KR101974306B1 - Method of manufacturing a plane heating element structure - Google Patents

Method of manufacturing a plane heating element structure Download PDF

Info

Publication number
KR101974306B1
KR101974306B1 KR1020180025628A KR20180025628A KR101974306B1 KR 101974306 B1 KR101974306 B1 KR 101974306B1 KR 1020180025628 A KR1020180025628 A KR 1020180025628A KR 20180025628 A KR20180025628 A KR 20180025628A KR 101974306 B1 KR101974306 B1 KR 101974306B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
single metal
pattern
metal thin
alloy
Prior art date
Application number
KR1020180025628A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이동욱
이영식
Original Assignee
주식회사 신흥머티리얼즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 신흥머티리얼즈 filed Critical 주식회사 신흥머티리얼즈
Priority to KR1020180025628A priority Critical patent/KR101974306B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101974306B1 publication Critical patent/KR101974306B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/34Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater flexible, e.g. heating nets or webs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • C23C14/5873Removal of material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017Manufacturing methods or apparatus for heaters

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a planar heating element structure, wherein a water-soluble sacrificial pattern is formed on the flexible insulating substrate; an alloy thin film is formed on the flexible insulating substrate so as to cover the sacrificial pattern; and a single metal thin film is formed on the alloy thin film. Then, a lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern is performed to form an alloy thin film pattern a single metal thin film pattern from the alloy thin film and the single metal thin film on the flexible insulating substrate, respectively. Then, a radiation layer is formed on the single metal thin film pattern.

Description

면상 발열체 구조물의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING A PLANE HEATING ELEMENT STRUCTURE} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a planar heating element structure,

본 발명은 면상 발열체 구조물의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 전기통전에 의해 발생하는 복사열을 이용하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an area heating element structure. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a planar heating element structure using radiant heat generated by electric current application.

면상 발열체는 면상으로 발열하는 발열체에 해당한다. 면상 발열체는 기존의 선상발열체에 비해 발열 효율이 우수하고 신속하게 승온 조절이 가능하며, 발열부 구조가 얇아 차지하는 부피가 작아 다양한 제품에 적용이 가능하다는 장점을 가지고 있다. The planar heating element corresponds to a heating element that generates heat in a plane. The planar heating element has an advantage of being excellent in heat generation efficiency compared with the conventional linear heating element, capable of controlling the temperature rise quickly, and having a thin structure of the heating part, so that it can be applied to various products.

상기 면상발열체는 이러한 장점을 활용 자동차 유리, 주택 매/외부 등에서 사용되는 투명/플렉서블 히터 분야, 고유연성과 경박 특성이 요구되는 휴대용 온열기, 의료기, 의류 분야의 에어러블 온열기의 발열 장치 등에 적용되고 있으며 그 활용 분야가 확대되고 있다.The planar heating element is applied to a portable heating device, a portable heating device, a medical device, and a heating device of an airlable heating device which are required to have high flexibility and light weight characteristics, such as a transparent / flexible heater used in automobile glass, The application field is expanding.

일반적으로 상기 면상 발열체 구조물은, 순차적으로 형성된 전도성 발열체, 금속 전극 및 절연층을 포함한다. Generally, the planar heating element structure includes sequentially formed conductive heating elements, a metal electrode, and an insulating layer.

상기 금속 전극에 정격 전압을 인가하면, 상기 전도성 발열체가 열을 발생한다. 이러한 면상 발열체를 형성하기 위하여, 은(Ag), 구리(Cu) 등의 금속 구상 또는 침상 파우더 및 바인더가 혼합한 금속 페이스트 등이 이용되고, 비금속 파우더로서는 탄화규소(SiC), 란크로마이티, 흑연(Graphite) 등을 바인더와 혼합 페이스트를 이용되고 있다, When a rated voltage is applied to the metal electrode, the conductive heating element generates heat. In order to form such a surface heating element, metal spheres or needle powders such as silver (Ag), copper (Cu) and the like and metal pastes in which a binder is mixed are used. As the nonmetal powder, silicon carbide (SiC) (Graphite) and the like are used as a binder and a mixed paste,

또한, 금속 발열체로서는 니켈크롬(Ni-Cr), 철 크롬(Fe-Cr), 철 크롬 알루미늄(Fe-Cr-Al) 등과 같은 합금 금속 또는 몰리브덴(Molybdum), 텅스텐(Tungsten), 백금(platium) 등과 같은 단일 금속이 이용되고 있다.The metal heating element may be an alloy metal such as nickel-chromium (Ni-Cr), iron chrome (Fe-Cr), iron chromium aluminum (Fe-Cr-Al), molybdenum, tungsten, platium, And the like are used.

이러한 종래의 기술에 따른 혼합 페이스트를 이용하는 면상 발열체는 지속적인 발열로 페이스트 고분자 바인더의 열화(퇴화), 금속 또는 비금속 파우더 간 결속력이 저하되어 발열 효율이 감소하고, 외부 힘에 의한 발열체에 크랙이 발생함으로써, 면상 발열체 구조물이 손상됨으로써 화재의 위험이 높다, The surface heating element using the mixed paste according to the related art has a problem that the paste is broken due to the deterioration (degradation) of the paste binder due to the continuous heat generation and the bonding force between the metal or the non-metal powder is lowered and the heating efficiency is decreased, and cracks are generated in the heating element , There is a high risk of fire due to damage to the surface heating element structure,

이러한 문제를 해결하기 위하여, 전도성 섬유를 이용한 면상 발열체가 대안으로 제시되고 있지만, 전도성 섬유 기반의 면상 발열체는 전기 전도성 및 화학적 안전성을 확보하기 위해 Ag, Cu, CNT 등의 소재를 사용하고 있으나, 이러한 소재는 유연성이 낮고, 습기에 취약하여 별도의 화학적 처리가 요구되어 가격 상승과 신뢰성 저하되는 단점을 가지고 있다.In order to solve such a problem, a planar heating element using conductive fibers has been proposed as an alternative. However, a conductive fiber based planar heating element uses materials such as Ag, Cu, and CNT to secure electrical conductivity and chemical safety. The material has low flexibility and is vulnerable to moisture, requiring a separate chemical treatment, which has the disadvantage of rising price and reliability.

본 발명의 일 목적은 개선된 유연성, 화학적 안정성 및 신뢰성을 확보할 수 있는 면상 발열체 구조물의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a planar heating element structure capable of securing improved flexibility, chemical stability and reliability.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 면상 발열체 구조체의 제조 방법에 있어서, 유연 절연 기판 상에 수용성 희생 패턴을 형성한 후, 상기 희생 패턴을 덮도록 상기 유연 절연 기판 상에 합금 박막을 형성하고, 상기 합금 박막 상에 단일 금속 박막을 형성한다. 이어서, 상기 수용성 희생 패턴을 이용하는 리프트 오프 공정을 수행하여, 상기 유연 절연 기판 상에 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막으로부터 합금 박막 패턴 및 단일 금속 박막 패턴을 각각 형성한다. 이어서, 상기 단일 금속 박막 패턴 상에 방사층이 형성된다.In order to accomplish one object of the present invention, there is provided a method of manufacturing a planar heating element structure, comprising: forming a water-soluble sacrificial pattern on a flexible insulating substrate; And a single metal thin film is formed on the alloy thin film. Next, a lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern is performed to form an alloy thin film pattern and a single metal thin film pattern from the alloy thin film and the single metal thin film on the flexible insulating substrate, respectively. Next, a spinning layer is formed on the single metal thin film pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막은 스퍼터링 공정을 통하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막을 형성하는 단계는 인시튜로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버 내에 상기 수용성 희생 패턴이 형성된 유연 절연 기판에 대하여 롤투롤 방식으로 수행될 수 있다. 나아가, 상기 스퍼터링 공정은 상기 수용성 희생 패턴이 형성된 유연 절연 기판의 양면들 각각에 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막이 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the alloy thin film and the single metal thin film may be formed through a sputtering process. Here, the step of forming the alloy thin film and the single metal thin film may be formed by in-situ. Also, the sputtering process may be performed in a roll-to-roll manner with respect to a flexible insulating substrate in which the water-soluble sacrificial pattern is formed in a vacuum chamber. Further, in the sputtering process, the alloy thin film and the single metal thin film may be formed on both sides of the flexible insulating substrate on which the water-soluble sacrificial pattern is formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수용성 희생 패턴을 이용하는 리프트 오프 공정은 10 내지 14 Ω의 저항 범위를 가는 초순수를 이용한 초음파 수세 공정을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern may include an ultrasonic washing process using ultra-pure water with a resistivity range of 10 to 14 OMEGA.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방사층 상에 제1 전자파 차폐층을 추가적으로 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 전자파 차폐층은 스퍼터링 공정을 통하여 상기 단일 금속 박막 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 전자파 차폐층은 100 내지 1,000 Å 범위의 두께를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, a first electromagnetic wave shielding layer may be additionally formed on the radiation layer. Here, the first electromagnetic wave shielding layer may be formed on the single metal thin film through a sputtering process. The first electromagnetic wave shielding layer may have a thickness ranging from 100 to 1,000 angstroms.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 합금 박막 패턴은 발열 패턴으로, 상기 단일 금속 박막 패턴은 발열 전극으로 기능할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the alloy thin film pattern is a heating pattern, and the single metal thin film pattern may function as an exothermic electrode.

본 발명의 실시예들에 따르면, 합금 박막 및 단일 금속 박막이 스퍼터링 공정을 통하여 형성됨으로써, 기존의 페이스트에 포함된 바인더의 열화에 따른 면상 발열체의 수명 저가의 문제가 원천적으로 해결될 수 있다. 나아가, 리프트 오프 공정을 통하여 합금 박막 및 단일 금속 박막이 패터닝되어 합금 박막 패턴 및 단일 금속 박막 패턴을 형성함으로써, 합금 박막 및 단일 금속 박막이 패터닝 공정이 용이하게 수행될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since the alloy thin film and the single metal thin film are formed through the sputtering process, the problem of the low life of the planar heating element due to deterioration of the binder contained in the conventional paste can be solved at the source. Further, by patterning the alloy thin film and the single metal thin film through the lift-off process to form the alloy thin film pattern and the single metal thin film pattern, the patterning process of the alloy thin film and the single metal thin film can be easily performed.

또한, 합금 박막 패턴 및 단일 금속 박막 패턴으로 이루어진 면상 발열체가 용이하게 형성됨으로써, 접거나 구부릴 수 있는 고유연성 특성을 가지고 있으며, 접힘 부분에서 크랙 등의 결함에 의한 급격한 저항 증가에 따른 과전류 발생 위험 없어 화재 발생의 위험이 없이 면상 발열체의 발열 효율을 향상 시킬 수 있다.Further, since the surface heating element made of the alloy thin film pattern and the single metal thin film pattern is easily formed, it has a high flexibility property that can be folded or bent, and there is no risk of occurrence of overcurrent due to rapid resistance increase due to defects such as cracks at the folded portion The heat generation efficiency of the surface heating element can be improved without the risk of fire occurrence.

또한 음이온 또는 원적외선을 방사할 수 있는 방사층이 추가적으로 형성됨으로써 인체에 유익한 열선 투사 할 수 있는 기능성 면상 발열체 구조 할 수 있다. In addition, a radiation layer capable of emitting negative ions or far-infrared rays is additionally formed, so that a functional plane heating element capable of projecting a hot line for a human body can be constructed.

한편, 인체에 유해한 전자파를 차폐 할 수 있는 자성 금속 박막으로 이루어진 전자파 차폐층이 추가적으로 구비됨에 따라 발열체에서 나오는 전자파가 효과적으로 차단될 수 있다.Meanwhile, since the electromagnetic wave shielding layer made of the magnetic metal thin film capable of shielding electromagnetic waves harmful to the human body is additionally provided, electromagnetic waves emitted from the heating body can be effectively blocked.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 도 2의 합금 박막 및 순금속 박막을 형성하기 위한 스퍼터링 공정을 설명하기 위한 구성도이다.
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a planar heating element structure according to an embodiment of the present invention.
2 to 7 are sectional views for explaining a method of manufacturing the planar heating element structure according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic view for explaining the sputtering process for forming the alloy thin film and the pure metal thin film of FIG.

이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not to be construed as being limited to the specific shapes of the areas described by way of illustration, but rather to include deviations in the shapes, the areas described in the drawings being entirely schematic and their shapes Are not intended to illustrate the exact shape of the regions and are not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2 내지 도 는 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a planar heating element structure according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 and FIG. 3 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a planar heating element structure according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체 구조물의 제조 방법에 있어서, 유연 절연 기판(100) 상에 수용성 희생 패턴(200)을 형성한다. 유연 절연 기판(100)은, 폴리이미드(PI), 폴리에스터(PET), 폴리아미드(PA), 폴리우레탄(PU) 등 고분자 수지를 이용하여 형성될 수 있다. 특히, 폴리이미드 기판은 우수한 유연성을 가짐에 따라 많이 사용되고 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, in the method for manufacturing a planar heating element structure according to an embodiment of the present invention, a water-soluble sacrificial pattern 200 is formed on a flexible insulating substrate 100. The flexible insulating substrate 100 may be formed using a polymer resin such as polyimide (PI), polyester (PET), polyamide (PA), or polyurethane (PU). Particularly, polyimide substrates are widely used because they have excellent flexibility.

상기 유연 절연 기판(100)은, 25 내지 100 μm 의 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유연 절연 기판(100)은, 25, 35, 50, 75, 100㎛ 두께 중에서 하나 이상의 두께를 가질 수 있다.The flexible insulating substrate 100 may have a thickness of 25 to 100 탆. For example, the flexible insulating substrate 100 may have a thickness of at least one of 25, 35, 50, 75, and 100 占 퐉 thickness.

상기 유연 절연 기판(100) 상에 수용성 희생 패턴(200)을 형성한다. 상기 수용성 희생 패턴(200)은 후속하는 리프트 오프 공정에 의하여 용이하게 제거될 수 있는 수용성 물질로 이루어질 수 있다. A water-soluble sacrificial pattern (200) is formed on the flexible insulating substrate (100). The water-soluble sacrificial pattern 200 may be made of a water-soluble material that can be easily removed by a subsequent lift-off process.

기존의 발열체 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정의 경우, 노광/현상/에칭 공정 중 염화동, 염화제이철 등이 포함된 폐수가 발생하여 환경오염을 초래하는 반면에, 상기 수용성 희생 패턴(200)이 수용성 물질로 이루어질 경우 후속하는 순수를 이용하는 리프트 오프 공정에 용이하게 제거될 수 있다.In the case of the photolithography process for forming the existing heating element pattern, wastewater containing chloride, ferric chloride and the like is generated in the exposure / development / etching process to cause environmental pollution, while the water-soluble sacrificial pattern 200 is water- It can be easily removed in a lift-off process using subsequent pure water.

상기 수용성 물질의 예로는 전분 등과 같은 천연 고분자 또는 폴리에틸렌 산화물, 폴리비닐 알콜, 폴리아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the water-soluble substance include natural polymers such as starch and the like, or polyethylene oxide, polyvinyl alcohol, polyacrylamide and the like.

상기 수용성 희생 패턴(200)을 형성하기 위하여, 크라비아 인쇄 공정, 코마 코터로 롤투롤 인쇄 공정등이 수행될 수 있다. 상기 수용성 희생 패턴(200)은 3 내지 6 μm 의 두께로 형성될 수 있다. 이로써, In order to form the water-soluble sacrifice pattern 200, a Krabi printing process, a roll-to-roll printing process with a comma coater, or the like may be performed. The water-soluble sacrificial pattern 200 may be formed to a thickness of 3 to 6 占 퐉. As a result,

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 수용성 희생 패턴(200)을 덮도록 상기 유연 절연 기판(100) 상에 합금 박막(110)을 형성한다. Referring to FIGS. 1 and 3, an alloy thin film 110 is formed on the flexible insulating substrate 100 so as to cover the water-soluble sacrificial pattern 200.

상기 합금 박막(110)을 후속하는 리프트 오프 공정을 통하여 패터닝됨으로써, 발열체 패턴으로 전환될 수 있다. The alloy thin film 110 is patterned through a subsequent lift-off process, so that it can be converted into a heating element pattern.

상기 합금 박막(110)을 이루는 물질은, 니겔 크롬(Ni-Cr)합금, 구리크롬(Cu-Cr)합금, 니켈은(Ni-Ag)합금, 니켈 구리 알류미늄(Ni-Cu-Al) 중에서 하나 이상 포함 한다. The material of the alloy thin film 110 is one selected from the group consisting of Ni-Cr alloy, Cu-Cr alloy, Ni-Ag alloy and Ni-Cu- Or more.

상기 니겔 크롬(Ni-Cr) 합금의 합금비는 니켈(Ni) 기준으로 크롬(Cr)함금 함량은 10~30%이 될 수 있다. 한편, 상기 구리크롬(Cu-Cr)합금의 경우, 구리(Cu) 기준으로 크롬 함량을 5~10%의 함량비가 구비될 수 있다. 니켈은(Ni-Ag)합금의 경우, 니켈(Ni) 기준으로 은(Ag) 함량을 10~25%의 함량비로 이루어질 수 있다. 나아가, 니켈구리크롬(Ni-Cu-Cr)합금의 경우, 니켈(Ni) 기준으로 구리크롬(Cu-Cr)합금 함량은 30~40% 이 될 수 있다.The alloy ratio of the nickel-chromium (Ni-Cr) alloy may be 10 to 30% of chromium (Cr) alloy based on nickel (Ni). On the other hand, in the case of the copper-chromium (Cu-Cr) alloy, the content of chromium may be 5 to 10% based on copper. In case of nickel (Ni-Ag) alloy, the content of silver (Ag) on the basis of nickel (Ni) may be 10 to 25%. Further, in the case of nickel-copper-chromium (Ni-Cu-Cr) alloy, the content of copper-chromium (Cu-Cr) alloy on the basis of nickel (Ni) can be 30 to 40%.

상기 합금 박막(110)은 200 내지 500 Å 범위의 두께를 가질 수 있다. The alloy thin film 110 may have a thickness ranging from 200 to 500 ANGSTROM.

상기 합금 박막(110)은 스퍼터링 공정을 통하여 형성될 수 있다. 기존의 페이스트 공정을 통하여 형성될 경우, 그 두께 제어가 어려우며, 상기 페이스트에 포함된 바인더의 열화에 의한 신뢰성 문제가 발생하는 반면에, 본 발명과 같이 스퍼터링 공정을 통하여 합금 박막(110)을 형성할 경우, 두께 제어가 용이하며, 우수한 신뢰성을 확보할 수 있다. The alloy thin film 110 may be formed through a sputtering process. When the paste is formed through the conventional paste process, it is difficult to control the thickness thereof, and the reliability of the binder contained in the paste is deteriorated. On the other hand, the alloy thin film 110 is formed through the sputtering process , Thickness control is easy, and excellent reliability can be ensured.

이어서, 상기 합금 박막(110) 상에 단일 금속 박막(120)을 형성한다. 상기 단일 금속 박막(110)은 후속하는 리프트 오프 공정을 통하여 패터닝됨으로써 단일 금속 박막 패턴으로 전환된다. 이로써, 상기 단일 금속 패턴(110)이 전극으로 기능할 수 있다.Then, a single metal thin film 120 is formed on the alloy thin film 110. The single metal foil 110 is patterned through a subsequent lift-off process to convert into a single metal foil pattern. Thereby, the single metal pattern 110 can function as an electrode.

상기 단일 금속 박막(120)은 예를 구리를 이용하여 형성된다. 상기 단일 금속 박막(120)은 스퍼터링 공정을 통하여 형성될 수 있다. The single metal film 120 is formed using copper, for example. The single metal thin film 120 may be formed through a sputtering process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 합금 박막(110) 및 상기 단일 금속 박막(120)은 스퍼터링 공정 중 인시튜로 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the alloy thin film 110 and the single metal thin film 120 may be formed in situ during the sputtering process.

도 8을 참조하면, 상기 스퍼터링 공정은 롤투롤(roll-to-roll) 공정을 통하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 8, the sputtering process may be performed through a roll-to-roll process.

즉, 진공 챔버 내에 공급롤 및 권취롤이 구비된 상태에서, 합금 박막 형성용 합금 타겟 및 단일 박막 형성용 전극 타겟을 이용하여 롤투롤 스퍼터링 공정이 수행된다. 이때, 상기 수용성 희생 패턴(200)이 형성된 유연 절연 기판(100)이 공급롤에서 권취롤까지 회전하면서 롤링 되는 동안, 상기 합금 타겟 및 전극 타겟으로부터 방출된 물질이 상기 수용성 희생 패턴(200)이 형성된 유연 절연 기판(100) 상에 증착된다. 이로써, 상기 롤투롤 스퍼터링 공정이 수행될 수 있다. 이로써, 상기 스퍼터링 공정을 통하여 상기 합금 박막(110) 및 상기 단일 금속 박막(120)이 용이하게 형성될 수 있다.That is, in the state that the supply roll and the winding roll are provided in the vacuum chamber, the roll-to-roll sputtering process is performed using the alloy target for forming an alloy thin film and the electrode target for forming a single thin film. At this time, while the flexible insulating substrate 100 on which the water-soluble sacrificial pattern 200 is formed is rolled while being rotated from the supply roll to the take-up roll, the material discharged from the alloy target and the electrode target is Is deposited on the flexible insulating substrate (100). Thus, the roll-to-roll sputtering process can be performed. As a result, the alloy thin film 110 and the single metal thin film 120 can be easily formed through the sputtering process.

또한, 상기 롤투롤 스퍼터링 공정이 수행되는 동안, 상기 수용성 희생 패턴(200)이 형성된 유연 절연 기판(100)의 양면에 상기 합금 박막(110) 및 상기 단일 금속 박막(120)이 형성될 수 있다. During the roll-to-roll sputtering process, the alloy thin film 110 and the single metal thin film 120 may be formed on both sides of the flexible insulating substrate 100 on which the water-soluble sacrificial pattern 200 is formed.

도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 수용성 희생 패턴(200)을 이용한 리프트 오프 공정이 수행된다. 이로써, 상기 수용성 희생 패턴(200)이 상기 유연 절연 기판(100)으로부터 제거될 때 상기 수용성 희생 패턴(200)이 구비된 부분에 대응되는 상기 단일 금속 박막(120) 및 합금 박막(110)의 일부가 함께 상기 유연 절연 기판(100)으로부터 제거될 수 있다. 이로써, 상기 수용성 희생 패턴(200)이 구비되지 않은 상기 단일 금속 박막(120) 및 합금 박막(110)의 부분이 상기 유연 절연 기판(100) 상에 잔류함으로써, 상기 단일 금속 박막(120) 및 합금 박막(110)이 패턴화 된다. 결과적으로 상기 유연 절연 기판(100) 상에 상기 합금 박막 패턴 및 상기 단일 금속 박막 패턴이 순차적으로 형성될 수 있다. 이로써, 합금 박막 패턴 및 단일 금속 박막 패턴을 포함하는 면상 발열체가 형성된다.Referring to FIGS. 1 and 4, a lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern 200 is performed. As a result, when the water-soluble sacrificial pattern 200 is removed from the flexible insulating substrate 100, a portion of the single metal thin film 120 and the portion of the alloy thin film 110 corresponding to the portion provided with the water- Can be removed from the flexible insulating substrate 100 together. As a result, the single metal thin film 120 and the portion of the alloy thin film 110 not provided with the water-soluble sacrificial pattern 200 remain on the flexible insulating substrate 100, so that the single metal thin film 120 and the alloy The thin film 110 is patterned. As a result, the alloy thin film pattern and the single metal thin film pattern may be sequentially formed on the flexible insulating substrate 100. Thereby, an area heating element including the alloy thin film pattern and the single metal thin film pattern is formed.

따라서, 종래와 같이 상기 단일 금속 박막(120) 및 합금 박막(110)을 패턴화하기 위한 포토레지스트 박막 형성/노광/현상/에칭 공정이 수행되는 것과 비교할 때, 패터닝 공정이 단순화될 뿐 만 아니라, 환경오염이 억제될 수 있다. Accordingly, the patterning process is simplified as compared with the conventional photoresist thin film formation / exposure / development / etching process for patterning the single metal thin film 120 and the alloy thin film 110, Environmental pollution can be suppressed.

상기 리프트 오프 공정은 예를 들면, 10 내지 14 Ω의 저항 범위를 갖는 초순수를 이용한 초음파 수세 공정을 포함할 수 있다. 이로써, 상기 단일 금속 박막(120) 및 합금 박막(110)을 패턴화 하는 공정이 용이하게 수행될 수 있다.The lift-off process may include, for example, an ultrasonic washing process using ultrapure water having a resistance range of 10 to 14 [Omega]. Thus, the process of patterning the single metal thin film 120 and the alloy thin film 110 can be easily performed.

도 1, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 단일 금속 박막 패턴 및 상기 합금 박막 패턴을 덮도록 방사층(130, 140)이 형성된다. 상기 방사층(130, 140)은 음이온 또는 원적외선을 방출할 수 있다. 상기 방사층(130, 140)은 복층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIGS. 1, 5 and 6, a spinneret 130, 140 is formed to cover the single metal thin film pattern and the alloy thin film pattern. The radiation layers 130 and 140 may emit negative ions or far infrared rays. The radiation layers 130 and 140 may have a multi-layer structure.

상기 방사층(130, 140)은 폴리우레탄계, 아크릴계 수지와 같은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지 내에 분산되고, 황토, 카본 파우더, 게르마늄, 토르말린 분말과 같은 음이온 또는 원적외선 물질을 포함할 수 있다. 이와 다르게 상기 고분자 수지는 고온 발열이 요구될 경우 폴리이미드 계 열경화성 수지로 이루어질 수 있다. The radiation layers 130 and 140 may be a polymer resin such as a polyurethane or acrylic resin and an anion or a far infrared material such as loess, carbon powder, germanium, or tourmaline powder dispersed in the polymer resin. Alternatively, the polymer resin may be made of a polyimide thermosetting resin when high temperature heating is required.

상기 방사층(130, 140)은 8 내지 ~25 μm 범위의 두께를 가질 수 있다. 또한 상기 방사층(130, 140)은 10-6 Ω 의 절연 강도를 가질 수 있다.The radiation layer 130, 140 may have a thickness ranging from 8 to 25 μm. Further, the radiation layers 130 and 140 may have an insulation strength of 10 -6 ?.

상기 방사층(130, 140)은 그라비아, 콤마, 스크린 인쇄 방법으로 제조될 수 있다. The radiation layers 130 and 140 may be manufactured by a gravure, a comma, or a screen printing method.

도 1 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방사층 상에 제1 전자파 차폐층(150)을 형성하는 공정이 추가적으로 수행될 수 다. Referring to FIGS. 1 and 7, in one embodiment of the present invention, a process of forming a first electromagnetic wave shielding layer 150 on the radiation layer may be further performed.

상기 제1 전자파 차폐층(150)은, 자성을 갖는 동시에 습기에 대한 내산화력을 갖은 자성 합금 물질로 형성될 수 있다.The first electromagnetic wave shielding layer 150 may be formed of a magnetic alloy material having magnetism and having oxidation resistance against moisture.

상기 자성 합금 물질의 예로는, 니켈 크롬(Ni-Cr)합금, 니켈 크롬 철(Ni-Cr-Fe)합금, 니켈 크롬 코발트(Ni-Cr-Co)합금 증에서 하나 이상을 포함 할 수 있다.Examples of the magnetic alloy material may include at least one of nickel-chromium (Ni-Cr) alloy, nickel-chromium-iron alloy and nickel-chromium-cobalt alloy.

상기 니켈(Ni)-크롬(Cr)합금의 경우, 니켈(N)i 함량 기준으로 5~25%의 합금 박막이 포함된다. 니켈크롬철(Ni-Cr-Fe)합금의 경우, 그 비율이 니켈(Ni) 기준으로 크롬철(Cr-Fe)함량이 10~25 중량% 일 수 있다. 상기 크롬철(Cr-Fe) 합금비은 크롬(Cr)을 기준으로 Fe 함량의 3~5% 합금비일 수 있다. 상기 제1 전자파 차폐층(170)은, 100 내지 1,000 Å 범위의 두께를 가질 수 있다. In the case of the nickel (Ni) - chromium (Cr) alloy, an alloy thin film of 5 to 25% based on the content of nickel (N) i is included. In the case of a nickel-chromium-iron (Ni-Cr-Fe) alloy, the content of chromium iron (Cr-Fe) may be 10 to 25% by weight based on nickel (Ni). The Cr-Fe alloy alloy may have a Fe alloy content of 3 to 5% based on chromium (Cr). The first electromagnetic wave shielding layer 170 may have a thickness ranging from 100 to 1,000 ANGSTROM.

또한, 상기 제1 전자파 차폐층(150)은, 진공 스퍼터링 메탈라이징 공정을 통하여 형성될 수 있다.In addition, the first electromagnetic wave shielding layer 150 may be formed through a vacuum sputtering metallization process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유기 절연 기판(100)의 하면에는 제2 전자파 차폐층(170, 180) 및 보온층(190)이 추가적으로 형성될 수 있다. 상기 제2 전자파 차폐층(170, 180)은 상기 제1 전자파 차폐층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 보온층(190)은 상기 합금 박막 패턴으로부터 발생하는 열을 하부로부터 차단함으로써, 상기 열의 손실을 억제할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the second electromagnetic wave shielding layer 170 and the insulating layer 190 may be additionally formed on the lower surface of the organic insulating substrate 100. The second electromagnetic wave shielding layer 170 and 180 may be made of the same material as the first electromagnetic wave shielding layer. The heat insulating layer 190 can block the heat generated from the alloy thin film pattern from the bottom to suppress the heat loss.

상기 보온층(190)은, 폴리우레탄폼, 폴리에틸렌폼, 등 고분자 발포폼 또는 발수, 방수 코팅된 섬유직물이 합지 및 섬유직물, 고분자 발포 필름 등을 들 수 있다.The heat-retaining layer 190 may be a polymer foam such as a polyurethane foam, a polyethylene foam, etc., or a water-repellent or water-repellent coated fiber fabric, and a fiber fabric or a polymer foam film.

100 : 유연 절연 기판 110 : 합금 박막
120 : 단일 금속 박막 130, 140 : 방사층
150 : 제1 전자파 차폐층 160 : 패시베이션층
170, 180 : 제2 전자파 차폐층 190 : 보온층
100: Flexible insulating substrate 110: Alloy thin film
120: single metal film 130, 140: radiation layer
150: first electromagnetic wave shielding layer 160: passivation layer
170, 180: second electromagnetic wave shielding layer 190: insulating layer

Claims (10)

유연 절연 기판 상에 수용성 희생 패턴을 형성하는 단계;
상기 수용성 희생 패턴을 덮도록 상기 유연 절연 기판 상에 합금 박막을 형성하는 단계;
상기 합금 박막 상에 단일 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 수용성 희생 패턴을 이용하는 리프트 오프 공정을 수행하여, 상기 유연 절연 기판 상에 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막으로부터 합금 박막 패턴 및 단일 금속 박막 패턴을 각각 형성하는 단계; 및
상기 단일 금속 박막 패턴 상에 방사층을 형성하는 단계를 포함하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.
Forming a water-soluble sacrificial pattern on the flexible insulating substrate;
Forming an alloy thin film on the flexible insulating substrate to cover the water-soluble sacrificial pattern;
Forming a single metal thin film on the alloy thin film;
Performing a lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern to form an alloy thin film pattern and a single metal thin film pattern from the alloy thin film and the single metal thin film on the flexible insulating substrate, respectively; And
And forming a radiation layer on the single metal thin film pattern.
제1항에 있어서, 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막은 스퍼터링 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the alloy thin film and the single metal thin film are formed through a sputtering process. 제2항에 있어서, 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막을 형성하는 단계는 인시튜로 형성되는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.3. The method according to claim 2, wherein the step of forming the alloy thin film and the single metal thin film is performed by an in-situ process. 제2항에 있어서, 상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버 내에 상기 수용성 희생 패턴이 형성된 유연 절연 기판에 대하여 롤투롤 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.3. The method according to claim 2, wherein the sputtering process is performed in a roll-to-roll manner with respect to a flexible insulating substrate having the water-soluble sacrificial pattern formed therein. 제4항에 있어서, 상기 스퍼터링 공정은 상기 수용성 희생 패턴이 형성된 유연 절연 기판의 양면들 각각에 상기 합금 박막 및 상기 단일 금속 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.5. The method according to claim 4, wherein the sputtering step forms the alloy thin film and the single metal thin film on each of both sides of the flexible insulating substrate on which the water-soluble sacrificial pattern is formed. 제1항에 있어서, 상기 수용성 희생 패턴을 이용하는 리프트 오프 공정은 10 내지 14 Ω의 저항 범위를 가는 초순수를 이용한 초음파 수세 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the lift-off process using the water-soluble sacrificial pattern includes an ultrasonic washing process using ultra-pure water having a resistance range of 10 to 14 Ω. 제1항에 있어서, 상기 방사층 상에 제1 전자파 차폐층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.The method of manufacturing a planar heating element structure according to claim 1, further comprising forming a first electromagnetic wave shielding layer on the radiation layer. 제7항에 있어서, 상기 제1 전자파 차폐층은 스퍼터링 공정을 통하여 상기 단일 금속 박막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법. 8. The method according to claim 7, wherein the first electromagnetic wave shielding layer is formed on the single metal thin film through a sputtering process. 제7항에 있어서, 상기 제1 전자파 차폐층은 100 내지 1,000 Å 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.8. The method according to claim 7, wherein the first electromagnetic wave shielding layer has a thickness ranging from 100 to 1,000 angstroms. 제1항에 있어서, 상기 합금 박막 패턴은 발열 패턴으로, 상기 단일 금속 박막 패턴은 발열 전극으로 기능하는 것을 특징으로 하는 면상 발열체 구조물의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the alloy thin film pattern is a heating pattern, and the single metal thin film pattern functions as a heating electrode.
KR1020180025628A 2018-03-05 2018-03-05 Method of manufacturing a plane heating element structure KR101974306B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180025628A KR101974306B1 (en) 2018-03-05 2018-03-05 Method of manufacturing a plane heating element structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180025628A KR101974306B1 (en) 2018-03-05 2018-03-05 Method of manufacturing a plane heating element structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101974306B1 true KR101974306B1 (en) 2019-05-03

Family

ID=66582632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180025628A KR101974306B1 (en) 2018-03-05 2018-03-05 Method of manufacturing a plane heating element structure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101974306B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050032114A (en) * 2002-08-06 2005-04-06 아베시아 리미티드 Organic electronic devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050032114A (en) * 2002-08-06 2005-04-06 아베시아 리미티드 Organic electronic devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101328353B1 (en) Heating sheet using carbon nano tube
CN106356638B (en) Suction wave rate adjustable type wideband electromagnetic wave absorbing device based on graphene film
US6054690A (en) Heating element, manufacturing process and application
KR20090109807A (en) Heat generation sheet and fabrication method thereof
JP2004158438A5 (en)
Zhang et al. Highly thermal-stable and transparent silver nanowire conductive films via magnetic assisted electrodeposition of Ni
JP2018056562A (en) RESISTANCE FILM FOR λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER AND λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER
KR20110094174A (en) Method for manufacturing ptc film heater by roll to roll with thin metallic etched electrodes
US20090262175A1 (en) Heat generation sheet and method of fabricating the same
US11089658B2 (en) Heating element
JP2007299546A (en) Planar heating element
KR101974306B1 (en) Method of manufacturing a plane heating element structure
KR100979278B1 (en) Heat generation sheet and fabrication method thereof
CN104476890B (en) A kind of electrothermal cloth and manufacture method thereof
Seo et al. Roll-to-roll sputtered and patterned Cu 2− x O/Cu/Cu 2− x O multilayer grid electrode for flexible smart windows
Zhong et al. Fabrication of Highly Flat, Flexible Mesh Electrode for Use in Photovoltaics
KR102044197B1 (en) Heating element for seat
KR102232905B1 (en) Plate heater for shielding electromagnetic wave
KR20220023021A (en) Radiant film heater
KR20130031142A (en) Manufacturing method of heating plate
CN111954320A (en) Method for manufacturing metal heating body
KR200444679Y1 (en) An earth wired face type heating element sheet
KR20170083885A (en) Method of manufacturing transparent electrode and transparent electrode manufactured by the method
CN110493902A (en) A kind of self limiting temperature Electric radiant Heating Film
KR20230014105A (en) Radiant film heater with wrinkle-free fucntion

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant