KR102092687B1 - 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102092687B1 KR102092687B1 KR1020140033361A KR20140033361A KR102092687B1 KR 102092687 B1 KR102092687 B1 KR 102092687B1 KR 1020140033361 A KR1020140033361 A KR 1020140033361A KR 20140033361 A KR20140033361 A KR 20140033361A KR 102092687 B1 KR102092687 B1 KR 102092687B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- thin film
- fluoride
- weight
- etching
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 182
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 71
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 6
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;hydrofluoride Chemical compound F.[F-].[K+] VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLNONDYNURUMCD-UHFFFAOYSA-N [F].OO Chemical compound [F].OO RLNONDYNURUMCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 사용하여 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 일괄 식각하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 박막, 특히 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막과 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 일괄 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 및 상기 일괄 식각에 사용되는 식각액 조성물에 관한 것이다.
액정 표시 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식 식각이 사용된다.
액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법은 일반적으로 4 마스크 공정과 5 마스크 공정으로 이루어지는데, 5 마스크 공정에서 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막과 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막으로 이루어지는 반도체 층의 형성 과정을 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(159) 상에 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등을 기판(159) 전면에 증착하여, 제 1 금속층을 형성하고, 제 1 마스크 공정을 진행하여 기판(159)에 게이트 전극(160)을 포함하는 게이트 배선을 형성한다.
다음, 상기 게이트 전극(160) 및 게이트 배선이 형성된 기판(159) 전면에 무기절연물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)을 증착하여 게이트 절연막(168)을 형성한다.
다음, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(168)이 형성된 기판(159) 전면에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(170a)을 형성한다. 이후 상기 비정질 실리콘층(170a) 위로 불순물이 섞인 n+ 비정질 실리콘층(170b)을 형성한다.
다음, 상기 n+층(170b)이 형성된 기판(159) 전면에 금속물질 예를들면 몰리브덴(Mo)등을 증착하여 제 2 금속층(171)을 형성한다.
다음, 도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 금속층(171) 위에 포토레지스트를 도포하고, 제 2 마스크 공정을 진행하여, 소스 및 드레인 전극(미도시)을 포함하는 데이터 배선(미도시)과 반도체층(미도시)이 형성될 부분 상에는 포토레지스트 패턴(110)을 형성하고 그 외 부분의 포토레지스트는 제거하여 제 2 금속층(171)을 노출시킨다.
다음, 도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 노출된 제 2 금속층(도 1c의 171)을 식각하여 제거함으로써 상기 제 2 금속층(도 1c의 171) 하부의 n+층(170b)을 노출시킨다. 이때, 제거되지 않고 남아있는 제 2 금속층(172)은 연결된 상태의 소스 드레인 금속층(172)을 형성한다.
다음, 도 1e에 도시한 바와 같이, 상기 노출된 n+층(도 1d 170b) 및 그 하부의 비정질 실리콘층(170a)을 식각하여 게이트 절연막(168)을 노출시킨다. 이때, 제거되지 않고 남아 있는 비정질 실리콘층(173a) 및 n+층(173b)은 반도체층(173)을 형성한다. 이후, 남아있는 포토레지스트 패턴(110)을 스트립 공정을 진행하여 제거한다.
다음, 도 1f에 도시한 바와 같이, 개략적인 데이터 배선 및 반도체층(173)이 형성된 기판(159)에 포토레지스트를 도포하고, 제 3 마스크 공정을 진행하여, 액티브 영역 즉, 채널(ch)을 형성할 부분의 소스 드레인 금속층(172) 위에는 포토레지스트를 제거하고, 그 외 영역에는 포토레지스트 패턴(115)을 형성한다.
다음, 도 1g에 도시한 바와 같이, 상기 노출된 소스 드레인 금속층(도 1f의 172)을 식각하고, 그 하부의 n+층(도 1g의 173b)을 연속하여 식각함으로써 비정질 실리콘층(173a)을 노출시킨다. 이에 따라, 상기 소스 드레인 금속층(도 1f의 172)이 분리되어 일정 간격을 가지며 이격함으로써 소스 및 드레인 전극(176, 178)을 형성하고, 더불어 완성된 데이터 배선을 형성하며, 상기 소스 및 드레인 전극(176, 178) 하부에 형성된 반도체층(173)은 채널(ch)을 형성하는 액티브층(173a)과 상기 소스 및 드레인 전극(176, 178)과 접촉하는 n+층의 오믹콘택층(173b)을 형성한다. 이후 남아있는 포토레지스트 패턴(도 1h의 115)을 제거한다.
상기 2 마스크 공정에서 n+층과 비정질 실리콘 층의 식각 및 3 마스크 공정에서 채널(ch)을 형성하기 위하여 n+층을 식각할 때, 일반적으로 드라이 에칭이 사용되고 있다. 그러나 드라이 에칭에 의하는 경우 장비가 고가이고, n+층과 비정질 실리콘 층의 식각 시 시간이 많이 걸리며, 채널(ch)을 형성하기 위하여 n+층을 식각할 때는 하층의 비정질 실리콘층 박막에 플라즈마에 의한 손상이 야기되는 단점이 있다.
또한 습식 식각의 경우, n+층과 비정질 실리콘 층을 효율적으로 일괄 식각할 수 있는 식각액이 개발 되지 않아서 식각 공정이 복잡해지는 단점이 있다. 그러므로 이들 공정을 효율적으로 수행하기 위한 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 일괄 식각액 조성물을 사용하여 액정 표시 장치용 어레이 기판의 반도체층인 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 일괄 식각하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 중 하나 이상을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 (1)기판 상에 제 1 금속층을 형성하고, 제 1 마스크 공정을 진행하여 가로 방향의 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 전극 상의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연막 상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막, 그 상부에 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 제 2 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;
(4)상기 금속층 위로 제 2 마스크 공정을 진행하여 상기 제 2 금속층, 하부의 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 식각하여, 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 연결된 소스 드레인 금속층을 형성하는 단계;
(5)상기 소스 드레인 금속층이 형성된 기판에 제 3 마스크 공정을 진행하여 상기 소스 드레인 금속층 일부를 식각하여 일정 간격 이격한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
(6)상기 소스 및 드레인 전극 사이의 일정 간격 사이로 노출된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각하여 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 노출시킴으로써 채널을 형성하는 단계;
(7)상기 소스 및 드레인 전극 상에 전면 보호층을 형성하는 단계;
(8)상기 보호층이 형성된 기판에 제 4 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
(9)상기 보호층 상에 투명 도전성 물질을 전면에 증착하고 제 5 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (4)단계는 반도체층을 형성하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막과 그의 상부에 형성된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각액 조성물로 일괄 식각하는 공정을 포함하며, 상기 일괄 식각은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 중 하나 이상을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명은 습식 식각 방법을 사용하는 것으로, 식각액 조성물을 사용하여 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 일괄 식각하므로, 건식 식각에서 발생하는 플라즈마에 의한 박막 손상을 방지할 수 있어, 소자의 특성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 일괄 식각을 통하여 반도체 소자의 제조 공정을 보다 단순화 시킬 수 있어 생산성, 경제성 및 공정수율을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 도 1a 내지 도 1h는 종래의 방법에 의해 제조된 TFT의 제조 공정 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물을 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법은 하기와 같다.
(1)기판 상에 제 1 금속층을 형성하고, 제 1 마스크 공정을 진행하여 가로 방향의 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 전극 상의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연막 상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막, 그 상부에 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 제 2 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;
(4)상기 금속층 위로 제 2 마스크 공정을 진행하여 상기 제 2 금속층, 하부의 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 식각하여, 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 연결된 소스 드레인 금속층을 형성하는 단계;
(5)상기 소스 드레인 금속층이 형성된 기판에 제 3 마스크 공정을 진행하여 상기 소스 드레인 금속층 일부를 식각하여 일정 간격 이격한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
(6)상기 소스 및 드레인 전극 사이의 일정 간격 사이로 노출된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각하여 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 노출시킴으로써 채널을 형성하는 단계;
(7)상기 소스 및 드레인 전극 상에 전면 보호층을 형성하는 단계;
(8)상기 보호층이 형성된 기판에 제 4 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
(9)상기 보호층 상에 투명 도전성 물질을 전면에 증착하고 제 5 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (4)단계는 반도체층을 형성하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막과 그의 상부에 형성된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각액 조성물로 일괄 식각하는 공정을 포함하며, 상기 일괄 식각은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서, 상기 (6)단계는 상기 (4)단계에서 사용한 식각액 조성물을 사용하여 노출된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각 하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물은 상기 박막들의 일괄 식각 뿐만 아니라, 독립적으로 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 또는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막의 식각에도 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 함불소 화합물은 물에 해리되어 불소 이온(F-)을 낼 수 있는 화합물을 말한다. 본 발명에서 함불소 화합물은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각하는 주성분이며, 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하는 잔사를 제거하는 역할을 한다.
본 발명에서 사용하는 함불소 화합물은 불산(HF), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 불화칼륨(KF), 중불화암모늄(NH4F·HF), 중불화나트륨(NaF·HF), 중불화칼륨(KF·HF), 불화붕소산(HBF4), 불화알루미늄(AlF3), 불화칼슘(CaF2) 및 규불화수소산(H2SiF6)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이다. 또한, 바람직하게는 상기 불산(HF)을 포함하며, 불산(HF)과 함께 다른 함불소 화합물인 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 불화칼륨(KF), 중불화암모늄(NH4F·HF), 중불화나트륨(NaF·HF), 중불화칼륨(KF·HF), 불화붕소산(HBF4), 불화알루미늄(AlF3), 불화칼슘(CaF2) 및 규불화수소산(H2SiF6)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 함불소 화합물에 불산(HF)을 포함할 경우, 식각 공정 시 식각 속도를 제어할 수 있다.
상기 함불소 화합물은 본 발명의 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 40 중량%로 포함되며, 바람직하게는 5 내지 20 중량%로 포함된다. 상기 함불소 화합물이 5 중량% 미만으로 포함되면, 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 식각 속도가 저하되어 부분적으로 언에치(unetch)현상 또는 잔사가 발생할 수 있으며, 40 중량%를 초과하여 포함되면, 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각하는 성능은 향상되지만, 식각 속도가 전체적으로 빨라져 공정 컨트롤이 어려운 문제점이 발생한다.
또한, 상기 함불소 화합물 중 불산(HF)은 본 발명의 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.상기 불산(HF)이 1 중량% 미만으로 포함되면 식각 속도가 낮아 공정에서 사용할 수 없으며, 5 중량%를 초과하여 포함되면 식각 속도가 너무 빨라져 공정을 제어하기가 힘들며, 하부 막에 손상을 입힐 수 있다.
상기 과산화수소는 상기 함불소 화합물의 활성도를 높여주는 역할을 하는 것으로, 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 20 중량%로 포함되고, 바람직하게는 5 내지 15 중량%로 포함된다. 상기 과산화수소가 5 중량% 미만으로 포함되면, 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 20 중량%를 초과하여 포함되면, 식각 속도가 전체적으로 빨라져 공정 컨트롤이 어렵게 된다.
상기 무기산은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각한 후 잔류물이 남지 않도록 하는 역할을 한다. 상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하며, 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 20 중량%로 포함되며, 3 내지 15 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 3 내지 20 중량% 범위에서 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막이 적절하게 식각될 수 있으며, 식각 프로파일이 우수해진다. 반면, 3 중량% 미만으로 포함되면, 식각 속도가 저하되어 식각 프로파일에 불량이 발생할 수 있으며, 잔사가 발생할 수 있다. 또한, 20 중량%를 초과하면 과식각이 발생할 수 있고, 포토레지스트에 크랙이 발생하여 상기 크랙으로 식각액이 침투되면서 배선이 단락될 수 있다.
상기 물은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 물 속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용한다.
또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제 등을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 함불소 화합물, 과산화수소, 무기산 등은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 중 하나 이상을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
이하, 실시예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 이들 실시예 및 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이므로, 본 발명의 범위가 이들 실시예 및 실험예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다.
실시예
1 및
비교예
1 내지 3.
하기 표 1에 기재된 조성에 따라, 각 성분들을 혼합하여 실시예 1 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물을 각각 제조하였다.
| 과산화수소 | 함불소 화합물 | 질산 | 탈이온수 | ||
| HF | NH4F | ||||
| 실시예1 | 13 | 4 | 20 | 10 | 잔량 |
| 비교예1 | 13 | 1 | 3 | 10 | 잔량 |
| 비교예2 | 2 | 4 | 20 | 10 | 잔량 |
| 비교예3 | 13 | 4 | 20 | 1 | 잔량 |
실험예
1.
식각
특성 평가
유리기판위에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 형성하고, 순수 비정질 실리콘 박막 위에 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막이 적층된 기판을 준비하였다. 상기의 조성으로 제조된 실시예 1 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물로 상기 준비된 기판을 식각하였다. 식각 특성 평가 방식은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 층과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 층의 일괄 Etch 가능 여부를 평가하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사) 내에 상기 각각의 식각액을 넣고 온도를 32℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 32±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막과 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막의 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 15%를 주어 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: S-4700, HITACHI사 제조)을 이용하여 식각 특성을 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.
측면 식각 손실(critical dimension(CD) skew) 변화, 테이퍼 각도, 금속 산화물막 손상의 식각 특성을 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 매우 우수 (CD Skew ≤ 0.2㎛, 테이퍼 각도: 40-60°)
○: 우수 (1㎛ < CD Skew ≤ 0.4㎛, 테이퍼 각도: 30-60°)
△: 양호 (1.5㎛ < CD Skew ≤ 0.6㎛, 테이퍼 각도: 30-60°)
×: 불량 (잔사 발생)
| 식각 Profile |
잔사 | |
| 실시예1 | ◎ | 없음 |
| 비교예1 | △ | 있음 |
| 비교예2 | △ | 없음 |
| 비교예3 | △ | 있음 |
본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1은 잔사가 발생하지 않았으며, 매우 우수한 식각 profile을 보였다. 그러나 함불소 화합물을 소량 포함한 비교예 1 및 무기산을 소량 포함한 비교예 3의 식각액 조성물은 잔사가 발생하였으며, 식각 profile 또한 좋지 못하였다. 또한, 과산화수소를 소량 포함한 비교예 2의 식각액 조성물은 잔사는 발생하지 않았으나, 식각 profile이 우수하지 못한 결과를 보였다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 포토레지스트 패턴
159 : 기판
160 : 게이트 전극
168 : 게이트 절연막
172 : 소스 드레인 금속층
110 : 포토레지스트 패턴
159 : 기판
160 : 게이트 전극
168 : 게이트 절연막
172 : 소스 드레인 금속층
Claims (9)
- (1)기판 상에 제 1 금속층을 형성하고, 제 1 마스크 공정을 진행하여 가로 방향의 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 전극 상의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연막 상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막, 그 상부에 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 제 2 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;
(4)상기 금속층 위로 제 2 마스크 공정을 진행하여 상기 제 2 금속층, 하부의 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막 및 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 식각하여, 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 연결된 소스 드레인 금속층을 형성하는 단계;
(5)상기 소스 드레인 금속층이 형성된 기판에 제 3 마스크 공정을 진행하여 상기 소스 드레인 금속층 일부를 식각하여 일정 간격 이격한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
(6)상기 소스 및 드레인 전극 사이의 일정 간격 사이로 노출된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각하여 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 노출시킴으로써 채널을 형성하는 단계;
(7)상기 소스 및 드레인 전극 상에 전면 보호층을 형성하는 단계;
(8)상기 보호층이 형성된 기판에 제 4 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
(9)상기 보호층 상에 투명 도전성 물질을 전면에 증착하고 제 5 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (4)단계는 반도체층을 형성하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막과 그의 상부에 형성된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각액 조성물로 일괄 식각하는 공정을 포함하며, 상기 일괄 식각은 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하고, 상기 함불소 화합물은 불산(HF), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 불화칼륨(KF), 중불화암모늄(NH4F·HF), 중불화나트륨(NaF·HF), 중불화칼륨(KF·HF), 불화붕소산(HBF4), 불화알루미늄(AlF3), 불화칼슘(CaF2) 및 규불화수소산(H2SiF6)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 식각액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 1에 있어서, 상기 (6)단계는 상기 (4)단계에서 사용한 식각액 조성물을 사용하여 노출된 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막을 식각 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 조성물 총 중량에 대하여 함불소 화합물 5 내지 40 중량%, 과산화수소 5 내지 20 중량%, 무기산 3 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함하며, 상기 함불소 화합물은 불산(HF), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 불화칼륨(KF), 중불화암모늄(NH4F·HF), 중불화나트륨(NaF·HF), 중불화칼륨(KF·HF), 불화붕소산(HBF4), 불화알루미늄(AlF3), 불화칼슘(CaF2) 및 규불화수소산(H2SiF6)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물.
- 삭제
- 청구항 4에 있어서, 상기 함불소 화합물은 불산(HF)을 포함하며, 그 외에 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 불화칼륨(KF), 중불화암모늄(NH4F·HF), 중불화나트륨(NaF·HF), 중불화칼륨(KF·HF), 불화붕소산(HBF4), 불화알루미늄(AlF3), 불화칼슘(CaF2) 및 규불화수소산(H2SiF6)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물.
- 청구항 6에 있어서, 상기 불산(HF)은 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 5 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물.
- 청구항 4에 있어서, 상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 순수 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 및 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H) 박막의 일괄 식각액 조성물.
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140033361A KR102092687B1 (ko) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140033361A KR102092687B1 (ko) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150109880A KR20150109880A (ko) | 2015-10-02 |
| KR102092687B1 true KR102092687B1 (ko) | 2020-03-24 |
Family
ID=54341130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140033361A KR102092687B1 (ko) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102092687B1 (ko) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010064043A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터 및 액정표시장치용 어레이기판제조방법 |
| KR100392362B1 (ko) | 2000-12-30 | 2003-07-22 | 한국전자통신연구원 | 습식방법에 의한 실리콘의 선택적 식각 방법 |
| KR100615438B1 (ko) | 2003-12-26 | 2006-08-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법 |
| KR20080057921A (ko) * | 2006-12-21 | 2008-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
| KR101804573B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2017-12-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 |
| KR20120064364A (ko) * | 2010-12-09 | 2012-06-19 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
| KR101911509B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2018-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-03-21 KR KR1020140033361A patent/KR102092687B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150109880A (ko) | 2015-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI510675B (zh) | 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2) | |
| KR20120081764A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102137013B1 (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101939385B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 어레이 형성 방법 | |
| JP5788400B2 (ja) | エッチング液組成物 | |
| KR102142421B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101976856B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR102092352B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20110120420A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR102092687B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102092338B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| JP5706434B2 (ja) | エッチング液組成物 | |
| KR102092912B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102009529B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR102028578B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 어레이 형성 방법 | |
| KR102092351B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20110120421A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR102310093B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102269325B1 (ko) | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101456930B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR20130073251A (ko) | 식각용액 및 이를 이용한 절연막의 패턴 형성방법 | |
| KR101381482B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 | |
| KR101406573B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR101403251B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 | |
| KR102310096B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |