KR102009320B1 - Nano particle and manufacturing of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자는 코어, 상기 코어를 둘러싸는 쉘 및 상기 쉘에 결합되는 세자리 유기결합체(tridentate ligand)를 포함한다.Nanoparticles according to an embodiment of the present invention comprises a core, a shell surrounding the core and a tridentate ligand bonded to the shell.
Description
본 발명은 나노입자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 양자 점 또는 양자 라드를 이용한 나노입자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to nanoparticles and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a nanoparticle using a quantum dot or quantum rod and a method for producing the same.
양자 점(quantum dot, QD) 또는 양자 라드(quantum rods, QRs)는 나노 크기의 II-VI족, III-V족, I-III-VI족, IV-VI족 반도체 입자가 코어(core)를 이루는 입자를 말하며, 코어를 보호하기 위한 쉘(shell)과 분산을 돕기 위한 유기결합체(ligand)로 구분된다.Quantum dots (QDs) or quantum rods (QRSs) are nano-sized semiconductor particles of group II-VI, III-V, I-III-VI, and IV-VI semiconductor particles. It refers to the particles that make up, it is divided into a shell (shell) for protecting the core and an organic binder (ligand) to help dispersion.
이러한 양자 나노입자들은 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100∼1000배 크고 양자효율(quantum efficience)도 높으므로 매우 센 형광을 발생하며, 입자의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선 영역의 빛을 모두 낼 수 있다. 또한 여러 크기의 입자들이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있어 LED 조명, 액정 디스플레이 광원, 디스플레이 발광소자 재료 등의 다양한 응용처가 연구되고 있지만 중심(core)의 산화로 광학적 효율저하 문제를 가지고 있어 현재 상용화에 제한성을 가지고 있다.These quantum nanoparticles generate very strong fluorescence because the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher and the quantum efficiency is higher than that of general dyes. Can shine all In addition, when the particles of different sizes are made to emit light with one wavelength, they can emit various colors at once. Therefore, various applications such as LED lighting, liquid crystal display light sources, and display light emitting device materials are being studied. As it has a problem of optical efficiency deterioration, it is currently limited in commercialization.
양자 나노입자들은 코어가 산소와 반응하면 양자효율 저하와 형광 파장의 변화로 형광 수명, 색재현율이 감소된다. 이를 보완하기 위해 종래에는 쉘과 유기결합체로 코어의 산화를 방지하고 있지만, 고온 및 수분이 존재하는 상황에서 유기결합체가 쉘에서 떨어져 유실되게 되고 그 부분을 통해 산소가 침투하여 코어의 산화가 발생하게 된다.When the core reacts with oxygen, the quantum nanoparticles decrease the fluorescence lifetime and color reproducibility due to the decrease in quantum efficiency and the change in fluorescence wavelength. To compensate for this, the shell and the organic binder are conventionally prevented from oxidizing the core. However, in the presence of high temperature and moisture, the organic binder is separated from the shell and is lost. Oxygen penetrates through the portion to cause oxidation of the core. do.
도 1 및 도 2에서 나타나는 바와 같이, 동일한 성분을 가지는 금속 결정에서 큰 입자(bulk)와 나노입자(nano particle)은 산소에 대한 산화는 동일하게 나타나지만 큰 입자에 비해 나노입자는 산소와 반응할 수 있는 유효표면적이 더 크다. 따라서, 나노입자에 작은 양의 산화가 진행되어도 전체 물성에 많은 영향을 주게 되어, 양자효율의 감소 및 형광 파장의 변화가 나타나는 문제점이 있다.
As shown in FIGS. 1 and 2, in the metal crystal having the same component, the bulk particles and the nanoparticles have the same oxidation to oxygen, but the nanoparticles can react with the oxygen in comparison with the large particles. The effective surface area is greater. Therefore, even if a small amount of oxidation proceeds to the nanoparticles have a large effect on the overall physical properties, there is a problem that the decrease in the quantum efficiency and the change in the fluorescence wavelength.
본 발명은 양자 점 또는 양자 라드들의 열 및 수분 등 외부 환경에 의한 양자효율의 감소를 방지할 수 있는 나노입자 및 그 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a nanoparticle and a method of manufacturing the same that can prevent the reduction of quantum efficiency due to external environment such as heat and moisture of quantum dots or quantum rods.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자는 코어, 상기 코어를 둘러싸는 쉘 및 상기 쉘에 결합되는 세자리 유기결합체(tridentate ligand)를 포함한다.In order to achieve the above object, a nanoparticle according to an embodiment of the present invention includes a core, a shell surrounding the core, and a tridentate ligand bonded to the shell.
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타난다.The tridentate organic binder is represented by the following Chemical Formula 1.
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The core is made of any one or more of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb.
상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4, CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The shell is CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Mn 3 O 4 , CoO, Co 3 O 4 , NiO, MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe It is made of at least one of 2 O 4 , CoMn 2 O 4 .
상기 세자리 유기결합체는 지용성(hydrophobic), 수용성(hydrophilic), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The tridentate organic binder is composed of at least one of hydrophobic, hydrophilic, and silicon-based organic binders.
상기 나노입자는 양자 점(quantum dot) 또는 양자 라드들(quantum rods)로 이루어진다.The nanoparticles consist of quantum dots or quantum rods.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자의 제조방법은 코어, 쉘 및 유기결합체를 포함하는 나노입자의 제조방법에 있어서, 상기 유기결합체는 쉘에 결합된 한자리 유기결합체를 세자리 유기결합체로 치환하여 제조한다.In addition, the method for producing nanoparticles according to an embodiment of the present invention is a method for producing nanoparticles including a core, a shell, and an organic binder, wherein the organic binder is replaced by a single-dentate organic binder bonded to the shell by a tridentate organic binder. To prepare.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자의 제조방법은 코어, 쉘 및 세자리 유기결합체를 포함하는 나노입자의 제조방법에 있어서, 상기 코어와 상기 쉘의 합성 중에 상기 세자리 유기결합체를 도입하여 직접적으로 합성한다.In addition, the method for preparing nanoparticles according to an embodiment of the present invention is a method for preparing nanoparticles including a core, a shell, and a tridentate organic binder, wherein the tridentate organic binder is directly introduced during synthesis of the core and the shell. Synthesize by
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타난다.The tridentate organic binder is represented by the following Chemical Formula 1.
[화학식 1][Formula 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The core is made of any one or more of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb.
상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4, CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The shell is CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Mn 3 O 4 , CoO, Co 3 O 4 , NiO, MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe It is made of at least one of 2 O 4 , CoMn 2 O 4 .
상기 세자리 유기결합체는 지용성(hydrophobic), 수용성(hydrophilic), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.The tridentate organic binder is composed of at least one of hydrophobic, hydrophilic, and silicon-based organic binders.
상기 나노입자는 양자 점(quantum dot) 또는 양자 라드들(quantum rods)로 이루어진다.The nanoparticles consist of quantum dots or quantum rods.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 코어, 상기 코어를 둘러싸는 쉘 및 상기 쉘에 결합되는 세자리 유기결합체(tridentate ligand)를 포함하는 나노입자를 포함한다.
In addition, the display device according to an embodiment of the present invention includes a nanoparticle comprising a core, a shell surrounding the core, and a tridentate ligand bonded to the shell.
본 발명의 나노입자 및 그 제조방법은 세자리 유기결합체를 양자점의 표면에 높은 밀도로 결합시켜, 산소로부터 나노입자를 보호하고, 세자리 유기결합체로 분산능력을 확보 함으로써, 안정성, 색재현률, 발광효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 이에 따라, 나노입자를 이용한 액정 디스플레이 광원, LED 조명, 양자점 디스플레이 등 다양한 응용이 가능해진다.
The nanoparticles of the present invention and a method of manufacturing the same by bonding the tridentate organic binder to the surface of the quantum dot with high density, to protect the nanoparticles from oxygen, and to secure the dispersing capacity of the tridentate organic binder, stability, color reproduction rate, luminous efficiency There is an advantage that can be improved. Accordingly, various applications such as a liquid crystal display light source, an LED light, and a quantum dot display using nanoparticles are possible.
도 1은 큰 입자가 산화되는 것을 나타낸 모식도.
도 2는 나노입자가 산화되는 것을 나타낸 모식도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 합성예에 따라 제조된 물질 5의 NMR을 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명의 합성예에 따라 제조된 물질 7의 NMR을 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 제조예 1에 따른 양자 점의 제조방법을 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 제조예 2에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따라 제작된 양자 점의 신뢰성 측정 결과를 나타낸 그래프.1 is a schematic diagram showing that large particles are oxidized.
Figure 2 is a schematic diagram showing that the nanoparticles are oxidized.
3 and 4 are views showing nanoparticles according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph showing an NMR of
6 is a graph showing an NMR of the material 7 prepared according to the synthesis example of the present invention.
7 is a view showing a method of manufacturing a quantum dot according to Preparation Example 1 of the present invention.
8 is a view showing a method of manufacturing a quantum dot according to Preparation Example 2 of the present invention.
9 is a graph showing the results of measuring the reliability of the quantum dots produced in accordance with Comparative Examples and Examples of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자를 나타낸 도면이다. 본 발명의 나노입자는 디스플레이 장치에 사용되거나 발광 소자로 사용될 수 있는 양자 점(quantum dot) 또는 양자 라드들(quantum rods)을 포함하는 것으로, 먼저, 양자 점을 예로 설명하기로 한다.3 and 4 are views showing nanoparticles according to an embodiment of the present invention. The nanoparticles of the present invention include quantum dots or quantum rods that can be used in display devices or as light emitting devices. First, quantum dots will be described as an example.
도 3을 참조하면, 양자 점(100)은 밴드 갭(band gap)을 가지는 물질로 구성된 코어(core)(110) 및 상기 코어(110)를 둘러싼 밴드 갭이 큰 물질로 구성된 쉘(shell)(120), 그리고 상기 쉘(120) 상에 부착된 유기결합체(ligand)(130)로 구성된다. 양자 점(100)은 대략 지름 1 내지 10nm 정도의 크기의 구형으로 이루어져 있다. Referring to FIG. 3, the quantum dot 100 may include a
양자 점(100)에서 발하는 형광은 전도대(conduction band)에서 가전자대 (valence band)로 들뜬 상태의 전자가 내려오면서 발생하는 빛이다. 양자점(110)은 같은 물질의 코어로 구성되더라도 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라지며 입자의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며, 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역 형광을 대부분 낼 수 있다. 또한 일반적인 유기형광화합물과 달리, 발광파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 형광을 얻을 수 있으므로, 여러 가지 양자점이 공존할 때 하나의 파장으로 발광시킬 경우 여러 가지 색의 형광을 한꺼번에 관찰할 수 있다. The fluorescence emitted from the quantum dot 100 is light generated when electrons in an excited state fall from the conduction band to the valence band. Even if the
상기 코어(110)는 주기율표상의 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족으로 구성되는 반도체 특성의 나노결정(nanocrystal)으로 형성되며, 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭(bandgap)을 가져 빛을 흡수하여 고유의 파장으로 방출하게 된다. 예를 들어, 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 등의 화합물 또는 상기 원소들을 이용한 3~4종의 화합물을 사용한다. The
상기 쉘(120)은 코어(110)의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 패시베이션막(passivation layer)의 역할과, 양자점에 전기영동(electrophoresis) 특성을 부여하기 위한 챠징막(charging layer)의 역할을 한다. 쉘(120)은 코어(110)의 성분과 절연 특성을 가지는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4, CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상의 산소를 포함한 금속화합물(metal compound) 또는, 광학적 특성의 조절 및 향상을 위한 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb과 같은 반도체 화합물을 사용한다.The
그리고, 쉘(120)은 상술한 바와 같이 단층 혹은 다중층으로 이루어질 수도 있고, 코어와 보호막 간의 다른 성분 구성으로 인한 래티스 미스매치(lattice mismatch)효과를 최소화하기 위해 코어의 성분과 보호막 간의 성분들이 점진적인 농도로 형성되도록 구성한다. 또한, 쉘(120)은 10 내지 100nm의 두께로 이루어져 코어(110)를 보호하고 빛의 산란을 최적화한다. In addition, the
상기 유기결합체(130)는 상기 양자 점들(100) 간의 응집을 방지하고, 차징(charging) 특성을 부여하는 유기층으로 쉘(120)과 결합되고, 지용성(hydrophobic), 수용성(hydrophilic), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 이상으로 이루어진다. The
특히, 본 발명에서는 유기결합체(130) 중 세자리 유기결합체(tridentate ligand)를 사용하여 쉘(120)과 결합시킨다. 현재 양자 점에 사용되는 유기결합체(ligand)는 주로 한자리(monodentate) 유기결합체를 사용하고 있으며 특히 이들 중 TOP(trioctyl phosphine)나 TOPO(trioctyl phosphine oxide)는 부피가 큰(bulky) 알킬 체인(alkyl chain)을 가지고 있어 양자 점에 유기결합체가 붙어있지 않은 부분이 많을 수 밖에 없다. 이들 TOP, TOPO 유기결합체 대신 사용되는 한자리 유기결합체인 올레익 산(oleic acid) 혹은 헥사데실 아민(hexadecyl amine) 같은 경우에도 인접한 유기결합체들 끼리의 반발력에 의해 촘촘한 배열이 어렵다. 양자 점에 유기결합체가 최대한 촘촘히 배열되어있다고 가정 하더라도 이 둘 사이의 결합력은 양자 점의 금속(metal)과 유기결합체의 작용기 원소 간의 결합세기에 의해 결정된다. In particular, the present invention binds to the
본 발명에 사용되는 세자리 유기결합체는 이 두가지 약점을 보완하며 양자 점의 산화를 방지한다. 양자 점의 산화방지의 근거로는 첫째 구조상 양자 점을 감싸는 세자리 유기결합체의 밀도를 최대한으로 높여 유기물 보호막을 형성한다는 것과, 둘째 세자리 유기결합체는 최대 밀도의 유기결합체의 도입을 전제했을 때 가질 수 있는 최대한의 결합자리를 갖는다. 이는 단일 결합자리가 갖는 결합세기 외에 분자체에 의해 제공되는 추가적인 결합세기를 제공한다. 두 가지 효과를 합치면 본 발명은 양자 점과 단단히 붙어있는 촘촘한 유기 박막의 형성이라 할 수 있다.The tridentate organic binder used in the present invention compensates for these two weaknesses and prevents the oxidation of quantum dots. The reason for the oxidization of quantum dots is that the structure of the organic protective film is formed by increasing the density of the triple bond organic binder surrounding the quantum dots to the maximum, and the second triple bond organic binder can be obtained when the organic binder has the maximum density. It has the maximum coupling position. This provides additional binding strength provided by the molecular sieve in addition to the binding strength of a single binding site. When the two effects are combined, the present invention can be referred to as forming a dense organic thin film firmly attached to quantum dots.
상기한 장점을 구현할 수 있는 세자리 유기결합체는 다음과 같은 조건을 가져야 한다. 첫째, 유기결합체는 유기결합체간 반발력이 최소화가 되어야 하고, 둘째, 유기결합체는 양자 점과 결합을 이루는 부분 외에 반응성이 거의 없어야 한다. 셋째로는 유기결합체의 끝부분은 용액화 과정을 위해 용매에 따라 지용성 유기결합체, 수용성 유기결합체, 실리콘계 유기 결합체 등 여러 가지 유기결합체로 응용이 가능할 수 있어야 한다. Tridentate organic binder that can implement the above advantages should have the following conditions. First, organic binders should have minimal repulsion between organic binders, and second, organic binders should have little reactivity other than quantum dots. Third, the end of the organic binder should be able to be applied to various organic binders, such as fat-soluble organic binder, water-soluble organic binder, silicon-based organic binder depending on the solvent for the solution process.
따라서, 본 발명은 이러한 조건들을 만족하는 하기 화학식 1로 나타나는 세자리 유기결합체를 제공한다. Accordingly, the present invention provides a tridentate organic binder represented by the following
[화학식 1][Formula 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 R(알킬 체인)은 나노입자의 분산성을 부여하기 위한 것으로, 다르게 표현하면 용액화가 가능하게 하는 역할을 한다. 상기 Y는 세 개의 결합력을 가지는 작용기(X)와 R을 결합하기 위해 중간의 작용기의 역할을 한다. 그리고, 상기 X는 쉘(120)에 결합하는 작용기의 역할을 한다. The R (alkyl chain) is for imparting dispersibility of the nanoparticles, and in other words, serves to enable solution. Y serves as an intermediate functional group to combine R and R having three binding forces. X serves as a functional group that binds to the
상기 화학식 1로 나타나는 세자리 유기결합체는 예를 들면 하기 화학식 2 및 3의 유기결합체일 수 일 수 있다.The tridentate organic binder represented by
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
전술한 본 발명의 세자리 유기결합체는 쉘과 결합하는 말단의 세자리가 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어짐으로써, 단일 결합자리가 갖는 결합세기 외에 분자체에 의해 제공되는 추가적인 결합세기를 제공한다.The tridentate organic binder of the present invention described above is composed of any one selected from the group consisting of PH 2 , SH, or NH 2 at the terminal binding to the shell, thereby providing an additional bond strength provided by the molecular sieve in addition to the bond strength of the single bond site. do.
한편, 도 4를 참조하면, 본 발명의 나노입자는 도 3의 양자 점 외에 도 4에 도시된 양자 라드들일 수 있다. 양자 라드들은 전술한 양자 점과 동일하게 코어(110), 코어(110)를 둘러싸는 쉘(120) 및 세자리 유기결합체(130)로 구성된다. 양자 라드는 막대(rod) 형태로 이루어진 것 외에 양자 점과 구성 및 성질이 대부분 동일하나, 그 형태 및 구조가 다르다. Meanwhile, referring to FIG. 4, the nanoparticles of the present invention may be quantum rods shown in FIG. 4 in addition to the quantum dots of FIG. 3. The quantum rods are composed of the
이하, 본 발명의 세자리 유기결합체의 합성예 및 나노입자에 관하여 하기 합성예 및 실시예에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the synthesis examples and nanoparticles of the tridentate organic binder of the present invention will be described in detail in the following synthesis examples and examples. However, the following examples are merely to illustrate the present invention is not limited to the following examples.
세자리 유기결합체의 합성예Synthesis Example of Tridentate Organic Binder
반응 기구에 수산화칼륨(KOH, 12.63 g, 225.2 mmol)과 n-데실 브로마이드(n-decyl bromide, 9.56 g, 6.65 mL, 55.6 mmol)를 다이메틸 설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO)(50 mL)를 넣어 교반 후 고체 HOCH2C(CH2O)3CCH3 (7.67 g, 47.9 mmol)를 넣어 45분간 상온에서 교반하여 반응시킨다. 그 다음 증류수 100 mL을 넣고 다이에틸 에테르(diethyl ether) 350 mL와 함께 추출하여 유기 용액층을 분리해 내어 건조하여 물질 1을 제조한다. Potassium hydroxide (KOH, 12.63 g, 225.2 mmol) and n-decyl bromide (9.56 g, 6.65 mL, 55.6 mmol) were added to the reaction apparatus with dimethyl sulfoxide (DMSO) (50 mL). After stirring, solid HOCH 2 C (CH 2 O) 3 CCH 3 (7.67 g, 47.9 mmol) was added thereto, and stirred for 45 minutes at room temperature to react. Then, add 100 mL of distilled water, extract with 350 mL of diethyl ether, separate the organic solution layer, and dry to prepare
염산(HCl) 수용액(23.8 mmol, 2 mol / L, 12 mL)을 메탄올(methanol) 40 mL에 녹인 후, 물질 1(14.7 mmol)에 넣고 6시간 교반한다. 탄산나트륨(Na2CO3, 1.80 g, 17.0 mmol)을 주입하고 3시간을 추가로 상온에서 교반한 뒤 용매를 제거한 후에 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)를 넣고 셀라이트(Celite)를 통해 필터한다. 최종 물질의 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)를 건조 후 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)를 이용하여 분리하여 물질 2를 제조한다.Hydrochloric acid (HCl) aqueous solution (23.8 mmol, 2 mol / L, 12 mL) was dissolved in 40 mL of methanol (methanol), and then added to the material 1 (14.7 mmol) and stirred for 6 hours. Sodium carbonate (Na 2 CO 3 , 1.80 g, 17.0 mmol) was injected and stirred for an additional 3 hours at room temperature, and then the solvent was removed. Then, methylene chloride was added and filtered through Celite. Methylene chloride (methylene chloride) of the final material is dried and separated by column chromatography (column chromatography) to prepare a
상기 물질 2(59.52 mmol)를 피리딘(pyridine)(60 mL)에 녹인후 -5℃의 배쓰(bath)에서 p-톨루엔설포닐 클로라이드(p-toluenesulfonyl chloride)(238.1 mmol)을 주입하고 0℃에서 2시간을 교반한 후 상온에서 24시간 교반한다. 혼합물의 침전물은 필터하여 제거하고 차가운 다이에틸 에테르(diethyl ether)로 세척하여 생성물을 건조하여 물질 3을 제조한다. The substance 2 (59.52 mmol) was dissolved in pyridine (60 mL), and then p-toluenesulfonyl chloride (238.1 mmol) was injected in a bath at -5 ° C and at 0 ° C. After stirring for 2 hours, the mixture is stirred at room temperature for 24 hours. The precipitate of the mixture is filtered off and washed with cold diethyl ether to dry the product to prepare
상기 물질 3(2.93 mmol)과 싸이오사이안산칼륨(potassium thiocyanate, KSCN)(3.70 g, 38.1 mmol)을 dry 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF)(15 mL)에 녹인 후 140℃에서 6시간 교반한다. 혼합물에 증류수를 넣고 5℃에서 12시간 보관하여 형성된 침전물을 증류수로 세척한 후 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)(320 mL)에 넣고 추출하여 불순물을 제거한 후 건조하여 물질 4를 제조한다.The substance 3 (2.93 mmol) and potassium thiocyanate (KSCN) (3.70 g, 38.1 mmol) were dissolved in dry dimethylformamide (15 mL) and stirred at 140 ° C. for 6 hours. do. Distilled water was added to the mixture and stored at 5 ° C. for 12 hours, and the precipitate formed was washed with distilled water, and then poured into methylene chloride (320 mL) to remove impurities, followed by drying to prepare
물질 4(6.01 mmol)를 다이에틸 에테르/테트라하이드로퓨란(diethyl ether/Tetrahydrofurane(THF))(1:1, 10 mL)에 녹인 용액을 다이에틸 에테르(diethyl ether)(15 mL)에 수소화알루미늄리튬(LiAlH4)(0.46 g, 12.0 mmol)을 녹인 혼합물에 질소 기류하에서 주입한다. 혼합물을 3시간 교반 후 포화된 염화암모늄(NH4Cl) 수용액에 다이에틸 에테르(diethyl ether)와 함께 추출한다. 이렇게 얻은 최종 혼합물을 컬럼 크로마토그래피를 통해 물질 5를 분리하여 얻어낸다.Substance 4 (6.01 mmol) in diethyl ether / Tetrahydrofurane (THF) (1: 1, 10 mL) was dissolved in diethyl ether (15 mL) lithium aluminum hydride (LiAlH 4 ) (0.46 g, 12.0 mmol) was added to the mixture under nitrogen stream. The mixture was stirred for 3 hours and then extracted with diethyl ether in saturated aqueous ammonium chloride (NH 4 Cl) solution. The final mixture thus obtained is obtained by separating off
상기 물질 3(2.93 mmol)을 소듐 아자이드(sodium azide)(9.376 mmol)와 다이메틸폼아마이드 50 mL을 넣고 24시간 교반한다. 다이에텔 에테르와 증류수를 이용하여 추출 후 건조하여 물질 6을 제조한다. To the material 3 (2.93 mmol) was added sodium azide (9.376 mmol) and 50 mL of dimethylformamide and stirred for 24 hours.
앞에서 합성된 물질 6을 테트라하이드로퓨란 30 mL에 팔라듐 활성 카본(palladium activated carbon)을 넣고 수소를 주입하여 1 atm에서 24시간 교반한다. 혼합물의 정제는 증류를 통해 물질 7을 분리한다. Palladium activated carbon was added to 30 mL of tetrahydrofuran synthesized in the above, and hydrogen was injected and stirred at 1 atm for 24 hours. Purification of the mixture separates material 7 through distillation.
따라서, 최종적으로 물질 5와 같이 말단에 SH가 존재하는 세자리 유기결합체와, 물질 7과 같이 말단에 NH2가 존재하는 세자리 유기결합체가 제조된다. 도 5는 물질 5의 NMR을 나타낸 그래프이고, 도 6은 물질 7의 NMR을 나타낸 그래프이다. 도 5 및 도 6의 NMR 그래프에 나타난 바와 같이, 전술한 합성방법을 통해 물질 5와 물질 7의 합성이 이루어진 것을 확인할 수 있다.
Thus, finally, a tridentate organic binder in which SH is present at the end as in
이하, 앞에서 제조된 세자리 유기결합체들을 사용한 나노입자를 제작한 제조예를 개시한다. 하기에서는 2가지 방법의 제조예들로 나노입자를 제조하는 것을 개시하며 나노입자의 예로 양자 점을 제조예로 개시한다. Hereinafter, a preparation example of manufacturing nanoparticles using the tridentate organic binders prepared above will be disclosed. In the following, preparation of nanoparticles is disclosed by the preparation examples of two methods, and examples of the nanoparticles are disclosed as preparation examples.
도 7은 본 발명의 제조예 1에 따른 양자 점의 제조방법을 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 제조예 2에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면이다. 하기 제조예 1은 기존에 합성된 양자 점 표면의 한자리 유기결합체(ligand)를 본원의 세자리 유기결합체로 치환하는 방법을 설명한다. 또한, 하기 제조예 2는 양자 점 합성 도중에 본원의 세자리 유기결합체를 넣어 표면에 유기결합체를 직접적으로 도입하는 방법을 나타낸다. 상기 제조예 1은 여러가지 양자 점 중 합성조건의 이유로 한자리 유기결합체를 사용해야 하는 경우에 치환을 통하여 상기 유기결합체를 도입하는 방법이고, 제조예 2는 합성조건 중 세자리 유기결합체를 도입할 수 있는 경우에 직접적인 주입(direct injection)으로 세자리 유기결합체를 도입하는 방법이다.
7 is a view showing a method of manufacturing a quantum dot according to Preparation Example 1 of the present invention, Figure 8 is a view showing a method of manufacturing a quantum dot according to Preparation Example 2 of the present invention. Preparation Example 1 below describes a method of substituting a monodentate organic binder (ligand) on the surface of a conventionally synthesized quantum dot with a tridentate organic binder of the present application. In addition, Preparation Example 2 below shows a method of introducing the organic binder directly onto the surface by inserting the tridentate organic binder of the present application during quantum dot synthesis. Preparation Example 1 is a method of introducing the organic binder through substitution in the case of using a single-digit organic binder for the synthetic conditions of the various quantum dots, Preparation Example 2 in the case of introducing a three-digit organic binder in the synthetic conditions It is a method of introducing a tridentate organic binder by direct injection.
제조예 1Preparation Example 1
도 7을 참조하면, 코어(110) 및 쉘(120)에 한자리 유기결합체(125)가 결합된 배어 양자 점(bare QD)에 세자리 유기결합체(tridentate ligand) 100mM(in Chloroform)(130)을 10mL 주입하고 24시간 동안 상온에서 교반한다. 그리고, 메탄올(Methanol)을 주입하여 세자리 유기결합체와 결합한 양자 점에 침전을 형성한 후 톨루엔에 재분산한다. 이로써, 배어 양자 점에 결합된 한자리 유기결합체가 세자리 유기결합체로 치환된다.
Referring to FIG. 7, 10 mL of a tridentate ligand (100 mM) in Chloroform (130) 130 in bare QD, in which single-site
제조예 2Preparation Example 2
1) Zn stock Soln. 제조1) Zn stock Soln. Produce
산화아연(ZnO) 5 mmol, 14.1 mL의 올레익 산(oleic acid), 35.9 mL의 1-옥타디센(1-octadecene)을 반응 용기에 주입하여 120℃ 분위기의 진공하에서 1시간 동안 수분과 산소를 제거 후, 질소 기류하에서 280℃로 교반한다.5 mmol of zinc oxide (ZnO), 14.1 mL of oleic acid, and 35.9 mL of 1-octadecene were injected into the reaction vessel, and water and oxygen were removed for 1 hour under vacuum at 120 ° C. After removal, the mixture is stirred at 280 ° C under a stream of nitrogen.
2) S stock Soln. 제조2) S stock Soln. Produce
설퍼(Sulfur) 5 mmol, 50 mL의 ODE를 120℃ 분위기의 진공하에서 1시간 동안 수분과 산소를 제거 후 질소 기류하에서 180℃로 교반한다.
그리고, 5 mL의 ODE, 1.5 mL의 Core QD Hexane Soln. (∼1 × 10-4 mmol), 세자리 유기결합체 2g을 반응용기에 넣고 100℃에서 수분 및 용매 제거 후 질소 기류하에서 200℃에서 교반한다. 준비된 Zn stock Soln. 93 μL를 반응 플라스크에 빠르게 주입 후 15분간 교반한 후 S stock Soln.을 93μL dropwise 후 15분간 교반하면 1 모노레이어의 ZnS 쉘이 형성된다.(2 ML=Zn, S stock Soln. 각각 0.17 mL, 3ML = 0.22 mL, 4ML = 0.29 mL을 차례로 주입) 합성된 CdSe@ZnS는 헥산(Hexane)과 메탄올(MeOH)를 이용하여 추출 후 아세톤(Acetone)을 이용하여 침전법으로 정제한다. 정제된 양자 점은 톨루엔(Toluene)에 분산하여 보관한다.
And 5 mL of ODE, 1.5 mL of Core QD Hexane Soln. (~ 1 × 10-4 mmol) and 2 g of tridentate organic binder are placed in a reaction vessel and stirred at 200 ° C. under nitrogen stream after removing water and solvent at 100 ° C. Prepared Zn stock Soln. After rapid injection of 93 μL into the reaction flask, the solution was stirred for 15 minutes and then S stock Soln. Was stirred for 15 minutes after 93 μL dropwise to form 1 monolayer of ZnS shell (2 mL = Zn, S stock Soln, 0.17 mL, respectively). 3ML = 0.22 mL, 4ML = 0.29 mL in order) The synthesized CdSe @ ZnS is extracted with hexane (Hexane) and methanol (MeOH) and purified by precipitation using acetone (Acetone). Purified quantum dots are stored dispersed in toluene.
이하, 앞서 제조된 제조예 1에 따라 제조된 양자 점을 실시예로 하고, 종래 한자리 유기결합체를 가진 양자 점을 비교예로 하여, 비교예 및 실시예에 따라 제작된 양자 점의 신뢰성 측정 결과를 도 9에 나타내었다. Hereinafter, the quantum dots prepared according to Preparation Example 1 prepared above as an example, and the conventional quantum dot having a single-digit organic binder as a comparative example, the reliability measurement results of the quantum dots produced according to the comparative examples and examples 9 is shown.
신뢰성 측정은 온도 85℃ 및 습도 85%의 분위기 하에서 측정하였다. 상기 실시예의 양자 점은 앞선 물질 5로 나타나는 세자리 유기결합체를 치환하여 형성하였다.The reliability measurement was measured under an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity. The quantum dot of the above example was formed by substituting the tridentate organic binder represented by the
도 9를 참조하면, 비교예에 따른 양자 점은 날이 지날수록 형광강도가 점점 감소되다가 6일째 되는 날에는 처음의 형광강도 대비 약 49%가 감소되었다. 반면, 실시예에 따른 양자 점은 2일째에 형광강도의 감소가 멈추고 유지되면서 6일째 되는 날에는 처음의 형광강도 대비 약 21%가 감소되었다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 양자 점의 신뢰성 측정 결과 비교예에 비해 월등히 우수한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 9, the quantum dot according to the comparative example gradually decreased as the day passed, and on
본 발명의 나노입자 및 그 제조방법은 세자리 유기결합체를 양자점의 표면에 높은 밀도로 결합시켜, 산소로부터 나노입자를 보호하고, 세자리 유기결합체로 분산능력을 확보 함으로써, 안정성, 색재현률, 발광효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 이에 따라, 나노입자를 이용한 액정 디스플레이 광원, LED 조명, 양자점 디스플레이 등 다양한 응용이 가능해진다.The nanoparticles of the present invention and a method of manufacturing the same by bonding the tridentate organic binder to the surface of the quantum dot with high density, to protect the nanoparticles from oxygen, and to secure the dispersing capacity of the tridentate organic binder, stability, color reproduction rate, luminous efficiency There is an advantage that can be improved. Accordingly, various applications such as a liquid crystal display light source, an LED light, and a quantum dot display using nanoparticles are possible.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the above-described technical configuration of the present invention may be embodied in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.
100 : 나노입자 110 : 코어
120 : 쉘 130 : 세자리 유기결합체100: nanoparticle 110: core
120: shell 130: tridentate organic binder
Claims (14)
상기 코어를 둘러싸는 쉘; 및
상기 쉘에 결합되는 세자리 유기결합체(tridentate ligand)를 포함하고,
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타나는 나노입자.
[화학식 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.
core;
A shell surrounding the core; And
It includes a tridentate ligand bonded to the shell,
The tridentate organic binder is a nanoparticle represented by the following formula (1).
[Formula 1]
Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자.
According to claim 1,
The core is a nanoparticle consisting of any one or more of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb.
상기 쉘은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4, CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자.
According to claim 1,
The shell is SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Mn 3 O 4 , CoO, Co 3 O 4 , NiO , Nanoparticles consisting of one or more of MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CoMn 2 O 4 .
상기 세자리 유기결합체는 지용성(hydrophobic), 수용성(hydrophilic), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자.
According to claim 1,
The tridentate organic binder is a nanoparticle consisting of any one or more of a hydrophobic, hydrophilic, and silicon-based organic binder.
상기 나노입자는 양자 점(quantum dot) 또는 양자 라드들(quantum rods)로 이루어지는 나노입자.
According to claim 1,
The nanoparticles are made of quantum dots (quantum dot) or quantum rods (quantum rods) nanoparticles.
상기 유기결합체는 쉘에 결합된 한자리 유기결합체를 세자리 유기결합체로 치환하여 제조하고,
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타나는 나노입자의 제조방법.
[화학식 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.
In the method for producing a nanoparticle comprising a core, a shell and an organic binder,
The organic binder is prepared by substituting a single bond organic bond bonded to a shell with a triple bond organic bond,
The tridentate organic binder is a method for producing nanoparticles represented by the following formula (1).
[Formula 1]
Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 코어와 상기 쉘의 합성 중에 상기 세자리 유기결합체를 도입하여 직접적으로 합성하고,
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타나는 나노입자의 제조방법.
[화학식 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.
In the method for producing a nanoparticle comprising a core, a shell and a tridentate organic binder,
Direct synthesis by introducing the tridentate organic binder during synthesis of the core and the shell,
The tridentate organic binder is a method for producing nanoparticles represented by the following formula (1).
[Formula 1]
Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자의 제조방법.
The method according to any one of claims 7 to 8,
The core is a method for producing nanoparticles consisting of any one or more of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb.
상기 쉘은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4, CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자의 제조방법.
The method according to any one of claims 7 to 8,
The shell is SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Mn 3 O 4 , CoO, Co 3 O 4 , NiO , MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CoMn 2 O 4 A method for producing a nanoparticle consisting of at least one.
상기 세자리 유기결합체는 지용성(hydrophobic), 수용성(hydrophilic), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 이상으로 이루어진 나노입자의 제조방법.
The method according to any one of claims 7 to 8,
The tridentate organic binder is a method for producing nanoparticles consisting of any one or more of a hydrophobic, hydrophilic, and silicon-based organic binder.
상기 나노입자는 양자 점(quantum dot) 또는 양자 라드들(quantum rods)로 이루어지는 나노입자의 제조방법.
The method according to any one of claims 7 to 8,
The nanoparticle is a method for producing a nanoparticle consisting of quantum dots (quantum dot) or quantum rods (quantum rods).
상기 세자리 유기결합체는 하기 화학식 1로 나타나는 디스플레이 장치.
[화학식 1]
여기서, R은 , 또는 중 선택된 어느 하나로 이루어지고 이때, n은 1 내지 3이다. 또한, Y는 CH2, O 또는 N 중 선택된 어느 하나로 이루어지고, X는 PH2, SH 또는 NH2 중 선택된 어느 하나로 이루어진다.A nanoparticle comprising a core, a shell surrounding the core, and a tridentate ligand bonded to the shell,
The tridentate organic binder is represented by Formula 1 below.
[Formula 1]
Where R is , or And any one selected from among n is 1 to 3. In addition, Y is made of any one selected from CH 2 , O or N, X is made of any one selected from PH 2 , SH or NH 2 .
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Patent Citations (1)
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