KR102091810B1 - Pixel Structure And Display Apparatus Including The Same - Google Patents

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KR102091810B1 KR1020190065477A KR20190065477A KR102091810B1 KR 102091810 B1 KR102091810 B1 KR 102091810B1 KR 1020190065477 A KR1020190065477 A KR 1020190065477A KR 20190065477 A KR20190065477 A KR 20190065477A KR 102091810 B1 KR102091810 B1 KR 102091810B1
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Abstract

픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르는 초소형 LED전극부 어셈블리는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되는, 제1 전극부; 상기 제1 전극부를 중심으로 원주 방향을 따라 연장되는 원형 형상의, 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부와 연결되며, 각각이 서로 다른 방향을 따르는 방사형으로 배치되는, 복수개의 LED 소자;를 포함할 수 있다.A pixel structure and a display device including the same are disclosed. The miniature LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention includes a base substrate; A first electrode portion disposed on the base substrate; A second electrode portion having a circular shape extending in a circumferential direction around the first electrode portion; And a plurality of LED elements connected to the first electrode part and the second electrode part, each of which is disposed radially along a different direction.

Description

픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치{Pixel Structure And Display Apparatus Including The Same}Pixel structure and display device including the same {Pixel Structure And Display Apparatus Including The Same}

본 발명의 실시예들은 픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a pixel structure and a display device including the same.

LED 소자는 광 변환 효율이 높고 에너지 소비량이 매우 적으며, 수명이 반영구적이고 환경 친화적이다. 이에 따라, LED 소자는 신호등, 핸드폰, 자동차 전조등, 옥외 전광판, LCD BLU(back light unit), 및 실내외 조명 등 많은 분야에서 활용되고 있다. The LED element has high light conversion efficiency, very low energy consumption, and is semi-permanent and environmentally friendly. Accordingly, LED devices are used in many fields such as traffic lights, mobile phones, automobile headlights, outdoor billboards, LCD back light units (BLUs), and indoor and outdoor lighting.

LED 소자를 조명, 디스플레이에 등에 활용하기 위해, LED 소자와 상기 LED 소자에 전원을 인가할 수 있는 전극의 연결이 필요하며, 활용목적, 전극이 차지하는 공간의 감소 또는 제조방법과 연관되어 LED 소자와 전극의 배치 관계는 다양하게 연구되고 있다.In order to utilize the LED device for lighting, display, etc., it is necessary to connect an LED device and an electrode capable of applying power to the LED device. Electrode arrangement relationships have been studied in various ways.

LED 소자와 전극의 배치 방식은, 전극에 LED 소자를 직접 성장시키는 방식과 LED 소자를 별도로 독립성장 시킨 후, 상기 LED 소자를 전극에 배치하는 방식으로 분류할 수 있다. 후자의 방법의 경우, 일반적인 LED 소자라면 3차원의 LED 소자를 직립시켜 전극과 연결할 수 있지만, LED 소자가 나노 단위의 초소형일 경우, 상기 LED 소자를 전극에 직립시키기가 어렵다는 문제점이 있다. The arrangement method of the LED element and the electrode can be classified into a method of directly growing the LED element on the electrode and a method of disposing the LED element independently and then disposing the LED element on the electrode. In the case of the latter method, in the case of a general LED device, a three-dimensional LED device can be erected and connected to an electrode. However, when the LED device is a nano-sized micro-unit, it is difficult to erect the LED device on an electrode.

한국등록특허공보: KR 10-1244926(2013.03.12)Korean Registered Patent Publication: KR 10-1244926 (2013.03.12)

본 발명의 실시예들은 독립적으로 제조된 나노 단위 크기의 초소형 LED 소자를 서로 다른 두 전극 사이에 정렬 및 연결시킴으로써, 초소형 LED 소자의 비정상적 정렬 불량을 방지할 수 있는 픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치를 제공한다.Embodiments of the present invention by aligning and connecting a nano-sized micro-sized LED device manufactured independently between two different electrodes, a pixel structure and a display device including the pixel structure that can prevent abnormal alignment of the micro-sized LED device to provide.

본 발명의 일 관점에 따르면, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되는, 제1 전극부; 상기 제1 전극부를 중심으로 원주 방향을 따라 연장되는 원형 형상의, 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부와 연결되며, 각각이 서로 다른 방향을 따르는 방사형으로 배치되는, 복수개의 LED 소자;를 구비하는, 픽셀 구조체가 제공된다.According to one aspect of the invention, the base substrate; A first electrode portion disposed on the base substrate; A second electrode portion having a circular shape extending in a circumferential direction around the first electrode portion; And a plurality of LED elements connected to the first electrode part and the second electrode part, each of which is disposed radially along different directions.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부 상에 위치하고, 타단은 상기 제2 전극부 상에 위치할 수 있다.According to an embodiment, one end of each of the plurality of LED elements may be located on the first electrode portion, and the other end may be located on the second electrode portion.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부와 직접 연결되고, 타단은 상기 제2 전극부와 직접 연결될 수 있다.According to an embodiment, one end of each of the plurality of LED elements may be directly connected to the first electrode unit, and the other end may be directly connected to the second electrode unit.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 중 서로 인접하여 배치된 2개의 LED 소자들은각각 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 예각을 이룰 수 있다.According to an embodiment, two LED elements disposed adjacent to each other among the plurality of LED elements are respectively disposed in a first direction and a second direction crossing the first direction, and the first direction and the second direction Can achieve an acute angle.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 각각이 배치된 서로 다른 방향으로부터 연장된 가상의 선들은 하나의 가상의 접점에서 만나고, 상기 가상의 접점은 상기 제1 전극부 내에 위치할 수 있다.According to an embodiment, virtual lines extending from different directions in which each of the plurality of LED elements are disposed meet at one virtual contact point, and the virtual contact point may be located in the first electrode part.

일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극부는 폐곡선으로 구비된 고리 형상일수 있다.According to an embodiment, the second electrode part may have a ring shape provided as a closed curve.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부는 원형 형상으로, 상기 제2 전극부의 중심에 위치할 수 있다.According to an embodiment, the first electrode part may have a circular shape and be located at the center of the second electrode part.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부와 전기적으로 연결되는, 구동 트랜지스터; 및 상기 제2 전극부와 전기적으로 연결되는, 전원 배선;을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a driving transistor electrically connected to the first electrode unit; And a power line wiring electrically connected to the second electrode unit.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부는 복수개로 구비되며, 상기 복수개의 제2 전극부를 연결하는 전극 라인을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first electrode part and the second electrode part are provided in plural, and may further include an electrode line connecting the plurality of second electrode parts.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이의 이격 거리는 1μm이상 7μm 이하일 수 있다.According to an embodiment, a separation distance between the first electrode part and the second electrode part may be 1 μm or more and 7 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극부는 반원 형상의 제1 서브전극부 및 제2 서브전극부를 포함하며, 상기 제1 서브전극부 및 상기 제2 서브전극부는 분리되어 상호 이격되도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the second electrode part includes a semi-circular first sub-electrode part and a second sub-electrode part, and the first sub-electrode part and the second sub-electrode part may be separated and spaced apart from each other. .

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부와 전기적으로 연결되는 구동 트랜지스터; 및 상기 제1 서브전극부 및 상기 제2 서브전극부와 각각 전기적으로 연결되는 전원 배선;을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a driving transistor electrically connected to the first electrode unit; And power wirings electrically connected to the first sub-electrode part and the second sub-electrode part, respectively.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부는 복수개로 구비되며, 상기 복수개의 제1 서브전극부를 연결하는 제1 전극 라인; 및 상기 복수개의 제2 서브전극부를 연결하는 제2 전극 라인;을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first electrode part and the second electrode part are provided in plural, and a first electrode line connecting the plurality of first sub-electrode parts; And a second electrode line connecting the plurality of second sub-electrode parts.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 서브전극부와 상기 제1 전극부 사이의 제1 이격 거리와 상기 제2 서브전극부와 상기 제1 전극부 사이의 제2 이격 거리가 서로 상이할 수 있다.According to an embodiment, a first separation distance between the first sub-electrode part and the first electrode part and a second separation distance between the second sub-electrode part and the first electrode part may be different from each other.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 이격 거리와 상기 제2 이격 거리가 1μm 이상 7μm 이하일 수 있다.According to an embodiment, the first separation distance and the second separation distance may be 1 μm or more and 7 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부 상에 위치하고, 타단은 상기 제1 서브전극부 또는 제2 서브전극부 상에 위치할 수 있다.According to an embodiment, one end of each of the plurality of LED elements may be located on the first electrode portion, and the other end may be located on the first sub-electrode portion or the second sub-electrode portion.

일 실시예에 따르면, 상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부와 직접 연결되고, 타단은 상기 제1 서브전극부 또는 상기 제2 서브전극부와 직접 연결될 수 있다.According to an embodiment, one end of each of the plurality of LED elements may be directly connected to the first electrode portion, and the other end may be directly connected to the first sub-electrode portion or the second sub-electrode portion.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 상기 픽셀 구조체에 연결된 구동 회로를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a driving circuit connected to the pixel structure may be included.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르는 픽셀 구조체는, 독립적으로 제조된 나노 단위 크기의 초소형 LED 소자를 서로 다른 두 개의 전극 사이에 정렬 및 연결시킴으로써 초소형 LED 소자를 초소형의 서로 다른 전극에 일대일 대응시켜 결합하기 어렵다는 난점을 극복할 수 있다.As described above, the pixel structure according to the embodiments of the present invention, by aligning and connecting a nano-sized micro-sized LED device of independently manufactured between two different electrodes, the micro-sized LED device to a very small different electrode. One-to-one correspondence can overcome the difficulty of combining.

또한, 통상적인 형상의 초소형 LED 소자를 사용해도 초소형 LED 소자와 전극 사이에 정렬이 유지됨으로써 픽셀 구조체의 불량률을 최소화할 수 있다. In addition, even if a micro LED device of a conventional shape is used, the defect rate of the pixel structure can be minimized by maintaining alignment between the micro LED device and the electrode.

또한, 서로 다른 전극이 포함된 목적한 실장영역에 초소형 LED 소자를 집중적으로 배치 및 연결할 수 있다.In addition, it is possible to intensively place and connect a micro LED device in a target mounting area including different electrodes.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀 구조체를 A-A' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자의 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다. 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 픽셀 구조체를 B-B' 선을 따라 절단한 픽셀 구조체의 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다. 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개념적으로 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a pixel structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the pixel structure shown in FIG. 1 taken along line AA '.
3 is a perspective view of a micro LED device according to an embodiment of the present invention.
4A is a perspective view of a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4B is a schematic diagram of a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4C is a perspective view of a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4D is a schematic diagram of a pixel structure according to an embodiment of the present invention.
5A is a perspective view of a pixel structure according to another embodiment of the present invention.
5B is a cross-sectional view of the pixel structure shown in FIG. 5A taken along the line BB '.
6A is a perspective view of a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6B is a schematic diagram of a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6C is a perspective view of a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6D is a schematic diagram of a pixel structure according to another embodiment of the present invention.
7 is a diagram conceptually illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. The present invention can be applied to various transformations and can have various embodiments, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals when describing with reference to the drawings, and redundant description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. In the following embodiments, terms such as first and second are not used in a limited sense, but for the purpose of distinguishing one component from other components.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following embodiments, singular expressions include plural expressions, unless the context clearly indicates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the examples below, terms such as include or have are meant to mean the presence of features or components described in the specification, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or components in advance.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is shown.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 픽셀 구조체를 A-A' 선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자의 사시도이다.1 is a perspective view of a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of the pixel structure shown in FIG. 1 taken along line A-A '. 3 is a perspective view of a micro LED device according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체(1) 는 베이스 기판(10), 베이스 기판(10)의 상부에 배치되는 제1 전극부(21) 및 제2 전극부(22)와, 초소형 LED 소자(40) 및, 용매(50)를 포함할 수 있다. 복수 개의 픽셀 구조체(1)는 후술할 표시 장치(1000; 도 7 참조)의 표시 영역에 배치될 수 있다.1 to 3, the pixel structure 1 according to an embodiment of the present invention includes a base substrate 10, a first electrode portion 21 and a second electrode disposed on the base substrate 10 A portion 22, an ultra-small LED element 40, and a solvent 50 may be included. The plurality of pixel structures 1 may be disposed in a display area of the display device 1000 (see FIG. 7), which will be described later.

베이스 기판(10)은 제1 및 제2 전극부(21, 22)이 배치될 수 있는 기판으로서, 예를 들어 유리기판, 수정기판, 사파이어 기판, 플라스틱 기판 및 구부릴 수 있는 유연한 폴리머 필름 중 어느 하나일 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예시에 따른 베이스 기판(10)의 면적은, 상기 베이스 기판(10)의 상부에 배치될 수 있는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 면적 및 후술하게 될 상기 제 1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 배치되는 초소형 LED 소자(40)의 크기 및 초소형 LED 소자(40)의 개수에 따라 가변할 수 있다.The base substrate 10 is a substrate on which the first and second electrode portions 21 and 22 can be disposed, for example, a glass substrate, a crystal substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate, and a flexible polymer film that can be bent. However, the present invention is not limited thereto. The area of the base substrate 10 according to an example is the area of the first and second electrode parts 21 and 22 that may be disposed on the base substrate 10 and the first and second areas to be described later. It may vary depending on the size of the micro LED device 40 and the number of the micro LED devices 40 disposed between the electrode parts 21 and 22.

베이스 기판(10) 상에는 버퍼층(601)이 더 포함될 수 있다. 버퍼층(601)은 베이스 기판(10) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(601)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물 또는 이들의 적층체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(601)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다. 버퍼층(601)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.A buffer layer 601 may be further included on the base substrate 10. The buffer layer 601 may prevent the diffusion of impurity ions on the upper surface of the base substrate 10, prevent penetration of moisture or outside air, and may serve to planarize the surface. In some embodiments, the buffer layer 601 is an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide or titanium nitride, or organic materials such as polyimide, polyester, and acrylic. Or it may be formed of a laminate of these. The buffer layer 601 is not an essential component and may not be provided if necessary. The buffer layer 601 may be formed by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deosition (PECVD) method, atmospheric pressure CVD (APCVD) method, and low pressure CVD (LPCVD) method.

제1 박막트랜지스터(TFT1)는 제1 활성층(611), 제1 게이트전극(612), 제1 드레인 전극(613) 및 제1 소스 전극(614)으로 구성된다. 제1 게이트전극(612)과 제1 활성층(611) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제1 게이트 절연막(602)이 개재될 수 있다. 제1 게이트 전극(612)은 제1 게이트 절연막(602) 상에서 제1 활성층(611)의 일부분과 중첩되도록 형성된다. 제1 박막트랜지스터(TFT1)는 초소형 LED 소자(40)의 하부에 배치되며, 초소형 LED 소자(40)를 구동하는 구동 박막트랜지스터일 수 있다.The first thin film transistor TFT1 includes a first active layer 611, a first gate electrode 612, a first drain electrode 613, and a first source electrode 614. Between the first gate electrode 612 and the first active layer 611, a first gate insulating layer 602 for insulation therebetween may be interposed. The first gate electrode 612 is formed to overlap a portion of the first active layer 611 on the first gate insulating layer 602. The first thin film transistor TFT1 is disposed under the ultra small LED device 40 and may be a driving thin film transistor driving the small LED device 40.

제2 박막트랜지스터(TFT2)는 제2 활성층(621), 제2 게이트전극(622), 제2 드레인 전극(623) 및 제2 소스 전극(624)으로 구성된다. 제2 게이트전극(622)과 제2 활성층(621) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제1 게이트 절연막(602)이 개재될 수 있다. 제2 게이트전극(622)은 제1 게이트 절연막(602) 상에서 제2 활성층(621)의 일부분과 중첩되도록 형성된다. The second thin film transistor TFT2 includes a second active layer 621, a second gate electrode 622, a second drain electrode 623, and a second source electrode 624. A first gate insulating layer 602 may be interposed between the second gate electrode 622 and the second active layer 621. The second gate electrode 622 is formed to overlap a portion of the second active layer 621 on the first gate insulating layer 602.

제1 활성층(611) 및 제2 활성층(621)은 버퍼층(601) 상에 마련될 수 있다. 제1 활성층(611) 및 제2 활성층(621)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly silicon)과 같은 무기 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 활성층(611)은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. The first active layer 611 and the second active layer 621 may be provided on the buffer layer 601. The first active layer 611 and the second active layer 621 may be an inorganic semiconductor, such as amorphous silicon or polysilicon, or an organic semiconductor. In some embodiments, the first active layer 611 may be formed of an oxide semiconductor. For example, oxide semiconductors are Group 12, 13, 14 metals such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn) cadmium (Cd), germanium (Ge), or hafnium (Hf). Oxides of materials selected from elements and combinations thereof.

제1 게이트 절연막(602)은 버퍼층(601) 상에 마련되어 상기 제1 활성층(611) 및 제2 활성층(621)을 덮는다. 제2 게이트 절연막(603)는 상기 제1 게이트 전극(612) 및 제2 게이트전극(622)를 덮으며 형성된다.The first gate insulating layer 602 is provided on the buffer layer 601 to cover the first active layer 611 and the second active layer 621. The second gate insulating layer 603 is formed while covering the first gate electrode 612 and the second gate electrode 622.

상기 제1 게이트전극(612) 및 제2 게이트전극(622)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr 등의 단일막이나, 다층막을 포함하거나, Al:Nd, Mo:W 와 같은 합금을 포함할 수 있다. The first gate electrode 612 and the second gate electrode 622 include a single film such as Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr, or a multilayer film, or Al: Nd, Mo And alloys such as: W.

제1 게이트 절연막(602) 및 제2 게이트 절연막(603)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물이나, 금속 산화물과 같은 무기막을 포함할 수 있으며, 이들이 단일층으로 형성되거나, 복층으로 형성될 수 있다.The first gate insulating film 602 and the second gate insulating film 603 may include an inorganic film such as silicon oxide, silicon nitride, or metal oxide, and they may be formed of a single layer or a multilayer.

제2 게이트절연막(603) 상에 층간절연막(604)이 형성된다. 상기 층간절연막(604)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물 등과 같은 무기막으로 형성될 수 있다. 상기 층간절연막(604)은 유기막을 포함할 수 있다. An interlayer insulating film 604 is formed on the second gate insulating film 603. The interlayer insulating film 604 may be formed of an inorganic film such as silicon oxide or silicon nitride. The interlayer insulating film 604 may include an organic film.

층간절연막(604) 상에 제1 드레인 전극(613)과 제1 소스 전극(614)이 형성된다. 제1 드레인 전극(613)와 제1 소스 전극(614) 각각은 콘택홀을 통해 제1 활성층(611)과 콘택된다. 또한, 층간절연막(604) 상에 제2 드레인 전극(623)과 제2 소스 전극(624)이 형성되며, 제2 드레인 전극(623)과 제2 소스 전극(624) 각각은 콘택홀을 통해 제2 활성층(621)과 콘택된다. 제1 드레인 전극(613), 제2 드레인 전극(623), 제1 소스 전극(614) 및 제2 소스 전극(621)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등을 포함할 수 있다. The first drain electrode 613 and the first source electrode 614 are formed on the interlayer insulating film 604. Each of the first drain electrode 613 and the first source electrode 614 is contacted with the first active layer 611 through a contact hole. In addition, a second drain electrode 623 and a second source electrode 624 are formed on the interlayer insulating film 604, and each of the second drain electrode 623 and the second source electrode 624 is formed through a contact hole. 2 In contact with the active layer 621. The first drain electrode 613, the second drain electrode 623, the first source electrode 614, and the second source electrode 621 may include metal, alloy, metal nitride, conductive metal oxide, transparent conductive material, and the like. You can.

상기와 같은 박막트랜지스터(TFT)의 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태의 박막트랜지스터의 구조가 적용 가능하다. 예를 들면, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 탑 게이트 구조로 형성된 것이나, 제1 게이트전극(612)이 제1 활성층(611) 하부에 배치된 바텀 게이트 구조로 형성될 수도 있다.The structure of the thin film transistor (TFT) as described above is not necessarily limited thereto, and various types of thin film transistor structures may be applied. For example, the thin film transistor (TFT) is formed of a top gate structure, but the first gate electrode 612 may be formed of a bottom gate structure disposed under the first active layer 611.

평탄화막(605)은 상기 박막트랜지스터(TFT1,2)를 덮으며, 층간절연막(604) 상에 구비된다. 평탄화막(605)은 그 위에 형성될 초소형 LED 소자(40)의 발광효율을 높이기 위해 막의 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 평탄화막(605)은 제1 드레인 전극(613)의 일부를 노출시키는 관통홀을 가질 수 있다.The planarization film 605 covers the thin film transistors TFT1 and 2 and is provided on the interlayer insulating film 604. The planarization layer 605 may serve to remove the level difference and planarize the layer in order to increase the luminous efficiency of the micro LED device 40 to be formed thereon. Also, the planarization layer 605 may have a through hole exposing a portion of the first drain electrode 613.

평탄화막(605)은 절연체로 구비될 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(605)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(605)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.The planarization layer 605 may be provided as an insulator. For example, the planarization layer 605 may be formed of a single layer or multiple layers of inorganic, organic, or organic / inorganic composites, and may be formed by various deposition methods. In some embodiments, the planarization film 605 is an acrylic resin (polyacrylates resin), epoxy resin (epoxy resin), phenolic resin (phenolic resin), polyamides resin (polyamides resin), polyimide resins (polyimides rein), Unsaturated polyester resin (unsaturated polyesters resin), polyphenylene-based resin (poly phenylenethers resin), polyphenylene sulfide-based resin (poly phenylenesulfides resin), and may be formed of one or more materials of benzocyclobutene (benzocyclobutene (BCB)) have.

다만, 본 개시에 따른 실시예가 전술된 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(604)과 층간절연막(605) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.However, the embodiment according to the present disclosure is not limited to the above-described structure, and in some cases, one of the planarization film 604 and the interlayer insulating film 605 may be omitted.

제1 전극부(21)는 층간절연막(605)의 상부에 배치되어 초소형 LED 소자(40)에 전기적으로 연결될 수 있는 전극부이다. 일 예로서, 제1 전극부(21)는 복수 개로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극부(21)는 소정의 간격을 사이에 두고 층간절연막(605)의 상부에 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The first electrode part 21 is an electrode part disposed on the interlayer insulating film 605 and electrically connected to the micro LED device 40. As an example, a plurality of first electrode parts 21 may be formed, and the plurality of first electrode parts 21 may be arranged to be spaced apart from each other on the upper portion of the interlayer insulating film 605 with a predetermined interval therebetween. have.

또한, 일 실시예에 따른 제1 전극부(21)는 제1 드레인 전극(613)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급받을 수 있다. 이때, 제1 드레인 전극(613)은 제1 드레인 전극(613)의 일부를 노출시키는 관통홀을 이용하여 제1 전극부(21)에 연결될 수 있다.Further, the first electrode unit 21 according to an embodiment may be electrically connected to the first drain electrode 613 to receive power. In this case, the first drain electrode 613 may be connected to the first electrode unit 21 using a through hole exposing a portion of the first drain electrode 613.

또한, 일 실시예에 따른 제1 전극부(21)는 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indum Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 폴리머(polmer) 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질을 포함할 수 있다. 제1 전극부(21)에 포함된 물질이 2종 이상인 경우, 일 예시에 따른 제1 전극부(21)는 2종 이상의 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다. In addition, the first electrode part 21 according to an embodiment is any one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold and silver, or ITO (Indum Tin Oxide), ZnO: Al and CNT-conductive polymer (polmer) may include any one or more transparent materials selected from the group consisting of composites. When two or more types of materials are included in the first electrode part 21, the first electrode part 21 according to an example may be formed in a structure in which two or more types of materials are stacked.

제2 전극부(22)는 층간절연막(605)의 상부에 배치되어 초소형 LED 소자(40)에 전기적으로 연결될 수 있는 전극부이다. 일 예로서, 제2 전극부(22)는 제1 전극부(21)를 중심으로 원주 방향을 따라 연장된 원형 형상일 수 있다. 이때, 제1 전극부(21)와 제2 전극부(22)는 소정의 간격, 예를 들어 제1 이격 거리(D1)를 사이에 두고 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The second electrode part 22 is an electrode part disposed on the interlayer insulating film 605 and electrically connected to the micro LED device 40. As an example, the second electrode part 22 may have a circular shape extending along a circumferential direction around the first electrode part 21. In this case, the first electrode part 21 and the second electrode part 22 may be arranged to be spaced apart from each other with a predetermined distance, for example, a first separation distance D 1 therebetween.

또한, 일 실시예에 따른 제2 전극부(22)는 복수 개로 마련될 수 있으며, 복수 개의 제2 전극부(22) 각각은 베이스 기판(10)의 상부에서 소정의 간격을 사이에 두고 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 복수 개의 제2 전극부(22)는 전극 라인(220)을 이용하여 서로 연결될 수 있다. 이때, 관통홀을 이용하여 제2 전극부(22)에는 전원배선(630)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 제2 전극부(22)는 전원 배선(630)으로부터 동일한 전압의 전원을 공급 받을 수 있다. 일 예로서, 전원 배선(630)의 하부에는 표면을 평탄화하기 위한 평탄화막(640)이 배치될 수 있다. 다만, 상기 평탄화막(640)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다.In addition, a plurality of second electrode parts 22 according to an embodiment may be provided, and each of the plurality of second electrode parts 22 may be spaced apart from each other with a predetermined distance therebetween from the top of the base substrate 10. It can be arranged as possible. In addition, the plurality of second electrode parts 22 according to an embodiment may be connected to each other using the electrode line 220. At this time, the power wiring 630 may be electrically connected to the second electrode unit 22 using the through hole, and accordingly, the plurality of second electrode units 22 may supply power of the same voltage from the power wiring 630. Can be supplied. As an example, a planarization layer 640 for planarizing a surface may be disposed under the power wiring 630. However, the planarization layer 640 is not an essential component and may not be provided as necessary.

또한, 일 실시예에 따른 제2 전극부(22)는 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indum Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 폴리머(polmer) 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질을 포함할 수 있다. 제2 전극부(22)에 포함된 물질이 2종 이상인 경우, 일 예시에 따른 제2 전극부(22)는 2종 이상의 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 일 예로서, 제1 전극부(21)와 제2 전극부(22)에 포함된 물질은 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, the second electrode unit 22 according to an embodiment is any one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold, and silver or ITO (Indum Tin Oxide), ZnO: Al, and CNT-conductive polymer (polmer) may include any one or more transparent materials selected from the group consisting of composites. When two or more types of materials are included in the second electrode part 22, the second electrode part 22 according to an example may be formed in a structure in which two or more types of materials are stacked. As an example, the materials included in the first electrode portion 21 and the second electrode portion 22 may be the same or different.

초소형 LED 소자(40)는 광이 출사될 수 있는 발광 소자로서, 일 예시에 따르면 원기둥, 직육면체 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)는 제1 전극층(410), 제 2 전극층(420), 제1 반도체층(430), 제2 반도체층(440) 및 제1 및 제2 반도체층(430, 440) 사이에 배치된 활성층(450)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 제1 전극층(410), 제1 반도체층(420), 활성층(450), 제2 반도체층(440) 및 제2 전극층(420)은 초소형 발광 소자(40)의 길이 방향으로 순차적으로 적층될 수 있다. 또한, 일 예시로서 초소형 LED 소자(40)의 길이(T)는 2 μm 내지 5㎛일 수 있으나 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다.The ultra-small LED device 40 is a light emitting device through which light can be emitted, and according to an example, may be formed in various shapes such as a cylinder or a cuboid. As shown in FIG. 3, the ultra-small LED device 40 according to an embodiment includes a first electrode layer 410, a second electrode layer 420, a first semiconductor layer 430, a second semiconductor layer 440, and An active layer 450 disposed between the first and second semiconductor layers 430 and 440 may be included. As an example, the first electrode layer 410, the first semiconductor layer 420, the active layer 450, the second semiconductor layer 440, and the second electrode layer 420 are sequentially in the longitudinal direction of the miniature light emitting device 40. It can be stacked. In addition, as an example, the length T of the micro LED device 40 may be 2 μm to 5 μm, but the present disclosure is not limited thereto.

제1, 제2 전극층(410, 420)은 오믹(ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다만, 제1, 제2 전극층(410, 420)은 이에 한정되지 아니하며, 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 제1, 제2 전극층(410, 420)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 전극층(410, 420)은 알루미늄, 티타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 물질을 포함할 수 있다. 일 예로써, 제1, 제2 전극층(410, 420)에 포함된 물질은 서로 동일할 수 있다. 다른 예로서, 제1, 제2 전극층(410, 420)에 포함된 물질은 상이할 수 있다.The first and second electrode layers 410 and 420 may be ohmic contact electrodes. However, the first and second electrode layers 410 and 420 are not limited thereto, and may be a Schottky contact electrode. The first and second electrode layers 410 and 420 may include a conductive metal. For example, the first and second electrode layers 410 and 420 may include one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold, and silver. As an example, materials included in the first and second electrode layers 410 and 420 may be identical to each other. As another example, materials included in the first and second electrode layers 410 and 420 may be different.

일 실시예에 따른 제1 반도체층(430)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 일 예로서, 초소형 LED 소자(40)가 청색 발광 소자인 경우, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료 예컨대, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 어느 하나 이상이 선택될 수 있으며, 제1 도전성 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 초소형 LED 소자(40)는 청색 발광 소자에 제한되지 않으며, 발광색이 다른 경우 다른 종류의 III-V족 반도체 물질을 n형 반도체 층으로 포함할 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 오믹 접촉 전극으로서 제1 전극층(410)은 필수적인 구성이 아닐 수 있다. 이 경우, 제1 반도체층(430)이 제1 전극부(21)와 연결될 수 있다.The first semiconductor layer 430 according to an embodiment may include, for example, an n-type semiconductor layer. As an example, when the ultra-small LED element 40 is a blue light emitting element, the n-type semiconductor layer is of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) Any one or more may be selected from a semiconductor material having a composition formula, such as InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and the first conductive dopant (for example, Si, Ge, Sn, etc.) may be doped, but the present disclosure Is not limited to this. In addition, the ultra-small LED device 40 is not limited to the blue light-emitting device, and when the emission color is different, other types of III-V semiconductor materials may be included as an n-type semiconductor layer. However, the present disclosure is not limited thereto, and the first electrode layer 410 as an ohmic contact electrode may not be an essential configuration. In this case, the first semiconductor layer 430 may be connected to the first electrode part 21.

일 실시예에 따른 제2 반도체층(440)은 예를 들어, p형 반도체층을 포함할 수 있다. 일 예로서, 초소형 LED 소자(40)가 청색 발광 소자인 경우, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 예컨대, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 어느 하나 이상이 선택될 수 있으며, 제2 도전성 도펀트(예: Mg)가 도핑 될 수 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 오믹 접촉 전극으로서 제2 전극층(420)은 필수적인 구성이 아닐 수 있다. 이 경우, 제2 반도체층(440)이 제2 전극부(22)와 연결될 수 있다.The second semiconductor layer 440 according to an embodiment may include, for example, a p-type semiconductor layer. As an example, if a tiny LED element 40 is a blue light emitting device, the p-type semiconductor layer is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x A semiconductor material having a composition formula of + y≤1), for example, any one or more may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, etc., and a second conductive dopant (for example, Mg) may be doped. The disclosure is not limited to this. However, the present disclosure is not limited thereto, and the second electrode layer 420 as an ohmic contact electrode may not be an essential configuration. In this case, the second semiconductor layer 440 may be connected to the second electrode part 22.

활성층(450)은 제1 및 제2 반도체층(430, 440) 사이에 배치되며, 예를 들어 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 일 예로서, 활성층(450)의 상부 및/또는 하부에는 도전성 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 배치될 수도 있으며, 상기 도전성 도펀트가 도핑된 클래드층은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다. 그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(450)으로 이용될 수 있다. 상술한 활성층(450)에 전계를 인가하였을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 되며, 활성층(450)의 위치는 LED 종류에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 초소형 LED 소자(40)는 청색 발광 소자에 제한되지 않으며, 발광색이 다른 경우 다른 종류의 III-V족 반도체 물질을 활성층(450)에 포함시킬 수 있다. 본 개시에서는 초소형 LED 소자(40)에 제1 및 제2 반도체층(430, 440) 및 활성층(450)이 포함될 수 있음을 서술하고 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예로서, 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2 반도체층(430, 440)의 상부 및 하부에 별도의 형광체층, 활성층, 반도체층 및/또는 전극층을 더 포함할 수도 있다. The active layer 450 is disposed between the first and second semiconductor layers 430 and 440 and may be formed of, for example, a single or multiple quantum well structure. As an example, a cladding layer (not shown) doped with a conductive dopant may be disposed on upper and / or lower portions of the active layer 450, and the cladding layer doped with the conductive dopant may be implemented as an AlGaN layer or an InAlGaN layer. have. In addition, materials such as AlGaN and AlInGaN can also be used as the active layer 450. When an electric field is applied to the above-described active layer 450, light is generated by the combination of electron-hole pairs, and the position of the active layer 450 may be variously changed according to the type of LED. In addition, the ultra-small LED device 40 is not limited to the blue light emitting device, and when the emission color is different, other types of III-V semiconductor materials may be included in the active layer 450. Although the present disclosure describes that the first and second semiconductor layers 430 and 440 and the active layer 450 may be included in the micro LED device 40, the present disclosure is not limited thereto. As an example, the ultra-small LED device 40 may further include separate phosphor layers, active layers, semiconductor layers, and / or electrode layers on the upper and lower portions of the first and second semiconductor layers 430 and 440.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)는 활성층(450)의 외부면을 커버하는 절연막(470)을 더 포함할 수 있다. 일 예로서, 절연막(470)은 활성층(450)의 측면을 커버할 수 있으며, 이에 따라 활성층(450)이 제1 전극부(21) 또는 제2 전극부(22)와 접촉하는 경우 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(470)은 초소형 LED 소자(40)의 활성층(450)을 포함한 외부면을 보호함으로써 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.In addition, the micro LED device 40 according to an embodiment of the present invention may further include an insulating film 470 covering the outer surface of the active layer 450. As an example, the insulating layer 470 may cover the side surface of the active layer 450, and thus may occur when the active layer 450 contacts the first electrode portion 21 or the second electrode portion 22. Electrical short circuit can be prevented. In addition, the insulating film 470 can prevent a decrease in luminous efficiency by protecting the outer surface including the active layer 450 of the ultra-small LED element 40.

용매(50)는 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)의 분산 및 이동을 원활히 하기 위한 이동 매체로서, 초소형 LED 소자(40)에 물리적, 화학적 손상을 가하지 않음과 동시에, 쉽게 기화 시킬 수 있는 등 제거가 용이한 용매인 경우 제한 없이 이용될 수 있다. 일 예로서, 용매(50)는 아세톤, 물, 알코올 및 톨루엔 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다.The solvent 50 is a moving medium for facilitating the dispersion and movement of the micro LED device 40 according to one embodiment, and does not physically or chemically damage the micro LED device 40 and can be easily vaporized. If the solvent is easy to remove the back, it can be used without limitation. As an example, the solvent 50 may be any one or more of acetone, water, alcohol, and toluene, but the present disclosure is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따른 용매(50)는 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)에 대한 소정의 중량비로 투입될 수 있다. 일 예로서, 소정의 중량비를 범위를 넘어서는 용매(50)가 투입되는 경우, 용매(50)의 양이 너무 많아 초소형 LED 소자(40)가 목적하는 제1 및 제2 전극부(21, 22) 형성 영역 이외의 곳으로 퍼져나감에 따라 제1 및 제2 전극부(21, 22)에서 목적하는 실장영역에 실장되는 초소형 LED 소자(40)의 개수가 적어질 수 있다. 또한, 소정의 중량비 보다 작은 범위의 용매(50)가 투입되는 경우, 초소형 LED 소자(40) 개개의 이동이나 정렬에 문제점이 있을 수 있다.　The solvent 50 according to an embodiment of the present invention may be input at a predetermined weight ratio for the micro LED device 40 according to an embodiment. As an example, when the solvent 50 that exceeds a predetermined weight ratio is input, the amount of the solvent 50 is too large, and the first and second electrode parts 21 and 22 desired by the ultra-small LED element 40 are desired. As it spreads outside the formation region, the number of micro LED elements 40 mounted in the desired mounting region in the first and second electrode portions 21 and 22 may be reduced. In addition, when the solvent 50 in a range smaller than a predetermined weight ratio is input, there may be a problem in individual movement or alignment of the micro LED device 40.

상술한 바와 같이 제1 및 제2 전극부(21, 22)에는 제1 드레인 전극(613) 및 전원 배선(630)을 이용하여 소정의 전원을 인가할 수 있다. 일 예로서, 제1 드레인 전극(613)은 제1 전극부(21)에 연결되어 전원을 인가하고, 전원 배선(630)은 제2 전극부(22)에 연결되어 전원을 인가할 수 있으며, 이에 따라 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 전기장(E)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 전극부(21, 22)에는 소정의 진폭과 주기를 구비하는 교류 전원이 각각 인가되거나, 직류 전원이 반복적으로 인가됨으로써 소정의 진폭과 주기를 갖는 전원이 인가될 수도 있다. 이하에서는, 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 소정의 전원을 인가함으로써 형성되는 전기장(E)에 의한 초소형 LED 소자(40)의 자기 정렬에 대해 보다 구체적으로 서술한다.As described above, a predetermined power can be applied to the first and second electrode parts 21 and 22 using the first drain electrode 613 and the power wiring 630. As an example, the first drain electrode 613 is connected to the first electrode portion 21 to apply power, and the power wiring 630 is connected to the second electrode portion 22 to apply power, Accordingly, an electric field E may be formed between the first and second electrode parts 21 and 22. At this time, AC power having a predetermined amplitude and period may be applied to the first and second electrode parts 21 and 22, or DC power may be repeatedly applied to apply power having a predetermined amplitude and period. . Hereinafter, the self-alignment of the micro LED device 40 by the electric field E formed by applying a predetermined power to the first and second electrode parts 21 and 22 will be described in more detail.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체에서 제1 및 제2 전극부에 전압이 인가되기 전의 사시도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다. 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체에서 제1 및 제2 전극부에 전압이 인가된 후의 사시도이다. 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다.4A is a perspective view before a voltage is applied to first and second electrode parts in a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4B is a schematic diagram of a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4C is a perspective view after voltage is applied to first and second electrode parts in a pixel structure according to an embodiment of the present invention. 4D is a schematic diagram of a pixel structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)는 나노 단위의 초소형으로 형성될 수 있기 때문에, 초소형 LED 소자(40)를 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 물리적 또는 직접적으로 연결하는데 어려움이 있을 수 있다. 도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)가 용매(50)에 혼합된 용액 상태로 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 투입될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 전원이 공급되지 않는 경우, 초소형 LED 소자(40)는 용액 내에서 부유하여 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 외곽부에만 배치되거나 서로 인접하여 배치될 수 있다. 더불어, 일 실시예에 따라 초소형 LED 소자(40)가 원통형상으로 형성된 경우, 초소형 LED 소자(40)는 형상 특성에 의해 제1 및 제2 전극부(21, 22) 상에서 회전 이동할 수 있으며, 이에 따라 초소형 LED 소자(40)는 자기 정렬 방식에 의해 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 동시에 연결되지 않을 수 있다. Since the ultra-small LED device 40 according to an embodiment of the present invention may be formed in a nano-sized ultra-small size, the ultra-small LED device 40 is physically or directly connected to the first and second electrode parts 21 and 22. You may have difficulty connecting. Referring to FIG. 4A, an ultra-small LED device 40 according to an embodiment of the present invention may be introduced into the first and second electrode parts 21 and 22 in a solution state mixed with a solvent 50. At this time, when power is not supplied to the first and second electrode parts 21 and 22, the ultra-small LED element 40 floats in the solution and is only in the outer portions of the first and second electrode parts 21 and 22. It can be arranged or adjacent to each other. In addition, when the ultra-small LED element 40 is formed in a cylindrical shape according to an embodiment, the ultra-small LED element 40 may rotate and move on the first and second electrode parts 21 and 22 by shape characteristics. Accordingly, the ultra-small LED element 40 may not be connected to the first and second electrode parts 21 and 22 simultaneously by a self-aligning method.

도 2 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 각각 상이한 전압의 전원을 인가될 수 있으며, 이에 따라 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에는 소정의 전기장(E)이 형성될 수 있다. 일 예로서, 상술한 바와 같이 제1 드레인 전극(613) 및 전원 배선(630)을 통해 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 소정의 전압과 주기를 구비하는 교류전원 또는 직류 전원을 수회 반복적으로 인가하는 경우, 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 따른 방사 형상의 제1 전기장(E1)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 전기장(E1)의 세기는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 비례할 수 있고 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이의 제1 이격 거리(D1)에 반비례할 수 있다. 일 예로서, 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이의 제1 이격 거리(D1)는 1μm이상 7μm 이하이고, 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 인가되는 전압차는　10V이상 50V이하일 수 있으나 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다.　2 and 4B, powers of different voltages may be applied to the first and second electrode units 21 and 22 according to an embodiment of the present invention, and accordingly, the first and second electrode units A predetermined electric field E may be formed between (21, 22). As an example, as described above, through the first drain electrode 613 and the power wiring 630, the AC power or the DC power having a predetermined voltage and cycle to the first and second electrode parts 21 and 22 is supplied. When repeatedly applied several times, a first electric field E 1 having a radial shape according to a potential difference between the first and second electrode portions 21 and 22 is formed between the first and second electrode portions 21 and 22. You can. At this time, the intensity of the first electric field E 1 may be proportional to the potential difference between the first and second electrode parts 21 and 22 and the first separation distance between the first and second electrode parts 21 and 22 ( D 1 ). As an example, the first separation distance D 1 between the first and second electrode parts 21 and 22 is 1 μm or more and 7 μm or less, and the voltage difference applied to the first and second electrode parts 21 and 22 is It may be 10V or more and 50V or less, but the present disclosure is not limited thereto.

도 4c 및 도 4d를 참조하면, 제1 및 제2 전극부(21, 22)로 전원이 공급되는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 의해 형성된 제1 전기장(E1)의 유도에 의해 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에서 자기정렬 할 수 있다. 상술한 바와 같이 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 의해 방사 방향 즉, 제1 전극부(21)를 중심으로 하는 방사 방향의 제1 전기장(E1)이 형성될 수 있으며, 제1 전기장(E1)의 유도에 의해 초소형 LED 소자(40)에 비대칭적으로 전하가 유도될 수 있다. 따라서, 초소형 LED 소자(40)는 제1 전기장(E1)의 방향을 따라 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에서 자기 정렬될 수 있다. 이때, 초소형 LED 소자(40)의 접속부, 예를 들어, 제1 및 제2 전극층(410, 420) 각각은 제1 및 제2 전극부(21, 22)와 동시에 접촉하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2 전극부(21, 22)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예시에 따른 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 의해 형성된 전기장(E)의 유도에 의해 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 자기정렬 하는 것인바, 전기장(E)의 세기가 클수록 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 연결되는 초소형 LED 소자(40)의 개수가 증가할 수 있다. 이때, 전기장(E)의 세기는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 전위차에 비례할 수 있고 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이의 이격 거리(D1)에 반비례할 수 있다. 4C and 4D, when power is supplied to the first and second electrode parts 21 and 22, the ultra-small LED device 40 according to an embodiment of the present invention includes first and second electrode parts. Self-alignment between the first and second electrode parts 21 and 22 may be performed by induction of the first electric field E 1 formed by the potential difference of (21, 22). As described above, the first electric field E 1 in the radial direction, that is, the radial direction centering on the first electrode part 21, may be formed by the potential difference between the first and second electrode parts 21 and 22. , Asymmetric electric charges may be induced in the micro LED device 40 by induction of the first electric field E 1 . Therefore, the miniature LED element 40 may be self-aligned between the first and second electrode parts 21 and 22 along the direction of the first electric field E 1 . At this time, the connection portion of the ultra-small LED element 40, for example, each of the first and second electrode layers 410 and 420 may be disposed to simultaneously contact the first and second electrode portions 21 and 22, thereby Accordingly, the miniature LED element 40 may be electrically connected to the first and second electrode parts 21 and 22. The ultra-small LED element 40 according to an example is between the first and second electrode parts 21 and 22 by induction of the electric field E formed by the potential difference between the first and second electrode parts 21 and 22. As it is self-aligning, as the intensity of the electric field E increases, the number of micro LED elements 40 connected to the first and second electrode parts 21 and 22 may increase. At this time, the intensity of the electric field E may be proportional to the potential difference between the first and second electrode parts 21 and 22 and inversely proportional to the separation distance D 1 between the first and second electrode parts 21 and 22 can do.

이후, 도시되지는 않았으나, 초소형 LED 소자(40)가 실질적으로 실장되는 각각의 픽셀 영역을 형성하기 위해 초소형 LED 소자(40)가 실질적으로 실장되는 제1 및 제2 전극부(21, 22)의 영역을 제외한 나머지 영역을 절연시키기 위한 절연 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라 복수 개의 제1 및 제2 전극부(21, 22)를 구비하는 픽셀 구조체(1)는 복수 개의 픽셀 영역을 포함할 수 있다.Subsequently, although not shown, the first and second electrode portions 21 and 22 of the ultra-small LED element 40 are substantially mounted to form each pixel region in which the ultra-small LED element 40 is substantially mounted. An insulating process may be performed to insulate the remaining regions except the region. Accordingly, the pixel structure 1 including the plurality of first and second electrode parts 21 and 22 may include a plurality of pixel areas.

복수 개의 초소형 LED 소자(40)를 포함하는 표시 장치는 초소형 LED 소자(40)를 구동하는 방식에 따라　패시브　매트릭스형 표시장치와　액티브　매트릭스형 표시장치로 분류된다. 일 예로서, 표시 장치가 액티브 매트릭스형으로 구형된 경우, 픽셀 구조체(1)는 상술한 실시예에서와 같이 초소형 LED 소자(40)에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터로서 제1 트랜지스터(TFT1)와, 제1 트랜지스터(TFT1)로 데이터 전압을 전달하는 스위칭 트랜지스터로서 제2 트랜지스터(TFT2)를 포함할 수 있다. 최근 해상도, 콘트라스트, 동작속도의 관점에서 단위 픽셀마다 선택하여 점등하는　액티브　매트릭스형 표시장치가 주류가 되고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 픽셀 그룹별로 점등이 수행되는 패시브 매트릭스형 표시 장치 또한 본 개시의 전극 배치가 사용될 수 있다.A display device including a plurality of ultra-small LED elements 40 is classified into a “passive” matrix type display device and an “active” matrix type display device according to a method of driving the ultra-small LED element 40. As an example, when the display device is spherical in an active matrix type, the pixel structure 1 is a first transistor TFT1 as a driving transistor that controls the amount of current supplied to the micro LED device 40 as in the above-described embodiment. In addition, the second transistor TFT2 may be included as a switching transistor that transfers the data voltage to the first transistor TFT1. In recent years, the “active” matrix display device, which is selected and lit for each pixel in view of resolution, contrast, and operation speed, is becoming mainstream, but the present invention is not limited thereto, and a passive matrix display device in which lighting is performed for each pixel group is also seen. The electrode arrangement of the disclosure can be used.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르는 픽셀 구조체(1)는, 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에서 방사형으로 형성되는 전기장(E)을 이용하여 독립적으로 제조된 나노 단위 크기의 초소형 LED 소자(40)를 서로 다른 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 정렬 및 연결시킴으로써 초소형 LED 소자(40)를 초소형의 서로 다른 제1 및 제2 전극부(21, 22)에 일대일 대응시켜 결합하기 어렵다는 난점을 극복할 수 있다. 또한, 통상적인 원통 형상의 초소형 LED 소자(40)를 사용해도 초소형 LED 소자(40)와 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 정렬이 유지됨으로써 픽셀 구조체(1)의 불량률을 최소화할 수 있다. 또한, 서로 다른 제1 및 제2 전극부(21, 22)이 포함된 목적한 실장영역에 초소형 LED 소자(40)를 집중적으로 배치 및 연결할 수 있다As described above, the pixel structure 1 according to an embodiment of the present invention is independently manufactured using an electric field E formed radially between the first and second electrode parts 21 and 22 By substituting and connecting the sub-miniature LED elements 40 between the different first and second electrode portions 21 and 22, the sub-miniature LED elements 40 are formed into tiny, different first and second electrode portions 21 , It can overcome the difficulty of difficult to combine by one-to-one correspondence. In addition, even when a conventional cylindrical LED device 40 is used, alignment between the LED device 40 and the first and second electrode parts 21 and 22 is maintained, thereby minimizing the defective rate of the pixel structure 1. can do. In addition, the ultra-small LED element 40 can be intensively arranged and connected to a target mounting area including different first and second electrode parts 21 and 22.

도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 사시도이다. 도 5b는 도 5a에 도시된 픽셀 구조체를 B-B' 선을 따라 절단한 픽셀 구조체의 단면도이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체 (1)는 베이스 기판(10)의 상부에 배치되는 제1 전극부(21), 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)를 포함하는 제2 전극부(22)와, 제1 전극부(21) 및 제2-1 전극부(22-1) 와 제2-2 전극부(22-2) 사이에 배치되는 복수 개의 초소형 LED 소자(40), 복수 개의 초소형 LED 소자(40)가 혼합된 용매(50)를 포함할 수 있다. 서술의 편의상 상술한 실시예에서 서술된 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.5A is a perspective view of a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 5B is a cross-sectional view of the pixel structure shown in FIG. 5A taken along line B-B '. 5A and 5B, the pixel structure 1 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode portion 21 and a 2-1 electrode portion 22- disposed on the base substrate 10. 1) and the 2nd electrode part 22 which includes the 2-2 electrode part 22-2, the 1st electrode part 21 and the 2-1 electrode part 22-1, and the 2-2 A plurality of micro LED devices 40 disposed between the electrode parts 22-2 and a plurality of micro LED devices 40 may include a mixed solvent 50. For convenience of description, description of the same configuration described in the above-described embodiment will be omitted.

제2 전극부(22)는 서로 이격되도록 배치된 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)를 포함할 수 있다. 이때, 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)는 층간절연막(605)의 상부에 배치되어 초소형 LED 소자(40)에 전기적으로 연결될 수 있는 전극부이다. 일 예로서, 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2) 각각은, 제1 전극부(21)를 중심으로 원주 방향을 따라 연장된 반원 형상일 수 있다. The second electrode part 22 may include a 2-1 electrode part 22-1 and a 2-2 electrode part 22-2 arranged to be spaced apart from each other. At this time, the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2 are disposed on the interlayer insulating layer 605 and can be electrically connected to the micro LED device 40. to be. As an example, each of the 2-1 electrode part 22-1 and the 2-2 electrode part 22-2 may be a semicircular shape extending along the circumferential direction around the first electrode part 21. have.

또한, 일 실시예에 따른 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)는 복수 개로 마련될 수 있으며, 복수 개의 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2) 각각은 층간절연막(605)의 상부에서 소정의 간격을 사이에 두고 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 복수 개의 제2-1 전극부(22-1)는 제1 전극 라인(220-1)을 이용하여 서로 연결될 수 있다. 이때, 도 5b에 도시된 바와 같이 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에는 관통홀을 이용하여 전원배선(630)이 각각 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 제2-1 전극부(22-1)에는 제1 전압의 전원이 공급되고, 복수 개의 제2-2 전극부(22-2)에는 제2 전압의 전원이 공급될 수 있다. 이때, 제1 전압과 제2 전압의 크기는 상이할 수 있다.Also, a plurality of second-second electrode units 22-1 and second-second electrode units 22-2 according to an embodiment may be provided, and a plurality of second-first electrode units 22-1 ) And the 2-2 electrode part 22-2 may be disposed to be spaced apart from each other with a predetermined distance therebetween from the top of the interlayer insulating film 605. Also, the plurality of 2-1 electrode parts 22-1 according to an embodiment may be connected to each other using the first electrode line 220-1. At this time, as shown in Figure 5b, the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2 may be electrically connected to the power wiring 630 using a through hole, respectively. Accordingly, a first voltage power may be supplied to the plurality of second-second electrode units 22-1, and a second voltage power may be supplied to the plurality of second-second electrode units 22-2. . At this time, the magnitudes of the first voltage and the second voltage may be different.

또한, 일 실시예에 따른 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)는 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indum Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 폴리머(polmer) 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질을 포함할 수 있다. 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에 포함된 물질이 2종 이상인 경우, 일 예시에 따른 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)는 2종 이상의 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 일 예시로서 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)는 동일한 물질을 포함할 수 있을 뿐만 아니라 상이한 물질 또한, 포함할 수 있다.In addition, the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2 according to an embodiment may include any one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold, and silver. Or it may include any one or more transparent materials selected from the group consisting of ITO (Indum Tin Oxide), ZnO: Al and CNT-conductive polymer (polmer) complex. When there are two or more types of materials included in the 2-1 electrode part 22-1 and the 2-2 electrode part 22-2, the 2-1 electrode part 22-1 and the second agent according to an example The 2-2 electrode unit 22-2 may be formed in a structure in which two or more kinds of materials are stacked. As an example, the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2 may not only include the same material, but also different materials.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체에서 제1 및 제2 전극부에 전압이 인가되기 전 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다. 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체에서 제1 및 제2 전극부에 전압이 인가된 후의 사시도이다. 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 구조체의 개략도이다. 6A is a perspective view before a voltage is applied to first and second electrode parts in a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6B is a schematic diagram of a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6C is a perspective view after voltage is applied to first and second electrode parts in a pixel structure according to another embodiment of the present invention. 6D is a schematic diagram of a pixel structure according to another embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르는 픽셀 구조체(1)는, 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 방사형으로 형성되는 전기장(E)을 이용하여 독립적으로 제조된 나노 단위 크기의 초소형 LED 소자(40)를 서로 다른 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 정렬 및 연결시킬 수 있다. 따라서 도 4c에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 방사형으로 제1 전기장(E1)이 형성되는 경우, 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 배치된 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2 전극부(21, 22) 사이에 정렬될 수 있으나, 복수 개의 제2 전극부(22)에는 동일한 전압이 인가되어 복수 개의 제2 전극부(22) 사이에는 별도의 전기장(E)이 형성될 수 없다, 이에 따라 복수 개의 제2 전극부(22) 사이에 배치된 초소형 LED 소자(40)는 별도의 외력을 인가 받지 못한 채, 외곽에 배치되거나 서로 인접하도록 배치될 수 있다.4A to 4D, the pixel structure 1 according to an embodiment of the present invention uses an electric field E formed radially between the first and second electrode parts 21 and 22. Thus, the nano-sized micro LED devices 40 manufactured independently can be aligned and connected between different first and second electrode parts 21 and 22. Therefore, when the first electric field E 1 is formed radially between the first and second electrode parts 21 and 22 as shown in FIG. 4C, between the first and second electrode parts 21 and 22 The disposed miniature LED element 40 may be aligned between the first and second electrode parts 21 and 22, but the same voltage is applied to the plurality of second electrode parts 22 to form a plurality of second electrode parts ( A separate electric field E cannot be formed between 22). Accordingly, the ultra-small LED element 40 disposed between the plurality of second electrode parts 22 is disposed outside without receiving a separate external force. Or may be disposed adjacent to each other.

도 6a를 참조하면, 먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)가 용매(50)에 혼합된 용액 상태로 제1 전극부(21)와 2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에 투입될 수 있다. 이때, 제1 전극부(21)와 2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에 전원이 공급되지 않는 경우, 초소형 LED 소자(40)는 용액 내에서 부유하여 제1 전극부(21)와 2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)의 외곽부에만 배치되거나 서로 인접하여 배치될 수 있다. 도 6b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극부(21), 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에는 각각 전원이 인가될 수 있으며, 이에 따라 제1 전극부(21)와 제2-1 전극부(22-1), 제1 전극부(21)와 제2-2 전극부(22-2) 및 제2-1 전극부(22-1)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에는 소정의 전기장(E)이 형성될 수 있다. 일 예로서, 상술한 바와 같이 제1 전극부(21), 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)에 소정의 전압과 주기를 구비하는 교류전원, 또는 직류 전원을 수회 반복적으로 인가하는 경우, 제1 전극부(21)와 제2-1 전극부(22-1) 사이에는 제1 전극부(21)와 제2-2 전극부(22-2)의 전위차에 따른 제1-1 전기장(E11)이 형성되고, 제1 전극부(21)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에는 제1 전극부(21)와 제2-2 전극부(22-2)의 전위차에 따른 제1-2 전기장(E12)이 형성되고, 제2-1 전극부(22-1)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에는 제2-1 전극부(22-1)와 제2-2 전극부(22-2)의 전위차에 따른 제2 전기장(E2)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6A, first, the first electrode unit 21 and the 2-1 electrode unit 22-1 in a solution state in which the micro LED device 40 according to an embodiment of the present invention is mixed in a solvent 50 ) And the 2-2 electrode unit 22-2. At this time, when power is not supplied to the first electrode portion 21, the 2-1 electrode portion 22-1, and the 2-2 electrode portion 22-2, the micro LED device 40 is in solution. Floating, it may be disposed only at the outer portions of the first electrode portion 21, the 2-1 electrode portion 22-1, and the 2-2 electrode portion 22-2 or adjacent to each other. Referring to FIG. 6B, power is applied to the first electrode portion 21, the second-1 electrode portion 22-1, and the second-2 electrode portion 22-2 according to an embodiment of the present invention, respectively. The first electrode part 21 and the second-1 electrode part 22-1, the first electrode part 21 and the second-2 electrode part 22-2 and the second-1 accordingly A predetermined electric field E may be formed between the electrode portion 22-1 and the second-second electrode portion 22-2. As an example, as described above, the AC power having a predetermined voltage and period in the first electrode portion 21, the 2-1 electrode portion 22-1, and the 2-2 electrode portion 22-2 Or, if the DC power is repeatedly applied several times, between the first electrode portion 21 and the 2-1 electrode portion 22-1, the first electrode portion 21 and the 2-2 electrode portion 22- A first-first electric field E 11 according to a potential difference of 2) is formed, and between the first electrode part 21 and the second-second electrode part 22-2, the first electrode part 21 and the second A 1-2 electric field E 12 according to a potential difference between the -2 electrode portions 22-2 is formed, and between the 2-1 electrode portion 22-1 and the 2-2 electrode portion 22-2 A second electric field E 2 according to a potential difference between the 2-1 electrode part 22-1 and the 2-2 electrode part 22-2 may be formed in the.

도 6c 및 도 6d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)의 전위차에 의해 형성된 제1-1 전기장(E11)의 유도에 의해 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1) 사이에 자기정렬 할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)로 소정의 전압차를 구비하는 전원이 공급되는 경우, 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)의 전위차에 의해 제1 전극부(21) 및 제2-1 전극부(22-1)사이에서 제1-1 전기장(E11)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1-1 전기장(E11)의 유도에 의해 초소형 LED 소자(40)에 비대칭적으로 전하가 유도될 수 있으며, 초소형 LED 소자(40)는 제1-1 전기장(E11)의 방향을 따라 제1 전극부(21) 및 제2 전극부(22-1) 사이에서 자기 정렬될 수 있다. 이때, 초소형 LED 소자(40)의 접속부, 예를 들어, 제1 및 제2 전극층(410, 420) 각각은 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)와 동시에 접촉하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)와 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIGS. 6C and 6D, the miniature LED device 40 according to an embodiment of the present invention is a 1-1 electric field formed by a potential difference between the first and 2-1 electrode parts 21 and 22-1 Self-alignment between the first and second-first electrode parts 21 and 22-1 may be performed by induction of (E 11 ). According to an embodiment, as described above, when power having a predetermined voltage difference is supplied to the first and second-1 electrode parts 21 and 22-1, the first and second-1 electrode parts ( 21, 22-1), a first-first electric field E 11 may be formed between the first electrode portion 21 and the second-first electrode portion 22-1. Accordingly, asymmetric electric charges may be induced to the micro LED device 40 by the induction of the 1-1 electric field E 11 , and the micro LED device 40 may have the 1-1 electric field E 11 . It may be self-aligned between the first electrode portion 21 and the second electrode portion 22-1 along the direction. At this time, the connection portion of the ultra-small LED element 40, for example, each of the first and second electrode layers 410 and 420 may be arranged to simultaneously contact the first and second-1 electrode portions 21 and 22-1. Accordingly, the ultra-small LED element 40 may be electrically connected to the first and second-1 electrode parts 21 and 22-1.

또한, 초소형 LED 소자(40)는 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2)의 전위차에 의해 형성된 제1-2 전기장(E12)의 유도에 의해 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2) 사이에서 자기정렬 될 수 있다. 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2)에 의한 제1-2 전기장(E12)의 형성 및. 제1-2 전기장(E12)에 따라 초소형 LED 소자(40)에 비대칭적으로 전하가 유도됨으로써 발생되는 초소형 LED 소자(40)의 자기 정렬과 관계된 사항은 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2)에 의한 초소형 LED 소자(40)의 자기 정렬 방식과 실질적으로 동일하므로 여기서는 서술을 생략한다.In addition, the ultra-small LED element 40 is the first and second-2 by induction of the first-second electric field E 12 formed by the potential difference between the first and second-second electrode parts 21 and 22-2. It can be self-aligned between the electrode portion (21, 22-2). Formation of the 1-2 electric field E 12 by the first and 2-2 electrode portions 21 and 22-2, and. Matters related to the self-alignment of the ultra-small LED element 40 generated by asymmetrically inducing charge on the ultra-small LED element 40 according to the 1-2 electric field E 12 include first and second-second electrode parts ( 21, 22-2) is substantially the same as the self-alignment method of the ultra-small LED element 40, and thus description is omitted here.

일 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)의 전위차에 의해 생성되는 제1-1 전기장(E11)과, 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2)의 전위차에 의해 형성된 제1-2 전기장(E12)은 제1 전극부(21)를 중심으로 방사형으로 형성될 수 있다. 이때, 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)로 인가되는 전원의 전압이 상이하므로 제1 및 제2-1 전극부(21, 22-1)사이의 제1-1 이격 거리(D11)와 제1 및 제2-2 전극부(21, 22-2)사이의 제1-2 이격 거리(D12)가 동일하다면 제1-1 전기장(E11) 및 제1-2 전기장(E12)이 상이할 수 있다. 따라서, 제1 전극부(21)와 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2) 사이에 형성되는 제1-1 및 제1-2 전기장(E11, E12)을 균일하게 형성하기 위해 제1-1 이격 거리(D11)와 제1-2 이격 거리(D12)는 상이하게 형성될 수 있다. 일 예로서, 제2-1 전극부(22-1)에 인가된 전원의 제1 전압이 제2-2 전극부(22-2)에 인가된 제2 전압 보다 큰 경우, 제1-1 이격 거리(D11)는 제1-2 이격 거리(D12) 보다 클 수 있으며, 이에 따라 제1-1 및 제1-2 전기장(E11, E12)을 합한 제1 전기장(E1)을 균일하게 형성할 수 있다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제1-1 이격 거리(D11)와 제1-2 이격 거리(D12)는 동일하게 형성될 수도 있다. 일 예로서, 도 3에 도시된 바와 같이 초소형 LED 소자(40)의 길이(T)는 2 μm 내지 5㎛인 경우, 제1-1 이격 거리(D11)와 제1-2 이격 거리(D12)는 1μm이상 7μm 이하일 수 있으며, 제1 전극부(21) 및 제2-1 전극부(22-1)와 제1 전극부(21) 및 제2-2 전극부(22-2)에 인가되는 전압차는 10V이상 50V이하일 수 있다.According to one embodiment, as described above, the first-first electric field E 11 generated by the potential difference between the first and second-first electrode parts 21 and 22-1, and the first and second-2 The 1-2 electric field E 12 formed by the potential difference between the electrode portions 21 and 22-2 may be formed radially around the first electrode portion 21. At this time, since the voltages of the power applied to the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2 are different, the first and 2-1 electrode units 21 and 22-1 are different. 1-1 spacing distance (D 11) and the first-second spacing distance (D 12) are equal, the first-first electric field between the first and the 2-2 electrode portion (21, 22-2) between the ( E 11 ) and the 1-2 electric field E 12 may be different. Accordingly, the first-first and first-second electric fields E 11 formed between the first electrode portion 21 and the second-first electrode portion 22-1 and the second-second electrode portion 22-2. , E 12 ) In order to form uniformly, the first-first separation distance D 11 and the first-second separation distance D 12 may be formed differently. As an example, when the first voltage of the power applied to the 2-1 electrode unit 22-1 is greater than the second voltage applied to the 2-2 electrode unit 22-2, the first-1 separation The distance D 11 may be greater than the 1-2 separation distance D 12 , and thus the first electric field E 1 summing the 1-1 and 1-2 electric fields E 11 , E 12 It can form uniformly. However, the present invention is not limited thereto, and the first-first separation distance D 11 and the first-second separation distance D 12 may be formed identically. As an example, as illustrated in FIG. 3, when the length T of the ultra-small LED element 40 is 2 μm to 5 μm, the first-first separation distance D 11 and the first-second separation distance D 12 ) may be 1 μm or more and 7 μm or less, and may be applied to the first electrode part 21 and the 2-1 electrode part 22-1 and the first electrode part 21 and the 2-2 electrode part 22-2. The voltage difference applied may be 10V or more and 50V or less.

또한, 초소형 LED 소자(40)가 제2-1 및 제2-2 전극부(22-1, 22-2) 사이에 배치된 경우, 상기 초소형 LED 소자(40)는 제2-1 및 제2-2 전극부(22-1, 22-2)의 전위차에 의해 형성된 제2 전기장(E2)의 유도에 의해 제2-1 전극부(22-1) 또는 제2-2 전극부(22-2)의 일 측으로 이동될 수 있다. 일 실시예에 따라, 제2-1 전극부(22-1)에 제2-2 전극부(22-2) 보다 높은 전압의 인가되고 제1 전극부(21)에 전압이 인가되지 않는 경우, 제1 전극부(21)와 제2-1 전극부(22-1) 사이에 제1-1 전기장(E11)이 형성되고, 제1 전극부(21)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에 제1-2 전기장(E12)이 형성되고, 제2-1 전극부(22-1)로부터 제2-2 전극부(22-2)를 향하는 제2 전기장(E2)이 형성될 수 있다. 이때, 제1-1 전기장(E11)은 제1-2 전기장(E12) 보다 크고, 제1-2 전기장(E12)은 제2 전기장(E2)보다 클 수 있다. In addition, when the miniature LED element 40 is disposed between the 2-1 and 2-2 electrode parts 22-1 and 22-2, the miniature LED element 40 includes the 2-1 and the second. -2 The 2-1 electrode part 22-1 or the 2-2 electrode part 22- by induction of the second electric field E 2 formed by the potential difference between the electrode parts 22-1 and 22-2 2) can be moved to one side. According to an embodiment, when a voltage higher than that of the second-second electrode portion 22-2 is applied to the second-first electrode portion 22-1 and no voltage is applied to the first electrode portion 21, A 1-1 electric field E 11 is formed between the first electrode portion 21 and the 2-1 electrode portion 22-1, and the first electrode portion 21 and the 2-2 electrode portion 22 are formed. -2), the first-second electrical field (E 12) a second electric field towards the second-second electrode portion 22-2 is formed from the, the 2-1 electrode portion 22-1 between (E 2) It can be formed. At this time, the first-first electric field (E 11) is a first-second electrical field (E 12) greater than, the first-second electrical field (E 12) may be greater than the second electric field (E 2).

일 예로서, 제2-1 전극부(22-1)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에 초소형 LED 소자(40)가 배치된 경우, 제2-1 전극부(22-1)와 제2-2 전극부(22-2) 사이에 형성된 제2 전기장(E2)의 유도에 의해 초소형 LED 소자(40)에 비대칭적으로 전하가 유도될 수 있다. 이때, 제2-1 전극부 및 제2-2 전극부(22-1, 22-2) 사이에 배치된 초소형 LED 소자(40)는 제2 전기장(E2)의 방향을 따라 제2-2 전극부(22-2) 측으로 이동될 수 있다. 이후, 상기 초소형 LED 소자(40)는 제1 전극부 및 제2-2 전극부(21, 22-2)에 의해 형성된 제1-2 전기장(E12)에 의해 제1 전극부 및 제2-2 전극부(21, 22-2) 사이에서 자기 정렬될 수 있다. As an example, when the micro LED device 40 is disposed between the 2-1 electrode unit 22-1 and the 2-2 electrode unit 22-2, the 2-1 electrode unit 22-1 ) And the induction of the second electric field E 2 formed between the 2-2 electrode part 22-2, the asymmetric electric charge may be induced in the miniature LED element 40. In this case, the ultra-compact LED element 40 disposed between the 2-1 electrode part and the 2-2 electrode parts 22-1 and 22-2 is disposed along the direction of the second electric field E 2 . It can be moved to the electrode portion 22-2. Subsequently, the ultra-small LED element 40 is provided with a first electrode part and a second-by-first electric field E 12 formed by the first electrode part and the second-second electrode parts 21 and 22-2. It can be self-aligned between the two electrode parts (21, 22-2).

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르는 픽셀 구조체(1)는, 서로 다른 전압이 인가되는 제2-1 전극부(22-1) 및 제2-2 전극부(22-2)를 도입하여 전기장(E)이 평형을 이루는 영역을 제거할 수 있으며, 이에 따라 픽셀 내에 배치된 모든 초소형 LED 소자(40)를 서로 다른 제1 전극부(21) 와 제2-1 및 제2-2 전극부(22-1, 22-2) 사이에 정렬 및 연결시킬 수 있다. As described above, the pixel structure 1 according to an embodiment of the present invention includes a 2-1 electrode part 22-1 and a 2-2 electrode part 22-2 to which different voltages are applied. By introducing, it is possible to remove the region where the electric field E is in equilibrium, and accordingly, the first electrode parts 21 and 2-1 and 2-2 that are different from each other are disposed in the pixel. It can be aligned and connected between the electrode portion (22-1, 22-2).

도 7은 실시예에 따른 표시 장치(1000)를 개념적으로 나타낸 도면이다.7 is a diagram conceptually illustrating a display device 1000 according to an exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1000)는 상술한 실시예들에 따른 복수의 픽셀 구조체(1)와, 복수의 픽셀 구조체(1) 에 연결된 구동 회로를 포함한다. Referring to FIG. 7, the display device 1000 includes a plurality of pixel structures 1 according to the above-described embodiments, and a driving circuit connected to the plurality of pixel structures 1.

복수의 픽셀 구조체(1) 는 표시 장치(1000)의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 구동 회로는 표시 장치(1000)의 표시 영역(DA)의 외곽에 배치된 비표시 영역에 배치될 수 있다. 구동 회로는 데이터 구동 회로(7)와 게이트 구동 회로(8)를 포함한다. The plurality of pixel structures 1 may be disposed in the display area DA of the display device 1000. The driving circuit may be disposed in a non-display area disposed outside the display area DA of the display device 1000. The driving circuit includes a data driving circuit 7 and a gate driving circuit 8.

픽셀 구조체(1)의 일 변의 길이는 600 um 이하일 수 있다. 픽셀 구조체(1)가 서브 픽셀을 구성할 경우에는, 픽셀 구조체(1)의 일 변의 길이는 200 um 이하일 수 있다. 픽셀 구조체(1) 의 일 변은 픽셀 구조체(1)의 짧은 변일 수 있다. 다만, 픽셀 구조체(1)의 크기는 이에 한정되지 아니하며, 표시 장치(1000)의 크기 및 요구되는 화소 수에 따라 변경될 수 있다.The length of one side of the pixel structure 1 may be 600 um or less. When the pixel structure 1 constitutes a sub-pixel, the length of one side of the pixel structure 1 may be 200 µm or less. One side of the pixel structure 1 may be a short side of the pixel structure 1. However, the size of the pixel structure 1 is not limited thereto, and may be changed according to the size of the display device 1000 and the required number of pixels.

데이터 구동 회로(7)는 다수의 소스 드라이브 IC를 포함하여, 데이터 라인들(DL)을 구동시킨다. 게이트 구동 회로(8)는 하나 이상의 게이트 드라이브 IC를 포함하여 스캔 펄스를 게이트 라인들(GL)에 공급한다.The data driving circuit 7 includes a plurality of source drive ICs to drive the data lines DL. The gate driving circuit 8 includes one or more gate drive ICs to supply scan pulses to the gate lines GL.

한편, 이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.On the other hand, as described above, the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, but this is only an example, and those skilled in the art can recognize that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (18)

베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되며 제1 전압이 인가되는 원형 형상의, 제1 전극부;
상기 제1 전극부를 중심으로 원주 방향을 따라 연장되며 상기 제1 전극부와 모든 방향에서 동일 간격으로 이격되어 배치되며 상기 제1 전압과는 상이한 제2 전압이 인가되는 고리 형상의, 제2 전극부; 및
상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부와 연결되며, 각각이 서로 다른 방향을 따르는 방사형으로 배치되는, 복수개의 LED 소자;
를 구비하고,
상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부 상에 위치하고, 타단은 상기 제2 전극부 상에 위치하는, 픽셀 구조체.Base substrate;
A first electrode portion disposed on the base substrate and having a circular shape to which a first voltage is applied;
A second electrode portion having an annular shape extending along a circumferential direction around the first electrode portion and being spaced apart from the first electrode portion at equal intervals in a second direction and applying a second voltage different from the first voltage ; And
A plurality of LED elements connected to the first electrode part and the second electrode part, each of which is arranged in a radial direction along a different direction;
Equipped with,
A pixel structure, wherein one end of each of the plurality of LED elements is located on the first electrode portion and the other end is located on the second electrode portion. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부와 직접 연결되고, 타단은 상기 제2 전극부와 직접 연결되는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
The pixel structure of one end of each of the plurality of LED elements is directly connected to the first electrode, and the other end is directly connected to the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 LED 소자 중 서로 인접하여 배치된 2개의 LED 소자들은각각 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 예각을 이루는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
Among the plurality of LED elements, two LED elements disposed adjacent to each other are disposed in a first direction and a second direction intersecting the first direction, and the first direction and the second direction form an acute angle. Structure. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 LED 소자 각각이 배치된 서로 다른 방향으로부터 연장된 가상의 선들은 하나의 가상의 접점에서 만나고, 상기 가상의 접점은 상기 제1 전극부 내에 위치하는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
A pixel structure in which virtual lines extending from different directions in which each of the plurality of LED elements are disposed meet at one virtual contact, and the virtual contact is located in the first electrode part. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극부는 폐곡선으로 구비된 고리 형상인, 픽셀 구조체.According to claim 1,
The second electrode portion has a ring shape provided with a closed curve, a pixel structure. 제6항에 있어서,
상기 제1 전극부는 원형 형상으로, 상기 제2 전극부의 중심에 위치하는, 픽셀 구조체.The method of claim 6,
The first electrode portion has a circular shape, and is located in the center of the second electrode portion, the pixel structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부와 전기적으로 연결되는, 구동 트랜지스터; 및
상기 제2 전극부와 전기적으로 연결되는, 전원 배선;
을 더 포함하는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
A driving transistor electrically connected to the first electrode part; And
A power wiring electrically connected to the second electrode unit;
Further comprising, a pixel structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부는 복수개로 구비되며, 상기 복수개의 제2 전극부를 연결하는 전극 라인을 더 포함하는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
The first electrode part and the second electrode part are provided in plural, and further comprising an electrode line connecting the plurality of second electrode parts. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이의 이격 거리는 1μm이상 7μm 이하인, 픽셀 구조체.According to claim 1,
A pixel structure having a separation distance between the first electrode portion and the second electrode portion is 1 μm or more and 7 μm or less. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극부는 반원 형상의 제1 서브전극부 및 제2 서브전극부를 포함하며,
상기 제1 서브전극부 및 상기 제2 서브전극부는 분리되어 상호 이격되도록 배치되는, 픽셀 구조체.According to claim 1,
The second electrode portion includes a semi-circular first sub-electrode portion and a second sub-electrode portion,
The first sub-electrode portion and the second sub-electrode portion are separated and arranged to be spaced apart from each other. 제11항에 있어서,
상기 제1 전극부와 전기적으로 연결되는 구동 트랜지스터; 및
상기 제1 서브전극부 및 상기 제2 서브전극부와 각각 전기적으로 연결되는 전원 배선;
을 더 포함하는, 픽셀 구조체.The method of claim 11,
A driving transistor electrically connected to the first electrode part; And
Power wirings electrically connected to the first sub-electrode portion and the second sub-electrode portion, respectively;
Further comprising, a pixel structure. 제11항에 있어서,
상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부는 복수개로 구비되며,
상기 복수개의 제1 서브전극부를 연결하는 제1 전극 라인; 및
상기 복수개의 제2 서브전극부를 연결하는 제2 전극 라인;
을 더 포함하는, 픽셀 구조체.The method of claim 11,
The first electrode portion and the second electrode portion are provided in plural,
A first electrode line connecting the plurality of first sub-electrode parts; And
A second electrode line connecting the plurality of second sub-electrode parts;
Further comprising, a pixel structure. 제13항에 있어서,
상기 제1 서브전극부와 상기 제1 전극부 사이의 제1 이격 거리와 상기 제2 서브전극부와 상기 제1 전극부 사이의 제2 이격 거리가 서로 상이한, 픽셀 구조체.The method of claim 13,
A pixel structure in which a first separation distance between the first sub-electrode part and the first electrode part and a second separation distance between the second sub-electrode part and the first electrode part are different from each other. 제14항에 있어서,
상기 제1 이격 거리와 상기 제2 이격 거리가 1μm 이상 7μm 이하인, 픽셀 구조체.The method of claim 14,
A pixel structure in which the first separation distance and the second separation distance are 1 μm or more and 7 μm or less. 제11항에 있어서,
상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부 상에 위치하고, 타단은 상기 제1 서브전극부 또는 제2 서브전극부 상에 위치하는, 픽셀 구조체.The method of claim 11,
A pixel structure, wherein one end of each of the plurality of LED elements is located on the first electrode portion and the other end is located on the first sub-electrode portion or the second sub-electrode portion. 제16항에 있어서,
상기 복수개의 LED 소자 각각의 일단은 상기 제1 전극부와 직접 연결되고, 타단은 상기 제1 서브전극부 또는 상기 제2 서브전극부와 직접 연결되는, 픽셀 구조체.The method of claim 16,
One end of each of the plurality of LED elements is directly connected to the first electrode portion, the other end is directly connected to the first sub-electrode portion or the second sub-electrode portion, a pixel structure. 제1항, 제3항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 구조체와,
상기 픽셀 구조체에 연결된 구동 회로를 포함하는, 표시 장치.The pixel structure according to any one of claims 1, 3 to 17,
And a driving circuit connected to the pixel structure.
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