KR102090006B1 - Illumination system - Google Patents

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KR102090006B1
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Abstract

조명 시스템은, 측정 스테이지, 조사부, 수광부 및 처리부를 포함한다. 조사부는 측정 스테이지에 위치한 측정대상물에 대하여 각각 입사광들을 조사하며 돔 형태로 배치된 다수의 광원들을 포함한다. 수광부는 반사광들을 획득한다. 처리부는 광원들을 돔형 사인파 패턴에 따라 점등되도록 제어한다. 처리부는, 측정대상물의 특정 측정위치에 대하여, 광원들을 돔형 사인파 패턴에 따라 N번 시프트하면서 순차적으로 점등되도록 제어하고, N개의 반사광들의 강도로부터, 측정대상물의 특정 측정위치에서의 위상, N개의 반사광들의 강도의 평균 및 N개의 반사광들의 비저빌리티를 산출한다. 이에 따라, 측정대상물의 재질을 용이하게 판정할 수 있다.The illumination system includes a measurement stage, an irradiation unit, a light receiving unit, and a processing unit. The irradiation unit irradiates incident light with respect to the measurement object located on the measurement stage, and includes a plurality of light sources arranged in a dome shape. The light-receiving unit acquires reflected lights. The processing unit controls the light sources to be lit according to the domed sinusoidal pattern. The processing unit controls the light sources to be sequentially turned on by shifting N times according to a dome-shaped sine wave pattern with respect to a specific measurement position of the measurement object, and from the intensity of the N reflection lights, the phase at the specific measurement position of the measurement object, the N reflection lights The average of the intensity of the field and the visibility of the N reflected lights are calculated. Accordingly, the material to be measured can be easily determined.

Description

조명 시스템{ILLUMINATION SYSTEM}Lighting system {ILLUMINATION SYSTEM}

본 발명은 조명 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 물체의 재질 판정이 가능하도록 하는 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a lighting system, and more particularly, to a lighting system enabling material determination of an object.

일반적으로, 임의의 물체에 대한 재질을 인식하는 다양한 방법들이 연구되고 있다.In general, various methods of recognizing a material for an arbitrary object have been studied.

이러한 방법들은 물체에 입사파를 조사하여 되돌아오는 반사파를 측정하여 물체의 재질을 파악하는 방법 등과 같이, 대체로 물체의 내부 구조를 통하여 물체의 재질을 인식하는 방법을 채용하는 것이 일반적이다. These methods generally adopt a method of recognizing the material of the object through the internal structure of the object, such as a method of grasping the incident wave on the object and measuring the reflected wave returning to the material of the object.

그러나, 이러한 방식은 물체의 내부 구조를 파악해야 하므로, 이러한 방식은 재질 판정을 위한 시스템을 복잡하게 하고 그 제조 비용을 크게 증가시키며, 재질 판정 방식이 어려울 뿐만 아니라, 다양한 물체들에 대한 재질 판정에 한계가 있으며, 신뢰성이 확보되기 어려운 문제가 있다.However, since this method needs to grasp the internal structure of the object, this method complicates the system for material determination and greatly increases its manufacturing cost, and the material determination method is not only difficult, but also for material determination for various objects. There are limitations, and there is a problem that reliability cannot be secured.

따라서, 저비용으로 용이하고 정확하게 물체의 재질을 인식할 수 있는 재질인식 조명 시스템 및 재질인식 방법의 개발이 요청된다. Therefore, development of a material recognition lighting system and a material recognition method capable of easily and accurately recognizing an object's material at low cost is required.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 저비용으로 용이하고 정확하게 물체의 재질을 인식하기에 적합한 조명 시스템을 제공하는 것이다.Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a lighting system suitable for easily and accurately recognizing the material of an object at low cost.

본 발명의 예시적인 일 실시예에 따른 조명 시스템은, 측정 스테이지, 조사부, 수광부 및 처리부를 포함한다. 상기 측정 스테이지에는 측정대상물이 위치한다. 상기 조사부는 상기 측정대상물에 대하여 각각 입사광들을 조사하는 다수의 광원들을 포함하되, 상기 다수의 광원들은 상기 측정대상물의 상부를 돔 형태로 둘러싸도록 배치되어서 상기 측정대상물에 대한 다수의 방향들로부터의 입사광들이 상기 측정대상물을 향하여 선택적인 조사가 가능하다. 상기 수광부는 상기 조사부에 의해 조사된 상기 입사광들에 따른 상기 측정대상물에 의한 반사광들을 획득한다. 상기 처리부는 상기 광원들을 돔형 사인파 패턴(dome-shaped sine wave pattern)에 따라 점등되도록 제어한다. 상기 처리부는, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에 대하여, 상기 광원들을 상기 돔형 사인파 패턴에 따라 N번 시프트하면서 순차적으로 점등되도록 제어하고(N은 2 이상의 자연수), 상기 조사부는, 상기 순차적으로 점등되는 N개의 패턴광들을 생성하여 상기 측정대상물에 조사하며, 상기 수광부는, 상기 측정대상물에 조사되는 N개의 패턴광들의 N개의 반사광들을 수광한다. 상기 처리부는, 상기 N개의 반사광들의 강도(intensity)로부터, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에서의 위상, 상기 N개의 반사광들의 강도의 평균 및 상기 N개의 반사광들의 비저빌리티(visibility)를 산출한다.An illumination system according to an exemplary embodiment of the present invention includes a measurement stage, an irradiation unit, a light receiving unit, and a processing unit. The measurement object is located on the measurement stage. The irradiation unit includes a plurality of light sources for irradiating incident light with respect to the measurement object, respectively, and the plurality of light sources are arranged to surround an upper portion of the measurement object in a dome shape, so that incident light from multiple directions to the measurement object They can be selectively irradiated toward the measurement object. The light receiving unit acquires reflected light by the measurement object according to the incident lights irradiated by the irradiation unit. The processing unit controls the light sources to be lit according to a dome-shaped sine wave pattern. The processing unit controls the light sources to be sequentially turned on by shifting the light sources N times according to the dome-shaped sine wave pattern for a specific measurement position of the measurement object (N is a natural number of 2 or more), and the irradiation unit is sequentially lit N pattern lights are generated and irradiated to the measurement object, and the light receiving unit receives N reflected lights of N pattern lights irradiated to the measurement object. The processing unit calculates a phase at a specific measurement position of the measurement object, an average of the intensity of the N reflected lights, and the visibility of the N reflected lights from the intensity of the N reflected lights.

일 실시예로, 상기 처리부는, 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티를 기초로 상기 측정영역에 대한 이미지 데이터를 생성할 수 있다.In one embodiment, the processing unit may generate image data for the measurement region based on the calculated phase, the average, and the visibility.

일 실시예로, 상기 처리부는, 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티로부터 상기 측정대상물의 재질을 판정할 수 있다.In one embodiment, the processing unit may determine the material of the measurement object from the calculated phase, the average, and the visibility.

일 실시예로, 상기 조사부의 광원들은, 각각 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the light sources of the irradiation unit may each include a light emitting diode (LED).

일 실시예로, 상기 조사부는, 상기 측정대상물의 상부에 배치되어 상기 측정대상물의 주위를 커버하며, 상기 발광다이오드들이 설치된 조명커버를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the irradiation unit is disposed above the measurement object to cover the surroundings of the measurement object, and may further include an illumination cover in which the light emitting diodes are installed.

일 실시예로, 상기 조명커버는 돔(dome)의 적어도 일부를 포함하는 형상을 가질 수 있고, 상기 발광다이오드들은, 하부에서 관측할 때 서로 다른 직경을 갖는 링 형상으로 제공되어서 상기 돔의 적어도 일부를 포함하는 형상의 내부에 다수의 열(row)들로 형성될 수 있다.In one embodiment, the lighting cover may have a shape including at least a portion of the dome, and the light emitting diodes are provided in a ring shape having different diameters when viewed from below, such that at least a portion of the dome It may be formed of a number of rows (row) in the shape of the containing.

일 실시예로, 상기 조명커버는, 상기 측정대상물의 상부에 대응하여 형성된 개구부를 가질 수 있고, 상기 수광부는, 상기 개구부를 통하여 상기 측정대상물로부터 반사된 반사광을 수광하도록 배치될 수 있다.In one embodiment, the illumination cover, may have an opening formed corresponding to the upper portion of the measurement object, the light receiving unit, may be arranged to receive the reflected light reflected from the measurement object through the opening.

일 실시예로, 상기 조사부는, 상기 조명커버에 장착된 상기 발광다이오드들로부터 상기 측정대상물에 입사광을 제공하는 제1 조사부 및 상기 조명커버에 형성된 상기 개구부를 통하여 상기 측정대상물에 입사광을 제공하는 제2 조사부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the irradiation unit, the first irradiation unit for providing incident light from the light emitting diodes mounted on the lighting cover to the measurement object and the opening through the opening formed in the lighting cover to provide the incident light to the measurement object 2 may include an irradiation unit.

일 실시예로, 상기 다수의 광원들이 상기 측정대상물의 측정위치를 중심으로 구면좌표계 상의 (r, θ, φ) 좌표에 배치될 수 있다.In one embodiment, the plurality of light sources may be arranged at (r, θ, φ) coordinates on a spherical coordinate system centering on the measurement position of the measurement object.

예를 들면, 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 360도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성될 수 있다.For example, in the dome-shaped sine wave pattern, the r-coordinate is constant, and a sine wave may be formed on a hemisphere as the θ-coordinate changes from 0 to 360 degrees in a specific φ-coordinate within a range of 0 to 90 degrees. .

예를 들면, 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~360도의 범위 내의 특정 θ-좌표에서 φ-좌표가 0도에서 90도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성될 수 있다.For example, in the dome-shaped sine wave pattern, the r-coordinate is constant, and a sine wave may be formed on a hemisphere as the φ-coordinate in a specific θ-coordinate within a range of 0 to 360 degrees changes from 0 to 90 degrees. .

예를 들면, 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, -90~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 180도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성될 수 있다.For example, in the dome-shaped sine wave pattern, the r-coordinate is constant, and a sine wave may be formed on a hemisphere as the θ-coordinate changes from 0 to 180 degrees in a specific φ-coordinate within a range of -90 to 90 degrees. have.

본 발명에 따르면, 다수의 광원들을 이용하여 측정대상물에 대해 다수의 방향들로부터 입사광을 조사하고, 상기 광원들을 돔 상에서 형성되는 돔형 사인파 패턴에 따라 점등되도록 제어하여, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에서의 위상, 반사광들의 강도의 평균 및 반사광들의 비저빌리티(visibility)를 산출함으로써, 상기 측정대상물의 재질을 용이하게 판정할 수 있다.According to the present invention, by irradiating incident light from multiple directions to a measurement object using a plurality of light sources, and controlling the light sources to light according to a dome-shaped sine wave pattern formed on the dome, at a specific measurement position of the measurement object By calculating the phase, the average of the intensity of the reflected light and the visibility of the reflected light, the material of the measurement object can be easily determined.

또한, 종래의 평면형 사인파 패턴과는 다르게, 상기 돔형 사인파 패턴은 돔형의 반구면 상에 형성될 수 있으므로, 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 어느 한 측정위치에서의 측정값이 매우 정확할 뿐만 아니라, 각 측정위치에서의 절대적인 측정값이 매우 정확하므로, 측정위치들 각각의 사이에서의 관계도 매우 정확한 값을 가질 수 있다.In addition, unlike the conventional planar sinusoidal pattern, the domed sinusoidal pattern can be formed on a dome-shaped hemisphere, so the phase, the average and the visibility are very accurate at any measurement position. Rather, since the absolute measurement value at each measurement position is very accurate, the relationship between each of the measurement positions can also have a very accurate value.

따라서, 상기와 같이 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 재질 판정을 위한 이미지로 나타내지거나 가공되는 경우, 사용자가 용이하게 재질 판정에 활용할 수 있다.Therefore, when the phase, the average, and the visibility, which are calculated as described above, are represented or processed as an image for material determination, the user can easily utilize them for material determination.

또한, 재질 판정을 위해 반사광의 강도 분포를 직접 획득하지 않아도, 상기 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티의 정보만을 기초로 재질 판정이 가능할 수 있다.In addition, even if the intensity distribution of the reflected light is not directly obtained for material determination, the material determination may be possible based only on the information of the phase, the average, and the visibility.

또한, 상기 조명 시스템은, 상기와 같은 재질 판정 이외에도 표면의 상태 판정도 가능할 수 있고, 불량 판정 등에도 활용될 수 있다.In addition, the lighting system, in addition to the material determination as described above, may also be used to determine the state of the surface, it can also be utilized for defect determination.

또한, 상기와 같이 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 다양한 재질 판정의 기준, 표면의 상태 판정의 기준, 불량 판정의 기준 등을 사전에 기준 데이터로 설정하는 경우, 직접 처리부에서 재질 판정, 상태 판정, 불량 판정 등을 수행할 수 있으므로, 사용자의 편의성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the phase, the average, and the invisibility calculated as described above, when the criteria for various material determination, the criteria for determining the condition of the surface, the criteria for determining the defect, etc. are set as reference data in advance, the material is directly processed by the processing unit Since it is possible to perform the determination, the status determination, and the failure determination, it is possible to improve the user's convenience and reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 조명 시스템을 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1의 조명 시스템의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 도 1의 조명 시스템의 조명커버를 하부에서 관측한 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제1 실시예를 도시한 개념도이다.
도 5는 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제2 실시예를 도시한 개념도이다.
도 6은 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제3 실시예를 도시한 개념도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 측정대상물의 재질을 판정하는 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
1 is a conceptual diagram showing a lighting system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the operation of the lighting system of FIG. 1.
FIG. 3 is a plan view of the lighting system of FIG. 1 observed from the bottom.
4 is a conceptual diagram illustrating a first embodiment of a dome-shaped sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1.
5 is a conceptual diagram showing a second embodiment of the dome-shaped sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1.
6 is a conceptual diagram illustrating a third embodiment of the dome-shaped sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1.
7 is a graph for explaining a method of determining the material of a measurement object according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면에서, 층과 영역의 크기와 상대적 크기는 명확성을 위해 과장될 수도 있다. The present invention can be applied to various changes and may have various forms, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosure form, and it should be understood that all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, the first component may be referred to as a second component without departing from the scope of the present invention, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, terms such as “include” or “have” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, or that one or more other features or It should be understood that the existence or addition possibilities of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 조명 시스템을 나타낸 개념도이고, 도 2는 도 1의 조명 시스템의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing a lighting system according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a conceptual diagram for explaining the operation of the lighting system of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 조명 시스템(100)은 측정 스테이지(110), 조사부(120), 수광부(130) 및 처리부(140)를 포함한다.1 and 2, the lighting system 100 according to an embodiment of the present invention includes a measurement stage 110, an irradiation unit 120, a light receiving unit 130, and a processing unit 140.

상기 측정 스테이지(110)는 측정대상물(MT)이 위치한다. 상기 측정 스테이지(110)는 상방으로 오픈될 수 있다. 도 1에서, 상기 측정 스테이지(110)는 고정되어 있지만, 후술되는 처리부(140) 혹은 외부에서 제공되는 제어부 등에 의해 상기 측정대상물(MT)의 위치, 자세 등을 제어할 수도 있다.In the measurement stage 110, a measurement object MT is located. The measurement stage 110 may be opened upward. In FIG. 1, although the measurement stage 110 is fixed, the position, posture, and the like of the measurement object MT may be controlled by a processing unit 140 to be described later or a control unit provided from the outside.

상기 조사부(120)는 상기 측정대상물(MT)에 대하여 각각 입사광(IL)들을 조사하는 다수의 광원(LS)들을 포함한다. 상기 조사부(120)의 상기 다수의 광원(LS)들은 상기 측정대상물(MT)의 상부를 돔(dome) 형태로 둘러싸도록 배치되어서 상기 측정대상물(MT)에 대한 다수의 방향들로부터의 입사광(IL)들이 상기 측정대상물(MT)을 향하여 선택적인 조사가 가능하도록 한다. 한편, 상기 광원(LS)들은 서로 직렬(serial)로 연결될 수 있으며, 개별적으로 점등 제어가 가능할 수 있다.The irradiation unit 120 includes a plurality of light sources LS irradiating incident light IL to the measurement object MT, respectively. The plurality of light sources LS of the irradiation unit 120 are arranged to surround the upper part of the measurement object MT in a dome shape, so that incident light IL from multiple directions to the measurement object MT ) Allows selective irradiation toward the measurement object MT. Meanwhile, the light sources LS may be serially connected to each other, and lighting control may be individually possible.

상기 입사광(IL)들의 입사 방향은 상기 측정대상물(MT)에 대한 법선 방향에 대하여 경사진 입사각(θ)으로 나타낼 수 있다. 예를 들면, 상기 입사광(IL)들은 상방의 모든 방향에서 입사될 수 있고, 상기 입사광(IL)들은 경사각 0° 내지 90° 사이의 입사각(θ)으로 입사 방향을 나타낼 수 있다.The incident direction of the incident light IL may be represented by an incident angle θ inclined with respect to a normal direction to the measurement object MT. For example, the incident lights IL may be incident in all upward directions, and the incident lights IL may represent an incident direction with an incidence angle θ between 0 ° and 90 ° inclination angle.

예를 들면, 상기 조사부(120)의 광원(LS)들은, 각각 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 조사부(120)의 광원(LS)들은 다른 형태의 발광유닛을 포함할 수도 있다.For example, the light sources LS of the irradiation unit 120 may each include a light emitting diode (LED). Alternatively, the light sources LS of the irradiation unit 120 may include other types of light emitting units.

일 실시예로, 상기 조사부(120)는 조명커버(CV)를 더 포함할 수 있다. 상기 조명커버(CV)는, 상기 측정대상물(MT)의 상부에 배치되어 상기 측정대상물(MT)의 주위를 커버하며, 상기 발광다이오드들이 설치된다.In one embodiment, the irradiation unit 120 may further include an illumination cover (CV). The illumination cover CV is disposed on the measurement object MT, covers the periphery of the measurement object MT, and the light emitting diodes are installed.

예를 들면, 상기 발광다이오드들은 적색, 녹색 및 청색 발광다이오드 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 백색 발광다이오드일 수도 있다. 또한, 상기 발광다이오드들은 다른 컬러의 발광다이오드들이 상기 조명커버(CV)에 교호적으로 설치될 수도 있으며, 자체의 컬러가 변경되는 발광다이오드들이 설치될 수도 있다. 또한, 상기 발광다이오드들은, 고정된 밝기를 가질 수도 있고, 변화 가능한 밝기를 가질 수도 있다.For example, the light emitting diodes may include at least one of red, green, and blue light emitting diodes, and may be a white light emitting diode. In addition, the light-emitting diodes may be provided with light-emitting diodes of different colors alternately installed in the lighting cover CV, or light-emitting diodes having their own color changed. Further, the light emitting diodes may have a fixed brightness or may have a variable brightness.

도 3은 도 1의 조명 시스템의 조명커버를 하부에서 관측한 평면도이다.3 is a plan view of the lighting system of FIG. 1 observed from the bottom.

도 3을 참조하면, 일 실시예로, 상기 발광다이오드들은 서로 물리적 및 전기적으로 연결된 스트립 타입(strip type)으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 스트립 타입의 발광다이오드들은, 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 스트립으로 연결될 수 있다. 한편, 도 3에 도시된 발광다이오드들의 개수는 일 예로 설정된 것이며, 이보다 더 많거나 더 적을 수 있다. 또한, 후술되는 도 4 내지 도 12의 경우도 마찬가지이다.Referring to FIG. 3, in one embodiment, the light emitting diodes may be formed in a strip type physically and electrically connected to each other. That is, the strip-type light-emitting diodes may be connected to each other in a strip, as shown in FIG. 3. Meanwhile, the number of light emitting diodes illustrated in FIG. 3 is set as an example, and may be more or less than this. The same applies to the case of FIGS. 4 to 12 described later.

예를 들면, 상기 조명커버(CV)는 돔(dome)의 적어도 일부를 포함하는 형상을 가질 수 있고, 상기 스트립 타입의 발광다이오드들은, 도 3에서와 같이, 하부에서 관측할 때 서로 다른 직경을 갖는 링 형상으로 제공되어서 상기 돔의 적어도 일부를 포함하는 형상의 내부에 다수의 열(row)들(R1, R2, …, Rn-1, Rn)로 형성될 수 있다. 즉, 상기 스트립 타입의 발광다이오드들은, 복수의 링들이 서로 다른 직경을 갖고 차례로 열을 형성하며 배치될 수 있다.For example, the illumination cover CV may have a shape including at least a portion of a dome, and the strip-type light emitting diodes may have different diameters when viewed from below, as shown in FIG. 3. It may be provided in a ring shape having a plurality of rows (R1, R2, ..., Rn-1, Rn) inside the shape including at least a portion of the dome. That is, the strip-type light-emitting diodes, a plurality of rings having different diameters can be arranged in sequence to form a row.

상기와 같이 배열된 다수의 발광다이오드들은, 모두 직렬로 연결될 수도 있다. 그러나, 이 경우 상기 발광다이오드들의 점등을 제어할 때, 다소 시간지연이 발생하여 원하는 대로 제어가 되지 않을 수도 있으므로, 상기 발광다이오드들은 소정 개수의 그룹(group)들로 그룹화할 수 있다.The plurality of light emitting diodes arranged as described above may be connected in series. However, in this case, when controlling the lighting of the light-emitting diodes, a time delay may occur and may not be controlled as desired, so the light-emitting diodes may be grouped into a predetermined number of groups.

예를 들면, 상기 조명커버(CV)에 설치된 다수의 발광다이오드들은, 발광다이오드들의 개수 및/또는 배치에 따라 연결 상태를 조정할 수 있다. 즉, 상기 다수의 발광다이오드들은 소정 개수를 기준으로 복수의 채널(channel)들로 그룹화할 수 있고, 배치된 열을 기준으로 복수의 채널들로 그룹화할 수도 있으며, 개수와 배치된 열을 모두 고려하여 복수의 채널들로 그룹화할 수도 있다.For example, a plurality of light emitting diodes installed in the lighting cover CV may adjust a connection state according to the number and / or arrangement of light emitting diodes. That is, the plurality of light emitting diodes may be grouped into a plurality of channels based on a predetermined number, or may be grouped into a plurality of channels based on the arranged column, and both the number and the arranged column are considered. It can also be grouped into a plurality of channels.

예를 들면, 각 링을 형성하는 발광다이오드들은 동일한 열 내에서 서로 연결되면서, 후술되는 개구부(OP)에 가까운 열(예를 들면, R1)의 경우에는 발광다이오드들의 개수가 적게 형성되므로 상기 개구부(OP)에 가까운 열들에 대해서는 서로 다른 열들(예를 들면, R1과 R2)의 발광다이오드들끼리도 연결함으로써, 채널 별로 동일 혹은 유사한 개수로 그룹화하도록 할 수 있다. 이 경우, 필요하다면 동일한 열 내에서도 서로 연결이 되지 않도록 할 수도 있다. 후술되는 처리부(140)에서는, 이와 같이 복수의 채널(channel)들로 구분된 상기 발광다이오드들을 채널 별로 구분하여 독립적으로 점등을 제어할 수 있다. For example, the light emitting diodes forming each ring are connected to each other in the same column, and in the case of a column close to the opening OP described later (for example, R1), the number of light emitting diodes is formed so that the opening ( For the columns close to OP), light-emitting diodes of different columns (for example, R1 and R2) can also be connected to group the same or similar number for each channel. In this case, if necessary, it is also possible not to connect to each other even in the same row. In the processing unit 140 to be described later, the light-emitting diodes divided into a plurality of channels may be divided for each channel to independently control lighting.

한편, 상기 발광다이오드들에서 발생하는 열을 방열하기 위해, 상기 조명커버(CV)는 금속성, 예를 들면 알루미늄으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드들 사이의 연결선과 상기 조명커버(CV) 사이에는 전열본드 혹은 써멀본드(thermal bond)를 이용하여 접착함으로써, 상기 발광다이오드들이 견고하게 상기 조명커버(CV)에 설치하면서도 동시에 방열이 가능하도록 할 수 있다.Meanwhile, in order to dissipate heat generated by the light emitting diodes, the lighting cover CV may be formed of metallic, for example, aluminum. In addition, by attaching the connection line between the light emitting diodes and the lighting cover (CV) using an electric heat bond or a thermal bond, the light emitting diodes are firmly installed on the lighting cover (CV) while simultaneously radiating heat. You can make this possible.

일 실시예로, 상기 조명커버(CV)는, 상기 측정대상물(MT)의 상부에 대응하여 형성된 개구부(OP)를 가질 수 있다. 상기 개구부(OP)는 후술되는 수광부(130)에서 반사광(RL)을 수광하도록 개방된 통로로 활용될 수 있다. 또한, 상기 개구부(OP)는 후술되는 추가 조명(제2 조사부)에서 상기 측정대상물(MT)을 향하여 입사광을 조사하는 통로로 활용될 수 있다.In one embodiment, the lighting cover CV may have an opening OP formed corresponding to an upper portion of the measurement object MT. The opening OP may be used as an open passage to receive the reflected light RL from the light receiving unit 130 to be described later. In addition, the opening OP may be used as a path for irradiating incident light toward the measurement object MT in the additional illumination (second irradiation unit) described later.

일 실시예로, 상기 조사부(120)는 제1 조사부(122) 및 제2 조사부(124)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the irradiator 120 may include a first irradiator 122 and a second irradiator 124.

상기 제1 조사부(122)는 상기 조명커버(CV)에 장착된 상기 발광다이오드들로부터 상기 측정대상물(MT)에 입사광(IL1)을 제공한다.The first irradiation unit 122 provides incident light IL1 to the measurement object MT from the light emitting diodes mounted on the illumination cover CV.

상기 제2 조사부(124)는 상기 조명커버(CV)에 형성된 상기 개구부(OP)를 통하여 상기 측정대상물(MT)에 입사광(IL2)을 제공한다.The second irradiator 124 provides incident light IL2 to the measurement object MT through the opening OP formed in the illumination cover CV.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 조사부(122) 및 상기 제2 조사부(124) 모두 앞서 설명한 광원(LS)들로부터 생성된 광을 상기 측정대상물(MT)로 제공하며, 상기 제1 조사부(122)는 상기 조명커버(CV)에 장착되고, 상기 제2 조사부(124)는 일 예로 별도의 플레이트(PL)에 장착될 수 있다.As shown in FIG. 1, both the first irradiator 122 and the second irradiator 124 provide light generated from the light sources LS described above as the measurement object MT, and the first irradiator 122 is mounted on the lighting cover (CV), the second irradiation unit 124 may be mounted on a separate plate (PL) as an example.

일 실시예로, 상기 조명 시스템(100)은 빔분리부(150)를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the lighting system 100 may further include a beam splitter 150.

예를 들면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 조사부(124)는 상기 개구부(OP)의 상부에 배치될 수 있고, 상기 수광부(130)는 상기 개구부(OP)의 일측에 배치될 수 있다.For example, as illustrated in FIGS. 1 and 2, the second irradiator 124 may be disposed on the opening OP, and the light receiving unit 130 may be on one side of the opening OP. Can be deployed.

이 경우, 상기 빔분리부(150)는 상기 제2 조사부(124)에서 발생된 입사광(IL2)을 상기 측정대상물(MT)에 제공하도록 투과하고, 상기 측정대상물(MT)에 의한 반사광(RL)들을 상기 수광부(130)로 반사한다.In this case, the beam splitter 150 transmits the incident light IL2 generated from the second irradiator 124 to the measurement object MT, and the reflected light RL by the measurement object MT Reflect the light to the light receiving unit 130.

이에 따라, 상기 제2 조사부(124)의 광축과 동일한 광축 방향으로 반사되는 반사광을 상기 수광부(130)에서 효과적으로 수신할 수 있다.Accordingly, the reflected light reflected in the same optical axis direction as the optical axis of the second irradiation unit 124 can be effectively received by the light receiving unit 130.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 배치와는 다르게, 상기 제2 조사부(124)는 상기 개구부(OP)의 일측에 배치될 수 있고, 상기 수광부(130)는 상기 개구부(OP)의 상부에 배치될 수도 있다.Meanwhile, unlike the arrangements illustrated in FIGS. 1 and 2, the second irradiation unit 124 may be disposed on one side of the opening OP, and the light receiving unit 130 may be disposed on the upper portion of the opening OP. It may be deployed.

상기 제2 조사부(124)로부터 제공되는 입사광(IL2)은 상기한 빔분리부(150)에 의해 투과하는 과정을 거치므로, 상기 제1 조사부(122)로부터 제공되는 입사광(IL1)에 비해 광량의 손실이 발생할 수 있다. 또한, 상기 제2 조사부(124)의 광원들은 상기 제1 조사부(122)의 광원들보다 상기 측정대상물(MT)로부터 더 멀리 위치하므로, 상기 측정대상물(MT)에 도달하는 광량은, 상기 제2 조사부(124)가 상기 제1 조사부(122)보다 적을 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기 제2 조사부(124)의 광원들의 배치 밀도는 상기 제1 조사부의 광원들의 배치 밀도보다 크게 형성할 수 있으며, 이에 따라 손실되는 광량을 보상할 수 있다.Since the incident light IL2 provided from the second irradiation unit 124 passes through the above-described beam separation unit 150, the amount of light compared to the incident light IL1 provided from the first irradiation unit 122 Loss may occur. In addition, since the light sources of the second irradiation unit 124 are located farther from the measurement object MT than the light sources of the first irradiation unit 122, the amount of light reaching the measurement object MT is the second The irradiation unit 124 may be less than the first irradiation unit 122. Therefore, for example, the arrangement density of the light sources of the second irradiator 124 may be greater than the arrangement density of the light sources of the first irradiator, thereby compensating for the amount of light lost.

일 실시예로, 상기 조사부(120)는 디퓨저(diffuser)(DF)를 포함할 수 있다. In one embodiment, the irradiation unit 120 may include a diffuser (diffuser) (DF).

상기 디퓨저(DF)는 상기 광원(LS)들의 전방에 배치되며, 상기 광원(LS)들에서 발생된 광을 확산시킨다. 또한, 상기 디퓨저(diffuser)(DF)는 상기 조명커버(CV)에 대응되는 형상을 가진다. 따라서, 상기 디퓨저(DF)는 상기 조명커버(CV)의 개구부(OP)와 동일하게 개구부(OPD)가 형성될 수 있다. The diffuser DF is disposed in front of the light sources LS and diffuses light generated from the light sources LS. In addition, the diffuser (diffuser) (DF) has a shape corresponding to the lighting cover (CV). Accordingly, the diffuser DF may have an opening OPD in the same manner as the opening OP of the lighting cover CV.

상기 디퓨저(DF)는 상기 제1 조사부(122)의 광원(LS)들의 전방 및 상기 제2 조사부(124)의 광원(LS)들의 전방에 각각 배치될 수 있다.The diffuser DF may be disposed in front of the light sources LS of the first irradiation unit 122 and in front of the light sources LS of the second irradiation unit 124, respectively.

상기 수광부(130)는 상기 조사부(120)에 의해 조사된 상기 입사광들에 따른 상기 측정대상물(MT)에 의한 반사광(RL)들을 획득한다.The light receiving unit 130 acquires reflected light RL by the measurement object MT according to the incident lights irradiated by the irradiation unit 120.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 수광부(130)는, 상기 개구부(OP)를 통하여 상기 측정대상물(MT)로부터 반사된 반사광(RL)을 수광하도록 배치될 수 있으며, 상기 빔분리부(150)를 통해 상기 반사광(RL)을 수광할 수 있다.As described above, the light receiving unit 130 may be arranged to receive reflected light RL reflected from the measurement object MT through the opening OP, and through the beam separation unit 150 The reflected light RL can be received.

상기 수광부(130)는 다양한 신호패턴을 원하는 방식에 따라 해석하기 위해 수광 각도가 조절 가능하도록 설치될 수 있다. 또한, 상기 수광부(130)는 상기 빔분리부(150)의 설치 오차, 상기 디퓨저(DF)에 형성된 개구부(OPD)의 가공 오차, 상기 수광부(130) 자체의 크기 혹은 해상도의 다양성을 고려하여, 설치공차를 가질 수 있다.The light receiving unit 130 may be installed to adjust the light receiving angle in order to analyze various signal patterns according to a desired method. In addition, the light receiving unit 130, considering the installation error of the beam separation unit 150, the processing error of the opening (OPD) formed in the diffuser (DF), and the diversity of the size or resolution of the light receiving unit 130 itself, It can have installation tolerance.

일 실시예로, 상기 수광부(130)는 상기 입사광들이 상기 측정대상물(MT)에 의해 반사된 반사광(RL)들의 강도(intensity)를 측정할 수 있는 광센서를 포함할 수 있고, CCD 또는 CMOS 카메라와 같은 카메라를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 수광부(130)는, 상기 광센서 혹은 상기 카메라의 전방에 배치된 렌즈를 포함할 수 있다.In one embodiment, the light receiving unit 130 may include an optical sensor capable of measuring the intensity (intensity) of the reflected light (RL), the incident light is reflected by the measurement object (MT), CCD or CMOS camera It may include a camera such as. In addition, the light receiving unit 130 may include a lens disposed in front of the optical sensor or the camera.

상기 처리부(140)는 상기 광원(LS)들을 돔형 사인파 패턴(dome-shaped sine wave pattern)에 따라 점등되도록 제어하며, 상기 수광부(130)에서 획득된 반사광(RL)들로부터 이미지 데이터를 생성한다.The processing unit 140 controls the light sources LS to be lit according to a dome-shaped sine wave pattern, and generates image data from the reflected light RL acquired by the light receiving unit 130.

본 명세서에서, 상기 돔형 사인파 패턴은 돔이 형성하는 곡면 상에서 형성되는 사인파 패턴으로 정의된다. 상기 돔형 사인파 패턴은 광학적 측정 및 검사 분야에서 주로 활용되는 사인파 패턴이 평면형으로 형성되는 것과는 다르게, 곡면형으로 형성된다. 종래의 사인파 패턴은 평면 직교좌표계 상에서 관측할 때, x-축으로 사인파를 형성하면서 y-축으로는 이러한 사인파가 그대로 확장 및 연장되는 격자패턴을 갖는다. 반면, 상기 돔형 사인파 패턴은 돔형의 곡면(예를 들면, 반구면)을 따라 상기와 같은 격자패턴이 적용된 개념이라 할 수 있다. 상기 돔형 사인파 패턴의 구체적인 예들은 후술한다.In this specification, the dome-shaped sine wave pattern is defined as a sine wave pattern formed on a curved surface formed by the dome. The dome-shaped sine wave pattern is formed in a curved shape, unlike a sine wave pattern mainly used in the field of optical measurement and inspection, which is formed in a planar shape. The conventional sine wave pattern has a lattice pattern in which the sine wave extends and extends as it is in the y-axis while forming a sine wave in the x-axis when observed on a planar rectangular coordinate system. On the other hand, the domed sinusoidal pattern may be referred to as a concept in which the above-described grid pattern is applied along a domed curved surface (eg, a hemispherical surface). Specific examples of the domed sinusoidal pattern will be described later.

상기 처리부(140)는 상기 광원(LS)들을 직렬 통신 방식으로 제어할 수 있다. 상기 처리부(140)는 외부에서 제공되는, 컴퓨터와 같은 제어장치를 통해 사용자의 입력 및 제어를 수행할 수 있다.The processing unit 140 may control the light sources LS in a serial communication method. The processing unit 140 may perform input and control of a user through a control device, such as a computer, provided externally.

상기 광원(LS)들은, 앞서 설명한 바와 같이, 각각 서로 직렬로 연결된 복수의 채널들로 이루어질 수 있고, 상기 처리부(140)는, 서로 직렬로 연결된 채널 별로 상기 광원(LS)들의 점등을 제어할 수 있다. 즉, 상기 광원(LS)들은 데이터의 전송을 위한 연결 구조가 직렬로 형성되어서, 직렬 통신 방식에 의해 상기 광원(LS)들의 개별적 제어가 가능할 수 있다.As described above, the light sources LS may be formed of a plurality of channels connected to each other in series, and the processing unit 140 may control lighting of the light sources LS for each channel connected in series with each other. have. That is, since the connection structures for transmitting data are serially formed, the light sources LS may be individually controlled by the light sources LS by a serial communication method.

상기 광원(LS)들, 예를 들면 다수의 발광다이오드들은, 병렬 통신 방식에 의할 때 부분적 혹은 영역별 제어를 위해 다수의 섹션들로 나누어 제어할 수 있지만, 보다 다양한 형태의 자유로운 조명을 구현하기 위해서는 상기 섹션들의 크기를 작게 설정한 후 상기 섹션들의 개수만큼 제어장치에 연결되어야 하므로 이에 따른 다수의 배선들이 필요하고, 각 섹션의 밝기를 조절하기 위해서는 비교적 높은 전류로 신속한 제어가 요구되므로, 이에 따라 조명장치 및 그 제어장치의 구조가 복잡해지고 제조비용이 증가될 수 있으며, 섹션별 제어의 관점에서 제어의 자유도가 낮으므로 다양한 조명의 형태를 구현하는 것이 어려울 수 있다.The light sources LS, for example, a plurality of light emitting diodes, can be divided into and controlled by a plurality of sections for partial or area control when using a parallel communication method, but to implement more various types of free lighting In order to set the size of the sections small, the number of sections must be connected to the control device, and thus a plurality of wirings are required. In order to adjust the brightness of each section, rapid control with a relatively high current is required. The structure of the lighting device and its control device can be complicated and the manufacturing cost can be increased, and since the degree of freedom of control is low in terms of control for each section, it may be difficult to implement various types of lighting.

그러나, 상기 조사부(120)와 같이 직렬 통신 방식을 따르는 경우, 데이터 전송을 위한 직렬로 형성된 연결 구조를 가져서 상기 광원(LS)들을 개별적으로 제어할 수 있으므로 자유롭게 조명의 형태를 구현할 수 있다. 이러한 직렬 통신 방식을 구현하기 위해서, 래치(latch)와 같은 직렬 통신을 가능하게 하는 회로를 포함할 수 있고, 상기 광원(LS)들의 밝기를 조절할 수 있는 펄스폭변조(pulse width modulation; PWM), DA 컨버터 등과 같은 제어 회로를 포함할 수 있다.However, in the case of following the serial communication method, such as the irradiation unit 120, since the light sources LS can be individually controlled by having a serially formed connection structure for data transmission, lighting can be freely implemented. In order to implement such a serial communication method, a pulse width modulation (PWM) that may include a circuit that enables serial communication such as a latch, and which can control the brightness of the light sources LS, It may include a control circuit such as a DA converter.

한편, 앞서 설명한 바와 같이, 다수의 광원(LS)들을 모두 직렬로 연결하는 경우, 각 광원(LS)의 점등, 밝기 등을 일괄로 제어해야 될 수 있고, 이에 따라 다소 시간지연이 발생할 수 있으므로, 상기 광원(LS)들을 소정 개수의 그룹들 혹은 채널들로 그룹화하고 각각의 채널은 병렬적으로 제어하여 시간지연을 방지할 수 있다.Meanwhile, as described above, when a plurality of light sources LS are all connected in series, lighting and brightness of each light source LS may need to be collectively controlled, and accordingly, time delay may occur. The light sources LS may be grouped into a predetermined number of groups or channels, and each channel may be controlled in parallel to prevent time delay.

상기 조사부(120)는, 상기 측정대상물(MT)을 기준으로 거의 모든 방향에서 광을 조사할 수 있는 구조를 가지므로, 상기 처리부(140)는 다양한 형태의 돔형 사인파 패턴에 따라 상기 광원(LS)들이 점등되도록 제어할 수 있다.Since the irradiator 120 has a structure capable of irradiating light in almost all directions based on the measurement object MT, the processing unit 140 is the light source LS according to various types of domed sinusoidal patterns Can be controlled so that they light up.

예를 들면, 상기 돔형 사인파 패턴은 돔이 형성하는 곡면 상에서 다양한 파장 및 진폭을 가질 수 있고, 적어도 둘 이상의 돔형 사인파 패턴들이 합성된 패턴을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 돔형 사인파 패턴은 상기 돔 형태로 배치된 다수의 광원들의 배치 위치에 따라 다양한 방식으로 강도(intensity) 및 점등이 제어될 수 있다.For example, the domed sine wave pattern may have various wavelengths and amplitudes on a curved surface formed by the dome, and may include a pattern in which at least two domed sinusoidal patterns are synthesized. In addition, the dome-shaped sine wave pattern may be controlled in intensity and lighting in various ways according to the arrangement positions of a plurality of light sources arranged in the dome shape.

도 4는 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제1 실시예를 도시한 개념도이고, 도 5는 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제2 실시예를 도시한 개념도이다.FIG. 4 is a conceptual diagram showing a first embodiment of a dome type sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a conceptual diagram showing a second embodiment of a dome type sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 다수의 광원(LS)들이 상기 측정대상물의 측정위치를 중심으로 구면좌표계(spherical coordinate system) 상에 배치되어 있다고 가정할 때(도 4 및 도 5에서는 편의상 하나의 광원만을 도시함), 상기 광원(LS)들은 (r, θ, φ)로 좌표를 표현할 수 있다. 이때, 상기 돔 형태가 반구 형태인 경우 상기 광원(LS)들의 r-좌표는 모두 동일하다. 또한 상기 구면좌표계에서, 상기 측정 스테이지(110)가 존재하는 평면은 φ=0인 면에 해당하고, 상기 광원(LS)들이 존재하는 돔 형태의 영역은 대체로 θ=0~360도, φ=0~90도 (또는 θ=0~180도, φ=0~180도)이다.4 and 5, it is assumed that the plurality of light sources LS are arranged on a spherical coordinate system centered on the measurement position of the measurement object (one for convenience in FIGS. 4 and 5). ), And the light sources LS can express coordinates with (r, θ, φ). At this time, when the dome shape is a hemispherical shape, the r-coordinates of the light sources LS are all the same. In addition, in the spherical coordinate system, a plane in which the measurement stage 110 is present corresponds to a surface of φ = 0, and a dome-shaped region in which the light sources LS are present is generally θ = 0 to 360 degrees, φ = 0. It is ~ 90 degrees (or θ = 0 to 180 degrees, φ = 0 to 180 degrees).

제1 실시예로 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 360도(혹은 -180도에서 180도)로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파를 형성할 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 점선으로 도시된 위치에서 사인파의 골이 위치하도록 상기 돔형 사인파 패턴을 형성할 수 있다. 이 경우 상기 돔형 사인파 패턴은 위에서 관측한 수박 줄무늬 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 이와는 다르게, 제2 실시예로 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~360도의 범위 내의 특정 θ-좌표에서 φ-좌표가 0도에서 90도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파를 형성할 수도 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 점선으로 도시된 위치에서 사인파의 골이 위치하도록 상기 돔형 사인파 패턴을 형성할 수 있다. 이 경우 상기 돔형 사인파 패턴은 상부에서 관측 시 서로 다른 반경의 고리 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 한편 도 5의 강도 그래프에서는, 편의상 φ-좌표를 반대로 표현하고 있다.In the first embodiment, in the dome-shaped sine wave pattern, r-coordinates are constant, and θ-coordinates change from 0 to 360 degrees (or -180 to 180 degrees) in a specific φ-coordinate within a range of 0 to 90 degrees Accordingly, a sine wave can be formed on the hemisphere. That is, as shown in FIG. 4, the dome-shaped sine wave pattern may be formed such that the sine wave valley is positioned at the position indicated by the dotted line. In this case, the dome-shaped sine wave pattern may form a pattern of watermelon stripes observed from above. Alternatively, in the second embodiment, in the dome-shaped sine wave pattern, the r-coordinate is constant, and the φ-coordinate in a specific θ-coordinate within a range of 0 to 360 degrees changes from 0 to 90 degrees to cause a sine wave on the hemispherical surface. It can also form. That is, as shown in FIG. 5, the dome-shaped sine wave pattern may be formed such that the sine wave valley is positioned at the position indicated by the dotted line. In this case, the dome-shaped sine wave pattern may form a ring-shaped pattern of different radii when viewed from the top. On the other hand, in the intensity graph of Fig. 5, for convenience, phi-coordinates are expressed in reverse.

도 6은 도 1에 도시된 조명 시스템의 돔형 사인파 패턴의 제3 실시예를 도시한 개념도이다.6 is a conceptual diagram illustrating a third embodiment of the dome-shaped sine wave pattern of the lighting system shown in FIG. 1.

도 6을 참조하면, 도 4 및 도 5의 구면좌표계와는 다르게, 상기 측정 스테이지(110)가 존재하는 평면은 θ=0인 면에 해당하고, 상기 광원(LS)들이 존재하는 돔 형태의 영역은 대체로 θ=0~180도, φ=-90~90도이다.Referring to FIG. 6, unlike the spherical coordinate system of FIGS. 4 and 5, a plane in which the measurement stage 110 is present corresponds to a surface of θ = 0, and a dome-shaped region in which the light sources LS are present Is generally θ = 0 to 180 degrees, and φ = -90 to 90 degrees.

제3 실시예로 상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, -90~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 180도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파를 형성할 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 점선으로 도시된 위치에서 사인파의 골이 위치하도록 상기 돔형 사인파 패턴을 형성할 수 있다(반구면 위의 점선은 교대로 위치하는 마루와 골에 해당함). 이 경우 상기 돔형 사인파 패턴은 옆에서 관측한 수박 줄무늬 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 한편 도 6의 강도 그래프에서는, 편의상 θ-좌표를 반대로 표현하고 있다.In the third embodiment, the dome-shaped sine wave pattern has a constant r-coordinate and forms a sine wave on a hemisphere as the θ-coordinate in a specific φ-coordinate within a range of -90 to 90 degrees changes from 0 to 180 degrees. You can. That is, as shown in FIG. 6, the dome-shaped sine wave pattern may be formed such that the sine wave valley is positioned at the position indicated by the dotted line (the dotted line on the hemisphere corresponds to the alternately located floor and valley). In this case, the dome-shaped sine wave pattern may form a watermelon stripe pattern observed from the side. On the other hand, in the intensity graph of Fig. 6, θ-coordinates are expressed in reverse for convenience.

상기 처리부(140)는 상기와 같은 다양한 방식에 의해 생성된 돔형 사인파 패턴의 입사광(IL)에 의한 반사광(RL)들로부터 재질 판정에 필요한 데이터를 생성할 수 있다. 이때, 상기 처리부(140)는 상기 돔형 사인파 패턴에 따른 입사광을 다음과 같은 방식에 의해 상기 재질 판정에 필요한 데이터를 획득할 수 있다.The processing unit 140 may generate data necessary for material determination from reflected light RL by incident light IL of a dome-shaped sine wave pattern generated by various methods as described above. At this time, the processing unit 140 may acquire data required for the material determination by the following method for incident light according to the dome-shaped sine wave pattern.

먼저, 상기 처리부(140)는 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치에 대하여, 상기 광원들을 사인파 패턴에 따라 N번 시프트하면서 순차적으로 점등되도록 제어하고(N은 2 이상의 자연수), 상기 조사부(120)는 상기 순차적으로 점등되는 N개의 패턴광들을 생성하여 상기 측정대상물(MT)에 조사하고, 상기 수광부(130)는 상기 측정대상물(MT)에 조사되는 N개의 패턴광들의 N개의 반사광들을 수광한다.First, the processing unit 140 controls the light sources to be sequentially turned on by shifting the light sources N times according to a sine wave pattern for a specific measurement position of the measurement object MT (N is a natural number of 2 or more), and the irradiation unit 120 ) Generates the N pattern lights that are sequentially lit, and irradiates the measurement object MT, and the light receiving unit 130 receives N reflected lights of the N pattern lights that are irradiated to the measurement object MT. .

이어서, 상기 처리부(140)는 상기 N개의 반사광(RL)들의 강도(intensity)로부터, 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치에서의 위상, 상기 N개의 반사광(RL)들의 강도의 평균 및 상기 N개의 반사광(RL)들의 비저빌리티(visibility)를 산출할 수 있다.Subsequently, the processing unit 140, from the intensity of the N reflected lights RL, a phase at a specific measurement position of the measurement object MT, an average of the intensity of the N reflected lights RL, and the N Visibility of the reflected light RL may be calculated.

예를 들면, 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는 다음과 같은 방식을 적용하여 산출할 수 있다.For example, the phase, the average, and the visibility can be calculated by applying the following method.

위상Phase

상기 사인파 패턴을 N번 시프트(shift)를 적용하고, 이에 따른 입사광(IL)에 의한 반사광(RL)들의 인텐시티(intensity)를 정보로부터 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치에서의 위상을 획득할 수 있다.N-shift is applied to the sine wave pattern, and the intensity of the reflected lights RL by the incident light IL is obtained from the information, thereby obtaining a phase at a specific measurement position of the measurement object MT. You can.

예를 들면, N=4번의 시프트를 적용하는 4-버켓 알고리즘(bucket algorithm)을 적용하는 경우에 다음과 같이 위상을 구할 수 있다.For example, in the case of applying a 4-bucket algorithm that applies N = 4 shifts, the phase can be obtained as follows.

먼저, 사인파를 상기 측정대상물(MT)에 조사하여 상기 수광부(130)에서 수신된 상기 반사광(RL)의 강도(intensity)(I)는 아래의 수학식 1과 같은 모아레 간섭무늬의 지배방정식으로 표현된다.First, the intensity (I) of the reflected light RL received from the light receiving unit 130 by irradiating a sine wave to the measurement object MT is expressed by a dominant equation of a moire interference pattern as shown in Equation 1 below. do.

Figure 112018077445381-pat00001
Figure 112018077445381-pat00001

이 식에서, IP는 상기 반사광(RL)의 강도, I0(x,y)는 평균강도, γ는 비저빌리티(visibility), φ(x,y)는 측정하고자 하는 초기위상, Δ는 위상이동량을 의미한다. 또한, (x,y)는 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치를 표현한 것으로, 상기 특정 측정위치를 나타내는 좌표계에 따라 다르게 표현될 수도 있다.In this equation, I P is the intensity of the reflected light (RL), I 0 (x, y) is the average intensity, γ is the visibility (visibility), φ (x, y) is the initial phase to be measured, Δ is the phase shift amount Means Further, (x, y) represents a specific measurement position of the measurement object MT, and may be differently expressed according to a coordinate system indicating the specific measurement position.

수학식 1에서 상기 반사광(RL)의 강도는 초기위상(φ)의 함수이므로, 상기 반사광(RL)의 강도를 측정하여 상기 초기위상(φ)을 구할 수 있다.In Equation 1, since the intensity of the reflected light RL is a function of the initial phase φ, the intensity of the reflected light RL can be measured to obtain the initial phase φ.

구체적으로, 상기 수학식 1의 위상이동량(Δ)에 0, π/2, π, 3π/2 라디안을 각각 대입하여 I1, I2, I3, I4를 구하면, 아래의 수학식 2 내지 5로 표현된다.Specifically, by substituting 0, π / 2, π, and 3π / 2 radians for the phase shift amount Δ of Equation 1, respectively, to obtain I 1 , I 2 , I 3 , I 4 , the following Equations 2 to It is expressed as 5.

Figure 112018077445381-pat00002
Figure 112018077445381-pat00002

Figure 112018077445381-pat00003
Figure 112018077445381-pat00003

Figure 112018077445381-pat00004
Figure 112018077445381-pat00004

Figure 112018077445381-pat00005
Figure 112018077445381-pat00005

수학식 2 내지 5로부터, 아래의 수학식 6을 얻을 수 있다.From Equations 2 to 5, Equation 6 below can be obtained.

Figure 112018077445381-pat00006
Figure 112018077445381-pat00006

상기 수학식 6을 다시 쓰면 아래의 수학식 7을 얻을 수 있다.If Equation 6 is rewritten, Equation 7 below can be obtained.

Figure 112018077445381-pat00007
Figure 112018077445381-pat00007

상기 획득된 초기위상(φ)을 위상으로 칭하기로 하며, 상기 위상은 상기 측정대상물(MT)의 표면의 특정위치 (x,y)에서의 기울기를 나타낼 수 있다. 이때 위상을 구하는 방식은 종래의 디플렉토메트리(deflectometry, 편향법) 방식과 유사하지만, 종래의 평면형으로 형성되는 사인파 패턴은 평면에서 조사되므로 위상이 기울기를 대변하지 못하는 반면, 본 발명의 돔형 사인파 패턴은 곡면에서 조사되므로 위상이 기울기를 대변할 수 있다. The obtained initial phase φ will be referred to as a phase, and the phase may represent a slope at a specific position (x, y) of the surface of the measurement object MT. At this time, the method of obtaining the phase is similar to the conventional deflectometry (deflectometry) method, but the sine wave pattern formed in the conventional planar shape is irradiated from the plane, so that the phase does not represent the slope, whereas the domed sine wave of the present invention Since the pattern is irradiated on the curved surface, the phase can represent the slope.

상기 수광부(130)가 도 1에 도시된 바와 같이 수직 상방에 위치하는 경우, 상기 측정대상물(MT)의 특정위치에서 기울어진 표면은 적어도 대략 -45° 내지 45° 범위 내에 있어야 상기 수광부(130)에서 측정이 가능하므로, 측정 가능한 기울기 범위는 대략 -45° 내지 45°이다. 이때, 상기 측정 스테이지(110)의 위치, 상기 측정 스테이지(110)로부터 이격된 상기 측정대상물(MT)의 표면의 위치, 상기 조명(LS)들 중 가장 아래에 배치된 조명들 등과의 사이의 기하학적 배치 관계에 따라, 상기 기울기 범위는 다소 달라질 수 있지만, 이는 무시 가능하거나 간단히 보정 가능하다.When the light receiving unit 130 is positioned vertically upward as shown in FIG. 1, a surface inclined at a specific position of the measurement object MT should be within at least approximately -45 ° to 45 °, so that the light receiving unit 130 Since the measurement is possible, the measurable tilt range is approximately -45 ° to 45 °. At this time, the geometry between the position of the measurement stage 110, the position of the surface of the measurement object MT spaced apart from the measurement stage 110, the lights disposed at the bottom of the lights LS, etc. Depending on the placement relationship, the tilt range may vary somewhat, but it is negligible or simply correctable.

평균Average

예를 들면, N=4번의 시프트를 적용하는 4 버켓 알고리즘을 적용하는 경우에 다음과 같이 평균을 구할 수 있다.For example, in the case of applying a four-bucket algorithm that applies N = 4 shifts, the average can be calculated as follows.

상기 수학식 2 내지 5에서 얻어진 I1 내지 I4를 단순히 산술평균하면 수학식 8을 얻을 수 있다.Equation 8 can be obtained simply by arithmetic average of I 1 to I 4 obtained in Equations 2 to 5.

Figure 112018077445381-pat00008
Figure 112018077445381-pat00008

이 식에서, A(x,y)는 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치 (x,y)에서 측정된 4개의 강도 데이터의 평균을 의미한다.In this equation, A (x, y) means the average of four intensity data measured at a specific measurement position (x, y) of the measurement object MT.

비저빌리티Visibility

상기 비저빌리티는 진폭 B(x,y)의 평균 A(x,y)에 대한 비를 의미한다.The visibility refers to the ratio of the amplitude B (x, y) to the average A (x, y).

예를 들면, N=4번의 시프트를 적용하는 4-버켓 알고리즘을 적용하는 경우에 다음과 같이 비저빌리티를 구할 수 있다.For example, in the case of applying a 4-bucket algorithm that applies N = 4 shifts, the visibility can be obtained as follows.

Figure 112018077445381-pat00009
Figure 112018077445381-pat00009

이 식에서, V(x,y)는 상기 측정대상물(MT)의 특정 측정위치 (x,y)에서 측정된 4개의 강도 데이터의 비저빌리티이며, B(x,y) 및 A(x,y)는 각각 상기 4개의 강도 데이터의 진폭 및 평균을 의미한다.In this equation, V (x, y) is the visibility of four intensity data measured at a specific measurement position (x, y) of the measurement object MT, and B (x, y) and A (x, y) Denotes the amplitude and average of each of the four intensity data.

상기와 같이 위상, 평균 및 비저빌리티를 구하는 방식은 종래의 디플렉토메트리 방식과 유사하지만, 종래의 디플렉토메트리 방식의 경우 측정대상물의 표면의 상태, 즉 측정대상물의 표면의 기울기, 표면의 형상, 표면 스크래치 등의 파악을 위해 사용되어 왔을 뿐, 본 발명과 같이 재질 판정을 위해 사용되지 못해 왔다. 종래의 조명장치의 경우 상부를 완전히 혹은 적절히 커버하지 못하고 매우 제한된 범위를 평면적으로 커버하는 엘시디(LCD) 모니터와 같은 디스플레이 장치 혹은 격자이송장치를 활용하여 평면형으로 형성되는 사인파 패턴광을 구현해 왔기 때문이다. 이와 같이, 제한된 범위에서 평면형 사인파 패턴광을 조사하는 종래의 디플렉토메트리 방식에 의하면, 패턴광원이 배치된 특정 위치에서 측정대상물에 대해 특정 각도로 조사하는 광에 대해서만 카메라가 배치된 특정 위치에서 측정대상물에 대해 특정 각도로 반사되는 반사광을 수광하게 된다. 따라서, 어느 한 측정위치에서 측정된 이미지로 그 지점의 위상을 측정함으로써 해당 지점의 높이를 측정하는 것은 가능하지만, 다수의 측정위치들에서 측정된 이미지들 사이의 밝기의 차이가 발생할 수 있으므로, 측정위치들 사이의 상대적 관계는 정확하지 않다..As described above, the method of obtaining the phase, average, and visibility is similar to that of the conventional diflectometry method, but in the case of the conventional diplexometry method, the state of the surface of the measurement object, that is, the slope of the surface of the measurement object, of the surface It has been used only for grasping shape, surface scratches, etc., and has not been used for material determination as in the present invention. This is because a conventional lighting device has implemented a sine wave pattern light formed in a planar shape by using a display device such as an LCD monitor or a grid transfer device that does not completely or adequately cover the upper portion and covers a very limited range flatly. . As described above, according to the conventional deflexometry method of irradiating a planar sine wave pattern light in a limited range, a specific position where the camera is disposed only for light irradiated at a specific angle to a measurement object at a specific position where the pattern light source is disposed The reflected light reflected at a specific angle with respect to the measurement object is received. Therefore, it is possible to measure the height of the point by measuring the phase of the point with the image measured at one measurement position, but the difference in brightness between the images measured at multiple measurement positions may occur, so The relative relationship between locations is not accurate.

그러나, 본 실시예의 상기 조사부(120)에서는, 상기 다수의 광원(LS)들이 상기 측정대상물(MT)의 상부를 돔(dome) 형태로 둘러싸도록 배치되며, 서로 직렬(serial)로 연결되어 개별적으로 점등 제어가 가능할 수 있으므로, 상기 측정대상물(MT)에 대한 훨씬 넓은 범위의 방향들(거의 상방 전방향)로부터의 입사광(IL)들이 상기 측정대상물(MT)을 향하여 사인파 패턴을 동일한 거리(반구의 반경)로 조사하고 동일한 거리에 위치한 상기 수광부(130)에서 수광하므로, 특정 측정위치에서의 절대적인 반사광의 강도가 매우 정확하게 획득될 수 있으며, 다수의 측정위치들 사이의 상대적 관계가 매우 정확하므로, 측정위치 별 상대적 관계가 필요한 측정위치 별 반사율 등은 매우 정확하게 측정될 수 있다.However, in the irradiation unit 120 of the present embodiment, the plurality of light sources LS are arranged to surround the upper part of the measurement object MT in the form of a dome, and are individually connected in series with each other. Since lighting control may be possible, incident light ILs from a much wider range of directions to the measurement object MT (almost upward in all directions) move the sine wave pattern toward the measurement object MT at the same distance (hemisphere) Radius) and receiving light from the light receiving unit 130 located at the same distance, the intensity of the absolute reflected light at a specific measurement position can be obtained very accurately, and since the relative relationship between multiple measurement positions is very accurate, measurement The reflectance for each measurement position, which requires a relative relationship for each position, can be measured very accurately.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 측정대상물의 재질을 판정하는 방법을 설명하기 위한 그래프이다. 도 7의 그래프는, 임의의 재질을 갖는 물체가 갖는 반사광의 강도 분포를 나타내며, 수직 상방에서 광을 조사한 경우에 대한 예를 나타낸다.7 is a graph for explaining a method of determining the material of a measurement object according to an embodiment of the present invention. The graph of FIG. 7 shows the intensity distribution of reflected light of an object having an arbitrary material, and shows an example of the case where light is irradiated from above vertically.

도 7을 참조하면, 임의의 재질을 갖는 물체에 대해 상기 반사광들의 방향별 강도분포를 측정하면, 상기 반사광들의 방향별 강도분포는 경면(specular) 반사광의 제1 강도분포(ID1) 및 확산(diffuse) 반사광의 제2 강도분포(ID2)로 나타날 수 있다.Referring to FIG. 7, when an intensity distribution for each direction of the reflected lights is measured for an object having an arbitrary material, the intensity distribution for each direction of the reflected lights is the first intensity distribution (ID1) and diffusion of specular reflected light. ) It can be represented by the second intensity distribution (ID2) of the reflected light.

이때, 상기 제1 강도분포(ID1)의 반사각(RA)은 상기 제1 강도분포(ID1)의 대칭축이 수직 상방에 대해 기울어진 각도를 나타내는 파라미터로, 이는 상기 측정으로 획득된 위상에 대응된다.At this time, the reflection angle RA of the first intensity distribution ID1 is a parameter indicating the angle at which the axis of symmetry of the first intensity distribution ID1 is inclined relative to the vertical upward direction, which corresponds to the phase obtained by the measurement.

또한, 상기 제1 강도분포(ID1) 및 상기 제2 강도분포(ID2)의 전체 면적(AR=AR1+AR2)은 상기 제1 강도분포(ID1)와 상기 제2 강도분포(ID2)가 차지하는 총 면적을 나타내는 파라미터로, 이는 총반사율로서 상기 측정으로 획득된 상기 반사광(RL)들의 강도의 평균에 대응된다.In addition, the total area (AR = AR1 + AR2) of the first intensity distribution ID1 and the second intensity distribution ID2 is the total of the first intensity distribution ID1 and the second intensity distribution ID2. A parameter representing an area, which corresponds to the average of the intensity of the reflected lights RL obtained by the measurement as the total reflectance.

또한, 상기 제1 강도분포(ID1)의 퍼짐각(FA)은 상기 가늘고 긴 꼭지 형태 형태의 폭(도 2 참조)을 나타내는 파라미터로, 이는 거칠기 혹은 반짝임 정도로서 상기 측정으로 획득된 측정대상물(MT)의 비저빌리티에 대응된다.In addition, the spread angle FA of the first intensity distribution ID1 is a parameter representing the width of the elongated tap shape (see FIG. 2), which is the degree of roughness or glitter, and the measurement object MT obtained by the measurement. Corresponds to its visibility.

상기 파라미터들은 물체의 재질에 따라 상이한 경향을 나타내므로, 상기 파라미터들 중 적어도 하나의 파라미터를 기초로 상기 측정대상물(MT)의 재질을 판정할 수 있다.Since the parameters have different tendencies depending on the material of the object, it is possible to determine the material of the measurement object MT based on at least one of the parameters.

일 예로, 상기 제1 강도분포(ID1) 및 상기 제2 강도분포(ID2)의 전체 면적으로부터 획득된 상기 측정대상물(MT)의 총 반사율이 대략 40% 이상이고, 상기 제2 강도분포(ID2)의 면적(AR2)이 매우 작아서 상기 측정대상물(MT)의 확산 반사율이 기준값 이하로 되는 경우, 상기 측정대상물(MT)은 금속 재질로 판정할 수 있다.For example, the total reflectance of the measurement object MT obtained from the entire area of the first intensity distribution ID1 and the second intensity distribution ID2 is approximately 40% or more, and the second intensity distribution ID2 If the area AR2 is very small and the diffuse reflectance of the measurement object MT is below a reference value, the measurement object MT may be determined as a metal material.

다른 예로, 상기 제2 강도분포(ID2)의 면적(AR2)으로부터 획득된 상기 측정대상물(MT)의 확산 반사율이 대략 40% 이상이고, 상기 측정대상물(MT)의 반짝임 정도를 나타내는 상기 제1 강도분포(ID1)의 퍼짐각(FA)이 대략 40° 이상이며, 상기 제1 강도분포(ID1) 및 상기 제2 강도분포(ID2)의 전체 면적으로부터 획득된 상기 측정대상물(MT)의 총 반사율이 대략 50% 이상인 경우, 상기 측정대상물(MT)은 종이 재질로 판정할 수 있다.As another example, the diffusive reflectance of the measurement object MT obtained from the area AR2 of the second intensity distribution ID2 is approximately 40% or more, and the first intensity indicating the degree of twinkling of the measurement object MT The spread angle FA of the distribution ID1 is approximately 40 ° or more, and the total reflectance of the measurement object MT obtained from the total area of the first intensity distribution ID1 and the second intensity distribution ID2 is When it is approximately 50% or more, the measurement object MT may be determined by a paper material.

상기와 같은 재질 판정을 위하여, 다양한 재질에 대한 실험을 통하여 기준 데이터를 사전에 확보한 후에, 실제 재질 판정을 원하는 측정대상물을 측정하여 상기 기준 데이터와 비교함으로써 재질을 판정할 수 있다.For the material determination as described above, after obtaining the reference data in advance through experiments on various materials, it is possible to determine the material by measuring the desired measurement object for actual material determination and comparing it with the reference data.

본 발명에서, 앞서 획득한 상기 측정대상물(MT)의 위상, 평균 및 비저빌리티는, 앞서 설명한 바와 같이 각 파라미터들에 대응되므로, 상기 위상, 평균 및 비저빌리티를 획득하는 경우, 상기 제1 강도분포(ID1) 및 상기 제2 강도분포(ID2)를 직접 획득하지 않아도, 재질 판정이 가능할 수 있다.In the present invention, since the phase, average, and visibility of the measurement object MT obtained above correspond to each parameter as described above, when obtaining the phase, average, and visibility, the first intensity distribution Material determination may be possible without directly obtaining (ID1) and the second intensity distribution (ID2).

일 실시예로, 상기 처리부(140)는 상기 측정대상물(MT)의 소정의 측정영역 내의 측정위치 별로 획득되는 위상, 평균 및 비저빌리티를 활용하여 상기 측정영역에 대해 광학적 의미를 갖는 데이터로서의 이미지 데이터를 생성할 수 있다. 생성된 상기 이미지 데이터는 사용자가 이를 관찰하여 직접 재질 판정을 하기 위한 도구로 활용될 수 있다.In one embodiment, the processing unit 140 utilizes phase, average, and visibility acquired for each measurement position in a predetermined measurement area of the measurement object MT, as image data having optical meaning for the measurement area. Can generate The generated image data may be used as a tool for a user to directly determine the material by observing it.

우선, 상기 위상은 상기 측정대상물(MT)의 표면의 기울기를 나타내는 정보로서, 상기 측정대상물(MT)의 픽셀별 기울기를 그레이 스케일(grayscale)로 나타낸 기울기 이미지가 제공될 수 있다. 즉, 각 픽셀에서 측정 가능한 위상을 최소 0, 최대 255로 나타내어 측정영역에 대해 0~255의 범위를 갖는 기울기 이미지를 생성할 수 있다. 예를 들면, 최소 기울기 및 최대 기울기가 각각 -45°와 45°인 경우에 -45°는 0으로 45°는 255로 각각 나타낼 수 있으며 기울기가 0인 수평으로 형성된 표면에서의 그레이 스케일은 127이다. 한편, 상기 측정대상물(MT)의 표면의 임의의 위치에 대한 좌표를 직교좌표계 혹은 극좌표계로 나타낼 수 있고, 좌표계에 따라 각 좌표성분(직교좌표계의 x, y 혹은 극좌표계의 r, θ)별 기울기 구할 수 있고, 좌표성분 별로 각각 이미지로 나타내거나 좌표성분들을 조합하여 이미지로 나타낼 수도 있다.First, the phase is information representing a slope of the surface of the measurement object MT, and a slope image in which grayscales of pixels are measured for each measurement object MT may be provided. That is, a phase that can be measured in each pixel is represented by a minimum of 0 and a maximum of 255 to generate a gradient image having a range of 0 to 255 for the measurement region. For example, if the minimum and maximum slopes are -45 ° and 45 °, respectively, -45 ° can be represented as 0 and 45 ° as 255, respectively, and the gray scale on a horizontally formed surface with a slope of 0 is 127. . On the other hand, the coordinates for any position on the surface of the measurement object MT can be represented by a rectangular coordinate system or a polar coordinate system, and each coordinate component (x, y of the rectangular coordinate system or r, θ of the polar coordinate system) according to the coordinate system It can be obtained, and it can be expressed as an image for each coordinate component or as an image by combining coordinate components.

다음으로, 상기 평균은 상기 측정대상물(MT)의 반사율 특성을 나타내는 정보로서, 상기 측정대상물(MT)의 픽셀별 반사율을 그레이 스케일(grayscale)로 나타낸 반사율 이미지가 제공될 수 있다. 이러한 이미지는 패턴의 이동에 따른 다양한 반사광의 평균화된 이미지이므로, 상부의 모든 방향으로부터 균일하게 빛을 조사하는 조명 하에서 촬영된 영상에 해당하여, 다양한 표면 상태들에 대해 평균적인 밝기를 나타내는 반사율을 나타낼 수 있다. 즉, 각 픽셀에서 측정된 평균을 최소 0, 최대 255로 나타내어 측정영역에 대해 0~255의 범위를 갖는 반사율 이미지를 생성할 수 있다.Next, the average is information representing the reflectance characteristics of the measurement object MT, and a reflectance image in which a pixel-specific reflectance of the measurement object MT is expressed in grayscale may be provided. Since these images are averaged images of various reflected light according to the movement of the pattern, they correspond to images photographed under illumination that uniformly irradiates light from all directions in the upper direction, indicating reflectances representing average brightness for various surface conditions. You can. That is, a reflectance image having a range of 0 to 255 for a measurement area may be generated by representing an average measured at each pixel with a minimum of 0 and a maximum of 255.

그 밖에, 비저빌리티는 상기 측정대상물(MT)의 반짝임 혹은 거칠기 특성을 나타내는 정보로서, 상기 비저빌리티를 이용하여 상기 측정대상물(MT)의 픽셀별 반짝임 혹은 거칠기를 그레이 스케일(grayscale)로 나타낸 반짝임 이미지 또는 거칠기 이미지가 제공될 수 있다. 비저빌리티는 조사된 사인파 패턴에 대해 반사되는 밝기의 변화 정도를 나타내므로, 반짝이는 표면일수록 형성된 패턴이 그대로 반사되어 비저빌리티가 커지는 것과 같이, 상기 측정대상물(MT)의 표면의 반짝임은 대체로 비저빌리티에 비례하는 값을 갖고, 상기 측정대상물(MT)의 표면의 거칠기는 대체로 비저빌리티에 역비례하는 값을 갖는다. 따라서, 상기 반짝임 이미지 혹은 상기 거칠기 이미지는 각 픽셀에서 측정된 비저빌리티 또는 그 역수를 최소 0, 최대 255로 나타내어 측정영역에 대해 0~255의 범위를 갖도록 생성할 수 있다.In addition, the visibility is information indicating the twinkling or roughness characteristics of the measurement object MT, and the glittering or roughness of each pixel of the measurement object MT is expressed in grayscale using the visibility. Alternatively, a roughness image may be provided. Visibility indicates the degree of change in the brightness reflected with respect to the irradiated sine wave pattern, so as the shiny surface reflects the formed pattern as it becomes, the visibility of the surface of the measurement object MT is largely invisible. It has a value proportional to, and the roughness of the surface of the measurement object MT is generally inversely proportional to the visibility. Accordingly, the glitter image or the roughness image may be generated to have a range of 0 to 255 for the measurement area by indicating the invisibility or inverse number measured at each pixel as a minimum of 0 and a maximum of 255.

따라서, 상기 처리부(140)는 상기 측정대상물(MT)의 소정의 측정영역 내의 측정위치 별로 획득되는 위상, 평균 및 비저빌리티를 기초로 각각 상기 측정대상물(MT)의 측정영역에 대한 기울기 이미지, 평균 이미지, 반짝임(또는 거칠기) 이미지 및 이들을 가공하거나 조합한 이미지(이하 “기울기 이미지 등”이라 함)를 생성할 수 있다.Therefore, the processing unit 140 is based on the phase, average, and visibility obtained for each measurement position in a predetermined measurement area of the measurement object MT, and the slope image and average of the measurement area of the measurement object MT, respectively. Images, glitter (or roughness) images, and processed or combined images (hereinafter referred to as “slope images, etc.”) can be generated.

사용자는 상기와 같이 생성된 기울기 이미지 등을 이용하여 직접 재질 판정을 할 수 있다. 재질 판정은 상기 측정대상물(MT)의 표면이 금속인지, 유전체인지, 등과 같이 재질의 종류를 상기 기울기 이미지 등을 이용하여 이루어질 수 있는데, 예를 들면, 상기 측정대상물(MT)이 구리, SUS, 알루미늄, 은 중에서 어느 한 종류인 경우, 상기 반사율 이미지에 나타난 밝기가 매우 밝아서 250의 그레이스케일로 표시되는 경우 이를 은으로 판정할 수 있고, 128의 그레이스케일로 표시되는 경우 이를 구리로 판정할 수 있다.The user can directly determine the material using the tilt image generated as described above. Material determination may be made by using the gradient image of the type of material, such as whether the surface of the object MT is metal or dielectric, for example, the object MT is copper, SUS, In the case of any one of aluminum and silver, when the brightness shown in the reflectance image is very bright and displayed in a grayscale of 250, it can be determined as silver, and when displayed in a grayscale of 128, it can be determined as copper. .

또한, 재질 판정에서 더 나아가 상기 측정대상물(MT)의 표면의 상태도 판정할 수 있는데, 상기 측정대상물(MT)의 표면에 형성된 것이 스크래치, 찍힘, 가공패턴 중 어느 것인지를 상기 기울기 이미지 등을 통하여 파악할 수 있다. In addition, further from the material determination, the state of the surface of the object to be measured MT can also be determined. The slope image is used to determine which of the scratches, marks, and processing patterns are formed on the surface of the object to be measured MT. Can grasp.

한편, 상기 기울기 이미지 등은 조명의 컬러에 따라 상기 측정대상물(MT)의 재질 혹은 표면 상태가 다른 양상으로 나타날 수 있으므로, 상기 기울기 이미지 등을 획득하기 위해 조사되는 패턴 조명의 컬러는, 백색 이외에 다양한 컬러를 활용할 수도 있다.On the other hand, the tilt image, etc., the material or surface state of the object to be measured (MT) may appear in different aspects depending on the color of the illumination, so the color of the pattern illumination irradiated to obtain the tilt image, etc., is various other than white You can also use color.

예를 들어, 녹색 패턴 조명에 대해 반사율이 약 50% 정도(그레이스케일 약 127)를 갖고 반짝임이 약 90% 이상(그레이스케일 약 230 이상)을 가지며, 기울기가 영상 전체에 걸쳐 구면의 기울기 분포를 가질 경우, 오목한 형태의 폴리싱(polishing)된 구리와 같이 표면의 상태 및 재질 모두를 인식할 수 있다. For example, for green pattern lighting, the reflectivity is about 50% (grayscale about 127), the twinkle is about 90% or higher (grayscale about 230 or higher), and the slope is the distribution of the slope of the spherical surface across the image. If it has, it can recognize both the state and material of the surface, such as a concave polished copper.

한편, 표면의 상태 및 재질 판정 이외에도, 불량 판정을 위해 상기 위상, 평균, 비저빌리티나 이에 관한 이미지를 과장시킴에 의해, 필요한 가공 이미지를 생성할 수도 있다. On the other hand, in addition to determining the state and material of the surface, it is also possible to generate a necessary processed image by exaggerating the phase, average, visibility, or image related thereto for the determination of defects.

한편 다른 실시예로, 상기 처리부(140)는 사용자가 직접 재질 판정을 하기 위한 도구로서 활용되기 위한 이미지를 생성하는 대신에, 상기 측정대상물(MT)의 소정의 측정영역 내의 측정위치 별로 획득되는 위상, 평균 및 비저빌리티를 기초로 상기 측정대상물의 재질을 직접 판정할 수도 있다. 이 경우, 앞서 설명한 다양한 재질 판정의 기준, 혹은 표면의 상태 판정의 기준 등을 사전에 기준 데이터로서 설정한 후, 상기 처리부(140)에서 상기 기준 데이터를 기초로 직접 판정하도록 할 수 있다.On the other hand, in another embodiment, the processing unit 140 instead of generating an image to be utilized as a tool for directly determining the material by the user, the phase obtained for each measurement position in a predetermined measurement area of the measurement object MT , It is also possible to directly determine the material of the measurement object based on the average and the visibility. In this case, the criteria for determining various materials described above or the criteria for determining the state of the surface may be set as reference data in advance, and then the processing unit 140 may directly determine the reference data.

상기와 같은 조명 시스템에 따르면, 다수의 광원들을 이용하여 측정대상물에 대해 다수의 방향들로부터 입사광을 조사하고, 상기 광원들을 돔 상에서 형성되는 돔형 사인파 패턴에 따라 점등되도록 제어하여, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에서의 위상, 반사광들의 강도의 평균 및 반사광들의 비저빌리티(visibility)를 산출함으로써, 상기 측정대상물의 재질을 용이하게 판정할 수 있다.According to the lighting system as described above, a plurality of light sources are used to irradiate incident light from a plurality of directions to a measurement object, and control the light sources to be lit according to a dome-shaped sine wave pattern formed on the dome, thereby specifying the measurement object By calculating the phase at the measurement position, the average of the intensity of the reflected lights and the visibility of the reflected lights, the material of the measurement object can be easily determined.

또한, 종래의 평면형 사인파 패턴과는 다르게, 상기 돔형 사인파 패턴은 돔형의 반구면 상에 형성될 수 있으므로, 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 어느 한 측정위치에서의 측정값이 매우 정확할 뿐만 아니라, 각 측정위치에서의 절대적인 측정값이 매우 정확하므로, 측정위치들 각각의 사이에서의 관계도 매우 정확한 값을 가질 수 있다.In addition, unlike the conventional planar sine wave pattern, the dome type sine wave pattern can be formed on a dome-shaped hemisphere, so that the phase, the average, and the visibility are very accurate at any measurement position. Rather, since the absolute measurement value at each measurement position is very accurate, the relationship between each of the measurement positions can also have a very accurate value.

따라서, 상기와 같이 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 재질 판정을 위한 이미지로 나타내지거나 가공되는 경우, 사용자가 용이하게 재질 판정에 활용할 수 있다.Accordingly, when the phase, the average, and the visibility, calculated as described above, are represented or processed as an image for material determination, a user can easily utilize them for material determination.

또한, 재질 판정을 위해 반사광의 강도 분포를 직접 획득하지 않아도, 상기 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티의 정보만을 기초로 재질 판정이 가능할 수 있다.In addition, even if the intensity distribution of the reflected light is not directly obtained for material determination, the material determination may be possible based only on the information of the phase, the average, and the visibility.

또한, 상기 조명 시스템은, 상기와 같은 재질 판정 이외에도 표면의 상태 판정도 가능할 수 있고, 불량 판정 등에도 활용될 수 있다.In addition, the lighting system, in addition to the above-described material determination, may also determine the state of the surface, and may be utilized for defect determination and the like.

또한, 상기와 같이 산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티는, 다양한 재질 판정의 기준, 표면의 상태 판정의 기준, 불량 판정의 기준 등을 사전에 기준 데이터로 설정하는 경우, 직접 처리부에서 재질 판정, 상태 판정, 불량 판정 등을 수행할 수 있으므로, 사용자의 편의성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the phase, the average, and the invisibility calculated as described above, when the criteria for various material determination, the criteria for determining the condition of the surface, the criteria for determining the defect, etc. are set as reference data in advance, the material is directly processed by the processing unit Since it is possible to perform the determination, the status determination, and the failure determination, it is possible to improve the user's convenience and reliability.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.  따라서, 전술한 설명 및 아래의 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어야 한다.In the detailed description of the present invention described above, the present invention has been described with reference to preferred embodiments of the present invention. And various modifications and changes of the present invention without departing from the technical scope. Accordingly, the foregoing description and the drawings below should be construed as illustrative of the invention rather than limiting the technical spirit of the invention.

100 : 조명 시스템 110 : 측정 스테이지
120 : 조사부 130 : 수광부
140 : 처리부 MT : 측정대상물
100: lighting system 110: measuring stage
120: irradiation unit 130: light receiving unit
140: processing unit MT: object to be measured

Claims (12)

측정대상물이 위치하는 측정 스테이지;
상기 측정대상물에 대하여 각각 입사광들을 조사하는 다수의 광원들을 포함하되, 상기 다수의 광원들은 상기 측정대상물의 상부를 돔 형태로 둘러싸도록 배치되어서 상기 측정대상물에 대한 다수의 방향들로부터의 입사광들이 상기 측정대상물을 향하여 선택적인 조사가 가능한 조사부;
상기 조사부에 의해 조사된 상기 입사광들에 따른 상기 측정대상물에 의한 반사광들을 획득하는 수광부; 및
상기 광원들을 돔형 사인파 패턴(dome-shaped sine wave pattern)에 따라 점등되도록 제어하는 처리부;를 포함하고,
상기 돔형 사인파 패턴은, 상기 광원들의 배치에 의해 형성되는 돔 형태가 형성하는 곡면 상에서, 상기 처리부에 의한 상기 광원들의 점등 제어에 의해 곡면형으로 형성되는 사인파 패턴이며,
상기 처리부는, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에 대하여, 상기 광원들을 상기 돔형 사인파 패턴에 따라 N번 시프트하면서 순차적으로 점등되도록 제어하고(N은 2 이상의 자연수),
상기 조사부는, 상기 순차적으로 점등되는 N개의 패턴광들을 생성하여 상기 측정대상물에 조사하며,
상기 수광부는, 상기 측정대상물에 조사되는 N개의 패턴광들의 N개의 반사광들을 수광하고,
상기 처리부는, 상기 N개의 반사광들의 강도(intensity)로부터, 상기 측정대상물의 특정 측정위치에서의 위상, 상기 N개의 반사광들의 강도의 평균 및 상기 N개의 반사광들의 비저빌리티(visibility)를 산출하는,
조명 시스템.
A measurement stage on which the measurement object is located;
It includes a plurality of light sources for irradiating incident light to the measurement object, respectively, the plurality of light sources are arranged to surround the top of the measurement object in the form of a dome so that the incident light from multiple directions to the measurement object is measured An irradiating unit capable of selectively irradiating toward the object;
A light receiving unit that acquires reflected light by the measurement object according to the incident lights irradiated by the irradiation unit; And
Includes a processing unit for controlling the light source to be lit according to a dome-shaped sine wave pattern (dome-shaped sine wave pattern);
The dome-shaped sine wave pattern is a sine wave pattern formed in a curved shape by controlling lighting of the light sources by the processing unit on a curved surface formed by the dome shape formed by the arrangement of the light sources,
The processing unit controls the light sources to be sequentially turned on by shifting the light sources N times according to the domed sinusoidal pattern for a specific measurement position of the measurement object (N is a natural number of 2 or more),
The irradiation unit generates the N pattern lights that are sequentially lit, and irradiates the measurement object,
The light receiving unit receives the N reflected lights of the N pattern lights irradiated to the measurement object,
The processing unit calculates, from the intensity of the N reflected lights, a phase at a specific measurement position of the measurement object, an average of the intensity of the N reflected lights, and the visibility of the N reflected lights,
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 처리부는,
산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티를 기초로 상기 측정위치를 포함하는 측정영역에 대한 이미지 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 1,
The processing unit,
Characterized in that it generates image data for the measurement region including the measurement position based on the calculated phase, the average and the visibility,
Lighting system.
제2항에 있어서,
상기 이미지 데이터는, 산출된 상기 위상을 기초로 상기 측정대상물의 픽셀별 기울기를 그레이 스케일(grayscale)로 나타낸 기울기 이미지, 산출된 상기 평균을 기초로 상기 측정대상물의 픽셀별 반사율을 그레이스케일로 나타낸 반사율 이미지 및 산출된 상기 비저빌리티를 기초로 상기 측정대상물의 픽셀별 거칠기를 그레이스케일로 나타낸 거칠기 이미지를 포함하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 2,
The image data includes a gradient image in which a gradient of each pixel of the measurement object is expressed in grayscale based on the calculated phase, and a reflectance of a gray scale of reflectance of each measurement object in pixels based on the calculated average. Characterized in that it comprises an image and a roughness image representing the roughness of each pixel of the measurement object in grayscale based on the calculated visibility.
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 처리부는,
산출된 상기 위상, 상기 평균 및 상기 비저빌리티로부터 상기 측정대상물의 재질을 판정하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 1,
The processing unit,
Characterized by determining the material of the measurement object from the calculated phase, the average and the visibility,
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 조사부의 광원들은,
각각 발광다이오드(LED)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 1,
The light sources of the irradiation unit,
Characterized in that each comprises a light-emitting diode (LED),
Lighting system.
제5항에 있어서,
상기 조사부는,
상기 측정대상물의 상부에 배치되어 상기 측정대상물의 주위를 커버하며, 상기 발광다이오드들이 설치된 조명커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
The method of claim 5,
The irradiation unit,
It is disposed on the upper portion of the measurement object to cover the periphery of the measurement object, characterized in that it further comprises an illumination cover in which the light emitting diodes are installed,
Lighting system.
제6항에 있어서,
상기 조명커버는 돔(dome)의 적어도 일부를 포함하는 형상을 갖고,
상기 발광다이오드들은, 하부에서 관측할 때 서로 다른 직경을 갖는 링 형상으로 제공되어서 상기 돔의 적어도 일부를 포함하는 형상의 내부에 다수의 열(row)들로 형성된 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
The method of claim 6,
The lighting cover has a shape including at least a portion of the dome (dome),
The light emitting diodes are provided in a ring shape having different diameters when viewed from the bottom, characterized in that formed in a plurality of rows (row) in the shape including at least a portion of the dome,
Lighting system.
제6항에 있어서,
상기 조명커버는,
상기 측정대상물의 상부에 대응하여 형성된 개구부를 가지며,
상기 수광부는, 상기 개구부를 통하여 상기 측정대상물로부터 반사된 반사광을 수광하도록 배치된 것을 특징으로 하는
조명 시스템.
The method of claim 6,
The lighting cover,
Has an opening formed corresponding to the upper portion of the measurement object,
The light receiving unit is arranged to receive reflected light reflected from the measurement object through the opening.
Lighting system.
제8항에 있어서,
상기 조사부는,
상기 조명커버에 장착된 상기 발광다이오드들로부터 상기 측정대상물에 입사광을 제공하는 제1 조사부; 및
상기 조명커버에 형성된 상기 개구부를 통하여 상기 측정대상물에 입사광을 제공하는 제2 조사부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
The method of claim 8,
The irradiation unit,
A first irradiator for providing incident light to the measurement object from the light emitting diodes mounted on the illumination cover; And
Characterized in that it comprises a second irradiation unit for providing incident light to the measurement object through the opening formed in the lighting cover,
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 다수의 광원들이 상기 측정대상물의 측정위치를 중심으로 구면좌표계 상의 (r, θ, φ) 좌표에 배치될 때,
상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 360도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성되는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 1,
When the plurality of light sources are arranged at (r, θ, φ) coordinates on a spherical coordinate system centered on the measurement position of the measurement object,
The dome-shaped sine wave pattern is characterized in that the r-coordinate is constant, and a sine wave is formed on a hemisphere as the θ-coordinate in a specific φ-coordinate within a range of 0 to 90 degrees changes from 0 to 360 degrees.
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 다수의 광원들이 상기 측정대상물의 측정위치를 중심으로 구면좌표계 상의 (r, θ, φ) 좌표에 배치될 때,
상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, 0~360도의 범위 내의 특정 θ-좌표에서 φ-좌표가 0도에서 90도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성되는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.
According to claim 1,
When the plurality of light sources are arranged at (r, θ, φ) coordinates on a spherical coordinate system centered on the measurement position of the measurement object,
The dome-shaped sine wave pattern is characterized in that the r-coordinate is constant, and a sine wave is formed on a hemisphere as the φ-coordinate in a specific θ-coordinate within a range of 0 to 360 degrees changes from 0 to 90 degrees.
Lighting system.
제1항에 있어서,
상기 다수의 광원들이 상기 측정대상물의 측정위치를 중심으로 구면좌표계 상의 (r, θ, φ) 좌표에 배치될 때,
상기 돔형 사인파 패턴은, r-좌표는 일정하고, -90~90도의 범위 내의 특정 φ-좌표에서 θ-좌표가 0도에서 180도로 변화함에 따라 반구면 상에 사인파가 형성되는 것을 특징으로 하는,
조명 시스템.

According to claim 1,
When the plurality of light sources are arranged at (r, θ, φ) coordinates on a spherical coordinate system centered on the measurement position of the measurement object,
The dome-shaped sine wave pattern is characterized in that the r-coordinate is constant, and a sine wave is formed on a hemisphere as the θ-coordinate changes from 0 to 180 degrees in a specific φ-coordinate within a range of -90 to 90 degrees,
Lighting system.

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