KR101981118B1 - Hot/Cold chamber for semiconductor test - Google Patents

Hot/Cold chamber for semiconductor test Download PDF

Info

Publication number
KR101981118B1
KR101981118B1 KR1020190026168A KR20190026168A KR101981118B1 KR 101981118 B1 KR101981118 B1 KR 101981118B1 KR 1020190026168 A KR1020190026168 A KR 1020190026168A KR 20190026168 A KR20190026168 A KR 20190026168A KR 101981118 B1 KR101981118 B1 KR 101981118B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
handle
block
test space
thermoelectric element
metal block
Prior art date
Application number
KR1020190026168A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이혜복
전민호
Original Assignee
주식회사 제이에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제이에스티 filed Critical 주식회사 제이에스티
Application granted granted Critical
Publication of KR101981118B1 publication Critical patent/KR101981118B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L35/34—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a hot/cold chamber for a semiconductor test mounter comprises: a base portion having a test space and provided to be mounted on a mounter, and a main body portion connected to the base portion to be rotated, and provided to open and close the test space. The main body portion includes a thermal shock portion for applying thermal shock to a package chip located in the test space while being mounted on the mounter. The thermal shock portion includes: a metal block portion provided to be in contact with the package chip; a first thermoelectric element disposed to exchange heat with the metal block portion, a heat sink made of a metal material disposed to exchange heat with the first thermoelectric element, a second thermoelectric element disposed to exchange heat with the heat sink, and a cooling portion disposed to exchange heat with the second thermoelectric element.

Description

반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버{Hot/Cold chamber for semiconductor test}Hot / cold chamber for semiconductor test < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a hot / cold chamber for a semiconductor test chamber.

일반적으로 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버는, 반도체 테스트 실장기 상부에 장착하여, 실장 소켓 내부의 반도체 패키지 칩(또는 '패키지 칩(package chip)'이라 함)에 금속 블록을 접촉시킴으로써, 목표하는 온도로 패키지 칩에 열 충격을 가하기 위한 장치이다. 또한, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버는, 실장기 내부의 패키지 칩으로 열을 전달하여 온도 스트레스를 주면서 각종 전기적인 특성을 테스트할 수 있는 구조로 되어 있다.Generally, a hot / cold chamber for a semiconductor test chamber is mounted on a semiconductor test chamber and is brought into contact with a semiconductor package chip (or 'package chip' ') inside a mounting socket, It is a device for applying thermal shock to the package chip with temperature. In addition, the hot / cold chamber for a semiconductor test placement machine has a structure capable of testing various electrical characteristics while transferring heat to the package chip inside the semiconductor chip, thereby imparting thermal stress.

본 발명은 외기의 영향을 받지 않고, 습기 및 결로 방지가 가능한 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.A hot / cold chamber for a semiconductor test and packaging machine capable of preventing moisture and condensation without being influenced by outside air is provided.

또한, 본 발명은 열 충격부가 캐스케이드(cascade) 열교환 방식으로 구성되어 넓은 온도 대역의 온도 스트레스의 제공이 가능하고, 특히 극저온도(예를 들어, -50℃)의 테스트가 가능한, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.In addition, the present invention is also applicable to a semiconductor test mounting machine capable of providing a thermal stress in a wide temperature range and capable of testing a cryogenic temperature (for example, -50 ° C), in which a thermal shock part is constituted by a cascade heat exchange method. And to provide a hot / cold chamber.

또한, 본 발명은 금속 블록부를 통해 패키지 칩에 온도 스트레스를 가하면서 금속 블록부와 패키지 칩의 접촉 강도를 조절 및 모니터링할 수 있는 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a hot / cold chamber for a semiconductor test and packaging machine capable of adjusting and monitoring the contact strength between the metal block and the package chip while applying thermal stress to the package chip through the metal block portion do.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 테스트 공간을 갖고, 실장기에 장착되기 위한 베이스부 및 베이스부에 회전 가능하게 연결되며, 테스트 공간을 개폐하도록 마련된 본체부를 포함하는 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test assembly including a test unit, a base unit for mounting the test unit on the test unit, and a body portion rotatably connected to the base unit, A hot / cold chamber is provided.

여기서 상기 본체부는, 실장기에 장착된 상태에서 상기 테스트 공간에 위치하는 패키지 칩에 열충격을 가하기 위한 열충격부를 포함한다.Here, the main body unit includes a thermal shock unit for applying a thermal shock to the package chip located in the test space while being mounted on the mounting unit.

또한, 상기 열충격부는 상기 패키지 칩과 접촉되기 위한 금속 블록부, 금속 블록부와 열 교환 가능하게 배치된 제1 열전소자, 제1 열전소자와 열 교환 가능하게 배치된 금속 재질의 히트싱크, 히트싱크와 열 교환 가능하게 배치된 제2 열전소자 및 제2 열전소자와 열 교환 가능하게 배치된 냉각부를 포함한다.The thermal shock absorber may further include a metal block portion for contacting the package chip, a first thermoelectric element arranged to be exchangeable with the metal block portion, a heat sink made of metal arranged to be exchangeable with the first thermoelectric element, And a cooling section arranged so as to be capable of heat exchange with the second thermoelectric element and the second thermoelectric element.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 적어도 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버는 다음과 같은 효과를 갖는다.As described above, the hot / cold chamber for a semiconductor test chamber according to at least one embodiment of the present invention has the following effects.

외기의 영향을 받지 않고, 습기 및 결로 방지가 가능한 구조를 갖는다.And has a structure capable of preventing moisture and condensation without being influenced by outside air.

또한, 열 충격부가 캐스케이드(cascade) 열교환 방식으로 구성되어 넓은 온도 대역의 온도 스트레스의 제공이 가능하고, 특히 극저온도(예를 들어, -50℃)의 테스트가 가능하다.In addition, the thermal shock portion can be constituted by a cascade heat exchange method, and it is possible to provide a temperature stress in a wide temperature range, and in particular, a cryogenic temperature (for example, -50 ° C) can be tested.

또한, 열 충격부의 금속 블록부를 통해 패키지 칩에 온도 스트레스를 가하면서, 금속 블록부와 패키지 칩의 접촉 강도를 조절 및 모니터링할 수 있다.Further, the contact strength between the metal block portion and the package chip can be adjusted and monitored while applying the thermal stress to the package chip through the metal block portion of the thermal shock portion.

도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버에서 테스트 공간의 개방 상태를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 평면도이다.
도 4는 도 3의 선 I-I를 따라 절취한 상태의 단면도이다.
도 5는 로드 셀 블록(load cell block)을 나타내는 사시도이다.
도 6은 로드 셀 푸셔(load cell pusher)를 나타내는 사시도이다.
도 7은 로드 셀(load cell)을 나타내는 사시도이다.
도 8 및 도 9는 제1 핸들 회전 시, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 일 작동상태를 설명하기 위한 도면들이다.
도 10 및 도 11은 제2 핸들 회전 시, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 일 작동상태를 설명하기 위한 도면들이다.1 is a perspective view of a hot / cold chamber for a semiconductor test gun in accordance with one embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the open state of the test space in the hot / cold chamber for the semiconductor test and packaging machine shown in FIG.
3 is a top view of a hot / cold chamber for a semiconductor test < / RTI >
4 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
5 is a perspective view showing a load cell block.
Figure 6 is a perspective view showing a load cell pusher.
7 is a perspective view showing a load cell.
Figs. 8 and 9 are views for explaining one operating state of the hot / cold chamber for the semiconductor test equipment when the first handle rotates. Fig.
Figs. 10 and 11 are views for explaining one operating state of the hot / cold chamber for the semiconductor test equipment when the second handle rotates. Fig.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버를 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a hot / cold chamber for a semiconductor test and packaging machine according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

또한, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응되는 구성요소는 동일 또는 유사한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 하며, 설명의 편의를 위하여 도시된 각 구성 부재의 크기 및 형상은 과장되거나 축소될 수 있다.In addition, the same or corresponding reference numerals are given to the same or corresponding reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. For convenience of explanation, the size and shape of each constituent member shown in the drawings are exaggerated or reduced .

도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버(10)의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버(10)에서 테스트 공간(101)의 개방 상태를 나타내는 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view of a hot / cold chamber 10 for a semiconductor test holder according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a test chamber 101 Fig.

또한, 도 3은 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 평면도이고, 도 4는 도 3의 선 I-I를 따라 절취한 상태의 단면도이다.3 is a plan view of a hot / cold chamber for a semiconductor test chamber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line I-I of FIG.

본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버(10)(이하, '핫/콜드 챔버'라고 약칭함)는 테스트 공간(101)을 갖고, 실장기(도시되지 않음)에 장착되기 위한 베이스부(100) 및 베이스부(100)에 회전 가능하게 연결되며, 테스트 공간(101)을 개폐하도록 마련된 본체부(200)를 포함한다. A hot / cold chamber 10 (hereinafter abbreviated as a 'hot / cold chamber') for a semiconductor test chamber in accordance with an embodiment of the present invention has a test space 101 and is mounted on an actual organs And a body portion 200 rotatably connected to the base portion 100 and configured to open and close the test space 101. The body portion 200 includes a base portion 100 for supporting the test portion 101,

도 1은 테스트 공간(101)이 닫힌 상태를 나타내고, 도 2는 테스트 공간(101)이 개방된 상태를 나타낸다. 예를 들어, 상기 테스트 공간(101)은 베이스부(100)를 관통하는 공간부로 형성될 수 있다.Fig. 1 shows a state in which the test space 101 is closed, and Fig. 2 shows a state in which the test space 101 is opened. For example, the test space 101 may be formed as a space passing through the base portion 100.

예를 들어, 상기 베이스부(100)과 본체부(200)는, 베이스부(100)와 본체부(200) 경계의 일부 영역에서, 베이스부(100)에 대하여 본체부(200)가 회전 가능하게 힌지(honge)(105) 연결되고, 상기 경계의 나머지 영역에서는 베이스부(100)와 본체부(200)가 분리된 상태일 수 있다. 이때, 상기 본체부(200)가 테스트 공간(101)과 가까워지는 방향으로 회전되어 닫힌 상태가 되면, 후술할 래치부(400)를 통해 베이스부(100)와 본체부(200)를 결속시킴으로써, 닫힌 상태를 유지시킬 수 있다. 또한, 실장기 상부에 핫/콜드 챔버(10)가 장착되면, 패키지 칩은 실장기에 장착된 상태에서 상기 테스트 공간에 위치하게 된다. 이후, 테스트 공간(101)이 닫힌 상태에서 패키지 칩에 대한 각종 테스트(온도 스트레스, 전기적 특성 테스트)가 이루어질 수 있다.For example, the base portion 100 and the main body portion 200 are configured such that the main body portion 200 is rotatable with respect to the base portion 100 in a part of the boundary between the base portion 100 and the main body portion 200 And the base portion 100 and the body portion 200 may be separated from each other in the remaining region of the boundary. At this time, when the main body 200 is rotated in a direction close to the test space 101, the main body 200 is coupled with the base 100 through the latch 400, The closed state can be maintained. Further, when the hot / cold chamber 10 is mounted on the upper part of the body, the package chip is placed in the test space while being mounted on the mounting machine. Thereafter, various tests (temperature stress, electrical characteristic test) on the package chip can be performed while the test space 101 is closed.

상기 본체부(200)는, 실장기에 장착된 상태에서 상기 테스트 공간에 위치하는 패키지 칩에 열 충격(온도 스트레스)을 가하기 위한 열충격부(300)를 포함한다. 또한, 상기 본체부(200)는 외관을 형성하는 하우징(201)을 포함하며, 상기 열충격부(300)는 상기 하우징(201) 내부에 배치된다.The main body 200 includes a thermal shock unit 300 for applying thermal shock to the package chip located in the test space while being mounted on the mounting unit. The main body 200 includes a housing 201 forming an outer appearance, and the thermal shock absorber 300 is disposed inside the housing 201.

상기 열충격부(300)는 금속 블록부(310), 제1 열전소자(320), 히트 싱크(330), 제2 열전소자(340) 및 냉각부(360)를 포함한다.The thermal shock absorber 300 includes a metal block 310, a first thermoelectric element 320, a heat sink 330, a second thermoelectric element 340, and a cooling unit 360.

구체적으로, 열충격부(300)는 실장기에 장착된 상태에서 상기 테스트 공간에 위치하는 패키지 칩과 접촉되기 위한 금속 블록부(310), 금속 블록부(310)와 열 교환 가능하게 배치된 제1 열전소자(320), 제1 열전소자(320)와 열 교환 가능하게 배치된 금속 재질의 히트싱크(330), 히트싱크(330)와 열 교환 가능하게 배치된 제2 열전소자(340) 및 제2 열전소자와 열 교환 가능하게 배치된 냉각부(350)를 포함한다.Specifically, the thermal shock absorber 300 includes a metal block 310 for contacting the package chip located in the test space in a state of being mounted on a mounting machine, a first thermoelectric A device 320, a heat sink 330 made of metal arranged to be heat exchangeable with the first thermoelectric element 320, a second thermoelectric element 340 arranged to be heat exchangeable with the heat sink 330, And a cooling part 350 arranged to exchange heat with the thermoelectric element.

예를 들어, 패키지 칩에서 멀어지는 방향을 따라, 금속 블록부, 제1 열전소자(320), 히트싱크(330), 제2 열전소자(340), 및 냉각부(350)가 차례로 배치되며, 인접하는 2개의 구성요소는 열 교환 가능하게 직접 접촉하도록 배치될 수 있다. 즉, 금속 블록부(310)와 제1 열전소자(320)는 접촉하도록 배치되고, 제1 열전소자(320)는 히트싱크(330)와 접촉하도록 배치되며, 히트싱크(330)는 제2 열전소자(340)와 접촉하도록 배치되고, 제2 열전소자(340)는 냉각부(350)와 접촉하도록 배치될 수 있다. For example, along the direction away from the package chip, the metal block portion, the first thermoelectric element 320, the heat sink 330, the second thermoelectric element 340, and the cooling portion 350 are disposed in order, The two components may be disposed so as to be in direct contact with each other in a heat exchangeable manner. That is, the metal block portion 310 and the first thermoelectric element 320 are arranged to be in contact with each other, the first thermoelectric element 320 is arranged to be in contact with the heat sink 330, And the second thermoelectric element 340 may be disposed so as to be in contact with the cooling portion 350. In this case,

또한, 냉각부(350)는 내부에 냉각수가 유동하는 튜브를 갖는 구조일 수 있다. 또한, 상기 냉각수는 챔버(10) 외부에서 온도가 조절되어 공급될 수 있다. 냉각부(350)는 제2 열전소자(340)를 냉각시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 열 충격부(300)는 냉각부(350)의 냉각수의 온도를 감지하기 위한 바이메탈(bimetal) 온도 센서(203)를 포함할 수 있다. 상기 바이메탈 온도 센서(203)에 의해 감지된 온도가, 미리 설정된 온도 범위를 벗어날 경우, 열 충격부(예를 들어, 후술할 전원 공급부)의 작동이 정지될 수 있다.Further, the cooling portion 350 may be a structure having a tube through which the cooling water flows. In addition, the cooling water may be supplied outside the chamber 10 with a controlled temperature. The cooling unit 350 may function to cool the second thermoelectric element 340. In addition, the thermal shock portion 300 may include a bimetal temperature sensor 203 for sensing the temperature of the cooling water of the cooling portion 350. If the temperature sensed by the bimetallic temperature sensor 203 deviates from a predetermined temperature range, the operation of the thermal shock portion (for example, a power supply portion to be described later) may be stopped.

또한, 열충격부(300)는 제1 열전소자(320) 및 제2 열전소자(330)에 전원을 공급하기 위한 전원 공급부를 포함한다. 제1 열전소자(320) 및 제2 열전소자(330)는 히트싱크(330)를 매개로 캐스케이드 방식으로 연결될 수 있다. 각각의 열전소자(320, 330)는 흡열부 및 발열부를 가지며, 패키지 칩을 향하는 제1 및 제2 열전소자(320, 330)는 각각의 면이 동일하게 흡열부 또는 발열부로 작동하도록 마련된다.  The thermal shock absorber 300 includes a power supply unit for supplying power to the first thermoelectric element 320 and the second thermoelectric element 330. The first thermoelectric element 320 and the second thermoelectric element 330 may be connected in a cascade manner via the heat sink 330. Each of the thermoelectric elements 320 and 330 has a heat absorbing portion and a heat generating portion. The first and second thermoelectric elements 320 and 330 facing the package chip are provided such that their surfaces function as a heat absorbing portion or a heat generating portion.

예를 들어, 패키지 칩의 저온 테스트 시, 제1 열전소자(320)가 패키지 칩으로부터 흡수한 열이 히트싱크(330)를 통해 제2 열전소자로 전달되고, 제2 열전소자(340)가 제1 열전소자(320)로부터 흡수한 열을 냉각부(350)를 통해 발열시킴으로써, 제1 열전소자(320)가 최저의 온도로 하강 및 유지될 수 있다. For example, in the low-temperature test of the package chip, the heat absorbed by the first thermoelectric element 320 from the package chip is transferred to the second thermoelectric element through the heat sink 330, The first thermoelectric element 320 can be lowered and held at the lowest temperature by heating the heat absorbed from the first thermoelectric element 320 through the cooling part 350. [

또한, 전원 공급부는 제1 열전소자(320) 및 제2 열전소자(330) 각각에 공급되는 (+), (-) 전원을 스위칭 시킴으로써, 각각의 열전소자(320, 330)의 흡열부 및 발열부의 위치를 전환시킬 수 있다. 이와 같이, 각각의 열전소자(320, 330)의 흡열부 및 발열부의 위치를 전환시킴에 따라, 금속 블록부(310)와 접촉하는 제1 열전소자(320)의 일면을 흡열부로 하여, 저온 테스트를 수행할 수도 있고, 금속 블록부(310)와 접촉하는 제1 열전소자(320)의 일면을 발열부로 하여, 고온 테스트를 수행할 수도 있다.Also, the power supply unit switches the (+) and (-) power supplies supplied to the first thermoelectric element 320 and the second thermoelectric element 330, respectively, so that the heat absorbing part and the heat generation part of the thermoelectric elements 320 and 330 The position of the negative portion can be switched. As a result of switching the positions of the heat absorbing portion and the heat generating portion of each of the thermoelectric elements 320 and 330, one surface of the first thermoelectric element 320 contacting the metal block portion 310 is used as a heat absorbing portion, Alternatively, one surface of the first thermoelectric element 320, which is in contact with the metal block 310, may be used as a heat generating part to perform a high temperature test.

또한, 금속 블록부(310)는, 제1 열전소자(320)와 접촉하게 배치된 제1 금속 블록(311) 및 제1 금속 블록(311)에 탈착 가능하게 장착되며, 테스트 공간(101)이 닫힘 상태에서 테스트 공간(101)에 위치하여 패키지 칩과 접촉되는 제2 금속 블록(312)을 포함할 수 있다. 이러한 구조에 따라 패키지 칩의 종류 등에 따라 제2 금속 블록(312)을 교체할 수 있다.The metal block 310 is detachably mounted on the first metal block 311 and the first metal block 311 disposed in contact with the first thermoelectric element 320 and the test space 101 And a second metal block 312 positioned in the test space 101 in a closed state and in contact with the package chip. According to this structure, the second metal block 312 can be replaced according to the type of the package chip or the like.

또한, 본체부(200)는, 외부의 CDA 공급부(도시되지 않음)와 연결되기 위한 제1 포트부(204) 및 제1 포트부(204)와 연결되며, 상기 베이스부(100)의 테스트 공간(101)으로 CDA(clean dry air, 청정 건조압축 공기)를 공급하기 위한 제1 유로(도시되지 않음)를 갖는다. 또한, 제1 유로는, 제1 포트부(203)와 유체 이동 가능하게 연결되며, 베이스부(100) 측으로 연장된다. 또한, 제1 유로는, 하우징(201) 내부에 위치하고, 주변 구성요소와 간섭이 일어나지 않도록 적당한 위치에 배치될 수 있다. The body part 200 is connected to a first port part 204 and a first port part 204 for connection to an external CDA supply part (not shown) (Not shown) for supplying a clean dry air (CDA) to the drying apparatus 101. [ The first flow path is fluidly connected to the first port portion 203 and extends toward the base portion 100 side. In addition, the first flow path may be disposed inside the housing 201 and disposed at an appropriate position so as not to interfere with peripheral components.

또한, 베이스부(100)는, 테스트 공간(101)의 닫힘 상태에서 제1 유로와 연결되며, 테스트 공간(101)과 유체 이동 가능하게 연결된 제2 유로(102)를 갖는다. 제1 포트부(204)에 외부 CDA공급원이 연결되고, 테스트 공간(101)의 닫힘 상태에서 제1 유로부와 제2 유로부(102)가 유체 이동 가능하게 연결되며, 테스트 공간(101)으로 CDA를 공급할 수 있다. 이와 같이, CDA를 테스트 공간(101) 및 금속 블록부(310)에 공급함으로써, 습기를 방지할 수 있다.The base portion 100 has a second flow path 102 connected to the first flow path in a closed state of the test space 101 and connected to the test space 101 in a fluid-tight manner. An external CDA supply source is connected to the first port portion 204 and the first flow path portion and the second flow path portion 102 are fluidly connected to each other in the closed state of the test space 101, CDA can be supplied. As described above, by supplying the CDA to the test space 101 and the metal block portion 310, moisture can be prevented.

또한, 베이스부(100)는 테스트 공간(101)의 내주면의 적어도 일부 영역을 둘러싸는 제1 단열부재(103)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 본체부(200)는, 금속 블록부(310)의 외주면의 적어도 일부 영역을 둘러싸는 제2 단열부재(205)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 단열부재(103) 및 제2 단열부재(205)는 단열 성능을 갖는 소재로 형성될 수 있으며, 동일한 소재로 각각 형성될 수도 있고, 예를 들어, 울템(ULTEM) 재질로 형성될 수 있다.Further, the base portion 100 may include a first heat insulating member 103 surrounding at least a part of the inner circumferential surface of the test space 101. The main body 200 may include a second heat insulating member 205 surrounding at least a part of the outer circumferential surface of the metal block 310. The first heat insulating member 103 and the second heat insulating member 205 may be formed of a material having heat insulating performance and may be formed of the same material or may be formed of ULTEM material, .

또한, 핫/콜드 챔버(10)는 금속 블록부(310)에 패키지 칩을 향하는 방향으로 소정의 하중을 인가하기 위한 하중 인가부(210)를 추가로 포함한다. 상기 하중을 조절함으로써, 금속 블록부(310, 특히 제2 금속 블록)와 패키지 칩의 접촉 강도를 조절할 수 있다. 또한, 인가되는 하중을 측정함으로써, 접촉 강도를 모니터링할 수 있다.The hot / cold chamber 10 further includes a load applying unit 210 for applying a predetermined load to the metal block unit 310 in a direction toward the package chip. By adjusting the load, the contact strength between the metal block portion 310 (particularly, the second metal block) and the package chip can be adjusted. Further, by measuring the applied load, the contact strength can be monitored.

또한, 도 5는 로드 셀 블록(281)을 나타내는 사시도이고, 도 6은 로드 셀 푸셔(283)를 나타내는 사시도이며, 도 7은 로드 셀(282)을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a load cell block 281, FIG. 6 is a perspective view showing a load cell pusher 283, and FIG. 7 is a perspective view showing a load cell 282. FIG.

또한, 도 8 및 도 9는 제1 핸들(220) 회전 시, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 일 작동상태를 설명하기 위한 도면들이고, 도 10 및 도 11은 제2 핸들(240) 회전 시, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버의 일 작동상태를 설명하기 위한 도면들이다.8 and 9 are views for explaining one operating state of the hot / cold chamber for the semiconductor test equipment when the first handle 220 is rotated, and FIGS. 10 and 11 are views , And an operation state of a hot / cold chamber for a semiconductor test placement machine.

하중 인가부(210)는, 제1 핸들(220), 제1 회전블록(230) 및 로드셀 블록부(280)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 하중 인가부(210)는, 제1 핸들(220), 제1 핸들(220)의 회전에 따라 함께 회전하며, 제1 핸들(220)의 회전방향에 따라 금속 블록부(310)와 가까워지거나 멀어지는 방향으로 병진 이동되도록 마련된 제1 회전블록(230), 및 제1 회전블록(230)의 병진 이동에 따른 압력을 감지하기 위한 로드셀 블록부(280)를 포함한다.The load applying unit 210 may include a first handle 220, a first rotating block 230, and a load cell block 280. Specifically, the load applying unit 210 rotates together with the first handle 220 and the first handle 220 and rotates together with the metal block unit 310 and the second handle 220 according to the rotation direction of the first handle 220. [ And a load cell block 280 for sensing the pressure of the first rotary block 230 due to the translation of the first rotary block 230.

제1 핸들(220)는 하우징(201) 외부로 노출되게 배치된다. 또한, 제1 회전블록(230)은 하우징(201) 내벽에 회전 가능하게 장착된다. 제1 회전블록(230)은 중공의 실린더 형상일 수 있고, 중공을 형성하는 내주면과 내주면의 반대방향의 외주면에 각각 탭부 또는 나선부가 마련될 수 있다. 또한, 상기 제1 회전블록(230)은, 상기 제1 핸들(220)과 결속되어 제1 핸들(220)의 회전방향과 동일한 방향으로 함께 회전되도록 마련된다.The first handle 220 is disposed to be exposed to the outside of the housing 201. Further, the first rotating block 230 is rotatably mounted on the inner wall of the housing 201. The first rotation block 230 may have a hollow cylinder shape and may have a tab portion or a spiral portion on the inner circumferential surface forming the hollow and the outer circumferential surface opposite to the inner circumferential surface, respectively. The first rotation block 230 is coupled to the first handle 220 and rotates together with the first handle 220 in the same direction as the first handle 220.

예를 들어, 상기 제1 회전블록(230)은 하우징(201) 내벽에 대하여 회전함과 동시에, 회전방향 및 회전정도에 따라 하우징(201) 내벽을 따라 금속 블록부(310)와 가까워지거나 멀어지는 방향으로 병진 이동되도록, 하우징(201) 내벽에 탭(tap) 또는 나선 결합될 수 있다. 이를 위하여, 하우징(201) 내벽과 마주하는 제1 회전블록(230)의 외주면에는 탭부 또는 나선부가 마련된다. 또한, 제1 회전블록(230)은 하우징(201) 내벽에 양 방향(예를 들어, 시계방향 및 반시계방향)으로 회전 가능하게 장착된다.For example, the first rotating block 230 rotates with respect to the inner wall of the housing 201, and moves along the inner wall of the housing 201 in a direction toward or away from the metal block portion 310, And may be tap or spirally coupled to the inner wall of the housing 201 so as to be translationally moved. For this, a tab portion or a spiral portion is provided on the outer peripheral surface of the first rotation block 230 facing the inner wall of the housing 201. The first rotating block 230 is rotatably mounted on the inner wall of the housing 201 in both directions (for example, clockwise and counterclockwise).

제1 핸들(220)의 회전 시, 본체부(200) 내에서 로드셀 블록부(280) 및 열충격부(300)가 동일한 방향을 따라 병진 이동하도록 마련될 수 있다.The load cell block portion 280 and the thermal shock portion 300 may be arranged to translate in the same direction in the body portion 200 when the first handle 220 rotates.

제1 핸들(220)이 일 방향(예를 들어, 도 3을 기준으로 시계방향)으로 회전될 때, 제1 핸들(220)과 결속된 제1 회전블록(230)이 하우징(201) 내벽에 대하여 회전하며, 패키지 칩 측으로 하강(P2) 이동 될 수 있다. 이와는 다르게, 제1 핸들(220)이 타 방향(예를 들어, 도 3을 기준으로 반시계방향)으로 회전될 때, 제1 핸들(220)과 결속된 제1 회전블록(230)이 하우징(201) 내벽에 대하여 회전하며, 패키지 칩 측으로부터 패키지 칩과 멀어지는 방향으로 상승(P1) 이동 될 수 있다.When the first handle 220 is rotated in one direction (for example, clockwise with reference to FIG. 3), the first rotating block 230 coupled with the first handle 220 is positioned on the inner wall of the housing 201 And can be moved downward (P2) toward the package chip side. Alternatively, when the first handle 220 is rotated in the other direction (for example, counterclockwise with reference to FIG. 3), the first rotating block 230 coupled with the first handle 220 is rotated in the housing 201), and can be moved up (P1) in a direction away from the package chip from the package chip side.

또한, 하중 인가부(210)는, 제2 핸들(240) 및 제2 회전블록(250)을 추가로 포함할 수 있다. 구체적으로, 하중 인가부(210)는, 제1 핸들(220) 내측에 위치한 제2 핸들(240), 제2 핸들(240)의 회전에 따라 함께 회전하며, 제2 핸들(240)의 회전방향에 따라 금속 블록부(310)와 가까워지거나 멀어지는 방향으로 병진 이동되도록 마련되되, 제1 회전블록(230) 내측에 제1 회전블록(230)과 탭(tap) 또는 나선 결합된 제2 회전블록(250)을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 제2 핸들(240)은 제1 핸들(220)과 동일한 회전 중심을 갖도록 배치되고, 다만, 제2 핸들(240)은 제1 핸들(220) 보다 작은 직경을 갖는다.In addition, the load applying unit 210 may further include a second handle 240 and a second rotating block 250. Specifically, the load applying unit 210 rotates together with the second handle 240 and the second handle 240 located inside the first handle 220 and rotates together with the second handle 240 in the rotational direction of the second handle 240 The first rotating block 230 and the second rotating block 230 are formed to be translationally moved toward or away from the metal block portion 310 according to the rotation of the first rotating block 230. In addition, 250). ≪ / RTI > The second handle 240 is disposed to have the same rotation center as that of the first handle 220. The second handle 240 has a diameter smaller than that of the first handle 220. [

상기 제2 회전블록(250)은, 상기 제2 핸들(240)과 결속되어 제2 핸들(240)의 회전방향과 동일한 방향으로 함께 회전되도록 마련된다.The second rotating block 250 is coupled to the second handle 240 and rotates in the same direction as the rotating direction of the second handle 240.

또한, 제1 회전블록(230)의 내주면에는 탭부 또는 나선부가 마련될 수 있고, 제1 회전블록(230)의 내주면과 마주하는 제2 회전블록(250)의 외주면에는 제1 회전블록(230)의 내주면의 탭부 또는 나선부와 회전 가능하게 맞물리는 탭부 또는 나선부가 마련될 수 있다.A first rotating block 230 is provided on the outer circumferential surface of the second rotating block 250 facing the inner circumferential surface of the first rotating block 230, A tab portion or a spiral portion that rotatably engages with a tab portion or a spiral portion on the inner circumferential surface of the base portion can be provided.

또한, 제2 회전블록(250)은 로드셀 블록부(280)와 접촉하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 회전블록(350)이 로드셀 블록부(280)를 가압하는 힘에 기초하여, 패키지 칩과 금속 블록부(310)의 접촉 강도가 측정될 수 있다.In addition, the second rotating block 250 may be disposed in contact with the load cell block portion 280. The contact strength between the package chip and the metal block portion 310 can be measured based on the force that the second rotating block 350 presses the load cell block portion 280. [

또한, 하중 인가부(210)는, 제1 핸들(220) 회전 시, 제1 회전블록(230) 및 제2 회전블록(250)이 함께 병진 이동되고, 제2 핸들(240) 회전 시, 제1 회전블록(230)의 위치가 고정된 상태에서 제2 회전블록(250)만이 병진 이동되도록 마련될 수 있다. 이러한 구조에서, 제1 핸들(220)의 회전에 따른 병진 이동 길이와 제2 핸들(240)의 회전에 따른 병진 이동 길이를 다르게 설정함으로써, 금속 블록부(310)의 병진 이동 거리를 미세하게 조절할 수 있고, 이에 따라, 패키지 칩과 금속 블록부(310)의 접촉 강도를 미세하게 조정할 수 있다. 즉, 제1 핸들(220)의 최대 회전 시, 제1 회전 블록(230)의 병진 이동 거리 및 제2 핸들(240)의 최대 회전 시, 제2 회전 블록(250)의 병진 이동 거리를 서로 다르게 설정할 수 있다. 예를 들어, 제1 핸들(220), 제2 핸들(240)의 직경, 각각의 핸들의 최대 회전각도, 제1 및 제2 회전블록(230 250)의 직경, 회전블록들에서 대응하는 탭부 또는 나선부의 각도, 길이, 마찰력 등을 적절히 조절하여, 병진 이동 거리를 서로 다르게 설정할 수 있다.When the first handle 220 rotates, the first rotating block 230 and the second rotating block 250 are translated together. When the second handle 240 rotates, Only the second rotary block 250 may be translated while the position of the first rotary block 230 is fixed. In this structure, by setting the translational movement length of the first handle 220 in accordance with the rotation and the translational movement length of the second handle 240 in accordance with the rotation of the second handle 240, the translational movement distance of the metal block portion 310 can be finely adjusted The contact strength between the package chip and the metal block 310 can be finely adjusted. That is, the translational movement distance of the first rotation block 230 and the translational movement distance of the second rotation block 250 at the maximum rotation of the second handle 240 are different from each other at the maximum rotation of the first handle 220 Can be set. For example, the diameter of the first handle 220, the second handle 240, the maximum rotation angle of each handle, the diameter of the first and second rotation blocks 230 250, It is possible to appropriately adjust the angle, length, frictional force, and the like of the spiral portion so that the translational movement distances can be set to be different from each other.

또한, 하중 인가부(210)는 제1 핸들(220) 및 제2 핸들(240)의 회전 각도를 외부로 표시하기 위한 각도 표시부 등을 포함할 수 있다.The load applying unit 210 may include an angle display unit for displaying the rotation angle of the first handle 220 and the second handle 240 as an external.

또한, 로드셀 블록부(280) 및 열충격부(300)는 복수 개의 연결축(207) 및 각각의 연결축(207)을 둘러싸도록 배치된 탄성부재(208, 예를 들어 스프링)를 매개로 연결될 수 있다. The load cell block unit 280 and the thermal shock unit 300 may be connected through a plurality of connection shafts 207 and elastic members 208 (for example, springs) arranged to surround the connection shafts 207 have.

이에 따라, 제2 회전블록(350) 하강 시(금속 블록부 측으로 이동 시), 제2 회전블록(350)이 로드셀 블록부(280)를 가압하게 되고, 로드셀 블록부(280) 및 열충격부(300)가 함께, 제2 회전블록의 병진 이동(하강) 길이에 대응하여, 패키지 칩 측으로 하강 이동될 수 있다.The second rotating block 350 presses the load cell block 280 and the load cell block 280 and the thermal shock absorbing unit 280 are rotated in the second rotating block 350 300) can be moved downward toward the package chip side corresponding to the translational (descending) length of the second rotating block.

또한, 로드셀 블록부(280)는 로드 셀 블록(281), 로드 셀 블록(281)의 홈부(281a) 내에 배치된 로드 셀(282), 및 로드 셀(282)과 제2 회전블록(350) 사이에 배치된 로드 셀 푸셔(283)를 포함할 수 있다. The load cell block portion 280 includes a load cell block 281, a load cell 282 disposed in the groove portion 281a of the load cell block 281, and a load cell 282 disposed between the load cell 282 and the second rotating block 350, And a load cell pusher 283 disposed between the load cell pushers 282 and 283.

또한, 열충격부(300)의 각종 작동정보(테스트 온도 등) 및 접촉 강도에 대한 정보는 디스플레이를 통해 외부로 출력될 수 있다. 상기 디스플레이는 본체부(200)에 마련될 수도 있고, 본체부(200)와 분리되어 별도로 구성될 수도 있다.In addition, information on various operation information (test temperature, etc.) and contact strength of the thermal shock absorber 300 can be output to the outside through the display. The display may be provided in the main body 200 or separately from the main body 200.

또한, 핫/콜드 챔버(10)는 본체(200)에 대하여 힌지 결합되고, 상기 본체(200)와 상기 베이스부(100)를 선택적으로 결속 및 결속 해제시키기 위한 래치부(latch)(400)를 포함할 수 있다.The hot / cold chamber 10 is hinged to the main body 200 and includes a latch 400 for selectively binding and unbinding the main body 200 and the base 100 .

또한, 래치부(400)는 베이스부(100)에 선택적으로 결속되는 제1 단부(410) 및 제1 단부(410)의 반대방향에 위치하고, 제1 핸들(220)의 회전 상태에 따라 선택적으로 제1 핸들(220)에 의해 결속되는 제2 단부(420)를 갖는다. 미설명부호 430은 래치부(400)의 힌지부(430)를 나타내며, 상기 힌지부(430)는 본체(200)에 연결될 수 있다.The latch portion 400 is located in a direction opposite to the first end portion 410 and the first end portion 410 that are selectively coupled to the base portion 100, And a second end 420 bounded by a first handle 220. Reference numeral 430 denotes a hinge part 430 of the latch part 400. The hinge part 430 can be connected to the main body 200. [

도 8은 제1 핸들(220)의 초기 위치(금속 블록부의 하강 전 초기 위치)일 때의 평면도 및 A-A를 따라 절취한 상태의 단면도를 나타내며, 도 9는 제1 핸들(220)이 최대로 회전된 때의 평면도 및 B-B를 따라 절취한 상태의 단면도를 나타낸다.8 is a plan view and a cross-sectional view taken along AA of the initial position of the first handle 220 (initial position before descending the metal block portion), and Fig. 9 is a cross- And a cross-sectional view taken along BB.

도 8 및 도 9를 참조하면, 예를 들어, h1은 74mm일 수 있고, h2는 75.4mm일 수 있으며, 즉, 제1 핸들(200)의 최대 회전에 따른 금속 블록부(310)의 하강 길이는 1.4mm일 수 있다. 8 and 9, for example, h1 may be 74 mm and h2 may be 75.4 mm, that is, the descending length of the metal block portion 310 along the maximum rotation of the first handle 200 Lt; / RTI >

한편, 제1 핸들(220)의 초기 위치에서, 본체(200)를 베이스부(100)에 대하여 회전시키면, 테스트 공간(101)을 열린 상태로 전환할 수 있다.On the other hand, when the main body 200 is rotated with respect to the base part 100 at the initial position of the first handle 220, the test space 101 can be switched to the open state.

또한, 제1 핸들(220)의 회전에 따라, 제1 회전블록(230)이 제1 핸들(220)과 함께 하강하면서, 제1 핸들(220)과 하우징(201) 사이 간격(d1, d2)은 제1 핸들(220)의 회전에 따라 달라지게 되며, 제1 핸들(220)의 초기 위치에서의 간격(d1)이 제1 핸들(220)이 최대로 회전된 때의 간격(d2) 보다 크게 된다. 제1 핸들(220)이 회전되면, 상기 간격(d2)이 감소하게 되고, 제1 핸들(220)과 하우징(201) 사이에 위치한 래치부(400)의 제2 단부(420)가 상기 간격(d2)의 감소로 제1 핸들(200)과 하우징(201) 사이에 결속된다. 즉, 제1 단부(410)가 베이스부(100)에 결속된 상태에서, 제1 핸들(220)이 초기 위치에서 일단 회전하게 되면, 래치부(400)의 제2 단부(420)가 상기 간격에 의해 결속됨에 따라, 베이스부(100)와 본체(200)가 서로 결속된다.The first rotating block 230 is lowered together with the first handle 220 and the spaces d1 and d2 between the first handle 220 and the housing 201 are lowered along with the rotation of the first handle 220. [ The distance d1 in the initial position of the first handle 220 is greater than the distance d2 in the first rotation of the first handle 220, do. The second end 420 of the latch portion 400 located between the first handle 220 and the housing 201 is spaced apart from the first end of the housing 201 by the distance d2, d2) between the first handle (200) and the housing (201). That is, once the first handle 220 is coupled to the base 100 and the first handle 220 is rotated once at the initial position, the second end 420 of the latch 400 is spaced apart The base portion 100 and the main body 200 are coupled to each other.

이후, 제1 핸들(220)이 초기 위치로 회전되면, 외력을 가하여 래치부(400)의 제1 단부(410) 및 제2 단부(420)의 결속을 해제시키고, 본체부(200)를 회전시켜 테스트 공간(101)을 개방시킬 수 있다.Thereafter, when the first handle 220 is rotated to the initial position, an external force is applied to release the binding of the first end portion 410 and the second end portion 420 of the latch portion 400, Thereby opening the test space 101.

도 10은 제2 핸들(240)의 초기 위치(금속 블록부의 하강 전 초기 위치)일 때의 평면도 및 C-C를 따라 절취한 상태의 단면도를 나타내며, 도 11dms 제2 핸들(240)이 최대로 회전된 때의 평면도 및 D-D를 따라 절취한 상태의 단면도를 나타낸다. 도 10은 도 9와 동일한 상태의 도면으로서, 제2 핸들(240)은 회전되지 않고, 제1 핸들(220)만 최대로 회전된 상태를 나타낸다.10 is a plan view of the second handle 240 at an initial position (initial position before descending the metal block portion) and a cross-sectional view taken along CC of FIG. And a sectional view taken along the line DD of FIG. Fig. 10 is a view similar to Fig. 9, in which the second handle 240 is not rotated but only the first handle 220 is rotated to its maximum.

도 10 및 도 11을 참조하면, 예를 들어, h3은 75.4m일 수 있고, h4는 76.6mm일 수 있으며, 즉, 제2 핸들(240)의 최대 회전에 따른 금속 블록부(310)의 하강 길이는 1.2mm일 수 있다. 10 and 11, for example, h3 may be 75.4 m, and h4 may be 76.6 mm, that is, the descent of the metal block portion 310 along the maximum rotation of the second handle 240 The length may be 1.2 mm.

패키지 칩 종류에 따라 측정하고자 하는 접촉강도(하중값)가 달라지므로, 제1 핸들(220) 및 제2 핸들(240)의 회전된 정도를 조절하여 접촉강도(하중값)를 미세 조정할 수 있다.The contact strength (load value) to be measured varies depending on the type of the package chip, so that the contact strength (load value) can be finely adjusted by adjusting the degree of rotation of the first handle 220 and the second handle 240.

또한, 하중인가부(210)에는 제1 핸들(220) 및 제2 핸들(240)의 최대 회전 시 더 이상 회전이 이루어지지 않도록 하나 이상의 스토퍼가 각각 마련될 수 있다.In addition, one or more stoppers may be provided on the load applying unit 210 to prevent rotation of the first handle 220 and the second handle 240 when the second handle 240 rotates at the maximum.

위에서 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.The foregoing description of the preferred embodiments of the present invention has been presented for purposes of illustration and various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention, And additions should be considered as falling within the scope of the following claims.

10: 반도체 실장기용 핫/콜드 챔버
100: 베이스부
200: 본체부
280: 로드셀 블록부
300: 열 충격부
400: 래치부10: Hot / cold chamber for semiconductor mounting machine
100: Base portion
200:
280: load cell block part
300: Heat shock portion
400:

Claims (10)

테스트 공간을 갖고, 실장기에 장착되기 위한 베이스부; 및
베이스부에 회전 가능하게 연결되며, 테스트 공간을 개폐하도록 마련된 본체부를 포함하며,
상기 본체부는, 실장기에 장착된 상태에서 상기 테스트 공간에 위치하는 패키지 칩에 열충격을 가하기 위한 열충격부를 포함하고,
상기 열충격부는 상기 패키지 칩과 접촉되기 위한 금속 블록부, 금속 블록부와 열 교환 가능하게 배치된 제1 열전소자, 제1 열전소자와 열 교환 가능하게 배치된 금속 재질의 히트싱크, 히트싱크와 열 교환 가능하게 배치된 제2 열전소자 및 제2 열전소자와 열 교환 가능하게 배치된 냉각부를 포함하며,
본체부에 마련되며, 금속 블록부에 패키지 칩을 향하는 방향으로 소정의 하중을 인가하기 위한 하중 인가부를 추가로 포함하고,
하중 인가부는, 제1 핸들, 제1 핸들의 회전에 따라 함께 회전하며, 제1 핸들의 회전방향에 따라 금속 블록부와 가까워지거나 멀어지는 방향으로 베이스부 내에서 병진 이동되도록 마련된 제1 회전블록, 및 제1 회전블록의 병진 이동에 따른 압력을 감지하기 위한 로드셀 블록부를 포함하며,
제1 핸들의 회전 시, 본체부 내에서 로드셀 블록부 및 열충격부가 동일한 방향을 따라 병진 이동하도록 마련된, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버.A base portion having a test space and mounted on a mounting machine; And
And a body portion rotatably connected to the base portion and configured to open and close the test space,
Wherein the main body portion includes a thermal shock portion for applying a thermal shock to the package chip located in the test space in a state of being mounted on the mounting machine,
Wherein the thermal shock absorber comprises a metal block for contacting the package chip, a first thermoelectric element arranged to be exchangeable with the metal block, a heat sink made of metal arranged to exchange heat with the first thermoelectric element, A second thermoelectric element disposed interchangeably and a cooling portion arranged to be exchangeable with the second thermoelectric element,
Further comprising a load applying section provided in the main body section for applying a predetermined load to the metal block section in a direction toward the package chip,
The first rotating block rotates along with the rotation of the first handle and the first handle and is configured to translate within the base in the direction of approaching or moving away from the metal block according to the rotational direction of the first handle, And a load cell block for sensing a pressure due to the translational movement of the first rotary block,
Wherein the load cell block portion and the thermal shock portion are arranged to translationally move in the same direction in the main body portion when the first handle is rotated. 제 1 항에 있어서,
금속 블록부는, 제1 열전소자와 접촉하게 배치된 제1 금속 블록 및 제1 금속 블록에 탈착 가능하게 장착되며, 테스트 공간이 닫힘 상태에서 테스트 공간에 위치하여 패키지 칩과 접촉되는 제2 금속 블록을 포함하는, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버. The method according to claim 1,
The metal block portion is detachably mounted to the first metal block and the first metal block arranged to be in contact with the first thermoelectric element and is disposed in the test space in the closed state of the test space, Includes hot / cold chamber for semiconductor test chambers. 제 1 항에 있어서,
본체부는, 외부의 CDA 공급부와 연결되기 위한 제1 포트부 및 제1 포트부와 연결되며, 상기 베이스부의 테스트 공간으로 CDA를 공급하기 위한 제1 유로를 갖고,
베이스부는, 테스트 공간의 닫힘 상태에서 제1 유로와 연결되며, 테스트 공간과 유체 이동 가능하게 연결된 제2 유로를 갖는, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버.The method according to claim 1,
The main body is connected to a first port portion and a first port portion for connection to an external CDA supply portion and has a first flow path for supplying CDA to the test space of the base portion,
The base portion has a second flow path fluidly connected to the test space, the first portion being connected to the first flow path in a closed state of the test space, and the second flow path being fluidly connected to the test space. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
하중 인가부는, 제1 핸들 내측에 위치한 제2 핸들, 제2 핸들의 회전에 따라 함께 회전하며, 제2 핸들의 회전방향에 따라 금속 블록부와 가까워지거나 멀어지는 방향으로 베이스부 내에서 병진 이동되도록 마련되되, 제1 회전블록 내측에 제1 회전블록과 나선 결합된 제2 회전블록을 추가로 포함하며,
제2 회전블록은 로드셀 블록부와 접촉하도록 배치된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버.The method according to claim 1,
The load applying unit is rotated together with the rotation of the second handle and the second handle located inside the first handle and translationally moved in the base unit in the direction toward or away from the metal block according to the rotational direction of the second handle Further comprising a second rotating block spirally coupled to the first rotating block inside the first rotating block,
And the second rotating block is arranged to be in contact with the load cell block portion. 제 6 항에 있어서,
하중 인가부는, 제1 핸들 회전 시, 제1 회전블록 및 제2 회전블록이 함께 병진 이동되고, 제2 핸들 회전 시, 제1 회전블록의 위치가 고정된 상태에서 제2 회전블록만이 병진 이동되도록 마련된 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버.The method according to claim 6,
In the load application unit, the first rotary block and the second rotary block are translated together when the first handle rotates. When the second handle rotates, only the second rotary block rotates while the position of the first rotary block is fixed, A hot / cold chamber for semiconductor test chambers. 제 1 항에 있어서,
본체에 대하여 힌지 결합되고, 본체와 베이스부를 선택적으로 결속시키기 위한 래치부를 포함하며,
래치부는 베이스부에 선택적으로 결속되는 제1 단부 및 제1 단부의 반대방향에 위치하고, 제1 핸들의 회전 상태에 따라 선택적으로 제1 핸들에 의해 결속되는 제2 단부를 갖는, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버. The method according to claim 1,
And a latch portion hinged to the body and selectively coupling the body and the base portion,
The latch portion having a first end selectively engaged with the base portion and a second end located opposite to the first end and having a second end selectively bounded by the first handle depending on the rotational state of the first handle, Cold chamber. 제 1 항에 있어서,
베이스부는 테스트 공간의 내주면의 적어도 일부 영역을 둘러싸는 제1 단열부재를 포함하고,
본체부는, 금속 블록부의 외부면의 적어도 일부 영역을 둘러싸는 제2 단열부재를 포함하는, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버(10).The method according to claim 1,
The base portion includes a first heat insulating member surrounding at least a part of the inner circumferential surface of the test space,
Wherein the body portion includes a second heat insulating member surrounding at least a part of the outer surface of the metal block portion. 제 1 항에 있어서,
로드셀 블록부 및 열충격부는 복수 개의 연결축 및 각각의 연결축을 둘러싸도록 배치된 탄성부재를 매개로 연결된, 반도체 테스트 실장기용 핫/콜드 챔버.
The method according to claim 1,
Wherein the load cell block portion and the thermal shock portion are connected via a plurality of connection shafts and elastic members arranged to surround the respective connection shafts.
KR1020190026168A 2018-04-25 2019-03-07 Hot/Cold chamber for semiconductor test KR101981118B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180047901 2018-04-25
KR20180047901 2018-04-25
KR20180133255 2018-11-02
KR1020180133255 2018-11-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101981118B1 true KR101981118B1 (en) 2019-05-22

Family

ID=66679825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190026168A KR101981118B1 (en) 2018-04-25 2019-03-07 Hot/Cold chamber for semiconductor test

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101981118B1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102076946B1 (en) 2019-10-16 2020-02-12 유정시스템(주) Test socket for semiconductor package tester
CN111106040A (en) * 2019-12-06 2020-05-05 福建省福联集成电路有限公司 Equipment for accurately controlling metal sinking
KR102331028B1 (en) 2021-04-07 2021-12-01 유정시스템(주) Test socket for testing semiconductor device packages
KR20220043328A (en) * 2020-09-29 2022-04-05 주식회사 이엔씨 테크놀로지 Temperature control jig for testing of display
CN117790372A (en) * 2023-12-29 2024-03-29 无锡芯汉电子科技有限公司 Wafer temperature measuring device applied to etching machine

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070101574A (en) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 Handler for testing a semiconductor device providing a stable temperature environment
KR20100115266A (en) * 2009-04-18 2010-10-27 주식회사 리빙케어 The methode of temperature control about semiconductor device tester
KR101403051B1 (en) * 2013-05-10 2014-08-07 주식회사 오킨스전자 Heating socket for test
JP2014238378A (en) * 2013-06-10 2014-12-18 セイコーエプソン株式会社 Electronic component pressing device, electronic component pressing unit, electronic component conveyance device and electronic component inspection device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070101574A (en) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 Handler for testing a semiconductor device providing a stable temperature environment
KR20100115266A (en) * 2009-04-18 2010-10-27 주식회사 리빙케어 The methode of temperature control about semiconductor device tester
KR101403051B1 (en) * 2013-05-10 2014-08-07 주식회사 오킨스전자 Heating socket for test
JP2014238378A (en) * 2013-06-10 2014-12-18 セイコーエプソン株式会社 Electronic component pressing device, electronic component pressing unit, electronic component conveyance device and electronic component inspection device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102076946B1 (en) 2019-10-16 2020-02-12 유정시스템(주) Test socket for semiconductor package tester
CN111106040A (en) * 2019-12-06 2020-05-05 福建省福联集成电路有限公司 Equipment for accurately controlling metal sinking
KR20220043328A (en) * 2020-09-29 2022-04-05 주식회사 이엔씨 테크놀로지 Temperature control jig for testing of display
KR102423130B1 (en) 2020-09-29 2022-07-20 주식회사 이엔씨 테크놀로지 Temperature control jig for testing of display
KR102331028B1 (en) 2021-04-07 2021-12-01 유정시스템(주) Test socket for testing semiconductor device packages
CN117790372A (en) * 2023-12-29 2024-03-29 无锡芯汉电子科技有限公司 Wafer temperature measuring device applied to etching machine

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101981118B1 (en) Hot/Cold chamber for semiconductor test
US10908207B2 (en) Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device with pressure relief valve
TWI611193B (en) Anti-mist module for socket and electronic device testing apparatus provided with the same
US10126356B2 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with whirlwind cold plate
TW201836096A (en) Active thermal control head having actuatable cold capacitor
US9279852B2 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device profiles with sockets having secured and replaceable bushings
CN104237767B (en) Temperature control module of test seat
US10302674B2 (en) Test device
US8981802B2 (en) Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device profiles
US9804223B2 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket
US20090009204A1 (en) Test socket
CN106714518B (en) Wide temperature thermal control device
TW571041B (en) Poppet valve with heater
KR20170073697A (en) Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device with pressure relief valve
KR20080096068A (en) Testing apparatus of semiconductor device and adjusting method of temperature for testing the semiconductor device
CN112578257B (en) Temperature control testing device and testing equipment
US9007080B2 (en) Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device profiles with feedback temperature control
US20150022226A1 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device profiles with coaxial socket
US9229049B2 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device profiles with compliant pedestals
CN116893287A (en) Probe card capable of controlling temperature
KR100607094B1 (en) Hot chuck for wafer prober station having assembled structure for thermal deformation prevention
CN109427635A (en) Semiconductor element test equipment and its carrying device
CN109891611A (en) Heat-transfer equipment
WO2016160730A1 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket
US8653842B2 (en) Systems and methods for thermal control of integrated circuits during testing

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant