KR102036697B1 - MIMO System Comprising Manifold to Control Flow of Fluid Having Particles - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a MIMO system having a manifold, which is capable of controlling temperature and flow of fluid containing a particle generated in a semiconductor or display process, wherein each of the manifolds includes one supply pipe, one bypass pipe and two discharge pipes.

Description

입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 매니폴드를 포함하는 미모 시스템{MIMO System Comprising Manifold to Control Flow of Fluid Having Particles}MIMO System Comprising Manifold to Control Flow of Fluid Having Particles

본원 발명은 입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 매니폴드를 포함하는 미모(MIMO, Multiple Input Multi Output) 시스템에 관한 것으로서, 구체적으로 반도체 또는 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 온도 및 흐름을 제어할 수 있는 매니폴드를 포함하는 미모 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a multiple input multi output (MIMO) system comprising a manifold for controlling the flow of a fluid comprising particles, specifically including particles from industrial processes including semiconductor or display processes. The present invention relates to a beauty system including a manifold capable of controlling the temperature and flow of a fluid.

화학 물질을 이용한 공정들은 반응에 필요한 조건들을 미리 설정하고 공정에 필요한 물질을 이송하기 위한 배관을 연결함으로써 완성된다. 다양한 공정을 통해 원하는 물질을 얻을 수 있으나, 원치않는 부산물도 함께 형성된다. 입자 형태의 부산물은 배관에 누적 및 고화되고 심한 경우에는 배관을 막아 공정이 중단되는 문제를 일으킨다. 반도체 또는 디스플레이 생산 공정과 같이 이산화규소(SiO2) 미세 입자가 다량으로 발생하는 공정에 있어서 이러한 배관의 막힘(clogging)은 연속적인 공정의 운전에 큰 장애가 된다. 그 외에도 여러 산업 공정에서 입자에 발생에 의한 배관의 막힘은 계속적으로 발생하는 고질적인 문제였다.Processes using chemicals are completed by pre-setting the conditions necessary for the reaction and connecting the piping to transport the materials required for the process. Various processes can produce the desired material, but unwanted by-products are also formed. By-products in the form of particles accumulate and solidify in the piping and, in severe cases, block the piping and cause the process to stop. In a process in which a large amount of silicon dioxide (SiO 2 ) particles are generated, such as a semiconductor or display production process, clogging of the pipe becomes a major obstacle to the operation of the continuous process. In addition, in many industrial processes, clogging of pipes due to particle generation was a persistent problem.

상기와 같이 배관의 막힘이 자주 발생하는 경우, 연속적인 공정을 위한 해결책으로 다수의 공급관과 다수의 배출관을 마련하고 상기 다수의 공급관과 상기 다수의 배출관 사이에 다수의 밸브를 배치하여, 공급관 또는 배출관에서 막힘이 발생할 경우 상기 다수의 밸브를 사용하여 유체의 흐름을 우회하는 방법을 사용하고 있다. 배관의 막힘을 방지하기 위한 또 다른 해결 방법으로서 입자를 포함하는 유체의 온도를 높이는 방법을 사용하고 있다.In the case of frequent blockage of the pipe as described above, as a solution for the continuous process, a plurality of supply pipes and a plurality of discharge pipes are provided, and a plurality of valves are disposed between the plurality of supply pipes and the plurality of discharge pipes, so that the supply pipe or the discharge pipe In the case of blockage in the air, a plurality of valves are used to bypass the flow of fluid. Another solution to prevent clogging of the pipe is to increase the temperature of the fluid containing the particles.

도 1은 입자를 포함하는 유체를 공급하기 위한 미모(MIMO, Mulit Input Multi Output) 시스템 중 종래의 일 실시예를 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다. 도 1에 따른 미모 시스템은 4개의 공급관(110, 120, 130, 140)을 통해 입자를 포함하는 유체가 개별적으로 공급된다. 공급된 유체는 1번째 3-웨이 밸브(11, 12, 13, 14)를 통해서 제1유체처리기(31) 또는 제2유체처리기(32)로 직접 공급되거나, 2번째 3-웨이 밸브(15, 16, 17, 18)로 다시 연결되어 제2유체처리기(32) 또는 제1유체처리기(31)로 공급된다. 2번째 3-웨이 밸브(15, 16, 17, 18)에는 바이패스관(116, 126, 138, 148)이 마련되어 있다. 상기 도 1에 따른 시스템은 필요에 따라 상기 공급관, 상기 유체처리기의 수가 변경될 수 있다.FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional embodiment of a Mulit Input Multi Output (MIMO) system for supplying a fluid including particles using respective components. In the beauty system according to FIG. 1, fluids containing particles are individually supplied through four supply pipes 110, 120, 130, and 140. The supplied fluid is supplied directly to the first fluid processor 31 or the second fluid processor 32 through the first three-way valves 11, 12, 13, and 14, or the second three-way valve 15, 16, 17, and 18 are again connected to the second fluid processor 32 or the first fluid processor 31. The second three-way valves 15, 16, 17, and 18 are provided with bypass pipes 116, 126, 138, and 148. In the system according to FIG. 1, the number of the supply pipe and the fluid processor may be changed as necessary.

도 1에 따른 미모 시스템의 구체적인 작동방법은 다음과 같다. 공급관(110)에만 입자를 포함하는 유체가 공급된다. 상기 유체는 3-웨이 밸브(11)를 거쳐 제1유체처리기 배출관(112)으로 상기 유체를 공급한다. 공급된 유체는 제1유체처리기(31)에서 처리된 후 후단의 공정으로 공급된다. 만약 제1유체처리기 배출관(112)에 막힘이 발생하면 상기 유체를 3-웨이 밸브 연결관(114)를 통해 2번째 3-웨이 밸브(18)로 공급한다. 3-웨이 밸브(18)를 통해 제2유체처리기 배출관(118)을 통해서 제2유체처리기(32)로 유체를 공급한다. 만약 제2유체처리기 배출관(118)도 막히게 되면 공급관(110)을 통한 유체의 공급을 중단하거나 바이패스관(116)으로 바이패스 시킨다. 이후 공급관(120)을 통해서 유체를 공급한다. 이후에 상기와 같은 동일한 기작에 의해서 유체의 공급을 중단하지 않고 연속적으로 공급할 수 있다.Specific operation method of the beauty system according to Figure 1 is as follows. Only the supply pipe 110 is supplied with a fluid containing particles. The fluid supplies the fluid to the first fluid processor discharge pipe 112 via a three-way valve 11. The supplied fluid is processed in the first fluid processor 31 and then supplied to the subsequent process. If a blockage occurs in the first fluid processor discharge pipe 112, the fluid is supplied to the second 3-way valve 18 through the 3-way valve connecting pipe 114. The fluid is supplied to the second fluid processor 32 through the second fluid processor discharge pipe 118 through the 3-way valve 18. If the second fluid processor discharge pipe 118 is also blocked, the supply of fluid through the supply pipe 110 is stopped or bypassed to the bypass pipe 116. Thereafter, the fluid is supplied through the supply pipe 120. Thereafter, by the same mechanism as described above, it can be continuously supplied without interrupting the supply of fluid.

이러한 기작은 3-웨이 밸브가 11, 18, 12, 17, 13, 16, 14, 15 순으로 작동하게 할 수 도 있고, 각각 11-18, 12-17, 13-16, 14-15가 개별적으로도 운용될 수 있다. 이는 상기 미모 시스템의 배치, 유체의 필요한 공급량 등에 따라서 변경 가능하다. 도 1에서 유체처리기를 단수 또는 복수 개 변형하는 것도 상기 미모 시스템의 배치, 유체의 필요한 공급량 등에 따라서 변경 가능하다.This mechanism can cause the three-way valve to operate in the order of 11, 18, 12, 17, 13, 16, 14, 15, and 11-18, 12-17, 13-16, 14-15 respectively. It can also be operated. This can be changed depending on the arrangement of the beauty system, the required amount of fluid supplied, and the like. It is also possible to modify the singular or plural fluid processors in FIG. 1 according to the arrangement of the beauty system, the required supply amount of the fluid, and the like.

도 1에 따른 종래의 미모 시스템은 아래와 같은 다양한 문제점을 가지고 있다. 다수의 밸브를 사용함으로 인한 많은 공간적 문제, 경제적 문제를 유발한다. ① 우선 독립된 밸브의 개수가 많기 때문에 각 밸브의 고장을 파악하기가 어렵다. ② 또한 독립된 밸브의 개수에 따른 비용이 늘어난다. 예를 들면, 반도체 또는 디스플레이 공정에 사용되는 배관은 강한 내부식성을 갖는 고가의 배관인바, 밸브의 개수 증가에 따른 배관의 비용도 급격히 상승한다. ③ 독립된 밸브의 개수가 많아짐에 따라 배관 연결이 복잡해지고 이에 따라 과다한 공간을 차지할 뿐만 아니라, 유지보수를 위한 작업에 많은 시간과 노력이 필요한다. ④ 배관이 길어지고 복잡해 짐에 따라 배관의 단열이 쉽지 않을 뿐만 아니라 유체가 이동하는 중에 열을 손실하여 배관 내에서 막힘을 유발할 가능성이 높아진다.The conventional beauty system according to FIG. 1 has various problems as follows. The use of multiple valves causes many spatial and economic problems. ① First of all, it is difficult to identify the failure of each valve because of the large number of independent valves. ② The cost increases according to the number of independent valves. For example, a pipe used in a semiconductor or display process is an expensive pipe having strong corrosion resistance, and the cost of the pipe increases rapidly as the number of valves increases. ③ As the number of independent valves increases, the pipe connection becomes complicated and thus takes up too much space and requires much time and effort for maintenance work. ④ The longer and more complicated the pipe is, the more difficult it is to insulate the pipe and the more likely it is to block heat in the pipe by losing heat while the fluid is moving.

3-웨이 밸브 그 자체에 따른 문제도 있다. ⑤ 종래의 3-웨이 밸브는 밸브 내부를 가열하는 것이 매우 곤란하였다. 밸브 내부에서 입자의 믹힘을 방지하기 위해서는 밸브의 온도를 높여야 하나, 종래의 3-웨이 밸브는 밸브의 외부를 히팅 테이프 등을 사용하여 가열할 수 있을 뿐 내부를 직접적으로 가열할 수 있는 수단을 마련할 수 있는 공간이 부족했다. 특히 많은 밸브를 사용하는 공정의 특성상 대부분의 밸브가 공압 또는 전기를 사용하는 액추에이터에 의해서 제어가 되기 때문에 밸브 주변에 히팅 테이프 등의 가열 수단을 부가하는 것 자체가 더욱 곤란하다.There is also a problem with the three-way valve itself. (5) The conventional three-way valve was very difficult to heat the inside of the valve. In order to prevent the mixing of particles inside the valve, the temperature of the valve must be increased. However, the conventional three-way valve can heat the outside of the valve using a heating tape or the like. There was not enough space to do it. In particular, since most valves are controlled by actuators using pneumatic or electricity due to the nature of a process using many valves, it is more difficult to add heating means such as a heating tape around the valve itself.

특허문헌 1과 같이 반도체 또는 디스플레이 공정은 다양한 화학 물질을 사용하고 이들을 공정 조건에 맞추어 계속 변화시켜 공급하기 때문에 매니폴드가 많이 사용된다. 그러나 본원과 같이 입자의 이동에 따른 배관의 막힘에는 오히려 밸브 내부 구조가 복잡한 매니폴드가 바람직하지 않은 것으로 통상적으로 인식되고 있다. 입자를 포함하는 유체의 연속적 공급을 위해서 많은 문제점을 가지고 있는 종래의 미모 시스템이 여전히 사용되고 있으나, 이에 대한 뚜렷한 개선 방향은 제시되지 않고 있다.As in Patent Literature 1, a manifold is used because a semiconductor or display process uses various chemical substances and continuously supplies them in accordance with process conditions. However, it is generally recognized that a manifold having a complicated valve internal structure is not preferable for clogging the pipe due to the movement of particles as in the present application. Conventional beauty systems, which have many problems for the continuous supply of fluids containing particles, are still used, but no clear direction of improvement has been given.

대한민국 등록특허공보 제0297421호Republic of Korea Patent Publication No. 0297421

본원 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 또는 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 온도 및 흐름을 제어할 수 있는 매니폴드를 포함하는 미모 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, to provide a beauty system including a manifold capable of controlling the temperature and flow of a fluid containing particles generated in an industrial process including a semiconductor or display process. The purpose.

구체적으로 본원 발명에 따른 미모 시스템은 종래의 미모 시스템에 대비하여 독립된 밸브의 전체적인 개수 및 사용되는 공간을 줄이며, 유지 보수가 용이하고, 배관의 단열 또는 가열이 쉬우며, 밸브 자체의 가열이 가능한 매니폴드를 포함하는 미모 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.Specifically, the beauty system according to the present invention reduces the overall number of used valves and the space used in comparison with the conventional beauty system, and is easy to maintain, easy to insulate or heat the pipes, and a manifold capable of heating the valve itself. It is an object of the present invention to provide a beauty system comprising a fold.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본원 발명에 따른 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치는 반도체 및 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 1개 이상의 매니폴드; 상기 매니폴드와 연결된 1개 이상의 유체처리기;를 포함하고, 상기 1개 이상의 매니폴드 중 하나의 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 통해서 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 하나 이상에 공급하는 배관이 막혔을 경우 상기 1개 이상의 매니폴드 중 상기 하나의 매니폴드의 막히지 않은 다른 배출관을 사용하거나, 2개 이상의 매니폴드일 경우 사용하지 않은 다른 매니폴드가 있는 경우 이 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 사용하여 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상 또는 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상과 다른 유체처리기에 공급하는 제어 시스템이 부가된 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치에 있어서, 상기 매니폴드는 1개 이상의 공급관과 2개 이상의 배출관을 포함하고, 상기 매니폴드의 상기 1개 이상의 배출관은 모두 공압 또는 전기에 의해서 작동되는 액추에이터에 의해서 제어가 되며, 상기 액추에이터는 비례제어가 아닌 온/오프 방식에 의해서 제어가 되고, 상기 매니폴드는 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단이 부가된 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치를 제공한다.
상기 매니폴드는 1개 이상의 바이패스관을 추가로 포함할 수 있다.
상기 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단은 단면이 다각형 또는 원형인 봉 형태로서 상기 매니폴드의 본체에 삽입되는 형태일 수 있다.
구체적으로 하나의 예로서 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치는 제1매니폴드, 제2매니폴드 총 2개의 매니폴드가 배치될 수 있다. 상기 매니폴드는 필요에 따라 2개, 3개, 4개, 5개 등으로 계속 확장할 수 있으며, 하기 단계에서는 4개를 사용한 일 예를 예시로서 제시한 것이다.Apparatus for continuously supplying a fluid containing particles according to the present invention for achieving the above object is one for controlling the flow of fluid containing particles generated in an industrial process, including semiconductor and display processes Ideal manifold ; At least one fluid processor coupled to the manifold; includes, supplying a fluid containing the particles through the at least one outlet pipe of a manifold of said at least one manifold to at least one of the at least one fluid processor If one of the one or more manifolds is clogged, use another unclosed outlet of the one manifold, or if there are two or more manifolds, use another unused manifold . Continuously supplying a fluid comprising particles with a control system to supply a fluid comprising the particles to the at least one of the at least one fluid processors or to at least one of the at least one fluid processors and another fluid processor. An apparatus for the supply, the manifold is at least one supply line and 2 It comprises at least the discharge pipe, wherein the at least one outlet tube of the manifold are all be controlled by an actuator operated by pneumatic or electric, the actuator is controlled by an on / off manner instead of the proportional control, the manifold The fold provides an apparatus for continuously supplying a fluid comprising particles having an added means for heating the fluid therein.
The manifold may further comprise one or more bypass tubes.
Means for heating the fluid therein may be a shape of a rod having a polygonal or circular cross section inserted into the body of the manifold.
Specifically, as an example, the apparatus for continuously supplying a fluid including particles may include two manifolds, a first manifold and a second manifold. The manifold can be continuously expanded to two, three, four, five, etc. as needed, in the following step is an example using four.

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상기 각각의 제1 내지 제4매니폴드는 1개의 공급관, 1개의 바이패스관, 제1배출관, 제2배출관을 포함하고,Each of the first to fourth manifolds includes one supply pipe, one bypass pipe, a first discharge pipe, and a second discharge pipe,

제1유체처리기, 제2유체처리기인 총 2개의 유체처리기가 배치된다.A total of two fluid processors, a first fluid processor and a second fluid processor, are disposed.

상기 제어 시스템은 (1) 상기 제1매니폴드의 공급관에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;The control system includes the steps of: (1) supplying a fluid comprising the particles to a supply tube of the first manifold;

(2) 상기 제1매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(2) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the first manifold;

(3) 상기 제1매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제1매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(3) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the first manifold when the first discharge pipe of the first manifold is blocked;

(4) 상기 제1매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(4) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the second manifold when the second discharge pipe of the first manifold is blocked;

(5) 상기 제2매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(5) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the second manifold when the first discharge pipe of the second manifold is blocked;

(6) 상기 제2매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(6) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the third manifold when the second discharge pipe of the second manifold is blocked;

(7) 상기 제3매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(7) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the third manifold when the first discharge pipe of the third manifold is blocked;

(8) 상기 제3매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(8) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the fourth manifold when the second discharge pipe of the third manifold is blocked;

(9) 상기 제4매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(9) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the fourth manifold when the first discharge pipe of the fourth manifold is blocked;

(10) 상기 제4매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 전체 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동되거나,(10) when the second discharge pipe of the fourth manifold is blocked, operating by shutting down the whole apparatus and repairing it;

상기 제어 시스템은 (1) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 공급관에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;The control system includes the steps of: (1) respectively supplying a fluid containing the particles to a supply pipe of the first to fourth manifolds;

(2) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;(2) respectively supplying a fluid containing the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the first to fourth manifolds;

(3) 상기 제1 내지 제4매니폴드 중 어느 하나의 매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 해당 매니폴드는 해당 매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(3) When the first discharge pipe of any one of the first to fourth manifolds is blocked, the manifold includes the particles in the second fluid processor through the second discharge pipe of the manifold. Supplying a fluid;

(4) 상기 제1 내지 제4매니폴드 중 어느 하나의 매니폴드의 제2배출관까지 막혔을 경우, 해당 매니폴드에는 해당 매니폴드의 공급관을 통해 상기 이산화규소를 포함하는 유체의 공급을 중단하는 단계;(4) stopping the supply of the fluid containing silicon dioxide to the manifold through a supply pipe of the manifold when the second discharge pipe of any one of the first to fourth manifolds is blocked;

(5) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 모든 제2배출관이 막혔을 경우 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동된다.(5) If all the second discharge pipes of the first to fourth manifolds are blocked, the device is shut down and repaired.

매니폴드가 1개일 때는 상기 하나의 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 통해서 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 2개 이상의 유체처리기 중 하나 이상에 공급하는 배관이 막혔을 경우 상기 매니폴드의 막히지 않은 다른 배출관을 사용하여 공급하는 제어 시스템이 부가된 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치를 제공한다.When there is one manifold, another unopened manifold of the manifold is used when the pipe supplying fluid containing the particles to at least one of the two or more fluid processors is blocked through one or more outlet ducts of the manifold. To provide a device for continuously supplying a fluid comprising added particles.

또한 상기 예시로 제시한 경우에는 유체처리기가 2개였으나, 유체처리기가 1개인 경우 모든 배출관이 하나의 유체처리기로 연결된다. 역시 유체처리기가 3개 이상인 경우 필요에 따라 배출관을 1개의 유체처리기 또는 복수개의 유체처리기에 동시에 연결할 수 있다.In addition, in the above example, there are two fluid processors, but in the case of one fluid processor, all discharge pipes are connected to one fluid processor. Also, when there are three or more fluid processors, the discharge pipe may be simultaneously connected to one fluid processor or a plurality of fluid processors as necessary.

이상에서 설명한 바와 같이, 본원 발명에 따른 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치는 반도체 또는 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 온도 및 흐름을 제어할 수 있는 매니폴드를 포함하는 미모 시스템으로서, 종래의 미모 시스템에 대비하여 밸브의 전체적인 개수를 줄이고, 사용되는 공간을 줄이며, 유지 보수가 용이하고, 배관의 단열 또는 가열이 쉬우며, 밸브 자체의 가열이 가능한 매니폴드를 포함하는 장점이 있다.As described above, the apparatus for continuously supplying a fluid containing particles according to the present invention is a manifold capable of controlling the temperature and flow of the fluid containing particles generated in an industrial process, including semiconductor or display process A manifold system that includes folds, which reduces the overall number of valves, reduces the space used, eases maintenance, facilitates thermal insulation or heating of the pipes, and enables the valves to heat up compared to conventional hair removal systems. There is an advantage to including folds.

도 1은 이산화규소를 공급하기 위한 미모(MIMO, Mulit Input Multi Output) 시스템 중 종래의 일 실시예를 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다.
도 2는 본원 발명에 따른 미모 시스템의 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다.
도 3은 본원 발명에 따른 매니폴드의 일 실시예에 대한 사시도 및 내부 단면도이다.
도 4는 본원 발명에 따른 매니폴드의 다양한 실시예를 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다.FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional embodiment of a Mulit Input Multi Output (MIMO) system for supplying silicon dioxide using respective components.
Figure 2 is a schematic diagram using each component of the beauty system according to the present invention.
3 is a perspective and internal cross-sectional view of one embodiment of a manifold according to the present invention.
4 schematically illustrates various embodiments of a manifold in accordance with the present invention using each component.

본원 발명에 따른 매니폴드를 포함하는 미모 시스템의 구체적인 구성은 아래와 같다.
반도체 및 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 1개 이상의 매니폴드; 상기 매니폴드와 연결된 1개 이상의 유체처리기;를 포함하고, 상기 1개 이상의 매니폴드 중 하나의 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 통해서 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 하나 이상에 공급하는 배관이 막혔을 경우 상기 1개 이상의 매니폴드 중 상기 하나의 매니폴드의 막히지 않은 다른 배출관을 사용하거나, 2개 이상의 매니폴드일 경우 사용하지 않은 다른 매니폴드가 있는 경우 이 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 사용하여 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상 또는 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상과 다른 유체처리기에 공급하는 제어 시스템이 부가된 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치에 있어서, 상기 매니폴드는 1개 이상의 공급관과 2개 이상의 배출관을 포함하고, 상기 매니폴드의 상기 1개 이상의 배출관은 모두 공압 또는 전기에 의해서 작동되는 액추에이터에 의해서 제어가 되며, 상기 액추에이터는 비례제어가 아닌 온/오프 방식에 의해서 제어가 되고, 상기 매니폴드는 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단이 부가된 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치이다.Specific configuration of the beauty system including the manifold according to the present invention is as follows.
One or more manifolds for controlling the flow of fluids containing particles that occur in industrial processes, including semiconductor and display processes; At least one fluid processor coupled to the manifold; includes, supplying a fluid containing the particles through the at least one outlet pipe of a manifold of said at least one manifold to at least one of the at least one fluid processor If one of the one or more manifolds is clogged, use another unclosed outlet of the one manifold, or if there are two or more manifolds, use another unused manifold . Continuously supplying a fluid comprising particles with a control system to supply a fluid comprising the particles to the at least one of the at least one fluid processors or to at least one of the at least one fluid processors and another fluid processor. An apparatus for the supply, the manifold is at least one supply line and 2 It comprises at least the discharge pipe, wherein the at least one outlet tube of the manifold are all be controlled by an actuator operated by pneumatic or electric, the actuator is controlled by an on / off manner instead of the proportional control, the manifold A fold is a device for continuously supplying a fluid including particles to which means for heating the fluid are added.

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본원 발명에 따른 유체처리기는 가열기, 건식 또는 습식 스크러버, 버너, 플라즈마 반응기, 흡착타워, 필터 등을 포함한다.Fluid handlers according to the present invention include heaters, dry or wet scrubbers, burners, plasma reactors, adsorption towers, filters and the like.

상기 매니폴드는 1개 이상의 공급관과 2개 이상의 배출관을 포함할 수 있다. 이때 배출관은 2개, 3개, 4개 등으로 확장할 수 있으며, 상기 배출관 외에도 바이패스관을 추가로 구비할 수 있다. 유체처리기의 개수도 배출관의 수와 같이 증가되는 것이 바람직하다. 예를 들어 배출관이 2개이면 유체처리기도 2개이고, 배출관이 3개이면 유체처리기도 3개인 것이 바람직하다. 유체처리기의 수가 부족할 경우 공급관, 배출관이 제대로 동작하더라도 유체처리기에 문제가 생길 경우 공정이 중단될 수 있기 때문에 복수개의 유체처리기를 배치하는 것이 바람직하다.The manifold may include one or more supply pipes and two or more discharge pipes. At this time, the discharge pipe may be extended to two, three, four, etc., it may be provided with a bypass pipe in addition to the discharge pipe. The number of fluid processors is also preferably increased with the number of outlet tubes. For example, if there are two discharge pipes, it is preferable that there are two fluid processors, and if there are three discharge pipes, three fluid processors are also preferable. If the number of fluid processors is insufficient, it is preferable to arrange a plurality of fluid processors because the process may be stopped if a problem occurs in the fluid processor even if the supply pipe and the discharge pipe are properly operated.

상기 매니폴드의 상기 1개 이상의 배출관은 모두 공압 또는 전기에 의해서 작동되는 액추에이터에 의해서 제어가 되며, 통상적으로 입자를 포함하는 유체를 제어하기 위해서는 비례제어가 아닌 온/오프 방식에 의해서 제어가 되는 것이 바람직하다.The one or more discharge pipes of the manifold are all controlled by an actuator operated by pneumatic or electric, and in order to control the fluid containing particles, it is usually controlled by an on / off method rather than a proportional control. desirable.

한편 본원 발명에 따른 매니폴드는 종래의 3-웨이 밸브와 달리 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단이 부가될 수 있다. 상기 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단은 단면이 다각형 또는 원형인 봉 형태로서 상기 매니폴드의 본체에 삽입되는 형태이다. 상기 봉 형태의 가열수단은 전기로 가열되는 것이 바람직하다.On the other hand, the manifold according to the present invention may be added to the means for heating the fluid, unlike the conventional three-way valve. The means for heating the fluid therein is a rod-shaped cross-section polygonal or circular shape is inserted into the body of the manifold. The rod-shaped heating means is preferably heated by electricity.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본원 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본원 발명을 쉽게 실시할 수 있는 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본원 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본원 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention may be easily implemented by those skilled in the art with reference to the accompanying drawings. However, in describing in detail the operating principle of the preferred embodiment of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우 뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고, 간접적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 포함한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, the same reference numerals are used for parts having similar functions and functions throughout the drawings. Throughout the specification, when a part is connected to another part, this includes not only a case where the part is directly connected, but also when the part is connected indirectly with another element in the middle. In addition, the inclusion of any component does not exclude other components unless specifically stated otherwise, it means that may further include other components.

본원 발명을 도면에 따라 상세한 실시예와 같이 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본원 발명에 따른 미모 시스템의 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다.Figure 2 is a schematic diagram using each component of the beauty system according to the present invention.

도 2에 따른 구성을 살펴보면, 제1매니폴드(21), 제2매니폴드(22), 제3매니폴드(23), 제4매니폴드(24)인 총 4개의 매니폴드가 배치된다. 상기 각각의 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23, 24)는 1개의 공급관(210, 220, 230, 240), 1개의 바이패스관(214, 224, 234, 244), 제1배출관(212, 222, 232, 242), 제2배출관(216, 226, 236, 246)을 포함한다. 유체처리기는 제1유체처리기(33), 제2유체처리기(34)인 총 2개의 유체처리기가 배치된다. 상기 매니폴드의 개수, 배출관의 개수 유체처리기의 개수는 필요에 따라서 확장 또는 감축이 가능하다. 바람직하게는 각 매니폴드의 배출관 개수와 유체처리기 개수를 같게 하는 것이 배치에 유리하다.Looking at the configuration according to Figure 2, a total of four manifolds are arranged, the first manifold 21, the second manifold 22, the third manifold 23, the fourth manifold 24. Each of the first to fourth manifolds 21, 22, 23, and 24 includes one supply pipe 210, 220, 230, and 240, one bypass pipe 214, 224, 234, and 244, and a first Discharge pipes 212, 222, 232, and 242, and second discharge pipes 216, 226, 236, and 246. The fluid processor includes a total of two fluid processors, a first fluid processor 33 and a second fluid processor 34. The number of the manifold, the number of discharge pipes can be expanded or reduced as necessary. Preferably, it is advantageous for the arrangement to equalize the number of outlet tubes of each manifold and the number of fluid processors.

도 3은 본원 발명에 따른 매니폴드의 일 실시예에 대한 사시도 및 내부 단면도이다.3 is a perspective and internal cross-sectional view of one embodiment of a manifold according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본원 발명에 따른 매니폴드의 일 실시예로서 1개의 공급관(210), 1개의 바이패스관(214), 2개의 배출관(212, 216)으로 구성된다. 바이패스관(214), 배출관(212, 216)의 흐름을 제어하기 위해서 액추에이터(217, 218, 219)가 배치되어 있다. 매니폴드의 내부에는 유체의 온도를 가열하기 위한 가열수단(211) 배치되어 있다.Referring to FIG. 3, one embodiment of the manifold according to the present invention includes one supply pipe 210, one bypass pipe 214, and two discharge pipes 212 and 216. Actuators 217, 218, and 219 are arranged to control the flow of the bypass pipe 214 and the discharge pipes 212, 216. Inside the manifold, heating means 211 is arranged for heating the temperature of the fluid.

도 2 및 도 3을 참조하면, 매니폴드의 상기 제1배출관은 상기 2개의 유체처리기중 상기 제1배출관과 가까운 유체처리기와 연결되며, 매니폴드의 상기 제2배출관은 상기 2개의 유체처리기중 상기 제2배출관과 가까운 유체처리기에 연결된다.2 and 3, the first discharge pipe of the manifold is connected to a fluid processor close to the first discharge pipe of the two fluid processors, and the second discharge pipe of the manifold is the one of the two fluid processors. It is connected to the fluid processor close to the second discharge pipe.

상기 4개의 매니폴드는 전체 장치의 중앙에 근접하여 동일한 방향으로 배향하여 배치되며, 상기 2개의 유체처리기는 전체 장치의 양 끝단에 배치되고, 상기 각각의 매니폴드의 상기 공급관과 상기 바이패스관은 상기 매니폴드의 상측면에 서로 인접하여 배치되며, 상기 매니폴드의 상기 2개의 제1배출관과 제2배출관은 각각 상기 매니폴드의 좌측면과 우측면에 배치된다.The four manifolds are arranged oriented in the same direction near the center of the entire apparatus, and the two fluid processors are disposed at both ends of the entire apparatus, and the supply pipe and the bypass tube of each manifold are Arranged adjacent to each other on the upper side of the manifold, the two first discharge pipe and the second discharge pipe of the manifold are respectively disposed on the left side and the right side of the manifold.

도 4는 본원 발명에 따른 매니폴드의 다양한 실시예를 각 구성 요소를 사용하여 개략적으로 도식화한 것이다. 각각의 점선은 매니폴드로 구성되는 단위를 나타내며 점선 내의 밸브는 매니폴드 내에 구성된 밸브를 나타낸다. 각 매니폴드의 상부에는 공급관이 배치되어 있으며, 측면에는 바이패스관, 하단에는 배출관이 구성되어 있다.4 schematically illustrates various embodiments of a manifold in accordance with the present invention using each component. Each dotted line represents a unit consisting of a manifold and the valves within the dotted line represent a valve configured within the manifold. The supply pipe is arranged in the upper part of each manifold, the bypass pipe is formed in the side, and the discharge pipe is comprised in the lower part.

도 2에 따른 시스템의 작동은 아래와 같다. (1) 상기 제1매니폴드(21)의 공급관(210)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;The operation of the system according to FIG. 2 is as follows. (1) supplying a fluid including the particles to the supply pipe 210 of the first manifold 21;

(2) 상기 제1매니폴드(21)의 상기 제1배출관(212)를 통해 상기 제1유체처리기(33)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(2) supplying a fluid containing the particles to the first fluid processor (33) through the first discharge pipe (212) of the first manifold (21);

(3) 상기 제1매니폴드(21)의 상기 제1배출관(212)이 막혔을 경우, 상기 제1매니폴드(21)의 상기 제2배출관(216)을 통해 상기 제2유체처리기(34)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(3) When the first discharge pipe 212 of the first manifold 21 is blocked, through the second discharge pipe 216 of the first manifold 21 to the second fluid processor 34 Supplying a fluid comprising said particles;

(4) 상기 제1매니폴드(21)의 상기 제2배출관(216)이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드(22)의 상기 제1배출관(222)을 통해 상기 제1유체처리기(33)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(4) When the second discharge pipe 216 of the first manifold 21 is blocked, through the first discharge pipe 222 of the second manifold 22 to the first fluid processor 33 Supplying a fluid comprising said particles;

(5) 상기 제2매니폴드(22)의 상기 제1배출관(222)이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드(22)의 상기 제2배출관(226)을 통해 상기 제2유체처리기(34)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(5) When the first discharge pipe 222 of the second manifold 22 is blocked, through the second discharge pipe 226 of the second manifold 22 to the second fluid processor 34 Supplying a fluid comprising said particles;

(6) 상기 제2매니폴드(22)의 상기 제2배출관(226)이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드(23)의 상기 제1배출관(232)을 통해 상기 제1유체처리기(33)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(6) When the second discharge pipe 226 of the second manifold 22 is clogged, through the first discharge pipe 232 of the third manifold 23 to the first fluid processor 33 Supplying a fluid comprising said particles;

(7) 상기 제3매니폴드(23)의 상기 제1배출관(232)이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드(23)의 상기 제2배출관(236)을 통해 상기 제2유체처리기(34)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(7) When the first discharge pipe 232 of the third manifold 23 is blocked, through the second discharge pipe 236 of the third manifold 23 to the second fluid processor 34 Supplying a fluid comprising said particles;

(8) 상기 제3매니폴드(23)의 상기 제2배출관(236)이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드(24)의 상기 제1배출관(242)을 통해 상기 제1유체처리기(33)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(8) When the second discharge pipe 236 of the third manifold 23 is blocked, through the first discharge pipe 242 of the fourth manifold 24 to the first fluid processor 33 Supplying a fluid comprising said particles;

(9) 상기 제4매니폴드(24)의 상기 제1배출관(242)이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드(24)의 상기 제2배출관(246)을 통해 상기 제2유체처리기(34)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(9) When the first discharge pipe 242 of the fourth manifold 24 is blocked, through the second discharge pipe 246 of the fourth manifold 24 to the second fluid processor 34 Supplying a fluid comprising said particles;

(10) 상기 제4매니폴드(24)의 상기 제2배출관(246)이 막혔을 경우, 전체 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동되거나,(10) when the second discharge pipe 246 of the fourth manifold 24 is blocked, it is operated to shut down and repair the whole apparatus, or

상기 제어 시스템은 (1) 상기 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23, 24)의 공급관(210, 220, 230, 240)에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;The control system includes the steps of: (1) supplying a fluid containing the particles to the supply pipes (210, 220, 230, 240) of the first to fourth manifolds (21, 22, 23, 24), respectively;

(2) 상기 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23, 24)의 상기 제1배출관(212, 222, 232, 242)을 통해 상기 제1유체처리기(33)에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;(2) containing the particles in the first fluid processor 33 through the first discharge pipes 212, 222, 232, 242 of the first to fourth manifolds 21, 22, 23, and 24. Respectively supplying fluids;

(3) 상기 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23 24) 중 어느 하나의 매니폴드의 상기 제1배출관(212, 222, 232, 242)이 막혔을 경우, 해당 매니폴드는 해당 매니폴드의 상기 제2배출관(216. 226, 236, 246)을 통해 상기 제2유체처리기(34)에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;(3) When the first discharge pipe 212, 222, 232, 242 of any one of the first to fourth manifolds 21, 22, 23 24 is blocked, the manifold is a manifold. Supplying a fluid containing the particles to the second fluid processor (34) through the second discharge pipe (216. 226, 236, 246) of the;

(4) 상기 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23 24) 중 어느 하나의 매니폴드의 제2배출관(216. 226, 236, 246)까지 막혔을 경우, 해당 매니폴드에는 해당 매니폴드의 공급관을 통해 상기 이산화규소를 포함하는 유체의 공급을 중단하는 단계;(4) When the second discharge pipe (216. 226, 236, 246) of any one of the first to fourth manifolds (21, 22, 23 24) is blocked, the manifold has Stopping supply of the fluid containing silicon dioxide through a supply pipe;

(5) 상기 제1 내지 제4매니폴드(21, 22, 23, 24)의 모든 제2배출관(216. 226, 236, 246)이 막혔을 경우 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동될 수 있다.(5) When all the second discharge pipes (216. 226, 236, 246) of the first to fourth manifolds (21, 22, 23, 24) are blocked, it can be operated to shut down and repair the device.

본원 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본원 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형을 수행하는 것이 가능할 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to perform various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents.

11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 : 3-웨이 밸브
21, 22, 23, 24 : 본원 발명에 따른 매니폴드
31, 33 : 제1유체처리기
32, 34 : 제2유체처리기
100 : 종래의 실시예에 따른 미모 시스템
200 : 본원 발명의 일 실시예에 따른 미모 시스템
110, 120, 130, 140, 210, 220, 230, 240 : 공급관
112, 122, 146, 136, 212, 222, 232, 242 : 제1유체처리기 배출관
118, 128, 134, 144, 216, 226, 236, 246 : 제2유체처리기 배출관
114; 124, 132, 142 : 3-웨이 밸브 연결관
116, 126, 138, 148, 214, 224, 234, 244 : 바이패스관
217, 218, 219 : 액추에이터
211 : 가열수단11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18: 3-way valve
21, 22, 23, 24: manifold according to the present invention
31, 33: first fluid processor
32, 34: second fluid processor
100: beauty system according to the conventional embodiment
200: beauty system according to an embodiment of the present invention
110, 120, 130, 140, 210, 220, 230, 240: supply pipe
112, 122, 146, 136, 212, 222, 232, 242: first fluid processor discharge pipe
118, 128, 134, 144, 216, 226, 236, 246: the second fluid processor discharge pipe
114; 124, 132, 142: 3-way valve connector
116, 126, 138, 148, 214, 224, 234, 244: bypass pipe
217, 218, 219: actuator
211: heating means

Claims (12)

반도체 및 디스플레이 공정을 포함하는 산업 공정에서 발생하는 입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 1개 이상의 매니폴드;
상기 매니폴드와 연결된 1개 이상의 유체처리기;
를 포함하고,
상기 1개 이상의 매니폴드 중 하나의 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 통해서 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 하나 이상에 공급하는 배관이 막혔을 경우 상기 1개 이상의 매니폴드 중 상기 하나의 매니폴드의 막히지 않은 다른 배출관을 사용하거나, 2개 이상의 매니폴드일 경우 사용하지 않은 다른 매니폴드가 있는 경우 이 매니폴드의 하나 이상의 배출관을 사용하여 상기 입자를 포함하는 유체를 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상 또는 상기 1개 이상의 유체처리기 중 상기 하나 이상과 다른 유체처리기에 공급하는 제어 시스템이 부가된 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치에 있어서,
상기 매니폴드는 1개 이상의 공급관과 2개 이상의 배출관을 포함하고,
상기 매니폴드의 상기 1개 이상의 배출관은 모두 공압 또는 전기에 의해서 작동되는 액추에이터에 의해서 제어가 되며,
상기 액추에이터는 비례제어가 아닌 온/오프 방식에 의해서 제어가 되고,
상기 매니폴드는 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단이 부가된 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치. One or more manifolds for controlling the flow of fluids containing particles that occur in industrial processes, including semiconductor and display processes;
One or more fluid processors connected to the manifold;
Including,
One or more of the one or more manifolds when a pipe that supplies fluid containing the particles to one or more of the one or more fluid processors is blocked through one or more outlet tubes of one or more manifolds One or more fluid handlers may be used to transfer fluid containing the particles by using another unclosed outlet of the manifold, or by using one or more outlets of the manifold if there are two or more unused manifolds. An apparatus for continuously supplying a fluid comprising particles added with a control system for supplying said at least one of said at least one or said at least one of said at least one fluid processors with another fluid processor,
The manifold includes one or more supply pipes and two or more discharge pipes,
The one or more discharge pipes of the manifold are all controlled by an actuator operated by pneumatic or electric,
The actuator is controlled by an on / off method, not proportional control,
And the manifold is a device for continuously supplying a fluid comprising particles having an added means for heating the fluid therein. 삭제delete 제1항이 있어서,
상기 매니폴드는 1개 이상의 바이패스관을 추가로 포함하는 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.According to claim 1,
And the manifold further comprises one or more bypass tubes. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 내부에 유체를 가열할 수 있는 수단은 단면이 다각형 또는 원형인 봉 형태로서 상기 매니폴드의 본체에 삽입되는 형태인 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 1,
The means for heating the fluid therein is a device for continuously supplying a fluid comprising particles, the shape of a rod having a polygonal or circular cross section is inserted into the body of the manifold. 제1항에 있어서,
제1매니폴드, 제2매니폴드를 포함하는 2개의 이상의 매니폴드가 배치되며,
상기 각각의 제1 내지 제2매니폴드는 1개의 공급관, 1개의 바이패스관, 제1배출관, 제2배출관을 포함하고,
제1유체처리기, 제2유체처리기인 총 2개의 유체처리기가 배치된 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 1,
Two or more manifolds including a first manifold and a second manifold are disposed,
Each of the first to second manifolds includes one supply pipe, one bypass pipe, a first discharge pipe, and a second discharge pipe,
Apparatus for continuously supplying a fluid comprising particles having a total of two fluid processors, a first fluid processor and a second fluid processor. 제8항에 있어서,
상기 2개의 매니폴드는 전체 장치의 중앙에 근접하여 동일한 방향으로 배향하여 배치되며,
상기 2개의 유체처리기는 전체 장치의 양 끝단에 배치되고,
상기 각각의 매니폴드의 상기 공급관과 상기 바이패스관은 상기 매니폴드의 상측면에 서로 인접하여 배치되며,
상기 매니폴드의 상기 2개의 제1배출관과 제2배출관은 각각 상기 매니폴드의 좌측면과 우측면에 배치되는 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 8,
The two manifolds are arranged oriented in the same direction close to the center of the entire apparatus,
The two fluid handlers are disposed at both ends of the entire apparatus,
The supply pipe and the bypass pipe of each manifold are disposed adjacent to each other on the upper side of the manifold,
And the first and second outlet tubes of the manifold are disposed on the left and right sides of the manifold, respectively. 제9항에 있어서,
상기 각각의 매니폴드의 상기 제1배출관은 상기 2개의 유체처리기중 상기 매니폴드의 좌측에 배치된 유체처리기에 연결되며,
상기 각각의 매니폴드의 상기 제2배출관은 상기 2개의 유체처리기중 상기 매니폴드의 우측에 배치된 유체처리기에 연결되는 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 9,
The first discharge pipe of each of the manifolds is connected to a fluid processor disposed on the left side of the manifold of the two fluid processors,
And said second discharge conduit of said each manifold is connected to a fluid processor disposed on the right side of said manifold, of said two fluid processors. 제8항에 있어서,
매니폴드는 제1매니폴드, 제2매니폴드, 제3매니폴드, 제4매니폴드를 포함하는 4개의 매니폴드가 배치되며,
상기 제어 시스템은 (1) 상기 제1매니폴드의 공급관에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(2) 상기 제1매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(3) 상기 제1매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제1매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(4) 상기 제1매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드의 상기 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(5) 상기 제2매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제2매니폴드의 상기 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(6) 상기 제2매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드의 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(7) 상기 제3매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제3매니폴드의 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(8) 상기 제3매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드의 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(9) 상기 제4매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 상기 제4매니폴드의 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(10) 상기 제4매니폴드의 상기 제2배출관이 막혔을 경우, 전체 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동되는 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 8,
The manifold includes four manifolds including a first manifold, a second manifold, a third manifold, and a fourth manifold.
The control system includes the steps of: (1) supplying a fluid comprising the particles to a supply tube of the first manifold;
(2) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the first manifold;
(3) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the first manifold when the first discharge pipe of the first manifold is blocked;
(4) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the second manifold when the second discharge pipe of the first manifold is blocked;
(5) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the second manifold when the first discharge pipe of the second manifold is blocked;
(6) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the third manifold when the second discharge pipe of the second manifold is blocked;
(7) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the third manifold when the first discharge pipe of the third manifold is blocked;
(8) supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the fourth manifold when the second discharge pipe of the third manifold is blocked;
(9) supplying a fluid including the particles to the second fluid processor through the second discharge pipe of the fourth manifold when the first discharge pipe of the fourth manifold is blocked;
(10) An apparatus for continuously supplying a fluid comprising particles, wherein when the second outlet tube of the fourth manifold is clogged, it is operated by shutting down and repairing the entire apparatus. 제8항에 있어서,
매니폴드는 제1매니폴드, 제2매니폴드, 제3매니폴드, 제4매니폴드를 포함하는 4개의 매니폴드가 배치되며,
상기 제어 시스템은 (1) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 공급관에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;
(2) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 제1배출관을 통해 상기 제1유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 각각 공급하는 단계;
(3) 상기 제1 내지 제4매니폴드 중 어느 하나의 매니폴드의 상기 제1배출관이 막혔을 경우, 해당 매니폴드는 해당 매니폴드의 제2배출관을 통해 상기 제2유체처리기에 상기 입자를 포함하는 유체를 공급하는 단계;
(4) 상기 제1 내지 제4매니폴드 중 어느 하나의 매니폴드의 제2배출관까지 막혔을 경우, 해당 매니폴드에는 해당 매니폴드의 공급관을 통해 상기 입자를 포함하는 유체의 공급을 중단하는 단계;
(5) 상기 제1 내지 제4매니폴드의 모든 제2배출관이 막혔을 경우 장치를 셧다운하여 보수하는 단계로 작동되는 것인 입자를 포함하는 유체를 연속적으로 공급하기 위한 장치.The method of claim 8,
The manifold includes four manifolds including a first manifold, a second manifold, a third manifold, and a fourth manifold.
The control system includes the steps of: (1) respectively supplying a fluid containing the particles to a supply pipe of the first to fourth manifolds;
(2) respectively supplying a fluid including the particles to the first fluid processor through the first discharge pipe of the first to fourth manifolds;
(3) When the first discharge pipe of any one of the first to fourth manifolds is blocked, the manifold includes the particles in the second fluid processor through the second discharge pipe of the manifold. Supplying a fluid;
(4) stopping the supply of the fluid including the particles to the manifold through a supply pipe of the manifold when the second discharge pipe of any one of the first to fourth manifolds is blocked;
(5) A device for continuously supplying a fluid comprising particles which is operated by shutting down and repairing the device when all the second discharge pipes of the first to fourth manifolds are blocked.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381543B1 (en) 2020-10-22 2022-04-01 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Valve with interlock device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297421B1 (en) 1996-08-02 2001-08-30 조셉 제이. 스위니 Method of stress control by fluorination of silica film and a substrate processing system
KR20040088026A (en) * 2001-11-26 2004-10-15 플루오린 온 콜, 리미티드. Generation, Distribution, and Use of Molecular Fluorine within a Fabrication Facility
JP2014036953A (en) * 2012-08-10 2014-02-27 Pall Corp Fluid treatment assembly, fluid treatment segment and method for manufacturing fluid treatment system
KR20140144030A (en) * 2013-06-10 2014-12-18 (주)티티에스 Apparatus for preventing powder and processing substrate
KR20170112362A (en) * 2016-03-31 2017-10-12 두산엔진주식회사 Reductant supply system and method for managing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09306846A (en) * 1996-05-15 1997-11-28 Hitachi Ltd Exhausting apparatus
JP3648539B2 (en) * 1996-12-31 2005-05-18 アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド Exhaust flow treatment system for oxidation treatment of semiconductor manufacturing exhaust
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
US8146665B2 (en) * 2007-11-13 2012-04-03 Halliburton Energy Services Inc. Apparatus and method for maintaining boost pressure to high-pressure pumps during wellbore servicing operations
CA2721884A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-19 Peter B. Hutton Purge manifold
KR101374813B1 (en) * 2012-03-28 2014-03-19 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Apparatus for controlling attitude of panel member
US8985152B2 (en) * 2012-06-15 2015-03-24 Novellus Systems, Inc. Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment
AR091782A1 (en) * 2012-07-16 2015-02-25 Formulatrix Inc FLUID SUPPLY SYSTEM, AND ASSOCIATED APPLIANCE AND METHOD
US9528184B2 (en) * 2015-02-13 2016-12-27 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition method using compound gas jet
KR101720987B1 (en) * 2015-04-28 2017-04-10 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Treating apparatus and method of non-degradable gas
KR101720086B1 (en) * 2015-09-04 2017-03-27 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Integrated Semiconductor Waste Gas Purification Apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297421B1 (en) 1996-08-02 2001-08-30 조셉 제이. 스위니 Method of stress control by fluorination of silica film and a substrate processing system
KR20040088026A (en) * 2001-11-26 2004-10-15 플루오린 온 콜, 리미티드. Generation, Distribution, and Use of Molecular Fluorine within a Fabrication Facility
JP2014036953A (en) * 2012-08-10 2014-02-27 Pall Corp Fluid treatment assembly, fluid treatment segment and method for manufacturing fluid treatment system
KR20140144030A (en) * 2013-06-10 2014-12-18 (주)티티에스 Apparatus for preventing powder and processing substrate
KR20170112362A (en) * 2016-03-31 2017-10-12 두산엔진주식회사 Reductant supply system and method for managing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381543B1 (en) 2020-10-22 2022-04-01 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Valve with interlock device

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