordingly, the resistance measured from the fiber-type resistance sensor increases. Therefore, in such a fiber-type resistance sensor, it is possible to derive the magnitude of the external force based on the amount of change in resistance measured in the atmospheric state and in the normal state.

그러나, 도 2b에 도시된 바와 같이, 섬유형 저항센서의 경우 반복적인 외력의 인가에 따라 원 상태로 회복이 되지 않거나 회복이 늦어져 미복원 상태를 유지할 수 있다. 이와 같이 섬유형 저항센서가 미복원 상태를 유지하는 경우, 섬유 조직은 변형된 상태를 유지하게 되므로, 외력이 인가되지 않은 대기상태에서도 측정되는 저항값이 초기 저항값보다 증가하게 되며, 이에 따라, 외부에서 외력이 인가된 상태로 판단하는 오류가 발생하게 된다. However, as shown in FIG. 2B, in the case of the fiber-type resistance sensor, it may not be restored to its original state due to repeated application of external force, or the recovery may be delayed to maintain an unrestored state. As described above, when the fiber-type resistance sensor maintains a non-restored state, the fiber tissue maintains a deformed state, so that the resistance value measured even in an atmospheric state where no external force is applied increases from the initial resistance value. An error occurs in which external power is judged to be applied.

물론, 미복원 상태에서도 외력이 인가된 경우의 저항값과 외력이 인가되지 않은 상태의 저항값의 차이를 바탕으로 외력의 크기를 도출할 수는 있으나, 초기 저항값이 증가, 즉 대기상태의 저항값이 오프셋(offset)에 의해 증가하게 되므로, 정확하게 외력이 인가되는 시점을 판별하는 것이 용이하지 않다. Of course, it is possible to derive the magnitude of the external force based on the difference between the resistance value when the external force is applied and the resistance value when the external force is not applied even in the unrestored state, but the initial resistance value increases, that is, the resistance in the standby state Since the value is increased by the offset, it is not easy to accurately determine the point at which an external force is applied.

따라서, 본 실시예에서의 섬유형 센싱 시스템 및 이의 구동방법은 이러한 미복원 상태에서도 정확하게 외력이 인가되는 시점을 판별함으로써, 미복원 상태가 발생하여도 이를 보정하여 정확한 외력을 도출할 수 있는 것으로, 이하에서는 우선 섬유형 센싱 시스템(10)에 대하여 설명한다. Therefore, the fiber-type sensing system in the present embodiment and its driving method are capable of deriving an accurate external force by correcting even when an unrestored state occurs, by determining when the external force is accurately applied even in the unrestored state. Hereinafter, the fibrous sensing system 10 will be described first.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템을 도시한 모식도이고, 도 4는 도 3의 섬유형 센싱 시스템을 모사한 회로도이다. 도 5는 도 3의 섬유형 센싱 시스템을 도시한 블록도이다. 3 is a schematic diagram showing a fibrous sensing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram simulating the fibrous sensing system of FIG. 3. FIG. 5 is a block diagram showing the fiber-type sensing system of FIG. 3.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템(10)은 섬유형 센서(100) 및 측정모듈(300)을 포함한다. 3 to 5, the fibrous sensing system 10 according to the present embodiment includes a fibrous sensor 100 and a measurement module 300.

이 경우, 상기 섬유형 센서(100)에는 인가부(200)에 의해 외력이 인가되는데, 도 3에서는 상기 인가부(200)가 상기 섬유형 센서(100)에 대하여 수직 방향으로 압축력을 제공하는 것으로 도시하였으나, 이와 달리 상기 인가부(200)는 상기 섬유형 센서(100)에 수평 방향의 인장력 또는 압축력을 제공할 수도 있으며, 인가되는 외력은 다양하게 가변될 수 있다. In this case, an external force is applied to the fiber-shaped sensor 100 by an application unit 200. In FIG. 3, the application unit 200 provides compression force in a vertical direction with respect to the fiber-type sensor 100. Although shown, unlike this, the applying unit 200 may provide a tensile force or a compressive force in the horizontal direction to the fiber-type sensor 100, and the applied external force may be variously varied.

상기 섬유형 센서(100)는 섬유에 직조되어 외력이 인가됨에 따라 저항값이 변화하는 것으로, 섬유나 직물에 전도성 전도사가 동시에 직조되거나, 전도성 전도사가 섬유나 직물의 형태로 제조되어 전도성 전도사만으로 직조될 수도 있고, 이외 다양한 형태로 전도성을 가지는 섬유 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 섬유나 직물과 같이 사용자가 신체에 착용할 수 있으며, 전도성 성질을 가지므로 저항, 전류 또는 전압 등의 측정이 가능하게 된다. The fiber-type sensor 100 is woven into a fiber, and the resistance value changes as an external force is applied. Conductive conductive yarns are simultaneously woven to a fiber or fabric, or conductive conductive yarns are manufactured in the form of fibers or fabrics to be woven only with conductive conductive yarns. It may be, or may be formed of a fiber material having conductivity in various forms. Accordingly, the user can wear it on the body, such as a fiber or fabric, and since it has a conductive property, it is possible to measure resistance, current, or voltage.

본 실시예에서는 상기 섬유형 센서(100)는 전도성을 가지는 섬유 또는 직물 제품이라면 그 형태나 종류가 제한되지 않는다. In this embodiment, the fiber-type sensor 100 is not limited in form or type if it is a conductive fiber or textile product.

상기 인가부(200)는 예를 들어, 손, 발 등 다양한 신체의 일부일 수 있다. The applying unit 200 may be a part of various bodies, such as hands and feet.

한편, 상기 섬유형 센서(100)는 저항값(Rsensor)을 가지며, 상기 측정모듈(300)은 상기 인가부(200)에 의해 상기 섬유형 센서(100)에 외력이 인가되는 경우 상기 섬유형 센서(100)의 저항값(Rsensor)의 변화를 측정하여 상기 인가부(200)의 외력을 도출하게 된다. On the other hand, the fiber-type sensor 100 has a resistance value (Rsensor), the measurement module 300 when the external force is applied to the fiber-type sensor 100 by the application unit 200, the fiber-type sensor The external force of the applying unit 200 is derived by measuring a change in the resistance value (Rsensor) of (100).

그러나, 실제 상기 인가부(200)에 의해 상기 섬유형 센서(100)에 외력이 인가되는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 섬유형 센서(100)의 저항값(Rsensor) 외에, 상기 섬유형 센싱 시스템(10)에서는, 상기 섬유형 센서(100)와 상기 측정모듈(300) 사이의 배선의 저항값(Rline)이 존재하며, 이러한 저항값 외에, 상기 배선의 캐퍼시턴스(Cline), 상기 섬유형 센서(100)의 캐퍼시턴스(Csensor) 및 상기 인가부(200)와 상기 섬유형 센서(100) 사이에 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 존재하게 된다. 이 경우, 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)는 특히 상기 인가부(200)가 신체의 일부인 경우 신체의 특성상 존재하게 된다. However, when an external force is actually applied to the fiber-shaped sensor 100 by the application unit 200, as shown in FIG. 3, in addition to the resistance value (Rsensor) of the fiber-type sensor 100, the fiber In the type sensing system 10, there is a resistance value (Rline) of the wiring between the fiber-type sensor 100 and the measurement module 300, in addition to the resistance value, the capacitance of the wiring (Cline), The capacitance (Csensor) of the fiber-type sensor 100 and the applied portion capacitance (Cbody) between the application unit 200 and the fiber-type sensor 100 is present. In this case, the applied part capacitance (Cbody) is present in the nature of the body, especially when the applied part 200 is a part of the body.

이러한, 상기 섬유형 센싱 시스템(10)은 도 4에 도시된 바와 같은 회로도로 모사될 수 있다. 그러나, 실제 상기 섬유형 센싱 시스템(10)에서 상기 섬유형 센서(100)의 저항값(Rsensor)은 상기 배선의 저항값(Rline)보다 매우 큰 값이므로, 상기 배선의 저항값(Rline)은 무시할 수 있다. The fibrous sensing system 10 may be simulated as a circuit diagram as shown in FIG. 4. However, since the resistance value Rsensor of the fiber-type sensor 100 in the fiber-type sensing system 10 is actually larger than the resistance value Rline of the wiring, the resistance value Rline of the wiring is negligible. Can be.

또한, 상기 배선의 캐퍼시턴스(Cline), 상기 섬유형 센서(100)의 캐퍼시턴스(Csensor) 및 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)를 합쳐 기생 캐퍼시턴스(Cparasitic)이라고 정의할 때, 상기 배선의 캐퍼시턴스(Cline)와 상기 섬유형 센서의 캐퍼시턴스(Csensor)는 일정한 값으로 유지되며, 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody) 만이 상기 인가부(200)를 통해 상기 섬유형 센서(100)에 외력이 인가됨에 따라 가변되게 된다. 즉, 상기 기생 캐퍼시턴스(Cparasitic)를 가변시키는 인자는 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody) 뿐이다. In addition, when defining the capacitance (Cline) of the wiring, the capacitance (Csensor) of the fiber-type sensor 100 and the applied part capacitance (Cbody) to define a parasitic capacitance (Cparasitic), The capacitance (Cline) of the wiring and the capacitance (Csensor) of the fiber-type sensor are maintained at a constant value, and only the applied portion capacitance (Cbody) is applied to the fiber-shaped sensor through the applying portion (200). It becomes variable as an external force is applied to (100). That is, the factor that changes the parasitic capacitance Cparasitic is only the applied portion capacitance Cbody.

한편, 상기 측정모듈(300)에서는 상기 인가부(200)를 통한 외력의 인가에 따라 상기 섬유형 센싱 시스템(10)의 임피던스의 변화를 계측하여, 상기 인가부(200)의 외력의 인가 여부 및 외력의 크기를 도출하는데, 이 경우, 상기 인가부(200)를 통한 외력의 인가시 상기 섬유형 센서(100)의 저항값(Rsensor)과 상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)만 가변하게 되므로, 이에 대한 임피던스 변화를 바탕으로, 상기 외력의 인가 여부 및 상기 외력의 크기를 도출할 수 있게 된다. On the other hand, the measurement module 300 measures the change in impedance of the fiber-type sensing system 10 according to the application of an external force through the application unit 200, and whether or not the external force of the application unit 200 is applied and In order to derive the magnitude of the external force, in this case, when the external force is applied through the applying unit 200, only the resistance value (Rsensor) of the fiber-type sensor 100 and the applying unit capacitance (Cbody) are varied. Based on the change in impedance, it is possible to derive whether the external force is applied and the magnitude of the external force.

보다 구체적으로, 상기 측정모듈(300)은 주파수 인가부(300), 임피던스 저장부(320), 임피던스 비교부(330) 및 출력부(340)를 포함한다.More specifically, the measurement module 300 includes a frequency applying unit 300, an impedance storage unit 320, an impedance comparison unit 330 and an output unit 340.

상기 주파수 인가부(300)는 상기 섬유형 센서(100)에 제1 주파수를 인가하는 고주파 인가부(311) 및 제2 주파수를 인가하는 저주파 인가부(312)를 포함하며, 이 경우, 상기 제1 주파수는 상기 제2 주파수보다 큰 상대적으로 고주파일 수 있다. The frequency applying unit 300 includes a high frequency applying unit 311 applying a first frequency to the fiber-type sensor 100 and a low frequency applying unit 312 applying a second frequency, in this case, the first One frequency may be a relatively high frequency greater than the second frequency.

예를 들어, 상기 제1 주파수는 수MHz 범위의 주파수이고, 상기 제2 주파수는 수kHz 내지 수백kHz 범위의 주파수일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 주파수는 상기 제2 주파수에 비하여 고주파이므로, 상기 제1 주파수에 해당되는 주파수를 고주파, 상기 제2 주파수에 해당되는 주파수를 저주파라고도 설명한다. For example, the first frequency may be a frequency in the range of several MHz, and the second frequency may be a frequency in the range of several kHz to hundreds of kHz. In this case, since the first frequency is higher than the second frequency, the frequency corresponding to the first frequency is also referred to as high frequency, and the frequency corresponding to the second frequency is also referred to as low frequency.

상기 고주파 인가부(311)는 상기 섬유형 센서(100)에 제1 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하고, 이렇게 측정된 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된다. The high frequency applying unit 311 measures impedance by repeatedly applying a first frequency to the fiber type sensor 100, and the measured impedance is stored in the impedance storage unit 320.

이 경우, 상기 고주파 인가부(311)에서는 반복적으로 제1 주파수를 인가하여 이에 따른 임피던스를 측정하되, 상기 임피던스의 값이 변화하는 것이 감지되면 추가적인 주파수의 인가를 중단한다. In this case, the high frequency applying unit 311 repeatedly applies the first frequency to measure the impedance accordingly, but when the value of the impedance is detected to change, the application of the additional frequency is stopped.

이 경우, 상기 임피던스 비교부(330)에서는 상기 고주파 인가부(311)에서 반복적으로 인가되는 제1 주파수에 따라 측정되어 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된 임피던스들을 비교하여, 임피던스의 값이 변화되었다고 판단되면, 상기 고주파 인가부(311)의 주파수 인가를 중단시킨다. In this case, the impedance comparison unit 330 compares the impedances stored in the impedance storage unit 320, measured according to a first frequency repeatedly applied by the high frequency application unit 311, and the impedance value is changed. When it is judged, the application of the frequency of the high frequency application unit 311 is stopped.

한편, 상기 저주파 인가부(312)도 상기 섬유형 센서(100)에 제2 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하고, 이렇게 측정된 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된다. Meanwhile, the low-frequency applying unit 312 also repeatedly applies a second frequency to the fiber-type sensor 100 to measure impedance, and the measured impedance is stored in the impedance storage unit 320.

마찬가지로, 상기 저주파 인가부(312)에서도 반복적으로 제2 주파수를 인가하여 이에 따른 임피던스를 측정한다. 다만, 상기 저주파 인가부(312)에서는, 초기 상태에서 상기 섬유형 센서(100)에 제2 주파수를 1회 인가하여 임피던스를 1회 측정한 이후, 상기 임피던스 비교부(330)에서 상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스들이 서로 다르다고, 즉 임피던스의 값이 변화되었다고 판단하는 경우, 추가로 상기 제2 주파수를 상기 섬유형 센서(100)에 인가하여 임피던스를 측정한다. Likewise, the second frequency is repeatedly applied to the low frequency applying unit 312 to measure the impedance accordingly. However, in the low frequency applying unit 312, after measuring the impedance once by applying the second frequency to the fiber-type sensor 100 once in the initial state, the first frequency in the impedance comparison unit 330 When it is determined that impedances measured according to application of are different from each other, that is, an impedance value is changed, an impedance is measured by applying the second frequency to the fiber-type sensor 100.

그리하여, 상기 임피던스 비교부(330)에서는 상기 저주파 인가부(312)에서 반복적으로 제공된 제2 주파수에 대하여 측정되는 임피던스들을 서로 비교하고, 그 결과를 상기 출력부(340)로 제공한다. Thus, the impedance comparison unit 330 compares the impedances measured for the second frequency repeatedly provided by the low-frequency application unit 312, and provides the result to the output unit 340.

이렇게 도출된 제2 주파수의 인가에 따른 임피던스 출력값들은 상기 출력부(340)로 제공되며, 상기 출력부(340)에서는 상기 저주파 인가부(312)에서 반복적으로 제공된 제2 주파수에 대하여 측정된 임피던스들의 변화값, 즉 임피던스의 차이를 외부로 출력한다. Impedance output values according to the application of the second frequency thus derived are provided to the output unit 340, and the output unit 340 measures impedances measured for the second frequency repeatedly provided by the low frequency application unit 312. The change value, that is, the difference in impedance is output to the outside.

이 경우, 상기 출력부(340)에서는 상기 임피던스의 변화값을 바탕으로 상기 외력의 크기를 도출하여 출력할 수도 있으며, 이 경우 상기 외력의 크기를 도출하는 알고리즘의 경우, 상세하게 설명은 생략하였으나, 별도의 시뮬레이션이나 데이터베이스 등을 통해 구현될 수 있음은 자명하다. In this case, the output unit 340 may derive and output the magnitude of the external force based on the change value of the impedance. In this case, the algorithm for deriving the magnitude of the external force is omitted in detail. It is obvious that it can be implemented through a separate simulation or database.

이와 달리, 실시예에 따라 상기 출력부(340)에서 출력되는 상기 임피던스들의 변화값에 대한 정보를 바탕으로, 별도의 연산부(미도시)를 통해 상기 외력의 크기를 도출할 수도 있다. Alternatively, the magnitude of the external force may be derived through a separate calculation unit (not shown) based on information on the change value of the impedances output from the output unit 340 according to an embodiment.

한편, 본 실시예에서는, 상기 고주파 인가부(311)에서 인가되는 제1 주파수에 따라 측정되는 임피던스가 서로 다르다고 판단되는 경우에만, 상기 저주파 인가부(312)에서 재차 제2 주파수를 인가하여 임피던스를 계측하고, 상기 제2 주파수의 반복 인가에 따른 임피던스의 차이를 바탕으로 외력을 도출함을 설명하였는데, 이에 대한 이유는 도 6 내지 도 8b를 참조하여 후술한다. On the other hand, in this embodiment, only when it is determined that the impedances measured according to the first frequency applied from the high frequency applying unit 311 are different from each other, the low frequency applying unit 312 again applies a second frequency to adjust the impedance. It has been described that the external force is derived based on the difference in impedance according to the measurement and the repeated application of the second frequency. The reason for this will be described later with reference to FIGS. 6 to 8B.

도 6은 도 3의 섬유형 센싱 시스템에, 고주파 및 저주파 범위의 주파수를 인가함에 따라 출력되는 임피던스의 변화를 모식화한 그래프이다. 도 7은 도 3의 섬유형 센싱 시스템에 실제 주파수를 인가함에 따라 출력되는 임피던스의 변화를 도시한 그래프이며, 도 8a는 도 7의 'A' 영역을 확대하여 도시한 그래프이고, 도 8b는 도 7의 'B' 영역을 확대하여 도시한 그래프이다. 6 is a graph schematically illustrating a change in output impedance as a frequency of a high frequency and a low frequency range is applied to the fiber-type sensing system of FIG. 3. 7 is a graph showing a change in impedance output as the actual frequency is applied to the fiber-type sensing system of FIG. 3, FIG. 8A is a graph showing an enlarged area 'A' of FIG. 7, and FIG. 8B is a view of FIG. This is an enlarged graph of the 'B' area of 7.

우선, 도 6을 참조하면, 대기상태, 즉, 상기 섬유형 센서(100)로 외력이 인가되지 않는 상태로부터, 정상상태, 즉 상기 섬유형 센서(100)로 외력이 인가하는 상태로 전환됨에 따라, 본 실시예에 의한 상기 섬유형 센싱 시스템(10)에서는, 고주파 범위, 즉 상기 제1 주파수의 범위에서는 임피던스가 감소하고, 저주파 범위, 즉 상기 제2 주파수의 범위에서는 임피던스가 증가함을 확인할 수 있다. First, referring to FIG. 6, as a standby state, that is, a state in which an external force is not applied to the fiber-type sensor 100, is switched to a normal state, that is, a state in which an external force is applied to the fiber-type sensor 100 , In the fibrous sensing system 10 according to the present embodiment, it can be confirmed that the impedance decreases in the high frequency range, that is, the first frequency range, and the impedance increases in the low frequency range, that is, the second frequency range. have.

이는 도 7 내지 도 8b의 실제 상기 섬유형 센서(100)로 외력을 인가하면서 계측되는 임피던스의 변화를 통해서도 확인되는데, 도 8b에 도시된 바와 같이 고주파 영역에서는 외력의 인가에 따라 임피던스가 감소하는 것을 확인할 수 있으며, 도 8a에 도시된 바와 같이, 저주파 영역에서는 외력의 인가에 따라 임피던스가 증가하는 것을 확인할 수 있다. This is also confirmed through a change in impedance measured while applying an external force to the actual fiber-like sensor 100 of FIGS. 7 to 8B. As shown in FIG. 8B, the impedance decreases with the application of an external force in the high frequency region. As shown in FIG. 8A, it can be seen that the impedance increases in response to the application of an external force in the low frequency region.

이상과 같이, 본 실시예에서의 섬유형 센싱 시스템(10)에서는 외력의 인가에 따라 고주파 및 저주파 영역에서의 임피던스의 감소 및 증가가 발생하게 되므로, 우선, 고주파 영역에 속하는 상기 제1 주파수를 상기 섬유형 센서(100)에 인가하여 측정되는 임피던스가 변화, 즉 임피던스 값이 감소하는 것을 센싱하게 되면, 외력의 인가가 시작됨을 확인할 수 있게 된다. As described above, in the fibrous sensing system 10 in the present embodiment, since the decrease and increase in impedance in the high and low frequency regions occur according to the application of external force, first, the first frequency belonging to the high frequency region is recalled. When the impedance measured by applying to the fiber-type sensor 100 senses a change, that is, the impedance value decreases, it can be confirmed that the application of the external force starts.

그리하여, 상기 외력의 인가 시점이 파악되면, 저주파 영역에 속하는 상기 제2 주파수를 상기 섬유형 센서(100)에 재차로 인가하여, 상기 제2 주파수의 인가에 따라 기 측정된 임피던스와 상기 제2 주파수의 재차 인가에 따라 측정된 임피던스의 차이를 출력하게 되며, 이를 바탕으로 실제 인가되는 외력의 크기를 검출할 수 있게 된다. Thus, when the application point of the external force is grasped, the second frequency belonging to the low frequency region is applied again to the fiber-shaped sensor 100, and the impedance and the second frequency previously measured according to the application of the second frequency are applied. The difference in impedance measured according to the re-application is output, and the magnitude of the external force actually applied can be detected based on this.

도 9는 도 3의 섬유형 센싱 시스템의 구동 방법을 도시한 흐름도이다. 9 is a flowchart illustrating a method of driving the fiber-type sensing system of FIG. 3.

도 9를 참조하면, 상기에서 설명한 본 실시예에 의한 섬유형 센싱 시스템(10)의 구동방법에서는, 우선, 외력이 인가되지 않는 초기상태에 대하여, 상기 고주파 인가부(311)는 상기 섬유형 센서(100)에 상기 제1 주파수를 인가하고, 이에 대하여 제1 임피던스를 측정한다(단계 S10). 이렇게 측정된 상기 제1 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된다(단계 S11). Referring to FIG. 9, in the driving method of the fiber-type sensing system 10 according to the present embodiment described above, first, for an initial state in which no external force is applied, the high-frequency applying unit 311 is the fiber-type sensor The first frequency is applied to (100), and the first impedance is measured (step S10). The measured first impedance is stored in the impedance storage unit 320 (step S11).

이 후, 상기 초기상태에 대하여, 상기 저주파 인가부(312)도 상기 섬유형 센서(100)에 상기 제2 주파수를 인가하고, 이에 대하여 제2 임피던스를 측정한다(단계 S20). 또한, 이렇게 측정된 상기 제2 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된다(단계 S21). Thereafter, with respect to the initial state, the low-frequency applying unit 312 also applies the second frequency to the fiber-type sensor 100, and measures the second impedance (step S20). In addition, the measured second impedance is stored in the impedance storage unit 320 (step S21).

이와 같이, 초기 상태에 대하여 제1 및 제2 임피던스들이 저장되면, 상기 저장된 제1 및 제2 임피던스들에 대한 정보는 상기 임피던스 비교부(330)로 제공될 수 있다. As described above, when the first and second impedances are stored for the initial state, information about the stored first and second impedances may be provided to the impedance comparison unit 330.

이 후, 상기 고주파 인가부(311)에서는 상기 섬유형 센서(100)에 재차 상기 제1 주파수를 인가하고, 이에 대하여 제3 임피던스를 측정한다(단계 S30). 또한, 이렇게 측정된 상기 제3 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 저장된다(단계 S31). Thereafter, the high frequency applying unit 311 applies the first frequency to the fiber-like sensor 100 again, and measures the third impedance (step S30). In addition, the measured third impedance is stored in the impedance storage unit 320 (step S31).

한편, 위와 같이 상기 제3 임피던스를 측정하는 상태는 상기 인가부(200)가 상기 섬유형 센서(100)에 외력을 인가할 수 있는 상태로서, 실제 상기 인가부(200)가 상기 섬유형 센서(100)에 외력을 인가하였는지(정상상태) 그렇지 않았는지(대기상태)에 대한 판단이 필요하다. Meanwhile, as described above, a state in which the third impedance is measured is a state in which the applying unit 200 can apply an external force to the fiber-type sensor 100, and the actual applying unit 200 is applied to the fiber-type sensor ( 100) It is necessary to judge whether an external force is applied (normal state) or not (standby state).

이에 따라, 상기 임피던스 비교부(330)는 상기 임피던스 저장부(320)에 기 저장된 상기 제3 임피던스와 상기 제1 임피던스가 서로 동일한지의 여부에 대하여 가 비교한다(단계 S40). Accordingly, the impedance comparison unit 330 compares whether the third impedance and the first impedance previously stored in the impedance storage unit 320 are equal to each other (step S40).

이 경우, 상기 제3 임피던스가 상기 제1 임피던스와 동일하다고 판단되면, 상기 인가부(200)는 상기 섬유형 센서(100)에 외력을 인가하지 않은 상태, 즉 대기상태인 것으로 판단된다. 또한, 이와 같이 대기상태로 판단되면, 상기 고주파 인가부(311)는 반복적으로 상기 섬유형 센서(100)로 제1 주파수를 인가하여 이에 따른 임피던스를 측정하여, 상기 제3 임피던스를 갱신하며(단계 S30), 이렇게 갱신된 상기 제3 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)에 다시 저장된다(단계 S31). In this case, if it is determined that the third impedance is the same as the first impedance, the applying unit 200 is determined to be in a state in which no external force is applied to the fiber-shaped sensor 100, that is, a standby state. In addition, when it is determined that the standby state is as described above, the high frequency applying unit 311 repeatedly applies a first frequency to the fiber type sensor 100 to measure the impedance accordingly, and updates the third impedance (step) S30), the updated third impedance is stored again in the impedance storage unit 320 (step S31).

이렇게 저장되는 제3 임피던스에 대하여 상기 임피던스 비교부(330)에서는 상기 제1 임피던스와 재차 비교하여 동일 여부를 판단하며, 동일하다고 판단되면 상기 고주파 인가부(311)는 재차 상기 제1 주파수를 인가하고 이에 따라 출력되는 임피던스는 제3 임피던스로 갱신되어 저장된다. The impedance comparison unit 330 compares the first impedance again with respect to the stored third impedance to determine whether it is the same, and if it is determined that the same, the high frequency applying unit 311 applies the first frequency again. Accordingly, the output impedance is updated and stored as a third impedance.

즉, 상기 제3 임피던스가 상기 제1 임피던스와 동일한 경우에는, 상기 대기상태가 지속되는 것으로, 상기 고주파 인가부(311)는 반복해서 상기 제1 주파수를 상기 섬유형 센서(100)로 제공하여 이에 따라 제3 임피던스를 반복해서 측정한다. That is, when the third impedance is the same as the first impedance, the standby state continues, and the high frequency applying unit 311 repeatedly provides the first frequency to the fiber-type sensor 100, thereby Accordingly, the third impedance is measured repeatedly.

이와 달리, 상기 임피던스 저장부(320)에 갱신되어 저장된 제3 임피던스가 초기 상태에서의 임피던스인 제1 임피던스와 서로 다르다고 판단되면(단계 S40), 상기 인가부(200)는 상기 섬유형 센서(100)에 외력을 인가한 상태, 즉 정상상태인 것으로 판단된다.  Alternatively, if it is determined that the third impedance updated and stored in the impedance storage unit 320 is different from the first impedance that is the impedance in the initial state (step S40), the applicator 200 is the fiber-type sensor 100 ) Is judged to be in a state in which external force is applied, that is, in a normal state.

그리하여, 이와 같이 정상상태인 것으로 판단되면, 상기 저주파 인가부(312)는 상기 섬유형 센서(100)로 재차 제2 주파수를 인가하여 이에 따른 제4 임피던스를 측정하고(단계 S50), 이렇게 측정된 상기 제4 임피던스는 상기 임피던스 저장부(320)로 저장된다(단계 S51). Thus, if it is determined to be in such a normal state, the low frequency applying unit 312 applies a second frequency to the fiber-like sensor 100 again to measure the fourth impedance accordingly (step S50), and thus measured The fourth impedance is stored in the impedance storage unit 320 (step S51).

이 후, 상기 임피던스 비교부(330)에서는 상기 제4 임피던스와 상기 제2 임피던스의 차이를 비교하고, 상기 출력부(340)를 통해 상기 제4 임피던스와 상기 제2 임피던스의 차이가 출력된다(단계 S60). Thereafter, the impedance comparison unit 330 compares the difference between the fourth impedance and the second impedance, and a difference between the fourth impedance and the second impedance is output through the output unit 340 (step) S60).

이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 출력부(340)에서는 상기 제4 임피던스와 상기 제2 임피던스의 차이를 바탕으로, 별도의 알고리즘을 통해 상기 인가부(200)에서 인가되는 외력의 크기를 도출하여 출력할 수 있으며, 이와 달리, 별도의 연산부를 통해 상기 외력의 크기를 연산할 수도 있다. In this case, as described above, the output unit 340 derives the magnitude of the external force applied from the applying unit 200 through a separate algorithm based on the difference between the fourth impedance and the second impedance. Alternatively, the magnitude of the external force may be calculated through a separate calculation unit.

상기와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 섬유형 센싱 시스템에서, 섬유의 특성상 미복원 상태가 발생하거나 복원이 느리게 진행되는 경우, 이를 구별하여 보정함으로써 보다 정확한 신호를 검출할 수 있고 이를 통해 보다 정확한 외력 정보를 획득할 수 있다. According to the embodiments of the present invention as described above, in the fiber-type sensing system, when an unrestored state occurs or the restoration proceeds slowly due to the characteristics of the fiber, a more accurate signal can be detected by discriminating and correcting it. Accurate external force information can be obtained.

즉, 외력이 인가되지 않는 대기상태와 대비하여 외력이 인가되는 정상상태에서는 고주파의 인가에 따른 임피던스가 감소하는 현상을 이용하여, 고주파의 인가에 따른 임피던스가 감소하는 경우의 저주파의 인가에 따른 임피던스의 변화량을 계측하여, 이를 바탕으로 변형량, 즉 외력의 인가량 정보를 획득할 수 있다. 그리하여, 미복원 등의 경우 대기상태에서의 저항값의 증가 현상, 즉 오프셋 현상에 따라 정확한 외력의 인가 시점을 인지하지 못하는 문제를 해결할 수 있다. That is, in the normal state in which the external force is applied in contrast to the standby state in which the external force is not applied, the impedance according to the application of the high frequency is reduced by using the phenomenon in which the impedance according to the application of the high frequency decreases. By measuring the amount of change, it is possible to obtain the amount of deformation, that is, the applied amount of external force. Thus, in the case of unrestored, it is possible to solve a problem of not recognizing an accurate external force application point according to an increase in resistance value in the standby state, that is, an offset phenomenon.

특히, 신체의 일부가 인가부로서 섬유형 센서에 외력을 인가하는 경우, 여타의 캐퍼시턴스들에 비하여 상대적으로 큰 값인 인가부와 섬유형 센서 사이의 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 변화하고 이에 따라 섬유형 센서의 저항값(Rsensor)이 변화하며, 이는 곧 고주파 인가에 따른 임피던스 변화로 측정되므로, 외력이 인가되는 순간을 판단할 수 있고, 이를 바탕으로 오프셋 현상이 발생하더라도 임피던스 변화를 바탕으로 외력의 인가량 정보를 획득할 수 있다. In particular, when a part of the body applies an external force to the fiber-type sensor as an application portion, the applied portion capacitance (Cbody) between the application portion and the fiber-type sensor, which is a relatively large value compared to other capacitances, changes and As a result, the resistance value (Rsensor) of the fiber-type sensor changes, which is measured by the impedance change according to the application of high frequency, so it is possible to determine the moment when an external force is applied. As a result, information on the amount of external force applied can be obtained.

이를 위해, 고주파 인가에 따른 임피던스 변화의 여부를 지속적으로 감지하며, 상기 임피던스의 변화가 계측되면 저주파 인가를 통해 임피던스를 측정함으로써, 대기상태와 정상상태에서의 저주파 인가에 따른 임피던스 변화를 측정할 수 있고, 이를 통해 즉각적으로 섬유형 센서의 저항값 변화를 측정할 수 있게 된다. To this end, whether the impedance change due to the application of high frequency is continuously detected, and when the change in impedance is measured, the impedance is measured through the application of low frequency to measure the impedance change due to the application of low frequency in the standby state and in the normal state. Thereby, it is possible to measure the resistance value change of the fiber type sensor immediately.

그리하여, 섬유의 미복원 등의 상태에서도 외력의 인가 시점을 즉각 파악하고, 이에 따른 저항값 변화를 측정할 수 있어, 외력의 인가량 정보를 용이하고 정확하게 획득하게 된다. Thus, it is possible to immediately grasp the point of application of the external force even in the state of not restoring the fiber, etc., and to measure the change in the resistance value accordingly, thereby easily and accurately obtaining the applied amount information of the external force.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can.

10 : 섬유형 센싱 시스템
100 : 섬유형 센서 200 : 인가부
300 : 측정모듈 310 : 주파수 인가부
311 : 고주파 인가부 312 : 저주파 인가부
320 : 임피던스 저장부 330 : 임피던스 비교부
340 : 출력부
10: Fiber type sensing system
100: fiber-type sensor 200: application unit
300: measurement module 310: frequency application unit
311: high frequency applying unit 312: low frequency applying unit
320: impedance storage unit 330: impedance comparison unit
340: output unit

Claims (11)

섬유에 직조되어 외력의 인가에 따라 저항값이 변화하는 섬유형 센서;
상기 섬유형 센서에 수MHz 범위의 주파수인 제1 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 고주파 인가부, 및 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수보다 낮은 수kHz 내지 수백kHz 범위의 주파수인 제2 주파수를 반복적으로 인가하여 임피던스를 측정하는 저주파 인가부를 포함하는 주파수 인가부;
상기 고주파 인가부에서 측정되는 임피던스를 비교하는 임피던스 비교부; 및
상기 비교되는 임피던스 값이 서로 다른 경우, 상기 저주파 인가부에서 측정되는 임피던스의 차이를 출력하는 출력부를 포함하고,
상기 외력의 인가시, 상기 제1 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 감소하고, 상기 제2 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 증가하며,
상기 저주파 인가부는, 상기 고주파 인가부에서 측정된 임피던스가, 상기 고주파 인가부에서 기 측정된 임피던스와 서로 다른 경우, 상기 섬유형 센서에 제2 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정하고,
상기 출력부는, 상기 저주파 인가부에서 상기 제2 주파수를 재차 인가하여 측정한 임피던스와, 상기 저주파 인가부에서 기 측정된 임피던스의 차이를 출력하는 것을 특징으로 하는 섬유형 센싱 시스템.
Fiber-type sensor that is woven into the fiber and the resistance value changes with the application of an external force;
A high frequency application unit for measuring impedance by repeatedly applying a first frequency that is a frequency in the range of several MHz to the fiber type sensor, and a second frequency that is in the range of several kHz to hundreds of kHz lower than the first frequency to the fiber type sensor. A frequency application unit including a low-frequency application unit for measuring impedance by repeatedly applying a frequency;
An impedance comparison unit that compares the impedance measured by the high frequency application unit; And
When the compared impedance values are different, including an output unit for outputting a difference in impedance measured by the low-frequency applying unit,
When the external force is applied, the impedance output according to the application of the first frequency decreases, and the impedance output according to the application of the second frequency increases,
When the impedance measured by the high frequency applying unit is different from the impedance previously measured by the high frequency applying unit, the low frequency applying unit measures impedance by applying a second frequency to the fiber-type sensor again,
The output unit, the fiber-type sensing system, characterized in that for outputting a difference between the impedance measured by applying the second frequency again from the low-frequency applying unit, the impedance previously measured by the low-frequency applying unit.
제1항에 있어서,
상기 고주파 인가부에서 측정되는 임피던스와 상기 저주파 인가부에서 측정되는 임피던스를 저장하고, 각각 상기 임피던스 비교부 및 상기 출력부로 제공하는 임피던스 저장부를 더 포함하는 섬유형 센싱 시스템.
According to claim 1,
A fiber-type sensing system further comprising an impedance storage unit that stores the impedance measured by the high frequency application unit and the impedance measured by the low frequency application unit, and provides the impedance comparison unit and the output unit respectively.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
외력이 인가되는 인가부와 상기 섬유형 센서의 사이에는 외력에 따라 변화하는 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 형성되고,
상기 인가부 캐퍼시턴스(Cbody)가 변화함에 따라 상기 섬유형 센서의 저항값(Rsensor)이 변화하는 것을 특징으로 하는 섬유형 센싱 시스템.
According to claim 1,
Between the application part to which an external force is applied and the fiber-type sensor, an application part capacitance (Cbody) that changes according to an external force is formed,
A fiber-type sensing system characterized in that the resistance value (Rsensor) of the fiber-type sensor changes as the applied part capacitance (Cbody) changes.
삭제delete 제6항에 있어서, 상기 인가부는,
신체의 일부인 것을 특징으로 하는 섬유형 센싱 시스템.
The method of claim 6, wherein the applying unit,
A fibrous sensing system characterized by being part of the body.
섬유에 직조되어 외력의 인가에 따라 저항값이 변화하는 섬유형 센서에 고주파 인가부가 수MHz 범위의 주파수인 제1 주파수를 인가하여 임피던스를 측정하는 단계;
상기 섬유형 센서에 저주파 인가부가 상기 제1 주파수보다 낮은 수kHz 내지 수백kHz 범위의 주파수인 제2 주파수를 인가하여 임피던스를 측정하는 단계;
상기 고주파 인가부가 상기 섬유형 센서에 상기 제1 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정하는 단계;
상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스를 서로 비교하는 단계;
상기 고주파 인가부에서 상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스가 상기 고주파 인가부에서 기 측정된 임피던스와 서로 다른 경우, 상기 저주파 인가부가 상기 섬유형 센서에 상기 제2 주파수를 재차 인가하여 임피던스를 측정하는 단계; 및
상기 저주파 인가부에서 상기 제2 주파수의 재차 인가에 따라 측정되는 임피던스와, 상기 저주파 인가부에서 기 측정된 임피던스의 차이를 출력하는 단계를 포함하고,
상기 외력의 인가시, 상기 제1 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 감소하고, 상기 제2 주파수의 인가에 따라 출력되는 임피던스는 증가하는 것을 특징으로 하는 섬유형 센싱 시스템의 구동방법.
Measuring impedance by applying a first frequency, which is a frequency in the range of several MHz, to a fiber-type sensor that is woven into a fiber and whose resistance value changes according to the application of an external force;
Measuring an impedance by applying a second frequency that is a frequency in the range of several kHz to several hundreds of kHz lower than the first frequency to the fiber-type sensor;
Measuring the impedance by applying the first frequency to the fiber-type sensor again by the high frequency applying unit;
Comparing impedances measured according to the application of the first frequency to each other;
When the impedance measured according to the application of the first frequency at the high frequency application unit is different from the impedance previously measured at the high frequency application unit, the low frequency application unit applies the second frequency to the fiber-type sensor again to increase the impedance. Measuring; And
And outputting a difference between an impedance measured according to the application of the second frequency again from the low-frequency applying unit and an impedance previously measured by the low-frequency applying unit,
When the external force is applied, the impedance output according to the application of the first frequency decreases, and the impedance output according to the application of the second frequency increases.
삭제delete 제9항에 있어서,
상기 제1 주파수의 인가에 따라 측정되는 임피던스가 서로 같은 경우, 상기 측정되는 임피던스가 서로 다를 때까지 주기적으로 상기 제1 주파수를 인가하여 상기 임피던스를 측정하는 것을 특징으로 하는 섬유형 센싱 시스템의 구동방법.
The method of claim 9,
When the impedances measured according to the application of the first frequency are the same, the method for driving the fiber-type sensing system is characterized in that the impedances are measured by periodically applying the first frequency until the measured impedances are different. .
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