KR102093286B1 - Optical dual wavelength detection for semiconductor device wafer - Google Patents

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KR102093286B1
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안종영
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Abstract

The present invention relates to an optical double inspection device for a wafer endpoint, having a polishing pad which is coupled to an upper surface of a platen to be rotated and polishes a wafer. The optical double inspection device for a wafer endpoint comprises: a first light source provided on one side of the inside of the platen and emitting first light to be incident onto the wafer through a first window formed on one side of the polishing pad; a first light receiving sensor for detecting second light reflected after being incident onto the wafer through the first window; a second light source provided on the other side of the inside of the platen and emitting third light to be incident onto the wafer through a second window formed on the other side of the polishing pad; a second light receiving sensor for detecting fourth light reflected after being incident onto the wafer through the second window; and a control unit for receiving detected values through the first and second light receiving sensors and terminating the polishing of the wafer when the detected values match preset detection values. By this configuration, the optical double inspection device can respectively emit light at the wafer at different positions to compare and analyze result values, thereby inspecting the degree of uniformity of the wafer more accurately.

Description

광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치{OPTICAL DUAL　WAVELENGTH　DETECTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WAFER}Optical wafer endpoint dual inspection device {OPTICAL DUAL WAVELENGTH DETECTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WAFER}

본 발명은 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광체 또는 반사체를 통해 웨이퍼의 균일도를 감지하는 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치 에 관한 것이다.The present invention relates to an optical wafer endpoint dual inspection device, and more particularly, to an optical wafer endpoint dual inspection device that senses the uniformity of a wafer through an optical body or a reflector.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다. 이러한 공정들은 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해 압력 및 온도 등 공정 분위기의 정밀한 제어가 필수적인 요구 조건으로 대두되고 있다.In general, a semiconductor device is a fab process for forming an electrical circuit including electrical elements on a silicon wafer used as a semiconductor wafer, and an electrical die for inspecting electrical properties of semiconductor devices formed in the fab process It is manufactured through a sorting process and a package assembly process for sealing and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin. In order to improve the quality and yield of semiconductor devices, these processes have emerged as essential requirements for precise control of process atmosphere such as pressure and temperature.

또한, 상기 반도체 장치가 고집적화 및 고속화됨에 따라 상기 반도체 장치의 제조에서 웨이퍼 상의 파티클(particle)등과 같은 결함(缺陷)에 대한 검사도 철저하게 이루어지고 있다. 이는 상기 결함(缺陷)이 반도체 장치의 불량과 직결되기 때문이다.In addition, as the semiconductor device is highly integrated and accelerated, inspection of defects such as particles on a wafer has been thoroughly conducted in the manufacture of the semiconductor device. This is because the defect is directly related to the defect of the semiconductor device.

이에 따라, 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 방법은 레이저 빔(Laser beam)의 발광부로부터 웨이퍼 상에 각각 정해진 Chip 또는 Die에 따라 레이저를 입사하여, 이에 반사되는 것을 검출부로 검출한다. 이후, 웨이퍼(wafer)의 결함은 빛의 강도에 따라 신호의 파형을 비교함으로써, 검출이 이루어진다. 즉, 웨이퍼의 종류 상관없이 레이저의 입사 방식은 동일하되, 검출부에 웨이퍼의 레시피(recipe) 설정을 변경함으로써, 실제 정확한 결함을 검출할 수 있다.Accordingly, a method for detecting a defect of a semiconductor wafer receives a laser according to a predetermined chip or die on a wafer from a light emitting unit of a laser beam, and detects that it is reflected by the detection unit. Thereafter, the defect of the wafer is detected by comparing the waveform of the signal according to the intensity of light. That is, regardless of the type of wafer, the incident method of the laser is the same, but by changing the recipe setting of the wafer to the detection unit, actual accurate defects can be detected.

이때, 사용되는 입사 방식은 레이저의 직진성을 이용하여, 스폿의 크기만을 변경이 가능한 방식이다. 이러한 레이저를 입사하는 발광부는 고정되어 있고, 웨이퍼가 놓여지는 스테이지(stage)가 일정 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼의 전면을 스캔(scan)한다.At this time, the incident method used is a method in which only the spot size can be changed by using the straightness of the laser. The light emitting part incident on the laser is fixed, and the stage on which the wafer is placed moves in a predetermined direction, thereby scanning the entire surface of the wafer.

종래에는 레이저(laser)를 이용하여, 웨이퍼의 결함을 검출하는 장치로써, 레이저가 웨이퍼에 발사되면 이에 반사되는 빛을 검출부가 받게 되고, 검출된 빛의 신호를 아날로그 신호로 변환하여, 각각의 스폿의 신호 차이에 의한 비교를 하여 결함을 찾게 된다.Conventionally, as a device for detecting defects in a wafer by using a laser, when a laser is fired on a wafer, a detector receives the light reflected thereon, converts the signal of the detected light into an analog signal, and converts each spot The defect is found by comparing by the signal difference of.

그러나, 아날로그 신호의 비교는 빛의 세기나 밀도 등에 차이가 나지만, 반사되는 물질에 따라서도 달라질 수 있기 때문에, 비교처리 시, 노이즈(noise)가 발생할 수 있다.However, the comparison of analog signals differs in the intensity and density of light, but may also vary depending on the material to be reflected, so noise may occur during comparison processing.

또한, 단일 레이저를 이용하여 웨이퍼의 균일도 검사 시 정확도가 떨어지는 문제점이 있다.In addition, there is a problem in that accuracy is poor when inspecting the uniformity of the wafer using a single laser.

대한민국특허청 출원번호 제20-2003-0029459호Korea Patent Office Application No. 20-2003-0029459 대한민국특허청 출원번호 제20-1998-0000857호Korea Patent Office Application No. 20-1998-0000857 대한민국특허청 출원번호 제10-2014-0147352호Korea Patent Office Application No. 10-2014-0147352 대한민국특허청 출원번호 제10-2008-0088347호Korea Patent Office Application No. 10-2008-0088347

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 웨이퍼의 균일도 검사 시 균일도 검사의 정확도를 향상시키는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the above problems, and has an object to improve the accuracy of the uniformity inspection when inspecting the uniformity of the wafer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치는, 회전되는 플래튼 상면에 결합되고 웨이퍼를 연마하는 연마패드가 구비된 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 있어서, 상기 플래튼의 내부 일측에 구비되고, 제1 조사광을 조사하여, 상기 연마패드 일측에 형성된 제1 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사시키는 제1 광원; 상기 제1 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사된 후 반사되는 제1 입사광을 감지하는 제1 수광 센서; 상기 플래튼의 내부 타측에 구비되고, 제2 조사광을 조사하여, 상기 연마패드 타측에 형성된 제2 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사시키는 제2 광원; 상기 제2 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사된 후 반사되는 제2 입사광을 감지하는 제2 수광 센서;를 포함하고, 상기 제1 광원 및 제2 광원으로부터 조사되는 제1 조사광 및 제2 조사광에 대한 제1 특성값과, 상기 제1 수광 센서 및 제2 수광 센서로 입사되는 제1 입사광 및 제2 입사광에 대한 제2 특성값을 비교 분석하여 상기 웨이퍼의 연마를 제어하는 제어부;를 포함한다.In order to achieve the above object, the optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is coupled to the upper surface of the rotating platen and equipped with a polishing pad for polishing the wafer. , A first light source provided on one side of the platen and irradiating a first irradiation light to enter the wafer through a first window formed on one side of the polishing pad; A first light receiving sensor that senses first incident light reflected after being incident on the wafer through the first window; A second light source provided on the other side of the platen and irradiating a second irradiation light to enter the wafer through a second window formed on the other side of the polishing pad; Including, a second light-receiving sensor for detecting the second incident light reflected after being incident on the wafer through the second window; including, the first light source and the second light source irradiated from the second light source And a control unit for controlling polishing of the wafer by comparing and analyzing the first characteristic value for the second characteristic value for the first incident light and the second incident light incident on the first light-receiving sensor and the second light-receiving sensor.

또한, 상기 제1 광원에서 조사되는 제1 조사광을 상기 제1 윈도우로 반사시키는 제1 반사수단; 상기 제2 광원에서 조사되는 제2 조사광을 상기 제2 윈도우로 반사시키는 제2 반사수단;을 더 포함한다.In addition, a first reflecting means for reflecting the first irradiation light irradiated from the first light source to the first window; And second reflecting means for reflecting the second irradiated light emitted from the second light source into the second window.

또한, 상기 제1 광원 및 제2 광원은, 서로 다른 각도로 제1 조사광 및 제2 조사광을 조사하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first light source and the second light source, characterized in that for irradiating the first irradiation light and the second irradiation light at different angles.

또한, 상기 제어부는, 상기 제1 조사광과 제1 입사광에 대한 제1 변화값과, 상기 제2 조사광과 제2 입사광에 대한 제2 변화값을 서로 비교 분석하여 상기 웨이퍼의 연마를 제어하는 것을 특징으로 한다.In addition, the control unit controls the polishing of the wafer by comparing and analyzing the first change value for the first irradiation light and the first incident light and the second change value for the second irradiation light and the second incident light. It is characterized by.

본 발명에 의한 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 따르면, 서로 다른 위치에서 웨이퍼에 광을 각각 조사함으로써, 서로의 결과치를 비교 분석하여 웨이퍼의 균일도를 보다 정확하게 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.According to the optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to the present invention, by irradiating light to wafers at different locations, it is possible to compare and analyze the results of each other to obtain the effect of more accurately inspecting the uniformity of the wafer.

또한, 웨이퍼에 서로 다른 각으로 광을 조사함으로써, 서로의 결과치를 비교분석하여 보다 정밀한 균일도를 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, by irradiating light to the wafer at different angles, it is possible to obtain an effect of comparing and comparing the results of each other to check more precise uniformity.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플래튼의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광모듈의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 하부프레임의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플래튼의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제어부의 블럭도이다.1 is a cross-sectional view of an optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a platen according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of an optical module according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a lower frame according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is an enlarged view of a platen according to a preferred embodiment of the present invention.
6 is a block diagram of a control unit according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person having the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to drawings for explaining an optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치의 단면도, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플래튼의 평면도, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광모듈의 확대도, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 하부프레임의 평면도, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플래튼의 확대도, 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제어부의 블럭도이다.1 is a cross-sectional view of an optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a platen according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an optical module according to a preferred embodiment of the present invention 4 is an enlarged view of a lower frame according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 5 is an enlarged view of a platen according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a control unit according to a preferred embodiment of the present invention It is a block diagram.

이들 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치는 듀얼 광을 통해 웨이퍼의 균일도를 검사할 수 있는 특징이 있다.Referring to these drawings, the optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to the present embodiment has a feature capable of inspecting the uniformity of the wafer through dual light.

이러한 효과를 제공할 수 있는 본 실시예에 따른 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치(100)는 웨이퍼(w)가 흡착되고 회전 가능하게 헤드(140)가 구비되고, 상기 헤드(140)의 하방에 배치되며 구동축(121)에 의해 회동 가능하게 플래튼(120)이 구비되며, 상기 플래튼(120)의 상면에 결합되어 상기 헤드(140)에 흡착된 웨이퍼(w)를 연마하는 연마패드(130)가 구비된 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 있어서, 제1 광 모듈(122), 제2 광 모듈(123) 및 제어부(124)를 포함한다.The optical wafer endpoint dual inspection apparatus 100 according to the present embodiment capable of providing such an effect is provided with a head 140 so that the wafer w is adsorbed and rotatable, and is disposed below the head 140. The platen 120 is provided to be rotatable by the drive shaft 121, and is coupled to the upper surface of the platen 120 to polish the wafer w adsorbed on the head 140. In the wafer endpoint dual inspection apparatus equipped with, it includes a first optical module 122, a second optical module 123 and the control unit 124.

상기 제1 광 모듈(122)은 상기 플래튼(120)의 내부 일측에 설치되는 것으로, 제1 광원(122a), 제1 반사수단(122b) 및 제1 수광 센서(122c)를 포함한다.The first optical module 122 is installed on one inner side of the platen 120 and includes a first light source 122a, a first reflecting means 122b, and a first light receiving sensor 122c.

구체적으로, 상기 제1 광원(122a)은 상기 제1 광 모듈(122)의 일측에 구비되고, 제1 조사광을 조사한다.Specifically, the first light source 122a is provided on one side of the first optical module 122 and irradiates the first irradiation light.

상기 제1 광원(122a)에서 조사되는 제1 조사광은 웨이퍼(w)의 연마되는 부분에 입사되고 반사된다.The first irradiation light irradiated from the first light source 122a is incident and reflected on the polished portion of the wafer w.

이때, 상기 제1 광원(122a) 일측에는 제1 반사수단(122b)이 설치된다.At this time, a first reflecting means 122b is installed on one side of the first light source 122a.

예컨대, 상기 제1 반사수단(122b)은 제1 조사광을 반사 시킬 수 있도록 반사 미러로 형성되는 것이 바람직하다.For example, it is preferable that the first reflecting means 122b is formed of a reflecting mirror to reflect the first irradiated light.

여기서, 상기 제1 광원(122a)에서 조사되는 제1 조사광은 상기 제1 반사수단(122b)으로 입사된다.Here, the first irradiation light irradiated from the first light source 122a is incident on the first reflecting means 122b.

상기 제1 반사수단(122b)으로 입사된 제1 조사광은 웨이퍼(w)로 반사된다.The first irradiation light incident on the first reflecting means 122b is reflected on the wafer w.

이때, 상기 제1 반사수단(122b)을 통해 입사되는 제1 조사광은 상기 연마패드(130)의 일측에 형성된 제1 윈도우(131)를 통해 웨이퍼(w)로 반사된다.At this time, the first irradiation light incident through the first reflecting means 122b is reflected to the wafer w through the first window 131 formed on one side of the polishing pad 130.

물론, 상기 제1 광원(122a)은 상기 제1 반사수단(122b)을 거치지 않고 제1 조사광을 웨이퍼(w)에 직접적으로 입사할 수도 있다.Of course, the first light source 122a may directly incident the first irradiation light onto the wafer w without passing through the first reflecting means 122b.

그리고, 상기 제1 광 모듈(122) 타측에는 상기 제1 광원(122a)과 마주보는 위치에 제1 수광 센서(122c)가 설치된다.In addition, a first light receiving sensor 122c is installed at a position facing the first light source 122a on the other side of the first light module 122.

상기 제1 수광 센서(122c)는 웨이퍼(w)에 의해 반사된 제1 입사광을 감지하고, 제1 입사광의 굴절도, 파장 및 컬러와 같은 특성을 감지한다.The first light receiving sensor 122c detects the first incident light reflected by the wafer w, and detects characteristics such as refractive index, wavelength, and color of the first incident light.

상기 제2 광 모듈(123)은 상기 플래튼(120)의 내부 타측에 설치되는 것으로, 제2 광원(123a), 제2 반사수단(123b) 및 제2 수광 센서(123c)를 포함한다.The second optical module 123 is installed on the other side of the platen 120, and includes a second light source 123a, a second reflecting means 123b, and a second light receiving sensor 123c.

구체적으로, 상기 제2 광원(123a)은 상기 제2 광 모듈(123)의 일측에 구비되고, 제2 조사광을 조사한다.Specifically, the second light source 123a is provided on one side of the second optical module 123 and irradiates the second irradiation light.

상기 제2 광원(123a)에서 조사되는 제2 조사광은 웨이퍼(w)의 연마되는 부분에 입사되고 반사된다.The second irradiation light irradiated from the second light source 123a is incident and reflected on the polished portion of the wafer w.

이때, 상기 제2 광원(123a) 일측에는 제2 반사수단(123b)이 설치된다.At this time, a second reflecting means 123b is installed on one side of the second light source 123a.

예컨대, 상기 제2 반사수단(123b)은 제2 조사광을 반사 시킬 수 있도록 반사 미러로 형성되는 것이 바람직하다.For example, the second reflecting means 123b is preferably formed of a reflecting mirror to reflect the second irradiated light.

여기서, 상기 제2 광원(123a)에서 조사되는 제2 조사광은 상기 제2 반사수단(123b)으로 입사된다.Here, the second irradiation light irradiated from the second light source 123a is incident on the second reflecting means 123b.

상기 제2 반사수단(123b)으로 입사된 제2 조사광은 웨이퍼(w)로 반사된다.The second irradiation light incident on the second reflecting means 123b is reflected on the wafer w.

이때, 상기 제2 반사수단(123b)을 통해 입사되는 제2 조사광은 상기 연마패드(130)의 타측에 형성된 제2 윈도우(132)를 통해 웨이퍼(w)로 반사된다.At this time, the second irradiation light incident through the second reflecting means 123b is reflected to the wafer w through the second window 132 formed on the other side of the polishing pad 130.

물론, 상기 제2 광원(123a)은 상기 제2 반사수단(123b)을 거치지 않고 제2 조사광을 웨이퍼(w)에 직접적으로 입사할 수도 있다.Of course, the second light source 123a may directly enter the second irradiation light onto the wafer w without passing through the second reflecting means 123b.

그리고, 상기 제2 광 모듈(123) 타측에는 상기 제2 광원(123a)과 마주보는 위치에 제2 수광 센서(123c)가 설치된다.In addition, a second light receiving sensor 123c is installed at a position facing the second light source 123a on the other side of the second light module 123.

상기 제2 수광 센서(123c)는 웨이퍼(w)에 의해 반사된 제2 입사광을 감지하고, 제2 입사광의 굴절도, 파장 및 컬러와 같은 특성을 감지한다.The second light receiving sensor 123c senses the second incident light reflected by the wafer w, and detects characteristics such as refractive index, wavelength, and color of the second incident light.

한편, 상기 제2 광 모듈(123)은 상기 플래튼(120) 중 상기 제1 광 모듈(122)과 동일한 원주상에 위치되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the second optical module 123 is preferably located on the same circumference as the first optical module 122 of the platen 120.

상기 제어부(124)는 상기 플래튼(120)에 설치되는 것으로, 외부 또는 내부 중 어느 하나에 설치된다.The control unit 124 is installed on the platen 120, and is installed on either the outside or the inside.

상기 제어부(124)는 상기 제1 수광 센서(122c) 및 제2 수광 센서(123c)로부터 상기 웨이퍼에 의해 반사되는 제1 입사광 및 제2 입사광을 분석하여 상기 웨이퍼(w)의 연마를 제어한다.The controller 124 analyzes the first incident light and the second incident light reflected by the wafer from the first light receiving sensor 122c and the second light receiving sensor 123c to control polishing of the wafer w.

구체적으로, 상기 제어부(124)는 상기 제1 광원(122a) 및 제2 광원(123a)으로부터 제1 조사광 및 제2 조사광에 대한 굴절도, 파장 및 컬러와 같은 특성을 포함하는 제1 특성값을 전달받아 저장한다.Specifically, the control unit 124 includes a first characteristic including characteristics such as refractive index, wavelength, and color for the first irradiation light and the second irradiation light from the first light source 122a and the second light source 123a. Receive and store the value.

그리고, 상기 제1 수광 센서(122c) 및 제2 수광 센서(123c)로부터 웨이퍼(w)에 의해 반사되는 제1 입사광 및 제2 입사광의 굴절도나 파장의 변화 및 컬러와 같은 특성을 포함하는 제2 특성값을 전달받아 상기 제1 특성값과 비교 분석하여 상기 웨이퍼(w)의 연마를 제어한다.And, the first light-receiving sensor 122c and the second light-receiving sensor 123c from the first and second incident light reflected by the wafer w, the second incident light including the refractive index or wavelength change and color characteristics. Receives a characteristic value and compares it with the first characteristic value to control polishing of the wafer w.

이때, 상기 제어부(124)는 상기 구동축(121)을 구동시키는 메인 모터(112)의 전원을 온, 오프하여 상기 웨이퍼(w)의 연마를 제어한다.At this time, the control unit 124 controls the polishing of the wafer w by turning on and off the power of the main motor 112 driving the driving shaft 121.

여기서, 상기 제어부(124)는 제1 특성값과 제2 특성값을 비교하여 서로 비교한 값이 기 설정된 비교값 범위 내에 들어올 경우, 웨이퍼(w)의 연마 단층이 제거되거나, 표면화될 때 최상의 조건을 만족하는 것으로 판단하여 상기 구동축(121)을 멈춰 웨이퍼(w)의 연마를 멈춘다.Here, the control unit 124 compares the first characteristic value and the second characteristic value, and when the value compared with each other falls within a preset comparison value range, the best condition when the polishing monolayer of the wafer w is removed or surfaced The drive shaft 121 is stopped by determining that it satisfies and the polishing of the wafer w is stopped.

또한, 상기 제어부(124)는 상기 제1 조사광 기준으로 제1 입사광과의 변화를 분석하여 제1 변화값을 산정하고, 상기 제2 조사광을 기준으로 제2 입사광과의 변화를 분석하여 제2 변화값을 산정한다.In addition, the control unit 124 analyzes a change with the first incident light based on the first irradiation light to calculate a first change value, and analyzes a change with the second incident light based on the second irradiation light to remove 2 Calculate the change value.

그리고, 상기 제1 변화값과 제2 변화값을 서로 분석하여 분석한 값이 기 설정된 기 설정된 비교값 범위 내에 들어올 경우, 웨이퍼(w)의 연마 단층이 제거되거나, 표면화될 때 최상의 조건을 만족하는 것으로 판단하여 상기 구동축(121)을 멈춰 웨이퍼(w)의 연마를 멈춘다.In addition, when the analyzed values of the first change value and the second change value are analyzed and fall within a preset comparison value range, the best condition is satisfied when the polishing monolayer of the wafer w is removed or surfaced. It is determined that the driving shaft 121 is stopped to stop polishing of the wafer w.

이러한 구성으로, 웨이퍼(w) 검사 시 보다 정밀한 균일도를 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.With this configuration, it is possible to obtain an effect capable of inspecting more precise uniformity when inspecting the wafer w.

한편, 상기 구동축(121)은 본체(110)에 구비된 메인 모터(112)에 의해 회전되는데, 상기 메인 모터(112)는 상기 제어부(124)에 의해 제어된다.On the other hand, the drive shaft 121 is rotated by the main motor 112 provided in the main body 110, the main motor 112 is controlled by the control unit 124.

그리고, 상기 플랜튼은 상기 본체(110)의 하부 프레임(111) 상면에 형성된 관통공(113)에 회전 가능하게 배치된다.In addition, the planton is rotatably arranged in the through hole 113 formed on the upper surface of the lower frame 111 of the main body 110.

상기 관통공(113)의 내주면에는 상기 플래튼(120)의 외주면과 밀착되는 베어링(114)이 결합된다.A bearing 114 in close contact with the outer circumferential surface of the platen 120 is coupled to the inner circumferential surface of the through hole 113.

여기서, 상기 플래튼(120)은 상기 관통공(113)의 상단보다 하방에 배치되는 것이 바람직하다.Here, the platen 120 is preferably disposed below the upper end of the through hole 113.

이는, 웨이퍼(w) 연마 시 외부 조명 빛이나 이물질이 유입되어 제1 광 내지 제4 광에 장애를 줄 수 있으므로, 이를 방지하기 위한 것이다.This is to prevent this, since external illumination light or foreign matter may be impaired to the first to fourth light when polishing the wafer w.

이에 따라, 보다 정밀한 균일도를 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, it is possible to obtain an effect capable of inspecting more precise uniformity.

한편, 상기 하부 프레임(111)에는 상기 관통공(113)의 둘레로부터 일정거리 이격된 둘레에 개구(115)가 형성된다.Meanwhile, an opening 115 is formed in the lower frame 111 around the spaced apart distance from the periphery of the through hole 113.

상기 개구(115)는 상방으로 개방된 형상을 가지며, 내부에 상하로 이동 가능하게 가림막(118)이 설치된다.The opening 115 has a shape open upward, and a covering film 118 is installed to be movable up and down inside.

상기 가림막(118)은 상하 이동에 따라 상방 이동 시 상기 하부 프레임(111)의 상방으로 이동된다.The obstruction layer 118 is moved upward of the lower frame 111 when it moves upward according to vertical movement.

이때, 상기 가림막(118)의 외주면 일측에는 레크 기어(119)가 형성된다.At this time, a recreational gear 119 is formed on one side of the outer circumferential surface of the cover layer 118.

그리고, 상기 하부 프레임(111)의 내부에는 상기 개구(115)의 일측 내벽과 연통된 위치에 상기 레크 기어(119)와 맞물리는 피니언 기어(117)가 구비된다.In addition, the inside of the lower frame 111 is provided with a pinion gear 117 that meshes with the rack gear 119 at a position in communication with one inner wall of the opening 115.

상기 피니언 기어(117)는 서브 모터(116)에 의해 구동되며, 구동됨에 따라 상기 가림막(118)을 상하로 이동시킨다.The pinion gear 117 is driven by the sub-motor 116 and moves the screen 118 up and down as it is driven.

이에 따라, 상기 가림막(118)은 상방 이동에 따라 웨이퍼(w) 연마 시 외부 조명 빛이나 이물질이 유입되어 제1 광 내지 제4 광에 장애를 줄 수 있으므로, 이를 방지하기 위한 것이다.Accordingly, the shielding film 118 is intended to prevent the first light to the fourth light, because external illumination light or a foreign material may be introduced when the wafer w is polished according to upward movement.

이에 따라, 보다 정밀한 균일도를 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, it is possible to obtain an effect capable of inspecting more precise uniformity.

본 발명에 의한 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 따르면, 서로 다른 위치에서 웨이퍼에 광을 각각 조사함으로써, 서로의 결과치를 비교 분석하여 웨이퍼의 균일도를 보다 정확하게 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. According to the optical wafer endpoint dual inspection apparatus according to the present invention, by irradiating light to wafers at different locations, it is possible to compare and analyze the results of each other to obtain the effect of more accurately inspecting the uniformity of the wafer.

또한, 웨이퍼에 서로 다른 각으로 광을 조사함으로써, 서로의 결과치를 비교분석하여 보다 정밀한 균일도를 검사할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, by irradiating light to the wafer at different angles, it is possible to obtain an effect of comparing and comparing the results of each other to check more precise uniformity.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will appreciate that the present invention may be implemented in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the claims, which will be described later, rather than the detailed description, and all the modified or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention. Should be interpreted.

100: 웨이퍼 검사 장치 110: 본체
111: 하부 프레임 112: 메인 모터
113: 관통공 114: 베어링
115: 개구 116: 서브 모터
117: 피니언 기어 118: 가림막
119: 레크 기어 120: 플래튼
121: 구동축 122: 제1 광 모듈
122a: 제1 광원 122b: 제1 반사수단
122c: 제1 수광 센서 123: 제2 광 모듈
123a: 제2 광원 123b: 제2 반사수단
123c: 제2 수광 센서 124: 제어부
130: 연마패드 131: 제1 윈도우
132: 제2 윈도우 140: 헤드100: wafer inspection device 110: main body
111: lower frame 112: main motor
113: through hole 114: bearing
115: opening 116: sub-motor
117: pinion gear 118: screen
119: Reck Gear 120: Platen
121: drive shaft 122: first optical module
122a: first light source 122b: first reflecting means
122c: first light receiving sensor 123: second light module
123a: second light source 123b: second reflecting means
123c: second light receiving sensor 124: control unit
130: polishing pad 131: first window
132 second window 140 head

Claims (4)

회전되는 플래튼 상면에 결합되고 웨이퍼를 연마하는 연마패드가 구비된 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치에 있어서,
상기 플래튼의 내부 일측에 구비되고, 제1 조사광을 조사하여, 상기 연마패드 일측에 형성된 제1 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사시키는 제1 광원;
상기 제1 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사된 후 반사되는 제1 입사광을 감지하는 제1 수광 센서;
상기 플래튼의 내부 타측에 구비되고, 제2 조사광을 조사하여, 상기 연마패드 타측에 형성된 제2 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사시키는 제2 광원;
상기 제2 윈도우를 통해 상기 웨이퍼에 입사된 후 반사되는 제2 입사광을 감지하는 제2 수광 센서;를 포함하고,
상기 제1 광원 및 제2 광원으로부터 조사되는 제1 조사광 및 제2 조사광에 대한 제1 특성값과, 상기 제1 수광 센서 및 제2 수광 센서로 입사되는 제1 입사광 및 제2 입사광에 대한 제2 특성값을 비교 분석하여 상기 웨이퍼의 연마를 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 제1 광원에서 조사되는 제1 조사광을 상기 제1 윈도우로 반사시키는 제1 반사수단;
상기 제2 광원에서 조사되는 제2 조사광을 상기 제2 윈도우로 반사시키는 제2 반사수단;을 더 포함하며,
상기 제1 광원 및 제2 광원은,
서로 다른 각도로 제1 조사광 및 제2 조사광을 조사하고,
상기 제어부는,
상기 제1 조사광과 제1 입사광에 대한 제1 변화값과, 상기 제2 조사광과 제2 입사광에 대한 제2 변화값을 서로 비교 분석하여 상기 웨이퍼의 연마를 제어하며,
상기 플래튼이 삽입되는 관통공이 형성되고, 상기 관통공의 둘레로부터 일정거리 이격된 둘레에 상방으로 개방된 개구가 형성된 하부 프레임이 구비되고,
상기 개구에 상하로 이동 가능하게 설치되고 가림막이 설치되며,
상기 가림막의 외주면 일측에는 레크 기어가 형성되고,
상기 개구의 일측 내면에는 상기 레크 기어와 맞물리는 피니언 기어가 구비되며,
상기 피니언 기어는 서브 모터에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치.
In the double-sided wafer inspection device is equipped with a polishing pad for polishing the wafer coupled to the upper surface of the rotating platen,
A first light source provided on one side of the platen and irradiating a first irradiation light to enter the wafer through a first window formed on one side of the polishing pad;
A first light receiving sensor that senses first incident light reflected after being incident on the wafer through the first window;
A second light source provided on the other side of the platen and irradiating a second irradiation light to enter the wafer through a second window formed on the other side of the polishing pad;
It includes; a second light receiving sensor for detecting the second incident light reflected after being incident on the wafer through the second window; includes,
First characteristic values for the first and second irradiated light irradiated from the first light source and the second light source, and for the first incident light and the second incident light incident on the first light-receiving sensor and the second light-receiving sensor Includes a control unit for controlling the polishing of the wafer by comparing and analyzing the second characteristic value,
First reflecting means for reflecting the first irradiated light emitted from the first light source to the first window;
Further comprising; second reflecting means for reflecting the second irradiation light irradiated from the second light source to the second window;
The first light source and the second light source,
Irradiating the first irradiation light and the second irradiation light at different angles,
The control unit,
The first change value for the first irradiation light and the first incident light and the second change value for the second irradiation light and the second incident light are compared and analyzed with each other to control polishing of the wafer,
A through-hole through which the platen is inserted is formed, and a lower frame is formed with an opening open upwardly around a perimeter spaced a predetermined distance from the perimeter of the through-hole,
The opening is installed to be movable up and down and a shield is installed,
A recreational gear is formed on one side of the outer circumferential surface of the cover layer,
The inner surface of one side of the opening is provided with a pinion gear that meshes with the recreational gear,
The pinion gear is an optical wafer endpoint double inspection device, characterized in that driven by a sub-motor.
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