KR102044454B1 - 양자점 방식의 방사선 계측기 - Google Patents
양자점 방식의 방사선 계측기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102044454B1 KR102044454B1 KR1020170143434A KR20170143434A KR102044454B1 KR 102044454 B1 KR102044454 B1 KR 102044454B1 KR 1020170143434 A KR1020170143434 A KR 1020170143434A KR 20170143434 A KR20170143434 A KR 20170143434A KR 102044454 B1 KR102044454 B1 KR 102044454B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum dot
- radiation
- substrate
- dot structure
- sensor material
- Prior art date
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- -1 CZT compound Chemical class 0.000 abstract description 7
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001959 radiotherapy Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/1611—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources sequentially
- G01T1/1614—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources sequentially with semiconductor detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/026—Semiconductor dose-rate meters
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
본 발명은 방사선 센서에 관한 것이다. 그러한 방사선 센서는 센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하며, 센서물질(3)은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)으로 구성된 SiCdZn 화합물층이 양자점 구조로 적층되거나, 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 텔레늄(Te)으로 구성된 CZT 화합물층이 양자점 구조로 적층되거나, NaI(Tl) 형광체를 양자점 구조로 적층하여 방사선을 감지할 수 있다.
Description
본 발명은 양자점을 소재로 한 방사선 계측기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 SiCdZn 화합물, CZT 화합물, NaI(Tl)를 양자점 구조의 반도체 화합물로 제조함으로써 방사선을 검출할 수 있는 방사선 계측기에 관한 것이다.
일반적으로, 방사선 센서는 원자력 산업에서 원자력 발전소, 입자 가속기, 방사성 동위원소 생산 및 취급기관, 원자력 관련 연구소 등과 같은 시설들의 안전을 위한 방사선 계측에 사용되고 있다. 또한 의료 산업에서 방사선 치료 시 환자의 개인 선량을 측정하는 데 사용되고 있으며, 물성 특성 및 비파괴 검사와 같은 학술 분야에서 연구용으로 널리 이용되고 있다.
그리고, 방사선 센서 종류로는, 직접 전리 방식에 의한 방사선 측정과, 간접 전리 방식에 의한 방사선 측정 방법이있고, 측정은 분광법, 선량 측정법, 영상 측정 방법, 광섬유를 이용한 선량 측정 방법이 개발되고 있다.
이러한 방사선 센서는 주로 HPGe, NaI(Tl), CZT 방식으로 구분된다.
먼저 HPGe 방식 검출기는 고순도 게르마늄(HPGe)을 이용한 검출기 시스템으로 분해능력이 우수해 정확한 분석 결과를 보여준다. 다만 반도체 물질인 게르마늄의 물리적 특성 때문에 사용 전 반드시 일정기간 냉각을 해야 한다. 이 때문에 냉각용 질소를 담을 수 있는 용기가 필요하고 관련 설비가 크고 많아서 휴대형으로 만들기 어렵다.
또한, NaI(Tl) 방식은 미량의 탈륨(Tl)을 함유하는 요오드화나트륨(NaI)의 결정으로 된 검출기로 크기가 작아 휴대성이 좋은 것이 장점이다. 다만 상온에서 온도 등 외부 요인에 영향을 많이 받고, 방사선 에너지 분석 능력이 떨어지는 것이 흠이어서 정밀한 측정이 요구되는 곳에서는 사용하지 않는다.
그리고, CZT 센서물질을 이용한 검출기는 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 텔레늄(Te)의 3가지 원소가 합성된 반도체 화합물을 이용하여 방사선을 전기적 신호로 변환시켜 검출하는 장치이다.
이러한 CZT 검출기는 상온에서 별도의 냉각장치 없이도 센서로서 작동될 수 있어 소형화가 가능하다. 특히 실리콘(Si) 반도체 센서물질 보다 반응 효율이 2배 높은 장점이 있다.
또한, CZT 방식은 고밀도와 적정한 에너지 밴드 갭(band gap), 상온 반도체라는 장점을 가지고 있지만 단일 화합물의 크기에 한계가 있어 검출 물질의 부피가 작다 보니 계측 효율이 낮고 결국은 장시간의 측정 시간이 필요한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 SiCdZn 화합물, CZT 화합물, NaI(Tl)를 양자점 구조의 반도체 화합물로 제조함으로써 방사선을 검출할 수 있는 방사선 센서를 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는,
센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하는 방사선 센서로서, 센서물질(3)은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)으로 구성된 SiCdZn 화합물층이 양자점 구조로 적층되어 방사선을 감지할 수 있는 방사선 센서를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는,
센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하는 방사선 센서로서, 센서물질(3)은 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 텔레늄(Te)으로 구성된 CZT 화합물층이 양자점 구조로 적층되어 방사선을 감지할 수 있는 방사선 센서를 제공한다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예는,
센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하는 방사선 센서로서, 센서물질(3)은 NaI(Tl) 형광체를 양자점 구조로 적층하여 방사선을 감지할 수 있는 방사선 센서를 제공한다.
본 발명은 센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하는 방사선 센서로서, 센서물질(3)은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)으로 구성된 SiCdZn 화합물층이 양자점 구조로 적층되거나, 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 텔레늄(Te)으로 구성된 CZT 화합물층이 양자점 구조로 적층되거나, NaI(Tl) 형광체를 양자점 구조로 적층하여 방사선을 감지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 방식의 반도체 검출기 구조를 개략적으로 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 센서물질 및 PM튜브의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)원자가 양자점 구조의 화합물로 집적된 상태를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 센서물질 및 PM튜브의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)원자가 양자점 구조의 화합물로 집적된 상태를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 방식의 방사선 센서를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명이 제안하는 양자점(quantum dot) 방식의 방사선 계측기는 대기 중에 존재하는 베타선 및 감마선 방출 물질로부터 베타선이나 감마선을 측정한다.
이러한 방사선 계측기(1)는 센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)로 구성된다.
센서물질(3)은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)로 구성된 SiCdZn 화합물층이 양자점 구조로 적층됨으로써 고도로 픽셀화된다.
이때, 센서물질(3)이 양자점 구조로 적층되는 과정은 일반적인 양자점 형성과정과 같다.
즉, 기판 상에 실리콘 산화물이나 실리콘 나이트라이드와 같은 유전체 박막을 증착한 후, 양자점이 성장되어야 할 위치에 포토 리소그래피와 식각공정을 이용하여 유전체 박막 패턴을 형성한다.
그리고, 유전체 박막 패턴이 형성된 기판을 성장장치에 배치하고, 일반적인 CBE 성장방법을 따라서 기판을 열 세척한 후, 버퍼층과 장벽층을 순차적으로 성장시킨다.
그리고, 각 장벽층에 하나의 드롭렛(droplet)을 형성하고, 적절한 배기주기를 두어 분압을 낮춘 후, 사전에 1000 ℃ 정도의 온도로 사전 열분해한 아신(arsine)을 공급하여 드롭렛을 양자점으로 전환시킨다.
그리고, 양자점이 형성된 기판에 열처리를 실시하여 장벽층과 버퍼층을 성장시켜 보호층을 형성한다.
이와 같이 양자점 구조로 제조된 센서물질(3)은 표면에 고밀도 패턴의 픽셀 전하 컬렉터/전극을 갖추고 있다. 개별 픽셀의 컬렉터/전극은 픽셀 판독회로와 전기적으로 연통하고 있다. 이러한 센서물질(3)이 적층된 검출기는 입사하는 X선 또는 감마 방사선을 직접 전하로 변환하고 전하 신호를 픽셀의 전기 접점을 통해 판독회로로 전송한다.
상기에서는 양자점 구조의 SiCdZn 화합물층에 의하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 CZT 센서물질을 이용할 수도 있다. 즉, 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 텔레늄(Te)의 3가지 원소로 구성된 CZT 화합물을 양자점 구조로 제조할 수도 있다. 이러한 CZT 화합물로 구성된 센서물질은 감마선 측정에 사용된다.
그리고, NaI(Tl) 형광체인 경우 센서물질(3)로 NaI(Tl) 형광체를 써서 PM튜브에 연결하게 된다.
상기한 바와 같이, SiCdZn 화합물, CZT 화합물 등은 양자점 구조를 갖는 바, 양자점은 화학적 합성 공정을 통해 만드는 나노미터(nm=10억분의 1m) 크기 반도체 결정체를 의미하는 바, 양자점 화합물은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn) 원자가 수백~수천개 집적된 구조이다.
이러한 양자점 화합물은 내부의 전자들이 자외선 등의 에너지를 받으면 더 높은 에너지준위로 퀀텀점프(quantum jump,양자도약)하여 올라가게 되고, 다시 에너지를 방출하며 낮은 에너지준위로 떨어지게 되는 것을 반복한다.
특히 자외선을 쪼이면 같은 성분의 입자라도 입자의 크기에 따라 다양한 색을 나타낸다.
상기한 바와 같은 양자점 구조의 방사선 센서는 단결정을 용이하게 성장시킬 수 있어서 대면적의 반도체 검출기를 제조할 수 있다.
Claims (3)
- 센서물질(3)과, 광증배관(PM튜브;5)과, 증폭기(7)와, 채널분석기(9)와, 전원부(11)를 포함하는 방사선 계측기로서,
센서물질(3)은 규소(Si), 카트늄(Cd), 아연(Zn)으로 구성된 SiCdZn 화합물층이 양자점 구조로 적층되며,
양자점의 적층은, 기판 상에 유전체 박막을 증착한 후, 양자점이 성장되어야 할 위치에 포토 리소그래피와 식각공정을 이용하여 유전체 박막 패턴을 형성하고,
유전체 박막 패턴이 형성된 기판을 성장장치에 배치하고, 기판을 열 세척한 후, 버퍼층과 장벽층을 순차적으로 성장시키고,
각 장벽층에 하나의 드롭렛(droplet)을 형성하고, 배기주기를 두어 분압을 낮춘 후, 아신(arsine)을 공급하여 드롭렛을 양자점으로 전환시키고, 양자점이 형성된 기판에 열처리를 실시하여 장벽층과 버퍼층을 성장시켜 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 계측기. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170143434A KR102044454B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 양자점 방식의 방사선 계측기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170143434A KR102044454B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 양자점 방식의 방사선 계측기 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190048461A KR20190048461A (ko) | 2019-05-09 |
| KR102044454B1 true KR102044454B1 (ko) | 2019-11-14 |
Family
ID=66546064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170143434A KR102044454B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 양자점 방식의 방사선 계측기 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102044454B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021868A1 (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-18 | The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy | Glass matrix doped with activated luminescent nanocrystalline particles |
| JP2010522806A (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | シンチレータおよびその作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006343172A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Hitachi Ltd | コンピュータ断層撮影装置 |
| KR101410736B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-06-24 | 한국전기연구원 | 면 광원 일체형의 다층 구조를 가지는 디지털 엑스-선 영상 검출기 |
-
2017
- 2017-10-31 KR KR1020170143434A patent/KR102044454B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021868A1 (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-18 | The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy | Glass matrix doped with activated luminescent nanocrystalline particles |
| JP2010522806A (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | シンチレータおよびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190048461A (ko) | 2019-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cao et al. | Shining emitter in a stable host: design of halide perovskite scintillators for X-ray imaging from commercial concept | |
| Xu et al. | Detection of charged particles with a methylammonium lead tribromide perovskite single crystal | |
| Lucchini et al. | Effect of Mg2+ ions co-doping on timing performance and radiation tolerance of Cerium doped Gd3Al2Ga3O12 crystals | |
| He et al. | Sensitivity and detection limit of spectroscopic‐grade perovskite CsPbBr3 crystal for hard X‐ray detection | |
| JP6381638B2 (ja) | 半導体シンチレーション検出器 | |
| US20070085010A1 (en) | Scintillator with a matrix material body carrying nano-material scintillator media | |
| Chaudhuri et al. | Large Area ${\rm Cd} _ {0.9}{\rm Zn} _ {0.1}{\rm Te} $ Pixelated Detector: Fabrication and Characterization | |
| Bloser et al. | Scintillator gamma-ray detectors with silicon photomultiplier readouts for high-energy astronomy | |
| Sahani et al. | A comprehensive review on zinc oxide bulk and nano-structured materials for ionizing radiation detection and measurement applications | |
| JP2005024539A (ja) | 荷電粒子検出器およびそれを用いた検知装置 | |
| KR101648395B1 (ko) | 이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP6243578B1 (ja) | 直接変換放射線検出器 | |
| US11531124B2 (en) | Inorganic ternary halide semiconductors for hard radiation detection | |
| US20230107565A1 (en) | Micro-Structured Crystalline Radiation Detectors | |
| Ponpon | Semiconductor detectors for 2D X-ray imaging | |
| US10620325B2 (en) | Different radiation measuring sensor and manufacturing method thereof | |
| KR102044454B1 (ko) | 양자점 방식의 방사선 계측기 | |
| Kim et al. | Perovskite materials: from single crystals to radiation detection | |
| Hou et al. | Materials innovation and electrical engineering in X-ray detection | |
| Song et al. | Ultrabroad dynamic all-solid-state radiation dose detector based on a 0D Cs3Cu2I5 perovskite-like single crystal | |
| Syntfeld et al. | Comparison of a LaBr $ _ {3} $(Ce) scintillation detector with a large volume CdZnTe detector | |
| Hitomi et al. | Thallium bromide photodetectors for scintillation detection | |
| Bloser et al. | Balloon-flight test of a lanthanum bromide gamma-ray detector with silicon photomultiplier readout | |
| Ahmad et al. | Radioluminescence and scintillation properties of zinc doped with aluminum | |
| Baciak | Development of pixelated mercuric iodide radiation detectors for room temperature gamma-ray spectroscopy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20171031 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20181030 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20190826 Patent event code: PE09021S02D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20191106 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20191107 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20191107 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221207 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231106 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241209 Start annual number: 6 End annual number: 6 |