KR101966541B1 - 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 신축성 마이크로 파이버 및 마이크로 파이버의 외면에 형성되며, 마이크로 파이버의 길이가 신장됨에 따라 크랙이 발생하여 저항이 변화하도록 구성된 전도성 층을 포함하여 구성되는 변형률 측정 파이버를 포함하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서 및 그 제조방법은 고 민감도, 고 신축성의 성질을 가지므로 매우 큰 측정범위와 정밀한 측정이 가능하며, 간단하게 생산할 수 있어 제작비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법{THE HIGHLY SENSITIVE STRETCHABLE STRAIN SENSOR UTILIZING A FINE FIBROUS MEMBRANE AND A CONDUCTING POLYMER CRACK STRUCTURE AND THE FABRICATION METHOD OF THAT}
본 발명은 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 변형률 측정센서의 길이가 신장됨에 따라 저항변화가 발생하여 변형률을 역으로 추적할 수 있는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
변형율 측정센서는 다양한 종류가 개발되어 있다. 대표적으로 스트레인 게이지, 광섬유 센서 등이 개발되어 상업적으로 널리 사용되고 있다. 한편, 새로운 기술의 개발, 예컨대 착용가능한 전자기기, 디스플레이, 네트워크 통신기기, 휴대용 전자기기 등의 개발로 이와 관련된 인간의 움직임 검출에 대한 요구가 높아지고 있다.
그러나 대한민국 공개특허 제 2013-0084832 호(2013. 7. 26. 공개) 등에 나타난 스트레인 게이지 및 광섬유 센서와 같은 변형율 센서는 인간의 움직임을 감지하기에 측정범위가 작고, 측정범위와 민감도를 모두 높일 수 없으며, 구조가 복잡하여 사람이 착용하기에는 많은 문제점이 있고, 제조비용이 비싸다는 단점이 있었다.
대한민국 공개특허 제 2013-0084832 호(2013. 7. 26. 공개)
본 발명은 종래의 변형률 측정센서의 문제점을 개선할 수 있도록 고 민감도, 고 신축성의 성질을 가지며, 저렴하고 빠르게 생산할 수 있는 변형률 측정센서를 제공하는 것에 그 목적이 있다.
상기 과제의 해결 수단으로서, 신축성 마이크로 파이버 및 마이크로 파이버의 외면에 형성되며, 마이크로 파이버의 길이가 신장됨에 따라 크랙이 발생하여 저항이 변화하도록 구성된 전도성 층을 포함하여 구성되는 변형률 측정 파이버를 포함하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서가 제공될 수 있다.
여기서, 전도성 층은 전도성 폴리머이며, 길이가 신장됨에 따라 복수의 크랙의 폭이 넓어져 저항값이 달라지도록 구성될 수 있다.
한편, 변형률 측정 파이버는 복수로 구성되며, 복수의 변형률 측정 파이버는 길이가 신장됨에 따라 합성저항 값의 변화가 측정될 수 있도록 각각의 복수의 변형률 측정 파이버의 양단을 각각 전기적으로 연결하는 커넥터를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 복수의 변형률 측정 파이버는 평판형으로 배열되며, 커넥터간의 거리가 늘어남에 따라 변화되는 복수의 변형률 측정 파이버의 합성저항값이 측정될 수 있도록 커넥터는 길이방향 양단에 구비될 수 있다.
또한, 복수의 변형률 측정 파이버는 커넥터 사이에 균일한 방향으로 배치될 수 있다.
그리고, 신축성 마이크로 파이버는 전기방사로 제조될 수 있다.
한편, 전도성 층은 전도성 폴리머로 구성될 수 있다.
그리고 전도성 층은 폴리아닐린(polyaniline)으로 구성될 수 있다.
추가로, 신축성 마이크로 파이버를 생성하는 단계, 마이크로 파이버 표면에 전도성 층을 생성시켜 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계, 변형률 측정 파이버의 양단에 전기적으로 외부와 연결될 수 있도록 구성되는 커넥터를 생성시키는 단계 및 변형률 측정 파이버를 측정범위 내에서 신장시켜 전도성 층에 크랙을 발생시키는 크랙생성단계를 포함하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법이 제공될 수 있다.
여기서, 마이크로 파이버를 생성하는 단계는 복수의 마이크로 파이버를 생성하며, 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 복수의 마이크로 파이버 표면 각각에 전도성 층을 생성시키며, 커넥터를 생성시키는 단계는 변형률 측정 파이버의 각 양단을 연결시켜 생성시킬 수 있다.
한편, 복수의 마이크로 파이버의 생성시 균일한 방향으로 생성시킬 수 있다.
그리고, 마이크로 파이버를 생성하는 단계는 평행한 전극판을 이용한 전기방사로 수행될 수 있다.
또한, 마이크로 파이버는 폴리우레탄을 전기방사하여 수행되며, 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 전도성 층을 자가 형성으로 생성될 수 있다.
한편, 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 전도성 층을 dilute polymerization으로 생성시킬 수 있다.
본 발명에 따른 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법은 고 민감도, 고 신축성의 성질을 가지므로 매우 큰 측정범위와 정밀한 측정이 가능하며, 간단하게 생산할 수 있어 제작비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 변형률 측정센서가 나타난 도면이다.
도 2는 변형률 측정 파이버를 확대하여 촬영한 SEM 이미지 이다.
도 3은 변형률 측정 파이버의 개념을 나타낸 도면이다.
도 4는 변형률 측정 센서의 일부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 센서의 변화률에 따른 저항변화가 나타난 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예인 변형률 측정센서의 일부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 7은 도 6에 나타난 센서의 변화률에 따른 저항변화가 나타난 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예인 변형률 측정센서 제조방법의 순서도이다.
도 9는 변형률 측정센서 제조방법의 개념도이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법에 대하여, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 이하의 실시예의 설명에서 각각의 구성요소의 명칭은 당업계에서 다른 명칭으로 호칭될 수 있다. 그러나 이들의 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 변형된 실시예를 채용하더라도 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 각각의 구성요소에 부가된 부호는 설명의 편의를 위하여 기재된다. 그러나 이들 부호가 기재된 도면상의 도시 내용이 각각의 구성요소를 도면내의 범위로 한정하지 않는다. 마찬가지로 도면상의 구성을 일부 변형한 실시예가 채용되더라도 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 당해 기술분야의 일반적인 기술자 수준에 비추어 보아, 당연히 포함되어야 할 구성요소로 인정되는 경우, 이에 대하여는 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 변형률 측정센서(1)가 나타난 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 변형률 측정센서(1)는 양측간의 길이변화에 따라 신축될 수 있도록 구성되며, 신축시에 발생하는 저항변화를 측정하고 이로부터 변형률을 역추적할 수 있는 정보를 제공할 수 있도록 구성된다.
변형률 측정센서(1)는 복수의 변형률 측정 파이버(10)와 커넥터(300)를 포함하여 구성된다. 복수의 변형률 측정파이버는 각각 개별적으로 신장이 가능하도록 구성되며, 추천 내지 수백만개가 모여 레이어의 형태를 이루게 된다. 레이어 형태로 구성된 변형률 측정센서(1)는 측정대상에 부착되어 표면의 변형률을 측정할 수 있도록 구성된다. 다만, 이하에서는 변형률 측정센서(1)가 평판형의 형태로 구성된 예를 들어 설명하나, 원기둥형, 사각기둥형 등 다양한 형상으로 변형되어 적용될 수 있다.
도 1 (b)에 나타난 바와 같이 변형률 측정 파이버(10)는 길이가 늘어남에 따라 표면의 전도성 층(200)에 형성된 크랙(400)의 폭이 넓어져 저항값이 커질 수 있도록 구성된다.
변형률 측정 파이버(10)는 마이크로 파이버(100)와 외면에 형성되는 전도성 층(200)을 포함하여 구성될 수 있다.
마이크로 파이버(100)는 양단에서 외력이 작용함에 따라 신장될 수 있도록 구성된다. 마이크로 파이버(100)는 신축성 재질로서 낮은 영률(young's modulus)을 갖는 재질로 구성될 수 있다. 또한 마이크로 파이버(100)는 외면에 크랙(400)이 발생하는 경우 후술할 전도성 층(200)의 기능을 확보하기 어려우며, 응력집중구간이 발생되어 반복사용시 파손의 우려가 발생하기 때문에 변형률 측정센서(1)의 측정범위 내, 즉 신장되는 범위 내에서 외면에 크랙(400)이 발생되지 않는 재질로 구성될 수 있다. 마이크로 파이버(100)는 단면이 원형으로 구성될 수 있으며, 그 직경은 10μm 이하로 구성될 수 있다. 마이크로 파이버(100)의 재질은 일 예로 폴리우레탄(PU;polyurethane)으로 구성될 수 있다.
전도성 층(200)은 마이크로 파이버(100)가 신장됨에 따라 크랙(400)이 발생하고, 크랙(400)의 폭이 넓어짐에 따라 저항변화를 발생시킬 수 있도록 구성된다. 전도성 층(200)은 마이크로 파이버(100)의 신장시 전체적으로 균일한 변형률로 신장될 수 있도록 마이크로 파이버(100)의 외면에 균일한 두께로 형성된다. 전도성 층(200)은 비탄성 재질로 구성될 수 있으며, 구체적으로 전도성 층(200)은 길이가 신장됨에 따라 전체적으로 복수의 나노크랙(400)이 발생하며, 이러한 나노크랙(400)의 폭이 넓어짐에 따라 전기적 경로의 단면적이 줄어들게 되어 저항이 높아지는 기능을 발휘하도록 구성된다. 전도성 층(200)은 일 예로서 전도성 재질인 폴리아닐린(PANI; Polyaniline)으로 구성될 수 있다.
커넥터(300)는 변형률 측정센서(1)의 양단에 구비되며, 외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 구성된다. 변형률 측정센서(1)는 길이가 신장됨에 따라 길이변화가 발생하지만 이를 측정하기 위해서는 외부의 전원이 필요하다. 따라서 이러한 외부의 전원이 변형률 측정센서(1)의 양단에 연결될 수 있도록 구성될 수 있다. 한편, 커넥터(300)는 한 쌍으로 구성되어 복수의 변형률 측정 파이버(10)에 연결될 수 있도록 일 측에 위치하는 각 변형률 측정 파이버(10)의 일단을 연결하며, 타 측에 위치하는 각 변형률 측정 파이버(10)의 타단을 연결한다. 따라서 변형률 측정 파이버(10)의 개별적인 저항변화들을 합성하여 전체 저항변화가 측정될 수 있다. 커넥터(300)는 외부의 전원이 연결되는 전기적 경로일 뿐 아니라 측정대상에 부착되어 변형될 수 있도록 기계적으로 측정대상과 연결되도록 구성된다. 이때 각각의 변형률 측정 파이버(10)는 한 쌍의 커넥터(300)에 양단이 각각 견고하게 고정되어 커넥터(300) 간 사이가 멀어짐에 따라 각각의 변형률 측정 파이버(10)가 신장될 수 있도록 구성된다.
도 2는 변형률 측정 파이버(10)를 확대하여 촬영한 SEM 이미지이며, 도 3은 변형률 측정 파이버(10)의 개념을 나타낸 도면이다. 도 2에는 변형률 측정 파이버(10)가 나타나 있으며, 여기서 scale bar는 2μm 이다. 변형률 측정 파이버(10)에 길이방향으로 외력이 작용함에 따라 중심부에 형성되는 마이크로 파이버(100)가 신장된다. 외면의 전도성 층(200)은 마이크로 파이버(100)보다 탄성이 낮은 재질로 구성되어 소정 비율 이상으로 신장이 이루어지면 곳곳에서 다수의 지점에 크랙(400)이 발생하게 된다. 크랙(400)은 전도성 층(200)에서 대체적으로 둘레방향으로 형성되며, 마이크로 파이버(100)가 신장됨에 따라서 길이방향으로 크랙(400)의 폭이 넓어지게 된다. 전도성 층(200)의 크랙(400)은 최대 변형률에서도 저항이 측정될 수 있도록 최대 측정범위에서 크랙(400)으로인해 전기적으로 단절되는 부분이 발생하지 않도록 구성된다. 즉 크랙(400)이 발생하더라도 전도성 층(200)을 둘러서 발생되더라도 일부에는 전기적경로가 유지될 수 있도록 구성된다. 한편 신장에 따른 크랙(400)폭의 변화는 전도성 층(200)의 재질 및 두께에 따라 결정되는데, 신장률의 측정범위에 따라 다양한 조합으로 선택될 수 있다.
한편, 도 3에 나타난 바와 같이, 신장되는 길이(??L)만큼 복수의 크랙(400)의 폭으로 분산된다. 다만 도 3에는 단면으로 도시하였으나 전도성 층(200)의 각각의 부분은 적어도 일부분에서 인접하는 전도성 층(200)과 접촉된다. 전도성 층(200)에 형성된 크랙(400)은 마이크로 파이버(100)의 외면에 전도성 층(200)을 형성시킨 상태에서 최초의 신장에 의해 균일하게 발생된다. 이후 반복사용에 의하더라도 크랙(400)의 개수 증가는 거의 일어나지 않으며, 신장률에 대응하여 크랙(400)의 폭이 변화하게 된다.
도 4는 변형률 측정 센서의 일부분을 확대하여 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 센서의 변화률에 따른 저항변화가 나타난 그래프이다.
도시된 바와 같이, 변형률 측정 파이버(10)는 불규칙적인 방향으로 배열되어 변형률 측정센서(1)로 구성될 수 있다. 여기서 도면상의 좌측과 우측에 커넥터(300)가 연결되어 좌우 방향으로 신장이 이루어지게 된다. 다만 여기서 상하방향으로 배열되어 있는 변형률 측정 파이버(10)와 같이 신장이 이루어지지 않은 파이버가 존재할 수 있게 된다. 도 5를 살펴보면, 50%의 변형률 내에서 상대적인 저항의 변화(
Figure 112017089068665-pat00001
)가 측정된 값이 나타나 있다. 신장률 0 %에서 50%에 따라 대응되는 저항의 상대변화율이 나타나며, 결국 측정되는 저항값을 이용하여 현재의 변형률을 산출할 수 있게 된다.
이하에서는 도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 변형률 측정센서(1)의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 본 실시예에서도 전 실시예와 동일한 구성요소를 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 구성요소에 대하여는 중복기재를 피하기 위하여 설명을 생략하고, 차이가 있는 구성에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예인 변형률 측정센서(1)의 일부분을 확대하여 도시한 도면이고, 도 7은 도 6에 나타난 센서의 변화률에 따른 저항변화가 나타난 그래프이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 변형률 측정 파이버(10)는 일정한 방향으로 정렬된 상태로 커넥터(300)와 연결될 수 있다. 복수의 변형률 측정 파이버(10)는 서로 평행한 상태로 정렬될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 초기 길이의 50%의 길이로 신장될 때 변형률 측정 파이버(10)가 정렬되지 않은 경우보다 정렬되었을 때 상대적인 저항변화량이 40배 이상인 800%의 변화량을 갖는 것을 알 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 변형률 측정 파이버(10)를 정렬하지 않은 경우보다 40배 이상의 민감한 센서가 될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 다른 실시예인 변형률 측정센서(1) 제조방법에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예인 변형률 측정센서(1) 제조방법의 순서도이며, 도 9는 변형률 측정센서 제조방법의 개념도이다.
본 발명에 따른 변형률 측정센서 제조방법은 신축성 마이크로 파이버를 생성하는 단계(S100), 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계(S200), 커넥터를 생성시키는 단계(S300) 및 전도성 층에 크랙을 발생시키는 크랙생성단계(S400)를 포함하여 구성될 수 있다.
신축성 마이크로 파이버를 생성하는 단계(S100)는 마이크로 파이버를 생성하는 단계에 해당하며 Polymer solution을 전기방사하여 생성할 수 있다. 이때 복수의 마이크로 파이버 가닥으로 생성시켜 배열할 수 있다. 이때, 전기방사시 전극의 구조를 평행한 전극판으로 구성하여 도 9에 도시된 바와 같이 소정 방향으로 정렬된 구조로 마이크로 파이버를 생성시킬 수 있게 된다. 마이크로 파이버는 신축성 재질로서 폴리우레탄 등의 재질이 사용될 수 있다.
변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계(S200)는 마이크로 파이버의 외면에 전도성 층을 형성시키는 단계에 해당한다. 전도성 층은 폴리머를 자가 형성 방법을 통해 마이크로 파이버의 외면에 형성시킬 수 있다. 구체적으로 자가 형성 방법 중 dilute polymerization technique을 이용하여 형성될 수 있다. 여기서 전도성 층은 폴리아닐린과 같은 전도성 폴리머가 사용될 수 있다.
커넥터를 생성시키는 단계(S300)는 복수의 변형률 측정 파이버가 배치된 상태에서 양단을 각각 연결하는 단계에 해당한다. 커넥터는 기계적으로 측정 대상에 연결되었을 때 측정도중 변형이 일어나지 않는 강도의 재질로 구성될 수 있으며, 외부에서 전원이 공급되어 변형률 측정 파이버에 적용될 수 있도록 도전체로 구성될 수 있다.
전도성 층에 크랙을 발생시키는 크랙생성단계(S400)는 변형률 측정센서의 양측 커넥터를 반대방향으로 잡아당겨 변형률 측정센서를 신장시키는 단계에 해당한다. 최초의 신장에 의해 각각의 변형률 측정 파이버의 전도성 층에는 수많은 나노크랙이 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 신축성 고민감도 변형률 측정 센서 및 그 제조방법은 고 민감도, 고 신축성의 성질을 가지므로 매우 큰 측정범위와 정밀한 측정이 가능하며, 간단하게 생산할 수 있어 제작비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
1: 변형률 측정센서
10: 변형률 측정 파이버
100: 마이크로 파이버
200: 전도성 층
300: 커넥터
400: 크랙
S100: 신축성 마이크로 파이버를 생성하는 단계
S200: 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계
S300: 커넥터를 생성시키는 단계
S400: 전도성 층에 크랙을 발생시키는 크랙생성단계

Claims (14)

  1. 복수의 변형률 측정 파이버를 포함하며,
    상기 변형률 측정 파이버는,
    신축성 마이크로 파이버; 및
    상기 마이크로 파이버의 외면에 형성되며, 상기 마이크로 파이버의 길이가 신장됨에 따라 복수의 크랙이 발생하여 저항이 변화하도록 구성된 전도성 층을 포함하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전도성 층은 전도성 폴리머이며,
    길이가 신장됨에 따라 복수의 크랙의 폭이 넓어져 저항값이 달라지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 변형률 측정 파이버는 길이가 신장됨에 따라 합성저항 값의 변화가 측정될 수 있도록 각각의 복수의 변형률 측정 파이버의 양단을 각각 전기적으로 연결하는 커넥터를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 변형률 측정 파이버는 평판형으로 배열되며,
    상기 커넥터간의 거리가 늘어남에 따라 변화되는 상기 복수의 변형률 측정 파이버의 합성저항값이 측정될 수 있도록 상기 커넥터는 길이방향 양단에 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 변형률 측정 파이버는,
    상기 커넥터 사이에 균일한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 신축성 마이크로 파이버는 전기방사로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 전도성 층은 전도성 폴리머로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 전도성 층은 폴리아닐린(polyaniline)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정 센서.
  9. 복수의 신축성 마이크로 파이버를 생성하는 단계;
    상기 복수의 신축성 마이크로 파이버를 정렬 또는 비정렬상태로 배치하는 단계;
    상기 마이크로 파이버 표면에 전도성 층을 생성시켜 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계;
    상기 변형률 측정 파이버의 양단에 전기적으로 외부와 연결될 수 있도록 구성되는 커넥터를 생성시키는 단계; 및
    상기 변형률 측정 파이버를 측정범위 내에서 신장시켜 상기 전도성 층에 크랙을 발생시키는 크랙생성단계를 포함하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 상기 복수의 마이크로 파이버 표면 각각에 전도성 층을 생성시키며,
    상기 커넥터를 생성시키는 단계는 상기 변형률 측정 파이버의 각 양단을 연결시켜 생성시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 마이크로 파이버의 생성시 균일한 방향으로 생성시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 마이크로 파이버를 생성하는 단계는,
    평행한 전극판을 이용한 전기방사로 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 마이크로 파이버는 폴리우레탄을 전기방사하여 수행되며,
    상기 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 상기 전도성 층을 자가 형성으로 생성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 변형률 측정 파이버를 생성시키는 단계는 상기 전도성 층을 dilute polymerization으로 생성시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 섬유표면의 크랙 구조를 이용한 변형률 측정센서 제조방법.
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