KR102020380B1 - Apparatus for measuring component of coating - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 금속 소재의 도금층을 형성하는 성분을 측정하는 도금 성분 측정 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치는 금속 소재의 도금층에 X선을 출력하는 X선 공급기, 상기 도금층으로부터 일정 거리 이격된 상부에서 상기 도금층의 측정 포인트로 헬륨을 퍼지(purge)하는 헬륨 공급기, 상기 헬륨이 퍼지된 상기 도금층의 측정 포인트에서 상기 X선과 상기 도금층의 성분이 반응하여 출력된 형광 X선의 세기를 측정하는 측정기를 포함할 수 있다. The present invention relates to a plating component measuring apparatus for measuring a component for forming a plating layer of a metal material, the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention is an X-ray feeder for outputting an X-ray to the plating layer of the metal material, Helium feeder to purge helium to the measurement point of the plating layer from the upper portion spaced from the plating layer, the fluorescent X output by reacting the X-rays and the components of the plating layer at the measuring point of the plating layer the helium is purged It may include a measuring device for measuring the strength of the line.

Description

도금 성분 측정 장치{APPARATUS FOR MEASURING COMPONENT OF COATING}Plating ingredient measuring device {APPARATUS FOR MEASURING COMPONENT OF COATING}

본 발명은 금속 소재의 도금 성분을 측정하는 도금 성분 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plating component measuring apparatus for measuring the plating component of a metal material.

일반적으로 금속 소재의 도금층의 두께를 측정하는 방법으로는 형광 X 선 방법이 주로 사용된다. 형광 X 선 방법은 시료를 파괴하지 않고 신속하고 정확하게 도금층의 두께와 성분을 측정할 수 있어 산업 현장에서 오프라인과 온라인 측정에 주로 이용되고 있다. In general, a fluorescent X-ray method is mainly used as a method for measuring the thickness of a metal layer. Fluorescence X-ray method can be used to measure the thickness and composition of the plating layer quickly and accurately without destroying the sample, which is mainly used for offline and online measurement in the industrial field.

도금층을 구성하고 있는 물질로부터 방출되는 형광 X 선의 강도는 도금층의 두께가 증가함에 따라 증가함으로 이를 이용하여 도금층의 두께를 측정할 수 있다. 또한 도금층이 2개 이상의 합금으로 구성된 경우에도 도금층을 구성하고 있는 물질의 형광 X 선을 측정할 수 있으면 성분비를 알 수 있다.Since the intensity of the fluorescent X-rays emitted from the material constituting the plating layer increases as the thickness of the plating layer increases, the thickness of the plating layer may be measured using the same. In addition, even when the plating layer is composed of two or more alloys, the component ratio can be known if the fluorescent X-rays of the material constituting the plating layer can be measured.

그러나 마그네슘과 같이 원자번호가 낮은 물질이 합금원소로 구성되어 있을 경우 이 원소로부터 발생하는 형광 X 선은 공기중에 흡수되어 검출기까지 도달하지 못하는 성질이 있어 기존의 방법으로는 도금층의 두께나 성분비 측정을 할 수 없다. 도금층으로부터 방출되는 형광 X 선이 검출기까지 도달하기 위하여서는 그 경로를 진공으로 하거나 He 등 가벼운 기체로 채우는 방법이 있으나 이를 위하여서는 진공 장치와 헬륨 공급 장치 등 부가적인 장치가 필요하여 온라인으로는 적용하기 어려운 문제점이 있다.However, when a material with a low atomic number such as magnesium is composed of alloying elements, the fluorescent X-rays generated from this element are absorbed in the air and do not reach the detector. Can not. Fluorescence X-rays emitted from the plating layer can be vacuumed or filled with a light gas such as He to reach the detector, but for this, additional devices such as a vacuum device and a helium supply device are required. There is a difficult problem.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0028017호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0028017

본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 소재의 도금층을 형성하는 성분을 측정하는 도금 성분 측정 장치가 제공된다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a plating component measuring apparatus for measuring a component for forming a plating layer of a metal material.

상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치는 금속 소재의 도금층에 X선을 출력하는 X선 공급기, 상기 도금층으로부터 일정 거리 이격된 상부에서 상기 도금층의 측정 포인트로 헬륨을 퍼지(purge)하는 헬륨 공급기, 상기 헬륨이 퍼지된 상기 도금층의 측정 포인트에서 상기 X선과 상기 도금층의 성분이 반응하여 출력된 형광 X선의 세기를 측정하는 측정기를 포함할 수 있다. In order to solve the above problems of the present invention, the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention is an X-ray supply for outputting X-rays to the plating layer of the metal material, the upper portion of the plating layer spaced from a predetermined distance A helium feeder may be used to purge helium to a measuring point, and a measuring device may measure the intensity of the fluorescent X-rays output by reacting the X-rays and the components of the plating layer at the measurement point of the plating layer in which the helium is purged.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 소재의 도금층의 도금 성분비 및 부착량을 정밀하게 측정할 수 있는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, the plating component ratio and the adhesion amount of the plating layer of the metal material can be measured accurately.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 종래의 도금 성분 측정 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치에 의해 측정된 스펙트럼 비교 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치에 의해 측정된 도금 성분의 성분비 변화에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치의 형광 엑스레이 신호로부터 측정된 도금 성분비를 정량화한 관계식을 나타내는 그래프이다.1 is a schematic diagram of a plating component measuring apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a spectrum comparison graph measured by a conventional plating component measuring apparatus and a plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing a change in absorption spectrum according to a change in the component ratio of the plating component measured by the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing a relational expression quantifying the plating component ratio measured from the fluorescent X-ray signal of the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram of a plating component measuring apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치(100)는 X선 공급기(110), 측정기(120) 및 헬륨 공급기(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the plating component measuring apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may include an X-ray supply unit 110, a measuring unit 120, and a helium supply unit 130.

X선 공급기(110)는 금속 소재(S)의 도금층(C)에 X선을 출력할 수 있다.The X-ray supplier 110 may output X-rays to the plating layer C of the metal material S.

측정기(120)는 도금층(C)의 측정 포인트에서 X선 공급기(110)로부터의 상기 X선과 도금층(C)의 성분이 반응하여 출력된 형광 X선의 세기를 측정할 수 있다.The measuring unit 120 may measure the intensity of the fluorescent X-rays output by reacting the X-rays from the X-ray supply 110 and the components of the plating layer C at the measurement point of the plating layer C.

헬륨 공급기(130)는 도금층(C)으로부터 일정 거리 이격된 상부에서 도금층(C)의 측정 포인트로 헬륨을 퍼지(purge)할 수 있다.The helium supplier 130 may purge helium to a measurement point of the plating layer C at an upper portion spaced from the plating layer C by a predetermined distance.

X선 공급기(110)는 금속 소재(S)의 도금층(C)의 측정 포인트에 X선을 출력할 수 있고, 상기 측정 포인트에 사선으로 배치될 수 있다.The X-ray supplier 110 may output an X-ray to a measuring point of the plating layer C of the metal material S, and may be disposed obliquely at the measuring point.

측정기(120)는 도금층(C)의 상기 측정 포인트에부터 출력된 형광 X선의 세기를 측정할 수 있으며, 상기 형광 X선을 입력받을 수 있도록 상기 측정 포인트에 사선으로 배치될 수 있다.The measuring unit 120 may measure the intensity of the fluorescent X-rays output from the measuring point of the plating layer C, and may be disposed diagonally at the measuring point to receive the fluorescent X-rays.

헬륨 공급기(130)는 도금층(C)의 상기 측정 포인트의 상부에 배치될 수 있고, 상기 측정 포인트에 수직 하방으로 헬륨을 퍼지할 수 있다. 더하여, 헬륨 공급기(130)는 상기 측정 포인트에 헬륨 분위기(131)를 조성할 수 있다.The helium supplier 130 may be disposed above the measuring point of the plating layer C, and may purge helium downwardly perpendicular to the measuring point. In addition, the helium supply 130 may create a helium atmosphere 131 at the measurement point.

예를 들어, X선 공급기(110)의 타겟 물질은 몰리브덴(원소기호 Mo)일 수 있고, 인가 전압은 10kV, 전류는 0.15mA로 설정될 수 있고, 측정기(120)는 규소 핀 다이오드의 SDD 타입으로 구성될 수 있으며, 측정기(120)와 금속 소재(S)의 거리는 5mm로 설정될 수 있다.For example, the target material of the X-ray supply 110 may be molybdenum (element symbol Mo), the applied voltage may be set to 10kV, the current is 0.15mA, the meter 120 is a SDD type of silicon pin diode It may be configured as, the distance between the measuring device 120 and the metal material (S) may be set to 5mm.

헬륨 공급기(130)는 상기 측정 포인트에 헬륨을 퍼지할 수 있으며, 헬륨 퍼지량은 대략 1L/min 정도이면 충분한 헬륨 분위기를 얻을 수 있다.The helium supplier 130 may purge helium at the measurement point, and a sufficient helium atmosphere may be obtained if the helium purge amount is about 1 L / min.

도금층(C)은 적어도 두가지 성분 이상의 합금으로 구성될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치(100)는 도금층을 구성하고 있는 성분의 성분비와 부착량을 측정할 수 있다.Plating layer (C) may be composed of an alloy of at least two components, the plating component measuring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention can measure the component ratio and the adhesion amount of the components constituting the plating layer.

도금층(C)는 아연(원소기호 Zn) 및 마그네슘(원소기호 Mg)을 포함하여 구성될 수 있으며, 측정기(120)는 도금층(C)의 성분 중 아연 및 마그네슘의 형광 X선 세기를 측정할 수 있다.The plating layer (C) may be configured to include zinc (element symbol Zn) and magnesium (element symbol Mg), and the measuring unit 120 may measure the fluorescent X-ray intensity of zinc and magnesium among the components of the plating layer (C). have.

도 2는 종래의 도금 성분 측정 장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치에 의해 측정된 스펙트럼 비교 그래프이다.2 is a spectrum comparison graph measured by a conventional plating component measuring apparatus and a plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 예를 들어 아연 90.6%, Mg 5.1%의 구성을 가진 물질을 2.58um 두께로 도금한 시편에 대해, 종래의 헬륨을 퍼지하지 않았을 경우와 본 발명의 일 실시예에 따라 헬륨을 퍼지했을 경우의 스펙트럼을 비교한 결과를 볼 수 있다.Referring to FIG. 2, for example, a specimen in which a material having a composition of 90.6% zinc and 5.1% Mg is plated to a thickness of 2.58 μm is not purged with conventional helium and according to an embodiment of the present invention. You can see the result of comparing the spectrum when you purge.

헬륨을 퍼지했을 경우, 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 피크(peak)가 1.25keV 근방에서 나타나고, 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 키프가 1 keV 근방에서 나타나는 것을 볼 수 있다. 반면에, 헬륨을 퍼지하지 않았을 경우에는 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호 피크가 3 keV 근방에서 나타나는것을 볼 수 있으며, 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호 피크는 헬륨을 퍼지했을 경우네는 나타나지 않는다. 한편 8.5 keV 근방에서 나타나는 아연의 형광 X선 중 Ka선(ZnKa)의 신호 피크는 헬륨 퍼지 여부와 관계없이 동일하게 나타난다. In the case of purging helium, the signal peak of Ka-ray (MgKa) appears in the vicinity of 1.25 keV among the fluorescent X-rays of magnesium, and the signal signal of La-ray (ZnLa) appears in the vicinity of 1 keV of the fluorescent X-rays of zinc. You can see that. On the other hand, when helium was not purged, it can be seen that the signal peak of Ka-ray (ArKa) in argon fluorescent X-rays appeared around 3 keV, and the signal peak of Ka-ray (ArKa) in argon fluorescent X-rays was If you purge helium, you will not see it. Meanwhile, signal peaks of Ka rays (ZnKa) among the fluorescent X-rays of zinc appearing around 8.5 keV are the same regardless of whether helium is purged.

측정기(120)는 상기 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 세기 및 상기 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 세기와 상대적 비율에 따라 상기 도금층의 아연과 마그네슘의 부착량 및 성분비를 추정할 수 있다.The measuring unit 120 measures the adhesion amount of zinc and magnesium in the plating layer according to the signal intensity of La ray (ZnLa) among the fluorescent X-rays of zinc and the signal intensity and relative ratio of Ka ray (MgKa) of the fluorescent X-rays of magnesium. The component ratio can be estimated.

다만, 상기 두 신호는 헬륨 100% 분위기에서만 절대적인 세기가 정확하게 측정이 되며 공기가 1% 만 섞이더라도 신호의 세기는 수십 % 감소할 수 있다. 따라서 이 두 신 호세기의 절대값을 이용하여 부착량을 환산하는 알고리즘은 측정정확도가 떨어질 수 있다. However, the absolute strength of the two signals is accurately measured only in an atmosphere of 100% helium, and even if only 1% of air is mixed, the intensity of the signal may be reduced by several ten%. Therefore, the algorithm for converting the adhesion amount by using the absolute value of these two signal strengths may be less accurate.

이에 따라, 측정기(120)는 아르곤(원소기호 Ar)의 형광 X선 세기를 더 측정할 수 있다.Accordingly, the measuring unit 120 may further measure the fluorescence X-ray intensity of argon (element symbol Ar).

즉, 측정기(120)는 아연의 형광 X선 중 Ka선(ZnKa)을 이용하여 도금층(C)의 아연의 부착량을 정량 측정하고, 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 세기 및 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 세기와 상대적 비율에 따라 도금층(C)의 아연과 마그네슘의 성분비를 추정할 수 있다. 이때 헬륨 분위기가 완벽하게 조성되지 않으면 신호세기의 오차가 발생할 수 있는데, 이러한 경우 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호 피크가 형성되므로, 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호 세기에 따라, 공기 유입에 의한 측정 오차를 보정할 수 있다.That is, the measuring unit 120 quantitatively measures the adhesion amount of zinc in the plating layer (C) using Ka-ray (ZnKa) among the fluorescent X-rays of zinc, and the signal intensity and magnesium of La-ray (ZnLa) in the fluorescent X-rays of zinc. Component ratios of zinc and magnesium in the plating layer (C) may be estimated according to the signal intensity and relative ratio of Ka rays (MgKa) among the fluorescent X-rays. In this case, an error in signal strength may occur when the helium atmosphere is not completely formed. In this case, a signal peak of Ka ray (ArKa) is formed among fluorescent X-rays of argon. According to the signal strength, the measurement error due to air inflow can be corrected.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치에 의해 측정된 도금 성분의 성분비 변화에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing a change in absorption spectrum according to a change in the component ratio of the plating component measured by the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3의 실험에 사용된 시편의 아연-마그네슘 코팅 비율 및 부착량은 다음의 표와 같다Zinc-magnesium coating ratio and adhesion amount of the specimen used in the experiment of Figure 3 are shown in the following table

(표)(table)

Figure 112017100072507-pat00001
Figure 112017100072507-pat00001

제시된 표에 따르면 도 3의 14번 샘플의 코팅두께만 3.15um 정도이고 나머지 3개의 샘플은 2.6um 의 값을 가지며 14번 샘플의 아연 비율도 94.9%로 가장 높다. 따라서, 도 3에서 14번 샘플의 아연의 형광 X선 중 Ka선(ZnKa)의 신호 피크가 유독 높게 나타나는 것이다. 한편 도 3을 참조하면, 아연-마그네슘 비율에 따라, 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 피크 및 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 피크의 상대적인 세기 비율이 변하고 있음을 확인할 수 있다. 측정시 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호는 관찰되지 않아 공기의 유입은 없음을 알 수 있다. 이러한 스펙트럼 결과를 가지고 아연과 마그네슘의 성분비를 정량한 그래프가 도 4에 나타나 있다. According to the presented table, only the coating thickness of sample 14 of FIG. 3 is about 3.15 um, and the remaining three samples have a value of 2.6 um, and the zinc ratio of sample 14 is also the highest at 94.9%. Therefore, in FIG. 3, signal peaks of Ka rays (ZnKa) appear toxic among the fluorescent X-rays of zinc of sample 14. Meanwhile, referring to FIG. 3, the relative intensity ratios of the signal peaks of La-ray (ZnLa) and the peaks of Ka-ray (MgKa) in fluorescent X-rays of magnesium are changing according to the zinc-magnesium ratio. can confirm. In the measurement, no signal of Ka-ray (ArKa) was observed in the fluorescent X-ray of argon, indicating that no air was introduced. A graph quantifying the component ratios of zinc and magnesium with these spectral results is shown in FIG. 4.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치의 형광 엑스레이 신호로부터 측정된 도금 성분비를 정량화한 관계식을 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing a relational expression quantifying the plating component ratio measured from the fluorescent X-ray signal of the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 아연과 마그네슘의 성분비에 따라 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 피크 및 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 피크의 상대적인 세기 비율이 선형적으로 변하고 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, the relative intensity ratios of the signal peaks of La-ray (ZnLa) among the fluorescent X-rays of zinc and the signal peaks of Ka-ray (MgKa) among the fluorescent X-rays of magnesium linearly vary according to the composition ratio of zinc and magnesium. It can be seen that it is changing.

한편 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호를 이용하면 마그네슘 뿐만 아니라 헬륨 퍼지가 필요한 인(원소기호 P), 실리콘(원소기호 Si) 같은 다른 경원소에 대해서도 공기유입에 의한 측정값 오차를 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치는 아연-마그네슘 합금으로 이루어진 도금층의 성분비 및 부착량뿐만 아니라, 도금층의 측정 포인트에 헬륨 분위기를 조성하여 경원소를 포함한 도금층의 성분비 및 부착량을 측정할 수 있다.On the other hand, if the Ka-ray (ArKa) signal is used among the X-ray fluorescence of argon, the measured value error due to air inflow is not only for magnesium but also for other light elements such as phosphorus (element symbol P) and silicon (element symbol Si) that require helium purge. Can be removed. That is, the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention measures not only the component ratio and adhesion amount of the plating layer made of zinc-magnesium alloy, but also the composition ratio and adhesion amount of the plating layer including a light element by forming a helium atmosphere at the measurement point of the plating layer. can do.

마찬가지로, 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 성분 측정 장치는 헬륨 분위기에서 경원소의 형광엑스레이 세기를 측정하는데 공기가 유입되면 아르곤 피크가 나타나고 반면에 경원소의 특성 피크는 줄어들 것이다. 이에 따라 아르곤 피크를 통해 공기유입에 의한 오차를 보정할 수 있다. Similarly, in the plating component measuring apparatus according to an embodiment of the present invention, argon peak appears when air is introduced to measure the fluorescence X-ray intensity of a light element in a helium atmosphere, while a characteristic peak of the light element is reduced. Accordingly, it is possible to correct the error due to air inflow through the argon peak.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 금속 소재의 도금층의 도금 성분비 및 부착량을 정밀하게 측정할 수 있다.As mentioned above, according to this invention, the plating component ratio and adhesion amount of the plating layer of a metal material can be measured precisely.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성을 다양하게 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, but is defined by the claims below, and the configuration of the present invention may be modified in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be changed and modified.

100: 도금 성분 측정 장치
110: X선 공급기
120: 측정기
130: 헬륨 공급기100: plating component measuring device
110: X-ray feeder
120: measuring instrument
130: helium feeder

Claims (10)

금속 소재의 도금층에 X선을 출력하는 X선 공급기;
상기 도금층으로부터 일정 거리 이격된 상부에서 상기 도금층의 측정 포인트로 헬륨을 퍼지(purge)하는 헬륨 공급기; 및
상기 헬륨이 퍼지된 상기 도금층의 측정 포인트에서 상기 X선과 상기 도금층의 성분이 반응하여 출력된 형광 X선의 세기를 측정하는 측정기를 포함하고,
상기 측정기는 아르곤의 형광 X선 세기를 더 측정하여 상기 아르곤의 형광 X선 중 Ka선(ArKa)의 신호 세기에 따라, 공기 유입에 의한 측정 오차를 보정하는 도금 성분 측정 장치.
An X-ray feeder for outputting X-rays to the metal plating layer;
A helium feeder that purges helium to a measurement point of the plating layer at an upper portion spaced from the plating layer; And
And a measuring device for measuring the intensity of the fluorescent X-rays output by reacting the X-rays and the components of the plating layer at the measurement point of the plating layer in which the helium is purged.
The measuring device further measures the fluorescence X-ray intensity of argon to correct the measurement error due to the inflow of air in accordance with the signal intensity of the Ka-ray (ArKa) of the fluorescence X-rays of argon.
제1항에 있어서,
상기 헬륨 공급기는 상기 도금층의 측정 포인트의 상부에서 수직 하방으로 헬륨을 퍼지하여 상기 도금층의 측정 포인트에 헬륨 분위기를 조성하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 1,
And the helium supply device purges helium vertically downward from an upper portion of the measurement point of the plating layer to create a helium atmosphere at the measurement point of the plating layer.
제1항에 있어서,
상기 측정기는 상기 도금층의 성분 중 아연 및 마그네슘의 형광 X선 세기를 측정하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 1,
The measuring device is a plating component measuring device for measuring the fluorescent X-ray intensity of zinc and magnesium in the components of the plating layer.
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 측정기는 상기 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 세기 및 상기 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 세기와 상대적 비율에 따라 상기 도금층의 아연과 마그네슘의 부착량 및 성분비를 추정하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 3,
The measuring device measures the adhesion amount and composition ratio of zinc and magnesium in the plating layer according to the signal intensity of La-ray (ZnLa) among the fluorescent X-rays of zinc and the signal intensity of Ka-ray (MgKa) among the fluorescent X-rays of magnesium. Plating component measuring device to estimate.
제3항에 있어서,
상기 측정기는 상기 아연의 형광 X선 중 Ka선(ZnKa)을 이용하여 상기 도금층의 아연의 부착량을 정량 측정하고, 상기 아연의 형광 X선 중 La선(ZnLa)의 신호 세기 및 상기 마그네슘의 형광 X선 중 Ka선(MgKa)의 신호 세기와 상대적 비율에 따라 상기 도금층의 아연과 마그네슘의 성분비를 추정하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 3,
The measuring device quantitatively measures the adhesion amount of zinc in the plating layer using Ka rays (ZnKa) among the fluorescent X-rays of zinc, and the signal intensity of La-ray (ZnLa) and the fluorescent X of magnesium in the fluorescent X-rays of zinc. Plating component measuring device for estimating the component ratio of zinc and magnesium of the plating layer according to the signal intensity and relative ratio of the Ka line (MgKa) of the line.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 측정기는 상기 도금층의 성분 중 경원소의 형광 X선 세기를 측정하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 1,
The measuring device is a plating component measuring device for measuring the fluorescence X-ray intensity of the light element among the components of the plating layer.
제8항에 있어서,
상기 측정기는 상기 도금층의 성분 중 마그네슘, 인, 실리콘 중 적어도 하나의 형광 X선 세기를 측정하는 도금 성분 측정 장치.
The method of claim 8,
The measuring device is a plating component measuring apparatus for measuring the fluorescent X-ray intensity of at least one of magnesium, phosphorus, silicon of the components of the plating layer.
삭제delete
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