KR102068171B1 - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 열 팽창률 차이로 인해 상부 기판에 휨이 발생하여 상부 기판과 하부 기판이 탈착되는 것을 방지한 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 하부 기판; 및 상기 하부 기판과 합착되고 상면에 압축력이 있는 무기막이 형성된 상부 기판;을 포함하고, 상기 하부 기판은 무 알칼리 글라스 기판이 적용되고, 상기 상부 기판은 알칼리 글라스 기판이 적용된 것을 특징으로 한다.The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which prevents detachment of the upper substrate and the lower substrate due to warpage of the upper substrate due to a difference in thermal expansion between the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate). It is about.
A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate formed of a TFT on color filter (TOC) structure or a color filter on TFT (COT) structure; And an upper substrate bonded to the lower substrate and having an inorganic film having a compressive force on an upper surface thereof, wherein the lower substrate is an alkali free glass substrate, and the upper substrate is an alkali glass substrate.

Description

액정 디스플레이 장치 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Liquid crystal display device manufacturing method thereof {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 열 팽창률 차이로 인해 상부 기판에 휨이 발생하여 상부 기판과 하부 기판이 탈착되는 것을 방지한 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which prevents detachment of the upper substrate and the lower substrate due to warpage of the upper substrate due to a difference in thermal expansion rate between the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate). It is about.

이동통신 단말기, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 디스플레이 장치(Display Device)에 대한 요구가 증대되고 있다.With the development of various portable electronic devices such as mobile communication terminals and notebook computers, there is an increasing demand for display devices that can be applied thereto.

디스플레이 장치로는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display apparatus), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계 방출 디스플레이 장치(Field Emission Display apparatus), 유기 발광 디스플레이 장치(OLED: Organic Light Emitting Display apparatus) 등이 개발되었다.As a display device, a liquid crystal display apparatus, a plasma display panel, a field emission display apparatus, an organic light emitting display apparatus (OLED), and the like are developed. It became.

디스플레이 장치는 양산 기술의 발전, 구동수단의 용이성, 저전력 소비, 고화질 구현 및 대화면 구현의 장점이 있어 적용 분야가 지속적으로 확대되고 있다.The display device has the advantages of development of mass production technology, ease of driving means, low power consumption, high definition and large screen, and the field of application is continuously expanding.

이러한, 디스플레이 장치들 중에서 액정 디스플레이 장치는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Among the display devices, the liquid crystal display device has a low operating voltage, low power consumption, and can be used as a portable device.

액정 디스플레이 장치는 상부 기판, 하부 기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되며, 전계 인가 유무에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다. The liquid crystal display device includes an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates, and the arrangement state of the liquid crystal layer is adjusted according to the presence or absence of an electric field, and thus the light transmittance is adjusted to display an image. to be.

도 1은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 열 팽창률 차이에 의해 상부 기판에 휨이 발생하여 상부 기판과 하부 기판이 탈착되는 문제점을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a problem that warpage occurs in an upper substrate due to a difference in thermal expansion between an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (an alkali glass substrate), and thus the upper and lower substrates are detached.

도 1을 참조하면, 알칼리 글라스 기판은 Na+, K+ 등 알칼리 이온 용출로 인한 소자 열화가 발생할 수 있어, 알칼리 글라스 기판을 하부 기판(TFT 어레이 기판)에 적용하기 위해서는 버퍼 레이어(buffer layer)가 필요하게 된다. 따라서, 하부 기판의 재료로 무 알칼리 글라스 기판을 이용한다.Referring to FIG. 1, elemental deterioration may occur due to elution of alkali ions such as Na + and K + . In order to apply the alkali glass substrate to a lower substrate (TFT array substrate), a buffer layer may be used. It is necessary. Therefore, an alkali free glass substrate is used as the material of the lower substrate.

TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 TFT 어레이와 컬러 필터 어레이를 하부 기판에 형성할 수 있다. TOC 구조 또는 COT 구조를 적용하여 하부 기판에 컬러 필터를 형성하게 되면 상부 기판에는 별도의 구성이 형성되지 않기 때문에 알칼리 글라스 기판을 상부 기판의 재료로 이용할 수 있다.The TFT array and the color filter array may be formed on the lower substrate in a TFT on color filter (TOC) structure or a color filter on TFT (COT) structure. When the color filter is formed on the lower substrate by applying a TOC structure or a COT structure, an alkali glass substrate may be used as a material of the upper substrate since a separate configuration is not formed on the upper substrate.

알칼리 글라스 기판은 무 알칼리 글라스 기판에 비해 가격이 싸기 때문에, 알칼리 글라스 기판을 상부 기판에 적용하여 액정 디스플레이 장치의 가격 경쟁력을 확보하고 있다.Since the alkali glass substrate is cheaper than the non-alkali glass substrate, the alkali glass substrate is applied to the upper substrate to secure the price competitiveness of the liquid crystal display device.

그러나, 아래의 표 1에 기재된 바와 같이, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)은 열 팽창률 차이가 있다. 무 알칼리 글라스 기판에 비해 알칼리 글라스 기판이 더 많이 수축되지 때문에 상부 기판(알칼리 글라스 기판 방향)으로 휨이 발생하게 된다.However, as shown in Table 1 below, the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate) have a difference in thermal expansion rate. Since the alkali glass substrate is not contracted more than the alkali-free glass substrate, warping occurs in the upper substrate (alkali glass substrate direction).

Figure 112013097007449-pat00001
Figure 112013097007449-pat00001

상부 기판과 하부 기판의 합착시키기 위해 실런트(sealant)를 경화시킬 때 상부 기판(알칼리 글라스 기판)에 휨이 발생하게 되고, 이로 인해서 상부 기판과 하부 기판이 탈착되는 문제점이 있다.When curing the sealant to bond the upper substrate and the lower substrate, warpage occurs in the upper substrate (alkali glass substrate), which causes a problem that the upper substrate and the lower substrate are detached.

가격 경쟁력을 확보하기 위해서 알칼리 글라스 기판을 상부 기판의 재료로 이용하고 있지만, 알칼리 글라스 기판의 높은 열 팽창률로 인해서 포토 오버레이(photo overlay) 특성 저하되는 문제점이 있다. 또한, 상부 기판에 휨이 발생하면 상부 기판의 반송 시 손이 발생되는 문제점이 있다.In order to secure a price competitiveness, an alkali glass substrate is used as a material of the upper substrate, but there is a problem in that photo overlay characteristics are degraded due to the high thermal expansion rate of the alkali glass substrate. In addition, when warping occurs in the upper substrate, there is a problem that a hand is generated when the upper substrate is conveyed.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 팽창률 차이에 의해 상부 기판에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and the liquid crystal display device and the liquid crystal display which can prevent the warping of the upper substrate due to the difference in expansion ratio between the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate) It is a technical subject to provide a manufacturing method.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)에 휨이 발생하여 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)이 분리되는 것을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention is to solve the above-described problem, the liquid crystal display that can prevent the upper substrate (alkali glass substrate) is separated from the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate) by bending It is a technical problem to provide an apparatus and its manufacturing method.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 포토 오버레이(photo overlay) 특성 저하되는 것을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent photo overlay characteristics from being degraded due to a high thermal expansion coefficient of an alkali glass substrate. .

본 발명은 앞에서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 알칼리 글라스 기판에 휨이 발생하여 알칼리 글라스 기판의 반송 시 파손이 발생되는 것을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent occurrence of warpage in an alkali glass substrate and damage to the alkali glass substrate during transportation. .

본 발명은 앞에서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 실런트(sealant) 경화 시 셀(cell)이 분리되는 불량을 방지할 수 있는 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent a defect in which a cell is separated during sealant curing due to a high coefficient of thermal expansion of an alkali glass substrate. Let it be technical problem.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical task of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below, or from such description and description will be clearly understood by those skilled in the art.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 하부 기판; 및 상기 하부 기판과 합착되고 상면에 압축력이 있는 무기막이 형성된 상부 기판;을 포함하고, 상기 하부 기판은 무 알칼리 글라스 기판이 적용되고, 상기 상부 기판은 알칼리 글라스 기판이 적용된 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate formed of a TFT on color filter (TOC) structure or a color filter on TFT (COT) structure; And an upper substrate bonded to the lower substrate and having an inorganic film having a compressive force on an upper surface thereof, wherein the lower substrate is an alkali free glass substrate, and the upper substrate is an alkali glass substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조 방법은 무 알칼리 글라스 기판 상에 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조를 형성하여 하부 기판을 제조하는 단계; 알칼리 글라스 기판 상면에 압축력이 있는 무기막을 형성하여 상부 기판을 제조하는 단계; 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계; 및 상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 합착한 후 밀봉하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a lower substrate by forming a TFT on color filter (TOC) structure or a color filter on TFT (COT) structure on an alkali free glass substrate; Manufacturing an upper substrate by forming an inorganic film having a compressive force on an upper surface of the alkali glass substrate; Forming a liquid crystal layer between the lower substrate and the upper substrate; And sealing the lower substrate and the upper substrate after the bonding.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 팽창률 차이에 의해 상부 기판에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent the warping of the upper substrate due to the difference in expansion ratio between the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate).

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)에 휨이 발생하는 방지하여, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same prevent a warpage from occurring in an upper substrate (alkali glass substrate), thereby separating the upper substrate (alkali glass substrate) from the lower substrate (alkali glass substrate). It can prevent.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 포토 오버레이(photo overlay) 특성 저하되는 것을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent the photo overlay characteristic from being degraded due to the high coefficient of thermal expansion of the alkali glass substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 알칼리 글라스 기판에 휨이 발생하는 것을 방지하여, 알칼리 글라스 기판 반송 시 알칼리 글라스 기판의 파손을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent the bending of the alkali glass substrate, it is possible to prevent the damage of the alkali glass substrate when transporting the alkali glass substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 실런트(sealant) 경화 시 셀(cell)이 분리되는 불량을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent a defect that the cells are separated during sealant curing due to the high coefficient of thermal expansion of the alkali glass substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 열팽창 계수가 상이한 다양한 알칼리 글라스 기판을 액정 디스플레이 장치에 적용할 수 있도록 한다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention allow various alkali glass substrates having different thermal expansion coefficients to be applied to the liquid crystal display device.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법은 알칼리 글라스 기판에서 Na+, K+가 용출되는 것을 억제할 수 있다.The liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can suppress the elution of Na + , K + from the alkali glass substrate.

이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.In addition, other features and advantages of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention.

도 1은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 열 팽창률 차이에 의해 상부 기판에 휨이 발생하여 상부 기판과 하부 기판이 탈착되는 문제점을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 COT(Color filter on TFT) 구조 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 COT(Color filter on TFT) 구조 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.
도 8은 상부 기판 상에 무기막을 형성하는 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 9는 상부 기판 상에 무기막을 형성하고, 상부 기판 하부에 유기막을 형성하는 제조 방법을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a problem that warpage occurs in an upper substrate due to a difference in thermal expansion between an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (an alkali glass substrate), and thus the upper and lower substrates are detached.
2 is a view schematically showing an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (alkali glass substrate) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 illustrates a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed in a TFT on color filter (TOC) structure.
FIG. 4 illustrates a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device has a color filter on TFT (COT) structure.
5 is a view schematically illustrating an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (alkali glass substrate) according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 illustrates a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed with a TFT on color filter (TOC) structure.
FIG. 7 illustrates a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed in a color filter on TFT (COT) structure.
8 is a view showing a manufacturing method for forming an inorganic film on an upper substrate.
9 is a view showing a manufacturing method for forming an inorganic film on an upper substrate and an organic film under the upper substrate.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.In the present specification, in adding reference numerals to components of each drawing, it should be noted that the same components have the same number as much as possible even though they are displayed on different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.On the other hand, the meaning of the terms described herein will be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.Singular expressions should be understood to include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise, and terms such as “first” and “second” are intended to distinguish one component from another. The scope of the rights shall not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the term "comprises" or "having" does not preclude the existence or addition of one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof.

본 발명의 실시 예를 설명함에 있어서 어떤 구조물(전극, 라인, 배선, 레이어, 컨택)이 다른 구조물 '상부에 또는 상에' 및 '하부에 또는 아래에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when a structure (electrode, line, wiring, layer, contact) is described as being formed 'on or on' and 'under or under' another structure, such a description may be given to the structure. It should be construed to include not only when they are in contact with each other but also when a third structure is interposed between these structures.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term "at least one" should be understood to include all combinations which can be presented from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item, and the third item" means not only the first item, the second item, or the third item, respectively, but also two of the first item, the second item, and the third item. A combination of all items that can be presented from more than one.

도면을 참조한 설명에 앞서, 본 발명은 알칼리 글라스 기판을 상부 기판에 적용하고 무 알칼리 글라스 기판을 하부 기판에 적용한 경우에, 상부 기판과 하부 기판의 열 팽창률의 차이에 의한 문제점들을 해결하는 것을 주요 내용으로 한다. 따라서, 제조 공정에 의해 상부 기판에 휨이 발생하는 것을 방지하기 위한 구성들 및 제조 방법을 제외한 구동 회로부, 백라이트 유닛 및 기구물들에 대한 상세한 설명은 생략할 수 있다.Prior to the description with reference to the drawings, when the alkali glass substrate is applied to the upper substrate and the non-alkali glass substrate is applied to the lower substrate, it is to solve the problems caused by the difference in thermal expansion rate of the upper substrate and the lower substrate It is done. Therefore, detailed descriptions of the driving circuit unit, the backlight unit, and the mechanisms except for the components and the manufacturing method for preventing warping of the upper substrate by the manufacturing process may be omitted.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)을 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a view schematically showing an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (alkali glass substrate) according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 액정 디스플레이 장치는 상부 기판(190), 하부 기판(110)과 상기 상부 기판과 하부 기판(110) 사이에 형성된 액정층(미도시)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, a liquid crystal display device according to embodiments of the present invention includes an upper substrate 190, a lower substrate 110, and a liquid crystal layer (not shown) formed between the upper substrate and the lower substrate 110. It is composed.

하부 기판(110)의 재료로 무 알칼리 글라스 기판이 적용되고, 상부 기판(190)의 재료로 알칼리 글라스 기판이 적용된다.An alkali free glass substrate is applied as a material of the lower substrate 110, and an alkali glass substrate is applied as a material of the upper substrate 190.

상기 표 1에 기재된 바와 같이, 알칼리 글라스 기판과 무 알칼리 글라스 기판은 열 팽창률이 상이하기 때문에, 액정 패널의 제조 과정에서 실런트의 자외선(UV) 경과 공정 및 열 경과 공정 이후 냉각 시 상부 기판에 휨이 발생하고, 이로 인해 상부 기판과 하부 기판이 분리될 수 있다.As shown in Table 1, the alkali glass substrate and the non-alkali glass substrate have different thermal expansion coefficients, so that the warp of the upper substrate during cooling after the ultraviolet (UV) evaporation process and the thermal evaporation process of the sealant in the manufacturing process of the liquid crystal panel is reduced. Occurs, which can separate the upper substrate and the lower substrate.

본 발명의 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190)에 휨이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 상부 기판(190)의 수축량을 감소시킬 수 있는 상에는 무기막(195)을 상부 기판(190) 상면에 형성하였다.In the liquid crystal display of the present invention, in order to prevent warpage from occurring in the upper substrate 190 to which the alkali glass substrate is applied, an inorganic film 195 may be formed on the upper substrate 190 to reduce the amount of shrinkage of the upper substrate 190. ) Was formed on the upper surface.

여기서, 무기막(195)은 압축력이 있는(Compressive) 박막으로써, SiO2 또는 SiNx 물질로 500~5,000Å의 두께로 형성된다. 그러나, 이에 한정되지 않고 SiO2 또는 SiNx 물질 이외에도 다른 무기 물질이 무기막(195)의 재료로 적용될 수 있다.Herein, the inorganic layer 195 is a compressive thin film and is formed of a SiO 2 or SiN x material having a thickness of 500 to 5,000 kPa. However, the present invention is not limited thereto, and other inorganic materials other than SiO 2 or SiN x may be used as the material of the inorganic film 195.

일 예로서, 무기막(195)이 SiO2 물질로 형성되는 경우, SiH4와 N2 가스의 비율을 최소 1:10 이상이 되도록 한다.As an example, when the inorganic film 195 is formed of SiO 2 material, the ratio of SiH 4 and N 2 gas is made to be at least 1:10.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.FIG. 3 illustrates a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed in a TFT on color filter (TOC) structure.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치(100)는 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment of the present invention may be formed in a TFT on color filter (TOC) structure.

구체적으로, 하부 기판(110) 상에는 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀 영역을 정의한다.In detail, a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown) intersect on the lower substrate 110 to define a plurality of pixel regions.

픽셀에는 풀 컬러를 표시하기 위한 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120)가 형성되어 있다. 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120) 사이에는 광 누설을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(130, Black matrix)가 형성되어 있다.Red, green, and blue color filters 120 are formed on the pixels to display full colors. A black matrix 130 is formed between the red, green, and blue color filters 120 to prevent light leakage.

컬러 필터(120) 상에는 보호층(120)이 형성되고, 보호층(120) 상에 폴리이미드 막(140, PI)이 형성되어 있다.The protective layer 120 is formed on the color filter 120, and the polyimide films 140 and PI are formed on the protective layer 120.

또한, 픽셀에는 스위칭 소자로써 TFT(150, Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 도 3에서는 TFT(150)가 탑 게이트(top gate) 구조로 형성된 것을 일 예로 도시하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 액티브층(A)의 아래에 게이트(G)가 위치하는 바텀 게이트(bottom gate) 구조로도 TFT가 형성될 수 있다.Further, a TFT (Thin Film Transistor) 150 is formed in the pixel as a switching element. 3 illustrates an example in which the TFT 150 is formed in a top gate structure. However, the present invention is not limited thereto, and the TFT may be formed in a bottom gate structure in which the gate G is positioned under the active layer A. FIG.

폴리이미드 막(140) 상에 액티브층(A)이 형성되고, 액티브층(A)에 P형 또는 N형의 불순물을 도핑하여 소스(S)와 드레인(D)을 형성되어 있다. 액티브(A) 상에 게이트 절연층(161)이 형성되고, 게이트 절연층(161) 상에 게이트(G)가 형성되어 있다.The active layer A is formed on the polyimide film 140, and the source S and the drain D are formed by doping the active layer A with a P-type or N-type impurity. The gate insulating layer 161 is formed on the active A, and the gate G is formed on the gate insulating layer 161.

TFT(150)를 덮도록 보호층(162)이 형성되어 있고, 소스(S)와 드레인(D)의 상면이 노출되도록 보호층(162)의 일부분이 제거되어 컨택홀이 형성된다.A protective layer 162 is formed to cover the TFT 150, and a portion of the protective layer 162 is removed to expose the top surfaces of the source S and the drain D to form a contact hole.

컨택홀 내에 전도성의 메탈 물질이 증착되어 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)이 형성된다.A conductive metal material is deposited in the contact hole to form a contact CNT of the source S and the drain D.

보호층(162)을 덮도록 평탄화층(163)이 형성되어 있고, 평탄화층(163)의 일부를 제거하여 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)을 노출시킨다.The planarization layer 163 is formed to cover the passivation layer 162, and a portion of the planarization layer 163 is removed to expose the contact CNT of the source S and the drain D.

평탄화층(163) 상부에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질을 증착하여 픽셀 전극(170)을 형성한다. 이와 함께, 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)이 노출된 부분에도 투명 전도성 물질이 증착되어 TFT(150)의 드레인(D)과 픽셀 전극(170)이 컨택된다.The pixel electrode 170 is formed by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) on the planarization layer 163. In addition, a transparent conductive material is also deposited on a portion where the contact CNT of the source S and the drain D is exposed to contact the drain D of the TFT 150 and the pixel electrode 170.

평탄화층(163) 상에는 하부 기판(110)과 상부 기판(190)의 셀갭(cell gap)을 형성시키기 위한 컬럼 스페이서(180, column spacer)가 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155)와 중첩되는 부분에 형성된다.A column spacer 180 is formed on the planarization layer 163 to form a cell gap between the lower substrate 110 and the upper substrate 190. The column spacer 180 is formed at a portion overlapping with the TFT 155 in order to reduce the aperture ratio.

상부 기판(190) 상면에는 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)에 의해 마련된 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이의 공간에 액정층(미도시)이 형성된다. 이러한, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)은 합착되고 실런트에 의해 밀봉된다.An inorganic film 195 having a compressive force is formed on an upper surface of the upper substrate 190. A liquid crystal layer (not shown) is formed in a space between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 provided by the column spacer 180. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are bonded to each other and sealed by a sealant.

도면에 도시되지 않았지만, 보호층(162) 상에 공통 전극이 형성될 수 있다. 공통 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질을 증착하여 형성할 수 있다. 픽셀 전극(170)과 공통 전극이 서로 다른 레이어에 형성되면 프린지 필드(fringe field)를 통해서 액정층의 배열 방향을 조절할 수 있다.Although not illustrated, a common electrode may be formed on the protective layer 162. The common electrode may be formed by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). When the pixel electrode 170 and the common electrode are formed in different layers, the arrangement direction of the liquid crystal layer may be adjusted through a fringe field.

본 발명의 다른 예로서, 평탄화층(163) 상에 공통 전극이 형성될 수도 있다. 이 경우, 픽셀 전극(170)과 공통 전극의 핑거 형상을 가지도록 패터닝되어 형성되고, 픽셀 전극(170)과 공통 전극 사이의 수평 전계를 통해서 액정층의 배열 방향을 조절할 수 있다.As another example of the present invention, the common electrode may be formed on the planarization layer 163. In this case, the pixel electrode 170 is patterned and formed to have a finger shape of the common electrode, and the arrangement direction of the liquid crystal layer may be adjusted through a horizontal electric field between the pixel electrode 170 and the common electrode.

도 3에 도시된 바와 같이, TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190) 상에 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있어 상부 기판(190)의 수축력을 감소시킬 수 있다. 이를 통해, 상부 기판(190)과 하부 기판(110)의 열 팽창률의 차이에 의한 휨이 발생되는 것을 방지하고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3, the liquid crystal display device according to the first exemplary embodiment of the present invention having a TFT on color filter (TOC) structure has a compressive inorganic film 195 on an upper substrate 190 to which an alkali glass substrate is applied. ) Is formed to reduce the shrinkage force of the upper substrate 190. As a result, warpage may be prevented from occurring due to a difference in thermal expansion rates between the upper substrate 190 and the lower substrate 110, and the lower substrate 110 and the upper substrate 190 may be prevented from being separated.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 COT(Color filter on TFT) 구조 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.FIG. 4 illustrates a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device has a color filter on TFT (COT) structure.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치(200)는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the liquid crystal display device 200 according to the second embodiment of the present invention may be formed in a color filter on TFT (COT) structure.

구체적으로, 하부 기판(110) 상에는 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀 영역을 정의한다.In detail, a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown) intersect on the lower substrate 110 to define a plurality of pixel regions.

픽셀에는 스위칭 소자로써 TFT(155, Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 도 4에서는 TFT(150)가 바텀 게이트(bottom gate) 구조로 형성된 것을 일 예로 도시하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 액티브층(A)이 게이트(G) 위에 위치하는 탑 게이트(top gate) 구조로도 TFT가 형성될 수 있다.In the pixel, a TFT (155, Thin Film Transistor) is formed as a switching element. In FIG. 4, the TFT 150 is formed as a bottom gate structure as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the TFT may be formed in a top gate structure in which the active layer A is positioned on the gate G.

하부 기판(110) 상에 게이트(G)가 형성되어 있고, 게이트(G)를 덮도록 게이트 절연층(161)이 형성되어 있다.A gate G is formed on the lower substrate 110, and a gate insulating layer 161 is formed to cover the gate G.

게이트 절연층(161) 상에 게이트(G)와 중첩되도록 액티브층(A)이 형성되어 있다. 액티브층(A)의 일측에는 소스(S)가 형성되고, 타측에는 드레인(D)이 형성되어 TFT(155)가 구성된다.The active layer A is formed on the gate insulating layer 161 so as to overlap the gate G. The source S is formed on one side of the active layer A, and the drain D is formed on the other side, thereby forming the TFT 155.

픽셀에는 풀 컬러를 표시하기 위해서, TFT(155)가 형성된 영역을 제외한 픽셀 영역에 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120)가 형성되어 있다. 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120) 사이에는 광 누설을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(130, Black matrix)가 형성되어 있다. 이때, 블랙 매트릭스(130)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155) 상에 형성되어 있다.In order to display full color in the pixel, red, green, and blue color filters 120 are formed in the pixel region except for the region in which the TFT 155 is formed. A black matrix 130 is formed between the red, green, and blue color filters 120 to prevent light leakage. At this time, the black matrix 130 is formed on the TFT 155 to reduce the aperture ratio.

컬러 필터(120) 상에 픽셀 전극(170)이 형성되고, 픽셀 전극(170) 상에 보호층(162)이 형성되어 있다. TFT(155)의 소스(S)는 데이터 라인과 컨택되고, 드레인(D)은 픽셀 전극(170)과 컨택되어 있다.The pixel electrode 170 is formed on the color filter 120, and the passivation layer 162 is formed on the pixel electrode 170. The source S of the TFT 155 is in contact with the data line, and the drain D is in contact with the pixel electrode 170.

TFT(150), 블랙 매트릭스(130) 및 컬러 필터(120)에 의한 단차를 없애기 위해서 보호층(162) 상에 평탄화층(165)이 형성되어 있다.In order to eliminate the step difference caused by the TFT 150, the black matrix 130, and the color filter 120, the planarization layer 165 is formed on the protective layer 162.

평탄화층(165) 상에 공통 전극(175)이 형성되어 있다. 공통 전극(175)은 복수의 핑거 형상을 가지도록 패터닝되어 평탄화층(165) 상에 형성된다.The common electrode 175 is formed on the planarization layer 165. The common electrode 175 is patterned to have a plurality of finger shapes and formed on the planarization layer 165.

픽셀 전극(170)과 공통 전극(175)는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된다. 픽셀 전극(170)과 공통 전극이 서로 다른 레이어에 형성되면 프린지 필드(fringe field)를 통해서 액정층의 배열 방향을 조절할 수 있다.The pixel electrode 170 and the common electrode 175 are formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). When the pixel electrode 170 and the common electrode are formed in different layers, the arrangement direction of the liquid crystal layer may be adjusted through a fringe field.

평탄화층(163) 상에는 하부 기판(110)과 상부 기판(190)의 셀갭(cell gap)을 형성시키기 위한 컬럼 스페이서(180, column spacer)가 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155)와 중첩되는 부분에 형성된다.A column spacer 180 is formed on the planarization layer 163 to form a cell gap between the lower substrate 110 and the upper substrate 190. The column spacer 180 is formed at a portion overlapping with the TFT 155 in order to reduce the aperture ratio.

상부 기판(190) 상면에는 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)에 의해 마련된 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이의 공간에 액정층(미도시)이 형성된다. 이러한, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)은 합착되고 실런트에 의해 밀봉된다.An inorganic film 195 having a compressive force is formed on an upper surface of the upper substrate 190. A liquid crystal layer (not shown) is formed in a space between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 provided by the column spacer 180. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are bonded to each other and sealed by a sealant.

도 5에 도시된 바와 같이, COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190) 상에 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있어 상부 기판(190)의 수축력을 감소시킬 수 있다. 이를 통해, 상부 기판(190)과 하부 기판(110)의 열 팽창률의 차이에 의한 휨이 발생되는 것을 방지하고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5, the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention having a color filter on TFT (COT) structure has a compressive inorganic film 195 on an upper substrate 190 to which an alkali glass substrate is applied. ) Is formed to reduce the shrinkage force of the upper substrate 190. As a result, warpage may be prevented from occurring due to a difference in thermal expansion rates between the upper substrate 190 and the lower substrate 110, and the lower substrate 110 and the upper substrate 190 may be prevented from being separated.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)을 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a view schematically illustrating an upper substrate (alkali glass substrate) and a lower substrate (alkali glass substrate) according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 액정 디스플레이 장치는 상부 기판(190), 하부 기판(110)과 상기 상부 기판과 하부 기판(110) 사이에 형성된 액정층(미도시)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 5, a liquid crystal display device according to embodiments of the present invention includes an upper substrate 190, a lower substrate 110, and a liquid crystal layer (not shown) formed between the upper substrate and the lower substrate 110. It is composed.

하부 기판(110)의 재료로 무 알칼리 글라스 기판이 적용되고, 상부 기판(190)의 재료로 알칼리 글라스 기판이 적용된다.An alkali free glass substrate is applied as a material of the lower substrate 110, and an alkali glass substrate is applied as a material of the upper substrate 190.

알칼리 글라스 기판과 무 알칼리 글라스 기판은 열 팽창률이 상이하기 때문에, 액정 패널의 제조 과정에서 실런트의 자외선(UV) 경과 공정 및 열 경과 공정 이후 냉각 시 상부 기판에 휨이 발생하고, 이로 인해 상부 기판과 하부 기판이 분리될 수 있다.Since the alkali glass substrate and the non-alkali glass substrate have different thermal expansion rates, warpage occurs in the upper substrate during cooling after the ultraviolet (UV) process and the thermal process of the sealant in the manufacturing process of the liquid crystal panel. The lower substrate can be separated.

본 발명의 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190)에 휨이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 상부 기판(190)의 수축량을 감소시킬 수 있는 상에는 무기막(195)을 상부 기판(190) 상면에 형성하였다. 그리고, 장력(tensile)이 있는 유기막(197)을 상부 기판(190)의 하면에 형성하였다.In the liquid crystal display of the present invention, in order to prevent warpage from occurring in the upper substrate 190 to which the alkali glass substrate is applied, an inorganic film 195 may be formed on the upper substrate 190 to reduce the amount of shrinkage of the upper substrate 190. ) Was formed on the upper surface. An organic film 197 having a tension was formed on the lower surface of the upper substrate 190.

여기서, 무기막(195)은 압축력이 있는(Compressive) 박막으로써, SiO2 또는 SiNx 물질로 500~5,000Å의 두께로 형성된다. 그러나, 이에 한정되지 않고 SiO2 또는 SiNx 물질 이외에도 다른 무기 물질이 무기막(195)의 재료로 적용될 수 있다.Herein, the inorganic layer 195 is a compressive thin film and is formed of a SiO 2 or SiN x material having a thickness of 500 to 5,000 kPa. However, the present invention is not limited thereto, and other inorganic materials other than SiO 2 or SiN x may be used as the material of the inorganic film 195.

일 예로서, 무기막(195)이 SiO2 물질로 형성되는 경우, SiH4와 N2 가스의 비율을 최소 1:10 이상이 되도록 한다.As an example, when the inorganic film 195 is formed of SiO 2 material, the ratio of SiH 4 and N 2 gas is set to be at least 1:10.

유기막(197)은 장력(tensile)이 있는 박막으로써, 포토아크릴(Photoacryl) 물질로 1.0~3.0um의 두께로 형성될 수 있다. 상부 기판(190)의 상면에 형성된 무기막(195)의 두께보다 상부 기판(190)의 하면에 형성된 유기막(197)이 더 두껍게 형성되어 있다.The organic layer 197 is a thin film having a tension and may be formed of a photoacryl material having a thickness of 1.0 μm to 3.0 μm. The organic film 197 formed on the lower surface of the upper substrate 190 is thicker than the thickness of the inorganic film 195 formed on the upper surface of the upper substrate 190.

상부 기판(190)에 유기막(195) 및 무기막(197)을 형성하여 알칼리 글래스 기판이 적용된 상부 기판(190)에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 잇다.The organic film 195 and the inorganic film 197 may be formed on the upper substrate 190 to prevent warpage from occurring in the upper substrate 190 to which the alkali glass substrate is applied.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.FIG. 6 illustrates a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed with a TFT on color filter (TOC) structure.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치(300)는 TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the liquid crystal display device 300 according to the third embodiment of the present invention may be formed in a TFT on color filter (TOC) structure.

구체적으로, 하부 기판(110) 상에는 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀 영역을 정의한다.In detail, a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown) intersect on the lower substrate 110 to define a plurality of pixel regions.

픽셀에는 풀 컬러를 표시하기 위한 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120)가 형성되어 있다. 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120) 사이에는 광 누설을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(130, Black matrix)가 형성되어 있다.Red, green, and blue color filters 120 are formed on the pixels to display full colors. A black matrix 130 is formed between the red, green, and blue color filters 120 to prevent light leakage.

컬러 필터(120) 상에는 보호층(120)이 형성되고, 보호층(120) 상에 폴리이미드 막(140, PI)이 형성되어 있다.The protective layer 120 is formed on the color filter 120, and the polyimide films 140 and PI are formed on the protective layer 120.

또한, 픽셀에는 스위칭 소자로써 TFT(150, Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 도 6에서는 TFT(150)가 탑 게이트(top gate) 구조로 형성된 것을 일 예로 도시하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 액티브층(A)의 아래에 게이트(G)가 위치하는 바텀 게이트(bottom gate) 구조로도 TFT가 형성될 수 있다.Further, a TFT (Thin Film Transistor) 150 is formed in the pixel as a switching element. 6 illustrates an example in which the TFT 150 has a top gate structure. However, the present invention is not limited thereto, and the TFT may be formed in a bottom gate structure in which the gate G is positioned under the active layer A. FIG.

폴리이미드 막(140) 상에 액티브층(A)이 형성되고, 액티브층(A)에 P형 또는 N형의 불순물을 도핑하여 소스(S)와 드레인(D)을 형성되어 있다. 액티브(A) 상에 게이트 절연층(161)이 형성되고, 게이트 절연층(161) 상에 게이트(G)가 형성되어 있다.The active layer A is formed on the polyimide film 140, and the source S and the drain D are formed by doping the active layer A with a P-type or N-type impurity. The gate insulating layer 161 is formed on the active A, and the gate G is formed on the gate insulating layer 161.

TFT(150)를 덮도록 보호층(162)이 형성되어 있고, 소스(S)와 드레인(D)의 상면이 노출되도록 보호층(162)의 일부분이 제거되어 컨택홀이 형성된다.A protective layer 162 is formed to cover the TFT 150, and a portion of the protective layer 162 is removed to expose the top surfaces of the source S and the drain D to form a contact hole.

컨택홀 내에 전도성의 메탈 물질이 증착되어 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)이 형성된다.A conductive metal material is deposited in the contact hole to form a contact CNT of the source S and the drain D.

보호층(162)을 덮도록 평탄화층(163)이 형성되어 있고, 평탄화층(163)의 일부를 제거하여 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)을 노출시킨다.The planarization layer 163 is formed to cover the passivation layer 162, and a portion of the planarization layer 163 is removed to expose the contact CNT of the source S and the drain D.

평탄화층(163) 상부에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질을 증착하여 픽셀 전극(170)을 형성한다. 이와 함께, 소스(S)와 드레인(D)의 컨택(CNT)이 노출된 부분에도 투명 전도성 물질이 증착되어 TFT(150)의 드레인(D)과 픽셀 전극(170)이 컨택된다.The pixel electrode 170 is formed by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) on the planarization layer 163. In addition, a transparent conductive material is also deposited on a portion where the contact CNT of the source S and the drain D is exposed to contact the drain D of the TFT 150 and the pixel electrode 170.

평탄화층(163) 상에는 하부 기판(110)과 상부 기판(190)의 셀갭(cell gap)을 형성시키기 위한 컬럼 스페이서(180, column spacer)가 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155)와 중첩되는 부분에 형성된다.A column spacer 180 is formed on the planarization layer 163 to form a cell gap between the lower substrate 110 and the upper substrate 190. The column spacer 180 is formed at a portion overlapping with the TFT 155 in order to reduce the aperture ratio.

상부 기판(190) 상면에는 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있다. 그리고, 상부 기판(190)의 하면에는 장력(tensile)이 있는 유기막(197)이 형성되어 있다.An inorganic film 195 having a compressive force is formed on an upper surface of the upper substrate 190. In addition, an organic film 197 having a tension is formed on the lower surface of the upper substrate 190.

컬럼 스페이서(180)에 의해 마련된 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이의 공간에 액정층(미도시)이 형성된다. 이러한, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)은 합착되고 실런트에 의해 밀봉된다.A liquid crystal layer (not shown) is formed in a space between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 provided by the column spacer 180. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are bonded to each other and sealed by a sealant.

도 6에 도시된 바와 같이, TOC(TFT on Color filter) 구조로 형성된 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190) 상면에 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있고, 상부 기판(197)의 하면에 장력(tensile)이 있는 유기막(197)이 형성되어 있어 상부 기판(190)의 수축력을 감소시킬 수 있다.As shown in FIG. 6, the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention having a TFT on color filter (TOC) structure has a compressive inorganic film 195 on an upper surface of an upper substrate 190 to which an alkali glass substrate is applied. ) And an organic film 197 having a tension is formed on the lower surface of the upper substrate 197, thereby reducing the contraction force of the upper substrate 190.

이를 통해, 상부 기판(190)과 하부 기판(110)의 열 팽창률의 차이에 의한 휨이 발생되는 것을 방지하고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.As a result, warpage may be prevented from occurring due to a difference in thermal expansion rates between the upper substrate 190 and the lower substrate 110, and the lower substrate 110 and the upper substrate 190 may be prevented from being separated.

도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치를 나타내는 것으로, 액정 디스플레이 장치가 COT(Color filter on TFT) 구조 구조로 형성된 것을 나타내는 도면이다.FIG. 7 illustrates a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display device is formed in a color filter on TFT (COT) structure.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치(400)는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, the liquid crystal display device 400 according to the fourth embodiment of the present invention may be formed in a color filter on TFT (COT) structure.

구체적으로, 하부 기판(110) 상에는 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)이 교차하도록 형성되어 복수의 픽셀 영역을 정의한다.In detail, a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown) intersect on the lower substrate 110 to define a plurality of pixel regions.

픽셀에는 스위칭 소자로써 TFT(155, Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 도 7에서는 TFT(150)가 바텀 게이트(bottom gate) 구조로 형성된 것을 일 예로 도시하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 액티브층(A)이 게이트(G) 위에 위치하는 탑 게이트(top gate) 구조로도 TFT가 형성될 수 있다.In the pixel, a TFT (155, Thin Film Transistor) is formed as a switching element. In FIG. 7, the TFT 150 is formed as a bottom gate structure as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the TFT may be formed in a top gate structure in which the active layer A is positioned on the gate G.

하부 기판(110) 상에 게이트(G)가 형성되어 있고, 게이트(G)를 덮도록 게이트 절연층(161)이 형성되어 있다.A gate G is formed on the lower substrate 110, and a gate insulating layer 161 is formed to cover the gate G.

게이트 절연층(161) 상에 게이트(G)와 중첩되도록 액티브층(A)이 형성되어 있다. 액티브층(A)의 일측에는 소스(S)가 형성되고, 타측에는 드레인(D)이 형성되어 TFT(155)가 구성된다.The active layer A is formed on the gate insulating layer 161 so as to overlap the gate G. The source S is formed on one side of the active layer A, and the drain D is formed on the other side, thereby forming the TFT 155.

픽셀에는 풀 컬러를 표시하기 위해서, TFT(155)가 형성된 영역을 제외한 픽셀 영역에 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120)가 형성되어 있다. 레드, 그린, 블루의 컬러필터(120) 사이에는 광 누설을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(130, Black matrix)가 형성되어 있다. 이때, 블랙 매트릭스(130)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155) 상에 형성되어 있다.In order to display full color in the pixel, red, green, and blue color filters 120 are formed in the pixel region except for the region in which the TFT 155 is formed. A black matrix 130 is formed between the red, green, and blue color filters 120 to prevent light leakage. At this time, the black matrix 130 is formed on the TFT 155 to reduce the aperture ratio.

컬러 필터(120) 상에 픽셀 전극(170)이 형성되고, 픽셀 전극(170) 상에 보호층(162)이 형성되어 있다. TFT(155)의 소스(S)는 데이터 라인과 컨택되고, 드레인(D)은 픽셀 전극(170)과 컨택되어 있다.The pixel electrode 170 is formed on the color filter 120, and the passivation layer 162 is formed on the pixel electrode 170. The source S of the TFT 155 is in contact with the data line, and the drain D is in contact with the pixel electrode 170.

TFT(150), 블랙 매트릭스(130) 및 컬러 필터(120)에 의한 단차를 없애기 위해서 보호층(162) 상에 평탄화층(165)이 형성되어 있다.In order to eliminate the step difference caused by the TFT 150, the black matrix 130, and the color filter 120, the planarization layer 165 is formed on the protective layer 162.

평탄화층(165) 상에 공통 전극(175)이 형성되어 있다. 공통 전극(175)은 복수의 핑거 형상을 가지도록 패터닝되어 평탄화층(165) 상에 형성된다.The common electrode 175 is formed on the planarization layer 165. The common electrode 175 is patterned to have a plurality of finger shapes and formed on the planarization layer 165.

픽셀 전극(170)과 공통 전극(175)는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된다. 픽셀 전극(170)과 공통 전극이 서로 다른 레이어에 형성되면 프린지 필드(fringe field)를 통해서 액정층의 배열 방향을 조절할 수 있다.The pixel electrode 170 and the common electrode 175 are formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO). When the pixel electrode 170 and the common electrode are formed in different layers, the arrangement direction of the liquid crystal layer may be adjusted through a fringe field.

평탄화층(163) 상에는 하부 기판(110)과 상부 기판(190)의 셀갭(cell gap)을 형성시키기 위한 컬럼 스페이서(180, column spacer)가 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)는 개구율을 손실을 줄이기 위해서 TFT(155)와 중첩되는 부분에 형성된다.A column spacer 180 is formed on the planarization layer 163 to form a cell gap between the lower substrate 110 and the upper substrate 190. The column spacer 180 is formed at a portion overlapping with the TFT 155 in order to reduce the aperture ratio.

상부 기판(190) 상면에는 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(180)에 의해 마련된 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이의 공간에 액정층(미도시)이 형성된다. 이러한, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)은 합착되고 실런트에 의해 밀봉된다.An inorganic film 195 having a compressive force is formed on an upper surface of the upper substrate 190. A liquid crystal layer (not shown) is formed in a space between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 provided by the column spacer 180. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are bonded to each other and sealed by a sealant.

도 7에 도시된 바와 같이, COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190) 상면에 압축력이 있는 무기막(195)이 형성되어 있고, 상부 기판(190)의 하면에 장력(tensile)이 있는 유기막(197)이 형성되어 있어 상부 기판(190)의 수축력을 감소시킬 수 있다.As shown in FIG. 7, the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention having a color filter on TFT (COT) structure has a compressive inorganic film 195 on an upper surface of an upper substrate 190 to which an alkali glass substrate is applied. ) And an organic film 197 having a tension is formed on the lower surface of the upper substrate 190, thereby reducing the contraction force of the upper substrate 190.

이를 통해, 상부 기판(190)과 하부 기판(110)의 열 팽창률의 차이에 의한 휨이 발생되는 것을 방지하고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.As a result, warpage may be prevented from occurring due to a difference in thermal expansion rates between the upper substrate 190 and the lower substrate 110, and the lower substrate 110 and the upper substrate 190 may be prevented from being separated.

도 8은 상부 기판 상에 무기막을 형성하는 제조 방법을 나타내는 도면이다.8 is a view showing a manufacturing method for forming an inorganic film on an upper substrate.

도 8을 참조하면, 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190)의 상면에 SiO2 또는 SiNx의 무기 물질을 500~5,000Å의 두께로 도포한 후, 경화시켜 압축력이 있는 무기막(195)을 형성한다. 그러나, 이에 한정되지 않고 SiO2 또는 SiNx 물질 이외에도 다른 무기 물질이 무기막(195)의 재료로 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8, an inorganic material of SiO 2 or SiNx is coated on the upper surface of the upper substrate 190 to which the alkali glass substrate is applied to a thickness of 500 to 5,000 GPa, and then cured to form a compressive inorganic film 195. do. However, the present invention is not limited thereto, and other inorganic materials other than SiO 2 or SiN x may be used as the material of the inorganic film 195.

여기서, 무기막(195)이 SiO2 물질로 형성되는 경우, SiH4와 N2 가스의 비율을 최소 1:10 이상이 되도록 조건을 형성하여 상부 기판(190)의 상면에 무기막(195)을 형성한다.In this case, when the inorganic film 195 is formed of SiO 2 material, a condition is formed such that the ratio of SiH 4 and N 2 gas is at least 1:10 to form the inorganic film 195 on the upper surface of the upper substrate 190. Form.

이후, 무기막(195)이 형성된 상부 기판(190)과 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 무기 물질하부 기판(110)을 합착한다. 그리고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이에 형성된 액정층이 밖으로 흘러나오지 않도록 실런트로 하부 기판(110)과 상부 기판(190)을 밀봉한다.Thereafter, the upper substrate 190 on which the inorganic layer 195 is formed and the inorganic lower substrate 110 formed of a TFT on color filter (TOC) structure or a color filter on TFT (COT) structure are bonded to each other. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are sealed with a sealant so that the liquid crystal layer formed between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 does not flow out.

도 9는 상부 기판 상에 무기막을 형성하고, 상부 기판 하부에 유기막을 형성하는 제조 방법을 나타내는 도면이다.9 is a view showing a manufacturing method for forming an inorganic film on an upper substrate and an organic film under the upper substrate.

도 8을 참조하면, 알칼리 글라스 기판이 적용된 상부 기판(190)의 상면에 SiO2 또는 SiNx의 무기 물질을 500~5,000Å의 두께로 도포한 후, 경화시켜 압축력이 있는 무기막(195)을 형성한다. 그러나, 이에 한정되지 않고 SiO2 또는 SiNx 물질 이외에도 다른 무기 물질이 무기막(195)의 재료로 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8, an inorganic material of SiO 2 or SiNx is coated on the upper surface of the upper substrate 190 to which the alkali glass substrate is applied to a thickness of 500 to 5,000 GPa, and then cured to form a compressive inorganic film 195. do. However, the present invention is not limited thereto, and other inorganic materials other than SiO 2 or SiN x may be used as the material of the inorganic film 195.

여기서, 무기막(195)이 SiO2 물질로 형성되는 경우, SiH4와 N2 가스의 비율을 최소 1:10 이상이 되도록 조건을 형성하여 상부 기판(190)의 상면에 무기막(195)을 형성한다.In this case, when the inorganic film 195 is formed of SiO 2 material, a condition is formed such that the ratio of SiH 4 and N 2 gas is at least 1:10 to form the inorganic film 195 on the upper surface of the upper substrate 190. Form.

이어서, 포토아크릴(Photoacryl)과 같은 유기 물질을 상부 기판의 하면에 도포한 후, 경화시켜 장력(tensile)이 있는 유기막(197)을 형성한다.Subsequently, an organic material such as photoacryl is applied to the lower surface of the upper substrate and then cured to form an organic film 197 having a tension.

여기서, 무기막(195)은 압축력이 있는(Compressive) 박막으로써, SiO2 또는 SiNx 물질로 500~5,000Å의 두께로 형성된다. 그러나, 이에 한정되지 않고 SiO2 또는 SiNx 물질 이외에도 다른 무기 물질이 무기막(195)의 재료로 적용될 수 있다.Herein, the inorganic layer 195 is a compressive thin film and is formed of a SiO 2 or SiN x material having a thickness of 500 to 5,000 kPa. However, the present invention is not limited thereto, and other inorganic materials other than SiO 2 or SiN x may be used as the material of the inorganic film 195.

일 예로서, 무기막(195)이 SiO2 물질로 형성되는 경우, SiH4와 N2 가스의 비율을 최소 1:10 이상이 되도록 한다.As an example, when the inorganic film 195 is formed of SiO 2 material, the ratio of SiH 4 and N 2 gas is set to be at least 1:10.

유기막(197)은 장력(tensile)이 있는 박막으로써, 포토아크릴(Photoacryl) 물질로 1.0~3.0um의 두께로 형성될 수 있다. 상부 기판(190)의 상면에 형성되는 무기막(195)의 두께보다 상부 기판(190)의 하면에 형성되는 유기막(197)을 더 두껍게 형성한다.The organic layer 197 is a thin film having a tension and may be formed of a photoacryl material having a thickness of 1.0 μm to 3.0 μm. The organic film 197 formed on the lower surface of the upper substrate 190 is thicker than the thickness of the inorganic film 195 formed on the upper surface of the upper substrate 190.

이후, 상면에 무기막(195)이 형성되어 있고 하면에 유기막(197)이 형성되어 있는 상부 기판(190)과 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 무기 물질하부 기판(110)을 합착한다. 그리고, 하부 기판(110)과 상부 기판(190) 사이에 형성된 액정층이 밖으로 흘러나오지 않도록 실런트로 하부 기판(110)과 상부 기판(190)을 밀봉한다.Subsequently, an inorganic film 195 is formed on the upper surface and the upper substrate 190 on which the organic film 197 is formed on the lower surface, and an inorganic formed in a TFT on Color filter (TOC) structure or a Color filter on TFT (COT) structure. The material lower substrate 110 is bonded. The lower substrate 110 and the upper substrate 190 are sealed with a sealant so that the liquid crystal layer formed between the lower substrate 110 and the upper substrate 190 does not flow out.

알칼리 글라스 기판은 제조 회사마다 알칼리의 함유량이 상이하여 열 팽창률도 상이하게 된다. 따라서, 제조 회사마다 알칼리 글라스 기판의 휨 정도가 달라 제조 공정을 최적화시키는 것에 어려움이 있다.Alkali glass substrates have different alkali contents for different manufacturers, and thus have different thermal expansion rates. Therefore, there is a difficulty in optimizing the manufacturing process because the degree of warpage of the alkali glass substrate is different for each manufacturer.

본 발명은 알칼리 글라스 기판 상면에 무기막(195)을 형성하고, 하면에 유기막(197)을 형성하여 알칼리 글라스 기판의 알칼리 함유량에 차이가 있더라도 알칼리 글라스 기판의 휨을 억제할 수 있다. 즉, 열팽창 계수가 상이한 다양한 알칼리 글라스 기판을 액정 디스플레이 장치에 적용시킬 수 있다.According to the present invention, the inorganic film 195 is formed on the upper surface of the alkali glass substrate, and the organic film 197 is formed on the lower surface, so that the warpage of the alkali glass substrate can be suppressed even if there is a difference in alkali content of the alkali glass substrate. That is, various alkali glass substrates having different thermal expansion coefficients can be applied to the liquid crystal display device.

상술한, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치의 제조 방법은 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)의 팽창률 차이에 의해 상부 기판에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있다.The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention described above can prevent the warping of the upper substrate due to the difference in expansion ratio between the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate). .

또한, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)에 휨이 발생하는 방지하여, 상부 기판(알칼리 글라스 기판)과 하부 기판(무 알칼리 글라스 기판)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent warpage from occurring in the upper substrate (alkali glass substrate), and to prevent separation of the upper substrate (alkali glass substrate) and the lower substrate (alkali glass substrate).

또한, 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 포토 오버레이(photo overlay) 특성 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the photo overlay characteristic from being degraded due to the high coefficient of thermal expansion of the alkali glass substrate.

또한, 알칼리 글라스 기판에 휨이 발생하는 것을 방지하여, 알칼리 글라스 기판 반송 시 알칼리 글라스 기판의 파손을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent warpage from occurring in the alkali glass substrate, thereby preventing damage to the alkali glass substrate during the alkali glass substrate transfer.

또한, 알칼리 글라스 기판의 높은 열팽창 계수로 인해 실런트(sealant) 경화 시 셀(cell)이 분리되는 불량을 방지할 수 있다.In addition, due to the high coefficient of thermal expansion of the alkali glass substrate, it is possible to prevent defects in which the cells are separated during sealant curing.

또한, 열팽창 계수가 상이한 다양한 알칼리 글라스 기판을 액정 디스플레이 장치에 적용할 수 있도록 하고, 알칼리 글라스 기판에서 Na+, K+가 용출되는 것을 억제할 수 있다.In addition, it is possible to apply various alkali glass substrates having different thermal expansion coefficients to the liquid crystal display device, and to suppress the elution of Na + and K + from the alkali glass substrate.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the above-described present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

110: 하부 기판 120: 컬러 필터
130: 블랙 매트릭스 140: 폴리이미드 막
150, 155: TFT 161: 게이트 절연층
162: 보호층 163: 평탄화층
170: 픽셀 전극 175: 공통 전극
180: 컬럼 스페이서 190: 상부 기판
195: 무기막 197: 유기막110: lower substrate 120: color filter
130: black matrix 140: polyimide film
150 and 155: TFT 161: gate insulating layer
162: protective layer 163: planarization layer
170: pixel electrode 175: common electrode
180: column spacer 190: upper substrate
195: inorganic film 197: organic film

Claims (10)

TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조로 형성된 하부 기판; 및
상기 하부 기판과 합착되고 하면에 장력이 있는 유기막이 형성되며 상면에 압축력이 있는 무기막이 형성된 상부 기판;을 포함하고,
상기 하부 기판은 무 알칼리 글라스 기판이 적용되고, 상기 상부 기판은 알칼리 글라스 기판이 적용되며,
상기 유기막은 상기 상부 기판의 하면에 도포된 유기 물질을 경화시켜 형성되고, 상기 무기막은 상기 상부 기판의 상면에 도포된 무기 물질을 경화시켜 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.A lower substrate formed of a TFT on Color filter (TOC) structure or a Color filter on TFT (COT) structure; And
And an upper substrate bonded to the lower substrate and having an organic film having a tension on a lower surface thereof, and an inorganic film having a compressive force formed on an upper surface thereof.
The lower substrate is an alkali free glass substrate, the upper substrate is an alkali glass substrate,
And the organic layer is formed by curing an organic material applied to a lower surface of the upper substrate, and the inorganic layer is formed by curing an inorganic material applied to an upper surface of the upper substrate. 제1 항에 있어서,
상기 무기막은 SiO2 또는 SiNx 물질로 500~5,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.According to claim 1,
The inorganic film is a liquid crystal display device, characterized in that formed of a thickness of 500 ~ 5,000Å SiO 2 or SiNx material. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 유기막은 포토아크릴 물질로 1.0um~3.0um의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.According to claim 1,
The organic film is a liquid crystal display device, characterized in that formed with a thickness of 1.0um ~ 3.0um with a photoacryl material. 제4 항에 있어서,
상기 무기막의 두께보다 상기 유기막이 더 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.The method of claim 4, wherein
And the organic layer is thicker than the thickness of the inorganic layer. 무 알칼리 글라스 기판 상에 TOC(TFT on Color filter) 구조 또는 COT(Color filter on TFT) 구조를 형성하여 하부 기판을 제조하는 단계;
알칼리 글라스 기판 상면에 무기 물질을 도포한 후 경화시켜 압축력이 있는 무기막을 형성하고, 상기 알칼리 글라스 기판 하면에 유기 물질을 도포한 후 경화시켜 장력이 있는 유기막을 형성하여 상부 기판을 제조하는 단계;
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계; 및
상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 합착한 후 밀봉하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조 방법.Manufacturing a lower substrate by forming a TFT on Color filter (TOC) structure or a Color filter on TFT (COT) structure on an alkali free glass substrate;
Preparing an upper substrate by forming an inorganic film having a compressive force by coating an inorganic material on an upper surface of the alkali glass substrate and curing the coating, and then applying an organic material on the lower surface of the alkali glass substrate to cure the organic film to form a tensioned organic film;
Forming a liquid crystal layer between the lower substrate and the upper substrate; And
And bonding and sealing the lower substrate and the upper substrate. 제6 항에 있어서,
상기 무기막은 SiO2 또는 SiNx 물질로 500~5,000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 6,
The inorganic film is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that formed with a thickness of 500 ~ 5,000x of SiO 2 or SiNx material. 삭제delete 제6 항에 있어서,
상기 유기막은 포토아크릴 물질로 1.0um~3.0um의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 6,
The organic film is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that formed with a thickness of 1.0um ~ 3.0um of a photoacryl material. 제6 항에 있어서,
상기 무기막의 두께보다 상기 유기막을 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 6,
And the organic film is formed thicker than the thickness of the inorganic film.
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