KR102077557B1 - Switch control circuit and power supply device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 에는 Cascode로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하는 전력 스위치 회로의 스위칭 동작을 제어하는 스위치 제어 회로에 관한 것이다. 스위치 제어 회로는, 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 스위치 제어 회로의 전원 전압을 공급하는 커패시터의 일단 사이에 연결된 제1 제너 다이오드, 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 연결된 제2 제너 다이오드, 및 상기제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드 사이에 연결된 제1 저항을 포함한다.The embodiment of the present invention relates to a switch control circuit for controlling a switching operation of a power switch circuit including a first transistor and a second transistor connected by Cascode. The switch control circuit may include a first zener diode connected between a gate of the first transistor and one end of a capacitor supplying a power supply voltage of the switch control circuit, a second zener diode connected between a gate and a source of the first transistor, and And a first resistor connected between the first zener diode and the second zener diode.

Description

스위치 제어 회로 및 이를 포함하는 전력 공급 장치{SWITCH CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY DEVICE COMPRISING THE SAME}SWITCH CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY DEVICE COMPRISING THE SAME

본 발명의 실시 예는 스위치 제어 회로 및 이를 포함하는 전력 공급 장치에 관한 것이다. 예를 들어, 스위치 제어 회로는 직렬 연결된 두 개의 FET 회로를 포함하는 전력 스위치 회로를 제어하는데 적용될 수 있다. Embodiments of the present invention relate to a switch control circuit and a power supply including the same. For example, the switch control circuit can be applied to control a power switch circuit comprising two FET circuits connected in series.

3상(three-phase) 입력을 정류하여 생성된 DC 입력은 높은 전압(예를 들어, 800V 정도)이다. 이 DC 입력을 이용하여 부하에 전력을 공급하는 장치에는 전력 공급을 제어하기 위해 높은 전압에 적합한 전력 제어용 스위치(이하, 전력 스위치) 구조가 적용된다. The DC input produced by rectifying three-phase input is a high voltage (eg 800V). In order to control the power supply, a device for supplying power to the load using the DC input has a power control switch structure (hereinafter, referred to as a power switch) suitable for high voltage.

예를 들어, 고전압을 이용한 전력 공급 제어를 위해 두 개의 트랜지스터가 직렬 연결(이하, CASCODE 연결)된 전력 제어용 스위치가 전력 공급 장치에 적용될 수 있다.For example, a power control switch in which two transistors are connected in series (hereinafter, CASCODE connection) for power supply control using a high voltage may be applied to the power supply device.

그런데, CASCODE 연결된 두 트랜지스터에 전압 분배가 균등하게 이뤄지지 않는 경우, 과도한 전압이 인가된 트랜지스터가 파손되는 문제점이 발생할 수 있다.However, when voltage distribution is not uniformly performed between two CASCODE-connected transistors, a problem may occur in which a transistor to which excessive voltage is applied is broken.

본 발명의 실시 예는 고전압 조건에서 전력 스위치 회로의 스위칭 동작을 제어하는 스위치 제어 회로 및 전력 공급 장치를 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a switch control circuit and a power supply device for controlling the switching operation of the power switch circuit in a high voltage condition.

실시 예에 따른 스위치 제어 회로는, Cascode로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터 중 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 전원 전압을 공급하는 커패시터의 일단 사이에 연결된 제1 제너 다이오드, 및 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터간의 노드에 연결된 제2 제너 다이오드를 포함한다. 상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드는 전기적으로 연결되어 있다.The switch control circuit according to the embodiment may include a first zener diode connected between a gate of the first transistor and one end of a capacitor supplying a power voltage among the first and second transistors connected by Cascode, and a gate of the first transistor. And a second zener diode connected to a node between the first transistor and the second transistor. The first zener diode and the second zener diode are electrically connected to each other.

상기 스위치 제어 회로는, 상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드 사이에 연결된 제1 저항을 더 포함한다.The switch control circuit further includes a first resistor connected between the first zener diode and the second zener diode.

상기 제1 제너 다이오드는 상기 커패시터에 연결되어 있는 애노드 및 상기 제1 저항의 일단에 연결되어 있는 캐소드를 포함한다.The first zener diode includes an anode connected to the capacitor and a cathode connected to one end of the first resistor.

상기 제2 제너 다이오드는 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는캐소드 및 상기 노드에 연결되어 있는 애노드를 포함한다.The second zener diode includes a cathode connected to the gate of the first transistor and an anode connected to the node.

상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제너 다이오드의 전압과 상기 제2 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제2 제너 다이오드 전압이 상승한다.The second transistor is turned off, and the voltage of the first zener diode, which is the cathode voltage of the first zener diode, and the voltage of the second zener diode, which is the cathode voltage of the second zener diode, increase.

상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 노드의 전압이 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전압 대비상기 제2 제너 다이오드의 제너 전압만큼 낮은 전압으로 상승한다.The second transistor is turned off, and the voltage of the node rises to a voltage which is as low as the Zener voltage of the second Zener diode compared to the gate voltage of the first transistor.

상기 제1 제너 다이오드 전압 및 상기 제2 제너 다이오드 전압은 상기 제1 제너 다이오드의 제너 전압과 상기 전원 전압의 합인 제1 임계 전압에 도달하면 일정하게 유지된다.The first zener diode voltage and the second zener diode voltage remain constant when the first threshold voltage, which is the sum of the zener voltage of the first zener diode and the power supply voltage, is reached.

상기 제1 제너 다이오드 전압 및 상기 제2 제너 다이오드 전압이 상기 제1 임계 전압에 도달한 후, 상기 노드의 전압 상승으로 제1 트랜지스터가 턴 오프 된다.After the first zener diode voltage and the second zener diode voltage reach the first threshold voltage, the first transistor is turned off due to the voltage rise of the node.

상기 제2 트랜지스터가 턴 온 된 후 상기 노드의 전압이 감소하고, 상기 노드의 전압이 상기 제2 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제2 제너 다이오드 전압 보다 제2 제너 전압만큼 낮은 전압이 될 때, 상기 제2 제너 다이오드가 역바이어스 되어 상기 제2 제너 다이오드 전압이 감소하기 시작한다.When the voltage of the node decreases after the second transistor is turned on, and the voltage of the node becomes a voltage lower by the second zener voltage than the second zener diode voltage, which is the cathode voltage of the second zener diode, The second zener diode is reverse biased and the second zener diode voltage begins to decrease.

상기 노드의 전압이 상기 제2 제너 다이오드 전압 보다 상기 제2 제너 전압만큼 낮은 전압이 된 후, 상기 제2 제너 다이오드 전압은 상기 노드의 전압에 상기 제2 제너 전압을 더한 전압으로 감소한다.After the voltage of the node becomes lower than the second zener diode voltage by the second zener voltage, the second zener diode voltage is reduced to the voltage of the node plus the second zener voltage.

상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제너 다이오드 전압은 상기 제2 제너 다이오드 전압을 따라 감소한다.The first zener diode voltage, which is the cathode voltage of the first zener diode, decreases along the second zener diode voltage.

상기 노드의 전압 감소에 의해, 상기 제1 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 문턱전압 이상이 되어, 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 된다.As the voltage of the node decreases, the gate-source voltage of the first transistor becomes equal to or higher than a threshold voltage, and the first transistor is turned on.

상기 노드의 전압 감소로 인해 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제어 다이오드 전압이 감소되어 상기 제1 제너 다이오드가 정바이어스 되고, 상기 커패시터로부터 상기 제1 트랜지스터의 게이트로 공급되는 전류에 의해 상기 제1 트랜지스터의 인풋 커패시터가 충전된다.Due to the voltage decrease of the node, the first control diode voltage, which is the cathode voltage of the first zener diode, is reduced so that the first zener diode is positively biased, and the current is supplied from the capacitor to the gate of the first transistor. The input capacitor of the first transistor is charged.

상기 스위치 제어 회로는, 상기 스위치 제어 회로가 적용된 전력 공급장치의 입력 전압을 이용하여 상기 제1 제너 다이오드의 바이어스 상태를 유지하는 제2 저항을 더 포함한다.The switch control circuit further includes a second resistor that maintains the bias state of the first zener diode using the input voltage of the power supply to which the switch control circuit is applied.

상기 제2 저항은 상기 입력 전압과 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 사이에 연결되어 있다.The second resistor is connected between the input voltage and the cathode of the first zener diode.

실시 예에 따른 전력 공급 장치는, Cascode로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하는 전력 스위치 회로, 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 전원 전압을 공급하는 커패시터의 일단 사이에 연결된 제1 제너 다이오드, 및 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터간의 노드에 연결된 제2 제너 다이오드를 포함한다. 상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드는 전기적으로 연결되어 있다.The power supply apparatus according to the embodiment includes a power switch circuit including a first transistor and a second transistor connected by Cascode, a first zener diode connected between the gate of the first transistor and one end of a capacitor supplying a power supply voltage, and And a second zener diode connected to a gate of the first transistor and a node between the first transistor and the second transistor. The first zener diode and the second zener diode are electrically connected to each other.

상기 전력 공급 장치는, 상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드 사이에 연결되어 있는 제1 저항을 더 포함한다.The power supply device further includes a first resistor connected between the first zener diode and the second zener diode.

하는 전력 공급 장치.Power supply.

상기 전력 공급 장치에서, 상기 제1 제너 다이오드는 상기 커패서터에 연결되어 있는 애노드 및 상기 제1 저항의 일단에 연결되어 있는 캐소드를 포함한다. 상기 제2 제너 다이오드는 상기제1 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는캐소드 및 상기 노드에 연결되어 있는 애노드를 포함한다. In the power supply, the first zener diode includes an anode connected to the capacitor and a cathode connected to one end of the first resistor. The second zener diode includes a cathode connected to the gate of the first transistor and an anode connected to the node.

상기 전력 공급 장치는, 상기 입력 전압과 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 사이에 연결되어 있는 제2 저항을 더 포함한다. The power supply further includes a second resistor coupled between the input voltage and the cathode of the first zener diode.

본 발명의 실시 예는 고전압 조건에서 전력 스위치 회로의 스위칭 동작을 제어하는 스위치 제어 회로 및 전력 공급 장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a switch control circuit and a power supply device for controlling a switching operation of a power switch circuit in a high voltage condition.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 스위치 제어 회로가 적용된 전력 공급 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른제1 및 제2 제너 다이오드 전압, 트랜지스터들의 양단 전압을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에따른 스위치 제어 회로 및 전력 공급장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a power supply device to which a switch control circuit according to an embodiment of the present invention is applied.
2 is a diagram illustrating first and second zener diode voltages and voltages across both transistors according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a view showing a switch control circuit and a power supply according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.

이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 케이블 보상 회로에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a cable compensation circuit according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른스위치 제어 회로가 적용된 전력 공급 장치를 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 전력 스위치 회로는 FET(field-effect transistor)의 케스코드(cascode) 연결 구조에 따르고, 도 1에 도시된 전력 공급 장치(1)는 플라이백 컨버터로 구현되어 있다.1 is a view showing a power supply device to which a switch control circuit according to an embodiment of the present invention is applied. The power switch circuit shown in FIG. 1 follows a cascode connection structure of a field-effect transistor (FET), and the power supply device 1 shown in FIG. 1 is implemented as a flyback converter.

그러나 본 발명의 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니고 높은 전압이 전력 스위치에 발생하는 경우 본 발명의 실시 예에 따른 스위치 제어 회로가 적용될 수 있다.However, the embodiment of the present invention is not limited thereto, and when a high voltage is generated in the power switch, the switch control circuit according to the embodiment of the present invention may be applied.

전력 공급 장치(1)는 입력 전압(Vin)을 이용하여 부하에 출력전류(IOUT)를 공급한다. 이 때, 출력 전압(VOUT)은 전력스위치 회로(200)의 스위칭 동작에 따라 일정하게 제어된다. The power supply 1 supplies the output current IOUT to the load using the input voltage Vin. At this time, the output voltage VOUT is constantly controlled according to the switching operation of the power switch circuit 200.

전력 공급 장치(1)는 1차측에 형성된 제1 권선(CO1)과 2차측에 형성된 제2 권선(CO2)으로 구성된 트랜스포머(60)를 포함한다. 누설 인덕터(Llk)와 자화 인덕터(Lm)가 형성되고, 입력 전압(Vin)과 1차측의 제1 권선(CO1) 사이에 연결되어 있다. 구체적으로 누설 인덕터(Llk)의 양단은 제1 권선(CO1)과 입력 전압 사이에 연결되어 있고, 자화 인덕터(Lm)은 제1 권선(CO1)에 병렬 연결되어 있다. 제1 권선(CO1)의 권선수(n1)와 제2 권선(CO2)의 권선수(n2) 간에 비는 n(=n1/n2) : 1이다.The power supply device 1 includes a transformer 60 composed of a first winding CO1 formed on the primary side and a second winding CO2 formed on the secondary side. A leakage inductor Llk and a magnetizing inductor Lm are formed, and are connected between the input voltage Vin and the first winding CO1 on the primary side. Specifically, both ends of the leakage inductor Llk are connected between the first winding CO1 and the input voltage, and the magnetizing inductor Lm is connected in parallel to the first winding CO1. The ratio between the number of turns n1 of the first winding CO1 and the number of turns n2 of the second winding CO2 is n (= n1 / n2): 1.

전력 공급 장치(1)은 전력 스위치 회로(200)를 포함하고, 전력 스위치 회로(200)는 CASCODE 연결된 두 개의 트랜지스터(M1, M2)를 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따른 트랜지스터(M1, M2)는 N 채널 FET(Field Effect Transistor)이다. 이는 트랜지스터(M1, M2)의 일 예로서 다른 타입의 트랜지스터가 실시 예에 적용될 수 있다.The power supply 1 includes a power switch circuit 200, and the power switch circuit 200 includes two transistors M1 and M2 connected to CASCODE. Transistors M1 and M2 according to an embodiment of the present invention are N-channel FETs (Field Effect Transistors). This is an example of the transistors M1 and M2, and other types of transistors may be applied to the embodiment.

트랜지스터(M1)의 드레인은 노드(N2)에 연결되어 있고, 트랜지스터(M1)의 소스와 트랜지스터(M2)의 드레인은 노드(N1)에 연결되어 있다. 트랜지스터(M2)의 소스는 1차측 그라운드에 연결되어 있다.The drain of the transistor M1 is connected to the node N2, and the source of the transistor M1 and the drain of the transistor M2 are connected to the node N1. The source of transistor M2 is connected to primary ground.

클램핑 회로(Clamping Circuit)(10)는 입력 전압(Vin)과 노드(N2) 사이에 연결되어 있고, 입력 전압(Vin)과 노드(N2) 사이의 전압을 소정 전압으로 클램핑한다. The clamping circuit 10 is connected between the input voltage Vin and the node N2, and clamps the voltage between the input voltage Vin and the node N2 to a predetermined voltage.

저항(R2)은 입력 전압(Vin)에 연결되어 있는 일단 및 스위치 제어회로(100)의 PWM 제어기(PWM Controller)의 연결 핀(P1)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 저항(R2)은 스타트 저항으로 연결핀(P1)은 스타트 전압(Vstr)이 입력되는 핀이다. The resistor R2 includes one end connected to the input voltage Vin and the other end connected to the connection pin P1 of the PWM controller of the switch control circuit 100. The resistor R2 is a start resistor and the connection pin P1 is a pin to which a start voltage Vstr is input.

스타트 전압(Vstr)은 전력 공급 장치(1)의 초기 동작시 PWM 제어기(20)를 동작시키기 위한 전원 전압(VCC)을 생성하는데 이용된다. 예를 들어, 전력 공급 장치(1)의 초기 동작시 스타트 전압(Vstr)에 의해 발생한 전류가 커패시터(CVCC)를 충전시켜 전원 전압(VCC)이 소정 전압 이상으로 상승한다.The start voltage Vstr is used to generate a power supply voltage VCC for operating the PWM controller 20 in the initial operation of the power supply 1. For example, the current generated by the start voltage Vstr during the initial operation of the power supply device 1 charges the capacitor CVCC so that the power supply voltage VCC rises above a predetermined voltage.

2차측의 제2 권선(CO2)의 일단에는 정류 다이오드(D1)의 애노드가 연결되어 있고, 출력 커패시터(C1)의 일단은 정류 다이오드(D1)의 캐소드에 연결되어 있다. 제2 권선(CO2)의 타단 및 커패시터(C1)의 타단은 2차측 그라운드에 연결되어 있다.An anode of the rectifying diode D1 is connected to one end of the second winding CO2 on the secondary side, and one end of the output capacitor C1 is connected to the cathode of the rectifying diode D1. The other end of the second winding CO2 and the other end of the capacitor C1 are connected to the secondary ground.

저항(R3)은 부하를 일 예로서, 전력 공급장치(1)의 출력단에 연결되어 있다.The resistor R3 is connected to the output of the power supply 1 by way of example as a load.

피드백 네트워크(Feedback Network)(50)는 출력전압(VOUT)에 따라 피드백 전압(VFB)을 생성하여 1차측의 스위치 제어 회로(100)에 전달한다. 예를 들어, 피드백 네트워크(50)는 옵토-커플러(도시하지 않음)를 이용하여 출력 전압(VOUT)에 따른 피드백 전압(VFB)을 생성하고, 피드백 전압(VFB)은 연결핀(P3)을 통해 PWM 제어기(20)에 전달된다.The feedback network 50 generates a feedback voltage VFB according to the output voltage VOUT and transmits the feedback voltage VFB to the switch control circuit 100 on the primary side. For example, the feedback network 50 generates an feedback voltage VFB according to the output voltage VOUT using an opto-coupler (not shown), and the feedback voltage VFB is connected through the connection pin P3. It is delivered to the PWM controller 20.

스위치 제어 회로(100)는 전력 스위치 회로(200)의 스위칭 동작을 제어하고, 스위칭 동작시 전력 스위치 회로(200)의 양단 전압을 CASCODE 연결된 두 트랜지스터에 분배한다. The switch control circuit 100 controls the switching operation of the power switch circuit 200, and distributes the voltages of both ends of the power switch circuit 200 to two transistors connected to CASCODE during the switching operation.

전력 스위치 회로(200)가 온 상태에서 턴 오프 될 때, 스위치 제어 회로(100) 는 하측 트랜지스터(M2)의 턴 오프 후 하측 트랜지스터(M2)의 양단 전압(VN1)이 제1 기준 내압까지 증가한 후에 상측 트랜지스터(M1)를 턴 오프 시킨다. 이때, 제1 기준 내압은 제1 제너 다이오드(30)의 제1 제너 전압에 따라 결정된다. When the power switch circuit 200 is turned off in the on state, the switch control circuit 100 after the lower transistor M2 is turned off after the voltage VN1 across the lower transistor M2 increases to the first reference breakdown voltage. The upper transistor M1 is turned off. In this case, the first reference breakdown voltage is determined according to the first zener voltage of the first zener diode 30.

제1 제너 다이오드(30)의 캐소드-애노드 전압이 제1 제너 전압에 도달할 때, 제1 제너 다이오드(30)가 역바이어스 된다. 그러면, 제1 제너 다이오드(30)의 캐소드-애노드 전압은 제1 제너 전압으로 유지된다.When the cathode-anode voltage of the first zener diode 30 reaches the first zener voltage, the first zener diode 30 is reverse biased. Then, the cathode-anode voltage of the first zener diode 30 is maintained at the first zener voltage.

전력 스위치 회로(200)가 턴 온 될 때, 제1 제너 다이오드(30)는 전원 전압(VCC)에 의해 순방향 바이어스 될 수도 있다. 그러면, 애노드에서 캐소드 방향으로 커패시터(CVCC)의 방전 전류가 흐를 수 있다. When the power switch circuit 200 is turned on, the first zener diode 30 may be forward biased by the power supply voltage VCC. Then, the discharge current of the capacitor CVCC may flow from the anode to the cathode.

스위치 제어 회로(100)는 피드백 전압(VFB)에 따라 전력 스위치 회로(200)의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 전압(VG)을 생성한다. 게이트 전압(VG)은 연결핀(P4)를 통해 트랜지스터(M2)의 게이트에 공급된다.The switch control circuit 100 generates a gate voltage VG for controlling the switching operation of the power switch circuit 200 according to the feedback voltage VFB. The gate voltage VG is supplied to the gate of the transistor M2 through the connecting pin P4.

커패시터(CVCC)는 스위치 제어 회로(100)의 연결핀(P2)에 연결되어 있는 일단 및 1차측 그라운드에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 커패시터(CVCC)에 의해 전원 전압(VCC)이 생성되어 스위치 제어 회로(100)에 공급된다. The capacitor CVCC includes one end connected to the connection pin P2 of the switch control circuit 100 and the other end connected to the primary ground. The power supply voltage VCC is generated by the capacitor CVCC and supplied to the switch control circuit 100.

제1 제너 다이오드(30)의 애노드는 커패시터(CVCC)의 일단에 연결되어 있고, 제1 제너 다이오드(30)의 캐소드는 저항(R1)의 일단에 연결되어 있다. 저항(R1)의 타단은 트랜지스터(M1)의 게이트에 연결되어 있다. The anode of the first zener diode 30 is connected to one end of the capacitor CVCC, and the cathode of the first zener diode 30 is connected to one end of the resistor R1. The other end of the resistor R1 is connected to the gate of the transistor M1.

제2 제너 다이오드(40)의 애노드는 노드(N1)에 연결되어 있고, 제2 제너 다이오드(40)의 캐소드는 트랜지스터(M1)의 게이트에 연결되어 있다. 제2 제너 다이오드(40)가 역바이어스 되면, 노드(N1)와 트랜지스터(M1)의 게이트 간의 전압은 제2 제너 전압으로 유지된다. The anode of the second zener diode 40 is connected to the node N1, and the cathode of the second zener diode 40 is connected to the gate of the transistor M1. When the second zener diode 40 is reverse biased, the voltage between the node N1 and the gate of the transistor M1 is maintained at the second zener voltage.

제1 제너 다이오드(30)의 캐소드 전압을 이하 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)이라하고, 제2 제너 다이오드(40)의 캐소드 전압을 이하 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)이라 한다. 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)은 트랜지스터(M1)의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 전압이다. 제1 제너 다이오드(30)의 캐소드와 제2 제너 다이오드(40)의 캐소드 사이에 저항(R1)이 연결되어 있어, 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)과 제2 제너 다이오드(VZ2)의 전압을 구분한다. 그러나 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)과 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)는 실질적으로 동일할 수 있다. The cathode voltage of the first zener diode 30 is hereinafter referred to as the first zener diode voltage VZ1, and the cathode voltage of the second zener diode 40 is hereinafter referred to as the second zener diode voltage VZ2. The second zener diode voltage VZ2 is a gate voltage that controls the switching operation of the transistor M1. A resistor R1 is connected between the cathode of the first zener diode 30 and the cathode of the second zener diode 40 to distinguish the voltages of the first zener diode voltage VZ1 and the second zener diode VZ2. do. However, the first zener diode voltage VZ1 and the second zener diode voltage VZ2 may be substantially the same.

PWM 제어기(20)는 피드백 전압(VFB)을 입력받고, 피드백 전압(VFB)에 따라 제2 트랜지스터(M2)의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 전압(VG)를 생성한다. The PWM controller 20 receives the feedback voltage VFB and generates a gate voltage VG for controlling the switching operation of the second transistor M2 according to the feedback voltage VFB.

예를 들어, PWM 제어기(20)는 스위칭 주파수를 결정하는 오실레이터 신호를 생성하고, 오실레이터 신호에 동기되어 제2 트랜지스터(M2)를 턴 온 시키는 하이 레벨의 게이트 전압(VG)을 생성한다. PWM 제어기(20)는 오실레이터 신호와 피드백 전압(VFB)을 비교한 결과에 따라 제2 트랜지스터(M2)를 턴 오프 시키는 로우 레벨의 게이트 전압(VG)를 생성한다.For example, the PWM controller 20 generates an oscillator signal that determines the switching frequency, and generates a high level gate voltage VG that turns on the second transistor M2 in synchronization with the oscillator signal. The PWM controller 20 generates a low level gate voltage VG for turning off the second transistor M2 according to a result of comparing the oscillator signal with the feedback voltage VFB.

PWM 제어기(20)는 연결핀(P1)을 통해 입력되는 스타트 전압(Vstr)을 이용하여 연결핀(P2)에 연결된 커패시터(CVCC)를 충전시킨다. 커패시터(CVCC)에 충전된 전원 전압(VCC)은 PWM 제어기(20)의 동작에 필요한 전압을 공급한다. 연결핀(P4)은 제2 트랜지스터(M2)의 게이트에 연결되어 있고, 연결핀(P3)는 피드백 전압(VFB)에 연결되어 있다.The PWM controller 20 charges the capacitor CVCC connected to the connection pin P2 using the start voltage Vstr input through the connection pin P1. The power supply voltage VCC charged to the capacitor CVCC supplies a voltage required for the operation of the PWM controller 20. The connecting pin P4 is connected to the gate of the second transistor M2, and the connecting pin P3 is connected to the feedback voltage VFB.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 스위치 제어회로(100)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the switch control circuit 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 실시 예에 다른제1 및 제2 제너 다이오드 전압, 트랜지스터들의 양단 전압을 나타낸 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating voltages between both first and second zener diode voltages and transistors according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(M1)의 양단 전압은 노드(N2)와 노드(N1) 간의 전압 VN21이고, 트랜지스터(M2)의 양단 전압은 노드(N1)의 전압 VN1이다.As shown in FIG. 2, the voltage across the transistor M1 is the voltage VN21 between the node N2 and the node N1, and the voltage across the transistor M2 is the voltage VN1 of the node N1.

먼저, 시점 T0에 게이트 전압(VG)이 로우레벨이 되면, 트랜지스터(M2)가 턴 오프 되고 노드(N1)의 전압(VN1)이 상승하기 시작한다. 전력 스위치 회로(200)의 온 상태 즉, 트랜지스터(M1)와 트랜지스터(M2)의 온 상태에서 제1 제너 다이오드 전압(VZ1) 및 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)은 동일한 전압으로 노드(N1)의 전압보다 제2 제너 전압(ZTH2)만큰 높은 전압이다. 시점 T0부터 노드(N2)의 전압도 상승하고, 트랜지스터(M1)는 턴 온 상태이므로, 전압(VN21)은 영전압이다.First, when the gate voltage VG becomes low at the time point T0, the transistor M2 is turned off and the voltage VN1 of the node N1 starts to rise. In the on state of the power switch circuit 200, that is, in the on state of the transistor M1 and the transistor M2, the first Zener diode voltage VZ1 and the second Zener diode voltage VZ2 are equal to each other. The second zener voltage ZTH2 is higher than the voltage. Since the voltage of the node N2 also rises from the time point T0 and the transistor M1 is turned on, the voltage VN21 is zero.

전압(VN1)이 상승할수록, 역바이어스된 제2 제너 다이오드(40)를 통해 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)이 상승하고, 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)도 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)를 따라 상승한다. 시점 T1에 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)이 제1 임계 전압(VR1)에 도달하면, 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)은 더 이상 증가하지 않고, 제1 임계 전압(VR1)으로 유지된다. 제1 임계 전압(VR1)은 제1 제너 전압과 전원 전압(VCC)의 합이다. As the voltage VN1 increases, the second zener diode voltage VZ2 increases through the reverse biased second zener diode 40, and the first zener diode voltage VZ1 also increases the second zener diode voltage VZ2. To rise accordingly. When the first zener diode voltage VZ1 reaches the first threshold voltage VR1 at the time point T1, the first zener diode voltage VZ1 does not increase any more and is maintained at the first threshold voltage VR1. The first threshold voltage VR1 is a sum of the first zener voltage and the power supply voltage VCC.

제1 제너 다이오드 전압(VZ1)이 제1 임계 전압(VR1)으로 유지되고, 시점 T2에 전압(VN1)이 제1 임계 전압(VR1)에 도달하면, 제2 제너 다이오드 전압(VZ2) 역시 제1 임계 전압(VR1)이 되어 유지된다. 기간 T1-T2 중 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압이 문턱 전압보다 작아질 때, 트랜지스터(M1)는 턴 오프 된다. When the first zener diode voltage VZ1 is maintained at the first threshold voltage VR1 and the voltage VN1 reaches the first threshold voltage VR1 at the time point T2, the second zener diode voltage VZ2 is also the first. The threshold voltage VR1 is maintained. When the gate-source voltage of the transistor M1 becomes lower than the threshold voltage during the periods T1-T2, the transistor M1 is turned off.

예를 들어, 시점 T12에 트랜지스터(M1)가 턴 오프 되고, 전압(VN21)이 증가하기 시작한다.For example, transistor M1 is turned off at time T12 and voltage VN21 begins to increase.

트랜지스터(M1) 및 트랜지스터(M2)가 모두 턴 오프 되었을 때, 전력 스위치 회로(200)의 양단 전압은 입력 전압(Vin)과 제1 권선(CO1)의 양단 전압(n * VOUT)의 합(Vin+n*VOUT)이다. When both the transistor M1 and the transistor M2 are turned off, the voltage between both ends of the power switch circuit 200 is the sum Vin of the input voltage Vin and the voltage n * VOUT of both ends of the first winding CO1. + n * VOUT).

따라서, 전압(VN21)은 시점 T12부터 시점 T2까지의 기간 동안 상승하여 전압(V2)이 되고, 전압(V2)은 Vin+n*VOUT-VR1이다. Therefore, the voltage VN21 rises during the period from the time point T12 to the time point T2 to become the voltage V2, and the voltage V2 is Vin + n * VOUT-VR1.

앞서 언급한 바와 같이, 제1 임계 전압(VR1)은 제1 제너 전압과 전원 전압(VCC)의 합이므로, 트랜지스터(M1)의 양단 전압 및 트랜지스터(M2)의 양단 전압은 제1 제너 전압으로 조절할 수 있다. 따라서 제1 제너 전압을 조절하여 두 트랜지스터에 분배되는 전압간의 차가 최소가 되게 할 수 있다. 그러면, 특정 트랜지스터의 양단에 인가되는 전압이 지나치게 높은것을 방지할 수 있다.As mentioned above, since the first threshold voltage VR1 is the sum of the first zener voltage and the power supply voltage VCC, the voltage across the transistor M1 and the voltage across the transistor M2 are adjusted to the first zener voltage. Can be. Therefore, the first zener voltage may be adjusted to minimize the difference between the voltages distributed to the two transistors. Then, the voltage applied to both ends of the specific transistor can be prevented from being too high.

도 2에 도시된 기간 T0-T2는 매우 짧은 시간이나, 본 발명의 실시 예를 설명하기 위해 충분히 확장하여 도시하였다. 즉, 트랜지스터(M2)가 게이트 전압(VG)에 의해 턴 오프된 시점부터 트랜지스터(M1)가 턴 오프 되는 시점은 매우 근접해 있다. The period T0-T2 shown in FIG. 2 is a very short time, but is sufficiently extended to illustrate an embodiment of the invention. That is, the time when the transistor M1 is turned off from the time when the transistor M2 is turned off by the gate voltage VG is very close.

시점 T3에, 게이트 전압(VG)이 상승하여 트랜지스터(M2)가 턴 온 되고, 트랜지스터(M2)의 드레인-소스 전압이 감소하므로, 전압(VN1)이 감소하기 시작한다. At the time point T3, the gate voltage VG rises to turn on the transistor M2, and the drain-source voltage of the transistor M2 decreases, so the voltage VN1 starts to decrease.

전압(VN1)의 감소에 의해, 시점 T4에 전압(VN1)과 제1 및 제2 제너 다이오드 전압(VZ1, VZ2)간의 전압 차가 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth1)이 되고, 시점 T4 이후부터 트랜지스터(M1)가 턴 온되기 시작한다. 그러면 시점 T4 이후부터 전압(VN21)이 감소하기 시작한다. 시점 T45에 전압(VN21)은 영전압이 된다.Due to the decrease in the voltage VN1, the voltage difference between the voltage VN1 and the first and second zener diode voltages VZ1 and VZ2 becomes the threshold voltage Vth1 of the transistor M1 at a time point T4. Transistor M1 starts to turn on. Then, the voltage VN21 starts to decrease after the time point T4. At the time point T45, the voltage VN21 becomes zero voltage.

감소하던 전압(VN1)이 시점 T5에 제2 제너 다이오드 전압(VZ2) 보다 제2 제너 전압(ZTH2)만큼 낮은 전압이 되면, 제2 제너 다이오드(40)가 역바이어스 되어 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)은 전압(VN1)에 제2 제너 전압(ZTH2)만큼 더해진 전압으로 감소한다. 제1 제너 다이오드 전압(VZ1) 역시 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)를 따라 감소한다. 시점 T6에 전압(VN1)이 영전압이 되면, 제1 제너 다이오드 전압(VZ1) 및 제2 제너 다이오드 전압(VZ2)는 제2 제너 전압(ZTH2)로 일정하게 유지된다. When the reduced voltage VN1 becomes a voltage lower than the second zener diode voltage VZ2 at the time point T5 by the second zener voltage ZTH2, the second zener diode 40 is reverse biased to form the second zener diode voltage VZ2. ) Decreases to a voltage added by the second Zener voltage ZTH2 to the voltage VN1. The first zener diode voltage VZ1 also decreases along the second zener diode voltage VZ2. When the voltage VN1 becomes the zero voltage at the time point T6, the first zener diode voltage VZ1 and the second zener diode voltage VZ2 are constantly maintained at the second zener voltage ZTH2.

전압(VN1)의 감소에 의해, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압이 문턱 전압 이상이 되면, 트랜지스터(M1)가 턴 온 된다. 실질적으로, 트랜지스터(M2)의 턴 온에 의해 트랜지스터(M1)도 바로 턴 온 된다.When the gate-source voltage of the transistor M1 becomes equal to or higher than the threshold voltage by the decrease of the voltage VN1, the transistor M1 is turned on. Substantially, transistor M1 is also turned on immediately by turning on transistor M2.

트랜지스터(M1)의 게이트-소스 사이의 인풋 커패시터(도시하지 않음)는 전압(VN1)이 감소하기 시작하는 시점 T3부터 충전된다. 전압(VN1)의 감소로 인해 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)이 감소되어 제1 제너 다이오드(30)가 정바이어스 되면, 커패시터(CVCC)로부터 트랜지스터(M1)의 게이트로 공급되는 전류에 의해 인풋 커패시터가 충전된다. The input capacitor (not shown) between the gate and the source of the transistor M1 is charged from the time point T3 when the voltage VN1 starts to decrease. When the first zener diode voltage VZ1 is reduced due to the decrease in the voltage VN1 and the first zener diode 30 is positively biased, the input capacitor is caused by a current supplied from the capacitor CVCC to the gate of the transistor M1. Is charged.

기간 T3-T4 동안 인풋 커패시터가 충전되어 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압이 문턱 전압(Vth1)에 도달하고, 인풋 커패시터는 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압이 제2 제너 전압(ZTH2)이 되는 시점 T5까지 충전된다. The input capacitor is charged during the period T3-T4 so that the gate-source voltage of the transistor M1 reaches the threshold voltage Vth1, and the input capacitor has the gate-source voltage of the transistor M1 being the second zener voltage ZTH2. Up to the point T5.

도 2에 도시된 기간 T3-T6 역시 설명을 위해 확장 도시된 것으로, 실제 매우 짧은 기간이다.The period T3-T6 shown in FIG. 2 is also extended for the sake of explanation, which is actually a very short period.

본 발명의 실시 예에 따른 스위치 제어 회로는 제1 제너 다이오드(30)의 안정적이 역바이어스를 위해 입력 전압(Vin)과 제1 제너 다이오드(30)의 캐소드 사이에 저항을 더 포함할 수 있다.The switch control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a resistor between the input voltage Vin and the cathode of the first zener diode 30 to stably reverse bias the first zener diode 30.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에따른 스위치 제어 회로 및 전력 공급장치를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a switch control circuit and a power supply according to another embodiment of the present invention.

전력 공급 장치(1')에 적용된 스위치 제어 회로(100')는 도 2에 도시된 실시 예와 비교해, 저항(R4)를 더 포함한다. 저항(R4)는 입력 전압(Vin)에 연결되어 있는 일단 및 제1 제너 다이오드(30)의 캐소드에 연결되어 있는 타단을 포함한다. The switch control circuit 100 ′ applied to the power supply device 1 ′ further includes a resistor R 4 as compared to the embodiment shown in FIG. 2. The resistor R4 includes one end connected to the input voltage Vin and the other end connected to the cathode of the first zener diode 30.

제1 제너 다이오드(30)는 저항(R4)을 통해 전달되는 입력 전압(Vin)에 의해 바이어스 전류를 공급 받는다. 그러면, 제1 제너 다이오드 전압(VZ1)을 일정한 임계 전압으로 유지하는데 앞선 실시 예보다 유리할 수 있다. 저항(R4)은 매우 높은 저항으로 설계되어, 저항(R4)을 통해서는 매우 작은 전류만이 흐를 수 있다. The first zener diode 30 is supplied with a bias current by the input voltage Vin transmitted through the resistor R4. As a result, it may be advantageous to maintain the first zener diode voltage VZ1 at a predetermined threshold voltage. Resistor R4 is designed with a very high resistance so that only a very small current can flow through resistor R4.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

전력 공급 장치(1), 커패시터(CVCC), 트랜스포머(60)
정류 다이오드(D1), 출력 커패시터(C1), 트랜지스터(M1, M2)
스위치 제어 회로(100, 100'), 전력 스위치 회로(200)
PWM 제어기(20), 제1 제너 다이오드(30)
제2 제너 다이오드(40), 피드백 네트워크(50)
제1 권선(CO1), 제2 권선(CO2), 누설 인덕터(Llk)
자화 인덕터(Lm), 저항(R1, R2, R3, R4)
클램핑 회로(10)Power Supply (1), Capacitors (CVCC), Transformers (60)
Rectifier diode (D1), output capacitor (C1), transistors (M1, M2)
Switch control circuits 100, 100 ′, power switch circuits 200
PWM controller 20, first zener diode 30
Second Zener Diode 40, Feedback Network 50
First winding CO1, second winding CO2, leakage inductor Llk
Magnetized inductor (Lm), resistors (R1, R2, R3, R4)
Clamping circuit (10)

Claims (20)

Cascode로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터 중 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 전원 전압을 공급하는 커패시터의 일단 사이에 연결된 제1 제너 다이오드,및
상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터간의 노드에 연결된 제2 제너 다이오드를 포함하고,
상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드는 전기적으로 연결된 스위치 제어 회로. A first zener diode connected between a gate of the first transistor and one end of a capacitor supplying a power voltage among the first and second transistors connected by Cascode, and
A second zener diode connected to a gate of the first transistor and a node between the first transistor and the second transistor,
And the first zener diode and the second zener diode are electrically connected. 제1항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드 사이에 연결된 제1 저항을 더 포함하는 스위치 제어 회로.The method of claim 1,
And a first resistor coupled between the first zener diode and the second zener diode. 제2항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드는 상기 커패시터에 연결되어 있는 애노드 및 상기 제1 저항의 일단에 연결되어 있는 캐소드를 포함하는 스위치 제어 회로.The method of claim 2,
And the first zener diode comprises an anode connected to the capacitor and a cathode connected to one end of the first resistor. 제1항에 있어서,
상기 제2 제너 다이오드는 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는캐소드 및 상기 노드에 연결되어 있는 애노드를 포함하는 스위치 제어 회로.The method of claim 1,
And the second zener diode comprises a cathode connected to the gate of the first transistor and an anode connected to the node. 제1항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제너 다이오드의 전압과 상기 제2 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제2 제너 다이오드 전압이 상승하도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 1,
And the second transistor is turned off and the voltage of the first zener diode which is the cathode voltage of the first zener diode and the second zener diode voltage which is the cathode voltage of the second zener diode are increased. 제5항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 노드의 전압이 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전압 대비 상기제2 제너 다이오드의 제너 전압만큼 낮은 전압으로 상승하도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 5,
And the second transistor is turned off and the voltage of the node is configured to rise to a voltage lower than the gate voltage of the first transistor by a Zener voltage of the second Zener diode. 제6항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드 전압 및 상기 제2 제너 다이오드 전압은 상기 제1 제너 다이오드의 제너 전압과 상기 전원 전압의 합인 제1 임계 전압에 도달하면 일정하게 유지되도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 6,
And the first zener diode voltage and the second zener diode voltage are configured to remain constant when a first threshold voltage that is the sum of the zener voltage of the first zener diode and the power supply voltage is reached. 제7항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드 전압 및 상기 제2 제너 다이오드 전압이 상기 제1 임계 전압에 도달한 후, 상기 노드의 전압 상승으로 제1 트랜지스터가 턴 오프 되도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 7, wherein
And after the first zener diode voltage and the second zener diode voltage reach the first threshold voltage, the first transistor is turned off due to the voltage rise of the node. 제1항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터가 턴 온 된 후 상기 노드의 전압이 감소하고, 상기 노드의 전압이 상기 제2 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제2 제너 다이오드 전압 보다 제2 제너 전압만큼 낮은 전압이 될 때, 상기 제2 제너 다이오드가 역바이어스 되어 상기 제2 제너 다이오드 전압이 감소하기 시작하도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 1,
When the voltage of the node decreases after the second transistor is turned on, and the voltage of the node becomes a voltage lower by a second zener voltage than the second zener diode voltage, which is a cathode voltage of the second zener diode, 2. The switch control circuit configured to cause the second zener diode to reverse bias so that the second zener diode voltage begins to decrease. 제9항에 있어서,
상기 노드의 전압이 상기 제2 제너 다이오드 전압 보다 상기 제2 제너 전압만큼 낮은 전압이 된 후, 상기 제2 제너 다이오드 전압은 상기 노드의 전압에 상기 제2 제너 전압을 더한 전압으로 감소하도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 9,
A switch control configured to reduce the second zener diode voltage to a voltage of the node plus the second zener voltage after the voltage of the node becomes a voltage lower than the second zener diode voltage by the second zener voltage Circuit. 제10항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제너 다이오드 전압은 상기 제2 제너 다이오드 전압을 따라 감소하도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 10,
And a first zener diode voltage that is a cathode voltage of the first zener diode is configured to decrease along with the second zener diode voltage. 제9항에 있어서,
상기 노드의 전압 감소에 의해, 상기 제1 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 문턱 전압 이상이 되어, 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 9,
And a gate-source voltage of the first transistor is greater than or equal to a threshold voltage by the voltage reduction of the node, so that the first transistor is turned on. 제12항에 있어서,
상기 노드의 전압 감소로 인해 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 전압인 제1 제어 다이오드 전압이 감소되어 상기 제1 제너 다이오드가 정바이어스 되고, 상기 커패시터로부터 상기 제1 트랜지스터의 게이트로 공급되는 전류에 의해 상기 제1 트랜지스터의 인풋 커패시터가 충전되도록 구성된 스위치 제어 회로.The method of claim 12,
The voltage of the node decreases the voltage of the first control diode, which is the cathode voltage of the first zener diode, so that the first zener diode is positively biased, and the current is supplied from the capacitor to the gate of the first transistor. And a switch control circuit configured to charge the input capacitor of the first transistor. 제1항에 있어서,
상기 스위치 제어 회로는,
상기 스위치 제어 회로가 적용된 전력 공급 장치의 입력 전압을 이용하여 상기 제1 제너 다이오드의 바이어스 상태를 유지하는 제2 저항을 더 포함하는 스위치 제어 회로.The method of claim 1,
The switch control circuit,
And a second resistor configured to maintain a bias state of the first zener diode by using an input voltage of a power supply device to which the switch control circuit is applied. 제14항에 있어서,
상기 제2 저항은 상기 입력 전압과 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 사이에 연결되어 있는 스위치 제어 회로.The method of claim 14,
And the second resistor is coupled between the input voltage and the cathode of the first zener diode. Cascode로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하는 전력 스위치 회로,
상기 제1 트랜지스터의 게이트와 전원 전압을 공급하는 커패시터의 일단 사이에 연결된 제1 제너 다이오드, 및
상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터간의 노드에 연결된 제2 제너 다이오드를 포함하고,
상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드는 전기적으로 연결된 전력 공급 장치.A power switch circuit comprising a first transistor and a second transistor connected by cascode,
A first zener diode connected between the gate of the first transistor and one end of a capacitor supplying a power supply voltage, and
A second zener diode connected to a gate of the first transistor and a node between the first transistor and the second transistor,
And the first zener diode and the second zener diode are electrically connected. 제16항에 있어서,
상기 전력 공급 장치는,
상기 제1 제너 다이오드와 상기 제2 제너 다이오드 사이에 연결되어 있는 제1 저항을 더 포함하는 전력 공급 장치.The method of claim 16,
The power supply device,
And a first resistor coupled between the first zener diode and the second zener diode. 제17항에 있어서,
상기 제1 제너 다이오드는 상기 커패시터에 연결되어 있는 애노드 및 상기 제1 저항의 일단에 연결되어 있는 캐소드를 포함하는 전력 공급 장치.The method of claim 17,
And the first zener diode includes an anode connected to the capacitor and a cathode connected to one end of the first resistor. 제18항에 있어서,
상기 제2 제너 다이오드는 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는캐소드 및 상기 노드에 연결되어 있는 애노드를 포함하는 전력 공급 장치.The method of claim 18,
And the second zener diode comprises a cathode connected to the gate of the first transistor and an anode connected to the node. 제16항에 있어서,
상기 전력 공급 장치의 입력 전압과 상기 제1 제너 다이오드의 캐소드 사이에 연결되어 있는 제2 저항을 더 포함하는 전력 공급 장치.
The method of claim 16,
And a second resistor coupled between the input voltage of the power supply and the cathode of the first zener diode.
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