KR102073749B1 - Appparatus for treating substrate and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸도록 제공되는 라이너 어셈블리를 포함하되, 상기 라이너 어셈블리는, 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸 고정되며 도전성 재질로 제공되는 고정 라이너; 상기 고정 라이너와 전기적으로 연결 가능하며, 이동에 의해 상기 고정 라이너와 접촉 면적이 변형 가능도록 제공되는 도전성 재질의 가동 라이너 유닛을 포함하며, 상기 고정 라이너와 상기 가동 라이너 유닛 중 어느 하나는 전기적으로 접지된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes: a process chamber providing a processing space therein; A support unit for supporting a substrate in the processing space; A liner assembly provided to wrap around the support unit, wherein the liner assembly comprises: a fixed liner wrapped around the support unit and fixed and provided with a conductive material; And a movable liner unit of a conductive material that is electrically connectable with the fixed liner and is provided to be deformable by contact with the fixed liner, wherein either one of the fixed liner and the movable liner unit is electrically grounded. do.

Figure R1020180083301
Figure R1020180083301

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for processing a substrate using plasma.

기판의 처리 공정에는 플라즈마가 이용될 수 있다. 예를 들어, 식각, 증착 또는 드라이 클리닝 공정에 플라즈마가 사용될 수 있다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마를 이용한 드라이 크리닝, 애싱, 또는 식각 공정은 플라즈마에 포함된 이온 또는 라디칼 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma may be used for the processing of the substrate. For example, plasma may be used for etching, deposition or dry cleaning processes. Plasma is generated by very high temperature, strong electric fields or RF Electromagnetic Fields, and plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, and radicals. Dry cleaning, ashing, or etching processes using plasma are performed by collision of ions or radicals contained in the plasma with the substrate.

기판에 입사되는 플라즈마는 여러 환경적 요인에 의해 분균일하게 분포될 수 있다. 불균일한 플라즈마 분포도는 기판을 균일하게 처리하지 못하게 되는 결과를 초래할 수 있다.Plasma incident on the substrate may be uniformly distributed by various environmental factors. Non-uniform plasma distributions can result in the substrate not being processed uniformly.

본 발명은 플라즈마로 기판 처리시 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can increase the processing efficiency during substrate processing with plasma.

또한, 본 발명은 기판에 입사되는 플라즈마의 분포를 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of controlling the distribution of plasma incident on a substrate.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸도록 제공되는 라이너 어셈블리를 포함하되, 상기 라이너 어셈블리는, 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸 고정되며 도전성 재질로 제공되는 고정 라이너; 상기 고정 라이너와 전기적으로 연결 가능하며, 이동에 의해 상기 고정 라이너와 접촉 면적이 변형 가능도록 제공되는 도전성 재질의 가동 라이너 유닛을 포함하며, 상기 고정 라이너와 상기 가동 라이너 유닛 중 어느 하나는 전기적으로 접지된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes: a process chamber providing a processing space therein; A support unit for supporting a substrate in the processing space; A liner assembly provided to wrap around the support unit, wherein the liner assembly comprises: a fixed liner wrapped around the support unit and fixed and provided with a conductive material; And a movable liner unit of a conductive material that is electrically connectable with the fixed liner and is provided to be deformable by contact with the fixed liner, wherein either one of the fixed liner and the movable liner unit is electrically grounded. do.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은, 가동 라이너와; 상기 가동 라이너와 상기 고정 라이너 사이에 배치되며, 탄성 변형이 가능한 탄성 도전체를 포함하며, 상기 고정 라이너와 상기 가동 라이너는 상기 탄성 도전체에 의해 통전될 수 있다.According to one embodiment, the movable liner unit, the movable liner; The fixed liner is disposed between the movable liner and the fixed liner, and includes an elastic conductor capable of elastic deformation. The fixed liner and the movable liner may be energized by the elastic conductor.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은, 상기 가동 라이너를 상기 고정 라이너를 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 이동시키는 라이너 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the movable liner unit may include a liner driver for moving the movable liner in a direction toward or opposite to the fixed liner.

일 실시예에 의하면, 상기 탄성 도전체는 상기 가동 라이너와 상기 고정 라이너 간의 이격 거리에 따라 상기 가동 라이너 유닛과 상기 고정 라이너의 접촉 면적이 변경되도록 제공될 수 있다.In example embodiments, the elastic conductor may be provided such that a contact area between the movable liner unit and the fixed liner is changed according to a separation distance between the movable liner and the fixed liner.

일 실시예에 의하면, 상기 탄성 도전체의 일측은 상기 고정 라이너에 접촉되고, 상기 탄성 도전체의 타측은 상기 가동 라이너에 접촉될 수 있다.According to one embodiment, one side of the elastic conductor may be in contact with the fixed liner, the other side of the elastic conductor may be in contact with the movable liner.

일 실시예에 의하면, 상기 탄성 도전체는, 띠 형상의 도전체를 나선형으로 감아서 형성되거나 튜브 형상으로 제공될 수 있다.In some embodiments, the elastic conductor may be formed by spirally winding a strip-shaped conductor or may be provided in a tube shape.

일 실시예에 의하면, 상기 탄성 도전체는, 길이 방향이 횡방향이 되도록 놓일 수 있다.According to one embodiment, the elastic conductor may be placed so that the longitudinal direction is in the transverse direction.

일 실시예에 의하면, 상기 탄성 도전체의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 원 형상으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the elastic conductor may be provided in a circular shape.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은 복수개의 가동 라이너 파트로 제공되며, 상기 복수개의 가동 라이너 파트는 상기 지지 유닛의 둘레를 따라 서로 이격되도록 제공될 수 있다.In example embodiments, the movable liner unit may be provided as a plurality of movable liner parts, and the plurality of movable liner parts may be provided to be spaced apart from each other along a circumference of the support unit.

일 실시예에 의하면, 상기 복수개의 가동 라이너 파트는 개별 제어될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of movable liner parts may be individually controlled.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 파트는 3개 내지 5개로 구성될 수 있다.According to one embodiment, the movable liner part may be composed of three to five.

일 실시예에 의하면, 상기 고정 라이너는 상기 가동 라이너 유닛의 상부에 제공될 수 있다.According to one embodiment, the fixed liner may be provided on top of the movable liner unit.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은 상하 방향으로 이동 가능하다.According to one embodiment, the movable liner unit is movable in the vertical direction.

일 실시예에 의하면, 상기 고정 라이너는, 그 내측면에 홈이 형성되고, 상기 가동 라이너 유닛은 상기 홈 내에 삽입될 수 있다.In an embodiment, the fixing liner may have a groove formed on an inner side thereof, and the movable liner unit may be inserted into the groove.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 기판을 고정하는 척과; 상기 척 하부에 제공되는 절연 플레이트와; 상기 절연 플레이트의 하부에 제공되며 접지되는 도전성의 하부 커버를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit includes a chuck for fixing a substrate; An insulation plate provided below the chuck; It may include a conductive lower cover provided on the lower portion of the insulating plate and grounded.

일 실시예에 의하면, 상기 라이너 구동기와 상기 가동 라이너는, 상기 하부 커버를 관통하여 연결될 수 있다.In example embodiments, the liner driver and the movable liner may be connected through the lower cover.

일 실시예에 의하면, 상기 고정 라이너의 상면에 배기 배플이 위치되며, 상기 배기 배플은 상기 고정 라이너와 접촉하여 통전될 수 있다.In example embodiments, an exhaust baffle may be positioned on an upper surface of the fixing liner, and the exhaust baffle may be in contact with the fixing liner.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 예에 의하면 기판 처리 방법은 상기 고정 라이너 및 상기 가동 라이너 유닛의 접촉 면적을 변화시켜 식각비를 조절한다.The present invention also provides a method of treating a substrate. According to an example, the substrate treating method may adjust an etching ratio by changing a contact area between the fixed liner and the movable liner unit.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은 복수개의 가동 라이너 파트로 제공되고, 상기 복수개의 가동 라이너 파트는 상기 지지 유닛의 둘레를 따라 서로 이격되도록 제공되고,상기 가동 라이너 파트를 개별적으로 조절하여 구역별 식각비를 조절할 수 있다.According to one embodiment, the movable liner unit is provided with a plurality of movable liner parts, the plurality of movable liner parts are provided to be spaced apart from each other along the circumference of the support unit, and the movable liner parts are individually adjusted to zone You can adjust the etch rate for each star.

일 실시예에 의하면, 상기 가동 라이너 유닛은, 제1 가동 라이너 파트와 제2 가동 라이너 파트를 포함하고, 상기 제1 가동 라이너 파트가 제공된 영역에 비해 상기 제2 가동 라이너 파트가 제공된 영역의 식각율을 증가시키는 경우, 상기 제1 가동 라이너 파트와 상기 고정 라이너의 접촉 면적이 상기 제2 가동 라이너 파트와 상기 고정 라이너의 유닛의 접촉 면적보다 더 작게 제공할 수 있다.In example embodiments, the movable liner unit includes a first movable liner part and a second movable liner part, and an etch rate of an area in which the second movable liner part is provided compared to an area in which the first movable liner part is provided. In increasing the contact area, the contact area of the first movable liner part and the fixed liner may be smaller than the contact area of the unit of the second movable liner part and the fixed liner.

일 실시예에 의하면, 공정 진행시 상기 가동 라이너 파트들 중 어느 하나 이상과 상기 고정 라이너의 접촉 면적은 상기 가동 라이너 파트들 중 다른 하나와 상기 고정 라이너의 접촉 면적과 상이할 수 있다.In example embodiments, a contact area between one or more of the movable liner parts and the fixed liner may be different from a contact area between the other one of the movable liner parts and the fixed liner during the process.

본 발명의 다른 측면에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸도록 제공되는 라이너 어셈블리를 포함하되, 상기 라이너 어셈블리는, 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸 고정되며 도전성 재질로 제공되는 제1 라이너 유닛과; 상기 제1 라이너 유닛과 전기적으로 연결 가능하며, 이동에 의해 상기 제1 라이너 유닛과 접촉 면적이 변형 가능도록 제공되는 제2 라이너 유닛을 포함하고, According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: a process chamber providing a processing space therein; A support unit for supporting a substrate in the processing space; And a liner assembly provided to surround the support unit, wherein the liner assembly comprises: a first liner unit wrapped around the support unit and fixed to the support unit; A second liner unit electrically connectable with the first liner unit, the second liner unit being provided to be deformable by contact with the first liner unit by movement;

상기 제1 라이너 유닛과 상기 제2 라이너 유닛 중 어느 하나는 전기적으로 접지되고, 상기 제2 라이너 유닛은 복수 개가 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸는 방향으로 서로 이격되게 제공된다.One of the first liner unit and the second liner unit is electrically grounded, and the plurality of second liner units are provided to be spaced apart from each other in a direction surrounding the circumference of the support unit.

일 실시예에 의하면, 제2 라이너 유닛들 중 어느 하나 이상과 상기 제1 라이너 유닛의 접촉 면적은 상기 제2 라이너 유닛들 중 다른 하나와 상기 제2 라이너 유닛의 접촉 면적과 상이하게 제공될 수 있다.In example embodiments, a contact area of at least one of the second liner units and the first liner unit may be different from a contact area of the second liner unit with the other one of the second liner units. .

일 실시예에 의하면, 상기 제2 라이너 유닛과 상기 제1 라이너 유닛의 접촉 면적은 공정에 따라 상이하게 셋팅될 수 있다.In example embodiments, a contact area between the second liner unit and the first liner unit may be set differently according to a process.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 라이너 유닛은, 제2 라이너와; 상기 제2 라이너와 상기 제1 라이너 유닛 사이에 배치되며, 탄성 변형이 가능한 탄성 도전체와; 상기 제2 라이너를 상기 제1 라이너 유닛을 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 이동시키는 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second liner unit, the second liner; An elastic conductor disposed between the second liner and the first liner unit and capable of elastic deformation; It may include a driver for moving the second liner in a direction toward or opposite to the first liner unit.

본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리시 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, substrate processing efficiency may be improved when processing a substrate using plasma.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판에 입사되는 플라즈마의 분포를 제어할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to control the distribution of the plasma incident on the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 도시한 단면도이다.
도 2는 내측 라이너의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내측 라이너 부근을 확대한 도면이다.`
도 4는 가동 라이너를 아랫쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 가동 라이너를 윗쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다.
도 6는 가동 라이너를 도 5의 도시보다 더 윗쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 가동 라이너의 이동에 의해 접지 상태가 변경되는 것을 비교한 도면이다.
도 8, 9 및 10은 가동 라이너를 개별 제어하는 모습을 나타낸 도면으로서, 도 8은 평면도, 도 9는 도 8의 I-I'선에 따른 단면도, 도 10은 도 8의 II-II'선에 따른 단면도 이다.
도 11은 도 8, 9 및 10에 나타난 제어에 의해 식각비가 조절되는 모습을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view briefly illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of the inner liner.
3 is an enlarged view of an inner liner vicinity of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1.
4 is a view illustrating a state in which the movable liner is moved downward.
5 is a view illustrating a state in which the movable liner is moved upward.
FIG. 6 is a view showing a state in which the movable liner is moved upward in the direction shown in FIG. 5.
7 is a view comparing that the ground state is changed by the movement of the movable liner.
8, 9 and 10 are views showing the individual control of the movable liner, Figure 8 is a plan view, Figure 9 is a cross-sectional view taken along the line II 'of Figure 8, Figure 10 is a line II-II' of FIG. It is a cross section according to.
FIG. 11 is a view illustrating a state in which an etching ratio is adjusted by the control shown in FIGS. 8, 9, and 10.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures has been exaggerated to emphasize clearer explanations.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 플라즈마를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process by supplying plasma into the chamber.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention will be described by taking an electrostatic chuck as an example of the support unit. However, the present invention is not limited thereto, and the support unit may support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배기 배플(500)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate (W). The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and an exhaust baffle 500.

공정 챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 형성된다. 공정 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 외측 라이너(130)를 포함한다.The process chamber 100 has a processing space in which a substrate processing process is performed. The process chamber 100 includes a housing 110, a cover 120, and an outer liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다.The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided as a processing space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 is provided of a metal material. The housing 110 may be provided of aluminum material.

하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. Reaction by-products generated during the process and the gas remaining in the internal space of the housing may be discharged to the outside through the exhaust line (151). The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open top surface of the housing 110. The cover 120 is provided in a plate shape and seals the internal space of the housing 110. Cover 120 may include a dielectric substance window.

외측 라이너(130)는 하우징(110) 내부 측벽에 제공된다. 외측 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 외측 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 외측 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 외측 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. The outer liner 130 is provided on the inner sidewall of the housing 110. The outer liner 130 has an inner space in which the top and bottom surfaces are open. The outer liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The outer liner 130 may have a radius corresponding to the inner side of the housing 110. The outer liner 130 is provided along the inner side of the housing 110.

외측 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 외측 라이너(130)의 둘레를 따라 외측 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 외측 라이너(130)를 지지한다. 외측 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 외측 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 외측 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 공정 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 외측 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 외측 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 외측 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 외측 라이너(130)로 교체할 수 있다.A support ring 131 is formed at an upper end of the outer liner 130. The support ring 131 is provided as a ring-shaped plate and protrudes outward of the outer liner 130 along the circumference of the outer liner 130. The support ring 131 rests on top of the housing 110 and supports the outer liner 130. The outer liner 130 may be provided of the same material as the housing 110. The outer liner 130 may be provided of aluminum material. The outer liner 130 protects the inner surface of the housing 110. An arc discharge may occur in the process chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The outer liner 130 protects the inner side of the housing 110 to prevent the inner side of the housing 110 from being damaged by arc discharge. In addition, impurities generated during the substrate treating process may be prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The outer liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easy to replace. Thus, when the arc discharge damages the outer liner 130, the operator can replace it with a new outer liner 130.

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하 우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 supports the substrate in the processing space inside the chamber 100. For example, the support unit 200 is disposed inside the chamber housing 110. The support unit 200 supports the substrate (W). The support unit 200 may include an electrostatic chuck that adsorbs the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥에 접촉하거나, 상부로 이격되어 제공될 수 있다.The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210 and a lower cover 270. The support unit 200 may be provided in contact with the bottom of the housing 110 in the chamber 100 or spaced upwardly.

정전 척(210)은 바디 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디는 내부 유전판(220), 내부 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 210 has a body and an insulating plate 250. The body includes an internal dielectric plate 220, an internal electrode 223, a heater 225, a support plate 230, and a focus ring 240.

내부 유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 내부 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 내부 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 내부 유전판(220)의 상면은 기판(W) 보다 작은 반경을 갖는다. 내부 유전판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 내부 유전판(220) 내에는 내부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.The inner dielectric plate 220 is located at the upper end of the electrostatic chuck 210. The internal dielectric plate 220 is provided as a discotic dielectric substance. The substrate W is disposed on an upper surface of the internal dielectric plate 220. The upper surface of the inner dielectric plate 220 has a radius smaller than that of the substrate W. As shown in FIG. The internal dielectric plate 220 is formed with a first supply passage 221 used as a passage through which a heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W. The internal electrode 223 and the heater 225 are embedded in the internal dielectric plate 220.

내부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 내부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 내부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 내부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 내부 유전판(220)에 흡착된다.The internal electrode 223 is positioned above the heater 225. The internal electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. Electrostatic force acts between the internal electrode 223 and the substrate W by the current applied to the internal electrode 223, and the substrate W is absorbed by the internal dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 내부 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 내부 유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 내부 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting a current applied from the second lower power source 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the internal dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated by the heater 225. The heater 225 includes a spiral coil. The support plate 230 is positioned below the internal dielectric plate 220. The bottom surface of the internal dielectric plate 220 and the top surface of the support plate 230 may be bonded by the adhesive 236.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation channel 231 may be formed in a spiral shape in the support plate 230. Alternatively, the first circulation channel 231 may be arranged such that ring-shaped channels having different radii have the same center. Each of the first circulation passages 231 may communicate with each other. The first circulation passages 231 are formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation channel 232 may be formed in a spiral shape in the support plate 230. In addition, the second circulation channel 232 may be disposed such that ring-shaped channels having different radii have the same center. Each of the second circulation passages 232 may communicate with each other. The second circulation passage 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation passage 231. The second circulation passages 232 are formed at the same height. The second circulation passage 232 may be located below the first circulation passage 231.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply flow passage 233 extends upward from the first circulation flow passage 231 and is provided as an upper surface of the support plate 230. The second supply flow path 243 is provided in a number corresponding to the first supply flow path 221 and connects the first circulation flow path 231 and the first supply flow path 221.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(미도시)을 통해 열전달 매체 저장부(미도시)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(미도시)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(미도시)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation passage 231 is connected to a heat transfer medium storage unit (not shown) through a heat transfer medium supply line (not shown). The heat transfer medium storage unit (not shown) stores the heat transfer medium. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through a supply line (not shown), and is sequentially supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221. The helium gas serves as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(미도시)을 통해 냉각 유체 저장부(미도시)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(미도시)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(미도시) 내에서 또는 냉각 유체 공급 라인(미도시)에서 냉각 유체는 소정 온도로 냉각된다. 냉각 유체 공급 라인(미도시을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The second circulation passage 232 is connected to the cooling fluid storage unit (not shown) through the cooling fluid supply line (not shown). Cooling fluid is stored in the cooling fluid storage unit (not shown). The cooling fluid is cooled to a predetermined temperature in the cooling fluid reservoir (not shown) or in the cooling fluid supply line (not shown). Cooling fluid supply line (Cooling fluid supplied to the second circulation passage 232 through not shown is circulated along the second circulation passage 232 and cools the fingerboard 230. The support plate 230 is cooled while the dielectric plate ( 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 내부 유전판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along a circumference of the internal dielectric plate 220 to support an edge region of the substrate W. An insulation plate 250 is positioned below the support plate 230. The insulating plate 250 is provided with an insulating material and electrically insulates the support plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에 위치된다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 270 is located at the bottom of the housing 110. The lower cover 270 has a space where an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered by the insulating plate 250. Therefore, the outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with the same length as the outer radius of the insulating plate 250. In the inner space of the lower cover 270, a lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from the external transport member to the electrostatic chuck 210 may be located.

하부 커버(270)는 연결 부재(미도시)를 갖는다. 제1 하부 전원(미도시)과 연결되는 제1 전원라인(미도시), 제2 하부 전원(미도시)과 연결되는 제2 전원라인(미도시), 열전달 매체 저장부(미도시)와 연결된 열전달 매체 공급라인(미도시) 그리고 냉각 유체 저장부(미도시)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(미도시)등은 연결 부재(미도시)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member (not shown). A first power line (not shown) connected to a first lower power source (not shown), a second power line (not shown) connected to a second lower power source (not shown), and a heat transfer medium storage unit (not shown) The heat transfer medium supply line (not shown) and the cooling fluid supply line (not shown) connected to the cooling fluid storage unit (not shown) and the like extend through the inner space of the connecting member (not shown) into the lower cover 270.

내측 라이너(600)는 고정 라이너(610), 탄성 도전체(620) 그리고 가동 라이너(630)을 포함하는 어셈블리로 제공된다. 내측 라이너(600)는 접지 라인(640)에 연결되어 접지된다. 내측 라이너(600)와 관련하여는 도 2 이하에서 상세하게 후술한다.The inner liner 600 is provided in an assembly that includes a fixed liner 610, an elastic conductor 620, and a movable liner 630. The inner liner 600 is connected to the ground line 640 and grounded. The inner liner 600 will be described in detail later with reference to FIG. 2.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100)의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 챔버(100)의 상부에 결합되고 처리 공간 내로 돌출되게 제공될 수 있다. The gas supply unit 300 supplies a process gas to the processing space of the chamber 100. The gas supply unit 300 may be provided to be coupled to the upper portion of the chamber 100 and to protrude into the processing space.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100)의 처리 공간으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies a process gas to the processing space inside the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the airtight cover 120. An injection hole is formed at the bottom of the gas supply nozzle 310. The injection hole is located below the airtight cover 120 and supplies a process gas to the processing space of the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. The valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and adjusts the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간 내에 공급되는 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 밀폐 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 400 excites the process gas supplied into the processing space of the chamber 100 in a plasma state. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410, an antenna 420, and a plasma power source 430. The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with an open bottom. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided to have a diameter corresponding to that of the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is provided to be detachable to the hermetic cover 120. Anna 420 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna 420 is provided as a spiral coil wound around a plurality of times, and is connected to the plasma power source 430. The antenna 420 receives power from the plasma power source 430. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The antenna 420 to which power is applied may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited in the plasma state by the electromagnetic field.

배기 배플(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배기 배플(500)은 관통홀(511)이 형성된다. 배기 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The exhaust baffle 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support member 400. The exhaust baffle 500 has a through hole 511 formed therein. The exhaust baffle 500 is provided in an annular ring shape. Process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the baffle 510 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the baffle 510 and the shape of the through holes 511.

도 2는 내측 라이너(600)의 분해 사시도이다. 도 2를 참조하면, 내측 라이너(600)는 고정 라이너(610), 탄성 도전체(620) 그리고 가동 라이너(630)를 포함한다.2 is an exploded perspective view of the inner liner 600. Referring to FIG. 2, the inner liner 600 includes a fixed liner 610, an elastic conductor 620, and a movable liner 630.

고정 라이너(610)는 지지 유닛(200)의 둘레를 감싸 고정된다. 고정 라이너(610)는 링 형상으로 제공된다. 고정 라이너(610)의 단면 형상은 상하로 긴 사각형에 있어서 하단의 일 모서리가 상하로 긴 사각형으로 노칭된 형상으로 제공된다. 일 실시예에 의하면, 고정 라이너(610)의 내측 하단 모서리는 단차지게 제공된다. 따라서 고정 라이너(610)의 상부 두께는 하부의 두께보다 두껍게 제공된다. 고정 라이너(610)는 알루미늄 재질로 제공된다. 고정 라이너(610)의 표면은 아노다이징 코팅하여 절연된다.The fixing liner 610 is wrapped around the support unit 200 and fixed. The fixed liner 610 is provided in a ring shape. The cross-sectional shape of the fixing liner 610 is provided in a shape in which one corner of the bottom is notched into a vertical rectangle that is long in a vertical rectangle. According to one embodiment, the inner bottom edge of the fixing liner 610 is provided stepwise. Therefore, the upper thickness of the fixing liner 610 is provided thicker than the thickness of the lower. The fixing liner 610 is provided of aluminum material. The surface of the fixed liner 610 is insulated by anodizing coating.

고정 라이너(610)는 배기 배플(500)과 전기적으로 통전된다. 고정 라이너(610)와 배기 배플(500)은 통전되어 접지 라인(640)으로 연결된다.The fixed liner 610 is in electrical communication with the exhaust baffle 500. The fixed liner 610 and the exhaust baffle 500 are energized and connected to the ground line 640.

가동 라이너 유닛은 탄성 도전체(620)와 가동 라이너(630)를 포함한다.The movable liner unit includes an elastic conductor 620 and a movable liner 630.

탄성 도전체(620)는 후술할 가동 라이너(630)와 고정 라이너(610)의 사이에 제공된다. 탄성 도전체(620)는 제1 탄성 도전체(621), 제2 탄성 도전체(622), 제3 탄성 도전체(623) 그리고 제4 탄성 도전체(624)를 포함한다. 제1 탄성 도전체(621), 제2 탄성 도전체(622), 제3 탄성 도전체(623) 그리고 제4 탄성 도전체(624)는 후술할 제1 가동 라이너(631), 제2 가동 라이너(632), 제3 가동 라이너(633), 제4 가동 라이너(634)에 각각 결합된다. 제1 탄성 도전체(621)와 제1 가동 라이너(631)는 제1 가동 라이너 파트를 이룬다. 제2 탄성 도전체(622)와 제2 가동 라이너(632)는 제2 가동 라이너 파트를 이룬다. 제3 탄성 도전체(623)와 제3 가동 라이너(633)는 제3 가동 라이너 파트를 이룬다. 제4 탄성 도전체(624)와 제4가동 라이너(634)는 제4 가동 라이너 파트를 이룬다.The elastic conductor 620 is provided between the movable liner 630 and the fixed liner 610 to be described later. The elastic conductor 620 includes a first elastic conductor 621, a second elastic conductor 622, a third elastic conductor 623, and a fourth elastic conductor 624. The first elastic conductor 621, the second elastic conductor 622, the third elastic conductor 623, and the fourth elastic conductor 624 may include the first movable liner 631 and the second movable liner. 632, a third movable liner 633, and a fourth movable liner 634, respectively. The first elastic conductor 621 and the first movable liner 631 form a first movable liner part. The second elastic conductor 622 and the second movable liner 632 form a second movable liner part. The third elastic conductor 623 and the third movable liner 633 form a third movable liner part. The fourth elastic conductor 624 and the fourth movable liner 634 form a fourth movable liner part.

탄성 도전체(620)는 외력에 의해 형상이 변형될 수 있고, 외력의 제거에 의해 형상이 복원될 수 있도록 소정의 탄성을 가지며, 도전성 재질로 제공된다. 일 예에 의하면 탄성 도전체(620)는 띠 형상의 도전체를 나선형으로 감아서 형성되는 일명 스파이럴 가스켓으로 제공된다. 또는 탄성 도전체는 튜브 형상으로 제공될 수 있다. 탄성 도전체(620)는 SUS라 불리는 스테인레스 재질로 제공될 수 있다. 탄성 도전체(620)는 가동 라이너(630)의 상면에 결합되며, 길이 방향이 횡방향이 되도록 놓인다. 탄성 도전체(620)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 원 형상으로 제공된다. 탄성 도전체(620)는 상하방향에 대한 탄성을 갖는다. 도 2는 탄성 도전체(620)가 가동 라이너(630)에 올려진 것으로 도시하였으나, 가동 라이너(630)의 상면에 홈을 파서 그 홈에 탄성 도전체(620)를 삽입하여 결합될 수 있다.The elastic conductor 620 may be deformed by an external force, has a predetermined elasticity so that the shape may be restored by the removal of the external force, and is provided as a conductive material. According to one example, the elastic conductor 620 is provided as a spiral gasket formed by spirally winding a strip-shaped conductor. Alternatively, the elastic conductor may be provided in a tube shape. The elastic conductor 620 may be provided of a stainless material called SUS. The elastic conductor 620 is coupled to the top surface of the movable liner 630 and laid so that its longitudinal direction is transverse. The cross section perpendicular to the longitudinal direction of the elastic conductor 620 is provided in a circular shape. The elastic conductor 620 has elasticity in the vertical direction. Although FIG. 2 illustrates that the elastic conductor 620 is mounted on the movable liner 630, a groove may be dug into the upper surface of the movable liner 630 to insert the elastic conductor 620 into the groove.

탄성 도전체(620)의 일측은 고정 라이너(610)에 접촉되고, 타측은 가동 라이너(630)에 접촉된다. 탄성 도전체(620)는 후술하는 가동 라이너(630)의 이동에 따라 변형되어 고정 라이너(610) 및 가동 라이너(630)와의 접촉 면적이 조절된다. 이는 도 3 내지 도 7에서 상세히 설명한다.One side of the elastic conductor 620 is in contact with the fixed liner 610, the other side is in contact with the movable liner 630. The elastic conductor 620 is deformed according to the movement of the movable liner 630 which will be described later to adjust the contact area between the fixed liner 610 and the movable liner 630. This will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7.

가동 라이너(630)는 탄성 도전체(620)와 고정 라이너(610)가 접촉하는 타면에 제공된다. 가동 라이너(630)는 알루미늄 재질로 제공된다. 가동 라이너(630)의 표면은 아노다이징 코팅하여 절연된다. 가동 라이너(630)는 후술할 구동기(700)와 연결된다. 가동 라이너(630)는 접지 라인(240)과 연결된다. 고정 라이너(610)와 가동 라이너(630)는 탄성 도전체(620)에 의해 통전된다.The movable liner 630 is provided on the other surface of the elastic conductor 620 and the fixed liner 610 in contact. The movable liner 630 is provided of aluminum material. The surface of the movable liner 630 is insulated by anodizing coating. The movable liner 630 is connected to the driver 700 which will be described later. The movable liner 630 is connected with the ground line 240. The fixed liner 610 and the movable liner 630 are energized by the elastic conductor 620.

가동 라이너(630)는 복수개로 제공된다. 도 3에 도시된 가동 라이너(630)는 제1 가동 라이너(631), 제2 가동 라이너(632), 제3 가동 라이너(633), 제4 가동 라이너(634)를 포함하여 원형의 링을 4등분 한 형태로 제공된다. 가동 라이너(630)는 지지 유닛(300)의 둘레를 따라 제공된다. 가동 라이너(630)는 3개 내지 5개로 제공될 수 있다. 그러나 필요에 따라 가동 라이너(630)의 개수를 가감하는 설계 변경도 가능하다. 가동 라이너(630)는 고정 라이너(610)의 하부에 제공된다. 가동 라이너(630)는 고정 라이너(610)의 단차 부위에 삽입되며, 단면이 상하로 긴 사각 형상으로 제공된다.The movable liner 630 is provided in plurality. The moveable liner 630 shown in FIG. 3 includes a first ring liner 631, a second mover liner 632, a third mover liner 633, and a fourth mover liner 634. It is provided in equal form. The movable liner 630 is provided along the circumference of the support unit 300. The movable liner 630 may be provided in three to five. However, if necessary, a design change that adds or subtracts the number of movable liners 630 is possible. The movable liner 630 is provided below the stationary liner 610. The movable liner 630 is inserted into the stepped portion of the fixed liner 610 and is provided in a rectangular shape having a long cross section.

제1 가동 라이너(631), 제2 가동 라이너(632), 제3 가동 라이너(633), 제4 가동 라이너(634)는 각각 구동기(각 구동기 미도시)에 연결된다. 구동기는 개별로 제어된다. 제1 가동 라이너(631), 제2 가동 라이너(632), 제3 가동 라이너(633), 제4 가동 라이너(634)는 상하 방향으로 이동이 가능하다.The first movable liner 631, the second movable liner 632, the third movable liner 633, and the fourth movable liner 634 are each connected to a driver (each driver not shown). The drivers are individually controlled. The first movable liner 631, the second movable liner 632, the third movable liner 633, and the fourth movable liner 634 are movable in the vertical direction.

가동 라이너(630)는 구동기(700)에 의해 구동력을 인가받아 가동 라이너(630) 및 고정 라이너(610)와 탄성 도전체의 접촉 면적을 조절한다. 제1 가동 라이너(631), 제2 가동 라이너(632), 제3 가동 라이너(633), 제4 가동 라이너(634) 각각의 위치를 조절함으로써 영역별 접촉 면적을 조절하여 식각비를 조절할 수 있다.The movable liner 630 receives a driving force by the driver 700 to adjust the contact area between the movable liner 630 and the fixed liner 610 and the elastic conductor. By adjusting the positions of the first movable liner 631, the second movable liner 632, the third movable liner 633, and the fourth movable liner 634, the etch ratio may be adjusted by adjusting the contact area for each region. .

도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내측 라이너 부근을 확대한 도면이다. 도 3을 참조하면, 고정 라이너(610)의 상면에 배기 배플(500)이 위치된다. 배기 배플(500)은 고정 라이너(610)와 통전된다. 고정 라이너(610)는 접촉면(611)을 갖는다. 고정 라이너(610)의 접촉면(611)과 탄성 도전체(620)의 접촉에 의해 고정 라이너(610)는 가동 라이너(630)와 전기적으로 통전된다. 가동 라이너(630)는 접지 라인(640)과 연결된다. 접지 라인(640)은 접지된다. 접지 라인(640)은 하우징(110)의 외부에서 별도로 접지되거나, 하우징(110)에 전기적으로 연결되어 접지된다. 구동기(700)는 하부 커버(270) 내에 위치될 수 있다. 구동기(700)와 가동 라이너(630)는 하부 커버(270)를 관통하여 연결될 수 있다.3 is an enlarged view of an inner liner vicinity of the substrate processing apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 3, an exhaust baffle 500 is positioned on an upper surface of the fixing liner 610. The exhaust baffle 500 is energized with the fixed liner 610. The fixed liner 610 has a contact surface 611. The fixed liner 610 is electrically energized with the movable liner 630 by the contact between the contact surface 611 of the fixed liner 610 and the elastic conductor 620. The movable liner 630 is connected with the ground line 640. Ground line 640 is grounded. The ground line 640 may be separately grounded outside the housing 110 or electrically connected to the housing 110 and grounded. The driver 700 may be located in the lower cover 270. The driver 700 and the movable liner 630 may be connected through the lower cover 270.

도 4는 가동 라이너(630)를 아랫쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 가동 라이너(630)를 아래 방향으로 이동시켜 탄성 도전체(620)와 고정 라이너(610)가 접촉되지 않도록 한다. 이로 인해 고정 라이너(610)의 접지는 해제될 수 있다. 4 is a view illustrating a state in which the movable liner 630 is moved downward. Referring to FIG. 4, the movable liner 630 is moved downward so that the elastic conductor 620 and the fixed liner 610 do not contact each other. As a result, the ground of the fixing liner 610 may be released.

도 5는 가동 라이너를 윗쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하면, 가동 라이너(630)를 윗쪽 방향으로 이동시켜 탄성 도전체(620)와 고정 라이너(610)가 접촉되도록 한다. 도 5의 탄성 도전체(620)와 가동 라이너(630) 및 고정 라이너(610)의 접촉 면적은 도 3에서 도시된 접촉 면적보다 크기 때문에, 고정 라이너(610)에서 가동 라이너(630)로 흐르는 전기적 흐름이 증대된다.5 is a view illustrating a state in which the movable liner is moved upward. Referring to FIG. 5, the movable liner 630 is moved upward so that the elastic conductor 620 and the fixed liner 610 come into contact with each other. Since the contact area of the elastic conductor 620 and the movable liner 630 and the fixed liner 610 of FIG. 5 is larger than the contact area shown in FIG. 3, the electrical flow from the fixed liner 610 to the movable liner 630 is increased. The flow is increased.

도 6는 가동 라이너를 도 5의 도시보다 더 윗쪽 방향으로 이동시킨 상태를 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, 가동 라이너(630)를 도 5의 도시보다 더 윗쪽 방향으로 이동시켜 탄성 도전체(620)와 고정 라이너(610)가 접촉 면적을 늘린다. 도 6의 탄성 도전체(620)와 가동 라이너(630) 및 고정 라이너(610)의 접촉 면적은 도 5에서 도시된 접촉 면적보다 크기 때문에, 고정 라이너(610)에서 가동 라이너(630)로 흐르는 전기적 흐름이 증대된다.FIG. 6 is a view showing a state in which the movable liner is moved upward in the direction shown in FIG. 5. Referring to FIG. 6, the movable liner 630 is moved upwards than shown in FIG. 5 to increase the contact area between the elastic conductor 620 and the fixed liner 610. Since the contact area of the elastic conductor 620 and the movable liner 630 and the fixed liner 610 of FIG. 6 is larger than the contact area shown in FIG. 5, the electrical flow from the fixed liner 610 to the movable liner 630 is increased. The flow is increased.

도 7은 가동 라이너의 이동에 의해 접지 상태가 변경되는 것을 비교한 도면이다. 도 7을 참조한다. 도 7(a)는 접촉이 시작되는 상태이다. 이를 제1 접지 상태로 칭한다. 도 7(b)는 가동 라이너(630)를 상승시켜 탄성 도전체(620)와 가동 라이너(630) 및 고정 라이너(610)의 접촉 면적을 늘린 상태이다. 이를 제2 접지 상태로 칭한다. 도 7(c)는 가동 라이너(630)를 더 상승시켜 탄성 도전체(620)와 가동 라이너(630) 및 고정 라이너(610)의 접촉 면적을 더 늘린 상태이다. 이를 제3 접지 상태로 칭한다. 제1 접지 상태에서 전기적 흐름이 가장 적고, 제3 접지 상태에서 전기적 흐름이 가장 크다. 제3 접지 상태에서 접지가 가장 원활하게 이루어진다. 가동 라이너(630)의 이동은 연속적으로 일어난다. 따라서 제1 접지 상태와 제2 접지상태의 사이에 위치될 수도 있으며, 제1,2,3 접지 상태의 위치에 한정되지 않는다.7 is a view comparing that the ground state is changed by the movement of the movable liner. See FIG. 7. 7 (a) is a state in which contact is started. This is called a first ground state. FIG. 7B illustrates a state in which the movable liner 630 is raised to increase the contact area between the elastic conductor 620, the movable liner 630, and the fixed liner 610. This is called a second ground state. FIG. 7C is a state in which the movable liner 630 is further raised to further increase the contact area between the elastic conductor 620, the movable liner 630, and the fixed liner 610. This is called a third ground state. The electrical flow is least in the first ground state and the electrical flow is largest in the third ground state. Grounding is most smoothly made in the third ground state. Movement of the movable liner 630 occurs continuously. Therefore, it may be located between the first ground state and the second ground state, and is not limited to the positions of the first, second, and third ground states.

도 8, 9 및 10은 가동 라이너를 개별 제어하는 모습을 나타낸 도면으로서, 도 8은 평면도, 도 9는 도 8의 I-I'선에 따른 단면도, 도 10은 도 8의 II-II'선에 따른 단면도이다.8, 9 and 10 are views showing the individual control of the movable liner, Figure 8 is a plan view, Figure 9 is a cross-sectional view taken along the line II 'of Figure 8, Figure 10 is a line II-II' of FIG. In accordance with the cross-sectional view.

도 8을 참조하면, 내측 라이너(600)는 3시, 6시, 9시, 12시 방향을 각각 A, B, C, D지점으로 두고, A-B영역, B-C영역, C-D영역, D-A영역으로 영역을 4분할 할 수 있다. A-B영역에 제1 가동 라이너(631)가 제공되고, B-C영역에 제2 가동 라이너(632)가 제공되고, C-D영역에 제3 가동 라이너(633)가 제공되고, D-A영역에 제4 가동 라이너(634)가 제공된다.Referring to FIG. 8, the inner liner 600 has three, six, nine, and twelve o'clock directions as the A, B, C, and D points, respectively, and includes the AB area, BC area, CD area, and DA area. Can be divided into four. The first movable liner 631 is provided in the AB region, the second movable liner 632 is provided in the BC region, the third movable liner 633 is provided in the CD region, and the fourth movable liner ( 634 is provided.

도 9에 도시된 도 8의 I-I'선에 따른 단면도를 참조하면, 제4 가동 라이너(634)는 제1 접지 상태의 위치에 제공된다. 도 10에 도시된 도 8의 II-II'선에 따른 단면도를 참조하면, 제2 가동 라이너(632)는 제2 접지 상태의 위치에 제공된다. 실시 예에 의하면, 제1 가동라이너(631)과 제3 가동 라이너(633)은 제2 가동 라이너(632)와 마찬가지로 제2 접지 상태에 위치된다.Referring to the cross sectional view along the line II ′ of FIG. 8 shown in FIG. 9, the fourth movable liner 634 is provided at a position in a first ground state. Referring to the cross-sectional view along the line II-II 'of FIG. 8 shown in FIG. 10, the second movable liner 632 is provided at a position in the second ground state. According to an embodiment, the first movable liner 631 and the third movable liner 633 are positioned in the second ground state similarly to the second movable liner 632.

도 11은 도 8, 9 및 10에 나타난 제어에 의해 식각비가 조절되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 11을 참조하면, D-A영역은 다른 영역들과 비교하여 전기적 흐름이 약함에 따라, D-A영역에 제공되는 기판에서 식각비가 감소한다. 영역별 가동 라이너(630)의 위치를 조절함에 따라 기판의 영역별 식각비를 조절할 수 있다.FIG. 11 is a view illustrating a state in which an etching ratio is adjusted by the control shown in FIGS. 8, 9, and 10. Referring to FIG. 11, in the D-A region, as the electrical flow is weaker than in other regions, the etching ratio of the D-A region is reduced in the substrate provided to the D-A region. By adjusting the position of the region-specific movable liner 630, the etching ratio of each region of the substrate may be adjusted.

가동 라이너(630)과 고정 라이너(640)와 탄성 도전체(620)의의 접촉 면적은 공정에 따라 상이하게 셋팅되어 제공될 수 있다.The contact area between the movable liner 630, the fixed liner 640, and the elastic conductor 620 may be differently set according to a process.

100: 챔버, 200: 지지 유닛;
300: 가스 공급 유닛, 400: 플라즈마 소스;
500: 배기 배플, 600: 라이너 유닛.100: chamber, 200: support unit;
300: gas supply unit, 400: plasma source;
500: exhaust baffle, 600: liner unit.

Claims (25)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛의 둘레를 감싸도록 제공되는 라이너 어셈블리를 포함하되,
상기 라이너 어셈블리는,
상기 지지 유닛의 둘레를 감싸 고정되며 도전성 재질로 제공되는 고정 라이너;
상기 고정 라이너와 전기적으로 연결 가능하며, 이동에 의해 상기 고정 라이너와 접촉 면적이 변화 가능하도록 제공되는 도전성 재질의 가동 라이너 유닛을 포함하며,
상기 고정 라이너와 상기 가동 라이너 유닛 중 어느 하나는 전기적으로 접지되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber providing a processing space therein;
A support unit for supporting a substrate in the processing space;
Including a liner assembly provided to wrap around the support unit,
The liner assembly,
A fixing liner wrapped around the support unit and fixed to a circumference of the support unit;
A movable liner unit of a conductive material that is electrically connectable with the fixed liner and provided to be changeable in contact with the fixed liner by movement;
At least one of the fixed liner and the movable liner unit is electrically grounded. 제1 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은,
가동 라이너와;
상기 가동 라이너와 상기 고정 라이너 사이에 배치되며, 탄성 변형이 가능한 탄성 도전체를 포함하며,
상기 고정 라이너와 상기 가동 라이너는 상기 탄성 도전체에 의해 통전되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The movable liner unit,
A movable liner;
An elastic conductor disposed between the movable liner and the fixed liner and capable of elastic deformation,
And the fixed liner and the movable liner are energized by the elastic conductor. 제2 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은,
상기 가동 라이너를 상기 고정 라이너를 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 이동시키는 라이너 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The movable liner unit,
And a liner driver to move the movable liner in a direction toward or in the direction of the fixed liner. 제2 항에 있어서,
상기 탄성 도전체는 상기 가동 라이너와 상기 고정 라이너 간의 이격 거리에 따라 상기 가동 라이너 유닛과 상기 고정 라이너의 접촉 면적이 변경되도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And the elastic conductor is provided such that a contact area between the movable liner unit and the fixed liner is changed according to a separation distance between the movable liner and the fixed liner. 제2 항에 있어서,
상기 탄성 도전체의 일측은 상기 고정 라이너에 접촉되고,
상기 탄성 도전체의 타측은 상기 가동 라이너에 접촉되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
One side of the elastic conductor is in contact with the fixed liner,
The other side of the elastic conductor substrate processing apparatus in contact with the movable liner. 제2 항에 있어서,
상기 탄성 도전체는,
띠 형상의 도전체를 나선형으로 감아서 형성되거나 튜브 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The elastic conductor,
A substrate processing apparatus formed by spirally winding a strip-shaped conductor or provided in a tube shape. 제6 항에 있어서,
상기 탄성 도전체는,
길이 방향이 횡방향이 되도록 놓이는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The elastic conductor,
Substrate processing apparatus placed so that the longitudinal direction becomes the transverse direction. 제6 항에 있어서,
상기 탄성 도전체의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 원 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
A cross section perpendicular to the longitudinal direction of the elastic conductor is provided in a circular shape. 제1 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은 복수개의 가동 라이너 파트로 제공되며,
상기 복수개의 가동 라이너 파트는 상기 지지 유닛의 둘레를 따라 서로 이격되도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The movable liner unit is provided as a plurality of movable liner parts,
The plurality of movable liner parts are provided to be spaced apart from each other along the circumference of the support unit. 제9 항에 있어서,
상기 복수개의 가동 라이너 파트는 개별 제어되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
And the plurality of movable liner parts are individually controlled. 제9 항에 있어서,
상기 가동 라이너 파트는 3개 내지 5개로 구성되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The movable liner part is composed of three to five substrate processing apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 고정 라이너는 상기 가동 라이너 유닛의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
And the fixed liner is provided on top of the movable liner unit. 제12 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은 상하 방향으로 이동 가능한 기판 처리 장치.The method of claim 12,
The movable liner unit is movable in the vertical direction. 제1 항에 있어서,
상기 고정 라이너는
그 내측면에 홈이 형성되고, 상기 가동 라이너 유닛은 상기 홈 내에 삽입되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The fixed liner
A groove is formed in an inner side thereof, and the movable liner unit is inserted into the groove. 제3 항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
기판을 고정하는 척과;
상기 척 하부에 제공되는 절연 플레이트와;
상기 절연 플레이트의 하부에 제공되며 접지되는 도전성의 하부 커버를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3, wherein
The support unit,
A chuck to fix the substrate;
An insulation plate provided below the chuck;
And a conductive lower cover provided under the insulating plate and grounded. 제15 항에 있어서,
상기 라이너 구동기와 상기 가동 라이너는,
상기 하부 커버를 관통하여 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 15,
The liner driver and the movable liner,
And a substrate processing apparatus connected through the lower cover. 제1 항에 있어서,
상기 고정 라이너의 상면에 배기 배플이 위치되며,
상기 배기 배플은 상기 고정 라이너와 접촉하여 통전되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
An exhaust baffle is positioned on an upper surface of the fixing liner,
And the exhaust baffle is in electrical contact with the fixed liner. 제1 항의 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 고정 라이너 및 상기 가동 라이너 유닛의 접촉 면적을 변화시켜 식각비를 조절하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method using the substrate processing apparatus of Claim 1,
And controlling an etching ratio by changing a contact area between the fixed liner and the movable liner unit. 제18 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은 복수개의 가동 라이너 파트로 제공되며,
상기 복수개의 가동 라이너 파트는 상기 지지 유닛의 둘레를 따라 서로 이격되도록 제공되고,
상기 가동 라이너 파트를 개별적으로 조절하여 구역별 식각비를 조절하는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
The movable liner unit is provided as a plurality of movable liner parts,
The plurality of movable liner parts are provided to be spaced apart from each other along the circumference of the support unit,
Substrate processing method of controlling the etch ratio for each zone by individually adjusting the movable liner part. 제18 항에 있어서,
상기 가동 라이너 유닛은,
제1 가동 라이너 파트와 제2 가동 라이너 파트를 포함하고,
상기 제1 가동 라이너 파트가 제공된 영역에 비해 상기 제2 가동 라이너 파트가 제공된 영역의 식각율을 증가시키는 경우, 상기 제1 가동 라이너 파트와 상기 고정 라이너의 접촉 면적이 상기 제2 가동 라이너 파트와 상기 고정 라이너의 접촉 면적보다 더 작게 제공하는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
The movable liner unit,
A first movable liner part and a second movable liner part,
When the etch rate of the region in which the second movable liner part is provided is increased compared to the region in which the first movable liner part is provided, the contact area between the first movable liner part and the fixed liner is determined by the second movable liner part and the A substrate processing method that provides less than the contact area of the fixed liner. 제19 항에 있어서,
공정 진행시 상기 가동 라이너 파트들 중 어느 하나 이상과 상기 고정 라이너의 접촉 면적은 상기 가동 라이너 파트들 중 다른 하나와 상기 고정 라이너의 접촉 면적과 상이한 기판 처리 방법.The method of claim 19,
And a contact area of at least one of the movable liner parts and the fixed liner is different from a contact area of the other of the movable liner parts and the fixed liner during processing. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛의 둘레를 감싸도록 제공되는 라이너 어셈블리를 포함하되,
상기 라이너 어셈블리는,
상기 지지 유닛의 둘레를 감싸 고정되며 도전성 재질로 제공되는 제1 라이너 유닛과;
상기 제1 라이너 유닛과 전기적으로 연결 가능하며, 이동에 의해 상기 제1 라이너 유닛과 접촉 면적이 변형 가능도록 제공되는 제2 라이너 유닛을 포함하고,
상기 제1 라이너 유닛과 상기 제2 라이너 유닛 중 어느 하나는 전기적으로 접지되고,
상기 제2 라이너 유닛은 복수 개가 상기 지지 유닛의 둘레를 감싸는 방향으로 서로 이격되게 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber providing a processing space therein;
A support unit for supporting a substrate in the processing space;
Including a liner assembly provided to wrap around the support unit,
The liner assembly,
A first liner unit wrapped around the support unit and fixed to the circumference of the support unit;
A second liner unit electrically connectable with the first liner unit, the second liner unit being provided to be deformable by contact with the first liner unit by movement;
Any one of the first liner unit and the second liner unit is electrically grounded,
The second liner unit is provided with a plurality of substrate processing apparatus spaced apart from each other in the direction surrounding the support unit. 제22 항에 있어서,
제2 라이너 유닛들 중 어느 하나 이상과 상기 제1 라이너 유닛의 접촉 면적은 상기 제2 라이너 유닛들 중 다른 하나와 상기 제2 라이너 유닛의 접촉 면적과 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 22,
The contact area of at least one of the second liner units and the first liner unit is provided differently from the contact area of the second liner unit with the other of the second liner units. 제23 항에 있어서,
상기 제2 라이너 유닛과 상기 제1 라이너 유닛의 접촉 면적은 공정에 따라 상이하게 셋팅되는 기판 처리 장치.The method of claim 23, wherein
And a contact area between the second liner unit and the first liner unit is set differently according to a process. 제22 항에 있어서,
상기 제2 라이너 유닛은,
제2 라이너와;
상기 제2 라이너와 상기 제1 라이너 유닛 사이에 배치되며, 탄성 변형이 가능한 탄성 도전체와;
상기 제2 라이너를 상기 제1 라이너 유닛을 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 이동시키는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 22,
The second liner unit,
A second liner;
An elastic conductor disposed between the second liner and the first liner unit and capable of elastic deformation;
And a driver for moving the second liner in a direction toward or opposite to the first liner unit.
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