KR102033389B1 - Mask with assist pattern - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 마스크는 중앙 영역에 배치된 십자 형상의 줄기 패턴, 상기 줄기 패턴으로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 가지 패턴들, 및 각 가지 패턴의 말단부로부터 연장된 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴을 포함하고, 상기 서브 어시스트 패턴은 정사각형 형상을 갖는 어시스트 패턴을 포함한다.
따라서 상기 가지 패턴의 말단부를 설계 시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있다.The mask according to the present invention includes a cross-shaped stem pattern disposed in a central region, a plurality of branch patterns extending in a diagonal direction from the stem pattern, and at least two sub assist patterns extending from the distal end of each branch pattern. The sub assist pattern includes an assist pattern having a square shape.
Therefore, the distal end portion of the branch pattern can be corrected to a shape intended for design.

Figure R1020190026680
Figure R1020190026680

Description

어시스트 패턴을 포함하는 마스크 {MASK WITH ASSIST PATTERN}Mask with assist pattern {MASK WITH ASSIST PATTERN}

본 발명은 어시스트 패턴을 포함하는 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 텍스처 불량 개선을 방지하는 어시스트 패턴을 포함하는 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a mask including an assist pattern, and more particularly, to a mask including an assist pattern for preventing texture defect improvement.

최근 다양한 액정표시장치의 구동 방법이 소개되고 있다. 전계의 형성에 따라 빛의 투과율을 달리해서 이미지를 표현하는 액정표시장치의 경우, 액정 배향의 방법에 따라 응답속도, 시야각 등이 차이가 날 수 있다. 따라서 좀 더 나은 응답속도와 시야각 등을 가지는 액정표시장치를 구현하기 위해서 다양한 액정의 구동 방법이 개발된다.Recently, various methods of driving a liquid crystal display have been introduced. In the case of a liquid crystal display device that displays an image by varying light transmittance according to the formation of an electric field, response speeds, viewing angles, and the like may vary depending on the liquid crystal alignment method. Therefore, in order to implement a liquid crystal display having a better response speed and viewing angle, various liquid crystal driving methods are developed.

현재 사용되고 있는 새로운 액정표시장치의 구동 방법 중 하나는 기존의 상부 기판 및 하부 기판의 전계에 의해 액정이 배열되는 구조와는 달리 하부 기판에서 형성되는 전계에 의해서 액정이 배열되는 방식을 채택한다. 하부 기판에서 생성되는 전계만으로 액정의 방향을 제어하여 액정을 제어한다. 액정의 배열을 제어하기 위한 상부 기판의 픽셀 패턴이 필요 없어지기 때문에, 공정이 매우 단순화 되며, 상부 기판과 하부 기판의 미스 얼라인을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다. 또한 기존의 액정 표시 장치에 비해서 25% 이상 투과율 향상이 이루어져 그 적용 범위가 계속적으로 확대되고 있다.One of the driving methods of the new liquid crystal display device currently used adopts a method in which liquid crystals are arranged by an electric field formed in the lower substrate, unlike a structure in which liquid crystals are arranged by electric fields of the existing upper and lower substrates. The liquid crystal is controlled by controlling the direction of the liquid crystal using only an electric field generated in the lower substrate. Since the pixel pattern of the upper substrate for controlling the arrangement of the liquid crystal is not necessary, the process is greatly simplified, and there is an advantage of preventing misalignment of the upper substrate and the lower substrate. In addition, the transmittance is improved by more than 25% compared to the existing liquid crystal display device, and its application range is continuously expanding.

도 1a 및 1b는 이러한 액정 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 단면도이다. 액정 표시 장치는 하부기판(300), 상부기판(400) 및 하부 기판(300)과 상부 기판(400) 사이에 게재되는 액정(500)을 포함한다. 상기 하부 기판(300)은 인접하게 슬릿 패턴으로 형성되는 복수의 픽셀 전극(110)을 포함한다. 상기 하부 기판(300)에 존재하는 복수의 픽셀 전극(110) 만으로 액정의 전계를 형성하며, 도 1a의 경우 전계가 형성되지 않은 블랙 화면의 액정 배열이며, 도 1b의 경우 전계가 형성되는 화이트 화면의 액정 배열이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of driving such a liquid crystal display. The liquid crystal display includes a lower substrate 300, an upper substrate 400, and a liquid crystal 500 disposed between the lower substrate 300 and the upper substrate 400. The lower substrate 300 includes a plurality of pixel electrodes 110 formed in a slit pattern adjacent to each other. A liquid crystal electric field is formed only by the plurality of pixel electrodes 110 present on the lower substrate 300. In FIG. 1A, the liquid crystal array is a black screen on which an electric field is not formed. In FIG. Is a liquid crystal array.

하지만 이러한 하부 기판(300)에 존재하는 복수의 픽셀 전극(110) 만으로 액정의 배열을 제어하는 경우 상기 복수의 픽셀 전극(110)의 패턴이 올바르게 형성되지 않으면, 해당하는 부분의 액정 배열에 대해 불량이 발생하게 되고, 하나의 픽셀에서 일부분에 텍스처 불량이 발생하게 된다. 이러한 텍스처 불량의 원인들로는 많은 것들이 있으나 특히 상기 픽셀 전극(110)의 형상에 문제가 발생되는 경우가 많다. 상기 픽셀 전극(110)이 일반회로영역과 인접하는 경우 노광이 과도하게 일어나 픽셀 전극(110)의 형성이 불완전하게 되어 전체적인 불량을 발생하는 현상이 있으며, 전체적인 픽셀의 품질을 저하시키는 주요 원인이 된다.However, when controlling the arrangement of the liquid crystal using only the plurality of pixel electrodes 110 existing in the lower substrate 300, if the patterns of the plurality of pixel electrodes 110 are not formed correctly, the liquid crystal arrangement of the corresponding portion is bad. This occurs, and texture defects occur in a part of one pixel. There are many causes of such a texture defect, but in particular, a problem occurs in the shape of the pixel electrode 110. When the pixel electrode 110 is adjacent to the general circuit region, the exposure is excessive and the formation of the pixel electrode 110 becomes incomplete, which causes overall defects, which is a major cause of deterioration of the overall pixel quality. .

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 픽셀 화소의 텍스처 불량 개선을 방지하는 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention was conceived in this respect, and it is to provide a mask including an assist pattern for preventing texture defect improvement of pixel pixels.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 마스크는 중앙 영역에 배치된 십자 형상의 줄기 패턴, 상기 줄기 패턴으로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 가지 패턴들 및 각 가지 패턴의 말단부로부터 연장된 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴을 포함하고, 상기 서브 어시스트 패턴은 정사각형 형상을 갖는 어시스트 패턴을 포함한다. A mask according to an embodiment for realizing the object of the present invention is a cross-shaped stem pattern disposed in the central region, a plurality of branch patterns extending in a diagonal direction from the stem pattern and extending from the end of each branch pattern And at least two sub assist patterns, wherein the sub assist patterns include assist patterns having a square shape.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 가지 패턴의 길이방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성될 수 있다. In one embodiment, the center of the square of the sub assist pattern may be formed on an extension line of the side edge extending in the longitudinal direction of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 가지 패턴의 폭의 75% 이하일 수 있다. The length of one side of the square of the sub assist pattern may be 75% or less of the width of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 가지 패턴의 폭의 50% 이상 70% 이하일 수 있다. The length of one side of the square of the sub assist pattern may be 50% or more and 70% or less of the width of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴과 일체로 형성될 수 있다.In example embodiments, the sub assist pattern may be integrally formed with the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 가지 패턴의 폭보다 클 수 있다. The width of the assist pattern may be greater than the width of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 상기 가지 패턴의 길이방향으로 연장되는 높이는 상기 가지 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4일 수 있다. In one embodiment, the height extending in the longitudinal direction of the branch pattern of the assist pattern may be 1/10 to 1/4 of the width of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 가지 패턴의 폭 보다 상기 가지 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4 만큼 클 수 있다. The width of the assist pattern may be 1/10 to 1/4 of the width of the branch pattern than the width of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴과 일체로 형성될 수 있다. In some embodiments, the assist pattern may be integrally formed with the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 측부에 형성될 수 있다. In some embodiments, the assist pattern may be formed on the side of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 말단부로 갈수록 두께가 증가할 수 있다. In an embodiment, the assist pattern may increase in thickness toward the distal end of the branch pattern.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 말단부로 갈수록 불연속적으로 두께가 증가할 수 있다. In one embodiment, the assist pattern may increase in thickness discontinuously toward the distal end of the branch pattern.

본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 영역과 인접하는 픽셀 패턴의 말단부에 위치하는 어시스트 패턴이 상기 회로 영역으로부터 유입되는 광을 차단하기 때문에, 상기 픽셀 패턴의 말단부를 설계시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있게 된다.According to embodiments of the present invention, since the assist pattern located at the distal end of the pixel pattern adjacent to the circuit region blocks the light flowing from the circuit region, the distal end of the pixel pattern is corrected to the shape intended at design time. You can do it.

도 1a 및 1b는 액정 표시장치의 구동을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 3은 종래의 마스크에 의해 노광된 'A' 부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 6의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 9은 도 8의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating driving of a liquid crystal display.
2 is a plan view illustrating a mask according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion 'A' exposed by a conventional mask.
4 is a perspective view showing a part of a mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph illustrating an exposure intensity of a mask according to the embodiment of FIG. 4.
6 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a graph illustrating the exposure intensity of the mask according to the embodiment of FIG. 6.
8 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.
9 is a graph illustrating an exposure intensity of a mask according to the embodiment of FIG. 8.
10A to 10F are graphs showing exposure intensities different from the sizes of the sub assist patterns of the mask according to the embodiment of FIG. 8.
11A to 11F are graphs showing exposure intensities different from the sizes of the sub assist patterns of the mask according to the embodiment of FIG. 8.
12 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.2 is a plan view illustrating a mask according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 마스크는 픽셀 영역(101) 및 배선 영역(102)를 포함한다. 상기 픽셀 영역(101)은 복수개의 픽셀 패턴을 포함하고, 상기 배선 영역(102)는 일반 회로 패턴을 포함한다.Referring to FIG. 2, the mask according to the present embodiment includes a pixel region 101 and a wiring region 102. The pixel region 101 includes a plurality of pixel patterns, and the wiring region 102 includes a general circuit pattern.

상기 픽셀 영역(101)는 빗살 모양의 복수개의 픽셀 패턴(110)을 포함한다. 하부 기판에 형성되는 픽셀 전극으로 액정의 배열을 제어하는 전계를 형성하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같이 복수개의 슬릿이 배열된 형상으로 화소 전극이 형성되어야 한다. 이러한 형태의 픽셀 패턴을 U-슬릿 패턴(U-Slit Pattern)으로 명칭할 수 있다.The pixel area 101 includes a plurality of comb-shaped pixel patterns 110. In order to form an electric field for controlling the arrangement of the liquid crystal with the pixel electrode formed on the lower substrate, the pixel electrode should be formed in a shape in which a plurality of slits are arranged as shown in FIG. 2. This type of pixel pattern may be referred to as a U-Slit pattern.

상기 U-슬릿 패턴은 상기 픽셀 패턴이 도 2에 도시된 바와 같이, 픽셀 패턴이 립(rib)모양으로 형성되고, 각 픽셀 패턴들을 전기적으로 연결하는 주변부가 둘러싸는 형태로 형성된다. 도 2를 참조하면, 픽셀 영역(101) 내에 는 복수의 픽셀 패턴(110)이 형성되고, 중심부 및 주변부는 닫힌 폐쇄형 패턴이 형성된다. 하지만, 상기 복수의 픽셀 패턴(110) 중 상기 회로 영역(102)과 인접하는 영역에는 개방형 패턴이 형성된다. 상기 회로 영역(102)과 인접하는 영역에는 개방형 픽셀 패턴(110)이 형성되기 때문에, 주변이 과도하게 노출되는 경우 주변의 광이 유입되어 패턴 형성에 방해를 받을 수 있다.In the U-slit pattern, as shown in FIG. 2, the pixel pattern is formed in a rib shape and surrounds a peripheral portion electrically connecting the pixel patterns. Referring to FIG. 2, a plurality of pixel patterns 110 are formed in the pixel region 101, and a closed closed pattern is formed at the center and the periphery thereof. However, an open pattern is formed in an area of the plurality of pixel patterns 110 adjacent to the circuit area 102. Since the open pixel pattern 110 is formed in an area adjacent to the circuit area 102, when the surroundings are overexposed, light of the surroundings may be introduced to interfere with pattern formation.

상기 회로 영역(102)에 형성되는 일반 회로 패턴은 상기 마스크에 의해 제작되는 기판의 설계에 따라 다양한 패턴이 형성될 수 있다. 상기 배선 영역(120)에 의해 형성되는 일반회로 패턴의 특징은 상기 픽셀영역(101)에 의해 형성되는 패턴에 비해 노광되는 영역이 많은 점이다. 상기 배선 영역(120)은 상기 픽셀 영역(101)과 같이 전계를 형성하여 액정을 배열하는 기능을 하는 것이 아니기 때문에, 필요한 패턴의 크기가 상기 픽셀영역(101)에 존재하는 패턴보다 크고, 덜 조밀하다. 따라서, 상기 회로 영역(102)에서 광선이 투과되는 투과 영역은 상기 픽셀 영역(101)의 투과 영역보다 크다. 일반적으로 상기 회로 영역(102)은 상기 픽셀 영역(101) 보다 더 많은 양의 광선이 투과된다.The general circuit pattern formed in the circuit region 102 may have various patterns according to the design of the substrate manufactured by the mask. A characteristic of the general circuit pattern formed by the wiring area 120 is that the exposed area is more than the pattern formed by the pixel area 101. Since the wiring region 120 does not function to form an electric field like the pixel region 101 to arrange liquid crystals, the size of a required pattern is larger and less dense than the pattern existing in the pixel region 101. Do. Therefore, the transmission region through which light rays are transmitted in the circuit region 102 is larger than the transmission region of the pixel region 101. In general, the circuit region 102 transmits a larger amount of light rays than the pixel region 101.

도 2를 다시 참조하면, 상기 픽셀 영역(101)과 상기 회로 영역(102) 사이에 존재하는 상기 픽셀 영역(101)의 픽셀 패턴(110)들은 개방형으로 형성되어 상기 회로 영역(102)을 통하여 들어오는 노광용 광이 상기 픽셀 패턴(110) 영역으로 침범될 수 있다. 이러한 경우 상기 회로 영역(102)에 인접한 픽셀 패턴(110)들은 필요한 광보다 과도하게 노광되어 원래 설계한 패턴의 형상이 아닌 과도하게 노광된 형상으로 형성된다.Referring back to FIG. 2, the pixel patterns 110 of the pixel region 101 existing between the pixel region 101 and the circuit region 102 are formed to be open and enter through the circuit region 102. Exposure light may invade the pixel pattern 110 region. In this case, the pixel patterns 110 adjacent to the circuit region 102 are overexposed than necessary light, so that the pixel patterns 110 are overexposed instead of the originally designed pattern.

도 3은 어시스트 패턴이 없는 마스크에 의해 노광된 'A' 부분을 확대한 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view enlarging an 'A' portion exposed by a mask without an assist pattern.

도 3을 참조하면, 어시스트 패턴이 없는 마스크에 의해 노광된 픽셀 패턴은 인접한 광에 의해 과도하게 노광된 상태로 형성된다. 상기 회로 영역(102)은 광이 투과되는 투과영역이 상기 픽셀 영역(101) 보다 많이 형성되고, 특히 상기 픽셀 영역(101)과 인접한 부분의 회로 영역(102)은 광이 전부 노출될 정도로 투과영역이 많이 분포하고 있다.Referring to FIG. 3, a pixel pattern exposed by a mask without an assist pattern is formed in an excessively exposed state by adjacent light. The circuit region 102 has more transmissive regions through which light is transmitted than the pixel region 101. In particular, the circuit region 102 in a portion adjacent to the pixel region 101 has a transmissive region such that all of the light is exposed. This is distributed a lot.

따라서, 상기 회로 영역(102)에 형성되는 패턴에 의해 투과된 광은 상기 인접한 픽셀 영역(101)의 픽셀 패턴(111')으로 누출된다. 상기 누출된 광은 픽셀 패턴이 원래 형성하여야 하는 U-슬릿 형상이 아닌 빗살모양의 패턴을 형성한다. 상기 빗살 모양의 패턴으로 형성된 픽셀 패턴은 액정 배향을 위한 전계를 형성하는 경우에 필요한 만큼의 전계를 형성하지 못하거나, 같은 신호를 받은 다른 픽셀 패턴과는 다른 세기의 전계를 형성하게 된다. 따라서 빗살 모양의 패턴으로 형성된 픽셀 영역에는 다른 픽셀 영역과는 다른 색이 표시되는 등의 불량이 발생하게 된다.Therefore, light transmitted by the pattern formed in the circuit region 102 leaks into the pixel pattern 111 ′ of the adjacent pixel region 101. The leaked light forms a comb-like pattern that is not the U-slit shape that the pixel pattern should originally form. The pixel pattern formed by the comb-shaped pattern does not form an electric field as necessary when forming an electric field for liquid crystal alignment, or forms an electric field having a different intensity from other pixel patterns receiving the same signal. Therefore, a defect such as displaying a different color from other pixel areas occurs in the pixel area formed by the comb-shaped pattern.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing a part of a mask according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 배선 영역과 인접하는 픽셀 패턴(111)의 말단에 형성되는 복수개의 어시스트 패턴(151)을 포함한다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 제1 간격(d1)만큼 연장되어 형성된다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(151)은 제2 넓이(w2)만큼의 폭을 가진다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 제1 높이(h1)만큼 연장된다. 상기 어시스트 패턴(151)의 제2 넓이(w2)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)와 실질적으로 동일한 폭을 가질 수 있다. Referring to FIG. 4, the mask according to the exemplary embodiment includes a plurality of assist patterns 151 formed at ends of the pixel patterns 111 adjacent to the wiring area. The assist pattern 151 extends from the end of the pixel pattern 111 by a first interval d1. The pixel pattern 111 has a width equal to the first width w1, and the assist pattern 151 has a width equal to the second width w2. The assist pattern 151 extends by the first height h1 in the length direction of the pixel pattern 111. The second width w2 of the assist pattern 151 may have a width substantially the same as the first width w1 of the pixel pattern 111.

상기 어시스트 패턴(151)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(151)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다.The assist pattern 151 blocks light for exposure. Since the assist pattern 151 is formed to be significantly smaller than the size of the pixel pattern 111, the assist pattern 151 does not form an actual pixel pattern or a circuit pattern. However, since the amount of light supplied to the adjacent patterns can be reduced, it can serve to partially correct the shape of the desired pattern.

상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 제1 간격(d1)만큼 이격하여 형성된다. 상기 어시스트 패턴(151)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.The assist pattern 151 is formed at a distal end of the pixel pattern 111 by the first interval d1. The assist pattern 151 does not form an actual pattern, but affects the pattern formation at the end portion of the pixel pattern 111. The amount of light supplied to the end portion of the pixel pattern 111 can be adjusted, and in particular, the light leakage from the circuit region can be blocked, thereby helping the end of the pixel pattern 111 to be formed as originally designed. .

도 5는 도 4의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.5 is a graph illustrating an exposure intensity of a mask according to the embodiment of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 도 4의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 5는 상기 제1 간격(d1)이 0.5 μm, 상기 제1 높이(h1)가 0.5μm, 상기 제1 넓이(w1) 및 제2 넓이(w2)가 각각 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.Referring to FIG. 5, the light intensity of the light exposed to the pattern when the mask according to the embodiment of FIG. 4 is used is shown. 5 illustrates that the first interval d1 is 0.5 μm, the first height h1 is 0.5 μm, and the first width w1 and the second width w2 are 2.0 μm, respectively. It is the exposure degree of the light using the mask containing an assist pattern.

광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 상기 제6 및 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 픽셀 패턴이 빗살 무늬로 형성하지 않고, U-자형 패턴으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 따라서, 다른 픽셀 패턴들과 마찬가지로 액정의 배열에 필요한 전계를 충분히 형성할 수 있기 때문에, 픽셀 패턴의 불량으로 인한 불량을 방지할 수 있게 된다.The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 ), And the pattern is formed only in the region irradiated by the sixth and seventh intensities. It can be seen that the pixel pattern is formed in a U-shaped pattern instead of forming a comb. Therefore, since the electric field necessary for the arrangement of liquid crystals can be sufficiently formed like other pixel patterns, it is possible to prevent a defect due to a defective pixel pattern.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.6 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 연장되어 형성되는 어시스트 패턴(152)을 포함한다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(152)은 제3 넓이(w3)만큼의 폭을 가진다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 제2 높이(h2)만큼 연장된다. Referring to FIG. 6, another mask according to the present embodiment includes a pixel pattern 111 and an assist pattern 152 extending from an end of the pixel pattern 111. The pixel pattern 111 has a width equal to the first width w1, and the assist pattern 152 has a width equal to the third width w3. The assist pattern 152 extends by the second height h2 in the length direction of the pixel pattern 111.

상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)에 비해 더 크게 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)는 상기 픽셀 패턴(111)과 접하여 형성되기 때문에, 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)보다 더 큰 제3 넓이(w3)로 형성되어야 상기 픽셀 패턴(111)의 말단을 보정할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152) 및 픽셀 패턴(111) 전체적으로 망치 형상의 패턴으로 형성된다. 상기 어시스트 패턴(152)의 상기 픽셀 패턴(111)의 길이방향으로 연장되는 제2 높이(h2)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 1/10 내지 1/4일 수 있다. 상기 제2 높이(h2)가 길게 형성될수록 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부는 더욱 짙게 형성될 수 있다. 상기 제2 높이(h2)가 너무 높게 형성되는 경우에는 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 필요 없는 패턴이 부가적으로 생성될 수 있기 때문에, 너무 높게 형성하지 않도록 한다.The third width w3 of the assist pattern 152 may be larger than the first width w1 of the pixel pattern 111. Since the assist pattern 152 is formed in contact with the pixel pattern 111, the assist pattern 152 may be formed to have a third width w3 larger than the first width w1 of the pixel pattern 111. The end of can be corrected. The assist pattern 152 and the pixel pattern 111 are formed in a hammer-shaped pattern as a whole. The second height h2 extending in the longitudinal direction of the pixel pattern 111 of the assist pattern 152 may be 1/10 to 1/4 of the first width w1 of the pixel pattern 111. . As the second height h2 is formed longer, the distal end portion of the pixel pattern 111 may be formed deeper. When the second height h2 is formed too high, the unnecessary pattern may be additionally generated at the end of the pixel pattern 111, so that the second height h2 is not formed too high.

또한 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1) 보다 더 크게 형성되는데, 상기 제3 넓이(w3)의 경우에도 너무 크게 형성되는 경우 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부가 측방향으로 연장될 수 있다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부가 측방향으로 연장되는 경우 인접하는 픽셀 패턴(111)과 쇼트가 일어날 수 있기 때문에, 과도하게 길게 형성하지 않아야 한다. 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 1/10 내지 1/4 정도 크게 형성할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)가 상기와 같은 넓이로 형성되는 경우 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 알맞은 크기로 보정할 수 있다. 상기 제2 높이(h2) 및 제3 넓이(w3)은 서로 영향을 미치는 변수이기 때문에, 각각의 패턴의 설계에 맞게 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 높이(h2)를 증가시키는 경우에는 상기 제3 넓이(w3)를 더욱 작게 형성할 수 있으며, 반대의 경우 상기 제2 높이(h2)를 감소하는 경우에는 상기 제3 넓이(w3)를 좀 더 크게 형성시킬 수 있다.In addition, the third width w3 of the assist pattern 152 is formed to be larger than the first width w1 of the pixel pattern 111, and when the third width w3 is too large, The distal end of the pixel pattern 111 may extend laterally. When the distal end portion of the pixel pattern 111 extends laterally, short may occur with the adjacent pixel pattern 111, and thus it should not be excessively long. The third width w3 of the assist pattern 152 may be about 1/10 to 1/4 of the first width w1 of the pixel pattern 111. When the third width w3 of the assist pattern 152 is formed as described above, the distal end portion of the pixel pattern 111 may be corrected to an appropriate size. Since the second height h2 and the third width w3 are variables influencing each other, the second height h2 and the third width w3 may be adjusted according to the design of each pattern. For example, when the second height h2 is increased, the third width w3 may be made smaller, and when the second height h2 is decreased, the third width h3 may be reduced. (w3) can be made larger.

상기 어시스트 패턴(152)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(152)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서부터 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.The assist pattern 152 blocks light for exposure. Since the assist pattern 152 is formed to be significantly smaller than the size of the pixel pattern 111, the assist pattern 152 does not form an actual pixel pattern or a circuit pattern. However, since the amount of light supplied to the adjacent patterns can be reduced, it can serve to partially correct the shape of the desired pattern. The assist pattern 152 extends from an end of the pixel pattern 111. The assist pattern 152 may be integrally formed with the pixel pattern 111. The assist pattern 152 does not form an actual pattern, but affects the pattern formation at the end portion of the pixel pattern 111. The amount of light supplied to the end portion of the pixel pattern 111 can be adjusted, and in particular, the light leakage from the circuit region can be blocked, thereby helping the end of the pixel pattern 111 to be formed as originally designed. .

도 7은 도 6의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.FIG. 7 is a graph illustrating the exposure intensity of the mask according to the embodiment of FIG. 6.

도 7를 참조하면, 도 6의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 7은 상기 제3 넓이(w3)가 3.0μm, 상기 제2 높이(h2)가 0.5μm, 상기 제1 넓이(w1)가 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.Referring to FIG. 7, the light intensity of the light exposed to the pattern when the mask according to the embodiment of FIG. 6 is used is illustrated. FIG. 7 illustrates a mask including an assist pattern according to the present embodiment when the third width w3 is 3.0 μm, the second height h2 is 0.5 μm, and the first width w1 is 2.0 μm. The degree of light exposure.

광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 상기 제6 및 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 픽셀 패턴이 빗살 무늬로 형성하지 않고, U-자형 패턴으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 따라서, 다른 픽셀 패턴들과 마찬가지로 액정의 배열에 필요한 전계를 충분히 형성할 수 있기 때문에, 픽셀 패턴의 불량으로 인한 불량을 방지할 수 있게 된다.The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 ), And the pattern is formed only in the region irradiated by the sixth and seventh intensities. It can be seen that the pixel pattern is formed in a U-shaped pattern instead of forming a comb. Therefore, since the electric field necessary for the arrangement of liquid crystals can be sufficiently formed like other pixel patterns, it is possible to prevent a defect due to a defective pixel pattern.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.8 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 연장되어 형성되는 어시스트 패턴(154)을 포함한다. 상기 어시스트 패턴(154)는 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴(153)으로 이루어 진다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 각 모서리부에서 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 정사각형의 형상으로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되는 경우, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 정사각형의 한 변의 길이는 제1 길이(s)만큼 형성될 수 있다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 제1 길이(s)만큼의 폭을 가진다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 이하일 수 있다. 일반적으로 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 이상인 경우에는 상기 서브 어시스트 패턴(153)에 의해 추가적인 패턴이 실제적으로 형성되어 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 서로 쇼트시키는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 정사각형 형상의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 를 넘지 않아야 한다.Referring to FIG. 8, the mask according to the present exemplary embodiment includes a pixel pattern 111 and an assist pattern 154 extending from an end of the pixel pattern 111. The assist pattern 154 includes at least two sub assist patterns 153. The sub assist pattern 153 may extend from each corner of the end of the pixel pattern 111. In addition, the sub assist pattern 153 may be formed in a square shape. When the sub assist pattern 153 is formed in a square shape, the length of one side of the square of the sub assist pattern 153 may be formed by a first length s. The pixel pattern 111 has a width equal to the first width w1 and the sub assist pattern 153 has a width equal to the first length s. The first length s of the sub assist pattern 153 may be about 75% or less of the first width w1 of the pixel pattern 111. In general, when the first length s is about 75% or more of the first width w1 of the pixel pattern 111, an additional pattern is actually formed by the sub assist pattern 153 so that the pixel pattern ( The shorting of the distal ends of 111) may occur. Therefore, the first length s of the square shape of the sub assist pattern 153 should not exceed about 75% of the first width w1 of the pixel pattern 111.

또한, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 50% 이상 70% 이하의 범위로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성된 경우, 상기 제1 길이(s)를 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 50% 이상 70% 이하의 범위로 형성하는 경우 가장 효과적으로 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 보정할 수 있게 된다. 후추 실험 데이터와 함께 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되었을 때의 제1 길이(s)의 변화에 따른 상기 픽셀 패턴(111)의 형성을 설명한다.In addition, the first length s of the sub assist pattern 153 may be formed in a range of about 50% or more and 70% or less of the first width w1 of the pixel pattern 111. When the sub assist pattern 153 is formed in a square shape, the first length s is formed in a range of about 50% or more and 70% or less of the first width w1 of the pixel pattern 111. It is possible to effectively correct the distal end of the pixel pattern 111. Along with the pepper experiment data, the formation of the pixel pattern 111 according to the change in the first length s when the sub assist pattern 153 is formed in a square shape will be described.

상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서 연장되어 형성되기 때문에, 다른 구성요소를 결합하여 설계하는 것이 아니라, 최초 설계 시에 산기 픽셀 패턴(111)의 말단부에 상기 서브 어시스트 패턴(153)을 함께 설계할 수 있다. 또한, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 좀 더 설계하는 패턴에 가깝게 형성되도록 보정하는 것이므로, 상기 픽셀 패턴(111)의 왜곡이 가장 심한 부분인 상기 픽셀 패턴(111)의 모서리 부에 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 위치하도록 형성한다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되는 경우 상기 정사각형의 중심부는 상기 픽셀 패턴(111)의 측변에서 연장되는 가상의 선 상에 위치하도록 상기 서브 어시스트 패턴(153)을 배열할 수 있다.The sub assist pattern 153 may be integrally formed with the pixel pattern 111. Since the sub assist pattern 153 extends from the end of the pixel pattern 111, the sub assist pattern 153 is not designed to combine other components, but the sub assist at the end of the diffuser pixel pattern 111 during initial design. Patterns 153 can be designed together. In addition, the center of the square of the sub assist pattern may be formed on an extension line of the side edge extending in the longitudinal direction of the pixel pattern 111. Since the assist pattern 154 is corrected to be formed to be closer to a pattern for designing a more distal end of the pixel pattern 111, the corner of the pixel pattern 111, which is the most severe distortion of the pixel pattern 111, is formed. The sub assist pattern 153 is formed at a portion thereof. When the sub assist pattern 153 is formed in a square shape, the sub assist pattern 153 may be arranged such that a central portion of the square is positioned on an imaginary line extending from the side of the pixel pattern 111.

상기 어시스트 패턴(154)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(154)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다.The assist pattern 154 blocks light for exposure. Since the assist pattern 154 is formed to be significantly smaller than the size of the pixel pattern 111, the assist pattern 154 does not form an actual pixel pattern or a circuit pattern. However, since the amount of light supplied to the adjacent patterns can be reduced, it can serve to partially correct the shape of the desired pattern.

상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서부터 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단의 각 모서리부에서 연장되어 형성되는 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴(153)으로 형성된다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(154)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.The assist pattern 154 extends from an end of the pixel pattern 111. The assist pattern 154 is formed of at least two sub assist patterns 153 extending from each corner of the end of the pixel pattern 111. The sub assist pattern 153 may be integrally formed with the pixel pattern 111. The assist pattern 154 does not form an actual pattern, but affects the pattern formation at the end portion of the pixel pattern 111. The amount of light supplied to the end portion of the pixel pattern 111 can be adjusted, and in particular, the light leakage from the circuit region can be blocked, thereby helping the end of the pixel pattern 111 to be formed as originally designed. .

도 9은 도 8의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.9 is a graph illustrating an exposure intensity of a mask according to the embodiment of FIG. 8.

도 9를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 9는 상기 제1 길이(s)가 1.0μm, 상기 제1 넓이가 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.Referring to FIG. 9, the light intensity of the light exposed to the pattern when the mask according to the embodiment of FIG. 8 is used is illustrated. FIG. 9 illustrates the exposure of light using a mask including an assist pattern according to the present embodiment when the first length s is 1.0 μm and the first width is 2.0 μm.

광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제5, 제6 및 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 픽셀 패턴이 빗살 무늬로 형성하지 않고, U-자형 패턴으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 따라서, 다른 픽셀 패턴들과 마찬가지로 액정의 배열에 필요한 전계를 충분히 형성할 수 있기 때문에, 픽셀 패턴의 불량으로 인한 불량을 방지할 수 있게 된다.The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the fifth, sixth, and seventh intensities. It can be seen that the pixel pattern is formed in a U-shaped pattern instead of forming a comb. Therefore, since the electric field necessary for the arrangement of liquid crystals can be sufficiently formed like other pixel patterns, it is possible to prevent a defect due to a defective pixel pattern.

도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.10A to 10F are graphs showing exposure intensities different from the sizes of the sub assist patterns of the mask according to the embodiment of FIG. 8.

도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 서브 어시스트 패턴의 제1 길이(s)를 각각 달리 하였을 때에, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다.10A to 10F are graphs showing the intensity of light exposed by the mask when the first length s of the sub assist pattern is different in the mask according to the embodiment of FIG. 8.

도 10a를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 0인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10a에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.Referring to FIG. 10A, when the sub assist pattern is formed at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is equal to zero. Is a graph showing the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10A, it can be seen that light is supplied to an end of the pixel pattern at an intensity of light that does not form a pixel pattern. Therefore, a pixel pattern of a desired shape cannot be formed.

도 10b를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 25%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 0.5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10b에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 이 경우에도 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.Referring to FIG. 10B, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 25% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 0.5 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10B, it can be seen that light is supplied to the distal end of the pixel pattern at an intensity of light that does not form the pixel pattern. Therefore, even in this case, a pixel pattern having a desired shape cannot be formed.

도 10c를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 50%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.0μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10c에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 적어도 50% 이상인 경우에, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10C, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 50% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.0 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10C, it can be seen that the intensity of light is supplied to the end of the pixel pattern so that the light can be formed into a pixel pattern having a desired shape. Therefore, when the first length s is at least 50% of the value of the first width w1 of the pixel pattern 111, it can be seen that the correction can be made to form the pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 10d를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 55%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.1μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10d에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 55% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10D, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 55% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.1 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10D, it can be seen that the intensity of light is supplied to the distal end of the pixel pattern so that light can be formed into a pixel pattern having a desired shape. Therefore, even when the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 is about 55%, the first length s can be corrected to be formed as a pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 10e를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 62.5%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.25μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10e에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 62.5% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10E, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 62.5% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.25 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10E, it can be seen that the intensity of light is supplied to the distal end of the pixel pattern so that the light can be formed into a pixel pattern having a desired shape. Therefore, even when the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 is about 62.5%, the first length s can be corrected to be formed as the pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 10f를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 75%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10f에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부가 인접하는 픽셀 패턴과 접하게 형성됨을 알 수 있다. 이 경우에는 상기 픽셀 패턴이 인접하는 픽셀 패턴과 쇼트가 일어나기 때문에, 원하는 전계를 형성할 수 없게 된다. 따라서 화소에 불량이 발생한다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 75%를 초과하는 경우에는 픽셀 패턴의 말단부가 측면으로 연장되는 불량이 발생하여 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 없음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10F, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 75% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.5 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 10F, it can be seen that the distal end portion of the pixel pattern is in contact with an adjacent pixel pattern. In this case, since the pixel pattern is short with the adjacent pixel pattern, a desired electric field cannot be formed. Therefore, a defect occurs in the pixel. Thus, when the first length s exceeds the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 by about 75%, a defect may occur in which the distal end portion of the pixel pattern extends laterally to have a desired shape. It can be seen that it cannot be corrected to be formed of the pixel pattern 111.

도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.11A to 11F are graphs illustrating exposure intensities different from the sizes of the sub assist patterns of the mask according to the embodiment of FIG. 8.

도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 서브 어시스트 패턴의 제1 길이(s)를 각각 달리 하였을 때에, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 도 11a 내지 11f의 실시예와 도 10a 내지 10f의 실시예와 다른 점은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 도 11a 내지 11f의 실시예에서 더 크게 적용되었다는 점이다.11A to 11F are graphs showing the intensity of light exposed by the mask when the first length s of the sub assist pattern is different in the mask according to the embodiment of FIG. 8. The difference between the embodiment of FIGS. 11A through 11F and the embodiment of FIGS. 10A through 10F is that the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 is larger in the embodiment of FIGS. 11A through 11F.

도 11a를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 0인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11a에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 도 10a의 실시예와 마찬가지로 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.Referring to FIG. 11A, when the sub assist pattern is formed at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is zero. Is a graph showing the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 5 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11A, it can be seen that light is supplied to the distal end of the pixel pattern at an intensity of light that does not form the pixel pattern. Therefore, like the embodiment of FIG. 10A, a pixel pattern having a desired shape cannot be formed.

도 11b를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 25%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 0.625μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11b에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 이 경우에도 도 10b의 실시예와 마찬가지로 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.Referring to FIG. 11B, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 25% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 5 μm. Thus, the first length s is 0.625 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11B, it can be seen that light is supplied to the distal end of the pixel pattern at an intensity of light that does not form the pixel pattern. Therefore, in this case as well, as in the embodiment of FIG. 10B, a pixel pattern having a desired shape cannot be formed.

도 11c를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 50%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.25μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11c에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 적어도 50% 이상인 경우에, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 11C, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 50% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 5 μm. Thus, the first length s is 1.25 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11C, it can be seen that light intensity is supplied to an end portion of the pixel pattern so that light can be formed into a pixel pattern having a desired shape. Therefore, when the first length s is at least 50% of the value of the first width w1 of the pixel pattern 111, it can be seen that the correction can be made to form the pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 11d를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 55%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.375μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11d에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 55% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 11D, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 55% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.375 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11D, it can be seen that the intensity of light is supplied to the end of the pixel pattern so that the light can be formed into a pixel pattern having a desired shape. Therefore, even when the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 is about 55%, the first length s can be corrected to be formed as a pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 11e를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 62.5%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.56μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11e에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 62.5% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 11E, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 62.5% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm. Thus, the first length s is 1.56 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11E, it can be seen that the intensity of light is supplied to the distal end of the pixel pattern so that light can be formed in a pixel pattern having a desired shape. Therefore, even when the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 is about 62.5%, the first length s can be corrected to be formed as the pixel pattern 111 having a desired shape. Can be.

도 11f를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 75%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.875μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11f에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부가 인접하는 픽셀 패턴과 접하게 형성됨을 알 수 있다. 이 경우에는 상기 픽셀 패턴이 인접하는 픽셀 패턴과 쇼트가 일어나기 때문에, 원하는 전계를 형성할 수 없게 된다. 따라서 화소에 불량이 발생한다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 75%를 초과하는 경우에는 픽셀 패턴의 말단부가 측면으로 연장되는 불량이 발생하여 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 없음을 알 수 있다. 이것은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)가 4 μm인 경우와 동일하며, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 비율에 의해 결정되어야 함을 알 수 있으며, 특히, 상기 제1 길이(s)는 적어도 상기 제1 넓이(w1)의 75% 이하로 형성되어야 하며, 바람직하게는 상기 제1 넓이(w1)의 50% 이상 75% 이하로 형성되어야 함을 알 수 있다.Referring to FIG. 11F, when the sub assist pattern is formed in a square at the end of the pixel pattern 111 in the mask according to the embodiment of FIG. 8, the first length s, which is the length of one side of the square, is determined. In the case of 75% of the first width w1 of the pixel pattern 111, the graph shows the intensity of light exposed by the mask. The first width w1 of the pixel pattern 111 is 5 μm. Thus, the first length s is 1.875 μm. The intensity of light is the first intensity i1, the second intensity i2, the third intensity i3, the fourth intensity i4, the fifth intensity i5, the sixth intensity i6 and the seventh intensity i7 In this embodiment, the pattern is formed only in the region irradiated by the seventh intensity. In FIG. 11F, it can be seen that the distal end portion of the pixel pattern is in contact with an adjacent pixel pattern. In this case, since the pixel pattern is short with the adjacent pixel pattern, a desired electric field cannot be formed. Therefore, a defect occurs in the pixel. Thus, when the first length s exceeds the value of the first width w1 of the pixel pattern 111 by about 75%, a defect may occur in which the distal end portion of the pixel pattern extends laterally to have a desired shape. It can be seen that it cannot be corrected to be formed of the pixel pattern 111. This is the same as when the first width w1 of the pixel pattern 111 is 4 μm, and the first length s of the sub assist pattern 153 is the first width w1 of the pixel pattern 111. In particular, the first length s should be formed at least 75% of the first width w1, and preferably, the first width w1. It can be seen that at least 50% and at most 75%.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.12 is a perspective view showing a part of a mask according to another embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 측부에 형성되는 어시스트 패턴(155)을 포함한다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(155)은 각각 하나의 제4 넓이(w4) 및 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지며, 상기 하나의 제4 넓이(w4)를 가지는 영역에는 하나의 제3 높이(w3)를 가지고, 상기 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지는 영역에는 다른 하나의 제3 높이(w3')을 가진다. 상기 어시스트 패턴(155)을 하나의 제4 넓이(w4)를 가지는 구간과 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지는 구간으로 나누어 설명하였지만, 실질적으로는 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로 갈수록 더 넓은 넓이를 가지는 형상으로 형성된다. 본 실시예에서는 상기 어시스트 패턴(155)이 불연속적인 넓이를 가지는 것으로 형성되었지만, 상기 어시스트 패턴(155)의 넓이가 연속적으로 변화하도록 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 12, another mask according to the present exemplary embodiment includes a pixel pattern 111 and an assist pattern 155 formed at a side of the pixel pattern 111. The pixel pattern 111 has a width equal to a first width w1, and the assist pattern 155 has a fourth width w4 and a fourth width w4 ′, respectively. An area having one fourth width w4 has one third height w3 and another area having another fourth width w4 'has another third height w3'. . Although the assist pattern 155 is divided into sections having one fourth width w4 and sections having another fourth width w4 ', the assist pattern 155 is substantially the pixel pattern. It is formed in a shape having a wider area toward the end of the (111). In the present embodiment, the assist pattern 155 is formed to have a discontinuous area, but the width of the assist pattern 155 may be continuously changed.

상기 어시스트 패턴(155)의 하나의 제3 높이(h3) 및 다른 하나의 제3 높이(h3')은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1) 및 노광의 세기 정도에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)는 상기 픽셀 패턴(111)의 측면에 접하여 형성되고, 따라서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단은 상기 어시스트 패턴(155)에 의하여 보다 더 넓은 폭을 가지는 구조이기 때문에, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 보정된다. 상기 어시스트 패턴(155) 및 픽셀 패턴(111) 전체적으로 말단부로 갈수록 넓이가 증가하는 패턴으로 형성된다. One third height h3 and the other third height h3 ′ of the assist pattern 155 may be variously formed according to the first width w1 of the pixel pattern 111 and the degree of exposure intensity. Can be. The assist pattern 155 is formed to be in contact with the side of the pixel pattern 111, so that the end of the pixel pattern 111 has a wider width than the assist pattern 155, so that the pixel The end of the pattern 111 is corrected. The assist pattern 155 and the pixel pattern 111 are generally formed in a pattern in which the width thereof increases toward the distal end portion.

상기 어시스트 패턴(155)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(155)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 측면에서 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.The assist pattern 155 blocks light for exposure. Since the assist pattern 155 is formed to be significantly smaller than the size of the pixel pattern 111, the assist pattern 155 does not form an actual pixel pattern or a circuit pattern. However, since the amount of light supplied to the adjacent patterns can be reduced, it can serve to partially correct the shape of the desired pattern. The assist pattern 155 extends from the side of the pixel pattern 111. The assist pattern 155 may be integrally formed with the pixel pattern 111. The assist pattern 155 does not form an actual pattern, but affects the pattern formation at the end portion of the pixel pattern 111. The amount of light supplied to the end portion of the pixel pattern 111 can be adjusted, and in particular, the light leakage from the circuit region can be blocked, thereby helping the end of the pixel pattern 111 to be formed as originally designed. .

이와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 영역과 인접하는 픽셀 패턴의 말단부에 위치하는 어시스트 패턴이 상기 회로 영역으로부터 유입되는 광을 차단하기 때문에, 상기 픽셀 패턴의 말단부를 설계시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있게 된다.According to the embodiments of the present invention, since the assist pattern located at the distal end of the pixel pattern adjacent to the circuit region blocks the light flowing from the circuit region, the shape of the distal end of the pixel pattern is intended when designing. Can be corrected.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

110 : 픽셀 영역 120 : 회로 영역
111 : 픽셀 패턴
151, 152, 154, 155 : 어시스트 패턴
153 : 서브 어시스트 패턴110: pixel region 120: circuit region
111: pixel pattern
151, 152, 154, 155: assist pattern
153: sub assist pattern

Claims (13)

회로 형성 패턴;
중앙 영역에 배치된 십자 형상의 줄기 패턴;
상기 줄기 패턴으로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 가지 패턴들; 및
상기 회로 형성 패턴에 인접하는 상기 가지 패턴의 말단부의 각 모서리부로부터 돌출되고, 서로 이격하며, 상기 가지 패턴의 길이 방향과 교차하는 방향을 따라 배열되는 복수의 서브 어시스트 패턴들을 포함하는 마스크.Circuit formation patterns;
A cross-shaped stem pattern disposed in the central area;
A plurality of branch patterns extending in a diagonal direction from the stem pattern; And
And a plurality of sub assist patterns protruding from each corner of the distal end portion of the branch pattern adjacent to the circuit formation pattern, spaced apart from each other, and arranged along a direction crossing the longitudinal direction of the branch pattern. 제1항에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴들 각각은 정사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein each of the sub assist patterns has a square shape. 제2항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 가지 패턴의 길이방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 2,
The center of the square of the sub assist pattern is formed on the extension of the side edge extending in the longitudinal direction of the branch pattern. 제2항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이의 2배는 상기 가지 패턴의 폭의 75% 이하인 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 2,
A mask, wherein twice the length of one side of the square of the sub assist pattern is 75% or less of the width of the branch pattern. 제2항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이의 2배는 상기 가지 패턴의 폭의 50% 이상 70% 이하인 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 2,
A mask, wherein twice the length of one side of the square of the sub assist pattern is 50% or more and 70% or less of the width of the branch pattern. 제2항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 2,
And the sub assist pattern is integrally formed with the branch pattern. 회로 형성 패턴;
중앙 영역에 배치된 십자 형상의 줄기 패턴;
상기 줄기 패턴으로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 가지 패턴들; 및
상기 회로 형성 패턴에 인접하는 상기 가지 패턴의 말단부에 형성되는 어시스트 패턴을 포함하고,
상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 가지 패턴의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 마스크.Circuit formation patterns;
A cross-shaped stem pattern disposed in the central area;
A plurality of branch patterns extending in a diagonal direction from the stem pattern; And
An assist pattern formed at an end of the branch pattern adjacent to the circuit formation pattern;
The width of the assist pattern is larger than the width of the branch pattern mask. 제7항에 있어서,
상기 어시스트 패턴의 상기 가지 패턴의 길이 방향으로 연장되는 높이는 상기 가지 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4인 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 7, wherein
And a height extending in a longitudinal direction of the branch pattern of the assist pattern is 1/10 to 1/4 of a width of the branch pattern. 제7항에 있어서,
상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 가지 패턴의 폭 보다 상기 가지 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4 만큼 큰 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 7, wherein
The width of the assist pattern is a mask, characterized in that 1/10 to 1/4 of the width of the branch pattern than the width of the branch pattern. 제7항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 7, wherein
The assist pattern is a mask, characterized in that formed integrally with the branch pattern. 회로 형성 패턴;
중앙 영역에 배치된 십자 형상의 줄기 패턴;
상기 줄기 패턴으로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 가지 패턴들; 및
상기 회로 형성 패턴에 인접하는 상기 가지 패턴의 말단부에 형성되는 어시스트 패턴을 포함하고,
상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 측부에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.Circuit formation patterns;
A cross-shaped stem pattern disposed in the central area;
A plurality of branch patterns extending in a diagonal direction from the stem pattern; And
An assist pattern formed at an end of the branch pattern adjacent to the circuit formation pattern;
And the assist pattern is formed on the side of the branch pattern. 제11항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 말단부로 갈수록 두께가 증가하는 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 11,
The assist pattern is a mask, characterized in that the thickness increases toward the end of the branch pattern. 제11항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 가지 패턴의 말단부로 갈수록 불연속적으로 두께가 증가하는 것을 특징으로 하는 마스크.The method of claim 11,
The assist pattern is a mask, characterized in that the thickness increases discontinuously toward the end of the branch pattern.
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