KR102015037B1 - Stacked organic light emitting device - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 전하발생층을 포함하는 적층형 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a stacked organic light emitting device including a charge generating layer.
Description
본 명세서는 적층 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a laminated organic light emitting device.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다.The organic light emitting phenomenon is an example of converting an electric current into visible light by an internal process of a specific organic molecule. The principle of the organic light emitting phenomenon is as follows.
양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 음극과 양극 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.When the organic material layer is placed between the anode and the cathode, when a voltage is applied between the two electrodes, electrons and holes are injected into the organic material layer from the cathode and the anode, respectively. Electrons and holes injected into the organic material layer recombine to form excitons, and the excitons fall back to the ground to shine. An organic light emitting device using this principle may generally be composed of an organic material layer including a cathode and an anode, and an organic material layer disposed therebetween, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.
유기발광소자는 발광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용한 자체 발광형 소자를 의미하며, 디스플레이, 조명 등 다양한 산업분야에서 차세대 소재로 관심을 받고 있다.An organic light emitting device refers to a self-luminous device using an electroluminescence phenomenon that emits light when a current flows through a light emitting organic compound, and has attracted attention as a next generation material in various industrial fields such as display and lighting.
2개 이상의 발광 유닛을 적층하여 제작하는 적층 유기발광소자의 경우, 각 발광 유닛의 층(layer) 수가 서로 상이하여 공정이 복잡해지는 문제, 각 발광 유닛 의 구성 물질이 서로 상이하여 재료 원가가 상승되는 문제 및 층(layer) 수가 증가하여 구동전압이 상승하여 효율이 저하되는 문제가 있다.In the case of a stacked organic light emitting device in which two or more light emitting units are stacked, a process is complicated because the number of layers of each light emitting unit is different from each other, and the material cost of the light emitting unit is increased because the materials of the light emitting units are different. There is a problem and a problem that the efficiency is lowered by increasing the driving voltage due to the increase in the number of layers (layer).
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.Most of the materials used in the organic light emitting device are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals are complexed, and depending on the purpose, hole injection materials, hole transport materials, light emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, etc. It can be divided into. Here, as the hole injection material or the hole transport material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material which is easily oxidized and has an electrochemically stable state during oxidation, is mainly used. On the other hand, as an electron injection material or an electron transport material, organic materials having n-type properties, that is, organic materials that are easily reduced and have an electrochemically stable state at the time of reduction are mainly used. As the light emitting layer material, a material having a p-type property and an n-type property at the same time, that is, a material having a stable form in both oxidation and reduction states, and a material having high luminous efficiency that converts it to light when excitons are formed desirable.
당 기술분야에서는 높은 효율의 유기 발광 소자의 개발이 요구되고 있다.There is a need in the art for the development of high efficiency organic light emitting devices.
본 명세서는 적층 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a laminated organic light emitting device.
본 명세서는 캐소드; 상기 캐소드와 대향하여 구비되는 애노드; 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 구비되는 2 이상의 발광 유닛; 및 상기 2 이상의 발광 유닛 중 서로 인접하는 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 구비되는 전하발생층을 포함하고, 상기 전하발생층은 p형 유기물층, n형 유기물층 및 중간층을 포함하며, 상기 중간층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification is a cathode; An anode provided opposite the cathode; Two or more light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generating layer provided between at least two light emitting units adjacent to each other among the two or more light emitting units, wherein the charge generating layer includes a p-type organic compound layer, an n-type organic compound layer, and an intermediate layer. It provides an organic light emitting device comprising a compound represented by.
[화학식 1][Formula 1]
화학식 1에 있어서, In Chemical Formula 1,
X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되고, At least one of X, Y and Z is represented by the following formula (2),
X, Y 및 Z 중 화학식 2가 아닌 기는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로고리기이며, Among X, Y and Z, a group other than
[화학식 2][Formula 2]
화학식 2에 있어서, In Chemical Formula 2,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
A는 직접결합; 또는 C=O이며, A is a direct bond; Or C = O,
a는 1 내지 7의 정수이고, a is an integer from 1 to 7,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이하며,when a is 2 or more, two or more R1 are the same as or different from each other,
R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서는 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. In addition, the present disclosure provides a display device including the organic light emitting device.
또한, 본 명세서는 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.In addition, the present specification provides a lighting device including the organic light emitting device.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 구동 전압의 상승을 최소화할 수 있다. The organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification can minimize the increase in the driving voltage.
또한, 본 명세서의 유기 발광 소자는 중간층을 도입하여, n형 도펀트의 농도를 감소시켜, 공정 효율을 높일 수 있어, 재료 단가의 절감이 가능하다. In addition, the organic light emitting device of the present specification introduces an intermediate layer to reduce the concentration of the n-type dopant, thereby increasing the process efficiency, thereby reducing the material cost.
또한, 본 명세서의 텐덤 유기발광소자는 각 발광 유닛이 단순한 구성이어도 작동이 가능하므로, 제조단가의 절감 및 각 계면간의 에너지 장벽으로 인한 구동전압 상승을 낮출 수 있다. In addition, the tandem organic light emitting device of the present specification can operate even if each light emitting unit has a simple configuration, thereby reducing the manufacturing cost and increasing the driving voltage due to the energy barrier between each interface.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 적층 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 적층 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 전하 발생층의 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 중간층의 두께에 따른 유기 발광 소자의 전압-전류 그래프를 나타낸 도이다.
도 5는 본 명세서의 실시예 및 비교예에 따른 전압-전류 그래프를 나타낸 도이다. 1 illustrates an example of a stacked organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 illustrates an example of a stacked organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 shows an example of a charge generating layer of the present specification.
4 is a diagram illustrating a voltage-current graph of an organic light emitting diode according to the thickness of an intermediate layer of the present specification.
5 is a diagram illustrating a voltage-current graph according to Examples and Comparative Examples of the present specification.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in detail.
본 명세서에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is located "on" another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.
본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.
본 명세서는 캐소드; 상기 캐소드와 대향하여 구비되는 애노드; 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 구비되는 2 이상의 발광 유닛; 및 상기 2 이상의 발광 유닛 중 서로 인접하는 2개의 발광 유닛 사이에 구비되는 전하발생층을 포함하고, 상기 전하발생층은 p형 유기물층, n형 유기물층 및 중간층을 포함하며, 상기 중간층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification is a cathode; An anode provided opposite the cathode; Two or more light emitting units provided between the cathode and the anode; And a charge generating layer provided between two light emitting units adjacent to each other among the two or more light emitting units, wherein the charge generating layer includes a p-type organic compound layer, an n-type organic compound layer, and an intermediate layer, wherein the intermediate layer is represented by Formula 1 above. It provides an organic light emitting device comprising the compound represented.
본 명세서에서, n형이란 n형 반도체 특성을 의미한다. 다시 말하면, n형이란 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 통하여 전자를 주입받거나 수송하는 특성이며, 이는 전자의 이동도가 정공의 이동도 보다 큰 물질의 특성으로서 정의할 수 있다. 반대로, p형이란 p형 반도체 특성을 의미한다. 다시 말하면, p형은 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위를 통하여 정공을 주입받거나 수송하는 특성이며, 이는 정공의 이동도가 전자의 이동도보다 큰 물질의 특성으로서 정의될 수 있다. 본 명세서에 있어서, n형 특성을 갖는 화합물 또는 유기물층은 n형 화합물 또는 n형 유기물층으로 언급될 수 있다. 또한, p형 특성을 갖는 화합물 또는 유기물층은 p형 화합물 또는 p형 유기물층으로 언급될 수 있다. 또한, n형 도핑은 n형 특성을 갖도록 도핑되었다는 것을 의미한다. In this specification, n-type means n-type semiconductor characteristics. In other words, n-type is a property that electrons are injected or transported through a lower unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level, which can be defined as a property of a material in which electron mobility is greater than hole mobility. In contrast, p-type means p-type semiconductor characteristics. In other words, p-type is a property of injecting or transporting holes through a high occupied molecular orbital (HOMO) energy level, which may be defined as a property of a material in which the hole mobility is greater than the electron mobility. In the present specification, the compound or organic compound layer having n-type characteristics may be referred to as an n-type compound or n-type organic compound layer. In addition, the compound or organic compound layer having a p-type characteristic may be referred to as a p-type compound or p-type organic compound layer. Also, n-type doping means that it is doped to have n-type characteristics.
본 명세서에 있어서, 인접이란, 인접하는 것으로 언급된 층들 중 가장 가까운 층들의 배치관계를 의미한다. 예컨대, 인접하는 2개의 발광 유닛들이란, 다수의 발광 유닛들 중에 가장 가깝게 배치된 2개의 발광 유닛의 배치관계를 의미한다. 상기 인접이란, 경우에 따라 2층이 물리적으로 접하는 경우를 의미할 수도 있고, 2층 사이에 언급되지 않은 다른 층이 배치될 수도 있다. 예컨대, 캐소드와 인접하는 발광 유닛은 발광 유닛들 중 캐소드에 가장 가깝게 배치된 발광 유닛을 의미한다. 또한, 상기 캐소드와 발광 유닛은 물리적으로 접할 수도 있지만, 상기 캐소드와 상기 발광 유닛 사이에 발광 유닛 이외의 다른 층이 배치될 수 있다.In the present specification, the term “adjacent” means an arrangement relationship of the nearest layers among the layers mentioned as adjacent. For example, two adjacent light emitting units mean an arrangement relationship of two light emitting units disposed closest to each other among a plurality of light emitting units. The adjacency may mean a case where two layers are in physical contact with each other in some cases, and another layer not mentioned between the two layers may be disposed. For example, the light emitting unit adjacent to the cathode means a light emitting unit disposed closest to the cathode among the light emitting units. In addition, although the cathode and the light emitting unit may be physically in contact with each other, a layer other than the light emitting unit may be disposed between the cathode and the light emitting unit.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 적어도 인접하는 2개의 발광 유닛 사이에는 적어도 1개의 전하발생층이 구비된다. In the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification, at least one charge generating layer is provided between at least two adjacent light emitting units.
본 명세서에서, 발광 유닛이란 발광을 할 수 있는 기능을 갖는 유닛이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 발광 유닛은 한 층 이상의 발광층을 포함할 수 있고, 발광 유닛 내의 발광층은 캐소드로부터 수송되는 전자와 애노드로부터 수송되는 정공이 만나 함께 엑시톤을 형성하는 지점으로서 발광 영역에 해당한다. 필요에 따라, 발광 유닛은 발광층 이외의 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다. In the present specification, the light emitting unit is not particularly limited as long as it is a unit having a function capable of emitting light. For example, the light emitting unit may include one or more light emitting layers, and the light emitting layer in the light emitting unit corresponds to a light emitting region as a point where electrons transported from the cathode and holes transported from the anode meet together to form excitons. If necessary, the light emitting unit may include one or more organic material layers other than the light emitting layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 발광 유닛은 발광층 이외에 하나 이상의 유기물층을 추가로 포함할 수 있다. 추가의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공을 수송 및 주입하는 층, 버퍼층, 전자차단층, 전자수송층, 전자주입층, 전자를 수송 및 주입하는층, 정공차단층 등일 수 있다. 여기서, 정공수송층, 정공주입층, 정공을 수송 및 주입하는 층 또는 전자차단층은 발광층 보다 애노드에 더 가깝게 배치될 수 있다. 전자수송층, 전자주입층, 전자를 수송 및 주입하는 층 또는 정공차단층은 발광층보다 캐소드에 더 가깝게 배치될 수 있다. 정공차단층의 사용 여부는 발광층의 성질에 따라서 결정될 수 있다. 예컨대, 발광층의 성질이 n형에 가까운 경우에는 정공차단층을 사용하지 않아도 좋지만, 발광층의 성질이 p형인 경우에는 정공차단층의 사용을 고려할 수 있다. 또한, 발광층의 HOMO 에너지 준위와 전자수송층의 HOMO 에너지 준위와도 관계를 고려하여 정공차단층의 사용 여부를 결정할 수도 있다. 발광층의 HOMO 에너지 준위가 전자수송층의 HOMO 에너지 준위보다 큰 값을 갖는 경우에는 정공차단층의 도입을 고려할 수 있다. 다만, 이 경우 전자수송층의 HOMO 준위가 발광층의 HOMO 준위보다 큰 경우 전자수송층 자체가 정공차단층의 역할을 할 수도 있다. 하나의 예로서, 전자수송층의 물질을 2가지 이상 사용함으로써 전자수송층의 역할과 정공차단층의 역할을 동시에 할 수도 있다. In one embodiment of the present specification, the light emitting unit may further include one or more organic material layers in addition to the light emitting layer. The additional organic layer may be a hole transport layer, a hole injection layer, a layer for transporting and injecting holes, a buffer layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, an electron injection layer, a layer for transporting and injecting electrons, a hole blocking layer, and the like. Here, the hole transport layer, the hole injection layer, the layer for transporting and injecting holes or the electron blocking layer may be disposed closer to the anode than the light emitting layer. The electron transport layer, the electron injection layer, the layer for transporting and injecting electrons or the hole blocking layer may be disposed closer to the cathode than the light emitting layer. Whether to use the hole blocking layer may be determined depending on the nature of the light emitting layer. For example, when the property of the light emitting layer is close to n type, the hole blocking layer may not be used. However, when the property of the light emitting layer is p type, the use of the hole blocking layer may be considered. In addition, in consideration of the relationship between the HOMO energy level of the light emitting layer and the HOMO energy level of the electron transport layer, it may be determined whether to use the hole blocking layer. When the HOMO energy level of the light emitting layer has a larger value than the HOMO energy level of the electron transport layer, introduction of a hole blocking layer may be considered. However, in this case, when the HOMO level of the electron transport layer is greater than the HOMO level of the light emitting layer, the electron transport layer itself may serve as a hole blocking layer. As one example, by using two or more materials of the electron transport layer may play a role of the electron transport layer and the hole blocking layer at the same time.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광 유닛은 발광층; 및 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the light emitting unit includes a light emitting layer; And a hole injection layer, a hole transport layer. It further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 발광 유닛은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 중간층에 접하여 구비된다. In one embodiment, the light emitting unit includes a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer, the electron transport layer is provided in contact with the intermediate layer.
구체적으로 본 명세서에서 상기 정공수송층은 애노드와 가깝게 구비되고, 상기 전자수송층은 캐소드에 가깝게 구비되며, 발광층은 정공수송층과 전자수송층 사이에 구비된다. Specifically, in the present specification, the hole transport layer is provided close to the anode, the electron transport layer is provided close to the cathode, and the light emitting layer is provided between the hole transport layer and the electron transport layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광 유닛에 포함된 전자수송층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 상기 중간층에 접하여 구비되는 전자수송층은 n형 도펀트로 도핑된다. In one embodiment of the present specification, the electron transport layer included in the light emitting unit includes two or more electron transport layers, and the electron transport layer provided in contact with the intermediate layer among the two or more electron transport layers is doped with an n-type dopant.
상기 n형 도펀트로 도핑된 전자수송층을 포함하는 경우에는 전하 발생층의 구동 특성이 향상될 수 있다. When the electron transport layer doped with the n-type dopant is included, driving characteristics of the charge generation layer may be improved.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 발광 유닛에 포함된 전자수송층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층의 재료는 서로 동일하거나 상이하다. In another exemplary embodiment, the electron transport layer included in the light emitting unit includes two or more electron transport layers, and the materials of the two or more electron transport layers are the same or different from each other.
본 명세서에서 상기 2 이상의 발광 유닛은 각각 독립적으로 1 이상의 색을 방출할 수 있다. In the present specification, the two or more light emitting units may each independently emit one or more colors.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2 이상의 발광 유닛은 각각 서로 다른 발광 도펀트를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 상기 발광 도펀트는 인광 또는 형광 도펀트일 수 있으며, 당업자의 필요에 따라 선택할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the two or more light emitting units may each include different light emitting dopants. In the present specification, the light emitting dopant may be a phosphorescent or fluorescent dopant, and may be selected according to the needs of those skilled in the art.
본 명세서에 있어서, 전하발생층이란 외부 전압의 인가 없이 전하를 발생하는 층으로, 발광 유닛들 사이에서 전하를 발생함으로써 유기발광소자에 포함된 2개 이상의 발광 유닛들이 발광할 수 있도록 한다. In the present specification, the charge generating layer is a layer that generates charge without applying an external voltage, and generates two or more charges between the light emitting units so that two or more light emitting units included in the organic light emitting device can emit light.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전하발생층은 n형 유기물층, p형 유기물층 및 중간층을 포함할 수 있다. The charge generation layer according to the exemplary embodiment of the present specification may include an n-type organic compound layer, a p-type organic compound layer, and an intermediate layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 중간층보다 애노드에 가깝게 구비되고, 상기 중간층은 p형 유기물층보다 캐소드에 가깝게 구비되며, 상기 n형 유기물층은 상기 p형 유기물층과 상기 중간층 사이에 구비In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer is provided closer to the anode than the intermediate layer, the intermediate layer is provided closer to the cathode than the p-type organic compound layer, the n-type organic compound layer is provided between the p-type organic compound layer and the intermediate layer.
도 1 및 2에는 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 일 예를 도시하였다. 1 and 2 illustrate an example of an organic light emitting diode according to one embodiment.
도 1에는 애노드(101) 및 캐소드(201) 사이에 2 개의 발광 유닛(301, 302)가 구비되고, 상기 2 개의 발광 유닛 사이에 전하발생층(401)이 구비된다. 상기 구조에서 발광 유닛을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 적어도 2 개 이상의 인접하는 발광 유닛 사이에 전하발생층이 구비될 수 있다. In FIG. 1, two light emitting
도 2에는 도 1에는 애노드(101) 및 캐소드(201) 사이에 2 개의 발광 유닛(301, 302)가 구비되고, 상기 2 개의 발광 유닛 사이에 전하발생층(401)이 구비된다. 또한, 상기 전하발생층과 애노드에 가까운 발광 유닛(301)과 전하발생층(401) 사이에 n형 도펀트로 도핑된 전자수송층(801)이 구비될 수 있다. 상기 구조에서 발광 유닛을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 적어도 2 개 이상의 인접하는 발광 유닛 사이에 전하발생층이 구비될 수 있다. In FIG. 2, two light emitting
도 3에는 상기 전하발생층(401)에서, p형 유기물층(701)은 애노드(101)에 더 가깝게 배치되고, 중간층(501)은 캐소드(201)에 더 가깝게 배치되며, n형 유기물층(601)은 p형 유기물층과 상기 중간층 사이에 구비된다. 3, in the
본 명세서에 있어서, 에너지 준위는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. In the present specification, the energy level means the magnitude of energy. Therefore, even when the energy level is displayed in the negative (-) direction from the vacuum level, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the corresponding energy value. For example, the HOMO energy level means the distance from the vacuum level to the highest occupied molecular orbital. In addition, the LUMO energy level means the distance from the vacuum level to the lowest unoccupied molecular orbital.
본 명세서에서 HOMO 에너지 준위의 측정은 박막 표면에 UV를 조사하고, 이때 튀어나오는 전자(electron)를 검출하여 물질의 이온화 전위(ionization potential)을 측정하는 UPS(UV photoelectron spectroscopy)를 이용할 수 있다. 또는, HOMO 에너지 준위의 측정은 측정 대상 물질을 전해액과 함게 용매에 녹인 후 전압 주사(voltage sweep) 을 통하여 산화 전위(oxidation potential)을 측정하는 CV(cyclic voltammetry)를 이용할 수 있다. 박막 형태의 HOMO 에너지 준위를 측정하는 경우에는 CV보다 UPS가 더 정확한 값을 측정할 수 있으며, 본 명세서의 HOMO 에너지 준위는 UPS 방법을 통하여 측정하였다.In the present specification, the measurement of the HOMO energy level may use a UV photoelectron spectroscopy (UPS) for measuring the ionization potential of a material by irradiating UV on the surface of the thin film and detecting the protruding electrons. Alternatively, the HOMO energy level may be measured by cyclic voltammetry (CV) which measures an oxidation potential through a voltage sweep after dissolving a target material in a solvent together with an electrolyte. In the case of measuring the HOMO energy level in the form of a thin film, the UPS can measure more accurate values than the CV, and the HOMO energy level of the present specification was measured by the UPS method.
본 명세서에서 LUMO 에너지 준위는 IPES(Inverse Photoelectron Spectroscopy) 또는 전기화학적 환원 전위(electrochemical reduction potential)의 측정을 통하여 구할 수 있다. IPES는 전자빔(electron beam)을 박막에 조사하고, 이 때 나오는 빛을 측정하여 LUMO 에너지 준위를 결정하는 방법이다. 또한, 전기화학적 환원 전위의 측정은 측정 대상 물질을 전해액과 함게 용매에 녹인 후 전압 주사(voltage sweep)을 통하여 환원 전위(reduction potential)을 측정할 수 있다. 또는, HOMO 에너지 준위와 대상 물질의 UV 흡수 정도를 측정하여 얻은 일중항 에너지 준위를 이용하여 LUMO 에너지 준위를 계산할 수 있다.In the present specification, the LUMO energy level may be obtained by measuring inverse photoelectron spectroscopy (IPES) or electrochemical reduction potential. IPES is a method of irradiating an electron beam (electron beam) to a thin film and measuring the light emitted at this time to determine the LUMO energy level. In addition, the electrochemical reduction potential may be measured by dissolving a substance to be measured in a solvent together with an electrolyte and then measuring a reduction potential through a voltage sweep. Alternatively, the LUMO energy level may be calculated using the singlet energy level obtained by measuring the HOMO energy level and the degree of UV absorption of the target material.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 중간층의 두께는 0.5nm 내지 10nm이다. 상기의 범위 두께 내에서 유기 발광 소자의 구동 전압이 감소한다. In one embodiment of the present specification, the thickness of the intermediate layer including the compound of
도 4는 중간층의 두께에 따른 유기 발광 소자의 전압-전류를 나타낸 도이다. 도 4를 보면, 상기 범위 내에서 전류-전압의 특성이 우수함을 확인할 수 있다. 4 is a diagram illustrating a voltage-current of an organic light emitting diode according to the thickness of an intermediate layer. 4, it can be seen that the current-voltage characteristics are excellent within the above range.
본 명세서에서 두께란 애노드 또는 캐소드와 대향하는 일 표면과 그에 대향하는 일 표면 사이의 너비를 의미한다. As used herein, the thickness means the width between one surface facing the anode or the cathode and one surface facing the anode or cathode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전하발생층의 p형 유기물층, 상기 n형 유기물층 및 상기 중간층은 서로 접하여 구비된다. In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer, the n-type organic compound layer and the intermediate layer of the charge generating layer is provided in contact with each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 중간층보다 애노드에 가깝게 구비되고, 상기 중간층은 p형 유기물층보다 캐소드에 가깝게 구비되며, 상기 n형 유기물층은 상기 p형 유기물층과 상기 중간층 사이에 구비되고, 상기 p형 유기물층과 상기 n형 유기물층은 NP 접합을 형성한다. In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer is provided closer to the anode than the intermediate layer, the intermediate layer is provided closer to the cathode than the p-type organic compound layer, the n-type organic compound layer is provided between the p-type organic compound layer and the intermediate layer. The p-type organic compound layer and the n-type organic compound layer form an NP junction.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층, 상기 n형 유기물층은 서로 접하여 구비되고, NP 접합을 형성함으로써, 전하가 발생될 수 있다. 이 때, n형 유기물층의 LUMO 에너지 준위와 p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위는 이웃하는 유기물층들 간의 에너지 준위 관계를 고려하여 조절될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer and the n-type organic compound layer may be provided in contact with each other, and a charge may be generated by forming an NP junction. In this case, the LUMO energy level of the n-type organic compound layer and the HOMO energy level of the p-type organic compound layer may be adjusted in consideration of the energy level relationship between neighboring organic compound layers.
n형 유기물층과 p형 유기물층 사이에서 발생된 정공은 p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위로 용이하게 주입된다. p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위 보다 n형 유기물층의 LUMO 에너지 준위가 클 경우 NP 접합이 용이하게 발생하여 구동전압 상승을 방지할 수 있다. 본 명세서에 있어서, NP 접합이란 n형 유기물층(512)과 p형 유기물층(511)이 물리적으로 접하는 것뿐만 아니라, 전술한 에너지 관계를 만족하는 경우에 발생할 수 있다.Holes generated between the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer are easily injected into the HOMO energy level of the p-type organic compound layer. When the LUMO energy level of the n-type organic compound layer is greater than the HOMO energy level of the p-type organic compound layer, NP junctions are easily generated, thereby preventing an increase in driving voltage. In the present specification, NP junction may occur when the n-type organic compound layer 512 and the p-type organic compound layer 511 are not only in physical contact but also satisfy the above-described energy relationship.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위는 n형 유기물층의 LUMO 에너지 준위와 같거나 더 큰 값을 갖는다. 이 경우, 전하 발생에 더 효과적이다. In one embodiment of the present specification, the HOMO energy level of the p-type organic compound layer has a value equal to or greater than the LUMO energy level of the n-type organic compound layer. In this case, it is more effective for charge generation.
NP 접합이 형성되면, 외부 전압이나 광원에 의하여 정공 또는 전자가 용이하게 형성된다. 즉, NP 접합에 의하여 n형 유기물층과 p형 유기물층 사이에서 정공과 전자가 동시에 발생 즉, 전하 발생(Charge generation)이 된다. 전자는 n형 유기물층을 통하여 전자수송층 방향으로 수송되고, 정공은 p형 유기물층 방향으로 수송된다. 즉, p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위가 n형 유기물층의 LUMO 에너지 준위보다 클 경우 p형 유기물층의 HOMO 준위의 전자가 n형 유기물층의 비어있는 LUMO 준위로 에너지 차이에 의한 자발적 이동이 가능하게 된다. 이 경우 p형 유기물층의 HOMO 준위에는 정공이 생성되고, n형 유기물층의 LUMO 준위에는 전자가 생성되어, 정공 또는 전자가 용이하게 발생하고, 정공 주입을 위한 구동전압 상승을 방지할 수 있다. When the NP junction is formed, holes or electrons are easily formed by an external voltage or a light source. That is, due to the NP junction, holes and electrons are simultaneously generated, that is, charge generation between the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer. Electrons are transported in the electron transport layer direction through the n-type organic compound layer, and holes are transported in the p-type organic compound layer direction. That is, when the HOMO energy level of the p-type organic compound layer is greater than the LUMO energy level of the n-type organic compound layer, the electrons of the HOMO level of the p-type organic compound layer may be spontaneously moved by the energy difference to the empty LUMO level of the n-type organic compound layer. In this case, holes are generated at the HOMO level of the p-type organic compound layer, and electrons are generated at the LUMO level of the n-type organic compound layer, so that holes or electrons are easily generated, and a rise in driving voltage for hole injection can be prevented.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n형 유기물층의 페르미 준위는 p형 유기물층의 페르미 준위와 동일하거나 크다. 이 경우, 전하 발생에 더 효과적이다. In one embodiment of the present specification, the Fermi level of the n-type organic compound layer is the same as or larger than the Fermi level of the p-type organic compound layer. In this case, it is more effective for charge generation.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n형 유기물층과 상기 p형 유기물층은 하기 식 1을 만족한다. In one embodiment of the present specification, the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer satisfy the following formula (1).
[식 1][Equation 1]
상기 식 1에 있어서, EpH는 p형 유기물층의 HOMO 에너지 준위이고, EnL은 n형 유기물층의 LUMO 에너지 준위이다. In
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n형 유기물층과 상기 p형 유기물층은 하기 식 2를 만족한다. In one embodiment of the present specification, the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer satisfy the following formula (2).
[식 2][Equation 2]
상기 식 2에 있어서, 상기 EnF는 n형 유기물층의 페르미 준위이고, EpF는 p형 유기물층의 페르미 준위이다. In
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n형 유기물층과 상기 p형 유기물층은 상기 식 1 및 2를 만족한다. In one embodiment of the present specification, the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer satisfies
본 명세서에서는 상기 HOMO 에너지 준위와 페르미 준위를 측정하기 위하여, UPS(Ultraviolet photoelectron spectroscopy) 방법을 사용하였다. 이 방법은 초진공(<10-8Torr) 하에서 시료에 He 램프에서 나오는 진공 UV선(21.20eV)을 조사할 때, 시료에서 나오는 전자의 운동에너지를 분석함으로써, 금속의 경우 일함수를, 유기물의 경우 이온화 에너지, 즉 HOMO 준위 및 페르미 에너지 준위를 알아낼 수 있는 방법이다. 즉, 진공 UV선(21.20eV)을 시료에 조사하였을 때 시료로부터 방출되는 전자의 운동에너지는 진공 UV 에너지인 21.2eV와 측정하고자 하는 시료의 전자 결합 에너지(electron binding energy)의 차이가 된다. 따라서, 시료로부터 방출되는 전자의 운동에너지 분포를 분석함으로써 시료내 물질의 분자내 결합에너지 분포를 알 수 있게 된다. 이때 전자의 운동에너지 중 최대 에너지 값을 가지는 경우 시료의 결합에너지는 최소값을 갖게 된다. 이를 이용하여 시료의 일함수 (페르미 에너지 준위) 및 HOMO 준위를 결정할 수 있게 된다.In the present specification, in order to measure the HOMO energy level and the Fermi level, an ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) method was used. This method analyzes the kinetic energy of electrons from the sample when the sample is irradiated with vacuum UV rays (21.20 eV) from the He lamp under ultra-vacuum (<10 -8 Torr). In this case, the ionization energy, that is, the HOMO level and the Fermi energy level can be determined. That is, when the vacuum UV ray (21.20 eV) is irradiated to the sample, the kinetic energy of the electrons emitted from the sample becomes a difference between the vacuum UV energy 21.2 eV and the electron binding energy of the sample to be measured. Accordingly, by analyzing the kinetic energy distribution of electrons emitted from the sample, it is possible to know the distribution of intramolecular binding energy of the material in the sample. At this time, when the maximum energy value of the kinetic energy of the electron has a minimum binding energy of the sample. This can be used to determine the work function (Fermi energy level) and HOMO level of the sample.
본 명세서에서 또한, 상기 HOMO 에너지 준위와 페르미 준위가 큰 경우에는 X선 광전자분광법(XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 사용하였으며, X선 광전자분광법은 당업계에서 사용되는 방법으로 측정할 수 있다. In the present specification, when the HOMO energy level and the Fermi level are large, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used, and X-ray photoelectron spectroscopy may be measured by a method used in the art.
종래 전하발생층을 포함하는 적층형 유기 발광 소자에서는 n형 유기물층에서 생성된 전자가 전자수송층으로 전달될 때, 전자 주입 장벽(electron injection barrier)이 문제되었다. 따라서, 이의 에너지 장벽을 낮추기 위하여 전자수송층에 n형 도펀트를 도핑하여, 전자수송층의 전자밀도(electron density)를 높이려는 시도를 하였다. In a stacked organic light emitting device including a charge generation layer, an electron injection barrier is a problem when electrons generated in an n-type organic compound layer are transferred to an electron transport layer. Therefore, an attempt was made to increase the electron density of the electron transport layer by doping the n-type dopant to the electron transport layer to lower its energy barrier.
다만, 일함수가 낮은 알칼리금속 또는 알칼리 토금속의 재료인 n형 도펀트로 도핑 농도가 높아지는 경우에는 전하 발생층의 구동 특성은 향상되나, 공정에 있어, 시간 및 비용상으로 경제적이지 않았으며, 소자의 수명이 하락되고, 효율이 감소되는 문제가 있었다. However, when the doping concentration is increased by the n-type dopant, which is a material of alkali metal or alkaline earth metal having a low work function, the driving characteristics of the charge generating layer are improved, but in the process, it is not economical in terms of time and cost. There is a problem that the life is reduced, the efficiency is reduced.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 전하발생층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 중간층을 도입하여, 전자 주입 장벽을 낮추어 전자수송층의 n형 도핑 농도를 낮출 수 있게 되었다. 따라서, 구동 특성이 향상되고, 공정상 경제적이며, 소자의 수명 및 발광 소자의 효율 면에서 유리한 효과가 있다. In the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification, the intermediate layer including the compound represented by
도 5는 중간층의 유무에 따른 전압-전류 밀도를 나타낸 도이다. 도 5에서 중간층을 포함하는 경우에 낮은 도핑 농도의 전자수송층을 사용하면서, 구동 전압이 낮은 유기 발광 소자를 구성할 수 있음을 확인할 수 있다. 5 is a diagram showing a voltage-current density with or without an intermediate layer. In the case of including an intermediate layer in FIG. 5, it can be seen that an organic light emitting device having a low driving voltage can be configured while using an electron transport layer having a low doping concentration.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a hole injection layer, a hole transport layer. It may further include one or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 유닛은 전자수송층을 더 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 중간층에 접하여 구비된다. 이 경우, n형 유기물층에서 중간층을 통하여, 전자수송층 방향으로 형성된 전자가 전달될 때, 중간층이 n형 유기물층과 전자수송층의 에너지 장벽을 낮추는 역할을 하여, 전자의 전달이 용이할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the at least one light emitting unit further includes an electron transport layer, and the electron transport layer is provided in contact with the intermediate layer. In this case, when electrons formed in the electron transport layer direction are transferred from the n-type organic compound layer to the electron transport layer, the intermediate layer serves to lower the energy barrier between the n-type organic compound layer and the electron transport layer, thereby facilitating electron transfer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 하기 치환기 중 어느 하나이다. In one embodiment of the present specification, at least one of the X, Y and Z is any one of the following substituents.
상기 치환기에 있어서, In the substituent,
L1 내지 L3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L1 to L3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 2이며, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted heterocyclic group; Or
b는 1 내지 7의 정수이고, b is an integer from 1 to 7,
c는 1 내지 3의 정수이며, c is an integer of 1 to 3,
d는 1 내지 6의 정수이고, d is an integer of 1 to 6,
b가 2 이상인 경우, 2 이상의 R5는 서로 동일하거나 상이하며, when b is 2 or more, two or more R5 are the same or different from each other,
c가 2 이상인 경우, 2 이상의 R7은 서로 동일하거나 상이하고, when c is 2 or more, two or more R 7 are the same as or different from each other,
d가 2 이상인 경우, 2 이상의 R8은 서로 동일하거나 상이하며, when d is 2 or more, two or more R8 are the same or different from each other,
R4 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. R4 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted heteroarylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
상기 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" is deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted boron group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted heteroarylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it means substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.In the present specification, the halogen group may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, although carbon number of an imide group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C25. Specifically, it may be a compound having a structure as follows, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 1 또는 2 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amide group may be substituted with one or two of the nitrogen of the amide group is hydrogen, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably 3 to 60 carbon atoms, specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto. Do not.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C20. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy and the like It may be, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched chain, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, specifically, the silyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있으며, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기 등의 치환기가 추가로 치환되는 경우를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서 내에서의 아릴기는 방향족고리를 의미할 수 있다.In the present specification, the aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group, and may include a case where a substituent such as an alkyl group having 1 to 25 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 25 carbon atoms is further substituted. In addition, the aryl group in the present specification may mean an aromatic ring.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. When the aryl group is a monocyclic aryl group, carbon number is not particularly limited, but preferably 6 to 25 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc., but is not limited thereto.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Carbon number is not particularly limited when the aryl group is a polycyclic aryl group. It is preferable that it is C10-24. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , , 및 등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted, , , And And so on. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로 고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 싸이오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조싸이오펜기, 디벤조싸이오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group includes one or more atoms other than carbon and hetero atoms, and specifically, the hetero atoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, and S, and the like. Although carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, It is preferable that it is C2-C60. Examples of heterocyclic groups include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, triazole group, Acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group , Indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group (phenanthroline), thiazolyl group, Isooxazolyl group, oxdiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, phenothiazinyl group, dibenzofuranyl group and the like, but is not limited thereto.
상기 헤테로 고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.The heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic, aliphatic or a condensed ring of aromatic and aliphatic.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Specific examples of the aryl amine group include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenylamine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 중의 헤테로 아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the heterocyclic group described above.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기 및 아랄킬아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시, p-토릴옥시, m-토릴옥시, 3,5-디메틸-페녹시, 2,4,6-트리메틸페녹시, p-tert-부틸페녹시, 3-비페닐옥시, 4-비페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 4-메틸-1-나프틸옥시, 5-메틸-2-나프틸옥시, 1-안트릴옥시, 2-안트릴옥시, 9-안트릴옥시, 1-페난트릴옥시, 3-페난트릴옥시, 9-페난트릴옥시 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, and aralkylamine group is the same as the example of the aryl group described above. Specifically, as the aryloxy group, phenoxy, p-tolyloxy, m-tolyloxy, 3,5-dimethyl-phenoxy, 2,4,6-trimethylphenoxy, p-tert-butylphenoxy, 3-biphenyl Oxy, 4-biphenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 4-methyl-1-naphthyloxy, 5-methyl-2-naphthyloxy, 1-anthryloxy, 2-anthryl Oxy, 9-anthryloxy, 1-phenanthryloxy, 3-phenanthryloxy, 9-phenanthryloxy, and the like. Examples of the arylthioxy group include a phenylthioxy group, 2-methylphenylthioxy group, and 4-tert-butylphenyl. Thioxy group and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert-부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In this specification, the alkyl group in the alkylthioxy group is the same as the example of the alkyl group mentioned above. Specifically, the alkyl thioxy group includes a methyl thioxy group, an ethyl thioxy group, a tert-butyl thioxy group, a hexyl thioxy group, an octyl thioxy group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기는 각각 아릴기 및 헤테로아릴기에 결합위치가 두 개 있는 것 즉, 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2 가기인 것을 제외하고, 전술한 아릴기 및 헤테로 고리기의 설명이 적용될 수 있다. The arylene group and the heteroarylene group of the present specification mean two divalent groups having two bonding positions, respectively, in the aryl group and the heteroaryl group. The description of the aryl group and heterocyclic group described above can be applied except that they are each divalent.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합 또는 페닐렌기이다. In one embodiment of the present specification, L is a direct bond or a phenylene group.
하나의 실시상태에 있어서, L은 직접결합이다. In one embodiment L is a direct bond.
또 하나의 실시상태에 있어서, L은 페닐렌기이다. In another exemplary embodiment, L is a phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 페닐렌기이고, 파라(para) 위치로 결합 위치가 있다. In one embodiment of the present specification, L is a phenylene group, and there is a bonding position in a para position.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A는 직접결합이다. In one embodiment of the present specification, A is a direct bond.
다른 실시상태에 있어서, A는 C=O이다. In another embodiment, A is C = O.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 수소이다. In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 이다. In one embodiment of the present specification, at least one of X, Y and Z is to be.
다른 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 이다. In another embodiment, at least one of X, Y and Z is to be.
다른 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 이다. In another embodiment, at least one of X, Y and Z is to be.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 화학식 2가 아닌 나머지는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, the remainder other than
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 화학식 2가 아닌 나머지는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, the remainder other than
하나의 실시상태에 있어서, X, Y 및 Z 중 화학식 2가 아닌 나머지는 페닐기이다. In one embodiment, the remaining
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다. In one embodiment of the present specification, L1 is a substituted or unsubstituted arylene group.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기이다. In one embodiment, L1 is a substituted or unsubstituted biphenylylene group.
하나의 실시상태에 있어서, L1은 비페닐릴렌기다. In one embodiment, L1 is a biphenylylene group.
또 하나의 실시상태에 있어서, L1은 이다. In another embodiment, L1 is to be.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R2 is a substituted or unsubstituted aryl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In another embodiment, R2 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R2는 페닐기이다. In another embodiment, R2 is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다. In one embodiment of the present specification, R2 is a substituted or unsubstituted naphthyl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R2는 나프틸기이다. In another embodiment, R2 is a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 이다. In one embodiment of the present specification, R2 is to be.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R3는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In another embodiment, R3 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R3는 페닐기이다. In another embodiment, R3 is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다. In one embodiment of the present specification, R3 is a substituted or unsubstituted naphthyl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R3는 나프틸기이다. In another embodiment, R3 is a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3는 이다. In one embodiment of the present specification, R3 is to be.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다. In one embodiment of the present specification, L2 is a substituted or unsubstituted arylene group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 L2는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다. In another embodiment, L2 is a substituted or unsubstituted phenylene group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L2는 페닐렌기이다. In another exemplary embodiment, L2 is a phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 페닐렌기이고, 파라(para) 위치로 결합 위치가 있다. In one embodiment of the present specification, L2 is a phenylene group, and there is a bonding position at a para position.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R4는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R4 is a substituted or unsubstituted aryl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R4는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R4 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R4는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R4 is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 수소이다. In one embodiment of the present specification, R5 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L3는 치환 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a substituted substituted or unsubstituted arylene group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 L3는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다. In another embodiment, L3 is a substituted or unsubstituted phenylene group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L3는 페닐렌기이다. In another exemplary embodiment, L3 is a phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3는 페닐렌기이고, 파라(para) 위치로 결합 위치가 있다. In one embodiment of the present specification, L3 is a phenylene group, and there is a bonding position at a para position.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R6 is a substituted or unsubstituted aryl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R6는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R6 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R6 is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R7는 수소이다. In one embodiment of the present specification, R7 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R8은 수소이다. In one embodiment of the present specification, R8 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-14 중 어느 하나로 표시된다. In one embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n형 유기물층은 하기 화학식 3의 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the n-type organic compound layer includes a compound of
[화학식 3] [Formula 3]
R10 내지 R15는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기(-NO2); 술포닐기(-SO2R); 술폭사이드기(-SOR); 술폰아미드기(-SO2NR2); 술포네이트기(-SO3R); 트리플루오로메틸기(-CF3); 에스테르기(-COOR); 아미드기(-CONHR 또는 -CONRR'); 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄의 C1 내지 C12의 알콕시기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C12의 알킬기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C12의 알케닐기; 치환 또는 비치환의 방향족 또는 비방향족의 이형고리기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 치환 또는 비치환의 모노- 또는 디-아릴아민기; 및 치환 또는 비치환의 아랄킬아민기로 이루어진 군에서 선택되며, R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Halogen group; Nitrile group (-CN); Nitro group (-NO 2 ); Sulfonyl group (-SO 2 R); Sulfoxide group (-SOR); Sulfonamide groups (-SO 2 NR 2 ); Sulfonate groups (-SO 3 R); Trifluoromethyl group (-CF 3 ); Ester group (-COOR); Amide groups (-CONHR or -CONRR '); Substituted or unsubstituted linear or branched C1-C12 alkoxy group; Substituted or unsubstituted linear or branched C1 to C12 alkyl group; Substituted or unsubstituted linear or branched C2 to C12 alkenyl group; Substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic heterocyclic group; Substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine group; And it is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aralkylamine group,
R 및 R'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 5 내지 7원 이형고리기로 이루어진 군에서 선택된다.R and R 'are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C1 to C60 alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted 5 to 7 membered heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R15는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 니트릴기; 술포닐기; 니트로기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently a nitrile group; Sulfonyl group; Nitro group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted alkenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R15는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 니트릴기; 아릴기로 치환된 술포닐기; 니트로기; 니트로기 또는 니트릴기로 치환된 아릴기; 또는 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently a nitrile group; Sulfonyl groups substituted with aryl groups; Nitro group; Aryl groups substituted with nitro or nitrile groups; Or an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R10은 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R10 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R10은 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R10 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R10은 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R10 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R10 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R10 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R10은 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R10 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R10은 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R10 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R10은 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R10 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R10은 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R10 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R11 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R11은 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R11 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R11 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R11은 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R11 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11은 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R11 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R11은 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R11 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R11 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R11은 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R11 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11은 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R11 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R11은 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R11 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R12 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R12는 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R12 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R12 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R12는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R12 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R12는 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R12 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R12는 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R12 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R12 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R12는 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R12 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R12는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R12 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R12는 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R12 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13은 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R13 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R13은 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R13 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13은 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R13 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R13 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R13 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R13은 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R13 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13은 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R13 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R13은 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R13 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R13은 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R13 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R14는 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R14 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R14 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R14는 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R14 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R14 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14는 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R14 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R14 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R14는 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R14 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R14는 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R14 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R14 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R14는 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R14 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R15는 니트릴기이다. In one embodiment of the present specification, R15 is a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R15는 술포닐기(-SO2R)이다. In another exemplary embodiment, R15 is a sulfonyl group (-SO 2 R).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R15는 니트로기이다. In one embodiment of the present specification, R15 is a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R15는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In another exemplary embodiment, R15 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 니트로기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R15 is an aryl group which is substituted with a nitro group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R15는 니트로기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R15 is a phenyl group substituted with a nitro group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R15는 니트릴기로 치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R15 is an aryl group which is substituted with a nitrile group.
또 하나의 실시상태에 있어서, R15는 니트릴기로 치환된 페닐기이다. In another exemplary embodiment, R15 is a phenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다. In one embodiment of the present specification, R15 is a substituted or unsubstituted alkenyl group.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R15는 니트릴기로 치환된 알케닐기이다. In another exemplary embodiment, R15 is an alkenyl group substituted with a nitrile group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R is a substituted or unsubstituted aryl group.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기이다. In another embodiment, R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 n형 유기물층은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시된다. In one embodiment of the present specification, the n-type organic compound layer represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p형 유기물층은 일반적으로 정공수송물질의 재료를 사용할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer may generally use a material of a hole transport material.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 방향족 아민기; 디톨리아민기; 방향족 아닐린기; 인돌로 아크리딘기; 및 방향족 실란기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기를 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 아릴아민계 화합물을 사용할 수 있다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 하기 NPB 를 사용할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer is an aromatic amine group; Ditoliamine group; Aromatic aniline groups; Indolo acridine groups; And one or more substituents selected from the group consisting of aromatic silane groups. In one embodiment of the present specification, the p-type organic compound layer may use an arylamine-based compound. In one embodiment, the p-type organic compound layer may use the following NPB.
[NPB][NPB]
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p형 유기물층은 TAPC(1,1-bis-(4-bis(4-methyl-phenyl)-amino-phenyl)-cyclohexane), TAPC 등을 사용할 수 있으며, 일반적으로 사용되는 정공수송물질에 p형 도펀트 예컨대, 몰리브데늄 산화물(MoOx), 레늄 산화물(ReOx), 텅스텐 산화물(WOx) 등의 페르미 준위(Fermi level)가 4.5 eV 이상인 금속 산화물(metal oxide) 또는 전이금속 착체(transition metal complex)를 도핑한 층을 사용할 수 있으며, 이를 한정하지 않는다. In another exemplary embodiment, the p-type organic compound layer may use TAPC (1,1-bis- (4-bis (4-methyl-phenyl) -amino-phenyl) -cyclohexane), TAPC, and the like. Metal oxides having a Fermi level of 4.5 eV or more, such as p-type dopants such as molybdenum oxide (MoO x ), rhenium oxide (ReO x ), tungsten oxide (WO x ), etc. ) Or a layer doped with a transition metal complex may be used, but is not limited thereto.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.
또한, 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 하부 전극이 애노드이고 상부전극이 캐소드인 정구조(normal type)일 수 있고, 하부전극이 캐소드이고 상부전극이 애노드인 역구조(inverted type)일 수도 있다.In addition, the organic light emitting diode according to the present disclosure may be a normal type in which the lower electrode is an anode and the upper electrode is a cathode, or may be an inverted type in which the lower electrode is a cathode and the upper electrode is an anode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 애노드의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고, 상기 기판과 상기 애노드 사이에 구비된 내부 광추출층을 더 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the substrate further includes a substrate provided on a surface opposite to the surface on which the organic material layer of the anode is provided, and further includes an internal light extraction layer provided between the substrate and the anode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 애노드의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고, 상기 기판의 애노드의 구비되는 면과 대향하는 면에 외부 광추출층을 더 포함한다. In another exemplary embodiment, the apparatus may further include a substrate provided on a surface of the anode facing the surface on which the organic material layer is provided, and further include an external light extracting layer on a surface of the substrate facing the surface of the anode. .
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 내부 광추출층은 평탄층을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the internal light extraction layer includes a flat layer.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 외부 광추출층은 평탄층을 포함한다. In another exemplary embodiment, the external light extraction layer includes a flat layer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 내부 광산란층 또는 외부 광추출층은 광산란을 유도하여, 상기 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.According to one embodiment of the present specification, the internal light scattering layer or the external light extracting layer is not particularly limited so long as it has a structure that can induce light scattering and improve the light extraction efficiency of the organic light emitting device. Specifically, according to one embodiment of the present specification, the light extraction layer may have a structure in which scattering particles are dispersed in a binder.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광산란층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, the light scattering layer may be directly formed on the substrate by a method such as spin coating, bar coating, slit coating, or the like, and may be formed by attaching the film.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 플랙서블(flexible) 유기발광소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플랙시블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be a flexible organic light emitting device. In this case, the substrate may comprise a flexible material. Specifically, the substrate may be a glass, plastic substrate, or film substrate in the form of a thin film that can be bent.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET, PEN, PEEK 및 PI 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.The material of the plastic substrate is not particularly limited, but generally, a film such as PET, PEN, PEEK, and PI may be included in the form of a single layer or a multilayer.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.An exemplary embodiment of the present specification provides a display device including the organic light emitting device. In the display device, the organic light emitting diode may serve as a pixel or a backlight. In addition, the configuration of the display device may be applied to those known in the art.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.One embodiment of the present specification provides a lighting device including the organic light emitting device. In the lighting device, the organic light emitting diode serves as a light emitting unit. In addition, the configurations required for the lighting device may be applied to those known in the art.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 구조는 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다. The structure according to the exemplary embodiment of the present specification may act on a principle similar to that applied to an organic light emitting device in an organic electronic device including an organic solar cell, an organic photoconductor, and an organic transistor.
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 전하발생층을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술 분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except for including the aforementioned charge generating layer.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, the anode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof on the substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. And an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to the above method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present specification, the organic material layer is a solvent process (e.g., spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method) using various polymer materials instead of a deposition method. It is possible to produce a smaller number of layers by such a method.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
본 명세서에서 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기발광소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다.In the present specification, the substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto. The substrate is not limited as long as it is a substrate commonly used in organic light emitting devices.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
상기 캐소드는 상기 애노드와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 캐소드로는 전술한 애노드의 재료들로 형성될 수 있다. 또는 캐소드 또는 애노드는 투명 물질을 포함할 수 있다. The cathode may be formed of the same material as the anode. In this case, the cathode may be formed of the above-described anode materials. Or the cathode or anode may comprise a transparent material.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection material is a layer for injecting holes from an electrode, and the hole injection material has a capability of transporting holes, and has a hole injection effect at an anode, an excellent hole injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and is generated in a light emitting layer. The compound which prevents the movement of the excited excitons to the electron injection layer or the electron injection material, and is excellent in thin film formation ability is preferable. Preferably, the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic materials, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. As a hole transport material, the hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer. The material is suitable. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
상기 발광층에서는 정공전달과 전자전달이 동시에 일어나므로 발광층은 n형 특성과 p형 특성을 모두 가질 수 있다. 편의상 전자 수송이 정공 수송에 비하여 빠를 경우 n형 발광층, 정공 수송이 전자 수송에 비하여 빠를 경우 p형 발광층이라고 정의할 수 있다.In the light emitting layer, since the hole transfer and the electron transfer occur at the same time, the light emitting layer may have both n-type characteristics and p-type characteristics. For convenience, it may be defined as an n-type light emitting layer when electron transport is faster than hole transport, and a p-type light emitting layer when hole transport is faster than electron transport.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic containing compound. Specifically, the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and the heterocyclic containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives and ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
도펀트 재료로는 유기 화합물, 금속 또는 금속 화합물이 있다. Dopant materials include organic compounds, metals or metal compounds.
도펀트 재료로서의 유기 화합물로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 또는 금속 화합물로는 일반적인 금속 또는 금속 화합물을 사용할 수 있으며, 구체적으로 금속 착체를 사용할 수 있다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Organic compounds as dopant materials include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds and the like. Specifically, the aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamino group, and include pyrene, anthracene, chrysene, and periplanthene having an arylamino group, and a styrylamine compound may be substituted or unsubstituted. At least one arylvinyl group is substituted with the substituted arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine and the like, but is not limited thereto. In addition, as the metal or the metal compound, a general metal or a metal compound may be used, and specifically, a metal complex may be used. The metal complex includes, but is not limited to, an iridium complex, a platinum complex, and the like.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transporting material is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transporting material is a material that can inject electrons well from the cathode and move them to the light emitting layer. This is suitable. Specific examples thereof include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function followed by an aluminum or silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed by aluminum layers or silver layers in each case.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has an ability of transporting electrons, has an electron injection effect from a cathode, an electron injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer The compound which prevents the movement to a layer and is excellent in thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and derivatives thereof, metal Complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtolato) gallium, It is not limited to this.
상기 정공저지층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The hole blocking layer is a layer for blocking the arrival of the cathode of the hole, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더 자세히 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐이며, 실시예에 의하여 본 발명의 범위가 한정될 것을 의도하지 않는다.The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are only intended to illustrate the invention, and are not intended to limit the scope of the invention by the examples.
실시예Example 1. One.
하기와 같이 전하발생층을 포함하여 소자를 구성하였다. The device was configured to include a charge generating layer as follows.
소자 구조: ITO/ NPB/화학식 3-1/화학식 1-1 / ETL/AlDevice structure: ITO / NPB / Chemical Formula 3-1 / Chemical Formula 1-1 / ETL / Al
ITO 전극(1300 Å) 위에 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (500 Å) 을 진공 증착하여, p형 유기물층을 형성하였다. 상기 p형 유기물층에 하기 화학식 3-1(200 Å)의 n형 유기물층을 형성하였다. 또한, 하기 화학식 1-1의 중간층(1nm)을 형성하고, BCP로 전자수송층(250 Å)을 형성하였다. 마지막으로 캐소드를 알루미늄 (1000 Å)을 구성하였다. 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (500 Pa) of the chemical formula was vacuum deposited on the ITO electrode (1300 Pa) to form a p-type organic compound layer. . An n-type organic compound layer of Formula 3-1 (200 kPa) was formed on the p-type organic compound layer. In addition, an intermediate layer (1 nm) of Formula 1-1 was formed, and an electron transport layer (250 Hz) was formed of BCP. Finally the cathode consisted of aluminum (1000 kPa).
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.5 ~ 1 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 1 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 4 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 ~ 1 Å / sec, the aluminum was maintained at a deposition rate of 1 Å / sec, the vacuum during deposition was maintained at 2 × 10 -7 ~ 4 × 10 -8 torr Thus, an organic light emitting device was produced.
[화학식 3-1] [Formula 3-1]
[NPB][NPB]
[BCP][BCP]
실시예Example 2. 2.
상기 중간층의 두께를 3 nm로 한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the intermediate layer was 3 nm.
실시예Example 3. 3.
상기 중간층의 두께를 5nm로 한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the intermediate layer was 5 nm.
실시예Example 4. 4.
상기 중간층의 두께를 10 nm로 한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the intermediate layer was 10 nm.
비교예Comparative example 1. One.
상기 중간층이 없는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the intermediate layer was not present.
도 4는 실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 전압-전류 그래프를 나타낸 도이다. 4 is a diagram illustrating a voltage-current graph of the organic light emitting diodes of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1. FIG.
실시예Example 5. 5.
상기 실시예 1에서 상기 전자수송층에 n형 도펀트로 Li을 사용하였으며, 도펀트의 농도는 1%를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. In Example 1, Li was used as the n-type dopant in the electron transport layer, and the device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the concentration of the dopant was 1%.
비교예Comparative example 2. 2.
상기 실시예 5에서 중간층이 없는 것을 제외하고 실시예 5와 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that there was no intermediate layer in Example 5.
비교예Comparative example 3. 3.
상기 실시예 5에서 n형 도펀트의 농도를 7%로 하고, 중간층을 포함하지 않는 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 소자를 제작하였다. The device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that the concentration of the n-type dopant was set to 7% in Example 5, and the intermediate layer was not included.
도 5는 실시예 5, 비교예 2 및 3의 유기 발광 소자의 전압-전류를 나타낸 도이다. 5 is a diagram showing voltage-current of organic light emitting diodes of Example 5, Comparative Examples 2 and 3. FIG.
101: 애노드
201: 캐소드
301, 302: 발광 유닛
401: 전하발생층
501: 중간층
601: n형 유기물층
701: p형 유기물층
801: n형 도펀트로 도핑된 전자수송층 101: anode
201: cathode
301 and 302: light emitting unit
401: charge generating layer
501: middle layer
601: n-type organic compound layer
701: p-type organic compound layer
801: electron transport layer doped with n-type dopant
Claims (20)
상기 캐소드와 대향하여 구비되는 애노드;
상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 구비되는 2 이상의 발광 유닛; 및
상기 2 이상의 발광 유닛 중 서로 인접하는 적어도 2개의 발광 유닛 사이에 구비되는 전하발생층을 포함하고,
상기 전하발생층은 p형 유기물층, n형 유기물층 및 중간층을 포함하며,
상기 중간층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 1]
화학식 1에 있어서,
X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되고,
X, Y 및 Z 중 화학식 2가 아닌 기는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로고리기이며,
[화학식 2]
화학식 2에 있어서,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
A는 직접결합; 또는 C=O이며,
a는 1 내지 7의 정수이고,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이하며,
R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. Cathode;
An anode provided opposite the cathode;
Two or more light emitting units provided between the cathode and the anode; And
A charge generation layer provided between at least two light emitting units adjacent to each other among the two or more light emitting units,
The charge generating layer includes a p-type organic compound layer, an n-type organic compound layer and an intermediate layer,
The intermediate layer is an organic light emitting device comprising a compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Chemical Formula 1,
At least one of X, Y and Z is represented by the following formula (2),
Among X, Y and Z, a group other than Formula 2 may be a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group,
[Formula 2]
In Chemical Formula 2,
L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
A is a direct bond; Or C = O,
a is an integer from 1 to 7,
when a is 2 or more, two or more R1 are the same as or different from each other,
R 1 is hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted heteroarylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
상기 p형 유기물층은 중간층보다 애노드에 가깝게 구비되고,
상기 중간층은 p형 유기물층보다 캐소드에 가깝게 구비되며,
상기 n형 유기물층은 상기 p형 유기물층과 상기 중간층 사이에 구비되는 것인 유기 발광 소자. The method according to claim 1,
The p-type organic compound layer is provided closer to the anode than the intermediate layer,
The intermediate layer is provided closer to the cathode than the p-type organic compound layer,
The n-type organic compound layer is provided between the p-type organic compound layer and the intermediate layer.
X, Y 및 Z 중 적어도 하나는 하기 치환기 중 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
상기 치환기에 있어서,
L1 내지 L3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 2이며,
b는 1 내지 7의 정수이고,
c는 1 내지 3의 정수이며,
d는 1 내지 6의 정수이고,
b가 2 이상인 경우, 2 이상의 R5는 서로 동일하거나 상이하며,
c가 2 이상인 경우, 2 이상의 R7은 서로 동일하거나 상이하고,
d가 2 이상인 경우, 2 이상의 R8은 서로 동일하거나 상이하며,
R4 내지 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. The method according to claim 1,
At least one of X, Y and Z is any one of the following substituents:
In the substituent,
L1 to L3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted heterocyclic group; Or Formula 2,
b is an integer from 1 to 7,
c is an integer of 1 to 3,
d is an integer of 1 to 6,
when b is 2 or more, two or more R5 are the same or different from each other,
when c is 2 or more, two or more R 7 are the same as or different from each other,
when d is 2 or more, two or more R8 are the same or different from each other,
R4 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aralkylamine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted heteroarylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-14 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The compound represented by Chemical Formula 1 is represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-14.
상기 n형 유기물층은 하기 화학식 3의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 3]
R10 내지 R15는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기(-NO2); 술포닐기(-SO2R); 술폭사이드기(-SOR); 술폰아미드기(-SO2NR2); 술포네이트기(-SO3R); 트리플루오로메틸기(-CF3); 에스테르기(-COOR); 아미드기(-CONHR 또는 -CONRR'); 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄의 C1 내지 C12의 알콕시기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C12의 알킬기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C12의 알케닐기; 치환 또는 비치환의 방향족 또는 비방향족의 이형고리기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 치환 또는 비치환의 모노- 또는 디-아릴아민기; 및 치환 또는 비치환의 아랄킬아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R 및 R'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 5 내지 7원 이형고리기로 이루어진 군에서 선택된다.The method according to claim 1,
The n-type organic compound layer is an organic light emitting device comprising a compound of the formula
[Formula 3]
R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Halogen group; Nitrile group (-CN); Nitro group (-NO 2 ); Sulfonyl group (-SO 2 R); Sulfoxide group (-SOR); Sulfonamide groups (-SO 2 NR 2 ); Sulfonate groups (-SO 3 R); Trifluoromethyl group (-CF 3 ); Ester group (-COOR); Amide groups (-CONHR or -CONRR '); Substituted or unsubstituted linear or branched C1-C12 alkoxy group; Substituted or unsubstituted linear or branched C1 to C12 alkyl group; Substituted or unsubstituted linear or branched C2 to C12 alkenyl group; Substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic heterocyclic group; Substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine group; And it is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aralkylamine group,
R and R 'are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C1 to C60 alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted 5 to 7 membered heterocyclic group.
상기 화학식 3으로 표시되는 n형 유기물층은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
The method according to claim 5,
The n-type organic compound layer represented by the formula (3) is an organic light emitting device represented by any one of the following formulas 3-1 to 3-6:
상기 중간층의 두께는 0.5 nm 내지 10 nm 인 것인 유기 발광 소자. The method according to claim 1,
The thickness of the intermediate layer is 0.5 nm to 10 nm organic light emitting device.
상기 p형 유기물층, 상기 n형 유기물층 및 상기 중간층은 서로 접하여 구비되는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
The p-type organic compound layer, the n-type organic compound layer and the intermediate layer is provided in contact with each other.
상기 p형 유기물층과 상기 n형 유기물층은 NP 접합을 형성하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
And the p-type organic compound layer and the n-type organic compound layer to form an NP junction.
상기 발광 유닛은 발광층; 및
정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
The light emitting unit includes a light emitting layer; And
Hole injection layer, hole transport layer. The organic light emitting device further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.
상기 발광 유닛은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하고,
상기 전자수송층은 상기 중간층에 접하여 구비되는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
The light emitting unit includes a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer,
The electron transport layer is provided in contact with the intermediate layer.
상기 전자수송층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고,
상기 2층 이상의 전자수송층 중 상기 중간층에 접하여 구비되는 전자수송층은 n 형 도펀트로 도핑된 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 11,
The electron transport layer includes at least two electron transport layer,
The electron transport layer provided in contact with the intermediate layer of the two or more electron transport layer is doped with an n-type dopant.
상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
The organic light emitting device is a hole injection layer, a hole transport layer. The organic light emitting device further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.
상기 애노드의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,
상기 기판과 상기 애노드 사이에 구비된 내부 광추출층을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Further comprising a substrate provided on the side facing the surface on which the organic layer of the anode is provided,
Organic light emitting device further comprises an internal light extraction layer provided between the substrate and the anode.
상기 내부 광추출층은 평탄층을 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 14,
The internal light extraction layer is an organic light emitting device comprising a flat layer.
상기 애노드의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,
상기 기판의 애노드의 구비되는 면과 대향하는 면에 외부 광추출층을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Further comprising a substrate provided on the side facing the surface on which the organic layer of the anode is provided,
Organic light emitting device further comprises an external light extraction layer on a surface of the substrate facing the surface of the anode.
상기 외부 광추출층은 평탄층을 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 16,
The external light extraction layer is an organic light emitting device comprising a flat layer.
유기 발광 소자는 플랙시블 유기 발광 소자인 것인 유기 발광 소자. The method according to claim 1,
The organic light emitting device is an organic light emitting device that is a flexible organic light emitting device.
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KR1020150065376A KR102015037B1 (en) | 2015-05-11 | 2015-05-11 | Stacked organic light emitting device |
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KR1020150065376A KR102015037B1 (en) | 2015-05-11 | 2015-05-11 | Stacked organic light emitting device |
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2015
- 2015-05-11 KR KR1020150065376A patent/KR102015037B1/en active IP Right Grant
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