KR102020320B1 - Method for manufacturing metal powder having satellites and metal powder having coated layer - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예는 사전 가공 공정 또는 혼합하는 공정을 생략하고 둘 이상의 소재를 직접 열플라즈마 반응기에 공급하여 소정의 특성을 구비하는 금속분말을 제조하므로, 공정 비용이 저감되고, 제조된 금속분말의 조성이 균일하고, 자유 금속 생성이 방지되는 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법은, i) 제1물질로 형성되는 제1분말과, 제2물질로 형성되는 제2분말을 마련하는 단계; ii) 제1분말과 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계; iii) 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 제1분말이 용융되고, 제2분말이 휘발되는 단계; iv) 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 제1물질이 응고되면서 구형화되어 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 제2물질이 석출되면서 구형화되어 제2물질의 구형 입자가 형성되며, 제1물질의 구형 입자의 표면에 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및 vi) 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함한다. In one embodiment of the present invention, by omitting the pre-processing or mixing process, and supplying two or more materials directly to the thermal plasma reactor to produce a metal powder having a predetermined characteristic, the process cost is reduced, the manufactured metal powder The composition of the present invention provides a manufacturing method in which the composition is uniform and free metal production is prevented. Satellite powder manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: i) preparing a first powder formed of a first material, and a second powder formed of a second material; ii) feeding the first powder and the second powder to a thermal plasma reactor; iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized; iv) In the second region inside the thermal plasma reactor, the molten state of the first substance solidifies and becomes spherical to form spherical particles of the first substance, and the volatilized state of the second substance precipitates into spherical second particles. Forming spherical particles of the material and depositing spherical particles of the second material on the surface of the spherical particles of the first material to form a deposited metal powder; And vi) cooling the deposited metal powder in the third region inside the thermal plasma reactor.

Description

위성분말 증착된 금속분말 및 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법 {METHOD FOR MANUFACTURING METAL POWDER HAVING SATELLITES AND METAL POWDER HAVING COATED LAYER } Satellite Powder Metal Powder Coated and Metal Layer Coated Metal Powder Manufacturing Method {METHOD FOR MANUFACTURING METAL POWDER HAVING SATELLITES AND METAL POWDER HAVING COATED LAYER}

본 발명은 위성분말 증착된 금속분말 및 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 사전 가공 공정 또는 혼합하는 공정을 생략하고 둘 이상의 소재를 직접 열플라즈마 반응기에 공급하여 소정의 특성을 구비하는 금속분말을 제조하므로, 공정 비용이 저감되고, 제조된 금속분말의 조성이 균일하고, 자유 금속 생성이 방지되는 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing a satellite powder deposited metal powder and a metal layer coated metal powder, and more particularly, by omitting a pre-processing or mixing process, and supplying two or more materials directly to a thermal plasma reactor The present invention relates to a production method in which a metal powder having properties is produced, whereby the process cost is reduced, the composition of the produced metal powder is uniform, and free metal production is prevented.

금속분말의 표면코팅 기술은 금속분말의 표면을 개질함으로써 재료 자체가 가진 단점을 개선할 수 있으며, 새로운 성질을 부여할 수도 있어 금속분말의 적용 분야를 확대할 수 있다는 점에서 각광받고 있다.The surface coating technology of the metal powder has been in the spotlight in that it can improve the disadvantages of the material itself by modifying the surface of the metal powder, and can also give new properties to expand the field of application of the metal powder.

종래 금속분말 코팅기술은 크게 전기도금, 무전해도금, 치환도금 등의 습식 코팅방식과 물리적 기상 증착법(PVD), 화학적 기상 증착법(CVD), 플라즈마 처리 등의 건식 표면코팅방식으로 구분된다.Conventional metal powder coating technology is largely divided into a wet coating method such as electroplating, electroless plating, substitution plating and dry surface coating such as physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma treatment.

열플라즈마는 전자, 양성자, 중성자 등의 활성종으로 이루어진 수천 K~수만 K의 플라즈마로서 원료 물질을 기화, 반응 시킨 후 급냉을 통해 미립자를 얻는 공정으로서 분위기의 조성을 통해 반응의 방향을 결정한다. 또한, 플라즈마의 발생 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스의 주입을 통해 산화, 환원, 질화 분위기 등 다양한 반응 조건을 형성할 수 있는 장점이 있다.Thermal plasma is a process consisting of active species such as electrons, protons, and neutrons, which is a plasma of several thousand K to tens of thousands of K, which vaporizes and reacts raw materials, and then obtains fine particles through quenching. In addition, there are advantages in that various reaction conditions, such as oxidation, reduction, and nitriding atmosphere, may be formed through injection of a plasma generating gas, a reactive gas, and a purge gas.

다만, 종래기술의 열플라즈마 반응기를 이용하는 경우, 코어로 이용되는 물질의 분말인 코어 분말에 대해 입자를 구형화하거나 물성을 변화시켜 별도로 제조한 후, 코어 분말과 코팅되는 물질의 분말인 코팅 분말을 열플라즈마 반응기에 공급하여 코어 분말의 입자에 코팅되는 물질이 코팅되도록 한다.However, in the case of using the thermal plasma reactor according to the prior art, after the particles are spherical to the core powder, which is a powder of the material used as the core, or manufactured separately by changing physical properties, the coating powder, which is a powder of the core powder and the material to be coated, is prepared. It is fed to a thermal plasma reactor so that the material coated on the particles of the core powder is coated.

그런데, 상기와 같이 코어 분말을 제조하는 공정과 코어 분말 입자에 코팅되는 공정이 분리되고, 코어 분말과 코팅 분말을 혼합하는 공정이 필요함으로써, 공정 비용이 증가하고, 조성불균일 또는 자유금속 발생의 문제가 발생한다.However, as described above, a process of manufacturing the core powder and a process of coating the core powder particles are separated, and a process of mixing the core powder and the coating powder is required, thereby increasing the process cost and causing a problem of uneven composition or free metal generation. Occurs.

대한민국 등록특허 제10-1301967호(발명의 명칭: 플라즈마 나노 분말 합성 및 코팅 장치 와 그 방법)에서는, 밀폐된 공간을 형성하며, 일측에 마련된 반응부와 타측에 마련된 공정부를 구비한 챔버를 포함하며, 상기 챔버에서 유동되는 기체의 상류측에 마련된 상기 반응부에서는 공급되는 전류에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치에 의해 형성된 고온의 플라즈마 영역이 구비되고, 혼합가스를 상기 반응부로 공급하는 혼합가스 공급부와, 상기 반응부로 분말을 공급하는 분말 공급부가 구비되며, 상기 챔버에서 유동되는 기체의 하류측에 마련된 상기 공정부에는, 소재를 지지하는 지지부를 구비하며, 상기 챔버 내부를 진공으로 형성시키는 진공형성부;를 포함하는 장치가 개시되어 있다. Republic of Korea Patent No. 10-1301967 (name of the invention: plasma nano-powder synthesis and coating apparatus and method), and forms a closed space, including a chamber having a reaction unit provided on one side and a process unit provided on the other side; In the reaction section provided upstream of the gas flowing in the chamber is provided with a high temperature plasma region formed by a plasma torch for generating a plasma by the supplied current, and a mixed gas supply unit for supplying a mixed gas to the reaction unit; And a powder supply part for supplying powder to the reaction part, wherein the process part provided on the downstream side of the gas flowing in the chamber includes a support part for supporting a material and forms a vacuum in the chamber. An apparatus comprising; is disclosed.

대한민국 등록특허 제10-1301967호Republic of Korea Patent No. 10-1301967

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 둘 이상의 소재를 하나의 열플라즈마 반응기에 공급하여 코팅된 분말을 제조하는 것이다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a powder coated by supplying two or more materials to one thermal plasma reactor.

그리고, 본 발명의 목적은, 복수 개의 원료공급부 각각으로부터 열플라즈마 반응기로 공급되는 각각의 소재의 비율을 제어하여 제조되는 분말의 조성비를 제어하는 것이다. In addition, an object of the present invention is to control the composition ratio of the powder produced by controlling the proportion of each material supplied from each of the plurality of raw material supply units to the thermal plasma reactor.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, i) 제1물질로 형성되는 제1분말과, 제2물질로 형성되는 제2분말을 마련하는 단계; ii) 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계; iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계; iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되며, 상기 제1물질의 구형 입자의 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및 v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함한다. The configuration of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: i) preparing a first powder formed of a first material and a second powder formed of a second material; ii) supplying said first powder and said second powder to a thermal plasma reactor; iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized; iv) In the second region inside the thermal plasma reactor, the first material in the molten state is solidified and spherical to form spherical particles of the first material, and the spherical second material in the volatilized state is precipitated. Forming spherical particles of the second material and depositing spherical particles of the second material on a surface of the spherical particles of the first material to form a deposited metal powder; And v) cooling the deposited metal powder in a third region of the thermal plasma reactor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, i) 제1물질로 형성되는 제1분말과, 제2물질로 형성되는 제2분말을 마련하는 단계; ii) 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계; iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계; iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되는 단계; v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 제1물질의 구형 입자의 입자 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및 vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함한다.The configuration of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: i) preparing a first powder formed of a first material and a second powder formed of a second material; ii) supplying said first powder and said second powder to a thermal plasma reactor; iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized; iv) In the second region inside the thermal plasma reactor, the first material in the molten state is solidified and spherical to form spherical particles of the first material, and the spherical second material in the volatilized state is precipitated. To form spherical particles of the second material; v) depositing spherical particles of the second material on the surface of the particles of the spherical particles of the first material in the third region of the thermal plasma reactor to form a deposited metal powder; And vi) cooling the deposited metal powder in a fourth region of the thermal plasma reactor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, i) 제1물질로 형성되는 제1분말과, 제2물질로 형성되는 제2분말을 마련하는 단계; ii) 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계; iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계; iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되는 단계; v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 상기 제2물질이 상기 제1물질의 구형 입자 표면에 코팅되어 코팅금속분말이 형성되는 단계; 및 vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 코팅금속분말이 냉각되는 단계;를 포함한다. The configuration of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: i) preparing a first powder formed of a first material and a second powder formed of a second material; ii) supplying said first powder and said second powder to a thermal plasma reactor; iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized; iv) forming a spherical particle of the first material in the second region of the thermal plasma reactor by being solidified as the first material in a molten state solidifies; v) forming a coated metal powder by coating the second material on the surface of the spherical particles of the first material while the second material in the volatized state is precipitated in the third region inside the thermal plasma reactor; And vi) cooling the coated metal powder in a fourth region of the thermal plasma reactor.

상기와 같은 구성에 따른 본 발명의 효과는, 사전 가공 공정 또는 혼합하는 공정을 생략하고 둘 이상의 소재를 직접 열플라즈마 반응기에 공급하여 소정의 특성을 구비하는 금속분말을 제조하므로, 공정 비용이 저감되고, 제조된 금속분말의 조성이 균일하고, 자유 금속 생성이 방지된다는 것이다. The effect of the present invention according to the configuration as described above, by eliminating the pre-processing or mixing process, and supplying two or more materials directly to the thermal plasma reactor to produce a metal powder having a predetermined characteristic, the process cost is reduced , The composition of the prepared metal powder is uniform, and free metal production is prevented.

그리고, 본 발명의 효과는, 공급되는 각각의 소재의 비율을 제어할 수 있으므로, 분말의 조성비를 제어하여 제조된 금속분말의 성질을 공정 중 변화시킬 수 있다는 것이다. In addition, the effect of the present invention is that the ratio of each material to be supplied can be controlled, so that the properties of the metal powder produced by controlling the composition ratio of the powder can be changed during the process.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but should be understood to include all the effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열플라즈마 반응기와 원료공급부에 대한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 금속층 코팅된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다.1 is a schematic diagram of a thermal plasma reactor and a raw material supply unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram for the production of satellite powder deposited metal powder according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a schematic diagram for the production of satellite powder deposited metal powder according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a schematic diagram for the production of a metal layer coated metal powder according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시 예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to be "connected (connected, contacted, coupled)" with another part, it is not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. "Includes the case. In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. As used herein, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열플라즈마 반응기(10)와 원료공급부에 대한 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a thermal plasma reactor 10 and a raw material supply unit according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 보는 바와 같이, 본 발명에서는 복수 개의 원료공급부와 열플라즈마 반응기(10)를 포함하는 분말 제조 장치를 이용하여 위성분말 증착된 금속분말 또는 금속층 코팅된 금속분말을 제조할 수 있다. As shown in FIG. 1, in the present invention, a satellite powder deposited metal powder or a metal layer coated metal powder may be manufactured using a powder manufacturing apparatus including a plurality of raw material supply units and a thermal plasma reactor 10.

그리고, 복수 개(n 개)의 원료공급부 중 제1원료공급부(21)에는 제1분말이 충진되고, 제n원료공급부에는 제n 분말이 충진될 수 있다. 여기서, 제1분말은 제1물질로 형성될 수 있고, 제n분말은 제n물질로 형성될 수 있다. The first powder supply part 21 may be filled with a first powder, and the n th raw material supply part may be filled with an nth powder. Here, the first powder may be formed of the first material, and the nth powder may be formed of the nth material.

복수 개의 원료공급부 각각은 제어부와 연결되고, 제어부로부터 각각의 원료공급부로 제어신호가 전달되어, 제1분말, 제2분말, ... , 또는 제n분말 각각에 대한 조성비가 제어될 수 있다. Each of the plurality of raw material supply units is connected to a control unit, and a control signal is transmitted from the control unit to each of the raw material supply units so that the composition ratio for each of the first powder, the second powder, ..., or the nth powder may be controlled.

구체적으로, 제1원료공급부(21)로부터 열플라즈마 반응기(10)로 제1분말이 공급되고, 제2원료공급부(22)로부터 열플라즈마 반응기(10)로 제2분말이 공급되는 경우, 제어부는 제1원료공급부(21)와 제2원료공급부(22)로 제어신호를 전달하여 제1분말과 제2분말의 공급 비율을 제어함으로써, 제조되는 분말 내 제1물질과 제2물질의 조성 비율을 제어할 수 있다. Specifically, when the first powder is supplied from the first raw material supply unit 21 to the thermal plasma reactor 10, and the second powder is supplied from the second raw material supply unit 22 to the thermal plasma reactor 10, the control unit By controlling the supply ratio of the first powder and the second powder by transmitting a control signal to the first raw material supply unit 21 and the second raw material supply unit 22, the composition ratio of the first material and the second material in the powder produced Can be controlled.

그리고, 제조되는 분말 내 제1물질과 제2물질의 조성 비율을 제어함으로써, 제조되는 분말의 성질을 변화시킬 수 있다. And, by controlling the composition ratio of the first material and the second material in the powder to be produced, it is possible to change the properties of the powder to be produced.

상기와 같이 복수 개의 원료공급부로부터 열플라즈마 반응기(10)로 원료가 되는 분말이 공급될 수 있으나, 본 발명의 실시 예에서는 명확하고 간략한 설명을 위해 제1원료공급부(21)로부터 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 제1분말과 제2원료공급부(22)로부터 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 제2분말을 이용하여 설명하기로 한다. The powder which is a raw material may be supplied to the thermal plasma reactor 10 from the plurality of raw material supply units as described above, but in the embodiment of the present invention, the thermal plasma reactor 10 from the first raw material supply unit 21 for clear and brief description. ) Will be described using the first powder supplied to the second powder and the second powder supplied from the second raw material supply unit 22 to the thermal plasma reactor 10.

본 발명의 실시 예에서는 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 분말이 금속 또는 금속의 화합물로 형성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 분말이 합성수지 또는 세라믹으로 형성될 수도 있다.In the embodiment of the present invention is described that the powder supplied to the thermal plasma reactor 10 is formed of a metal or a compound of the metal, but is not necessarily limited thereto, the powder supplied to the thermal plasma reactor 10 is a synthetic resin or ceramic It may be formed as.

도 1의 (a)는 제1원료공급부(21)와 제2원료공급부(22)로부터 제1분말과 제2분말이 인젝터(30)에 공급되어 혼합된 후 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 것을 나타낼 수 있다. 그리고, 도 2의 (b)는 제1원료공급부(21)의 제1분말이 제1인젝터(41)를 통과하여 열플라즈마 반응기(10)로 공급되고, 제2원료공급부(22)의 제2분말이 제2인젝터(42)를 통과하여 열플라즈마 반응기(10)로 공급되는 것을 나타낼 수 있다. 1 (a) shows that the first powder and the second powder are supplied to the injector 30 from the first raw material supply unit 21 and the second raw material supply unit 22 and then mixed and then supplied to the thermal plasma reactor 10. Can be indicated. 2B, the first powder of the first raw material supplier 21 is supplied to the thermal plasma reactor 10 through the first injector 41, and the second powder of the second raw material supplier 22 is supplied. It may represent that the powder is supplied to the thermal plasma reactor 10 through the second injector 42.

도 1에서 보는 바와 같이, 원료공급부 뿐만 아니라 인젝터(30)도 복수 개 설치될 수 있다. As shown in FIG. 1, a plurality of injectors 30 may be installed as well as a raw material supply unit.

열플라즈마 반응기(10)에는 유도가열을 수행하기 위한 유도코일부(11)가 형성되며, 제어부는 플라즈마 토치를 제어하여 열플라즈마 반응기(10) 내부에서 플라즈마가 형성될 수 있다. An induction coil part 11 for performing induction heating is formed in the thermal plasma reactor 10, and the control unit controls the plasma torch to form a plasma in the thermal plasma reactor 10.

여기서, 열플라즈마의 온도는 9,000 내지 11,000K의 고온으로 형성될 수 있다. 그리고, 열플라즈마 반응기(10) 내부에서, 제1분말 또는 제2분말은 열플라즈마 반응기(10) 내부 통과 거리가 증가할수록 상태 변화를 할 수 있다. 또한, 제1분말의 상태 변화 단계 또는 제2분말의 상태 변화 단계에 따라 열플라즈마 반응기(10) 내부를 복수 개의 영역으로 구분할 수 있다. Here, the temperature of the thermal plasma may be formed at a high temperature of 9,000 to 11,000K. In addition, in the thermal plasma reactor 10, the first powder or the second powder may change state as the passage distance of the thermal plasma reactor 10 increases. In addition, the inside of the thermal plasma reactor 10 may be divided into a plurality of regions according to the state change step of the first powder or the state change step of the second powder.

열플라즈마 반응기(10) 내부에서 각각의 분말은, 각각의 분말의 공급량과 각각의 분말 입자의 이동 거리에 따라 각각의 분말의 상태가 변화할 수 있다. Each powder in the thermal plasma reactor 10 may change the state of each powder according to the feeding amount of each powder and the moving distance of each powder particle.

열플라즈마 반응기(10) 내부의 각각의 영역에서, 제1분말이 흡수 또는 방출하는 열량이 상이할 수 있고, 마찬가지로, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 각각의 영역에서, 제2분말이 흡수 또는 방출하는 열량이 상이할 수 있다.In each region inside the thermal plasma reactor 10, the amount of heat absorbed or released by the first powder may be different, and likewise, in each region inside the thermal plasma reactor 10, the second powder is absorbed or released. The amount of calories you make can be different.

제어부는, 열플라즈마 반응기(10) 내부로 투입되는 제1분말의 공급량과 제2분말의 공급량을 제어할 수 있다. 그리고, 제1분말의 종류, 공급량과 이동 거리에 따라 시간에 따른 제1분말의 상태가 다르게 변화할 수 있으며, 마찬가지로, 제2분말의 종류, 공급량과 이동 거리에 따라 시간에 따른 제2분말의 상태가 다르게 변화할 수 있다. The controller may control the supply amount of the first powder and the supply amount of the second powder to be introduced into the thermal plasma reactor 10. In addition, the state of the first powder may vary according to time according to the type of the first powder, the supply amount and the moving distance, and, similarly, the second powder according to the time according to the type, the supply amount and the moving distance of the second powder. The state may change differently.

구체적으로, 하나의 영역에서, 제1분말은 용융되고, 제2분말은 휘발될 수 있다. Specifically, in one region, the first powder may be melted and the second powder may be volatilized.

그리고, 제1분말의 종류, 공급량 또는 이동 거리를 변경하고, 제2분말의 종류, 공급량 또는 이동 거리를 변경시키면, 하나의 영역에서 제1분말은 용융되지 않고 제2분말은 용융될 수 있다. When the kind, the supply amount or the movement distance of the first powder is changed, and the kind, the supply amount or the movement distance of the second powder is changed, the first powder may not be melted in one region and the second powder may be melted.

제어부에는 제1분말과 제2분말의 종류에 따라 각각의 영역에서 제1분말 상태 변화 또는 제2분말의 상태 변화에 데이터가 저장되고, 사용자가 제어부와 연결된 입력부에 제1분말과 제2분말의 종류를 입력하고 결과물에 대한 사항을 입력하면, 제어부에서 그에 적합한 제1분말의 공급량과 제2분말의 공급량을 제어할 수 있다.The controller stores data in the state of the first powder or the state of the second powder in each region according to the type of the first powder and the second powder, and the user stores the first powder and the second powder in the input unit connected to the controller. When the type is input and the details of the result are input, the controller may control the supply amount of the first powder and the supply amount of the second powder suitable for the controller.

그리고, 제어부가 유도코일부(11)의 위치를 제어함으로써, 가열되는 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 제2분말의 이동 거리를 제어할 수 있다. And, by controlling the position of the induction coil portion 11, the controller can control the moving distance of the first powder to be heated or the moving distance of the second powder to be heated.

본 발명의 실시 예에서는 냉각이 수행되는 단계에서, 냉각이 수행되는 영역에 대응하는 열플라즈마 반응기(10)의 일 부위에 냉각가스 공급부가 설치되고, 냉각가스 공급부를 통해 열플라즈마 반응기(10)의 내부로 냉각가스가 공급되어 증착금속분말 또는 코팅금속분말에 대한 냉각을 수행할 수 있다.In the embodiment of the present invention, in the cooling step, a cooling gas supply unit is installed at a portion of the thermal plasma reactor 10 corresponding to a region where cooling is performed, and the cooling gas supply unit of the thermal plasma reactor 10 Cooling gas is supplied to the inside to cool the deposited metal powder or the coated metal powder.

여기서, 산소(O2), 질소(N2) 및 불활성기체(아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 또는 라돈(Rn))로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 기체일 수 있다.Here, the group consisting of oxygen (O 2 ), nitrogen (N 2 ) and inert gas (argon (Ar), helium (He), neon (Ne), krypton (Kr), xenon (Xe) or radon (Rn)) It may be one or more gases selected from.

그리고, 냉각가스로써 수소(H2)가스가 공급되어, 환원 분위기를 유지하면서 증착금속분말 또는 코팅금속분말에 대한 냉각을 수행할 수 있다. 또한, 일부 수소(H2)가스는 수소분자(H2)에서 수소원자(H)로 분해되면서 열을 흡수하고, 이에 따라 증착금속분말 또는 코팅금속분말에 대한 냉각 효율이 상승할 수 있다.In addition, hydrogen (H 2 ) gas may be supplied as the cooling gas, and cooling of the deposited metal powder or the coated metal powder may be performed while maintaining a reducing atmosphere. In addition, some hydrogen (H 2 ) gas absorbs heat as it is decomposed into hydrogen atoms (H) from the hydrogen molecules (H 2 ), thereby increasing the cooling efficiency for the deposited metal powder or coated metal powder.

본 발명의 실시 예에서는, 설명이 편의성을 위해 열플라즈마 반응기(10)에 공급되는 분말을 형성하는 금속, 합금 금속, 탄화 금속으로써, 용융 후 응고되거나 휘발 후 석출되는 소재는 금속으로 통칭하기로 한다.In the embodiment of the present invention, for convenience of description, as a metal, an alloy metal, and a carbide metal forming a powder to be supplied to the thermal plasma reactor 10, a material which solidifies after melting or precipitates after volatilization will be collectively referred to as a metal. .

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing satellite powder deposited metal powder according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명에서, 위성분말은, 증착의 대상인 코어 분말의 입자 보다 작은 크기의 입자를 가지며 입자가 코어 분말 입자의 표면에 증착되는 분말을 의미할 수 있다. 이하, 동일하다. In the present invention, the satellite powder may mean a powder having a smaller size than the particles of the core powder to be deposited and the particles are deposited on the surface of the core powder particles. The same applies to the following.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다.Figure 2 is a schematic diagram for the production of satellite powder deposited metal powder according to an embodiment of the present invention.

도 2에서, 이해의 편의를 위해 증착금속분말 입자(310)가 크게 표현되어 있다.In FIG. 2, the deposited metal powder particles 310 are largely represented for convenience of understanding.

도 2에서 보는 바와 같이, 하기와 같은 단계를 수행하여, 동종의 위성분말로 코팅된 금속분말을 제조할 수 있다. As shown in Figure 2, by performing the following steps, it is possible to produce a metal powder coated with the same type of satellite powder.

첫째 단계에서는, 제1물질로 형성되는 제1분말(110)과, 제2물질로 형성되는 제2분말(210)을 마련할 수 있다. In the first step, the first powder 110 formed of the first material and the second powder 210 formed of the second material may be prepared.

둘째 단계에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)을 열플라즈마 반응기(10)에 공급할 수 있다. In the second step, the first powder 110 and the second powder 210 may be supplied to the thermal plasma reactor 10.

셋째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제1영역(A1)에서, 제1분말(110)이 용융되고, 제2분말(210)이 휘발될 수 있다. In the third step, in the first region A1 inside the thermal plasma reactor 10, the first powder 110 may be melted and the second powder 210 may be volatilized.

넷째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제2영역(B1)에서, 용융된 상태의 제1물질이 응고되면서 구형화되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성되고, 휘발된 상태의 제2물질이 석출되면서 구형화되어 제2물질의 구형 입자(220)가 형성되며, 제1물질의 구형 입자(120)의 표면에 제2물질의 구형 입자(220)가 증착되어 증착금속분말이 형성될 수 있다. In the fourth step, in the second region B1 inside the thermal plasma reactor 10, the molten first material solidifies and becomes spherical to form spherical particles 120 of the first material, and in the volatilized state. As the second material is precipitated, it is spherical to form spherical particles 220 of the second material, and spherical particles 220 of the second material are deposited on the surface of the spherical particles 120 of the first material to deposit the deposited metal powder. Can be formed.

다섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제3영역(C1)에서, 증착금속분말이 냉각될 수 있다. In a fifth step, the deposited metal powder may be cooled in the third region C1 inside the thermal plasma reactor 10.

제1물질과 제2물질은 동일한 금속이며, 제1분말(110)의 입자 체적이 제2분말(210)의 입자 체적보다 클 수 있다. The first material and the second material are the same metal, and the particle volume of the first powder 110 may be larger than the particle volume of the second powder 210.

이에 따라, 제1분말(110)의 입자가 용융된 후 응고되면서 구형화 되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성될 수 있고, 제2분말(210)의 입자는 휘발된 후 제2물질이 석출되어 제2물질의 구형 입자(220)를 형성할 수 있다. Accordingly, the particles of the first powder 110 may be melted and then solidified and spherical to form spherical particles 120 of the first material, and the particles of the second powder 210 may be volatilized to a second material. The precipitate may form spherical particles 220 of the second material.

상기와 같은 제1분말(110)과 제2분말(210)의 차이에 의해, 제1물질의 구형 입자(120)의 직경이 제2물질의 구형 입자(220)의 직경보다 클 수 있다.By the difference between the first powder 110 and the second powder 210 as described above, the diameter of the spherical particles 120 of the first material may be larger than the diameter of the spherical particles 220 of the second material.

그리고, 다섯째 단계에서는, 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220)가 동일한 열에너지를 공급 받더라도, 상기와 같은 직경 차이에 의해, 제2물질의 구형 입자(220)가 제1물질의 구형 입자(120) 보다 활발히 운동하여, 제2물질의 구형 입자(220) 간 또는 제1물질의 구형 입자(120) 간 충돌 보다, 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220) 간 충돌 확률이 현저히 높아, 제2물질의 구형 입자(220)가 제1물질의 구형 입자(120) 표면에 증착되어 결합할 수 있다. In the fifth step, even if the spherical particles 120 of the first material and the spherical particles 220 of the second material are supplied with the same thermal energy, the spherical particles 220 of the second material are formed by the diameter difference as described above. It is more active than the spherical particles 120 of the first material, so that the spherical particles 120 and the second material of the first material than the collision between the spherical particles 220 of the second material or between the spherical particles 120 of the first material. The collision probability between the spherical particles 220 of the material is remarkably high, so that the spherical particles 220 of the second material may be deposited on and bonded to the spherical particles 120 of the first material.

여기서, 제1분말(110)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물 형성될 수 있다. Here, the first powder 110 is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper Form one or more metals or compounds selected from the group consisting of (Cu), gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be.

그리고, 제2분말(210)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성될 수 있다.The second powder 210 may include molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), and copper. At least one metal or compound selected from the group consisting of (Cu), gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be formed.

본 발명의 실시 예에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)이 상기와 같은 금속 또는 화합물로 형성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1분말(110)은 다른 금속, 다른 화합물, 합성수지 또는 세라믹 소재로 형성될 수 있고, 제2분말(210)은 다른 금속, 다른 화합물 또는 합성수지로 형성될 수 있다. In the embodiment of the present invention, it is described that the first powder 110 and the second powder 210 is formed of the metal or the compound as described above, but is not necessarily limited thereto, the first powder 110 is another metal The other powder 210 may be formed of another compound, a synthetic resin, or a ceramic material, and the second powder 210 may be formed of another metal, another compound, or a synthetic resin.

다섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부로 냉각가스를 공급하여 증착금속분말에 대한 냉각을 수행할 수 있다. In a fifth step, cooling of the deposited metal powder may be performed by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor 10.

상세한 사항은 상기에 기재되어 있다. Details are described above.

구체적인 일 실시 예에 대해 설명하기로 한다. A specific embodiment will be described.

먼저, 구리(Cu)로 형성되는 제1분말(110)과 니켈(Ni)로 형성되는 제2분말(210)을 마련하였다.First, a first powder 110 formed of copper (Cu) and a second powder 210 formed of nickel (Ni) were prepared.

도 2에서 보는 바와 같이, 60센티미터(cm) 길이의 열플라즈마 반응기(10) 내부에서, 제1분말(110) 및 제2분말(210)이 투입되는 열플라즈마 반응기(10)의 상단으로부터 20센티미터(cm)의 범위에 압력 90kPa, 전력 10kW로 설정해 열플라즈마를 발생하였다.As shown in FIG. 2, in the thermal plasma reactor 10 having a length of 60 centimeters (cm), 20 centimeters from the top of the thermal plasma reactor 10 into which the first powder 110 and the second powder 210 are introduced. Thermal plasma was generated by setting a pressure of 90 kPa and a power of 10 kW in the range of (cm).

각 설정을 완료한 후, 열플라즈마 반응기(10)에 제1분말(110)을 10ml/s의 속도로 공급하고, 제2분말(210)을 6ml/s의 속도로 공급하였다.After each setting was completed, the first powder 110 was supplied to the thermal plasma reactor 10 at a rate of 10 ml / s, and the second powder 210 was supplied at a rate of 6 ml / s.

상기와 같은 공정을 수행하여, 도 2의 증착금속분말 입자(310)의 이미지와 같은 입자를 획득할 수 있음을 확인하였다. By performing the above process, it was confirmed that particles such as an image of the deposited metal powder particles 310 of FIG. 2 can be obtained.

이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing satellite powder deposited metal powder according to another embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 위성분말 증착된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다. Figure 3 is a schematic diagram for the production of satellite powder deposited metal powder according to another embodiment of the present invention.

도 3에서, 이해의 편의를 위해 증착금속분말 입자(320)가 크게 표현되어 있다.In FIG. 3, the deposited metal powder particles 320 are largely represented for convenience of understanding.

첫째 단계에서는, 제1물질로 형성되는 제1분말(110)과, 제2물질 또는 제2물질의 화합물로 형성되는 제2분말(210)을 마련할 수 있다. In the first step, the first powder 110 formed of the first material and the second powder 210 formed of the second material or the compound of the second material may be prepared.

둘째 단계에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)을 열플라즈마 반응기(10)에 공급할 수 있다. In the second step, the first powder 110 and the second powder 210 may be supplied to the thermal plasma reactor 10.

셋째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제1영역(A2)에서, 제1분말(110)이 용융되고, 제2분말(210)이 휘발될 수 있다. In the third step, in the first region A2 inside the thermal plasma reactor 10, the first powder 110 may be melted and the second powder 210 may be volatilized.

넷째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제2영역(B2)에서, 용융된 상태의 제1물질이 응고되면서 구형화되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성되고, 휘발된 상태의 제2물질이 석출되면서 구형화되어 제2물질의 구형 입자(220)가 형성될 수 있다. In the fourth step, in the second region B2 inside the thermal plasma reactor 10, the molten first material is solidified and spherical to form spherical particles 120 of the first material, and in the volatilized state. As the second material is precipitated, it may be spherical to form spherical particles 220 of the second material.

다섯째 단계에서는, 제3영역(C2)에서, 제1물질의 구형 입자(120)의 입자 표면에 제2물질의 구형 입자(220)가 증착되어 증착금속분말이 형성될 수 있다. In a fifth step, in the third region C2, the spherical particles 220 of the second material may be deposited on the surface of the particles of the spherical particles 120 of the first material to form the deposited metal powder.

여섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제4영역(D2)에서, 증착금속분말이 냉각될 수 있다. In the sixth step, the deposited metal powder may be cooled in the fourth region D2 inside the thermal plasma reactor 10.

제1물질과 제2물질은 다른 금속이며, 제1분말(110)의 입자 체적이 제2분말(210)의 입자 체적보다 클 수 있다. The first material and the second material are different metals, and the particle volume of the first powder 110 may be larger than the particle volume of the second powder 210.

이에 따라, 제2영역(B2)에서 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220)가 형성되더라도, 제1물질과 제2물질이 상이하여, 각각의 구형 입자가 생성되는데 시간 차가 발생할 수 있다. 그러므로, 제2영역(B2)에서 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220)가 형성된 후, 제3영역(C2)에서 증착이 수행될 수 있다. Accordingly, even when the spherical particles 120 of the first material and the spherical particles 220 of the second material are formed in the second region B2, the first material and the second material are different, and each spherical particle is generated. There may be a time difference. Therefore, after the spherical particles 120 of the first material and the spherical particles 220 of the second material are formed in the second region B2, deposition may be performed in the third region C2.

그리고, 제1분말(110)의 입자가 용융된 후 응고되면서 구형화 되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성될 수 있고, 제2분말(210)의 입자는 휘발된 후 제2물질이 석출되어 제2물질의 구형 입자(220)를 형성할 수 있다. Then, the particles of the first powder 110 is melted and solidified while being spherical to form spherical particles 120 of the first material, and the particles of the second powder 210 are volatilized and then the second material is volatilized. It may be precipitated to form spherical particles 220 of the second material.

상기와 같은 제1분말(110)과 제2분말(210)의 차이에 의해, 제1물질의 구형 입자(120)의 직경이 제2물질의 구형 입자(220)의 직경보다 클 수 있다.By the difference between the first powder 110 and the second powder 210 as described above, the diameter of the spherical particles 120 of the first material may be larger than the diameter of the spherical particles 220 of the second material.

또한, 다섯째 단계에서는, 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220)가 동일한 열에너지를 공급 받더라도, 상기와 같은 직경 차이에 의해, 제2물질의 구형 입자(220)가 제1물질의 구형 입자(120) 보다 활발히 운동하여, 제2물질의 구형 입자(220) 간 또는 제1물질의 구형 입자(120) 간 충돌 보다, 제1물질의 구형 입자(120)와 제2물질의 구형 입자(220) 간 충돌 확률이 현저히 높아, 제2물질의 구형 입자(220)가 제1물질의 구형 입자(120) 표면에 증착되어 결합할 수 있다.In addition, in the fifth step, even if the spherical particles 120 of the first material and the spherical particles 220 of the second material are supplied with the same thermal energy, the spherical particles 220 of the second material may be formed by the diameter difference as described above. It is more active than the spherical particles 120 of the first material, so that the spherical particles 120 and the second material of the first material than the collision between the spherical particles 220 of the second material or between the spherical particles 120 of the first material. The collision probability between the spherical particles 220 of the material is remarkably high, so that the spherical particles 220 of the second material may be deposited on and bonded to the spherical particles 120 of the first material.

제1분말(110)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성될 수 있다. The first powder 110 is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu ), Gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be.

제2분말(210)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성될 수 있다. The second powder 210 is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu ), Gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be.

본 발명의 실시 예에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)이 상기와 같은 금속 또는 화합물로 형성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1분말(110)은 다른 금속, 다른 화합물, 합성수지 또는 세라믹 소재로 형성될 수 있고, 제2분말(210)은 다른 금속, 다른 화합물 또는 합성수지로 형성될 수 있다.In the embodiment of the present invention, it is described that the first powder 110 and the second powder 210 is formed of the metal or the compound as described above, but is not necessarily limited thereto, the first powder 110 is another metal The other powder 210 may be formed of another compound, a synthetic resin, or a ceramic material, and the second powder 210 may be formed of another metal, another compound, or a synthetic resin.

여섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부로 냉각가스를 공급하여 증착금속분말에 대한 냉각을 수행할 수 있다. In the sixth step, cooling of the deposited metal powder may be performed by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor 10.

상세한 사항은 상기에 기재되어 있다.Details are described above.

구체적인 일 실시 예에 대해 설명하기로 한다. A specific embodiment will be described.

먼저, 탄화텅스텐(WC)으로 형성되는 제1분말(110)과 코발트(Co)로 형성되는 제2분말(210)을 마련하였다. First, a first powder 110 formed of tungsten carbide (WC) and a second powder 210 formed of cobalt (Co) were prepared.

도 3에서 보는 바와 같이, 60센티미터(cm) 길이의 열플라즈마 반응기(10) 내부에서, 제1분말(110) 및 제2분말(210)이 투입되는 열플라즈마 반응기(10)의 상단으로부터 20센티미터(cm)의 범위에 압력 90kPa, 전력 10kW로 설정해 열플라즈마를 발생하였다.As shown in FIG. 3, in the thermal plasma reactor 10 having a length of 60 centimeters (cm), 20 centimeters from the top of the thermal plasma reactor 10 into which the first powder 110 and the second powder 210 are introduced. Thermal plasma was generated by setting a pressure of 90 kPa and a power of 10 kW in the range of (cm).

각 설정을 완료한 후, 열플라즈마 반응기(10)에 제1분말(110)을 10ml/s의 속도로 공급하고, 제2분말(210)을 6ml/s의 속도로 공급하였다.After each setting was completed, the first powder 110 was supplied to the thermal plasma reactor 10 at a rate of 10 ml / s, and the second powder 210 was supplied at a rate of 6 ml / s.

상기와 같은 공정을 수행하여, 도 3의 증착금속분말 입자(320)의 이미지와 같은 입자를 획득할 수 있음을 확인하였다. By performing the above process, it was confirmed that particles such as an image of the deposited metal powder particles 320 of FIG. 3 may be obtained.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a metal layer coated metal powder according to an embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 금속층 코팅된 금속분말의 제조에 대한 모식도이다.Figure 4 is a schematic diagram for the production of a metal layer coated metal powder according to an embodiment of the present invention.

첫째 단계에서는, 제1물질로 형성되는 제1분말(110)과, 제2물질로 형성되는 제2분말(210)을 마련할 수 있다. In the first step, the first powder 110 formed of the first material and the second powder 210 formed of the second material may be prepared.

둘째 단계에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)을 열플라즈마 반응기(10)에 공급할 수 있다. In the second step, the first powder 110 and the second powder 210 may be supplied to the thermal plasma reactor 10.

셋째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제1영역(A3)에서, 제1분말(110)이 용융되고, 제2분말(210)이 휘발될 수 있다. In the third step, in the first region A3 inside the thermal plasma reactor 10, the first powder 110 may be melted and the second powder 210 may be volatilized.

넷째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제2영역(B2)에서, 용융된 상태의 제1물질이 응고되면서 구형화되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성될 수 있다. In the fourth step, in the second region B2 inside the thermal plasma reactor 10, the first material in the molten state is solidified and spheronized to form spherical particles 120 of the first material.

다섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제3영역(C3)에서, 휘발된 상태의 제2물질이 석출되면서 제2물질이 제1물질의 구형 입자(120) 표면에 코팅되어 코팅금속분말이 형성될 수 있다. In the fifth step, in the third region C3 inside the thermal plasma reactor 10, the second material in the volatilized state is deposited and the second material is coated on the surface of the spherical particles 120 of the first material, thereby coating the metal powder. This can be formed.

여섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부의 제4영역(D3)에서, 코팅금속분말이 냉각될 수 있다. In the sixth step, the coated metal powder may be cooled in the fourth region D3 inside the thermal plasma reactor 10.

제1물질과 제2물질은 다른 금속이며, 제1분말(110)의 입자 체적이 제2분말(210)의 입자 체적보다 클 수 있다. The first material and the second material are different metals, and the particle volume of the first powder 110 may be larger than the particle volume of the second powder 210.

이에 따라, 제1분말(110)의 입자가 용융된 후 응고되면서 구형화 되어 제1물질의 구형 입자(120)가 형성될 수 있고, 제2분말(210)의 입자가 휘발된 후 제2물질이 석출되면서 제1물질의 구형 입자(120) 표면에 코팅되어 제2물질의 코팅층(230)을 형성함으로써 코팅금속분말이 형성될 수 있다. Accordingly, the particles of the first powder 110 may be melted and then solidified and spherical to form spherical particles 120 of the first material. After the particles of the second powder 210 are volatilized, the second material may be volatilized. The precipitated metal powder may be formed by coating the surface of the spherical particles 120 of the first material to form a coating layer 230 of the second material.

그리고, 다섯째 단계에서는, 제2물질의 구형 입자가 생성되지 못하도록 제2분말(210)의 공급 속도를 조절하여, 제2물질이 제1물질의 구형 입자(120) 표면에서 석출되게 함으로써 수행될 수 있다. In the fifth step, the second material 210 may be adjusted to prevent the spherical particles of the second material from being produced, thereby allowing the second material to precipitate on the surface of the spherical particles 120 of the first material. have.

제1분말(110)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성될 수 있다. The first powder 110 is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu ), Gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be.

제2분말(210)은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성될 수 있다. The second powder 210 is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu ), Gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Can be.

본 발명의 실시 예에서는, 제1분말(110)과 제2분말(210)이 상기와 같은 금속 또는 화합물로 형성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1분말(110)은 다른 금속, 다른 화합물, 합성수지 또는 세라믹 소재로 형성될 수 있고, 제2분말(210)은 다른 금속, 다른 화합물 또는 합성수지로 형성될 수 있다.In the embodiment of the present invention, it is described that the first powder 110 and the second powder 210 is formed of the metal or the compound as described above, but is not necessarily limited thereto, the first powder 110 is another metal The other powder 210 may be formed of another compound, a synthetic resin, or a ceramic material, and the second powder 210 may be formed of another metal, another compound, or a synthetic resin.

여섯째 단계에서는, 열플라즈마 반응기(10) 내부로 냉각가스를 공급하여 코팅금속분말에 대한 냉각을 수행할 수 있다. In a sixth step, cooling of the coated metal powder may be performed by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor 10.

상세한 사항은 상기에 기재되어 있다.Details are described above.

구체적인 일 실시 예에 대해 설명하기로 한다. A specific embodiment will be described.

먼저, 탄화텅스텐(WC)으로 형성되는 제1분말(110)과 코발트(Co)로 형성되는 제2분말(210)을 마련하였다. First, a first powder 110 formed of tungsten carbide (WC) and a second powder 210 formed of cobalt (Co) were prepared.

도 4에서 보는 바와 같이, 60센티미터(cm) 길이의 열플라즈마 반응기(10) 내부에서, 제1분말(110) 및 제2분말(210)이 투입되는 열플라즈마 반응기(10)의 상단으로부터 20센티미터(cm)의 범위에 압력 90kPa, 전력 10kW로 설정해 열플라즈마를 발생하였다.As shown in FIG. 4, in the thermal plasma reactor 10 having a length of 60 centimeters (cm), 20 centimeters from the top of the thermal plasma reactor 10 into which the first powder 110 and the second powder 210 are introduced. Thermal plasma was generated by setting a pressure of 90 kPa and a power of 10 kW in the range of (cm).

각 설정을 완료한 후, 열플라즈마 반응기(10)에 제1분말(110)을 10ml/s의 속도로 공급하고, 제2분말(210)을 1ml/s의 속도로 공급하였다.After each setting was completed, the first powder 110 was supplied to the thermal plasma reactor 10 at a rate of 10 ml / s, and the second powder 210 was supplied at a rate of 1 ml / s.

상기와 같은 공정을 수행하여, 도 4의 코팅금속분말 입자(410)의 이미지와 같은 입자를 획득할 수 있음을 확인하였다. By performing the above process, it was confirmed that particles such as an image of the coated metal powder particle 410 of FIG. 4 can be obtained.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다. The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. The scope of the present invention is represented by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present invention.

10 : 열플라즈마 반응기
11 : 유도코일부
21 : 제1원료공급부
22 : 제2원료공급부
30 : 인젝터
41 : 제1인젝터
42 : 제2인젝터
110 : 제1분말
120 : 제1물질의 구형 입자
210 : 제2분말
220 : 제2물질의 구형 입자
230 : 제2물질의 코팅층
310, 320 : 증착금속분말 입자
410 : 코팅금속분말 입자 10: thermal plasma reactor
11: guide coil part
21: First Raw Material Supply Department
22: second raw material supplier
30: injector
41: first injector
42: second injector
110: first powder
120: spherical particles of the first material
210: second powder
220: spherical particles of the second material
230: coating layer of the second material
310, 320: deposited metal powder particles
410: coated metal powder particles

Claims (15)

i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;
ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;
iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;
iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되며, 상기 제1물질의 구형 입자의 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및
v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,
상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제3영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고,
상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
i) preparing a first powder formed of a first material and filled with a first raw material supply part and a second powder formed with a second material and filled with a second raw material supply part;
ii) the supply ratio of the first powder and the second powder is controlled by a control unit connected to the first raw material supplier and the second raw material supplier to transmit a control signal to the first raw material supplier and the second raw material supplier; Supplying the first powder and the second powder to a thermal plasma reactor;
iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized;
iv) In the second region inside the thermal plasma reactor, the first material in the molten state is solidified and spherical to form spherical particles of the first material, and the spherical second material in the volatilized state is precipitated. Forming spherical particles of the second material and depositing spherical particles of the second material on a surface of the spherical particles of the first material to form a deposited metal powder; And
and v) cooling the deposited metal powder in a third region within the thermal plasma reactor.
The controller may store data about a state change of the first powder or a state change of the second powder in each of the first to third regions according to the type of the first powder and the second powder. ,
The control unit controls the position of the induction coil unit provided in the thermal plasma reactor, the moving distance of the first powder to be heated or the moving distance of the second powder to be heated is controlled. Method for preparing the powder.
청구항 1에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 동일한 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 1,
And wherein the first material and the second material are the same metal, and the particle volume of the first powder is larger than the particle volume of the second powder.
청구항 2에 있어서,
상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 2,
The first powder is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), It is formed of one or more metals or compounds selected from the group consisting of gold (Au) and silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Method for producing a metal powder deposited by satellite powder.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 v) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 증착금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 1,
In step v), the cooling method for the deposited metal powder by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor, characterized in that the satellite powder manufacturing method of the deposited metal powder.
i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;
ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;
iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;
iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되는 단계;
v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 제1물질의 구형 입자의 입자 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및
vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,
상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제4영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고,
상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
i) preparing a first powder formed of a first material and filled with a first raw material supply part and a second powder formed with a second material and filled with a second raw material supply part;
ii) the supply ratio of the first powder and the second powder is controlled by a control unit connected to the first raw material supplier and the second raw material supplier to transmit a control signal to the first raw material supplier and the second raw material supplier; Supplying the first powder and the second powder to a thermal plasma reactor;
iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized;
iv) In the second region inside the thermal plasma reactor, the first material in the molten state is solidified and spherical to form spherical particles of the first material, and the spherical second material in the volatilized state is precipitated. To form spherical particles of the second material;
v) depositing spherical particles of the second material on the surface of the particles of the spherical particles of the first material in the third region of the thermal plasma reactor to form a deposited metal powder; And
vi) cooling the deposited metal powder in a fourth region of the thermal plasma reactor;
The control unit may store data about a state change of the first powder or a state change of the second powder in each of the first to fourth regions according to types of the first powder and the second powder. ,
The control unit controls the position of the induction coil unit provided in the thermal plasma reactor, the moving distance of the first powder to be heated or the moving distance of the second powder to be heated is controlled. Method for preparing the powder.
청구항 6에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 다른 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 6,
And the first material and the second material are different metals, and the particle volume of the first powder is larger than the particle volume of the second powder.
청구항 7에 있어서,
상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 7,
The first powder is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), It is formed of one or more metals or compounds selected from the group consisting of gold (Au) and silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Method for producing a metal powder deposited by satellite powder.
청구항 7에 있어서,
상기 제2분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 7,
The second powder is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), It is formed of one or more metals or compounds selected from the group consisting of gold (Au) and silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Method for producing a metal powder deposited by satellite powder.
청구항 6에 있어서,
상기 vi) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 증착금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 6,
In the vi) step, the method for producing a satellite powder deposited metal powder, characterized in that for cooling the deposited metal powder by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor.
i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;
ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;
iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;
iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되는 단계;
v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 상기 제2물질이 상기 제1물질의 구형 입자 표면에 코팅되어 코팅금속분말이 형성되는 단계; 및
vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 코팅금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,
상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제4영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고,
상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법.
i) preparing a first powder formed of a first material and filled with a first raw material supply part and a second powder formed with a second material and filled with a second raw material supply part;
ii) the supply ratio of the first powder and the second powder is controlled by a control unit connected to the first raw material supplier and the second raw material supplier to transmit a control signal to the first raw material supplier and the second raw material supplier; Supplying the first powder and the second powder to a thermal plasma reactor;
iii) in the first region inside the thermal plasma reactor, the first powder is melted and the second powder is volatilized;
iv) forming a spherical particle of the first material in the second region of the thermal plasma reactor by being solidified as the first material in a molten state solidifies;
v) forming a coated metal powder by coating the second material on the surface of the spherical particles of the first material while the second material in the volatized state is precipitated in the third region inside the thermal plasma reactor; And
vi) cooling the coated metal powder in a fourth region of the thermal plasma reactor;
The control unit may store data about a state change of the first powder or a state change of the second powder in each of the first to fourth regions according to types of the first powder and the second powder. ,
The control unit controls the position of the induction coil unit provided in the thermal plasma reactor, the moving distance of the first powder to be heated or the moving distance of the second powder to be heated is controlled. Manufacturing method.
청구항 11에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 다른 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 11,
Wherein the first material and the second material are different metals, and the particle volume of the first powder is larger than the particle volume of the second powder.
청구항 12에 있어서,
상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 12,
The first powder is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), It is formed of one or more metals or compounds selected from the group consisting of gold (Au) and silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Method for producing a metal layer coated metal powder.
청구항 12에 있어서,
상기 제2분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법.
The method according to claim 12,
The second powder is molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), rhenium (Re), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), It is formed of one or more metals or compounds selected from the group consisting of gold (Au) and silver (Ag), iron (Fe), aluminum (Al), zinc (Zn), chromium (Cr) and magnesium (Mg) Method for producing a metal layer coated metal powder.
청구항 11에 있어서,
상기 vi) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 코팅금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법. The method according to claim 11,
In the vi), the method for producing a metal layer coated metal powder, characterized in that for cooling the coating metal powder by supplying a cooling gas into the thermal plasma reactor.
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