KR101980281B1 - Plasma processing apparatus, and plasma processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법에 관한 것이다.
본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스공급부와; 상기 가스공급부에 의하여 처리공간으로 공급된 가스를 플라즈마화하도록 RF전원을 발진하는 발진부와, 상기 발진부에 의하여 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 펄스 변조부를 포함하여 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 펄스형태로 인가하는 복수의 전원인가부들과; 상기 공정챔버 내에서 아크발생을 감지하는 하나 이상의 아크감지부와; 상기 아크감지부에 의한 아크감지신호에 따라서 상기 복수의 전원인가부들의 발진부를 모두 오프시키는 출력정지부와; 상기 복수의 전원인가부들을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus and a plasma processing method for performing substrate processing using plasma.
The present invention provides a process chamber comprising: a process chamber forming an enclosed process space; A substrate support installed in the process chamber and supporting the substrate; A gas supply part for processing a substrate in the processing space; And a pulse modulator for pulse-modulating the RF power generated by the oscillating unit, wherein the RF power source having different frequencies is pulse-shaped A plurality of power supply units for applying power to the plurality of power supply units; At least one arc sensing unit sensing an arc generation in the process chamber; An output stop unit for turning off the oscillation units of the plurality of power application units according to the arc detection signal by the arc detection unit; And a controller for controlling the plurality of power application units.

Description

플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 {Plasma processing apparatus, and plasma processing method} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method,

본 발명은 플라즈마처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus and a plasma processing method for performing substrate processing using plasma.

플라즈마처리장치란, 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 플라즈마처리장치이다.The plasma processing apparatus is a plasma processing apparatus for performing a substrate processing by using plasma.

플라즈마처리장치는 일반적으로 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 기판이 안착되는 기판지지대와, 처리공간 내로 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부와, 공정챔버, 기판지지대 및 가스분사부 중 적어도 하나에 하나 이상의 전원을 인가하여 처리공간 내에 분사된 가스를 플라즈마화하는 전원공급부를 포함하여 구성된다.The plasma processing apparatus generally includes a processing chamber for forming a closed processing space, a substrate support on which the substrate is mounted, a gas ejecting portion for ejecting a gas for substrate processing into the processing space, a processing chamber, a substrate support, And at least one power source is applied to at least one of the plurality of plasma sources to plasmaize the gas injected into the processing space.

한편 종래의 플라즈마처리장치는, 플라즈마형성을 위한 전원인가에 의하여 기판의 패턴 또는 파티클에서의 충전에 의하여 아크 또는 헤이즈(Haze)가 발생되어 기판처리의 불량으로 작용하는 문제점이 있다.On the other hand, in the conventional plasma processing apparatus, arcing or haze is generated due to the patterning of the substrate or the filling of the particles due to the application of the power for forming the plasma, which causes a problem of substrate processing.

본 발명의 목적은, 공정챔버의 처리공간 내에서의 플라즈마를 형성하기 위한 펄스형 전원을 인가함과 아울러 공정챔버 내 아크발생을 실시간으로 감지하여 아크발생이 감지될 때 인가되는 전원을 오프함으로써 아크 및 헤이즈의 발생을 최소화할 수 있는 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of realizing a plasma processing by applying pulsed power for forming a plasma in a processing space of a process chamber and detecting an arc generation in a process chamber in real time, And a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of minimizing the occurrence of haze.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스공급부와; 상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 복수의 전원인가부들과; 상기 공정챔버 내에서 아크발생을 감지하는 하나 이상의 아크감지부와; 상기 아크감지부에 의한 아크감지신호에 따라서 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 오프시키는 출력정지부;를 포함하는 플라즈마처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber for forming a closed process space; A substrate support installed in the process chamber and supporting the substrate; A gas supply part for processing a substrate in the processing space; A plurality of power application units oscillating an RF power source having different frequencies for pulse-modulating a substrate placed on the substrate support; At least one arc sensing unit sensing an arc generation in the process chamber; And an output stop unit for turning off the RF power source oscillation of the plurality of power applying units according to the arc detection signal by the arc detecting unit.

상기 복수의 전원인가부는, 플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하는 제1발진부와 상기 제1발진부로부터 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 제1펄스 변조부를 포함하며 상기 기판지지대 및 가스공급부 중 어느 하나에 접속되는 제1전원인가부와, 상기 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하는 제2발진부와 상기 제2발진부로부터 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 제2펄스 변조부를 포함하며 상기 기판지지대에 접속되는 제2전원인가부를 포함할 수 있다.Wherein the plurality of power applying units include a first oscillation unit for oscillating a first RF power source for plasma generation and a first pulse modulator for pulse modulating an RF power source oscillated from the first oscillation unit, A second oscillation unit for oscillating a second RF power source for bias application with a frequency lower than the first RF power source frequency and a second pulse modulation unit for pulse modulating an RF power source oscillated from the second oscillation unit, And a second power application unit connected to the substrate support.

상기 아크감지부는 상기 제1전원인가부에 연결되며 제1전원인가부로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하는 제1아크감지부와, 상기 제2전원인가부에 연결되며 제2전원인가부로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력하는 제2아크감지부를 포함할 수 있다.The arc detection unit includes a first arc detection unit connected to the first power application unit and outputting a first arc detection signal when a reflected wave from an RF power source applied from the first power application unit exceeds a preset reference value, And a second arc sensing unit connected to the second power applying unit and outputting a second arc sensing signal when the reflected wave from the RF power source applied from the second power applying unit exceeds a predetermined reference value.

상기 출력정지부는, 상기 제1아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제2전원인가부에 대한 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와, 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제1전원인가부에 대한 제1RF발진정지신호를 출력하거나, 상기 제2RF발진정지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함하되, 상기 제1,2출력정지부는 상호 직접 연결되어 상기 제1,2 RF 발진정지신호를 송수신할 수 있다.The output stop unit may stop the oscillation unit of the first power supply unit and output a second RF oscillation stop signal for the second power supply unit according to the arc detection signal of the first arc detection unit, A first output stop unit for stopping the oscillation unit of the first power applying unit and a second output stopping unit for stopping the oscillation unit of the second power applying unit according to the arc detection signal of the second arc sensing unit, And a second output stopping part for stopping the oscillating part of the second power applying part according to the second RF oscillation stop signal, wherein the first and second output stopping parts are directly connected to each other, Stop signals can be transmitted and received.

상기 출력정지부는, 상기 제1아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와, 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함할 수 있다.The output stop unit may include a first output stop unit for stopping the oscillation unit of the first power supply unit and stopping the oscillation unit of the second power supply unit according to the arc detection signal of the first arc detection unit, And a second output stop unit for stopping the oscillation unit of the second power supply unit and stopping the oscillation unit of the first power supply unit according to the detection signal.

상기 출력정지부는, 상기 제1아크감지부의 아크감지신호 또는 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와, 상기 제1아크감지부의 아크감지신호 또는 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함할 수 있다.The output stop unit may include a first output stop unit for stopping the oscillation unit of the first power source applying unit according to the arc detection signal of the first arc detection unit or the arc detection signal of the second arc detection unit, And a second output stop unit for stopping the oscillation unit of the second power supply unit according to the detection signal or the arc detection signal of the second arc detection unit.

상기 출력정지부는, 상기 제1아크감지부 및 제2아크감지부 중 적어도 어느 하나의 아크감지신호에 따라 상기 제1전원인가부의 발진부 및 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시킬 수 있다.The output stop part may stop the oscillation part of the first power application part and the oscillation part of the second power application part according to the arc detection signal of at least one of the first arc detection part and the second arc detection part.

상기 복수의 전원인가부들로부터 인가되는 펄스 신호를 상호 동기화하는 펄스 신호 동기부를 더 포함할 수 있다.And a pulse signal synchronizing unit for synchronizing pulse signals applied from the plurality of power applying units with each other.

상기 출력정지부는 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 정지시킨 다음, 일정 시간이 경과되면 정지된 RF전원 발진을 온시킬 수 있다.The output stop unit may stop the RF power source oscillation of the plurality of power source units and then turn off the RF power source oscillation when a predetermined time has elapsed.

본 발명은 또한 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스공급부와; 상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 복수의 전원인가부들을 포함하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마처리방법에 있어서, 상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 상기 복수의 전원인가부들에 의하여 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 전원인가단계; 상기 공정챔버 내에서 발생된 아크를 아크감지부에 의하여 감지하는 아크감지단계; 및 상기 아크감지부에 의한 아크감지신호에 따라서 출력정지부에 의하여 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 오프시키는 출력정지단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법을 개시한다.The present invention also relates to a process chamber for forming an enclosed process space; A substrate support installed in the process chamber and supporting the substrate; A gas supply part for processing a substrate in the processing space; A plasma processing method of a plasma processing apparatus including a plurality of power applying units that oscillate an RF power source having different frequencies for plasma processing a substrate placed on the substrate support and pulse-modulate and apply the RF power source, A power supply step of oscillating an RF power source having different frequencies by the plurality of power application units to perform plasma processing on the substrate, pulse-modulating and applying the RF power source; An arc sensing step of sensing an arc generated in the process chamber by an arc sensing unit; And an output stop step of turning off the RF power source oscillation of the plurality of power applying units by an output stop unit according to an arc detection signal by the arc detection unit.

상기 전원인가단계는, 플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하고, 상기 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하며, 상기 제1RF전원은 상기 기판지지대 및 가스공급부 중 어느 하나에 접속되고, 상기 제2RF전원은 상기 기판지지대에 접속될 수 있다.The power application step may include: oscillating a first RF power source for plasma generation, pulse modulating and applying an oscillated RF power source, oscillating a second RF power source for bias application with a frequency lower than the first RF power source frequency, The first RF power source may be connected to either the substrate support and the gas supply unit, and the second RF power source may be connected to the substrate support.

상기 아크감지단계는, 상기 제1RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하며; 상기 제2RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력할 수 있다.Wherein the arc detection step outputs a first arc detection signal when the reflection wave for the first RF power source exceeds a preset reference value; And output a second arc detection signal when the reflected wave to the second RF power source exceeds a preset reference value.

상기 출력정지단계는, 상기 제1아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키며; 상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제1RF발진정지신호를 출력하거나, 상기 제2RF발진정지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power supply and output the second RF oscillation stop signal or stop the oscillation of the first RF power supply according to the first RF oscillation stop signal in accordance with the first arc detection signal; The oscillation of the second RF power source may be stopped and the first RF oscillation stop signal may be output or the oscillation of the second RF power source may be stopped according to the second RF oscillation stop signal in accordance with the second arc sense signal.

상기 출력정지단계는, 상기 제1아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키는 제1출력정지단계와; 상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제1RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stopping step may include: a first output stop step of stopping the oscillation of the first RF power supply and stopping the oscillation of the second RF power supply in accordance with the first arc sense signal; The oscillation of the second RF power source may be stopped and the oscillation of the first RF power source may be stopped in accordance with the second arc sense signal.

상기 출력정지단계는, 상기 제1아크감지신호 또는 상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진 및 상기 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power source and the oscillation of the second RF power source in accordance with the first arc sense signal or the second arc sense signal.

상기 출력정지단계는, 상기 제1아크감지신호 및 상기 제2아크감지신호 중 적어도 어느 하나에 따라서 상기 제1RF전원 및 상기 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power supply and the second RF power supply according to at least one of the first arc detection signal and the second arc detection signal.

상기 전원인가단계는, 상기 복수의 전원인가부들로부터 인가되는 펄스 신호를 상호 동기화하여 인가할 수 있다.The power applying step may synchronize and apply pulse signals applied from the plurality of power applying units.

상기 출력정지단계는 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 정지시킨 다음, 일정 시간이 경과되면 정지된 RF전원 발진을 온시킬 수 있다.In the output stop step, the RF power source oscillation of the plurality of power source units may be stopped, and then the RF power source oscillation may be turned on when a predetermined time has elapsed.

본 발명에 따른 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법은, 공정챔버의 처리공간 내에서의 플라즈마를 형성하기 위한 펄스형 전원을 인가함과 아울러 공정챔버 내 아크발생을 실시간으로 감지하여 아크발생이 감지(아크감지신호 발생)될 때 인가되는 전원을 오프함으로써 아크 및 헤이즈의 발생을 최소화할 수 있는 이점이 있다.A plasma processing apparatus and a plasma processing method according to the present invention are a plasma processing apparatus and a plasma processing method that apply pulsed power for forming a plasma in a processing space of a process chamber and detect an arc generation in a process chamber in real time, The generation of the arc and the haze can be minimized by turning off the applied power.

특히 본 발명에 따른 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법은, 공정챔버의 처리공간 내에서의 플라즈마를 형성하기 위한 펄스형 전원을 인가하여 아크발생가능성을 낮추는 동시에 공정챔버 내 아크발생을 실시간으로 감지하여 아크발생이 감지될 때 인가되는 전원을 오프함으로써 아크 및 헤이즈의 발생을 최소화할 수 있는 이점이 있다.Particularly, the plasma processing apparatus and the plasma processing method according to the present invention reduce the possibility of arcing by applying pulse-type power for forming a plasma in a process space of a process chamber, There is an advantage that the occurrence of arcing and haze can be minimized by turning off the applied power when the occurrence is detected.

도 1은, 본 발명에 따른 플라즈마처리장치의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는, 도 1의 플라즈마처리장치의 전원인가부, 아크감지부 및 출력정지부의 구성에 따른 실시예들을 각각 보여주는 개념도들이다.
도 3a는, 도 1의 플라즈마처리장치에서 아크발생이 없는 경우의 전원인가부의 전원인가의 파형을 보여주는 그래프이다.
도 3b는, 도 1의 플라즈마처리장치에서 전원인가부에 연결된 아크감지부부에 의하여 감지되는 반사파의 전력의 패턴을 보여주는 그래프이다.
도 3c는, 도 3b에 도시된 바와 같은 전원인가부들의 전원인가 후 아크감지부에 의한 아크감지에 따라서 전원인가부의 발진부의 정지 및 다시 온 할 때의 파형을 보여주는 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a plasma processing apparatus according to the present invention.
FIGS. 2A to 2D are conceptual diagrams showing embodiments according to the configurations of the power applying unit, the arc sensing unit, and the output stop unit of the plasma processing apparatus of FIG. 1, respectively.
FIG. 3A is a graph showing a waveform of a power supply applied to a power applying unit when no arc is generated in the plasma processing apparatus of FIG. 1. FIG.
FIG. 3B is a graph showing a pattern of power of a reflected wave detected by the arc sensing unit connected to the power applying unit in the plasma processing apparatus of FIG.
FIG. 3C is a graph showing waveforms at the time of stopping the oscillation unit of the power application unit and turning on again according to the arc detection by the arc detection unit after power application to the power application units as shown in FIG. 3B.

이하 본 발명에 따른 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a plasma processing apparatus and a plasma processing method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 플라즈마처리장치는 일예로서 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 처리공간(S) 내에 기판처리를 위한 가스공급부(140)와; 기판지지대(130)에 안착된 기판(10)을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 복수의 전원인가부(210, 220)들과; 공정챔버(100) 내에서 아크발생을 감지하는 하나 이상의 아크감지부(230, 240)를 포함한다.As shown in FIG. 1 as an example, the plasma processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming an enclosed process space S; A substrate support 130 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10; A gas supply part 140 for processing the substrate in the processing space S; A plurality of power applying units 210 and 220 for oscillating an RF power source having different frequencies to pulse-modulate the RF power sources for plasma processing the substrate 10 mounted on the substrate support 130; And at least one arc sensing unit 230, 240 for sensing arc generation within the process chamber 100.

본 발명에 따른 플라즈마처리장치의 대상이 되는 기판(10)은, LCD 패널용 기판, OLED 기판, 태양전지기판 등 플라즈마 처리의 대상이 되는 기판 모두 가능하다.The substrate 10 to be a target of the plasma processing apparatus according to the present invention can be a substrate for an LCD panel, an OLED substrate, a substrate for a plasma processing such as a solar cell substrate.

상기 공정챔버(100)는, 플라즈마 처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is configured to form a closed processing space S for plasma processing, and various configurations are possible.

예로서, 상기 공정챔버(110)는, 서로 탈착가능하게 결합되는 챔버본체(110) 및 상부리드(120)를 포함할 수 있다.By way of example, the process chamber 110 may include a chamber body 110 and an upper lead 120 that are removably coupled to each other.

상기 챔버본체(110)는 상부리드(120)가 상측에 결합되어 처리공간(S)을 형성할 수 있도록 상측이 개방되는 개구가 형성되며, 측면에는 기판(10)의 입출을 위한 게이트(111)가 형성된다. The chamber body 110 is formed with an opening for opening the upper side so that the upper lead 120 is coupled to the upper side to form the process space S and the gate 111 for entering / .

이때 상기 게이트(111)는 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐될 수 있으며, 기판(10)의 입출방식에 따라서 일측에만 형성되거나, 서로 대향되는 위치에 한 쌍으로 형성될 수 있다.At this time, the gate 111 may be opened or closed by a gate valve (not shown), or may be formed only on one side of the substrate 10 or on a pair of opposite positions.

또한 상기 챔버본체(110)는, 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 진공펌프와 연결되는 배기관(미도시)이 연결된다.The chamber body 110 is connected to an exhaust pipe (not shown) connected to the vacuum pump for exhaust and pressure control in the processing space S.

상기 상부리드(120)는 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합되어 공정챔버(100)로서 처리공간(S)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The upper lead 120 is detachably coupled to the chamber body 110 to form a process space S as the process chamber 100, and various configurations are possible.

상기 기판지지대(130)는 기판처리의 대상인 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 챔버본체(110)에 설치되며 기판처리시 기판흡착고정을 위한 정전척, 기판(10)의 온도제어를 위한 전열부재 등 다양한 설치물들이 설치될 수 있으며, 하나 이상으로도 구성이 가능하다.The substrate support 130 is provided for supporting the substrate 10 which is an object of the substrate processing. The substrate support 130 is installed in the chamber body 110 and includes an electrostatic chuck for adsorbing and fixing the substrate during substrate processing, Heat transfer member, and the like can be installed, and it is possible to configure one or more of them.

또한 상기 기판지지대(130)는 복수개의 기판(10)들이 로딩된 트레이가 안착되거나, 기판(10)이 직접 안착될 수 있다.In addition, the substrate support 130 may include a tray on which a plurality of substrates 10 are loaded, or the substrate 10 may be directly seated.

상기 가스공급부(140)는, 처리공간(S)의 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간(S)으로 분사하기 위한 구성으로서 분사될 가스의 종류, 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas supply unit 140 is disposed above the processing space S and is configured to inject gas for substrate processing into the processing space S and may have various configurations depending on the type, It is possible.

한편 본 발명에 따른 플라즈마처리장치는, 전원인가부(210, 220)의 제어, 기판처리공정 전체의 제어 등을 위한 제어부(250)를 포함한다.Meanwhile, the plasma processing apparatus according to the present invention includes a controller 250 for controlling the power application units 210 and 220, and controlling the entire substrate processing process.

상기 제어부(250)는, 전원인가부(210, 220)의 제어, 기판처리공정 전체의 제어, 특히 전원인가의 제어를 목적으로 한 구성으로서 단일 구성 또는 복수의 구성들로 분산되어 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The controller 250 controls the power application units 210 and 220 and controls the entire substrate processing process. Particularly, the control unit 250 may be configured to be divided into a single structure or a plurality of structures, Configuration is possible.

상기 복수의 전원인가부(210, 220)들은, 기판지지대(130)에 안착된 기판(10)을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The plurality of power applying units 210 and 220 are configured to oscillate RF power having different frequencies for plasma processing the substrate 10 mounted on the substrate supporter 130 and pulse-modulate the same to apply various configurations It is possible.

구체적으로 상기 복수의 전원인가부(210, 220)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생을 위한 RF전원을 발진하는 발진부(211, 221)와, 발진부(211, 221)에 의하여 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 펄스 변조부(310)를 포함할 수 있다.2, the plurality of power applying units 210 and 220 include oscillating units 211 and 221 for oscillating RF power for plasma generation, oscillating units 211 and 221 for oscillating by oscillating units 211 and 221, And a pulse modulator 310 for pulse-modulating the RF power.

보다 구체적으로 상기 복수의 전원인가부(210, 220)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 인가하는 제1전원인가부(210)와, 제1RF전원의 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원(220)을 인가하는 제2전원인가부를 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 2, the plurality of power applying units 210 and 220 include a first power applying unit 210 for applying a first RF power for generating plasma, And a second power application unit for applying a second RF power source 220 for low frequency bias application.

상기 제1전원인가부(210)는, 플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하도록 구성될 수 있다.The first power application unit 210 may be configured to oscillate a first RF power source for plasma generation and pulse-modulate and apply the oscillated RF power source.

구체적인 예로서, 상기 제1전원인가부(210)는, 기판처리를 위한 가스에 고주파 전력을 가하여 플라즈마 상태로 변화시키기 위한 것으로서 13.56MHz와 같은 제1RF전원을 발진하는 제1발진부(211)와 재1발진부(211)에서 발진된 제1RF전원을 펄스 변조하는 제1펄스변조부(212)를 포함할 수 있다.As a specific example, the first power applying unit 210 is for changing a plasma state by applying high-frequency power to a gas for substrate processing, and includes a first oscillation unit 211 for oscillating a first RF power source such as 13.56 MHz, And a first pulse modulator 212 for pulse-modulating the first RF power source oscillated by the first oscillation unit 211.

상기 제2전원인가부(220)는, 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하도록 구성될 수 있다.The second power application unit 220 may be configured to oscillate a second RF power source for bias application with a frequency lower than the first RF power source frequency, pulse-modulate and apply the oscillated RF power source.

구체적인 예로서, 상기 제2전원인가부(220)는, 기판(10)에 바이어스를 인가하기 위한 구성으로서 2.3MHz와 같은 제2RF전원을 발진하는 제2발진부(221)와, 제2발진부(221)에서 발진된 제2RF전원을 펄스 변조하는 제2펄스변조부(222)를 포함할 수 있다.As a specific example, the second power application unit 220 includes a second oscillation unit 221 for oscillating a second RF power source such as 2.3 MHz as a configuration for applying bias to the substrate 10, a second oscillation unit 221 And a second pulse modulator 222 for pulse-modulating a second RF power source oscillated in the second RF power source.

여기서 상기 제1전원인가부(210) 및 제2전원인가부(220)는, 매칭박스(260)에 의하여 임피던스가 매칭된 상태로 기판지지대(130) 등에 접속되며, 특히 펄스형태로 전원이 인가됨에 따라서 각 전원인가부(210, 220)의 펄스변조부(212, 222)는 도 2a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 인가되는 펄스신호가 펄스신호동기화부(미도시)에 의하여 서로 동기화-인가주기 및 인가시점의 동기화-된다.The first power application unit 210 and the second power application unit 220 are connected to the substrate support 130 in a state where their impedances are matched by the matching box 260. In particular, The pulse modulators 212 and 222 of the power application units 210 and 220 synchronize the pulse signals applied thereto by a pulse signal synchronizer (not shown) as shown in FIGS. 2A to 3C, Synchronization of the application period and the application time.

한편 상기 복수의 전원인가부(210, 220)들은, 전원인가 형태에 따라서 공정챔버(100)를 포함하여 가스공급부(140) 및 기판지지대(130)에 다양한 조합에 의하여 접속될 수 있다.The plurality of power application units 210 and 220 may be connected to the gas supply unit 140 and the substrate support 130 by various combinations including the process chamber 100 according to the power application mode.

구체적으로, 상기 제1전원인가부(210)는 기판지지대(130) 및 가스공급부(120) 중 어느 하나에 접속되고, 제2전원인가부(220)는 기판지지대(130)에 접속될 수 있다.The first power application unit 210 may be connected to one of the substrate support 130 and the gas supply unit 120 and the second power application unit 220 may be connected to the substrate support 130. [ .

한편 앞서 설명한 바와 같이, 기판(10) 등에서 발생되는 아크는 기판처리의 불량을 야기하는바 이를 방지하기 위하여 아크감지부(230, 240)를 이용하여 아크발생을 감지하고 아크발생의 감지시(아크감신호발생) 복수의 전원인가부(210, 220)들은 오프, 즉 복수의 전원인가부(210, 220)들의 발진부(211, 221)들이 정지된 후 다시 온되어 아크발생을 방지함이 바람직하다.As described above, the arcs generated in the substrate 10 and the like cause defects in the processing of the substrate. In order to prevent such defects, the arc detection units 230 and 240 are used to detect arcing, It is preferable that a plurality of power application units 210 and 220 are turned off, that is, after the oscillation units 211 and 221 of the plurality of power application units 210 and 220 are stopped, .

따라서 본 발명에 따른 플라즈마처리장치는, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 내에서 아크발생을 감지하는 하나 이상의 아크감지부(230, 240)와; 아크감지부(230, 240)에 의한 아크감지신호에 따라서 복수의 전원인가부(210, 220)들의 RF전원의 발진을 오프시키는 하나 이상의 출력정지부(330, 340)를 포함한다.Accordingly, as shown in FIGS. 2A to 2C, the plasma processing apparatus according to the present invention includes at least one arc detecting unit 230, 240 for detecting an arc generation in the process chamber 100; And one or more output stops 330 and 340 for turning off the oscillation of the RF power of the plurality of power applying units 210 and 220 according to the arc detection signal by the arc detecting units 230 and 240.

상기 아크감지부(230, 240)는, 공정챔버(100)에 하나 이상으로 설치되어 공정챔버(100) 내에서 아크발생을 감지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The arc sensing units 230 and 240 may be installed in one or more of the process chambers 100 to detect arc generation in the process chamber 100 and may have various configurations.

특히 상기 아크감지부(230, 240)는, 반사파를 기준으로 아크발생을 감지하는 방법, 공정챔버(100) 내부에 대한 이미지를 분석하여 그 색상에 따라서 아크발생을 감지하는 방법(한국 등록특허 10-1028406호) 등 다양한 방법을 사용할 수 있다.Particularly, the arc detection units 230 and 240 can detect an arc generation based on a reflected wave, a method of detecting an arc generation according to the color by analyzing an image of the interior of the process chamber 100 -1028406) can be used.

상기 아크감지부(230, 240)는, 반사파를 기준으로 아크발생을 감지하는 경우, 전원인가부(210, 220)들 중 적어도 어느 하나에 연결되어 연결된 해당 전원인가부에 의하여 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치, 예를 들면 반사파의 전력 값이 기 설정된 기준치-를 초과하는 경우 아크발생으로 감지하도록 구성될 수 있다.The arc sensing units 230 and 240 may be connected to at least one of the power application units 210 and 220 and may be connected to an RF power source For example, when the reflected wave of the reflected wave exceeds a preset reference value, for example, when the power value of the reflected wave exceeds a preset reference value -.

상기와 같이, 아크감지부(230, 240)가 아크발생이 감지되면 아크감지신호를 발생시켜 발생된 아크감지신호를 다른 아크감지부 중 어느 하나에 직접 전달하게 되면 아크발생에 따른 다른 전원인가부를 보다 신속하게 정지시켜 아크발생에 따른 기판의 손상을 방지할 수 있다.As described above, when the arc detectors 230 and 240 detect the occurrence of an arc, the arc detect signal is generated and directly transmitted to any one of the other arc detectors, It is possible to prevent the substrate from being damaged due to arc generation.

구체적으로, 상기 아크감지부(230, 240)는, 도 2a 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 제1전원인가부(210)에 연결되며 제1전원인가부(210)로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하는 제1아크감지부(230)와, 제2전원인가부(220)에 연결되며 제2전원인가부(220)로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력하는 제2아크감지부(240)를 포함할 수 있다.2A to 2D, the arc sensing units 230 and 240 are connected to the first power application unit 210 and are connected to the RF power source applied from the first power application unit 210. [ A first arc detection unit 230 for outputting a first arc detection signal when the reflected wave of the reflected wave exceeds a predetermined reference value and a second arc detection unit 230 connected to the second power application unit 220, And a second arc detection unit 240 for outputting a second arc detection signal when the reflected wave to the RF power source exceeds a predetermined reference value.

상기 출력정지부(330, 340)는, 아크감지부(230, 240)에 의한 아크감지신호에 따라서 복수의 전원인가부(210, 220)들의 RF전원의 발진을 오프시키는 구성으로서 타구성과의 연결 및 설치숫자에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The output stops 330 and 340 are configured to turn off the oscillation of the RF power sources of the plurality of power applying units 210 and 220 according to an arc detection signal by the arc detecting units 230 and 240, Various configurations are possible depending on the number of installed units.

첫째 상기 출력정지부(330, 340)는, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1아크감지부(230)의 아크감지신호에 따라서 제1전원인가부(210)의 발진부(211)를 정지시키고 제2전원인가부(220)의 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 제1전원인가부(210)의 발진부(211)를 정지시키는 제1출력정지부(330)와, 제2아크감지부(240)의 아크감지신호에 따라서 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 정지시키고 제1전원인가부(210)의 제1RF발진정지신호를 출력하거나 제2RF발진정지신호에 따라서 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 정지시키는 제2출력정지부(340)를 포함하되, 제1,2출력정지부(330, 340)는 상호 직접 연결되어 상기 제1,2 RF 발진정지신호를 송수신할 수 있다.First, the output stoppers 330 and 340 stop the oscillating unit 211 of the first power applying unit 210 according to the arc detection signal of the first arc sensor 230, as shown in FIG. 2A A first output stop unit 330 for outputting a second RF oscillation stop signal of the second power supply unit 220 or stopping the oscillation unit 211 of the first power supply unit 210 in response to the first RF oscillation stop signal, The oscillation unit 221 of the second power application unit 220 is stopped and the first RF oscillation stop signal of the first power application unit 210 is output in response to the arc detection signal of the second arc detection unit 240, And a second output stop part 340 for stopping the oscillating part 221 of the second power applying part 220 according to the oscillation stop signal. The first and second output stop parts 330 and 340 are directly connected to each other And can transmit and receive the first and second RF oscillation stop signals.

상기와 같이 제1,2출력정지부(330, 340)는 상호 직접 연결되어 상기 제1,2 RF 발진정지신호를 송수신하게 되면, 제1,2아크감지부(330, 340)의 아크감지시 보다 신속하게 제1전원인가부(210) 및 제2전원인가부(220)의 전원발진을 오프시켜 아크발생에 따른 기판의 손상 등을 방지할 수 있다.When the first and second output stops 330 and 340 are directly connected to each other and transmit and receive the first and second RF oscillation stop signals, The power source oscillation of the first power applying unit 210 and the second power applying unit 220 can be turned off more quickly to prevent the substrate from being damaged due to arc generation.

둘째 상기 출력정지부(330, 340)는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1아크감지부(230)의 아크감지신호에 따라서 제1전원인가부(210)의 발진부(211)를 정지시키고 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 정지시키는 제1출력정지부(330)와, 제2아크감지부(240)의 아크감지신호에 따라서 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 정지시키고 제1전원인가부(210)의 발진부(211)를 정지시키는 제2출력정지부를 포함할 수 있다.Second, the output stops 330 and 340 stop the oscillating unit 211 of the first power applying unit 210 according to the arc detection signal of the first arc detecting unit 230, as shown in FIG. 2B A first output stop part 330 for stopping the oscillation part 221 of the second power application part 220 and a second output stop part 330 for stopping the oscillation part 221 of the second power application part 220 according to the arc detection signal of the second arc detection part 240, And a second output stopping part for stopping the oscillating part 221 of the first power applying part 210 and stopping the oscillating part 211 of the first power applying part 210. [

상기와 같이, 제1, 2아크감지부(230, 240)들 중 어느 하나에 의한 아크감지시 제1,2출력정지부(330, 340)는 타구성을 거치지 않고 제1전원인가부(210) 및 제2전원인가부(220)의 전원발진을 신속하게 오프시킴으로써 아크발생에 따른 기판의 손상 등을 방지할 수 있다.As described above, the first and second output stops 330 and 340 are connected to the first power application unit 210 (or 210) without going through other configurations when the arc is detected by any one of the first and second arc sensing units 230 and 240, And the power source oscillation of the second power application unit 220 are quickly turned off, it is possible to prevent the substrate from being damaged due to arc generation.

셋째 상기 출력정지부(330, 340)는, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제1아크감지부(230)의 아크감지신호 또는 제2아크감지부(240)의 아크감지신호에 따라서 제1전원인가부(210)의 발진부(211)를 정지시키는 제1출력정지부(330)와, 제1아크감지부(230)의 아크감지신호 또는 제2아크감지부(240)의 아크감지신호에 따라서 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 정지시키는 제2출력정지부(340)를 포함할 수 있다.3, the output stoppers 330 and 340 may be connected to the first and second arc detectors 230 and 240 in response to the arc detect signal of the first arc detector 230 or the arc detect signal of the second arc detector 240, A first output stop part 330 for stopping the oscillating part 211 of the application part 210 and a second output stop part 330 for stopping the oscillation part 211 of the application part 210 according to an arc detection signal of the first arc detection part 230 or an arc detection signal of the second arc detection part 240 And a second output stop part 340 for stopping the oscillating part 221 of the second power applying part 220.

상기와 같이, 제1, 2아크감지부(230, 240)들 중 어느 하나에 의한 아크감지시 아크감지신호를 타구성을 거치지 않고 제1,2출력정지부(330, 340)로 전달함으로써 제1전원인가부(210) 및 제2전원인가부(220)의 전원발진을 신속하게 오프시킴으로써 아크발생에 따른 기판의 손상 등을 방지할 수 있다.As described above, when an arc is detected by any one of the first and second arc sensing units 230 and 240, the arc sensing signal is transmitted to the first and second output stops 330 and 340 without any other configuration, The first power application unit 210 and the second power application unit 220 can be quickly turned off to prevent damage to the substrate due to arc generation.

넷째 상기 출력정지부(330)는, 도 2d에 도시된 바와 같이, 제1아크감지부(210) 및 제2아크감지부(220) 중 적어도 어느 하나의 아크감지신호에 따라 제1전원인가부(210)의 발진부(211) 및 제2전원인가부(220)의 발진부(221)를 모두 정지시키도록 구성될 수 있다.4D, the output stopper 330 may be connected to the first power source applying unit 210 according to an arc sense signal of at least one of the first arc sensing unit 210 and the second arc sensing unit 220, The oscillation unit 211 of the first power supply unit 210 and the oscillation unit 221 of the second power supply unit 220 may all be stopped.

상기와 같이, 2아크감지부(230, 240)들 중 어느 하나에 의한 아크감지시 아크감지신호를 타구성을 거치지 않고 출력정지부(330)로 전달함으로써 제1전원인가부(210) 및 제2전원인가부(220)의 전원발진을 신속하게 오프시킴으로써 아크발생에 따른 기판의 손상 등을 방지할 수 있다.As described above, when an arc is detected by any one of the two arc sensing units 230 and 240, the arc sensing signal is transmitted to the output stop unit 330 without any other configuration, It is possible to prevent the substrate from being damaged due to arc generation by quickly turning off the power source oscillation of the second power application unit 220. [

한편 상기 복수의 전원인가부(210, 220)는, 그 발진이 출력정지부(330, 340)에 의하여 일정시간, 즉 정지시간 동안 정지, 즉 오프된 후 RF전원의 발진이 온되는바, 정지시간은 다양하게 설정될 수 있다.On the other hand, the oscillation of the RF power source is turned on after the oscillation of the power application units 210 and 220 is stopped or turned off for a predetermined time, i.e., a stop time, by the output stop units 330 and 340, The time can be set variously.

예로서, 상기 아크감지부(230, 240)에 의하여 아크발생이 감지된 후 복수의 전원인가부(210, 220)들의 발진이 오프되는 정지시간(ts)은 아크강도 등에 무관하게 미리 설정될 수 있다.For example, the stop time t s at which the oscillation of the plurality of power applying units 210 and 220 is turned off after the arc is detected by the arc detecting units 230 and 240 may be preset .

여기서 상기 정지시간(ts)은 1μsec~10μsec로 설정될 수 있다. Here, the stopping time t s may be set to 1 μsec to 10 μsec.

그리고, 상기 아크감지부(230, 240)에 의하여 아크발생이 감지된 후 복수의 전원인가부(210, 220)들의 발진을 정지시킨 다음 일정시간, 즉 정지시간이 경과된후 다시 온되었을 때 복수의 전원인가부(210, 220)들이 오프 전 인가주기(t0)에 따라서 RF전원을 펄스형태로 인가됨이 바람직하다.After the arc detection unit 230 or 240 senses the arc generation, the oscillation of the plurality of power application units 210 and 220 is stopped, and when a predetermined time, that is, It is preferable that the RF power source is applied in pulse form in accordance with the turn-on application period (t 0 ) of the power application units 210 and 220.

즉, 상기 복수의 전원인가부(210, 220)들의 발진이 오프된 후 다시 온될 때 복수의 전원인가부(210, 220)들은, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 복수의 전원인가부(210, 220)들의 주기 조정에 따른 변동변수의 발생 등 그 부작용을 고려하여, 아크발생에 따른 오프와 무관하게 기 설정된 인가주기(t0)에 따라서 RF전원을 펄스형태로 인가하는 것이 바람직하다.That is, when the oscillation of the plurality of power applying units 210 and 220 is turned off and then turned on again, the plurality of power applying units 210 and 220 are turned on, It is preferable that the RF power source is applied in pulse form in accordance with a preset application period t 0 regardless of the off due to the occurrence of an arc in consideration of the adverse effect such as the occurrence of fluctuation variables due to the period adjustment of the electrodes 210 and 220 .

한편 상기와 같은 구성을 가지는 플라즈마처리장치는 다음과 같은 플라즈마처리방법에 의하여 수행될 수 있다.Meanwhile, the plasma processing apparatus having the above-described configuration can be performed by the following plasma processing method.

구체적으로 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법은, 상기와 같은 구성을 가지는 플라즈마처리방법으로서, 기판지지대(130)에 안착된 기판(10)을 플라즈마 처리하도록 복수의 전원인가부(210, 220)들에 의하여 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 전원인가단계; 공정챔버(100) 내에서 발생된 아크를 아크감지부(230, 240)에 의하여 감지하는 아크감지단계; 및 아크감지부(230, 240)에 의한 아크감지신호에 따라서 출력정지부(330, 340)에 의하여 복수의 전원인가부(210, 220)들의 RF전원 발진을 오프시키는 출력정지단계를 포함하여 수행될 수 있다.Specifically, the plasma processing method according to the present invention is a plasma processing method having the above-described structure. In the plasma processing method, a plurality of power applying units 210 and 220 are provided for plasma processing a substrate 10 mounted on a substrate support 130 A power applying step of oscillating an RF power source having different frequencies and pulse-modulating the same; An arc sensing step of sensing an arc generated in the process chamber 100 by the arc sensing units 230 and 240; And an output stopping step of turning off the RF power source oscillation of the plurality of power applying units 210 and 220 by the output stop units 330 and 340 according to the arc detection signal by the arc detecting units 230 and 240 .

상기 전원인가단계는, 플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하고, 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하며, 제1RF전원은 기판지지대(130) 및 가스공급부(140) 중 어느 하나에 접속되고, 제2RF전원은 기판지지대(130)에 접속될 수 있다.The power application step may include: oscillating a first RF power source for generating plasma, pulse-modulating and applying the oscillated RF power source, oscillating a second RF power source for bias application with a frequency lower than the first RF power source frequency, The first RF power source may be connected to the substrate support 130 and the gas supply unit 140 and the second RF power source may be connected to the substrate support 130. [

상기 아크감지단계는, 제1RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하며; 제2RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력할 수 있다.Wherein the arc detection step outputs a first arc detection signal when a reflection wave for the first RF power source exceeds a preset reference value; And output a second arc detection signal when the reflected wave to the second RF power source exceeds a predetermined reference value.

상기 출력정지단계는, 제1아크감지신호에 따라서 제1RF전원의 발진을 정지시키고 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 제1RF전원의 발진을 정지시키며; 제2아크감지신호에 따라서 제2RF전원의 발진을 정지시키고 제1RF발진정지신호를 출력하거나, 제2RF발진정지신호에 따라서 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power supply and output the second RF oscillation stop signal or stop the oscillation of the first RF power supply according to the first RF oscillation stop signal in accordance with the first arc detection signal; According to the second arc detection signal, the oscillation of the second RF power supply can be stopped and the first RF oscillation stop signal can be output or the oscillation of the second RF power supply can be stopped in response to the second RF oscillation stop signal.

상기 출력정지단계는, 제1아크감지신호에 따라서 제1RF전원의 발진을 정지시키고 제2RF전원의 발진을 정지시키고; 제2아크감지신호에 따라서 제2RF전원의 발진을 정지시키고 제1RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power supply and stop the oscillation of the second RF power supply according to the first arc detection signal; The oscillation of the second RF power source can be stopped and the oscillation of the first RF power source can be stopped in accordance with the second arc sense signal.

상기 출력정지단계는, 제1아크감지신호 또는 제2아크감지신호에 따라서 제1RF전원의 발진 및 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop the oscillation of the first RF power supply and the oscillation of the second RF power supply according to the first arc detection signal or the second arc detection signal.

또한 상기 출력정지단계는, 제1아크감지신호 및 제2아크감지신호 중 적어도 어느 하나에 따라서 제1RF전원 및 제2RF전원의 발진을 정지시킬 수 있다.The output stop step may stop oscillation of the first RF power source and the second RF power source according to at least one of the first arc detection signal and the second arc detection signal.

상기 전원인가단계는, 복수의 전원인가부(210, 220)들로부터 인가되는 펄스 신호를 상호 동기화하여 인가할 수 있다.The power applying step may synchronize pulse signals applied from the plurality of power applying units 210 and 220 with each other.

상기 출력정지단계는 복수의 전원인가부(210, 220)들의 RF전원 발진을 정지시킨 다음, 일정 시간이 경과되면 정지된 RF전원 발진을 온시킬 수 있다.
In the output stop step, the RF power source oscillation of the plurality of power applying units 210 and 220 may be stopped, and then the RF power source oscillation may be turned on when a predetermined time has elapsed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버
130 : 기판지지대
210, 220 : 전원인가부(제1전원인가부, 제2전원인가부)
230, 240 : 아크감지부(제1아크감지부, 제2아크감지부)
330, 340 : 출력정지부(제1출력정지부, 제2출력정지부)100: Process chamber
130: substrate support
210 and 220: power application unit (first power application unit, second power application unit)
230, and 240: an arc detection unit (a first arc detection unit, a second arc detection unit)
330, 340: output stop section (first output stop section, second output stop section)

Claims (18)

밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
상기 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와;
상기 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스공급부와;
상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 복수의 전원인가부들과;
상기 공정챔버 내에서 아크발생을 감지하는 하나 이상의 아크감지부와;
상기 아크감지부에 의한 아크감지신호에 따라서 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 오프시키는 출력정지부;를 포함하며,
상기 복수의 전원인가부들로부터 인가되는 펄스 신호를 상호 동기화하는 펄스 신호 동기부를 더 포함하며,
상기 출력정지부는 상기 아크감지신호에 따라서 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 정지시킨 다음, 일정 시간이 경과되면 정지된 RF전원 발진을 온시키며,
상기 일정 시간 경과 후 RF전원이 다시 온되었을때, 상기 복수의 전원인가부들에 의해 인가되는 펄스신호의 인가주기 및 인가시점은, 오프전 펄스 신호의 인가주기 및 인가시점과 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.A process chamber for forming a closed process space;
A substrate support installed in the process chamber and supporting the substrate;
A gas supply part for processing a substrate in the processing space;
A plurality of power application units oscillating an RF power source having different frequencies for pulse-modulating a substrate placed on the substrate support;
At least one arc sensing unit sensing an arc generation in the process chamber;
And an output stop unit for turning off the RF power source oscillation of the plurality of power applying units according to the arc detection signal by the arc detection unit,
And a pulse signal synchronizing unit for synchronizing the pulse signals applied from the plurality of power applying units with each other,
The output stop unit stops the RF power source oscillation of the plurality of power source units according to the arc sense signal, then turns on the stopped RF power source oscillation when a predetermined time elapses,
Wherein when the RF power is turned on again after the lapse of the predetermined time, the application period and the application time of the pulse signal applied by the plurality of power application units are equal to the application period and the application period of the pre- Processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 전원인가부는,
플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하는 제1발진부와 상기 제1발진부로부터 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 제1펄스 변조부를 포함하며 상기 기판지지대 및 가스공급부 중 어느 하나에 접속되는 제1전원인가부와,
상기 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하는 제2발진부와 상기 제2발진부로부터 발진된 RF전원을 펄스 변조하는 제2펄스 변조부를 포함하며 상기 기판지지대에 접속되는 제2전원인가부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of power applying units include:
A plasma display apparatus comprising: a first power source connected to one of a substrate support and a gas supply unit, the first power source being connected to one of the substrate support and the gas supply unit, the first power source for generating plasma, and a first pulse modulator for pulse modulating an RF power source oscillated from the first oscillation unit. Wealth,
A second oscillation unit for oscillating a second RF power source for bias application with a frequency lower than the first RF power source frequency and a second pulse modulator for pulse-modulating an RF power source oscillated from the second oscillation unit, And a power application unit. 청구항 2에 있어서,
상기 아크감지부는
상기 제1전원인가부에 연결되며 제1전원인가부로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하는 제1아크감지부와,
상기 제2전원인가부에 연결되며 제2전원인가부로부터 인가된 RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력하는 제2아크감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The method of claim 2,
The arc detection unit
A first arc sensing unit connected to the first power applying unit and outputting a first arc sensing signal when a reflected wave to an RF power source applied from the first power applying unit exceeds a preset reference value,
And a second arc sensing unit connected to the second power applying unit and outputting a second arc sensing signal when the reflected wave to the RF power source applied from the second power applying unit exceeds a preset reference value. Processing device. 청구항 3에 있어서,
상기 출력정지부는,
상기 제1아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제2전원인가부에 대한 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와,
상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제1전원인가부에 대한 제1RF발진정지신호를 출력하거나, 상기 제2RF발진정지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함하되,
상기 제1,2출력정지부는 상호 직접 연결되어 상기 제1,2 RF 발진정지신호를 송수신하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The method of claim 3,
The output-
A second RF power supply unit for outputting a second RF power supply stop signal to the first power supply unit in response to the arc detection signal of the first arc detection unit, A first output stop section for stopping the oscillation section of the sub-
And a control unit for controlling the second power supply unit to stop the oscillation unit of the second power supply unit and output a first RF oscillation stop signal for the first power supply unit according to the arc detection signal of the second arc detection unit, And a second output stopping part for stopping the oscillating part of the applying part,
Wherein the first and second output stops are directly connected to each other to transmit and receive the first and second RF oscillation stop signals. 청구항 3에 있어서,
상기 출력정지부는,
상기 제1아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와, 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키고 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The method of claim 3,
The output-
A first output stop unit for stopping the oscillation unit of the first power supply unit and stopping the oscillation unit of the second power supply unit according to the arc detection signal of the first arc detection unit, And a second output stopping part for stopping the oscillating part of the second power applying part and stopping the oscillating part of the first power applying part. 청구항 3에 있어서,
상기 출력정지부는,
상기 제1아크감지부의 아크감지신호 또는 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제1전원인가부의 발진부를 정지시키는 제1출력정지부와,
상기 제1아크감지부의 아크감지신호 또는 상기 제2아크감지부의 아크감지신호에 따라서 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 제2출력정지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The method of claim 3,
The output-
A first output stop unit for stopping the oscillation unit of the first power supply unit in accordance with the arc detection signal of the first arc detection unit or the arc detection signal of the second arc detection unit,
And a second output stopping unit for stopping the oscillation unit of the second power applying unit according to the arc detection signal of the first arc detection unit or the arc detection signal of the second arc detection unit. 청구항 3에 있어서,
상기 출력정지부는,
상기 제1아크감지부 및 제2아크감지부 중 적어도 어느 하나의 아크감지신호에 따라 상기 제1전원인가부의 발진부 및 상기 제2전원인가부의 발진부를 정지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치. The method of claim 3,
The output-
And stops the oscillation unit of the first power application unit and the oscillation unit of the second power application unit according to the arc detection signal of at least one of the first arc detection unit and the second arc detection unit. 삭제delete 삭제delete 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간 내에 기판처리를 위한 가스공급부와; 상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 복수의 전원인가부들을 포함하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마처리방법에 있어서,
상기 기판지지대에 안착된 기판을 플라즈마 처리하도록 상기 복수의 전원인가부들에 의하여 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원을 발진하고 이를 펄스 변조하여 인가하는 전원인가단계;
상기 공정챔버 내에서 발생된 아크를 아크감지부에 의하여 감지하는 아크감지단계; 및
상기 아크감지부에 의한 아크감지신호에 따라서 출력정지부에 의하여 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 오프시키는 출력정지단계를 포함하며,
상기 전원인가단계는, 상기 복수의 전원인가부들로부터 인가되는 펄스 신호를 상호 동기화하여 인가하며,
상기 출력정지단계는 상기 복수의 전원인가부들의 RF전원 발진을 정지시킨 다음, 일정 시간이 경과되면 정지된 RF전원 발진을 온시키며,
상기 일정 시간 경과 후 RF전원이 다시 온되었을때, 상기 복수의 전원인가부들에 의해 인가되는 펄스신호의 인가주기 및 인가시점은, 오프전 펄스 신호의 인가주기 및 인가시점과 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.A process chamber for forming a closed process space; A substrate support installed in the process chamber and supporting the substrate; A gas supply part for processing a substrate in the processing space; A plasma processing method of a plasma processing apparatus including a plurality of power applying units that oscillate an RF power source having different frequencies to pulse-process a substrate placed on the substrate support, and pulse-modulate and apply the RF power source,
A power application step of oscillating an RF power source having different frequencies by the plurality of power application units to perform plasma processing on the substrate mounted on the substrate support, pulse-modulating and applying the RF power source;
An arc sensing step of sensing an arc generated in the process chamber by an arc sensing unit; And
And an output stop step of turning off the RF power source oscillation of the plurality of power applying units by an output stop unit according to an arc detection signal by the arc detection unit,
The power applying step may synchronize and apply pulse signals applied from the plurality of power applying units,
The output stop step may stop the RF power source oscillation of the plurality of power source units, turn on the stopped RF power source oscillation when a predetermined time elapses,
Wherein when the RF power is turned on again after the lapse of the predetermined time, the application period and the application time of the pulse signal applied by the plurality of power application units are equal to the application period and the application period of the pre- Processing method. 청구항 10에 있어서,
상기 전원인가단계는,
플라즈마 발생을 위한 제1RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하고,
상기 제1RF전원 주파수보다 낮은 주파수의 바이어스 인가용 제2RF전원을 발진하고, 발진된 RF전원을 펄스 변조하여 인가하며,
상기 제1RF전원은 상기 기판지지대 및 가스공급부 중 어느 하나에 접속되고,
상기 제2RF전원은 상기 기판지지대에 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 10,
The power applying step may include:
A first RF power source for plasma generation is oscillated, an oscillated RF power source is pulse-modulated and applied,
A second RF power source for applying a bias of a frequency lower than the first RF power source frequency, pulse-modulating and applying the oscillated RF power source,
Wherein the first RF power source is connected to either the substrate support and the gas supply,
Wherein the second RF power source is connected to the substrate support. 청구항 11에 있어서,
상기 아크감지단계는,
상기 제1RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제1아크감지신호를 출력하며;
상기 제2RF전원에 대한 반사파가 기 설정된 기준치를 초과하는 경우 제2아크감지신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 11,
The method of claim 1,
And outputs a first arc detection signal when the reflected wave for the first RF power source exceeds a preset reference value;
And outputs a second arc detection signal when the reflected wave to the second RF power source exceeds a preset reference value. 청구항 12에 있어서,
상기 출력정지단계는,
상기 제1아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키기 위한 제2RF발진정지신호를 출력하거나, 제1RF발진정지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키며;
상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제1RF발진정지신호를 출력하거나, 상기 제2RF발진정지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 12,
The output stop step may include:
A second RF oscillation stop signal for stopping the oscillation of the first RF power supply and stopping the oscillation of the second RF power supply in accordance with the first arc sense signal or outputting a second RF oscillation stop signal for stopping the oscillation of the first RF power supply in accordance with the first RF oscillation stop signal Stop;
And stops the oscillation of the second RF power supply according to the second arc detection signal and outputs the first RF oscillation stop signal or stops the oscillation of the second RF power supply in accordance with the second RF oscillation stop signal. Way. 청구항 12에 있어서,
상기 출력정지단계는,
상기 제1아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키며;
상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키고 상기 제1RF전원의 발진을 정지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 12,
The output stop step may include:
Stop the oscillation of the first RF power source and stop the oscillation of the second RF power source according to the first arc sense signal;
And stops the oscillation of the second RF power supply and stops the oscillation of the first RF power supply in accordance with the second arc sense signal. 청구항 12에 있어서,
상기 출력정지단계는,
상기 제1아크감지신호 또는 상기 제2아크감지신호에 따라서 상기 제1RF전원의 발진 및 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 12,
The output stop step may include:
And stops the oscillation of the first RF power source and the oscillation of the second RF power source in accordance with the first arc sense signal or the second arc sense signal. 청구항 12에 있어서,
상기 출력정지단계는,
상기 제1아크감지신호 및 상기 제2아크감지신호 중 적어도 어느 하나에 따라서 상기 제1RF전원 및 상기 제2RF전원의 발진을 정지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.The method of claim 12,
The output stop step may include:
And stopping the oscillation of the first RF power source and the second RF power source according to at least one of the first arc detection signal and the second arc detection signal. 삭제delete 삭제delete
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