KR102084426B1 - Ceramic Thick Film Prepared by Aerosol Deposition and Preparation Method Thereof - Google Patents

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KR102084426B1
KR102084426B1 KR1020180145289A KR20180145289A KR102084426B1 KR 102084426 B1 KR102084426 B1 KR 102084426B1 KR 1020180145289 A KR1020180145289 A KR 1020180145289A KR 20180145289 A KR20180145289 A KR 20180145289A KR 102084426 B1 KR102084426 B1 KR 102084426B1
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양정민
변재호
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박선우
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(주)코미코
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Abstract

The present invention relates to a ceramic thick film manufactured by using an aerosol deposition method and a manufacturing method thereof, and more specifically, to a method for manufacturing a ceramic thick film by using an aerosol deposition method and a ceramic thick film manufactured thereby. In particular, a base coating layer on a base material, which is formed through aerosol deposition, undergoes heat treatment under a predetermined condition such that a coating binding force of an interlayer between the base material and the base coating layer can be increased. In addition, aerosol deposition is performed on the base coating layer to manufacture a ceramic thick film. Therefore, adhesion strength between the ceramic thick film and the base material can be increased for a thicker and denser ceramic thick film to be manufactured.

Description

에어로졸 증착법을 이용하여 제조된 세라믹 후막 및 이의 제조방법{Ceramic Thick Film Prepared by Aerosol Deposition and Preparation Method Thereof}Ceramic Thick Film Prepared by Aerosol Deposition and Its Preparation Method {Ceramic Thick Film Prepared by Aerosol Deposition and Preparation Method Thereof}

본 발명은 세라믹 후막 및 이의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에어로졸 증착법을 이용하여 세라믹 후막과 기재와의 접착강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 보다 두꺼우면서 치밀한 세라믹 후막을 형성할 수 있는, 에어로졸 증착법을 이용한 세라믹 후막의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 세라믹 후막에 관한 것이다. The present invention relates to a ceramic thick film and a method for forming the same, and more particularly, an aerosol capable of forming a thicker and dense ceramic thick film while improving the adhesive strength between the ceramic thick film and the substrate using an aerosol deposition method. A method for producing a ceramic thick film using a vapor deposition method, and a ceramic thick film produced by the manufacturing method.

마그네슘이나 마그네슘 합금, 알루미늄이나 알루미늄 합금, 탄소강, 스테인리스 스틸, 알루미나 등은 현대 산업분야에서 가장 널리 사용되는 기재(器財)들이다. 한편, 이러한 기재들이 실제 제품 혹은 특수한 용도에 적용되기 위해서는 그 표면을 코팅 처리하여 부식 저항성을 높이는 것이 요구된다. 다양한 표면 처리 방법 중 이러한 기재 표면에 부식 저항성이 월등히 높은 세라믹 코팅은 재료의 부식 저항성 향상에 매우 효과적인 것으로 알려져 있다.Magnesium or magnesium alloys, aluminum or aluminum alloys, carbon steel, stainless steel, alumina and the like are the most widely used substrates in the modern industrial field. On the other hand, in order for these substrates to be applied to actual products or special applications, it is required to increase the corrosion resistance by coating the surface thereof. Among various surface treatment methods, ceramic coatings having a high corrosion resistance on these substrate surfaces are known to be very effective in improving the corrosion resistance of materials.

현재 널리 사용되는 세라믹 코팅기술은 박막 코팅을 위한 것으로서 반도체나 디스플레이 분야 등에 널리 쓰이는 CVD(chemical vapor deposition)나 PVD(physical vapor deposition), 기계 부품의 내마모, 내부식성 코팅을 위한 용사 공정들이 있다. 그런데 CVD나 PVD 등의 박막 코팅공정에 의한 코팅층은 두께가 수 마이크로미터 이상이면 균열이나 박리현상이 발생하여 부식 저항성을 위해 일정 두께 이상을 요구하는 것에는 적합지 않다. 한편, 내부식성 코팅을 위해 많이 사용되는 용사공정은 고속으로 수백 마이크로미터 이상의 두께를 코팅할 수 있으나, 코팅층의 기공, 균열 등의 결함이 있으며 두께 제어가 어렵고 표면이 매우 거칠다는 문제점이 있다.Ceramic coating technology currently used for thin film coating includes chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), abrasion resistance of mechanical parts, and thermal spray coating, which are widely used in semiconductor and display fields. However, the coating layer by a thin film coating process, such as CVD or PVD, is not suitable for requiring a certain thickness or more for corrosion resistance when cracking or peeling occurs when the thickness is several micrometers or more. On the other hand, the spraying process that is frequently used for the corrosion-resistant coating can be coated a thickness of more than a few hundred micrometers at high speed, there is a problem such as pores, cracks, etc. of the coating layer is difficult to control the thickness and the surface is very rough.

한편, 최근에 많이 연구되고 있는 세라믹 코팅 기술로서는 에어로졸 증착(aerosol deposition)법이 있다. 에어로졸 증착 공정은 고속코팅이 가능하고, 상온에서 치밀하고 균열이 없는 코팅층을 형성하며, 광범위한 두께의 코팅층을 형성할 수 있고, 코팅층의 조성 및 화학 양론비의 제어가 용이하며, 다양한 기판을 사용할 수 있다는 장점으로 인해 빠른 속도로 다양한 분야에 이용되며 연구되고 있다. 특히, 상온에서 치밀한 세라믹 코팅이 이루어진다는 점에서 기재의 내부식성을 향상시키기 위한 연구에 대한 관심이 증가하고 있다.On the other hand, as a ceramic coating technique which has been studied a lot recently, there is an aerosol deposition method. The aerosol deposition process enables high-speed coating, forms a dense and crack-free coating layer at room temperature, forms a coating layer of a wide range of thicknesses, easily controls the composition and stoichiometric ratio of the coating layer, and can use various substrates. Due to its advantages, it is being used and researched in various fields at high speed. In particular, the interest in research to improve the corrosion resistance of the substrate is increasing in that a dense ceramic coating is performed at room temperature.

그러나 에어로졸 증착법에 사용되는 원료분말은 일반적으로 수백 ㎚ ~ 수 ㎛ 크기의 미세 분말을 이용하기 때문에 코팅공정 과정에서 분말의 응집현상이 발생되기 쉽고, 기재와 코팅층의 성분이 달라 코팅층 간의 이질감으로 기재와 코팅층 간의 강한 결합력을 얻기 어려우며, 희토류 금속 화합물을 사용하여 증착시킬 경우에는 60 ㎛ 이상의 치밀한 후막을 만들기는 어렵다는 문제가 있었다.However, since the raw powder used in the aerosol deposition method generally uses fine powders of several hundred nm to several μm in size, it is easy to cause agglomeration of the powder during the coating process. It is difficult to obtain a strong bonding force between the coating layer, there was a problem that it is difficult to make a dense thick film of 60 ㎛ or more when deposited using a rare earth metal compound.

이에, 한국공개특허 제2016-0084510호에서는 에어로졸 증착의 응집현상으로 인한 표면 거칠기를 개선하기 위해 에어로졸 증착으로 코팅층을 제조한 후, 졸-겔법 등과 같은 화학용액증착법으로 추가로 코팅층을 형성시켜 코팅층의 표면 평탄도를 향상시키는 후막 코팅방법을 제시하고 있고, 한국등록특허 제0941472호에서는 전도성 산화물 원료 분말을 밀링으로 혼합한 후 하소하여 제조된 전도성 산화물을 재밀링하여 전도성 산화물을 얻고, 이를 기판상에 에어로졸 증착법으로 증착시키는 전도성 후막의 제조방법을 제시하고 있으나, 이들 역시 기재와 성분이 다른 코팅층을 추가 구성하는 것으로, 추가된 코팅층 역시 기재와 성분이 달라 기재와 코팅층 간의 강한 접착강도를 얻기 힘들고, 제조된 후막 두께 역시 50 ㎛ 이하이므로, 60 ㎛ 이상의 치밀한 후막을 제조하는데는 한계가 있었다.Thus, in Korean Patent Application Publication No. 2016-0084510, in order to improve the surface roughness due to agglomeration of aerosol deposition, the coating layer is prepared by aerosol deposition, and then a coating layer is further formed by a chemical solution deposition method such as a sol-gel method. A thick film coating method for improving the surface flatness is proposed, and Korean Patent No. 0941472 mixes the conductive oxide raw material powder by milling and then calcines to obtain a conductive oxide by re-milling the conductive oxide, which is prepared on a substrate. Although a method of manufacturing a conductive thick film deposited by aerosol deposition has been proposed, these also constitute a coating layer having different substrates and components, and the added coating layer is also difficult to obtain a strong adhesive strength between the substrate and the coating layer because the substrate and components are different. Thick film thickness of 50 μm or less, dense thick film of 60 μm or more Prepared to have been limited.

한국공개특허 제2016-0084510호(공개일 : 2016.07.14)Korean Laid-Open Patent No. 2016-0084510 (published: 2016.07.14) 한국등록특허 제0941472호(공개일 : 2009.06.18)Korean Registered Patent No.0941472 (Published: 2009.06.18)

본 발명의 주된 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에어로졸 증착으로 형성된 기재상의 베이스 코팅층을 특정 조건의 열처리를 통해 기재 및 베이스 코팅층 간의 계면의 코팅 결합력을 강화시키고, 기재와 결합력이 강화된 상기 베이스 코팅층상에 에어로졸 증착을 수행하여 코팅층을 형성시켜 세라믹 후막을 제조함으로써, 세라믹 후막과 기재와의 접착강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 보다 두꺼우면서 치밀한 세라믹 후막을 형성할 수 있는, 에어로졸 증착법을 이용한 세라믹 후막 제조방법 및 그에 의해 제조된 세라믹 후막을 제공하는데 있다. The main object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, the base coating layer on the substrate formed by aerosol deposition through the heat treatment of a specific condition to enhance the coating bonding strength of the interface between the substrate and the base coating layer, the substrate and the bonding strength is enhanced By forming a coating layer by performing aerosol deposition on the base coating layer to prepare a ceramic thick film, it is possible to improve the adhesion strength between the ceramic thick film and the substrate, and to form a thicker and dense ceramic thick film, using the aerosol deposition method. To provide a ceramic thick film production method and a ceramic thick film produced thereby.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 구현예는 (a) 기재상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 베이스 코팅층을 형성하는 단계; (b) 상기 형성된 베이스 코팅층을 1차 열처리하는 단계; 및 (c) 상기 1차 열처리된 베이스 코팅층상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 세라믹 후막의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention comprises the steps of (a) forming a base coating layer by aerosol deposition of rare earth metal powder on a substrate; (b) first heat treating the formed base coating layer; And (c) aerosol deposition of the rare earth metal powder on the first heat-treated base coating layer to form a coating layer.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 (b) 단계의 1차 열처리는 Ar, He, O2, Air 또는 진공분위기에서 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the first heat treatment of the step (b) may be performed for 1 to 20 hours at 750 ℃ or more in Ar, He, O2, Air or vacuum atmosphere.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 (b) 단계 후 베이스 코팅층의 결정자는 (a) 단계의 베이스 코팅층 결정자보다 1.5배 ~ 3배 큰 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the crystallite of the base coating layer after the step (b) may be characterized in that 1.5 to 3 times larger than the crystallite of the base coating layer of step (a).

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 (c)단계는 적어도 1회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, step (c) may be characterized in that it is carried out at least once or more times.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 희토류 금속 분말은 Y2O3, Dy2O3, Er2O3, Sm2O3, YAG, YF3 및 YOF으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the rare earth metal powder is one or more selected from the group consisting of Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Sm 2 O 3 , YAG, YF 3 and YOF It can be characterized.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 베이스 코팅층은 두께가 0.5 ㎛ ~ 30 ㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the base coating layer may be characterized in that the thickness is 0.5 ㎛ ~ 30 ㎛.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 코팅층은 두께가 1 ㎛ ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the coating layer may be characterized in that the thickness of 1 ㎛ ~ 200 ㎛.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계 이후, (d) 2차 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the method of manufacturing a ceramic thick film may further comprise a step (d) after the second heat treatment after step (c).

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 2차 열처리는 Ar, He, O2, Air 또는 진공분위기에서 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the secondary heat treatment may be performed for 1 to 20 hours at 750 ℃ or more in Ar, He, O 2 , Air or vacuum atmosphere.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 2차 열처리 후 코팅층의 결정자는 (c) 단계의 코팅층 결정자보다 1.5배 ~ 3배 큰 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the crystallite of the coating layer after the secondary heat treatment may be characterized in that 1.5 to 3 times larger than the crystallite crystal of the step (c).

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계와 (d) 단계를 순차적 1회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the method of manufacturing a ceramic thick film may be characterized by repeating step (c) and step (d) one or more times sequentially.

본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계와 (d) 반복하여 수행한 마지막 코팅층상에 (c) 단계만 추가로 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the method of manufacturing the ceramic thick film may be characterized in that the step (c) is further performed only on the last coating layer repeatedly performed (c) and (d).

본 발명의 다른 구현예는 상기 방법에 의해 형성되는 세라믹 후막을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a ceramic thick film formed by the above method.

본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 에어로졸 증착으로 형성된 기재상의 베이스 코팅층을 특정 조건의 열처리를 통해 기재와 베이스 코팅층 간의 계면의 코팅 결합력을 강화시키고, 기재와 결합력이 강화된 상기 베이스 코팅층상에 에어로졸 증착을 수행하여 코팅층을 형성시켜 세라믹 후막을 제조함으로써, 세라믹 후막과 기재와의 접착강도를 향상시킬 수 있어 외부충격에 의해 쉽게 코팅 계면층이 박리되는 현상을 방지하는 동시에, 보다 두꺼우면서 치밀한 세라믹 후막을 제조할 수 있어 다양한 특성의 융복합화된 내식성 부재로 구현이 가능한 효과가 있다.In the method of manufacturing a ceramic thick film according to the present invention, the base coating layer on the substrate formed by aerosol deposition is subjected to heat treatment under a specific condition to enhance the coating adhesion of the interface between the substrate and the base coating layer, By coating to form a coating layer to form a ceramic thick film, the adhesive strength between the ceramic thick film and the substrate can be improved, thereby preventing the coating interface layer from being easily peeled off by external impact, and at the same time, a thicker and denser ceramic thick film. Since it can be prepared by the fusion-resistant corrosion-resistant member of various properties has the effect that can be implemented.

도 1은 본 발명에 따른 세라믹 후막의 수직단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 7에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 FE SEM으로 측정한 이미지이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 후막의 수직 단면을 FE SEM으로 측정한 이미지로, (a-1)은 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층의 이미지이고, (a-2)는 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층 및 기재의 계면의 이미지이며, (b-1)는 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층의 이미지이고, (b-2)는 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층 및 기재의 계면의 이미지이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 후막의 수직 단면을 FE SEM으로 측정한 이미지로, (a)는 비교예 2의 세라믹 후막 이미지이고, (b)는 실시예 1의 세라믹 후막 이미지이며, (c)는 실시예 2의 세라믹 후막 이미지이고, (d)는 실시예 3의 세라믹 후막 이미지이다.
도 5는 본 발명의 실시예 8에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 FE SEM으로 측정한 이미지이다.
도 6은 본 발명의 실시예 9에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 FE SEM으로 측정한 이미지이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2 및 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 내화학성을 3D Laser Scanning으로 측정한 이미지이다.
1 is a vertical sectional schematic view of a ceramic thick film according to the present invention.
2 is an image obtained by measuring the vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Example 7 of the present invention by FE SEM.
3 is an image measured by the FE SEM of the vertical section of the ceramic thick film according to an embodiment of the present invention, (a-1) is an image of the base coating layer of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1, (a-2 ) Is an image of the interface between the base coating layer and the substrate of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1, (b-1) is an image of the base coating layer of the ceramic thick film prepared in Example 2, (b-2) is an example It is an image of the interface of the base coating layer and the base material of the ceramic thick film manufactured in 2.
4 is an image obtained by measuring FE SEM of a vertical cross section of a ceramic thick film according to an embodiment of the present invention, (a) is a ceramic thick film image of Comparative Example 2, and (b) is a ceramic thick film image of Example 1 (c) is the ceramic thick film image of Example 2, and (d) is the ceramic thick film image of Example 3.
5 is an image obtained by measuring the vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Example 8 of the present invention by FE SEM.
6 is an image obtained by measuring the vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Example 9 of the present invention by FE SEM.
7 is an image of the chemical resistance of the ceramic thick film prepared in Example 2 and Comparative Example 1 of the present invention by 3D Laser Scanning.

다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In general, the nomenclature used herein is well known and commonly used in the art.

본원 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. When a part in the present specification is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless specifically stated otherwise.

본 발명은 (a) 기재상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 베이스 코팅층을 형성하는 단계; (b) 상기 형성된 베이스 코팅층을 1차 열처리하는 단계; 및 (c) 상기 1차 열처리된 베이스 코팅층상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 세라믹 후막의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 세라믹 후막에 관한 것이다.The present invention comprises the steps of (a) aerosol deposition of rare earth metal powder on a substrate to form a base coating layer; (b) first heat treating the formed base coating layer; And (c) aerosol-depositing rare earth metal powder on the first heat-treated base coating layer to form a coating layer, and a ceramic thick film prepared by the method.

보다 구체적으로, 본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 에어로졸 증착으로 형성된 기재상의 베이스 코팅층을 특정 조건의 열처리를 통해 기재 및 베이스 코팅층 간의 계면의 코팅 결합력을 강화시키고, 기재와 결합력이 강화된 상기 베이스 코팅층상에 에어로졸 증착을 반복 수행하여 코팅층을 형성시켜 세라믹 후막을 제조함으로써, 세라믹 후막과 기재와의 접착강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 보다 두꺼우면서 치밀한 세라믹 후막을 형성할 수 있는 에어로졸 증착법을 이용한 세라믹 후막 제조방법 및 그에 의해 제조된 세라믹 후막에 관한 것이다. More specifically, the method for manufacturing a ceramic thick film according to the present invention is to strengthen the coating bonding strength of the interface between the substrate and the base coating layer through the heat treatment of the base coating layer on the substrate formed by aerosol deposition in a specific condition, the base and the bonding strength is enhanced base By repeating aerosol deposition on the coating layer to form a coating layer to prepare a ceramic thick film, the ceramic using aerosol deposition method that can improve the adhesion strength between the ceramic thick film and the substrate, and at the same time can form a thicker and dense ceramic thick film A thick film production method and a ceramic thick film produced thereby.

이하 본 발명의 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention will be described in more detail.

도 1은 본 발명에 따른 세라믹 후막의 수직 단면 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 후막의 수직단면을 측정한 FE SEM 이미지로, 본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 먼저, 기재(100)상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 베이스 코팅층(110)을 형성한다[(a) 단계].1 is a vertical cross-sectional schematic diagram of a ceramic thick film according to the present invention, Figure 2 is a FE SEM image of the vertical cross section of the ceramic thick film according to an embodiment of the present invention, the method of manufacturing a ceramic thick film according to the present invention In addition, the rare earth metal powder is aerosol deposited on the substrate 100 to form the base coating layer 110 (step (a)).

상기 기재(100)는 본 발명의 세라믹 후막(130)을 형성하는 모재로서, 내식성의 필요성이 요구되는 기재이면 종류에 제한 없이 적용 가능하며, 플라즈마 장치 내부에 적용되는 정전 척(electro static chuck), 히터, 챔버 라이너(chamber liner), 샤워 헤드, CVD용 보트(boat), 포커스링(focus ring), 월 라이너(wall liner) 등의 플라즈마 장치 부품일 수 있으며, 기재의 재질로는 철, 마그네슘, 알루미늄, 이들의 합금 등의 금속; SiO2, MgO, CaCO3, Y2O3, 석영(quarz), 알루미나 등의 세라믹; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌아디페이트, 폴리아이소시아네이트 등의 고분자 등일 수 있으나, 바람직하게는 SiO2, MgO, CaCO3, Y2O3, 석영(quarz), 알루미나 중 어느 하나로부터 선택될 수 있다.The base material 100 is a base material for forming the ceramic thick film 130 of the present invention. If the base material requires corrosion resistance, the base material 100 may be applied without limitation to an electrostatic chuck applied to the inside of the plasma apparatus, It may be a plasma device component such as a heater, a chamber liner, a shower head, a CVD boat, a focus ring, a wall liner, and the base material may be iron, magnesium, Metals such as aluminum and alloys thereof; Ceramics such as SiO 2 , MgO, CaCO 3 , Y 2 O 3 , quartz and alumina; It may be a polymer such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene adipate, polyisocyanate and the like, but preferably selected from any one of SiO 2 , MgO, CaCO 3 , Y 2 O 3 , quartz, alumina. Can be.

또한, 희토류 금속 분말은 다양한 종류가 있지만, 본 발명에 적용되는 희토류 금속 분말로는 Y2O3, Dy2O3, Er2O3, Sm2O3, YAG, YF3 및 YOF로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 특히 Y2O3는 부식 저항성을 향상시키는 것 이외에 재료 자체의 특성이 매우 좋고 경제성 및 여러 산업에 대한 다양한 응용성 등의 이점이 있기 때문에 부식 특성 이외에 추가적인 기능성을 부여할 수 있는 이점이 있다.In addition, although there are various kinds of rare earth metal powders, the rare earth metal powders to be applied to the present invention include Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Sm 2 O 3 , YAG, YF 3 and YOF. It may be at least one selected from. In particular, Y 2 O 3 has the advantage of providing additional functionality in addition to the corrosion properties, because in addition to improving the corrosion resistance, the material itself has very good properties and economics and various applications to various industries.

이때, 상기 희토류 금속 분말의 평균 입경은 통상의 에어로졸 증착에 적용될 수 있는 입경이면 제한 없이 적용가능하고, 바람직하게는 0.5 ㎛ ~ 50 ㎛일 수 있으며, 희토류 금속 분말의 입경 변경에 따라 에어로졸 증착 조건을 변경하여 용이하게 적용할 수 있다. In this case, the average particle diameter of the rare earth metal powder may be applied without limitation as long as it is a particle size that can be applied to conventional aerosol deposition, preferably 0.5 μm to 50 μm, and the aerosol deposition conditions according to the particle diameter change of the rare earth metal powder It can be easily changed and applied.

이와 같은 희토류 금속 분말은 에어로졸 증착시켜 베이스 코팅층(110)은 형성한다. 상기 에어로졸 증착은 공지된 방법에 따라 희토류 금속 분말을 준비한 다음, 에어로졸 증착을 수행한다.The rare earth metal powder is aerosol deposited to form the base coating layer 110. The aerosol deposition is performed by preparing a rare earth metal powder according to a known method, followed by aerosol deposition.

일 예로 에어로졸 증착은 캐리어 가스(carrier gas, Ar, He)가 유량제어장치(MFC)를 통해 희토류 금속 분말이 담긴 에어로졸 챔버(Aerosol Chamber)로 유입되고, 에어로졸 챔버 내에 부유하는 에어로졸화된 희토류 금속 분말들을 실어서 진공상태의 증착실(Deposition Chamber) 내에 있는 기재로 노즐(Nozzzle)을 통하여 분사된다. 기재는 X-Y-Z 스테이지(stage), 포지셔너(Positioner) 또는 로봇에 장착되어 스테이지의 이동에 의해 X축과 Y축으로 움직이게 된다. 증착실 내에는 펌프(Mechanical Booster Pump)에 의해 진공도가 조절된다. For example, aerosol deposition is a carrier gas (Ar, He) is introduced into the aerosol chamber containing the rare earth metal powder (MFC), the aerosolized rare earth metal powder floating in the aerosol chamber They are sprayed through a nozzle to a substrate in a deposition chamber under vacuum. The substrate is mounted on an X-Y-Z stage, a positioner or a robot to move in the X and Y axes by the movement of the stage. In the deposition chamber, the degree of vacuum is controlled by a mechanical booster pump.

상기 에어로졸 증착에 있어서 다른 증착 조건은 특별히 한정될 것은 아니며, 에어로졸 증착의 노즐 사이즈는 2 mm ~ 50 mm이고, 유량은 1 L/min ~ 60 L/min인 것이 바람직하다.In the aerosol deposition, other deposition conditions are not particularly limited, and the nozzle size of the aerosol deposition is 2 mm to 50 mm, and the flow rate is preferably 1 L / min to 60 L / min.

상기 베이스 코팅층(110)의 두께는 기재의 이송속도를 조절함으로써 제어되는데, 베이스 코팅층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다. 만일, 베이스 코팅층(110)의 두께가 0.5 ㎛ 미만일 경우에는 그 두께가 지나치게 얇아 두께 불균일성이 나타나고, 30 ㎛를 초과할 경우에는 기재와 베이스 코팅층 사이의 접합성이 저하되어 베이스 코팅층이 기재로부터 쉽게 박리되는 문제점이 발생될 수 있다. The thickness of the base coating layer 110 is controlled by adjusting the transfer speed of the substrate, the thickness of the base coating layer may be 0.5 ㎛ to 30 ㎛. If the thickness of the base coating layer 110 is less than 0.5 μm, the thickness is too thin to cause thickness nonuniformity. If the thickness of the base coating layer 110 is greater than 30 μm, the adhesion between the base material and the base coating layer is degraded and the base coating layer is easily peeled from the base material. Problems may arise.

전술된 바와 같이 기재(100)상에 베이스 코팅층(110)이 형성되면, 상기 형성된 베이스 코팅층(110)을 1차 열처리를 수행한다[(b) 단계].As described above, when the base coating layer 110 is formed on the substrate 100, the formed base coating layer 110 is subjected to a first heat treatment (step (b)).

상기 1차 열처리는 기재(100)와 베이스 코팅층(110) 계면 또는 베이스 코팅층 간의 네킹(necking) 현상을 유도하여 기재와 베이스 코팅층 간의 접착 강도를 향상시기 위해 Ar, He, O2, Air 및 진공 분위기 중에서 선택되는 분위기로 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안, 바람직하게는 800 ℃ ~ 1500 ℃에서 3시간 ~ 10시간 동안 수행할 수 있다.The first heat treatment induces necking phenomenon between the interface of the substrate 100 and the base coating layer 110 or the base coating layer to improve the adhesive strength between the substrate and the base coating layer, such as Ar, He, O 2 , Air and vacuum atmosphere. In an atmosphere selected from the above, it may be performed at 750 ° C. or more for 1 hour to 20 hours, preferably at 800 ° C. to 1500 ° C. for 3 hours to 10 hours.

만일, 1차 열처리 온도가 750 ℃ 미만 또는 1 시간 미만으로 열처리를 수행할 경우에는 기재와 베이스 코팅층 계면 및 베이스 코팅층 입자 간의 네킹 현상이 발생되지 않아 기재와 베이스 코팅층 간의 접촉 강도가 저하될 수 있고, 20 시간을 초과하여 열처리를 수행할 경우에는 상기 강도 등을 향상시킬 수 있는 의미 있는 넥킹 현상이 발생되지 않아 그 이상 열처리는 것이 무의미하다.When the heat treatment is performed at a first heat treatment temperature of less than 750 ° C. or less than 1 hour, the necking phenomenon between the substrate and the base coating layer interface and the base coating layer particles does not occur, so that the contact strength between the substrate and the base coating layer may be reduced. When the heat treatment is performed for more than 20 hours, there is no meaningful necking phenomenon that can improve the strength and so on.

이때, 상기 1차 열처리는 통상의 가열로 이용 열처리, 퍼니스 어닐링(furnace annealing, FA), 급속 열처리법(rapid thermal annealing, RTA), 엑시머 레이저 어닐링(excimer laser annealing, ELA), 스파크 어닐링(spark annealing), 플라즈마 어닐링(plasma annealing) 등의 방법을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In this case, the primary heat treatment is heat treatment using a conventional furnace, furnace annealing (FA), rapid thermal annealing (RTA), excimer laser annealing (ELA), spark annealing (spark annealing) ), Plasma annealing, or the like, but is not limited thereto.

이와 같이 열처리된 베이스 코팅층은 기재(100)와 베이스 코팅층(110)의 계면 및 결정 간의 넥킹(necking) 현상이 발생되고, 결정자 크기가 열처리 전의 베이스 코팅층 결정자 크기보다 1.5배 ~ 3배 증가됨으로써, 결정 입계(grain boundary)의 결합력을 증대시켜 코팅층의 경도, 내화학성 등의 물리화학적 특성을 향상시키는 동시에, 기재 및 베이스 코팅층 간의 계면의 코팅 결합력을 강화시켜 기재와 베이스 코팅층 간의 높은 접착강도를 얻을 수 있다. 이때, 베이스 코팅층의 결정자(crystallite) 크기는 XRD Peak(반치폭)을 이용하여 셰러 방정식(Scherrer equation)을 통해 산출할 수 있다.The heat treatment of the base coating layer as described above causes necking between the interface of the substrate 100 and the base coating layer 110 and the crystal, and the crystallite size is increased 1.5 to 3 times larger than the crystallite size of the base coating layer before heat treatment. Increasing the bonding strength of the grain boundary to improve the physicochemical properties such as hardness and chemical resistance of the coating layer, and at the same time to strengthen the coating bonding strength of the interface between the substrate and the base coating layer to obtain a high adhesive strength between the substrate and the base coating layer. . In this case, the crystallite size of the base coating layer may be calculated through the Scherrer equation using XRD Peak.

만일, 상기 열처리 후의 베이스 코팅층 결정자가 열처리 전의 베이스 코팅층 결정자보다 크기가 1배 이하이면, 계면 및 결정 간의 치밀화, 결합력이 증대되기 어렵다. If the base coating layer crystallite after the heat treatment is 1 times or less in size than the base coating layer crystallite before the heat treatment, densification and bonding force between the interface and the crystal are hardly increased.

이후, 상기 1차 열처리된 베이스 코팅층(110)은 세라믹 후막(130)을 형성하기 위해 상기 1차 열처리된 베이스 코팅층(110) 상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 코팅층(120)을 형성한다[(c) 단계].Subsequently, the primary heat-treated base coating layer 110 forms a coating layer 120 by aerosol deposition of rare earth metal powder on the primary heat-treated base coating layer 110 to form a ceramic thick film 130 [( c) step].

1차 열처리된 베이스 코팅층상의 에어로졸 증착 역시, 공지된 방법에 따라 희토류 금속 분말을 준비한 다음 에어로졸 증착 공정을 수행할 수 있고, 전술된 에어로졸 증착과 동일하거나 상이한 조건하에서 수행할 수 있다.Aerosol deposition on the primary heat-treated base coating layer may also prepare a rare earth metal powder and then perform an aerosol deposition process in accordance with known methods, and may be performed under the same or different conditions as the aerosol deposition described above.

본 발명에 의해 기재에 부식 저항성이 큰 세라믹 후막(130)을 형성하기 위해서는 다소 안정된 특성을 얻기 위해 어느 정도의 두께가 필요하다. 즉, 코팅층(120) 두께가 얇을 경우에는 두께 불균일성이 크고, 표면의 요철까지 발생한다면 특성이 안 좋게 나올 가능성이 크다. 따라서 원하는 코팅층(120)의 두께 및 두께 불균일성을 해결하기 위해 기재 이송 속도와 코팅 횟수를 조절하여 코팅층을 형성하게 된다. According to the present invention, in order to form the ceramic thick film 130 having high corrosion resistance on the substrate, a certain thickness is required in order to obtain somewhat stable characteristics. That is, when the thickness of the coating layer 120 is thin, the thickness nonuniformity is large, and if the surface irregularities are generated, the characteristics are likely to be poor. Therefore, in order to solve the thickness and thickness non-uniformity of the desired coating layer 120, by controlling the substrate transfer rate and the number of coatings to form a coating layer.

한편, 얇은 코팅층(120)의 경우, 에어로졸 증착 횟수를 늘려 원하는 두께를 얻을 수 있다. 코팅층의 두께는 에어로졸 증착에 따라 증가하게 된다. 하지만, 어느 정도 두께 이상에서는 내부 스트레스 때문에 접착성이 떨어지게 되므로, 이를 고려하여 코팅 횟수를 조절하게 된다. 코팅층의 두께 및 두께 불균일성의 경우에는 기재의 종류, 분사 분말의 종류에 따라 다소 달라지게 되나, 기재의 이송 속도(스테이지 이동 속도)는 1 ㎜/s 내지 200 ㎜/s의 범위 내에서, 에어로졸 증착 코팅 반복 횟수는 1회 이상, 바람직하게는 2 ~ 10 회 범위 내에서 하는 것이 좋다.On the other hand, in the case of the thin coating layer 120, it is possible to obtain a desired thickness by increasing the number of aerosol deposition. The thickness of the coating layer increases with aerosol deposition. However, at a certain thickness or more, since the adhesiveness is lowered due to internal stress, the number of coatings is adjusted in consideration of this. In the case of the thickness and thickness non-uniformity of the coating layer will vary slightly depending on the type of substrate and the type of spray powder, but the transport speed (stage moving speed) of the substrate is within the range of 1 mm / s to 200 mm / s, aerosol deposition The number of times the coating is repeated one or more times, preferably in the range of 2 to 10 times.

상기 코팅층(120)의 두께는 베이스 코팅층(110)이 형성된 기재(100)의 이송속도와 증착 횟수를 조절함으로써 제어되는데, 코팅층의 두께는 1 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있다.The thickness of the coating layer 120 is controlled by adjusting the transfer rate and the number of deposition of the base material 100 on which the base coating layer 110 is formed, the thickness of the coating layer may be 1 ㎛ to 200 ㎛.

만일, 코팅층의 두께가 1 ㎛ 미만일 경우에는 그 두께가 지나치게 얇아 원하는 두께의 후막을 제조하기 어렵고, 200 ㎛를 초과할 경우에는 코팅층 간의 접합성이 저하되어 코팅층이 쉽게 분리되는 문제점이 발생될 수 있다. If the thickness of the coating layer is less than 1 μm, the thickness thereof is too thin to make a thick film of a desired thickness. If the thickness of the coating layer is more than 200 μm, the adhesion between the coating layers may be degraded and the coating layer may be easily separated.

이와 같이 제조된 세라믹 후막(130)은 기재(100)와 베이스 코팅층(110) 간의 넥킹(necking) 현상으로 기재와 베이스 코팅층의 계면 간에 접착 강도를 향상시켜 치밀하면서도 두껍고, 외부충격에 의해 쉽게 코팅 계면층이 박리되는 현상을 방지할 수 있다. The ceramic thick film 130 manufactured as described above has a necking phenomenon between the substrate 100 and the base coating layer 110 to improve adhesive strength between the substrate and the interface of the base coating layer. The phenomenon that a layer peels can be prevented.

한편, 본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 베이스 코팅층과 코팅층 간 또는 반복 증착된 코팅층 간의 치밀화, 접착력을 향상시키기 위해 코팅층 형성[(c) 단계] 후, 2차 열처리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다[(d) 단계].On the other hand, the method of manufacturing a ceramic thick film according to the present invention further comprises the step of performing a secondary heat treatment after forming the coating layer (step (c)) to improve the compaction, adhesion between the base coating layer and the coating layer or repeatedly deposited coating layer. [Step (d)].

상기 2차 열처리는 Ar, He, O2, Air 또는 진공 분위기에서 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안 수행할 수 있고, 전술된 1차 열처리 조건과 동일하거나 상이한 조건하에서 수행할 수 있다.The secondary heat treatment may be performed for 1 to 20 hours at 750 ° C. or higher in Ar, He, O 2 , Air, or a vacuum atmosphere, and may be performed under the same or different conditions as the above-described primary heat treatment conditions.

만일, 2차 열처리 온도가 750 ℃ 미만 또는 1 시간 미만으로 열처리를 수행할 경우에는 베이스 코팅층과 코팅층 및 코팅층 입자 간의 넥킹 현상이 발생되지 않아 기재와 베이스 코팅층 간의 접촉 강도가 저하되는 문제점이 발생될 수 있다. If the second heat treatment temperature is less than 750 ° C. or less than one hour, the necking phenomenon between the base coating layer, the coating layer and the coating layer particles does not occur, which may cause a problem that the contact strength between the substrate and the base coating layer is lowered. have.

이때, 상기 2차 열처리는 전술된 1차 열처리 방법과 동일하거나 상이한 조건하에서 수행할 수 있으며, 통상의 가열로 이용 열처리, 퍼니스 어닐링(furnace annealing, FA), 급속 열처리법(rapid thermal annealing, RTA), 엑시머 레이저 어닐링(excimer laser annealing, ELA), 스파크 어닐링(spark annealing), 플라즈마 어닐링(plasma annealing) 등의 방법을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.At this time, the secondary heat treatment may be performed under the same or different conditions as the above-described primary heat treatment method, heat treatment using a conventional heating furnace, furnace annealing (FA), rapid thermal annealing (RTA) Excimer laser annealing (ELA), spark annealing (spark annealing), plasma annealing (plasma annealing), etc. may be performed using, but is not limited thereto.

이와 같이 열처리된 코팅층은 베이스 코팅층과 코팅층의 계면 및 코팅층 결정 간의 넥킹(necking) 현상이 유도되고, 결정자 크기가 열처리 전의 코팅층 결정자 크기보다 1.5배 ~ 3배 증가됨에 따라, 결정 입계(grain boundary)의 결합력을 증대시켜 코팅층의 경도, 내화학성 등의 물리화학적 특성을 향상시키는 동시에, 코팅층 간의 계면의 코팅 결합력을 강화시켜 코팅층 간의 높은 접착강도를 얻을 수 있다. As described above, the heat-treated coating layer induces necking phenomenon between the interface between the base coating layer and the coating layer and the crystals of the coating layer, and as the crystallite size increases 1.5 to 3 times larger than the crystallite size before the heat treatment, the grain boundary of the grain boundary (grain boundary) is increased. By increasing the bonding strength to improve the physical and chemical properties such as hardness, chemical resistance, etc. of the coating layer, it is possible to enhance the coating bonding strength of the interface between the coating layer to obtain a high adhesive strength between the coating layer.

또한, 상기 2차 열처리는 에어로졸 증착 코팅 횟수에 따라 선택적으로 조절하여 수행할 수 있다. 일 예로, 1차 열처리된 베이스 코팅층(110)상에 에어로졸 증착으로 5회 코팅을 수행할 경우에는 1회 코팅마다 2차 열처리를 5번 수행하거나, 2회 코팅마다 2차 열처리를 2번 수행하거나, 또는 마지막 코팅 후 2차 열처리를 1번 수행할 수 있다. In addition, the secondary heat treatment may be performed by selectively adjusting the number of aerosol deposition coating. For example, when the coating is performed five times by aerosol deposition on the first heat-treated base coating layer 110, the second heat treatment is performed five times for each coating, or the second heat treatment is performed twice for each coating. Alternatively, the second heat treatment may be performed once after the last coating.

이와 같이 제조된 세라믹 후막(130)은 기재(100)와 베이스 코팅층(120) 간의 넥킹(necking) 현상으로 기재와 베이스 코팅층의 계면 간에 접착 강도를 향상시켜 치밀하면서도 두껍고, 외부충격에 의해 쉽게 코팅 계면층이 박리되는 현상을 방지할 수 있다. The ceramic thick film 130 prepared as described above has a necking phenomenon between the substrate 100 and the base coating layer 120 to improve adhesive strength between the interface of the substrate and the base coating layer. The phenomenon that a layer peels can be prevented.

또한, 본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 전술된 (c) 단계 및 (d) 단계를 순차적으로 1회 이상, 바람직하게는 2회 ~ 10회 반복하거나, 또는 (c)단계와 (d)단계를 반복하여 수행한 마지막 코팅층 위에 (c)단계만 추가로 수행하여 코팅층 간의 넥킹 현상으로 접착강도를 향상시켜 치밀하면서 두꺼운 코팅층을 형성시킬 수 있다. In addition, the method for producing a ceramic thick film according to the present invention is to repeat step (c) and step (d) one or more times, preferably 2 to 10 times in sequence, or (c) and (d) On the last coating layer performed repeatedly by repeating the step (c) by additionally performing only the addition of the necking phenomenon between the coating layer to improve the adhesive strength can form a dense and thick coating layer.

본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 세라믹 후막은 열처리된 베이스 코팅층(110) 및 코팅층(120)을 포함하고, 열처리된 베이스 코팅층은 기재와 베이스 코팅층의 계면 및 결정 간의 넥킹(necking) 현상이 발생되고, 결정자 크기가 열처리 전의 베이스 코팅층 결정자 크기보다 1.5배 ~ 3배 증가됨으로써, 치밀하면서도 두껍고, 외부충격에 의해 쉽게 코팅 계면층이 박리되는 현상을 방지할 수 있어 다양한 특성의 융복합화된 내식성 부재로 구현이 가능한 효과가 있다.The ceramic thick film prepared by the method according to the present invention includes a heat-treated base coating layer 110 and a coating layer 120, the heat treatment of the base coating layer is a necking phenomenon between the interface and the crystal of the substrate and the base coating layer is generated As the crystallite size is increased 1.5 to 3 times larger than the size of the base coating layer before heat treatment, it is dense and thick and can prevent the coating interface layer from being easily peeled off due to external impact. There is a possible effect.

이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. The following examples are merely examples to help understanding of the present invention, but the scope of the present invention is not limited thereto.

<< 실시예Example 1>  1>

1-One- 1: 1차1: primary 열처리된Heat-treated 베이스 코팅층 형성 Base coating layer formation

에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 알루미나(Al2O3) 판재 상에 물리적 충돌시켜 두께가 3 ㎛인 베이스 코팅층을 형성하였다. 상기 베이스 코팅층이 형성된 알루미나 판재를 가열로에 위치시킨 다음, 공기 분위기에서 800 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하였다. In the aerosol chamber, yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibration vibrator, and then the aerosolized yttria powder was flowed together with argon gas using the pressure difference between the aerosol chamber and the deposition chamber. Physical impact on the alumina (Al 2 O 3 ) plate at L / min to form a base coating layer having a thickness of 3 ㎛. The alumina plate on which the base coating layer was formed was placed in a heating furnace, and then subjected to a first heat treatment at 800 ° C. for 3 hours in an air atmosphere.

1-2: 코팅층 형성1-2: coating layer formation

실시예 1-1의 1차 열처리된 베이스 코팅층을 에어로졸 챔버 내에 위치시키고, 에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 베이스 코팅층 상에 물리적 충돌시켜 코팅층을 형성하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.The first heat-treated base coating layer of Example 1-1 was placed in an aerosol chamber, and yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibrating vibrator in the aerosol chamber, and then between the aerosol chamber and the deposition chamber. Using the pressure difference, the aerosolized yttria powder was physically collided with the argon gas at a flow rate of 30 L / min on the base coating layer to form a coating layer, thereby preparing a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 2>  2>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 1,000 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first thick heat treatment was performed at 1,000 ° C. for 3 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 3>  3>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 1,000 ℃로 6시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first heat treatment was performed at 1,000 ° C. for 6 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 4>  4>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 1,200 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first thick heat treatment was performed at 1,200 ° C. for 3 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 5>  5>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 1,500 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first heat treatment was performed at 1,500 ° C. for 3 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 6>  6>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 1,800 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first thick heat treatment was performed at 1,800 ° C. for 3 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 7>  7>

실시예 2와 동일한 방법으로 1차 열처리된 베이스 코팅층을 형성한 다음, 상기 베이스 코팅층을 에어로졸 챔버 내에 위치시키고, 에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 물리적 충돌시켜 두께가 10 ㎛의 코팅층을 형성하였다. 상기 형성된 코팅층을 1,000 ℃로 3시간 동안 2차 열처리를 수행한 다음, 2차 열처리된 코팅층을 동일한 방법으로 1회 더 반복 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.After forming the first heat-treated base coating layer in the same manner as in Example 2, the base coating layer was placed in an aerosol chamber, and the yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibration vibrator in the aerosol chamber. Then, using the pressure difference between the aerosol chamber and the deposition chamber, the aerosolized yttria powder was physically collided with argon gas at a flow rate of 30 L / min to form a coating layer having a thickness of 10 μm. The formed coating layer was subjected to secondary heat treatment at 1,000 ° C. for 3 hours, and then the secondary heat-treated coating layer was repeatedly performed once more in the same manner to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

<< 실시예Example 8>  8>

실시예 2와 동일한 방법으로 1차 열처리된 베이스 코팅층을 형성한 다음, 상기 베이스 코팅층을 에어로졸 챔버 내에 위치시키고, 에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 물리적 충돌시켜 두께가 10 ㎛의 코팅층을 형성하였다. 상기 형성된 코팅층을 1,000 ℃로 3시간 동안 2차 열처리를 수행한 다음, 2차 열처리된 코팅층을 동일한 방법으로 6회 더 반복 수행하여 총 두께가 약 70 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.After the base heat-treated base coating layer was formed in the same manner as in Example 2, the base coating layer was placed in an aerosol chamber, and yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibration vibrator in the aerosol chamber. Then, using the pressure difference between the aerosol chamber and the deposition chamber, the aerosolized yttria powder was physically collided with argon gas at a flow rate of 30 L / min to form a coating layer having a thickness of 10 μm. The formed coating layer was subjected to secondary heat treatment at 1,000 ° C. for 3 hours, and then the secondary heat treated coating layer was repeatedly performed six times in the same manner to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 70 μm.

<< 실시예Example 9>  9>

9-9- 1: 1차1: primary 열처리된Heat-treated 베이스 코팅층 형성 Base coating layer formation

에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 알루미나(Al2O3) 판재 상에 물리적 충돌시켜 두께가 13 ㎛인 베이스 코팅층을 형성하였다. 상기 베이스 코팅층이 형성된 알루미나 판재를 가열로에 위치시킨 다음, 공기 분위기에서 1000 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하였다. In the aerosol chamber, yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibration vibrator, and then the aerosolized yttria powder was flowed together with argon gas using the pressure difference between the aerosol chamber and the deposition chamber. Physical impact on the alumina (Al 2 O 3 ) plate at L / min to form a base coating layer having a thickness of 13 ㎛. The alumina plate formed with the base coating layer was placed in a heating furnace, and then subjected to a primary heat treatment at 1000 ° C. for 3 hours in an air atmosphere.

9-2: 코팅층 형성9-2: Coating Layer Formation

실시예 9-1의 1차 열처리된 베이스 코팅층을 에어로졸 챔버 내에 위치시키고, 에어로졸 챔버 내에서 이트리아(Y2O3)를 분말 진동 바이브레터를 이용하여 에어졸화시킨 다음, 에어로졸 챔버와 증착 챔버 간의 압력차를 이용하여 에어졸화된 이트리아 분말을 아르곤 가스와 함께 유량이 30 L/min로 물리적 충돌시켜 두께가 40 ㎛의 코팅층을 형성하였다. 상기 형성된 코팅층을 1,000 ℃로 3시간 동안 2차 열처리를 수행한 다음, 2차 열처리된 코팅층을 동일한 방법으로 4회 더 반복 수행하여 총 두께가 약 200 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.The first heat-treated base coating layer of Example 9-1 was placed in an aerosol chamber, and yttria (Y 2 O 3 ) was aerosolized using a powder vibrating vibrator in the aerosol chamber, and then between the aerosol chamber and the deposition chamber. Using the pressure difference, the aerosolized yttria powder was physically collided with argon gas at a flow rate of 30 L / min to form a coating layer having a thickness of 40 μm. The formed coating layer was subjected to secondary heat treatment at 1,000 ° C. for 3 hours, and then the secondary heat treated coating layer was repeatedly performed four times in the same manner to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 200 μm.

<< 비교예Comparative example 1> 1>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리 없이 총 두께가 약 13 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다. A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a ceramic thick film having a total thickness of about 13 μm was prepared without first heat treatment.

<< 비교예Comparative example 2> 2>

실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 후막을 제조하되, 1차 열처리를 공기 분위기에서 700 ℃로 3시간 동안 1차 열처리를 수행하여 총 두께가 약 20 ㎛인 세라믹 후막을 제조하였다.A ceramic thick film was prepared in the same manner as in Example 1, but the first thick heat treatment was performed at 700 ° C. for 3 hours in an air atmosphere to prepare a ceramic thick film having a total thickness of about 20 μm.

[[ 실험예Experimental Example 1] : 세라믹  1]: ceramic 후막Thick curtain 구조 형상 측정 Structural shape measurement

실시예 및 비교예에서 제조된 세라믹 후막의 수직단면을 FE SEM(JEM-2100F HR, JEOL LTD.)으로 측정하였다. 그 결과를 도2 내지 도 6에 나타내었다.Vertical sections of the ceramic thick films prepared in Examples and Comparative Examples were measured by FE SEM (JEM-2100F HR, JEOL LTD.). The results are shown in FIGS. 2 to 6.

도 3는 비교예 1 및 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 측정한 것으로, 도 3의 (a-1) 및 (a-2)는 각각 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층과 베이스 코팅층 및 기재의 계면을, 도 3의 (b-1) 및 (b-2)는 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 베이스 코팅층과 베이스 코팅층 및 기재의 계면을 각각 측정한 이미지이다. 3 is a vertical cross-sectional view of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1 and Example 2, Figure 3 (a-1) and (a-2) is a base coating layer of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1, respectively 3 (b-1) and (b-2) show the interface between the base coating layer, the base coating layer and the substrate of the ceramic thick film prepared in Example 2, respectively.

도 3에 나타난 바와 같이, 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 경우(도 3a-1) 넥킹(Necking) 현상이 나타나지 않는 반면, 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 경우(도 3b-1)에는 베이스 코팅층에는 넥킹(Necking) 현상으로 코팅 결합력이 향상된 것을 확인할 수 있었고, 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 경우(도 3a-2)에는 베이스 코팅층 및 기재의 계면이 완전히 접합되지 않은 반면, 실시예 2에서 제조된 세라믹 후막의 경우(도 3b-2)에서는 베이스 코팅층 및 기재의 계면 경계선 없이 접합된 것을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 3, in the case of the ceramic thick film manufactured in Comparative Example 1 (FIG. 3A-1), the necking phenomenon does not appear, whereas in the case of the ceramic thick film manufactured in Example 2 (FIG. 3B-1). In the base coating layer, it was confirmed that the coating bonding force was improved by the necking phenomenon. In the case of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1 (FIG. 3A-2), the interface between the base coating layer and the substrate was not completely bonded. In the case of the ceramic thick film prepared in 2 (FIG. 3B-2), it was confirmed that the base coating layer and the base were bonded without the interface boundary.

또한, 도 4는 비교예 2 및 실시예 1 내지 3에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 측정한 것으로, (a)는 비교예 2의 세라믹 후막 이미지이고, (b)는 실시예 1의 세라믹 후막 이미지이며, (c)는 실시예 2의 세라믹 후막 이미지이고, (d)는 실시예 3의 세라믹 후막 이미지이다. In addition, Figure 4 is a vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 2 and Examples 1 to 3, (a) is a ceramic thick film image of Comparative Example 2, (b) is a ceramic thick film of Example 1 (C) is the ceramic thick film image of Example 2, and (d) is the ceramic thick film image of Example 3.

도 4에 나타난 바와 같이, 비교예 2의 세라믹 후막의 경우[도 4(a)]에서는 넥킹(Necking) 현상이 나타나지 않은 반면, 실시예 1 내지 3의 세라믹 후막의 경우에는 넥킹(Necking) 현상이 나타난 것을 확인할 수 있었다. As shown in FIG. 4, in the case of the ceramic thick film of Comparative Example 2 (FIG. 4A), the necking phenomenon did not appear, whereas in the ceramic thick films of Examples 1 to 3, the necking phenomenon occurred. It was confirmed that it appeared.

한편, 도 2는 실시예 7에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 측정한 이미지이고, 도 5는 실시예 8에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 측정한 이미지이며, 도 6은 실시예 9에서 제조된 세라믹 후막의 수직 단면을 측정한 이미지이다.On the other hand, Figure 2 is an image measuring the vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Example 7, Figure 5 is an image measuring the vertical cross section of the ceramic thick film prepared in Example 8, Figure 6 is manufactured in Example 9 The vertical cross section of the ceramic thick film was measured.

도 2, 도 5 및 도 6에서 나타난 바와 같이, 비교예 1과 같이 열처리 없이 세라믹 후막을 제조한 경우[도 3(a)], 두께가 약 13 ㎛으로, 보다 두꺼운 후막 형성에 한계가 있는 반면, 도 2, 도 5 및 도 6에서는 열처리와 반복 코팅으로, 두께가 200 ㎛인 세라믹 후막을 제조할 수 있음을 확인할 수 있었다.As shown in Figures 2, 5 and 6, when the ceramic thick film was prepared without heat treatment as in Comparative Example 1 (Fig. 3 (a)), the thickness is about 13 ㎛, while there is a limit to the thicker thick film formation In FIGS. 2, 5 and 6, it was confirmed that a ceramic thick film having a thickness of 200 μm could be manufactured by heat treatment and repeated coating.

[[ 실험예Experimental Example 2] 세라믹  2] ceramic 후막의Thick 내화학성 측정 Chemical resistance measurement

실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 내화학성을 측정하기 위해 8 % HF, 12.5 % HF 및 25 % HF을 각각 세라믹 후막에 떨어뜨린 후, 12시간 동안 유지시켜 들뜸 현상(spalling) 발생을 3D Laser Scanning으로 측정하고, 도 7에 나타내었다.In order to measure the chemical resistance of the ceramic thick films prepared in Example 1 and Comparative Example 1, 8% HF, 12.5% HF, and 25% HF were dropped on the ceramic thick films, respectively, and held for 12 hours to generate spalling. Was measured by 3D Laser Scanning and is shown in FIG.

도 7에 나타난 바와 같이, 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 경우, 12시간 후, 12.5 % HF 및 25 % HF에서 spalling이 발생된 반면, 실시예 1에서 제조된 세라믹 후막의 경우, 12시간 후, 8 % HF, 12.5 % HF 및 25 % HF 모두에서도 특이사항이 없는 것으로 나타났다. As shown in FIG. 7, in the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1, spalling occurred in 12.5% HF and 25% HF after 12 hours, whereas in the ceramic thick film manufactured in Example 1, 12 hours after , 8% HF, 12.5% HF and 25% HF were all nonspecific.

[[ 실험예Experimental Example 3] 세라믹  3] ceramic 후막의Thick 결정자 측정방법 Determination Method

본 발명의 실시예와 비교예에서 제조된 세라믹 후막의 결정자 크기를 XRD Peak(반치폭)을 이용하여 하기식 1로 산출하여 측정하여 표 1에 나타내었다.The crystallite size of the ceramic thick films prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention was calculated by the following Equation 1 using XRD Peak and shown in Table 1 below.

[식 1][Equation 1]

Figure 112018116645219-pat00001
Figure 112018116645219-pat00001

dXRD = Sherrer equation으로 계산되는 결정자의 크기d XRD = size of the determinant calculated by Sherrer equation

λ : 측정 X-ray 파장 (λCuKa1=1.5406 Å)λ: measured X-ray wavelength (λ CuKa1 = 1.5406 Å)

B : 반각폭, 회절선(peak)의 broadening, B=(2θ2-2θ1)/2=θ21 B: half-width, broadening of diffraction lines, B = (2θ 2 -2θ 1 ) / 2 = θ 21

θ : 회절각(diffraction angle)θ: diffraction angle

[[ 실험예Experimental Example 5] 세라믹  5] ceramic 후막의Thick 경도 측정 Hardness measurement

본 발명의 실시예와 비교예에서 제조된 세라믹 후막의 경도(hardness, Hν)를 비커스 경도계(KSB0811)로 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.Hardness (Hv) of the ceramic thick films prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention was measured by Vickers hardness tester (KSB0811), the results are shown in Table 1 below.

구분division 세라믹 후막의 결정자 크기(nm)Crystalline size of ceramic thick film (nm) 세라믹 후막의 경도(Hν)Hardness of Ceramic Thick Film (Hν) 실시예 1Example 1 27.4927.49 450450 실시예 2Example 2 30.9330.93 510510 실시예 3Example 3 32.9032.90 550550 실시예 4Example 4 36.6136.61 600600 실시예 5Example 5 38.4838.48 620620 실시예 6Example 6 45.2045.20 600600 비교예 1Comparative Example 1 18.3218.32 320320 비교예 2Comparative Example 2 20.1520.15 360360

표 1에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 6에서 제조된 세라믹 후막의 경우, 결정자의 크기가 비교예 1에서 제조된 세라믹 후막의 결정자 크기보다 1.5배 이상 큰 것을 확인할 수 있었다. 이는 열처리 후, 실시예 1 내지 6에서 제조된 세라믹 후막의 넥킹 현상으로 결정자 크기가 증가한 것으로 판단된다. As shown in Table 1, in the case of the ceramic thick films prepared in Examples 1 to 6, it was confirmed that the crystallite size was 1.5 times larger than the crystallite size of the ceramic thick film prepared in Comparative Example 1. It was determined that the crystallite size increased due to the necking phenomenon of the ceramic thick film prepared in Examples 1 to 6 after the heat treatment.

또한, 실시예 1 내지 실시예 5에서 제조된 세라믹 후막의 경우, 세라믹 후막의 코팅 결합력이 강화되어 경도에서도 비교예 1 및 2에 비해 향상됨을 확인할 수 있었으나, 실시예 6에서 제조된 세라믹 후막의 경우에는 높은 온도의 열처리로 인해 후막의 상변화가 일어나 경도가 다소 저하되는 것으로 나타났다.In addition, in the case of the ceramic thick film prepared in Examples 1 to 5, it was confirmed that the coating bonding strength of the ceramic thick film is improved compared to Comparative Examples 1 and 2 in hardness, but in the case of the ceramic thick film prepared in Example 6 The high temperature of heat treatment caused the phase change of the thick film, and the hardness decreased.

따라서, 본 발명에 따른 세라믹 후막의 제조방법은 세라믹 후막과 기재와의 접착강도를 향상시킬 수 있어 외부충격에 의해 쉽게 코팅 계면층이 박리되는 현상을 방지하는 동시에, 보다 두꺼우면서 치밀한 세라믹 후막을 제조할 수 있음을 확인할 수 있었다. Therefore, the manufacturing method of the ceramic thick film according to the present invention can improve the adhesive strength between the ceramic thick film and the substrate to prevent the coating interface layer from being easily peeled off by external impact and at the same time to produce a thicker and more dense ceramic thick film. Could confirm.

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.All simple modifications or changes of the present invention can be easily implemented by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.

100 : 기재
110 : 베이스 코팅층
120 : 코팅층
130 : 세라믹 후막
100: description
110: base coating layer
120: coating layer
130: ceramic thick film

Claims (13)

(a) 기재상에 Y2O3, Dy2O3, Er2O3, Sm2O3, YAG, YF3 및 YOF으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 두께가 0.5 ㎛ ~ 30 ㎛인 베이스 코팅층을 형성하는 단계;
(b) 상기 형성된 베이스 코팅층의 결정자 크기가 1.5 배 ~ 3배 증가되고, 기재와 베이스 코팅층 계면 및 결정 간의 네킹 현상이 발생되도록 1차 열처리하는 단계; 및
(c) 상기 1차 열처리된 베이스 코팅층상에 희토류 금속 분말을 에어로졸 증착시켜 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 세라믹 후막의 제조방법.
(a) aerosol deposition of at least one rare earth metal powder selected from the group consisting of Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Sm 2 O 3 , YAG, YF 3 and YOF Forming a base coating layer having a thickness of 0.5 μm to 30 μm;
(b) first heat treatment to increase the crystallite size of the formed base coating layer by 1.5 to 3 times, and to cause necking between the substrate and the base coating layer interface and the crystal; And
(c) aerosol deposition of rare earth metal powder on the first heat-treated base coating layer to form a coating layer.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계의 1차 열처리는 Ar, He, O2, Air 또는 진공분위기에서 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 1,
The primary heat treatment of step (b) is a method for producing a ceramic thick film, characterized in that performed for 1 to 20 hours at 750 ℃ or more in Ar, He, O 2 , Air or vacuum atmosphere.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 (c)단계는 적어도 1회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 1,
Step (c) is a method for producing a ceramic thick film, characterized in that carried out repeatedly at least one or more times.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 두께가 1 ㎛ ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 1,
The coating layer has a thickness of 1 ㎛ ~ 200 ㎛ characterized in that the manufacturing method of the ceramic thick film.
제1항에 있어서,
상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계 이후, (d) 2차 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the ceramic thick film is a method of manufacturing a ceramic thick film further comprising the step of (d), after the second heat treatment (d).
제8항에 있어서,
상기 2차 열처리는 Ar, He, O2, Air 또는 진공분위기에서 750 ℃ 이상으로 1시간 ~ 20시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 8,
The secondary heat treatment is a method for producing a ceramic thick film, characterized in that performed for 1 to 20 hours at 750 ℃ or more in Ar, He, O 2 , Air or vacuum atmosphere.
제8항에 있어서,
상기 2차 열처리 후 코팅층의 결정자는 (c) 단계의 코팅층 결정자보다 1.5배 ~ 3배 큰 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 8,
The crystallization of the coating layer after the second heat treatment method of manufacturing a ceramic thick film, characterized in that 1.5 to 3 times larger than the crystallization of the coating layer of step (c).
제8항에 있어서,
상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계와 (d) 단계를 순차적으로 1회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 8,
The method of manufacturing a ceramic thick film is a method of manufacturing a ceramic thick film, characterized in that the steps (c) and (d) are repeated one or more times in sequence.
제11항에 있어서,
상기 세라믹 후막의 제조방법은 (c) 단계와 (d) 단계를 반복하여 수행한 마지막 코팅층상에 (c) 단계만 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 세라믹 후막의 제조방법.
The method of claim 11,
The manufacturing method of the ceramic thick film is a method of manufacturing a ceramic thick film, characterized in that the step (c) additionally performed on the last coating layer performed by repeating steps (c) and (d).
제1항, 제2항, 제4항, 제7항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 형성되는 세라믹 후막.The ceramic thick film formed by the manufacturing method of any one of Claims 1, 2, 4, and 7-12.
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