KR101971227B1 - Substrate tretment apparatus, substrate tretment method, and method for manufacturing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 처리 성능을 확보할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법을 제공한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 처리액의 공급을 행하는 기판 처리가 한창일 때에, 처리를 계속하면서, 미리 설정된 타이밍에, 상기 처리액이 기판으로부터 배출되는 배액 속도를 변화시키는 배액 처리를 행하는, 제어부를 구비한다.The present invention provides a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate manufacturing method capable of ensuring high processing performance.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate supporting section for supporting a substrate, a rotation section for rotating the substrate, a processing liquid supply section for supplying the processing liquid to the surface of the substrate, And a control unit for performing a liquid purging process for changing the liquid purging speed at which the process liquid is discharged from the substrate at a preset timing while continuing the processing when the substrate processing for supplying the liquid is full.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법{SUBSTRATE TRETMENT APPARATUS, SUBSTRATE TRETMENT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method,

본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a substrate.

반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하여 기판 표면을 처리하는 기판 처리 장치가 이용된다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 예컨대 처리액으로서 레지스트 박리액이나 세정액 등을 공급하여 에칭 처리나 세정 처리를 행한다. 이러한 기판 처리로서, 기판을 회전시키며, 그 기판 표면에 대향하는 노즐로부터 기판 표면에 처리액을 공급하고, 회전의 원심력으로 처리액을 기판 표면에 넓히는, 스핀식의 기판 처리가 알려져 있다. 이러한 기판 처리에 있어서, 기판 상에 공급된 처리액은, 처리 조건에 따른 속도로 배출되며, 순차 새로운 처리액이 공급된다. 일반적으로, 기판의 회전이나 처리액의 공급에 관한 각종 처리 조건은, 기판 처리의 균일성을 확보할 수 있는 조건으로 설정된다.BACKGROUND ART A substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate by supplying a processing liquid to a surface of a substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal panel is used (for example, refer to Patent Document 1). For example, a resist stripping liquid, a cleaning liquid, or the like is supplied as a treatment liquid to perform an etching treatment or a cleaning treatment. As such substrate processing, there is known a spin-type substrate processing method in which a substrate is rotated, a process liquid is supplied to the substrate surface from a nozzle opposed to the substrate surface, and the process liquid is spread on the substrate surface by centrifugal force of rotation. In such substrate processing, the processing liquid supplied onto the substrate is discharged at a rate corresponding to the processing conditions, and a new processing liquid is sequentially supplied. In general, various processing conditions related to the rotation of the substrate and the supply of the processing liquid are set as conditions that can ensure the uniformity of the substrate processing.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성9-134872호 공보Patent Document 1: JP-A-9-134872

이러한 스핀식의 기판 처리에 있어서, 처리 조건에 따라서는 기판 상에 처리액이 장시간 정체함으로써, 기판 상의 처리액에 파티클이 석출되는 등, 처리액에 굄이 발생하는 경우가 있다. 처리액에 굄이 발생하면, 예컨대 에칭 레이트나 레지스트 제거 성능, 세정 능력 등의 처리 성능이 저하한다. 이 때문에, 높은 처리 성능을 확보할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법이 요구되고 있다.In such a spin-type substrate processing, depending on the processing conditions, the processing liquid stagnates on the substrate for a long time, so that particles may be precipitated in the processing liquid on the substrate. When the treatment liquid is spattered, for example, the treatment performance such as the etching rate, the resist removal performance, and the cleaning ability deteriorates. Therefore, there is a demand for a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate manufacturing method capable of ensuring high processing performance.

본 발명의 일형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 처리액의 공급을 행하는 기판 처리가 한창일 때에, 처리를 계속하면서, 미리 설정된 타이밍에, 상기 처리액이 기판으로부터 배출되는 배액 속도를 변화시키는 배액 처리를 행하는, 제어부를 구비한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate supporting section for supporting a substrate; a rotation section for rotating the substrate; a processing liquid supply section for supplying a processing liquid to a surface of the substrate; And a control unit for performing a liquid purging process for changing the liquid purging speed at which the process liquid is discharged from the substrate at a preset timing while continuing the processing when the substrate process for supplying the process liquid is in full operation.

본 발명의 다른 형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 회전시키는 것과, 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 것과, 상기 기판에 대향 배치된 히터에 의해 상기 기판을 가열하는 것과, 기판 처리가 한창일 때에, 미리 설정된 타이밍에, 처리를 계속하면서, 상기 회전의 회전 속도를 올리는 것, 상기 처리액의 공급량을 증가시키는 것 및 상기 기판과 상기 히터 사이의 간극을 좁히는 것 중 어느 하나 이상의 처리에 의해 상기 처리액이 기판 상으로부터 배출되는 배액 속도를 변화시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: rotating a substrate; supplying a processing liquid to a surface of the substrate; heating the substrate by a heater disposed opposite to the substrate; By increasing the rotation speed of the rotation, increasing the supply amount of the processing liquid, and narrowing the gap between the substrate and the heater while continuing the processing at a predetermined timing, And changing the drainage rate at which the process liquid is discharged from the substrate.

본 발명의 다른 형태에 따른 기판의 제조 방법은, 기판을 회전시키는 것과, 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 것과, 상기 기판에 대향 배치된 히터에 의해 상기 기판을 가열하는 것과, 기판 처리가 한창일 때에, 미리 설정된 타이밍에, 처리를 계속하면서, 상기 회전의 회전 속도를 올리는 것, 상기 처리액의 공급량을 증가시키는 것 및 상기 기판과 상기 히터 사이의 간극을 좁히는 것 중 어느 하나 이상의 처리에 의해 상기 처리액이 기판 상으로부터 이동하는 배액 속도를 변화시키는 것을 포함한다.A method of manufacturing a substrate according to another aspect of the present invention includes the steps of rotating a substrate, supplying a treatment liquid to a surface of the substrate, heating the substrate with a heater disposed opposite to the substrate, By increasing the rotation speed of the rotation while continuing the processing at a preset timing at the time of the fullest processing, by increasing the supply amount of the processing liquid, and by narrowing the gap between the substrate and the heater And changing the drainage rate at which the process liquid migrates from the substrate.

실시형태에 따르면, 높은 처리 성능을 확보할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate manufacturing method that can secure high processing performance.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2는 동기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리의 흐름도이다.
도 3은 동기판 처리 장치에 따른 히터의 위치 변화를 나타내는 설명도이다.
도 4는 동기판 처리 장치에 있어서의 회전 속도의 시퀀스를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 히터의 위치의 시퀀스를 나타내는 그래프이다.
도 6은 동실시형태에 따른 히터의 위치 변화를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 처리액 공급량의 시퀀스를 나타내는 그래프이다.1 is an explanatory view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of substrate processing in the synchronous plate processing apparatus.
3 is an explanatory diagram showing a change in the position of the heater in accordance with the synchronous plate processing apparatus.
4 is a graph showing a sequence of rotational speeds in the synchronous plate processing apparatus.
5 is a graph showing a sequence of positions of the heater according to the second embodiment of the present invention.
Fig. 6 is an explanatory view showing the positional change of the heater according to the embodiment. Fig.
FIG. 7 is a graph showing a sequence of the supply amount of the treatment liquid according to the third embodiment of the present invention. FIG.

[제1 실시형태][First Embodiment]

이하, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 설명도이고, 도 2는 동기판 처리 장치에 있어서의 처리 흐름도이다. 도 3은 히터의 위치 변화를 나타내는 설명도이고, 도 4는 회전 속도의 시퀀스를 나타내는 그래프이다. 각 도면에 있어서 설명을 위해, 적절하게 구성을 확대, 축소 또는 생략하여 나타내고 있다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. Fig. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and Fig. 2 is a processing flowchart in the synchronous plate processing apparatus. Fig. 3 is an explanatory view showing the positional change of the heater, and Fig. 4 is a graph showing a sequence of the rotational speed. In the drawings, the configuration is appropriately enlarged, reduced or omitted for the sake of explanation.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 처리실을 구성하는 처리 챔버(10)와, 기판(W)을 회전 가능하게 지지하는 기판 지지부(20)와, 기판(W) 및 처리액(L1)을 가열하는 히터(30)와, 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(40)와, 배액을 받는 컵(50)과, 각 부의 동작을 제어하는 제어부(60)를 구비한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a processing chamber 10 constituting a processing chamber, a substrate supporting section 20 for rotatably supporting the substrate W, A processing liquid supply unit 40 for supplying the processing liquid onto the substrate, a cup 50 for draining the liquid, a controller 60 for controlling the operations of the respective units, Respectively.

기판 지지부(20)는, 기판을 지지하는 지지 테이블(21)과, 지지 테이블(21)을 회전시키는 회전부로서의 회전 기구(22)를 구비하고 있다.The substrate supporting portion 20 includes a supporting table 21 for supporting the substrate and a rotating mechanism 22 as a rotating portion for rotating the supporting table 21. [

지지 테이블(21)은, 처리 챔버(10) 내에 마련되고, 그 상면에 수평인 배치면(21a)을 가지고 있다. 지지 테이블(21)의 배치면(21a)의 둘레 가장자리에는 예컨대 기판을 착탈 가능하게 고정하는 고정부(23)가 복수 마련되어 있다. 기판 지지부(20)는, 지지 테이블(21)의 배치면(21a) 상에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판(W)을 수평 상태로 착탈 가능하게 지지한다.The support table 21 is provided in the process chamber 10 and has a horizontal placement surface 21a on the upper surface thereof. A plurality of fixing portions 23 for detachably fixing the substrate, for example, are provided on the periphery of the placement surface 21a of the support table 21. The substrate supporter 20 detachably supports a substrate W such as a wafer or a liquid crystal substrate on a placement surface 21a of the support table 21 in a horizontal state.

회전 기구(22)는, 제어부(60)에 접속되고, 제어부(60)의 제어에 의해 지지 테이블(21)을 소정의 수평면 내에 있어서 원하는 회전 속도로 회전 구동시킨다. 따라서, 기판 지지부(20)는, 지지 테이블(21)의 회전 속도를 조정 가능하게 구성되어 있다.The rotation mechanism 22 is connected to the control section 60 and drives the support table 21 to rotate at a desired rotation speed within a predetermined horizontal plane under the control of the control section 60. [ Therefore, the substrate supporting portion 20 is configured to be able to adjust the rotation speed of the support table 21. [

히터(30)는, 히트 플레이트(31)와, 히트 플레이트(31)를 승강 이동시키는 승강 기구(32)를 구비한다. 히트 플레이트(31)는, 기판(W)의 표면(Wa)보다 큰 히트면(31a)을 갖는다. 히트 플레이트(31)는 히트면(31a)이 기판(W)의 표면(Wa)에 대향 배치되도록 승강 기구(31)에 의해 지지되어 있다. 히트 플레이트(31)는 제어부(60)에 접속되어, 온도 조정 가능하게 구성되어 있다. 히트 플레이트(31)의 주면의 면적은 기판(W)의 면적보다 크고, 평면에서 보았을 때에 기판(W)을 덮도록 원형을 나타낸다.The heater 30 includes a heat plate 31 and a lifting mechanism 32 for moving the heat plate 31 up and down. The heat plate 31 has a heat surface 31a larger than the surface Wa of the substrate W. [ The heat plate 31 is supported by the lifting mechanism 31 so that the heat surface 31a is opposed to the surface Wa of the substrate W. [ The heat plate 31 is connected to the control unit 60 so that the temperature can be adjusted. The area of the main surface of the heat plate 31 is larger than the area of the substrate W and shows a circular shape so as to cover the substrate W when viewed from the plane.

승강 기구(32)는, 제어부(60)에 접속되며, 제어부(60)의 제어에 의해 히트 플레이트(31)를 상하 방향으로 이동시켜, 소정의 위치에서 정지시킨다. 즉, 히터(30)는 히트 플레이트(31)의 상하 위치를 조정 가능하게 구성되어 있다. 따라서, 히트면(31a)과 기판(W)의 표면(Wa) 사이에 형성되는 갭 치수(G)가 조정 가능하게 구성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 히트 플레이트(31)는, 예컨대 갭 치수가 G1인 제1 위치와, 갭 치수가 G1보다 작은 G2인 제2 위치에 위치 부여되도록 이동할 수 있다.The lifting mechanism 32 is connected to the control unit 60 and moves the heat plate 31 up and down under the control of the control unit 60 to stop at a predetermined position. That is, the heater 30 is configured to be able to adjust the vertical position of the heat plate 31. Therefore, the gap dimension G formed between the heat surface 31a and the surface Wa of the substrate W is configured to be adjustable. In this embodiment, as shown in Fig. 3, the heat plate 31 can be moved so as to be positioned at a first position having a gap dimension of G1 and a second position having a gap dimension of G2 smaller than G1, for example.

예컨대 제1 위치는, 기판(W)의 상면인 표면(Wa)과, 히트면(31a)이 소정 거리 이격한 후퇴 위치이다. 제2 위치는, 예컨대 히트면(31a)과 기판(W)의 표면(Wa) 사이의 간극의 적어도 일부가 처리액(L1)으로 채워지는, 바꾸어 말하면 처리액(L1)의 적어도 일부가 히트면(31a)에 접촉하는, 처리 위치이다.For example, the first position is a retreat position where the surface Wa, which is the upper surface of the substrate W, is spaced a predetermined distance from the heat surface 31a. The second position is set so that at least a part of the gap between the heat surface 31a and the surface Wa of the substrate W is filled with the processing liquid L1, (31a).

처리액 공급부(40)는, 지지 테이블(21)의 상방에 대향 배치된 노즐(41)과, 노즐에 접속된 공급 기구(42)를 구비한다. 공급 기구(42)는, 예컨대 노즐(41)에 보내지는 처리액(L1)을 저류하는 탱크(43)와, 처리액(L1)을 압송하는 동력원이 되는 펌프(44)와, 탱크(43)와 노즐(41)을 접속하는 유로(45)를 형성하는 배관과, 유로(45)를 개폐하는 개폐 밸브(46)를 구비한다.The treatment liquid supply unit 40 includes a nozzle 41 disposed above the support table 21 and a supply mechanism 42 connected to the nozzle. The supply mechanism 42 includes a tank 43 for storing the treatment liquid L1 to be sent to the nozzle 41, a pump 44 serving as a power source for pressure-feeding the treatment liquid L1, And an opening / closing valve 46 for opening and closing the flow path 45. The flow path 45 is connected to the nozzle 45,

또한, 본 실시형태에 있어서, 처리액(L1)으로서, 예컨대 인산 수용액, 황산, 혹은 이들의 혼합액 등의 약액을 이용한다.In this embodiment, as the treatment liquid L1, a chemical liquid such as an aqueous solution of phosphoric acid, sulfuric acid, or a mixture thereof is used.

노즐(41)은 히트 플레이트(31)의 내부를 통하여 설치된다. 예컨대 노즐(41)의 선단은, 히트면(31a)의 중심 위치에 배치되며, 지지 테이블(21)의 중앙 부분의 상방에 개구하도록 대향 배치되어 있다. 이 때문에, 노즐(41)은 히트 플레이트(31)의 이동에 따라 승강 이동 가능하게 구성되어 있다.The nozzle 41 is installed through the inside of the heat plate 31. For example, the tip of the nozzle 41 is arranged at the center position of the heat surface 31a, and is arranged so as to be opened above the central portion of the support table 21. Therefore, the nozzle 41 can move up and down in accordance with the movement of the heat plate 31.

공급 기구(42)에 마련된 펌프(44)나 개폐 밸브(46)는 제어부(60)에 접속되며, 공급 기구(42)의 동작을 제어 가능하게 구성되어 있다. 따라서, 처리액 공급부(40)는, 제어부(60)에 의해 처리액의 공급 타이밍이나 공급량을 조정 가능하게 구성되어 있다.The pump 44 and the opening and closing valve 46 provided in the supply mechanism 42 are connected to the controller 60 and are configured to be able to control the operation of the supply mechanism 42. [ Therefore, the treatment liquid supply unit 40 is configured so that the timing and amount of supply of the treatment liquid can be adjusted by the control unit 60.

컵(50)은, 예컨대 원통 형상으로 구성되어 있다. 컵(50)은 기판(W)의 주위 및 하방을 덮어 설치되고, 기판(W)으로부터 흘러 떨어지는 배액을 받는다. 컵(50)에는, 괴인 배액을 외부에 배출하는 배출관(51)이 마련되어 있다.The cup 50 has a cylindrical shape, for example. The cup 50 is installed so as to cover the periphery and the lower side of the substrate W and receives drainage flowing down from the substrate W. [ The cup (50) is provided with a discharge pipe (51) for discharging the monstrous drainage to the outside.

제어부(60)는, 기판 처리 장치(1)의 각종 구동부를 제어하는 프로세서와, 각종 정보를 기억하는 메모리와, 각 요소를 구동시키는 구동 회로를 구비하고 있다.The control unit 60 includes a processor for controlling various driving units of the substrate processing apparatus 1, a memory for storing various information, and a driving circuit for driving each element.

제어부(60)는, 기판 처리 장치(1)의 회전 기구(22), 승강 기구(32) 및 공급 기구(42)에 접속되어 있다. 프로세서는, 각종 제어 프로그램이나 동작 조건 등의 정보에 기초하여, 기판 처리 장치의 각종의 기능을 실현하도록, 각 부의 동작을 제어한다. 프로세서는, 각종 동작 조건이나 제어 프로그램에 따라, 회전 기구(22), 승강 기구(32) 및 펌프(44)나 개폐 밸브(46) 등의 공급 기구(42)를 구동시킨다.The control unit 60 is connected to the rotating mechanism 22 of the substrate processing apparatus 1, the lifting mechanism 32, and the supply mechanism 42. The processor controls the operation of each part so as to realize various functions of the substrate processing apparatus based on information such as various control programs and operating conditions. The processor drives the rotating mechanism 22, the lifting mechanism 32 and the supply mechanism 42 such as the pump 44 and the opening / closing valve 46 in accordance with various operating conditions and control programs.

즉, 제어 프로그램에 기초한 제어 처리를 프로세서가 실행함으로써, 프로세서를 중추 부분으로 하는 제어부(60)는, 기판의 회전 동작, 히터의 승강 동작, 처리액의 공급 동작을 제어한다. 따라서, 제어부(60)는 회전 속도를 조정하는 회전 속도 조정부, 갭을 조정하는 갭 조정부 및 처리액의 공급량을 조정하는 액량 조정부로서 기능한다. 본 실시형태에 있어서 제어부(60)는, 회전 속도 조정에 의해, 처리액(L1)이 기판(W) 상으로부터 배출될 때의 처리액(L1)의 유속인 배액 속도를 올리는 배액 처리를 행하는, 배액부로서 기능한다. 본 발명에 있어서의 기판 처리는, 기판(W)의 중앙부와 주변부에 있어서 처리 레이트의 균일성이 얻어지는 처리를 행하는 통상 처리와, 배액 처리를 포함한다. 또한, 본 발명에 있어서의 배액 처리란, 기판 처리가 한창일 때에, 기판 처리를 계속하면서 통상 처리 시보다 배액 속도를 올리는 처리를 가리킨다.That is, the control unit 60, which controls the processor as a central part, controls the rotation operation of the substrate, the elevating operation of the heater, and the supplying operation of the processing liquid by executing the control processing based on the control program. Therefore, the control unit 60 functions as a rotation speed adjusting unit for adjusting the rotation speed, a gap adjusting unit for adjusting the gap, and a liquid amount adjusting unit for adjusting the supply amount of the process liquid. The control unit 60 in the present embodiment performs the drainage process for raising the drainage rate which is the flow rate of the process liquid L1 when the process liquid L1 is discharged from the substrate W, And functions as a drain portion. The substrate processing in the present invention includes a normal processing for performing a process for obtaining a uniformity of the processing rate at the central portion and a peripheral portion of the substrate W and a drain processing. The drainage treatment in the present invention refers to a treatment for raising the drainage rate higher than that in the normal treatment while continuing the substrate treatment when the substrate treatment is full.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판의 처리 방법 및 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다. 여기서는, 기판의 처리 방법 및 기판의 제조 방법의 일례로서 기판(W) 상에 형성된 질화막에 대하여, 처리액(L1)인 인산 수용액을 공급하여 처리를 행하는 에칭 처리를 예시하여 설명한다. 또한, 석출되는 파티클을 실리카로서 설명한다. Hereinafter, a method of processing a substrate and a method of manufacturing a substrate according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig. Here, as an example of a method of processing a substrate and a method of manufacturing a substrate, an etching treatment for supplying an aqueous solution of phosphoric acid, which is the treatment liquid L1, to the nitride film formed on the substrate W is described as an example. The particles to be precipitated are described as silica.

대기 상태에 있어서, 히트 플레이트(31)는, 제1 위치로 후퇴하여, 히트면(31a)과 지지 테이블(21)이 충분히 이격되어 있다. 예컨대 대기 상태에 있어서의 갭 치수(G1)는 150 ㎜ 이상으로 설정된다. 대기 상태에 있어서, 지지 테이블(21)의 회전은 정지하고 있다.In the standby state, the heat plate 31 is retracted to the first position, and the heat surface 31a and the support table 21 are sufficiently separated from each other. For example, the gap dimension G1 in the standby state is set to 150 mm or more. In the standby state, the rotation of the support table 21 is stopped.

먼저, 제어부(60)는, 기판 처리의 지시를 검출하면(ST1), 처리 대상이 되는 기판(W)을 셋트한다(ST2). 구체적으로는, 처리 대상의 기판(W)을, 처리 챔버(10) 내에 반입하여, 지지 테이블(21) 상에 배치한다. 그리고, 고정부(23)를 구동시켜 기판(W)을 고정한다.First, the control unit 60 detects the substrate processing instruction (ST1) and sets the substrate W to be processed (ST2). Specifically, the substrate W to be processed is brought into the processing chamber 10 and placed on the support table 21. [ Then, the fixing portion 23 is driven to fix the substrate W.

다음에, 제어부(60)는, 회전 기구(22)를 구동시켜, 지지 테이블(21)을 소정의 제1 회전 속도(R1)로 회전시킨다(ST3). 제1 회전 속도(R1)는, 기판 처리의 균일성을 확보할 수 있는 회전 속도이며, 예컨대 300 rpm 이내로 설정된다. 본 실시형태에 있어서는 R1=150 rpm으로 한다.Next, the control unit 60 drives the rotation mechanism 22 to rotate the support table 21 at a predetermined first rotation speed R1 (ST3). The first rotational speed R1 is a rotational speed at which the uniformity of the substrate processing can be ensured, and is set to, for example, 300 rpm. In the present embodiment, R1 = 150 rpm.

제어부(60)는, 히터(30)를 구동시켜 히트 플레이트(31)의 온도를 소정의 온도로 설정한다. 또한, 제어부(60)는, 승강 기구(32)를 구동시켜, 히트 플레이트(31)를 하강시켜, 소정 위치에 셋트한다(ST4). 구체적으로는 히트 플레이트(31)를 제2 위치까지 하강시킨다. 제2 위치는 예컨대 갭 치수(G2)가 되는 처리 위치이다. 갭 치수(G2)는, 예컨대 갭(G)의 적어도 일부가, 기판(W)에 공급된 처리액(L1)으로 채워지는 치수로서, 예컨대 본 실시형태에 있어서는 갭 치수(G2)=1.5 ㎜로 설정된다.The control unit 60 drives the heater 30 to set the temperature of the heat plate 31 to a predetermined temperature. Further, the control unit 60 drives the lifting mechanism 32 to lower the heat plate 31 and set it at a predetermined position (ST4). Specifically, the heat plate 31 is lowered to the second position. The second position is, for example, a processing position where the gap dimension G2 is obtained. The gap dimension G2 is a dimension that at least a part of the gap G is filled with the processing liquid L1 supplied to the substrate W. For example, in the present embodiment, the gap dimension G2 is 1.5 mm Respectively.

또한, 제어부(60)는, 공급 기구(42)를 구동시켜, 처리액(L1)을 노즐(41)로부터 기판(W) 상에, 소정의 제1 유량(Q1)으로, 공급한다(ST5). 제1 유량(Q1)은, 기판(W)의 처리의 균일성이 얻어지는 유량으로서, 예컨대 본 실시형태에 있어서는 Q1=0.55 l/m로 설정된다.The control unit 60 drives the supply mechanism 42 to supply the process liquid L1 from the nozzle 41 to the substrate W with a predetermined first flow rate Q1 (ST5) . The first flow rate Q1 is a flow rate at which the uniformity of the processing of the substrate W is obtained. For example, in the present embodiment, Q1 = 0.55 l / m.

또한, 제어부(60)는, 소정의 타이밍에, 기판(W) 상으로부터 처리액(L1)이 배출될 때의 유속, 즉 배액 속도(V)를 올려, 기판 처리가 한창일 때에 기판 처리를 행하면서 배액을 재촉하는 배액 처리를 행한다(ST6). 즉 제1 회전 속도(R1)로의 처리 후, 제2 회전 속도(R2)로의 처리를 행함으로써, 처리를 계속하면서, 배액 처리도 행할 수 있다. 구체적으로는, 정기적으로 회전 속도를 제2 회전 속도(R2)로 올림으로써, 원심력이 커지는 것을 이용하여 처리액(L1)이 기판(W)으로부터 배출되는 배액 속도(V)를 올린다. 예컨대 제2 회전 속도(R2)는 제1 회전 속도(R1)보다 크며, 300 rpm∼600 rpm의 범위로 설정된다.In addition, the control unit 60 raises the flow rate at the time when the process liquid L1 is discharged from the substrate W onto the substrate W at a predetermined timing, that is, the drain speed V, and performs substrate processing when the substrate process is full So that a drainage process is performed to prompt drainage (ST6). That is, after the processing to the first rotation speed R1, the processing to the second rotation speed R2 is performed, and the processing can be continued and the liquid-draining processing can also be performed. Specifically, by raising the rotation speed to the second rotation speed R2 at regular intervals, the liquid speed V at which the processing liquid L1 is discharged from the substrate W is increased by using the centrifugal force being large. For example, the second rotation speed R2 is larger than the first rotation speed R1 and is set in the range of 300 rpm to 600 rpm.

도 4에 나타내는 바와 같이, 배액 처리의 타이밍, 예컨대 배액 처리를 개시하는 타이밍은, 기판 처리의 시간에 있어서 처리액(L1)의 정체에 의해 굄이 발생하는 시간, 즉 파티클의 석출이 발생하는 시간에 기초하여 설정한다. 예컨대 파티클의 석출이 시작되는 것보다 짧은 일정 시간마다, 배액 처리를 행한다.As shown in Fig. 4, the timing of the liquid-draining treatment, for example, the timing at which the liquid-draining treatment is started, is a time period during which the liquor is generated due to the congestion of the treatment liquid L1 at the time of substrate treatment, . For example, at a predetermined time interval shorter than the start of the precipitation of the particles.

또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 회전 속도(R1)로 기판 처리(통상 처리)를 행하는 시간보다 제2 회전 속도(R2)로 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다.Further, as shown in Fig. 4, the time for performing the draining process at the second rotation speed R2 is shorter than the time for performing the substrate processing (normal process) at the first rotation speed R1.

또한, 파티클은, 기판(W)을 처리하는 과정에서, 기판(W) 상에 고인 처리액(L1)에 석출되는 반응 생성물이나 처리 대상막 등이다. 기판(W) 상에 존재하는 처리액에는 처리 개시된 후부터 반응 생성물이나 처리 대상막이 용해되지만, 기판(W)의 처리 시간이 누적되면, 이미 반응 생성물이나 처리 대상막이 용해되고, 기판(W) 상에 존재하는 처리액(L1)에, 더욱 반응 생성물이나 처리 대상막이 완전히 용해되지 않아, 파티클로서 석출된다. 파티클의 예로서는, 인산 수용액에 의한 에칭 처리 중에, 기판(W) 상의 처리액(L1) 중에 석출되는 실리카 등의 반응 생성물이나, 황산에 의한 레지스트 제거 중에, 기판(W) 상의 처리액(L1) 중에 석출되는 레지스트 등의 처리 대상막의 잔사 등을 들 수 있다. 이들 파티클을 포함한 처리액(L1)이 기판(W) 상에 존재하면, 처리액(L)에 의한 기판(W) 상의 처리 대상막에 대한 반응 속도가 늦어지거나 기판(W)의 에칭의 처리 레이트가 늦어지거나 레지스트 제거 성능이 악화하는 원인이 될 수 있다.The particle is a reaction product, a film to be treated, or the like which is deposited on the processing solution L 1 which remains on the substrate W in the course of processing the substrate W. The reaction product and the film to be treated are dissolved after the treatment starts on the substrate W. When the treatment time of the substrate W is accumulated, the reaction product and the film to be treated already dissolve, The reaction product and the film to be treated are not completely dissolved in the existing treatment liquid L1 and are precipitated as particles. Examples of the particles include a reaction product such as silica precipitated in the treatment liquid L1 on the substrate W during the etching treatment with the aqueous phosphoric acid solution or a reaction product such as silica in the treatment liquid L1 on the substrate W during the removal of the resist with sulfuric acid. A residue of a film to be treated such as a resist to be deposited, and the like. When the processing liquid L1 containing these particles is present on the substrate W, the reaction rate of the processing liquid L to the processing target film on the substrate W becomes slower or the processing rate of etching of the substrate W Which may cause deterioration of resist removal performance.

본 실시형태에 있어서는, 30초마다, 1회씩, 각 회 5초의 배액 처리를 행한다. 이상 ST5∼ST6의 처리를, 기판 처리가 종료할 때까지 반복한다(ST7). 즉, 기판(W)은 기판 처리가 종료할 때까지 동일한 종류의 처리액인 처리액(L1)에 의해 기판 처리가 행해지고, 그 한창일 때에 미리 설정된 타이밍에 배액 처리를 행한다. 제어부(60)는 처리 개시로부터 미리 설정한 시간이 경과하였다면, 처리액(L1)의 공급을 정지하고 기판 처리를 종료시킨다(ST8). 다음에 적절하게 린스 처리가 행해진다.In the present embodiment, the liquid-pervaporation process is performed once every 30 seconds, and every five seconds. The processes of ST5 to ST6 are repeated until the substrate processing is terminated (ST7). In other words, the substrate W is subjected to the substrate treatment by the treatment liquid L1 which is the same kind of treatment liquid until the substrate treatment is finished, and at the timing set in the middle of the substrate treatment, the liquid treatment is performed at a predetermined timing. If the preset time has elapsed from the start of the processing, the control unit 60 stops the supply of the processing liquid L1 and terminates the substrate processing (ST8). Next, the rinsing treatment is appropriately performed.

또한, 반복의 셋트수는, 미리 처리 예정 시간(A)을 설정하고 있으면, 처리 예정 시간(A)을 기판 처리(통상 처리)와 배액 처리를 1셋트로 한 시간(T)으로 나눔으로써, 미리 처리 레시피로서 설정할 수 있다.The set number of repetitions is calculated by dividing the expected processing time A by the time T that is one set of the substrate processing (normal processing) and the draining processing, if the scheduled processing time A has been set in advance It can be set as a processing recipe.

또한, 제1 회전 속도(R1)로 처리를 행하는 기판 처리(통상 처리)와, 제2 회전 속도(R2)로 처리를 행하는 배액 처리를 1셋트로 한 시간(T)의 N배가, 미리 설정한 처리 예정 시간(A)을 넘는 경우, 즉 처리 예정 시간(A)을 시간(T)으로 나누면 나머지가 생기는 경우, N셋트째의 기판 처리(통상 처리)의 시간을 조정하고, N셋트째의 배액 처리의 시간은 바꾸지 않는다. 예로서 통상 처리와 배액 처리를 각각 2회(2셋트) 반복하고, 3셋트째의 기판 처리의 시간을 5초로 하며 배액 처리의 시간을 5초로 한다. 이와 같이, 복수회 행해지는 배액 처리의 1회당의 시간은, 일정한 동일한 시간이다.It is also possible to set the number of times N times of the time T obtained by one set of the substrate processing (normal processing) for performing the processing at the first rotation speed R1 and the liquid processing for performing the processing at the second rotation speed R2, In the case where the expected processing time A is exceeded, that is, the remaining processing time A is divided by the time T, the time of the Nth substrate processing (normal processing) is adjusted and the Nth set drainage The processing time is not changed. For example, the normal processing and the draining treatment are repeated twice (two sets), the time for the substrate processing for the third set is 5 seconds, and the time for the draining processing is 5 seconds. Thus, the time per one time of the draining process performed a plurality of times is the same constant time.

본 실시형태에 있어서, 처리 개시(t1)로부터 통상 처리로서 제1 회전 속도(R1)로 기판 처리를 예컨대 25초 행한다. 제1 회전 속도(R1)로의 처리 후, 배액 처리를 개시하고(t2), 제2 회전 속도(R2)로 처리를 행하여, 5초간 경과하면 제2 회전 속도(R2)로의 배액 처리를 종료한다(t3). 이 기판 처리(통상 처리)와 배액 처리를 1셋트로 하여, 처리 종료(t4)까지, 복수 셋트 반복한다. 반복하는 경우는, 배액 처리 종료 후에 제2 회전 속도(R2)로부터 제1 회전 속도(R1)로 감속시키고, 재차 제1 회전 속도(R1)로의 기판 처리(통상 처리)를 행한다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 종료의 직전에는 배액 처리를 행한다.In the present embodiment, from the start of processing (t1), the substrate processing is performed for, for example, 25 seconds as the normal processing at the first rotation speed R1. After the treatment at the first rotational speed R1, the drain treatment is started (t2), the treatment is performed at the second rotational speed R2, and when the elapse of 5 seconds, the drain treatment at the second rotational speed R2 is ended t3). The substrate processing (normal processing) and the drain processing are set to one set, and a plurality of sets are repeated until the end of processing (t4). In the case of repetition, after the completion of the drainage processing, the speed is reduced from the second rotation speed R2 to the first rotation speed R1 and the substrate processing (normal processing) is performed again at the first rotation speed R1. In the present embodiment, as shown in Fig. 4, the liquid-draining treatment is performed immediately before the end of the processing.

또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리에 있어서, 처리액은 계속하여 공급을 계속하고 있다. 즉 배액 처리 동안도 처리액(L1)을 계속해서 공급하고 있다. 이에 의해, 기판 처리를 계속시킨 채로 배액 처리를 행할 수 있다.Further, in the substrate processing according to the present embodiment, the processing liquid continues to be supplied continuously. That is, the treatment liquid L1 is continuously supplied even during the drainage treatment. Thus, it is possible to carry out the drain treatment while continuing the substrate processing.

본 실시형태에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법에 따르면, 이하와 같은 효과가 얻어진다. 즉, 기판 처리의 도중에, 회전 속도를 변화시키는 것, 예컨대 정기적으로 회전 속도를 올림으로써, 기판(W)으로부터 처리액(L1)이 이동하는 배액 속도를 올릴 수 있다. 따라서, 정기적으로 배액을 재촉하여, 새로운 처리액으로의 치환을 촉진시킬 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 상의 처리액(L1)에 있어서, 예컨대 기판(W)의 처리 시간이 누적되어, 처리액(L1)에 기판(W) 상의 처리 대상막의 반응 생성물이 용해되는 것에 따른 파티클의 석출을 방지할 수 있다. 따라서, 파티클 석출에 의한 처리 레이트의 저하를 방지하며, 처리 효율의 저하를 방지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the substrate manufacturing method according to the present embodiment, the following effects can be obtained. That is, by changing the rotation speed during the substrate processing, for example, by periodically increasing the rotation speed, the liquid transfer speed at which the processing liquid L 1 moves from the substrate W can be increased. Therefore, it is possible to promote drainage on a regular basis and to promote replacement with a new treatment liquid. Therefore, in the process liquid L1 on the substrate W, for example, the process time of the substrate W is accumulated, and the particles of the reaction product of the target film on the substrate W are dissolved in the process liquid L1. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent degradation of the treatment rate due to particle precipitation and prevent the treatment efficiency from being lowered.

또한, 제1 회전 속도(R1)로의 기판 처리(통상 처리)를 행하는 시간보다 제2 회전 속도(R2)로의 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다. 이에 의해, 제2 회전 속도에 있어서의 배액 처리로 정기적으로 파티클을 배출할 수 있어, 제1 회전 속도(R1)로 처리 레이트를 유지하면서 균일성이 얻어지는 처리를 행할 수 있다.Further, the time for performing the liquid pervaporation process to the second rotation speed R2 is set shorter than the time for performing the substrate processing (normal process) at the first rotation speed R1. As a result, the particles can be discharged periodically by the drainage process at the second rotation speed, and the uniformity can be obtained while maintaining the process rate at the first rotation speed R1.

본 실시형태에 있어서는, 기판 처리를 위한 회전 기구(22)를 제어함으로써, 회전 속도를 정기적으로 올려 배액 처리를 실현하는 것으로 하였기 때문에, 새로운 기구를 도입하는 일없이, 기존의 설비를 이용하여 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.In the present embodiment, since the liquid processing is realized by periodically raising the rotation speed by controlling the rotation mechanism 22 for substrate processing, it is possible to improve the processing efficiency Can be improved.

또한, 기판 처리의 종료 직전에 배액 촉진 처리를 행하는 것으로 하였기 때문에, 예컨대 다음 공정에서 처리액(L1)보다 온도가 낮은 세정수로서의 린스 처리를 행하여 온도가 저하하는 등 파티클이 석출되기 쉬운 경우에 있어도, 처리액의 치환을 재촉할 수 있어, 처리 효율의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.Further, since the drainage-promoting process is performed just before the end of the substrate process, even if the temperature rises as the cleaning water having a temperature lower than that of the process solution (L1) , The replacement of the treatment liquid can be promoted, and the deterioration of treatment efficiency can be effectively prevented.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

이하, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 있어서의 히터의 위치의 시퀀스를 나타내는 그래프이고, 도 6은 히터의 위치 변화를 나타내는 설명도이다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 배액 처리로서, 기판(W)과 히트 플레이트(31)의 갭(G)을 변화시키는 처리를 행하지만, 이 외의 장치 구성 및 처리 순서는, 상기 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 공통되는 설명을 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a substrate according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig. Fig. 5 is a graph showing a sequence of positions of heaters in the present embodiment, and Fig. 6 is an explanatory diagram showing changes in the position of the heater. In the present embodiment, the processing for changing the gap G between the substrate W and the heat plate 31 is performed as the liquid pouring processing, but the other device configuration and processing sequence are the same as the first embodiment The same description will be omitted.

본 실시형태에 있어서, 제어부(60)는, 기판 처리 중에, 배액 처리로서, 승강 기구(32)를 구동시킴으로써, 히트 플레이트(31)를 처리 위치로서 위치 부여한 제2 위치로부터 정기적으로 히트 플레이트(31)를 하강시켜, 제3 위치에 배치시킨다. 구체적으로는, 30초에 1회, 5초간, 제3 위치에 히트 플레이트(31)를 위치 부여하여 배액 처리를 행한다.In this embodiment, the control unit 60 periodically moves the heat plate 31 from the second position in which the heat plate 31 is positioned as the processing position, by driving the lifting mechanism 32 as the liquid- Is lowered and placed at the third position. More specifically, the heat plate 31 is positioned at the third position for once every 30 seconds for 5 seconds to perform the liquid-pervaporation process.

즉, 예컨대 도 5에 나타내는 바와 같이, 초기의 제1 위치로부터, 히트 플레이트(31)를 하강시켜 제2 위치에 위치 부여하고, 처리액을 공급하여 처리를 개시한다(t1). 그리고, 통상 처리로서 히트 플레이트(31)를 제2 위치에 배치한 상태로 기판 처리를 25초간 행한 후(t2), 히트 플레이트(31)를 제2 위치로부터 더욱 하강시켜 제3 위치로 이동한다(t2). 그리고, 히트 플레이트(31)를 제3 위치에 배치한 상태로 배액 처리를 5초간 행한다(t3). 이 기판 처리(통상 처리)와 배액 처리를 1셋트로 하여, 처리 종료(t4)까지, 복수 셋트 반복한다. 반복하는 경우는, 배액 처리 종료 후, 제3 위치로부터 제2 위치로 히트 플레이트(31)를 상승시키고, 재차 제2 위치에 위치 부여한 상태로 기판(W)의 처리를 행한다. 또한, 본 실시형태에 있어서도, 기판 처리의 종료(t4) 직전에는 배액 처리를 행한다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 히트 플레이트(31)를 제2 위치에 위치 부여하여 기판 처리를 행하는 시간보다, 제3 위치에 위치 부여하여 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다.That is, for example, as shown in Fig. 5, the heat plate 31 is lowered from the initial first position to the second position, and the process liquid is supplied to start the process (t1). After the substrate processing is performed for 25 seconds (t2) with the heat plate 31 disposed at the second position as the normal processing, the heat plate 31 is moved further from the second position to the third position t2). Then, in the state that the heat plate 31 is disposed at the third position, the liquid draining treatment is performed for 5 seconds (t3). The substrate processing (normal processing) and the drain processing are set to one set, and a plurality of sets are repeated until the end of processing (t4). After repeating the draining process, the heat plate 31 is raised from the third position to the second position, and the substrate W is processed in a state where the heat plate 31 is again positioned at the second position. Also in this embodiment, the liquid pouring process is performed immediately before the end of the substrate processing (t4). Further, as shown in Fig. 5, the time for performing the liquid dispensing process by placing the heat plate 31 at the third position is set shorter than the time for placing the heat plate 31 at the second position and performing the substrate processing.

또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리에 있어서, 처리액은 계속해서 공급하고 있다. 즉 배액 처리 동안도 처리액(L1)을 계속해서 공급하고 있다. 이에 의해, 기판 처리를 계속시킨 채로 배액 처리를 행할 수 있다.Further, in the substrate processing according to the present embodiment, the treatment liquid is continuously supplied. That is, the treatment liquid L1 is continuously supplied even during the drainage treatment. Thus, it is possible to carry out the drain treatment while continuing the substrate processing.

도 6에 나타내는 바와 같이, 제3 위치는, 히트면(31a)이 처리액(L1)의 적어도 일부에 접촉하고, 또한, 기판(W)의 표면(Wa)과 히트면(31a) 사이의 갭 치수 G3이 G2보다 작으며, 기판(W) 상으로부터 처리액(L1)의 배액이 재촉되는 배액 위치이다. 갭 치수(G3)는 예컨대 1.2 ㎜로 설정한다.6, the third position is a position where the heat surface 31a contacts at least a part of the processing liquid L1 and a gap between the surface Wa of the substrate W and the heat surface 31a The dimension G3 is smaller than G2 and the drainage position where the drainage of the process liquid L1 from the substrate W is promoted. The gap dimension G3 is set to 1.2 mm, for example.

제어 프로그램에 기초한 제어 처리를 프로세서가 실행함으로써, 프로세서를 중추 부분으로 하는 제어부(60)는, 기판의 회전 동작, 히터의 승강 동작, 처리액의 공급 동작을 제어한다. 따라서, 제어부(60)는 회전 속도를 조정하는 회전 속도 조정부, 갭을 조정하는 갭 조정부 및 처리액의 공급량을 조정하는 액량 조정부로서 기능한다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 제어부(60)는, 갭 조정에 의해 배액 속도를 올리는 배액 처리를 행하는 배액부로서 기능한다.The control unit 60, which controls the processor as a central part, controls the rotation operation of the substrate, the elevating operation of the heater, and the supplying operation of the processing liquid by executing the control processing based on the control program. Therefore, the control unit 60 functions as a rotation speed adjusting unit for adjusting the rotation speed, a gap adjusting unit for adjusting the gap, and a liquid amount adjusting unit for adjusting the supply amount of the process liquid. That is, in the present embodiment, the control unit 60 functions as a liquid dispenser for performing a liquid dispensing process for raising the liquid dispensing speed by adjusting the gap.

본 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기판 제조 방법에 따르면, 상기 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다. 즉, 기판 처리의 도중에, 정기적으로 갭(G)을 변화시키는 것, 예컨대 정기적으로 갭(G)을 좁힘으로써, 유로 단면적을 작게 하여, 기판으로부터 처리액이 이동하는 배액 속도를 올려, 배액을 재촉할 수 있다. 따라서, 기판 상의 처리액의 정체를 방지하고, 새로운 처리액에의 치환을 촉진할 수 있다. 이 때문에, 기판 상의 처리액에 있어서의 파티클의 석출로 처리 효율이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 히트 플레이트(31)를 제2 위치에 위치 부여하여 기판 처리(통상 처리)를 행하는 시간보다, 제3 위치에 위치 부여하여 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다. 이에 의해, 제3 위치에 있어서의 배액 처리로 정기적으로 파티클을 배출할 수 있어, 제2 위치에서 처리 레이트를 유지하면서 균일성이 얻어지는 처리를 행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the substrate manufacturing method according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. That is, the gap G is periodically changed during the substrate processing, for example, by narrowing the gap G regularly, the cross-sectional area of the flow path is reduced to increase the drainage rate at which the process liquid moves from the substrate, can do. Therefore, the congestion of the treatment liquid on the substrate can be prevented, and the replacement with the new treatment liquid can be promoted. Therefore, it is possible to prevent the treatment efficiency from being lowered by the precipitation of the particles in the treatment liquid on the substrate. In addition, the time to place the heat plate 31 at the third position and to perform the liquid pouring process is set shorter than the time for performing the substrate processing (normal processing) by positioning the heat plate 31 at the second position. Thereby, it is possible to discharge the particles periodically by the liquid-draining treatment at the third position, and to carry out the treatment for obtaining the uniformity while maintaining the treatment rate at the second position.

본 실시형태에 있어서는, 히터(30)의 승강 기구를 이용하여 배액 처리를 실현하는 것으로 하였기 때문에, 새로운 기구를 도입하는 일없이, 기존의 설비를 이용하여 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 기판 처리의 종료 직전에 배액 촉진 처리를 행하는 것으로 하였기 때문에, 예컨대 다음 공정에서 온도가 저하하는 등 파티클이 석출되기 쉬운 경우에 있어도, 처리액의 치환을 재촉할 수 있어, 처리효율의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.In the present embodiment, since the liquid draining treatment is realized by using the lifting mechanism of the heater 30, it is possible to improve the treatment efficiency by using the existing facilities without introducing a new mechanism. Further, since the drainage-promoting treatment is performed immediately before the end of the substrate treatment, the replacement of the treatment solution can be promoted even when the temperature is lowered in the next step and the particles are liable to deposit, Can be effectively prevented.

[제3 실시형태][Third embodiment]

이하, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법에 대해서 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 실시형태에 있어서의 처리액의 공급량의 시퀀스를 나타내는 그래프이다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 배액 처리로서, 정기적으로 처리액의 공급량을 증가시키는 처리를 행하지만, 이 외의 장치 구성 및 처리 순서는, 상기 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 공통되는 설명을 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a substrate according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Fig. 7 is a graph showing a sequence of the supply amount of the treatment liquid in the present embodiment. Fig. Further, in this embodiment, as the liquid pouring process, the process of increasing the supply amount of the process liquid is performed periodically, but the other device configuration and processing procedure are the same as those of the first embodiment, do.

본 실시형태에 있어서, 제어부(60)는, 기판 처리 중에, 배액 처리로서, 공급 기구(42)를 제어함으로써 정기적으로 처리액(L1)의 공급량을 증가시킨다. 구체적으로는, 기판 처리 개시로부터 소정의 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하며, 정기적으로 유량을 Q2로 증가시킨다. 예컨대 30초에 1회, 5초간, 배액 처리를 행한다.In the present embodiment, the control unit 60 periodically increases the supply amount of the processing liquid L1 by controlling the supply mechanism 42 as the liquid-pouring processing during the substrate processing. Specifically, the treatment liquid L1 is supplied at a predetermined flow rate Q1 from the start of substrate processing, and the flow rate is increased to Q2 at regular intervals. For example, once every 30 seconds for 5 seconds.

예컨대 도 7에 나타내는 바와 같이, 처리 개시(t1)부터, 제1 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하는 기판 처리(통상 처리)를 25초간 행한 후(t2), 유량을 제2 유량(Q2)으로 전환하고, 제2 유량(Q2)으로 처리액(L1)을 공급하는 배액 처리를 5초간 행하기(t3)까지의 공정을 1셋트로 하여, 기판(W)의 처리가 종료(t4)할 때까지, 복수 셋트 반복해서 행한다. 반복하는 경우는, 배액 처리 종료 후, 유량을 Q2로부터 Q1로 감소시키고, 재차 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하여 기판(W)의 처리를 행한다. 그리고, 본 실시형태에 있어서도, 기판 처리의 종료 직전에 배액 처리를 행한다. 또한, 제1 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하는 기판 처리를 행하는 시간보다, 제2 유량(Q2)으로 처리액(L1)을 공급하는 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다. 이에 의해, 제2 유량(Q2)으로 처리액(L1)을 공급하는 배액 처리로 정기적으로 파티클을 배출할 수 있어, 제1 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하여 처리 레이트를 유지하면서 균일성이 얻어지는 처리를 행할 수 있다.For example, as shown in Fig. 7, a substrate process (normal process) for supplying the process liquid L1 to the first flow rate Q1 is performed for 25 seconds (t2) The processing from the substrate W to the first flow rate Q2 is switched to the second flow rate Q2 and the process for supplying the treatment liquid L1 to the second flow rate Q2 is performed for five seconds (t3) t4) are repeated. The flow rate is reduced from Q2 to Q1 and the processing liquid L1 is supplied again with the flow rate Q1 to perform the processing of the substrate W. [ Also in this embodiment, the liquid pouring process is performed immediately before the end of the substrate processing. The time for performing the drain treatment for supplying the treatment liquid L1 to the second flow rate Q2 is set shorter than the time for performing the substrate treatment for supplying the treatment liquid L1 to the first flow rate Q1. As a result, the particles can be discharged periodically by the drainage process of supplying the process liquid L1 to the second flow rate Q2, and the process liquid L1 is supplied to the first flow rate Q1 to maintain the process rate It is possible to carry out a process of obtaining uniformity.

제2 유량(Q2)은, Q1보다 크고, 처리액(L1)의 배액 속도를 올리는 것이 가능한 원하는 유량으로 설정된다. 예컨대 본 실시형태에 있어서는 Q1=0.55 l/m, Q2=0.65 l/m로 설정한다.The second flow rate Q2 is set to a desired flow rate which is larger than Q1 and capable of raising the flow rate of the treatment liquid L1. For example, in the present embodiment, Q1 = 0.55 l / m and Q2 = 0.65 l / m.

제어 프로그램에 기초한 제어 처리를 프로세서가 실행함으로써, 프로세서를 중추 부분으로 하는 제어부(60)는, 기판의 회전 동작, 히터의 승강 동작, 처리액의 공급 동작을 제어한다. 따라서, 제어부(60)는 회전 속도를 조정하는 회전 속도 조정부, 갭을 조정하는 갭 조정부 및 처리액의 공급량을 조정하는 액량 조정부로서 기능한다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 제어부(60)는, 처리액의 공급량을 조정하는 액량 조정에 의해 배액 속도를 올리는 배액 처리를 행하는 배액부로서 기능한다.The control unit 60, which controls the processor as a central part, controls the rotation operation of the substrate, the elevating operation of the heater, and the supplying operation of the processing liquid by executing the control processing based on the control program. Therefore, the control unit 60 functions as a rotation speed adjusting unit for adjusting the rotation speed, a gap adjusting unit for adjusting the gap, and a liquid amount adjusting unit for adjusting the supply amount of the process liquid. In other words, in the present embodiment, the control unit 60 functions as a liquid dispenser for performing the liquid dispensing process for raising the liquid dispensing speed by adjusting the liquid amount for adjusting the supply amount of the processing liquid.

본 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기판 제조 방법에 따르면, 상기 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다. 즉, 기판 처리의 도중에, 정기적으로 처리액(L1)의 유량을 증가시킴으로써, 기판(W)으로부터 처리액(L1)이 이동하는 배액 속도를 올려, 정기적으로 배액을 재촉할 수 있다. 따라서, 기판 상의 처리액의 정체를 방지하고, 새로운 처리액에의 치환을 촉진할 수 있다. 이 때문에, 기판 상의 처리액에 있어서의 파티클의 석출로 처리 효율이 저하하는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the substrate manufacturing method according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. That is, by increasing the flow rate of the process liquid L1 regularly during the substrate process, the flow rate of the process liquid L1 can be increased from the substrate W, and the liquid can be promptly dispensed at regular intervals. Therefore, the congestion of the treatment liquid on the substrate can be prevented, and the replacement with the new treatment liquid can be promoted. Therefore, it is possible to prevent the treatment efficiency from being lowered by the precipitation of the particles in the treatment liquid on the substrate.

제1 유량(Q1)으로 처리액(L1)을 공급하는 기판 처리(통상 처리)를 행하는 시간보다, 제2 유량(Q2)으로 처리액(L1)을 공급하는 배액 처리를 행하는 시간 쪽이 짧게 설정된다.The time for performing the drainage process for supplying the process liquid L1 to the second flow rate Q2 is shorter than the time for performing the substrate process (normal process) for supplying the process liquid L1 to the first flow rate Q1 do.

본 실시형태에 있어서는, 처리액의 공급 기구를 이용하여 배액 처리를 실현하는 것으로 하였기 때문에, 새로운 기구를 도입하는 일없이, 기존의 설비를 이용하여 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 기판 처리의 종료 직전에 배액 촉진 처리를 행하는 것으로 하였기 때문에, 예컨대 다음 공정에서 온도가 저하하는 등 파티클이 석출되기 쉬운 경우에 있어도, 처리액의 치환을 재촉할 수 있어, 처리 효율의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.In this embodiment, since the liquid pouring processing is realized by using the supply mechanism of the processing liquid, the processing efficiency can be improved by using the existing facilities without introducing a new mechanism. Further, since the drainage-promoting treatment is performed immediately before the end of the substrate treatment, the replacement of the treatment solution can be promoted even when the temperature is lowered in the next step and the particles are liable to deposit, Can be effectively prevented.

또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리에 있어서, 처리액은 계속해서 공급하고 있다. 즉 배액 처리 동안도 처리액(L1)을 계속해서 공급하고 있다. 이에 의해, 기판 처리를 계속시킨 채로 배액 처리를 행할 수 있다.Further, in the substrate processing according to the present embodiment, the treatment liquid is continuously supplied. That is, the treatment liquid L1 is continuously supplied even during the drainage treatment. Thus, it is possible to carry out the drain treatment while continuing the substrate processing.

또한, 본 발명은 상기 각 실시형태 그 대로에 한정되는 것이 아니며, 실시 단계에서는 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다.Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be embodied by modifying the constituent elements in the embodiment.

예컨대 복수의 실시형태를 조합하여도 좋다. 즉, 소정의 타이밍에, 회전 속도를 올리는 것, 처리액의 유량을 증가시키는 것 및 기판과 상기 히터의 간격을 축소하는 것 중 어느 하나 이상의 처리를 적절하게 조합함으로써, 처리액이 기판 상으로부터 이동하는 배액 속도를 빠르게 하여도 좋다.For example, a plurality of embodiments may be combined. That is, by appropriately combining at least one of the processes of raising the rotational speed, increasing the flow rate of the process liquid, and reducing the gap between the substrate and the heater at a predetermined timing, the process liquid is moved The flow rate of the liquid may be increased.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 히트 플레이트(31)측을 이동시키는 예를 나타내었지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 지지 테이블(21)을 승강시키는 승강 기구를 더 구비하고, 상대 거리를 조정할 때에, 히터의 승강 대신에, 혹은 히터의 승강에 더하여, 기판을 승강시켜도 좋다. 또한, 지지 테이블(21)의 회전에 더하여, 히트 플레이트(31)도 회전시키는 것도 가능하다.In the above embodiment, the example of moving the side of the heat plate 31 is shown, but the present invention is not limited to this. For example, it is also possible to further include a lifting mechanism for lifting and lowering the support table 21. In adjusting the relative distance, the substrate may be raised and lowered in place of the lifting and lowering of the heater or in addition to lifting and lowering of the heater. In addition to the rotation of the support table 21, it is also possible to rotate the heat plate 31 as well.

또한, 예컨대 상기 실시형태에 있어서는 처리액(L1)으로서, 예컨대 인산 수용액, 황산, 혹은 이들의 혼합액 등의 약액을 예시하였지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 이들 약액 대신에 순수를 공급하여 기판을 세정하는 기판 처리를 행하여도 좋다. 또한, 노즐(41)에 2개의 탱크(43)를 접속하고, 각 탱크(43)에 약액과 순수를 각각 저류하여, 소정의 타이밍에 공급하는 액을 전환함으로써, 예컨대 약액을 연속적으로 공급하여 기판 처리를 행한 후에, 순수를 공급하여 세정을 행하여도 좋다.Further, for example, in the above embodiment, the chemical liquid such as an aqueous solution of phosphoric acid, sulfuric acid, or a mixture thereof is exemplified as the treatment liquid L1, but the present invention is not limited thereto. For example, substrate processing for cleaning the substrate by supplying pure water instead of these chemical liquids may be performed. Two liquids 43 are connected to the nozzle 41 and liquid and pure water are respectively stored in the respective tanks 43 and the liquid to be supplied at a predetermined timing is switched to continuously supply the chemical liquid, After the treatment, pure water may be supplied to perform cleaning.

이상, 본 발명의 몇 가지의 실시형태를 설명하였지만, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.While the present invention has been described with reference to several embodiments thereof, these embodiments are provided by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications are included in the scope and spirit of the invention and are included in the scope of equivalents to the invention described in the claims.

1…기판 처리 장치, 10…처리 챔버, 20…기판 지지부, 21…지지 테이블, 21a…배치면, 22…회전 기구(회전부), 23…고정부, 30…히터, 31…히트 플레이트, 31a…히트면, 32…승강 기구, 40…처리액 공급부, 41…노즐, 42…공급 기구, 50…컵, 51…배출관, 60…제어부, L1…처리액, G…갭.One… Substrate processing apparatus, 10 ... Processing chamber, 20 ... A substrate supporting portion, 21 ... Support table, 21a ... Placement surface, 22 ... A rotating mechanism (rotating portion), 23 ... Government, 30 ... Heater, 31 ... Heat plate, 31a ... Hit the face, 32 ... Lifting mechanism, 40 ... A treatment liquid supply unit 41, Nozzle, 42 ... Supply mechanism, 50 ... Cup, 51 ... Discharge pipe, 60 ... The control unit, L1 ... Treatment solution, G ... gap.

Claims (11)

기판 처리 장치에 있어서,
기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부를 회전시키는 회전부와,
상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
제어부
를 가지며,
상기 제어부는, 상기 기판을 지지한 상기 기판 지지부를 상기 회전부에 의해 회전시키면서, 회전하는 상기 기판에 상기 처리액 공급부로부터 상기 처리액의 공급을 행하여 상기 처리액에 의한 기판 처리를 행함과 더불어, 상기 기판 처리가 한창일 때의 미리 설정된 소정 타이밍에, 상기 처리액과 동일한 종류의 처리액에 의한 상기 기판 처리를 계속하면서, 상기 처리액 공급부로부터 상기 기판에 공급된 상기 처리액이 상기 기판 상으로부터 배출될 때의 유속을 높이는 배액 처리를 행하고,
상기 제어부는, 상기 기판 처리가 한창일 때에, 상기 배액 처리를 정기적으로 행하고, 상기 기판 처리의 종료 직전에 상기 배액 처리를 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
A substrate support for supporting the substrate,
A rotating portion for rotating the substrate supporting portion,
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to a surface of the substrate;
The control unit
Lt; / RTI >
Wherein the control section performs the substrate processing by the treatment liquid by supplying the treatment liquid from the treatment liquid supply section to the rotating substrate while rotating the substrate support section supporting the substrate by the rotation section, The processing liquid supplied from the processing liquid supply unit to the substrate is discharged from the substrate while continuing the substrate processing by the processing liquid of the same type as that of the processing liquid at a predetermined timing predetermined when the substrate processing is full A liquid-permeation treatment for increasing the flow velocity at the time of
Wherein the control unit periodically performs the liquid-draining process when the substrate processing is full, and performs the liquid-draining process immediately before the end of the substrate processing. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판의 표면에 대향 배치되어, 상기 기판을 가열하는 히터를 더 가지고,
상기 제어부는, 상기 배액 처리로서, 상기 기판과 상기 히터 사이의 간극을, 상기 기판 처리가 한창일 때의 미리 설정된 상기 소정 타이밍에 좁히는 갭 조정부를 구비하는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a heater arranged to face the surface of the substrate supported by the substrate support and heating the substrate,
Wherein the control section includes a gap adjusting section that narrows the gap between the substrate and the heater to the predetermined timing set in advance when the substrate processing is full as the liquid draining processing. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 배액 처리로서, 상기 기판의 회전 속도를, 상기 기판 처리가 한창일 때의 미리 설정된 상기 소정 타이밍에 높이는 회전 속도 조정부를 구비하는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control section includes a rotation speed adjusting section that increases the rotation speed of the substrate to the predetermined timing set in advance when the substrate processing is full as the liquid pouring processing. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 배액 처리로서, 상기 기판에 공급하는 상기 처리액의 유량을, 상기 기판 처리가 한창일 때의 미리 설정된 상기 소정 타이밍에 증가시키는 액량 조정부를 구비하는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control unit includes a liquid amount adjusting unit that increases the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate at the predetermined timing set in advance when the substrate processing is in the full processing. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 배액 처리의 1회당의 시간은, 상기 기판 처리에 있어서의 통상 처리의 1회당의 시간보다 짧은 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the time per one time of the liquid transfer processing is shorter than the time per one normal processing in the substrate processing. 제1항에 있어서,
상기 배액 처리는 상기 기판 처리가 한창일 때에, 복수회 행해지는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the liquid-pervious treatment is performed a plurality of times when the substrate processing is full. 제7항에 있어서,
복수회의 상기 배액 처리는, 1회당의 시간이 일정한 동일한 시간인 것인, 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of times of drainage processing are the same time period of time per one constant. 삭제delete 삭제delete 기판을 회전시키는 단계와,
회전하고 있는 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 처리액에 의한 기판 처리를 행하는 단계와,
상기 처리액의 공급을 행하는 상기 기판 처리가 한창일 때의 미리 설정된 소정 타이밍에, 상기 처리액과 동일한 종류의 처리액에 의한 상기 기판 처리를 계속하면서, 상기 기판의 회전 속도를 높이는 것, 상기 처리액의 공급량을 증가시키는 것, 및 상기 기판과 상기 기판에 대향 배치된 히터 사이의 간극을 좁히는 것 중 어느 하나 이상의 배액 처리에 의해, 상기 기판에 공급된 상기 처리액이 상기 기판 상으로부터 배출될 때의 유속을 높이는 단계를 포함하고,
상기 기판 처리가 한창일 때에, 상기 배액 처리를 정기적으로 행하고, 상기 기판 처리의 종료 직전에 상기 배액 처리를 행하는 것을 특징으로 하는, 기판의 제조 방법.Rotating the substrate,
Supplying a treatment liquid to a surface of the rotating substrate to perform a substrate treatment by the treatment liquid,
Increasing the rotation speed of the substrate while continuing the substrate processing by the same kind of processing liquid as the processing liquid at a predetermined timing predetermined when the substrate processing for supplying the processing liquid is full; Of the processing liquid supplied to the substrate is discharged from the substrate by the liquid-draining treatment of at least one of increasing the supply amount of the processing liquid supplied to the substrate and narrowing the gap between the substrate and the heater arranged opposite to the substrate And increasing the flow rate,
Wherein the liquid-pervaporation treatment is performed periodically when the substrate processing is full, and the liquid-pervaporation treatment is performed immediately before the end of the substrate processing.
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