KR102065776B1 - 발광소자 - Google Patents

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KR102065776B1
KR102065776B1 KR1020130082412A KR20130082412A KR102065776B1 KR 102065776 B1 KR102065776 B1 KR 102065776B1 KR 1020130082412 A KR1020130082412 A KR 1020130082412A KR 20130082412 A KR20130082412 A KR 20130082412A KR 102065776 B1 KR102065776 B1 KR 102065776B1
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이선균
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광구조물; 을 포함하고, 상기 기판은, 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 제1면, 상기 제1면으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함하는 제2면, 상기 제2면의 중앙 영역에 배치되며 상기 제2면의 곡률과 다른 곡률을 갖는 제3면을 포함한다.

Description

발광소자 {LIGHT EMITTING DEVICE}
실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.
발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.
실시 예는 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 제공할 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광구조물; 을 포함하고, 상기 기판은, 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 제1면, 상기 제1면으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함하는 제2면, 상기 제2면의 중앙 영역에 배치되며 상기 제2면의 곡률과 다른 곡률을 갖는 제3면을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광구조물; 을 포함하고, 상기 기판은 상부면이 평평한 복수의 제1 영역과, 상기 복수의 제1 영역 사이에 배치되어 상부로 돌출된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역의 상부 영역에서 상부로 돌출되거나 하부로 함몰된 제3 영역을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 제공할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 실시 예에 따른 기판의 평면도를 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 6은 도 1에 도시된 발광소자의 실시 예에서 반도체층의 형성 과정을 설명하는 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 도 7에 도시된 발광소자의 실시 예에서 반도체층의 형성 과정을 설명하는 도면이다.
도 11 내지 도 20은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 23은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 제1 전극(20), 제2 전극(30)을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(20)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(30)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광구조물(10) 아래에 기판(5)이 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 예로서 III족-V족 화합물 반도체층을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 형상 변화를 통하여 상기 발광구조물(10)의 결함을 줄일 수 있는 방안을 제시한다. 실시 예에 의하면, 신뢰성이 향상되고 광 추출 효과가 향상된 발광소자를 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 예로서 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 기판(5)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 2에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 2에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 상부로 돌출되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 2에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 상기 기판(5) 위에 상기 발광구조물(10)을 성장시킬 수 있다. 상기 기판(5) 위에 성장되는 반도체층은 예로서 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같은 성장 과정을 통해 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 성장 영역(61)과 제2 성장 영역(62)에서 반도체층이 성장될 수 있다. 상기 제1 성장 영역(61)은 상기 제1면(51)과 상기 제2면(52)의 측면에 대응되어 성장되는 영역이고, 상기 제2 성장 영역(62)은 상기 제3면(53)의 상부면에서 성장되는 영역이다.
이어서, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 성장 영역(61)과 상기 제2 성장 영역(62)이 확장되어 서로 접하게 되며, 그 위에 제3 성장 영역(63)이 성장될 수 있다.
종래 발광소자의 경우, 기판 위에 상기 제2면(52)과 유사한 형상의 돌출 영역이 형성된 상태에서 반도체층을 성장하는 방안이 적용되었다. 그런데, 이와 같은 조건에서 반도체층이 성장되는 경우, 반도체층은 돌출 영역의 옆면으로부터 성장되므로 돌출 영역의 최상부 영역에서 초기에는 거의 성장이 일어나지 않는다. 이어서 돌출 영역의 옆면으로부터 먼저 성장이 진행되고, 돌출 영역의 최상부 영역에는 마지막 단계에서 성장이 일어나게 된다. 그런데, 이와 같은 방식으로 반도체층이 성장되는 경우에는, 격자상수 차이 등에 의하여 돌출 영역의 상부 영역에 관통 전위(threading dislocation)가 모이게 되는 문제점이 발생 된다. 이에 따라, 돌출 영역의 상부 영역에 관통 전위가 집중되어 결함 밀도가 증가될 뿐만 아니라, 누설 통로(leakage path)가 되어 발광소자의 신뢰성이 저하된다.
그러나, 실시 예에 의하면, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2면(52) 및 제3면(53)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다. 또한, 실시 예와 같은 상기 기판(5)을 이용하여 발광구조물(10)을 성장시키는 경우, 결함 밀도를 종래 발광소자에 비하여 100분의 1 정도로 감소시킬 수 있게 된다. 예컨대, 종래 발광소자의 결함 밀도가 109개인 경우, 실시 예에 따른 발광소자의 결함 밀도는 107개로 줄어들 수 있게 된다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다. 도 7에 도시된 실시 예를 설명함에 있어 도 2 및 도 3을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명을 생략할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 평평한 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 제2 성장 영역(62)에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 제1 성장 영역(61)과 제2 성장 영역(62)에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 상기 제1 성장 영역(61)과 상기 제2 성장 영역(62)에 성장되어 합쳐지는(merging) 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다. 상기 제1 성장 영역(61)에서 성장된 반도체층과 상기 제2 성장 영역(62)에서 성장된 반도체층이 합쳐진 후, 그 위에 제3 성장 영역(63)에서 반도체층이 성장될 수 있다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제2면(52), 제3면(53), 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 11 내지 도 15는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 3 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록면 또는 오목면으로 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 설계에 따라 다양하게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 곡면 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 볼록한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 측면 영역의 곡률과 다른 곡률로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 곡률에 비하여 더 큰 곡률로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 곡률에 비하여 더 작은 곡률로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 11에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 11에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 상부로 돌출되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 11에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 곡면 영역을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 3 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상으로 제공될 수도 있고, 오목 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 설계에 따라 다양하게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 깊이로 하부 방향으로 함몰될 수 있으며, 그 바닥면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 12에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 12에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 하부로 함몰되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 12에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 평평한 면을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 3 및 도 13에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부 방향으로 들어간 형상의 곡률을 갖도록 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 깊이로 하부 방향으로 함몰되어 제공될 수 있으며, 그 바닥면은 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 13에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 13에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 하부로 함몰되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 13에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 적용 예를 나타낸 것이다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 3 및 도 14에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 구면 또는 비구면으로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부 방향으로 깊이를 갖도록 함몰될 수 있으며, 그 바닥면은 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 14에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 14에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 하부로 함몰되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 14에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 3 및 도 15에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 폭과 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭이 서로 다르게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 폭이 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭에 비하여 더 크게 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3면(53)의 상부 영역이 폭이 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭에 비하여 더 작게 형성될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
상기 기판(5)은 예로서 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제공될 수도 있다. 도 3에 도시된 기판(5)은 상기 제2면(52) 및 상기 제3면(53)이 원형의 수평 단면을 갖는 경우를 기준으로 나타낸 것이다. 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53)의 형상에 따라 도 3에 도시된 평면도는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 기판(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(81), 제2 영역(82), 제3 영역(83)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(81)은 평평하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 영역(81)은 도 2에 도시된 상기 제1면(51)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제1 영역(81)은 상기 기판(5)의 상부면에 복수의 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2 영역(82)은 상기 복수의 제1 영역(81) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)에 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 상기 제1 영역(81)으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제2 영역(82)은 도 15에 도시된 상기 제2면(52)의 형성 영역에 대응될 수 있다.
상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)에서 상부로 돌출되어 제공될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 도 15에 도시된 상기 제3면(53)의 형성 영역에 대응될 수 있다. 상기 제3 영역(83)은 상기 제2 영역(82)의 중앙 영역에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2 영역(82)과 이웃하는 제2 영역(82) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 영역(83)의 최대 폭은 상기 제2 영역(82)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 영역(82)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 영역(82)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
도 16 내지 도 20은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다. 도 16 내지 도 20에 도시된 기판은 도 11 내지 도 15에 도시된 기판에 비하여 성장조절층이 더 제공된 점에 차이가 있다. 도 16 내지 도 20에 도시된 기판을 설명함에 있어, 도 7 내지 도 15를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명을 생략할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록면 또는 오목면으로 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 설계에 따라 다양하게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 곡면 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 볼록한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 측면 영역의 곡률과 다른 곡률로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 곡률에 비하여 더 큰 곡률로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3면(53)의 상부 영역의 곡률은 상기 제2면(52)의 곡률에 비하여 더 작은 곡률로 제공될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 상부 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 성장 영역에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53) 영역에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 반도체층이 성장되어 합쳐지는(merging) 경우에 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제2면(52), 상기 제3면(53), 상기 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 17은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상으로 제공될 수도 있고, 오목 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 설계에 따라 다양하게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 깊이로 하부 방향으로 함몰될 수 있으며, 그 바닥면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 상부 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 성장 영역에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53) 영역에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 반도체층이 성장되어 합쳐지는(merging) 경우에 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제2면(52), 상기 제3면(53), 상기 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 18은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부 방향으로 들어간 형상의 곡률을 갖도록 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 깊이로 하부 방향으로 함몰되어 제공될 수 있으며, 그 바닥면은 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 상부 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 성장 영역에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53) 영역에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 반도체층이 성장되어 합쳐지는(merging) 경우에 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제2면(52), 상기 제3면(53), 상기 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 19는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부로 함몰되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 구면 또는 비구면으로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 하부 방향으로 깊이를 갖도록 함몰될 수 있으며, 그 바닥면은 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 상부 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 성장 영역에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53) 영역에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 반도체층이 성장되어 합쳐지는(merging) 경우에 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제2면(52), 상기 제3면(53), 상기 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 20은 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 기판의 변형 예를 나타낸 것이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자는 상기 기판(5)의 제3면(53) 위에 배치된 성장조절층(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 그 위에 성장되는 발광구조물(10)의 성장을 제어할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 SiO2, SiN, AlN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 예로서 수 나노미터 내지 수 마이크로 미터의 두께로 제공될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 10 나노미터 내지 500 나노미터의 두께로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 기판(5)은, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1면(51), 제2면(52), 제3면(53)을 포함할 수 있다. 상기 제1면(51)은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1면(51)은 예로서 상기 기판(5)의 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(5)의 하부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2면(52)은 상기 제1면(51)으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함할 수 있다. 예로서 상기 제2면(52)은 구면 형상 또는 비구면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)은 볼록 형상 또는 오목 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)의 수평 단면은 원형, 타원형, 다각형 등으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 예로서 상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 곡률과 다른 곡률을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 제3면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 제3면(53)은 평평한 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 면(53)은 상기 제2면(52)의 중앙 영역으로부터 일정 두께로 상부 방향으로 돌출될 수 있으며, 그 상부면은 평평한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 폭과 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭이 서로 다르게 제공될 수 있다. 상기 제3면(53)의 상부 영역의 폭이 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭에 비하여 더 크게 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3면(53)의 상부 영역이 폭이 상기 제3면(53)의 하부 영역의 폭에 비하여 더 작게 형성될 수 있다.
상기 제3면(53) 위에 상기 성장조절층(70)이 배치될 수 있다. 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53)의 상부 영역 위에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제2면(52)의 최대 폭과 최대 높이는 각각 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터의 크기로 제공될 수 있다. 상기 제2면(52)과 이웃하는 제2면(52) 사이의 간격은 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제3면(53)의 최대 폭은 상기 제2면(52)의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제2면(52)의 최대 폭은 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한 상기 제2면(52)의 최대 높이는 3 마이크로 미터 내지 5 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이는 상기 기판(5)에 성장되는 상기 발광구조물(10)의 성장을 고려한 크기로서 상기 발광구조물(10)의 성장 시 결함을 줄이고 양질의 반도체층을 형성하여 신뢰성을 확보할 수 있는 범위에서 선택된 것이다.
실시 예에 의하면, 상기 성장조절층(70)은 상기 제3면(53) 위의 성장 영역에서 반도체층의 성장 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1면(51), 상기 제2면(52), 상기 제3면(53) 영역에서의 반도체층의 성장 속도가 조절될 수 있고, 반도체층이 성장되어 합쳐지는(merging) 경우에 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제2면(52), 상기 제3면(53), 상기 성장조절층(70)의 제공에 의하여 관통 전위가 특정 영역에 집중되는 것으로 방지할 수 있으므로 누설 통로(leakage path)가 형성되는 것을 방지할 수 있으며 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
이와 같이, 실시 예에 의하면 반도체층이 성장되는 기판을 제공함에 있어, 기판에 상부 방향으로 복수의 층이 제공되도록 함으로써 그 위에 성장되는 반도체층의 결정 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 도 21은 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 21을 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 자동차 전조등뿐만 아니라 후미등에도 적용될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 22 및 도 23에 도시된 표시 장치, 도 24에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다.
도 22를 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 23은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 23을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 24는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 24를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
5 기판 10 발광구조물
11 제1 도전형 반도체층 12 활성층
13 제2 도전형 반도체층 20 제1 전극
30 제2 전극 51 제1면
52 제2면 53 제3면
61 제1 성장영역 62 제2 성장영역
63 제3 성장영역 70 성장조절층
81 제1 영역 82 제2 영역
83 제3 영역

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 발광구조물;
    을 포함하고,
    상기 기판은, 하부면으로부터 제1 두께의 높이를 갖는 평평한 제1면, 상기 제1면으로부터 상부 방향으로 돌출된 곡면을 포함하는 제2면, 상기 제2면의 중앙 영역에 배치되며 상기 제2면의 곡률과 다른 곡률을 갖는 제3면을 포함하고,
    상기 제3면은 상기 제2면의 중앙 영역으로부터 상부로 돌출되고,
    상기 제3면은 상기 제2면과 이격되는 제1서브면 및 상기 제2면으로부터 상부 방향으로 연장되며 상기 제1서브면 및 상기 제2면을 연결하는 제2서브면을 포함하고,
    상기 제1서브면은 평평하며 수직 방향을 기준으로 상기 제2면보다 상부에 배치되고,
    상기 제2서브면은 상기 제1서브면과 수직인 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1서브면은 상기 제1면과 평행인 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    수직 방향을 기준으로, 상기 제2면의 중심은 상기 제1서브면의 중심과 중첩되는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2면 및 상기 제1서브면은 동일한 수평 단면 형상을 가지는 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2면의 최대 폭 및 최대 높이 각각은 3 마이크로미터 내지 5마이크로미터인 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3면 위에 배치되어 상기 발광구조물의 성장을 제어하는 성장조절층을 포함하는 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 성장조절층은 상기 제1서브면과 동일한 수평 방향 폭을 가지고, 산화물 또는 질화물을 포함하는 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2면의 최대 폭과 최대 높이는 100 나노미터 내지 10 마이크로미터의 크기를 갖고, 상기 제3면의 최대 폭은 상기 제2면의 최대 폭의 10% 내지 90%의 크기를 갖는 발광소자.
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