KR102093008B1 - Luminescent materials composition and light-emitting apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광소재 조성물 및 발광장치를 제공한다. 발광소재 조성물은 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 포함하며, 청색 발광소재는 이하 일반식 Ca2-xLuHf2Al3O12:xCe, Ca3 - yZr2SiGa2O12:yCe, Ba1 - rMgAl10O17:rEu, Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu로 표시된 임의의 하나 또는 복수를 선택하며, 녹색 발광소재는 이하 일반직 Si6 - zAlzOzN8 -z:kEu, Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn, La3 - vSi6N11:vTb이 표시한 군에서 하나 또는 복수를 선택하며, 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4중의 임의로 선택된 하나 또는 복수를 선택하여 형성된다. 본 조성물은 디스플레이 색역을 넓힌다.The present invention provides a light emitting material composition and a light emitting device. The light-emitting material composition includes a blue light-emitting material, a green light-emitting material, and a red light-emitting material, and the blue light-emitting material is of the general formula Ca 2-x LuHf 2 Al 3 O 12 : xCe, Ca 3 - y Zr 2 SiGa 2 O 12 : yCe, Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu, Sr 5 - m (PO 4 ) 3 Selects any one or a plurality of Cl: mEu, and the green light emitting material is hereinafter referred to as Si 6 - z Al z O z N 8 -z : kEu, Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn, La 3 - v Si 6 N 11 : Select one or more from the group indicated by vTb, and the red light emitting material is 3.5MgO • 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 . The composition broadens the color gamut of the display.
Description
본 발명은 광학소재 영역에 관한 것이며, 구체적으로, 발광소재 조성물 및 발광장치에 관한 것이다.The present invention relates to an optical material region, and specifically, to a light emitting material composition and a light emitting device.
최근에는, 액정 디스플레이(LCD) 기술이 신속하게 발전되어 휴대폰, 노트북, HDTV 등 분야에서 광범하게 응용되고 있다. 액정소재 자체가 발광하지 않으므로, 백라이트는 액정 디스플레이 부품에 없어서는 안 되는 소자가 되었다. 현재, LCD의 백라이트는 주로 냉음극관(CCFL) 및 백색광 다이오드(LED) 두 방식을 갖는다. 백색광 LED는 색 복원성이 우수하고, 에너지 소모가 적으며, 수명이 긴 등 다양한 장점을 구비하므로, 액정 디스플레이 백라이트 분야에서 시장점유율이 신속하게 증가하고 있다. In recent years, liquid crystal display (LCD) technology has been rapidly developed and widely applied in fields such as mobile phones, laptops, and HDTV. Since the liquid crystal material itself does not emit light, the backlight has become an indispensable element in liquid crystal display components. Currently, the backlight of the LCD mainly has two methods: a cold cathode tube (CCFL) and a white light diode (LED). The white light LED has various advantages such as excellent color resilience, low energy consumption, and long life, so the market share in the liquid crystal display backlight field is rapidly increasing.
현재로는 "LED칩 + 형광분말"의 방식은 높은 기술 성숙도와 상대적으로 낮은 원가로, 여전히 백색광 LED을 생성하는 주된 방식이다. 액정 디스플레이 LED 백라이트에 있어서, 주로 "청광 LED칩 + 형광분말"의 방식을 사용하여 백색광을 발생시키며, 보편적으로 사용되는 방안은 Y3Al5O12:Ce(YAG:Ce)방안, β-SiAlON:Eu 녹색 형광분말(저 사향 백라이트는 규산염 그린파우더를 사용함) 및 질화물 홍색 형광분말 조합방안, β-SiAlON:Eu 녹색 형광분말 및 K2SiF6:Mn4 + 홍색 형광분말, 이 3가지 방안이 있다. 첫 번째 방안은 스펙트럼 피크가 상대적으로 넓으나, 색 순도가 좋지 않으며, 이로 제작된 디스플레이 장치의 색역 디스플레이 범위는 약 70% NTSC이다. 두 번째 기술방안은 색역 범위가 80% NTSC까지만 향상된 수 있다. 세 번째 기술방안은 불소화합물의 분홍색 순도가 높으므로 색역 범위가 85% NTSC 이상까지만 향상될 수 있다.Currently, the method of "LED chip + fluorescent powder" is still the main method of producing white light LEDs with high technology maturity and relatively low cost. In the liquid crystal display LED backlight, mainly using "blue LED chip + fluorescent powder" method to generate white light, a commonly used method is Y 3 Al 5 O 12 : Ce (YAG: Ce) method, β-SiAlON : Eu green fluorescence powder (low musk backlight uses silicate green powder) and nitride red fluorescence powder combination method, β-SiAlON: Eu green fluorescence powder and K 2 SiF 6 : Mn 4 + red fluorescence powder, these 3 methods have. In the first method, the spectrum peak is relatively wide, but the color purity is not good, and the color gamut display range of the display device thus produced is about 70% NTSC. The second technique can only improve the gamut range to 80% NTSC. The third technique is high in fluorine compound, so the color gamut can only be improved to 85% NTSC or higher.
그러나, 종래 기술로 제작된 LED 부품의 디스플레이 색역 범위가 여전히 상대적으로 낮다.However, the display gamut range of LED parts produced by the prior art is still relatively low.
본 발명은 종래 기술 중의 LED 부품의 디스플레이 색역 범위가 낮은 문제의 해결을 위한 발광소재 조성물 및 발광장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention mainly aims to provide a light emitting material composition and a light emitting device for solving the problem of low display color gamut range of LED parts in the prior art.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 의하면, 일반식 Ⅰ Ca2 -xLuHf2Al3O12:xCe, 일반식 Ⅱ Ca3 - yZr2SiGa2O12:yCe, 일반식 Ⅲ Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 일반식 Ⅳ Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu로 표시된 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택된 청색 발광소재; To achieve the above object, according to an aspect of the present invention, the general formula Ⅰ Ca 2 -x LuHf 2 Al 3 O 12 : xCe, general formula Ⅱ Ca 3 - y Zr 2 SiGa 2 O 12 : yCe, general formula Ⅲ Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and the general formula IV Sr 5 - m (PO 4 ) 3 Cl: a blue light-emitting material selected from any one or more mixtures formed by mEu;
일반식 Ⅴ Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu, 일반식 Ⅵ Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn 및 일반식 Ⅶ La3-vSi6N11:vTb로 표시된 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택된 녹색 발광소재; 및 In general formula Ⅴ Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu, general formula Ⅵ Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn and general formula Ⅶ La 3-v Si 6 N 11 : vTb Green light-emitting material selected from the mixture formed by any one or a plurality of displayed; And
일반식 Ⅷ 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2i·M3N4로 표시된 의의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택된 홍색 발광소재를 포함하며,General formula Ⅷ 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 i · M 3 N 4 and includes a red light-emitting material selected from a mixture formed of one or more of the significance,
상기 일반식 Ⅰ, 일반식 Ⅱ, 일반식 Ⅲ 및 일반식 Ⅳ 중에서, 0.002≤x≤0.2이고, 0.002≤y≤0.2이고, 0.002≤r≤0.2이고, 0.002≤m≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅰ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Al원소는 B, Ga, Si 중의 하나 또는 복수에 의해 치환될 수 있으며; 상기 일반식 Ⅱ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Si는 Al에 의해 치환되고, Ce는 Eu, Dy, Tb 중의 하나 또는 복수에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅲ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅳ 중의 Sr는 Ba, Ca, Mg중의 하난 또는 복수에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; Among the general formulas I, general formula II, general formula III and general formula IV, 0.002≤x≤0.2, 0.002≤y≤0.2, 0.002≤r≤0.2, 0.002≤m≤0.5, and general formula I In Ca is substituted by one or a plurality of Ba, Sr, Mg, Al element may be substituted by one or a plurality of B, Ga, Si; In the general formula II, Ca is substituted by one or a plurality of Ba, Sr and Mg, Si is substituted by Al, and Ce is partially substituted by one or a plurality of Eu, Dy, and Tb; Ba in the general formula (III) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn; Sr in the general formula (IV) is substituted by one or more of Ba, Ca, and Mg, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn;
상기 일반식 Ⅴ, 일반식 Ⅵ 및 일반식 Ⅶ 중에서, 0.1≤z≤0.6이고, 0.0001≤k≤0.1이고, 0.001≤s≤0.2이고, 0.01≤t≤0.6,0＜v≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅴ 중의 Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅵ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅶ 중의 La는 Y, Lu, Gd의 하나 또는 복수에 의해 치환 되고, Si는 C, Ge, Ti중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, N는 O에 의해 부분적으로 치환되고, Tb는 Ce 및/또는 Eu에 의해 치환되고, Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu는 Si5AlON7와 같은 결정구조를 구비하며; Among the general formula V, general formula VI and general formula VII, 0.1≤z≤0.6, 0.0001≤k≤0.1, 0.001≤s≤0.2, 0.01≤t≤0.6,0 <v≤0.5, and the general Eu in formula V is partially substituted by Ce and / or Mn; Ba in the general formula (VI) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce; La in the general formula VII is substituted by one or more of Y, Lu, Gd, Si is substituted by one or more of C, Ge, Ti, N is partially substituted by O, Tb is Ce And / or Eu, and Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu has a crystal structure such as Si 5 AlON 7 ;
상기 일반식 Ⅷ, F는 Cl, Br, I중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Ge는 Ti 및/또는 Si에 의해 치환되고, Mg는 Ca, Sr, Ba중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, M원소는 Si 및/또는 Ti으로 구성된 군에서 선택되며, 0.77≤j<0.90이고, 0≤i≤0.067이고, 0.015≤n≤0.03인이다.The general formulas VII, F are substituted by one or a plurality of Cl, Br, and I, Ge is substituted by Ti and / or Si, and Mg is substituted by one or a plurality of Ca, Sr, and Ba, and M The element is selected from the group consisting of Si and / or Ti, 0.77≤j <0.90, 0≤i≤0.067, and 0.015≤n≤0.03.
진일보로, 상기 청색 발광소재는 Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu 중에서 임의로 선택한 하나이며, 상기 녹색 발광소재는 La3 - vSi6N11:vTb 및 Ba1 -s-tMgAl10O17:sEu,tMn중에서 임의로 선택한 하나이다.Further, the blue light-emitting material is a randomly selected one of Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5 - m (PO 4 ) 3 Cl: mEu, and the green light-emitting material is La 3 - v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1 -st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
진일보로, 상기 일반식 Ⅷ에서 0.05≤i≤0.067이다.Further, 0.05≤i≤0.067 in the general formula Ⅷ.
진일보로, 상기 녹색 발광소재는 Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu 및 Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn중에서 임의로 선택한 하나이다.As a further step, the green light-emitting material is any one selected from Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu and Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
진일보로, 상기 일반식 Ⅷ에서 0.05≤i≤0.067이다.Further, 0.05≤i≤0.067 in the general formula Ⅷ.
본 발명의 다른 일 측면에 의하면, LED칩과 광전환부를 포함하는 발광장치에 있어서, 상기 광전환부는 상기 LED칩(2)에서 방사된 1차광을 흡수하여 파장이 더욱 높은 2차광으로 전환하며, 상기 광전환부는 이상에서 기재한 중의 어느 하나를 따른 발광소재인 것을 특징으로 하는 발광장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, in a light emitting device including an LED chip and a light conversion unit, the light conversion unit absorbs the primary light emitted from the LED chip 2 and converts it into a secondary light having a higher wavelength, The light conversion unit provides a light emitting device characterized in that the light emitting material according to any one of the above.
진일보로, 상기LED칩의 방사 피크 파장 범위는 355~375nm이고, 상기 발광소재 중의 청색 발광소재는 Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu 중에서 임의로 선택된 하나이고, 녹색 발광소재는 La3 - vSi6N11:vTb 및 Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 임의로 선택한 하나이다.Further, the emission peak wavelength range of the LED chip is 355 to 375 nm, and the blue light-emitting material in the light-emitting material is Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5 - m (PO 4 ) 3 Cl: mEu. It is a selected one, and the green light-emitting material is one randomly selected from La 3 - v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
진일보로, 상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4 중에서 임의로 선택된 하나 또는 복수로 형성된 혼합물이며, 그 중, 0.05≤i≤0.067이다.Further, the red light-emitting material in the light-emitting material is a mixture formed of one or a plurality of randomly selected from 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 , of which 0.05≤ i≤0.067.
진일보로, 상기 LED칩의 방사 피크 파장 범위는 360~370nm이고, 바람직하게 362~367nm이다.Further, the emission peak wavelength range of the LED chip is 360 to 370 nm, and preferably 362 to 367 nm.
진일보로, 상기 LED칩(2)의 방사 피크 파장 범위는 380~420nm이고, 상기 발광소재 중의 녹색 발광소재는 Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu 및 Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 임의로 선택한 하나이다.Further, the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is 380 to 420 nm, and the green light emitting material in the light emitting material is Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu and Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
진일보로, 상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4 중에서 임의로 선택한 하나 또는 복수로 형성된 혼합물이며, 그 중, 0.05≤i≤0.067이다.Further, the red light-emitting material in the light-emitting material is a mixture formed of one or a plurality of randomly selected from 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 , of which 0.05≤ i≤0.067.
진일보로, 상기 LED칩(2)의 방사 피크 파장 범위는 390~410nm이고, 바람직하게는, 400~407nm이다.Further, the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is 390 to 410 nm, preferably 400 to 407 nm.
본 발명의 기술방안을 적용하면, 상기 발광소재 조성물은 구조가 안정한 청색 발광소재, 발광 시 에너지가 높은 녹색 발광소재 및 상대적으로 긴 파장을 구비한 홍색 발광소재를 포함하며, 백색광 LED 광원에 사용될 경우, 백색광 LED에서 방사한 백색광의 스펙트럼범위를 넓힐 수 있으며, 진일보로 상기 백색광 LED를 디스플레이 장치의 백라이트로 사용할 경우 디스플레이 색역 범위를 넓히며, 또한, 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 효과를 향상시킨다.When the technical method of the present invention is applied, the light-emitting material composition includes a blue light-emitting material having a stable structure, a green light-emitting material having high energy when emitting light, and a red light-emitting material having a relatively long wavelength, and when used in a white light LED light source , The spectral range of white light emitted from a white light LED can be widened, and when the white light LED is used as a backlight for a display device, the display gamut range is widened and the display effect of the liquid crystal display device is improved.
출원의 일부분으로 구성된 도면은 본 발명의 이해를 돕고자 제공되며, 본 발명의 도식적 실시예 및 그에 대한 설명은 본 발명을 설명하는 것이지 본 발명에 대하여 한정하는 것은 아니다. 첨부된 도면 중에서,
도 1 은 본 발명에서 제공한 발광장치의 횡단면 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명에서 제공한 청색 발광소재 Sr4 . 8(PO4)3Cl:0.2Eu에 사용되는 발광 스펙트로그램이다.
도 3은 본 발명에서 제공한 녹색 발광소재 Ba0 . 85MgAl10O17:0.05Eu,0.1Mn에 사용되는 발광 스펙트로그램이다.
도 4는 본 발명에서 제공한 홍색 발광소재 3.5MgO·0.5MgF2·0.85(Ge0.9821Mn0.0179)O2·0.15/3Si3N4에 사용되는 발광 스펙트로그램이다.The drawings composed as part of the application are provided to help understanding of the present invention, and the schematic embodiments and descriptions of the present invention are intended to explain the present invention, but not to limit the present invention. Among the attached drawings,
1 is a schematic diagram of a cross-sectional structure of a light emitting device provided in the present invention.
2 is a blue light-emitting material Sr 4 provided in the present invention . 8 (PO 4 ) 3 Cl: This is a luminescence spectrogram used for 0.2 Eu.
3 is a green light-emitting material Ba 0 . It is a luminescence spectrogram used for 85 MgAl 10 O 17 : 0.05Eu, 0.1Mn.
4 is a luminescence spectrogram used for the red luminescent material 3.5MgO · 0.5MgF 2 · 0.85 (Ge 0.9821 Mn 0.0179 ) O 2 · 0.15 / 3Si 3 N 4 provided in the present invention.
충돌하지 않는 한 본 출원 중의 실시예 및 실시예 중의 특징들은 서로 조합될 수 있음을 명시한다. 이하, 첨부된 도면과 실시예를 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.It is noted that the embodiments in the present application and the features in the embodiments can be combined with each other, unless there is a conflict. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and examples.
본 출원의 발명인은 LED 부품의 디스플레이 색역에 영향을 주는 요소에 대하여 일일이 분석한 결과, 관용적인 녹색 형광분말은 발광에너지가 낮고, 플루오라이드 계열 홍색 분말의 방사 피크는 낮으므로, LED 부품의 디스플레이 색역 범위가 낮아지도록 일으키는 것을 발견하였으며, 이러한 원인에 대하여, 본 출원은 종래 기술의 녹색 발광소재와 홍색 발광소재에 대하여 다양한 성능 측정을 진행하여, 새로운 발광소재의 조성형식 및 이를 적용하는 발광장치를 제공한다.The inventors of the present application analyzed the factors influencing the display color gamut of the LED parts, and as a result, the conventional green fluorescent powder has low luminous energy and the emission peak of the fluoride-based red powder is low, so the display color gamut of the LED parts is low. It has been found to cause the range to be lowered, and for this reason, the present application provides various types of performance measurements on the green light emitting material and the red light emitting material of the prior art, and provides a composition type of a new light emitting material and a light emitting device applying the same do.
본 출원의 전형적인 일 실시방식에서, 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 포함하는 발광소재 조성물을 제공하며, 청색 발광소재는 일반식 Ⅰ Ca2 -xLuHf2Al3O12:xCe, 일반식 Ⅱ Ca3 - yZr2SiGa2O12:yCe, 일반식 Ⅲ Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 일반식 Ⅳ Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu 로 표시된 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택되며, 그 중, 0.002≤x≤0.2이고, 0.002≤y≤0.2이고, 0.002≤r≤0.2이고, 0.002≤m≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅰ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Al 원소는 B, Ga, Si 중의 하나 또는 복수에 의해 치환될 수 있으며; 상기 일반식 Ⅱ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Si는 Al에 의해 치환되고, Ce는 Eu, Dy, Tb 중의 하나 또는 복수에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅲ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅳ 중의 Sr는 Ba, Ca, Mg중의 하난 또는 복수에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환된다. 녹색 발광소재는 일반식 Ⅴ Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu, 일반식 Ⅵ Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn 및 일반식 Ⅶ La3 - vSi6N11:vTb로 표시된 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택되며, 그 중, 0.1≤z≤0.6이고, 0.0001≤k≤0.1이고, 0.001≤s≤0.2이고, 0.01≤t≤0.6,0＜v≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅴ 중의 Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅵ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅶ 중의 La는 Y, Lu, Gd의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Si는 C, Ge, Ti 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, N는 O에 의해 부분적으로 치환되고, Tb는 Ce 및/또는 Eu에 의해 치환되고, Si6 - zAlzOzN8 -z:kEu는 Si5AlON7와 같은 결정구조를 구비한다. 홍색 발광소재는 일반식 Ⅷ 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4로 표시된 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택이며, 그 중, F는 Cl, Br, I 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Ge는 Ti및/또는Si에 의해 치환되고, Mg는 Ca, Sr, Ba 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, M원소는 Si 및/또는 Ti으로 구성된 군에서 선택되며, 0.77≤j<0.90이고, 0≤i≤0.067이고, 0.015≤n≤0.03이다.In an exemplary embodiment of the present application, a blue light emitting material, a green light emitting material, and a light emitting material composition including a red light emitting material are provided, and the blue light emitting material is represented by the general formula Ⅰ Ca 2 -x LuHf 2 Al 3 O 12 : xCe, Formula II Ca 3 - y Zr 2 SiGa 2 O 12 : yCe, Formula III Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and Formula IV Sr 5 - m (PO 4 ) 3 Cl: mEu Or is selected from a mixture formed of a plurality, among them, 0.002≤x≤0.2, 0.002≤y≤0.2, 0.002≤r≤0.2, 0.002≤m≤0.5, Ca in the general formula I is Ba, Sr , It may be substituted by one or more of Mg, and the Al element may be substituted by one or more of B, Ga, and Si; In the general formula II, Ca is substituted by one or a plurality of Ba, Sr and Mg, Si is substituted by Al, and Ce is partially substituted by one or a plurality of Eu, Dy, and Tb; Ba in the general formula (III) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn; Sr in the general formula (IV) is substituted by one or more of Ba, Ca, and Mg, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn. The green light-emitting material is the general formula Ⅴ Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu, the general formula Ⅵ Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn and the general formula Ⅶ La 3 - v Si 6 N 11 : selected from any one or a plurality of mixtures represented by vTb, among which 0.1≤z≤0.6, 0.0001≤k≤0.1, 0.001≤s≤0.2, 0.01≤t≤0.6,0 <v ≤0.5, Eu in the general formula V is partially substituted by Ce and / or Mn; Ba in the general formula (VI) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce; La in the formula VII is substituted by one or a plurality of Y, Lu, Gd, Si is substituted by one or a plurality of C, Ge, Ti, N is partially substituted by O, Tb is Ce is substituted by and / or Eu, Si 6 - z Al z O z N 8 -z: kEu has a crystal structure such as Si 5 AlON 7. The red light-emitting material is selected from any one or a plurality of mixtures represented by the general formula Ⅷ 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 , wherein F is Cl , Substituted by one or more of Br, I, Ge is replaced by Ti and / or Si, Mg is replaced by one or more of Ca, Sr, Ba, and element M is Si and / or Ti It is selected from the group consisting of, 0.77≤j <0.90, 0≤i≤0.067, and 0.015≤n≤0.03.
상기 발광소재 조성물은 구조가 안정한 청색 발광소재, 발광 에너지가 높은 녹색 발광소재 및 상대적으로 긴 파장을 구비한 홍색 발광소재를 포함하며, 백색광 LED 광원에 사용될 경우, 백색광 LED에서 방사한 백색광의 스펙트럼범위를 넓힐 수 있으며, 진일보로 상기 백색광 LED를 디스플레이 장치의 백라이트로 사용할 경우 디스플레이 색역 범위를 넓히며, 또한, 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 효과를 향상시킨다.The light-emitting material composition includes a blue light-emitting material having a stable structure, a green light-emitting material having a high luminous energy, and a red light-emitting material having a relatively long wavelength, and when used in a white light LED light source, a spectrum range of white light emitted from a white light LED When the white light LED is used as a backlight for a display device, the display gamut range is widened, and the display effect of the liquid crystal display device is improved.
본 출원의 바람직한 일 실시예에서, 상기 청색 발광소재는 Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 Sr5 - m(PO4)3Cl:mEu 중에서 임의로 선택된 하나이며, 녹색 발광소재는 La3 - vSi6N11:vTb과 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 임의로 선택된 하나이다. 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재로 형성된 발광소재 조성물은 방사 피크파장 범위가 355~375nm인 LED 칩의 여기 하에 방사된 백색광 스펙트럼 범위가 더욱 넓어져서, LED 디스플레이 부품의 디스플레이 색역의 확장효과가 더욱 확실하다. In one preferred embodiment of the present application, the blue light-emitting material is Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5 - m (PO 4) 3 Cl: and optionally one selected from mEu, green light-emitting material is La 3 - v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn. The light-emitting material composition formed of the blue light-emitting material, the green light-emitting material, and the red light-emitting material has a wider white light spectrum range emitted under the excitation of the LED chip having a radiation peak wavelength range of 355 to 375 nm, thereby expanding the display color gamut of the LED display component. The effect is more obvious.
홍색 발광소재의 파장 변화를 이용하여 디스플레이 색역을 진일보로 확장하기 위하여, 상기 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4에서 0.05≤i≤0.067인 것이 바람직하다.In order to further expand the display gamut by using the wavelength change of the red light-emitting material, it is 0.05≤i≤0.067 in the 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 desirable.
본 출원의 다른 일 바람직한 실시예에서, 상기 녹색 발광소재는 Si6 - zAlzOzN8 -z:kEu 및 Ba1 -s- tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 임의로 선택된 하나인 것이 바람직하다. 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재로 형성된 발광소재 조성물은 방사 피크파장 범위가 380~420nm인 LED 칩의 여기 하에 방사된 백색광 스펙트럼 범위가 더욱 넓어져서, LED 디스플레이 부품의 디스플레이 색역의 확장효과가 더욱 확실하다.In another preferred embodiment of the present application, the green light-emitting material is one selected randomly from Si 6 - z Al z O z N 8 -z : kEu and Ba 1 -s- t MgAl 10 O 17 : sEu, tMn desirable. The light-emitting material composition formed of the blue light-emitting material, the green light-emitting material, and the red light-emitting material has a wider white light spectrum range emitted under the excitation of the LED chip having a radiation peak wavelength range of 380 to 420 nm, thereby expanding the display gamut of the LED display component. The effect is more obvious.
홍색 발광소재의 파장 변화를 이용하여 디스플레이 색역을 진일보로 확장하기 위하여, 상기 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4 중에서 0.05≤i≤0.067인 것이 바람직하다.In order to further expand the display color gamut by changing the wavelength of the red light-emitting material, 0.05≤i≤0.067 among the 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 desirable.
본 출원의 다른 일 전형적인 실시방식에서, 도 1에서 도시한 바와 같은 LED칩(2) 과 광전환부(3)을 포함하는 발광장치를 제공하였으며, 여기서 광전환부(3)는 LED 칩(2)에서 방사된 1차 광을 흡수하여 파장이 더욱 높은 2차 광으로 전환하며, 광전환부는 상기 임의의 하나의 발광소재를 포함한다.In another exemplary embodiment of the present application, a light emitting device including an LED chip 2 and a
상기 발광소재 조성물은 구조가 안정한 청색 발광소재, 발광 에너지가 높은 녹색 발광소재 및 상대적으로 긴 파장을 구비한 홍색 발광소재를 포함하며, 발광장치에 적용될 경우, 방사된 백색광의 스펙트럼범위를 넓힐 수 있으며, 진일보로 상기 백색광 LED를 디스플레이 장치의 백라이트로 사용할 경우 디스플레이 색역 범위를 넓히며, 또한, 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 효과를 향상시킨다.The light-emitting material composition includes a blue light-emitting material having a stable structure, a green light-emitting material having a high luminous energy, and a red light-emitting material having a relatively long wavelength. When applied to a light emitting device, the spectrum of emitted white light can be widened. , Further, when the white light LED is used as a backlight of the display device, the display gamut range is widened and the display effect of the liquid crystal display device is improved.
본 출원의 다른 일 바람직한 실시예에서, 상기 LED 칩(2)의 방사 피크파장 범위는 355~375nm이고, 발광소재 중에서 청색 발광소재는 Ba1 - rMgAl10O17:rEu 및 Sr5 -m(PO4)3Cl:mEu 중에서 임의로 선택된 하나이고, 녹색 발광소재는 La3 - vSi6N11:vTb 및 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 임의로 선택된 하나이다. 상기 LED칩의 여기 하에, 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재로 형성된 발광소재 조성물에서 방사된 백색광 스펙트럼범위가 더욱 넓어져서, LED 디스플레이 부품의 디스플레이 색역의 확장효과가 더욱 확실하다.In another preferred embodiment of the present application, the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is 355 to 375 nm, and among the light emitting materials, the blue light emitting material is Ba 1 - r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5 -m ( PO 4 ) 3 Cl: mEu, and the green light-emitting material is one randomly selected from La 3 - v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn. Under the excitation of the LED chip, the spectrum of white light emitted from the light-emitting material composition formed of the blue light-emitting material, the green light-emitting material, and the red light-emitting material is wider, so that the effect of expanding the display color gamut of the LED display component is more certain.
홍색 발광소재의 파장 변화를 이용하여 디스플레이 색역을 진일보로 확장하기 위하여, 바람직하게, 상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4중에서 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택이며, 그 중, 0.05≤i≤0.067이다. 청광 여기 에너지를 향상시켜 디스플레이 색역을 확장하기 위하여, 진일보로, 상기 LED 칩(2)의 방사 피크파장 범위는 360~370nm인 것이 바람직하며, 362~367nm인 것이 더욱 바람직하다.In order to further expand the display gamut using the wavelength change of the red light-emitting material, preferably, the red light-emitting material in the light-emitting material is 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 It is selected from any one or a plurality of mixtures among N 4 , and among them, 0.05 ≤ i ≤ 0.067. In order to improve the blue light excitation energy and expand the display color gamut, the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is preferably 360 to 370 nm, and more preferably 362 to 367 nm.
본 출원의 또 다른 일 바람직한 실시예에서, 상기 LED 칩(2)의 방사 피크파장 범위는 380~420nm이고, 발광소재 중의 녹색 발광소재는 Si6 - zAlzOzN8 - z:kEu 및 Ba1 -s-tMgAl10O17:sEu,tMn중에서 임의로 선택된 하나이다. 상기 LED칩의 여기 하에, 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재로 형성된 발광소재 조성물에서 방사된 백색광 스펙트럼범위가 더욱 넓어져서, LED 디스플레이 부품의 디스플레이 색역의 확장효과가 더욱 확실하다.In another preferred embodiment of the present application, the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is 380 to 420 nm, and the green light emitting material in the light emitting material is Si 6 - z Al z O z N 8 - z : kEu and Ba 1 -st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn. Under the excitation of the LED chip, the spectrum of white light emitted from the light-emitting material composition formed of the blue light-emitting material, the green light-emitting material, and the red light-emitting material is wider, so that the effect of expanding the display color gamut of the LED display component is more certain.
홍색 발광소재의 파장 변화를 이용하여 디스플레이 색역을 진일보로 확장하기 위하여, 바람직하게, 상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4중에서 임의의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물에서 선택되며, 그 중, 0.05≤i≤0.067이다.In order to further expand the display gamut using the wavelength change of the red light-emitting material, preferably, the red light-emitting material in the light-emitting material is 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 It is selected from any one or a plurality of mixtures among N 4 , and among them, 0.05 ≤ i ≤ 0.067.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 출원은 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 포함하는 발광소재 조성물을 제공하였으며, 백색광 LED 백라이트에 적용될 경우, 백색광 LED에서 방사된 백색광의 스펙트럼 범위를 넓힐 수 있으며, 진일보로 상기 백색광 LED를 디스플레이 장치의 백라이트로 사용할 경우 디스플레이 색역 범위를 넓히며, 또한, 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 효과를 향상시킨다. 상기 각 발광소재의 사용량은 상기 효과를 구현하는데 있어서 본질적인 영향을 주지는 않으나, 방사된 백색광의 광 강도, 색 온도 등을 일반적 선호범위로 조절하기 위하여 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재의 중량비례 범위는 (1~3): (2~6): (2~4)인 것이 바람직하다.As described above, the present application provided a light-emitting material composition comprising a blue light-emitting material, a green light-emitting material, and a red light-emitting material, and when applied to a white light LED backlight, the spectrum of white light emitted from the white light LED can be widened, Further, when the white light LED is used as a backlight for a display device, the display gamut range is widened and the display effect of the liquid crystal display device is improved. The amount of each light-emitting material does not have an intrinsic effect in realizing the effect, but the blue light-emitting material, green light-emitting material, and red light-emitting material in order to adjust the light intensity, color temperature, etc. of emitted white light to a general preferred range It is preferable that the weight proportional range of (1-3): (2-6): (2-4).
청광 여기 에너지를 높여 디스플레이 색역을 확장하기 위하여, 진일보로, 상기 LED 칩(2)의 방사 피크파장 범위는 390~410nm인 것이 바람직하고, 400~407nm인 것이 더 바람직하다.In order to increase the blue light excitation energy and expand the display gamut, further, it is preferable that the emission peak wavelength range of the LED chip 2 is 390 to 410 nm, and more preferably 400 to 407 nm.
본 출원의 발광장치는 상기 특징을 구비하기만 하면 기타 구성에 대하여 특별한 한정은 없다. 실리카겔, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 요소수지 등을 실런트로 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 한편, 광전환부에는 상기 형광분말 및 실런트 이외에, 적당한 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3 등 첨가제도 포함할 수 있다. The light emitting device of the present application is not particularly limited with respect to other configurations as long as it has the above characteristics. Silica gel, epoxy resin, silicone resin, urea resin, etc. may be used as the sealant, but is not limited thereto. On the other hand, in addition to the fluorescent powder and the sealant, the light conversion unit may include additives such as SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , and Al 2 O 3 .
본 발명의 발광장치에 사용되는 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재, 홍색 발광소재는 공지된 적절한 방법을 적용하여 제조할 수 있고, 직접 구매할 수도 있음을 명시한다.The blue light-emitting material, green light-emitting material, and red light-emitting material used in the light-emitting device of the present invention can be manufactured by applying a suitable method known in the art, and it can be directly purchased.
이하, 실시예 및 비교예를 결합하여 본 출원의 유익한 효과에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the beneficial effects of the present application will be described in more detail by combining Examples and Comparative Examples.
비교예 1Comparative Example 1
도 1에서 도시된 바와 같은 방식으로 LED 발광장치를 제조한다. 그 중, LED칩(2)은 450nm곳의 피크파장을 갖는 칩이고, 광전환부(3) 중의 녹색 발광소재는 Si5.70Al0.30O0.30N7.70:0.05Eu2+ 을 사용하고, 홍색 발광소재는 K2SiF6:0.01Mn4 +를 사용한다. 상기 녹색 발광소재와 홍색 발광소재를 25:75의 중량비례로 혼합하여 실리카겔에 분산하여, 광전환부를 제작한다. 진일보로, 광전환부는 LED 발광장치로 조립된다.An LED light emitting device is manufactured in the manner as shown in FIG. 1. Among them, the LED chip 2 is a chip having a peak wavelength of 450 nm, and the green light-emitting material in the
비교예 2Comparative Example 2
도 1에서 도시된 바와 같은 방식으로 LED 발광장치를 제조한다. 그 중, LED칩(2)은 365nm곳의 피크파장을 갖는 칩이고, 광전환부(3) 중의 청색 발광소재는 Ba0.85MgAl10O17:0.15Eu을 사용하고, 녹색 발광소재는 Lu2 . 94Al5Si12:0.06Ce을 사용하고, 홍색 발광소재는 Ca0 . 99AlSiN3:0.01Eu을 사용한다. 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 25:40:35의 중량비례로 혼합하여 실리카겔에 분산하여 (실리카겔과 형광분말의 중량비례는 88:12임), 광전환부를 제작한다. 진일보로, 광전환부는 LED 발광장치로 조립된다.An LED light emitting device is manufactured in the manner as shown in FIG. 1. Among them, the LED chip 2 is a chip having a peak wavelength of 365 nm, and the blue light emitting material in the
실시예 1Example 1
도 1에서 도시된 바와 같은 방식으로 본 발명의 백색광 LED 발광장치를 제조한다. 그 중, LED 칩(2)은 365nm곳의 피크파장을 갖는 칩이고, 광전환부(3) 중의 청색 발광소재는 Ba0 . 85MgAl10O17:0.15Eu을 사용하고, 녹색 발광소재는 La2 . 84Si6N11:0.16을 사용하고, 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·0.85(Ge0.9821Mn0.0179)O2·0.15/3Si3N4을 사용한다. 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 30:40:30의 중량비례로 혼합하여 실리카겔에 분산하여(실리카겔과 형광분말의 중량비례는 90:10임), 광전환부를 제작한다. 광전환부는 진일보로 LED 발광장치로 조립된다.The white light LED light emitting device of the present invention is manufactured in the manner as shown in FIG. 1. Among them, the LED chip 2 is a chip having a peak wavelength of 365 nm, and the blue light emitting material in the
실시예 2Example 2
도 1에서 도시된 바와 같은 방식으로 본 발명의 백색광 LED 발광장치를 제조한다. 그 중, LED 칩(2)은 405nm곳의 피크파장을 갖는 칩이고, 광전환부(3) 중의 청색 발광소재는 Sr4 . 8(PO4)3Cl:0.2Eu을 사용하고, 녹색 발광소재는 Ba0.5MgAl10O17:0.07Eu,0.43Mn을 사용하고, 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·0.8(Ge0.981Mn0.019)O2·0.2/3Si3N4을 사용한다. 상기 청색 발광소재, 녹색 발광소재 및 홍색 발광소재를 25:45:30의 중량비례로 혼합하여 에폭시 수지에 분산하여(에폭시 수지와 형광분말의 중량비례는 92:8이다), 광전환부를 제작한다. 광전환부는 진일보로 LED 발광장치로 조립된다.The white light LED light emitting device of the present invention is manufactured in the manner as shown in FIG. 1. Among them, the LED chip 2 is a chip having a peak wavelength of 405 nm, and the blue light emitting material in the
실시예 3-12의 제작공정은 실시예 2와 기본적으로 같으나, 서로 다른 LED 칩 및 발광소재를 사용하였으며, 구체적인 것은 표 1을 참조하길 바란다.The fabrication process of Example 3-12 is basically the same as that of Example 2, but different LED chips and light emitting materials are used, and see Table 1 for details.
표 1Table 1
HAAS-2000 고정밀도 쾌속 스펙트럼 분석기를 이용하여 광효율 및 색 좌표를 측정하여 취득하였으며, 색 좌표 및 색액 계산공식을 이용하여 계산을 통해 디스플레이 색역을 취득하였으며, 측정결과는 표 2를 참조하길 바란다.The optical efficiency and color coordinates were measured and acquired using a HAAS-2000 high-precision rapid spectrum analyzer, and the display color gamut was obtained through calculation using the color coordinates and color liquid calculation formula, and the measurement results are shown in Table 2.
표 2Table 2
표 2의 데이터를 통해 광전환부가 본 출원의 발광소재의 혼합물을 사용할 경우 발광장치의 디스플레이 색역이 현저하게 향상되고, 동시에 높은 광효율을 유지되는 것을 확인할 수 있다. 한편, 실시예 1과 실시예 2의 비교를 통해 발광소재 조성물과 적절한 방사 피크 파장을 갖는 LED 칩이 배합될 경우, 디스플레이 색역을 진일보로 넓히며, 광효율을 향상시키는 것을 확인할 수 있다.It can be seen from the data in Table 2 that when the light conversion unit uses a mixture of the light-emitting materials of the present application, the display color gamut of the light-emitting device is significantly improved, and at the same time, high light efficiency is maintained. On the other hand, through the comparison of Example 1 and Example 2, when a light emitting material composition and an LED chip having an appropriate emission peak wavelength are blended, it can be seen that the display color gamut is further advanced and the light efficiency is improved.
이상의 기재를 통해 본 발명의 상기 실시예는 다음과 같은 기술효과를 구현하였음을 확인할 수 있다. Through the above description, it can be confirmed that the above embodiments of the present invention have implemented the following technical effects.
상기 발광소재 조성물은 구조가 안정한 청색 발광소재, 발광 에너지가 높은 녹색 발광소재 및 상대적으로 긴 파장을 구비한 홍색 발광소재를 포함하며, 백색광 LED광원에 사용될 경우, 백색광 LED에서 방사한 백색광의 스펙트럼범위를 넓힐 수 있으며, 진일보로 상기 백색광 LED를 디스플레이 장치의 백라이트로 사용할 경우 디스플레이 색역 범위를 넓히며, 또한, 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 효과를 향상시킨다.The light-emitting material composition includes a blue light-emitting material having a stable structure, a green light-emitting material having a high luminous energy, and a red light-emitting material having a relatively long wavelength, and when used in a white light LED light source, the spectrum range of white light emitted from a white light LED When the white light LED is used as a backlight of the display device, the display gamut range is widened, and the display effect of the liquid crystal display device is improved.
이상은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과하며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 본 기술분야의 통상적 기술지식을 갖는 기술자에게 있어서, 본 발명은 다양한 수정과 변형이 있을 수 있다. 본 발명의 기술사상 범위 내에서 진행된 그 어떠한 수정, 균등한 치환, 개선 등은 모두 본 발명의 보호범위 내에 속하게 된다.The above is only a preferred embodiment of the present invention, and is not intended to limit the present invention. For a person having ordinary skill in the art, the present invention may have various modifications and variations. Any modifications, equivalent substitutions, improvements, etc. made within the scope of the technical idea of the present invention are all within the protection scope of the present invention.
2 LED칩
3 광전환부2 LED chip
3 Optical switching part
Claims (12)
일반식 Ⅴ Si6-zAlzOzN8-z:kEu, 일반식 Ⅵ Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 및 일반식 Ⅶ La3-vSi6N11:vTb로 표시된 중의 하나 또는 복수로 형성된 혼합물로부터 선택된 녹색 발광소재; 및
일반식 Ⅷ 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4로 표시된 혼합물인 홍색 발광소재를 포함하며,
상기 일반식 Ⅰ, 일반식 Ⅱ, 일반식 Ⅲ 및 일반식 Ⅳ 중에서, 0.002≤x≤0.2이고, 0.002≤y≤0.2이고, 0.002≤r≤0.2이고, 0.002≤m≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅰ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Al 원소는 B, Ga, Si 중의 하나 또는 복수에 의해 치환될 수 있으며; 상기 일반식 Ⅱ에서 Ca는 Ba, Sr, Mg중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Si는 Al에 의해 치환되고, Ce는 Eu, Dy, Tb 중의 하나 또는 복수에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅲ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅳ 중의 Sr는 Ba, Ca, Mg 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며;
상기 일반식 Ⅴ, 일반식 Ⅵ 및 일반식 Ⅶ 중에서, 0.1≤z≤0.6이고, 0.0001≤k≤0.1이고, 0.001≤s≤0.2이고, 0.01≤t≤0.6,0＜v≤0.5이며, 상기 일반식 Ⅴ 중의 Eu는 Ce 및/또는 Mn에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅵ 중의 Ba는 Ca 및/또는 Sr에 의해 치환되고, Eu는 Ce에 의해 부분적으로 치환되며; 상기 일반식 Ⅶ 중의 La는 Y, Lu, Gd의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Si는 C, Ge, Ti중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, N는 O에 의해 부분적으로 치환되고, Tb는 Ce 및/또는 Eu에 의해 치환되고, Si6-zAlzOzN8-z:kEu는 Si5AlON7 결정구조를 구비하며;
상기 일반식 Ⅷ에서, F는 Cl, Br, I 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, Ge는 Ti 및/또는 Si에 의해 치환되고, Mg는 Ca, Sr, Ba 중의 하나 또는 복수에 의해 치환되고, M 원소는 Si 및/또는 Ti으로 구성된 군에서 선택되며, 0.77≤j<0.90이고, 0≤i≤0.067이고, 0.015≤n≤0.03인 것을 특징으로 하는 발광소재 조성물. Formula I Ca 2-x LuHf 2 Al 3 O 12 : xCe, Formula II Ca 3-y Zr 2 SiGa 2 O 12 : yCe, Formula III Ba 1-r MgAl 10 O 17 : rEu and Formula IV Sr A blue light-emitting material selected from a mixture formed of one or more of 5-m (PO 4 ) 3 Cl: mEu;
Formula V Si 6-z Al z O z N 8-z : kEu, Formula VI Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn and Formula Ⅶ La 3-v Si 6 N 11 : vTb A green light emitting material selected from one or more mixtures formed; And
General formula Ⅷ 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 It contains the red light emitting material which is a mixture of
Of the general formula I, general formula II, general formula III and general formula IV, 0.002≤x≤0.2, 0.002≤y≤0.2, 0.002≤r≤0.2, 0.002≤m≤0.5, and the general formula I In Ca is substituted by one or a plurality of Ba, Sr, Mg, Al element may be substituted by one or a plurality of B, Ga, Si; In the general formula II, Ca is substituted by one or a plurality of Ba, Sr and Mg, Si is substituted by Al, and Ce is partially substituted by one or a plurality of Eu, Dy, and Tb; Ba in the general formula (III) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn; Sr in the general formula (IV) is substituted by one or more of Ba, Ca, and Mg, and Eu is partially substituted by Ce and / or Mn;
Among the general formula V, general formula VI and general formula 일반, 0.1≤z≤0.6, 0.0001≤k≤0.1, 0.001≤s≤0.2, 0.01≤t≤0.6,0 <v≤0.5, and the general Eu in formula V is partially substituted by Ce and / or Mn; Ba in the general formula (VI) is substituted by Ca and / or Sr, and Eu is partially substituted by Ce; La in the formula VII is substituted by one or a plurality of Y, Lu, and Gd, Si is substituted by one or a plurality of C, Ge, and Ti, N is partially substituted by O, and Tb is Ce And / or Eu, Si 6-z Al z O z N 8-z : kEu has a Si 5 AlON 7 crystal structure;
In the above general formula VII, F is substituted by one or a plurality of Cl, Br, I, Ge is substituted by Ti and / or Si, and Mg is substituted by one or a plurality of Ca, Sr, Ba, M element is selected from the group consisting of Si and / or Ti, 0.77≤j <0.90, 0≤i≤0.067, 0.015≤n≤0.03, characterized in that the light-emitting material composition.
상기 청색 발광소재는 Ba1-rMgAl10O17:rEu 및 Sr5-m(PO4)3Cl:mEu 중에서 선택된 하나이며, 상기 녹색 발광소재는 La3-vSi6N11:vTb 및 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 발광소재 조성물.According to claim 1,
The blue light - emitting material is one selected from Ba 1-r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5-m (PO 4 ) 3 Cl: mEu, and the green light - emitting material is La 3-v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn selected from the one selected from the light-emitting material composition.
상기 일반식 Ⅷ에서 0.05≤i≤0.067인 것을 특징으로 하는 발광소재 조성물.According to claim 1,
In the general formula Ⅷ 0.05≤i≤0.067, characterized in that the light-emitting material composition.
상기 녹색 발광소재는 Si6-zAlzOzN8-z:kEu 및 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 발광소재 조성물.According to claim 1,
The green light - emitting material is a light emitting material composition, characterized in that one selected from Si 6-z Al z O z N 8-z : kEu and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
상기 일반식 Ⅷ에서 0.05≤i≤0.067인 것을 특징으로 하는 발광소재 조성물.According to claim 4,
In the general formula Ⅷ 0.05≤i≤0.067, characterized in that the light-emitting material composition.
상기 광전환부(3)는 상기 LED칩(2)에서 방사한 1차 광을 흡수하여 파장이 더욱 높은 2차 광으로 전환하며, 상기 광전환부는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 발광소재 조성물인 것을 특징으로 하는 발광장치.In the light emitting device including the LED chip 2 and the light conversion unit (3),
The light conversion unit 3 absorbs the primary light emitted from the LED chip 2 and converts it to secondary light having a higher wavelength, and the light conversion unit according to any one of claims 1 to 5. A light-emitting device characterized in that the light-emitting material composition.
상기 LED칩(2)의 방사 피크파장 범위는 355~375nm이고, 상기 발광소재 중의 청색 발광소재는 Ba1-rMgAl10O17:rEu 및 Sr5-m(PO4)3Cl:mEu 중에서 선택된 하나이고, 녹색 발광소재는 La3-vSi6N11:vTb 및 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 6,
The emission peak wavelength range of the LED chip (2) is 355 ~ 375nm, the blue light-emitting material of the light-emitting material is selected from Ba 1-r MgAl 10 O 17 : rEu and Sr 5-m (PO 4 ) 3 Cl: mEu One, the green light - emitting material is a light emitting device, characterized in that one selected from La 3-v Si 6 N 11 : vTb and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu, tMn.
상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4로 형성된 혼합물이며, 그 중, 0.05≤i≤0.067인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 6,
The red light-emitting material in the light-emitting material is a mixture formed of 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 , wherein 0.05≤i≤0.067 Device.
상기 LED칩(2)의 방사 피크파장 범위는 360~370nm인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 8,
The light emitting device, characterized in that the emission peak wavelength range of the LED chip (2) is 360 ~ 370nm.
상기 LED칩(2)의 방사 피크파장 범위는 380~420nm이고, 상기 발광소재 중의 녹색 발광소재는 Si6-zAlzOzN8-z:kEu 및 Ba1-s-tMgAl10O17:sEu,tMn 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 6,
The emission peak wavelength range of the LED chip (2) is 380 ~ 420nm, the green light-emitting material in the light-emitting material is Si 6-z Al z O z N 8-z : kEu and Ba 1-st MgAl 10 O 17 : sEu , tMn.
상기 발광소재 중의 홍색 발광소재는 3.5MgO·0.5MgF2·j(Ge1-nMnn)O2·iM3N4 로 형성된 혼합물이며, 그 중, 0.05≤i≤0.067인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 10,
The red light-emitting material in the light-emitting material is a mixture formed of 3.5MgO · 0.5MgF 2 · j (Ge 1-n Mn n ) O 2 · iM 3 N 4 , wherein 0.05≤i≤0.067 Device.
상기 LED칩(2)의 방사 피크파장 범위는 390~410nm인 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 11,
The light emitting device, characterized in that the emission peak wavelength range of the LED chip (2) is 390 ~ 410nm.
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