KR101989362B1 - Pass-Transistor and Buck-Converter including of Pass-Transistor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 패스 트랜지스터 및 이를 포함하는 벅-컨버터에 관한 것으로, 특히 NMOS열과 PMOS열이 교차하여 배치된 패스 트랜지스터 및 이를 포함하는 벅-컨버터에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
무선통신기기의 배터리 사용 시간을 효율적으로 관리하기 위하여 높은 전력 효율을 갖는 벅-컨버터의 사용이 증가하고 있다. 이러한 컨버터의 경우 스위칭 동작으로 인하여 발생하는 스위칭 노이즈가 시스템의 성능을 떨어뜨리게 되어, 스위칭 노이즈가 적은 패스-트랜지스터가 연구되고 있다. In order to efficiently manage the battery usage time of wireless communication devices, the use of a buck-converter with high power efficiency is increasing. In such a converter, the switching noise caused by the switching operation lowers the performance of the system, and thus pass-transistors having less switching noise are being studied.
DC-DC 동기식 벅 컨버터의 경우 스위칭 동작을 위하여 NMOS와 PMOS로 구성된 패스 트랜지스터가 주로 사용되는데, 이 때, 큰 출력 전류를 제공할 수 있도록 패스 트랜지스터는 수백 개 이상의 핑거를 가진다. 이로 인하여, 패스-트랜지스터의 출력단에는 큰 스위칭 전류가 흐르게 되고, 전압 오버슈트가 크게 발생한다. 이는 전자파 방출의 원인이 된다는 문제점이 있었다. In the case of a DC-DC synchronous buck converter, a pass transistor composed of NMOS and PMOS is mainly used for the switching operation. In this case, the pass transistor has more than hundreds of fingers to provide a large output current. As a result, a large switching current flows through the output terminal of the pass-transistor and a large voltage overshoot occurs. This causes a problem of emission of electromagnetic waves.
상기의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 레이아웃 면적의 증가없이 패스-트랜지스터의 배치를 변경하여 벅-컨버터에서 전압 오버슈트를 감소시키는 패스-트랜지스터 및 이를 포함한 벅-컨버터를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pass-transistor and a buck-converter including the pass-transistor for reducing a voltage overshoot in a buck-converter by changing the arrangement of pass-transistors without increasing the layout area.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problem (s), and another problem (s) not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 벅-컨버터는, 제 1 열에 배치되는 복수의 제 1 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 1 트랜지스터-열; 상기 제 1 열에 인접한 제 2 열에 배치되며, 상기 제 1 타입과 상이한 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 2 트랜지스터-열; 상기 제 2 열을 기준으로 상기 제 1 열의 반대편인 제 3 열에 배치되며, 복수의 상기 제 1 타입의 트랜지스터들인 제 3 트랜지스터-열; 및 상기 제 3열에 기준으로 상기 제 2 열의 반대편인 제 4열에 배치되며, 복수의 상기제 2 타입의 트랜지스터들인 제 4 트랜지스터-열을 포함하는 스위칭부; 상기 스위칭부의 출력에 연결되는 인덕터 및 상기 인덕터와 직렬 또는 병렬로 연결되는 캐패시터를 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터들 및 상기 제 3 트랜지스터들은 병렬로 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터들과 상기 제 4 트랜지스터들은 병렬로 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터들의 게이트와 상기 제 2 트랜지스터들의 게이트는 공통으로 제어 신호에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터들의 소스 단자는 제 1 전압에 연결되며, 상기 제 2 트랜지스터들의 소스 단자는 제 2 전압에 연결되는 것이다. According to an aspect of the present invention, there is provided a buck-converter including: a first transistor-column including a plurality of first-type transistors arranged in a first column; A second transistor-column disposed in a second column adjacent to the first column, the second transistor-column comprising a plurality of second type transistors different from the first type; A third transistor disposed in a third column opposite the first column with respect to the second column, the third transistor being a plurality of the first type transistors; And a fourth transistor arranged in a fourth column opposite to the second column with respect to the third column, the fourth transistor being a plurality of the second type transistors; An inductor connected to an output of the switching unit, and a capacitor connected in series or in parallel with the inductor, wherein the first transistors and the third transistors are connected in parallel, and the second transistors and the fourth transistors Wherein a gate of the first transistors and a gate of the second transistors are commonly connected to a control signal and a source terminal of the first transistors is connected to a first voltage, And is connected to the second voltage.
상기 제 1 트랜지스터-열에 포함된 트랜지스터와 개수와 및 상기 제 2 트랜지스터-열에 포함된 트랜지스터의 개수가 동일할 수 있다. The number of transistors included in the first transistor-column and the number of transistors included in the second transistor-column may be the same.
상기 제 1 트랜지스터-열은, 상기 제 1 트랜지스터-열에 포함된 상기 제 1 타입의 트랜지스터들이 병렬로 연결될 수 있다. The first transistor-column may be connected in parallel with the first-type transistors included in the first transistor-column.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 패스-트랜지스터는, 제 1 열에 배치되는 복수의 제 1 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 1 트랜지스터-열; 상기 제 1 열에 인접한 제 2 열에 배치되며, 상기 제 1 타입과 상이한 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 2 트랜지스터-열; 상기 제 2 열을 기준으로 상기 제 1 열의 반대편인 제 3 열에 배치되며, 복수의 상기 제 1 타입의 트랜지스터들인 제 3 트랜지스터-열; 및 상기 제 3열에 기준으로 상기 제 2 열의 반대편인 제 4열에 배치되며, 복수의 상기제 2 타입의 트랜지스터들인 제 4 트랜지스터-열을 포함하는 것이다. According to another aspect of the present invention, there is provided a pass-transistor comprising: a first transistor-column including a plurality of first-type transistors arranged in a first column; A second transistor-column disposed in a second column adjacent to the first column, the second transistor-column comprising a plurality of second type transistors different from the first type; A third transistor disposed in a third column opposite the first column with respect to the second column, the third transistor being a plurality of the first type transistors; And a fourth transistor row arranged in a fourth column opposite the second column with respect to the third column, the fourth transistor row being a plurality of the second type transistors.
NMOS 열과 PMOS 열을 번갈아가며 배치하여 패스-트랜지스터 및 이를 포함하는 벅-컨버터를 구현함으로서, 전체 레이아웃 면적을 증가시키지 않고서도 전압 오버슈트를 감소시킬 수 있다. By alternately arranging the NMOS and PMOS columns to implement a pass-transistor and a buck-converter including it, the voltage overshoot can be reduced without increasing the overall layout area.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 벅-컨버터에 관한 블록도를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패스-트랜지스터(200)에 관한 블록도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 PWM(310)에 따라 인덕터(110)에 흐르는 전류의 변화를 나타내는 그림이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패스-트랜지스터(200)내의 PMOS(210)와 NMOS(220)의 배치에 따른 출력단에서의 전압 오버슈트 변화를 나타내는 도면이다. 1 is a block diagram of a buck-converter in accordance with an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram of a pass-
3 is a graph showing a change in current flowing in the
4 is a diagram illustrating voltage overshoot variation at an output terminal according to the arrangement of the
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.The terms first, second, A, B, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be termed a second component, and similarly, the term " second component " The second component may also be referred to as the first component. The term < RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of the plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 벅-컨버터에 관한 블록도를 나타내는 도면이다. 1 is a block diagram of a buck-converter in accordance with an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 벅-컨버터(100)는 패스-트랜지스터(200), 인덕터(110) 및 캐패시터(120)를 포함한다. The buck-
패스-트랜지스터(200)는 제 1 타입의 복수의 트랜지스터들과 제 2 타입의 복수의 트랜지스터들로 구성된다. 이 때, 제 1 타입의 트랜지스터는 PMOS일 수 있으며, 제 2 타입의 트랜지스터는 NMOS일 수 있다. The pass-
PMOS(210)의 소스 단자는 제 1 전압(예를 들면, Vdd(240))에 연결되고, 게이트 단자에는 PWM(310)이 인가된다. 또한, PMOS(210)의 드레인 단자는 후술할 NMOS(220)의 드레인 단자와 연결된다. The source terminal of the
NMOS(220)의 소스 단자는 제 2 전압(예를 들면, Vss(250))에 연결되고, 게이트 단자에는 PWM(310)이 인가된다. 또한, NMOS(220)의 드레인 단자는 PMOS(210)의 드레인 단자와 연결된다. The source terminal of the
PMOS(210)와 NMOS(220)는 PWM(310)에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다. The PMOS 210 and the NMOS 220 are turned on or off according to the PWM 310.
패스 트랜지스터(200)의 구성에 관한 자세한 설명은 도 2에서 후술한다. A detailed description of the configuration of the
인덕터(110)는 패스-트랜지스터(200)의 출력단, 즉, NMOS와 PMOS의 드레인 단자에 연결된다. The
캐패시터(120)는 인덕터(110)와 직렬 또는 병렬로 연결되어 로드에 전압을 전달한다. Capacitor 120 is connected in series or in parallel with
이하에서는, 설명의 편의를 위하여 도 3을 참고하여 PWM(310)에 따라 인덕터(110)에 흐르는 전류의 변화를 살펴본다. Hereinafter, for convenience of description, a change in the current flowing through the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 PWM(310)에 따라 인덕터(110)에 흐르는 전류의 변화를 나타내는 그림이다. 3 is a graph showing a change in current flowing in the
도 3a는 PWM(310)의 전압 레벨을 나타내는 그림이며, 도 3b는 인덕터(120)에 흐르는 전류를 나타내는 그림이다. FIG. 3A is a diagram illustrating a voltage level of the PWM 310, and FIG. 3B is a diagram illustrating a current flowing in an inductor 120. Referring to FIG.
PWM(310)은 PMOS(210)를 턴-온 시키기에 충분히 작은 전압과 NMOS(220)를 턴-온 시키기에 충분히 큰 전압이 번갈아가면서 나타날 수 있다. PWM 310 may appear alternating between a voltage small enough to turn on
PWM(310)이 임계치 이상의 전압(이하에서는, 하이 신호)을 나타내는 경우 PMOS(210)가 턴-오프되고, NMOS(220)가 턴-온 된다. 또한, PWM(310)이 임계치 이하의 전압(이하에서는, 로우 신호)을 나타내는 경우 PMOS(210)가 턴-온되고, NMOS(220)가 턴-오프 된다. 따라서, PWM(310)이 하이 신호를 나타내는 경우 NMOS(220)를 통하여 인덕터(110)에 전류가 공급되고, PWM(310)이 로우 신호를 나타내는 경우 PMOS(210)을 통하여 인덕터(110)에 전류가 공급된다. The
결과적으로, PWM(310)이 하이 신호를 나타내는 시간과 로우 신호를 나타내는 시간을 적절히 조절함으로서 벅-컨버터(100)는 원하는 전압을 출력할 수 있다. As a result, the buck-
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패스-트랜지스터(200)에 관한 블록도를 나타내는 도면이다. 2 is a block diagram of a pass-
본 발명의 일 실시예에 따른 패스-트랜지스터(200)는 제 1 트랜지스터-열(211), 제 2 트랜지스터-열(221), 제 3 트랜지스터-열(212) 및 제 4 트랜지스터-열(222)을 포함할 수 있다. The pass-
제 1 트랜지스터-열(211)은 제 1 열(201)에 배치되며, 복수의 제 1 타입 트랜지스터(예를 들면, PMOS)를 포함할 수 있다. The
제 2 트랜지스터-열(221)은 제 1 열(201)에 인접한 제 2 열(202)에 배치되며, 제 1 타입과 상이한 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들(예를 들면, NMOS)를 포함할 수 있다. The
제 3 트랜지스터-열(212)은 제 2 열(203)을 기준으로 제 1 열(201)의 반대편인 제 3 열(203)에 배치되며, 복수의 제 1 타입의 트랜지스터들(예를 들면, PMOS)을 포함할 수 있다. The third transistor-
제 4 트랜지스터-열(222)은 제 3열(203)을 기준으로 제 2 열(202)의 반대편인 제 4열(204)에 배치되며, 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들(예를 들면, NMOS)를 포함할 수 있다. The fourth transistor-
이 때, 제 1 트랜지스터-열(211)에 포함된 트랜지스터와 제 2 트랜지스터-열(221)에 포함된 트랜지스터들의 개수는 동일하며, 각각 병렬로 연결될 수 있다. In this case, the number of transistors included in the first transistor-
또한, 제 1 트랜지스터-열(211)의 게이트와 제 2 트랜지스터-열(221)의 게이트는 공통으로 제어 신호에 연결되고, 제 1 트랜지스터-열(211)의 소스 단자는 제 1 전압(예를 들면, Vdd)에 연결되며, 제 2 트랜지스터-열(221)의 소스 단자는 제 2 전압(예를 들면, Vdd)에 연결될 수 있다. 또한, 제 1 트랜지스터-열(211)의 드레인 단자는 제 2 트랜지스터-열(221)의 드레인 단자와 연결될 수 있다. The gate of the first transistor-
이하에서는, 설명의 편의를 위하여 제 1 타입의 트랜지스터는 PMOS이고, 제 2 타입의 트랜지스터는 NMOS이며, 패스 트랜지스터(200)는 4열의 PMOS들과 4열의 NMOS들을 포함하는 것으로 가정한다. 이 때, 각각의 열에서 배치되는 트랜지스터들의 타입은 다음의 표 1과 같다..Hereinafter, for convenience of explanation, it is assumed that the first type transistor is a PMOS, the second type transistor is an NMOS, and the
표 1을 참고하면, 각각의 열에는 PMOS와 NMOS가 번갈아가면서 배치된다. Referring to Table 1, PMOS and NMOS are arranged alternately in each column.
벅-컨버터(100)에 포함되는 패스-트랜지스터는 큰 전류를 출력하기 위하여 많은 수의 핑거로 구성되는데, 패스-트랜지스터를 구성하는 NMOS열과 PMOS열을 번갈아 배치함으로서 패스-트랜지스터(200)의 출력단에서 발생하는 전압 오버슈트를 감소시켜, 시스템을 안정화시킨다. The pass-transistors included in the buck-
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패스-트랜지스터(200)내의 PMOS(210)와 NMOS(220)의 배치에 따른 출력단에서의 전압 오버슈트 변화를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating voltage overshoot variation at an output terminal according to the arrangement of the
도 4a는 PMOS(210)를 왼편에 NMOS(220)를 오른편에 각각 배치한 패스-트랜지스터이다. 4A is a pass-transistor in which a
도 4b는 도 2에서와 같이 PMOS(210)와 NMOS(220)를 교차로 배치한 패스-트랜지스터(200)이다. 4B is a cross-transistor 200 in which the
도 4c는 도 4a와 도 4b에서 패스-트랜지스터의 출력단에서 생성되는 전압 오버슈트를 비교한 그림이다. FIG. 4C is a graph comparing the voltage overshoot generated at the output terminal of the pass transistor in FIGS. 4A and 4B. FIG.
도 4를 참고하면, 도 2에서와 같이 PMOS(210)와 NMOS(220)를 교차로 배치한 패스-트랜지스터(200)의 출력단에서의 전압 오버슈트가 더 적음을 알 수 있다. 즉, 전체 레이아웃의 면적을 변화시키지 않고서도, PMOS(210)와 NMOS(220)의 배치를 변경함으로서 전압 오버슈트를 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 4, it can be seen that the voltage overshoot at the output terminal of the pass-
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and / or features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims and equivalents thereof.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modification is possible. Accordingly, the spirit of the present invention should be understood only in accordance with the following claims, and all equivalents or equivalent variations thereof are included in the scope of the present invention.
100: 벅-컨버터
110: 인덕터
120: 캐패시터
200: 패스-트랜지스터
210: PMOS
220: NMOS100: Buck-Converter
110: inductor
120: Capacitor
200: pass-transistor
210: PMOS
220: NMOS
Claims (4)
상기 제 1 열에 인접한 제 2 열에 배치되며, 상기 제 1 타입과 상이한 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 2 트랜지스터-열;
상기 제 2 열을 기준으로 상기 제 1 열의 반대편인 제 3 열에 배치되며, 복수의 상기 제 1 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 3 트랜지스터-열; 및
상기 제 3열에 기준으로 상기 제 2 열의 반대편인 제 4열에 배치되며, 복수의 상기 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 4 트랜지스터-열이 포함된 스위칭부;
상기 스위칭부의 출력에 연결되는 인덕터 및
상기 인덕터와 직렬 또는 병렬로 연결되는 캐패시터를 포함하고,
상기 제 1 트랜지스터-열 및 상기 제 3 트랜지스터-열은 병렬로 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터-열과 상기 제 4 트랜지스터-열은 병렬로 연결되며,
상기 제 1 트랜지스터-열의 게이트와 상기 제 2 트랜지스터-열의 게이트는 공통으로 제어 신호에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터-열의 소스 단자는 제 1 전압에 연결되며, 상기 제 2 트랜지스터-열의 소스 단자는 제 2 전압에 연결되는 벅-컨버터.A first transistor disposed in a first column, the first transistor comprising a plurality of first type transistors;
A second transistor-column disposed in a second column adjacent to the first column, the second transistor-column comprising a plurality of second type transistors different from the first type;
A third transistor disposed in a third column opposite the first column with respect to the second column, the third transistor including a plurality of the first type transistors; And
A fourth transistor arranged in a fourth column opposite to the second column with respect to the third column, the fourth transistor including a plurality of the second type transistors;
An inductor connected to the output of the switching unit and
And a capacitor connected in series or in parallel with the inductor,
Wherein the first transistor-column and the third transistor-column are connected in parallel, the second transistor-column and the fourth transistor-column are connected in parallel,
The gate of the first transistor-column and the gate of the second transistor-column are commonly connected to a control signal, the source terminal of the first transistor-column is connected to the first voltage, and the source terminal of the second transistor- Buck-converter connected to 2 voltage.
상기 제 1 트랜지스터-열에 포함된 트랜지스터와 개수와 및 상기 제 2 트랜지스터-열에 포함된 트랜지스터의 개수가 동일한 것을 특징으로 하는 벅-컨버터. The method according to claim 1,
Wherein the number of transistors included in the first transistor-column and the number of transistors included in the second transistor-column are the same.
상기 제 1 트랜지스터-열에 포함된 상기 제 1 타입의 트랜지스터들이 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 벅-컨버터. The method of claim 1, wherein the first transistor-
And the first type transistors included in the first transistor row are connected in parallel.
상기 제 1 열에 인접한 제 2 열에 배치되며, 상기 제 1 타입과 상이한 복수의 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 2 트랜지스터-열;
상기 제 2 열을 기준으로 상기 제 1 열의 반대편인 제 3 열에 배치되며, 복수의 상기 제 1 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 3 트랜지스터-열; 및
상기 제 3열에 기준으로 상기 제 2 열의 반대편인 제 4열에 배치되며, 복수의 상기 제 2 타입의 트랜지스터들을 포함하는 제 4 트랜지스터-열을 포함하고,
상기 제 1 트랜지스터-열 및 상기 제 3 트랜지스터-열은 병렬로 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터-열과 상기 제 4 트랜지스터-열은 병렬로 연결되며,
상기 제 1 트랜지스터-열의 게이트와 상기 제 2 트랜지스터-열의 게이트는 공통으로 제어 신호에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터-열의 소스 단자는 제 1 전압에 연결되며, 상기 제 2 트랜지스터-열의 소스 단자는 제 2 전압에 연결되는 패스-트랜지스터A first transistor disposed in a first column, the first transistor comprising a plurality of first type transistors;
A second transistor-column disposed in a second column adjacent to the first column, the second transistor-column comprising a plurality of second type transistors different from the first type;
A third transistor disposed in a third column opposite the first column with respect to the second column, the third transistor including a plurality of the first type transistors; And
And a fourth transistor row arranged in a fourth column opposite to the second column with respect to the third column and including a plurality of the second type transistors,
Wherein the first transistor-column and the third transistor-column are connected in parallel, the second transistor-column and the fourth transistor-column are connected in parallel,
The gate of the first transistor-column and the gate of the second transistor-column are commonly connected to a control signal, the source terminal of the first transistor-column is connected to the first voltage, and the source terminal of the second transistor- Pass through 2-voltage transistor
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---|---|---|---|---|
KR20070071143A (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 고려대학교 산학협력단 | Adaptive dc-dc converter |
WO2016035120A1 (en) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 三菱電機株式会社 | Dc-dc converter |
-
2018
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Patent Citations (2)
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