KR101993110B1 - Manufacturing Method Of A High-Purity Electrostatic Chuck And Using Press Bonding And the Electrastatic Chuck - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a manufacturing method of a high-purity electrostatic chuck, which overlaps a second sintered body having slightly lower purity than a first sintered body with the first sintered body and allows the sintered bodies to be bonded in a liquid state by a molten material of a sintering aid contained in the second sintered body in a state of pressurizing the overlapped sintered bodies at a high temperature. A bonding surface between the sintered bodies is continued without being separated and bending deflection caused by a difference of a thermal expansion coefficient can be reduced.

Description

가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법 및 그 정전척{Manufacturing Method Of A High-Purity Electrostatic Chuck And Using Press Bonding And the Electrastatic Chuck}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a manufacturing method of a high-purity electrostatic chuck by pressure bonding,

본 발명은 고순도, 특히 99.9% 이상의 고순도 알루미나 정전척을 제조하는 방법과 그 정전척에 관련된다.The present invention relates to a method for producing an alumina electrostatic chuck of high purity, particularly 99.9% or more, and its electrostatic chuck.

반도체, 디스플레이 공정 등에서 기판을 홀딩하기 위한 용도로 정전척이 사용된다. 반도체 식각공정의 정전척은 플라즈마에 노출되기 때문에 높은 내식성과 절연 특성이 요구된다. 회로패턴의 선폭 초미세화 및 다층화에 따라 식각공정 시간이 길어지고, 정전척은 고온 및 고밀도의 플라즈마 환경에 장시간 노출된다.An electrostatic chuck is used for holding a substrate in a semiconductor or a display process. Since the electrostatic chuck of a semiconductor etching process is exposed to a plasma, high corrosion resistance and insulation characteristics are required. As the line width of the circuit pattern becomes finer and multilayered, the etching process time becomes longer, and the electrostatic chuck is exposed to the plasma environment of high temperature and high density for a long time.

상기 내식성 및 절연 특성의 충족을 위해 정전척은 고순도, 고밀도의 세라믹으로 제조된다. 고순도 세라믹으로 제조된 정전척은 내식성이 우수하여 식각공정 중에 정전척에 기인한 파티클의 발생률을 낮추고 또한 유전손실이 적어 장시간 척킹력을 유지할 수 있다. 고순도 및 고밀도 세라믹으로 제조된 정전척은 절연 특성 혹은 내전압 특성이 우수하다.In order to satisfy the above-described corrosion resistance and insulation characteristics, the electrostatic chuck is made of ceramic of high purity and high density. The electrostatic chuck made of high purity ceramics is excellent in corrosion resistance, so that the generation rate of particles caused by the electrostatic chuck can be lowered during the etching process, and the chucking force can be maintained for a long time because of low dielectric loss. The electrostatic chuck made of high purity and high density ceramics is excellent in insulation property or withstand voltage characteristic.

고밀도를 갖는 세라믹 정전척을 얻기 위해 통상적으로 세라믹 정전척은 가압 및 열처리를 함께 수행할 수 있는 핫프레스 방식으로 제조된다.In order to obtain a ceramic electrostatic chuck having a high density, a ceramic electrostatic chuck is usually manufactured by a hot press method capable of performing both pressurization and heat treatment.

상기 세라믹 정전척은 일례로서 알루미나 분말로 제작된 성형체를 가압 소결함에 의해서 제작될 수 있다. 성형체는 알루미나 분말을 가압성형하여 원반형의 1차 성형체를 제작하는 공정, 1차 성형체의 편면에 전극을 인쇄하는 공정, 1차 성형체의 전극 인쇄면 위에 알루미나 분말을 충진하고 가압 성형하여 2차 성형체를 제작하는 공정, 그리고 2차 성형체를 고온에서 가압 소결하는 공정을 거쳐 제조될 수 있다.The ceramic electrostatic chuck can be manufactured by press-sintering a formed body made of alumina powder as an example. The molded body is manufactured by a process comprising the steps of: forming a disk-shaped primary molded body by pressurizing the alumina powder; printing an electrode on one side of the primary molded body; filling the alumina powder onto the electrode printed surface of the primary molded body; And a step of pressing and sintering the secondary molded body at a high temperature.

다른 예로서 상기 세라믹 정전척은 알루미나의 제1 소결체를 제작하는 공정, 제1 소결체의 편면에 전극을 인쇄하는 공정, 제1 소결체의 전극 인쇄면 위에 알루미나 분말을 충진하고 가압 성형하는 공정, 얻어진 성형체를 고온에서 가압 소결하는 공정을 거쳐 제조될 수 있다.As another example, the ceramic electrostatic chuck may include a step of producing a first sintered body of alumina, a step of printing an electrode on one side of the first sintered body, a step of filling alumina powder on the electrode printed surface of the first sintered body and pressing the resultant, And pressing and sintering at a high temperature.

아래 표 1은 종래 핫프레스 방식에 의해 제조된 고순도 및 고밀도의 세라믹 정전척을 X-선 형광분석기(XRF)를 이용하여 성분 분석한 결과를 보인 것이다. 표 1에서 보듯이 정전척에 탄소가 약 2.8 질량% 잔류하며, 이 잔류 탄소로 인해 정전척의 알루미나 순도는 97%에도 미치지 못한다. 이 정전척은 높아지는 내전압 요구에 부합하지 못한다. 최근 99.9% 이상의 고순도 정전척이 요구되고 있다.Table 1 below shows the results of component analysis of a high-purity and high-density ceramic electrostatic chuck manufactured by a conventional hot press method using an X-ray fluorescence analyzer (XRF). As shown in Table 1, about 2.8 mass% of carbon remains in the electrostatic chuck, and the residual purity of the electrostatic chuck is less than 97% due to the residual carbon. This electrostatic chuck does not meet the increased withstand voltage requirement. Recently, a high purity electrostatic chuck having a purity of 99.9% or more is required.

Figure 112019020995335-pat00001
Figure 112019020995335-pat00001

상기 세라믹 정전척 내의 잔류 탄소는 성형체, 구체적으로는 알루미나 분말을 이용한 성형체 제작에 사용된 바인더나, 전극 페이스트 등에 존재하는 탄소 성분에 기인한다. 소결과정에 탄소 성분이 완전히 배출되지 못한 것이다. 99.9% 이상 고순도의 정전척 제조기술 개발이 요구된다.The residual carbon in the ceramic electrostatic chuck is attributed to the carbon component present in the formed body, specifically in the binder used in the production of the molded body using the alumina powder, electrode paste and the like. The carbon content was not completely discharged during the sintering process. It is required to develop electrostatic chuck manufacturing technology with high purity of 99.9% or more.

세라믹 정전척은 한국특허공개 제2009-0075887호에 소개된 것과 같이 제1 그린시트의 일면에 전극을 인쇄하고 그 위에 제2 그린시트를 적층하는 공정과, 제1 및 제2 그린시트를 함께 공소결하는 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 공소결에 의해 제조된 정전척은 소결 과정 중 발생하는 내부 응력으로 인해 휘어지는 문제가 있다. 이 내부 응력은 세라믹 재료와 전극 재료 간의 열팽창 차이 등으로 인해 발생할 수 있다.The ceramic electrostatic chuck includes a step of printing an electrode on one surface of a first green sheet and laminating a second green sheet thereon, as disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2009-0075887, and a step of laminating the first and second green sheets together And can be manufactured through a coupling process. The electrostatic chuck produced by the sintering process has a problem of warping due to the internal stress generated during the sintering process. This internal stress may be caused by a difference in thermal expansion between the ceramic material and the electrode material.

세라믹 정전척은 접합재를 이용하여 제작될 수 있다. 2개의 세라믹 플레이트를 각각 고순도의 알루미나 분말 원료를 사용하여 제작한 후, 이들을 본딩 접합하면 고순도 정전척을 얻을 가능성이 있다. 그러나 이 방법에 의하면 소결 중 접합재가 세라믹 플레이트들에 확산되는 점, 재료들 간의 열팽창 차이로 인해 균열이 발생되는 점, 접합층의 낮은 플라즈마 내식성 등이 문제될 수 있다.The ceramic electrostatic chuck can be manufactured using a bonding material. It is possible to obtain a high purity electrostatic chuck by fabricating two ceramic plates each using a raw material of alumina powder of high purity and bonding them together. However, according to this method, cracks are generated due to diffusion of the bonding material into the ceramic plates during sintering, difference in thermal expansion between the materials, and low plasma corrosion resistance of the bonding layer.

본 발명은 위와 같은 종래기술에 대한 인식에 기초한 것으로 플라즈마에 대한 내식성 및 내절연 특성이 우수한 고순도 정전척의 제조방법 및 그 정전척을 제공하고자 한다.The present invention provides a method for manufacturing a high-purity electrostatic chuck having excellent corrosion resistance and insulation properties against plasma, based on recognition of the above-described prior art, and an electrostatic chuck thereof.

또한 본 발명은 알루미나 함량 99.9% 질량 이상의 고순도를 갖는 정전척 제조방법 및 그 정전척을 제공하고자 한다.The present invention also provides a method for manufacturing an electrostatic chuck having an alumina content of 99.9% by mass or more and an electrostatic chuck thereof.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 반드시 위에 언급된 사항에 국한되지 않으며, 미처 언급되지 않은 또 다른 과제들은 이하 기재되는 사항에 의해서도 이해될 수 있을 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not necessarily limited to those described above, and other tasks not mentioned in the present invention may be understood by the following.

위 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고순도 정전척 제조방법은 a) 제1 소결체의 일면에 제2 소결체의 일면을 포개는 단계, 여기서 제2 소결체는 제1 소결체보다 순도가 낮으며, 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제를 0.5 질량% 이상 포함하고, 제1 소결체와 제2 소결체 중 적어도 어느 하나에 전극이 마련됨; 및 b) 포개진 소결체들을 가압하고 1400~1580℃에서 열처리하여 소결체들의 계면에서 제2 소결체에 함유된 소결 보조제에 의한 액상 접합이 이루어지도록 하는 단계;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a high purity electrostatic chuck, comprising: a) stacking one surface of a second sintered body on one surface of a first sintered body, wherein the second sintered body has a lower purity than the first sintered body, At least one of the first sintered body and the second sintered body is provided with an electrode, the sintering aid being melted at 1580 ° C in an amount of 0.5% by mass or more; And b) pressurizing the superposed sintered bodies and subjecting the superposed sintered bodies to heat treatment at 1400 to 1580 캜 so that liquid bonding by the sintering aid contained in the second sintered body is performed at the interface of the sintered bodies.

통상 정전척, 보다 구체적으로는 기판을 홀딩하기 위한 척 플레이트는 전극, 전극 상부의 유전층 및 전극 하부의 절연층(또는 유전층)을 구비한다. 반도체 식각공정에서 플라즈마에 주요하게 노출되는 부위는 유전층이다. 유전층이 순도 99.9% 이상으로 제작된다면 절연층은 유전층보다는 다소 낮은 순도로 제작되어도 무방할 수 있다.Typically, an electrostatic chuck, more specifically a chuck plate for holding a substrate, has electrodes, a dielectric layer over the electrodes, and an insulating layer (or dielectric layer) below the electrodes. In the semiconductor etching process, the main exposed portion of the plasma is the dielectric layer. If the dielectric layer is made with a purity of 99.9% or more, the insulating layer may be fabricated with a lower purity than the dielectric layer.

본 발명에 의하면 상기 소결체들은 알루미나를 주원료로 하는 소결체들로서 제1 소결체의 순도는 99.9% 이상일 수 있다. 제2 소결체의 순도는 99.5% 미만, 나아가 85% 이상 99.5% 미만, 더 나아가 90% 이상 99% 미만일 수 있다. 제2 소결체의 순도가 85% 보다 낮은 경우 제1 소결체와의 열팽창 계수 차이로 인한 접합된 플레이트에 과도한 휨 변형이 발생될 수 있다. 제2 소결체의 순도가 99.5% 이상인 경우 소결 보조제에 기인한 액상 접합이 원활하지 않을 수 있다. 제2 소결체는 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제를 0.5 질량% 이상, 나아가 1 질량% 이상 포함할 수 있다.According to the present invention, the sintered bodies are sintered bodies using alumina as the main material, and the purity of the first sintered body may be 99.9% or more. The purity of the second sintered body may be less than 99.5%, further more than 85% and less than 99.5%, further more than 90% and less than 99%. If the purity of the second sintered body is lower than 85%, excessive bending deformation may occur in the bonded plate due to the difference in thermal expansion coefficient from the first sintered body. If the purity of the second sintered body is 99.5% or more, the liquid phase bonding due to the sintering aid may not be smooth. The second sintered body may contain 0.5% by mass or more, and further 1% by mass or more, of the sintering aid which is melted at 1400 to 1580 ° C.

본 발명에 의하면 적어도 상기 제1 소결체는 내전압의 향상을 위해 99.9% 이상의 고밀도(상대밀도)로 제작될 수 있다.According to the present invention, at least the first sintered body can be manufactured at a high density (relative density) of 99.9% or more in order to improve the withstand voltage.

본 발명에 따라 소결체들을 액상 접합함에 의해 유전층(제1 소결체에 대응)과 절연층(제2 소결체에 대응) 간에 이질적인 접합층이 발생되지 않고 접합부위가 연속되는 하나의 바디와 같은 정전척을 얻을 수 있다. 또한 소재들의 열팽창 계수 차이로 인한 휨변형이 최소화될 수 있다. 액상 접합은 제2 소결체에 함유된 소결 보조제가 용융되어 알루미나 모재에 스며드는 과정, 모재의 알루미나가 용융된 소결 보조제에 용해 및 확산되는 과정을 포함할 수 있다.According to the present invention, liquid-phase bonding of sintered bodies yields an electrostatic chuck such as one body in which a bonding region is continuous without generating a heterogeneous bonding layer between the dielectric layer (corresponding to the first sintered body) and the insulating layer . Also, warpage deformation due to the difference in thermal expansion coefficient of the materials can be minimized. The liquid-phase bonding may include a process in which the sintering aid contained in the second sintered body is melted and immersed in the alumina base material, and the alumina of the base material is dissolved and diffused in the sintering aid.

본 발명에 의하면 상기 전극은 제2 소결체가 접합되는 제1 소결체의 일면이나 제2 소결체의 내부에 마련될 수 있다. 제2 소결체에서 소결 보조제에 기인한 액상 접합이 진행되므로, 제2 소결체의 일면에 전극이 형성되는 것은 바람직하지 않다. 전극은 제1 소결체의 일면과 제2 소결체 내부 모두에 마련될 수 있다. 이 경우 제1 소결체의 전극은 정전기적인 클램핑용, 제2 소결체 내부의 전극은 히팅용일 수 있다.According to the present invention, the electrode may be provided on one surface of the first sintered body to which the second sintered body is bonded or inside the second sintered body. It is not preferable that an electrode is formed on one surface of the second sintered body because the liquid-phase bonding due to the sintering aid proceeds in the second sintered body. The electrode may be provided on both the first sintered body and the second sintered body. In this case, the electrode of the first sintered body may be used for electrostatic clamping, and the electrode inside the second sintered body may be used for heating.

상기 전극은 제2 소결체에만 마련될 수도 있다. 제2 소결체 내에 클램핑용 및 히팅용 전극이 모두 마련될 수 있다. 히터 겸용 정전척의 경우 이와 같이 제2 소결체 내부에 2개의 전극을 모두 형성되는 것이 생산성 및 유전층의 순도 제어 측면에서 바람직하다.The electrode may be provided only in the second sintered body. Both the clamping and heating electrodes may be provided in the second sintered body. In the case of a heater-combined electrostatic chuck, it is preferable that both electrodes are formed in the second sintered body in terms of productivity and purity control of the dielectric layer.

상기 전극으로는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 등 고온용 전극 소재가 사용될 수 있다. 전극은 스크린 프린팅, 스퍼터링, 용사 등 다양한 방법으로 마련될 수 있다.As the electrode, a high-temperature electrode material such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) may be used. The electrode may be provided by various methods such as screen printing, sputtering, spraying, and the like.

통상 소결 보조제는 소결체의 성능에 영향을 미치지 않으면서 소결 온도를 낮추기 위해 사용된다. 본 발명에 따른 소결 보조제는 이러한 소결 보조제의 기본 기능을 수행할 수 있겠지만, 특징적으로는 소결체들 간의 액상 접합을 위해 사용된다.The sintering aid is usually used to lower the sintering temperature without affecting the performance of the sintered body. The sintering aid according to the present invention may perform the basic function of such a sintering aid, but is characteristically used for liquid phase bonding between sintered bodies.

종래에 벌크로 제작된 소결체들을 접합하여 정전척을 제조하려는 시도는 없었다. 소결체들을 접합하려는 경우 중간에 접합재를 개재하는 것이 고려될 수 있다. 그러나 접합재를 사용할 경우 모재와는 이질적인 접합층이 발생하고 접합재에 존재하는 유기화합물로 인한 오염이 문제될 수 있다. 본 발명에서는 고순도의 소결체(순도 99.9% 이상)와 상대적으로 저순도의 소결체를 제작하여, 이들 소결체를 가압하면서 고온에서 액상 접합한다. 액상 접합을 위해 저순도의 소결체에 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제가 첨가된다.Conventionally, there has been no attempt to fabricate an electrostatic chuck by bonding bulk sintered bodies. In the case of joining sintered bodies, it may be considered to interpose the joining material in the middle. However, when a bonding material is used, a heterogeneous bonding layer is generated from the base material and contamination due to organic compounds present in the bonding material may be a problem. In the present invention, a sintered body of high purity (purity of 99.9% or more) and a sintered body of relatively low purity are produced, and these sintered bodies are liquid-phase bonded at a high temperature while being pressurized. A sintering aid which is melted at 1400 ~ 1580 ℃ is added to the low purity sintered body for liquid bonding.

한편 본 발명에 따른 알루미나 소결체들 대신에 알루미나 하소체들을 이용하여 정전척을 제조하는 방안이 고려될 수 있다. 그러나 하소체는 열팽창 수축이 크기 때문에 하소체들을 포개고 직접 접합하려는 경우 고온 열처리 과정에 휘거나 위치별로 가압력에 차이가 발생하고 전극의 평탄도가 열악해질 수 있다. 하소체들을 이용하여 99.9% 이상 고순도의 정전척을 제조하기 위해서는 중간에 접합재를 사용해야 하는데, 이러한 접합재는 이질적인 접합층의 발생과 모재 오염의 문제가 있다.Meanwhile, a method of manufacturing an electrostatic chuck by using alumina lower bodies instead of the alumina sintered bodies according to the present invention can be considered. However, since the thermal expansion and shrinkage of the calcined body is large, it is likely that when the calcined shells are superimposed and bonded directly, the high-temperature heat treatment process may be distorted or the pressing force may be different depending on the position and the flatness of the electrode may become poor. In order to fabricate an electrostatic chuck with a purity of 99.9% or more by using the sub-bodies, it is necessary to use a bonding material in the middle. Such a bonding material has a problem of occurrence of a heterogeneous bonding layer and contamination of the base material.

본 발명에 따르면 상기 소결 보조제로 SiO2가 0.5 질량% 이상, 나아가 1 질량% 이상 사용될 수 있다. SiO2 외에도 여러 소결 보조제가 사용될 수 있으며 예로서 CaO, MgO, Y2O3, La2O3 중에서 하나 이상 함께 사용될 수 있다. 본 발명에 의하면 소결 보조제로 SiO2 0.5~10 질량%, CaO 0~5 질량%, MgO 0~5 질량%, Y2O3 0~3 질량%, La2O3 0~5 질량% 사용될 수 있다. 위 소결 보제조들 외에도 Li2O, K2O, Na2O 등도 고려될 수 있으나, 이들 알칼리계는 반도체 공정용 부품용으로는 적합하지 않은 것으로 생각된다.According to the present invention, SiO 2 may be used in an amount of 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, as the sintering aid. In addition to SiO 2 , various sintering aids may be used, and may be used in combination with one or more of CaO, MgO, Y 2 O 3, and La 2 O 3 , for example. According to the present invention, 0.5 to 10 mass% of SiO 2 , 0 to 5 mass% of CaO, 0 to 5 mass% of MgO, 0 to 3 mass% of Y 2 O 3 and 0 to 5 mass% of La 2 O 3 can be used as the sintering aid have. Li 2 O, K 2 O, Na 2 O and the like can be considered in addition to the above sintered beam manufacture, but these alkaline systems are considered to be unsuitable for semiconductor process parts.

본 발명에 의하면 상기 액상 접합은 소결체들은 1400~1580℃의 불활성가스 분위기에서 50kg/㎠~150kg/㎠으로 가압하면서 1~4 시간 유지함에 의해 얻어질 수 있다. 온도 1400℃ 미만에서는 소결 보조제에 의한 액상 접합이 지연되거나 접합 부위에서의 강도가 충분하지 않을 수 있다. 1580℃보다 높은 온도에서는 의도하지 않은 조직이 발생하거나 입자의 조대화가 문제될 수 있다. 소결체들에 대한 가압력이 50kg/㎠ 미만이거나 150kg/㎠보다 높은 경우 접합 부위의 강도가 열악해질 수 있다. 유지시간이 1시간 미만일 경우 접합 부위의 강도가 열악하며 4시간을 초과할 경우 입자 조대화 및 크랙의 문제가 발생될 수 있다.According to the present invention, the liquid-phase bonding can be attained by maintaining the sintered bodies in an inert gas atmosphere at 1400 to 1580 ° C for 1 to 4 hours while being pressurized at 50 kg / cm 2 to 150 kg / cm 2. When the temperature is lower than 1400 ° C, the liquid phase bonding by the sintering aid may be delayed or the strength at the joint portion may be insufficient. At temperatures above 1580 ° C, unintentional tissue formation or particle coarsening may be a problem. If the pressing force against the sintered bodies is less than 50 kg / cm 2 or higher than 150 kg / cm 2, the strength of the joint portion may become poor. If the holding time is less than 1 hour, the strength of the joint is poor. If the holding time exceeds 4 hours, particle coarsening and cracking may occur.

상기된 액상 접합 과정에 제1 소결체, 제2 소결체 및 전극 간의 열팽창 계수 차이로 인해 접합된 플레이트가 휠 수 있다. 이 휨 변형을 보상하고 최소화할 수 있도록 하기 위해 제2 소결체의 타면에 알루미나 함량 99.9% 이하인 제3 소결체가 함께 가압 접합될 수 있다. 이 제3 소결체는 제2 소결체와 순도가 같을 수 있으며, 바람직하게는 제2 소결체보다 순도가 높다. 제3 소결체의 순도는 99.9% 이하, 바람직하게는 90~99.9%이다.In the above liquid bonding process, a plate bonded due to the difference in thermal expansion coefficient between the first sintered body, the second sintered body and the electrodes may be formed. A third sintered body having an alumina content of 99.9% or less may be pressure bonded on the other surface of the second sintered body so as to compensate and minimize the bending strain. The purity of the third sintered body may be the same as that of the second sintered body, and is preferably higher than that of the second sintered body. The purity of the third sintered body is 99.9% or less, preferably 90 to 99.9%.

상기 제3 소결체는 소결 보조제를 함유할 수 있다. 제3 소결체에 소결 보조제가 제2 소결체와 유사하게 포함된 경우, 예를 들어 0.5 질량% 이상, 나아가 1 질량% 이상 포함된 경우, 소결체들의 가압 접합 시 제3 소결체에서도 소결 보조제의 액상화 및 이에 기인한 액상 접합이 진행될 수 있다.The third sintered body may contain a sintering aid. When the sintering aid is contained in the third sintered body similarly to the second sintered body, for example, when the sintered body contains 0.5% by mass or more and further 1% by mass or more, even in the third sintered body, One liquid junction can proceed.

본 발명에 따르면 상기 소결체들은 고순도 알루미나 분말에 바인더를 혼합한 과립의 알루미나 분말을 제작된 성형체를 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 성형체는 가압 성형에 의하거나 또는 원료 분말의 슬러리를 이용한 액상법 등에 의해 제작될 수 있다. 구체적으로 성형체는 정수압 성형(CIP), 가압여과성형(filter pressing), 슬립캐스팅, 테이프 캐스팅 등에 의해 제작될 수 있다. 소결은 가스압소결(GPS), 핫프레스, 상압소결 등에 의할 수 있다. 제3 소결체의 경우 상압 소결에 의해 제작될 수 있다. 소결과정에 성형체 내에 함유된 용매, 바인더 등의 유기화합물이 휘발 제거되며 소결 후 소결체들에 탄소가 잔류하지 않는다According to the present invention, the sintered bodies can be obtained by sintering granulated alumina powders obtained by mixing a high purity alumina powder with a binder, and then sintering the formed bodies. The formed body can be produced by press molding or by a liquid phase method using a slurry of the raw powder. Specifically, the formed body can be manufactured by hydrostatic forming (CIP), pressure filtration molding, slip casting, tape casting, or the like. The sintering can be performed by gas pressure sintering (GPS), hot pressing, pressure sintering and the like. And the third sintered body can be manufactured by pressure sintering. In the sintering process, organic compounds such as a solvent and a binder contained in the formed body are volatilized and removed, and no carbon remains in the sintered bodies after sintering

상기 제1 소결체는 알루미나 성형체를 1차로 1400~1550℃ 대기조건에서 상압 소결 후, 2차로 1550~1650℃ 불활성가스 분위기에서 가압 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 1차 소결과정에 성형체에 함유된 유기화합물이 제거될 수 있다. 1차 소결 온도가 1400℃ 미만인 경우 탄소 성분이 잔류하게 되며 소결체의 치밀도가 요구 수준에 부합하지 못할 수 있다. 1차 소결 온도가 1550℃를 초과하는 경우 소결체의 치밀도가 저하되며 2차 소결과정에 입자 조대화가 문제될 수 있다.The first sintered body can be obtained by first sintering the alumina compacted body under atmospheric conditions at 1400 to 1550 ° C and then sintering the mixture in an inert gas atmosphere at 1550 to 1650 ° C. The organic compound contained in the molded body can be removed during the first sintering process. If the first sintering temperature is less than 1400 ° C, the carbon content will remain and the compactness of the sintered body may not meet the required level. If the first sintering temperature exceeds 1550 ° C, the compactness of the sintered body is lowered and particle coarsening may be a problem in the second sintering process.

상기 제1 소결체의 일면에 전극이 형성되는 경우, 전극에 포함된 유기화합물의 제거를 위해 전극 형성 후 제1 소결체는 하소 처리될 수 있다. 제2 소결체의 내부에 형성된 전극은 제2 소결체와 함께 소결되므로 별도 하소 처리가 필요하지는 않을 것이다.When an electrode is formed on one surface of the first sintered body, the first sintered body may be calcined after electrode formation to remove organic compounds contained in the electrode. Since the electrode formed inside the second sintered body is sintered together with the second sintered body, separate calcination processing will not be required.

상기 2차 소결체는 바람직하게는 그린시트, 바람직하게는 테이프 캐스팅에 의한 그린시트를 이용하여 제조된다. 그린시트는 세라믹 분말, 분산용매, 분산제, 바인더 등을 혼합한 슬러리(slurry)로 제조될 수 있다. 실시예에 의하면 제2 소결체는 테이프 캐스팅에 의해 그린시트를 제조, 압착하여 성형체를 제조하는 과정, 성형체에 비아홀 형성하고 여기에 텅스텐 페이스트를 채우는 과정 및 1500~1600℃의 환원성 분위기(질소 및 수소)에서 소결하는 과정 및 평탄화를 위해 표면 연삭하는 과정을 거져 제조될 수 있다.The secondary sintered body is preferably produced using a green sheet, preferably a green sheet by tape casting. The green sheet may be made of a slurry obtained by mixing ceramic powder, dispersion solvent, dispersant, binder, and the like. According to the embodiment, the second sintered body is manufactured by a process of producing a green sheet by tape casting and pressing to form a green body, a process of forming a via hole in the green body and filling the green body with tungsten paste and a reducing atmosphere (nitrogen and hydrogen) And a surface grinding process for planarization can be performed.

상기 제3 소결체는 알루미나 성형체를 1550~1650℃ 대기조건에서 상압 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 알루미나 성형체는 정수압 성형, 가압여과성형, 슬립캐스팅, 테이프 캐스팅 등에 의해 제작될 수 있다. 소결과정에 성형체에 포함된 유기화합물이 제거된다. 소결온도가 1550℃보다 낮은 경우 소결체의 치밀도가 열악할 수 있으며, 최대 밀도를 갖도록 최대 1650℃에서 열처리될 수 있으나 1650℃를 초과하는 경우 밀도는 더 높아지지 않고 입자 조대화가 문제될 수 있다.The third sintered body can be obtained by sintering the alumina compact at atmospheric pressure at 1550 to 1650 ° C. The alumina compact can be manufactured by hydrostatic forming, pressure filtration molding, slip casting, tape casting, or the like. The organic compound contained in the formed body is removed during the sintering process. If the sintering temperature is lower than 1550 ° C, the sintered body may have poor densities and can be heat-treated at a maximum of 1650 ° C to have a maximum density, but if it exceeds 1650 ° C, the density may not become higher and particle coarsening may be a problem .

본 발명에 따른 고순도 정전척은 상기된 제조방법에 의해 제조될 수 있다.The high purity electrostatic chuck according to the present invention can be manufactured by the above-described manufacturing method.

본 발명에 의하면 고순도 정전척은 알루미나 함량이 99.9 질량% 이상인 유전층; 유전층에 일면이 접합되고 저융점의 소결 보조제를 0.5 질량% 이상 함유하며 유전층보다 알루미나 함량이 낮은 절연층; 및 유전층과 절연층 사이, 절연층 내부 중 적어도 어느 하나에 형성된 전극;을 포함할 수 있다. 유전층과 절연층 간에는 이질적인 접합층이 없다.According to the present invention, a high purity electrostatic chuck includes a dielectric layer having an alumina content of 99.9 mass% or more; An insulating layer having one surface bonded to the dielectric layer and containing 0.5 mass% or more of a sintering aid having a low melting point and having a lower alumina content than the dielectric layer; And electrodes formed on at least one of the dielectric layer and the insulating layer or the inside of the insulating layer. There is no heterogeneous junction layer between the dielectric layer and the insulating layer.

또한 본 발명에 따른 고순도 정전척은 상기 절연층에 액상 접합된 또 하나의 절연층을 구비할 수 있다. 이 정전척은 상기된 제1 내지 제3 소결체를 가압 접합함에 의해 제조될 수 있다. 제3 소결체에 함유된 소결 보조제의 함량이 많은 경우, 제2 및 제3 소결체 모두에서 소결 보조제의 용융 및 액상 접합 과정이 진행될 수 있다.The high purity electrostatic chuck according to the present invention may further include another insulating layer bonded to the insulating layer in liquid state. The electrostatic chuck can be manufactured by press bonding the first to third sintered bodies described above. When the content of the sintering aid contained in the third sintered body is large, the melting and liquid phase bonding of the sintering aid may proceed in both the second and third sintered bodies.

본 발명에 따른 정전척이나 소결체들의 제조에 사용되는 고순도 알루미나 분말에는 분순물이 포함될 수 있다. 99.9% 이상의 고순도 알루미나 분말로 잘 제작된 소결체에는 0.05 질량% 미만, 나아가 0.02 질량% 미만의 분순물이 포함될 수 있다.The high purity alumina powder used in the production of the electrostatic chuck or sintered bodies according to the present invention may contain impurities. A fine sintered body made of a high purity alumina powder having a purity of 99.9% or more may contain an impurity of less than 0.05% by mass, more preferably less than 0.02% by mass.

본 발명은 플라즈마에 대한 내식성 및 내절연 특성이 우수한 고순도 및 고밀도의 정전척을 제공할 수 있다.The present invention can provide a high-purity and high-density electrostatic chuck excellent in corrosion resistance and insulation resistance against plasma.

또한 본 발명에 의하면 99.9% 이상의 순도를 가지며 휨 변형이 적거나 거의 없는 고순도 정전척을 제공할 수 있다.Also, according to the present invention, it is possible to provide a high purity electrostatic chuck having a purity of 99.9% or more and little or no bending strain.

또한 본 발명에 의하면 벌크로 제작된 고순도 알루미나의 제1 소결체(유전층)에 벌크로 제작된 제2 소결체(절연층)을 액상 접합함으로써, 고순도, 고밀도 특성을 가지면서도 안정적인 내전압 특성을 갖는 고순도 정전척이 얻어질 수 있다.According to the present invention, a high-purity electrostatic chuck having a high purity, high density characteristics and stable withstanding voltage characteristics can be obtained by liquid-bonding a second sintered body (insulating layer) made in bulk to a first sintered body (dielectric layer) Can be obtained.

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 보인 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예를 보인 도면이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예를 보인 도면이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예를 보인 도면이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예를 보인 도면이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따라 제조된 고순도 정전척의 단면을 보인 전자현미경(SEM) 사진이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따라 제조된 고순도 정전척의 측면 사진이다.1 is a view showing a first embodiment of the present invention.
2 is a view showing a second embodiment of the present invention.
3 is a view showing a third embodiment of the present invention.
4 is a view showing a fourth embodiment of the present invention.
5 is a view showing a fifth embodiment of the present invention.
6 is an electron microscope (SEM) photograph showing a cross section of a high purity electrostatic chuck manufactured according to an embodiment of the present invention.
7 is a side view of a high purity electrostatic chuck manufactured according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 여러 특징적인 측면을 이해할 수 있도록 실시예를 들어 보다 상세히 살펴보기로 한다. 첨부된 도면들에서 동일 또는 동등한 구성요소들 또는 부품들은 설명의 편의를 위해 가능한 한 동일한 참조부호로 표시될 수 있고, 도면들은 본 발명의 특징에 대한 명확한 이해와 설명을 위해 과장되게 그리고 개략적으로 도시될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or equivalent elements or parts may be represented by the same reference numerals as much as possible for convenience of description, and the drawings are exaggerated and schematically shown in the drawings for the sake of clarity and explanation of the features of the present invention. .

본 발명에 대한 설명에서, 별도 한정이 없는 한, 제2 요소가 제1 요소 '상'에 배치되거나 두 요소가 서로 '연결'된다고 하는 것은, 두 요소가 서로 직접 접촉하는 것은 물론 제1 및 제2 요소의 요소 사이에 제3의 요소가 개재된 것을 허용하는 의미일 수 있다. 전후, 좌우 또는 상하 등의 방향 표현은 설명의 편의를 위한 것이라는 점도 이해될 필요가 있다.In the description of the present invention, unless the second element is disposed on the first element or the two elements are connected to each other, the two elements are in direct contact with each other, It may be meant to allow a third element to be interposed between the elements of the two elements. It is also to be understood that the directional expressions such as forward, backward, leftward and rightward, and up and down are for explanation convenience.

본 발명은 완성된 것은 아니며 계속적인 연구개발을 통해 보다 보다 정교해지고 최적화될 것이다. 본 발명은 고순도 정전척을 제조할 수 있는 새로운 아이디를 제공하고자 하며, 이하 본 발명의 아이디어가 적용될 수 있는 다양한 실시예들이 설명될 것이다.The present invention is not complete and will be more refined and optimized through continuous research and development. The present invention intends to provide a new ID capable of manufacturing a high-purity electrostatic chuck, and various embodiments in which the idea of the present invention can be applied will be described below.

도 1a 및 도 1b를 참조하여 제1 실시예에 따른 고순도 정전척 및 제조방법을 살펴본다. 도 1a는 액상 접합하기 전의 소결체들(10,20), 도 1b는 소결체들(10,20)을 액상 접합함에 의해 얻어진 정전척을 보인 것이다.Referring to FIGS. 1A and 1B, a high purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to the first embodiment will be described. Fig. 1A shows sintered bodies 10 and 20 before liquid phase bonding, and Fig. 1B shows an electrostatic chuck obtained by liquid phase bonding of sintered bodies 10 and 20.

도 1b에서 보듯이 상기 정전척은 유전층(10'), 유전층(10')의 하부에 액상 접합된 절연층(20'), 및 유전층(10')과 절연층(20') 사이의 전극(1')을 구비할 수 있다. 유전층(10')과 절연층(20')은 알루미나가 주원료이며, 액상 접합이 가능하도록 절연층(20')의 순도는 유전층(10')보다 낮다. 전극(1')은 절연층(20')에 마련된 급전선(3')에 연결된다.1B, the electrostatic chuck includes a dielectric layer 10 ', an insulating layer 20' bonded to the lower portion of the dielectric layer 10 'and an electrode (not shown) between the dielectric layer 10' and the insulating layer 20 ' 1 '). The dielectric layer 10 'and the insulating layer 20' are mainly made of alumina, and the purity of the insulating layer 20 'is lower than that of the dielectric layer 10' so that liquid-phase bonding is possible. The electrode 1 'is connected to the feeder line 3' provided in the insulating layer 20 '.

도 1a 및 도 1b를 참조하면 상기 정전척은 하면에 전극(1)이 형성된 제1 소결체(10)와 제2 소결체(20)를 고온에서 가압하면서 액상 접합함에 의해 제조될 수 있다. 제2 소결체(20)에는 전극(1)과의 연결을 위한 급전선(3)이 마련된다.Referring to FIGS. 1A and 1B, the electrostatic chuck can be manufactured by laminating the first sintered body 10 and the second sintered body 20, which are formed on the lower surface with electrodes 1, at a high temperature while pressurizing them. The second sintered body 20 is provided with a feeder line 3 for connection with the electrode 1.

상기 제1 소결체(10)는 99.9% 이상의 고순도 알루미나 분말을 이용하여 제작된 제1 성형체를 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 제1 성형체는 정수압 성형, 슬립캐스팅, 가압여과성형, 테이프 캐스팅 등에 의해 제작될 수 있다.The first sintered body 10 can be obtained by sintering a first formed body made of high purity alumina powder of 99.9% or more. The first formed body can be manufactured by hydrostatic molding, slip casting, pressure filtration molding, tape casting or the like.

상기 제1 소결체(10)는 제1 성형체를 1차로 1400~1550℃ 대기조건에서 상압 소결 후, 2차로 1550~1650℃ 불활성가스 분위기에서 가압 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 1차 소결 과정에 바인더 등에 포함된 유기화합물이 제거되며 2차 소결 과정에 치밀도가 향상된다. 2차 소결은 가스압소결, 핫프레스에 의할 수 있다. 이러한 2단계의 소결 과정을 통해 99.9% 이상의 순도 및 99.9% 이상의 고밀도(상대밀도)를 갖는 제1 소결체(100)가 얻어질 수 있다.The first sintered body 10 can be obtained by first sintering the first molded body under atmospheric conditions at 1400 to 1550 ° C and then sintering the second body at 1550 to 1650 ° C in an inert gas atmosphere. In the first sintering process, the organic compounds contained in the binder and the like are removed and the density is improved during the second sintering process. The second sintering can be performed by gas pressure sintering or hot pressing. Through the two-step sintering process, the first sintered body 100 having a purity of 99.9% or more and a high density (relative density) of 99.9% or more can be obtained.

상기 2차 소결 후 제1 소결체(10)는 평탄화를 위해 표면 연삭되며, 일면에 전극(1)이 형성될 수 있다. 전극(1)은 코발트나 텅스텐과 같은 고융점 금속의 페이스트를 15㎛ 미만의 두께로 스크린 인쇄함에 의해 마련될 수 있다. 스크린 프린팅 외에도 전극(1)은 스퍼터링이나 기타 공지되거나 또는 진일보된 다른 방식으로 마련될 수 있다. 전극(1) 형성 후 제1 소결체(10)는 환원분위기(N2, H2의 혼합가스)에서 하소 처리될 수 있다.After the second sintering, the first sintered body 10 is surface-ground for planarization, and the electrode 1 may be formed on one surface. The electrode 1 may be provided by screen printing a paste of refractory metal such as cobalt or tungsten to a thickness of less than 15 mu m. In addition to screen printing, the electrode 1 may be provided by sputtering or other known or advanced methods. After the formation of the electrode 1, the first sintered body 10 can be calcined in a reducing atmosphere (a mixed gas of N 2 and H 2 ).

상기 제2 소결체(20)는 순도 85% 이상 99.9% 미만, 나아가 90% 이상 99% 미만으로 제작될 수 있다. 액상 접합을 위해 제2 소결체(20)는 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제를 0.5~15% 함유하도록 제작된다. 제2 소결체(20)의 소결 보조제로 SiO2 0.5~10 질량%, CaO 0~5 질량%, MgO 0~5 질량%, Y2O3 0~3 질량%, La2O3 0~5 질량%가 포함될 수 있다.The second sintered body 20 may have a purity of at least 85% but less than 99.9%, and more preferably at least 90% and less than 99%. For the liquid-phase bonding, the second sintered body 20 is made to contain 0.5 to 15% of the sintering aid which is melted at 1400 to 1580 ° C. The SiO 2 as a sintering aid of the second sintered body (20) from 0.5 to 10 mass%, CaO 0 ~ 5% by weight, MgO 0 ~ 5% by weight, Y 2 O 3 0 ~ 3 mass%, La 2 O 3 0 ~ 5 mass % Can be included.

상기 제2 소결체(20)는 바람직하게는 테이프 캐스팅에 의해 제작된 제2 성형체(그린시트의 성형체)를 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 제2 성형체에는 전극(1)과의 연결을 위한 비아홀이 형성되고 이 비아홀에 코발트, 텅스텐과 같은 고융점의 도전성 재료(금속 페이스트)가 채워진다. 제2 성형체의 소결과정에 비아홀에 채워진 도전성 재료도 함께 소성된다. 소성 후 비아홀의 도전성 재료는 급전선(3)을 구성한다.The second sintered body 20 can be obtained by sintering a second formed body (a molded body of a green sheet), which is preferably manufactured by tape casting. A via hole for connection with the electrode 1 is formed in the second formed body, and a conductive material (metal paste) having a high melting point such as cobalt or tungsten is filled in the via hole. And the conductive material filled in the via hole is also baked in the sintering process of the second formed body. The conductive material of the via hole after firing constitutes the feeder line 3.

상기 제2 성형체는 1500~1600℃ 질소 및 수소 혼합가스 분위기에서 소결될 수 있다. 소결과정에 제2 성형체에 함유된 바인더, 분산제 등의 유기화합물이 제거될 수 있다. 소결 후 제2 소결체(20)는 평탄화를 위해 표면 연삭된다.The second formed body can be sintered in a nitrogen-hydrogen mixed gas atmosphere at 1500 to 1600 ° C. During the sintering process, the organic compound such as a binder and a dispersant contained in the second molding can be removed. After sintering, the second sintered body 20 is surface-ground for planarization.

상기 제1 및 제2 소결체(10,20)는 제1 소결체(10)의 하면에 제2 소결체(20)의 상면이 접하도록 포개어져 1400~1580℃의 온도에서 가압 접합된다. 접합 시 가압력은 바람직하게는 50kg/㎠~150kg/㎠일 수 있다. 제2 소결체(20)에 함유된 소결 보조제는 이러한 접합 조건에서 제1 소결체(10)와 액상 접합이 이루어진다.The first and second sintered bodies 10 and 20 are superposed on the lower surface of the first sintered body 10 so that the upper surfaces of the second sintered bodies 20 are in contact with each other and are pressure bonded at a temperature of 1400 to 1580 ° C. The pressing force at the time of bonding may preferably be 50 kg / cm 2 to 150 kg / cm 2. The sintering auxiliary contained in the second sintered body 20 is subjected to liquid phase bonding with the first sintered body 10 under such bonding conditions.

도 2 내지 도 5를 참조하여 다른 실시예에 따른 고순도 정전척과 제조방법을 살펴본다. 제1 및 제2 소결체(10,20)의 조성 및 제작방법, 소결체들의 가압 접합방법 등 위의 제1 실시예에서 설명된 것들과 동일 유사하게 적용될 수 있는 사항들은 반복 설명되지 않는다.2 to 5, a high purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to another embodiment will be described. The composition and fabrication method of the first and second sintered bodies 10 and 20, the press bonding method of the sintered bodies, and the like, which can be applied similarly to those described in the first embodiment are not repeatedly described.

도 2를 참조하여 제2 실시예에 따른 고순도 정전척과 제조방법을 살펴본다.Referring to FIG. 2, a high-purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to the second embodiment will be described.

도 2에서 보듯이 상기 제2 실시예에 의한 고순도 정전척은 위에서 설명된 제1 및 제2 소결체(10,20)에 더하여 제3 소결체(30)를 함께 포개고 이들 소결체(10,20,30)을 함께 가압 접합함에 의해 마련된다.As shown in FIG. 2, the high-purity electrostatic chuck according to the second embodiment includes the first and second sintered bodies 10 and 20 described above, the third sintered bodies 30 are stacked together and the sintered bodies 10, 20, Are press-bonded together.

상기 제3 소결체(30)는 제1 및 제2 소결체(10,20) 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 휨 변형을 최소화할 수 있도록 하기 위해, 제1 소결체(10)와 비슷한 순도의 소재로 제작된다. 제3 소결체(30)를 추가함에 의해 가압 접합과정에 발생되는 휨변형의 제어가 용이하며 1000㎛ 정도의 휨변형을 감소시킬 수 있다.The third sintered body 30 is made of a material having a purity similar to that of the first sintered body 10 in order to minimize a warping deformation due to a difference in thermal expansion coefficient between the first and second sintered bodies 10 and 20 . By adding the third sintered body 30, it is easy to control the flexural deformation occurring in the pressing and bonding process, and the flexural deformation of about 1000 탆 can be reduced.

상기 제3 소결체(30)의 알루미나 함량은 제2 소결체(20)과 같거나 바람직하게는 제2 소결체(20)보다는 높을 수 있다. 바람직하게는 제3 소결체(30)의 알루미나 함량은 90~99.9 질량%일 수 있다.The alumina content of the third sintered body 30 may be equal to or higher than that of the second sintered body 20, or preferably higher than that of the second sintered body 20. Preferably, the alumina content of the third sintered body 30 may be 90 to 99.9 mass%.

상기 제3 소결체(30)는 고순도 알루미나 분말을 이용하여 제작된 제3 성형체를 소결함에 의해 얻어질 수 있다. 제3 성형체는 정수압 성형, 슬립캐스팅, 가압여과성형, 테이프 캐스팅 등에 의해 제작될 수 있으며, 소결은 상압 대기조건에서 이루어질 수 있으며 최대 밀도를 갖도록 1550~1650℃에서 수행된다. 소결과정에 제3 성형체에 포함된 유기화합물이 제거되며, 소결 후 제3 소결체(30)는 평탄화를 위해 표면 연삭된다.The third sintered body 30 can be obtained by sintering a third formed body made of high purity alumina powder. The third shaped body can be produced by hydrostatic molding, slip casting, pressure filtration molding, tape casting, etc. The sintering can be performed under atmospheric pressure atmospheric conditions and is carried out at 1550 to 1650 ° C to have the maximum density. During the sintering process, the organic compound contained in the third shaped body is removed, and after the sintering, the third sintered body 30 is surface-ground for planarization.

상기 소결체들(10,20,30)은 제1 실시예에서와 마찬가지로 1400~1580℃의 온도에서 가압 접합될 수 있다. 접합 시 가압력은 바람직하게는 50kg/㎠~150kg/㎠일 수 있다. 이러한 가압 접합과정에 제2 소결체(20)에 함유된 소결 보조제는 용융되고 제1 및 제3 소결체(10,30)와 액상 접합된다. 앞서와 마찬가지로 액상 접합을 위해 제2 소결체(20)는 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제를 0.5~15% 함유한다.The sintered bodies 10, 20 and 30 may be pressure bonded at a temperature of 1400 to 1580 캜 as in the first embodiment. The pressing force at the time of bonding may preferably be 50 kg / cm 2 to 150 kg / cm 2. In this pressure bonding process, the sintering aid contained in the second sintered body 20 is melted and liquid-bonded to the first and third sintered bodies 10 and 30. The second sintered body 20 contains 0.5 to 15% of the sintering aid which is melted at 1400 to 1580 ° C for liquid bonding.

상기 소결체들(10,20,30)의 가압 접합 후, 제2 소결체(20)에 마련된 급전선(3)에 연결할 수 있도록 제3 소결체(30)에 관통홀(미도시)이 가공될 수 있다.After the pressure bonding of the sintered bodies 10, 20 and 30, a through hole (not shown) may be formed in the third sintered body 30 so as to be connected to the feed line 3 provided in the second sintered body 20.

도 3을 참조하여 제3 실시예에 따른 고순도 정전척과 제조방법을 살펴본다.Referring to FIG. 3, a high-purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to the third embodiment will be described.

도 3a에서 보듯이 상기 제3 실시예에 의한 고순도 정전척은 제2 실시예에서와 마찬가지로 제1 및 제2 소결체(10,20)에 더하여 제3 소결체(30)를 함께 포개고 이들 소결체(10,20,30)을 함께 가압 접합함에 의해 마련된다. 본 실시예에서 전극(1)은 제2 소결체(20)의 내부에 마련된다.3A, the high-purity electrostatic chuck according to the third embodiment includes a third sintered body 30 in addition to the first and second sintered bodies 10 and 20 as in the second embodiment, and the sintered bodies 10, 20, 30) are pressed together. In this embodiment, the electrode 1 is provided inside the second sintered body 20.

상기 제2 소결체(20)는 그린시트를 소결하여 얻어진다. 여러 장 적층된 그린시트의 성형체는 1500~1600℃ 환원분위기에서 소결될 수 있으며, 중간의 그린시트에는 전극(1)이 스크린 인쇄나 스퍼터링 등에 의해 마련될 수 있다.The second sintered body 20 is obtained by sintering a green sheet. The formed green sheet body can be sintered in a reducing atmosphere of 1500 to 1600 DEG C, and the electrode 1 can be provided on the green sheet by screen printing, sputtering or the like.

상기 그린시트 성형체의 소결 전, 성형체에는 전극(1)과 연결되는 비아홀이 마련되며 이 비아홀에 도전성 재료가 채워진다. 성형체 소결 시 전극(1) 및 비아홀의 도전성 재료는 함께 소성되며, 이들에 포함된 유기화합물이 소결과정에 제거된다.Before sintering the green sheet formed body, a via hole connected to the electrode 1 is provided in the formed body, and the via hole is filled with a conductive material. During the sintering of the molded body, the conductive material of the electrode 1 and the via hole are fired together, and the organic compound contained therein is removed in the sintering process.

본 실시예에서 제2 소결체(20)의 전극(1) 위 절연층(또는 유전층)은 0.1mm 이하인 것이 바람직하다. 소결체들(10,20,30)의 가압 접합 후에는 제2 소결체(20)에 마련된 급전선(3)과 전기적으로 연결할 수 있도록 제3 소결체(30)에 관통홀(미도시)이 가공될 수 있다.In this embodiment, the insulating layer (or dielectric layer) on the electrode 1 of the second sintered body 20 is preferably 0.1 mm or less. A through hole (not shown) may be formed in the third sintered body 30 so as to be electrically connected to the feed line 3 provided in the second sintered body 20 after the press bonding of the sintered bodies 10, .

도 3b에는 제3 실시예에 의한 고순도 정전척의 다른 예가 도시되어 있다.FIG. 3B shows another example of the high-purity electrostatic chuck according to the third embodiment.

도 3b에서 보듯이 상기 제2 소결체(20)에 2개의 전극(1,2)이 마련될 수 있다. 제1 소결체(10)에는 전극이 마련되지 않는다. 가압 접합 후 절연층 내부만 전극이 마련되는 것이다. 실시예에 의하면 제1 전극(1)은 클램핑용 전극이고 제2 전극(2)는 히티용 전극일 수 있다. 본 예에 의하면 알루미나 그린시트를 이용하여 전극을 2개층 이상 손쉽게 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3B, two electrodes 1 and 2 may be provided on the second sintered body 20. The first sintered body 10 is not provided with an electrode. The electrode is provided only in the insulating layer after the pressure bonding. According to the embodiment, the first electrode 1 may be a clamping electrode and the second electrode 2 may be a heater electrode. According to this example, two or more layers of electrodes can be easily formed using an alumina green sheet.

상기 제2 소결체(20)에는 제1 전극(1)과 연결되는 제1 급전선(3)과 제2 전극(2)에 연결되는 제2 급전선(4)이 마련된다. 이들 급전선(3,4)은 그린시트의 성형체에 비아홀을 형성하고 여기에 도전성 재료를 채운 후, 그린시트를 소결함에 의해 얻어질 수 있다.The first sintered body 20 is provided with a first feeder line 3 connected to the first electrode 1 and a second feeder line 4 connected to the second electrode 2. These feeder lines (3, 4) can be obtained by forming a via hole in a green sheet formed body, filling the hole with a conductive material, and then sintering the green sheet.

도 4를 참조하여 제4 실시예에 따른 고순도 정전척과 제조방법을 살펴본다.Referring to FIG. 4, a high-purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to the fourth embodiment will be described.

도 4에서 보듯이 상기 제4 실시예에 의하면 고순도 정전척은 제1 소결체(10)의 하면에 마련된 제1 전극(1)과 더불어 제2 소결체(20) 내부에 마련된 제2 전극(2)을 구비할 수 있다. 제1 소결체(10)와 제2 소결체(20)는 앞서 실시예에서와 마찬가지로 가압 접합된다. 제2 소결체(20)에는 제1 전극(1)과 연결되는 제1 급전선(3)과 제2 전극(2)에 연결되는 제2 급전선(4)이 마련된다.4, the high-purity electrostatic chuck according to the fourth embodiment has the first electrode 1 provided on the lower surface of the first sintered body 10 and the second electrode 2 provided inside the second sintered body 20 . The first sintered body 10 and the second sintered body 20 are pressure bonded as in the previous embodiment. The first sintered body 20 is provided with a first feeder line 3 connected to the first electrode 1 and a second feeder line 4 connected to the second electrode 2.

상기 제2 소결체(20)는 제3 실시예에서와 같이 테이프 캐스팅에 의해 제작된 그린시트를 이용하여 제작될 수 있다. 제4 실시예에 의하면 제2 소결체(20)는 알루미나 그린시트를 1차 소결한 후, 1차 소결된 소결체들을 적층하고 2차 소결함에 의해 제조될 수 있다. 제2 소결체(20)는 상부 소결체(21), 하부 소결체(22) 및 이들 소결체(21,22) 사이에 마련된 제2 전극(2)을 구비할 수 있다.The second sintered body 20 can be manufactured using a green sheet produced by tape casting as in the third embodiment. According to the fourth embodiment, the second sintered body 20 can be manufactured by first sintering the alumina green sheet, then laminating the first sintered bodies and secondarily sintering the sintered bodies. The second sintered body 20 may have an upper sintered body 21, a lower sintered body 22 and a second electrode 2 provided between the sintered bodies 21 and 22.

도 5를 참조하여 제5 실시예에 따른 고순도 정전척과 제조방법을 살펴본다.Referring to FIG. 5, a high-purity electrostatic chuck and a manufacturing method according to the fifth embodiment will be described.

도 5에서 보듯이 제5 실시예에 의한 고순도 정전척은 제4 실시예의 제2 소결체(20) 하면에 함께 가압 접합된 제3 소결체(30)를 구비할 수 있다. 제2 실시예에서와 마찬가지로 제3 소결체(30)는 제1 및 제2 소결체(10,20) 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 휨 변형을 최소화할 수 있도록 하기 위해 마련되며, 제1 소결체(10)와 비슷한 순도로 제작될 수 있다. 제3 소결체(30)의 알루미나 함량은 99.9% 이하, 바람직하게는 90~99.9 질량%일 수 있다.As shown in FIG. 5, the high-purity electrostatic chuck according to the fifth embodiment may include a third sintered body 30 which is press-bonded together on the lower surface of the second sintered body 20 of the fourth embodiment. As in the second embodiment, the third sintered body 30 is provided to minimize warpage due to the difference in thermal expansion coefficient between the first and second sintered bodies 10 and 20, Can be fabricated at a purity similar to that of < RTI ID = The alumina content of the third sintered body 30 may be 99.9% or less, preferably 90 to 99.9% by mass.

도 6은 일실시예에 따라 제조된 고순도 정전척의 단면을 보인 SEM 사진이다.6 is a SEM photograph showing a cross section of a high purity electrostatic chuck manufactured according to an embodiment.

도 6의 정전척은 실시예에 따라 하면에 전극(1)이 형성된 제1 소결체(10)와 제2 소결체(20)를 가압 접합한 것이다. 도 6에서 보듯이 가압 접합된 유전층(10')과 절연층(20') 사이의 전극(1')은 분리 없이 매우 잘 접합되어 있다. 유전층(10')은 순도 99.9% 이상이며 잔류 탄소가 발견되지 않았다. 액상 접합에 사용된 제2 소결체(20)는 1질량%의 SiO2를 함유한 것이었으며, 실험 결과 제2 소결체(20)에 SiO2가 0.5질량%의 함유한 경우에도 제1 및 제2 소결체(10,20) 간의 가압 접합이 가능하다는 것이 확인되었다.The electrostatic chuck shown in FIG. 6 is obtained by press-bonding the first sintered body 10 and the second sintered body 20 having the electrode 1 formed on the lower surface thereof according to the embodiment. As shown in FIG. 6, the electrode 1 'between the pressure-bonded dielectric layer 10' and the insulating layer 20 'is very well bonded without separation. The dielectric layer 10 'had a purity of 99.9% or more and no residual carbon was found. The second sintered body 20 used for the liquid phase bonding contained 1% by mass of SiO 2. As a result of the experiment, even when the second sintered body 20 contained 0.5% by mass of SiO 2 , (10, 20).

도 7은 일실시예에 따라 제조된 고순도 정전척의 측면 사진이다. 정전척은 유전층(10'), 제1 및 제2 절연층(20',30')을 구비한다.7 is a side view of a high purity electrostatic chuck manufactured according to one embodiment. The electrostatic chuck has a dielectric layer 10 ', first and second insulating layers 20', 30 '.

도 7에서 보듯이 제1 및 제2 소결체(10,20)와 함께 제2 소결체(20)의 하부에 제1 소결체(10)와 유사한 순도로 제작된 제3 소결체(30)를 가압 접합함에 의해 휨 변형이 없는 고순도 정전척을 얻을 수 있다. 제1 소결체(10)는 순도 99.9% 이상, 제2 소결체(20)는 순도 98%, 제3 소결체(30)는 순도 99.5%이었다.7, the third sintered body 30 made of purity similar to the first sintered body 10 is press-bonded to the lower portion of the second sintered body 20 together with the first and second sintered bodies 10 and 20 A high-purity electrostatic chuck without bending deformation can be obtained. The purity of the first sintered body 10 was 99.9% or more, the purity of the second sintered body 20 was 98%, and the purity of the third sintered body 30 was 99.5%.

상기 제1 소결체(10)는 고순도의 그린시트를 제조, 압착한 후 대기 중에서 1차적으로 상압에서 소결한 다음, 소결체를 가스압소결(GPS) 설비를 이용하여 2차적으로 1650℃에서 가압 소결함에 의해 제작되었다. 가압력은 단위면적당 60bar 이상으로 하여 고밀도로 제작되었다. 얻어진 제1 소결체(10)는 표면 연삭 후 일면에 몰리브덴 페이스트가 인쇄되었고, 이후 질소 및 수소 분위기에서 열처리되었다.The first sintered body 10 is manufactured by pressing a high-purity green sheet, sintering the sintered body primarily at atmospheric pressure in the atmosphere, and then sintering the sintered body by pressure sintering at 1650 ° C using a gas pressure sintering (GPS) . The pressing force was made at a high density with the area of 60 bar or more per unit area. The first sintered body 10 obtained was printed with molybdenum paste on one surface after surface grinding, and then heat-treated in a nitrogen and hydrogen atmosphere.

상기 제2 소결체(20)는 그린시트를 제조, 압착하여 성형체를 제조한 다음, 비아홀 형성 및 여기에 텅스텐 전극 페이스트를 채운 후 질소 및 수소 분위기에서 열처리하고 평탄화를 위해 표면 연삭함에 의해 제작되었다.The second sintered body 20 is manufactured by forming and pressing a green sheet to form a via, then forming a via hole, filling the tungsten electrode paste with the tungsten electrode paste, followed by heat treatment in a nitrogen and hydrogen atmosphere, and surface grinding for planarization.

상기 제3소결체는 정수압 성형에 의해 얻어진 성형체를 소결한 후 역시 평탄화를 위해 표면 연삭함에 의해 제작되었다.The third sintered body was produced by sintering a compact obtained by hydrostatic press forming and then by surface grinding for planarization.

상기 제1 내지 제3 소결체(10,20,30)를 일정 두께와 형상으로 가공한 후 서로 접합도록 포개고 1450℃에서 단위면적당 100kg/㎠의 가압조건으로 접합하여 고순도 정전척이 제조되었다.The first to third sintered bodies 10, 20 and 30 were processed to have a predetermined thickness and shape, then superposed to each other and joined at a pressure of 100 kg / cm 2 at 1450 ° C. to prepare a high purity electrostatic chuck.

이상 본 발명의 특정 실시예에 관하여 도시하고 설명하였지만, 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 또는 변형될 수 있다는 것이 이해될 필요가 있다.While the invention has been shown and described with respect to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the invention as set forth in the following claims.

1,2: 전극 3,4: 급전선
10: 제1 소결체 20: 제2 소결체
30: 제3 소결체1,2: Electrode 3, 4: Feeder wire
10: first sintered body 20: second sintered body
30: Third sintered body

Claims (9)

a) 제1 소결체의 일면에 제1 소결체보다 저순도인 제2 소결체의 일면을 포개는 단계, 여기서 제1 소결체는 알루미나 함량이 99.9 질량% 이상이며, 제2 소결체는 알루미나 함량이 85 질량% 이상 99.5 질량% 미만이며 1400~1580℃에서 용융되는 소결 보조제를 0.5 질량% 이상 15 질량% 미만으로 함유하고,
제1 소결체의 일면과 제2 소결체 내부 중 적어도 어느 하나에 전극이 마련됨; 및
b) 상기 소결체들의 계면에서 제2 소결체에 함유된 소결 보조제에 의한 액상 접합이 이루어지도록 소결체들을 가압하고 1400~1580℃에서 열처리 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.a) a step of superposing one surface of a second sintered body having a lower purity than the first sintered body on one surface of the first sintered body, wherein the first sintered body has an alumina content of 99.9 mass% or more and the second sintered body has an alumina content of 85 mass% By mass and less than 99.5% by mass and containing at least 0.5% by mass and less than 15% by mass of a sintering aid which is melted at 1400 to 1580 ° C,
An electrode is provided on at least one of the one surface of the first sintered body and the inside of the second sintered body; And
b) pressurizing the sintered bodies to perform liquid bonding by the sintering aid contained in the second sintered body at the interface of the sintered bodies, and heat-treating the sintered bodies at 1400 to 1580 ° C to form a high purity electrostatic chuck Way. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 소결체는 소결 보조제로 SiO2 0.5~10 질량%, CaO 0~5 질량%, MgO 0~5 질량%, Y2O3 0~3 질량%, La2O3 0~5 질량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.The sintered body according to claim 1, wherein the second sintered body comprises 0.5 to 10 mass% of SiO 2 , 0 to 5 mass% of CaO, 0 to 5 mass% of MgO, 0 to 3 mass% of Y 2 O 3 , La 2 O 3 By mass to 5% by mass of the composition. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 소결체의 알루미나 함량은 90 질량% 이상 99 질량% 미만이며 소결 보조제를 1 질량% 이상 10 질량% 미만을 함유하고,
상기 제2 소결체는 소결 보조제로 0.5 질량% 이상 10 질량% 미만의 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.The sintered body according to claim 1, wherein the alumina content of the second sintered body is 90% by mass or more and less than 99% by mass, the sintering aid contains 1% by mass or more and less than 10%
The second sintered body is an electrostatic chuck method for producing high purity by pressure bonding, it characterized in that it comprises a SiO 2 of less than 10 mass% to 0.5 mass% as a sintering aid. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 소결체는 알루미나 성형체를 1차로 1400~1550℃ 대기조건에서 상압 소결 후 2차로 1550~1650℃ 불활성가스 분위기에서 가압 소결함에 의해 얻어진 것임을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.[2] The method according to claim 1, wherein the first sintered body is obtained by press-sintering the alumina compacted body in an inert gas atmosphere at a temperature of 1550 to 1650 DEG C secondarily after sintering under normal pressure at 1400 to 1550 DEG C in an atmospheric condition. Method of manufacturing a chuck. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 소결체는 그린시트의 성형체를 1500~1600℃ 환원성 분위기에서 소결함에 의해 얻어진 것임을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.5. The method of manufacturing a high purity electrostatic chuck according to claim 4, wherein the second sintered body is obtained by sintering a green sheet formed body in a reducing atmosphere at 1500 to 1600 ° C. 청구항 1에 있어서, 상기 a) 단계에서 제2 소결체의 타면에 제3 소결체가 포개어지며,
상기 제3 소결체는 알루미나 함량이 99.9 질량% 이하로서 제2 소결체와 순도가 같거나 이보다 높으며, 알루미나 성형체를 1550~1650℃ 대기조건에서 상압 소결된 것임을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.The method according to claim 1, wherein the third sintered body is superimposed on the other surface of the second sintered body in step (a)
Wherein the third sintered body has a purity equal to or higher than that of the second sintered body by an alumina content of 99.9 mass% or less, and the alumina compact is sintered under normal pressure at atmospheric conditions of 1550 to 1650 ° C. . 청구항 6에 있어서, 상기 전극은 제2 소결체 내부에 2개 이상 마련되고, 제1 소결체에는 마련되지 않는 것을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.7. The method of manufacturing a high purity electrostatic chuck according to claim 6, wherein at least two electrodes are provided in the second sintered body and are not provided in the first sintered body. 청구항 1에 있어서, 상기 b) 단계에서 소결체들은 50kg/㎠~150kg/㎠으로 가압되는 것을 특징으로 하는 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법.The method according to claim 1, wherein the sintered bodies are pressed at a rate of 50 kg / cm 2 to 150 kg / cm 2 in the step b). 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 방법에 의해 얻어진 고순도 정전척.A high purity electrostatic chuck obtained by the method according to any one of claims 1 to 7.
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