KR102081118B1 - Organic light emitting display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구동 전압을 낮출 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 서로 대향된 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 2개의 발광 유닛과; 상기 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 형성되며, N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층으로 이루어지는 전하 생성층을 구비하며, 상기 적어도 2개의 발광 유닛 중 적어도 어느 하나의 발광 유닛에 포함되는 발광층은 상기 N형 전하 생성층과 직접 접촉하도록 형성되며, 상기 발광층의 부피비를 기준으로 10~90%으로 전자 수송 물질을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention provides an organic light emitting display device capable of lowering a driving voltage.
An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: first and second electrodes facing each other on a substrate; At least two light emitting units formed between the first and second electrodes; A light emitting layer formed between the at least two light emitting units, the charge generating layer comprising an N type charge generating layer and a P type charge generating layer, wherein the light emitting layer included in at least one light emitting unit of the at least two light emitting units includes: It is formed to be in direct contact with the N-type charge generating layer, characterized in that formed to include an electron transport material in 10 to 90% based on the volume ratio of the light emitting layer.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

본 발명은 구동 전압을 낮출 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device capable of lowering a driving voltage.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되고 있다.Recently, as the information age has entered, the display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed, and in response to this, various flat display devices having excellent performance of thinning, light weight, and low power consumption have been developed. Device) is being developed.

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a flat panel display include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and an organic light emitting display. (Organic Light Emitting Device: OLED) and the like.

특히, 유기 발광 표시 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.In particular, the organic light emitting diode display is a self-luminous element and has an advantage in that the response speed is faster and the luminous efficiency, luminance, and viewing angle are larger than those of other flat panel displays.

이러한 유기 발광 표시 장치는 발광층을 사이에 두고 서로 마주보는 애노드 전극과 캐소드 전극을 구비하며, 애노드 전극으로부터 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 발광층 내에서 재결합하여 정공-전자쌍인 여기자를 형성하고, 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다. 그러나, 종래 발광층과 전자 수송층 또는 발광층과 정공 수송층 사이의 계면에 에너지 장벽이 형성되어 발광층으로의 정공 주입과 전자 주입이 원활하지 않아 구동 전압이 높아지고 효율 및 수명이 감소되는 문제점이 있다.The organic light emitting diode display includes an anode electrode and a cathode electrode facing each other with the light emitting layer interposed therebetween, and holes injected from the anode electrode and electrons injected from the cathode electrode recombine in the light emitting layer to form an exciton which is a hole-electron pair. Then, the excitons emit light by the energy generated when returning to the ground state. However, there is a problem in that energy barrier is formed at the interface between the light emitting layer and the electron transporting layer or the light emitting layer and the hole transporting layer so that hole injection and electron injection into the light emitting layer are not smooth, so that driving voltage is increased and efficiency and lifespan are reduced.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 구동 전압을 낮출 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide an organic light emitting display device that can lower the driving voltage.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 서로 대향된 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 2개의 발광 유닛과; 상기 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 형성되며, N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층으로 이루어지는 전하 생성층을 구비하며, 상기 적어도 2개의 발광 유닛 중 적어도 어느 하나의 발광 유닛에 포함되는 발광층은 상기 N형 전하 생성층과 직접 접촉하도록 형성되며, 상기 발광층의 부피비를 기준으로 10~90%으로 전자 수송 물질을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, an organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a first electrode and a second electrode facing each other on a substrate; At least two light emitting units formed between the first and second electrodes; A light emitting layer formed between the at least two light emitting units, the charge generating layer comprising an N type charge generating layer and a P type charge generating layer, wherein the light emitting layer included in at least one light emitting unit of the at least two light emitting units includes: It is formed to be in direct contact with the N-type charge generating layer, characterized in that formed to include an electron transport material in 10 to 90% based on the volume ratio of the light emitting layer.

상기 적어도 2개의 발광 유닛은 제1 및 제2 발광 유닛을 구비하며, 상기 제1 발광 유닛은 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 정공 수송층과; 상기 N형 전하 생성층과 직접 접촉하도록 상기 제1 정공 수송층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 형성되는 제1 발광층을 구비하며, 상기 제2 발광 유닛은 상기 P형 전하 생성층 상에 형성되는 제2 정공 수송층과; 상기 제2 정공 수송층 상에 형성되는 제2 발광층과; 상기 인광 발광층 상에 형성되는 전자 수송층을 구비하는 것을 특징으로 한다.The at least two light emitting units have a first and a second light emitting unit, the first light emitting unit comprising: a first hole transport layer formed on the first electrode; A first light emitting layer formed between the first hole transport layer and the N-type charge generating layer to be in direct contact with the N-type charge generating layer, wherein the second light emitting unit is formed on the P-type charge generating layer 2 hole transport layer; A second light emitting layer formed on the second hole transport layer; And an electron transporting layer formed on the phosphorescent layer.

상기 제1 발광층은 상기 제1 정공 수송층 상에 형성되는 청색 도펀트 및 청색 호스트로 이루어진 제1 혼합 발광층과; 상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 형성되는 제2 혼합 발광층으로 이루어지며, 상기 제2 혼합 발명층은 전자 수송 물질 및 청색 호스트로 이루어지거나, 전자 수송 물질, 청색 호스트 및 청색 도펀트로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The first light emitting layer includes a first mixed light emitting layer comprising a blue dopant and a blue host formed on the first hole transport layer; A second mixed light emitting layer is formed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer, and the second mixed invention layer is formed of an electron transport material and a blue host, or an electron transport material, a blue host, and a blue dopant. Characterized in that consists of.

상기 전자 수송 물질은 상기 제2 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제2 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 것을 특징으로 한다.The electron transporting material may be included in the second mixed light emitting layer by 10 to 90% based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer.

상기 제1 발광층은 상기 제1 정공 수송층 상에 형성되는 정공 수송 물질, 청색 도펀트 및 청색 호스트로 이루어진 제1 혼합 발광층과; 상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 형성되며, 상기 전자 수송 물질, 상기 청색 도펀트 및 청색 호스트로 이루어진 제2 혼합 발광층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The first light emitting layer comprises: a first mixed light emitting layer comprising a hole transporting material, a blue dopant, and a blue host formed on the first hole transporting layer; And a second mixed light emitting layer formed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer, and formed of the electron transporting material, the blue dopant, and a blue host.

상기 정공 수송 물질은 상기 제1 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제1 혼합 발광층에 10~90% 포함되며, 상기 전자 수송 물질은 상기 제2 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제2 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 것을 특징으로 한다.The hole transport material is included in the first mixed light emitting layer 10 to 90% based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer, the electron transport material is 10 to the second mixed light emitting layer based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer. It is characterized by including ~ 90%.

상기 제1 발광층은 상기 제1 정공 수송층 상에 형성되는 제1 혼합 발광층과;The first light emitting layer includes a first mixed light emitting layer formed on the first hole transport layer;

상기 제1 혼합 발광층 상에 형성되며, 상기 청색 도펀트 및 청색 호스트로 이루어진 제2 혼합 발광층과; 상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 형성되는 제3 혼합 발광층을 구비하며, 상기 제1 혼합 발광층은 정공 수송 물질 및 청색 호스트로 이루어지거나, 상기 정공 수송 물질, 청색 호스트 및 청색 도펀트로 이루어지며, 상기 제3 혼합 발광층은 전자 수송 물질 및 청색 호스트로 이루어지거나, 상기 전자 수송 물질, 청색 호스트 및 청색 도펀트로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A second mixed light emitting layer formed on the first mixed light emitting layer, the second mixed light emitting layer comprising the blue dopant and the blue host; And a third mixed light emitting layer formed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer, wherein the first mixed light emitting layer is formed of a hole transport material and a blue host, or the hole transport material, a blue host, and a blue dopant. The third mixed light emitting layer may be formed of an electron transport material and a blue host, or may be formed of the electron transport material, a blue host, and a blue dopant.

상기 정공 수송 물질은 상기 제1 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제1 혼합 발광층에 10~90% 포함되며, 상기 전자 수송 물질은 상기 제3 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제3 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 것을 특징으로 한다.The hole transport material is included in the first mixed light emitting layer 10 to 90% based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer, the electron transport material is 10 to the third mixed light emitting layer based on the volume ratio of the third mixed light emitting layer. It is characterized by including ~ 90%.

상기 제1 발광 유닛의 제1 발광층은 형광 청색 발광층이며, 상기 제2 발광 유닛의 제2 발광층은 인광 발광층인 것을 특징으로 한다.The first light emitting layer of the first light emitting unit may be a fluorescent blue light emitting layer, and the second light emitting layer of the second light emitting unit may be a phosphorescent light emitting layer.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광층 내에 포함된 전자 수송 물질에 의해 발광층과 전자 수송층의 계면의 에너지 장벽을 낮춰 구동 전압을 낮출 수 있고, 전자 수송층의 제거로 구조가 단순화되고 박형화가 가능해진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광층 내에 포함된 정공 수송 물질에 의해 발광층과 정공 수송층의 계면에서의 에너지 장벽을 낮춰 구동 전압을 낮출 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층 내부로 한정하여 수명 및 효율을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention can lower the driving voltage by lowering an energy barrier at the interface between the light emitting layer and the electron transporting layer by the electron transporting material included in the light emitting layer, and the structure can be simplified and thinned by removing the electron transporting layer. In addition, the organic light emitting diode display according to the present invention may lower the driving voltage by lowering an energy barrier at the interface between the light emitting layer and the hole transport layer by the hole transport material included in the light emitting layer. In addition, the organic light emitting diode display according to the present invention may improve the lifespan and efficiency by limiting the region where holes and electrons are recombined into the light emitting layer.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 발광층의 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 발광층의 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 종래와 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전광 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제1 발광층에 포함된 전자 수송 물질의 함량에 따른 유기 발광 표시 장치의 전광 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 제1 발광층의 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 6에 도시된 제1 발광층의 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 종래와 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전광 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 컬러 필터를 가지는 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of a first emission layer illustrated in FIG. 1.
3 is a diagram illustrating another embodiment of the first emission layer illustrated in FIG. 1.
4A and 4B are diagrams for describing all-optical characteristics of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention.
5A to 5C are diagrams for describing an electroluminescent characteristic of an organic light emitting diode display according to the content of an electron transporting material included in a first light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating an embodiment of a first emission layer illustrated in FIG. 6.
FIG. 8 is a diagram illustrating another embodiment of the first emission layer illustrated in FIG. 6.
9A and 9B are diagrams for describing all-optical characteristics of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first and second embodiments of the present invention having a color filter.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 서로 마주보는 제1 및 제2 전극(102,104), 제1 및 제2 전극(102,104) 사이에 형성되는 제1 및 제2 발광 유닛(110,120)과, 제1 및 제2 발광 유닛(110,120) 사이에 위치하는 전하 생성층(130)을 구비한다. 본 발명에서는 2개의 발광 유닛이 이용되는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 그 이상의 발광 유닛으로 형성될 수도 있다.The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 includes first and second electrodes 102 and 104 facing each other, first and second light emitting units 110 and 120 formed between the first and second electrodes 102 and 104, and a first and second light emitting units 110 and 120. And a charge generation layer 130 positioned between the second light emitting units 110 and 120. In the present invention, the case where two light emitting units are used has been described as an example, but may be formed of more light emitting units.

제1 및 제2 전극(102,104) 중 적어도 어느 하나는 투명 전극으로 형성된다. 제1 전극(102)이 투명 전극이고, 제2 전극(104)이 불투명 전극 또는 반투과 전극인 경우, 하부로 광을 출사하는 배면 발광 구조이다. 제2 전극(104)이 투명 전극이고, 제1 전극(102)이 불투명 전극 또는 반투과 전극인 경우, 상부로 광을 출사하는 전면 발광 구조이다. 제1 및 제2 전극(102,104) 모두 투명 전극인 경우, 상하부로 광을 출사하는 양면 발광 구조이다.At least one of the first and second electrodes 102 and 104 is formed of a transparent electrode. When the first electrode 102 is a transparent electrode and the second electrode 104 is an opaque electrode or a semi-transmissive electrode, it is a bottom emission structure that emits light downward. When the second electrode 104 is a transparent electrode and the first electrode 102 is an opaque electrode or a semi-transmissive electrode, it has a top emission structure that emits light upward. When both the first and second electrodes 102 and 104 are transparent electrodes, they have a double-sided light emitting structure that emits light up and down.

투명 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등이 이용되며, 불투명 전극으로는 반사성 금속 재질로 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(MO), 크롬(Cr), 구리(Cu), LiF 등으로 형성되거나, 이들을 이용한 복층 구조로 형성된다.ITO (ITO), IZO (IZO), and the like are used as the transparent electrode, and aluminum (Al), gold (Au), and molybdenum (I) are used as the reflective metals. MO), chromium (Cr), copper (Cu), LiF, or the like, or a multilayer structure using them.

본 발명에서는 제1 전극(102)이 애노드로서 투명 전극으로 형성되고, 제2 전극(104)이 캐소드로서, 불투명 전극으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.In the present invention, the first electrode 102 is formed as a transparent electrode as an anode, the second electrode 104 will be described as an example of being formed as an opaque electrode as a cathode.

제1 발광 유닛(110)은 제1 전극(102)과 N형 전하 생성층(132) 사이에 형성된다. 제1 발광 유닛(110)은 제1 전극(102) 상에 순차적으로 형성되는 정공 주입층(112), 적어도 1층의 제1 정공 수송층(114), 제1 발광층(116)을 구비한다. 제1 정공 수송층(114)은 제1 전극(102)으로부터의 정공을 제1 발광층(116)에 공급하며, 제1 발광층(116)에서는 제1 정공 수송층(114)을 통해 공급된 정공과 N형 전하 생성층(132)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다.The first light emitting unit 110 is formed between the first electrode 102 and the N-type charge generation layer 132. The first light emitting unit 110 includes a hole injection layer 112 sequentially formed on the first electrode 102, at least one first hole transport layer 114, and a first light emitting layer 116. The first hole transport layer 114 supplies holes from the first electrode 102 to the first light emitting layer 116, and the first light transport layer 116 supplies holes and N-type holes through the first hole transport layer 114. Since the electrons supplied through the charge generating layer 132 are recombined, light is generated.

제2 발광 유닛(120)은 제2 전극(104)과 P형 전하 생성층(134) 사이에 형성된다. 제2 발광 유닛(120)은 P형 전하 생성층(134) 상에 순차적으로 형성되는 제2 정공 수송층(124), 제2 발광층(126) 및 전자 수송층(128)을 구비한다. 제2 정공 수송층(124)은 P형 전하 생성층(134)으로부터의 정공을 제2 발광층(126)에 공급하며, 제2 전자 수송층(128)은 제2 전극(132)으로부터의 전자를 제2 발광층(126)에 공급하며, 제2 발광층(126)에서는 제2 정공 수송층(124)을 통해 공급된 정공과 제2 전자 수송층(128)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다.The second light emitting unit 120 is formed between the second electrode 104 and the P-type charge generation layer 134. The second light emitting unit 120 includes a second hole transport layer 124, a second light emitting layer 126, and an electron transport layer 128 that are sequentially formed on the P-type charge generation layer 134. The second hole transport layer 124 supplies holes from the P-type charge generating layer 134 to the second light emitting layer 126, and the second electron transport layer 128 supplies electrons from the second electrode 132 to the second. The light is supplied to the emission layer 126, and light is generated in the second emission layer 126 because the holes supplied through the second hole transport layer 124 and the electrons supplied through the second electron transport layer 128 are recombined.

전하 생성층(130)은 차례로 적층되어 있는 N형 전하 생성층(132)과 P형 전하 생성층(134)을 포함한다.The charge generation layer 130 includes an N-type charge generation layer 132 and a P-type charge generation layer 134 that are sequentially stacked.

N형 전하 생성층(132)은 P형 전하 생성층(134)보다 제1 전극(102)에 더 가깝게 배치된다. N형 전하 생성층(132)은 P형 전하 생성층(134)과 제2 정공 수송층(124) 사이의 계면에서 분리되는 n형 전하인 전자를 끌어당기는 역할을 한다. 이러한 N형 전하 생성층(132)은 유기물에 알칼리 금속 입자가 도핑되어 형성된다.The N-type charge generation layer 132 is disposed closer to the first electrode 102 than the P-type charge generation layer 134. The N-type charge generation layer 132 serves to attract electrons that are n-type charges separated at the interface between the P-type charge generation layer 134 and the second hole transport layer 124. The N-type charge generating layer 132 is formed by doping alkali metal particles into an organic material.

P형 전하 생성층(134)은 N형 전하 생성층(132)보다 제2 전극(104)에 더 가깝게 배치된다. 이 P형 전하 생성층(134)과 제2 정공 수송층(124) 사이의 계면에서는 n형 전하인 전자와 p형 전하인 정공이 생성되고 분리된다.The P-type charge generation layer 134 is disposed closer to the second electrode 104 than the N-type charge generation layer 132. At the interface between the P-type charge generating layer 134 and the second hole transport layer 124, electrons as n-type charges and holes as p-type charges are generated and separated.

분리된 전자는 N형 전하 생성층(132)을 통해 제1 발광 유닛(110)으로 이동하고 제1 발광 유닛(110)의 제1 발광층(116)에서 제1 전극(102)으로부터 이동한 정공과 결합하여 여기자를 형성하고 에너지를 방출하면서 가시광선 영역의 광을 출사한다.The separated electrons move to the first light emitting unit 110 through the N-type charge generating layer 132 and the holes moved from the first electrode 102 in the first light emitting layer 116 of the first light emitting unit 110. They combine to form excitons and emit energy, emitting light in the visible region.

분리된 정공은 제2 발광 유닛(120)으로 이동하고 제2 발광층(126)에서 제2 전극(104)로부터 이동한 전자와 결합하여 여기자를 형성하고 에너지를 방출하면서 가시광선 영역의 광을 출사한다.The separated holes move to the second light emitting unit 120 and combine with electrons moved from the second electrode 104 in the second light emitting layer 126 to form excitons and emit energy in the visible light region while emitting energy. .

여기서, 제1 발광층(116)은 청색 형광 도펀트와 호스트가 포함된 청색 형광 발광층으로 청색광을 출사하고, 제2 발광층(126)은 적색-녹색 인광 도펀트와 호스트가 포함된 인광 발광층으로 주황색광을 출사하므로, 청색광과 주황색광의 혼합으로 백색광이 구현될 수 있다. 이외에도 다른 형광 도펀트 및 인광 도펀트를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다.Here, the first light emitting layer 116 emits blue light to the blue fluorescent light emitting layer including the blue fluorescent dopant and the host, and the second light emitting layer 126 emits orange light to the phosphorescent light emitting layer including the red-green phosphorescent dopant and the host. Therefore, white light may be realized by mixing blue light and orange light. In addition, the white light may be implemented using other fluorescent dopants and phosphorescent dopants.

특히, 제1 발광층(116)은 도 2 또는 도 3에 도시된 바와 같이 전자 수송 물질(140)을 포함하는 적어도 1층 구조로 형성된다. 제1 발광층(116)에 포함되는 전자 수송 물질(140)은 제2 발광 유닛(120)의 전자 수송층(128)과 동일 물질 또는 다른 전자 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 전자 수송 물질(140)은 화학식 1 또는/및 화학식 2과 같은 화합물로 이루어진 재료로 형성된다.In particular, the first light emitting layer 116 is formed in at least one layer structure including the electron transport material 140, as shown in FIG. The electron transport material 140 included in the first light emitting layer 116 is formed of the same material as or different from the electron transport layer 128 of the second light emitting unit 120. For example, the electron transport material 140 is formed of a material consisting of a compound such as Formula 1 or / and Formula 2.

Figure 112013081077719-pat00001
Figure 112013081077719-pat00001

Figure 112013081077719-pat00002
Figure 112013081077719-pat00002

화학식 1 및 2에서, Ar1 내지 Ar4는 아릴기는 페닐,나프탈렌(naphthalene), 플루오렌(fluorene), 카바졸(carbazole), 페나진(phenazine), 페난트롤린(phenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 시놀린(cinnoline), 퀴나졸린(quinazoline), 퀴녹살린(quinoxaline), 나프티드린(naphthydrine), 프탈라진(phtalazine), 퀴놀리진(quinolizine), 인돌(indole), 인다졸(indazole), 피리다진(pyridazine), 피라진(pyrazine), 피리미딘(pyrimidine), 피리딘(pyridine), 피리딘(pyridine), 피라졸(pyrazole), 이미다졸(imidazole), 피롤(pyrrole)로 구성되는 군으로부터 선택된다. In the formulas (1) and (2), Ar1 to Ar4 represent an aryl group with phenyl, naphthalene, fluorene, carbazole, phenazine, phenanthroline, and phenanthridine. , Acridine, cynoline, quinazoline, quinoxaline, quinoxaline, naphthydrine, phthalazine, quinolizine, indole , Indazole, pyridazine, pyrazine, pyrimidine, pyridine, pyridine, pyrazole, imidazole, pyrrole It is selected from the group consisting of.

Rn (n=1~4)은 탄소수 6 내지 24의 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 10 내지 30의 축합아릴기, 탄소수 2 내지 24의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 24의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 시아노기, 할로겐기, 중수소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택된다. 한편,전자 수송 물질은 상기 구조로부터 합성되어지는 군을 포함하는 구조로 형성되며, 상기 예시에 한정된 것은 아니다.Rn (n = 1-4) is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 24 carbon atoms, a substituted or unsubstituted fused aryl group having 10 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 24 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 24 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms , Substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 24 carbon atoms, cyano group, halogen group, deuterium And hydrogen. On the other hand, the electron transport material is formed in a structure including a group synthesized from the above structure, it is not limited to the above examples.

도 2에 도시된 제1 발광층(116)은 제1 혼합 발광층(116a)과, 제1 혼합 발광층(116a) 상에 형성되는 제2 혼합 발광층(116b)이 적층된 2층 구조로 이루어진다. 제1 혼합 발광층(116a)은 제1 정공 수송층(114) 상에 형성되며, 청색 형광 호스트 및 청색 형광 도펀트가 혼합되어 형성된다.The first light emitting layer 116 illustrated in FIG. 2 has a two-layer structure in which a first mixed light emitting layer 116a and a second mixed light emitting layer 116b formed on the first mixed light emitting layer 116a are stacked. The first mixed emission layer 116a is formed on the first hole transport layer 114 and is formed by mixing a blue fluorescent host and a blue fluorescent dopant.

제2 혼합 발광층(116b)은 N형 전하 생성층(132)과 직접 접촉하도록 N형 전하 생성층(132)과 정공 수송층(114) 사이에 형성된다. 이러한 제2 혼합 발광층(116b)은 전자 수송 물질(140) 및 청색 형광 호스트가 혼합되어 형성되거나, 전자 수송 물질(140), 청색 형광 도펀트 및 청색 형광 호스트가 혼합되어 형성된다. 이 때, 제2 혼합 발광층(116b)에는 제2 혼합 발광층(116b)의 부피비를 기준으로 전자 수송 물질(140)이 약 10~90%로 공증착된다. 제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질(140)이 10%미만이면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 낮아지며, 제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질(140)이 90%를 초과하면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 높아져 제1 발광층(116) 내에서 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 없다. 이와 같이 제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질(140)에 의해, 종래와 같은 별도의 전자 수송층없이 N형 전하 생성층(132)에서 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b)으로 직접 전자를 주입할 수 있으며, 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b) 내에서 전자 수송 속도를 빠르게 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층(116)으로 전자 주입이 용이해져 구동 전압을 낮출 수 있고, 전자 수송층의 제거로 구조가 단순화되고 박형화가 가능해진다.The second mixed light emitting layer 116b is formed between the N-type charge generating layer 132 and the hole transport layer 114 to be in direct contact with the N-type charge generating layer 132. The second mixed emission layer 116b is formed by mixing the electron transport material 140 and the blue fluorescent host, or is formed by mixing the electron transport material 140, the blue fluorescent dopant, and the blue fluorescent host. At this time, the electron transporting material 140 is co-deposited at about 10 to 90% based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer 116b. When the electron transport material 140 included in the second mixed light emitting layer 116b is less than 10%, the electron ratio in the first light emitting layer 116 is lowered and the electron transport material 140 included in the second mixed light emitting layer 116b. When it exceeds 90%, the ratio of electrons in the first light emitting layer 116 becomes high, and it is impossible to balance holes and electrons in the first light emitting layer 116. As described above, the electron transport material 140 included in the second mixed light emitting layer 116b enables the first and second mixed light emitting layers 116a and 116b of the N-type charge generating layer 132 to be formed without a separate electron transport layer. The electrons may be directly injected into the electrons, and the electron transport rates may be rapidly induced in the first and second mixed emission layers 116a and 116b. Accordingly, the present invention facilitates electron injection into the first light emitting layer 116 to lower the driving voltage, and the structure can be simplified and thinned by removing the electron transport layer.

도 3에 도시된 제1 발광층(116)은 전자 수송 물질, 청색 형광 호스트 및 청색 형광 도펀트가 혼합되어 단층구조로 형성된다. 이 때, 제1 발광층(116)은 N형 전하 생성층(132)과 직접 접촉하도록 N형 전하 생성층(132)과 제1 정공 수송층(114) 사이에 형성된다. 이 때, 제1 발광층(116)에는 제1 발광층(116)의 부피비를 기준으로 전자 수송 물질(140)이 약 10~90%로 공증착된다. 제1 발광층(116)에 포함된 전자 수송 물질(140)이 10%미만이면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 낮아지며, 전자 수송 물질(140)이 90%를 초과하면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 높아져 제1 발광층(116) 내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 없다.The first emission layer 116 shown in FIG. 3 is formed in a single layer structure by mixing an electron transport material, a blue fluorescent host, and a blue fluorescent dopant. In this case, the first emission layer 116 is formed between the N-type charge generation layer 132 and the first hole transport layer 114 to directly contact the N-type charge generation layer 132. In this case, the electron transport material 140 is co-deposited at about 10 to 90% based on the volume ratio of the first light emitting layer 116. When the electron transport material 140 included in the first light emitting layer 116 is less than 10%, the electron ratio in the first light emitting layer 116 is lowered. When the electron transport material 140 exceeds 90%, the first light emitting layer ( The ratio of electrons in the 116 is increased, so that holes and electrons injected into the first light emitting layer 116 cannot be balanced.

제1 발광층(116)에 포함된 전자 수송 물질에 의해, 종래와 같은 별도의 전자 수송층없이 N형 전하 생성층(132)에서 제1 발광층(116)으로 직접 전자를 주입할 수 있으며, 제1 발광층(116) 내에서 전자 수송 속도를 빠르게 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층(116)으로 전자 주입이 용이해져 구동 전압을 낮출 수 있고, 전자 수송층의 제거로 구조가 단순화되고 박형화가 가능해진다.By the electron transport material included in the first light emitting layer 116, electrons may be directly injected from the N-type charge generation layer 132 to the first light emitting layer 116 without a separate electron transport layer as in the prior art, and the first light emitting layer It is possible to quickly derive the electron transport rate within 116. Accordingly, the present invention facilitates electron injection into the first light emitting layer 116 to lower the driving voltage, and the structure can be simplified and thinned by removing the electron transport layer.

한편, 도 2 또는 도 3에 도시된 제1 발광층(116) 내에 포함된 청색 형광 호스트 또는 전자 수송 물질(140)의 이동도가 전자 수송층(128)의 이동도보다 빠른 경우, 제1 발광층(116) 내에 포함된 전자 수송 물질(140)의 비율을 낮춰 전자와 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 있다. 또한, 제1 발광층(116) 내에 포함된 청색 형광 호스트 또는 전자 수송 물질(140)의 이동도가 전자 수송층(128)의 이동도보다 느린 경우, 제2 혼합 발광층(116) 내에 포함된 전자 수송 물질(140)의 비율이 상대적으로 높여 전자와 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 있다.On the other hand, when the mobility of the blue fluorescent host or electron transport material 140 included in the first light emitting layer 116 shown in FIG. 2 or 3 is faster than the mobility of the electron transport layer 128, the first light emitting layer 116 By lowering the ratio of the electron transport material 140 contained in the) it is possible to balance the electrons and holes and electrons. In addition, when the mobility of the blue fluorescent host or the electron transport material 140 included in the first light emitting layer 116 is slower than the mobility of the electron transport layer 128, the electron transport material included in the second mixed light emitting layer 116. The ratio of 140 may be relatively high to balance electrons, holes, and electrons.

표 1은 종래 유기 발광 소자와 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백색 유기 발광 소자의 전광특성을 나타낸 것이다.Table 1 shows the electro-optical characteristics of the conventional organic light emitting device and the white organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

조건
Condition
50mA/cm2 50 mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) T95(hour)T95 (hour) 종래Conventional 5.15.1 117.9117.9 제1 실시 예First embodiment 4.84.8 118.4118.4

표 1에서 종래의 구조는 청색 형광 도펀트와 청색 형광 호스트로만 이루어진 단층의 청색 발광층을 구비하는 경우이며, 제1 실시 예의 구조는 도 2에 도시된 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b)으로 이루어진 제1 발광층(116)을 구비한 경우이며, T95는 백색 유기 발광 소자의 수명이 약 95%까지 되는 시간을 의미한다. 표 1 및 도 4a에 도시된 바와 같이 종래보다 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 전압에 따른 전류 밀도가 높아, 동일한 50mA/cm2의 전류 밀도를 내기 위한 구동 전압이 종래보다 약 0.3V 감소했음을 알 수 있다. 또한, 표 1 및 도 4b에 도시된 바와 같이 종래 백색 유기 발광 소자는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 117.9시간인 반면에 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 118.4시간이므로 종래보다 수명이 향상됨을 알 수 있다.In Table 1, the conventional structure has a single layer of a blue light emitting layer composed of only a blue fluorescent dopant and a blue fluorescent host, and the structure of the first embodiment is the first and second mixed light emitting layers 116a and 116b shown in FIG. The first light emitting layer 116 is formed, and T95 means a time when the life of the white organic light emitting diode is about 95%. As shown in Table 1 and FIG. 4A, the organic light emitting diode display according to the present invention has a higher current density according to the voltage than the conventional method, and the driving voltage for producing the same current density of 50 mA / cm 2 is reduced by about 0.3 V. Able to know. In addition, as shown in Table 1 and FIG. 4B, the conventional white organic light emitting diode has a lifespan of up to 95% at 117.9 hours, while the white organic light emitting diode according to the present invention has a life up to 95% at a point of time. Since it is 118.4 hours, it can be seen that the life is improved compared to the conventional.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예는 표 1 및 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 수명을 뿐만 아니라, 구동 전압(V)이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다.As described above, the first embodiment of the present invention not only has a lifespan as shown in Table 1 and FIGS. 4A and 4B, but also shows that the driving voltage V is improved over the conventional OLED display.

표 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제1 발광층에 포함된 전자 수송 물질의 함량에 따른 백색 유기 발광 소자의 전광 특성을 나타낸 것이다.Table 2 shows the electro-optical characteristics of the white organic light emitting diode according to the content of the electron transporting material included in the first light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.


제1 발광층 구조
First light emitting layer structure
50mA/cm2 50 mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A T95(hour)T95 (hour) 종래Conventional BH+BD/ETL/N-CGLBH + BD / ETL / N-CGL 13.9213.92 100%100% 100%100% 실시예1-1Example 1-1 BH+BD/BD:BH(70%)+ETM(30%)/N-CGLBH + BD / BD: BH (70%) + ETM (30%) / N-CGL 13.1313.13 101%101% 120%120% 실시예1-2Example 1-2 BH+BD/BD:BH(50%)+ETM(50%)/N-CGLBH + BD / BD: BH (50%) + ETM (50%) / N-CGL 13.3613.36 100%100% 107%107% 실시예1-3Example 1-3 BH+BD/BD:BH(30%)+ETM(70%)/N-CGLBH + BD / BD: BH (30%) + ETM (70%) / N-CGL 13.3813.38 100%100% 112%112%

표 2에서 종래의 구조는 청색 형광 도펀트(BD)와 청색 형광 호스트(BH)로만 이루어진 단층의 청색 발광층과, 전자 수송층(ETL) 및 N형 전하 생성층이 순차적으로 적층된 구조이며, 제1 실시 예의 구조(1-1,1-2,1-3)는 도 2에 도시된 바와 같이 청색 형광 호스트(BH) 및 청색 형광 도펀트(BD)로 이루어진 제1 혼합 발광층(116a), 청색 형광 도펀트(DB), 청색 형광 호스트(BH) 및 전자 수송 물질(ETM;140)로 이루어진 제2 혼합 발광층(116b)과, N형 전하 생성층(132)이 순차적으로 적층된 구조이며, T95는 백색 유기 발광 소자의 수명이 약 95%까지 되는 시간을 의미한다.In Table 2, the conventional structure is a structure in which a single layer blue light emitting layer consisting of a blue fluorescent dopant (BD) and a blue fluorescent host (BH), an electron transport layer (ETL) and an N-type charge generating layer are sequentially stacked. Example structures 1-1, 1-2, 1-3 have a first mixed light emitting layer 116a, a blue fluorescent dopant (BH) and a blue fluorescent dopant (BD), as shown in FIG. DB), a second mixed light emitting layer 116b composed of a blue fluorescent host (BH) and an electron transport material (ETM) 140, and an N-type charge generating layer 132 are sequentially stacked, and T95 is a white organic light emitting diode. It means the time when the lifetime of the device is up to about 95%.

본 발명의 제1 실시 예는 표 2 및 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이 수명을 뿐만 아니라, 구동 전압(V), 효율이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다. 특히, 표 2 및 도 5a에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 혼합 발광층에 포함된 전자 수송 물질의 함량이, 형광 호스트 및 형광 도펀트의 함량의 합보다 낮은 경우, 동일한 50mA/cm2의 전류 밀도를 내기 위한 구동 전압이 낮아짐을 알 수 있다.As shown in Table 2 and FIGS. 5A to 5C, the first embodiment of the present invention shows that the driving voltage V and the efficiency are improved as compared to the conventional organic light emitting display device. In particular, as shown in Table 2 and FIG. 5A, the organic light emitting diode display according to the present invention has the same 50 mA when the content of the electron transporting material included in the second mixed light emitting layer is lower than the sum of the contents of the fluorescent host and the fluorescent dopant. It can be seen that the driving voltage for achieving a current density of / cm 2 is lowered.

도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 제1 발광 유닛(110)의 제1 발광층(116)에 정공 수송 물질(142)이 더 포함되는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.6 is a perspective view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention. In the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 6, a hole transport material 142 is further included in the first light emitting layer 116 of the first light emitting unit 110 as compared to the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1. Has the same components. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

제1 발광층(116)은 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이 전자 수송 물질(140)과 정공 수송 물질(142)을 포함하는 적어도 2층 구조로 형성된다. 제1 발광층(116)에 포함되는 전자 수송 물질(140)은 제2 발광 유닛(120)의 전자 수송층(128)과 동일 물질 또는 다른 전자 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 전자 수송 물질(140)은 전술한 화학식 1 또는/및 화학식 2과 같은 화합물로 이루어진 재료로 형성된다. 제1 발광층(116)에 포함되는 정공 수송 물질(142)은 제1 발광 유닛(110)의 정공 수송층(114)과 동일 물질 또는 다른 정공 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 정공 수송 물질(142)은 화학식 3과 같은 화합물로 형성된다.As illustrated in FIG. 7 or 8, the first light emitting layer 116 is formed in at least a two-layer structure including an electron transport material 140 and a hole transport material 142. The electron transport material 140 included in the first light emitting layer 116 is formed of the same material as or different from the electron transport layer 128 of the second light emitting unit 120. For example, the electron transport material 140 is formed of a material made of a compound such as Formula 1 or / and Formula 2 described above. The hole transport material 142 included in the first light emitting layer 116 is formed of the same material as or different from the hole transport material 114 of the first light emitting unit 110. For example, the hole transport material 142 is formed of a compound such as Formula (3).

Figure 112013081077719-pat00003
Figure 112013081077719-pat00003

화학식 3에서 L은 아릴기로서, 페닐, 나프탈렌(naphthalene), 플루오렌(fluorene), 카바졸(carbazole), 페나진(phenazine), 페난트롤린(phenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 시놀린(cinnoline), 퀴나졸린(quinazoline), 퀴녹살린(quinoxaline), 나프티드린(naphthydrine), 프탈라진(phtalazine), 퀴놀리진(quinolizine), 인돌(indole), 인다졸(indazole), 피리다진(pyridazine), 피라진(pyrazine), 피리미딘(pyrimidine), 피리딘(pyridine), 피리딘(pyridine), 피라졸(pyrazole), 이미다졸(imidazole), 피롤(pyrrole)로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있으며, 화학식 3에서 A 및 B는 하기 화학식 4 내지 6 중 어느 하나의 화합물로 형성된다.In Formula 3, L is an aryl group, which is phenyl, naphthalene, fluorene, carbazole, phenazine, phenanthroline, phenanthridine, or acriri Acridine, cynoline, quinazoline, quinoxaline, quinoxaline, naphthydrine, phthalazine, quinolizine, indole, indazole (indazole), pyridazine, pyrazine, pyrimidine, pyridine, pyridine, pyrazole, imidazole, pyrrole It may be selected from the group, A and B in the formula (3) is formed of a compound of any one of the formulas (4) to (6).

Figure 112013081077719-pat00004
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Figure 112013081077719-pat00005
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Figure 112013081077719-pat00006
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화학식 4 내지 6의 Rn (n=1~12)은 탄소수 6 내지 24의 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 10 내지 30의 축합아릴기, 탄소수 2 내지 24의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 24의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 시아노기, 할로겐기, 중수소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, R~R12는 이웃하는 치환기와 축합링을 형성할 수 있다.Rn of Formulas 4 to 6 (n = 1 to 12) is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 24 carbon atoms, a substituted or unsubstituted fused aryl group having 10 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 2 to 24 carbon atoms. Heteroaryl group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon atom 1 Alkoxy group of 24 to 24, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 24 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 24 carbon atoms, cyano group , Halogen group, deuterium, and hydrogen, and R ~ R12 may form a condensed ring with a neighboring substituent.

한편,정공 수송 물질(142)은 상기 구조로부터 합성되어지는 군을 포함하는 구조로 대칭 또는 비대칭 형으로 이루어져 있으며, 상기 예시에 한정된 것은 아니다.On the other hand, the hole transport material 142 is a structure including a group synthesized from the structure is made of a symmetrical or asymmetrical type, it is not limited to the above examples.

도 7에 도시된 제1 발광층(116)은 제1 혼합 발광층(116a)과, 제1 혼합 발광층(116a) 상에 형성되는 제2 혼합 발광층(116b)이 적층된 2층 구조로 이루어진다. 제1 혼합 발광층(116a)은 정공 수송 물질(142) 및 형광 호스트 및 형광 도펀트가 혼합되어 정공 수송층(114) 상에 형성된다. 이 때, 제1 혼합 발광층(116a)에는 제1 혼합 발광층(116a)의 부피비를 기준으로 정공 수송 물질(142)이 약 10~90%로 공증착된다. 제1 발광층(116)에 포함된 정공 수송 물질(140)이 10%미만이면, 제1 발광층(116) 내의 정공 비율이 낮아지며, 정공 수송 물질(140)이 90%를 초과하면, 제1 발광층(116) 내의 정공 비율이 높아져 제1 발광층(116) 내에서 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 없다.The first light emitting layer 116 illustrated in FIG. 7 has a two-layer structure in which a first mixed light emitting layer 116a and a second mixed light emitting layer 116b formed on the first mixed light emitting layer 116a are stacked. The first mixed emission layer 116a is formed on the hole transport layer 114 by mixing the hole transport material 142 and the fluorescent host and the fluorescent dopant. At this time, the hole transport material 142 is co-deposited to about 10 to 90% of the first mixed light emitting layer 116a based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer 116a. When the hole transport material 140 included in the first light emitting layer 116 is less than 10%, the hole ratio in the first light emitting layer 116 is lowered. When the hole transport material 140 exceeds 90%, the first light emitting layer ( The ratio of holes in 116 is increased, and holes and electrons cannot be balanced in the first light emitting layer 116.

도 7에 도시된 바와 같이, 정공 수송층(114)과, 정공 수송 물질(142)을 포함하는 제1 혼합 발광층(116a)은 동종 접합하게 되므로 정공 수송층과 제1 혼합 발광층(116a)으로의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있어 구동 전압이 감소된다. 또한, 정공 수송층(114)과 제1 혼합 발광층(116a)의 계면에서의 정공 정체가 없어져 정공 수송 물질(142)의 열화를 방지하므로 수명이 향상되며, 전하의 이동이 원활해져 효율이 상승된다.As shown in FIG. 7, since the hole transport layer 114 and the first mixed light emitting layer 116a including the hole transport material 142 are homogeneously bonded, hole injection into the hole transport layer and the first mixed light emitting layer 116a is performed. The barrier can be lowered to reduce the drive voltage. In addition, since hole holes at the interface between the hole transport layer 114 and the first mixed light emitting layer 116a are eliminated, deterioration of the hole transport material 142 is prevented, thereby improving lifespan, and smoothing the movement of charge, thereby increasing efficiency.

제2 혼합 발광층(116b)은 N형 전하 생성층(132)과 직접 접촉하도록 N형 전하 생성층(132)과 제1 혼합 발광층(116b) 사이에 형성되며, 전자 수송 물질(140), 형광 호스트 및 형광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 이 때, 제2 혼합 발광층(116b)에는 제2 혼합 발광층(116b)의 부피비를 기준으로 전자 수송 물질(140)이 약 10~90%로 공증착된다. 여기서, 제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질(140)이 10%미만이면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 낮아지며, 제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질(140)이 90%를 초과하면, 제1 발광층(116) 내의 전자 비율이 높아져 제1 발광층(116) 내에서 정공과 전자의 밸런스를 맞출 수 없다.The second mixed light emitting layer 116b is formed between the N type charge generating layer 132 and the first mixed light emitting layer 116b so as to be in direct contact with the N type charge generating layer 132, and the electron transport material 140 and the fluorescent host. And fluorescent dopants are formed by mixing. At this time, the electron transporting material 140 is co-deposited at about 10 to 90% based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer 116b. If the electron transport material 140 included in the second mixed light emitting layer 116b is less than 10%, the electron ratio in the first light emitting layer 116 is lowered, and the electron transport material included in the second mixed light emitting layer 116b ( When the ratio exceeds 140%, the ratio of electrons in the first emission layer 116 is increased, so that holes and electrons cannot be balanced in the first emission layer 116.

제2 혼합 발광층(116b)에 포함된 전자 수송 물질에 의해, 종래와 같은 별도의 전자 수송층없이 N형 전하 생성층(132)에서 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b)으로 직접 전자를 주입할 수 있으며, 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b) 내에서 전자 수송 속도를 빠르게 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층(116)으로 전자 주입이 용이해져 구동 전압을 낮출 수 있고, 전자 수송층의 제거로 구조가 단순화되고 박형화가 가능해진다.The electron transport material included in the second mixed light emitting layer 116b directly injects electrons from the N-type charge generation layer 132 to the first and second mixed light emitting layers 116a and 116b without a separate electron transport layer as in the prior art. In this case, the electron transport speed may be rapidly induced in the first and second mixed emission layers 116a and 116b. Accordingly, the present invention facilitates electron injection into the first light emitting layer 116 to lower the driving voltage, and the structure can be simplified and thinned by removing the electron transport layer.

도 8에 도시된 제1 발광층(116)은 제1 발광 유닛(110)의 정공 수송층(114) 상에 순차적으로 적층되어 형성되는 제1 내지 제3 혼합발광층(116a,116b,116c)으로 이루어진 3층 구조로 형성된다.The first light emitting layer 116 illustrated in FIG. 8 is formed of first to third mixed light emitting layers 116a, 116b, and 116c sequentially stacked on the hole transport layer 114 of the first light emitting unit 110. It is formed in a layer structure.

제1 혼합 발광층(116a)은 정공 수송 물질(142) 및 청색 형광 호스트가 혼합되거나, 정공 수송 물질(142), 청색 형광 도펀트 및 청색 형광 호스트가 혼합되어 정공 수송층(114) 상에 형성된다. 이 때, 제1 혼합 발광층(116a)에는 제1 혼합 발광층(116b)의 부피비를 기준으로 정공 수송 물질(142)이 약 10~90%로 공증착된다. 제2 혼합 발광층(116b)은 청색 형광 호스트 및 청색 형광 도펀트가 혼합되어 제1 및 제3 혼합 발광층(116a,116b) 사이에 형성된다. 제3 혼합 발광층(116c)은 전자 수송 물질(140) 및 청색 형광 호스트가 혼합되어 형성되거나, 전자 수송 물질(140), 청색 형광 도펀트 및 청색 형광 호스트가 혼합되어 형성된다. 이 때, 제3 혼합 발광층(116b)은 N형 전하 생성층(132)과 직접 접촉하도록 N형 전하 생성층(132)과 제2 혼합 발광층(116b) 사이에 형성된다. 그리고, 제3 혼합 발광층(116c)에는 제3 혼합 발광층(116c)의 부피비를 기준으로 전자 수송 물질(140)이 약 10~90%로 공증착된다.The first mixed light emitting layer 116a may be formed on the hole transport material 142 by mixing the hole transport material 142 and the blue fluorescent host or by mixing the hole transport material 142, the blue fluorescent dopant, and the blue fluorescent host. In this case, the hole transport material 142 is co-deposited to about 10% to 90% of the first mixed light emitting layer 116a based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer 116b. The second mixed light emitting layer 116b is formed between the first and third mixed light emitting layers 116a and 116b by mixing the blue fluorescent host and the blue fluorescent dopant. The third mixed emission layer 116c may be formed by mixing the electron transport material 140 and the blue fluorescent host, or may be formed by mixing the electron transport material 140, the blue fluorescent dopant, and the blue fluorescent host. In this case, the third mixed light emitting layer 116b is formed between the N type charge generating layer 132 and the second mixed light emitting layer 116b so as to be in direct contact with the N type charge generating layer 132. The electron transport material 140 is co-deposited at about 10% to 90% based on the volume ratio of the third mixed light emitting layer 116c.

이에 따라, 본 발명의 제2 실시 예에서는 정공 수송층(114)과, 정공 수송 물질(142)을 포함하는 제1 혼합 발광층(116a)은 동종 접합하게 되므로 정공 수송층(114)과 제1 혼합 발광층(116a)으로의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있어 구동 전압이 감소된다. 또한, 정공 수송층(114)과 제1 혼합 발광층(116a)의 계면에서의 정공 정체가 없어져 정공 수송 물질의 열화를 방지하므로 수명이 향상되며, 전하의 이동이 원활해져 효율이 상승된다.Accordingly, in the second embodiment of the present invention, since the hole transport layer 114 and the first mixed light emitting layer 116a including the hole transport material 142 are bonded to each other, the hole transport layer 114 and the first mixed light emitting layer ( The hole injection barrier to 116a can be lowered to reduce the drive voltage. In addition, since hole holes at the interface between the hole transport layer 114 and the first mixed light emitting layer 116a are eliminated, deterioration of the hole transport material is prevented, so that the life is improved, and the movement of charge is smoothed, thereby increasing efficiency.

또한, 제3 혼합 발광층(116c)에 포함된 전자 수송 물질(140)에 의해, 종래와 같은 별도의 전자 수송층없이 N형 전하 생성층(132)에서 제1 내지 제3 혼합 발광층(116a,116b,116c)으로 직접 전자를 주입할 수 있으며, 제1 내지 제3 혼합 발광층(116a,116b,116c) 내에서 전자 수송 속도를 빠르게 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층(116)으로 전자 주입이 용이해져 구동 전압을 낮출 수 있고, 전자 수송층의 제거로 구조가 단순화되고 박형화가 가능해진다.In addition, the electron transport material 140 included in the third mixed light emitting layer 116c enables the first to third mixed light emitting layers 116a and 116b to be formed in the N-type charge generating layer 132 without a separate electron transport layer as in the prior art. Electrons may be injected directly into 116c, and the electron transport rate may be rapidly induced in the first to third mixed emission layers 116a, 116b, and 116c. Accordingly, the present invention facilitates electron injection into the first light emitting layer 116 to lower the driving voltage, and the structure can be simplified and thinned by removing the electron transport layer.

표 3은 종래 유기 발광 소자와 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백색 유기 발광 소자의 전광특성을 나타낸 것이다.Table 3 shows the electro-optical characteristics of the conventional organic light emitting device and the white organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

조건Condition 50mA/cm2 50 mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) T80(hour)T80 (hour) 종래Conventional 7.37.3 32.632.6 제2 실시 예Second embodiment 6.36.3 55.055.0

표 3에서 종래의 구조는 형광 도펀트와 형광 호스트로만 이루어진 단층의 청색 발광층을 구비하는 경우이며, 제2 실시 예의 구조는 도 7에 도시된 제1 및 제2 혼합 발광층(116a,116b)으로 이루어진 제1 발광층(116)을 구비한 경우이며, T80은 백색 유기 발광 소자의 수명이 약 80%까지 되는 시간을 의미한다. 표 3 및 도 9a에 도시된 바와 같이 종래보다 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 전압에 따른 전류 밀도가 높아, 동일한 50mA/cm2의 전류 밀도를 내기 위한 구동 전압이 종래보다 약 1V 감소했음을 알 수 있다. 또한, 표 3 및 도 9b에 도시된 바와 같이 종래 백색 유기 발광 소자는 수명이 80%지점까지 되는 시간이 32.6시간인 반면에 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 수명이 80%지점까지 되는 시간이 55.0시간이므로 종래보다 수명이 향상됨을 알 수 있다.In Table 3, the conventional structure includes a single layer of a blue light emitting layer composed only of a fluorescent dopant and a fluorescent host, and the structure of the second embodiment includes a first and second mixed light emitting layers 116a and 116b shown in FIG. 1, the light emitting layer 116 is provided, and T80 means a time when the life of the white organic light emitting diode is about 80%. As shown in Table 3 and FIG. 9A, the organic light emitting diode display according to the present invention has a higher current density according to the voltage than that of the prior art, and thus, the driving voltage for generating the same current density of 50 mA / cm 2 is reduced by about 1 V. Can be. In addition, as shown in Table 3 and FIG. 9B, the conventional white organic light emitting diode has a life time of up to 80% of a point of 32.6 hours, while the white organic light emitting diode of the present invention has a life of up to 80% of a point of life. Since it is 55.0 hours, it can be seen that the life is improved compared to the conventional.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예는 표 3 및 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이 수명을 뿐만 아니라, 구동 전압(V)이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다.As described above, the second embodiment of the present invention not only has a lifespan as shown in Table 3 and FIGS. 9A and 9B, but also shows that the driving voltage V is improved over the conventional OLED display.

한편, 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다수개의 발광유닛을 가지는 탠덤 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 하나의 발광유닛을 가지는 구조에서도 적용가능하다. 또한, 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 N형 전하 생성층(132)과 정공 수송층(114) 사이에 위치하는 형광 청색 발광층(116)을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 N형 전하 생성층과 정공 수송층 사이에 위치하는 다른 색의 인광 또는 형광 발광층에도 적용가능하다.On the other hand, the organic light emitting diode display according to the first and second embodiments of the present invention has been described using a tandem structure having a plurality of light emitting units as an example, but can also be applied to a structure having a single light emitting unit. In addition, the organic light emitting diode display according to the first and second exemplary embodiments has been described using the fluorescent blue light emitting layer 116 positioned between the N-type charge generation layer 132 and the hole transport layer 114 as an example. It is also applicable to phosphorescent or fluorescent light emitting layers of other colors located between the N-type charge generating layer and the hole transport layer.

이와 같은 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 10에 도시된 바와 같이 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터(150R,150G,150B)를 가지는 구조에도 적용가능하다. 즉, 도 1 및 도 4에 도시된 제1 및 제2 발광 유닛(110,120)을 통해 생성된 백색광은 적색 컬러필터(150R)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 적색광을 출사하고, 녹색 컬러 필터(150G)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 녹색광을 출사하고, 청색 컬러 필터(150B)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 청색광을 출사하고, 컬러 필터가 형성되지 않은 서브 화소 영역을 통과하면서 백색광을 출사한다.The organic light emitting diode display according to the first and second embodiments of the present invention can be applied to a structure having red, green, and blue color filters 150R, 150G, and 150B, as shown in FIG. 10. That is, the white light generated through the first and second light emitting units 110 and 120 illustrated in FIGS. 1 and 4 emits red light while passing through the sub pixel region in which the red color filter 150R is formed, and the green color filter 150G. The green light is emitted while passing through the sub-pixel area where the?

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is conventional in the art that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have the knowledge of.

102 : 제1 전극 104 : 제2 전극
110,120 : 발광 유닛 126 : 발광층
130 ; 전하 생성층102: first electrode 104: second electrode
110,120 light emitting unit 126 light emitting layer
130; Charge generating layer

Claims (10)

기판 상에 서로 대향된 제1 및 제2 전극과;
상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되는 적어도 2개의 발광 유닛과;
상기 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 배치되며, N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층으로 이루어지는 전하 생성층을 구비하며,
상기 적어도 2개의 발광 유닛 중 적어도 어느 하나의 발광 유닛에 포함되는 발광층은 상기 N형 전하 생성층과 직접 접촉하도록 배치되며, 청색 호스트, 청색 도펀트 및 전자 수송 물질을 포함하며, 상기 전자 수송 물질은 상기 발광층의 부피비를 기준으로 상기 발광층에 10~90% 포함되는 유기 발광 표시 장치.First and second electrodes opposed to each other on a substrate;
At least two light emitting units disposed between the first and second electrodes;
A charge generation layer disposed between the at least two light emitting units, the charge generation layer comprising an N-type charge generation layer and a P-type charge generation layer;
The light emitting layer included in at least one light emitting unit of the at least two light emitting units is disposed to be in direct contact with the N-type charge generating layer, and includes a blue host, a blue dopant, and an electron transporting material, and the electron transporting material includes: 10 to 90% of the light emitting layer based on the volume ratio of the light emitting layer. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 발광 유닛은 제1 및 제2 발광 유닛을 구비하며,
상기 제1 발광 유닛은
상기 제1 전극 상에 배치되는 제1 정공 수송층과;
상기 N형 전하 생성층과 직접 접촉하도록 상기 제1 정공 수송층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 배치되는 제1 발광층을 구비하며,
상기 제2 발광 유닛은
상기 P형 전하 생성층 상에 배치되는 제2 정공 수송층과;
상기 제2 정공 수송층 상에 배치되는 제2 발광층과;
상기 제2 발광층 상에 배치되는 전자 수송층을 구비하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The at least two light emitting units have first and second light emitting units,
The first light emitting unit
A first hole transport layer disposed on the first electrode;
A first light emitting layer disposed between the first hole transport layer and the N-type charge generation layer to be in direct contact with the N-type charge generation layer,
The second light emitting unit
A second hole transport layer disposed on the P-type charge generating layer;
A second light emitting layer disposed on the second hole transport layer;
An organic light emitting display device comprising an electron transport layer on the second light emitting layer. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 발광층은
상기 제1 정공 수송층 상에 배치되는 상기 청색 도펀트 및 상기 청색 호스트로 이루어진 제1 혼합 발광층과;
상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 배치되는 제2 혼합 발광층으로 이루어지며,
상기 제2 혼합 발명층은 상기 전자 수송 물질, 상기 청색 호스트 및 상기 청색 도펀트로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 2,
The first light emitting layer is
A first mixed light emitting layer comprising the blue dopant and the blue host disposed on the first hole transport layer;
A second mixed light emitting layer disposed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer,
And the second mixed invention layer comprises the electron transport material, the blue host, and the blue dopant. 제 3 항에 있어서,
상기 전자 수송 물질은 상기 제2 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제2 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 3, wherein
The electron transport material is 10 to 90% of the second mixed light emitting layer based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 발광층은
상기 제1 정공 수송층 상에 배치되며, 상기 정공 수송 물질, 상기 청색 도펀트 및 상기 청색 호스트로 이루어진 제1 혼합 발광층과;
상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 배치되며, 상기 전자 수송 물질, 상기 청색 도펀트 및 청색 호스트로 이루어진 제2 혼합 발광층을 구비하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 2,
The first light emitting layer is
A first mixed light emitting layer disposed on the first hole transport layer, the first mixed light emitting layer comprising the hole transport material, the blue dopant and the blue host;
And a second mixed light emitting layer disposed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer and comprising the electron transport material, the blue dopant, and a blue host. 제 5 항에 있어서,
상기 정공 수송 물질은 상기 제1 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제1 혼합 발광층에 10~90% 포함되며,
상기 전자 수송 물질은 상기 제2 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제2 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 5, wherein
The hole transport material is included in the first mixed light emitting layer 10 to 90% based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer,
The electron transport material is 10% to 90% of the second mixed light emitting layer based on the volume ratio of the second mixed light emitting layer. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 발광층은
상기 제1 정공 수송층 상에 배치되는 제1 혼합 발광층과;
상기 제1 혼합 발광층 상에 배치되며, 상기 청색 도펀트 및 상기 청색 호스트로 이루어진 제2 혼합 발광층과;
상기 제1 혼합 발광층과 상기 N형 전하 생성층 사이에 배치되는 제3 혼합 발광층을 구비하며,
상기 제1 혼합 발광층은 정공 수송 물질 및 청색 호스트로 이루어지거나, 상기 정공 수송 물질, 청색 호스트 및 청색 도펀트로 이루어지며,
상기 제3 혼합 발광층은 상기 전자 수송 물질, 상기 청색 호스트 및 상기 청색 도펀트로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 2,
The first light emitting layer is
A first mixed light emitting layer disposed on the first hole transport layer;
A second mixed light emitting layer disposed on the first mixed light emitting layer, the second mixed light emitting layer comprising the blue dopant and the blue host;
A third mixed light emitting layer disposed between the first mixed light emitting layer and the N-type charge generating layer,
The first mixed light emitting layer may be formed of a hole transport material and a blue host, or may be formed of the hole transport material, a blue host, and a blue dopant.
And the third mixed light emitting layer comprises the electron transport material, the blue host, and the blue dopant. 제 7 항에 있어서,
상기 정공 수송 물질은 상기 제1 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제1 혼합 발광층에 10~90% 포함되며,
상기 전자 수송 물질은 상기 제3 혼합 발광층의 부피비를 기준으로 상기 제3 혼합 발광층에 10~90% 포함되는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 7, wherein
The hole transport material is included in the first mixed light emitting layer 10 to 90% based on the volume ratio of the first mixed light emitting layer,
The electron transport material is 10 to 90% of the third mixed light emitting layer based on the volume ratio of the third mixed light emitting layer. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 발광 유닛의 제1 발광층은 형광 청색 발광층이며,
상기 제2 발광 유닛의 제2 발광층은 인광 발광층인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 2,
The first light emitting layer of the first light emitting unit is a fluorescent blue light emitting layer,
The second light emitting layer of the second light emitting unit is a phosphorescent light emitting layer. 제 1 항에 있어서,
상기 전자 수송 물질의 함량이 상기 청색 호스트 및 상기 청색 도펀트의 함량이 합보다 낮은 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The organic light emitting diode display of which the content of the electron transport material is less than the sum of the blue host and the blue dopant.
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