KR102050363B1 - Crack Inspection Method of Structural Material - Google Patents
Crack Inspection Method of Structural Material Download PDFInfo
- Publication number
- KR102050363B1 KR102050363B1 KR1020180000170A KR20180000170A KR102050363B1 KR 102050363 B1 KR102050363 B1 KR 102050363B1 KR 1020180000170 A KR1020180000170 A KR 1020180000170A KR 20180000170 A KR20180000170 A KR 20180000170A KR 102050363 B1 KR102050363 B1 KR 102050363B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum dot
- solution
- crack
- inspection
- dot material
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 88
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 8
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 8
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLTSCOZQKALPGZ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;dihydrate Chemical compound O.O.CC(O)=O NLTSCOZQKALPGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011083 cement mortar Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- KJNYWDYNPPTGLP-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);diacetate;hydrate Chemical compound O.[Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O KJNYWDYNPPTGLP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N coumarin 153 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C(F)(F)F VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010881 fly ash Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
본 발명은 양자점 물질을 포함하는 양자점 검사 용액을 구조물의 균열 내부로 주입하는 양자점 검사 용액 주입 단계 및 상기 양자점 검사 용액이 주입된 상기 구조물의 균열에 자외선 광을 조사하는 단계를 포함하는 구조물 균열 검사 방법을 개시한다.The present invention relates to a structure crack inspection method comprising a step of injecting a quantum dot inspection solution containing a quantum dot material into a crack of a structure and irradiating ultraviolet light to the crack of the structure into which the quantum dot inspection solution is injected. Initiate.
Description
본 발명은 건축 구조물과 같은 구조물에 발생되는 균열의 존재 유무를 검사하는 구조물 균열 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure crack inspection method for inspecting the presence or absence of cracks generated in a structure such as a building structure.
현대의 건축물이 고층 빌딩과 대형 교량 등으로 거대화되면서 막대한 공사 비용과 인력이 소모되고 있어 이에 따른 품질 관리와 안전 관리가 중요시되고 있다. 건축물은 건축 과정에서 표면 또는 내부에 균열이 발생될 수 있다. 또한, 건축물은 시간이 지남에 따라 노후화되고 지진, 홍수, 가뭄, 호우, 풍화 등의 자연 재해로 인한 열화가 진행되면서 표면과 내부에 균열이 발생될 수 있다. 건축물들은 표면 또는 내부에 존재하는 균열이 점진적으로 커지면서 파괴될 수 있다. 특히 고층 건물과 대형 교량, 터널, 핵융합 발전소 같은 건축물들은 파괴 발생 시 막대한 피해가 발생하기 때문에 사전에 효과적인 안전 점검이 이루어져야 한다.As modern buildings are enormous with skyscrapers and large bridges, huge construction costs and manpower are being consumed. Therefore, quality control and safety management are important. The building may have cracks on the surface or inside the building process. In addition, the building is aging over time, and as the degradation due to natural disasters such as earthquakes, floods, droughts, heavy rains, weathering, etc. may cause cracks on the surface and inside. Buildings can be destroyed as the cracks on the surface or interior grow gradually. In particular, buildings such as high-rise buildings, large bridges, tunnels, and fusion power plants can cause enormous damage in the event of destruction.
기존의 구조물 균열을 조사하기 위한 방법으로는 육안, 돋보기, 현미경을 이용한 관측이 사용되었지만 측정자의 주관이 개입되어 객관성이 떨어지고 미세한 균열은 검사하기 어려워 정확한 점검이 이루어질 수 없었다. 이를 보완하기 위함으로 최근에는 첨단 영상처리 장비를 이용해 구조물 표면의 균열을 관찰하는 방법도 사용되고 있지만 이러한 첨단 영상처리 장비는 고가이고 운송 방법이 번거로우며 사용자의 숙련도에 따른 점검의 정확도가 달라지기 때문에 좀 더 간단하고 효과적인 균열 관찰 방법이 필요한 실정이다.Existing methods for investigating the cracks of structures were observed using the naked eye, a magnifying glass, and a microscope. However, the objectivity of the measurer was involved, the objectivity was inferior, and the minute cracks were difficult to inspect. In order to compensate for this, recently, the method of observing the crack of the structure surface using the advanced image processing equipment has been used, but such advanced image processing equipment is expensive, cumbersome transportation method, and the accuracy of inspection depends on the user's skill. There is a need for a simpler and more effective crack observation method.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 건축물과 같은 구조물의 균열을 쉽게 확인할 수 있는 구조물 균열 검사 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved of the present invention is to provide a structure crack inspection method that can easily identify the crack of the structure, such as buildings.
본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법은 양자점 물질을 포함하는 양자점 검사 용액을 구조물의 균열 내부로 주입하는 양자점 검사 용액 주입 단계 및 상기 양자점 검사 용액이 주입된 상기 구조물의 균열에 자외선 광을 조사하는 자외선 광 조사 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention is a quantum dot inspection solution injection step of injecting a quantum dot inspection solution containing a quantum dot material into the cracks of the structure and UV light to the crack of the structure injected with the quantum dot inspection solution It is characterized in that it comprises an ultraviolet light irradiation step of irradiating.
상기 양자점 물질은 II-VI, III-V 또는 I-III-VI 양자점 물질일 수 있다. 또한, 상기 양자점 물질은 Cd, Zn, S, Te, Se, In, P, Ga, As, Cu 및 Ag을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점 물질은 CdZnSeS@ZnS 물질일 수 있다.The quantum dot material may be II-VI, III-V or I-III-VI quantum dot material. In addition, the quantum dot material may include at least one material selected from the group consisting of Cd, Zn, S, Te, Se, In, P, Ga, As, Cu, and Ag. In addition, the quantum dot material may be a CdZnSeS @ ZnS material.
본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법은 상기 양자점 물질을 물과 혼합하여 양자점 검사 용액을 제조하는 양자점 검사 용액 제조 단계를 더 포함하며, 상기 양자점 검사 용액은 상기 양자점 물질과 물이 혼합되어 형성되며, 상기 양자점 물질은 상기 양자점 검사 용액의 전체 중량을 기준으로 50 ∼ 90중량비로 혼합될 수 있다.Structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention further comprises the step of preparing a quantum dot inspection solution for producing a quantum dot inspection solution by mixing the quantum dot material with water, the quantum dot inspection solution is mixed with the quantum dot material and water It is formed, the quantum dot material may be mixed in a 50 to 90 weight ratio based on the total weight of the quantum dot inspection solution.
상기 양자점 검사 용액은 주사형(needle type) 액체 주입기, 건형(gun type) 액체 주입기, 아스피레이터, 깔대기, 액체 디스펜서, 스포이드 중 하나를 선택하여 균열 내부에 주입될 수 있다.The quantum dot inspection solution may be injected into the crack by selecting one of a needle type liquid injector, a gun type liquid injector, an aspirator, a funnel, a liquid dispenser, and an eye dropper.
본 발명의 구조물 균열 검사 방법은 친수성의 양자점 물질을 포함하는 양자점 검사 용액을 구조물의 균열 내부로 주입하고 자외선 광을 조사하여 검사하므로 객관적이고 쉽게 균열의 존재 유무를 검사할 수 있다.In the structure crack inspection method of the present invention, since the quantum dot inspection solution containing the hydrophilic quantum dot material is injected into the crack of the structure and irradiated with ultraviolet light, the objective and easy inspection of the presence of the crack can be performed.
또한, 본 발명의 구조물 균열 검사 방법은 균열에 주입되는 양자점 검사 용액이 자외선 광에 의하여 발광되므로 시각적으로 균열의 모양을 표시하여 용이하게 확인할 수 있다.In addition, the structure crack inspection method of the present invention can be easily confirmed by visually displaying the shape of the crack because the quantum dot inspection solution injected into the crack is emitted by ultraviolet light.
또한, 본 발명의 구조물 균열 검사 방법은 건축 구조물의 조대한 균열부터 미세한 균열까지 용이하게 침투할 수 있는 양자점 검사 용액을 사용하므로 균열의 존재 유무를 보다 정밀하게 검사할 수 있다.In addition, since the structure crack inspection method of the present invention uses a quantum dot inspection solution that can easily penetrate from the coarse crack to the fine crack of the building structure, it is possible to inspect the presence of cracks more precisely.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법의 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 사용되는 양자점 물질의 다이아그램을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 사용되는 양자점 물질의 TEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 사용되는 양자점 검사 용액의 PL 및 흡수 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 사용되는 양자물질이 분산된 용액에 적외선 조사시 발광 상태를 나타내는 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 대한 공정 모식도이다.
도 7은 균열이 존재하는 시멘트 블록에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법을 이용하여 균열의 존재 여부를 조사한 사진이다.1 is a process chart of the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a diagram of the quantum dot material used in the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention.
3 is a TEM photograph of a quantum dot material used in the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a PL and absorption graph of the quantum dot inspection solution used in the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a photograph showing a light emission state when infrared radiation is irradiated to a solution in which a quantum material is used for the structure crack inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a process schematic diagram for the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a photograph of the presence of cracks for the cement block having a crack using the structure crack test method according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 대하여 설명한다. First, the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법은, 도 1 및 도 2를 참조하면, 양자점 검사 용액 주입 단계(S20) 및 자외선 광 조사 단계(S30)를 포함한다. 또한, 상기 구조물 균열 검사 방법은 양자점 검사 용액 제조 단계(S10)를 더 포함할 수 있다.Structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention, referring to Figures 1 and 2, includes a quantum dot inspection solution injection step (S20) and ultraviolet light irradiation step (S30). In addition, the structure crack test method may further include a quantum dot inspection solution manufacturing step (S10).
상기 구조물 균열 검사 방법은 양자점 물질과 물이 혼합된 양자점 검사 용액을 구조물에 분사한 후에 자외선 광을 조사하여 양자점 검사 용액의 발광 여부를 확인하여 구조물에 균열이 존재하는지 여부를 검사한다. 여기서, 구조물은 시멘트를 주성분으로 하는 빌딩 구조물, 교각 구조물, 댐 구조물 또는 보도 구조물과 같은 다양한 건축 구조물일 수 있다.In the structure crack test method, a quantum dot test solution in which water and a quantum dot material are mixed is sprayed onto the structure and irradiated with ultraviolet light to check whether the quantum dot test solution emits light and examines whether there is a crack in the structure. Herein, the structure may be various building structures such as a cement-based building structure, a pier structure, a dam structure, or a sidewalk structure.
상기 양자점 검사 용액 제조 단계(S10)는 친수성의 양자점 물질을 물과 혼합하여 양자점 검사 용액을 제조하는 단계이다. 상기 양자점 검사 용액은 양자점 물질과 물을 소정 중량비로 혼합하여 제조한다. 상기 양자점 물질은 양자점 검사 용액의 전체 중량을 기준으로 50 ∼ 90중량비로 혼합될 수 있다. 상기 양자점 검사 용액은 검사하고자 하는 균열의 폭, 균열이 깊이등에 따라 적정한 중량비로 양자점 물질을 포함할 수 있다. 상기 양자점 검사 용액은 양자점 물질의 함량이 너무 작으면, 발광물질이 적어져 균열의 시각적인 판별이 어려울 수 있다. 또한, 상기 양자점 검사 용액은 양자점 물질의 함량이 너무 많으면 검사 비용이 증가하고 미세한 균열에서 발광 정도가 심하여 균열에 대하여 시각적으로 판별이 어려울 수 있다.The quantum dot inspection solution manufacturing step (S10) is a step of preparing a quantum dot inspection solution by mixing a hydrophilic quantum dot material with water. The quantum dot inspection solution is prepared by mixing the quantum dot material and water in a predetermined weight ratio. The quantum dot material may be mixed in a 50 to 90 weight ratio based on the total weight of the quantum dot inspection solution. The quantum dot inspection solution may include a quantum dot material in an appropriate weight ratio depending on the width of the crack to be inspected, the depth of the crack. When the content of the quantum dot inspection solution is too small, it may be difficult to visually determine the crack due to less light emitting material. In addition, the quantum dot inspection solution may be difficult to visually determine the crack because the inspection cost increases if the content of the quantum dot material is too much and the degree of luminescence in the minute crack is severe.
상기 양자점 물질은 II-VI, III-V, I-III-VI 양자점 물질을 포함할 수 있다. 상기 양자점 물질은 Cd, Zn, S, Te, Se, In, P, Ga, As, Cu 및 Ag을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 양자점 물질은 필요로 하는 발광색에 따라 적정한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 양자점 물질은 예를 들면, 녹색 발광을 위해 CdZnSeS 양자점 물질을 포함할 수 있고, 적색 발광을 위해 CdSe 양자점 물질을 포함할 수 있다.The quantum dot material may include II-VI, III-V, and I-III-VI quantum dot materials. The quantum dot material may include at least one material selected from the group consisting of Cd, Zn, S, Te, Se, In, P, Ga, As, Cu, and Ag. The quantum dot material may include an appropriate material according to the emission color required. For example, the quantum dot material may include, for example, CdZnSeS quantum dot material for green light emission, and may include CdSe quantum dot material for red light emission.
상기 양자점 물질은, 도 2를 참조하면, CdZnSeS@ZnS을 포함할 수 있다. 상기 CdZnSeS@ZnS는 표면의 리간드(ligand) 변환을 통하여 친수성의 특성을 가질 수 있다. 상기 CdZnSeS@ZnS은 아래와 같은 과정을 통하여 합성될 수 있다. 예를 들면, Cd acetate와 Zn oxide 와 oleic acid (OA)를 소정 비율로 혼합하여 1차 용액을 만든다. 여기서, 1차 용액은 Cd acetate를 0.10 ∼ 0.20mmol로, Zn oxide를 3.0 ∼ 4.0mmol로, oleic acid (OA)를 5 ∼ 10mL로 혼합하여 제조할 수 있다. 상기 1차 용액을 N2가스를 흘리면서 120 ∼160℃에서 가열한다. 다시 1차 용액에 1-octadecene를 10 ∼ 20mL로 혼합하여 2차 용액을 제조한다. 상기 2차 용액을 다시 300 ∼320℃에서 가열한다. 한편, Se와 S를 trioctylphosphine(TOP)에 용해하여 TOP 용액을 제조한다. 여기서 TOP 용액은 Se를 2.0 ∼ 2.5mmol로, S를 2.0 ∼ 2.5mmol로, trioctylphosphine(TOP)를 2.0 ∼ 2.5mL로 혼합하여 제조한다. 상기 TOP 용액을 2차 용액에 분사하고 300 ∼320℃에서 5 ∼ 20분동안 유지하여 3차 용액을 제조한다. 상기 3차 용액에 S-ODE 용액을 도입하고 300 ∼320℃에서 10 ∼ 20분동안 유지하여 4차 용액을 제조한다. 상기 S-ODE 용액은 S를 ODE에 용해하여 제조한다. 상기 S-ODE용액은 S를 2.0 ∼ 2.5mmol로, ODE를 2.0 ∼ 3.0mmol로 혼합하여 제조한다. 상기 4차 용액에 Zn 스택(stack) 용액을 도입하고 250 ∼300℃로 유지하여 5차 용액을 제조한다. 상기 Zn 스택 용액은 OA 2.0 ∼ 6.0mL와 ODE 0.5 ∼ 2.0 mL에 Zn acetate dihydrate 2.5 ∼ 3.0mmol를 혼합하여 제조한다. 상기 5차 용액에 S-TOP 용액을 방울로 도입하여 6차 용액을 제조한다. 상기 S-TOP 용액은 TOP 3.0 ∼ 7.0mL에 S를 9 ∼ 3.0mmol로 혼합하여 제조한다. 상기 6차 용액은 250 ∼ 300℃에서 10 ∼ 30분동안 유지한다. 상기 6차 용액은 합성된 CdZnSeS@ZnS를 포함한다. 상기 6차 용액에 과도한 에탄올을 주입하여 CdZnSeS@ZnS 입자를 침전시킨다. 상기 CdZnSeS@ZnS 입자는 헥산과 에탄올이 혼합된 용제를 사용하여 반복적으로 세정한다. 상기 용제는 헥산과 에탄올이 대략 1:4의 부피비로 혼합될 수 있다. 상기 CdZnSeS@ZnS는 클로로폼(chloroform)에 분산시켜 분산 용액을 제조한다. 상기 분산 용액에 mercaptopropionic acid (MPA)를 1.0 ∼ 5.0mL로 혼합하고 20 ∼ 40분동안 초음파 처리하여 7차 용액을 제조한다. 상기 7차 용액에 포함된 CdZnSeS@ZnS는, 도 3에서 보는 바와 같이 표면이 소수성에서 친수성으로 리간드 변환된다. 상기 7차 용액에 과도한 아세톤을 주입하고 원심 분리를 통하여 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질을 분리한다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은 sodium tetraborate buffer solution (pH=9)와 acetone 이 1: 4로 혼합된 용액으로 반복적으로 세척하여 양자점 물질로 된다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질을 물에 분산시켜 양자점 검사 용액을 제조한다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은 친수성으로 리간드 변환된 상태이므로 물에 잘 분산될 수 있다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은, 도 2를 참조하면, 중심의 composition gradient-core와 organic ligands의 thick-outer shell로 형성된다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은, 도 3을 참조하면, ZnS shell가 1.6nm이며, 리간드 변환과 같은 외부 환경에 대하여 안정성이 증가된다. 도 3은 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질에 대하여 (a)에서 (c)로 갈수록 배율을 증가시켜 촬영한 TEM사진이다.2, the quantum dot material may include CdZnSeS @ ZnS. The CdZnSeS @ ZnS may have hydrophilicity through ligand conversion on its surface. The CdZnSeS @ ZnS may be synthesized through the following process. For example, Cd acetate, Zn oxide, and oleic acid (OA) are mixed at a predetermined rate to form a primary solution. Here, the primary solution may be prepared by mixing Cd acetate in 0.10 to 0.20 mmol, Zn oxide in 3.0 to 4.0 mmol, and oleic acid (OA) in 5 to 10 mL. The primary solution is heated at 120 to 160 ° C. while flowing N 2 gas. Again, 1-octadecene was mixed with 10-20 mL in the primary solution to prepare a secondary solution. The secondary solution is heated again at 300 to 320 ° C. Meanwhile, Se and S are dissolved in trioctylphosphine (TOP) to prepare a TOP solution. The TOP solution is prepared by mixing Se at 2.0 to 2.5 mmol, S at 2.0 to 2.5 mmol, and trioctylphosphine (TOP) at 2.0 to 2.5 mL. The TOP solution is sprayed onto the secondary solution and maintained at 300 to 320 ° C. for 5 to 20 minutes to prepare a tertiary solution. S-ODE solution was introduced into the tertiary solution and maintained at 300 to 320 ° C. for 10 to 20 minutes to prepare a fourth solution. The S-ODE solution is prepared by dissolving S in ODE. The S-ODE solution is prepared by mixing S to 2.0 to 2.5 mmol and ODE to 2.0 to 3.0 mmol. A Zn stack solution was introduced into the fourth solution and maintained at 250 to 300 ° C. to prepare a fifth solution. The Zn stack solution is prepared by mixing Zn acetate dihydrate 2.5 to 3.0 mmol in OA 2.0 to 6.0 mL and ODE 0.5 to 2.0 mL. S-TOP solution is introduced into the fifth solution as a drop to prepare a sixth solution. The S-TOP solution is prepared by mixing S with 9 to 3.0 mmol in TOP 3.0 to 7.0 mL. The sixth solution is maintained at 250 to 300 ° C. for 10 to 30 minutes. The sixth solution contains synthesized CdZnSeS @ ZnS. Excess ethanol is injected into the sixth solution to precipitate CdZnSeS @ ZnS particles. The CdZnSeS @ ZnS particles are repeatedly washed using a solvent in which hexane and ethanol are mixed. The solvent may be mixed hexane and ethanol in a volume ratio of approximately 1: 4. The CdZnSeS @ ZnS is dispersed in chloroform to prepare a dispersion solution. Mercaptopropionic acid (MPA) was mixed with the dispersion solution at 1.0 to 5.0 mL and sonicated for 20 to 40 minutes to prepare a seventh solution. CdZnSeS @ ZnS included in the seventh solution has a ligand-converted surface from hydrophobic to hydrophilic as shown in FIG. 3. Excessive acetone is injected into the seventh solution and centrifuged to separate the CdZnSeS @ ZnS quantum dot material. The CdZnSeS @ ZnS quantum dot material is repeatedly washed with a solution of sodium tetraborate buffer solution (pH = 9) and acetone 1: 4 to form a quantum dot material. The CdZnSeS @ ZnS quantum dot material is dispersed in water to prepare a quantum dot inspection solution. Since the CdZnSeS @ ZnS quantum dot material is in a ligand-transformed state to be hydrophilic, it may be well dispersed in water. 2, the CdZnSeS @ ZnS quantum dot material is formed of a thick-outer shell of a central composition gradient-core and organic ligands. Referring to FIG. 3, the CdZnSeS @ ZnS quantum dot material has a ZnS shell of 1.6 nm and has increased stability to an external environment such as ligand conversion. 3 is a TEM photograph taken with increasing magnification with respect to CdZnSeS @ ZnS quantum dot material from (a) to (c).
상기 양자점 물질에 대하여, 도 4에서 보는 바와 같이, UV-visible absorption spectroscopy(Shimadzu, UV-2450)를 이용하여 흡수도를 평가하였다. 또한, 상기 양자점 물질에 대하여, 도 4에서와 같이 500 W Xe lamp-equipped spectrophotometer (PSI Co. Ltd., Darsa Pro-5200)를 이용하여 PL emission spectra를 측정하였다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질에 대한 relative PL QY는 absolute QY of ~58%를 가지는 reference dye solution of coumarin-153을 기준으로 산출하였다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은 peak wavelength가 525nm로 high-quality fluorescent features를 가지며, photoluminescent (PL) bandwidth가 21nm이며, 73%의 PL quantum yield를 가진다.For the quantum dot material, as shown in Figure 4, the absorbance was evaluated using UV-visible absorption spectroscopy (Shimadzu, UV-2450). In addition, the PL emission spectra was measured using a 500 W Xe lamp-equipped spectrophotometer (PSI Co. Ltd., Darsa Pro-5200) as shown in FIG. 4. The relative PL QY for the CdZnSeS @ ZnS quantum dot material was calculated based on a reference dye solution of coumarin-153 having an absolute QY of ˜58%. The CdZnSeS @ ZnS quantum dot material has high-quality fluorescent features with a peak wavelength of 525 nm, a photoluminescent (PL) bandwidth of 21 nm, and a PL quantum yield of 73%.
상기 양자점 검사 용액은, 도 5를 참조하면, 친수성을 가지며, 물에 안정적으로 분산되고 클로로폼과 같은 유기물을 배척한다. 상기 CdZnSeS@ZnS 양자점 물질은 물에 뭉치지 않고 안정적으로 분산된다.The quantum dot inspection solution, with reference to FIG. 5, is hydrophilic, stably dispersed in water, and rejects organics such as chloroform. The CdZnSeS @ ZnS quantum dot material is stably dispersed without aggregation in water.
상기 양자점 검사 용액 주입 단계(S20)는 양자점 검사 용액을 구조물의 균열 내부로 주입하는 단계이다. 상기 양자점 검사 용액은 친수성의 양자점 물질을 포함할 수 있다. 상기 양자점 검사 용액은 주사형 액체 주입기, 건형 액체 주입기, 아스피레이터, 액체 디스펜서, 깔대기 또는 스포이드중에서 어느 하나를 사용하여 균열 내부로 주입될 수 있다. 상기 양자점 검사 용액은 구조물에서 검사가 필요한 표면에 주입될 수 있다. 상기 양자점 검사 용액은 구조물에서 균열이 발생된 위치에 주입될 수 있다. 상기 구조물은 균열이 형성된 위치를 수직으로 절단한 상태에서 양자점 검사 용액이 주입될 수 있다. 한편, 상기 양자점 검사 용액을 이용하여 구조물의 표면에 형성되는 균열을 검사하는 경우에, 구조물의 표면에 잔존하는 양자점 검사 용액을 제거될 수 있다.The quantum dot inspection solution injection step (S20) is a step of injecting the quantum dot inspection solution into the crack of the structure. The quantum dot inspection solution may include a hydrophilic quantum dot material. The quantum dot inspection solution may be injected into the crack using any one of an injectable liquid injector, a dry liquid injector, an aspirator, a liquid dispenser, a funnel or an eye dropper. The quantum dot inspection solution may be injected into the surface in need of inspection in the structure. The quantum dot inspection solution may be injected at a location where a crack occurs in the structure. The structure may be injected with a quantum dot inspection solution in a state in which the crack is formed vertically cut. On the other hand, when inspecting the cracks formed on the surface of the structure using the quantum dot inspection solution, the quantum dot inspection solution remaining on the surface of the structure can be removed.
상기 자외선 광 조사 단계(S30)는 양자점 검사 용액이 주입된 구조물의 균열 영역에 자외선 광을 조사하는 단계이다. 상기 자외선 광은 자외선 램프를 이용하여 조사될 수 있다. 상기 구조물의 균열 영역에 자외선 광이 조사되면 스며든 양자점 검사 용액의 양자점 물질이 발광하여 구조물의 균열의 모양을 확인할 수 있도록 한다.The ultraviolet light irradiation step (S30) is a step of irradiating the ultraviolet light to the crack region of the structure injected with the quantum dot inspection solution. The ultraviolet light may be irradiated using an ultraviolet lamp. When ultraviolet light is irradiated to the crack region of the structure, the quantum dot material of the quantum dot inspection solution soaked may emit light to check the shape of the structure crack.
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 대한 구체적인 실시예를 설명한다.The following describes a specific embodiment of the structure crack test method according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법에 대한 공정 모식도이다. 도 7은 균열이 존재하는 시멘트 블록에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 구조물 균열 검사 방법을 이용하여 균열의 존재 여부를 조사한 사진이다. 6 is a process schematic diagram for the structure crack inspection method according to an embodiment of the present invention. Figure 7 is a photograph of the presence of cracks for the cement block having a crack using the structure crack test method according to an embodiment of the present invention.
먼저, 시멘트와 플라이애쉬, 실리카 모래, 유동화제, 물을 1: 0.43:5:0.013:0.93의 중량비로 혼합하여 시멘트 몰탈을 제조하고, 40 cm x 40 cm x 160 cm 형상의 몰드로 성형하였다. 다음으로 직경이 1 mm이고 Ni-50.47%, Ti-49.53%의 조성을 가지는 SMA(shape memory alloy) wire를 길이 5 mm로 잘라 준비하고 시멘트 몰탈 부피의 3 vol%만큼 혼합하고 양생하였다. 양생이 완료된 시멘트 블록에 3 point bending test를 진행하여 시멘트 블록에 균열을 생성하였다. First, cement mortar was prepared by mixing cement with fly ash, silica sand, a glidant, and water in a weight ratio of 1: 0.43: 5: 0.013: 0.93, and molded into a mold having a shape of 40 cm x 40 cm x 160 cm. Next, a SMA (shape memory alloy) wire having a diameter of 1 mm and having a composition of Ni-50.47% and Ti-49.53% was cut to 5 mm in length, mixed and cured by 3 vol% of the cement mortar volume. A crack was generated in the cement block by performing a 3 point bending test on the cured cement block.
다음으로, CdZnSeS@ZnS 양자점 물질을 포함하는 양자점 검사 용액을 시멘트 블록의 표면에 주입하고 일정 시간을 두어 양자점 용액이 균열에 충분히 스며들 수 있도록 하였다. 양자점 검사 용액은 다음과 같이 제조하였다. 3-neck flask에 Zn oxide 3.41 mmol과 Cadmium acetate hydrate 0.143 mmol을 넣고Oleic acid(OA) 7 mL와 혼합시킨다. 이 혼합물의 온도가 150℃가 되었을 때, 1-octadecene(ODE) 15 mL을 첨가한 후 310℃까지 가열시킨다. 이와 동시에 Se 2.2 mmol과 S 2.2 mmol을 Trioctylphosphine(TOP) 2.2 mL에 녹여서 준비한다. 준비된 (Se+S)-TOP 용액 2.2 mL을 3-neck flask 내의 용액에 빠르게 주입한다. 이 용액을 310℃에서 10분 동안 유지하면 CdSe@ZnS 양자점이 합성된다. 이후 Sulfur 1.6 mmol이 녹아있는 ODE 용액 2.4 mL를 주입하고 310℃에서 12분 동안 반응을 진행한다. 그 다음, Zn acetate dihydrate 2.86 mmol을 OA 1 mL와 ODE 4 mL에 혼합하여 3-neck flask에 주입한 후 270℃에서 10분 유지한다. 마지막으로 Sulfur 9.65 mmol을 TOP 5 mL에 녹인 용액을 0.5 mL/min 속도로 천천히 주입하여 270℃에서 20분 유지하면 CdSe@ZnS 양자점 위에 ZnS 쉘이 형성된다. 합성이 끝난 용액에 과량의 Ethanol을 첨가하여 원심분리를 진행하면 CdSe@ZnS/ZnS 양자점만을 얻을 수 있다. 이를 Hexane에 분산하고 원액:Ethanol 비율을 1:4로 첨가한 후 원심분리를 하여 washing을 반복 진행한다. Washing이 끝난 양자점 물질을 chloroform 9 mL에 분산하고, Mercaptopropionic acid(MPA) 3 mL를 첨가하여 Sonication을 30분 진행한다. 그 다음, 용액의 부피 대비 4배의 Acetone을 첨가한 후 원심분리하여 양자점 물질만을 얻는다. 얻어진 양자점 물질은 pH 9 buffer solution에 분산하여, 용액:Acetone 비율을 1:4로 하여 원심 분리를 반복 진행한다. 최종적으로 얻어진 양자점 물질은 MPA를 ligand로 가지고 있어서 DI water에 잘 분산된다. Next, a quantum dot inspection solution containing a CdZnSeS @ ZnS quantum dot material was injected into the surface of the cement block and allowed a certain time to allow the quantum dot solution to sufficiently penetrate the crack. Quantum dot inspection solution was prepared as follows. 3.41 mmol of Zn oxide and 0.143 mmol of Cadmium acetate hydrate were added to a 3-neck flask and mixed with 7 mL of oleic acid (OA). When the temperature of the mixture reached 150 ° C., 15 mL of 1-octadecene (ODE) was added and heated to 310 ° C. At the same time, 2.2 mmol of Se and 2.2 mmol of S are prepared by dissolving in 2.2 mL of Trioctylphosphine (TOP). 2.2 mL of the prepared (Se + S) -TOP solution is rapidly injected into the solution in a 3-neck flask. The solution was held at 310 ° C. for 10 minutes to synthesize CdSe @ ZnS quantum dots. Thereafter, 2.4 mL of an ODE solution containing 1.6 mmol of sulfur was injected, and the reaction was performed at 310 ° C. for 12 minutes. Then, 2.86 mmol of Zn acetate dihydrate was mixed with 1 mL of OA and 4 mL of ODE, injected into a 3-neck flask, and maintained at 270 ° C. for 10 minutes. Finally, a solution of 9.65 mmol of sulfur in 5 mL of TOP was slowly injected at a rate of 0.5 mL / min and held at 270 ° C. for 20 minutes to form a ZnS shell on CdSe @ ZnS quantum dots. Centrifugation with excess Ethanol added to the finished solution yields only CdSe @ ZnS / ZnS quantum dots. This was dispersed in Hexane, and the stock solution: Ethanol ratio was added 1: 4, followed by centrifugation and washing was repeated. Dissolve the washed quantum dot material in 9 mL of chloroform, and add 3 mL of Mercaptopropionic acid (MPA) for 30 minutes. Next, add Acetone 4 times the volume of the solution and centrifuge to obtain only the quantum dot material. The obtained quantum dot material is dispersed in a pH 9 buffer solution, and centrifugation is repeated with a solution: Acetone ratio of 1: 4. Finally, the obtained quantum dot material has MPA as a ligand and is well dispersed in DI water.
그 후 자외선 램프를 시멘트 블록에 조사하였다. 도 7(a)에서 보는 바와 같이, 양자점 검사 용액이 주입되기 전에는 자외선 광이 조사되어도 발광 현상이 나타나지 않고 있으나, 도 7(b)에서 보는 바와 같이 양자점 검사 용액이 주입된 경우에 균열의 형상에 다라 발광 현상이 나타나고 있어 균열의 모양을 시각적으로 용이하게 확인할 수 있다. The ultraviolet lamp was then irradiated onto the cement block. As shown in FIG. 7 (a), the light emitting phenomenon does not occur even when ultraviolet light is irradiated before the quantum dot inspection solution is injected. However, as shown in FIG. The light emission phenomenon is appearing, so the shape of the crack can be easily visually confirmed.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 구조물 균열 검사 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the structure cracking inspection method according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, the subject matter of the present invention as claimed in the following claims Without departing from the scope of the present invention, any person having ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
Claims (9)
상기 양자점 검사 용액을 구조물의 균열 내부로 주입하는 양자점 검사 용액 주입 단계 및
상기 양자점 검사 용액이 주입된 상기 구조물의 균열에 자외선 광을 조사하는 자외선 광 조사 단계를 포함하며,
상기 구조물은 빌딩 구조물, 교각 구조물, 댐 구조물 또는 보도 구조물을 포함하는 건축 구조물인 것을 특징으로 하는 구조물 균열 검사 방법.A quantum dot inspection solution preparing step of preparing a quantum dot inspection solution by mixing a quantum dot material including a hydrophilic CdZnSeS @ ZnS material with water,
A quantum dot inspection solution injection step of injecting the quantum dot inspection solution into the crack of the structure;
UV light irradiation step of irradiating ultraviolet light to the crack of the structure is injected the quantum dot inspection solution,
The structure is a structure crack inspection method, characterized in that the building structure including a building structure, bridge structure, dam structure or sidewalk structure.
상기 양자점 물질은 리간드 변환을 통하여 친수성을 가지는 것을 특징으로 하는 구조물 균열 검사 방법.The method of claim 1,
The quantum dot material is a structure crack test method characterized in that having a hydrophilic through the ligand conversion.
상기 양자점 물질은 상기 양자점 검사 용액의 전체 중량을 기준으로 50 ∼ 90중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 구조물 균열 검사 방법.The method of claim 1,
The quantum dot material is a structure crack inspection method, characterized in that the mixture of 50 to 90% by weight based on the total weight of the quantum dot inspection solution.
상기 양자점 검사 용액은 주사형(needle type) 액체 주입기, 건형(gun type) 액체 주입기, 아스피레이터, 깔대기, 액체 디스펜서, 스포이드 중 하나를 선택하여 균열 내부에 주입되는 것을 특징으로 하는 구조물 균열 검사 방법.The method of claim 1,
The quantum dot inspection solution is a structure crack inspection method characterized in that the injection of the injection (needle type liquid injector, gun type (injector type) liquid injector, aspirator, funnel, liquid dispenser, the dropper is injected into the crack) .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180000170A KR102050363B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Crack Inspection Method of Structural Material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180000170A KR102050363B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Crack Inspection Method of Structural Material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190082502A KR20190082502A (en) | 2019-07-10 |
| KR102050363B1 true KR102050363B1 (en) | 2019-12-02 |
Family
ID=67255115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180000170A KR102050363B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Crack Inspection Method of Structural Material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102050363B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004020447A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Osaka Gas Co Ltd | Surface defect detecting method |
| JP2011507001A (en) | 2007-12-17 | 2011-03-03 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Method for detecting defects in polymer surfaces coated with inorganic materials |
| CN103901003A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 华东理工大学 | Method for detecting and monitoring cracks of mechanical parts by utilizing fluorescent quantum dots |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104272092B (en) * | 2012-05-04 | 2016-06-29 | 纳米技术有限公司 | The method of the defect in use quantum dots characterization gas barrier film |
-
2018
- 2018-01-02 KR KR1020180000170A patent/KR102050363B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004020447A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Osaka Gas Co Ltd | Surface defect detecting method |
| JP2011507001A (en) | 2007-12-17 | 2011-03-03 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Method for detecting defects in polymer surfaces coated with inorganic materials |
| CN103901003A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 华东理工大学 | Method for detecting and monitoring cracks of mechanical parts by utilizing fluorescent quantum dots |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190082502A (en) | 2019-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Luminescent transparent wood | |
| US20190051779A1 (en) | Colorless luminescent solar concentrators using colloidal semiconductor nanocrystals | |
| CN109438727B (en) | Fluorescent response self-healing hydrogel and preparation method thereof | |
| KR102050363B1 (en) | Crack Inspection Method of Structural Material | |
| CN108526699A (en) | A kind of optical machining system of perovskite monocrystalline and application | |
| CN107017549B (en) | Liquid crystal photon crystal optical fiber random laser device and preparation method thereof | |
| Miluski et al. | Luminescent properties of Tb 3+-doped poly (methyl methacrylate) fiber | |
| Doménech-Carbó et al. | Application of focused ion beam-field emission scanning electron microscopy-X-ray microanalysis in the study of the surface alterations of archaeological tin-glazed ceramics | |
| Cadelano et al. | Photoexcitations and emission processes in organometal trihalide perovskites | |
| Tang et al. | Study on strength and permeability of silt soils improving by Tung oil and sticky Rice juice | |
| WO2017064094A1 (en) | Oil-, wax- or fat-based anti-corrosion composition for a metal structure, especially for pre-stressing steel | |
| WO2016166164A1 (en) | Optoelectronic device with a mixture having a silicone and a fluoro-organic additive | |
| Kim et al. | Crack monitoring in shape memory alloy/cement composite materials using water-dispersed quantum dots | |
| Okamoto et al. | White-light lasing in ZnO microspheres fabricated by laser ablation | |
| CH713538A1 (en) | Procedure for tracing a gemstone. | |
| EP2962998B1 (en) | Lenses and lighting systems for tunnels | |
| CN108103578A (en) | The preparation method of counter opal structure silver sulfide photonic crystal | |
| Camarda et al. | Effect of thermal annealing on the luminescence of defective ZnO nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation in water | |
| Zvaigzne et al. | Influence of surface ligands on the luminescent properties of cadmium selenide quantum dots in a polymethylmethacrylate matrix | |
| Lisitsyn et al. | Nanodefect substructures in crystal phosphors | |
| DE60130197T2 (en) | CONTROLLABLE PHOTON SOURCE WITH LOW PHOTON EMISSION | |
| DE10014723A1 (en) | Device for producing three dimensional photonic crystals made from silicon comprises producing a two dimensional photonic macrophotonic macropore crystals with built-in defects, and etching a microporous sequence of layers | |
| Zanazzi et al. | Radiation-induced optical change of ion-irradiated CdSeS/ZnS core-shell quantum dots embedded in polyvinyl alcohol | |
| CN107221837A (en) | A kind of preparation method of the micro- disk of water droplet method colloid quantum dot | |
| CN107829143A (en) | The preparation method of counter opal structure silver sulfide photonic crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |