KR101968806B1 - Conductive material and substrate - Google Patents

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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제] 성막성이 좋고, 막 형성했을 때는 투명성, 도전성이 높고, 플렉시블성이 우수하며, 평탄성이 양호한 도전막을 형성할 수 있는 도전성 재료를 제공한다.
[해결 수단] (A) π 공액계 중합체, (B) 하기 일반식 (1)로 표시되는 반복 단위 a1 내지 a4로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000의 범위인 것인 도펀트 중합체, 및 (C) 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염을 포함하는 도전성 재료.

Figure 112016107938414-pat00055
[PROBLEMS] To provide a conductive material which is excellent in film forming property and can form a conductive film having high transparency, high conductivity, excellent flexibility, and good flatness when a film is formed.
(A) a π conjugated polymer, (B) at least one repeating unit selected from the repeating units a1 to a4 represented by the following general formula (1) and having a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 500,000 And (C) at least one salt selected from carboxylic acid salts,? -Diketone salts,? -Ketoester salts, and carbonates.
Figure 112016107938414-pat00055

Description

도전성 재료 및 기판 {CONDUCTIVE MATERIAL AND SUBSTRATE}[0001] CONDUCTIVE MATERIAL AND SUBSTRATE [0002]

본 발명은 도전성 재료, 및 이것에 의하여 도전막이 형성된 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material and a substrate on which a conductive film is formed.

공액 이중 결합을 갖는 중합체(π 공액계 중합체)는, 이 중합체 자체는 도전성을 나타내지 않지만, 적절한 음이온 분자를 도핑함으로써 도전성이 발현되어 도전성 고분자 재료(도전성 중합체 조성물)가 된다. π 공액계 중합체로서는 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리셀레노펜, 폴리텔루로펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 (헤테로) 방향족 중합체 및 이들의 혼합물 등이 사용되고 있으며, 음이온 분자(도펀트)로서는 술폰산계의 음이온이 가장 자주 사용되고 있다. 이는, 강산인 술폰산이 상기 π 공액계 중합체와 효율적으로 상호 작용하기 때문이다.In a polymer having a conjugated double bond (π conjugated system polymer), the polymer itself does not exhibit conductivity, but when it is doped with a suitable anion molecule, the conductivity is developed to form a conductive polymer material (conductive polymer composition). (hetero) aromatic polymers such as polyacetylene, polythiophene, polyselenophene, polytelulophene, polypyrrole and polyaniline, and mixtures thereof, and the like are used as the π conjugated polymer. As the anion molecules (dopants), sulfonic acid anions Are most often used. This is because sulfonic acid, which is a strong acid, interacts effectively with the? -Conjugate-based polymer.

술폰산계의 음이온 도펀트로서는 폴리비닐술폰산이나 폴리스티렌술폰산(PSS) 등의 술폰산 중합체가 널리 사용되고 있다(특허문헌 1). 또한 술폰산 중합체에는 등록 상표 나피온으로 대표되는 비닐퍼플루오로알킬에테르술폰산도 있으며, 이는 연료 전지 용도에 사용되고 있다.Sulfonic acid polymers such as polyvinylsulfonic acid and polystyrenesulfonic acid (PSS) are widely used as sulfonic acid anion dopants (Patent Document 1). Sulfonic acid polymers also include vinyl perfluoroalkyl ether sulfonic acids, such as the registered trademark Nifion, which are used in fuel cell applications.

폴리스티렌술폰산(PSS)은, 중합체 주쇄에 대하여 술폰산이 단량체 단위로 연속적으로 존재하기 때문에, π 공액계 중합체에 대한 도핑이 고효율이고, 또한 도핑 후의 π 공액계 중합체의 물에의 분산성도 향상시킬 수 있다. 이는, PSS에 과잉으로 존재하는 술포기의 존재에 의하여 친수성이 유지되어, 물에의 분산성이 비약적으로 향상되기 때문이다.Since polystyrene sulfonic acid (PSS) has sulfonic acid continuously present in the monomer main chain with respect to the main chain of the polymer, doping with respect to the? -Conjugated polymer is highly efficient and dispersion of the? -Conjugated polymer after the doping into water can also be improved . This is because hydrophilicity is maintained by the presence of an excess of sulfo group present in the PSS, and the dispersibility in water is remarkably improved.

PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜은 고도전성이고 수분산액으로서의 취급이 가능하기 때문에, ITO(인듐-주석 산화물)를 대신할 도포형 도전막 재료로서 기대되고 있다. 그러나 상술한 바와 같이 PSS는 수용성 수지여서 유기 용제에는 거의 용해되지 않는다. 따라서 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜도 친수성은 높아지지만 유기 용제나 유기 기판에 대한 친화성은 낮아, 유기 용제에 분산시켜 유기 기판에 성막하는 것은 곤란하다.Pithiophene with PSS as a dopant is highly conductive and can be handled as an aqueous dispersion, and is expected as a coating type conductive film material to replace ITO (indium-tin oxide). However, as described above, PSS is a water-soluble resin and hardly soluble in an organic solvent. Therefore, even though polythiophene with PSS as a dopant has high hydrophilicity, it has low affinity for organic solvent and organic substrate, and it is difficult to form a film on an organic substrate by dispersing in organic solvent.

또한 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜을, 예를 들어 유기 EL 조명용의 도전막에 사용하는 경우, 상술한 바와 같이 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜의 친수성이 매우 높기 때문에 도전막 중에 다량의 수분이 남기 쉽고, 또한 형성된 도전막은 외부 분위기로부터 수분을 끌어들이기 쉽다. 그 결과로서, 유기 EL의 발광체가 화학 변화되어 발광 능력이 저하되고, 시간 경과와 함께 수분이 응집하여 결함이 되어, 유기 EL 디바이스 전체의 수명이 짧아진다는 문제가 있다. 또한 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜은 수분산액 중의 입자가 커서 막 형성 후의 막 표면의 요철이 큰 점이나, 유기 EL 조명에 적용했을 때 다크 스폿이라 칭해지는 미발광 부분이 발생하는 문제가 있다.When the polythiophene in which PSS is used as a dopant is used, for example, in a conductive film for organic EL lighting, since the hydrophilicity of the polythiophene using PSS as a dopant is very high as described above, a large amount of moisture And the formed conductive film is liable to attract moisture from the outside atmosphere. As a result, there is a problem that the luminous efficiency of the organic EL element is chemically changed by the chemical change of the organic EL element, and the water becomes coherent with the lapse of time, resulting in shortening the lifetime of the entire organic EL device. Further, the polythiophene having PSS as a dopant has a problem in that the surface of the film surface after formation of the film is large due to the large particles in the aqueous dispersion, but a non-light-emitting portion called a dark spot is generated when applied to organic EL illumination.

또한 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜은 파장 500㎚ 부근의 청색 영역에 흡수가 있기 때문에, 당해 재료를 투명 전극 등의 투명한 기판 상에 도포하여 사용하는 경우, 디바이스가 기능하기 위하여 필요한 도전율을 고형분 농도나 막 두께로 보충하면, 부재로서의 투과율에 영향을 미친다는 문제도 있다.In addition, polythiophene having PSS as a dopant has absorption in a blue region near a wavelength of 500 nm. Therefore, when the material is applied on a transparent substrate such as a transparent electrode and used, the conductivity required for the device to function is set to a solid concentration There is a problem in that the transmittance as a member is influenced.

특허문헌 2에는, 티오펜, 셀레노펜, 텔루로펜, 피롤, 아닐린, 다환식 방향족 화합물로부터 선택되는 반복 단위에 의하여 형성되는 π 공액계 중합체와, 유기 용제로 습윤하게 할 수 있고, 50% 이상이 양이온으로 중화되어 있는 불소화 산 중합체를 포함하는 도전성 고분자에 의하여 형성되는 도전성 중합체 조성물이 제안되어 있으며, 물, π 공액계 중합체의 전구체 단량체, 불소화 산 중합체, 및 산화제를 임의의 순서로 조합함으로써 도전성 중합체의 수분산체가 되는 것이 제시되어 있다.Patent Document 2 discloses that a π conjugated polymer formed by a repeating unit selected from thiophene, selenophene, telulophene, pyrrole, aniline, and polycyclic aromatic compound, and an organic solvent, A conductive polymer composition formed by a conductive polymer containing a fluorinated acid polymer neutralized with these cations has been proposed. By combining water, a precursor monomer of a π-conjugated polymer, a fluorinated acid polymer, and an oxidizing agent in an arbitrary order, It is proposed to be an aqueous dispersion of a polymer.

그러나 이와 같은 종래의 도전성 중합체는, 합성 직후에는 분산액 중에 입자가 응집해 있으며, 도포 재료로서 고도전화제가 되는 유기 용제를 첨가하면 응집이 더욱 촉진되어 여과성이 악화된다. 한편, 여과를 하지 않고 스핀 코트를 행하면 입자 응집체의 영향에 의하여 평탄한 막이 얻어지지 않고, 그 결과로서 도포 불량이 야기된다는 문제가 있다.However, in such a conventional conductive polymer, particles are aggregated in the dispersion immediately after synthesis, and addition of an organic solvent which is a highly conductive agent as a coating material accelerates aggregation and deteriorates the filterability. On the other hand, if spin coating is performed without filtration, a flat film can not be obtained due to the influence of the particle agglomerates, and as a result, there is a problem that coating failure occurs.

또한 플렉시블 디바이스의 개발이 진행되고 있다. 현 상황의 하드 디바이스용 투명 도전막으로서는 ITO가 널리 사용되고 있는데, ITO는 결정성의 막이어서, 이를 굽히고자 하면 크랙이 발생한다. 따라서 ITO를 대신할, 플렉시블한 투명 도전막의 개발이 급선무이다. PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜을 사용한 막은, 플렉시블하며 고투명한 막이지만, 상술한 다크 스폿의 문제 외에 ITO에 비하여 도전성이 낮은 문제가 있다.In addition, development of a flexible device is underway. As a transparent conductive film for hard devices in the current situation, ITO is widely used. ITO is a crystalline film, and cracking occurs when it is bent. Therefore, the development of a flexible transparent conductive film replacing ITO is urgent. A film using polythiophene in which PSS is used as a dopant is a flexible and highly transparent film, but has a problem of low conductivity as compared with ITO in addition to the above-mentioned problem of dark spots.

특허문헌 3에는, 은 나노와이어를 사용한 투명 도전막이 제시되어 있다. 은 나노와이어를 사용한 투명 도전막은 도전성이 높고 또한 고투명이기도 하므로, 플렉시블 디바이스용 도전성 막의 후보의 하나이다. 그러나 은 나노와이어는 와이어 부분밖에 통전하지 않기 때문에, 이를 유기 EL 조명에 적용하면 와이어 부분만이 발광하여 전체면 발광하지 않는 문제가 발생한다.Patent Document 3 discloses a transparent conductive film using silver nanowires. The transparent conductive film using silver nanowires is one of candidates of conductive films for flexible devices because it has high conductivity and high transparency. However, since the silver nanowire is not energized only in the wire portion, if it is applied to the organic EL illumination, there arises a problem that only the wire portion emits light and the entire surface does not emit light.

일본 특허 공개 제2008-146913호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-146913 일본 특허 제5264723호Japanese Patent No. 5264723 일본 특허 공개 제2009-224183호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-224183

상술한 바와 같이, 범용성이 높은 PEDOT-PSS 등의 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜계 도전성 중합체를 사용한 막은, ITO와 동등한 투명성을 갖고 또한 ITO에 비하여 플렉시블하지만 도전성이 낮은 문제가 있다. 또한 PSS를 도펀트로 한 폴리티오펜계 도전성 중합체에는, 유기 EL 조명에 적용했을 때 다크 스폿이 발생하는 문제가 있다. 한편, 은 나노와이어를 사용한 투명 도전막은 투명성, 도전성이 높고, 플렉시블성이 우수하다는 특성을 갖지만, 유기 EL 조명에 적용했을 때 와이어 부분만이 발광하여 미시적으로 균일 발광하지 않는 문제점이 있었다.As described above, a film using a polythiophene-based conductive polymer using PSS as a dopant, such as PEDOT-PSS having high versatility, has transparency equivalent to that of ITO and is flexible compared to ITO but has a low conductivity. Further, a polythiophene-based conductive polymer containing PSS as a dopant has a problem that a dark spot is generated when it is applied to organic EL illumination. On the other hand, the transparent conductive film using silver nanowires has the characteristics of high transparency, high conductivity, and excellent flexibility. However, when applied to organic EL lighting, only the wire portion emits light and microscopic uniform light emission does not occur.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 성막성이 좋고, 막 형성했을 때는 투명성, 도전성이 높고, 플렉시블성이 우수하며, 평탄성이 양호한 도전막을 형성할 수 있는 도전성 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a conductive material which is excellent in film forming property and can form a conductive film having high transparency, high conductivity, excellent flexibility, and good flatness when a film is formed .

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는,In order to solve the above problems,

(A) π 공액계 중합체,(A) a? -Conjugated polymer,

(B) 하기 일반식 (1)로 표시되는 반복 단위 a1 내지 a4로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000의 범위인 것인 도펀트 중합체, 및(B) a dopant polymer containing at least one repeating unit selected from the repeating units a1 to a4 represented by the following general formula (1) and having a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 500,000, and

(C) 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염(C) at least one salt selected from a carboxylate of a silver, a β-diketone salt, a β-keto ester salt and a carbonate

을 포함하는 도전성 재료를 제공한다.And a conductive material.

Figure 112016107938414-pat00001
Figure 112016107938414-pat00001

(식 중, R1, R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, R2, R4 및 R6은 각각 독립적으로 단결합, 에스테르기, 혹은 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나 또는 이들 양쪽을 갖고 있을 수 있는 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상, 환상의 탄화수소기 중 어느 하나이다. R7은 탄소수 1 내지 4의 직쇄상, 분지상의 알킬렌기이며, R7 중의 수소 원자 중 1개 또는 2개가 불소 원자로 치환되어 있을 수 있다. R9는 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기이다. Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이고, Z4는 단결합, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이다. Y는 산소 원자 또는 NH기이고, m은 1 내지 4의 정수이다. a1, a2, a3 및 a4는 0≤a1≤1.0, 0≤a2≤1.0, 0≤a3≤1.0, 0≤a4≤1.0이고, 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이다)(Wherein R 1 , R 3 , R 5 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 are each independently a single bond, an ester group, an ether group or an ester group Branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may have either one or both of R 7 and R 7, R 7 is a straight or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 7 is a there may be one or two of the hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom. R 9 is a methyl group a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Z 1, Z 2 and Z 3 are a single bond, each independently, a naphthyl phenyl group, a naphthyl group, An ether group or an ester group and Z 4 is any of a single bond, an ether group and an ester group, Y is an oxygen atom or an NH group, and m is an integer of from 1 to 4. a1, a2, a3 and a4 A1? 1.0, 0? A2? 1.0, 0? A3? 1.0, 0? A4? 1.0, 0 <a1 + a2 + a3 + a4? .0)

이러한 도전성 재료이면 성막성이 좋고, 막 형성했을 때는 투명성, 도전성이 높고, 플렉시블성이 우수하며, 평탄성이 양호한 도전막을 형성할 수 있다.When such a conductive material is used, it is possible to form a conductive film having good film-forming properties and having high transparency, high conductivity, excellent flexibility, and good flatness when formed.

이때, 상기 (B) 성분은 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위 b를 포함하는 것임이 바람직하다.At this time, the component (B) preferably contains the repeating unit b represented by the following general formula (2).

Figure 112016107938414-pat00002
Figure 112016107938414-pat00002

(식 중, b는 0<b<1.0이다)(Wherein b is 0 < b < 1.0)

이러한 반복 단위 b를 포함함으로써 도전성을 더욱 향상시킬 수 있다.By including such a repeating unit b, the conductivity can be further improved.

또한 이때, 상기 (B) 성분은 블록 공중합체인 것이 바람직하다.Also, at this time, the component (B) is preferably a block copolymer.

(B) 성분이 블록 공중합체이면 도전성을 한층 더 향상시킬 수 있다.If the component (B) is a block copolymer, the conductivity can be further improved.

또한 이때, 상기 (A) 성분은 피롤, 티오펜, 셀레노펜, 텔루로펜, 아닐린, 다환식 방향족 화합물, 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 전구체 단량체가 중합된 것임이 바람직하다.It is also preferable that the component (A) is obtained by polymerizing at least one precursor monomer selected from the group consisting of pyrrole, thiophene, selenophene, telulophen, aniline, polycyclic aromatic compounds, and derivatives thereof .

이러한 단량체이면 중합이 용이하고, 또한 공기 중에서의 안정성이 양호하기 때문에, (A) 성분을 용이하게 합성할 수 있다.If such a monomer is used, the polymerization is easy and the stability in air is good, so component (A) can be easily synthesized.

또한 이때, 상기 (C) 성분은 하기 식 (3-1) 내지 (3-3)으로 표시되는 것 중 어느 1종 이상인 것이 바람직하다.Also, at this time, it is preferable that the component (C) is at least one of those represented by the following formulas (3-1) to (3-3).

Figure 112016107938414-pat00003
Figure 112016107938414-pat00003

(식 중, p는 1 내지 6의 정수이고, R10은 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 직쇄상, 분지상, 환상의 p가의 탄화수소기이며, R10이 탄화수소기인 경우, R10 중에 할로겐 원자, 질소 원자, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 카르바메이트기, 카르보네이트기, 술폰산에스테르기, 티올기, 술피드기, 카르보닐기, 술포닐기, 락톤기, 락탐기, 술톤기, 니트로기를 갖고 있을 수 있다. R11, R12는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 혹은 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며, 이들 R11, R12 중에 히드록시기, 알콕시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 술폰산에스테르기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보네이트기, 카르바메이트기, 티올기, 술피드기, 티오케톤기, 또는 복소 방향족환을 갖고 있을 수 있다. R13은 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상, 환상의 알킬기, 또는 페닐기이다)(Wherein, p is an integer from 1 to 6, R 10 is a hydrogen atom, a carbon number is 1 to 30 linear, branched, monovalent cyclic p hydrocarbon group, R 10 is a hydrocarbon group, R 10 in the halogen atom , A nitrogen atom, a hydroxyl group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a carbamate group, a carbonate group, a sulfonate group, a thiol group, a sulfide group, a carbonyl group, a sulfonyl group, R 11 and R 12 each independently represent a straight chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and 20 an aryl group, these R 11, R 12 in the hydroxyl group, an alkoxy group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a sulfonic acid ester group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carbonate group, a carbamate Group, a thiol group, a sulfide group, R 13 is a hydrogen atom, a straight, branched, cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group)

이러한 것이면, 도전성이 보다 높은 도전막을 형성할 수 있다.If this is the case, a conductive film having higher conductivity can be formed.

또한 이때, 상기 도전성 재료는 물 또는 유기 용제에 분산성을 갖는 것임이 바람직하다.Also, at this time, it is preferable that the conductive material has dispersibility in water or an organic solvent.

또한 본 발명에서는, 상기 도전성 재료에 의하여 도전막이 형성된 기판을 제공한다.Further, the present invention provides a substrate on which a conductive film is formed by the conductive material.

이와 같이, 본 발명의 도전성 재료는 기판 등에 도포·성막함으로써 도전막으로 할 수 있다.As described above, the conductive material of the present invention can be applied to a substrate or the like to form a conductive film.

또한 이와 같이 하여 형성된 도전막은 도전성, 투명성이 우수하기 때문에, 투명 전극층으로서 기능하는 것으로 할 수 있다.Also, since the conductive film thus formed is excellent in conductivity and transparency, it can function as a transparent electrode layer.

이상과 같이, 본 발명의 도전성 재료로서, 초강산의 술포기를 함유하는 (B) 성분의 도펀트 중합체와, (A) 성분의 π 공액계 중합체가 복합체를 형성한 도전성 중합체에, (C) 성분으로서 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염을 첨가한 용액은 여과성 및 스핀 코트에서의 성막성이 양호한 것이 된다. 또한 본 발명의 도전성 재료를 사용하여 제막함으로써 형성된 도전막은 도전성, 투명성, 평탄성, 플렉시블성 및 내구성이 양호하고, 또한 표면 조도가 낮은 것이 된다. 또한 이러한 도전성 재료이면 유기 기판, 무기 기판 중 어느 쪽에 대해서도 성막성이 양호한 것이 된다.As described above, as the conductive material of the present invention, the conductive polymer in which the dopant polymer of the component (B) containing the sulfo group of the super strong acid and the π conjugated polymer of the component (A) A solution in which at least one salt selected from silver carboxylate,? -Diketone salt,? -Ketoester salt, and carbonate is added has good film-forming properties in the filterability and spin coat. Further, the conductive film formed by film formation using the conductive material of the present invention has good conductivity, transparency, flatness, flexibility, durability, and low surface roughness. Further, if such a conductive material is used, the film-forming property is good for both the organic substrate and the inorganic substrate.

또한 이러한 도전성 재료에 의하여 형성된 도전막은 도전성, 투명성, 평탄성, 플렉시블성 등이 우수하기 때문에 투명 전극층, 특히 플렉시블 투명 전극으로서 기능하는 것으로 할 수 있다.Further, since the conductive film formed by such a conductive material has excellent conductivity, transparency, flatness, flexibility, and the like, it can function as a transparent electrode layer, in particular, as a flexible transparent electrode.

상술한 바와 같이, 도전성, 투명성이 높고, 또한 플렉시블성이 우수하며, 평탄성이 양호한 도전막을 형성할 수 있는 도전막 형성용 재료의 개발이 요구되고 있었다.As described above, there has been a demand for development of a conductive film forming material capable of forming a conductive film having high conductivity, transparency, excellent flexibility, and good flatness.

본 발명자들은 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 도전성 고분자 재료의 도펀트로서 널리 사용되고 있는 폴리스티렌술폰산(PSS) 대신, α 위치가 불소화된 술포기를 갖는 반복 단위를 갖는 도펀트 중합체, 또는 불소화된 벤젠술폰산의 반복 단위를 갖는 도펀트 중합체를 사용함으로써, 초강산의 도펀트 중합체가 π 공액계 중합체와 강하게 상호 작용하여, π 공액계 중합체의 가시광 흡수 영역이 시프트함으로써 투명성이 향상되고, π 공액계 중합체와 도펀트 중합체가 강하게 이온 결합함으로써 광이나 열에 대한 안정성이 향상되는 것을 알아내었다. 또한 스핀 코트에서의 성막성이 향상되어, 막 형성 시의 평탄성도 양호해지는 것을 알아내었다. 이러한 도전성 중합체에, 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염을 조합한 도전성 재료는, 도전성 중합체 단체(單體)의 경우보다도 도전성이 높고, 도전성, 투명성, 막의 평탄성 등이 우수한 도전막을 형성할 수 있음을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that, instead of polystyrene sulfonic acid (PSS) widely used as a dopant of a conductive polymer material, a dopant polymer having a repeating unit having a sulfo group fluorinated at the? By using the dopant polymer having a repeating unit, the dopant polymer of the super strong acid strongly interacts with the pi conjugated polymer, and the visible light absorption region of the pi conjugated polymer shifts to improve the transparency and the pi conjugated polymer and the dopant polymer And found that stability against light and heat is improved by strongly ion-binding. Further, it was found that the film forming property in the spin coat was improved, and the flatness at the time of film formation was also improved. Conductive materials obtained by combining at least one salt selected from a carboxylic acid salt, a? -Diketone salt, a? -Ketoester salt, and a carbonate with such a conductive polymer have higher conductivity than a case of a conductive polymer, Transparency, flatness of the film, and the like can be formed, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은That is,

(A) π 공액계 중합체,(A) a? -Conjugated polymer,

(B) 하기 일반식 (1)로 표시되는 반복 단위 a1 내지 a4로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000의 범위인 것인 도펀트 중합체, 및(B) a dopant polymer containing at least one repeating unit selected from the repeating units a1 to a4 represented by the following general formula (1) and having a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 500,000, and

(C) 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염(C) at least one salt selected from a carboxylate of a silver, a β-diketone salt, a β-keto ester salt and a carbonate

을 포함하는 도전성 재료이다.. &Lt; / RTI &gt;

Figure 112016107938414-pat00004
Figure 112016107938414-pat00004

(식 중, R1, R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, R2, R4 및 R6은 각각 독립적으로 단결합, 에스테르기, 혹은 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나 또는 이들 양쪽을 갖고 있을 수 있는 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상, 환상의 탄화수소기 중 어느 하나이다. R7은 탄소수 1 내지 4의 직쇄상, 분지상의 알킬렌기이며, R7 중의 수소 원자 중 1개 또는 2개가 불소 원자로 치환되어 있을 수 있다. R9는 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기이다. Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이고, Z4는 단결합, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이다. Y는 산소 원자 또는 NH기이고, m은 1 내지 4의 정수이다. a1, a2, a3 및 a4는 0≤a1≤1.0, 0≤a2≤1.0, 0≤a3≤1.0, 0≤a4≤1.0이고, 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이다)(Wherein R 1 , R 3 , R 5 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 are each independently a single bond, an ester group, an ether group or an ester group Branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may have either one or both of R 7 and R 7, R 7 is a straight or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 7 is a there may be one or two of the hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom. R 9 is a methyl group a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Z 1, Z 2 and Z 3 are a single bond, each independently, a naphthyl phenyl group, a naphthyl group, An ether group or an ester group and Z 4 is any of a single bond, an ether group and an ester group, Y is an oxygen atom or an NH group, and m is an integer of from 1 to 4. a1, a2, a3 and a4 A1? 1.0, 0? A2? 1.0, 0? A3? 1.0, 0? A4? 1.0, 0 <a1 + a2 + a3 + a4? .0)

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited thereto.

[(A) π 공액계 중합체][(A)? Conjugated polymer]

본 발명의 도전성 재료는 (A) 성분으로서 π 공액계 중합체를 포함한다. 이 (A) 성분은, π 공액계 연쇄(단결합과 이중 결합이 교대로 연속된 구조)를 형성하는 전구체 단량체(유기 단량체 분자)가 중합한 것이면 좋다.The conductive material of the present invention includes a π conjugated polymer as the component (A). The component (A) may be a polymer obtained by polymerization of a precursor monomer (organic monomer molecule) forming a π conjugated system chain (a structure in which single bonds and double bonds are alternately continuous).

이러한 전구체 단량체로서는, 예를 들어 피롤류, 티오펜류, 티오펜비닐렌류, 셀레노펜류, 텔루로펜류, 페닐렌류, 페닐렌비닐렌류, 아닐린류 등의 단환식 방향족류; 아센류 등의 다환식 방향족류; 아세틸렌류 등을 들 수 있으며, 이들 단량체의 단일 중합체 또는 공중합체를 (A) 성분으로서 사용할 수 있다.Examples of such precursor monomers include monocyclic aromatic compounds such as pyrrole, thiophene, thiophene vinylene, selenophene, telulopentane, phenylene, phenylene vinylene and aniline; Polycyclic aromatic compounds such as acen; Acetylene, and the like. A homopolymer or copolymer of these monomers can be used as the component (A).

상기 단량체 중에서도, 중합의 용이성, 공기 중에서의 안정성의 관점에서 피롤, 티오펜, 셀레노펜, 텔루로펜, 아닐린, 다환식 방향족 화합물, 및 이들의 유도체가 바람직하고, 피롤, 티오펜, 아닐린 및 이들의 유도체가 특히 바람직하며, 특히나 티오펜류가 가장 도전성과 가시광에서의 투명성이 높아 바람직하지만, 이들에 한정되지 않는다.Of these monomers, pyrrole, thiophene, selenophene, telulophen, aniline, polycyclic aromatic compounds, and derivatives thereof are preferable from the viewpoints of ease of polymerization and stability in air, and pyrrole, thiophene, Is particularly preferable. In particular, thiophenes are preferred because they have the highest conductivity and high transparency in visible light, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 도전성 재료가 (A) 성분으로서 특히 폴리티오펜을 포함하는 경우에는, 높은 도전성과 가시광에서의 높은 투명성의 특성을 갖기 때문에 터치 패널이나 유기 EL 디스플레이, 유기 EL 조명 등의 용도로의 전개가 생각된다. 한편, 본 발명의 도전성 재료가 (A) 성분으로서 폴리아닐린을 포함하는 경우에는, 폴리티오펜을 포함하는 경우에 비하여 가시광에서의 흡수가 크고 도전성이 낮기 때문에 디스플레이 관계에서의 응용은 어렵지만, 저점도이며 스핀 코팅하기 쉽기 때문에 EB 리소그래피에 있어서 전자에 의한 레지스트 상층막의 대전을 방지하기 위한 톱 코트 용도가 생각된다.In the case where the conductive material of the present invention contains the polythiophene as the component (A), since it has the characteristics of high conductivity and high transparency in visible light, it can be used as a touch panel, an organic EL display, . On the other hand, in the case where the conductive material of the present invention contains polyaniline as the component (A), application in display relation is difficult because of high absorption in visible light and low conductivity compared with the case of containing polythiophene, It is conceivable to use a top coat for preventing electrification of the upper layer resist film by electrons in EB lithography because of easy spin coating.

또한 π 공액계 중합체를 구성하는 단량체가 비치환인 채로도 (A) 성분은 충분한 도전성을 얻을 수 있지만, 도전성을 보다 높이기 위하여 알킬기, 카르복시기, 술포기, 알콕시기, 히드록시기, 시아노기, 할로겐 원자 등으로 치환한 단량체를 사용해도 된다.Further, the component (A) can obtain sufficient conductivity even when the monomers constituting the π conjugated polymer are unsubstituted. However, in order to further increase the conductivity, the component (A) may be substituted with an alkyl group, a carboxyl group, a sulfo group, an alkoxy group, a hydroxy group, The substituted monomers may be used.

피롤류, 티오펜류, 아닐린류의 단량체의 구체예로서는, 예를 들어 피롤, N-메틸피롤, 3-메틸피롤, 3-에틸피롤, 3-n-프로필피롤, 3-부틸피롤, 3-옥틸피롤, 3-데실피롤, 3-도데실피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디부틸피롤, 3-카르복시피롤, 3-메틸-4-카르복시피롤, 3-메틸-4-카르복시에틸피롤, 3-메틸-4-카르복시부틸피롤, 3-히드록시피롤, 3-메톡시피롤, 3-에톡시피롤, 3-부톡시피롤, 3-헥실옥시피롤, 3-메틸-4-헥실옥시피롤; 티오펜, 3-메틸티오펜, 3-에틸티오펜, 3-프로필티오펜, 3-부틸티오펜, 3-헥실티오펜, 3-헵틸티오펜, 3-옥틸티오펜, 3-데실티오펜, 3-도데실티오펜, 3-옥타데실티오펜, 3-브로모티오펜, 3-클로로티오펜, 3-요오도티오펜, 3-시아노티오펜, 3-페닐티오펜, 3,4-디메틸티오펜, 3,4-디부틸티오펜, 3-히드록시티오펜, 3-메톡시티오펜, 3-에톡시티오펜, 3-부톡시티오펜, 3-헥실옥시티오펜, 3-헵틸옥시티오펜, 3-옥틸옥시티오펜, 3-데실옥시티오펜, 3-도데실옥시티오펜, 3-옥타데실옥시티오펜, 3,4-디히드록시티오펜, 3,4-디메톡시티오펜, 3,4-디에톡시티오펜, 3,4-디프로폭시티오펜, 3,4-디부톡시티오펜, 3,4-디헥실옥시티오펜, 3,4-디헵틸옥시티오펜, 3,4-디옥틸옥시티오펜, 3,4-디데실옥시티오펜, 3,4-디도데실옥시티오펜, 3,4-에틸렌디옥시티오펜, 3,4-에틸렌디티오티오펜, 3,4-프로필렌디옥시티오펜, 3,4-부텐디옥시티오펜, 3-메틸-4-메톡시티오펜, 3-메틸-4-에톡시티오펜, 3-카르복시티오펜, 3-메틸-4-카르복시티오펜, 3-메틸-4-카르복시메틸티오펜, 3-메틸-4-카르복시에틸티오펜, 3-메틸-4-카르복시부틸티오펜, 3,4-(2,2-디메틸프로필렌디옥시)티오펜, 3,4-(2,2-디에틸프로필렌디옥시)티오펜, (2,3-디히드로티에노[3,4-b][1,4]디옥신-2-일)메탄올; 아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 2-에틸아닐린, 3-에틸아닐린, 2-프로필아닐린, 3-프로필아닐린, 2-부틸아닐린, 3-부틸아닐린, 2-이소부틸아닐린, 3-이소부틸아닐린, 2-메톡시아닐린, 2-에톡시아닐린, 2-아닐린술폰산, 3-아닐린술폰산 등을 들 수 있다.Specific examples of the monomers of the pyrrole, thiophene and aniline include, for example, pyrrole, N-methylpyrrole, 3-methylpyrrole, 3-ethylpyrrole, 3- Carboxypyrrole, 3-methyl-4-carboxypyrrole, 3-methyl-4-carboxypyrrole, 3- But are not limited to, ethyl pyrrole, 3-methyl-4-carboxybutyl pyrrole, 3-hydroxypyrrolone, 3-methoxypyrrole, 3- Hexyloxycaproyl; Examples of the thiophene-based compound include thiophene, 3-methylthiophene, 3-ethylthiophene, 3-propylthiophene, 3-butylthiophene, 3-hexylthiophene, 3-heptylthiophene, , 3-dodecylthiophene, 3-octadecylthiophene, 3-bromothiophene, 3-chlorothiophene, 3-iodothiophene, 3-cyanothiophene, 3-phenylthiophene, 3-butoxythiophene, 3-hexyloxythiophene, 3-heptyloxythiophene, 3-hexylthiophene, 3-decyloxythiophene, 3-octyldecylthiophene, 3-octyloxythiophene, 3-decyloxythiophene, Diethoxythiophene, 3,4-dipropoxythiophene, 3,4-dibutoxythiophene, 3,4-dihexyloxythiophene, 3,4-diheptyloxythiophene, 3,4- 3,4-ethylenedithiophene, 3,4-ethylenedithiothiophene, 3,4-ethylenedithiophene, 3,4-ethylenedioxythiophene, 3,4- Methyl-4-ethoxythiophene, 3-carboxythiophene, 3-methyl-4-carboxythiophene, 3- 3-methyl-4-carboxyethylthiophene, 3,4- (2,2-dimethylpropylene dioxy) thiophene, 3, 4- (2,2-diethylpropylene dioxy) thiophene, (2,3-dihydrothieno [3,4-b] [1,4] dioxin-2-yl) methanol; Aniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 2-ethylaniline, 3-ethylaniline, 2-propylaniline, 3-propylaniline, Isobutyl aniline, 2-methoxy aniline, 2-ethoxy aniline, 2-aniline sulfonic acid, 3-aniline sulfonic acid and the like.

그 중에서도, 피롤, 티오펜, N-메틸피롤, 3-메틸티오펜, 3-메톡시티오펜, 3,4-에틸렌디옥시티오펜으로부터 선택되는 1종 또는 2종을 포함하는 (공)중합체가 저항값, 반응성의 관점에서 적절히 사용된다. 나아가, 피롤, 3,4-에틸렌디옥시티오펜에 의한 단일 중합체는 도전성이 높아 보다 바람직하다.Among them, a (co) polymer comprising one or two selected from the group consisting of pyrrole, thiophene, N-methylpyrrole, 3-methylthiophene, 3-methoxythiophene, Value, and reactivity. Furthermore, the homopolymer of pyrrole and 3,4-ethylenedioxythiophene is more preferable because of its high conductivity.

또한 실용상의 이유에서 (A) 성분 중의 이들 반복 유닛(전구체 단량체)의 반복 수는 바람직하게는 2 내지 20의 범위이고, 보다 바람직하게는 6 내지 15의 범위이다.Also, for practical reasons, the repeating number of these repeating units (precursor monomers) in the component (A) is preferably in the range of 2 to 20, and more preferably in the range of 6 to 15. [

또한 (A) 성분의 분자량으로서는 130 내지 5,000 정도가 바람직하다.The molecular weight of the component (A) is preferably about 130 to 5,000.

[(B) 도펀트 중합체][(B) DOPANT POLYMER]

본 발명의 도전성 재료는 (B) 성분으로서 도펀트 중합체를 포함한다. 이 (B) 성분의 도펀트 중합체는 하기 일반식 (1)로 표시되는 반복 단위 a1 내지 a4로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하는 것이다. 즉, (B) 성분의 도펀트 중합체는 불소화된 술폰산을 포함하는 초강산성 중합체이다.The conductive material of the present invention includes a dopant polymer as the component (B). The dopant polymer of the component (B) comprises at least one repeating unit selected from the repeating units a1 to a4 represented by the following general formula (1). That is, the dopant polymer of the component (B) is a super strong acidic polymer containing a fluorinated sulfonic acid.

Figure 112016107938414-pat00005
Figure 112016107938414-pat00005

(식 중, R1, R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, R2, R4 및 R6은 각각 독립적으로 단결합, 에스테르기, 혹은 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나 또는 이들 양쪽을 갖고 있을 수 있는 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상, 환상의 탄화수소기 중 어느 하나이다. R7은 탄소수 1 내지 4의 직쇄상, 분지상의 알킬렌기이며, R7 중의 수소 원자 중 1개 또는 2개가 불소 원자로 치환되어 있을 수 있다. R9는 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기이다. Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이고, Z4는 단결합, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이다. Y는 산소 원자 또는 NH기이고, m은 1 내지 4의 정수이다. a1, a2, a3 및 a4는 0≤a1≤1.0, 0≤a2≤1.0, 0≤a3≤1.0, 0≤a4≤1.0이고, 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이다)(Wherein R 1 , R 3 , R 5 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 are each independently a single bond, an ester group, an ether group or an ester group Branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may have either one or both of R 7 and R 7, R 7 is a straight or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 7 is a there may be one or two of the hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom. R 9 is a methyl group a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Z 1, Z 2 and Z 3 are a single bond, each independently, a naphthyl phenyl group, a naphthyl group, An ether group or an ester group and Z 4 is any of a single bond, an ether group and an ester group, Y is an oxygen atom or an NH group, and m is an integer of from 1 to 4. a1, a2, a3 and a4 A1? 1.0, 0? A2? 1.0, 0? A3? 1.0, 0? A4? 1.0, 0 <a1 + a2 + a3 + a4? .0)

반복 단위 a1을 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit a1 include the following.

Figure 112016107938414-pat00006
Figure 112016107938414-pat00006

Figure 112016107938414-pat00007
Figure 112016107938414-pat00007

Figure 112016107938414-pat00008
Figure 112016107938414-pat00008

(식 중, R1은 상기와 마찬가지이고, X는 수소 원자, 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자, 아민 또는 술포늄이다)(Wherein R 1 is as defined above and X is a hydrogen atom, a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, an amine or a sulfonium)

반복 단위 a2를 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit a2 include the following.

Figure 112016107938414-pat00009
Figure 112016107938414-pat00009

Figure 112016107938414-pat00010
Figure 112016107938414-pat00010

Figure 112016107938414-pat00011
Figure 112016107938414-pat00011

(식 중, R3은 상기와 마찬가지이고, X는 수소 원자, 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자, 아민 또는 술포늄이다)(Wherein R 3 is as defined above and X is a hydrogen atom, a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, an amine or a sulfonium)

반복 단위 a3을 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit a3 include the following.

Figure 112016107938414-pat00012
Figure 112016107938414-pat00012

Figure 112016107938414-pat00013
Figure 112016107938414-pat00013

Figure 112016107938414-pat00014
Figure 112016107938414-pat00014

(식 중, R5는 상기와 마찬가지이고, X는 수소 원자, 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자, 아민 또는 술포늄이다)(Wherein R 5 is as defined above and X is a hydrogen atom, a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, an amine or a sulfonium)

반복 단위 a4를 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit a4 include the following.

Figure 112016107938414-pat00015
Figure 112016107938414-pat00015

(식 중, R8은 상기와 마찬가지이고, X는 수소 원자, 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자, 아민 또는 술포늄이다)(Wherein R 8 is as defined above and X is a hydrogen atom, a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, an amine or a sulfonium)

이러한 (B) 성분이면 재료의 여과성 및 성막성, 유기 용제·기판에의 친화성이 향상되고, 성막 후의 투과율이 향상된다.Such a component (B) improves the filterability of the material and the film-forming property, affinity to the organic solvent and the substrate, and the transmittance after the film formation is improved.

(B) 성분은 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위 b를 더 포함하는 것임이 바람직하다. 이러한 반복 단위 b를 포함함으로써 도전성을 더욱 향상시킬 수 있다.(B) preferably further comprises a repeating unit b represented by the following general formula (2). By including such a repeating unit b, the conductivity can be further improved.

Figure 112016107938414-pat00016
Figure 112016107938414-pat00016

(식 중, b는 0<b<1.0이다)(Wherein b is 0 < b < 1.0)

반복 단위 b를 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit b include the following.

Figure 112016107938414-pat00017
Figure 112016107938414-pat00017

(식 중, X2는 수소 원자, 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자, 아민 또는 술포늄이다)(Wherein X 2 is a hydrogen atom, a lithium atom, a sodium atom, a potassium atom, an amine or a sulfonium)

상기 X, X2가 아민인 경우, 일본 특허 공개 제2013-228447호 공보의 단락 [0048]에 기재된 (P1a-3)을 예로서 들 수 있다.When X and X 2 are amines, examples thereof include (P1a-3) described in paragraph [0048] of JP-A-2013-228447.

여기서, 상술한 바와 같이, a1, a2, a3 및 a4는 0≤a1≤1.0, 0≤a2≤1.0, 0≤a3≤1.0, 0≤a4≤1.0이고, 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이며, 바람직하게는 0.2≤a1+a2+a3+a4≤1.0이다. 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이면(즉, 반복 단위 a1 내지 a4 중 어느 하나를 포함하면) 본 발명의 효과가 얻어지는데, 0.2≤a1+a2+a3+a4≤1.0이면 보다 좋은 효과가 얻어진다.Here, as described above, a1, a2, a3 and a4 satisfy 0? A1? 1.0, 0? A2? 1.0, 0? A3? 1.0, 0? A4? 1.0 and 0 <a1 + a2 + a3 + a4? 1.0, preferably 0.2? A1 + a2 + a3 + a4? 1.0. The effect of the present invention is obtained when 0 < a1 + a2 + a3 + a4 &lt; = 1.0 (i.e., when any one of the repeating units a1 to a4 is included) Is obtained.

또한 반복 단위 b를 포함하는 경우, 도전성 향상의 관점에서 0.3≤b<1.0인 것이 바람직하고, 0.3≤b≤0.8인 것이 보다 바람직하다.When the repeating unit b is contained, it is preferable that 0.3? B < 1.0 and 0.3? B? 0.8 are more preferable from the viewpoint of improvement of conductivity.

또한 반복 단위 a1+a2+a3+a4와 반복 단위 b의 비율은 0.2≤a1+a2+a3+a4≤0.7이고 0.3≤b≤0.8인 것이 바람직하고, 0.3≤a1+a2+a3+a4≤0.6이고 0.4≤b≤0.7인 것이 보다 바람직하다.The ratio of the repeating unit a1 + a2 + a3 + a4 to the repeating unit b is preferably 0.2? A1 + a2 + a3 + a4? 0.7 and 0.3? B? 0.8, more preferably 0.3? A1 + a2 + a3 + And more preferably 0.4? B? 0.7.

또한 (B) 성분의 도펀트 중합체는, 반복 단위 a1 내지 a4, 반복 단위 b 이외의 반복 단위 c를 갖고 있어도 되며, 이 반복 단위 c로서는, 예를 들어 스티렌계, 비닐나프탈렌계, 비닐실란계, 아세나프틸렌, 인덴, 비닐카르바졸 등을 들 수 있다.The dopant polymer of the component (B) may have a repeating unit c other than the repeating units a1 to a4 and the repeating unit b, and examples of the repeating unit c include styrene type, vinyl naphthalene type, vinyl silane type, Naphthylene, indene, vinylcarbazole, and the like.

반복 단위 c를 부여하는 단량체로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the monomer giving the repeating unit c include the following.

Figure 112016107938414-pat00018
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상기 반복 단위 c를 부여하는 단량체 중에서 불소를 함유하는 단량체를 공중합하면, 도전성은 저하되지만 투명성이 향상되고, 홀 주입의 효율이 높아져 고수명화된다.When the monomer containing fluorine is copolymerized among the monomers giving the repeating unit c, the conductivity is lowered, but the transparency is improved, and the hole injection efficiency is increased and the number of steps is increased.

(B) 성분의 도펀트 중합체를 합성하는 방법으로서는, 예를 들어 상술한 반복 단위 a1 내지 a4, b, c를 부여하는 단량체 중 원하는 단량체를, 유기 용제 중에서 라디칼 중합 개시제를 첨가하고 가열 중합을 행함으로써, (공)중합체의 도펀트 중합체를 얻는 방법을 들 수 있다.As a method for synthesizing the dopant polymer of the component (B), for example, a method of adding a desired monomer among the monomers imparting the above-mentioned repeating units a1 to a4, b and c to a radical polymerization initiator in an organic solvent, , A method of obtaining a dopant polymer of (co) polymer.

중합 시에 사용하는 유기 용제로서는 톨루엔, 벤젠, 테트라히드로푸란, 디에틸에테르, 디옥산, 시클로헥산, 시클로펜탄, 메틸에틸케톤, γ-부티로락톤 등을 예시할 수 있다.Examples of the organic solvent used in the polymerization include toluene, benzene, tetrahydrofuran, diethyl ether, dioxane, cyclohexane, cyclopentane, methyl ethyl ketone, and gamma -butyrolactone.

라디칼 중합 개시제로서는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 벤조일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드 등을 예시할 수 있다.Examples of the radical polymerization initiator include 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl 2,2'-azobis Benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, and the like.

반응 온도는 바람직하게는 50 내지 80℃이고, 반응 시간은 바람직하게는 2 내지 100시간, 보다 바람직하게는 5 내지 20시간이다.The reaction temperature is preferably 50 to 80 占 폚, and the reaction time is preferably 2 to 100 hours, more preferably 5 to 20 hours.

(B) 성분의 도펀트 중합체에 있어서, 반복 단위 a1 내지 a4를 부여하는 단량체는 1종이어도, 2종류 이상이어도 되지만, 중합성을 높이기 위해서는 메타크릴 타입과 스티렌 타입의 단량체를 조합하는 것이 바람직하다.In the dopant polymer of the component (B), one kind or two or more kinds of monomers which give the repeating units a1 to a4 may be used, but it is preferable to combine methacrylic type and styrene type monomers in order to improve the polymerizability.

또한 반복 단위 a1 내지 a4를 부여하는 단량체를 2종류 이상 사용하는 경우에는, 각각의 단량체는 랜덤으로 공중합되어 있어도 되고, 블록으로 공중합되어 있어도 된다. 블록 공중합 폴리머(블록 공중합체)로 했을 경우에는, 2종류 이상의 반복 단위 a1 내지 a4를 포함하는 반복 부분끼리가 응집하여 해도(海島) 구조를 형성함으로써, 도펀트 중합체 주변에 특이한 구조가 발생하여 도전율이 향상되는 장점이 기대된다.When two or more kinds of monomers imparting the repeating units a1 to a4 are used, the respective monomers may be randomly copolymerized or may be copolymerized in a block. In the case of using a block copolymer polymer (block copolymer), even when repeating portions containing two or more kinds of repeating units a1 to a4 are aggregated to form a sea-island structure, a specific structure is generated around the dopant polymer, An improvement advantage is expected.

또한 반복 단위 a1 내지 a4, b, c를 부여하는 단량체는 랜덤으로 공중합되어 있어도 되고, 각각이 블록으로 공중합되어 있어도 된다. 이 경우에도, 상술한 반복 단위 a1 내지 a4의 경우와 마찬가지로, 블록 공중합체로 함으로써 도전율이 향상되는 장점이 기대된다.The monomers imparting the repeating units a1 to a4, b, and c may be randomly copolymerized, or each may be copolymerized with a block. Also in this case, as in the case of the repeating units a1 to a4 described above, it is expected that the conductivity is improved by using a block copolymer.

라디칼 중합으로 랜덤 공중합을 행하는 경우에는, 공중합을 행하는 단량체나 라디칼 중합 개시제를 혼합하고 가열에 의하여 중합을 행하는 방법이 일반적이다. 제1 단량체와 라디칼 중합 개시제 존재 하에서 중합을 개시하고, 그 후에 제2 단량체를 첨가했을 경우에는, 중합체 분자의 편측이 제1 단량체가 중합된 구조이고, 다른 한쪽이 제2 단량체가 중합된 구조가 된다. 그러나 이 경우, 중간 부분에는 제1 단량체와 제2 단량체의 반복 단위가 혼재하고 있어 블록 공중합체와는 형태가 상이하다. 라디칼 중합에서 블록 공중합체를 형성하기 위해서는 리빙 라디칼 중합이 바람직하게 사용된다.When random copolymerization is carried out by radical polymerization, a method of mixing the monomers to be copolymerized and a radical polymerization initiator and then carrying out polymerization by heating is generally used. When the polymerization is initiated in the presence of the first monomer and the radical polymerization initiator and then the second monomer is added, the structure in which the first monomer is polymerized on one side of the polymer molecule and the second monomer is polymerized on the other side do. However, in this case, since the repeating units of the first monomer and the second monomer are mixed in the middle part, they are different in shape from the block copolymer. In order to form a block copolymer in radical polymerization, living radical polymerization is preferably used.

RAFT 중합(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer polymerization)이라 칭해지는 리빙 라디칼의 중합 방법은, 중합체 말단의 라디칼이 항시 살아 있으므로 제1 단량체에서 중합을 개시하고, 이것이 소비된 단계에서 제2 단량체를 첨가함으로써, 제1 단량체의 반복 단위의 블록과 제2 단량체의 반복 단위의 블록에 의한 디블록 공중합체를 형성하는 것이 가능하다. 또한 제1 단량체에서 중합을 개시하고, 이것이 소비된 단계에서 제2 단량체를 첨가하고, 이어서 제3 단량체를 첨가했을 경우에는 트리블록 공중합체를 형성할 수도 있다.The living radical polymerization method referred to as RAFT polymerization (Reversible Addition Fragmentation chain transfer polymerization) is a method in which the radicals at the end of the polymer are always present so that the polymerization is initiated in the first monomer and the second monomer is added in the consumed step, It is possible to form a diblock copolymer with a block of repeating units of one monomer and a block of repeating units of the second monomer. It is also possible to initiate polymerization in the first monomer, to add the second monomer in the step in which it is consumed, and then to form a triblock copolymer when the third monomer is added.

RAFT 중합을 행했을 경우에는 분자량 분포(분산도)가 좁은 협분산 중합체가 형성되는 특징이 있으며, 특히 단량체를 일거에 첨가하여 RAFT 중합을 행했을 경우에는 보다 분자량 분포가 좁은 중합체를 형성할 수 있다.When the RAFT polymerization is carried out, a narrow-dispersion polymer having a narrow molecular weight distribution (degree of dispersion) is formed. In particular, when RAFT polymerization is carried out by adding monomers alone, a polymer having a narrower molecular weight distribution can be formed .

또한 (B) 성분의 도펀트 중합체에 있어서는, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.0 내지 2.0인 것이 바람직하고, 특히 1.0 내지 1.5로 협분산인 것이 바람직하다. 협분산이면, 이를 이용한 도전성 재료에 의하여 형성한 도전막의 투과율이 낮아지는 것을 방지할 수 있다.In the dopant polymer of the component (B), the molecular weight distribution (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 2.0, and more preferably 1.0 to 1.5. If it is narrow dispersion, the transmittance of the conductive film formed by the conductive material using it can be prevented from being lowered.

RAFT 중합을 행하기 위해서는 연쇄 이동제가 필요하며, 구체적으로는 2-시아노-2-프로필벤조티오에이트, 4-시아노-4-페닐카르보노티오일티오펜탄산, 2-시아노-2-프로필도데실트리티오카르보네이트, 4-시아노-4-[(도데실술파닐티오카르보닐)술파닐]펜탄산, 2-(도데실티오카르보노티오일티오)-2-메틸프로판산, 시아노메틸도데실티오카르보네이트, 시아노메틸메틸(페닐)카르바모티오에이트, 비스(티오벤조일)디술피드, 비스(도데실술파닐티오카르보닐)디술피드를 들 수 있다. 이들 중에서는 특히 2-시아노-2-프로필벤조티오에이트가 바람직하다.In order to carry out the RAFT polymerization, a chain transfer agent is required. Specific examples thereof include 2-cyano-2-propylbenzothioate, 4-cyano-4-phenylcarbonylthioylthiopentanoic acid, 2- 4-cyano-4 - [(dodecylsulfanylthiocarbonyl) sulfanyl] pentanoic acid, 2- (dodecylthiocarbonothioylthio) -2-methylpropanoic acid, (Thiobenzoyl) disulfide, bis (dodecylsulfanylthiocarbonyl) disulfide, and the like can be given as examples. Of these, 2-cyano-2-propylbenzothioate is particularly preferable.

반복 단위 a1 내지 a4, b, c의 비율로서는 바람직하게는 0<a1+a2+a3+a4≤1.0, 0<b<1.0, 0≤c<1.0이고, 보다 바람직하게는 0.1≤a1+a2+a3+a4≤0.9, 0.1≤b≤0.9, 0≤c≤0.8이며, 더욱 바람직하게는 0.2≤a1+a2+a3+a4≤0.8, 0.2≤b≤0.8, 0≤c≤0.5이다.The ratio of the repeating units a1 to a4, b, and c is preferably 0 < a1 + a2 + a3 + a4? 1.0, 0 <b? 1.0, 0? C <1.0, more preferably 0.1? A1 + a2 + a3 + a4? 0.9, 0.1? b? 0.9, 0? c? 0.8, more preferably 0.2? a1 + a2 + a3 + a4? 0.8, 0.2? b? 0.8, and 0? c?

또한 a1+a2+a3+a4+b+c=1인 것이 바람직하다.It is also preferable that a1 + a2 + a3 + a4 + b + c = 1.

(B) 성분의 도펀트 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000의 범위인 것이고, 바람직하게는 2,000 내지 200,000의 범위인 것이다. 중량 평균 분자량이 1,000 미만이면 내열성이 떨어지는 것이 되고, 또한 (A) 성분과의 복합체 용액의 균일성이 악화된다. 한편, 중량 평균 분자량이 500,000을 초과하면 도전성이 악화되는 것 외에, 점도가 상승하여 작업성이 악화되고 물이나 유기 용제에의 분산성이 저하된다.The dopant polymer of component (B) has a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 500,000, preferably in the range of 2,000 to 200,000. If the weight average molecular weight is less than 1,000, the heat resistance becomes poor and the uniformity of the composite solution with the component (A) deteriorates. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 500,000, not only the conductivity is deteriorated but also the viscosity is increased and the workability is deteriorated and the dispersibility in water or organic solvent is lowered.

또한 중량 평균 분자량(Mw)은, 용제로서 물, 디메틸포름아미드(DMF), 테트라히드로푸란(THF)을 사용한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리스티렌 환산 측정값이다.The weight average molecular weight (Mw) is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) using water, dimethylformamide (DMF) or tetrahydrofuran (THF) as a solvent in terms of polyethylene oxide, polyethylene glycol or polystyrene.

또한 (B) 성분의 도펀트 중합체를 구성하는 단량체로서는 술포기를 갖는 단량체를 사용해도 되지만, 술포기의 리튬염, 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 술포늄염을 단량체로서 사용하여 중합 반응을 행하고, 중합 후에 이온 교환 수지를 사용하여 술포기로 변환해도 된다.As the monomer constituting the dopant polymer of the component (B), a monomer having a sulfo group may be used, but a polymerization reaction is carried out using a lithium salt, a sodium salt, a potassium salt, an ammonium salt or a sulfonium salt of a sulfo group as a monomer, It may be converted into a sulfo group by using an ion exchange resin.

[(C) 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염][(C) silver carboxylate,? -Diketone salt,? -Ketoester salt, carbonate]

본 발명의 도전성 재료는 (C) 성분으로서 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염(이하, 은염이라고도 함)을 포함한다. 특히 (C) 성분으로서는 하기 식 (3-1) 내지 (3-3)으로 표시되는 것 중 어느 1종 이상인 것이 바람직하다.The conductive material of the present invention includes at least one kind of salt (hereinafter, also referred to as silver salt) selected from a carboxylic acid salt of a silver, a β-diketone salt, a β-keto ester salt and a carbonate as a component (C). Particularly, the component (C) is preferably at least one of those represented by the following formulas (3-1) to (3-3).

Figure 112016107938414-pat00025
Figure 112016107938414-pat00025

(식 중, p는 1 내지 6의 정수이고, R10은 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 직쇄상, 분지상, 환상의 p가의 탄화수소기이며, R10이 탄화수소기인 경우, R10 중에 할로겐 원자, 질소 원자, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 카르바메이트기, 카르보네이트기, 술폰산에스테르기, 티올기, 술피드기, 카르보닐기, 술포닐기, 락톤기, 락탐기, 술톤기, 니트로기를 갖고 있을 수 있다. R11, R12는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 혹은 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며, 이들 R11, R12 중에 히드록시기, 알콕시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 술폰산에스테르기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보네이트기, 카르바메이트기, 티올기, 술피드기, 티오케톤기, 또는 복소 방향족환을 갖고 있을 수 있다. R13은 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상, 환상의 알킬기, 또는 페닐기이다)(Wherein, p is an integer from 1 to 6, R 10 is a hydrogen atom, a carbon number is 1 to 30 linear, branched, monovalent cyclic p hydrocarbon group, R 10 is a hydrocarbon group, R 10 in the halogen atom , A nitrogen atom, a hydroxyl group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a carbamate group, a carbonate group, a sulfonate group, a thiol group, a sulfide group, a carbonyl group, a sulfonyl group, R 11 and R 12 each independently represent a straight chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and 20 an aryl group, these R 11, R 12 in the hydroxyl group, an alkoxy group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a sulfonic acid ester group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carbonate group, a carbamate Group, a thiol group, a sulfide group, R 13 is a hydrogen atom, a straight, branched, cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group)

상기 식 (3-1)에 있어서, R10이 1가의 탄화수소기를 나타내는 경우, R10은 탄소수 1 내지 30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알케닐기, 탄소수 2 내지 30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알키닐기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기를 나타낸다.In the formula (3-1), when R 10 represents a monovalent hydrocarbon group, R 10 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkyl group having 2 to 30 carbon atoms An alkenyl group of 2 to 30 carbon atoms, a straight chain, branched or cyclic alkynyl group of 2 to 30 carbon atoms, or an aryl group of 6 to 30 carbon atoms.

상기 식 (3-1) 또는 (3-3)으로 표시되는 은의 카르복실산염을 형성하기 위한 카르복실산 이온으로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다. 이들 카르복실산 이온 중, 탄소수가 많은 것일수록 유기 용제에 용해되기 쉬워진다.Specific examples of the carboxylic acid ion for forming the carboxylic acid salt represented by the above formula (3-1) or (3-3) include the following. Of these carboxylic acid ions, the more the carbon number is, the more easily it is dissolved in an organic solvent.

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Figure 112016107938414-pat00036

상술한 은의 β디케톤염, β케토에스테르염에 있어서, β디케톤류, β케토에스테르류는 에놀화됨으로써 은과 착체를 형성한다. 예를 들어 β디케톤의 하나인 아세틸아세톤은, 하기에 도시하는 바와 같이 에놀화됨으로써 은과 착체를 형성한다.In the above-mentioned β-diketone salts and β-keto ester salts, β-diketones and β-keto esters are enolized to form silver complexes. For example, acetylacetone, which is one of? -Diketones, is enolized as shown below to form a silver complex.

Figure 112016107938414-pat00037
Figure 112016107938414-pat00037

상기 식 (3-2)로 표시되는 β디케톤류(즉, 치환, 비치환된 아세틸아세톤류) 또는 β케토에스테르류로서는, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of? -Diketones (i.e., substituted or unsubstituted acetylacetones) or? -Keto esters represented by the above formula (3-2) include the following.

Figure 112016107938414-pat00038
Figure 112016107938414-pat00038

Figure 112016107938414-pat00039
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Figure 112016107938414-pat00040
Figure 112016107938414-pat00040

Figure 112016107938414-pat00041
Figure 112016107938414-pat00041

또한 본 발명에서는, (C) 성분으로서 은의 탄산염도 적절히 사용할 수 있다.In the present invention, a silver carbonate as the component (C) may also be suitably used.

또한 상기 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염 및 탄산염은 수화물이어도 된다.The silver carboxylate,? Diketone salt,? Ketoester salt and carbonate may be hydrates.

(C) 성분의 함유량은, 바람직하게는 (A)성분과 (B) 성분의 합계량 100질량부에 대하여 0.1 내지 200질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 100질량부이며, 더욱 바람직하게는 1 내지 50질량부이다.The content of the component (C) is preferably from 0.1 to 200 parts by mass, more preferably from 0.5 to 100 parts by mass, and still more preferably from 1 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B) To 50 parts by mass.

폴리티오펜과 폴리스티렌술폰산의 복합체(PEDOT-PSS)는 입자 형상이며, X선 해석의 결과로는, 도전성의 폴리티오펜은 결정화되어 있고, 이 주위를 폴리스티렌술폰산이 덮고 있는 형태가 되어 있다고 한다. 폴리스티렌술폰산에 의하여 폴리티오펜의 이중 결합의 전하가 국재화된 폴라론을 형성하고, 이것에 의하여 도전성이 향상된다. 폴리스티렌술폰산은, 폴리티오펜의 도전성 향상을 위한 도펀트로서의 기능과, 불용성의 폴리티오펜을 덮음으로써 물에의 분산성을 향상시키는 기능을 갖는다. 그러나 폴리스티렌술폰산은 절연물이다. 입자 중의 폴리티오펜 부분은 고도전성이지만, 주변이 절연물의 폴리스티렌술폰산의 껍데기에 덮여 있는 상태이면 도전성이 낮다.The composite of polythiophene and polystyrenesulfonic acid (PEDOT-PSS) has a particle shape. As a result of the X-ray analysis, it is said that the conductive polythiophene is crystallized and polystyrene sulfonic acid covers the periphery. The polystyrene sulfonic acid forms a localized polaron of the charge of the double bonds of the polythiophene, thereby improving the conductivity. Polystyrene sulfonic acid has a function as a dopant for improving conductivity of polythiophene and a function for improving dispersibility in water by covering insoluble polythiophene. However, polystyrene sulfonic acid is an insulator. The polythiophene moiety in the particles is highly conductive, but the conductivity is low when the surroundings are covered with the shell of polystyrene sulfonic acid of the insulating material.

PEDOT-PSS의 수분산액에 소량의 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, DMSO 등의 용제를 첨가하면 도전성이 향상된다. 이는, 상술한 용제의 첨가에 의하여 폴리스티렌술폰산의 껍데기가 깨져 폴리티오펜 입자끼리의 전자의 수수가 행해지게 되기 때문이라고 설명되어 있다.When a small amount of a solvent such as ethylene glycol, diethylene glycol, or DMSO is added to the aqueous dispersion of PEDOT-PSS, conductivity is improved. This is explained by the fact that by the addition of the above-mentioned solvent, the shell of the polystyrenesulfonic acid is broken and electrons of the polythiophene particles are exchanged.

본 발명과 같이, 은의 염을 첨가했을 경우, 초강산의 (B) 성분과 은이 염을 형성한다. 이는, 플러스 하전의 금속은, 보다 마이너스로 하전되어 있는 초강산과 염을 형성하는 편이 에너지적으로 안정하기 때문에다. (B) 성분은 티오펜 입자의 외측을 덮고 있는 절연물이지만, 외측에 고도전성의 은염이 부착되기 때문에 입자끼리의 전자의 이동이 활발해져 도전성이 향상된다.When a silver salt is added as in the present invention, a silver salt is formed with the component (B) of super acid. This is because the positive charge metal is energetically stable in that it forms a salt with a supercharged acid which is negatively charged. The component (B) is an insulator covering the outside of the thiophene particle, but since highly conductive silver salt adheres to the outside, migration of electrons between the particles becomes active and conductivity is improved.

[그 외의 성분][Other components]

(계면 활성제)(Surfactants)

본 발명에서는, 기판 등의 피가공체에의 습윤성을 상승시키기 위하여 계면 활성제를 첨가해도 된다. 이러한 계면 활성제로서는 비이온계, 양이온계, 음이온계의 각종 계면 활성제를 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌카르복실산에스테르, 소르비탄에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄에스테르 등의 비이온계 계면 활성제, 알킬트리메틸암모늄클로라이드, 알킬벤질암모늄클로라이드 등의 양이온계 계면 활성제, 알킬 또는 알킬알릴황산염, 알킬 또는 알킬알릴술폰산염, 디알킬술포숙신산염 등의 음이온계 계면 활성제, 아미노산형, 베타인형 등의 양성(兩性) 이온형 계면 활성제, 아세틸렌알코올계 계면 활성제, 히드록시기가 폴리에틸렌옥시드 또는 폴리프로필렌옥시드화된 아세틸렌알코올계 계면 활성제 등을 들 수 있다.In the present invention, a surfactant may be added to increase the wettability of a substrate or the like to a workpiece. Examples of such surfactants include nonionic, cationic and anionic surfactants. Specific examples thereof include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene carboxylic acid ester, sorbitan ester and polyoxyethylene sorbitan ester, alkyltrimethyl ammonium chloride , Alkylbenzylammonium chloride, anionic surfactants such as alkyl or alkylallylsulfates, alkyl or alkylallylsulfonates and dialkylsulfosuccinates, amphoteric surfactants such as amino acid type and betaine type, A surfactant, an acetylenic alcohol surfactant, and an acetylenic alcohol surfactant in which the hydroxyl group is polyethylene oxide or polypropylene oxide.

(고도전화제)(Advanced telephone system)

본 발명에서는, 도전성 재료의 도전율 향상을 목적으로 하여, 주 용제와는 별도로 고도전화제로서의 유기 용제를 첨가해도 된다. 이러한 첨가 용제로서는 극성 용제를 들 수 있으며, 구체적으로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디메틸술폭시드(DMSO), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 술포란, 에틸렌카르보네이트, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 첨가량은 1.0 내지 30.0질량%인 것이 바람직하고, 특히 3.0 내지 10.0질량%인 것이 바람직하다.In the present invention, an organic solvent as a highly conductive agent may be added separately from the main solvent for the purpose of improving the conductivity of the conductive material. Specific examples of such an additive solvent include polar solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), N-methyl- (NMP), sulfolane, ethylene carbonate, and mixtures thereof. The addition amount is preferably 1.0 to 30.0 mass%, particularly preferably 3.0 to 10.0 mass%.

(중화제)(corrector)

본 발명에서는, 도전성 재료의 수용액 중의 pH는 산성을 나타낸다. 이를 중화하는 목적에서, 일본 특허 공개 제2006-96975호 공보 중의 단락 [0033] 내지 [0045]에 기재된 질소 함유 방향족성 환식 화합물, 일본 특허 제5264723호에 기재된 단락 [0127]에 기재된 양이온을 첨가하여 pH를 중성으로 조절할 수도 있다. 용액의 pH를 중성 근처로 함으로써, 인쇄기에 적용했을 경우에 녹의 발생을 방지할 수 있다.In the present invention, the pH in the aqueous solution of the conductive material indicates acidity. For the purpose of neutralizing this, the nitrogen-containing aromatic cyclic compound described in paragraphs [0033] to [0045] of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-96975 and the cation described in paragraph [0127] described in Japanese Patent No. 5264723 were added The pH can also be adjusted to neutral. By making the pH of the solution near neutral, the occurrence of rust can be prevented when applied to a printing machine.

[도전성 재료][Conductive material]

본 발명의 도전성 재료는, 상술한 (A) 성분인 π 공액계 중합체, (B) 성분인 도펀트 중합체, 및 (C) 성분인 은의 염을 포함하는 것이며, (B) 성분의 도펀트 중합체는 (A) 성분의 π 공액계 중합체에 배위됨으로써 복합체를 형성한다.The conductive material of the present invention comprises the above-mentioned π conjugated polymer as the component (A), the dopant polymer as the component (B) and the silver salt as the component (C), and the dopant polymer as the component (B) ) Component of the? -Conjugate-based polymer to form a complex.

본 발명의 도전성 재료는 물 또는 유기 용제에 분산성을 갖는 것이 바람직하며, 무기 또는 유기 기판(무기 막 또는 유기 막을 기판 표면에 형성한 기판)에 대하여 스핀 코트 성막성이나 막의 평탄성을 양호하게 할 수 있다.The conductive material of the present invention preferably has dispersibility in water or an organic solvent, and is excellent in spin-coat film-forming property and flatness of the film on an inorganic or organic substrate (substrate on which an inorganic film or an organic film is formed on the substrate surface) have.

(도전성 재료의 제조 방법)(Method for producing conductive material)

본 발명의 도전성 재료(용액)의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상술한 (A) 성분인 π 공액계 중합체와 (B) 성분인 도펀트 중합체를 포함하는 도전성 중합체 복합체(용액)에, (C) 성분인 은의 염을 첨가함으로써 제조할 수 있다.The method for producing the conductive material (solution) of the present invention is not particularly limited. For example, the conductive polymer composite (solution) containing the π conjugated polymer as the component (A) and the dopant polymer as the component (B) Can be prepared by adding a silver salt as the component (C).

(A) 성분과 (B) 성분의 복합체는, 예를 들어 (B) 성분의 수용액 또는 (B) 성분의 물·유기 용매 혼합 용액 중에, (A) 성분의 원료가 되는 단량체(바람직하게는 피롤, 티오펜, 아닐린, 또는 이들의 유도체 단량체)를 첨가하고, 산화제 및 경우에 따라 산화 촉매를 첨가하고, 산화 중합을 행함으로써 얻을 수 있다.The complex of the component (A) and the component (B) can be obtained by, for example, mixing a monomer (B) or a monomer serving as a raw material of the component (A) , Thiophene, aniline, or derivative monomers thereof), adding an oxidizing agent and, if necessary, an oxidation catalyst, and carrying out oxidative polymerization.

산화제 및 산화 촉매로서는, 퍼옥소디황산암모늄(과황산암모늄), 퍼옥소디황산나트륨(과황산나트륨), 퍼옥소디황산칼륨(과황산칼륨) 등의 퍼옥소디황산염(과황산염), 염화제2철, 황산제2철, 염화제2구리 등의 전이 금속 화합물, 산화은, 산화세슘 등의 금속 산화물, 과산화수소, 오존 등의 과산화물, 과산화벤조일 등의 유기 과산화물, 산소 등을 사용할 수 있다.Examples of the oxidizing agent and the oxidizing catalyst include peroxodisulfate (persulfate) such as ammonium peroxodisulfate (ammonium persulfate), sodium peroxodisulfate (sodium persulfate) and potassium peroxodisulfate (persulfate) Transition metal compounds such as iron, ferric sulfate and cupric chloride, metal oxides such as silver oxide and cesium oxide, peroxides such as hydrogen peroxide and ozone, organic peroxides such as benzoyl peroxide, oxygen and the like.

산화 중합을 행할 때 사용하는 반응 용매로서는 물, 또는 물과 용매의 혼합 용매를 사용할 수 있다. 여기서 사용되는 용매는, 물과 혼화 가능하고, (A) 성분 및 (B) 성분을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매가 바람직하다. 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 1,4-부틸렌글리콜, D-글루코오스, D-글루시톨, 이소프렌글리콜, 부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,9-노난디올, 네오펜틸글리콜 등의 다가 지방족 알코올류, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등의 카르보네이트 화합물, 디옥산, 테트라히드로푸란 등의 환상 에테르 화합물, 디알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜디알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜디알킬에테르 등의 쇄상 에테르류, 3-메틸-2-옥사졸리디논 등의 복소환 화합물, 아세토니트릴, 글루타로니트릴, 메톡시아세토니트릴, 프로피오니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 혼합물로 해도 된다. 이들 물과 혼화 가능한 용매의 배합량은 반응 용매 전체의 50질량% 이하가 바람직하다.As the reaction solvent used in the oxidation polymerization, water or a mixed solvent of water and a solvent may be used. The solvent used here is preferably a solvent capable of dissolving or dispersing the component (A) and the component (B), which is miscible with water. Polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N'-dimethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and hexamethylphosphoric triamide, alcohols such as methanol, ethanol, Butanol and the like; alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butylene glycol, 1,4-butylene glycol, D-glucose, D-glucitol, isoprene glycol, , Polyvalent aliphatic alcohols such as 5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,9-nonanediol and neopentyl glycol, carbonate compounds such as ethylene carbonate and propylene carbonate, Cyclic ether compounds such as ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol dialkyl ether, polyethylene glycol dialkyl ether, polypropylene glycol dialkyl ether And heterocyclic compounds such as 3-methyl-2-oxazolidinone, and nitrile compounds such as acetonitrile, glutaronitrile, methoxyacetonitrile, propionitrile, benzonitrile, and the like. These solvents may be used alone or in a mixture of two or more. The blending amount of these water-miscible solvents is preferably 50 mass% or less of the total reaction solvent.

또한 (B) 성분의 도펀트 중합체 이외에, (A) 성분의 π 공액계 중합체에의 도핑이 가능한 음이온을 병용해도 된다. 이러한 음이온으로서는, π 공액계 중합체로부터의 탈도프 특성, 도전성 재료의 분산성, 내열성 및 내환경 특성을 조정하는 등의 관점에서는 유기산이 바람직하다. 유기산으로서는 유기 카르복실산, 페놀류, 유기 술폰산 등을 들 수 있다.In addition to the dopant polymer of the component (B), an anion capable of doping the component (A) into the π conjugated polymer may be used in combination. As such an anion, an organic acid is preferable from the viewpoints of adjusting the dedoping property from the π conjugated polymer, the dispersibility of the conductive material, the heat resistance, and the environmental characteristics. Examples of the organic acid include an organic carboxylic acid, a phenol, and an organic sulfonic acid.

유기 카르복실산으로서는 지방족, 방향족, 환상 지방족 등에 카르복시기를 1개 또는 2개 이상을 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 포름산, 아세트산, 옥살산, 벤조산, 프탈산, 말레산, 푸마르산, 말론산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 숙신산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 니트로아세트산, 트리페닐아세트산 등을 들 수 있다.As the organic carboxylic acid, aliphatic, aromatic, cyclic aliphatic or the like containing one or more carboxyl groups can be used. For example, formic acid, acetic acid, oxalic acid, benzoic acid, phthalic acid, fumaric acid, malonic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, succinic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, Acetic acid and the like.

페놀류로서는 크레졸, 페놀, 크실레놀 등의 페놀류를 들 수 있다.The phenols include phenols such as cresol, phenol and xylenol.

유기 술폰산으로서는 지방족, 방향족, 환상 지방족 등에 술폰산기를 1개 또는 2개 이상을 포함하는 것을 사용할 수 있다. 술폰산기를 1개 포함하는 것으로서는, 예를 들어 메탄술폰산, 에탄술폰산, 1-프로판술폰산, 1-부탄술폰산, 1-헥산술폰산, 1-헵탄술폰산, 1-옥탄술폰산, 1-노난술폰산, 1-데칸술폰산, 1-도데칸술폰산, 1-테트라데칸술폰산, 1-펜타데칸술폰산, 2-브로모에탄술폰산, 3-클로로-2-히드록시프로판술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 콜리스틴메탄술폰산, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 아미노메탄술폰산, 1-아미노-2-나프톨-4-술폰산, 2-아미노-5-나프톨-7-술폰산, 3-아미노프로판술폰산, N-시클로헥실-3-아미노프로판술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 크실렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 프로필벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 펜틸벤젠술폰산, 헥실벤젠술폰산, 헵틸벤젠술폰산, 옥틸벤젠술폰산, 노닐벤젠술폰산, 데실벤젠술폰산, 운데실벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산, 펜타데실벤젠술폰산, 헥사데실벤젠술폰산, 2,4-디메틸벤젠술폰산, 디프로필벤젠술폰산, 4-아미노벤젠술폰산, o-아미노벤젠술폰산, m-아미노벤젠술폰산, 4-아미노-2-클로로톨루엔-5-술폰산, 4-아미노-3-메틸벤젠-1-술폰산, 4-아미노-5-메톡시-2-메틸벤젠술폰산, 2-아미노-5-메틸벤젠-1-술폰산, 4-아미노-2-메틸벤젠-1-술폰산, 5-아미노-2-메틸벤젠-1-술폰산, 4-아세트아미드-3-클로로벤젠술폰산, 4-클로로-3-니트로벤젠술폰산, p-클로로벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산, 메틸나프탈렌술폰산, 프로필나프탈렌술폰산, 부틸나프탈렌술폰산, 펜틸나프탈렌술폰산, 디메틸나프탈렌술폰산, 4-아미노-1-나프탈렌술폰산, 8-클로로나프탈렌-1-술폰산, 나프탈렌술폰산포르말린 중축합물, 멜라민술폰산포르말린 중축합물 등의 술폰산기를 포함하는 술폰산 화합물 등을 예시할 수 있다.As the organic sulfonic acid, aliphatic, aromatic, cyclic aliphatic, and the like, which contain one or two or more sulfonic acid groups can be used. 1-heptanesulfonic acid, 1-heptanesulfonic acid, 1-octanesulfonic acid, 1-nonanesulfonic acid, 1-nonanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, Decanedicarboxylic acid, 3-chloro-2-hydroxypropanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, cholestane methanesulfonic acid, Amino-2-naphthol-7-sulfonic acid, 3-aminopropanesulfonic acid, N-cyclohexyl-sulfonic acid, There may be mentioned sulfonic acids such as benzenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, pentylbenzenesulfonic acid, hexylbenzenesulfonic acid, heptylbenzenesulfonic acid, Benzenesulfonic acid, undecylbenzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, Aminobenzenesulfonic acid, m-aminobenzenesulfonic acid, 4-amino-2-chlorotoluene-sulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, Sulfonic acid, 4-amino-5-methylbenzene-1-sulfonic acid, 4-amino-2-methylbenzene sulfonic acid, 2-methylbenzene-1-sulfonic acid, 4-acetamido-3-chlorobenzenesulfonic acid, 4-chloro-3-nitrobenzenesulfonic acid, p-chlorobenzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid 1-naphthalene sulfonic acid, 8-chloronaphthalene-1-sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid formalin polycondensate, melamine sulfonic acid formalin polycondensate And sulfonic acid compounds containing sulfonic acid groups such as sulfonic acid groups.

술폰산기를 2개 이상 포함하는 것으로서는, 예를 들어 에탄디술폰산, 부탄디술폰산, 펜탄디술폰산, 데칸디술폰산, m-벤젠디술폰산, o-벤젠디술폰산, p-벤젠디술폰산, 톨루엔디술폰산, 크실렌디술폰산, 클로로벤젠디술폰산, 플루오로벤젠디술폰산, 아닐린-2,4-디술폰산, 아닐린-2,5-디술폰산, 디에틸벤젠디술폰산, 디부틸벤젠디술폰산, 나프탈렌디술폰산, 메틸나프탈렌디술폰산, 에틸나프탈렌디술폰산, 도데실나프탈렌디술폰산, 펜타데실나프탈렌디술폰산, 부틸나프탈렌디술폰산, 2-아미노-1,4-벤젠디술폰산, 1-아미노-3,8-나프탈렌디술폰산, 3-아미노-1,5-나프탈렌디술폰산, 8-아미노-1-나프톨-3,6-디술폰산, 안트라센디술폰산, 부틸안트라센디술폰산, 4-아세트아미드-4'-이소티오시아나토스틸벤-2,2'-디술폰산, 4-아세트아미드-4'-말레이미딜스틸벤-2,2'-디술폰산, 1-아세톡시피렌-3,6,8-트리술폰산, 7-아미노-1,3,6-나프탈렌트리술폰산, 8-아미노나프탈렌-1,3,6-트리술폰산, 3-아미노-1,5,7-나프탈렌트리술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonic acid group having two or more sulfonic acid groups include ethanedisulfonic acid, butanedisulfonic acid, pentanedisulfonic acid, decanedisulfonic acid, m-benzenedisulfonic acid, o-benzenedisulfonic acid, p-benzenedisulfonic acid, , Aniline-2,4-disulfonic acid, aniline-2,5-disulfonic acid, diethylbenzene disulfonic acid, dibutylbenzene disulfonic acid, naphthalene disulfonic acid, Amino naphthalene disulfonic acid, methyl naphthalene disulfonic acid, ethyl naphthalene disulfonic acid, dodecyl naphthalene disulfonic acid, pentadecyl naphthalene disulfonic acid, butyl naphthalene disulfonic acid, 2-amino- Amino-1,5-naphthalene disulfonic acid, 8-amino-1-naphthol-3,6-disulfonic acid, anthracene disulfonic acid, butyl anthracene disulfonic acid, 4-acetamido-4'-isothiocyanato Benz-2,2'-disulfonic acid, 4-acetamido-4'-maleimidylstilbene-2,2'-disulfonic acid, 1 -Acetoxypyrrole-3,6,8-trisulfonic acid, 7-amino-1,3,6-naphthalenetrisulfonic acid, 8-aminonaphthalene-1,3,6-trisulfonic acid, 3- 7-naphthalenetrisulfonic acid, and the like.

이들 (B) 성분 이외의 음이온은 (A) 성분의 중합 전에, (A) 성분의 원료 단량체, (B) 성분, 산화제 및/또는 산화 중합 촉매를 포함하는 용액에 첨가해도 되고, 또한 중합 후의 (A) 성분과 (B) 성분을 함유하는 도전성 중합체 복합체(용액)에 첨가해도 된다.The anion other than the component (B) may be added to the solution containing the raw material monomer (A), the component (B), the oxidizing agent and / or the oxidative polymerization catalyst before the polymerization of the component (A) May be added to the conductive polymer composite (solution) containing the component (A) and the component (B).

이와 같이 하여 얻은 (A) 성분과 (B) 성분의 복합체는, 필요에 따라 호모지나이저나 볼 밀 등으로 미립화하여 사용할 수 있다.The composite of the component (A) and the component (B) obtained as described above can be used by atomization using a homogenizer or a ball mill if necessary.

미립화에는, 높은 전단력을 부여할 수 있는 혼합 분산기를 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 분산기로서는, 예를 들어 호모지나이저, 고압 호모지나이저, 비즈 밀 등을 들 수 있으며, 그 중에서 고압 호모지나이저가 바람직하다.For atomization, it is preferable to use a mixed dispersing machine capable of imparting a high shear force. Examples of the mixed dispersing machine include a homogenizer, a high-pressure homogenizer, and a bead mill, and a high-pressure homogenizer is preferable.

고압 호모지나이저의 구체예로서는, 요시다 기카이 고교사 제조의 나노베이터, 파우렉스사 제조의 마이크로플루이다이저, 스기노 머신사 제조의 얼티마이저 등을 들 수 있다.Specific examples of the high-pressure homogenizer include a nano-beder manufactured by Yoshida Kikai Kogyo Co., a microfluidizer manufactured by Powlex Co., and an ultimizer manufactured by Suginomachin Co.,

고압 호모지나이저를 사용한 분산 처리로서는, 예를 들어 분산 처리를 실시하기 전의 복합체 용액을 고압으로 대향 충돌시키는 처리, 오리피스나 슬릿에 고압으로 통과시키는 처리 등을 들 수 있다.Examples of the dispersion treatment using a high-pressure homogenizer include a treatment for causing the composite solution before the dispersion treatment to collide against each other at a high pressure, a treatment for passing the composite solution before passing through the orifice or slit under high pressure, and the like.

미립화 전 또는 후에 여과, 한외 여과, 투석 등의 방법에 의하여 불순물을 제거하고, 양이온 교환 수지, 음이온 교환 수지, 킬레이트 수지 등으로 정제해도 된다.The impurities may be removed by filtration, ultrafiltration, dialysis or the like before or after atomization and purified by cation exchange resin, anion exchange resin, chelate resin or the like.

또한 도전성 재료 용액 중의 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 함유량은 0.05 내지 5.0질량%인 것이 바람직하다. (A) 성분과 (B) 성분의 합계 함유량이 0.05질량% 이상이면 충분한 도전성이 얻어지고, 5.0질량% 이하이면 균일한 도전성 도막이 용이하게 얻어진다.The total content of the component (A) and the component (B) in the conductive material solution is preferably 0.05 to 5.0% by mass. When the total content of the component (A) and the component (B) is 0.05 mass% or more, sufficient conductivity is obtained. When the total content is 5.0 mass% or less, a uniform conductive coating film is easily obtained.

(B) 성분의 함유량은, (A) 성분 1몰에 대하여 (B) 성분 중의 술포기가 0.1 내지 10몰의 범위가 되는 양인 것이 바람직하고, 1 내지 7몰의 범위가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. (B) 성분 중의 술포기가 0.1몰 이상이면, (A) 성분에의 도핑 효과가 높아 충분한 도전성을 확보할 수 있다. 또한 (B) 성분 중의 술포기가 10몰 이하이면, (A) 성분의 함유량도 적당한 것이 되어 충분한 도전성이 얻어진다.The content of the component (B) is preferably such that the amount of the sulfo group in the component (B) is in the range of 0.1 to 10 moles relative to 1 mole of the component (A), more preferably 1 to 7 moles . When the amount of the sulfo group in the component (B) is 0.1 mol or more, the doping effect on the component (A) is high, so that sufficient conductivity can be secured. When the amount of the sulfo group in the component (B) is 10 mol or less, the content of the component (A) is also appropriate, and sufficient conductivity is obtained.

이상 설명한 바와 같은, 본 발명의 도전성 재료이면, 여과성 및 스핀 코트에서의 성막성이 양호하며, 투명성이 높고 표면 조도가 낮은 도전막을 형성할 수 있다.With the conductive material of the present invention as described above, it is possible to form a conductive film having good film formability in filtration property and spin coat, high transparency and low surface roughness.

[도전막][Conductive film]

상술한 바와 같이 하여 얻어진 도전성 재료(용액)는, 기판 등의 피가공체에 도포함으로써 도전막을 형성할 수 있다. 도전성 재료(용액)의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코터 등에 의한 도포, 바 코터, 침지, 콤마 코트, 스프레이 코트, 롤 코트, 스크린 인쇄, 플렉소 인쇄, 그라비아 인쇄, 잉크젯 인쇄 등을 들 수 있다. 도포 후, 열풍 순환로, 핫 플레이트 등에 의한 가열 처리, IR, UV 조사 등을 행하여 도전막을 형성할 수 있다.The conductive material (solution) obtained as described above can be applied to a workpiece such as a substrate to form a conductive film. Examples of the application method of the conductive material (solution) include coating with a spin coater or the like, bar coater, immersion, comma coat, spray coat, roll coat, screen printing, flexo printing, gravure printing, . After the application, a conductive film can be formed by a heat treatment with a hot air circulation path, a hot plate, or the like, or by IR, UV irradiation, or the like.

이와 같이, 본 발명의 도전성 재료는 기판 등에 도포·성막함으로써 도전막으로 할 수 있다. 또한 이와 같이 하여 형성된 도전막은 도전성, 투명성이 우수하기 때문에, 투명 전극층으로서 기능하는 것으로 할 수 있다. 또한 본 발명의 도전성 재료는 홀 주입층으로서의 기능도 갖는다. 본 발명의 도전성 재료를 ITO, 은 나노와이어, 은 배선 등의 투명 도전막 상에 홀 주입층으로서 도포하고, 그 위에 홀 수송층, 발광층, 전자 주입층, 음극을 제작한다. 홀 주입층으로서 적용했을 경우에는, 반드시 높은 도전성이 필요치는 않다.As described above, the conductive material of the present invention can be applied to a substrate or the like to form a conductive film. Also, since the conductive film thus formed is excellent in conductivity and transparency, it can function as a transparent electrode layer. The conductive material of the present invention also has a function as a hole injection layer. The conductive material of the present invention is applied as a hole injecting layer on a transparent conductive film such as ITO, silver nanowire, or silver wiring, and a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron injecting layer, and a cathode are formed thereon. When applied as a hole injection layer, high conductivity is not necessarily required.

스퍼터링 등으로 제작한 ITO는 투명 전극으로서 사용되고 있지만, 결정성의 막이기 때문에, 이를 굽히고자 하면 결정이 붕괴되기 때문에 도전성이 저하되고 깨진다. 이 때문에 ITO를 플렉시블 디바이스에 적용하는 것은 곤란하다. 한편, 본 발명의 도전성 재료를 베이스로 하는 도전막은, 구부리더라도 깨지거나 도전성이 저하되거나 하는 일이 없기 때문에, 플렉시블 디바이스용의 도전막으로서 사용하는 것이 가능하다.ITO produced by sputtering or the like is used as a transparent electrode, but since it is a crystalline film, if it is bent, the crystal is collapsed and the conductivity is lowered and broken. Therefore, it is difficult to apply ITO to a flexible device. On the other hand, the conductive film based on the conductive material of the present invention can be used as a conductive film for a flexible device because it does not break or deteriorate in conductivity even if bent.

[기판][Board]

또한 본 발명에서는, 상술한 본 발명의 도전성 재료에 의하여 도전막이 형성된 기판을 제공한다.Further, the present invention provides a substrate on which a conductive film is formed by the above-described conductive material of the present invention.

기판으로서는, 유리 기판, 석영 기판, 포토마스크 블랭크 기판, 수지 기판, 실리콘 웨이퍼, 갈륨 비소 웨이퍼, 인듐 인 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼, 플렉시블 기판 등을 들 수 있다. 또한 포토레지스트막 상에 도포하여 대전 방지 톱 코트로서 사용하는 것도 가능하다.Examples of the substrate include a glass substrate, a quartz substrate, a photomask blank substrate, a resin substrate, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer such as a gallium arsenide wafer and an indium-phosphorous wafer, and a flexible substrate. It is also possible to apply it to a photoresist film and use it as an antistatic topcoat.

이상과 같이, 초강산의 술포기를 함유하는 (B) 성분의 도펀트 중합체와 (A) 성분의 π 공액계 중합체와의 복합체와, (C) 성분의 은의 염을 함유하는 본 발명의 도전성 재료이면, 여과성 및 스핀 코트에서의 성막성이 좋고, 또한 막을 형성할 때는 투명성, 플렉시블성, 평탄성, 내구성 및 도전성이 양호하며, 표면 조도가 낮은 도전막을 형성하는 것이 가능해진다. 또한 이러한 도전성 재료이면, 유기 기판, 무기 기판 중 어느 쪽에 대해서도 성막성이 양호한 것이 된다.As described above, in the case of the conductive material of the present invention containing the complex of the dopant polymer of component (B) containing the sulfo group of super strong acid with the π conjugated polymer of component (A) and the salt of silver of component (C) , The film forming property in the filterability and the spin coat is good and when the film is formed, a conductive film having good transparency, flexibility, flatness, durability and conductivity and low surface roughness can be formed. In addition, if such a conductive material is used, the film-forming property is good for both the organic substrate and the inorganic substrate.

또한 이러한 도전성 재료에 의하여 형성된 도전막은 도전성, 투명성 등이 우수하기 때문에, 투명 전극층으로서 기능하는 것으로 할 수 있다.Further, since the conductive film formed by such a conductive material is excellent in conductivity, transparency, and the like, it can function as a transparent electrode layer.

[실시예][Example]

이하, 합성예, 조제예, 비교 조제예, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Synthesis Examples, Preparation Examples, Comparative Preparation Examples, Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

[도펀트 중합체의 합성][Synthesis of dopant polymer]

(합성예 1 내지 9)(Synthesis Examples 1 to 9)

질소 분위기 하에서, 64℃에서 교반한 메탄올에, 각 단량체와 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸을 혼합한 용액을 8시간 교반하고 실온까지 냉각한 후, 아세트산에틸에 격렬히 교반하면서 적하하였다. 발생한 고형물을 여과하여 취하고, 50℃에서 15시간 진공 건조하여 얻어진 백색 중합체를 순수에 용해시키고, 이온 교환 수지를 사용하여 단량체의 양이온을 수소 원자로 교환하여 술포기로 변환하였다.A solution of each monomer and dimethyl 2,2'-azobis (isobutyrate) in methanol stirred at 64 ° C under a nitrogen atmosphere was stirred for 8 hours, cooled to room temperature, and added dropwise with vigorous stirring to ethyl acetate . The resulting solid was collected by filtration, vacuum dried at 50 ° C for 15 hours, and the resulting white polymer was dissolved in pure water. The cation of the monomer was exchanged with a hydrogen atom using an ion exchange resin and converted into a sulfo group.

이러한 방법으로 하기에 도시하는 도펀트 중합체 1 내지 9를 합성하였다.In this way, dopant polymers 1 to 9 shown below were synthesized.

도펀트 중합체 1Dopant polymer 1

중량 평균 분자량(Mw)=29,900Weight average molecular weight (Mw) = 29,900

분자량 분포(Mw/Mn)=1.91Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.91

Figure 112016107938414-pat00042
Figure 112016107938414-pat00042

도펀트 중합체 2Dopant polymer 2

중량 평균 분자량(Mw)=31,000Weight average molecular weight (Mw) = 31,000

분자량 분포(Mw/Mn)=1.89Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.89

Figure 112016107938414-pat00043
Figure 112016107938414-pat00043

도펀트 중합체 3Dopant polymer 3

중량 평균 분자량(Mw)=24,000Weight average molecular weight (Mw) = 24,000

분자량 분포(Mw/Mn)=1.76Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.76

Figure 112016107938414-pat00044
Figure 112016107938414-pat00044

도펀트 중합체 4Dopant polymer 4

중량 평균 분자량(Mw)=39,300Weight average molecular weight (Mw) = 39,300

분자량 분포(Mw/Mn)=1.91Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.91

Figure 112016107938414-pat00045
Figure 112016107938414-pat00045

도펀트 중합체 5Dopant polymer 5

중량 평균 분자량(Mw)=41,100Weight average molecular weight (Mw) = 41,100

분자량 분포(Mw/Mn)=1.98Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.98

Figure 112016107938414-pat00046
Figure 112016107938414-pat00046

도펀트 중합체 6Dopant polymer 6

중량 평균 분자량(Mw)=53,000Weight average molecular weight (Mw) = 53,000

분자량 분포(Mw/Mn)=1.81Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.81

Figure 112016107938414-pat00047
Figure 112016107938414-pat00047

도펀트 중합체 7Dopant polymer 7

중량 평균 분자량(Mw)=52,000Weight average molecular weight (Mw) = 52,000

분자량 분포(Mw/Mn)=1.79Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.79

Figure 112016107938414-pat00048
Figure 112016107938414-pat00048

도펀트 중합체 8Dopant polymer 8

중량 평균 분자량(Mw)=21,000Weight average molecular weight (Mw) = 21,000

분자량 분포(Mw/Mn)=1.30Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.30

Figure 112016107938414-pat00049
Figure 112016107938414-pat00049

도펀트 중합체 9Dopant polymer 9

중량 평균 분자량(Mw)=41,100Weight average molecular weight (Mw) = 41,100

분자량 분포(Mw/Mn)=1.79Molecular weight distribution (Mw / Mn) = 1.79

Figure 112016107938414-pat00050
Figure 112016107938414-pat00050

[도전성 중합체 복합체 분산액의 조제][Preparation of Conductive Polymer Complex Dispersion]

(조제예 1)(Preparation example 1)

3.82g의 3,4-에틸렌디옥시티오펜과, 12.5g의 도펀트 중합체 1을 1,000mL의 초순수에 용해시킨 용액을, 30℃에서 혼합하였다.3.82 g of 3,4-ethylenedioxythiophene and 12.5 g of the dopant polymer 1 dissolved in 1,000 mL of ultrapure water were mixed at 30 占 폚.

이것에 의하여 얻어진 혼합 용액을 30℃로 유지하고 교반하면서, 100mL의 초순수에 용해시킨 8.40g의 과황산나트륨과, 2.3g의 황산제2철의 산화 촉매 용액을, 천천히 첨가하고 4시간 교반하여 반응시켰다.8.40 g of sodium persulfate dissolved in 100 mL of ultrapure water and 2.3 g of an oxidation catalyst solution of ferric sulfate were slowly added while maintaining the resulting mixed solution at 30 DEG C with stirring and reacted for 4 hours with stirring .

얻어진 반응액에 1,000mL의 초순수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 1,000mL의 용액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.1,000 mL of ultrapure water was added to the obtained reaction solution, and about 1,000 mL of the solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

그리고 상기 여과 처리가 행해진 처리액에 200mL의 10질량%로 희석한 황산과 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하고, 이것에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.Then, 200 mL of sulfuric acid diluted to 10% by mass and 2,000 mL of ion-exchanged water were added to the treatment solution subjected to the filtration treatment, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration, and 2,000 mL of ion exchange Water was added and about 2,000 mL of solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

또한 얻어진 처리액에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하였다. 이 조작을 5회 반복하고 구멍 직경 0.45㎛의 재생 셀룰로오스 필터(어드밴텍(ADVANTEC)사 제조)를 사용하여 여과하여, 1.3질량%의 청색의 도전성 중합체 복합체 분산액 1을 얻었다.Further, 2,000 mL of ion-exchanged water was added to the obtained treatment solution, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated five times and filtration was performed using a regenerated cellulose filter (manufactured by ADVANTEC CORPORATION) having a pore diameter of 0.45 mu m to obtain 1.3 wt% of a conductive polymer composite dispersion 1 of blue color.

한외 여과 조건은 하기와 같이 하였다.Ultrafiltration conditions were as follows.

한외 여과막의 분획 분자량: 30KFractional molecular weight of ultrafiltration membrane: 30K

크로스 플로식Crossflow

공급액 유량: 3,000mL/분Feed flow rate: 3,000 mL / min

막 분압: 0.12㎩Membrane partial pressure: 0.12 Pa

또한 다른 조제예에서도 마찬가지의 조건에서 한외 여과를 행하였다.Ultrafiltration was carried out under the same conditions in the other preparations.

(조제예 2)(Preparation example 2)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 10.0g의 도펀트 중합체 2로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 과황산나트륨의 배합량을 5.31g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 2를 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 10.0 g of the dopant polymer 2, the amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.41 g, the amount of sodium persulfate was changed to 5.31 g and the amount of ferric sulfate was changed to 1.50 g , A preparation was conducted in the same manner as in Preparation Example 1 to obtain a conductive polymer composite dispersion 2.

(조제예 3)(Preparation Example 3)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 12.0g의 도펀트 중합체 3으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.72g, 과황산나트륨의 배합량을 6.00g, 황산제2철의 배합량을 1.60g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 3을 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 12.0 g of the dopant polymer 3, the amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.72 g, the amount of sodium persulfate was changed to 6.00 g, and the amount of ferric sulfate was changed to 1.60 g , The preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 to obtain a conductive polymer composite dispersion 3.

(조제예 4)(Preparation example 4)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 11.8g의 도펀트 중합체 4로, 8.40g의 과황산나트륨을 4.50g의 과황산암모늄으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.04g, 황산제2철의 배합량을 1.23g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 4를 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 11.8 g of the dopant polymer 4, 8.40 g of sodium persulfate was changed to 4.50 g of ammonium persulfate, the amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was adjusted to 2.04 g, The preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 except that the amount was changed to 1.23 g to obtain Conductive Polymer Complex Dispersion 4.

(조제예 5)(Preparation Example 5)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 11.0g의 도펀트 중합체 5로, 8.40g의 과황산나트륨을 5.31g의 과황산암모늄으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 5를 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 11.0 g of the dopant polymer 5, 8.40 g of sodium persulfate was changed to 5.31 g of ammonium persulfate, the blending amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.41 g, The preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 except that the amount was changed to 1.50 g to obtain a conductive polymer composite dispersion 5.

(조제예 6)(Preparation example 6)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 13.0g의 도펀트 중합체 6으로, 8.40g의 과황산나트륨을 5.31g의 과황산암모늄으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 6을 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 13.0 g of the dopant polymer 6, 8.40 g of sodium persulfate was changed to 5.31 g of ammonium persulfate, the blending amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.41 g, The preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 except that the amount was changed to 1.50 g to obtain a conductive polymer composite dispersion 6.

(조제예 7)(Preparation Example 7)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 12.8g의 도펀트 중합체 7로, 8.40g의 과황산나트륨을 5.31g의 과황산암모늄으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 7을 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 12.8 g of the dopant polymer 7, 8.40 g of sodium persulfate was changed to 5.31 g of ammonium persulfate, the blending amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.41 g, The preparation was conducted in the same manner as in Preparation Example 1, except that the amount of the mixture was changed to 1.50 g to obtain a conductive polymer composite dispersion 7.

(조제예 8)(Preparation Example 8)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 11.0g의 도펀트 중합체 8로, 8.40g의 과황산나트륨을 5.31g의 과황산암모늄으로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 8을 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 11.0 g of the dopant polymer 8, 8.40 g of sodium persulfate was changed to 5.31 g of ammonium persulfate, the amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was adjusted to 2.41 g, The preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 except that the amount of the mixture was changed to 1.50 g to obtain a conductive polymer composite dispersion 8.

(조제예 9)(Preparation example 9)

3.87g의 3,4-디메톡시티오펜과, 10.0g의 도펀트 중합체 2를 1,000mL의 초순수에 용해시킨 용액을, 30℃에서 혼합하였다.A solution prepared by dissolving 3.87 g of 3,4-dimethoxythiophene and 10.0 g of the dopant polymer 2 in 1,000 mL of ultrapure water was mixed at 30 ° C.

이것에 의하여 얻어진 혼합 용액을 30℃로 유지하고 교반하면서, 100mL의 초순수에 용해시킨 8.40g의 과황산나트륨과, 2.3g의 황산제2철의 산화 촉매 용액을, 천천히 첨가하고 4시간 교반하여 반응시켰다.8.40 g of sodium persulfate dissolved in 100 mL of ultrapure water and 2.3 g of an oxidation catalyst solution of ferric sulfate were slowly added while maintaining the resulting mixed solution at 30 DEG C with stirring and reacted for 4 hours with stirring .

얻어진 반응액에 1,000mL의 초순수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 1,000mL의 용액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.1,000 mL of ultrapure water was added to the obtained reaction solution, and about 1,000 mL of the solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

그리고 상기 여과 처리가 행해진 처리액에 200mL의 10질량%로 희석한 황산과 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하고, 이것에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.Then, 200 mL of sulfuric acid diluted to 10% by mass and 2,000 mL of ion-exchanged water were added to the treatment solution subjected to the filtration treatment, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration, and 2,000 mL of ion exchange Water was added and about 2,000 mL of solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

또한 얻어진 처리액에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하였다. 이 조작을 5회 반복하고 구멍 직경 0.45㎛의 재생 셀룰로오스 필터(어드밴텍(ADVANTEC)사 제조)를 사용하여 여과하여, 1.3질량%의 청색의 도전성 중합체 복합체 분산액 9를 얻었다.Further, 2,000 mL of ion-exchanged water was added to the obtained treatment solution, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated five times and filtration was conducted using a regenerated cellulose filter (manufactured by ADVANTEC CORPORATION) having a pore diameter of 0.45 mu m to obtain 1.3 wt% of a conductive polymer composite dispersion 9 of blue color.

(조제예 10)(Preparation Example 10)

12.5g의 도펀트 중합체 1을 9.0g의 도펀트 중합체 9로 변경하고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 배합량을 2.41g, 과황산나트륨의 배합량을 5.31g, 황산제2철의 배합량을 1.50g으로 변경하는 것 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 도전성 중합체 복합체 분산액 10을 얻었다.12.5 g of the dopant polymer 1 was changed to 9.0 g of the dopant polymer 9, the amount of 3,4-ethylenedioxythiophene was changed to 2.41 g, the amount of sodium persulfate was changed to 5.31 g, and the amount of ferric sulfate was changed to 1.50 g , A preparation was conducted in the same manner as in Preparation Example 1 to obtain a conductive polymer composite dispersion 10.

(조제예 11)(Preparation Example 11)

4.62g의 (2,3-디히드로티에노[3,4-b][1,4]디옥신-2-일)메탄올과, 10.0g의 도펀트 중합체 2를 1,000mL의 초순수에 용해시킨 용액을, 30℃에서 혼합하였다.A solution obtained by dissolving 4.62 g of (2,3-dihydrothieno [3,4-b] [1,4] dioxin-2-yl) methanol and 10.0 g of the dopant polymer 2 in 1000 mL of ultrapure water , And mixed at 30 캜.

이것에 의하여 얻어진 혼합 용액을 30℃로 유지하고 교반하면서, 100mL의 초순수에 용해시킨 8.40g의 과황산나트륨과, 2.3g의 황산제2철의 산화 촉매 용액을, 천천히 첨가하고 4시간 교반하여 반응시켰다.8.40 g of sodium persulfate dissolved in 100 mL of ultrapure water and 2.3 g of an oxidation catalyst solution of ferric sulfate were slowly added while maintaining the resulting mixed solution at 30 DEG C with stirring and reacted for 4 hours with stirring .

얻어진 반응액에 1,000mL의 초순수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 1,000mL의 용액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.1,000 mL of ultrapure water was added to the obtained reaction solution, and about 1,000 mL of the solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

그리고 상기 여과 처리가 행해진 처리액에 200mL의 10질량%로 희석한 황산과 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하고, 이것에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.Then, 200 mL of sulfuric acid diluted to 10% by mass and 2,000 mL of ion-exchanged water were added to the treatment solution subjected to the filtration treatment, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration, and 2,000 mL of ion exchange Water was added and about 2,000 mL of solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

또한 얻어진 처리액에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하였다. 이 조작을 5회 반복하고 구멍 직경 0.45㎛의 재생 셀룰로오스 필터(어드밴텍(ADVANTEC)사 제조)를 사용하여 여과하여, 1.3질량%의 청색의 도전성 중합체 복합체 분산액 11을 얻었다.Further, 2,000 mL of ion-exchanged water was added to the obtained treatment solution, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated five times and filtration was performed using a regenerated cellulose filter (manufactured by ADVANTEC CORPORATION) having a pore diameter of 0.45 mu m to obtain a dispersion liquid 11 of a conductive polymer complex having a blue color of 1.3 mass%.

(조제예 12)(Preparation Example 12)

4.16g의 3,4-프로필렌디옥시티오펜과, 10.0g의 도펀트 중합체 2를 1,000mL의 초순수에 용해시킨 용액을, 30℃에서 혼합하였다.A solution of 4.16 g of 3,4-propylenedioxythiophene and 10.0 g of the dopant polymer 2 dissolved in 1,000 mL of ultrapure water was mixed at 30 占 폚.

이것에 의하여 얻어진 혼합 용액을 30℃로 유지하고 교반하면서, 100mL의 초순수에 용해시킨 8.40g의 과황산나트륨과, 2.3g의 황산제2철의 산화 촉매 용액을, 천천히 첨가하고 4시간 교반하여 반응시켰다.8.40 g of sodium persulfate dissolved in 100 mL of ultrapure water and 2.3 g of an oxidation catalyst solution of ferric sulfate were slowly added while maintaining the resulting mixed solution at 30 DEG C with stirring and reacted for 4 hours with stirring .

얻어진 반응액에 1,000mL의 초순수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 1,000mL의 용액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.1,000 mL of ultrapure water was added to the obtained reaction solution, and about 1,000 mL of the solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

그리고 상기 여과 처리가 행해진 처리액에 200mL의 10질량%로 희석한 황산과 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하고, 이것에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 액을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하였다.Then, 200 mL of sulfuric acid diluted to 10% by mass and 2,000 mL of ion-exchanged water were added to the treatment solution subjected to the filtration treatment, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration, and 2,000 mL of ion exchange Water was added and about 2,000 mL of solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated three times.

또한 얻어진 처리액에 2,000mL의 이온 교환수를 첨가하고 한외 여과법을 이용하여 약 2,000mL의 처리액을 제거하였다. 이 조작을 5회 반복하고 구멍 직경 0.45㎛의 재생 셀룰로오스 필터(어드밴텍(ADVANTEC)사 제조)를 사용하여 여과하여, 1.3질량%의 청색의 도전성 중합체 복합체 분산액 12를 얻었다.Further, 2,000 mL of ion-exchanged water was added to the obtained treatment solution, and about 2,000 mL of the treatment solution was removed by ultrafiltration. This operation was repeated five times and filtration was conducted using a regenerated cellulose filter (manufactured by ADVANTEC CORPORATION) having a pore diameter of 0.45 mu m to obtain a 1.3 wt% blue conductive polymer composite dispersion 12.

(비교 조제예 1)(Comparative Preparation Example 1)

5.0g의 3,4-에틸렌디옥시티오펜과, 83.3g의 폴리스티렌술폰산 수용액(알드리치(Aldrich) 제조의 18.0질량%)을 250mL의 이온 교환수로 희석한 용액을, 30℃에서 혼합하였다. 그 이외에는 조제예 1과 마찬가지의 방법으로 조제를 행하여, 1.3질량%의 청색의 비교 도전성 중합체 복합체 분산액 1(PEDOT-PSS 분산액)을 얻었다. 이 비교 도전성 중합체 복합체 분산액 1은 도펀트 중합체로서 폴리스티렌술폰산만을 포함하는 것이다.5.0 g of 3,4-ethylenedioxythiophene and 83.3 g of polystyrene sulfonic acid aqueous solution (18.0 mass% of Aldrich) were diluted with 250 ml of ion-exchanged water and mixed at 30 占 폚. Other than that, the preparation was carried out in the same manner as in Preparation Example 1 to obtain 1.3 wt% of a blue comparative conductive polymer composite dispersion 1 (PEDOT-PSS dispersion). This comparative conductive polymer composite dispersion 1 contains only polystyrene sulfonic acid as a dopant polymer.

[실시예 및 비교예][Examples and Comparative Examples]

(실시예 1 내지 17)(Examples 1 to 17)

조제예 1 내지 12에서 얻은 1.3질량%의 도전성 중합체 복합체 분산액 1 내지 12, 유기 용제, 듀폰사 제조의 계면 활성제 FS-31, 은염을, 각각 표 1에 기재된 조성과 같이 혼합하여 도전성 재료를 조제하여 각각 실시예 1 내지 17로 하였다. 또한 표 1 중, DMSO는 디메틸술폭시드를 나타낸다.A conductive material was prepared by mixing the 1.3 wt% conductive polymer composite dispersion 1 to 12 obtained in Preparation Examples 1 to 12, the organic solvent, the surfactant FS-31, and the silver salt, manufactured by DuPont Co., Respectively. In Table 1, DMSO represents dimethylsulfoxide.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교 조제예 1에서 얻은 1.3질량%의 비교 도전성 중합체 복합체 분산액 1, 물, 유기 용제, 듀폰사 제조의 계면 활성제 FS-31을, 표 1에 기재된 조성과 같이 혼합하여 도전성 재료를 조제하여 비교예 1로 하였다.A conductive material was prepared by mixing 1.3 mass% of the comparative conductive polymer composite dispersion 1 obtained in Comparative Preparation Example 1, water, an organic solvent, and a surfactant FS-31 manufactured by DuPont Co., Respectively.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

조제예 1에서 얻은 1.3질량%의 도전성 중합체 복합체 분산액 1, 물, 유기 용제, 듀폰사 제조의 계면 활성제 FS-31을, 은염을 넣지 않고 표 1에 기재된 조성과 같이 혼합하여 도전성 재료를 조제하여 비교예 2로 하였다.A conductive material was prepared by mixing 1.3 wt% of the conductive polymer composite dispersion 1 obtained in Preparation Example 1, water, an organic solvent, and a surfactant FS-31, manufactured by DuPont, in the same composition as shown in Table 1 without adding silver salt, Example 2.

상술한 바와 같이 하여 조제한 실시예 및 비교예의 도전성 재료를 이하와 같이 평가하였다.The conductive materials of Examples and Comparative Examples prepared as described above were evaluated as follows.

(도전막의 형성)(Formation of conductive film)

먼저, 직경 4인치(100㎜)의 SiO2 웨이퍼 상에 도전성 재료 1.0mL를 적하 후, 10초 후에 스피너를 사용하여 전체에 회전 도포하였다. 실시예 1 내지 17, 비교예 1, 2에 있어서의 회전 도포 조건은, 막 두께가 100±5㎚가 되도록 조절하였다. 도포 후, 정밀 항온기에서 120℃, 5분 간 베이크를 행하여 용매를 제거함으로써 도전막을 얻었다. 얻어진 도전막을 육안으로 관찰하여, 평탄한 막이 얻어져 있는지를 조사하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.First, 1.0 mL of a conductive material was dropped onto a 4-inch (100 mm) diameter SiO 2 wafer, and after 10 seconds, the whole was spin-coated using a spinner. The spin coating conditions in Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 and 2 were adjusted so that the film thickness was 100 ± 5 nm. After the application, the substrate was baked at 120 DEG C for 5 minutes in a precision thermostat, and the solvent was removed to obtain a conductive film. The obtained conductive film was observed with naked eyes to see whether a flat film was obtained. The results are shown in Table 1.

(도전율)(Conductivity)

얻어진 도전막의 도전율(S/㎝)은, 하이레스타(Hiresta)-UP MCP-HT450, 로레스타(loresta)-GP MCP-T610(모두 미쓰비시 가가쿠사 제조)을 사용하여 측정한 표면 저항률(Ω/□)과 막 두께의 실측값으로부터 구하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.The conductivity (S / cm) of the conductive film thus obtained was measured in terms of the surface resistivity (Ω / square) measured using Hiresta-UP MCP-HT450, Loresta-GP MCP-T610 (all Mitsubishi Kagaku) ) And the measured value of the film thickness. The results are shown in Table 1.

(투과율)(Transmittance)

상기와 같이 하여 얻어진 도전막에 있어서, 입사 각도 가변의 분광 엘립소미터(VASE)에 의하여 측정된 굴절률(k)로부터, FT=100㎚에 있어서의 파장 550㎚의 광선에 대한 투과율을 산출하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.From the refractive index (k) measured by the spectroscopic ellipsometer (VASE) having the variable angle of incidence, the transmittance of the conductive film thus obtained to a light beam having a wavelength of 550 nm at FT = 100 nm was calculated. The results are shown in Table 1.

(플렉시블성)(Flexibility)

실시예 및 비교예의 도전성 재료를 사용하여 얻어진 도전막의 플렉시블성을 이하와 같이 평가하였다.Flexibility of the conductive films obtained using the conductive materials of Examples and Comparative Examples was evaluated as follows.

두께 50㎛, 한 변이 5cm인 사각형의 플렉시블 유리 상에 상기 도전성 재료를 스핀 코트하고 120℃에서 5분간 베이크를 행하여, 막 두께 100㎚의 도전성 막을 제작하였다. 플렉시블 유리 기판을 곡률(R) 120도로 10회 구부려, 막에 크랙이 발생해 있는지의 여부를 육안으로 관찰하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.The conductive material was spin-coated on a rectangular flexible glass having a thickness of 50 占 퐉 and a side length of 5 cm and baked at 120 占 폚 for 5 minutes to prepare a conductive film having a thickness of 100 nm. The flexible glass substrate was bent at a curvature R of 120 degrees ten times to visually observe whether or not cracks were generated in the film. The results are shown in Table 1.

[도전성 재료의 평가][Evaluation of conductive material]

Figure 112016107938414-pat00051
Figure 112016107938414-pat00051

표 1에 나타낸 바와 같이, π 공액계 중합체로서 폴리티오펜과, 반복 단위 a1 내지 a4로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하는 도펀트 중합체와, 은의 카르복실산염, β디케톤염 혹은 탄산염을 포함한 실시예 1 내지 17을 스핀 코터로 도포한 바, 평탄하고 균일한 도막을 얻을 수 있었다. 또한 은의 카르복실산염, β디케톤염 혹은 탄산염을 첨가함으로써 도전성이 높아지는 것이 확인되었다. 또한 플렉시블성이나, λ=550㎚의 가시광에 대한 투과율도 양호해지는 것이 밝혀졌다.As shown in Table 1, as a π conjugated polymer, a polythiophene, a dopant polymer containing at least one repeating unit selected from repeating units a1 to a4, and a carboxylate, β-diketone salt or carbonate including silver When Examples 1 to 17 were applied by a spin coater, a flat and uniform coating film was obtained. It was also confirmed that the conductivity was enhanced by adding a carboxylic acid salt, a? -Diketone salt or a carbonate of silver. It has also been found that flexibility and transmittance to visible light at? = 550 nm are also improved.

한편, 폴리스티렌술폰산만을 포함하는 도펀트 중합체를 포함하고, 은염을 포함하지 않는 비교예 1은, 도전성은 높았지만 막 상에 스트리에이션이 발생하였다. 또한 반복 단위 a1을 포함하는 도펀트 중합체를 포함하고, 은염을 포함하지 않는 비교예 2는, 평탄하고 균일한 도막은 얻어졌지만 도전성이 떨어지는 것이 되었다.On the other hand, Comparative Example 1 containing a dopant polymer containing only polystyrene sulfonic acid and containing no silver salt showed high conductivity but strained on the film. In Comparative Example 2, which contains the dopant polymer containing the repeating unit a1 but not silver salt, a flat and uniform coating film was obtained, but the conductivity was poor.

이상과 같이, 본 발명의 도전성 재료이면, 스핀 코트에서의 성막성이 좋고, 투명성, 도전성이 높고, 플렉시블성이 우수하며, 평탄성이 양호한 도전막을 형성할 수 있음이 밝혀졌다.As described above, it has been found that the conductive material of the present invention can form a conductive film having good film formability in a spin coat, high transparency, high conductivity, excellent flexibility, and good flatness.

또한 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments. The above embodiment is an example, and anything that has substantially the same structure as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibits the same operational effects is included in the technical scope of the present invention.

Claims (10)

(A) π 공액계 중합체,
(B) 하기 일반식 (1)로 표시되는 1종 이상의 반복 단위를 포함하고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000의 범위인 것인 도펀트 중합체, 및
(C) 은의 카르복실산염, β디케톤염, β케토에스테르염, 탄산염으로부터 선택되는 1종 이상의 염
을 포함하는 것임을 특징으로 하는 도전성 재료.
Figure 112019002690944-pat00052

(식 중, R1, R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, R2, R4 및 R6은 각각 독립적으로 단결합, 에스테르기, 혹은 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나 또는 이들 양쪽을 갖고 있거나 갖고 있지 않은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 탄화수소기 중 어느 하나이다. R7은 탄소수 1 내지 4의 직쇄상, 또는 분지상의 알킬렌기이며, R7 중의 수소 원자 중 1개 또는 2개가 불소 원자로 치환되어 있거나 치환되어 있지 않다. R9는 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기이다. Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 단결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이고, Z4는 단결합, 에테르기, 에스테르기 중 어느 하나이다. Y는 산소 원자 또는 NH기이고, m은 1 내지 4의 정수이다. a1, a2, a3 및 a4는 0≤a1≤1.0, 0≤a2≤1.0, 0≤a3≤1.0, 0≤a4≤1.0이고, 0<a1+a2+a3+a4≤1.0이다)
(A) a? -Conjugated polymer,
(B) a dopant polymer containing at least one repeating unit represented by the following general formula (1) and having a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 500,000, and
(C) at least one salt selected from a carboxylate of a silver, a β-diketone salt, a β-keto ester salt and a carbonate
And a conductive material.
Figure 112019002690944-pat00052

(Wherein R 1 , R 3 , R 5 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 are each independently a single bond, an ester group, an ether group or an ester group Branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may or may not contain either one or both of R 7 and R 8 is a straight or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, R 7 is not one or two of the hydrogen atoms are replaced or substituted with a fluorine atom in. R 9 is a methyl group a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Z 1, Z 2 and Z 3 are independently selected stage each bond, a phenylene group , naphthyl group, an ether group, any one of an ester group, Z 4 is any one of a single bond, an ether group, an ester group. Y is an oxygen atom or a NH group, m is an integer from 1 to 4. a1, a2, a3 and a4 satisfy 0? a1? 1.0, 0? a2? 1.0, 0? a 1.0, 0? A4? 1.0 and 0 <a1 + a2 + a3 + a4? 1.0)
제1항에 있어서, 상기 (B) 성분은 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 추가로 포함하는 것임을 특징으로 하는 도전성 재료.
Figure 112018106430557-pat00053

(식 중, b는 0<b<1.0이다)
The conductive material according to claim 1, wherein the component (B) further comprises a repeating unit represented by the following general formula (2).
Figure 112018106430557-pat00053

(Wherein b is 0 < b < 1.0)
제1항에 있어서, 상기 (B) 성분은 블록 공중합체인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.The conductive material according to claim 1, wherein the component (B) is a block copolymer. 제2항에 있어서, 상기 (B) 성분은 블록 공중합체인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.The conductive material according to claim 2, wherein the component (B) is a block copolymer. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (A) 성분은 피롤, 티오펜, 셀레노펜, 텔루로펜, 아닐린, 다환식 방향족 화합물 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 전구체 단량체가 중합된 것임을 특징으로 하는 도전성 재료.The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the component (A) is at least one selected from the group consisting of pyrrole, thiophene, selenophen, telulophen, aniline, polycyclic aromatic compounds, Wherein the precursor monomer is polymerized. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C) 성분은 하기 식 (3-1) 내지 (3-3)으로 표시되는 것 중 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
Figure 112019002690944-pat00054

(식 중, p는 1 내지 6의 정수이고, R10은 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 p가의 탄화수소기이며, R10이 탄화수소기인 경우, R10 중에 할로겐 원자, 질소 원자, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 카르바메이트기, 카르보네이트기, 술폰산에스테르기, 티올기, 술피드기, 카르보닐기, 술포닐기, 락톤기, 락탐기, 술톤기, 니트로기를 갖고 있거나 갖고 있지 않다. R11, R12는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 혹은 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며, 이들 R11, R12 중에 히드록시기, 알콕시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 술폰산에스테르기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보네이트기, 카르바메이트기, 티올기, 술피드기, 티오케톤기, 또는 복소 방향족환을 갖고 있거나 갖고 있지 않다. R13은 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 알킬기, 또는 페닐기이다)
The conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the component (C) is at least one of those represented by the following formulas (3-1) to (3-3).
Figure 112019002690944-pat00054

(Wherein, p is an integer from 1 to 6, R 10 is a straight-chain hydrogen atoms, having 1 to 30 carbon atoms, branched, or a monovalent cyclic p hydrocarbon group, when R 10 is a hydrocarbon group, a halogen while R 10 An amino group, an amide group, a carbamate group, a carbonate group, a sulfonate ester group, a thiol group, a sulfide group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a lactone group, a lactam group, alcohol tongi, does not have or has a nitro group. R 11, R 12 is an alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms of straight, branched alkyl or cyclic alkenyl group having 2 to 20, 2 to 20 carbon atoms, or carbon atoms, and 6 to 20 aryl group, and these R 11, R 12 in the hydroxyl group, an alkoxy group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a sulfonic acid ester group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carbonate group, a carboxylic A benzoyl group, a thiol group, R 13 represents a hydrogen atom, a straight, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group)
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 재료는 물 또는 유기 용제에 분산성을 갖는 것임을 특징으로 하는 도전성 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the conductive material has dispersibility in water or an organic solvent. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 재료에 의하여 도전막이 형성된 것임을 특징으로 하는 기판.A substrate comprising a conductive film formed by the conductive material according to any one of claims 1 to 4. 제8항에 있어서, 상기 도전막은 투명 전극층으로서 기능하는 것임을 특징으로 하는 기판.The substrate according to claim 8, wherein the conductive film functions as a transparent electrode layer. 제5항에 있어서, 상기 (C) 성분은 하기 식 (3-1) 내지 (3-3)으로 표시되는 것 중 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
Figure 112019002690944-pat00056

(식 중, p는 1 내지 6의 정수이고, R10은 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 p가의 탄화수소기이며, R10이 탄화수소기인 경우, R10 중에 할로겐 원자, 질소 원자, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 카르바메이트기, 카르보네이트기, 술폰산에스테르기, 티올기, 술피드기, 카르보닐기, 술포닐기, 락톤기, 락탐기, 술톤기, 니트로기를 갖고 있거나 갖고 있지 않다. R11, R12는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 혹은 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며, 이들 R11, R12 중에 히드록시기, 알콕시기, 에테르기, 에스테르기, 아미노기, 아미드기, 술폰산에스테르기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보네이트기, 카르바메이트기, 티올기, 술피드기, 티오케톤기, 또는 복소 방향족환을 갖고 있거나 갖고 있지 않다. R13은 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 알킬기, 또는 페닐기이다)
The conductive material according to claim 5, wherein the component (C) is at least one selected from the group consisting of the following formulas (3-1) to (3-3).
Figure 112019002690944-pat00056

(Wherein, p is an integer from 1 to 6, R 10 is a straight-chain hydrogen atoms, having 1 to 30 carbon atoms, branched, or a monovalent cyclic p hydrocarbon group, when R 10 is a hydrocarbon group, a halogen while R 10 An amino group, an amide group, a carbamate group, a carbonate group, a sulfonate ester group, a thiol group, a sulfide group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a lactone group, a lactam group, alcohol tongi, does not have or has a nitro group. R 11, R 12 is an alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms of straight, branched alkyl or cyclic alkenyl group having 2 to 20, 2 to 20 carbon atoms, or carbon atoms, and 6 to 20 aryl group, and these R 11, R 12 in the hydroxyl group, an alkoxy group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a sulfonic acid ester group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carbonate group, a carboxylic A benzoyl group, a thiol group, R 13 represents a hydrogen atom, a straight, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group)
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