KR102073746B1 - 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버, 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리, 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛 및 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛을 포함하되, 온도 제어 유닛은, 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛, 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부 및 복수의 가열 유닛과 전력 공급부 사이에 연결되어 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하고, 적어도 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부를 포함한다.

Description

기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF SUBSTRATE, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THE SAME, AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 다수의 히터를 포함하는 정전 척에서 전류의 역류를 방지할 수 있는 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 공정은 온도에 매우 민감하므로, 반도체 공정에서 기판의 온도를 제어하는 것은 매우 중요하다. 반도체 공정이 진행되는 기판 처리 장치에서 기판이 놓이는 정전 척은 기판의 모든 영역에서 온도가 균일하도록 기판의 온도를 제어하는 다수의 히터를 포함한다. 여기서, 다수의 히터는 복수의 스위치에 의해 제어되는데, 다수의 히터에 연결된 여러 스위치들을 동시에 닫을 경우 전류가 다른 히터로 역류할 수 있다. 이에 따라, 종래에는 스위치와 히터 사이에 정류 다이오드를 설치하여 전류가 역류하는 것을 방지하고, 정밀한 히터 제어를 통해 기판의 모든 영역에서 온도가 균일하게 제어되도록 하여 공정 수율을 높일 수 있었다.
그러나 정류 다이오드는 역방향 바이어스를 막아주는 정류기 역할을 하나, 역방향 전압이 어느 한계 이상으로 높아지는 경우, 급격히 많은 전류가 흐를 수 있다. 즉, 항복 전압 이상으로 정류 다이오드에 전압이 가해지면 다이오드는 파손될 수 있으며, 이로 인한 누설 전류가 발생하여 전극을 손상시킬 수 있었다.
본 발명의 목적은 다수의 히터를 포함하는 정전 척에서 히터에 전류가 역류하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛 및 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛을 포함하되, 상기 온도 제어 유닛은, 상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛, 상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부 및 상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하고, 적어도 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부를 포함한다.
여기서, 상기 적어도 3개의 트랜지스터는, 1개의 FET 트랜지스터 및 2개의 BJT 트랜지스터를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제어부는, FET 트랜지스터, 상기 FET 트랜지스터의 양단의 전압 차를 측정하는 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 FET 트랜지스터의 게이트 전압을 결정하는 제2 BJT 트랜지스터로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 FET 트랜지스터의 소스에는 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스가 연결되고, 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인이 연결되고, 드레인에는 상기 가열 유닛의 일단이 연결되며, 상기 제1 BJT 트랜지스터의 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 게이트가 연결되고, 드레인에는 제1 저항이 연결되며, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 상기 가열 유닛의 타단이 연결되고, 드레인에는 제2 저항이 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 FET 트랜지스터의 소스에는 상기 가열 유닛의 일단이 연결되고, 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되고, 드레인에는 상기 제1 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되며, 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스에는 제1 저항이 연결되고, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 제2 저항이 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 FET 트랜지스터는, 소스에 순방향 바이어스가 인가되면 동작하고, 소스에 역방향 바이어스가 인가되면 동작을 정지할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 독립적으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 복수의 가열 유닛에 선택적으로 전력을 공급하기 위한 복수의 스위치를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 온도 제어 장치는, 기판을 지지하는 지지판, 상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛, 상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부 및 상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하고, 적어도 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 적어도 3개의 트랜지스터는, 1개의 FET 트랜지스터 및 2개의 BJT 트랜지스터를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제어부는, FET 트랜지스터, 상기 FET 트랜지스터의 양단의 전압 차를 측정하는 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 FET 트랜지스터의 게이트 전압을 결정하는 제2 BJT 트랜지스터로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 FET 트랜지스터의 소스에는 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스가 연결되고, 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인이 연결되고, 드레인에는 상기 가열 유닛의 일단이 연결되며, 상기 제1 BJT 트랜지스터의 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 게이트가 연결되고, 드레인에는 제1 저항이 연결되며, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 상기 가열 유닛의 타단이 연결되고, 드레인에는 제2 저항이 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 FET 트랜지스터의 소스에는 상기 가열 유닛의 일단이 연결되고, 게이트에는 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되고, 드레인에는 상기 제1 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되며, 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스에는 제1 저항이 연결되고, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 제2 저항이 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 FET 트랜지스터는, 소스에 순방향 바이어스가 인가되면 동작하고, 소스에 역방향 바이어스가 인가되면 동작을 정지할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 독립적으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 복수의 가열 유닛에 선택적으로 전력을 공급하기 위한 복수의 스위치를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하되, 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 측정하는 단계 및 측정된 상기 서로 다른 영역의 온도에 따라 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력을 공급하는 단계를 포함한다.
이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 다수의 히터를 포함하는 정전 척에서 히터에 전류가 역류하는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 누설 전류에 의해 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 제어 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2의 온도 제어 유닛이 복수의 가열 유닛과 연결되는 일 실시 예를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 5는 도 3의 온도 제어 유닛이 복수의 가열 유닛과 연결되는 일 실시 예를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터에 흐르는 전류를 종전의 온도 제어 유닛과 비교하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(620), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 배플 유닛(500), 플라즈마 발생 유닛(600) 및 온도 제어 유닛(700)을 포함할 수 있다.
챔버(620)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(620)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(620)는 금속 재질로 제공될 수 있으며, 또는 알루미늄 재질로 제공될 수도 있다. 또한, 챔버(620)는 접지될 수 있다. 챔버(620)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(620)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버(620) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측벽을 보호하여 챔버(620)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(620)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.
챔버(620)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.
기판 지지 어셈블리(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(620) 내부에서 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함할 수 있다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.
유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 가열 유닛(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격되어 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.
제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.
가열 유닛(225)은 제1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 가열 유닛(225)은 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 가열 유닛(225)은 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생한 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 가열 유닛(225)에서 발생한 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 가열 유닛(225)은 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 또한, 가열 유닛(225)은 유전판(220)의 서로 다른 영역에 복수 개 설치될 수 있다.
유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 위치할 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.
몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 위치할 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 기판 지지 어셈블리(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판 지지 어셈블리(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(620)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판 지지 어셈블리(200)를 챔버(620) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(620)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 챔버(620) 내부에서 기판 지지 어셈블리(200)의 상부에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(300)는 기판 지지 어셈블리(200)와 대향하게 위치할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 챔버(620)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분산판(310)과 챔버(620)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 기판 지지 어셈블리(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수 개의 분사홀(311)을 포함할 수 있다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함할 수 있다.
지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지할 수 있다. 지지부(330)는 상단이 챔버(620)의 상면과 연결되고, 하단이 가스 분산판(310)의 측부와 연결될 수 있다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(620) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(620)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(620) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
배플 유닛(500)은 챔버(620)의 내측벽과 기판 지지 어셈블리(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(620) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(600)은 챔버(620) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 구성될 수 있다. 이 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생 유닛(600)은 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(610), 고주파 전원에 전기적으로 연결되어 고주파 전력을 인가받는 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)을 포함할 수 있다.
제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 챔버(620)의 상부에 설치될 수 있다. 제1 코일(621)의 직경은 제2 코일(622)의 직경보다 작아 챔버(620) 상부의 안쪽에 위치하고, 제2 코일(622)은 챔버(620) 상부의 바깥쪽에 위치할 수 있다. 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 고주파 전원(610)으로부터 고주파 전력을 인가받아 챔버에 시변 자기장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 챔버(620)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다.
기판 지지 어셈블리(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 전원(223a)으로부터 제1 전극(223)에 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착될 수 있다.
기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(620) 내부에 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(620)의 내부 영역으로 균일하게 분사될 수 있다. 고주파 전원에서 생성된 고주파 전력은 플라즈마 소스에 인가될 수 있으며, 그로 인해 챔버(620) 내에 전자기력이 발생할 수 있다. 전자기력은 기판 지지 어셈블리(200)와 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 유닛을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 온도 제어 유닛(700)은 기판을 지지하는 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛(225), 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부(225a) 및 복수의 가열 유닛과 전력 공급부(225a) 사이에 연결되어 복수의 가열 유닛(225) 중 적어도 하나에 전력을 공급하는 제어부를 포함한다. 구체적으로, 제어부는 FET 트랜지스터(710), 제1 BJT 트랜지스터(720), 제2 BJT 트랜지스터(730), 제1 저항(740) 및 제2 저항(750)으로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 3개의 트랜지스터를 포함하는 다양한 형태의 회로로 구성될 수 있다. 또한, 도 2에서는 P형 트랜지스터를 이용하여 회로를 구성하였으나, 도 3과 같이, N형 트랜지스터를 이용하여 회로를 구성할 수도 있다.
도 2와 같이, 온도 제어 유닛(700)이 PMOS 트랜지스터 회로로 구성되는 경우, 온도 제어 유닛(700)에 순방향 바이어스가 인가되면 FET 트랜지스터(710)의 게이트에 걸리는 전압이 FET 트랜지스터(710)의 소스와 드레인 간에 걸리는 전압과 FET 트랜지스터(710)의 동작 전압의 차이보다 작아서, FET 트랜지스터(710)에 채널이 형성되어 FET 트랜지스터(710)의 소스와 드레인 간에 전류가 흐른다. 반면에, 온도 제어 유닛(700)에 역방향 바이어스가 인가되면 FET 트랜지스터(710)의 게이트에 걸리는 전압이 FET 트랜지스터(710)의 소스와 드레인 간에 걸리는 전압과 FET 트랜지스터(710)의 동작 전압의 차이보다 커서, FET 트랜지스터(710)의 채널이 차단되어 FET 트랜지스터(710)의 소스와 드레인 간에 전류가 흐르지 않는다.
또한, 도 3과 같이, 온도 제어 유닛(700)이 NMOS 트랜지스터 회로로 구성되는 경우, 온도 제어 유닛(700)이 PMOS 트랜지스터 회로로 구성되는 경우와 반대로 동작한다. 제1 BJT 트랜지스터(720)는 FET 트랜지스터(710)가 포화 영역에서 동작할 때 과전압으로부터 FET 트랜지스터(710)를 보호하며, 제2 BJT 트랜지스터(730)는 FET 트랜지스터(710)가 차단 영역에서 동작할 때 과전압으로부터 FET 트랜지스터(710)를 보호할 수 있다. 또한, 제1 저항(740)과 제2 저항(750)은 과전류인 경우에만 전류가 흐르도록 가열 유닛(225)보다 비교적 큰 저항 값을 가질 수 있다. 온도 제어 유닛(700)에서 FET 트랜지스터(710)는 순방향 바이어스 조건에서 무한대의 전류를 가지며, 반대로 역방향 바이어스 조건에서는 제로 전류를 갖는다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 유닛(700)은 역방향 브레이크다운 전압이 없고, 누설 전류가 발생하지 않는다.
다시 도 2를 참조하여 온도 제어 유닛(700)의 구체적인 구조를 살펴보면, FET 트랜지스터(710)의 소스에는 제1 BJT 트랜지스터(720)의 소스가 연결되고, 게이트에는 제2 BJT 트랜지스터(730)의 드레인과 제2 저항(750)이 연결되며, 드레인에는 가열 유닛(225)의 일단이 연결된다. 제1 BJT 트랜지스터(720)의 게이트와 제2 BJT 트랜지스터(730)의 게이트가 서로 연결되고, 제1 BJT 트랜지스터(720)의 게이트 및 제2 BJT 트랜지스터(730)의 게이트는 제1 BJT 트랜지스터(720)의 드레인 및 제1 저항(740)에 연결된다. 제2 BJT 트랜지스터(730)의 소스에는 가열 유닛(225)의 타단이 연결되며, 드레인에는 FET 트랜지스터(710)의 게이트 및 제2 저항(750)이 연결된다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 2와 같은 PMOS 트랜지스터로 구현되는 온도 제어 유닛(700)은 복수의 가열 유닛(225)과 전력 공급부(225a) 사이에 연결되어, 도 4와 같은 형태로 제공될 수 있으며, 복수의 가열 유닛(225)을 제어하여 기판의 모든 영역에서 온도가 균일하게 분포되도록 제어하면서, 가열 유닛(225)에서 역전류가 발생하는 것을 방지한다.
본 발명의 온도 제어 유닛(700)은 도 2와 같이 PMOS 트랜지스터로 구현될 수 있을 뿐만 아니라, 도 3과 같이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수도 있다.
도 3을 참조하면, FET 트랜지스터(710)의 소스에는 가열 유닛(225)의 일단이 연결되고, 게이트에는 가열 유닛(225)의 타단, 제1 BJT 트랜지스터(720)의 드레인 및 게이트가 연결되며, 드레인에는 제2 BJT 트랜지스터(730)의 게이트 및 드레인이 연결된다. 제1 BJT 트랜지스터(720)의 드레인과 게이트는 서로 연결되고, 소스는 제1 저항(740)의 일단에 연결된다. 제2 BJT 트랜지스터(730)의 드레인과 게이트는 서로 연결되고, 소스는 제2 저항(750)의 일단에 연결된다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 3과 같은 NMOS 트랜지스터로 구현되는 제어부는 복수의 가열 유닛(225)과 전력 공급부(225a) 사이에 연결되어, 도 5와 같은 형태로 제공될 수 있으며, 복수의 가열 유닛(225)을 제어하여 기판의 모든 영역에서 온도가 균일하게 분포되도록 제어하면서, 가열 유닛(225)에서 역전류가 발생하는 것을 방지한다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터에 흐르는 전류를 종전의 온도 제어 유닛과 비교하는 도면이다.
도 6(a)는 종래 정류 다이오드를 이용한 온도 제어 유닛의 전류 분포를 나타낸다. 도 6(a)에서와 같이, 종래 정류 다이오드를 이용한 온도 제어 유닛의 경우, 다이오드의 특성에 의해, 일정 크기 이상의 역방향 전압이 인가되면, 항복 전압(Avalanche)으로 인하여 전류가 흐르게 되며, 이에 따라, 다이오드가 파손되어 누설 전류가 발생할 수 있다.
도 6(b)는 종래 다이오드를 제어한 온도 제어 유닛의 전류 분포를 나타낸다. 도 6(b)를 참조하면, 역방향 전류를 포함한 비독립식으로 복수의 가열 유닛을 제어하여야 하므로, 알고리즘의 연산이 매우 복잡하고, 외부 영향에 따라 역방향 전류가 발생할 수 있다.
도 6(c)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 유닛의 전류 분포를 나타내며, 가열 유닛 외에는 전류가 흐르지 않으며, BJT 트랜지스터에 의해 순방향과 역방향 전류에 대해 무한대의 전류를 견딜 수 있는 특성을 가지므로, 누설 전류가 발생하지 않는다. 이에 따라, 정류 다이오드보다 내구성 및 전류 허용치가 높은 온도 제어 유닛을 구현할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
우선, 기판을 지지하는 지지판의 서로 다른 영역에서 온도를 측정하고(S710), 측정된 지지판의 서로 다른 영역의 온도에 따라 FET 트랜지스터, 제1 BJT 트랜지스터 및 제2 BJT 트랜지스터로 구성되는 제어부를 이용하여 적어도 하나의 가열 유닛에 전력을 공급하여(S720), 가열 유닛에서의 역전류를 효과적으로 방지할 수 있다.
이에 따라, 가열 유닛에 누설 전류가 발생하는 것을 방지하고, 전극의 손상을 방지할 수 있다.
상기와 같은 기판 처리 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어 어플리케이션 형태로 실행될 수 있고, 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체에 저장될 수 있다.
상기 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), SDRAM(Synchronous DRAM) 등과 같은 휘발성 메모리, ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable ROM), EPROM(Electrically Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리 장치, PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM), FRAM(Ferroelectric RAM) 등과 같은 불휘발성 메모리, 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 광학적 판독 매체 예를 들어 시디롬, 디브이디 등과 같은 형태의 저장매체일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합 되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10: 기판 처리 장치 200: 기판 지지 어셈블리
400: 가스 공급 유닛 600: 플라즈마 발생 유닛
700: 온도 제어 유닛 710: FET 트랜지스터
720: 제1 BJT 트랜지스터 730: 제2 BJT 트랜지스터

Claims (21)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리;
    상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛; 및
    상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛;을 포함하되,
    상기 온도 제어 유닛은,
    상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛;
    상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부; 및
    상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하되, 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부;를 포함하고,
    상기 제어부는, FET 트랜지스터, 제1 BJT 트랜지스터 및 제2 BJT 트랜지스터를 포함하고,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스가 연결되고, 게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인이 연결되고, 드레인에 상기 가열 유닛의 일단이 연결되며,
    상기 제1 BJT 트랜지스터는,
    게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 게이트가 연결되고, 드레인에 제1 저항이 연결되며,
    상기 제2 BJT 트랜지스터는,
    소스에 상기 가열 유닛의 타단이 연결되고, 드레인에 제2 저항이 연결되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터인 기판 처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리;
    상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛; 및
    상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛;을 포함하되,
    상기 온도 제어 유닛은,
    상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛;
    상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부; 및
    상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하되, 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부;를 포함하고,
    상기 제어부는, FET 트랜지스터, 제1 BJT 트랜지스터 및 제2 BJT 트랜지스터를 포함하고,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 상기 가열 유닛의 일단이 연결되고, 게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되고, 드레인에 상기 제1 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되며,
    상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스에는 제1 저항이 연결되고, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 제2 저항이 연결되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 순방향 바이어스가 인가되면 동작하고, 소스에 역방향 바이어스가 인가되면 동작을 정지하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 독립적으로 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 가열 유닛에 선택적으로 전력을 공급하기 위한 복수의 스위치를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 지지하는 지지판;
    상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛;
    상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부; 및
    상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하되, 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부;를 포함하고,
    상기 제어부는, FET 트랜지스터, 제1 BJT 트랜지스터 및 제2 BJT 트랜지스터를 포함하고,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스가 연결되고, 게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인이 연결되고, 드레인에 상기 가열 유닛의 일단이 연결되며,
    상기 제1 BJT 트랜지스터는,
    게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 게이트가 연결되고, 드레인에 제1 저항이 연결되며,
    상기 제2 BJT 트랜지스터는,
    소스에 상기 가열 유닛의 타단이 연결되고, 드레인에 제2 저항이 연결되는 기판 온도 제어 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터인 기판 온도 제어 장치.
  16. 기판을 지지하는 지지판;
    상기 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 상기 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛;
    상기 복수의 가열 유닛에 전력을 공급하는 전력 공급부; 및
    상기 복수의 가열 유닛과 상기 전력 공급부 사이에 연결되어 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력이 공급되도록 제어하되, 3개의 트랜지스터를 포함하여 역전류를 방지하는 제어부;를 포함하고,
    상기 제어부는, FET 트랜지스터, 제1 BJT 트랜지스터 및 제2 BJT 트랜지스터를 포함하고,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 상기 가열 유닛의 일단이 연결되고, 게이트에 상기 제2 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되고, 드레인에 상기 제1 BJT 트랜지스터의 드레인 및 게이트가 연결되며,
    상기 제1 BJT 트랜지스터의 소스에는 제1 저항이 연결되고, 상기 제2 BJT 트랜지스터의 소스에는 제2 저항이 연결되는 기판 온도 제어 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 BJT 트랜지스터 및 상기 제2 BJT 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 기판 온도 제어 장치.
  18. 제11항 또는 제16항에 있어서,
    상기 FET 트랜지스터는,
    소스에 순방향 바이어스가 인가되면 동작하고, 소스에 역방향 바이어스가 인가되면 동작을 정지하는 기판 온도 제어 장치.
  19. 제11항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 독립적으로 제어하는 기판 온도 제어 장치.
  20. 제11항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 가열 유닛에 선택적으로 전력을 공급하기 위한 복수의 스위치를 포함하는 기판 온도 제어 장치.
  21. 제1항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 지지판의 서로 다른 영역의 온도를 측정하는 단계; 및
    측정된 상기 서로 다른 영역의 온도에 따라 상기 복수의 가열 유닛 중 적어도 하나에 전력을 공급하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010034331A (ko) * 1998-01-23 2001-04-25 풀아거 데이비드 제이. Ｍｏｓ 트랜지스터의 역전류 스로틀링
KR20170079130A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 (주)태진기술 스위치 소자의 역전류 방지 회로
KR20170123830A (ko) * 2016-04-29 2017-11-09 세메스 주식회사 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 그 제어 방법

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