KR102031272B1 - Memoryless Common-Mode Insensitive and Low-Pulling VCOs - Google Patents

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Abstract

전압 제어 발진기(VCO)가 개시된다. VCO는 액티브 디바이스를 포함한다. VCO는 액티브 디바이스를 포함하며, 상기 액티브 디바이스는 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 n형 트랜지스터; 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 p형 트랜지스터; 상기 n형 트랜지스터의 게이트와 상기 p형 트랜지스터의 게이트 사이에 결합된 제 1 캐패시터; 상기 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 결합된 제 2 캐패시터; 및 상기 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 p형 트랜지스터의 벌크 사이에 결합된 제 3 캐패시터를 포함하고, 상기 n형 트랜지스터와 상기 p형 트랜지스터는 공통 소스를 공유한다. VCO는 공통 게이트 증폭기를 형성하도록 상기 공통 소스에 결합된 튜닝 블록을 포함하고 그리고 상기 VCO의 전체 캐패시턴스를 변경하기 위해 상기 액티브 디바이스에 결합 된 적어도 하나의 튜닝 소자를 포함한다. A voltage controlled oscillator (VCO) is disclosed. The VCO includes an active device. The VCO includes an active device, the active device comprising an n-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A p-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A first capacitor coupled between the gate of the n-type transistor and the gate of the p-type transistor; A second capacitor coupled between the drain of the n-type transistor and the drain of the p-type transistor; And a third capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor and the bulk of the p-type transistor, wherein the n-type transistor and the p-type transistor share a common source. The VCO includes a tuning block coupled to the common source to form a common gate amplifier and includes at least one tuning element coupled to the active device to change the overall capacitance of the VCO.

Figure R1020187022528
Figure R1020187022528

Description

메모리없는 공통 모드 둔감형 및 로우 풀링 VCOMemoryless Common-Mode Insensitive and Low-Pulling VCOs

관련 출원들에 대한 상호 참조Cross Reference to Related Applications

본 출원은 "ACTIVE DEVICE WHICH HAS A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, IS MEMORY-LESS, TRAPS EVEN HARMONIC SIGNALS AND CIRCUITS USED THEREWITH" 라는 명칭으로 2015년 6월 19일자로 출원된 미국 특허출원(14/745,261)의 일부 계속 출원이며, "VERY LOW PHASE NOISE, MEMORYLESS COMMON-MODE INSENSITIVE, AND LOW PULLING VCO WITH CAPACITOR BANKS AS TUNING" 라는 명칭으로 2015년 1월 6일자로 출원된 미국 가출원(62/100,397)의 이익을 35 USC 119(e) 규정에 따라 주장하는바, 상기 2개의 미국 출원들 모두는 본 발명에 대한 참조로서 그 전체 내용이 본 명세서에 통합된다. This application is part of a U.S. patent application (14 / 745,261) filed June 19, 2015, entitled "ACTIVE DEVICE WHICH HAS A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, IS MEMORY-LESS, TRAPS EVEN HARMONIC SIGNALS AND CIRCUITS USED THEREWITH." And US Provisional Application (62 / 100,397), filed January 6, 2015, entitled "VERY LOW PHASE NOISE, MEMORYLESS COMMON-MODE INSENSITIVE, AND LOW PULLING VCO WITH CAPACITOR BANKS AS TUNING." (e) Allegedly in accordance with the provisions, both US applications are incorporated herein by reference in their entirety as a reference to the present invention.

일반적으로, 본 발명은 무선 디바이스들에 관한 것이며 보다 상세하게는 이러한 디바이스들에서 이용되는 전압 제어 발진기에 관한 발명이다. In general, the invention relates to wireless devices and, more particularly, to voltage controlled oscillators used in such devices.

모바일(예컨대, 셀룰러 및 Wi-Fi 핸드셋) 또는 비-모바일(예컨대, Wi-Fi를 위한 액세스 포인트 및 라우터)과 같은 다양한 환경들에서 무선 제품들이 이용되고 있다. 전압 제어 발진기(voltage-controlled oscillator) 또는 VCO는 발진 주파수가 전압 입력에 의해 제어되는 전자 발진기이다. 인가되는 입력 전압이 순시 발진 주파수를 결정한다. 결과적으로, 제어 입력에 인가되는 신호들을 변조하는 것은 주파수 변조(FM) 또는 위상 변조(PM)를 야기할 수 있다. 또한, VCO는 위상 고정 루프(phase-locked loop)의 일부분이 될 수도 있다. VCO는 이러한 제품들에서 증폭기로서 사용되어, 수신된 신호들 또는 전송 신호들을 증폭할 수 있다. 무선 제품 시장이 발전함에 따라 모바일 및 비-모바일 네트워크 전반에 걸쳐 더 많은 대역폭과 더 많은 데이터에 대한 필요성이 날로 증가하여 고효율 및 선형성에 대한 요구가 커지고 있다. 따라서, 이러한 네트워크들을 통해 이러한 데이터를 통신하는 것은 점점 더 어려워지고 있다. 예를 들어, 네트워크가 발전함에 따라 대역폭이 증가하고 그리고 이와 동시에 Wi-Fi 어플리케이션용 802.11ax 표준과 같이 신호 통합은 더욱 치밀해진다. 결과적으로 VCO의 대역 내(in-band) 및 대역 외(out of band) 잡음이 매우 중요해진다. 또한, VCO 풀링(VCO pulling)이 매우 중요한 문제이다. 이 경우는 통합을 위해 고전력 증폭기가 있는 경우 더욱 중요하다. 또한, 기존의 VCO 아키텍처는 코어에 후속하는 인버터 체인을 구동하기 전에 코어 VCO의 출력을 센터링하기 위해 버퍼에 의존하고 있다. 이러한 버퍼는 대부분의 전력을 소모하며 잡음 및 장애 문제의 또 다른 원인이다. Wireless products are being used in various environments, such as mobile (eg, cellular and Wi-Fi handsets) or non-mobile (eg, access points and routers for Wi-Fi). A voltage-controlled oscillator or VCO is an electronic oscillator whose oscillation frequency is controlled by a voltage input. The input voltage applied determines the instantaneous oscillation frequency. As a result, modulating the signals applied to the control input can cause frequency modulation (FM) or phase modulation (PM). The VCO may also be part of a phase-locked loop. The VCO can be used as an amplifier in these products to amplify received or transmitted signals. As the wireless product market evolves, the need for more bandwidth and more data is growing day by day across mobile and non-mobile networks, increasing the demand for high efficiency and linearity. Thus, communicating such data over these networks is becoming increasingly difficult. For example, as networks evolve, bandwidth increases and at the same time signal integration becomes more dense, such as the 802.11ax standard for Wi-Fi applications. As a result, the in-band and out of band noise of the VCO becomes very important. In addition, VCO pulling is a very important issue. This is especially important if you have a high-power amplifier for integration. In addition, existing VCO architectures rely on buffers to center the output of the core VCO before driving the inverter chain following the core. These buffers consume most of the power and are another source of noise and failure problems.

VCO 튜닝 범위는 또 다른 문제점이다. VCO 튜닝 범위는 캐패시터 뱅크들의 잡음과 기생 성분으로 인해 제한된다. VCO tuning range is another problem. The VCO tuning range is limited by the noise and parasitic components of the capacitor banks.

본 발명에 따른 디바이스 및 회로는 이러한 문제점들을 해결한다. The device and circuit according to the invention solve these problems.

전압 제어 발진기(VCO) 및 이와 함께 이용되는 회로가 개시된다. 제 1 양상에서, VCO는 액티브 디바이스를 포함한다. VCO는 액티브 디바이스를 포함하며, 상기 액티브 디바이스는 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 n형 트랜지스터 및 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 p형 트랜지스터를 포함한다. 상기 n형 트랜지스터와 p형 트랜지스터는 공통 소스를 공유한다. A voltage controlled oscillator (VCO) and a circuit used therewith are disclosed. In a first aspect, the VCO includes an active device. The VCO includes an active device, which includes an n-type transistor having a drain, a gate and a bulk and a p-type transistor having a drain, a gate and a bulk. The n-type transistor and the p-type transistor share a common source.

상기 액티브 디바이스는 또한, 상기 n형 트랜지스터의 게이트와 상기 p형 트랜지스터의 게이트 사이에 결합된 제 1 캐패시터; 상기 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 결합된 제 2 캐패시터; 및 상기 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 p형 트랜지스터의 벌크 사이에 결합된 제 3 캐패시터를 포함한다. The active device also includes a first capacitor coupled between the gate of the n-type transistor and the gate of the p-type transistor; A second capacitor coupled between the drain of the n-type transistor and the drain of the p-type transistor; And a third capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor and the bulk of the p-type transistor.

차동형 전압 제어 발진기(VCO)가 또한 개시된다. 차동형 VCO는 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들을 포함한다. 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 또한, 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 n형 트랜지스터를 포함한다. 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 또한, 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 9형 트랜지스터를 포함한다. 상기 n형 트랜지스터와 상기 p형 트랜지스터는 공통 소스를 공유한다. 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 또한, 상기 n형 트랜지스터의 게이트와 상기 p형 트랜지스터의 게이트 사이에 결합된 제 1 캐패시터를 포함한다. 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 또한, 상기 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 결합된 제 2 캐패시터를 포함한다. 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 또한, 상기 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 p형 트랜지스터의 벌크 사이에 결합된 제 3 캐패시터를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 2 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 4 캐패시터를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 1 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 2 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 5 캐패시터를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 1 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 6 캐패시터를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 2 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 1 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 7 캐패시터를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 공통 게이트 증폭기를 형성하도록 상기 공통 소스에 연결된 튜닝 블록을 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 적어도 하나의 제 1 튜닝 소자를 포함한다. 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 및 p형 트랜지스터들의 소스들과 상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 및 p형 트랜지스터의 소스들 사이에 연결된 적어도 하나의 제 2 튜닝 소자를 포함한다. 마지막으로, 상기 차동형 VCO는 또한, 상기 제 1 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 적어도 하나의 제 3 튜닝 소자를 포함한다. 여기서, 상기 차동형 VCO는 높은 항복 전압을 가지며, 메모리-리스(memory-less)이고, 매우 낮은 클로즈 인 앤 파 위상 잡음(close in and far phase noise)을 가지며, 전원 및 접지 교란(supply and ground disturbance)에 대해 매우 낮은 민감도를 가지므로, 로우 풀링(low pulling)이며 그리고 짝수 고조파 신호들(even harmonic signals)을 포획한다. A differential voltage controlled oscillator (VCO) is also disclosed. The differential VCO includes first and second active devices. Each of the first and second active devices also includes an n-type transistor having a drain, a gate, and a bulk. Each of the first and second active devices also includes a nine-type transistor having a drain, a gate, and a bulk. The n-type transistor and the p-type transistor share a common source. Each of the first and second active devices also includes a first capacitor coupled between the gate of the n-type transistor and the gate of the p-type transistor. Each of the first and second active devices also includes a second capacitor coupled between the drain of the n-type transistor and the drain of the p-type transistor. Each of the first and second active devices also includes a third capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor and the bulk of the p-type transistor. The differential VCO also includes a fourth capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor of the first active device and the shared source of the second active device. The differential VCO also includes a fifth capacitor coupled between the bulk of the p-type transistor of the first active device and the shared source of the second active device. The differential VCO also includes a sixth capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor of the second active device and the shared source of the first active device. The differential VCO also includes a seventh capacitor coupled between the bulk of the p-type transistor of the second active device and the shared source of the first active device. The differential VCO also includes a tuning block coupled to the common source to form a common gate amplifier. The differential VCO also includes at least one first tuning element coupled between the drain of the n-type transistor of the first active device and the drain of the n-type transistor of the second active device. The differential VCO also includes at least one second tuning element coupled between the sources of n-type and p-type transistors of the first active device and the sources of n-type and p-type transistors of the second active device. . Finally, the differential VCO also includes at least one third tuning element coupled between the drain of the p-type transistor of the first active device and the drain of the p-type transistor of the second active device. Here, the differential VCO has a high breakdown voltage, memory-less, very low close in and far phase noise, and supply and ground disturbance. Because of its very low sensitivity to), it is low pulling and captures even harmonic signals.

VCO는 공통 게이트 증폭기를 형성하도록 공통 소스에 결합되는 튜닝 블록을 포함하며 그리고 VCO의 전체 캐패시턴스를 변경하기 위해 액티브 디바이스에 결합된 적어도 하나의 튜닝 소자를 포함한다. VCO는 높은 항복 전압을 가지며, 메모리-리스이고, 매우 낮은 클로즈 인 앤 파 위상 잡음을 가지며, 전원 및 접지 교란에 대해 매우 낮은 민감도를 가지므로, 로우 풀링이며 그리고 짝수 고조파 신호들을 포획한다. The VCO includes a tuning block coupled to a common source to form a common gate amplifier and includes at least one tuning element coupled to the active device to change the overall capacitance of the VCO. VCO has high breakdown voltage, is memory-less, has very low close-in and wave phase noise, and has very low sensitivity to power and ground disturbances, so it is low pulling and captures even harmonic signals.

VCO는 n형 및 p형 디바이스 각각이 전체 전원 전압의 일부를 보게되므로(see) 높은 항복 전압을 가지며, 그리고 메모리-리스인데 왜냐하면 n형 및 p형 게이트들 사이에 결합된 게이트 캐패시턴스 및 n형 및 p형 벌크를 결합하는 벌크 캐패시터들이 디바이스들의 크리티컬 노드에 결합된 공통 모드 신호들을 포획하며 그리고 짝수 고조파 신호들을 포획하기 때문이다. n형 및 p형의 이러한 조합은 또한, 클래스 AB 또는 B 또는 C 동작 동안 발생된 짝수 및 홀수 신호들을 구분한다. The VCO has a high breakdown voltage because each of the n-type and p-type devices sees a fraction of the total supply voltage, and is memory-less because the gate capacitance and n-type and This is because bulk capacitors that combine p-type bulk capture common mode signals coupled to the critical nodes of the devices and capture even harmonic signals. This combination of n-type and p-type also distinguishes even and odd signals generated during class AB or B or C operation.

본 발명에 따른 시스템 및 방법은 증폭기 회로를 제공하며, 상기 증폭기 회로는 전압 제어 발진기(VCO) 어플리케이션들을 위한 증가된 이득 및 포지티브 피드백을 획득하도록 트랜스포머와 결합될 수 있다. 결과적인 디바이스는 버퍼 및 메모리를 요구하지 않는데 왜냐하면, 출력 신호가 전원(supply)과 관련하여 중심에 있는 각각의 공통 소스에서 제거될 수 있기 때문이며, 따라서 기존 VCO보다 크기가 더 작으며, 더 적은 전력을 사용할 수 있다. The system and method according to the present invention provides an amplifier circuit, which can be combined with a transformer to obtain increased gain and positive feedback for voltage controlled oscillator (VCO) applications. The resulting device does not require buffers and memory because the output signal can be removed from each common source centered with respect to the supply, thus being smaller in size and less power than conventional VCOs. Can be used.

도 1a는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 사용되는 액티브 디바이스의 개략도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 액티브 디바이스의 블록도이다.
도 1c는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 사용되는 차동형 액티브 디바이스의 개략도이다.
도 1d는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 사용되는 용량성 튜닝 소자를 포함하는 차동형 액티브 디바이스의 개략도이다.
도 1e는 도 1d에 도시된 차동형 액티브 디바이스의 블록도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 튜닝 블록의 제 1 실시예이다.
도 2b는 본 발명에 따른 튜닝 블록의 제 2 실시예이다.
도 3a는 본 발명에 따른 공통 게이트 증폭기의 블록도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 결합된 공통 게이트 및 공통 소스 증폭기의 블록도이다.
도 4a는 본 발명에 따른 차동형 공통 게이트 증폭기에 대한 제 1 실시예의 블록도이다.
도 4b는 본 발명에 따른 차동형 공통 게이트 증폭기에 대한 제 2 실시예의 블록도이다.
도 4c는 본 발명에 따른 차동 결합된 공통 게이트 및 공통 소스 증폭기의 블록도이다.
도 4d는 본 발명에 따른 단일 종단(single ended) 전압 제어 발진기(VCO)의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 4e는 본 발명에 따른 공통-게이트, 공통-소스 형태로 배치된 차동형 VCO의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 4f는 본 발명에 따른 CG-CS의 캐스케이드된 VCO의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 4g는 본 발명에 따른 공통-게이트 형태로 배치된 차동형 VCO의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 4h는 본 발명에 따른 CG의 캐스케이드된 VCO의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 4i는 본 발명에 따른 CG 및 CG-CS 조합의 캐스케이드된 VCO의 일실시예에 대한 블록도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유도성 차동형 튜닝 블록들에 연결된 2개의 차동형 공통 게이트 액티브 디바이스들에 대한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 유도성 차동형 튜닝 블록들에 연결된 3개의 공통 게이트 차동형 액티브 디바이스들에 대한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 유도성 차동형 튜닝 블록들에 연결된 4개의 차동형 공통 게이트 액티브 디바이스들에 대한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따라 VCO에서 루프 이전에 드레인 전류가 부가되는 경우를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따라 VCO에서 루프 이후에 드레인 전류가 부가되는 경우를 도시한 도면이다.
1A is a schematic diagram of an active device used in a voltage controlled oscillator according to the present invention.
FIG. 1B is a block diagram of the active device shown in FIG. 1A.
1C is a schematic diagram of a differential active device used in a voltage controlled oscillator in accordance with the present invention.
1D is a schematic diagram of a differential active device including a capacitive tuning element for use in a voltage controlled oscillator in accordance with the present invention.
FIG. 1E is a block diagram of the differential active device shown in FIG. 1D.
2a is a first embodiment of a tuning block according to the invention.
2b is a second embodiment of a tuning block according to the invention.
3A is a block diagram of a common gate amplifier in accordance with the present invention.
3B is a block diagram of a combined common gate and common source amplifier in accordance with the present invention.
4A is a block diagram of a first embodiment of a differential common gate amplifier in accordance with the present invention.
4B is a block diagram of a second embodiment of a differential common gate amplifier in accordance with the present invention.
4C is a block diagram of a differentially coupled common gate and common source amplifier in accordance with the present invention.
4D is a block diagram of one embodiment of a single ended voltage controlled oscillator (VCO) in accordance with the present invention.
4E is a block diagram of one embodiment of a differential VCO arranged in a common-gate, common-source configuration in accordance with the present invention.
4F is a block diagram of one embodiment of a cascaded VCO of CG-CS in accordance with the present invention.
4G is a block diagram of one embodiment of a differential VCO arranged in a common-gate configuration in accordance with the present invention.
4H is a block diagram of one embodiment of a cascaded VCO of CG according to the present invention.
4I is a block diagram of one embodiment of a cascaded VCO of a CG and CG-CS combination according to the present invention.
5 is a diagram of two differential common gate active devices connected to inductive differential tuning blocks in accordance with the present invention.
6 is a diagram of three common gate differential active devices connected to inductive differential tuning blocks in accordance with the present invention.
7 is a diagram of four differential common gate active devices connected to inductive differential tuning blocks in accordance with the present invention.
8 is a diagram illustrating a case where a drain current is added before a loop in a VCO according to the present invention.
9 is a diagram illustrating a case where a drain current is added after a loop in a VCO according to the present invention.

일반적으로, 본 발명은 무선 디바이스들에 관한 것으로 좀더 상세하게는 이러한 디바이스들에서 이용되는 전압 제어 발진기에 관한 발명이다. 다음의 설명은 해당 기술분야의 당업자가 본 발명을 실행 및 활용할 수 있도록 제시되었으며 그리고 본 출원 및 그 요건들의 맥락에서 제공되었다. 본 명세서에 기재된 바람직한 실시예들 및 일반적인 원리들 및 특징들에 대한 다양한 변경들은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명은 도시된 실시예들만으로 한정되는 것이 아니라, 본 명세서에서 설명된 원리들 및 특징들과 일치하는 가장 넓은 범위에 따른다. In general, the present invention relates to wireless devices, and more particularly to voltage controlled oscillators used in such devices. The following description is presented to enable one skilled in the art to make and use the invention and is provided in the context of the present application and its requirements. Various modifications to the preferred embodiments and general principles and features described herein will be apparent to those skilled in the art. Thus, the present invention is not limited to the illustrated embodiments, but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and features described herein.

도 1a는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 이용되는 액티브 디바이스(100)의 개략도이다. 상기 액티브 디바이스 및 증폭기 회로 내에서의 사용예는, 현재 계류 중인 미국 특허 출원이며 본 출원의 양수인이 소유하고 있는 "ACTIVE DEVICE WHICH HAS A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, IS MEMORY-LESS, TRAPS EVEN HARMONIC SIGNALS AND CIRCUITS USED THEREWITH" 라는 명칭의 미국 출원(출원일: 2015년 6월 19일)에 서술되어 있다. 액티브 디바이스(100)는 게이트(gn), 드레인(dn) 및 벌크(bn)를 포함하는 n형 트랜지스터(102)와 게이트(gp), 드레인(dp) 및 벌크(bp)를 포함하는 p형 트랜지스터(104)를 포함한다. n형 트랜지스터(102)와 p형 트랜지스터(104)는 공통 소스를 공유한다. 액티브 디바이스는(100)는 gn과 gp 사이에 연결된 제 1 캐패시터(106), dn과 dp 사이에 연결된 제 2 캐패시터(108) bn과 bp 사이에 연결된 제 3 캐패시터(110)를 포함한다. 액티브 디바이스(100)는 네 개의 단자들(게이트, 드레인 벌크 및 소스)로 인해 높은 항복 전압을 가지며, 클래스 AB 증폭기와 같은 소정 증폭기와 함께 사용될 때 메모리-리스(memory-less)이며 짝수 고조파 신호들(even harmonic signals)을 포획한다. 1A is a schematic diagram of an active device 100 used in a voltage controlled oscillator in accordance with the present invention. Examples of use within the active device and amplifier circuits include "ACTIVE DEVICE WHICH HAS A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, IS MEMORY-LESS, TRAPS EVEN HARMONIC SIGNALS AND CIRCUITS USED, which are pending US patent applications and are owned by the assignee of the present application. The US application filed "THE REWITH" (filed June 19, 2015). The active device 100 includes an n-type transistor 102 including a gate gn, a drain dn, and a bulk bn and a p-type transistor including a gate gp, a drain dp, and a bulk bp. 104. The n-type transistor 102 and the p-type transistor 104 share a common source. The active device 100 includes a first capacitor 106 connected between gn and gp, and a third capacitor 110 connected between bn and bp, connected between dn and dp. The active device 100 has a high breakdown voltage due to four terminals (gate, drain bulk and source) and is memory-less and even harmonic signals when used with certain amplifiers, such as a class AB amplifier. captures even harmonic signals.

도 1b는 도 1a에 도시된 액티브 디바이스(100)의 블록도이다. n형 트랜지스터(102)는 NPN 바이폴라이거나 또는 갈륨비소(GaAs)를 이용한 임의의 다른 액티브 소자일 수 있다. p형 트랜지스터(104)는 PNP 바이폴라 또는 갈륨비소(GaAs)를 이용한 임의의 다른 액티브 상보형 소자일 수 있다. n형 트랜지스터(102)는 캐스케이드 NMOS 회로에 의해 더 보호될 수 있다. p형 트랜지스터(104)는 캐스케이드 PMOS 회로에 의해 더 보호될 수 있다. 캐패시터(106)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(106)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 캐패시터(108)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(108)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 캐패시터(110)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(110)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. FIG. 1B is a block diagram of the active device 100 shown in FIG. 1A. The n-type transistor 102 may be an NPN bipolar or any other active device using gallium arsenide (GaAs). The p-type transistor 104 may be any other active complementary device using PNP bipolar or gallium arsenide (GaAs). The n-type transistor 102 may be further protected by a cascade NMOS circuit. The p-type transistor 104 may be further protected by a cascaded PMOS circuit. Capacitor 106 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Capacitor 106 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. Capacitor 108 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or series inductor, both of which may be variable. Capacitor 108 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. Capacitor 110 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Capacitor 110 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements.

더 많은 캐패시터들이 dn과 gn 사이, dn과 gp 사이, dp과 gp 사이, dp과 gn 사이에 결합될 수 있다(기생 또는 비-기생). 이러한 캐패시터들은 가변적일 수 있으며 또는 인덕터, 저항기, 트랜스포머 등과 같은 직렬인 수동 또는 액티브 소자들을 가질 수 있다. 노드 gp는 바이어스 네트워크에 연결될 수 있다. 이러한 바이어스 네트워크에는 저항, 캐패시터, 인덕터, 트랜스포머 및 이들의 조합과 같은 수동형을 포함할 수 있다. 바이어스는 임의의 액티브 소자들도 포함할 수 있다. More capacitors can be coupled between dn and gn, between dn and gp, between dp and gp, and between dp and gn (parasitic or non-parasitic). Such capacitors may be variable or may have passive or active elements in series, such as inductors, resistors, transformers, and the like. Node gp may be connected to a bias network. Such a bias network may include passives such as resistors, capacitors, inductors, transformers, and combinations thereof. The bias may also include any active elements.

n형 및 p형 둘다에 또는 이들 중 어느 하나에 캐스케이드 트랜지스터를 사용하는 경우, 캐패시터(110)와 유사하게, 캐스케이드 n형 드레인을 캐스케이드 p형 드레인에 접속하기 위한 추가의 캐패시터들이 필요할 수 있다. 또한, 캐스케이드 n형 벌크를 캐스케이드 p형 벌크에 연결하는 캐패시터는 캐패시터(108)와 유사할 수 있다. 또한, 캐패시터(106)와 유사하게, 캐스케이드 n형 게이트로부터 캐스케이드 p형 게이트로 캐패시터가 연결될 수 있다. If cascade transistors are used for both n-type and p-type or either, additional capacitors may be needed to connect the cascade n-type drain to the cascade p-type drain, similar to capacitor 110. Also, a capacitor that connects cascade n-type bulk to cascade p-type bulk may be similar to capacitor 108. Also, similar to capacitor 106, a capacitor can be coupled from the cascade n-type gate to the cascade p-type gate.

도 1c는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 이용되는 차동형 액티브 디바이스(differential active device)(150)의 개략도이다. 차동형 액티브 디바이스(150)는 차동 방식으로 연결된 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들(100)을 포함한다. 차동형 액티브 디바이스는 액티브 디바이스들(100) 둘다에 있는 캐패시터들(190 및 192)을 포함하며, 이들 캐패시터들은 각각의 트랜지스터(102 및 104)의 벌크로부터 소스에 연결된다. 캐패시터(190 및 192)는 공통 게이트 액티브 디바이스(150)의 고주파에서 선형성, 안정성 및 자기 이득을 향상시킨다. n형 디바이스들의 공통 게이트들과 p형 디바이스들의 공통 게이트들을 연결하는 캐패시터(106)는 전원, 접지 및 자체 생성 짝수 고조파(VCO 또는 클래스 AB, B, C에 속하는 증폭기에 의한)로부터의 임의의 공통 모드 신호를 포획할 수 있으며, 따라서 VCO 풀링 및 메모리 효과와 관련된 문제점을 개선할 수 있다. 1C is a schematic diagram of a differential active device 150 used in a voltage controlled oscillator in accordance with the present invention. The differential active device 150 includes first and second active devices 100 connected in a differential manner. The differential active device includes capacitors 190 and 192 in both active devices 100, which are connected to the source from the bulk of each of the transistors 102 and 104. Capacitors 190 and 192 improve linearity, stability, and magnetic gain at the high frequencies of common gate active device 150. Capacitor 106 connecting the common gates of the n-type devices and the common gates of the p-type devices is powered, grounded, and any common from self-generated even harmonics (by VCO or amplifiers belonging to classes AB, B, C). The mode signal can be captured, thus improving the problems associated with VCO pooling and memory effects.

n형 디바이스의 벌크를 p형 디바이스의 벌크에 연결하는 캐패시터(108)는 VCO 또는 증폭기의 AB, B, C, ... 클래스 동작에 의해 생성된 임의의 짝수 고조파에 대한 경로를 제공한다. 또한, 전원 또는 접지 노이즈로부터 임의의 벌크 노드로의 필터링을 제공함으로써, VCO 풀링 또는 메모리 효과와 관련된 문제점을 개선한다. Capacitor 108, which connects the bulk of the n-type device to the bulk of the p-type device, provides a path for any even harmonics generated by the AB, B, C, ... class operation of the VCO or amplifier. In addition, providing filtering from any power or ground noise to any bulk node improves problems associated with VCO pooling or memory effects.

도 1d는 본 발명에 따른 전압 제어 발진기 내에서 이용되는 용량성 튜닝 소자들(194a, 194b, 196)을 포함하는 차동형 액티브 디바이스(151)의 개략도이다. 차동형 액티브 디바이스(151)는 도 1c와 유사한 것들을 포함한다. 튜닝 소자들(194a 및 194b)는 액티브 디바이스들(100)의 드레인들 사이에 결합되어, 디바이스(151)에 대한 비정밀 튜닝 조정(coarse tuning adjustment)을 제공한다. 튜닝 소자(196)는 액티브 디바이스들(100)의 소스들 사이에 결합되어, 디바이스(151)에 대한 정밀 튜닝 조정(fine tuning adjustment)을 제공한다. 튜닝 소자들(194a, 194b 및 196)이 이용되어 디바이스(151)의 실효 캐패시턴스(도시되지는 않았지만 명백한 임의의 기생 캐패시턴스를 포함)를 변경시킨다. 이것은 또한 전체 VCO 스트럭처의 중심 주파수를 변경할 수 있다. 튜닝 소자(194a)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는바, 이들 모두는 가변적일 수 있다. 튜닝 소자(194a)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N 개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 튜닝 소자(194b)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는바, 이들 모두는 가변적일 수 있다. 튜닝 소자(194b)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N 개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 튜닝 소자(110)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는바, 이들 모두는 가변적일 수 있다. 튜닝 소자(110)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N 개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 1D is a schematic diagram of a differential active device 151 including capacitive tuning elements 194a, 194b, 196 used in a voltage controlled oscillator in accordance with the present invention. Differential active device 151 includes those similar to FIG. 1C. Tuning elements 194a and 194b are coupled between the drains of active devices 100 to provide coarse tuning adjustment for device 151. Tuning element 196 is coupled between sources of active devices 100 to provide fine tuning adjustment for device 151. Tuning elements 194a, 194b and 196 are used to change the effective capacitance of the device 151 (including any parasitic capacitance that is not shown but is apparent). It can also change the center frequency of the entire VCO structure. The tuning element 194a may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Tuning element 194a may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. The tuning element 194b may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Tuning element 194b may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. The tuning element 110 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Tuning element 110 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements.

도 1e는 도 1d에 도시된 차동형 액티브 디바이스의 블록도이다. 도 1a와 유사하게, 액티브 디바이스들 각각에서, n형 트랜지스터(102)는 NPN 바이폴라이거나 또는 갈륨비소(GaAs)를 이용한 임의의 다른 액티브 소자일 수 있다. p형 트랜지스터(104)는 PNP 바이폴라 또는 갈륨비소(GaAs)를 이용한 임의의 다른 액티브 상보형 소자일 수 있다. n형 트랜지스터(102)는 캐스케이드 NMOS 또는 NPN 회로에 의해 더 보호될 수 있다. p형 트랜지스터(104)는 캐스케이드 PMOS 또는 PNP 회로에 의해 더 보호될 수 있다. 캐패시터(106)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(106)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 캐패시터(108)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(108)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. 캐패시터(110)는 가변 캐패시터일 수 있고, 직렬 저항 및/또는 직렬 인덕터를 가질 수 있는데 이들 모두는 가변적일 수 있다. 캐패시터(110)는 임의의 직렬 소자들을 갖는 N개의 캐패시터들로 더 분할될 수 있다. FIG. 1E is a block diagram of the differential active device shown in FIG. 1D. Similar to FIG. 1A, in each of the active devices, n-type transistor 102 may be an NPN bipolar or any other active device using gallium arsenide (GaAs). The p-type transistor 104 may be any other active complementary device using PNP bipolar or gallium arsenide (GaAs). The n-type transistor 102 may be further protected by cascaded NMOS or NPN circuits. The p-type transistor 104 may be further protected by a cascaded PMOS or PNP circuit. Capacitor 106 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Capacitor 106 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. Capacitor 108 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or series inductor, both of which may be variable. Capacitor 108 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements. Capacitor 110 may be a variable capacitor and may have a series resistor and / or a series inductor, all of which may be variable. Capacitor 110 may be further divided into N capacitors with arbitrary series elements.

더 많은 캐패시터들이 dn과 gn 사이, dn과 gp 사이, dp과 gp 사이, dp과 gn 사이에 결합될 수 있다(기생 또는 비-기생). 이러한 캐패시터들은 가변적일 수 있으며 또는 인덕터, 저항기, 트랜스포머 등과 같은 직렬인 수동 또는 액티브 소자들을 가질 수 있다. 노드 gp는 바이어스 네트워크에 연결될 수 있다. 이러한 바이어스 네트워크에는 저항, 캐패시터, 인덕터, 트랜스포머 및 이들의 조합과 같은 수동형을 포함할 수 있다. 바이어스는 임의의 액티브 소자들도 포함할 수 있다. More capacitors can be coupled between dn and gn, between dn and gp, between dp and gp, and between dp and gn (parasitic or non-parasitic). Such capacitors may be variable or may have passive or active elements in series, such as inductors, resistors, transformers, and the like. Node gp may be connected to a bias network. Such a bias network may include passives such as resistors, capacitors, inductors, transformers, and combinations thereof. The bias may also include any active elements.

n형 및 p형 둘다에 또는 이들 중 어느 하나에 캐스케이드 트랜지스터를 사용하는 경우, 캐패시터(110)와 유사하게, 캐스케이드 n형 드레인을 캐스케이드 p형 드레인에 접속하기 위한 추가의 캐패시터들이 필요할 수 있다. 또한, 캐스케이드 n형 벌크를 캐스케이드 p형 벌크에 연결하는 캐패시터는 캐패시터(108)와 유사할 수 있다. 또한, 캐패시터(106)와 유사하게, 캐스케이드 n형 게이트로부터 캐스케이드 p형 게이트로 캐패시터가 연결될 수 있다. When using cascade transistors for both n-type and p-type or either, additional capacitors may be needed to connect the cascade n-type drain to the cascade p-type drain, similar to capacitor 110. Also, a capacitor that connects cascade n-type bulk to cascade p-type bulk may be similar to capacitor 108. Also, similar to capacitor 106, a capacitor can be coupled from the cascade n-type gate to the cascade p-type gate.

만일, 도 1a의 액티브 디바이스(100) 또는 도 1c 및 도 1d의 차동형 액티브 디바이스(150 또는 151)가 각각 클래스 A를 제외한 클래스 AB 또는 B 또는 C 또는 D 또는 임의의 다른 클래스에서 구동되는 경우, 액티브 디바이스(151) dn 및 dp 노드를 통해 흐르는 짝수 및 홀수 고조파 출력 전류를 생성한다. 액티브 디바이스(151)는 메인 신호 또는 3차 고조파와 같은 홀수 고조파의 경우에 노드(dn 및 dp)에서 유사한 방향의 전류 흐름을 생성함으로써 짝수 및 홀수 고조파를 구별할 수 있다. 그러나, 액티브 디바이스(100)는 2차, 4차, 5차 등등과 같은 짝수 고조파에 대해서 노드(dn 및 dp)에서 반대 방향의 전류를 생성할 것이다. 또한, 캐패시터들(110, 108 및 106)에 의해 야기되는 필터링 동작은 dn 및 dp 노드들을 통해 흐르는 짝수 고조파의 크기에 영향을 미칠 것이다. If the active device 100 of FIG. 1A or the differential active device 150 or 151 of FIGS. 1C and 1D are driven in a class AB or B or C or D or any other class except Class A, respectively, Device 151 generates even and odd harmonic output currents flowing through nodes dn and dp. The active device 151 can distinguish even and odd harmonics by generating current flow in similar directions at nodes dn and dp in the case of odd harmonics such as the main signal or third harmonic. However, active device 100 will generate current in opposite directions at nodes dn and dp for even harmonics such as 2nd, 4th, 5th, etc. In addition, the filtering operation caused by the capacitors 110, 108 and 106 will affect the magnitude of even harmonics flowing through the dn and dp nodes.

도 2a는 본 발명에 따른 튜닝 블록(200)의 제 1 실시예이다. 단일 종단(single ended) 튜닝 블록(200)은 2개의 입력인 dn 및 dp, 하나의 출력인 s, 전압 공급(vdd) 및 접지(gnd)를 포함한다. 전류 형태인 입력 신호는 각각 l_in_n 및 l_in_p로서 노드(dn 및 dp)에 제공될 수 있다. 수동소자, 인덕터, 캐패시터, 저항 및 트랜스포머의 전부 또는 일부의 조합을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는 튜닝 블록(200)은 다음과 같은 조건 l_s > l_in_n + l_in_p 에서, l_in_n 및 l_in_p를 수신하고 그리고 노드 S에서 출력 전류 l_s를 제공하는 기능을 갖는다. 튜닝 블록(200)은 전력(power)에 관계없이 선형 출력 신호를 제공하기 위해 이용된다. 튜닝 블록(200)과 액티브 디바이스(100)의 조합은 공통 게이트 증폭기를 형성한다. 2A is a first embodiment of a tuning block 200 according to the present invention. The single ended tuning block 200 includes two inputs dn and dp, one output s, a voltage supply (vdd) and ground (gnd). The input signals in the form of current may be provided to nodes dn and dp as l_in_n and l_in_p, respectively. Tuning block 200, which may include, but is not limited to, all or some combinations of passive elements, inductors, capacitors, resistors, and transformers, receives l_in_n and l_in_p under the conditions l_s> l_in_n + l_in_p and nodes It has the function of providing the output current l_s at S. The tuning block 200 is used to provide a linear output signal regardless of power. The combination of the tuning block 200 and the active device 100 forms a common gate amplifier.

도 3a는 본 발명에 따른 단일 종단 공통 게이트 증폭기의 블록도이다. 공통 게이트 증폭기는 튜닝 블록(200)에 결합된 액티브 디바이스(100)를 포함한다. 이러한 실시예에서, 튜닝 블록(200)으로부터의 전류(l_s)는 액티브 디바이스(100)의 소스 연결 S에 제공된다. 디바이스(100)의 공통 게이트 동작으로 인하여, 전류 l_s가 분할될 것이며 그리고 그 일부는 출력 전류 l_out_n으로서 dn으로 지향되고 다른 부분은 출력 전류 l_out_p로서 dp로 지향된다. 액티브 디바이스(100)의 게이트들(gn 및 gp)은 바이어스 라인들에 결합된다.(gn 및 gp에 신호가 인가되지 않음). 벌크 노드들, bn 및 bp는 또한 각각의 바이어스 라인들에 결합된다. 3A is a block diagram of a single-ended common gate amplifier in accordance with the present invention. The common gate amplifier includes an active device 100 coupled to the tuning block 200. In this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 is provided to the source connection S of the active device 100. Due to the common gate operation of the device 100, the current l_s will be split and part of it is directed to dn as output current l_out_n and the other part is directed to dp as output current l_out_p. Gates gn and gp of active device 100 are coupled to bias lines (no signal is applied to gn and gp). Bulk nodes, bn and bp are also coupled to the respective bias lines.

액티브 디바이스(100)가 클래스 AB, B, C, D 및 F 모드로 동작하는 경우, 다른 짝수 및 홀수 고조파 전류가 액티브 디바이스(100) 내부에 생성된다. 이들 전류는 dn 및 dp 쪽으로 향한다. AM(진폭 변조) 전류 및 2차 고조파와 같은 짝수 고조파의 경우, dn 및 dp를 통하는 전류 흐름의 방향은 반대이다. 하지만, 메인 신호 전류 및 3차 고조파와 같은 홀수 고조파의 경우, dn 및 dp를 통한 출력 전류들의 방향은 동일하다. When the active device 100 operates in class AB, B, C, D, and F modes, different even and odd harmonic currents are generated inside the active device 100. These currents are directed towards dn and dp. For even harmonics, such as AM (amplitude modulation) current and second harmonic, the direction of current flow through dn and dp is reversed. However, for odd harmonics, such as the main signal current and third harmonic, the directions of the output currents through dn and dp are the same.

도 2b는 본 발명에 따른 튜닝 블록(200')의 제 2 실시예이다. 단일 종단 튜닝 블록(200')은 2개의 입력 dn 및 dp, 3개의 출력 s, gn 및 gp를 포함한다. 단일 종단 튜닝 블록(200')은 전원(vdd) 및 접지(gnd)를 갖는다. 전류 형태의 입력 신호는 각각 l_in_n 및 l_in_p로서 노드 dn 및 dp로 들어간다. 수동소자, 인덕터, 캐패시터, 저항기 및 트랜스포머의 전부 또는 일부의 조합을 포함할 수 있지만 이에 국한되지는 않는 튜닝 블록(200')은 l_s > l_in_n + l_in_p 라는 조건하에서, l_in_n 및 l_in_p를 수신하고 이어서 노드 S에서 출력 전류 l_s를 제공하는 기능을 갖는다. 출력 gp와 gn은 전압들이며, 이들은 액티브 디바이스(100)의 노드들(gn과 gp)을 구동할 것이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 튜닝 블록(200')을 액티브 디바이스(100)와 결합시킴으로써 공통-게이트/공통 소스 증폭기 동작이 얻어진다. 2B is a second embodiment of a tuning block 200 'in accordance with the present invention. The single ended tuning block 200 'includes two inputs dn and dp, three outputs s, gn and gp. The single ended tuning block 200 'has a power supply vvd and ground gnd. The input signal in the form of current enters nodes dn and dp as l_in_n and l_in_p, respectively. Tuning block 200 ', which may include, but is not limited to, a combination of all or a portion of passive elements, inductors, capacitors, resistors, and transformers, receives l_in_n and l_in_p under the condition l_s> l_in_n + l_in_p and then the node. It has the function of providing the output current l_s at S. Output gp and gn are voltages, which will drive nodes gn and gp of active device 100. As shown in FIG. 3B, the common-gate / common source amplifier operation is obtained by coupling the tuning block 200 ′ with the active device 100.

또한, 튜닝 블록(200')은 게이트 정보(gn 및 gp)만을 전송할 수 있고 S 노드에서 정보를 전송하지 않을 수 있다. 이 경우 S 노드는 접지되거나 또는 저항, 캐패시터, 인덕터, 트랜스포머 등의 임의의 수동형 디바이스 혹은 액티브 디바이스 또는 모두에 연결될 수 있다. 이러한 특정 일례에서, 튜닝 블록(200')과 액티브 디바이스(100)의 결합은 공통-소스 증폭기를 형성한다. Also, the tuning block 200 ′ may transmit only the gate information gn and gp and may not transmit information in the S node. In this case, the S node can be grounded or connected to any passive or active device such as a resistor, capacitor, inductor, transformer, or both. In this particular example, the combination of tuning block 200'and active device 100 forms a common-source amplifier.

도 3b는 본 발명에 따른 단일 종단 형태의 결합된 공통 게이트 및 공통 소스 증폭기의 블록도이다. 공통 게이트 및 공통 소스 증폭기는 튜닝 블록(200')에 연결된 액티브 디바이스(100)를 포함한다. 이 실시예에서, 튜닝 블록(200')으로부터의 전류 l_s는 액티브 디바이스(100)의 소스 연결부 S에 제공된다. 노드 s로 입력되는 임의의 전류에 대한 디바이스의 공통 게이트 동작으로 인하여, 전류 l_s는 분할될 것이며 그리고 그 일부는 출력 전류 l_out_n 으로서 dn으로 지향되고 그리고 다른 일부는 출력 전류 l_out_p 으로서 dp로 지향된다. 액티브 디바이스(100)의 게이트들 gn 및 gp는 바이어스 라인에 연결되며, 튜닝 블록의 출력 노드들(gn 및 gp)에 의해 구동된다. 또한, 벌크 노드들, bn 및 bp는 각각의 바이어스 라인들에 연결된다. 노드들 gn과 gp는 메인 신호로부터 분리된 각각의 바이어스에 추가로 연결될 수 있다. 3B is a block diagram of a combined common gate and common source amplifier of the single-ended form according to the present invention. The common gate and common source amplifier include an active device 100 coupled to the tuning block 200 ′. In this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 'is provided to the source connection S of the active device 100. Due to the device's common gate operation for any current input to node s, current l_s will be split and part of it is directed to dn as output current l_out_n and part to dp as output current l_out_p. Gates gn and gp of active device 100 are connected to a bias line and driven by output nodes gn and gp of the tuning block. In addition, the bulk nodes bn and bp are connected to respective bias lines. Nodes gn and gp may be further connected to respective biases separated from the main signal.

도 4a는 본 발명에 따른 차동형 공통 게이트 증폭기(400)의 제 1 실시예의 블록도이다. 증폭기(400)는 제 1 및 제 2 액티브 디바이스(151)에 결합된 차동형 튜닝 블록(200)을 포함한다. 차동형 튜닝 블록(200)은 4개의 입력들(dn_in+, dp_in+, dn_in-, dp_in-) 및 2개의 출력들(S+ 및 S-)을 포함한다. 전원(vdd)과 접지(gnd)가 제공된다. 전류 형태인 입력 신호들은, l_in_n+, l_in_p+ 및 l_in_n- 및 l_in_p- 로서 노드들 dn_in+, dp_in+, dn_in-, dp_in- 로 각각 입력된다. 수동소자, 인덕터, 캐패시터, 저항 및 트랜스포머의 전부 또는 일부의 조합을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는 튜닝 블록(200)은 l_s+ > (l_in_n+) + (l_in_p+) 및 l_s- > (l_in_n-) + (l_in_p-)라는 조건하에서, l_in_n+, l_in_p+ 및 l_in_n-, l_in_p- 를 수신하고 그리고 이들을 프로세싱하여 노드 S+ 및 S- 에서 전류 l_s+ 및 l_s- 로 각각 출력하는 기능을 갖는다. 4A is a block diagram of a first embodiment of a differential common gate amplifier 400 in accordance with the present invention. Amplifier 400 includes differential tuning block 200 coupled to first and second active devices 151. The differential tuning block 200 includes four inputs dn_in +, dp_in +, dn_in-, dp_in- and two outputs S + and S-. A power supply vvd and ground gnd are provided. Input signals in the form of current are input to nodes dn_in +, dp_in +, dn_in-, dp_in- as l_in_n +, l_in_p + and l_in_n- and l_in_p-, respectively. Tuning block 200, which may include, but is not limited to, passive components, inductors, capacitors, resistors, and / or combinations of transformers, may include l_s +> (l_in_n +) + (l_in_p +) and l_s-> (l_in_n-) + ( Under the condition l_in_p-), it has the function of receiving l_in_n +, l_in_p + and l_in_n-, l_in_p- and processing them to output currents l_s + and l_s- at nodes S + and S-, respectively.

이러한 실시예에서, 튜닝 블록(200)으로부터의 전류 l_s는 액티브 디바이스( 151+)의 소스 연결부 S에 제공된다. 디바이스(151+)의 공통 게이트 동작으로 인하여, 전류 l_s는 분할될 것이고, 그 일부는 출력 전류(l_out_n)로서 dn으로 지향되고, 다른 일부는 출력 전류(l_out_p)로서 dp로 지향된다. 액티브 디바이스의 게이트들 gn과 gp는 바이어스 라인들에 연결된다(gn 및 gp에는 신호가 인가되지 않음). 또한, 벌크 노드들 bn 및 bp는 각각의 바이어스 라인들에 연결된다. In this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 is provided to the source connection S of the active device 151+. Due to the common gate operation of the device 151+, the current l_s will be split, part of which is directed to dn as the output current l_out_n and the other part to dp as the output current l_out_p. Gates gn and gp of the active device are connected to bias lines (no signal is applied to gn and gp). In addition, bulk nodes bn and bp are connected to respective bias lines.

이와 유사하게, 상기 실시예에서, 튜닝 블록(200)으로부터의 전류 l_s는 액티브 디바이스(151-)의 소스 연결부 S에 제공된다. 디바이스(151-)의 공통 게이트 동작으로 인하여, 전류 l_s는 분할될 것이고, 그 일부는 출력 전류(l_out_n)로서 dn으로 지향되고, 다른 일부는 출력 전류(l_out_p)로서 dp로 지향된다. 액티브 디바이스의 게이트들 gn과 gp는 바이어스 라인들에 연결된다(gn 및 gp에는 신호가 인가되지 않음). 또한, 벌크 노드들 bn 및 bp는 각각의 바이어스 라인들에 연결된다. Similarly, in this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 is provided to the source connection S of the active device 151-. Due to the common gate operation of the device 151-, current l_s will be split, part of which is directed to dn as output current l_out_n, and part of which is directed to dp as output current l_out_p. Gates gn and gp of the active device are connected to bias lines (no signal is applied to gn and gp). In addition, bulk nodes bn and bp are connected to respective bias lines.

임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 입력들의 + 및 - 노드들과 튜닝 블록(200) 사이에 연결될 수 있다. 또한, 임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 입력들, 출력들, 게이트들, 벌크들의 + 및 - 노드들 사이를 연결할 수 있으며, 액티브 디바이스 151+ 및 액티브 디바이스 151-의 입력 및 출력에 연결될 수 있다. 예를 들어, 크로스 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이, dn+ 와 dn-; dp+ 와 dp-; dn- 와 dp+; dn+ 와 dp- 사이 및/또는 이들의 임의의 조합 사이에 연결될 수 있다. 또한, 이들 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들은 본 발명에 영향을 미치지 않거나 변경하지 않는 직렬 저항들 또는 직렬 인덕턴스 또는 병렬 저항들 또는 병렬 인덕터들을 포함할 수 있다. Any number of capacitors or variable capacitors may be connected between the + and − nodes of the inputs and the tuning block 200. In addition, any number of capacitors or variable capacitors may be connected between the + and − nodes of the inputs, outputs, gates, bulks, and may be connected to the inputs and outputs of the active device 151+ and the active device 151-. have. For example, cross capacitors or variable capacitors include dn + and dn-; dp + and dp-; dn- and dp +; may be linked between dn + and dp− and / or any combination thereof. In addition, these capacitors or variable capacitors may include series resistors or series inductance or parallel resistors or parallel inductors that do not affect or alter the present invention.

도 4b는 본 발명에 따른 차동형 공통 게이트 증폭기의 제 2 실시예의 블록도이다. 증폭기(400)는 제 1 및 제 2 액티브 디바이스(151)에 결합된 차동형 튜닝 블록(200)을 포함한다. 차동형 튜닝 블록(200)은 4개의 입력들(dn_in+, dp_in+, dn_in-, dp_in-) 및 2개의 출력들(S+ 및 S-)을 포함한다. 전원(vdd)과 접지(gnd)가 제공된다. 전류 형태인 입력 신호들은, l_in_n+, l_in_p+ 및 l_in_n- 및 l_in_p- 로서 노드들 dn_in+, dp_in+, dn_in-, dp_in- 로 각각 입력된다. 전원(vdd)은 좌측이며 접지(gnd)는 우측이다. 수동소자, 인덕터, 캐패시터, 저항 및 트랜스포머의 전부 또는 일부의 조합을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는 튜닝 블록(200)은 l_s+ > (l_in_n+) + (l_in_p+) 및 l_s- > (l_in_n-) + (l_in_p-)라는 조건하에서, l_in_n+, l_in_p+ 및 l_in_n-, l_in_p- 를 수신하고 그리고 이들을 프로세싱하여 노드 S+ 및 S- 에서 전류 l_s+ 및 l_s- 로 각각 출력하는 기능을 갖는다. 4B is a block diagram of a second embodiment of a differential common gate amplifier in accordance with the present invention. Amplifier 400 includes differential tuning block 200 coupled to first and second active devices 151. The differential tuning block 200 includes four inputs dn_in +, dp_in +, dn_in-, dp_in- and two outputs S + and S-. A power supply vvd and ground gnd are provided. Input signals in the form of current are input to nodes dn_in +, dp_in +, dn_in-, dp_in- as l_in_n +, l_in_p + and l_in_n- and l_in_p-, respectively. The power source vvd is on the left side and ground gnd is on the right side. Tuning block 200, which may include, but is not limited to, passive components, inductors, capacitors, resistors, and / or combinations of transformers, may include l_s +> (l_in_n +) + (l_in_p +) and l_s-> (l_in_n-) + ( Under the condition l_in_p-), it has the function of receiving l_in_n +, l_in_p + and l_in_n-, l_in_p- and processing them to output currents l_s + and l_s- at nodes S + and S-, respectively.

이러한 실시예에서, 튜닝 블록(200)으로부터의 전류 l_s는 액티브 디바이스 151+의 소스 연결부 S에 제공된다. 디바이스(151+)의 공통 게이트 동작으로 인해, 전류 l_s는 분할될 것이고, 그 일부는 출력 전류 l_out_n 으로서 dn으로 지향되고, 다른 일부는 출력 전류 l_out_p 로서 dp로 지향된다. 액티브 디바이스의 게이트들 gn과 gp는 +와 - 사이에서 가상 접지를 형성하는 바이어스 라인들에 연결된다(gn과 gp에는 차동 신호가 인가되지 않는다). 벌크 노드들, bn 및 bp는 또한 각각의 바이어스 라인들에 연결된다.In this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 is provided to the source connection S of the active device 151+. Due to the common gate operation of the device 151+, the current l_s will be split, part of which is directed to dn as the output current l_out_n and the other part to dp as the output current l_out_p. Gates gn and gp of the active device are connected to bias lines forming a virtual ground between + and-(no differential signal is applied to gn and gp). Bulk nodes, bn and bp are also connected to respective bias lines.

이와 유사하게, 상기 실시예에서, 튜닝 블록(200)으로부터의 전류(l_s)는 액티브 디바이스(151-)의 소스 연결부(S)에 제공된다. 디바이스(151-)의 공통 게이트 동작으로 인해, 전류 l_s는 분할될 것이고, 그 일부는 출력 전류 l_out_n 으로서 dn으로 지향되고, 다른 일부는 출력 전류 l_out_p 로서 dp로 지향된다. 게이트 gn-는 게이트 gn+에 연결되어 가상 접지를 형성하며 이들은 공통 바이어스 전압 vbias_n을 공유한다. 마찬가지로, gp-와 gp+는 함께 연결되어 가상 접지를 형성하며 공통 바이어스 전압 bias_p를 공유한다. 벌크 노드들(bn- 및 bp-)는 또한 각각의 바이어스 라인에 연결된다. Similarly, in this embodiment, the current l_s from the tuning block 200 is provided to the source connection S of the active device 151-. Due to the common gate operation of the device 151-, current l_s will be split, a portion of which is directed to dn as output current l_out_n and another portion to dp as output current l_out_p. Gate gn- is connected to gate gn + to form a virtual ground, which shares a common bias voltage vbias_n. Similarly, gp- and gp + are connected together to form a virtual ground and share a common bias voltage bias_p. Bulk nodes bn- and bp- are also connected to their respective bias lines.

임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 튜닝 블록(200)의 입력들 및 출력들의 + 및 - 노드들 사이에 연결될 수 있다. 마찬가지로, 임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 액티브 디바이스(151+) 및 액티브 디바이스(151-)의 입력 및 출력들, 게이트들, 벌크들 및 소스들의 + 및 - 노드들 사이에 연결될 수 있다. 예를 들어, 크로스 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이, dn+ 와 dn-; dp+ 와 dp-; dn- 와 dp+; dn+ 와 dp- 사이 및/또는 이들의 임의의 조합 사이에 연결될 수 있다. 또한, 이들 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들은 본 발명에 영향을 미치지 않거나 변경하지 않는 직렬 저항들 또는 직렬 인덕턴스 또는 병렬 저항들 또는 병렬 인덕터들을 포함할 수 있다. Any number of capacitors or variable capacitors may be connected between the + and − nodes of the inputs and outputs of the tuning block 200. Likewise, any number of capacitors or variable capacitors may be coupled between the + and − nodes of the input and outputs, gates, bulks and sources of the active device 151+ and the active device 151−. For example, cross capacitors or variable capacitors include dn + and dn-; dp + and dp-; dn- and dp +; may be linked between dn + and dp− and / or any combination thereof. In addition, these capacitors or variable capacitors may include series resistors or series inductance or parallel resistors or parallel inductors that do not affect or alter the present invention.

도 4c는 본 발명에 따른 차동형 결합 공통 게이트 및 공통 소스 증폭기의 실시예의 블록도이다. 증폭기(400)는 제 1 및 제 2 액티브 디바이스(151)에 연결된 차동형 튜닝 블록(200)을 포함한다. 차동형 튜닝 블럭(200)은 4개의 입력들 n+, p+, n-, p- 및 6개의 출력들 S+, S-, gn+, gn-, gp+ 및 gp-을 포함한다. 또한 전원 vdd 및 gnd는 노드 dn+, dn-, dp+ 및 dp-를 공급하는 모든 액티브 디바이스의 필요한 바이어싱을 위해 제공된다. 4C is a block diagram of an embodiment of a differential coupled common gate and common source amplifier in accordance with the present invention. Amplifier 400 includes differential tuning block 200 coupled to first and second active devices 151. The differential tuning block 200 includes four inputs n +, p +, n-, p- and six outputs S +, S-, gn +, gn-, gp + and gp-. Power supplies vdd and gnd are also provided for the necessary biasing of all active devices supplying nodes dn +, dn-, dp + and dp-.

입력 신호들은 전류의 형태이며, l_in_n +, l_in_p+ 및 l_in_n- 및 l_in_p- 로서 노드 n+, p+ 및 n-, p-에 각각 제공된다. 인덕터, 캐패시터, 저항기 및 트랜스포머와 같은 수동소자들의 전부 또는 일부의 조합을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는 튜닝 블럭(200)은 l_s+ > (l_in_n+) + (l_in_p+) 및 l_s- > (l_in_n-) + (l_in_p-)의 조건하에서, l_in_n+, l_in_p+, l_in_n- 및 l_in_p-를 수신하고 그리고 이들을 프로세싱하여 노드 S+ 및 S-에서 각각 l_s+ 및 l_s- 로 출력하는 기능을 갖는다. The input signals are in the form of currents and are provided to nodes n +, p + and n-, p- as l_in_n +, l_in_p + and l_in_n- and l_in_p- respectively. Tuning block 200, which may include, but is not limited to, all or some combinations of passive components such as inductors, capacitors, resistors, and transformers, includes l_s +> (l_in_n +) + (l_in_p +) and l_s-> (l_in_n-) + Under the condition of (l_in_p-), it has the function of receiving l_in_n +, l_in_p +, l_in_n- and l_in_p- and processing them to output to l_s + and l_s- at nodes S + and S-, respectively.

튜닝 블록(200)의 다른 4개의 출력 노드들은 액티브 디바이스(151+) 및 액티브 디바이스(151-)의 포지티브 및 네가티브 n형 및 p형 게이트들에 각각 연결되어 차동형 공통 게이트-공통 소스 증폭기를 형성한다. The other four output nodes of tuning block 200 are connected to the positive and negative n-type and p-type gates of active device 151+ and active device 151-, respectively, to form a differential common gate-common source amplifier. .

전류 l_s+는 액티브 디바이스(151+) 소스 연결부 S에 제공된다. 상기 디바이스의 공통 게이트 동작으로 인해, 전류 l_s+는 분할될 것이고, 일부는 출력 전류 l_out_n+으로서 dn+로 지향되며, 다른 일부는 출력 전류 l_out_p+ 로서 dp+ 로 지향된다. 액티브 디바이스(151+)의 게이트들 gn+ 및 gp+ 은 바이어스 라인들에 결합된다(gn+ 및 gp+에는 신호가 인가되지 않음). 벌크 노드들, bn+ 및 bp+는 또한 각각의 바이어스 라인에 연결된다. Current l_s + is provided to active device 151+ source connection S. Due to the common gate operation of the device, the current l_s + will be split, partly directed to dn + as the output current l_out_n + and the other part to dp + as the output current l_out_p +. Gates gn + and gp + of active device 151+ are coupled to bias lines (no signal is applied to gn + and gp +). Bulk nodes, bn + and bp + are also connected to their respective bias lines.

유사하게, 전류 l_s-는 액티브 디바이스(151-) 소스 연결부 S로 입력된다. 액티브 디바이스(151-)의 공통 게이트 동작으로 인해, 전류 l_s-는 분할될 것이고, 그 일부는 출력 전류 l_out_n 로서 dn-로 지향되며, 다른 일부는 출력 전류 l_out_p-로서 dp-로 지향된다. Similarly, current l_s- is input to active device 151- source connection S. Due to the common gate operation of the active device 151-, the current l_s-will be split, part of which is directed to dn- as the output current l_out_n and part of which is directed to dp- as the output current l_out_p-.

임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 튜닝 블록(200)의 입력들 및 출력들, 게이트들 및 벌크들 및 소스들의 + 및 - 노드들 사이에 연결될 수 있다. 마찬가지로, 임의의 수의 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이 액티브 디바이스(151+) 및 액티브 디바이스(151-)의 입력 및 출력들의 + 및 - 노드들 사이에 연결될 수 있다. 예를 들어, 크로스 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들이, dn+ 와 dn-; dp+ 와 dp-; dn- 와 dp+; dn+ 와 dp- 사이 및/또는 이들의 임의의 조합 사이에 연결될 수 있다. 또한, 이들 캐패시터들 또는 가변 캐패시터들은 본 발명에 영향을 미치지 않거나 변경하지 않는 직렬 저항들 또는 직렬 인덕턴스 또는 병렬 저항들 또는 병렬 인덕터들을 포함할 수 있다. Any number of capacitors or variable capacitors may be coupled between the + and − nodes of the inputs and outputs, gates and bulks and sources of the tuning block 200. Likewise, any number of capacitors or variable capacitors may be coupled between the + and − nodes of the active device 151+ and the inputs and outputs of the active device 151−. For example, cross capacitors or variable capacitors include dn + and dn-; dp + and dp-; dn- and dp +; may be linked between dn + and dp− and / or any combination thereof. In addition, these capacitors or variable capacitors may include series resistors or series inductance or parallel resistors or parallel inductors that do not affect or alter the present invention.

도 4d는 본 발명에 따른 단일 종단 전압 제어 발진기(VCO)(400)의 일 실시예에 대한 블록도이다. 도시된 바와 같이, 액티브 디바이스(100)는 소스를 통해 튜닝 블록(200)에 직접 연결되며 그리고 드레인을 통해 피드백 관계로 연결된다. 4D is a block diagram of one embodiment of a single-ended voltage controlled oscillator (VCO) 400 in accordance with the present invention. As shown, the active device 100 is directly connected to the tuning block 200 through a source and in a feedback relationship through a drain.

도 4e는 본 발명에 따른 차동형 VCO(400')의 실시예의 블록도이다. 도시된 바와 같이, 액티브 디바이스(151)는 소스 및 게이트를 통해 튜닝 블록(200)에 직접 연결되며 그리고 드레인을 통해 피드백 관계로 연결된다. 4E is a block diagram of an embodiment of a differential VCO 400 'in accordance with the present invention. As shown, the active device 151 is directly connected to the tuning block 200 through a source and a gate and in a feedback relationship through a drain.

도 4f는 본 발명에 따른 캐스케이드된 VCO(400")의 실시예의 블록도이다. 도 4f는 공통 소스 튜닝 및 액티브 디바이스의 캐스케이드를 도시한다. 하지만, 공통 게이트 또는 공통 게이트, 공통 소스 또는 심지어 공통 소스의 믹스 앤 매치(mix and match)가 본 발명에 따라 구현될 수 있다. Figure 4f is a block diagram of an embodiment of a cascaded VCO 400 "in accordance with the present invention. Figure 4f illustrates a common source tuning and cascade of active devices. However, common gate or common gate, common source or even common source. Mix and match of may be implemented according to the present invention.

도 4g는 본 발명에 따른 차동형 VCO(410)의 실시예의 블록도이다. 도시된 바와 같이, 액티브 디바이스(151)는 소스를 통해 직접적으로 그리고 드레인을 통해 피드백 관계로 튜닝 블록(200)에 직접 연결된다. 유효 루프 피드백은 발진을 보장하는 포지티브 신호를 갖는다. 4G is a block diagram of an embodiment of a differential VCO 410 in accordance with the present invention. As shown, the active device 151 is directly connected to the tuning block 200 in a feedback relationship directly through the source and through the drain. Effective loop feedback has a positive signal to ensure oscillation.

도 4h는 본 발명에 따른 캐스케이드된 VCO(410')의 실시예의 블록도이다. 도 4h는 공통 게이트 튜닝과 액티브 디바이스들의 캐스케이드를 보여준다. 그러나 공통 게이트 또는 공통 게이트, 공통 소스 또는 심지어 공통 소스의 믹스 앤 매치도 본 발명에 따라 구현될 수 있다. 점선은 이러한 블록들이 많이 존재할 수 있음을 의미한다. 4H is a block diagram of an embodiment of a cascaded VCO 410 'in accordance with the present invention. 4H shows a common gate tuning and cascade of active devices. However, a mix and match of common gates or common gates, common sources or even common sources may be implemented according to the present invention. The dashed line means that there can be many such blocks.

도 4i는 본 발명에 따른 캐스케이드된 VCO(420)의 일실시예에 대한 블록도이다. 도 4i는 공통 게이트 튜닝 및 액티브 디바이스들과 공통 게이트 튜닝 및 액티브 디바이스들과의 캐스케이드를 보여준다. 점선은 공통 게이트 액티브 및 튜닝 디바이스들 또는 공통 게이트, 공통 소스 액티브 및 튜닝 디바이스들의 많은 조합들이 존재할 수 있음을 의미한다. 4I is a block diagram of one embodiment of a cascaded VCO 420 in accordance with the present invention. 4I shows a cascade of common gate tuning and active devices with common gate tuning and active devices. The dashed line means that there may be many combinations of common gate active and tuning devices or common gate, common source active and tuning devices.

도 5는 본 발명에 따른 VCO(500)를 형성하기 위해 유도성 튜닝 블록들에 결합된 2개의 차동형 액티브 디바이스들의 도면이다. 도 5는 공통 게이트 증폭기와 함께 수동 인덕턴스를 사용하여 이득이 1 보다 크고 이득이 2에 가까워지는 포지티브 피드백 루프를 어떻게 획득하는지를 도시한다. 인덕터들의 클러스터들(200)이 서로 결합되어 있다. 이것은 소스 전류가 튜닝 블록 기능으로 지정된 각 드레인 전류 이상이라는 조건을 충족시킨다. 도 5에 도시되지는 않았지만, 동일 극성 소스들이 함께 연결될 수 있을 뿐만 아니라, 동일 극성 dn 또는 dp는 기능을 변경함이 없이 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 각 액티브 디바이스의 S +, 151은 함께 연결할 수 있다. 또는 각 액티브 디바이스의 S-가 함께 연결할 수 있다. 5 is a diagram of two differential active devices coupled to inductive tuning blocks to form a VCO 500 in accordance with the present invention. FIG. 5 shows how to use a passive inductance with a common gate amplifier to obtain a positive feedback loop where gain is greater than 1 and gain is close to 2. FIG. Clusters of inductors 200 are coupled to each other. This satisfies the condition that the source current is above each drain current specified by the tuning block function. Although not shown in FIG. 5, not only can the same polarity sources be connected together, but the same polarity dn or dp can be connected to each other without changing the function. For example, S + and 151 of each active device may be connected together. Alternatively, the S- of each active device can be connected together.

도 6은 본 발명에 따라 VCO(600)를 형성하기 위해 유도성 튜닝 블록에 결합된 3개의 차동형 액티브 디바이스의 도면이다. 도 6은 공통 게이트 증폭기와 함께 수동 인덕턴스를 사용하여 이득이 1보다 크고 이득이 3에 가까워지는 포지티브 피드백 루프를 어떻게 획득하는지를 보여준다. 인덕터들의 클러스터(200)들이 서로 결합되어 있다. 이것은 소스 전류가 튜닝 블록 기능으로 지정된 각 드레인 전류 이상이라는 조건을 충족시킨다. 도 6에 도시되지는 않았지만, 동일 극성 소스들이 함께 연결될 수 있을 뿐만 아니라, 동일 극성 dn 또는 dp는 기능을 변경함이 없이 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 각 액티브 디바이스의 S +, 151은 함께 연결할 수 있다. 또는 각 액티브 디바이스의 S-가 함께 연결할 수 있다. 6 is a diagram of three differential active devices coupled to an inductive tuning block to form a VCO 600 in accordance with the present invention. Figure 6 shows how passive inductance with a common gate amplifier is used to obtain a positive feedback loop with gain greater than 1 and gain closer to 3. Clusters of inductors 200 are coupled to each other. This satisfies the condition that the source current is above each drain current specified by the tuning block function. Although not shown in FIG. 6, not only the same polarity sources may be connected together, but the same polarity dn or dp may be connected to each other without changing the function. For example, S + and 151 of each active device may be connected together. Alternatively, the S- of each active device can be connected together.

도 7은 본 발명에 따라 유도성 튜닝 블록에 결합된 4개의 차동형 액티브 디바이스들의 도면이다. 도 7은 이러한 포지티브 피드백에 의해서 이득이 1 이상이 될 수 있고 4에 근접할 수 있음을 보여준다. 점선 타원 내에 그룹화된 모든 인덕터들은 서로 연결된다. 각 액티브 디바이스의 동일 극성 소스 노드들은 본 발명을 변경하지 않고 함께 연결될 수 있다. 또한, 각 액티브 디바이스의 동일 극성 dn 및 dp 노드들은 본 발명을 변경하지 않고 함께 연결될 수 있다.7 is a diagram of four differential active devices coupled to an inductive tuning block in accordance with the present invention. Figure 7 shows that this positive feedback allows the gain to be greater than or equal to four. All inductors grouped within the dashed ellipses are connected to each other. Equal polarity source nodes of each active device may be connected together without changing the invention. In addition, the same polarity dn and dp nodes of each active device can be connected together without changing the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 VCO(800)에서 2개의 액티브 디바이스들의 드레인 전류들이 루프 전에 합산되는 것을 도시한 도면이다. 이렇게 하면, 2개의 디바이스들의 드레인 전류들이 먼저 더해지며 그리고 드레인들은 포지티브 피드백 방식으로 소스에 결합된다. 이와 유사하게, 각각의 차동형 액티브 디바이스로부터 다른 차동형 액티브 디바이스들로의 동일 극성 소스 노들의 전부 또는 일부는 본 발명을 변경하지 않고 서로 연결될 수 있다. 8 is a diagram illustrating drain currents of two active devices are summed before a loop in the VCO 800 according to the present invention. In this way, the drain currents of the two devices are added first and the drains are coupled to the source in a positive feedback manner. Similarly, all or some of the same polarity source furnaces from each differential active device to other differential active devices can be connected to each other without changing the invention.

도 9은 본 발명에 따른 VCO(900)에서 드레인 전류들이 루프 전에 합산되는 것을 도시한 도면이다. 이렇게 하면, 드레인 전류들이 먼저 더해지며 그리고 3개의 드레인들은 포지티브 피드백 방식으로 소스에 결합된다. 이와 유사하게, 각각의 차동형 액티브 디바이스로부터 다른 차동형 액티브 디바이스들로의 동일 극성 소스 노들의 전부 또는 일부는 본 발명을 변경하지 않고 서로 연결될 수 있다. 9 illustrates that drain currents are summed before a loop in the VCO 900 in accordance with the present invention. In this way, drain currents are added first and the three drains are coupled to the source in a positive feedback manner. Similarly, all or some of the same polarity source furnaces from each differential active device to other differential active devices can be connected to each other without changing the invention.

본 발명에 따른 시스템 및 방법은 전압 제어 발진기(VCO) 어플리케이션에 대해 증가된 이득 및 포지티브 피드백을 획득하기 위해 트랜스포머와 결합될 수 있는 증폭기 회로를 제공한다. 결과적인 디바이스는 버퍼 또는 메모리를 필요로 하지 않으며, 따라서 기존의 VCO 보다 크기가 더 작고 더 적은 전력을 사용한다. The system and method according to the present invention provides an amplifier circuit that can be combined with a transformer to obtain increased gain and positive feedback for a voltage controlled oscillator (VCO) application. The resulting device does not require a buffer or memory, so it is smaller in size and uses less power than traditional VCOs.

비록, 도시된 실시예들에 따라 본 발명이 서술되었지만, 당업자라면 상기 실시예들에 대한 변형예들이 존재할 수 있음을 쉽게 인식할 수 있을 것이며, 이들 변형예들은 본 발명의 사상 및 범위 내에 속할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면도 당업자에 의해서 많은 변형들이 이루어질 수 있다. Although the invention has been described in accordance with the illustrated embodiments, those skilled in the art will readily recognize that there may be variations to the embodiments, and such variations will fall within the spirit and scope of the invention. . Accordingly, many modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (7)

전압 제어 발진기(VCO)로서,
액티브 디바이스, 상기 액티브 디바이스는 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 n형 트랜지스터; 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 p형 트랜지스터; 상기 n형 트랜지스터의 게이트와 상기 p형 트랜지스터의 게이트 사이에 결합된 제 1 캐패시터; 상기 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 결합된 제 2 캐패시터; 및 상기 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 p형 트랜지스터의 벌크 사이에 결합된 제 3 캐패시터를 포함하고, 상기 n형 트랜지스터와 상기 p형 트랜지스터는 공통 소스를 공유하며;
공통 게이트 증폭기를 형성하도록 상기 공통 소스에 결합된 튜닝 블록; 및
상기 VCO의 전체 캐패시턴스를 변경하기 위해 상기 액티브 디바이스에 결합 된 적어도 하나의 튜닝 소자
를 포함하고,
상기 VCO는 메모리-리스(memory-less)이며 짝수 고조파 신호들(even harmonic signals)을 포획하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.
As a voltage controlled oscillator (VCO),
An active device, the active device comprising an n-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A p-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A first capacitor coupled between the gate of the n-type transistor and the gate of the p-type transistor; A second capacitor coupled between the drain of the n-type transistor and the drain of the p-type transistor; And a third capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor and the bulk of the p-type transistor, wherein the n-type transistor and the p-type transistor share a common source;
A tuning block coupled to the common source to form a common gate amplifier; And
At least one tuning element coupled to the active device to change the overall capacitance of the VCO
Including,
The VCO is memory-less and captures even harmonic signals.
제1항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 캐패시터 각각은 가변 캐패시터, 저항과 직렬로 연결된 캐패시터, 저항과 병렬로 연결된 캐패시터, 인덕터와 직렬로 연결된 캐패시터, 인덕터와 병렬로 연결된 캐패시터 중 임의의 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.
The method of claim 1,
Each of the first, second, and third capacitors includes any of a variable capacitor, a capacitor connected in series with a resistor, a capacitor connected in parallel with a resistor, a capacitor connected in series with a inductor, and a capacitor connected in parallel with the inductor. Characterized by a voltage controlled oscillator.
제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 튜닝 소자는 인덕터들, 캐패시터들, 저항들 및 트랜스포머들 중 임의의 것을 포함하며, 상기 적어도 하나의 튜닝 소자는 2개의 입력들과 하나의 출력을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.
The method of claim 1,
Said at least one tuning element comprises any of inductors, capacitors, resistors and transformers, said at least one tuning element comprising two inputs and an output .
차동형(differential) 전압 제어 발진기(VCO)로서,
제 1 및 제 2 액티브 디바이스들, 상기 제 1 및 제 2 액티브 디바이스들 각각은 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 n형 트랜지스터; 드레인, 게이트 및 벌크를 갖는 p형 트랜지스터; 상기 n형 트랜지스터의 게이트와 상기 p형 트랜지스터의 게이트 사이에 결합된 제 1 캐패시터; 상기 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 결합된 제 2 캐패시터; 및 상기 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 p형 트랜지스터의 벌크 사이에 결합된 제 3 캐패시터를 포함하고, 상기 n형 트랜지스터와 상기 p형 트랜지스터는 공통 소스를 공유하며;
상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 2 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 4 캐패시터;
상기 제 1 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 2 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 5 캐패시터;
상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 1 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 6 캐패시터;
상기 제 2 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 벌크와 상기 제 1 액티브 디바이스의 공유된 소스 사이에 연결된 제 7 캐패시터;
공통 게이트 증폭기를 형성하도록 상기 공통 소스에 연결된 튜닝 블록
상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 적어도 하나의 제 1 튜닝 소자;
상기 제 1 액티브 디바이스의 n형 및 p형 트랜지스터들의 소스들과 상기 제 2 액티브 디바이스의 n형 및 p형 트랜지스터의 소스들 사이에 연결된 적어도 하나의 제 2 튜닝 소자; 및
상기 제 1 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 액티브 디바이스의 p형 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 적어도 하나의 제 3 튜닝 소자
를 포함하고,
상기 차동형 VCO는 메모리-리스(memory-less)이며 짝수 고조파 신호들(even harmonic signals)을 포획하는 것을 특징으로 하는 차동형 전압 제어 발진기.
Differential voltage controlled oscillator (VCO),
First and second active devices, each of the first and second active devices comprising an n-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A p-type transistor having a drain, a gate, and a bulk; A first capacitor coupled between the gate of the n-type transistor and the gate of the p-type transistor; A second capacitor coupled between the drain of the n-type transistor and the drain of the p-type transistor; And a third capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor and the bulk of the p-type transistor, wherein the n-type transistor and the p-type transistor share a common source;
A fourth capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor of the first active device and the shared source of the second active device;
A fifth capacitor coupled between the bulk of the p-type transistor of the first active device and the shared source of the second active device;
A sixth capacitor coupled between the bulk of the n-type transistor of the second active device and the shared source of the first active device;
A seventh capacitor coupled between the bulk of the p-type transistor of the second active device and the shared source of the first active device;
A tuning block coupled to the common source to form a common gate amplifier
At least one first tuning element coupled between the drain of the n-type transistor of the first active device and the drain of the n-type transistor of the second active device;
At least one second tuning element coupled between the sources of n-type and p-type transistors of the first active device and the sources of n-type and p-type transistors of the second active device; And
At least one third tuning element coupled between the drain of the p-type transistor of the first active device and the drain of the p-type transistor of the second active device
Including,
The differential VCO is memory-less and captures even harmonic signals.
제4항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 캐패시터 각각은 가변 캐패시터, 저항과 직렬로 연결된 캐패시터, 저항과 병렬로 연결된 캐패시터, 인덕터와 직렬로 연결된 캐패시터, 인덕터와 병렬로 연결된 캐패시터 중 임의의 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 차동형 전압 제어 발진기.
The method of claim 4, wherein
Each of the first, second, and third capacitors includes any of a variable capacitor, a capacitor connected in series with a resistor, a capacitor connected in parallel with a resistor, a capacitor connected in series with a inductor, and a capacitor connected in parallel with the inductor. Differential voltage controlled oscillator.
제4항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 튜닝 소자 각각은 인덕터들, 캐패시터들, 저항들 및 트랜스포머들 중 임의의 것을 포함하며, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 튜닝 소자 각각은 2개의 입력들과 하나의 출력을 포함하는 것을 특징으로 하는 차동형 전압 제어 발진기.
The method of claim 4, wherein
Each of the first, second, and third tuning elements includes any of inductors, capacitors, resistors, and transformers, each of the first, second, and third tuning elements having two inputs; And a single output.
제4항에 있어서,
상기 제 1 및 제 3 튜닝 소자는 상기 차동형 VCO의 비정밀(coarse) 튜닝에 이용되고, 상기 제 2 튜닝 소자는 상기 차동형 VCO의 정밀(fine) 튜닝에 이용되는 것을 특징으로 하는 차동형 전압 제어 발진기.
The method of claim 4, wherein
The first and third tuning elements are used for coarse tuning of the differential VCO, and the second tuning elements are used for fine tuning of the differential VCO.
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